特許7383881IP Force 特許公報全文掲載

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この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述したように、図１４～１６に示す従来の半導体素子１２１，１２１’，１２３のいずれかの半導体素子が実装されたデバイスでは、デバイスのオン抵抗に占める、半導体素子１２１，１２１’，１２３自身のオン抵抗Ｒsi以外の抵抗成分の比率が高い。デバイスのオン抵抗に占める比率の高い抵抗成分のうち、特に、半導体素子１２１，１２１’，１２３の表面電極１１１の抵抗の比率が無視できないほど高くなっている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。半導体基板に、半導体素子が設けられている。前記半導体基板の第１主面に、表面電極が設けられている。前記表面電極は、前記半導体素子の所定領域と電気的に接続されている。前記半導体基板の第２主面は、実装基板に接合されている。ワイヤの一方の端部は前記表面電極に接合され、他方の端部は前記実装基板の導電体部に・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、半導体素子を実装した半導体装置のオン抵抗を低減させることができるという効果を奏する。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態１にかかる半導体装置の一部を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す断面図である。
【図2】 実施の形態１にかかる半導体装置の一部を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトの別の一例を示す断面図である。
【図3】 図１の一部を拡大して示す平面図である。
【図4】 図１の切断線Ａ－Ａ’における断面構造である。
【図5】 図４の半導体素子（半導体チップ）の活性領域を拡大して示す断面図である。
【図6】 実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法で用いる材料の一例を示す断面図である。
【図7】 実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図8】 実施の形態２にかかる半導体装置の構造途中の状態を示す断面図である。
【図9】 実施の形態２にかかる半導体装置の構造途中の状態の別の一例を示す断面図である。
【図10】 実施の形態２にかかる半導体装置の構造途中の状態の別の一例を示す断面図である。
【図11】 実施の形態２にかかる半導体装置の構造途中の状態の別の一例を示す断面図である。
【図12】 実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法で用いる材料の一例を示す断面図である。
【図13】 実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法で用いる材料の一例を示す断面図である。
【図14】 従来の半導体素子の構造の一例を示す断面構造である。
【図15】 従来の半導体素子の構造の一例を示す断面構造である。
【図16】 従来の半導体素子の構造の一例を示す断面構造である。
【図17】 一般的なボンディングワイヤの形状を示す説明図である。
【図18】 従来の半導体装置の組立途中の状態を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ ｎ-型ドリフト領域 ２ ｐ型ベース領域 ３ ｎ+型ソース領域 ４ ｐ+型コンタクト領域 ５ トレンチゲート部 ６ ゲートトレンチ ７ ゲート絶縁膜 ８ ゲート電極 ９ 層間絶縁膜 １０ 半導体基板 １１ 表面電極 １２ 金属電極 １３ ｎ+型ドレイン領域 １４ ドレイン電極 １５，１５ａ，１５ｂ 半導体素子の単位セル １６ 薄膜金属層 １７ ゲートパッド １８ パッシベーション膜 １８ａ，１８ａ' パッシベーション膜の開口部 １９ 薄膜金属層の接合部 ２０ 半導体装置 ２１ 半導体素子 ２２ ボンディングワイヤ ２２ａ ボンディングワイヤの接合部 ２３ はんだ層 ２４ 実装基板 ２５ リード ３１ 活性領域 ３２ エッジ終端領域 ４１ 金属片 ４１ａ 金属片の平坦面 ４１ｂ 金属片の側面 ４２，４２' リボンワイヤ ４２ａ，４２ａ’ リボンワイヤの平坦面 ４２ｃ リボンワイヤの端部 ４３ リボンワイヤの切断線 ５１，５１' ワイヤボンディング装置のツール ５２ ワイヤボンディング装置のクランパー Ｉ１～Ｉ３，Ｉａ，Ｉｂ 電流 Ｒ０ 金属電極のシート抵抗 Ｒ１ 薄膜金属層のシート抵抗 Ｒch チャネル抵抗 Ｒsub 基板抵抗 ｔ０ 表面電極の総厚さ ｔ１ 金属電極の厚さ ｔ２ 薄膜金属層の厚さ ｔ３ パッシベーション膜の厚さ ｗ１ ボンディングワイヤの径 ｗ２ ボンディングワイヤの接合部の幅 ｗ３ パッシベーション膜の開口端から、活性領域とエッジ終端領域との境界までの距離

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