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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-09
(45)【発行日】2023-11-17
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20231110BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20231110BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20231110BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 K
H01L21/68 N
H01L21/304 642A
H01L21/304 648D
【請求項の数】
23
(21)【出願番号】P 2019197952
(22)【出願日】2019-10-30
(65)【公開番号】P2020072272
(43)【公開日】2020-05-07
【審査請求日】2022-06-17
(31)【優先権主張番号】P 2018205578
(32)【優先日】2018-10-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002860
【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高橋 朋宏
(72)【発明者】
【氏名】武知 圭
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 光敏
(72)【発明者】
【氏名】秋山 剛志
【審査官】船越 亮
(56)【参考文献】
【文献】米国特許第０６３１８３８９（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特開２０００－０１２６７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２２５５７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１００９６９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する処理液を貯留し、該基板を浸漬させる槽と、前記基板を起立姿勢で保持し、前記槽に対して前記基板の受渡位置と処理位置との間で昇降可能に設けられた保持部材と、
を備え、
前記保持部材は、前記基板を下方から保持する保持溝を有し、
前記処理位置において前記保持部材が前記基板を保持した状態で、前記保持溝より上方、かつ、前記基板の表面の法線を含む鉛直方向の仮想面の水平方向の両側の位置において前記基板に当接し、前記基板の回転を抑制する保持部を、前記槽に設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記保持部材に保持され配列される複数の前記基板のそれぞれに対応して、前記保持溝及び前記保持部が前記基板の配列方向に設けられ、前記配列方向に設けられた複数の前記保持溝の位相から、隣接する該保持溝間のピッチの２分の１だけずれた位相に対して、前記配列方向に設けられた複数の保持部の位相は、さらにずれて設定されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記保持部は、前記保持部材に保持された前記基板の中心を通る水平面より下方の位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記保持溝は、前記基板の法線を含む鉛直面に平行な断面における形状が、くさび状であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記保持溝は、前記基板の法線を含む鉛直面に平行な断面における形状が、該基板のベベル部の前記断面における形状にならった形状であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記保持部材が前記槽内に下降した位置で、前記保持部と、前記保持部材に保持された前記基板の表面との間隔を水平方向に変更可能な搬送機構を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記保持部は、略円錐形状の突起又は溝形状であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理位置において前記保持部材が前記基板を保持した状態で、前記保持溝より上方、かつ、前記基板の表面の法線を含む鉛直方向の仮想面の水平方向の両側の位置において前記基板に当接し、前記基板の回転を抑制する第２保持部を、前記保持部の下側に備えることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記槽に、前記処理液を噴出させる噴出管と、
前記槽の底部から気泡を供給する気泡供給管と、
を備えることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記保持部は、前記処理位置にある前記保持部材の前記保持溝より上方かつ前記槽の深さの中心より下側で、隣接する前記保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有し、該頂点の向きが前記保持溝の長手方向に平行な向きに延びる先鋭形状の本体を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記先鋭形状が円錐形状又はニードル形状であることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記保持部より下側に、隣接する保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有する先鋭形状の本体を有する第２保持部をさらに備えることを特徴とすることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記保持部は、先鋭形状であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記保持部は、前記基板の厚み方向の両側から挟むように形成された二つの本体を含み、
前記二つの本体のうち少なくとも一方が前記基板に当接することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記二つの本体は、それぞれが円錐形状の円錐形状部と、円柱形状の円柱状部を有することを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記保持部は、前記基板の表面の周縁部に当接することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記保持部材に保持され配列される複数の前記基板のそれぞれに対応して、複数の前記保持溝及び複数の前記保持部が前記基板の配列方向に等間隔で設けられ、
複数の前記保持溝の中心相互の位置関係と、対応して等間隔で配置された複数の前記保持部の相互の位置関係とは、前記基板の配列方向においてずれていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項18】
処理液を貯留し、平板の基板を起立姿勢で浸漬して処理する槽と、
前記槽に対して、前記基板の受渡位置と該槽内の処理位置との間で昇降可能に設けられ、前記基板を起立姿勢の下方から保持して載置する凹状の複数の保持溝を有する保持部材と、
前記処理位置にある前記保持部材の前記保持溝より上方かつ前記槽の深さの中心より下側で、隣接する前記保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有し、該頂点の向きが前記保持溝の長手方向に平行な向きに延びる先鋭形状の本体を有し、前記保持溝に保持された前記基板に当接する当接部と、
を備え、
前記当接部を前記槽に設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項19】
前記先鋭形状が円錐形状又はニードル形状であることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記当接部より下側に、隣接する保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有する先鋭形状の本体を有する第２当接部をさらに備えることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の基板処理装置。
【請求項21】
前記当接部は、前記基板の表面の周縁部に当接することを特徴とする請求項１８ないし２０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項22】
前記保持部材に保持され配列される複数の前記基板のそれぞれに対応して、複数の前記保持溝及び複数の前記当接部が前記基板の配列方向に等間隔で設けられ、
複数の前記保持溝の中心相互の位置関係と、対応して等間隔で配置された複数の前記当接部の相互の位置関係とは、前記基板の配列方向においてずれていることを特徴とする請求項１８ないし２１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項23】
前記当接部は、前記基板の回転を抑制することを特徴とする請求項１８ないし２２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体ウェハ等の基板に対して、エッチング処理や洗浄処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造工程では、半導体ウェハ等の基板を処理槽に浸漬させることにより、当該基板半導体にエッチング処理や洗浄処理を施す。このような処理槽として、処理槽の底部の両側に処理液を処理槽の底面中央に向けて噴出させる噴出管と、処理槽の底部から気泡を供給する複数の気泡供給管を各噴出管の間に備える構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【0003】
このような処理槽には、さらに、貯留された処理液に基板を浸漬させるためのリフタが設けられる。リフタは、３本の保持棒によって、複数の基板を起立姿勢にて一括して保持する。また、リフタは、上下方向及び水平方向に移動可能に設けられ、保持する複数の基板を処理槽内の処理液中に浸漬する処理位置と、処理液から上方に引き上げた受渡位置との間で昇降させるとともに、隣の処理槽へ移動させることができるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特許第６３５６７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
基板に対して処理を施す際には、保持棒に保持され、処理槽に浸漬された基板に対して、処理液と気泡との底部から上方への流れが作用する。この作用を受けて、基板が周方向に回転することがある。しかし、基板の回転は、リフタに保持された複数の基板に対して必ずしも一様に生じるわけではないので、処理の効果にばらつきが生じてしまうおそれがあった。
【0006】
そこで、開示の技術の１つの側面は、基板に生じる回転を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
開示の技術の１つの側面は、次のような基板処理装置によって例示される。
本基板処理装置は、
基板を処理する処理液を貯留し、該基板を浸漬させる槽と、
前記基板を起立姿勢で保持し、前記槽に対して前記基板の受渡位置と処理位置との間で昇降可能に設けられた保持部材と、
を備え、
前記保持部材は、前記基板を下方から保持する保持溝を有し、
前記処理位置において前記保持部材が前記基板を保持した状態で、前記保持溝より上方、かつ、前記基板の表面の法線を含む鉛直方向の仮想の水平方向の両側の位置において前記基板に当接し、前記基板の回転を抑制する保持部を、前記槽に設けたことを特徴とする。
本基板処理装置は、
基板を処理する処理液を貯留し、該基板を浸漬させる槽と、
前記基板を起立姿勢で保持し、前記槽に対して前記基板の受渡位置と処理位置との間で昇降可能に設けられた保持部材と、
を備え、
前記保持部材は、前記基板を下方から保持する保持溝を有し、
前記処理位置において前記保持部材が前記基板を保持した状態で、前記保持溝より上方、かつ、前記基板の表面の法線を含む鉛直方向の仮想の水平方向の両側の位置において前記基板に当接し、前記基板の回転を抑制する保持部を、前記槽に設けたことを特徴とする。
【0008】
このような発明によれば、基板が処理液に浸漬される処理位置において、基板に対して槽の底部から液体や気泡のアップストリームが供給された場合に、下方を保持部材の保持溝によって保持された基板に生じる回転を、保持溝より上方において基板に当接する保持
部によって抑制することができる。
部によって抑制することができる。
【0009】
さらに、本発明は、
前記保持部材に保持され配列される複数の前記基板のそれぞれに対応して、前記保持溝及び前記保持部が前記配列方向に設けられ、
前記配列方向に設けられた複数の前記保持溝の位相から、隣接する該保持溝間のピッチの２分の１だけずれた位相に対して、前記配列方向に設けられた複数の保持部の位相は、さらにずれて設定されるようにしてもよい。
前記保持部材に保持され配列される複数の前記基板のそれぞれに対応して、前記保持溝及び前記保持部が前記配列方向に設けられ、
前記配列方向に設けられた複数の前記保持溝の位相から、隣接する該保持溝間のピッチの２分の１だけずれた位相に対して、前記配列方向に設けられた複数の保持部の位相は、さらにずれて設定されるようにしてもよい。
【0010】
さらに、本発明においては、
前記保持部は、前記保持部材に保持された前記基板の中心を通る水平面より下方の位置に設けられているようにしてもよい。
前記保持部は、前記保持部材に保持された前記基板の中心を通る水平面より下方の位置に設けられているようにしてもよい。
【0011】
さらに、本発明においては、
前記保持溝は、前記基板の法線を含む鉛直面に平行な断面における形状が、くさび状であるようにしてもよい。
前記保持溝は、前記基板の法線を含む鉛直面に平行な断面における形状が、くさび状であるようにしてもよい。
【0012】
さらに、本発明においては、
前記保持溝は、前記基板の法線を含む鉛直面に平行な断面における形状が、該基板のベベル部の前記断面における形状にならった形状であるようにしてもよい。
前記保持溝は、前記基板の法線を含む鉛直面に平行な断面における形状が、該基板のベベル部の前記断面における形状にならった形状であるようにしてもよい。
【0013】
さらに、本発明においては、
前記保持部材が前記槽内に下降した位置で、前記保持部と、前記保持部材に保持された前記基板の表面との間隔を水平方向に変更可能な搬送機構を有するようにしてもよい。
前記保持部材が前記槽内に下降した位置で、前記保持部と、前記保持部材に保持された前記基板の表面との間隔を水平方向に変更可能な搬送機構を有するようにしてもよい。
【0014】
さらに、本発明においては、
前記保持部は、略円錐形状の突起又は溝形状であるようにしてもよい。
前記保持部は、略円錐形状の突起又は溝形状であるようにしてもよい。
【0015】
さらに、本発明においては、
前記処理位置において前記保持部材が前記基板を保持した状態で、前記保持溝より上方、かつ、前記基板の表面の法線を含む鉛直方向の仮想面の水平方向の両側の位置において前記基板に当接し、前記基板の回転を抑制する第２保持部を、前記保持部の下側に備えるようにしてもよい。
前記処理位置において前記保持部材が前記基板を保持した状態で、前記保持溝より上方、かつ、前記基板の表面の法線を含む鉛直方向の仮想面の水平方向の両側の位置において前記基板に当接し、前記基板の回転を抑制する第２保持部を、前記保持部の下側に備えるようにしてもよい。
【0016】
このようにすれば、基板に生じる回転を、保持部と、その下側に設けられる第２保持部によって、より確実に抑制することができる。
保持部の数は、上下の方向に２つ設ける場合に限られず、３つ以上の適宜選択された数の保持部を設けることができる。
保持部の数は、上下の方向に２つ設ける場合に限られず、３つ以上の適宜選択された数の保持部を設けることができる。
【0017】
さらに、本発明においては、
前記槽に、
前記処理液を噴出させる噴出管と、
前記槽の底部から気泡を供給する気泡供給管と、
を備えるようにしてもよい。
前記槽に、
前記処理液を噴出させる噴出管と、
前記槽の底部から気泡を供給する気泡供給管と、
を備えるようにしてもよい。
【0018】
このように、噴出管や気泡供給管によって、槽の底部から上方へのアップストリームが発生する基板処理装置においても、基板の回転を効果的に抑制することができる。
【0019】
また、開示の技術の他の側面は、次のような基板処理装置によって例示される。
本基板処理装置は、
処理液を貯留し、平板の基板を起立姿勢で浸漬して処理する槽と、
前記槽に対して、前記基板の受渡位置と該槽内の処理位置との間で昇降可能に設けられ、前記基板を起立姿勢の下方から保持して載置する凹状の複数の保持溝を有する保持部材と、
前記処理位置にある前記保持部材の前記保持溝より上方かつ前記槽の深さの中心より下側で、隣接する前記保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有し、該頂点の向きが前記保持溝の長手方向に平行な向きに延びる先鋭形状の本体を有する当接部と、
を備える。
本基板処理装置は、
処理液を貯留し、平板の基板を起立姿勢で浸漬して処理する槽と、
前記槽に対して、前記基板の受渡位置と該槽内の処理位置との間で昇降可能に設けられ、前記基板を起立姿勢の下方から保持して載置する凹状の複数の保持溝を有する保持部材と、
前記処理位置にある前記保持部材の前記保持溝より上方かつ前記槽の深さの中心より下側で、隣接する前記保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有し、該頂点の向きが前記保持溝の長手方向に平行な向きに延びる先鋭形状の本体を有する当接部と、
を備える。
【0020】
このような発明によれば、下方から基板を保持して載置する凹状の複数の保持溝を有する保持部材と、保持溝より上方かつ槽の深さの中心より下側に、隣接する保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有し、この頂点の向きが前記保持溝の長手方向に平行な向きに延びる先鋭形状の本体を有する当接部を設けることにより、基板の回転を抑制することができる。保持溝より上方かつ槽の深さの中心より下側に、隣接する保持溝の間隔に等しい間隔で離間する頂点は、各当接部の本体に設けられる。
【0021】
さらに、本発明においては、
前記先鋭形状が円錐形状又はニードル形状であるようにしてもよい。
前記先鋭形状が円錐形状又はニードル形状であるようにしてもよい。
【0022】
さらに、本発明においては、
前記当接部より下側に、隣接する保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有する先鋭形状の本体を有する第２当接部をさらに備えるようにしてもよい。
前記当接部より下側に、隣接する保持溝の間隔に等しい間隔で離間した頂点を有する先鋭形状の本体を有する第２当接部をさらに備えるようにしてもよい。
【0023】
このようにすれば、基板に生じる回転を、保持部と、その下側に設けられる第２保持部によって、より確実に抑制することができる。
当接部の数は、上下の方向に２つ設ける場合に限られず、３つ以上の適宜選択された数の当接部を設けることができる。
当接部の数は、上下の方向に２つ設ける場合に限られず、３つ以上の適宜選択された数の当接部を設けることができる。
【発明の効果】
【0024】
本発明に係る基板処理装置によれば、基板に生じる回転を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【発明を実施するための形態】
【0026】
＜実施例１＞
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す
実施例は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。図１は実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置１は、主として平板の基板Ｗに対してエッチング処理や洗浄処理（以下、単に“処理”ともいう）を施すものである。基板処理装置１においては、図１において右奥側に、基板Ｗをストックするバッファ部２が配置され、バッファ部２のさらに右奥側には、基板処理装置１を操作するための正面パネル（不図示）が設けられている。また、バッファ部２における正面パネルと反対側には、基板搬出入口３が設けられている。また、基板処理装置１の長手方向における、バッファ部２の反対側（図１において左手前側）から、基板Ｗに対して処理を行う処理部５、７及び９が並設されている。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す
実施例は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。図１は実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置１は、主として平板の基板Ｗに対してエッチング処理や洗浄処理（以下、単に“処理”ともいう）を施すものである。基板処理装置１においては、図１において右奥側に、基板Ｗをストックするバッファ部２が配置され、バッファ部２のさらに右奥側には、基板処理装置１を操作するための正面パネル（不図示）が設けられている。また、バッファ部２における正面パネルと反対側には、基板搬出入口３が設けられている。また、基板処理装置１の長手方向における、バッファ部２の反対側（図１において左手前側）から、基板Ｗに対して処理を行う処理部５、７及び９が並設されている。
【0027】
各処理部５、７及び９は、各々二つの処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂを有している。また、基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９における各処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、又は９ａ及び９ｂの間でのみ図１中の短い矢印の方向及び範囲で移動させるための副搬送機構４３が備えられている。また、この副搬送機構４３は、複数枚の基板Ｗを処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂに浸漬し、又は、これらの処理槽から引き上げるため、複数枚の基板Ｗを上下にも移動させる。各々の副搬送機構４３には、複数枚の基板Ｗを保持する昇降可能なリフタ１１、１３及び１５が設けられている。さらに基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９の各々に搬送するために、図１中の長い矢印の方向及び範囲で移動可能な主搬送機構１７が備えられている。
【0028】
主搬送機構１７は、二本の可動式のアーム１７ａを有している。これらのアーム１７ａには、基板Ｗを載置するための複数の保持溝（図示省略）が設けられており、図１に示す状態で、各基板Ｗを起立姿勢で保持する。起立姿勢とは、基板Ｗの表面Ｗｆ（図３及び図５参照）に直交する法線が水平方向に沿う姿勢である。また、主搬送機構１７における二本のアーム１７ａは、図１中の右斜め下方向から見て、「Ｖ」の字状から逆「Ｖ」の字状に揺動することにより、各基板Ｗを開放する。そして、この動作により、基板Ｗは、主搬送機構１７とリフタ１１、１３及び１５との間で授受されることが可能となっている。
【0029】
図２には、基板処理装置１の機能ブロック図を示す。 上述した主搬送機構１７、副搬
送機構４３、処理部５、７、９は、制御部５５によって統括的に制御されている。制御部５５のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部５５は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ及び制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施例においては、制御部５５のＣＰＵが所定のプログラムを実行することにより、基板Ｗを各処理部５、７、９に搬送し、プログラムに応じた処理を施すように各部を制御する。上記のプログラムは、記憶部５７に記憶されている。
送機構４３、処理部５、７、９は、制御部５５によって統括的に制御されている。制御部５５のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部５５は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ及び制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施例においては、制御部５５のＣＰＵが所定のプログラムを実行することにより、基板Ｗを各処理部５、７、９に搬送し、プログラムに応じた処理を施すように各部を制御する。上記のプログラムは、記憶部５７に記憶されている。
【0030】
図３において、処理部５、７、９における各処理槽５ａ、７ａ、９ａのうち、処理槽５ａを例にとって説明する。以下の説明は、他の処理槽７ａ、９ａについても適用される。
ここで、半導体ウェハの製造工程においては、例えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にスライスし、得られたものに対して面取り、ラッピング、エッチング処理、ポリッシング等の処理が順次施される。その結果、基板表面の上には異なる材料による複数の層、構造、回路が形成される。そして、処理槽５ａにおいて行われる基板Ｗのエッチング処理は、例えば、基板Ｗに残ったタングステン等のメタルを除去する目的で行われ、基板Ｗを処理液としてのリン酸水溶液などに所定時間浸漬することにより行われる。
ここで、半導体ウェハの製造工程においては、例えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にスライスし、得られたものに対して面取り、ラッピング、エッチング処理、ポリッシング等の処理が順次施される。その結果、基板表面の上には異なる材料による複数の層、構造、回路が形成される。そして、処理槽５ａにおいて行われる基板Ｗのエッチング処理は、例えば、基板Ｗに残ったタングステン等のメタルを除去する目的で行われ、基板Ｗを処理液としてのリン酸水溶液などに所定時間浸漬することにより行われる。
【0031】
処理槽５ａは、リン酸水溶液中に基板Ｗを浸漬させる内槽５０１及び内槽５０１の上部からオーバーフローしたリン酸水溶液を回収する外槽（不図示）によって構成される二重
槽構造を有している。内槽５０１は、リン酸水溶液に対する耐食性に優れた石英又はフッ素樹脂材料にて形成された平面視矩形の箱形形状部材である。内槽５０１には、前述のように、貯留されたリン酸水溶液に基板Ｗを浸漬させるためのリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、搬送機構側の背板１３１と、背板１３１の下部から水平方向に延び、互いに平行に設けられた３本の保持棒１３２，１３３，１３４を有する。複数の基板Ｗは、保持棒１３２，１３３，１３４に設けられた保持溝（後述する）によって、起立姿勢にて相互に平行に一括して保持される。リフタ１３は、副搬送機構４３によって上下左右の方向に移動可能に設けられており、保持する複数枚の基板Ｗを内槽５０１内のリン酸水溶液中に浸漬する処理位置とリン酸水溶液から引き上げた受渡位置との間で昇降させるとともに、隣の処理槽５ｂへ移動させることが可能となっている。ここでは、リフタ１３が保持部材に対応する。
槽構造を有している。内槽５０１は、リン酸水溶液に対する耐食性に優れた石英又はフッ素樹脂材料にて形成された平面視矩形の箱形形状部材である。内槽５０１には、前述のように、貯留されたリン酸水溶液に基板Ｗを浸漬させるためのリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、搬送機構側の背板１３１と、背板１３１の下部から水平方向に延び、互いに平行に設けられた３本の保持棒１３２，１３３，１３４を有する。複数の基板Ｗは、保持棒１３２，１３３，１３４に設けられた保持溝（後述する）によって、起立姿勢にて相互に平行に一括して保持される。リフタ１３は、副搬送機構４３によって上下左右の方向に移動可能に設けられており、保持する複数枚の基板Ｗを内槽５０１内のリン酸水溶液中に浸漬する処理位置とリン酸水溶液から引き上げた受渡位置との間で昇降させるとともに、隣の処理槽５ｂへ移動させることが可能となっている。ここでは、リフタ１３が保持部材に対応する。
【0032】
内槽５０１の底部に配設された配管２０ａ，２０ｂから、リン酸水溶液が供給される。これによって内槽５０１の内部には底部から上方へと向かうリン酸水溶液のアップフローが生じる。また、内槽５０１の底部に配設された気泡配管３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄから、窒素ガスの気泡が供給される。これによって、内槽５０１の内部には底部から上方へと向かう窒素ガスのアップフローも生じる。ここでは、配管２０ａ，２０ｂが本発明の噴出管に対応し、気泡配管３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄが本発明の気泡供給管に対応する。
【0033】
図３は、内槽５０１の搬送機構側の側壁５０１ａに直交する方向（図１の右下から左上の方向）、から見た図である。基板Ｗは、図３の奥から手前方向へと保持棒１３２，１３３，１３４に、起立姿勢で保持され、配列されている。内槽５０１の、基板Ｗの表面に沿って両側に位置する側壁５０１ｂ，５０１ｃには、側壁５０１ｂ，５０１ｃに直交し、基板Ｗの表面に沿う方向に突出する略円錐形状の保持部５２ａ，５３ａが設けられている。保持部５２ａ（保持部５３ａも同様である）は、図４に示すように、頂点５２ａｐと側面５２ａｓを有する先鋭形状である。保持部５２ａ（保持部５３ａも同様である）の頂点５２ａｐの向きは保持溝１３２１の長手方向に平行な向き（図３の紙面に平行な向き）に延びる。保持部５２ａ，５３ａは、基板Ｗの表面Ｗｆの法線を含む鉛直方向の仮想面（鉛直面）Ｖｐ（図３では中心Ｗｃを通り紙面に直交する上下方向の面に相当する。）に対して水平方向の両側の位置において、基板Ｗの表面の周縁部Ｗｆｐ，Ｗｆｐに当接する。保持部５２ａ，５３ａの当接位置は、例えば、基板Ｗの径を３００ｍｍとしたとき、基板Ｗの中心Ｗｃを通る水平面から１３ｍｍ下方の位置とすることができる。ここで、保持部５２ａ，５３ａは、本発明の保持部に対応するとともに、本発明の当接部に対応する。ここでは、内槽５０１の深さの中心は、基板Ｗの中心Ｗｃの位置に一致するものとして説明するが、これに限られない。
【0034】
保持部５２ａ，５３ａは、側壁５０１ｂ，５０１ｃに沿って水平方向に、すなわち、複数の基板Ｗの配列方向に沿って、リフタ１３に保持可能な基板Ｗの枚数に対応した複数個設けられている。これらの保持部５２ａ，５３ａは、内槽５０１に設置される支持具５２，５３の所定位置に形成されている。図４に支持具５２の斜視図を示す。支持具５２は、側壁５０１ｂに沿って水平方向に延び、保持部５２ａが形成される板状部５２１と、板状部５２１の両端部から上方に延び、側壁５０１ｂの上縁部で屈曲して側壁５０１ｂの外方に垂下する板状の係合部５２２，５２３と、板状部５２１の両端側から内槽５０１の内方に延びる柱状の位置決め部５２４，５２５とを有する。保持部５３ａが設けられる支持具５３についても同様に構成されるので説明は省略する。支持具５２の係合部５２２，５２３は、内槽５０１の側壁５０１ｂの上縁と係合することにより、内槽５０１に係止される。また、支持具５２の位置決め部５２４，５２５には、内槽５０１の搬送機構側の側壁５０１ａ、ステップ側の側壁５０１ｄにそれぞれ立設された位置調整用ボルト５０１２ａ，５０１３ａが挿通される孔５２４ａ，５２５ａが設けられている。位置決め部５２４，５
２５を挟んで、側壁５０１ａ，５０１ｄと逆側の、位置調整用ボルト５０１２ａ，５０１３ａの端部からナット５０１２ｂ，５０１３ｂを螺合させる（図５参照）。位置調整用ボルト５０１２ａ，５０１３ａに対してナット５０１２ｂ，５０１３ｂを螺合させる位置を水平方向で調整することにより、係合部５２２，５２３によって内槽５０１に係止された支持具５２及びこれに支持された保持部５２ａの水平方向の位置を調整することができる。支持具５２，５３の本体は、石英等の耐熱性の材料にて形成し、保持部５２ａ，５３ａはＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）にて形成することができるが、支持具５２，５３を形成する材料はこれに限られない。
２５を挟んで、側壁５０１ａ，５０１ｄと逆側の、位置調整用ボルト５０１２ａ，５０１３ａの端部からナット５０１２ｂ，５０１３ｂを螺合させる（図５参照）。位置調整用ボルト５０１２ａ，５０１３ａに対してナット５０１２ｂ，５０１３ｂを螺合させる位置を水平方向で調整することにより、係合部５２２，５２３によって内槽５０１に係止された支持具５２及びこれに支持された保持部５２ａの水平方向の位置を調整することができる。支持具５２，５３の本体は、石英等の耐熱性の材料にて形成し、保持部５２ａ，５３ａはＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）にて形成することができるが、支持具５２，５３を形成する材料はこれに限られない。
【0035】
図５は、内槽５０１における、リフタ１３、基板Ｗ、支持具５２及び保持部５２ａとの位置関係を示す図である。図５では、側壁５０１ｂに直交する方向から見た図であり、リフタ１３及び保持棒１３２は、基板Ｗの中心を通る鉛直面との断面を破線で示している。図５では、保持棒１３２には、断面くさび状の保持溝１３２１が複数（図上では１２個のみ示している。）設けられている（図５では、右端の基板Ｗに関係する各部にのみ符号を付して、他の基板Ｗに関係する各部は同様の構成を有するため符号は省略している。）。
【0036】
保持溝１３２１を拡大して示す図６を参照して、基板Ｗと保持溝１３２１との位置関係を説明する。基板Ｗの表面の端縁部Ｗｅ，Ｗｅ（図６参照）が、保持溝１３２１のステップ側の斜面１３２１ａ（図６参照）と、保持溝１３２１の搬送機構側の斜面１３２１ｂ（図６参照）とにそれぞれ当接することにより、基板Ｗの下端部が保持溝１３２１に係合し、保持されている。一方、上述したように、基板Ｗの表面の周縁部Ｗｆｐ（図３参照）には、保持部５２ａが当接している。基板Ｗは、図５の紙面に直交する方向に見たとき、保持溝１３２１によって下方から保持され、保持部５２ａによって上方から保持される。保持棒１３２の保持溝１３２１は、図の手前から奥に向けて基板Ｗの外周に沿って形成されているので、実際には、基板Ｗの端縁部Ｗｅは、保持溝１３２１の斜面１３２１ａ，１３２１ｂのそれぞれと曲線的領域によって当接している。図５では省略しているが、保持棒１３２と側壁５０１ｂとの間で、保持棒１３３の、同様に断面くさび状の保持溝１３３１のステップ側及び搬送機構側の斜面によって保持されている。また、図５の紙面手前側では、保持棒１３２と側壁５０１ｃとの間で、保持棒１３４の、同様に断面くさび状の保持溝１３４１のステップ側及び搬送機構側の斜面によって保持されている。そして、図５の手前側においても、側壁５０１ｃに設けられた支持具５３によって、基板Ｗの表面に沿って、基板Ｗの中心を上下方向に通る直線に対して線対称な位置で、基板Ｗの表面の周縁部Ｗｆｐに、保持部５３ａが当接している。
【0037】
図６は、リフタ１３の保持棒１３２の保持溝１３２１と保持部５２ａの位置との関係を説明する図である。図６は、基板Ｗの中心を通る鉛直面に平行な断面における断面図である。保持棒１３２の延長方向、すなわち、基板Ｗの配列方向において、保持溝１３２１の中心１３２１ｃと隣接する保持溝１３２１の中心１３２１ｃとの間隔（保持溝１３２１のピッチ）をＬ１としたとき、保持溝１３２１の中心１３２１ｃからＬ１／２の距離にある位置を基準位置１３２Ｓとする。換言すれば、基準位置１３２Ｓは、隣接する保持溝１３２１の中心１３２１ｃ同士の中央の位置である。本実施例では、基板Ｗが搬送機構側（図では左側）に傾斜するものとして、保持部５２ａを基準位置１３２Ｓの鉛直上方の位置から、水平方向に基板Ｗの傾斜する側へ所定距離Ｌ２（Ｌ２＞０）を隔てた位置、すなわちＬ２だけずれた位置に保持部５２ａを設けている。本実施例では、Ｌ１は５ｍｍに設定している。図３に示すように保持棒１３２に保持された直径３００ｍｍの基板Ｗの中心Ｗｃに対して、保持部５２ａが鉛直方向にＬ０（ここでは１３ｍｍに設定しているが、基板Ｗの大きさに適宜設定することができる。）下方に位置するように、支持具５２が内槽５０１の側壁５０１ｂに対して位置決めされる。図６に示されるように、ピッチＬ１で基板Ｗの配列方向に設けられた複数の保持溝１３２１のそれぞれに対応する保持部５２ａも、基板Ｗの配列方向にピッチＬ１で設けられている。すなわち、隣接する保持溝１３２１の間
隔である、保持溝１３２１の中心１３２１ｃと、隣接する保持溝１３２１の中心１３２１ｃとの間隔に等しい間隔で離間して保持部５２ａ（頂点５２ａｐ）が配置されている。このとき、図６で明らかなように、複数の保持溝１３２１の位相と、対応する複数の保持部５２ａの位相とはずれている。すなわち、等間隔で配置された複数の保持溝１３２１の中心１３２１ｃ相互の位置関係と、対応して等間隔で配置された複数の保持部５２ａの相互の位置関係とはずれている。複数の保持部５２ａは、保持溝１３２１に対してピッチＬ１の２分の１だけ位相がずれた基準位置１３２Ｓに対して、左側へと距離Ｌ２に対応する分だけさらに位相がずれている。図６では、複数の保持部５２ａが、保持溝１３２１に対してピッチＬ１の２分の１だけ位相がずれた基準位置１３２Ｓに対して、左側へと位相がずれているが、右側にずれるように構成してもよい。
隔である、保持溝１３２１の中心１３２１ｃと、隣接する保持溝１３２１の中心１３２１ｃとの間隔に等しい間隔で離間して保持部５２ａ（頂点５２ａｐ）が配置されている。このとき、図６で明らかなように、複数の保持溝１３２１の位相と、対応する複数の保持部５２ａの位相とはずれている。すなわち、等間隔で配置された複数の保持溝１３２１の中心１３２１ｃ相互の位置関係と、対応して等間隔で配置された複数の保持部５２ａの相互の位置関係とはずれている。複数の保持部５２ａは、保持溝１３２１に対してピッチＬ１の２分の１だけ位相がずれた基準位置１３２Ｓに対して、左側へと距離Ｌ２に対応する分だけさらに位相がずれている。図６では、複数の保持部５２ａが、保持溝１３２１に対してピッチＬ１の２分の１だけ位相がずれた基準位置１３２Ｓに対して、左側へと位相がずれているが、右側にずれるように構成してもよい。
【0038】
内槽５０１の側壁５０１ｂに直交する方向から見たときに、保持棒１３２の保持溝１３２１の中心１３２１ｃ間の中心である基準位置１３２Ｓの鉛直方向上方の位置を基準として距離Ｌ２を変化させて保持部５２ａを配置した場合に、基板Ｗの回転角度を計測したところ図７に示す結果を得た。このとき、処理温度は１６０．３℃、処理時間は、１２０分、処理フローとしては、リン酸処理‐洗浄‐乾燥を行い、窒素ガスによるバブリングについては１分当たり１３リットルとし、気泡配管４本のうち手前の１本を閉じ、３本から吐出させる条件とした。保持部の位置については、基準位置１３２Ｓの鉛直上方からずらし無し、基準位置１３２Ｓの鉛直上方から、０．５ｍｍ、０，８ｍｍ、１．０ｍｍずらした場合について計測した。保持部５２ａを基準位置１３２Ｓの鉛直上方に配置した場合の基板Ｗの回転角度は－１９度から－３９度の範囲に分布した。これに対して、保持部５２ａを基準位置１３２Ｓの鉛直上方から０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍずらして配置した場合には、基板Ｗの回転角度はそれぞれ、－５度から－１０度、－２度から－８度、－６度から－１０度の範囲に分布した。このように、保持溝１３２１の中心１３２１ｃ間の中心である基準位置１３２Ｓの鉛直方向上方の位置から保持部５２ａをずらして配置することにより、基板Ｗの回転を抑制できることがわかった。リフタ１３を下降させて、処理位置にまで下降させた状態で、保持部と保持溝とで基板Ｗの回転を抑制できる。
【0039】
＜実施例２＞
以下、本発明の実施例２について説明する。実施例１と同様の構成については同様の符号を用いて詳細な説明を省略する。
実施例１では、図５及び図６に示すように、保持棒１３２（保持棒１３３，１３４も同様）の保持溝１３２１の形状は、断面くさび状であったが、実施例２では、保持溝１３２２の断面形状が異なる。
図８（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部（ベベル部）Ｗｐは、周端面Ｖが外径側に凸となるような曲面形状となっていることもある。このような場合には、図８（ｂ）に示すように、保持棒１３２の保持溝１３２２の断面形状を、基板Ｗの周縁部Ｗｐの断面形状にならい、溝底部１３２２ａを曲線形状とし、開口にむけて、平行な直線形状とすることにより、基板Ｗと保持溝１３２２との接触面積が増え、基板Ｗをより安定的に保持することができる。また、図８（ｂ）に示すように、基板Ｗの処理面の向きに応じて傾斜して保持し得るように、保持溝１３２２を基板Ｗの配列方向に傾斜させて形成してもよいし、傾斜させずに保持溝１３２２を鉛直方向に形成してもよい。
また、実施例１では、保持部５２ａ，５３ａは、基板Ｗの表面の周縁部Ｗｆｐに当接する構成としているが、保持部５２ａ，５３ａが基板Ｗの曲面形状をなす周端面Ｖに当接するようにすることもできる。このようにすれば、保持部５２ａ，５３ａが基板Ｗの表面に接触することなく、基板Ｗを保持することができる。
以下、本発明の実施例２について説明する。実施例１と同様の構成については同様の符号を用いて詳細な説明を省略する。
実施例１では、図５及び図６に示すように、保持棒１３２（保持棒１３３，１３４も同様）の保持溝１３２１の形状は、断面くさび状であったが、実施例２では、保持溝１３２２の断面形状が異なる。
図８（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部（ベベル部）Ｗｐは、周端面Ｖが外径側に凸となるような曲面形状となっていることもある。このような場合には、図８（ｂ）に示すように、保持棒１３２の保持溝１３２２の断面形状を、基板Ｗの周縁部Ｗｐの断面形状にならい、溝底部１３２２ａを曲線形状とし、開口にむけて、平行な直線形状とすることにより、基板Ｗと保持溝１３２２との接触面積が増え、基板Ｗをより安定的に保持することができる。また、図８（ｂ）に示すように、基板Ｗの処理面の向きに応じて傾斜して保持し得るように、保持溝１３２２を基板Ｗの配列方向に傾斜させて形成してもよいし、傾斜させずに保持溝１３２２を鉛直方向に形成してもよい。
また、実施例１では、保持部５２ａ，５３ａは、基板Ｗの表面の周縁部Ｗｆｐに当接する構成としているが、保持部５２ａ，５３ａが基板Ｗの曲面形状をなす周端面Ｖに当接するようにすることもできる。このようにすれば、保持部５２ａ，５３ａが基板Ｗの表面に接触することなく、基板Ｗを保持することができる。
【0040】
＜実施例３＞
以下、本発明の実施例３について説明する。実施例１及び２と同様の構成については同様の符号を用いて説明を省略する。
実施例３では、リフタ１１，１３，１５が上下左右のみならず、主搬送機構方向及びステップ方向、すなわち、リフタ１３の背板１３１側を後方、背板１３１に対して保持棒１３２，１３３，１３４が延びる方向を前方としたとき、前後にも移動することができるように構成されている。
リフタ１３を前後に移動させることにより、リフタ１３を下降させて、基板Ｗを処理液に浸漬する際の処理槽５，７，９に対するリフタ１３の相対位置から、リフタ１３を処理位置にまで下降させた状態で、前後方向に移動させることができる。設定された保持部５２ａ，５３ａと干渉しないような位置で、リフタ１３を下降させ、基板Ｗに対して、保持部５２ａ，５３ａが最適な位置となるようにリフタ１３を前後方向に移動させることができる。すなわち、保持部５２ａ，５３ａと基板Ｗとの間隔を水平方向変更可能とするように搬送機構を構成している。そして、リフタ１３を上昇させるときには、再度、基板Ｗが保持部５２ａ，５３ａに干渉しない位置まで前後方向に移動させた後に、リフタ１３を上昇させることができる。実施例１及び実施例２では、保持部５２ａ，５３ａ内槽５０１に位置調整可能に設置されていたが、保持部５２ａ，５３ａの内槽５０１に対する前後方向の相対位置を固定した状態で設置し、リフタ１３を前後方向に移動させることにより、基板Ｗと保持部５２ａ，５３ａとの相対位置を適切な位置に調整するようにしてもよい。さらに、実施例１及び実施例２と同様に、保持部５２ａ，５３ａを支持具５２，５３によって内槽５０１に設置しておき、リフタ１３の前後移動によって、基板Ｗと保持部５２ａ，５３ａとの相対位置を微調整することもできる。
以下、本発明の実施例３について説明する。実施例１及び２と同様の構成については同様の符号を用いて説明を省略する。
実施例３では、リフタ１１，１３，１５が上下左右のみならず、主搬送機構方向及びステップ方向、すなわち、リフタ１３の背板１３１側を後方、背板１３１に対して保持棒１３２，１３３，１３４が延びる方向を前方としたとき、前後にも移動することができるように構成されている。
リフタ１３を前後に移動させることにより、リフタ１３を下降させて、基板Ｗを処理液に浸漬する際の処理槽５，７，９に対するリフタ１３の相対位置から、リフタ１３を処理位置にまで下降させた状態で、前後方向に移動させることができる。設定された保持部５２ａ，５３ａと干渉しないような位置で、リフタ１３を下降させ、基板Ｗに対して、保持部５２ａ，５３ａが最適な位置となるようにリフタ１３を前後方向に移動させることができる。すなわち、保持部５２ａ，５３ａと基板Ｗとの間隔を水平方向変更可能とするように搬送機構を構成している。そして、リフタ１３を上昇させるときには、再度、基板Ｗが保持部５２ａ，５３ａに干渉しない位置まで前後方向に移動させた後に、リフタ１３を上昇させることができる。実施例１及び実施例２では、保持部５２ａ，５３ａ内槽５０１に位置調整可能に設置されていたが、保持部５２ａ，５３ａの内槽５０１に対する前後方向の相対位置を固定した状態で設置し、リフタ１３を前後方向に移動させることにより、基板Ｗと保持部５２ａ，５３ａとの相対位置を適切な位置に調整するようにしてもよい。さらに、実施例１及び実施例２と同様に、保持部５２ａ，５３ａを支持具５２，５３によって内槽５０１に設置しておき、リフタ１３の前後移動によって、基板Ｗと保持部５２ａ，５３ａとの相対位置を微調整することもできる。
【0041】
＜実施例４＞
以下、本発明の実施例４について説明する。実施例１と同様の構成については同様の符号を用いて詳細な説明を省略する。図９（ａ）は、実施例４の保持部５２ａ，５３ａの形状及び基板Ｗとの関係を、保持部５２ａ，５３ａの中心軸を通る断面で示した図である。図９（ｂ）は実施例４の変形例に係る保持部５２ａ，５３ａの形状及び基板Ｗとの関係を、保持部５２ａ，５３ａの中心軸を通る断面で示した図である。
実施例１では、保持部５２ａ，５３ａを略円錐形状の突起として形成しているが、実施例４では、保持部５２ａ，５３ａの形状が異なる。ここでは、保持部５２ａは、頂点５２ａ１ｐを有する略円錐形状部と円柱状部とからなるニードル形状の本体５２ａ１と、頂点５２ａ２ｐを有する略円錐形状部と円柱状部とからなるニードル形状の本体５２ａ２とを含む。保持部５３ａは、頂点５３ａ１ｐを有する略円錐形状部と円柱形状部とからなるニードル形状の本体５３ａ１と、頂点５３ａ２ｐを有する略円錐形状部と円柱状部とからなるニードル形状の本体５３ａ２とを含む。このとき、頂点５２ａ１ｐ、頂点５２ａ２ｐ、頂点５３ａ１ｐ、頂点５３ａ２ｐの向きはいずれも保持溝１３２１の長手方向に平行な向きに延びている。
図９（ａ）に示すように、保持部５２ａ，５３ａの断面形状を、基板Ｗの厚み方向に挟むくさび状にすることにより、基板Ｗの周縁部との接触面積が増え、基板Ｗをより安定的に保持することができる。保持部５２ａの本体５２ａ１は、頂点５２ａ１ｐ及び側面５２ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５２ａの本体５２ａ２も、頂点５２ａ２ｐ及び側面５２ａ２ｓを有する先鋭形状である。保持部５３ａの本体５３ａ１は、頂点５３ａ１ｐ及び側面５３ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５３ａの本体５３ａ２も、頂点５３ａ２ｐ及び側面５３ａ２ｓを有する先鋭形状である。
以下、本発明の実施例４について説明する。実施例１と同様の構成については同様の符号を用いて詳細な説明を省略する。図９（ａ）は、実施例４の保持部５２ａ，５３ａの形状及び基板Ｗとの関係を、保持部５２ａ，５３ａの中心軸を通る断面で示した図である。図９（ｂ）は実施例４の変形例に係る保持部５２ａ，５３ａの形状及び基板Ｗとの関係を、保持部５２ａ，５３ａの中心軸を通る断面で示した図である。
実施例１では、保持部５２ａ，５３ａを略円錐形状の突起として形成しているが、実施例４では、保持部５２ａ，５３ａの形状が異なる。ここでは、保持部５２ａは、頂点５２ａ１ｐを有する略円錐形状部と円柱状部とからなるニードル形状の本体５２ａ１と、頂点５２ａ２ｐを有する略円錐形状部と円柱状部とからなるニードル形状の本体５２ａ２とを含む。保持部５３ａは、頂点５３ａ１ｐを有する略円錐形状部と円柱形状部とからなるニードル形状の本体５３ａ１と、頂点５３ａ２ｐを有する略円錐形状部と円柱状部とからなるニードル形状の本体５３ａ２とを含む。このとき、頂点５２ａ１ｐ、頂点５２ａ２ｐ、頂点５３ａ１ｐ、頂点５３ａ２ｐの向きはいずれも保持溝１３２１の長手方向に平行な向きに延びている。
図９（ａ）に示すように、保持部５２ａ，５３ａの断面形状を、基板Ｗの厚み方向に挟むくさび状にすることにより、基板Ｗの周縁部との接触面積が増え、基板Ｗをより安定的に保持することができる。保持部５２ａの本体５２ａ１は、頂点５２ａ１ｐ及び側面５２ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５２ａの本体５２ａ２も、頂点５２ａ２ｐ及び側面５２ａ２ｓを有する先鋭形状である。保持部５３ａの本体５３ａ１は、頂点５３ａ１ｐ及び側面５３ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５３ａの本体５３ａ２も、頂点５３ａ２ｐ及び側面５３ａ２ｓを有する先鋭形状である。
【0042】
また、図９（ｂ）に示すように、保持部５２ａ，５３ａの断面形状を、基板Ｗの厚さ方向の両面側から挟み込む形状としてよい。基板Ｗの周縁部を基板Ｗの厚さ方向の両面から挟むことで、基板Ｗの周縁部が外径側に凸となるような曲線形状である場合や、図９（ａ）のくさび状に適合しない場合であっても、基板Ｗの周縁部を両面から挟み込むことで、基板Ｗをさらに安定的に保持することができる。ここで、保持部５２ａは、５２ａ１及び５２ａ２によって凹状の溝形状に構成されている。保持部５３ａも、５３ａ１及び５３ａ２によっては凹状の溝形状に構成されている。保持部５２ａの本体５２ａ１は、頂点５２
ａ１ｐ及び側面５２ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５２ａの本体５２ａ２も、頂点５２ａ２ｐ及び側面５２ａ２ｓを有する先鋭形状である。保持部５３ａの本体５３ａ１は、頂点５３ａ１ｐ及び側面５３ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５３ａの本体５３ａ２も、頂点５３ａ２ｐ及び側面５３ａ２ｓを有する先鋭形状である。
ａ１ｐ及び側面５２ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５２ａの本体５２ａ２も、頂点５２ａ２ｐ及び側面５２ａ２ｓを有する先鋭形状である。保持部５３ａの本体５３ａ１は、頂点５３ａ１ｐ及び側面５３ａ１ｓを有する先鋭形状である。また、保持部５３ａの本体５３ａ２も、頂点５３ａ２ｐ及び側面５３ａ２ｓを有する先鋭形状である。
【0043】
＜実施例５＞
以下、本発明の実施例５について説明する。実施例１と同様の構成については同様の符号を用いて詳細な説明を省略する。図１０（ａ）は、図５と同様に、内槽５０１におけるリフタ１３、基板Ｗ、支持具５２及び保持部５２ａ，５２ｂとの位置関係を示す図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のうち、基板Ｗの一部と保持部５２ａ，５２ｂとの位置関係を拡大して示す図である。
実施例１では、図４及び図５に示すように、支持具５２，５３に、保持部５２ａ，５３ａを、基板Ｗの表面Ｗｆの法線を含む鉛直方向の仮想面Ｖｐに対して水平方向の両側に基板Ｗごとに各１つ設けているが、実施例５では、支持具５２，５３に、保持部５２ａ、５３ａとその下側に保持部５２ｂ，５３ｂを基板Ｗごとに各１つずつ設けている。保持部５２ｂの頂点は、５２ａの頂点と保持溝１３２１の端部とを結ぶ略直線上に配置される（保持部５３ｂの頂点と、５３ａの頂点及び保持溝１３２１の端部との位置関係も同様である。）。保持部５２ｂ，５３ｂは、対応する保持部５２ａ，５３ａに対して支持具５２の位置決め部５２４側にずらした位置に設けられ、保持部５２ａ，５３ａと、対応する基板Ｗを保持する保持溝との間に位置する。ここでは、保持部５２ｂ，５３ｂが本発明の第２保持部及び第２当接部に対応する。
保持部は、上述の鉛直方向にＬ０と保持溝１３２１の中心１３２１ｃとの間に複数個あってよく、その個数、位置は、処理液と気泡との底部から上方への流れの強さやリフタの昇降による基板の昇降速度などに合わせて基板に生じる回転を抑制するように調整できる。
以下、本発明の実施例５について説明する。実施例１と同様の構成については同様の符号を用いて詳細な説明を省略する。図１０（ａ）は、図５と同様に、内槽５０１におけるリフタ１３、基板Ｗ、支持具５２及び保持部５２ａ，５２ｂとの位置関係を示す図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のうち、基板Ｗの一部と保持部５２ａ，５２ｂとの位置関係を拡大して示す図である。
実施例１では、図４及び図５に示すように、支持具５２，５３に、保持部５２ａ，５３ａを、基板Ｗの表面Ｗｆの法線を含む鉛直方向の仮想面Ｖｐに対して水平方向の両側に基板Ｗごとに各１つ設けているが、実施例５では、支持具５２，５３に、保持部５２ａ、５３ａとその下側に保持部５２ｂ，５３ｂを基板Ｗごとに各１つずつ設けている。保持部５２ｂの頂点は、５２ａの頂点と保持溝１３２１の端部とを結ぶ略直線上に配置される（保持部５３ｂの頂点と、５３ａの頂点及び保持溝１３２１の端部との位置関係も同様である。）。保持部５２ｂ，５３ｂは、対応する保持部５２ａ，５３ａに対して支持具５２の位置決め部５２４側にずらした位置に設けられ、保持部５２ａ，５３ａと、対応する基板Ｗを保持する保持溝との間に位置する。ここでは、保持部５２ｂ，５３ｂが本発明の第２保持部及び第２当接部に対応する。
保持部は、上述の鉛直方向にＬ０と保持溝１３２１の中心１３２１ｃとの間に複数個あってよく、その個数、位置は、処理液と気泡との底部から上方への流れの強さやリフタの昇降による基板の昇降速度などに合わせて基板に生じる回転を抑制するように調整できる。
【0044】
＜変形例＞
上述の実施例においては、保持部５２ａ，５３ａを略円錐形状の突起、ニードル形状の突起又は溝形状として形成しているが、保持部５２ａ，５３ａの形状はこれに限られない。
また、上述の実施例では、処理液としてリン酸水溶液を用いる場合について説明したが、処理液はこれに限られず、混酸（リン酸、硝酸、酢酸、純水）水溶液等の他の処理液を用いる場合についても同様に適用できる。
以上で開示した実施形態や変形例はそれぞれ組み合わせることができる。
上述の実施例においては、保持部５２ａ，５３ａを略円錐形状の突起、ニードル形状の突起又は溝形状として形成しているが、保持部５２ａ，５３ａの形状はこれに限られない。
また、上述の実施例では、処理液としてリン酸水溶液を用いる場合について説明したが、処理液はこれに限られず、混酸（リン酸、硝酸、酢酸、純水）水溶液等の他の処理液を用いる場合についても同様に適用できる。
以上で開示した実施形態や変形例はそれぞれ組み合わせることができる。
【符号の説明】
【0045】
１・・・基板処理装置
１３・・リフタ
１３２１，１３２２，１３３１，１３４１・・保持溝
４３・・・副搬送機構
５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ・・・保持部
５０１・内槽
Ｗ・・・基板
Ｗｐ・・・ベベル部
１３・・リフタ
１３２１，１３２２，１３３１，１３４１・・保持溝
４３・・・副搬送機構
５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ・・・保持部
５０１・内槽
Ｗ・・・基板
Ｗｐ・・・ベベル部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】