特許7381679IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

電圧生成回路及び半導体記憶装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】レイアウトサイズ及び消費電流を低減することの可能な電圧生成回路及び半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】電圧生成回路１０は、入力電圧ＶＤＤに基づいて異なる出力電圧を生成する複数の電圧生成部１１，１２，１３を備え、複数の電圧生成部１１，１２，１３の各々は、出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を検出するために直列に接続された複数の抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を有し、複数の抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち少なくとも１つの抵抗器Ｒ４は、複数の電圧生成部１１，１２，１３の間で共通に設けられている。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、半導体記憶装置内の全てのメモリ素子や回路等は、一種類の電源電圧ではなく、複数の種類の電源電圧で駆動するようになっている。これにより、半導体記憶装置内の全てのメモリ素子や回路等を駆動させるために、それぞれ異なる電源電圧を生成する複数の電圧生成部を半導体記憶装置に設ける必要がある。この場合、異なる電源電圧の数が多くなるほど、半導体記憶装置に設けられる電圧生成部の数が多くなるので、半導体記憶装置において各電圧生成部が占めるレイアウトサイズが増大するとともに、電圧生成部の数の増加に応じて半導体記憶装置の消費電流が増大する虞がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明は、入力電圧に基づいて異なる出力電圧を生成する複数の電圧生成部を備え、前記複数の電圧生成部の各々は、前記出力電圧を検出するために直列に接続された複数の抵抗器を有し、前記複数の抵抗器のうち少なくとも１つの抵抗器は、前記複数の電圧生成部の間で共通に設けられている、電圧生成回路を提供する（発明１）。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の電圧生成回路及び半導体記憶装置によれば、レイアウトサイズ及び消費電流を低減することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第１電圧生成回路の構成例を示す図である。
【図2】 制御部の構成例を示すブロック図である。
【図3】 電圧生成回路内の信号の時間推移を示すタイムチャートである。
【図4】 本発明の第２電圧生成回路の構成例を示す図である。
【図5】 電圧生成回路内の信号の時間推移を示すタイムチャートである。
【図6】 変形例に係る電圧生成回路内の信号の時間推移を示すタイムチャートである。

代表図 図1本件の代表的な図

１０…電圧生成回路 １１…第１電圧生成部 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ…ＭＯＳＦＥＴ １１ｄ…エラーアンプ １１ｅ…昇圧回路 １２…第２電圧生成部 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ…ＭＯＳＦＥＴ １３…第３電圧生成部 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ…ＭＯＳＦＥＴ １４…制御部 ＥＮ１Ｉ，ＥＮ２Ｉ，ＥＮ３Ｉ…第１制御信号 ＥＮ１Ｏ，ＥＮ２Ｏ，ＥＮ３Ｏ…第２制御信号 Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…抵抗器 ＶＤＤ…外部電源電圧 Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…出力電圧

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