特許7386217IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置および配線基板

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、高性能のプロセッサ、パワーマネージメントＩＣ、ＤＣ－ＤＣコンバータまたは電源ＩＣなどの半導体装置では、半導体装置自体から発生する熱が問題視されている。このような半導体装置を実際に使用した際に、半導体装置自体から発せられる温度を測定することができれば、温度の管理または制御で有益であるが、従来技術には以下のような問題点がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

一実施の形態によれば、半導体装置の微細化の促進を妨げることなく、半導体装置の信頼性を向上できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態１における半導体装置を示す平面図である。
【図2】 実施の形態１における半導体装置を示す断面図である。
【図3】 実施の形態１における抵抗値測定部の抵抗値を測定する際の等価回路図である。
【図4】 抵抗値と温度との相関関係を示すデータを作成するためのフローチャートである。
【図5】 抵抗値と温度との相関関係を示すデータである。
【図6】 抵抗値と温度との相関関係を示すグラフである。
【図7】 ジュール熱発熱用の配線を発熱させた場合の温度および時間を示すグラフである。
【図8】 実施の形態１における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図9】 図８に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図10】 図９に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図11】 図１０に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図12】 図１１に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図13】 図１２に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図14】 図１３に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図15】 図１４に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図16】 図１５に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図17】 図１６に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図18】 実施の形態２における半導体装置を示す断面図である。
【図19】 実施の形態２における半導体装置の実装例を示す断面図である。
【図20】 変形例１における半導体装置の実装例を示す断面図である。
【図21】 変形例２における半導体装置の実装例を示す断面図である。
【図22】 変形例２における抵抗値測定部の抵抗値を測定する際の等価回路図である。
【図23】 実施の形態３における半導体装置を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 基板 ２０、２１ 測定回路 ３０ 抵抗測定器 ３１ 直流電源 ５０ コアレス基板（配線基板） ５１、５２、５７ 表面配線 ５３、５４、５８ 裏面配線 ５５、５６、５９ 外部接続用端子 ５８ａ 端子間接続部 ５８ｂ 抵抗値測定部 １００ 半導体装置 １Ａ 領域（集積回路用の配線領域） ２Ａ 領域（温度測定用の配線領域） ＤＬ ダイシングライン ＥＴ１、ＥＴ２ 外部接続用端子 ＩＦ１～ＩＦ３ 絶縁膜 ＩＦ４、ＩＦ５ 樹脂層 ＬＦ１、ＬＦ２ リード端子 ＭＲ 封止樹脂 ＯＰ 開口部 Ｐ１、Ｐ２、Ｐ５、Ｐ６ 始端端子 Ｐ３、Ｐ４、Ｐ７、Ｐ８ 終端端子 ＰＤ パッド電極 ＰＥ１、ＰＥ２ 柱状電極 ＰＲ１、ＲＰ２ レジストパターン ＲＷ１、ＲＷ２ 再配線 ＲＷ２ａ 端子間接続部 ＲＷ２ｂ 抵抗値測定部 ＳＤ シード層

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