▶ カンパニー ジェネラレ デ エスタブリシュメンツ ミシュランの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-14
(45)【発行日】2023-11-22
(54)【発明の名称】貫通性が改善された２重層多重ストランドコード
(51)【国際特許分類】
D07B 1/06 20060101AFI20231115BHJP
B60C 9/00 20060101ALI20231115BHJP
【ＦＩ】
D07B1/06 A
B60C9/00 M
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020570957
(86)(22)【出願日】2019-06-04
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2021-10-14
(86)【国際出願番号】 FR2019051308
(87)【国際公開番号】W WO2019243687
(87)【国際公開日】2019-12-26
【審査請求日】2022-05-17
(31)【優先権主張番号】1855455
(32)【優先日】2018-06-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR
(73)【特許権者】
【識別番号】514326694
【氏名又は名称】コンパニー ゼネラール デ エタブリッスマン ミシュラン
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【氏名又は名称】松下 満
(74)【代理人】
【識別番号】100098475
【弁理士】
【氏名又は名称】倉澤 伊知郎
(74)【代理人】
【識別番号】100130937
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100170634
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 航介
(72)【発明者】
【氏名】シュヴァレー マリアンナ
(72)【発明者】
【氏名】ローラン ステファーヌ
(72)【発明者】
【氏名】クレマン エマニュエル
(72)【発明者】
【氏名】ジャネッティ アレクサンドル
(72)【発明者】
【氏名】ピノー レミ
【審査官】印出 亮太
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１６－５０４５０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３１４８３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１３－５３１７４１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ６０Ｃ １／００ － １９／１２
Ｄ０７Ｂ １／００ － ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
２層多重ストランドコード（５０）であって、－螺旋状に巻かれたＫ＞１個の内部ストランド（ＴＩ）からなるコードの内部層（ＣＩ）であって、各内部ストランド（ＴＩ）が、少なくとも２層（Ｃ１，Ｃ３）のストランドであり、かつ
・Ｑ個の内部スレッド（Ｆ１）からなる内部層（Ｃ１）、及び
・前記内部層（Ｃ１）の周りに巻かれたＮ個の外部スレッド（Ｆ３）からなる外部層（Ｃ３）、
を含む前記内部層（ＣＩ）と、
－コードの前記内部層（ＣＩ）の周りに巻かれたＬ＞１個の外部ストランド（ＴＥ）からなるコードの外部層（ＣＥ）であって、各外部ストランド（ＴＥ）が、３層（Ｃ１’，Ｃ２’，Ｃ３’）ストランドであり、かつ
・ピッチｐ１’で巻かれたＱ’＝２、３、又は４個の内部スレッド（Ｆ１’）からなる内部層（Ｃ１’）であって、各外部ストランド（ＴＥ）の内部層（Ｃ１’）方向に巻かれた前記内部層（Ｃ１’）、
・ピッチｐ２’で前記内部層（Ｃ１’）の周りに巻かれたＭ’個の中間スレッド（Ｆ２’）からなる中間層（Ｃ２’）であって、各外部ストランド（ＴＥ）の中間層（Ｃ２’）方向に巻かれた前記中間層（Ｃ２’）、及び
・ピッチｐ３’で前記中間層（Ｃ２’）の周りに巻かれたＮ’個の外部スレッド（Ｆ３’）からなる外部層（Ｃ３’）、
を含む前記外部層（ＣＥ）と、
を含み、
・２つの隣接する外部ストランドを分離する平均ストランド間距離Ｅが、３０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、
・ｐ１’は、ｐ２’とは異なり、及び／又は各外部ストランド（ＴＥ）の前記内部層（Ｃ１’）方向は、各外部ストランド（ＴＥ）の前記中間層（Ｃ２’）方向とは異なり、
・各外部ストランド（ＴＥ）の前記中間層（Ｃ２’）は、不飽和化され、
・各外部ストランド（ＴＥ）の前記外部層（Ｃ３’）は、不飽和化され、
・前記ピッチｐ２’及びｐ３’は、関係：
・Ｑ’＝２である場合には０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４５、
・Ｑ’＝３である場合には０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４２、
・Ｑ’＝４である場合には０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４３、
を満足する、
ことを特徴とするコード（５０）。
【請求項2】
２つの隣接する外部ストランドを分離する前記平均ストランド間距離Ｅは、７０μｍよりも大きいか又はそれに等しい、ことを特徴とする請求項１に記載のコード（５０）。
【請求項3】
・Ｑ’＝２である場合には０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４２、・Ｑ’＝３である場合には０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０、
・Ｑ’＝４である場合には０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０、
であることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項4】
Ｋ＝２、３、又は４であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項5】
Ｌ＝７、８、９、又は１０であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項6】
コードの前記内部層（ＣＩ）は、ピッチｐｉでコード内部層方向に螺旋状に巻かれ、コードの前記外部層（ＣＥ）は、ピッチｐｅでコード外部層方向に螺旋状に巻かれ、コードが、以下の特徴：
・前記コード内部層方向が、前記コード外部層方向と異なること、
・ｐｉが、ｐｅと異なること、
のうちの一方及び／又は他方を満足する、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項7】
Ｍ’＝７、８、９、又は１０、及びＮ’＝１２、１３、１４、又は１５であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項8】
各外部ストランド（ＴＥ）の前記外部層（Ｃ３’）は、完全に不飽和化されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項9】
各内部ストランド（ＴＩ）の前記外部層（Ｃ３）は、不飽和化されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のコード（５０）。
【請求項10】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の前記コード（５０）、を含むことを特徴とするタイヤ（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、とりわけタイヤを特に大型産業車両のためのタイヤを補強するのに使用することができる多重ストランドコードに関する。
【背景技術】
【0002】
半径方向カーカス補強体を有するタイヤは、トレッドと、２つの非伸張性ビードと、ビードをトレッドに接続する２つの側壁と、カーカス補強体とトレッドの間に周方向に配置されたベルト又はクラウン補強体とを含む。カーカス補強体及びクラウン補強体は、金属タイプ又は織物タイプのコード又はモノフィラメントのような補強要素で場合により補強されたエラストマー化合物で作られた複数のプライを含む。
【0003】
カーカス補強体は、各ビード内に固定され、かつ半径方向にクラウン補強体を載せている。カーカス補強体は、カーカス補強金属フィラメント状要素を含む単一カーカスプライを含む。各カーカス補強金属フィラメント状要素は、タイヤの周方向と８０°と９０°の間の角度をなす。
【0004】
クラウン補強体は、時に作動プライ又は交差プライと呼ばれる少なくとも２つの重なるクラウンプライを一般的に含み、その一般的に金属である補強要素は、プライ内で互いに対して実質的に平行であるが、一般的に１０°と４５°の間の角度からなる角度だけ円周正中面に対して対称又は非対称に一方のプライから他方まで交差して、すなわち、傾けて置かれる。作動プライは、一般的に、タイヤを誘導するそれらの機能を実施するために非常に低い伸長を示す補強要素を含む。
【0005】
クラウン補強体はまた、場合に応じて変わる場合がある幅を有して補強要素を含有する又は含有しない場合があるエラストマー化合物の様々な他の追加プライ又は層を含むことができる。一例として、ベルトの残りの部分を外部アタック又は穿孔から保護する役割を有する保護プライとして公知であるもの、又は同じく作動プライに対して半径方向に外側又は内側のいずれかに関わらず実質的に周方向に向けられた補強要素を含有するフーピングプライ（「ゼロ度」プライとして公知である）として公知のものに言及することができる。保護プライは、一般的に、陥凹要因、例えば岩によって印加される応力の影響の下で変形するように高い伸長性を示す補強要素を含む。
【0006】
上述したプライに関するかつＷＯ ２０１１０６４０６５、ＷＯ ２０１６２０２６２２、及びＷＯ ２００９０４８０５４の例に開示された２層多重ストランド金属コードを含む補強要素は従来技術から公知である。これらのコードは、内部ストランドからなるコードの内部層と、コードの内部層の周りに螺旋状に巻かれた６つの外部ストランドからなるコードの外部層とを含む。
【0007】
各内部及び外部ストランドは、２、３、又は４個の内部スレッドからなるストランドの内部層と、７から９個の中間スレッドからなる中間層と、１２から１５個の外部スレッドからなる外部層とを含む。内部ストランドの中間及び外部層は、それぞれ内部ストランドの内部及び中間層の周りにＺ方向に巻かれる。各外部ストランドの中間及び外部層は、それぞれ各外部ストランドの内部及び中間層の周りにＺ方向に巻かれる。外部ストランドは、Ｓ方向であるコードの巻回の方向に内部螺旋の周りを螺旋状に巻かれる。
【0008】
大型産業車両のとりわけ建設プラントタイプのタイヤは、数多くのアタックを受ける。具体的には、このタイプのタイヤは、通常、凹凸路面上を走行し、時によってはトレッドの穿孔をもたらす。これらの穿孔は、様々な補強体、特にクラウンプライの金属補強要素を酸化してタイヤの寿命をかなり縮める腐食物質、例えば空気及び水の侵入を許す。
【0009】
タイヤの寿命を延長するための１つのソリューションは、これらの腐食物質の拡散と戦うことである。すなわち、コードの製造中に各内部及び中間層をエラストマー化合物で覆うように規定することができる。この工程中に、存在するエラストマー化合物が、各ストランドの各層の間に存在する毛細管を貫通し、従って、腐食物質が拡散するのを防止する。一般的に原位置ゴム引きコードと呼ばれるそのようなコードは、従来技術から公知である。
【0010】
タイヤの寿命を延長するための別のソリューションは、コードの破断時の力を高めることである。一般的に、破断時の力は、コードを構成するスレッドの直径を増すことにより、及び／又はスレッドの個数及び／又は各スレッドの個々の強度を増すことによって高められる。しかし、スレッドの直径を必要なものよりも例えば０．５０ｍｍを更に超えて増大することは、コードの可撓性の低下に至り、これは望ましくない。スレッドの個数を増すことは、通常は、ストランドを貫通するエラストマー化合物の能力の低下に至る。最後に、各スレッドの個々の強度を高めることは、スレッドを製造するのに使用される設備内のかなりの投資を必然的に伴う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明の目的は、従来技術のコードと比較してコードの外部ストランドの改善された貫通性とエラストマー化合物による各内部ストランドへのより良い接近可能性とを示し、従って、コードの中へのかつそれに沿った腐食物質の侵入及び拡散を低減することを可能にするコードである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明によるコード
上述の目的に対して、本発明の１つの主題は、２層多重ストランドコードであり、このコードは、
－螺旋状に巻かれたＫ＞１個の内部ストランドからなるコードの内部層であって、各内部ストランドが、少なくとも２層のストランドであり、かつ
・Ｑ個の内部スレッドからなる内部層、及び
・内部層の周りに巻かれたＮ個の外部スレッドからなる外部層、
を含む上記内部層と、
－コードの内部層の周りに巻かれたＬ＞１個の外部ストランドからなるコードの外部層であって、各外部ストランドが、３層ストランドであり、かつ
・ピッチｐ１’で巻かれたＱ’＝２、３、又は４個の内部スレッドからなり、各外部ストランドの内部層方向に巻かれた内部層、
・ピッチｐ２’で内部層の周りに巻かれたＭ’個の中間スレッドからなり、各外部ストランドの中間層方向に巻かれた中間層、及び
・ピッチｐ３’で中間層の周りに巻かれたＮ’個の外部スレッドからなる外部層、
を含む上記外部層と、
を含み、
・２つの隣接する外部ストランドを分離する平均ストランド間距離Ｅは、３０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、
・ｐ１’は、ｐ２’とは異なり、及び／又は各外部ストランドの内部層方向は、各外部ストランドの中間層とは異なり、
・各外部ストランド（ＴＥ）の中間層（Ｃ２’）は不飽和化され、
・各外部ストランド（ＴＥ）の外部層（Ｃ３’）は不飽和化され、
・ピッチｐ２’及びｐ３’は、以下の関係：
・Ｑ’＝２である事例では０．３３≦／ｐ３’≦０．４５、
・Ｑ’＝３である事例では０．３５≦／ｐ３’≦０．４２、
・Ｑ’＝４である事例では０．２８≦／ｐ３’≦０．４３、
を満足する。
上述の目的に対して、本発明の１つの主題は、２層多重ストランドコードであり、このコードは、
－螺旋状に巻かれたＫ＞１個の内部ストランドからなるコードの内部層であって、各内部ストランドが、少なくとも２層のストランドであり、かつ
・Ｑ個の内部スレッドからなる内部層、及び
・内部層の周りに巻かれたＮ個の外部スレッドからなる外部層、
を含む上記内部層と、
－コードの内部層の周りに巻かれたＬ＞１個の外部ストランドからなるコードの外部層であって、各外部ストランドが、３層ストランドであり、かつ
・ピッチｐ１’で巻かれたＱ’＝２、３、又は４個の内部スレッドからなり、各外部ストランドの内部層方向に巻かれた内部層、
・ピッチｐ２’で内部層の周りに巻かれたＭ’個の中間スレッドからなり、各外部ストランドの中間層方向に巻かれた中間層、及び
・ピッチｐ３’で中間層の周りに巻かれたＮ’個の外部スレッドからなる外部層、
を含む上記外部層と、
を含み、
・２つの隣接する外部ストランドを分離する平均ストランド間距離Ｅは、３０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、
・ｐ１’は、ｐ２’とは異なり、及び／又は各外部ストランドの内部層方向は、各外部ストランドの中間層とは異なり、
・各外部ストランド（ＴＥ）の中間層（Ｃ２’）は不飽和化され、
・各外部ストランド（ＴＥ）の外部層（Ｃ３’）は不飽和化され、
・ピッチｐ２’及びｐ３’は、以下の関係：
・Ｑ’＝２である事例では０．３３≦／ｐ３’≦０．４５、
・Ｑ’＝３である事例では０．３５≦／ｐ３’≦０．４２、
・Ｑ’＝４である事例では０．２８≦／ｐ３’≦０．４３、
を満足する。
【0013】
公知であるように、ストランドのピッチは、コードの軸線に対して平行に測定されたストランドの長さであり、この長さの後にこのピッチを有するストランドがこのコード軸線の周りに一回転し終わる長さを表すことを想起されたい。同様に、スレッドのピッチは、このスレッドを内部に収めるストランドの軸線に対して平行に測定されたこのスレッドの長さであり、この長さの後にこのピッチを有するスレッドがこのストランド軸線の周りに一回転し終わる長さを表す。
【0014】
ストランド又はスレッドの層の巻回の方向は、ストランド又はスレッドがコード軸線又はストランド軸線に対してなす方向を意味する。一般的に巻回方向は、文字Ｚ又はＳで表される。
【0015】
スレッド及びストランドのピッチ、巻回方向、及び直径は、２０１４年のＡＳＴＭ Ｄ２９６９－０４規格に従って決定される。
【0016】
本発明により、コードの外部層は不飽和化される。
【0017】
定義により、不飽和化ストランド層は、ストランド間にエラストマー化合物が通過することを可能にするのに十分な間隔が存在するようなものである。不飽和化された外部ストランド層は、外部ストランドが接触せず、２つの隣接する外部ストランドの間にエラストマー組成物が内部ストランドに至るまで通過することを可能にするのに十分な間隔が存在することを意味する。それとは対照的に、飽和されたストランド層は、例えば、その各対の２つのストランドが互いに接触することに起因して、層のストランド間にエラストマー組成物が通過することを可能にするのに十分な間隔が存在しないようなものである。
【0018】
本発明により、外部ストランドの外部層のストランド間距離は、２つの隣接する外部ストランドが内接する円形包絡線を平均的に分離する最短距離としてコードの主軸線に対して垂直なコードの断面上で定義し、３０μｍよりも大きいか又はそれに等しい。好ましくは、２つの隣接する外部ストランドを分離する平均ストランド間距離Ｅは、７０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは１００μｍよりも大きく／に等しく、更に好ましくは１５０μｍよりも大きく／に等しく、非常に好ましくは２００μｍよりも大きい／に等しい。
【0019】
「少なくとも２つの層」は、ある一定の実施形態では各内部ストランドが２つの層を含むことができ、すなわち、２つに限った個数の層を含み、１つだけの又は３つの層を含まず、他の実施形態では各内部ストランドが３つの層を含むことができ、すなわち、３つに限った個数の層を含み、２つだけの又は４つの層を含みないことを意味する。
【0020】
本発明では、コードは２つのストランド層を有し、すなわち、２つのそれよりも多くも少なくもないストランド層で構成されたアセンブリを含み、すなわち、このアセンブリは、２つの１つでも３つでもなく２つに限った個数のストランド層を有する。コードの外部層は、コードの内部層の周りに巻かれ、それとの接触状態にある。
【0021】
本発明によるコードは、比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’が本発明に適合する比の範囲の外であるコードと比較して改善された貫通性を示す。本発明を推進する本発明者は、この比が各外部ストランド内でエラストマー化合物の通過のための比較的大きい半径方向窓を取得することを可能にするという仮定を前提とする。半径方向通過窓は、一方で外部ストランドの外部層の２つの隣接するスレッドの間の間隔をコードの主軸線に対して平行な平面上に投影したものとし、他方でこの外部ストランドの中間層の２つの隣接するスレッドの間の間隔をコードの主軸線に対して平行な平面上に投影したものとする双方の間の交差点として定義される。そのような半径方向通過窓を図１９に例示している。
【0022】
これに加えて、コードの外部層が不飽和化されることにより、本発明によるコードは、エラストマー化合物が通過することを可能にする間隔を外部ストランド間に有する。コードの外部層が飽和しているので（外部ストランドが対になって互いに接触しているので）比較的高い破断時の力を有し、それによってコードに印加される引張力を吸収するアーチを形成するコードは従来技術から公知である。本発明によるコードでは、内部ストランドの周りのアーチは破断されるが、比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’によって外部ストランドの高い貫通性が可能になり、コードの外部層の不飽和性は、一方で外部ストランド間、他方で外部ストランドと各内部ストランド間をエラストマー化合物が貫通することを可能にする。このようにして、アーチは少なくとも部分的に修復され、従って、コードの破断時の力の低下が制限され、同時にコードに優れた貫通性が与えられる。更に、この特徴は、エラストマー化合物が内部ストランドの外部層と外部ストランドの外部層との間に浸潤し、それによって内部ストランドと外部ストランド間の力の半径方向成分を少なくとも部分的に吸収するエラストマー化合物の緩衝体を生成することを可能にする。
【0023】
単一内部ストランドで作られた層であるコードの内部層を含む従来技術のコードでは、コードの貫通性を促進することを目的とするコードの外部層の有意な不飽和化は、金属質量の有意な低下に至り、従って、コードの破断強度の比較的実質的な低減に至る。本発明のコードでは、コードの貫通性を促進することを目的とするコードの外部層の有意な不飽和化は、各外部ストランドによって為される破断強度への寄与が本発明によるコードでのものよりも大きい従来技術のコードとは異なり、Ｋ個の内部ストランドの存在に起因して、金属質量のそれ程有意でない低下に至り、従って、破断強度の制御された低減に至る。
【0024】
本発明及びｐ２’とｐ３’間の関係の結果として、かつｐ１’とｐ２’間の関係、並びに各外部ストランドの内部及び中間層の方向に起因して、各外部ストランドは、円筒形である層を有する。非常に有利なことに、各内部ストランドは、それが２層又は３層のいずれを有するかに関係なく円筒層を有するストランドである。円筒層を有するストランドは、全ての層のピッチが同じであるかつ全ての層の巻回方向が同じであってより低い貫通性を示す圧密層を有するストランドとは異なり、非常に高い貫通性を有する。
【0025】
任意的にかつ好ましくは、一実施形態では、コードは、いずれのポリマー化合物も持たず、取りわけ、各内部ストランドを覆ういずれのポリマー化合物のシースも持たない。別の実施形態では、コードは、いずれのエラストマー化合物も持たず、取りわけ、各内部ストランドを覆ういずれのエラストマー化合物のシースも持たない。
【0026】
有利なことに、コードは金属で作られる。定義によって「金属コード」という用語は、主に（すなわち、これらのスレッドのうちの５０％超）又は完全に（１００％のスレッド）金属材料で形成されたコードを意味するように理解される。そのような金属コードは、好ましくは鋼コード、より好ましくは下記で「炭素鋼」と呼ぶパーライト（又はフェライト系パーライト）炭素鋼で作られた又は他にステンレス鋼（定義によって少なくとも１１％のクロム及び少なくとも５０％の鉄を含む鋼）で作られたコードを用いて実施される。しかし、他の鋼又は他の合金を用いることが勿論可能である。
【0027】
炭素鋼が有利に用いられる時に、その炭素含有量（鋼の重量％）は、好ましくは０．４％と１．２％の間、特に０．５％と１．１％の間にあり、これらの含有量は、タイヤに求められる機械的性質とこれらのスレッドの利用可能性の間の良好な妥協を表す。
【0028】
用いられる金属又は鋼は、それが特に炭素鋼又はステンレス鋼のどちらであるかに関わらず、それ自体を例えば金属コード及び／又はその構成要素の加工性、又は接着性、耐腐食性、又は耐経年劣化性のようなコード及び／又はタイヤ自体の使用性を改善する金属層で被覆することができる好ましい実施形態により、用いられる鋼は、黄銅（Ｚｎ－Ｃｕ合金）又は亜鉛の層で被覆される。
【0029】
好ましくは、事前決定された（内部又は外部）ストランドの１つの同じ層のスレッドは、全て実質的に同じ直径を有する。有利なことに、外部ストランドは、全て実質的に同じ直径を有する。「実質的に同じ直径」は、スレッド又はストランドが工業公差の範囲内で同じ直径を有することを意味する。
【0030】
有利なことに、各ストランドの各スレッドは、０．１５ｍｍから０．６０ｍｍ、好ましくは０．２０ｍｍから０．５０ｍｍ、より望ましくは０．２２ｍｍから０．４０ｍｍ、更に好ましくは０．２４ｍｍから０．３５ｍｍの範囲に及ぶ直径を有する。
【0031】
ポリマー化合物又はポリマー系化合物は、当該化合物が少なくとも１つのポリマーを含有することを意味する。好ましくは、そのようなポリマーは、熱可塑性プラスチック、例えばポリエステル又はポリアミド、熱硬化ポリマー、エラストマー、例えば天然ゴム、熱可塑性エラストマー、又はこれらのポリマーの組合せとすることができる。
【0032】
エラストマー化合物又はエラストマー組成物は、当該化合物が、少なくとも１つのエラストマー又は１つのゴム（これら２つの用語は同義語である）と少なくとも１つの他の成分とを含有することを意味する。好ましくは、エラストマー化合物は、更に加硫システム又は充填剤を含有する。より望ましくは、エラストマーは、ジエンエラストマーである。
【0033】
有利なことに、
・Ｑ’＝２である事例では０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３８≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’であり、
・Ｑ’＝３である事例では０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３８≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’であり、
・Ｑ’＝４である事例では０．３２≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’である。
・Ｑ’＝２である事例では０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３８≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’であり、
・Ｑ’＝３である事例では０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３８≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’であり、
・Ｑ’＝４である事例では０．３２≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’である。
【0034】
比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’が高いほど又は言い換えればｐ３’とｐ２’の間の差が大きいほど、各外部ストランドのアーキテクチャ的安定性は良好である。具体的には、各外部ストランドの中間層のピッチと外部層のピッチが異なる程度が大きいほど、中間スレッドと外部スレッドの互いに対する交差点が多く（この場合、中間スレッドと外部スレッドの間の接触は比較的点状の接触である）、外部スレッドが中間スレッドを機械的により良好に保持することになり、かつ中間層及び外部層のスレッドが各中間層及び外部層の内部で一様に分散されることになる各外部ストランドの貫通性が良好になる。この機械的一体性は、一方で、コードの製造中に中間層の全てのスレッドがアセンブリツールによって発揮される機械力の効果の下で互いに接触する状態で全てが寄り集まるのを回避し、他方で、コードを含むプライ又はコードを含むタイヤの製造中に中間層の全てのスレッドがコードに貫通するエラストマー化合物の圧力の効果の下で全てが互いに接触する状態で寄り集まるのを回避することを可能にする。
【0035】
更に、所与のピッチｐ３’に関して、比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’を高めることにより、各外部ストランドの中間層のスレッド間距離が短縮される。当業者は、各外部ストランドの貫通性の低下が見られると予想するであろう。しかし、全く予想に反して、下記で説明する比較試験が示すように、比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’を高めることによって各外部ストランドの中間層のスレッド間距離は確かに短縮するものの、エラストマー化合物のための半径方向通過窓のサイズが拡大し、すなわち、各外部ストランドの貫通性は明らかに改善される。
【0036】
有利なことに、
・Ｑ’＝２である事例では（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４２、好ましくは、（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０であり、
・Ｑ’＝３である事例では（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０であり、
・Ｑ’＝４である事例では（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０、好ましくは、（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．３８である。
これらの値よりも下では、エラストマー化合物のための半径方向通過窓のサイズは最大であり、各外部ストランドの貫通性を最適化することを可能にする。
・Ｑ’＝２である事例では（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４２、好ましくは、（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０であり、
・Ｑ’＝３である事例では（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０であり、
・Ｑ’＝４である事例では（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０、好ましくは、（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．３８である。
これらの値よりも下では、エラストマー化合物のための半径方向通過窓のサイズは最大であり、各外部ストランドの貫通性を最適化することを可能にする。
【0037】
有利なことに、ピッチｐ１’は、３ｍｍ≦ｐ１’≦１６ｍｍ、好ましくは、４ｍｍ≦ｐ１’≦１３ｍｍ、より好ましくは、５ｍｍ≦ｐ１’≦１０ｍｍであるようなものである。
【0038】
有利なことに、ピッチｐ２’は、８ｍｍ≦ｐ２’≦２０ｍｍ、好ましくは、９ｍｍ≦ｐ２’≦１８ｍｍ、より好ましくは、１０ｍｍ≦ｐ２’≦１６ｍｍであるようなものである。
【0039】
有利なことに、ピッチｐ３’は、１０ｍｍ≦ｐ３’≦４０ｍｍ、好ましくは、１２ｍｍ≦ｐ３’≦３０ｍｍ、より好ましくは、１５ｍｍ≦ｐ３’≦２５ｍｍであるようなものである。
【0040】
これらの好ましい範囲内にあるピッチｐ１’、ｐ２’及びｐ３’は、タイヤ用途に適合する機械的性質、比較的低いコスト、及び比較的軽い直線コード重量を示すコードを得ることを可能にする。
【0041】
有利なことに、Ｋ＝２、３、又は４、好ましくは、Ｋ＝３又は４である。
【0042】
一実施形態では、Ｌは、７、８、９、又は１０に等しく、好ましくは、Ｌ＝８、９、又は１０、より好ましくは、Ｌ＝８又は９である。
【0043】
第１の変形では、Ｋ＝２、及びＬ＝７又は８である。
【0044】
第２の変形では、Ｋ＝３、及びＬ＝７、８、又は９、好ましくは、Ｋ＝３、Ｌ＝８又は９である。Ｌ＝８である事例は、コードの外部層の不飽和化及び従って外部ストランド間のコードの貫通性に好適である。Ｌ＝９である事例は、外部ストランドの個数及び従ってコードの破断強度を最大にする。
【0045】
第３の変形では、Ｋ＝４、及びＬ＝７、８、９、又は１０、好ましくは、Ｋ＝４、Ｌ＝９又は１０である。
【0046】
これらの実施形態、取りわけ、Ｋ＝３又は４であるものでは、コードに対する貫通が不十分である時に腐食物質がコードに沿って拡散することを非常に促進する中心毛細管の境界を定めるＫ＝３又は４個の内部ストランドの間での腐食物質の有意な拡散を見るリスクがある。この欠点は、エラストマー組成物によってコードが貫通されることを可能にし、これが次に、腐食物質が中心毛細管に接近することを防止し、かつ中心毛細管自体が貫通される最良の場合にこれらの腐食物質がコードに沿って拡散することを防止することによって解消することができる。
【0047】
上記で既に解説したように、本発明によるコードは、Ｋ＞１であるアーキテクチャを有するので、コードが張力を受けている時にコードに印加される最も厳しい横荷重は、Ｋ＝１であり、かつ最も厳しい横荷重が外部ストランドによって内部ストランドに印加される横荷重であるコードとは異なり、内部ストランド間に印加される横荷重である。最大個数の外部ストランドを追加することによって破断強度を最大にするためにコードの外部層が飽和されるように、Ｋ＞１であり、かついくつかの外部ストランドを含むアーキテクチャを示すコードは、従来技術から公知である。ここで、コードの外部層が不飽和化されるという事実に起因して、コードは、一方で、エラストマー組成物が通ることを可能にし、従って、コードが腐食に対して感受性を弱められることを可能にする外部ストランド間の空間を有する。他方で、外部ストランドの個数は低減するが、コードの外部層の不飽和化により、エラストマー組成物が、一方で外部ストランド間及び他方で内部ストランド間に貫通し、それによって内部ストランド間に印加される横荷重を少なくとも部分的に吸収するエラストマー組成物の緩衝体を形成することを可能にする。すなわち、コードの飽和外部層を有する類似のコードと比較することにより、破断強度と腐食耐性の間のより良好な妥協が達成される。
【0048】
コードの貫通性を促進する実施形態では、コードの外部層は完全に不飽和である。
【0049】
定義により、不完全不飽和層とは反対に、完全不飽和ストランド層は、この層のＸ個のストランドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ＋１）番目のストランドを組み入れるのに十分な間隔がこの層内に存在し、従って複数のストランドが互いに接触状態にあること又はないことが可能であるようなものである。この特定の事例では、コードの外部層のＬ個の外部ストランドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｌ＋１）番目のストランドを組み入れるのに十分な間隔がコードの外部層内に存在する。すなわち、有利なことに、コードの外部層のストランド間距離Ｅの和ＳＩＥは、ＳＩＥ≧ＤＥであるようなものである。和ＳＩＥは、この層の各対の隣接するストランドを分離するストランド間距離Ｅの和である。層のストランド間距離は、コードの主軸線に対して垂直なコードの断面内で層の２つの隣接するストランドを平均的に分離する最短距離として定義される。従って、ストランド間距離Ｅは、層のストランドを分離する間隔の個数で和ＳＩＥを割り算することによって計算される。
【0050】
貫通性と破断時の力の間の妥協を促進する別の実施形態では、コードの外部層は不完全に不飽和である。
【0051】
ストランドで不完全に不飽和化された層は、層のＸ個のストランドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ＋１）番目のストランドを組み込むほど十分な間隔がこの層に存在しないようなものである。この特定の事例では、コードの外部層のＬ個の外部ストランドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｌ＋１）番目の外部ストランドを組み込むほど十分な間隔が外部層に存在しない。従って、コードの外部層のストランド間距離Ｅの和ＳＩＥは、ＳＩＥ＜ＤＥであるようなものである。
【0052】
定義により、内部ストランドの直径ＤＩは、その内側で内部ストランドに外接することができる最小円の直径である。外部ストランドの直径ＤＥは、その内側で外部ストランドに外接することができる最小円の直径である。
【0053】
１つの好ましい実施形態では、コードの内部層は、非ゼロピッチｐｉで螺旋状に巻かれ、コードの外部層は、コードの内部層の周りに非ゼロピッチｐｅで螺旋状に巻かれる。
【0054】
コードの貫通性に対して特に有利な一実施形態では、コードの内部層は、コード内部層方向にピッチｐｉで螺旋状に巻かれ、コードの外部層は、コード外部層方向にピッチｐｅで螺旋状に巻かれ、コードは、以下の特徴：
・コード内部層方向がコード外部層方向とは異なること、
・ｐｉがｐｅと異なること、
のうちの一方及び／又は別のものを満足する。
・コード内部層方向がコード外部層方向とは異なること、
・ｐｉがｐｅと異なること、
のうちの一方及び／又は別のものを満足する。
【0055】
この実施形態では、コードは、その貫通性を促進する円筒層構造（圧密構造ではなく）を有する。
【0056】
別の実施形態では、コードの内部層は、コード内部層方向にピッチｐｉで螺旋状に巻かれ、コードの外部層は、コード外部層方向にピッチｐｅで螺旋状に巻かれ、コードは、以下の特徴：
・コード内部層方向がコード外部層方向と同一であること、
・ｐｉがｐｅに等しいこと、
を満足する。
・コード内部層方向がコード外部層方向と同一であること、
・ｐｉがｐｅに等しいこと、
を満足する。
【0057】
この実施形態では、貫通することが困難なコードの圧密構造にも関わらず、外部ストランドの高貫通性は、十分な貫通を示すコードを取得することを依然として可能にする。
【0058】
任意的に、各内部ストランドの各外部スレッドは、各外部ストランドの各外部スレッドの直径ｄ３’よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ３を有し、好ましくは、各内部ストランドの各外部スレッドは、各外部ストランドの各外部スレッドの直径ｄ３’よりも大きい直径ｄ３を有する。好ましくは、ｄ３＞ｄ３’という特性により、各内部ストランドの各外部スレッドは、コードが張力下にある時に外部ストランドによって内部ストランドに作用する力の半径方向成分に耐えることができると考えられる。このｄ３＞ｄ３’という特性は、外部ストランドによって形成されたアーチを含むコードと比較して又はｄ３≦ｄ３’であるコードと比較して、コードの破断力を回復する又は更に改善することを可能にする。好ましくは、１＜ｄ３／ｄ３’≦２、より好ましくは、１＜ｄ３／ｄ３’≦１．５、更に好ましくは、１＜ｄ３／ｄ３’≦１．２５又は１．２５＜ｄ３／ｄ３’≦１．５である。
【0059】
１つの有利な実施形態では、コードの外部層は、コードの内部層の周りにコード外部層巻回方向に巻かれ、各内部ストランドの各外部層及び各外部ストランドの各外部層は、それぞれ各内部ストランドの中間層及び各外部ストランドの内部層の周りにそれぞれコードの巻回方向とは反対の同じ方向に巻かれる。この実施形態では、各内部及び外部ストランドの各外部層の巻回方向とは反対のコードの巻回方向は、取りわけ、外部ストランド間のより良好な貫通性をコードに与える。本発明者は、コードの巻回方向が各内部及び外部ストランドの外部層の巻回方向と同一であり、かつ外部ストランドの外部スレッドが内部ストランドの外部スレッドと点状というよりは線形の接触ゾーンを形成するように交差してエラストマー化合物が内部ストランドに至るまで深く進入することを阻止するコードとは異なり、上述の巻回方向に起因して、外部ストランドの外部スレッドが各内部ストランドの外部スレッドと比較的点状の接触ゾーンを形成するように交差するという仮定を前提とする。
【0060】
本発明によるコードの外部ストランド
【0061】
好ましい実施形態では、Ｍ’＝７、８、９、又は１０、Ｎ’＝１２、１３、１４、又は１５である。
【0062】
第１の代替形態では、Ｑ’＝２、Ｍ’＝７又は８、及びＮ’＝１２又は１３である。Ｍ’＝７及び／又はＮ’＝１２である事例は、各外部ストランドの中間又は外部層の不飽和化及び従って外部ストランド間のコードの貫通性に関して好ましい。Ｍ’＝８及び／又はＮ’＝１３である事例は、中間又は外部ストランドの個数及び従ってコードの破断強度を最大にする。
【0063】
第２の代替形態では、Ｑ’＝３、Ｍ’＝８又は９、及びＮ’＝１３又は１４である。Ｍ’＝８及び／又はＮ’＝１３である事例は、各外部ストランドの中間又は外部層の不飽和化及び従って外部ストランド間のコードの貫通性に関して好ましい。Ｍ’＝９及び／又はＮ’＝１４である事例は、中間又は外部ストランドの個数及び従ってコードの破断強度を最大にする。
【0064】
第３の変形では、Ｑ’＝４、Ｍ’＝９又は１０、及びＮ’＝１４又は１５である。Ｍ’＝９及び／又はＮ’＝１４である事例は、各外部ストランドの中間又は外部層の不飽和化及び従って外部ストランド間のコードの貫通性に関して好ましい。Ｍ’＝１０及び／又はＮ’＝１５である事例は、中間又は外部ストランドの個数及び従ってコードの破断強度を最大にする。
【0065】
これらの実施形態、取りわけ、Ｑ’＝３又は４であるものでは、ストランドが不十分な貫通しか受けない時に腐食物質がストランドに沿って拡散することを非常に促進する中心毛細管の境界を定めるＱ’＝３又は４つの内部ストランドの間での腐食物質の有意な拡散に遭遇するリスクがある。この欠点は、後に腐食物質が中心毛細管に接近することを防止し、かつ中心毛細管自体が貫通を受ける最良の場合はこれらの腐食物質がストランドに沿って拡散することを防止するエラストマー化合物によってストランドが貫通されることを可能にすることによって解消することができる。
【0066】
有利なことに、中間層のスレッド間距離の和ＳＩ２’は、ｄ３’が各外部ストランドの各外部ワイヤの直径である時にＳＩ２’＜ｄ３’であり、好ましくは、ＳＩ２’≦０．８×ｄ３’であるようなものである。和ＳＩ２は、中間層内の各対の隣接するスレッドを分離するスレッド間距離の和である。層のスレッド間距離は、コードの主軸線に対して垂直なコードの断面内でこの層の２つの隣接するスレッドを平均的に分離する最短距離として定められる。従って、スレッド間距離は、中間層内のスレッドを分離する間隔の個数で和ＳＩ２’を割り算することによって計算される。好ましくは、各外部ストランドの外部層の外部スレッドの直径ｄ３’は和ＳＩ２’よりも大きいので、外部スレッドが中間層を貫通することが阻止される。この場合に、良好なアーキテクチャ的安定性が保証され、それによって更にエラストマー化合物のための半径方向通過窓に対する変更のリスク及び従って各外部ストランドの良好な貫通性を劣化させるリスクが低減する。
【0067】
有利なことに、各外部ストランドの中間層は不飽和化される。
【0068】
定義により、スレッドが不飽和化されたスレッド層は、エラストマー化合物が通過することを可能にするほど十分な間隔がスレッド間に存在するようなものである。従って、不飽和化された層は、この層内のスレッドが接触せず、エラストマー化合物がこの層を通過するほど十分な間隔がこの層内の２つの隣接するスレッドの間に存在することを意味する。それとは対照的に、飽和したストランド層は、例えば、その各対の２つのスレッドが互いに接触することに起因して、エラストマー化合物が通過することを可能にするほど十分な間隔がスレッド間に存在しないようなものである。
【0069】
有利なことに、各外部ストランドの中間層のスレッド間距離は、５μｍよりも大きいか又はそれに等しい。好ましくは、各外部ストランドの中間層内のスレッド間距離は、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、３５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に好ましくは、５０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に非常に好ましくは、６０μｍよりも大きいか又はそれに等しい。
【0070】
各外部ストランドの中間層が不飽和化されるという事実は、エラストマー化合物が各外部ストランドの中心に至るまで深く進入することをより容易にし、それによって各外部ストランドが腐食による影響を受け難くなることを有利に可能にする。
【0071】
各外部ストランドの貫通性と破断時の力の間の妥協を促進する実施形態では、各外部ストランドの中間層は不完全に不飽和である。
【0072】
定義により、不完全に不飽和化されたスレッドである層は、この層のＸ’個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ’＋１）番目のスレッドを組み込むほど十分な間隔がこの層に存在しないようなものである。この特定の事例では、中間層のＭ’個の中間スレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｍ’＋１）番目の中間スレッドを組み込むほど十分な間隔が中間層に存在しない。言い換えれば、外部ストランドの不完全不飽和中間層は、この中間層のスレッド間距離Ｉ２’の和ＳＩ２’がこの中間層の中間スレッドの直径ｄ２’よりも小さいことを意味する。従って、有利なことに、各外部ストランドの中間層のスレッド間距離の和ＳＩ２’は、ＳＩ２’＜ｄ２’であるようなものである。
【0073】
各外部ストランドの中間層が不完全に不飽和であるという事実は、中間層のアーキテクチャ的安定性を保証することを可能にする。この場合、エラストマー化合物のための半径方向通過窓を改変し、従って各外部ストランドの良好な貫通性を劣化させることになるものである外部スレッドが中間層を貫通するリスクが低減する。更に、各外部ストランドの中間層が不完全に不飽和であるという事実は、各外部ストランドが比較的多い個数の中間スレッドを含み、従って比較的高い破断時の力を示すことを保証することを可能にする。
【0074】
各外部ストランドの貫通性を促進する別の実施形態では、各外部ストランドの中間層は完全に不飽和である。
【0075】
定義により、完全不飽和スレッド層は、この層のＸ’個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ’＋１）番目のスレッドを組み入れるのに十分な余地がこの層内に存在し、従って複数のスレッドが互いに接触状態にあること又はないことが可能であるようなものである。この特定の事例では、各外部ストランドの中間層のＭ’個の中間スレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｍ’＋１）番目の中間スレッドを組み入れるのに十分な間隔がこの中間層内に存在する。言い換えれば、外部ストランドの完全不飽和中間層は、この中間層のスレッド間距離Ｉ２’の和ＳＩ２’が、この中間層の中間スレッドの直径ｄ２’よりも大きいことを意味する。従って、有利なことに、各外部ストランドの中間層のスレッド間距離の和ＳＩ２’は、ＳＩ２’≧２’であるようなものである。
【0076】
有利なことに、各外部ストランドの外部層は不飽和化され、好ましくは完全に不飽和である。中間層の場合と同様の方式で、各外部ストランドの外部層が不飽和化されることにより、エラストマー化合物が各外部ストランドの中に進入し、そこを通り抜けることが有利に容易になり、それによって各外部ストランドが腐食による影響を受け難くなる。
【0077】
有利なことに、各外部ストランドの外部層のスレッド間距離は５μｍよりも大きいか又はそれに等しい。好ましくは、各外部ストランドの外部層のスレッド間距離は、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは３５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に好ましくは５０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、非常に好ましくは６０μｍよりも大きいか又はそれに等しい。
【0078】
定義により、完全不飽和スレッド層は、この層のＸ’個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ’＋１）番目のスレッドを組み込むほど十分な余地がこの層に存在し、従って、複数のスレッドが互いに接触していること又はしていないことが可能であるようなものである。この特定の事例では、各外部ストランドの外部層のＮ’個の外部スレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｎ’＋１）番目の外部スレッドを組み込むほど十分な間隔がこの外部層に存在する。言い換えれば、外部ストランドの完全不飽和外部層は、この外部層のスレッド間距離Ｉ３’の和ＳＩ３’がこの外部層の外部スレッドの直径ｄ３’よりも大きいことを意味する。すなわち、有利なことに、各外部ストランドの外部層のスレッド間距離の和ＳＩ３’は、ＳＩ３’≧ｄ３’であるようなものである。和ＳＩ３’は、外部層内の各対の隣接するスレッドを分離するスレッド間距離の和である。層のスレッド間距離は、コードの主軸線に対して垂直なコードの断面内でこの層の２つの隣接するスレッドを平均的に分離する最短距離として定義される。従って、スレッド間距離は、外部層内のスレッドを分離する間隔の個数で和ＳＩ３’を割り算することによって計算される。
【0079】
各外部ストランドの外部層が完全な不飽和状態にあることにより、各外部ストランドの中へのエラストマー化合物の貫通を最大限に高めることが可能になり、それによって各外部ストランドが腐食による影響をより一層受け難くなる。
【0080】
一部の好ましい実施形態では、各外部ストランドの各内部スレッドは、各外部ストランドの各中間スレッドの直径ｄ２’よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１’を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１’／ｄ２’≦１．１０である。ｄ１’＞ｄ２’であるような直径の使用は、中間層を通るエラストマー化合物の貫通性を促進することを可能にする。ｄ１’＞ｄ２’である場合に、非常に好ましくは、ｄ１’／ｄ２’≦１．１０であり、これは、一方で中間層のアーキテクチャ的安定性を制御すること、他方でｄ１’とｄ２’の間の差によって生成される比較的少量の不飽和化に起因して本発明をより一層有益なものにすることを可能にする。ｄ１’＝ｄ２’であるような直径の使用は、コードの製造において管理される異なるスレッドの数を制限することを可能にし、更にｄ１’とｄ２’の間の等値性によって生成される不飽和化の欠如に起因して本発明をより一層有益なものにすることも可能にする。
【0081】
一部の好ましい実施形態では、各外部ストランドの各内部スレッドは、各外部ストランドの各外部スレッドの直径ｄ３’よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１’を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１’／ｄ３’≦１．１０である。ｄ１’＞ｄ３’であるような直径の使用は、外部層を通るエラストマー化合物の貫通性を促進することを可能にする。ｄ１’＞ｄ３’である場合に、非常に好ましくは、ｄ１’／ｄ３’≦１．１０であり、これは、一方で外部層のアーキテクチャ的安定性を制御すること、他方でｄ１’とｄ３’の間の差によって生成される比較的少量の不飽和化に起因して本発明をより一層有益なものにすることを可能にする。ｄ１’＝ｄ３’であるような直径の使用は、コードの製造において管理すべき異なるスレッドの数を制限することを可能にし、更にｄ１’とｄ３’の間の等値性によって生み出される不飽和化の欠如に起因して本発明をより一層有益なものにすることも可能にする。
【0082】
一部の好ましい実施形態では、各外部ストランドの各中間スレッドは、各外部ストランドの各外部スレッドの直径ｄ３’に等しい直径ｄ２’を有する。ｄ２’＝ｄ３’であるような直径の使用は、コードの製造において管理される異なるスレッドの数を制限することを可能にする。
【0083】
有利なことに、各外部ストランドは、非原位置ゴム引きタイプのものである。原位置でゴム引きされないということは、コードの外部層のアセンブリの前及びコードのアセンブリの前に、各外部ストランドが様々な層のスレッドで構成され、いずれのポリマー化合物も、とりわけ、エラストマー化合物も持たないことを意味する。
【0084】
本発明によるコードの内部ストランド
【0085】
有利なことに、各内部ストランドの外部層は不飽和化され、好ましくは完全に不飽和である。各内部ストランドの外部層が不飽和化されることにより、有利なことに、エラストマー化合物が各内部ストランドの中心に至るまで深く侵入することが容易になり、それによって各内部ストランドが腐食による影響を受け難くなる。
【0086】
有利なことに、各内部ストランドの外部層のスレッド間距離は、５μｍよりも大きいか又はそれに等しい。好ましくは、各内部ストランドの外部層のスレッド間距離は、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、３５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に好ましくは、５０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、非常に好ましくは、６０μｍよりも大きいか又はそれに等しい。
【0087】
各内部ストランドの外部層は、好ましくは完全に不飽和である。
【0088】
定義により、完全不飽和スレッド層は、この層のＸ個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ＋１）番目のスレッドを組み込むほど十分な余地がこの層に存在し、従って、複数のスレッドが互いに接触していること又はしていないことが可能であるようなものである。この特定の事例では、外部層のＮ個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｎ＋１）番目のスレッドを組み込むほど十分な間隔がこの外部層に存在する。言い換えれば、内部ストランドの完全不飽和外部層は、この外部層のスレッド間距離Ｉ３の和ＳＩ３がこの外部層の外部スレッドの直径ｄ３よりも大きいか又はそれに等しいことを意味する。すなわち、有利なことに、各内部ストランドの外部層のスレッド間距離の和ＳＩ３は、ＳＩ３≧ｄ３であるようなものである。和ＳＩ３は、外部層内の各対の隣接するスレッドを分離するスレッド間距離の和である。層のスレッド間距離は、コードの主軸線に対して垂直なコードの断面内でこの層の２つの隣接するスレッドを平均的に分離する最短距離として定義される。従ってスレッド間距離は、外部層内のスレッドを分離する間隔の個数で和ＳＩ３を割り算することによって計算される。
【0089】
各内部ストランドの外部層が完全に不飽和であるという事実は、エラストマー化合物が各内部ストランドに貫通することをより容易にし、すなわち、各内部ストランドが腐食に対する感受性を更に弱められる。
【0090】
一部の好ましい実施形態では、各内部ストランドの各内部スレッドは、各内部ストランドの各外部スレッドの直径ｄ３よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１／ｄ３≦１．１０である。ｄ１＞ｄ３であるような直径の使用は、外部層を通るエラストマー化合物の貫通性を促進することを可能にする。ｄ１＞ｄ３である場合に、非常に好ましくは、ｄ１／ｄ３≦１．１０であり、これは、一方で外部層のアーキテクチャ的安定性を制御すること、他方でｄ１とｄ３の間の差によって生成される比較的少量の不飽和化に起因して各内部ストランドの良好な貫通性をより一層有益なものにすることを可能にする。ｄ１＝ｄ３であるような直径の使用は、コードの製造において管理すべき異なるスレッドの数を制限することを可能にし、更にｄ１とｄ３の間の等値性によって生み出される不飽和化の欠如に起因して本発明をより一層有益なものにすることも可能にする。
【0091】
一実施形態では、各内部ストランドは、原位置ゴム引きタイプのものである。そのようなストランドは、少なくとも２つの半径方向に隣接するスレッド層の間に、潜在的には半径方向に隣接するスレッド層の各々の間に配置されたポリマー化合物、取りわけ、エラストマー化合物の層をコードのアセンブリの前に含む。原位置でゴム引きされるそのようなストランドは、取りわけ、ＷＯ ２０１００５４７９０に説明されている。
【0092】
別の実施形態では、各内部ストランドは、非原位置ゴム引きタイプのものである。原位置でゴム引きされないということは、コードのアセンブリの前では、各内部ストランドが様々な層のスレッドからなり、かついずれのポリマー化合物も、取りわけ、いずれのエラストマー化合物も持たないことを意味する。
【0093】
２層内部ストランド
【0094】
コードの直径と破断強度の間の妥協に関して好ましい一実施形態では、各内部ストランドは２つの層を有する。この実施形態では、内部ストランドの外部層は、各内部ストランドの内部層と接触する状態で各内部ストランドの内部層の周りに巻かれる。この実施形態では、各内部ストランドは、２つのそれよりも多くも少なくもないスレッドからなるスレッドの集合を含み、すなわち、このスレッドの集合は、２つの１つでも３つでもない２つに限った個数のスレッド層を有する。
【0095】
好ましい実施形態では、Ｑ＝１、２、３、又は４である。
【0096】
一実施形態では、Ｑ＝１、Ｎ＝５又は６、好ましくは、Ｑ＝１、Ｎ＝６である。
【0097】
Ｑ＝１、Ｑ＝２、３、又は４である実施形態に関してコードの破断強度を高めることを可能にする好ましい実施形態では、好ましくは、Ｑ＝３又は４である。Ｑ＝１であり、かつコードに印加される繰り返し圧縮荷重の効果の存在下で各内部ストランドの内部スレッドが各内部ストランドからかつコードからさえも半径方向に飛び出すことに遭遇するリスクがある実施形態でのものとは異なり、各内部ストランドの内部層内の数個（Ｑ＞１）のスレッドの存在によって圧縮力が内部層の複数のスレッドにわたって分散されるので、このリスクを低減することを可能にする。
【0098】
Ｑ＞１であるこれらの実施形態では、円筒層を有する内部ストランド、すなわち、Ｑ個の内部スレッドがピッチｐ１で各内部ストランドの内部層方向に巻かれ、Ｎ個の外部スレッドが中間層の周りにピッチｐ３で各内部ストランドの外部層方向に巻かれ、ｐ１がｐ３とは異なり、及び／又は各内部ストランドの内部層方向が各内部ストランドの外部層方向とは異なるストランドが有利に存在する。
【0099】
Ｑ＞１であるこれらの好ましい実施形態、取りわけ、Ｑ＝３又は４であるものでは、コードが不十分にしか貫通を受けない時に、腐食物質が各ストランドに沿って拡散するのを非常に助長する中心毛細管の境界を定めるＱ＝３又は４つの内部スレッドの間で腐食物質の著しい拡散に遭遇するリスクがある。この欠点は、ストランドをエラストマー化合物による貫通を受けることができるものにし、それによって腐食物質が中心毛細管に接近するのを阻止し、かつ中心毛細管自体が貫通を受けるという最良の場合にこれらの腐食物質がストランドに沿って拡散するのを阻止することによって解消することができる。
【0100】
Ｑ＞１である好ましい実施形態では、Ｎ＝７、８、９、又は１０、好ましくは、Ｎ＝８、９、又は１０、より好ましくは、Ｎ＝８又は９である。
【0101】
第１の代替形態では、Ｑ＝２、及びＮ＝７又は８、好ましくは、Ｑ＝２、Ｎ＝７である。
【0102】
第２の代替形態では、Ｑ＝３、及びＮ＝７、８、又は９、好ましくは、Ｑ＝３、Ｎ＝８である。
【0103】
第３の変形では、Ｑ＝４及びＮ＝７、８、９、又は１０、好ましくは、Ｑ＝４、Ｎ＝９である。
【0104】
有利なことに、コードの内部層は、コード内部層方向に巻かれ、各内部ストランドの各内部層（Ｑ＞１の時）、中間層、及び外部層は、コード内部層方向と同じ巻回方向に巻かれる。
【0105】
有利なことに、コードの外部層は、コード外部層方向に巻かれ、各外部ストランドの各中間層及び外部層は、コード外部層方向と同じ巻回方向に巻かれる。
【0106】
一実施形態では、コードの内部層方向とコードの外部層方向とは同じである。この実施形態では、直前の実施形態の場合とは異なり、コードの内部層の巻回方向と外部層の巻回方向の間で区別する必要がないことで製造は比較的容易である。それにも関わらず、内部ストランドの外部層の外部スレッドと外部ストランドの外部層の外部スレッドの間の接触は比較的長く、これは、コードのピッチと直径とアーキテクチャとの予め決められた組合せの場合に、例えば、内部ストランド間に形成される溝内への外部ストランドの望ましくない滑り込みによって生じるアセンブリ欠陥を引き起こす場合がある。
【0107】
別の実施形態では、コードの内部層方向とコードの外部層方向は反対方向である。この実施形態では、内部ストランドと外部ストランド間の交差の結果として内部ストランド間に形成される溝内への外部ストランドの潜在的な望ましくない滑り込みのリスクは低減される。
【0108】
３層内部ストランド
【0109】
コードの破断時の力を改善する別の特に有利な実施形態では、各内部ストランドは３つの層を有し、かつ
・Ｑ≧１個の内部スレッドからなる内部層と、
・内部層の周りに巻かれたＭ＞１個の中間スレッドからなる中間層と、
・中間層の周りに巻かれたＮ＞１個の外部スレッドからなる外部層と、
を含む。
・Ｑ≧１個の内部スレッドからなる内部層と、
・内部層の周りに巻かれたＭ＞１個の中間スレッドからなる中間層と、
・中間層の周りに巻かれたＮ＞１個の外部スレッドからなる外部層と、
を含む。
【0110】
この実施形態では、各内部ストランドの外部層は、各内部ストランドの中間層と接触する状態で各内部ストランドの中間層の周りに巻かれ、各内部ストランドの中間層は、各内部ストランドの内部層と接触する状態で各内部ストランドの内部層の周りに巻かれる。この実施形態では、各内部ストランドは、３つのそれよりも多くも少なくもないスレッドからなるスレッドの集合を含み、すなわち、このスレッドの集合は、３つの２つでも４つでもない３つに限った個数のスレッド層を有する。
【0111】
好ましい実施形態では、Ｑ＝１、２、３、又は４である。
【0112】
一部の実施形態ではＱ＝１である。Ｑ＝１である実施形態では、かつコードが本発明とは異なり不十分な貫通しか受けない時に、コードに印加される繰り返し圧縮荷重の効果の下で各内部ストランドの内部スレッドが各内部ストランドから、かつコードからさえも半径方向に離脱することに遭遇するリスクがある。本発明により、各内部ストランドの優れた貫通に起因して、Ｑ＝１であることにも関わらず、エラストマー化合物は、各内部ストランドの周りで、取りわけ、各内部ストランドの外部層及び中間層の周りでフーピング層のように作用し、繰り返し圧縮荷重の下であっても内部スレッドが抜け出すことはない。
【0113】
Ｑ＝１であるこれらの実施形態では、円筒層を有する内部ストランド、すなわち、Ｍ個の中間スレッドが内部層の周りにピッチｐ２で各内部ストランドの中間層方向に巻かれ、Ｎ個の外部スレッドが中間層の周りにピッチｐ３で各内部ストランドの外部層方向に巻かれ、ｐ２がｐ３とは異なり、及び／又は各内部ストランドの中間層方向が各内部ストランドの外部層方向とは異なるストランドが有利に存在する。
【0114】
一実施形態では、Ｑ＝１、Ｍ＝５又は６、及びＮ＝１０、１１、又は１２、好ましくは、Ｑ＝１、Ｍ＝５又は６、Ｎ＝１０又は１１、より好ましくは、Ｑ＝１、Ｍ＝６、及びＮ＝１１である。
【0115】
Ｑ＝１、Ｑ＝２、３、又は４である従来技術に対してコードの破断強度を高めることを可能にする好ましい実施形態では、好ましくは、Ｑ＝３又は４である。
【0116】
Ｑ＞１であるこれらの実施形態では、円筒層を有する内部ストランド、すなわち、Ｑ個の内部スレッドがピッチｐ１で各内部ストランドの内部層方向に巻かれ、Ｍ個の中間スレッドが内部層の周りにピッチｐ２で各内部ストランドの中間層方向に巻かれ、Ｎ個の外部スレッドが中間層の周りにピッチｐ３で各内部ストランドの外部層方向に巻かれ、ｐ１、ｐ２、及びｐ３が各々互いに異なり、及び／又は各内部ストランドの隣接層の方向が異なるストランドが有利に存在する。
【0117】
これに加えて、好ましくは、内部層の周りにピッチｐ２で巻かれたＭ個の中間スレッド及び中間層の周りにピッチｐ３で巻かれたＮ個の外部スレッドでは、ピッチｐ２及びｐ３は、
・Ｑ＝２である事例では０．３３≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４５、
・Ｑ＝３である事例では０．３５≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４２、
・Ｑ＝４である事例では０．２８≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４３、
を満足する。
・Ｑ＝２である事例では０．３３≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４５、
・Ｑ＝３である事例では０．３５≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４２、
・Ｑ＝４である事例では０．２８≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４３、
を満足する。
【0118】
そのような比（ｐ３－ｐ２）／ｐ３は、各内部ストランド内でエラストマー化合物に対する比較的大きい半径方向通過窓を取得することを可能にする。
【0119】
有利なことに、ピッチｐ２及びｐ３は、関係：
・Ｑ＝２である事例では０．３６≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、好ましくは、０．３８≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、
・Ｑ＝３である事例では０．３６≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、好ましくは、０．３８≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、
・Ｑ＝４である事例では０．３２≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、好ましくは、０．３６≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、
を満足する。
・Ｑ＝２である事例では０．３６≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、好ましくは、０．３８≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、
・Ｑ＝３である事例では０．３６≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、好ましくは、０．３８≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、
・Ｑ＝４である事例では０．３２≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、好ましくは、０．３６≦（ｐ３－ｐ２）／ｐ３、
を満足する。
【0120】
外部ストランドと類似の方式で、比（ｐ３－ｐ２）／ｐ３が高いほど、言い換えれば、ｐ３とｐ２ｆの間の差が大きいほど各内部ストランドのアーキテクチャ的安定性は良好である。
【0121】
有利なことに、ピッチｐ２及びｐ３は、関係：
・Ｑ＝２である事例では（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４２、好ましくは、（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４０、
・Ｑ＝３である事例では（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４０、
・Ｑ＝４である事例では（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４０、好ましくは、（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．３８、
を満足する。
・Ｑ＝２である事例では（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４２、好ましくは、（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４０、
・Ｑ＝３である事例では（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４０、
・Ｑ＝４である事例では（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．４０、好ましくは、（ｐ３－ｐ２）／ｐ３≦０．３８、
を満足する。
【0122】
これらの値よりも下では、エラストマー化合物のための半径方向通過窓のサイズは最大であり、各内部ストランドの貫通性を最適化することを可能にする。
【0123】
有利なことに、ピッチｐ１は、３ｍｍ≦ｐ１≦１６ｍｍ、好ましくは、４ｍｍ≦ｐ１≦１３ｍｍ、より好ましくは、５ｍｍ≦ｐ１≦１０ｍｍであるようなものである。
【0124】
有利なことに、ピッチｐ２は、８ｍｍ≦ｐ２≦２０ｍｍ、好ましくは、９ｍｍ≦ｐ２≦１８ｍｍ、より好ましくは、１０ｍｍ≦ｐ２≦１６ｍｍであるようなものである。
【0125】
有利なことに、ピッチｐ３は、１０ｍｍ≦ｐ３≦４０ｍｍ、好ましくは、１２ｍｍ≦ｐ３≦３０ｍｍ、より好ましくは、１５ｍｍ≦ｐ３≦２５ｍｍであるようなものである。
【0126】
これらの好ましい範囲のピッチｐ１、ｐ２、及びｐ３は、タイヤ用途に適合する機械的性質、比較的低いコスト、及び比較的軽い直線コード重量を示すコードを取得することを可能にする。
【0127】
Ｑ＞１であるこれらの好ましい実施形態、取りわけ、Ｑ＝３又は４であるものでは、コードが不十分にしか貫通を受けない時に、腐食物質が各ストランドに沿って拡散することを非常に促進する中心毛細管の境界を定めるＱ＝３又は４の内部スレッドの間で腐食物質の有意な拡散に遭遇するリスクがある。この欠点は、ストランドをエラストマー化合物による貫通を受けることができるものにし、それによって腐食物質が中心毛細管に接近することを阻止し、かつ中心毛細管自体が貫通を受けるという最良の場合にこれらの腐食物質がストランドに沿って拡散することを阻止することによって解消することができる。
【0128】
Ｑ＞１である好ましい実施形態では、Ｑ＝２、３、又は４、Ｍ＝７、８、９、又は１０、Ｎ＝１３、１４、又は１５、好ましくは、Ｑ＝３又は４、Ｍ＝８、９、又は１０、Ｎ＝１４又は１５、より好ましくは、Ｑ＝３、Ｍ＝８又は９、及びＮ＝１４又は１５、更に好ましくは、Ｑ＝３、Ｍ＝９、及びＮ＝１５である。
【0129】
有利なことに、中間層のスレッド間距離の和ＳＩ２は、ｄ３が各内部ストランドの各外部スレッドの直径である時にＳＩ２＜ｄ３、好ましくは、ＳＩ２≦０．８×ｄ３であるようなものである。外部ストランドと類似の方式で、内部ストランドの各内部層の外部スレッドの直径ｄ３は好ましくは和ＳＩ２よりも大きいので、外部スレッドが中間層を貫通することが防止される。この場合に、それによって良好なアーキテクチャ的安定性が保証され、更にエラストマー化合物のための半径方向通過窓に対する変更のリスク及び従って各内部ストランドの良好な貫通性を劣化させるリスクが低減される。和ＳＩ２は、中間層内の各対の隣接するスレッドを分離するスレッド間距離の和である。層のスレッド間距離は、コードの主軸線に対して垂直なコードの断面内でこの層の２つの隣接するスレッドを平均的に分離する最短距離として定められる。従って、スレッド間距離は、中間層内のスレッドを分離する間隔の個数で和ＳＩ２を割り算することによって計算される。
【0130】
有利なことに、各内部ストランドの中間層は不飽和化される。
【0131】
有利なことに、各内部ストランドの中間層のスレッド間距離は、５μｍよりも大きいか又はそれに等しい。好ましくは、各内部ストランドの中間層内のスレッド間距離は、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、３５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に好ましくは、５０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に非常に好ましくは、６０μｍよりも大きいか又はそれに等しい。
【0132】
各内部ストランドの中間層が不飽和化されることにより、エラストマー化合物が各内部ストランドの中心に至るまで深く進入することが有利に容易になり、それによって各内部ストランドが腐食による影響を受け難くなる。
【0133】
各内部ストランドの貫通性と破断時の力の間の妥協を促進する実施形態では、各内部ストランドの中間層は不完全に不飽和である。
【0134】
定義により、スレッドで不完全に不飽和化された層は、この層のＸ個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ＋１）番目のスレッドを組み込むほど十分な間隔がこの層に存在しないようなものである。この特定の事例では、中間層のＭ個の中間スレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｍ＋１）番目の中間スレッドを組み込むほど十分な間隔が中間層に存在しない。言い換えれば、内部ストランドの不完全不飽和中間層は、この中間層のスレッド間距離Ｉ２の和ＳＩ２がこの中間層の中間スレッドの直径ｄ２よりも小さいことを意味する。従って、有利なことに、各内部ストランドの中間層のスレッド間距離の和ＳＩ２は、ＳＩ２＜ｄ２であるようなものである。
【0135】
各内部ストランドの中間層が不完全に不飽和であるという事実は、中間層のアーキテクチャ的安定性を保証することを可能にする。更に、各内部ストランドの中間層が不完全に不飽和であるという事実は、各内部ストランドが比較的多い個数の中間スレッドを含み、従って、比較的高い破断時の力を示すことを保証することを可能にする。
【0136】
各内部ストランドの貫通性を促進する別の実施形態では、各内部ストランドの中間層は不完全に不飽和化される。
【0137】
定義により、完全不飽和スレッド層は、この層のＸ個のスレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｘ＋１）番目のスレッドを組み込むほど十分な余地がこの層に存在し、従って、複数のスレッドが互いに接触していること又はしていないことが可能であるようなものである。この特定の事例では、各内部ストランドの中間層のＭ個の中間スレッドと同じ直径を有する少なくとも１つの（Ｍ＋１）番目の中間スレッドを組み込むほど十分な間隔がこの中間層に存在する。言い換えれば、内部ストランドの完全不飽和中間層は、この中間層のスレッド間距離Ｉ２の和ＳＩ２がこの中間層の中間スレッドの直径ｄ２よりも大きいことを意味する。従って、有利なことに、各内部ストランドの中間層のストランド間距離の和ＳＩ２は、ＳＩ２≧ｄ２であるようなものである。
【0138】
一部の好ましい実施形態では、各内部ストランドの各内部スレッドは、各内部ストランドの各中間スレッドの直径ｄ２よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１／ｄ２≦１．１０である。ｄ１＞ｄ２であるような直径の使用は、中間層を通るエラストマー化合物の貫通性を促進することを可能にする。ｄ１＞ｄ２である場合に、非常に好ましくは、ｄ１／ｄ２≦１．１０であり、これは、一方で中間層のアーキテクチャ的安定性を制御すること、他方でｄ１とｄ２の間の差によって生成される比較的少量の不飽和化に起因して各内部ストランドの良好な貫通性をより一層有益なものにすることを可能にする。ｄ１＝ｄ２であるような直径の使用は、コードの製造において管理される異なるスレッドの数を制限することを可能にし、更にｄ１とｄ２の間の等値性によって生成される不飽和化の欠如に起因して本発明をより一層有益なものにすることも可能にする。
【0139】
一部の好ましい実施形態では、各内部ストランドの各中間スレッドは、各内部ストランドの各外部スレッドの直径ｄ３に等しい直径ｄ２を有する。ｄ２＝ｄ３であるような直径の使用は、コードの製造において管理される異なるスレッドの数を制限することを可能にする。
【0140】
一実施形態では、各内部ストランドは、原位置ゴム引きタイプのものである。各ストランドは、コードのアセンブリの前に、少なくとも２つの半径方向に隣接するスレッド層の間に、潜在的には半径方向に隣接するスレッド層の各々の間に配置されたポリマー化合物、取りわけ、エラストマー化合物の層を含む。原位置でゴム引きされるそのようなストランドは、取りわけ、ＷＯ ２０１００５４７９０に説明されている。
【0141】
別の実施形態では、各内部ストランドは、非原位置ゴム引きタイプのものである。原位置でゴム引きされないということは、コードのアセンブリの前に、各内部ストランドが様々な層のスレッドからなり、かついずれのポリマー化合物も、取りわけ、エラストマー化合物も持たないことを意味する。
【0142】
本発明によるタイヤ
【0143】
本発明の別の主題は、上記で定義したコードを含むタイヤである。
【0144】
コードは、最も具体的には、「大型車両」、すなわち、地下鉄車両、バス、路上運搬車（貨物車、牽引車、トレーラー）、路外車両、農業車両、又は建設プラント車両、又はその他の輸送車両又は荷役車両のような大型車両から選択された産業車両のためのものである。
【0145】
好ましくは、タイヤは、建設プラントタイプの車両のためのものである。層は、ＷＲＵ形式のサイズを有し、ここで、当業者に公知であるように、Ｗは、
・Ｈがタイヤの断面高さであり、Ｂがタイヤの断面幅である形式Ｈ／Ｂである時にＥＴＲＴＯによって定義される公称偏平率Ｈ／Ｂ、
・Ｈ＝ＢであってＨ及びＢが上記で定義したものであるＨ．００又はＢ．００という形式にある時にＨ．００又はＢ．００、
を表し、
Ｕは、タイヤを装着することを意図するリム座部の直径をインチを単位として表し、Ｒは、タイヤ、ここではラジアルのもののカーカス補強体のタイプを表す。そのような寸法の例は、例えば、４０．００ Ｒ ５７、又は他に５９／８０ Ｒ ６３である。
・Ｈがタイヤの断面高さであり、Ｂがタイヤの断面幅である形式Ｈ／Ｂである時にＥＴＲＴＯによって定義される公称偏平率Ｈ／Ｂ、
・Ｈ＝ＢであってＨ及びＢが上記で定義したものであるＨ．００又はＢ．００という形式にある時にＨ．００又はＢ．００、
を表し、
Ｕは、タイヤを装着することを意図するリム座部の直径をインチを単位として表し、Ｒは、タイヤ、ここではラジアルのもののカーカス補強体のタイプを表す。そのような寸法の例は、例えば、４０．００ Ｒ ５７、又は他に５９／８０ Ｒ ６３である。
【0146】
好ましくは、Ｕ≧３５、より好ましくは、Ｕ≧４９、より好ましくは、Ｕ≧５７である。
【0147】
一実施形態では、タイヤは、２つのビード内に固定されたカーカス補強体を有し、カーカス補強体には、半径方向にクラウン補強体が載っており、クラウン補強体自体には、トレッドが載っており、クラウン補強体は、２つの側壁によってこれらのビードに接合され、カーカス補強体は、上記で定義したコードを少なくとも１つ含む。
【0148】
別の実施形態では、タイヤは、２つのビード内に固定されたカーカス補強体を有し、カーカス補強体には、半径方向にクラウン補強体が載っており、クラウン補強体自体には、トレッドが載っており、クラウン補強体は、２つの側壁によってこれらのビードに接合され、上記で定義したコードを少なくとも１つ含む。
【0149】
有利なことに、カーカス補強体は、各々がタイヤの周方向と８０°と９０°の間の角度をなす複数のフィラメント状金属カーカス補強要素を含む少なくとも１つのカーカスプライを含む。
【0150】
有利なことに、クラウン補強体は、上記で定義したコードを少なくとも１つ含む作動補強体を含む。
【0151】
有利なことに、作動補強体は、互いに対して実質的に平行に配置されて各々がタイヤの周方向と最大で６０°に等しい、好ましくは１５°から４０°の範囲に及ぶ角度をなし、上記で定義したコードで形成されたフィラメント状金属補強要素を含む少なくとも１つの作動プライを含む。
【0152】
１つの有利な実施形態では、作動補強体は、少なくとも第１及び第２の作動プライを含み、各第１及び第２の作動プライは、それぞれ、各第１及び第２の作動プライ内で互いに対して実質的に平行に配置された第１及び第２のフィラメント状金属作動補強要素を含み、各フィラメント状金属作動補強要素は、タイヤの周方向と最大で６０°に等しい、好ましくは、１５°から４０°の範囲に及ぶ角度を形成し、かつ上記で定めたコードで形成される。
【0153】
有利なことに、クラウン補強体は、互いに対して実質的に平行に配置されたフィラメント状金属補強要素を含む少なくとも１つの保護プライを含む保護補強体を含み、各フィラメント状金属保護補強要素は、タイヤの周方向と最大で１０°に等しい、好ましくは、１０°から３５°、望ましくは１５°から３０°の範囲に及ぶ角度を形成する。
【0154】
１つの有利な実施形態では、保護補強体は、第１及び第２の保護プライを含み、各第１及び第２の保護プライは、それぞれ、各第１及び第２の保護プライ内で互いに対して実質的に平行に配置された第１及び第２のフィラメント状金属保護要素を含み、各第１及び第２のフィラメント状金属保護補強要素は、タイヤの周方向と少なくとも１０°に等しい、好ましくは１０°から３５°、望ましくは１５°から３０°の範囲に及ぶ角度をなす。
【0155】
好ましい実施形態では、保護補強体は、トレッドと作動補強体の間に半径方向に挟まれる。
【0156】
有利なことに、クラウン補強体は、少なくとも１つの追加プライを含む追加補強体を含み、追加プライは、追加プライ内で互いに対して実質的に平行に配置された追加フィラメント状金属補強要素を含み、各フィラメント状金属補強要素は、タイヤの周方向と最大で１０°に等しい、好ましくは５°から１０°の範囲に及ぶ角度をなす。
【0157】
１つの有利な実施形態では、追加補強体は、第１及び第２の追加プライを含み、各第１及び第２の追加プライは、それぞれ、各第１及び第２の追加プライ内で互いに対して実質的に平行に配置された第１及び第２の追加フィラメント状金属補強要素を含み、各第１及び第２の追加フィラメント状金属補強要素は、タイヤの周方向と最大で１０°に等しい、好ましくは５°から１０°の範囲に及ぶ角度をなす。
【0158】
本発明は、専ら非限定的な例として与えて図面を参照する以下の説明を読解することからより良く理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0159】
【図1】本発明によるタイヤの周方向に対して垂直な断面図である。
【図3】本発明の第１の実施形態によるコードのコード軸線（直線であり、かつ静止していると仮定）に対して垂直な概略断面図である。
【図4】本発明の第２の実施形態によるコードのコード軸線（直線であり、かつ静止していると仮定）に対して垂直な概略断面図である。
【図5】本発明の第３の実施形態によるコードのコード軸線（直線であり、かつ静止していると仮定）に対して垂直な概略断面図である。
【図18】本発明の第１の実施形態によるコードのアセンブリ前の外部ストランドの軸線を含有する平面の上への概略投影図である。
【発明を実施するための形態】
【0160】
「ａとｂの間」という表現で表すあらゆる値範囲は、ａを超える値からｂ未満の値まで延びる（すなわち、端点ａ及びｂを除外する）値範囲を表し、それに対して「ａからｂまで」という表現で表すあらゆる値範囲は、端点「ａ」から端点「ｂ」に至るまで延びる、すなわち、厳密な端点「ａ」と「ｂ」を含む値範囲を意味する。
【0161】
本発明によるタイヤの例
【0162】
図には、タイヤのそれぞれ軸線方向（Ｘ）、半径方向（Ｙ）、周方向（Ｚ）の通常の向きに対応する座標系Ｘ、Ｙ、Ｚを描いている。
【0163】
タイヤの「円周正中面」Ｍは、タイヤの回転軸に対して直角であり、各ビードの環状補強構造から等距離のところに位置し、クラウン補強体の中央を通り抜ける平面である。
【0164】
【0165】
タイヤ１０は、建設プラントタイプ、例えば「ダンプトラック」タイプの大型車両のためのものである。すなわち、タイヤ１０は、タイプ５３／８０Ｒ６３の寸法を有する。
【0166】
タイヤ１０は、クラウン補強体１４によって補強されたクラウン１２と、２つの側壁１６と、各々が環状構造体、この事例ではビードワイヤ２０で補強された２つのビード１８とを有する。半径方向にクラウン補強体１４にトレッド２２が載っており、クラウン補強体１４は側壁１６によってビード１８に接続される。カーカス補強体２４は、２つのビード１８に固定され、この事例では２つのビードワイヤ２０の周りに巻かれ、かつタイヤ２０の外側に向かうように位置決めされた折り返し部２６を含み、これは、この図にはホイールリム２８の上に装着された状態で示している。半径方向にカーカス補強体２４にクラウン補強体１４が載っている。
【0167】
カーカス補強体２４は、フィラメント状金属カーカス補強要素３１を含んでタイヤ１０の周方向Ｚと８０°と９０°の間の角度をなすように一方のビード１８から他方のものまで延びる少なくとも１つのカーカスプライ３０を含む。
【0168】
タイヤ１０は、エラストマーで構成されてタイヤ１０の半径方向内面３４を定義し、更にタイヤ１０の内側の空間から発する空気の拡散からカーカスプライ３０を保護することを意図する密封プライ３２（一般的に「内側ライナ」として公知である）を更に含む。
【0169】
クラウン補強体１４は、半径方向にタイヤ１０の内側から外側に向けて半径方向にトレッド２２の内側に配置された保護補強体３６と、半径方向に保護補強体３６の内側に配置された作動補強体３８と、半径方向に作動補強体３８の内側に配置された追加補強体８０とを含む。従って、保護補強体３６は、半径方向にトレッド２２と作動補強体３８の間に挟まれる。作動補強体３８は、半径方向に保護補強体３６と追加補強体８０の間に挟まれる。
【0170】
保護補強体３６は、第１及び第２の保護プライ４２、４４を含み、第１のプライ４２は、半径方向に第２のプライ４４の内側に配置される。各第１及び第２の保護プライ４２、４４は、それぞれ、各第１及び第２の保護プライ４２、４４内に互いに対して実質的に平行に配置された第１及び第２のフィラメント状金属保護補強要素４３、４５を含む。各第１及び第２のフィラメント状金属保護補強要素４３、４５は、タイヤの周方向Ｚと少なくとも１０°に等しい、好ましくは１０°から３５°、より好ましくは１５°から３０°の範囲内の角度をなす。
【0171】
作動補強体３８は、第１及び第２の作動プライ４６、４８を含み、第１のプライ４６は、半径方向に第２のプライ４８の内側に配置される。各第１及び第２の作動プライ４６、４８は、それぞれ、各第１及び第２の作動プライ４６、４８内に互いに対して実質的に平行に配置された第１及び第２のフィラメント状金属作動補強要素４７、４９を含む。各第１及び第２のフィラメント状金属作動補強要素４７、４９は、タイヤ１０の周方向Ｚと最大で６０°に等しい、好ましくは１５°から４０°の範囲内の角度をなす。任意的に、第１及び第２のフィラメント状金属作動補強要素４７、４９は、一方の作動プライから他方まで交差する。
【0172】
制限ブロックとも呼び、膨張の機械的応力に少なくとも部分的に反応するという機能を有する追加補強体８０は、第１及び第２の追加プライ８２、８４を含み、各第１及び第２の追加プライ８２、８４は、それぞれ、各第１及び第２の追加プライ８２、８４内に互いに対して実質的に平行に配置された第１及び第２の追加フィラメント状金属補強要素８３、８５を含む。各第１及び第２の追加フィラメント状金属補強要素８３、８５は、タイヤ１０の周方向Ｚと最大で１０°に等しい、好ましくは５°から１０°の範囲内の角度をなす。追加フィラメント状金属補強要素は、例えば、ＦＲ ２ ４１９ １８１又はＦＲ ２ ４１９ １８２に説明されているものと同様である。
【0173】
一実施形態では、各第１及び第２のフィラメント状金属補強要素４７、４９は、本発明によるコード、例えば下記で説明するコード５０によって形成される。
【0174】
別の実施形態では、各第１及び第２のフィラメント状金属カーカス補強要素３１は、本発明によるコード、例えば下記で説明するコード５０によって形成される。
【0175】
更に別の実施形態では、各第１及び第２のフィラメント状金属作動補強要素４７、４９及び各第１及び第２のフィラメント状金属カーカス補強要素３１は、本発明によるコードによって形成され、これらの要素がフィラメント状金属補強要素３１、４７、又は４９のいずれであるかに従ってこれらのコードが同じか又は異なることが可能である。
【0176】
本発明の第１の実施形態によるコード
【0177】
図３は、本発明の第１の実施形態によるコード５０を描いている。
【0178】
コード５０は金属であり、２つの円筒層を有する多重ストランドタイプのものである。従って、コード５０を構成する２つのそれよりも多くも少なくもないストランド層が存在することが理解されるであろう。これらのストランド層は、隣接し、かつ同心のものである。コード５０には、タイヤの中に組み込まれていない時にはポリマー化合物及びエラストマー化合物が存在しない。
【0179】
コード５０は、コード５０の内部層ＣＩと外部層ＣＥを含む。内部層ＣＩは、螺旋状に巻かれたＫ＞１個の内部ストランドＴＩから構成される。この事例では、Ｋ＝２、３、又は４、好ましくは、Ｋ＝３又は４であり、ここではＫ＝３である。外部層ＣＥは、コードの内部層ＣＩの周りに巻かれたＬ＞１個の外部ストランドＴＥから構成される。この特定の事例では、Ｌ＝７、８、９、又は１０、好ましくは、Ｌ＝８、９、又は１０、より好ましくは、Ｌ＝８又は９であり、ここではＬ＝９である。
【0180】
コード５０はまた、単一ラッピングスレッドからなるラッパーＦを含む。
【0181】
内部層ＣＩは、コード内部層方向に、この事例ではＺにピッチｐｉ、ここではｐｉ＝８０ｍｍで螺旋状に巻かれ、外部層ＣＥは、コード外部層方向に、この事例ではＺにピッチｐｅ、ここではｐｉ＝１００ｍｍで螺旋状に巻かれる。ｐｉはｐｅとは異なるので、コードは、円筒形である層を有する。
【0182】
ラッパーＦは、この事例ではコードの外部層とは反対のラッパー巻回方向、この事例ではＳ方向に外部層ＣＥの周りに巻かれる。ラッピングワイヤは、２ｍｍ≦ｐｆ≦１０ｍｍ、好ましくは、３ｍｍ≦ｐｆ≦８ｍｍであるようなピッチｐｆで外部ストランドＴＥの周りに螺旋状に巻かれる。ここではｐｆ＝５．１ｍｍである。
【0183】
内部層ＣＩと外部層ＣＥとで構成されるアセンブリ、すなわち、ラッパーＦのないコード５０は、直径Ｄを有する。ここではＤ＝７．０ｍｍである。
【0184】
コード５０の外部層ＣＥは不飽和化される。２つの隣接する外部ストランドＴＥを分離する平均ストランド間距離Ｅは、７０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、１００μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に好ましくは、１５０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、非常に好ましくは、２００μｍよりも大きいか又はそれに等しい。この実施形態では、外部ストランドの外部層のストランド間距離は、２００μｍよりも大きいか又はそれに等しい。ここでは、Ｅ＝２６８μｍである。
【0185】
各内部ストランドＴＩは直径ＤＩを有し、各外部ストランドＴＥは直径ＤＥを有する。この特定の事例では、ＤＩ＝１．７８ｍｍ及びＤＥ＝１．５６ｍｍである。
【0186】
コード５０の外部層ＣＥは不飽和化される。特に、ＳＩＥ＝９×０．２６８＝２．４ｍｍであり、この値は、ＤＥ＝１．５６ｍｍよりも高い値である。
【0187】
コード５０の内部ストランドＴＩ
【0188】
各内部ストランドＴＩは、少なくとも２つの層を有する。この事例では、各内部ストランドＴＩは３つの層を有する。各内部ストランドＴＩは、３つのそれよりも多くも少なくもない層を含み、この事例ではそれから構成される。
【0189】
各内部ストランドＴＩは、Ｑ個の内部スレッドＦ１からなる内部層Ｃ１と、内部層Ｃ１の周りに螺旋状に巻かれたＭ個の中間スレッドＦ２からなる中間層Ｃ２と、内部層Ｃ１及び中間層Ｃ２の周りに螺旋状に巻かれて中間層Ｃ２と接触しているＮ個の外部スレッドＦ３からなる外部層Ｃ３とを含む。
【0190】
Ｑ＝１、２、３、又は４であり、ここでは、より好ましくはＱ＝１である。
【0191】
Ｑ＝１、Ｍ＝５又は６、及びＮ＝１０、１１、又は１２、好ましくは、Ｑ＝１、Ｍ＝５又は６、及びＮ＝１０又は１１であり、ここでは、Ｑ＝１、Ｍ＝６、及びＮ＝１１である。
【0192】
内部スレッドＦ１は、無限ピッチを有する。
【0193】
各内部ストランドＴＩの中間層Ｃ２は、各内部ストランドＴＩの内部層Ｃ１の周りに巻回方向Ｚに巻かれる。Ｍ個の中間スレッドＦ２は、内部スレッドＦ１の周りに８ｍｍ≦ｐ２≦２０ｍｍ、好ましくは、９ｍｍ≦ｐ２≦１８ｍｍ、更に好ましくは、１０ｍｍ≦ｐ２≦１６ｍｍであるようなピッチｐ２で螺旋状に巻かれる。ここでは、ｐ２＝１４ｍｍである。
【0194】
各内部ストランドＴＩの外部層Ｃ３は、各内部ストランドＴＩの内部層Ｃ１及び中間層Ｃ２の周りに巻回方向Ｚに巻かれる。Ｎ個の外部ワイヤＦ３は、Ｍ個の中間スレッドＦ２の周りに１０ｍｍ≦ｐ３≦４０ｍｍ、好ましくは、１２ｍｍ≦ｐ３≦３０ｍｍ、より好ましくは、１５ｍｍ≦ｐ３≦２５ｍｍであるようなピッチｐ３で螺旋状に巻かれる。ここでは、ｐ３＝２０ｍｍである。
【0195】
ｐ１はｐ２と異なり、ｐ２はｐ３と異なるので、各内部ストランドは、円筒形である層を有する。
【0196】
各内部ストランドＴＩの中間層Ｃ２は不飽和化され、不完全に不飽和である。Ｍ個の中間スレッドを平均的に分離する中間層Ｃ２のスレッド間距離Ｉ２は、５μｍよりも有利に大きいか又はそれに等しく、ここでは１１．６μｍに等しい。中間層Ｃ２は不完全に不飽和であるので、中間層Ｃ２のスレッド間距離Ｉ２の和ＳＩ２は、中間層Ｃ２の中間スレッドＦ２の直径ｄ２よりも小さい。ここでは、和ＳＩ２＝６×０．０１１６＝０．０７ｍｍであり、この値は、ｄ２＝０．３５ｍｍよりも厳密に小さい値である。
【0197】
中間層Ｃ２のスレッド間距離Ｉ２の和ＳＩ２は、外部層Ｃ３の外部スレッドＦ３の直径ｄ３よりも小さく、好ましくは、０．８×ｄ３よりも小さいか又はそれに等しい。ここでは、和ＳＩ２＝６×０．０１１６＝０．０７ｍｍであり、この値は、ｄ３＝０．３５ｍｍよりも厳密に小さい。
【0198】
各内部ストランドＴＩの外部層Ｃ３は不飽和化され、かつ完全に不飽和である。Ｎ個の外部スレッドを平均的に分離する外部層Ｃ３のスレッド間距離Ｉ３は、５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、好ましくは、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、３５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、ここでは４５μｍに等しい。外部層Ｃ３のスレッド間距離Ｉ３の和ＳＩ３は、外部層Ｃ３の外部スレッドＦ３の直径ｄ３よりも大きいか又はそれに等しい。ここでは、和ＳＩ３＝１１×０．０４５＝０．５０ｍｍであり、この値は、ｄ３＝０．３５ｍｍよりも厳密に大きい。
【0199】
各内部ストランドＴＩの各内部スレッド、中間スレッド、及び外部スレッドは、それぞれ直径ｄ１、ｄ２、及びｄ３を有する。各内部ストランドＴＩの各内部スレッド直径ｄ１、中間スレッド直径ｄ２、及び外部スレッド直径ｄ３は、０．１５ｍｍから０．６０ｍｍ、好ましくは、０．２０ｍｍから０．５０ｍｍ、より好ましくは、０．２２ｍｍから０．４０ｍｍ、更に好ましくは、０．２４ｍｍから０．３５ｍｍの範囲に及ぶ。
【0200】
各内部ストランドＴＩの内部スレッドＦ１は、各内部ストランドＴＩの各中間スレッドＦ２の直径ｄ２よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１／ｄ２≦１．１０である。各内部ストランドＴＩの内部スレッドＦ１は、各内部ストランドＴＩの各外部スレッドＦ３の直径ｄ３よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１／ｄ３≦１．１０である。各内部ストランドＴＩの各中間スレッドＦ２の各直径ｄ２及び各内部ストランドＴＩの各外部スレッドＦ３の各直径ｄ３は、ｄ２＝ｄ３であるようなものである。
【0201】
この事例では、ｄ１＞ｄ２及びｄ１＞ｄ３、ｄ１／ｄ２＝ｄ１／ｄ３＝１．０９、並びにｄ１＝０．３８ｍｍ、ｄ２＝ｄ３＝０．３５ｍｍである。
【0202】
コード５０の外部ストランドＴＥ
【0203】
各外部ストランドＴＥは３つの層を有する。従って、各外部ストランドＴＥは、この事例では３つのそれよりも多くも少なくもない層から構成される。
【0204】
各外部ストランドＴＥは、Ｑ’＝２、３、又は４個の内部スレッドからなる内部層Ｃ１’と、内部層Ｃ１’の周りに螺旋状に巻かれたＭ’個の中間スレッドＦ２’からなる中間層Ｃ２’と、内部層Ｃ１’及び中間層Ｃ２’の周りに螺旋状に巻かれ、中間層Ｃ２’と接触しているＮ’個の外部スレッドＦ３’からなる外部層Ｃ３’とを含む。
【0205】
Ｍ’＝７、８、９、又は１０、Ｎ’＝１２、１３、１４、又は１５であり、ここでは、Ｑ’＝２、Ｍ’＝７又は８、及びＮ’＝１２又は１３である。この事例では、コード５０は、Ｑ’＝２、Ｍ’＝７、及びＮ’＝１２であるようなものである。
【0206】
各外部ストランドＴＥの内部層Ｃ１’は、巻回方向Ｚに螺旋状に巻かれる。Ｑ’個の内部スレッドＦ１’は、３ｍｍ≦ｐ１’≦１６ｍｍ、好ましくは、４ｍｍ≦ｐ１’≦１３ｍｍ、更に好ましくは、５ｍｍ≦ｐ１’≦１０ｍｍであるようなピッチｐ１’で螺旋状に巻かれる。ここではｐ１’＝６ｍｍである。
【0207】
各外部ストランドＴＥの中間層Ｃ２’は、各外部ストランドＴＥの内部層Ｃ１’の周りに巻回方向Ｚに巻かれる。Ｍ’個の中間スレッドＦ２’は、内部スレッドＦ１’の周りに８ｍｍ≦ｐ２’≦２０ｍｍ、好ましくは、９ｍｍ≦ｐ２’≦１８ｍｍ、更に好ましくは、１０ｍｍ≦ｐ２’≦１６ｍｍであるようなピッチｐ２’で螺旋状に巻かれる。ここではｐ２’＝１１ｍｍである。
【0208】
各外部ストランドＴＥの外部層Ｃ３’は、各外部ストランドＴＥの中間層Ｃ２’の周りに巻回方向Ｚに巻かれる。Ｎ’個の外部スレッドＦ３’は、Ｍ’個の中間スレッドＦ２’の周りに１０ｍｍ≦ｐ３’≦４０ｍｍ、好ましくは、１２ｍｍ≦ｐ３’≦３０ｍｍ、より好ましくは、１５ｍｍ≦ｐ３’≦２５ｍｍであるようなピッチｐ３’で螺旋状に巻かれる。ここではｐ３’＝１８ｍｍである。
【0209】
ピッチｐ２’及びｐ３’は、０．３３≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４５を満足する。
【0210】
０．３６≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’、好ましくは、０．３８≦（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’である。
【0211】
（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４２、好ましくは、（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’≦０．４０である。
【0212】
この事例では、（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３９である。
【0213】
ｐ１’はｐ２’と異なり、ｐ２’はｐ３’と異なるので、各外部ストランドは、円筒形である層を有する。
【0214】
各外部ストランドＴＥの中間層Ｃ２’は不飽和化され、この事例では完全に不飽和である。Ｍ’個の中間スレッドを平均的に分離する中間層Ｃ２’のスレッド間距離Ｉ２’は、有利なことに、５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、好ましくは、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、３５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、更に好ましくは、５０μｍよりも大きく／それに等しく、この実施形態では、スレッド間距離Ｉ２’は、非常に好ましくは、６０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、ここでは７４．６μｍに等しい。中間層Ｃ２’は完全に不飽和であるので、中間層Ｃ２’のスレッド間距離Ｉ２’の和ＳＩ２’は、中間層Ｃ２’の中間スレッドＦ２’の直径ｄ２’よりも小さい。ここでは、和ＳＩ２’＝７×０．０７４６＝０．５２ｍｍであり、この値は、ｄ２’＝０．２６ｍｍよりも厳密に大きい。
【0215】
各外部ストランドＴＥの外部層Ｃ３’は不飽和化され、完全に不飽和である。Ｎ’個の外部スレッドを平均的に分離する外部層Ｃ３’のスレッド間距離Ｉ３’は、５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、好ましくは、１５μｍよりも大きいか又はそれに等しく、より好ましくは、３５μｍ、更に好ましくは、５０μｍよりも大きく／それに等しく、この実施形態では、スレッド間距離Ｉ２’は、非常に好ましくは、６０μｍよりも大きいか又はそれに等しく、ここでは７０．７μｍに等しい。外部層Ｃ３のスレッド間距離Ｉ３’の和ＳＩ３’は、外部層Ｃ３’の外部スレッドＦ３’の直径ｄ３’よりも大きい。和ＳＩ３’＝１２×０．０７０７＝０．８５ｍｍであり、この値は、ｄ３’＝０．２６ｍｍよりも厳密に大きい値である。
【0216】
各外部ストランドＴＥの各内部スレッド、中間スレッド、及び外部スレッドは、それぞれ直径ｄ１’、ｄ２’、及びｄ３’を有する。各外部ストランドＴＥの各内部スレッド直径ｄ１’、中間スレッド直径ｄ２’、及び外部スレッド直径ｄ３’は、０．１５ｍｍから０．６０ｍｍ、好ましくは、０．２０ｍｍから０．５０ｍｍ、より好ましくは、０．２２ｍｍから０．４０ｍｍ、更に好ましくは、０．２４ｍｍから０．３５ｍｍの範囲に及ぶ。
【0217】
各外部ストランドＴＥの内部スレッドＦ１’は、各外部ストランドＴＥの各中間スレッドＦ２’の直径ｄ２’よりもよりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１’を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１’／ｄ２’≦１．１０である。各外部ストランドＴＥの内部スレッドＦ１’は、各外部ストランドＴＥの各外部スレッドＦ３’の直径ｄ３’よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ１’を有し、非常に好ましくは、１≦ｄ１’／ｄ３’≦１．１０である。各外部ストランドＴＥの各中間スレッドＦ２’の各直径ｄ２’及び各外部ストランドＴＥの各外部スレッドＦ３’の各直径ｄ３’は、ｄ２’＝ｄ３’であるようなものである。
【0218】
この事例では、ｄ１’＝ｄ２’＝ｄ３’であり、ｄ１’＝ｄ２’＝ｄ３’＝０，２６ｍｍである。
【0219】
各内部ストランドＴＩの各外部スレッドＦ３は、各外部ストランドＴＥの各外部スレッドＦ３の直径ｄ３’よりも大きいか又はそれに等しい直径ｄ３を有する。ここでは、好ましくは、ｄ３＝０．３５ｍｍ＞ｄ３’＝０．２６ｍｍである。好ましくは、１＜ｄ３／ｄ３’≦２、より好ましくは、１＜ｄ３／ｄ３’≦１．５、更に好ましくは、１．２５＜ｄ３／ｄ３’≦１．５であり、ここではｄ３／ｄ３’＝１．３４である。
【0220】
各スレッドは、Ｒｍと表記する２５００ＭＰａ≦Ｒｍ≦３１００ＭＰａであるような破断強度を有する。これらのスレッドのための鋼は、ＳＨＴ（「超高張力」）級のものと呼ばれる。上級スレッド、例えばＵＴ（「超張力」）級又はＭＴ（「メガ張力」）級のものを用いることができるのと全く同様に、他のスレッド、例えば低級スレッド、例えばＮＴ（「標準張力」）級又はＨＴ（「高張力」）級のものを用いることができる。
【0221】
本発明によるコードを製造する方法
【0222】
本発明によるコードは、当業者に公知の段階を含む方法を用いて製造される。
【0223】
各上述の内部ストランドは、好ましくは、インラインかつ連続的に実施される以下の段階を伴う公知の方法に従って製造される：
・Ｑ＞１である事例では、まず最初に、内部層Ｃ１のＱ個の内部スレッドＦ１をピッチｐ１でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第１のアセンブリ点で内部層Ｃ１を形成する第１の段階であって、Ｑ＝１に実施形態ではこの第１のアセンブリ段階が省略される上記第１の段階、
・それに続いて、Ｍ個の中間スレッドＦ２を内部層Ｃ１のＱ個の内部スレッドＦ１の周りにピッチｐ２でＺ方向にケーブリング又は撚転によって組み立てて第２のアセンブリ点で中間層Ｃ２を形成する第２の段階、
・それに続いて、Ｎ個の外部スレッドＦ３を中間層Ｃ２のＭ個の中間スレッドＦ２の周りにピッチｐ３でＺ方向にケーブリング又は撚転によって組み立てて第３のアセンブリ点で外部層Ｃ３及び各内部ストランドＴＩを形成する第３の段階、
・好ましくは、最終撚転－平衡化段階。
・Ｑ＞１である事例では、まず最初に、内部層Ｃ１のＱ個の内部スレッドＦ１をピッチｐ１でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第１のアセンブリ点で内部層Ｃ１を形成する第１の段階であって、Ｑ＝１に実施形態ではこの第１のアセンブリ段階が省略される上記第１の段階、
・それに続いて、Ｍ個の中間スレッドＦ２を内部層Ｃ１のＱ個の内部スレッドＦ１の周りにピッチｐ２でＺ方向にケーブリング又は撚転によって組み立てて第２のアセンブリ点で中間層Ｃ２を形成する第２の段階、
・それに続いて、Ｎ個の外部スレッドＦ３を中間層Ｃ２のＭ個の中間スレッドＦ２の周りにピッチｐ３でＺ方向にケーブリング又は撚転によって組み立てて第３のアセンブリ点で外部層Ｃ３及び各内部ストランドＴＩを形成する第３の段階、
・好ましくは、最終撚転－平衡化段階。
【0224】
以下の段階を用いて外部ストランドを製造する方法では、好ましくは、以下のことがインラインでかつ連続して実施される：
・まず最初に、内部層Ｃ１のＱ個の内部スレッドＦ１をピッチｐ１でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第１のアセンブリ点で内部層Ｃ１を形成する第１の段階、
・それに続いて、Ｍ’個の中間スレッドＦ２’を内部層Ｃ１’のＱ’個の内部スレッドＦ１’の周りにピッチｐ２’でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第１のアセンブリ点で中間層Ｃ２’を形成する第２の段階、
・それに続いて、Ｎ’個の外部スレッドＦ３’を中間層Ｃ２’のＭ’個の中間スレッドＦ２’の周りにピッチｐ３’でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第２のアセンブリ点で外部層Ｃ３’及び各外部ストランドＴＥを形成する第３の段階、
・好ましくは、最終撚転－平衡化段階。
・まず最初に、内部層Ｃ１のＱ個の内部スレッドＦ１をピッチｐ１でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第１のアセンブリ点で内部層Ｃ１を形成する第１の段階、
・それに続いて、Ｍ’個の中間スレッドＦ２’を内部層Ｃ１’のＱ’個の内部スレッドＦ１’の周りにピッチｐ２’でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第１のアセンブリ点で中間層Ｃ２’を形成する第２の段階、
・それに続いて、Ｎ’個の外部スレッドＦ３’を中間層Ｃ２’のＭ’個の中間スレッドＦ２’の周りにピッチｐ３’でＺ方向にケーブリングによって組み立てて第２のアセンブリ点で外部層Ｃ３’及び各外部ストランドＴＥを形成する第３の段階、
・好ましくは、最終撚転－平衡化段階。
【0225】
ここでは「撚転平衡化」は、当業者に公知であるように、外部層での場合と同じく中間層においてもストランドの各スレッドに印加される残存トルク（又は撚転の弾性回復）の相殺を意味する。
【0226】
この最終段階の後に、ストランドの製造は完了する。各ストランドは、多重ストランドコードを取得するために基本ストランドをケーブリングによって組み立てるその後の作動の前に保存のために１又は２以上の受け入れリールの上に巻かれる。
【0227】
内部層ＣＩを製造する段階では、Ｋ個の内部ストランドＴＩがピッチｐｉでのＺ方向のケーブリングによって組み立てられて第１のアセンブリ点で内部層ＣＩが形成される。
【0228】
次いで、その後の製造段階では、Ｌ個の外部ストランドＴＥが内部層ＣＩの周りにピッチｐｅでＺ方向にケーブリングすることによって組み立てられて層ＣＩとＣＥとのアセンブリが形成される。潜在的には、最終アセンブリ段階では、ラッパーＦが、先に得られたアセンブリの周りにピッチｐｆでＳ方向に巻かれる。
【0229】
コードは、次に、ラジアルタイヤのクラウン補強体を製造するために従来から用いられている天然ゴムと補強充填材としてのカーボンブラックとに基づく公知の組成物から形成された合成繊維の中にスキミングによって組み込まれる。基本的に、この化合物は、エラストマー及び補強充填材（カーボンブラック）に加えて、抗酸化剤、ステアリン酸、伸展油、接着促進剤としてのナフテン酸コバルト、及び最終的な加硫系（硫黄、促進剤、及びＺｎＯ）を含有する。
【0230】
これらのコードによって補強された合成繊維は、コードのいずれかの側に重畳されて包含的に１ｍｍと４ｍｍの間の厚みをそれぞれ有するエラストマー化合物の２つの薄層から形成されたエラストマー化合物母材を有する。スキム－コーティングピッチ（コードがエラストマー化合物繊維に敷かれるピッチ）は、４ｍｍから８ｍｍの範囲に及ぶ。
【0231】
これらの合成繊維は、次に、当業者には他に公知の段階を有するタイヤを製造する方法中にクラウン補強体に作動プライとして用いられる。
【0232】
本発明の第２の実施形態によるコード
【0233】
図４は、本発明の第２の実施形態によるコード５０’を描いている。第１の実施形態と類似の要素は同じ参照番号で表示している。
【0234】
上述した第１の実施形態とは異なり、第２の実施形態によるコード５０’は、Ｋ＝２及びＬ＝８であるようなものである。
【0235】
本発明の第３の実施形態によるコード
【0236】
図５は、本発明の第３の実施形態によるコード５０’’を描いている。第１の実施形態と類似の要素は同じ参照番号で表示している。
【0237】
上述したコード５０の第１の実施形態とは異なり、第３の実施形態によるコード５０’’は、Ｋ＝４及びＬ＝１０であるようなものである。
【0238】
下記の表Ａは、様々なコード５０、５０’、及び５０’’の特性を要約している。
【0239】
（表Ａ）
【0240】
本発明の第４から第１５の実施形態によるコード
【0241】
【0242】
本発明の第４から第１５の実施形態による様々なコード５１、５１’、５１’’、５２、５２’、５２’’、６０、６０’、６０’’、６１、６１’、及び６１’’の特徴を下記の表Ｂ及びＣに要約している。
【0243】
（表Ｂ）
【0244】
（表Ｃ）
【0245】
比較試験
【0246】
エラストマー化合物によるストランドの貫通性のインジケータ
【0247】
エラストマー化合物によって貫通可能であるストランドの機能は、以下の試験において中間層Ｃ２’の２つの隣接するスレッドＦ２’と外部層Ｃ３’の２つの隣接するスレッドＦ３’とによって形成された半径方向通過窓のサイズを模擬することによって決定された。そのような窓は、外部ストランドの主軸線Ｐに沿う外部ストランドの概略図１８と、上記で定めた半径方向通過窓Ｓを示す図１９とに例示されている。ストランドの貫通性のそのようなインジケータは、空気に対するストランドの不透過性の画像を与える。特に、窓のサイズが大きいほど、貫通性インジケータは高く、エラストマー化合物はストランドに貫通し易く、ストランドは空気に対してより高い不透過性を有する。一定圧力下で所与の期間にわたって試験試料に沿って通過する空気の容積を測定することによって空気に対する試験されるストランド又はコードの長手方向透過性を決定することを可能にする透過性試験を用いて透過性を決定することができると考えられる。当業者に公知のそのような試験の原理は、ストランド又はコードを空気に対して不透過性のものにするためのストランド又はコードの処理の有効性を明らかにすることであり、例えば、規格ＡＳＴＭ Ｄ２６９２－９８に説明されている。そのような試験は、製造時のかつ未経年劣化のストランド又はコードに対して実施される。生ストランド又はコードは、コーティング化合物と呼ぶエラストマー化合物で事前に外側を被覆される。この目的に対して、平行に敷かれた１０個の一連のストランド又はコード（コード間距離：２０ｍｍ）が、生状態にあるジエンエラストマー化合物の各々が５ｍｍの厚みを有する２つの層又は「スキム」（８０ｍｍ×２００ｍｍの大きさの２つの四角形）の間に配置され、次いで、ストランド又はコードがモールドに配置される時に直線を延びることを保証するために締め付けモジュールを用いて十分な張力（例えば、３ｄａＮ）下に保たれた状態で、これら全てがモールドに入れられ、次いで、約１２０℃の温度及び１５バールの圧力で約１０時間から１２時間にわたって加硫（硬化）される（８０ｍｍ×２００ｍｍの大きさの矩形ピストン）。その後に、全体がモールドから取り出され、こうして被覆されたストランド又はコードの１０個の試験試料は、特徴付けに向けて７ｍｍ×７ｍｍ×６０ｍｍの大きさの直方体の形状に切り抜かれる。コーティングエラストマー化合物として使用される化合物は、天然（コロイド状）ゴムとカーボンブラックＮ３３０（６５ｐｈｒ）とに基づく、同じく硫黄（７ｐｈｒ）、スルフェンアミド促進剤（１ｐｈｒ）、ＺｎＯ（８ｐｈｒ）、ステアリン酸（０．７ｐｈｒ）、抗酸化剤（１．５ｐｈｒ）、ナフテン酸コバルト（１．５ｐｈｒ）（ｐｈｒは、エラストマー１００部当たりの重量部を意味する）である通常の添加剤を含有するタイヤで従来から使用されているジエンエラストマー化合物であり、コーティングエラストマー化合物のＥ１０弾性率は、約１０ＭＰａである。試験は、硬化状態にある周囲エラストマー化合物（又はコーティングエラストマー化合物）で上記に従って被覆された６ｃｍ長のストランド又はコードに対して、ストランド又はコードの入口端の中に１バールの圧力で空気を注入し、出口端で流量計（例えば、０ｃｍ3／分から５００ｃｍ3／分に較正された）を用いて空気の容積を測定するという手法を用いて実施される。測定中に、ストランド又はコードの長手軸線に沿って一端から他端まで通る空気の量のみが測定によって考慮されるように、ストランド又はコード試料は、圧縮気密シール（例えば、高密発泡体又はゴムで作られたシール）内に固定され、気密シール自体の気密性は、固体エラストマー化合物試験試料、すなわち、ストランドとコードの両方が不在のものを用いて事前に検査される。ストランド又はコードの長手方向の不透過性が高いほど、測定される平均空気流量（１０個の試料にわたって平均されたもの）は小さくなる。測定は、±０．２ｃｍ3／分の精度で行われるので、０．２ｃｍ3／分よりも小さいか又はそれに等しい測定値はゼロと見なされ、これらの測定値は、軸線（すなわち、長手方向）に沿って気密（完全に気密）なものとして説明することができるストランド又はコードに対応する。
【0248】
それにも関わらず、ストランドを評価することができる速度の目的で、本発明者は、透過性試験よりも窓Ｓの模擬及び計算を選択した。
【0249】
コード５０のピッチｐ３’による外部ストランドに対する貫通性インジケータの評価
【0250】
本発明によるコード５０、５１、及び５２の外部ストランドに類似する様々な外部ストランドが、様々なｐ３’値に対してｐ２’値を変化させ、コードの全ての他の構造的特徴を以上の説明と比較して変わらないままに留めることによって模擬された。
【0251】
これらの模擬の結果は、各事例でＱ’＝２に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３１であり、Ｑ’＝３に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３３であり、Ｑ’＝４に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．２５であるような対照ストランドに対してベース１００で様々な表５０．１から５２．６に列挙している。すなわち、試験されるストランドに対する窓サイズ値Ｓｔ及び対照ストランドに対する窓サイズ値Ｓ０に関して、貫通性インジケータは、Ｓｔ*１００／Ｓ０に等しい。従って、１００よりも高い結果は、試験されるストランドが、対応する対照ストランドよりも優れた貫通性を示すことを意味する。窓サイズは、貫通性インジケータが１２０よりも大きいか又はそれに等しい時、すなわち、試験されるストランド内の窓サイズが対照ストランドのものよりも２０％高い時に有意に高いと推定される。
【0252】
各表５０．１から５２．６は、それぞれ、１２、１４、１６、１８、２０、及び２３ｍｍに等しいピッチｐ３’に対応する。
【0253】
スレッド間距離Ｉ２’は、ｐ２’が長くなる時に長くなるが、半径方向通過窓に対する最大値は、必ずしも最高値ではないＩ２’値に対して得られることに注目されたい。すなわち、本発明を実施する前では、Ｉ２’が低いほどストランドの貫通性が低いという仮定から始める当業者は、Ｉ２’に対して比較的低い値を生じるｐ２’値に対する最大貫通性を予測するのが困難であると考えられる。
【0254】
Ｑ’＝２である事例では０．３３から０．４５の範囲、Ｑ’＝３である事例では０．３５から０．４２の範囲、及びＱ’＝４である事例では０．２８から０．４３の範囲に及ぶ比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’に対する間隔内では、試験される各ｐ３’値に関して、貫通性インジケータに対する値は、対応する対照ストランドに対して得られるものよりも有意に高い。
【0255】
（表５０．１）
【0256】
（表５０．２）
【0257】
（表５０．３）
【0258】
（表５０．４）
【0259】
（表５０．５）
【0260】
（表５０．６）
【0261】
（表５１．１）
【0262】
（表５１．２）
【0263】
（表５１．３）
【0264】
（表５１．４）
【0265】
（表５１．５）
【0266】
（表５１．６）
【0267】
（表５２．１）
【0268】
（表５２．２）
【0269】
（表５２．３）
【0270】
（表５２．４）
【0271】
（表５２．５）
【0272】
（表５２．６）
【0273】
コード５０’、５０’’、５１’、５１’’、５２’、５２’’、６０、６０’、６０’’、６１、６１’、及び６１’’の外部ストランドに対する貫通性インジケータの評価
【0274】
コード５０、５１、及び５２と類似の方法で、本発明の様々な実施形態によるコード６０及び６１の様々な外部ストランドは、ｐ３’の値を上述した値に固定する一方でｐ２’の値を変化させ、各コードの全ての他の構造的特徴を以上の説明と比較して変わらないままに留めることによって模擬された。
【0275】
コード５０’、５０’’、５１’、５１’’、５２’、及び５２’’の外部ストランドは、それぞれ、コード５０’及び５０’’の場合はコード５０、コード５１’及び５１’’の場合はコード５１、５２’及び５２’’の場合はコード５２と同じであるので結論は変わらず、すなわち、比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’に対する間隔は、Ｑ’＝２である事例では０．３３から０．４５、Ｑ’＝３である事例では０．３５から０．４２、Ｑ’＝４である事例では０．２８から０．４３の範囲に及ぶ。
【0276】
これらの模擬の結果は、各事例においてＱ’＝２に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３１であり、Ｑ’＝３に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３３であるような対照ストランドに対してベース１００で様々な表６０から６１に列挙している。すなわち、試験されるストランドに対する窓サイズ値Ｓｔ及び対照ストランドに対する窓サイズ値Ｓ０に関して、貫通性インジケータはＳｔ*１００／Ｓ０に等しい。従って、１００よりも高い結果は、試験されるストランドが、対応する対照ストランドよりも優れた貫通性を示すことを意味する。窓サイズは、貫通性インジケータが１２０よりも大きいか又はそれに等しい時、すなわち、試験されるストランド内の窓サイズが対照ストランドのものよりも２０％高い時に有意に高いと推定される。
【0277】
スレッド間距離Ｉ２’は、ｐ２’が長くなる時に長くなるが、半径方向通過窓のサイズに対する最大値は、必ずしも最高値ではないＩ２’値に対して得られることに注目されたい。従って、本発明を実施する前では、Ｉ２’が低いほどストランドの貫通性が低いという仮定から始める当業者は、Ｉ２’に対して比較的低い値を生じるｐ２’値に対する最大貫通性を予測するのが困難であると考えられる。
【0278】
Ｑ’＝２である事例では０．３３から０．４５の範囲、Ｑ’＝３である事例では０．３５から０．４２の範囲、Ｑ’＝４である事例では０．２８から０．４３の範囲に及ぶ比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’に対する間隔内では、試験される各ｐ３’値に関して、貫通性インジケータに対する値は、対応する対照ストランドに対して得られるものよりも有意に高い。
【0279】
（表６０）
【0280】
（表６１）
【0281】
表６０及び６１は、様々なコード構成に関して、外部ストランド内へのエラストマー化合物の貫通及び従ってこのエラストマー化合物が各内部ストランドに接近する機能が、Ｑ’＝２に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３１であり、Ｑ’＝３に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．３３であり、Ｑ’＝４に関して（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’＝０．２５である対照コードと比較して、Ｑ’＝２である事例では０．３３から０．４５の範囲、Ｑ’＝３である事例では０．３５から０．４２の範囲、及びＱ’＝４である事例では０．２８から０．４３の範囲に及ぶ比（ｐ３’－ｐ２’）／ｐ３’に対して有意に改善されることを示している。
【0282】
勿論、本発明は、上述の例示的実施形態に制約されない。
【0283】
産業的実現可能性、コスト、及び全体的な性能の理由から、本発明は、従来の円形断面を有する線形スレッド、すなわち、真直ぐなスレッドを用いて実施することが好ましい。
【0284】
上記で説明又は想定した様々な実施形態の特性をこれらの特性が互いに適合するという条件の下で組み合わせることも可能であろう。
【符号の説明】
【0285】
５０ コード
Ｃ１ 内部ストランドの内部層
ＣＥ コードの外部層
Ｆ ラッパー
ＴＩ 内部ストランド
Ｃ１ 内部ストランドの内部層
ＣＥ コードの外部層
Ｆ ラッパー
ＴＩ 内部ストランド
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】