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特許7386556光回折特性に関連する用途を備えた光透過領域を含む光電子デバイス
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-16
(45)【発行日】2023-11-27
(54)【発明の名称】光回折特性に関連する用途を備えた光透過領域を含む光電子デバイス
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20231117BHJP
H10K 59/12 20230101ALI20231117BHJP
H10K 59/65 20230101ALI20231117BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
G09F9/30 349C
H10K59/12
H10K59/65
【請求項の数】
70
(21)【出願番号】P 2021576929
(86)(22)【出願日】2020-06-25
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-09-05
(86)【国際出願番号】 IB2020056047
(87)【国際公開番号】W WO2020261191
(87)【国際公開日】2020-12-30
【審査請求日】2023-06-15
(31)【優先権主張番号】62/867,143
(32)【優先日】2019-06-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/011,941
(32)【優先日】2020-04-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】521455925
【氏名又は名称】オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100078282
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 秀策
(74)【代理人】
【識別番号】100113413
【弁理士】
【氏名又は名称】森下 夏樹
(74)【代理人】
【識別番号】100181674
【弁理士】
【氏名又は名称】飯田 貴敏
(74)【代理人】
【識別番号】100181641
【弁理士】
【氏名又は名称】石川 大輔
(74)【代理人】
【識別番号】230113332
【弁護士】
【氏名又は名称】山本 健策
(72)【発明者】
【氏名】ヘランダー， マイケル
(72)【発明者】
【氏名】ワン， ジビン
【審査官】小野 博之
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－０１０４０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１６－００４７０５２（ＫＲ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１５０５８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－２５９０８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１９－５１２７６２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６
Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８
４４／００
４５／６０
Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
光電子デバイスであって、それぞれが第１の軸に沿って前記光電子デバイスを通って延在し、光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、
前記光電子デバイスから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域であって、前記少なくとも１つの放射領域は各々、第１の電極と、第２の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを備える、少なくとも１つの放射領域と
を備え、
各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、
前記少なくとも１つの半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、前記第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されるようにその上に導電性コーティングが堆積することを妨げる、光電子デバイス。
【請求項2】
前記境界は少なくとも１つの非線形セグメントを含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項3】
前記境界は実質的に楕円形である、請求項２に記載の光電子デバイス。
【請求項4】
前記境界は実質的に円形である、請求項２に記載の光電子デバイス。
【請求項5】
前記回折特性は前記回折パターン内のスパイクの数である、請求項１から４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項6】
前記スパイクの数が４を超える、請求項５に記載の光電子デバイス。
【請求項7】
前記回折特性は前記回折パターンのパターン境界の長さである、請求項１から６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項8】
前記回折パターンの前記パターン境界の前記長さに対する前記回折パターンのパターン外周の比は、０．４を超える、請求項７に記載の光電子デバイス。
【請求項9】
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、請求項１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項10】
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％未満しか変化しない、請求項１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項11】
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、請求項１から１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項12】
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％未満しか変化しない、請求項１から１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項13】
前記光透過領域のうちの少なくとも１つにおける光透過率が、５０％を超える、請求項１から１２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項14】
前記放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％よりも小さい、請求項１から１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項15】
前記光電子デバイスは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記光電子デバイスを通る光の透過を実質的に妨げる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項16】
前記第１の軸に沿った光の透過を実質的に妨げ、対応する少なくとも１つの光透過領域の閉じた境界を画定する少なくとも１つの開口を有する、少なくとも１つの不透明コーティングをさらに含む、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項17】
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を透過した光をフィルタリングするように構成される、請求項１６に記載の光電子デバイス。
【請求項18】
前記第１の電極は、前記第１の軸を実質的に横切る層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合され、
前記第２の電極は、前記第１の電極に実質的に平行な層に延在する、
請求項１６または１７に記載の光電子デバイス。
【請求項19】
前記少なくとも１つの不透明コーティングは前記第２の電極上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部を含む、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項20】
前記第２の電極と前記少なくとも１つの不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに含む、請求項１８または１９に記載の光電子デバイス。
【請求項21】
前記不透明コーティングは、前記第２の電極と同じ層上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項22】
前記第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備える、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項23】
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第１の表面に堆積される、請求項２２に記載の光電子デバイス。
【請求項24】
前記少なくとも１つのＴＦＴは、前記不透明コーティングと前記第１の電極との間に形成される、請求項２３に記載の光電子デバイス。
【請求項25】
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第２の対向する表面に堆積される、請求項２２に記載の光電子デバイス。
【請求項26】
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの放射領域と前記基板との間に配置されている、請求項２２に記載の光電子デバイス。
【請求項27】
前記第１の電極の周囲に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備える、請求項１８から２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項28】
前記少なくとも１つの光透過領域は、前記第２の電極を実質的に備えない、請求項２７に記載の光電子デバイス。
【請求項29】
前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界は、前記ＰＤＬを実質的に備えない、請求項２７から２８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項30】
複数の放射領域が隣接する光透過領域の間に配置されている、請求項１から２９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項31】
前記複数の放射領域はピクセルに対応し、前記複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応する、請求項３０に記載の光電子デバイス。
【請求項32】
各サブピクセルは対応付けられた色および／または波長スペクトルを有する、請求項３０または３１に記載の光電子デバイス。
【請求項33】
各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応する、請求項３０から３２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項34】
前記複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置されている、請求項３０から３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項35】
電子デバイスであって、前記電子デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、
前記電子デバイス内にあり、前記光電子ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと
を備え、
前記光電子ディスプレイは、
前記面を実質的に横切る第１の軸に沿って前記光電子ディスプレイを通ってそれぞれが延在し、前記面に入射する光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、
前記光電子ディスプレイから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域であって、前記少なくとも１つの放射領域は各々、第１の電極と、第２の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを備える、少なくとも１つの放射領域と
を備え、
各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、
前記少なくとも１つの半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、前記第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されるようにその上に導電性コーティングが堆積することを妨げ、
前記トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿って前記光電子ディスプレイを通過する光を受け入れるように前記電子デバイス内に配置されている、
電子デバイス。
【請求項36】
光電子デバイスであって、前記光電子デバイスの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、前記第１の層表面を横切る第１の軸に沿って前記光電子デバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングと、
前記光電子デバイスから発光するための少なくとも１つの放射領域であって、前記少なくとも１つの放射領域は各々、第１の電極と、第２の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを備える、少なくとも１つの放射領域と
を備え、
各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げ、
前記少なくとも１つの半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、前記第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されるようにその上に導電性コーティングが堆積することを妨げる、
光電子デバイス。
【請求項37】
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、請求項３６に記載の光電子デバイス。
【請求項38】
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％未満しか変化しない、請求項３６に記載の光電子デバイス。
【請求項39】
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、請求項３６から３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項40】
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％未満しか変化しない、請求項３６から３８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項41】
前記少なくとも１つの光透過領域の光透過率が、５０％を超える、請求項３６から４０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項42】
前記不透明コーティングは、前記不透明コーティングを通る光透過率を少なくとも３０％だけ減少させる、請求項３６から４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項43】
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を透過する光をフィルタリングするように構成される、請求項３６から４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項44】
前記光透過領域は、少なくとも１つの構成軸に沿って延在する構成において整列されている、請求項３６から４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項45】
前記第１の電極は、前記第１の層表面に実質的に平行な層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合され、
前記第２の電極は、前記第１の層表面に実質的に平行な層に延在する、請求項３６から４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項46】
前記放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％よりも小さい、請求項４５に記載の光電子デバイス。
【請求項47】
前記不透明コーティングは前記第２の電極上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、請求項４５または４６に記載の光電子デバイス。
【請求項48】
前記第２の電極と前記不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに備える、請求項４５から４７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項49】
前記不透明コーティングは、前記第２の電極と同じ層上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、請求項４５から４８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項50】
前記第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備える、請求項４７または４８に記載の光電子デバイス。
【請求項51】
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第１の表面に堆積される、請求項５０に記載の光電子デバイス。
【請求項52】
前記少なくとも１つのＴＦＴは、前記不透明コーティングと前記第１の電極との間に形成される、請求項５１に記載の光電子デバイス。
【請求項53】
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第２の対向する表面に堆積される、請求項５０に記載の光電子デバイス。
【請求項54】
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの放射領域と前記基板との間に配置されている、請求項５０に記載の光電子デバイス。
【請求項55】
前記第１の電極の周囲に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備える、請求項４５から５４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項56】
前記少なくとも１つの光透過領域は、前記第２の電極を実質的に備えない、請求項５５に記載の光電子デバイス。
【請求項57】
前記少なくとも１つの開口が前記ＰＤＬを実質的に備えない、請求項５５から５６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項58】
複数の放射領域が隣接する光透過領域の間に配置されている、請求項４５から５７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項59】
前記複数の放射領域はピクセルに対応し、前記複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応する、請求項５８に記載の光電子デバイス。
【請求項60】
各サブピクセルは対応付けられた色および／または波長スペクトルを有する、請求項５８または５９に記載の光電子デバイス。
【請求項61】
各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応する、請求項５８から６０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項62】
前記複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置されている、請求項５８から６１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項63】
前記境界は少なくとも１つの非線形セグメントを含む、請求項３６から６２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項64】
前記境界は実質的に楕円形である、請求項６３に記載の光電子デバイス。
【請求項65】
前記境界は実質的に円形である、請求項６３に記載の光電子デバイス。
【請求項66】
前記回折特性は前記回折パターン内のスパイクの数である、請求項３６から６５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項67】
前記スパイクの数が４を超える、請求項６６に記載の光電子デバイス。
【請求項68】
前記回折特性は前記回折パターンのパターン境界の長さである、請求項３６から６５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
【請求項69】
前記回折パターンの前記パターン境界の前記長さに対する前記回折パターンのパターン外周の比は、０．４を超える、請求項６８に記載の光電子デバイス。
【請求項70】
電子デバイスであって、前記電子デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、
前記電子デバイス内にあり、前記光電子ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと
を備え、
前記光電子ディスプレイは、
前記光電子ディスプレイの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、前記第１の層表面を横切る第１の軸に沿って前記電子デバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、前記面に入射する光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングと、
前記光電子ディスプレイから発光するための少なくとも１つの放射領域であって、前記少なくとも１つの放射領域は各々、第１の電極と、第２の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを備える、少なくとも１つの放射領域と
を備え、
各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げ、
前記少なくとも１つの半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、前記第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されるようにその上に導電性コーティングが堆積することを妨げ、
前記トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿って前記光電子ディスプレイを通過する光を受け入れるように前記電子デバイス内に配置されている、
電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本出願は、２０１９年６月２６日に出願された米国仮特許出願第６２／８６７，１４３号および２０２０年４月１７日に出願された米国仮特許出願第６３／０１１，９４１号に対する優先権の利益を主張し、これらのそれぞれの内容は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本開示は、光電子デバイス、特に延在する複数の光透過領域を有する光電子デバイスに関する。
【背景技術】
【0003】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノードとカソードなどの一対の電極の間に配置される。アノードおよびカソードは、電源に電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔および電子を生成する。正孔と電子のペアが結合すると、光子が放出される場合がある。
【0004】
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含み得る。各ピクセルは、関連する一対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層およびコーティングは、通常、真空堆積技術によって形成される。
【0005】
いくつかの用途では、デバイスを、発光可能でありながら実質的に透明にすることが望ましい場合がある。いくつかの用途では、デバイスは、延在する複数の光透過領域を含む。
【0006】
いくつかの用途では、光透過領域の境界の形状は、それを透過する光に回折パターンを与える可能性がある。回折パターンは、透過光に含まれる情報を歪めるか、さもなければ透過光に含まれる情報との干渉を引き起こす可能性がある。
【0007】
回折パターンによる干渉の軽減を促進しながら、デバイスを貫く透明性を提供するための改善されたメカニズムを提供することは有益であろう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0008】
摘要
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの不便を未然に防ぐまたは軽減することである。
本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの不便を未然に防ぐまたは軽減することである。
【0009】
本開示は、第１の軸に沿ってデバイスを通って延在する、光の通過を可能にする複数の光透過領域を備える光電子デバイスを開示する。透過領域は、複数の横方向構成軸に沿って配置され得る。放射領域が、デバイスから発光するために、複数の構成軸に沿って隣接する透過領域の間に位置し得る。各透過領域は、光がデバイスを透過するときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する横方向の閉じた境界を有し、これにより当該パターンによる干渉を軽減する。不透明コーティングが、透過領域（複数可）を通る以外の、不透明コーティングを通る光の透過を妨げるために、対応する透過領域を画定する少なくとも１つの開口を備え得る。デバイスは、本体を有し、少なくとも１つの光透過領域に沿って受光するように配置されたトランシーバを収容するユーザデバイスの面を形成することができる。
【0010】
本開示の広い態様によると、光電子デバイスが開示され、この光電子デバイスは、それぞれが第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在し、光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、前記デバイスから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域と、を備え、各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進する。
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
（項目１）
光電子デバイスであって、
それぞれが第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在し、光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、
前記デバイスから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域と、を備え、
各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進する、
光電子デバイス。
（項目２）
前記境界は少なくとも１つの非線形セグメントを含む、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目３）
前記境界は実質的に楕円形である、項目２に記載の光電子デバイス。
（項目４）
前記境界は実質的に円形である、項目２に記載の光電子デバイス。
（項目５）
前記回折特性は前記回折パターン内のスパイクの数である、項目１から４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６）
前記スパイクの数が４、６、８、１０、１２、１４、および／または１６のうちの少なくとも１つを超える、項目５に記載の光電子デバイス。
（項目７）
前記特性は前記回折パターンのパターン境界の長さである、項目１から６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目８）
前記回折パターンの前記パターン境界の前記長さに対する前記回折パターンのパターン外周の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．７５、０．８、０．９、および／または０．９５のうちの少なくとも１つを超える、項目７に記載の光電子デバイス。
（項目９）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１０）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目１から１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１２）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目１から１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３）
前記光透過領域のうちの少なくとも１つにおける光透過率が、５０％、６０％、７０％、８０％、および／または９０％のうちの少なくとも１つを超える、項目１から１２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４）
前記放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、および／または５％のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１から１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５）
前記デバイスは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記デバイスを通る光の透過を実質的に妨げる、項目１から１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１６）
前記第１の軸に沿った光の透過を実質的に妨げ、対応する少なくとも１つの光透過領域の閉じた境界を画定する少なくとも１つの開口を有する、少なくとも１つの不透明コーティングをさらに含む、項目１５に記載の光電子デバイス。
（項目１７）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を透過した光をフィルタリングするように構成される、項目１６に記載の光電子デバイス。
（項目１８）
前記第１の軸を実質的に横切る層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合された少なくとも１つの第１の電極と、
前記第１の電極に実質的に平行な層に延在する少なくとも１つの第２の電極と、
前記少なくとも１つの第１の電極と前記少なくとも１つの第２の電極との間に延在する少なくとも１つの半導体層と、をさらに備え、
前記少なくとも１つの第１の電極、前記少なくとも１つの第２の電極、およびそれらの間の前記少なくとも１つの半導体層を含むスタックは、少なくとも１つの放射領域を画定する、
項目１６または１７に記載の光電子デバイス。
（項目１９）
前記少なくとも１つの不透明コーティングは前記少なくとも１つの第２の電極上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部を含む、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２０）
前記少なくとも１つの第２の電極と前記少なくとも１つの不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに含む、項目１８または１９に記載の光電子デバイス。
（項目２１）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの第２の電極と同じ層上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２２）
前記少なくとも１つの第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備える、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２３）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第１の表面に堆積される、項目２２に記載の光電子デバイス。
（項目２４）
前記少なくとも１つのＴＦＴは、前記不透明コーティングと前記少なくとも１つの第１の電極との間に形成される、項目２３に記載の光電子デバイス。
（項目２５）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第２の対向する表面に堆積される、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２６）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの放射領域と前記基板との間に配置されている、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２７）
前記少なくとも１つの第１の電極の周囲に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備える、項目１８から２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２８）
前記少なくとも１つの光透過領域は、前記少なくとも１つの第２の電極を実質的に備えない、項目２７に記載の光電子デバイス。
（項目２９）
前記少なくとも１つの半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、その上に導電性コーティングが堆積して前記少なくとも１つの第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されることを妨げる、項目２８に記載の光電子デバイス。
（項目３０）
前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界は、前記ＰＤＬを実質的に備えない、項目２７から２９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３１）
複数の放射領域が隣接する光透過領域の間に配置されている、項目１から３０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３２）
前記複数の放射領域はピクセルに対応し、前記複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応する、項目３１に記載の光電子デバイス。
（項目３３）
各サブピクセルは対応付けられた色および／または波長スペクトルを有する、項目３１または３２に記載の光電子デバイス。
（項目３４）
各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応する、項目３１から３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３５）
前記複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置されている、項目３１から３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３６）
電子デバイスであって、
前記デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、前記デバイス内にあり、前記ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと、を備え、
前記ディスプレイは、
前記面を実質的に横切る第１の軸に沿って前記ディスプレイを通ってそれぞれが延在し、前記面に入射する光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、
前記ディスプレイから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域と、を備え、
各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、前記トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿って前記ディスプレイを通過する光を受け入れるように前記デバイス内に配置されている、
電子デバイス。
（項目３７）
光電子デバイスであって、
前記デバイスの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、前記第１の層表面を横切る第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングを備え、
各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げる、
光電子デバイス。
（項目３８）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目３７に記載の光電子デバイス。
（項目３９）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目３７に記載の光電子デバイス。
（項目４０）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目３７から３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４１）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目３７から３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４２）
前記少なくとも１つの光透過領域の光透過率が、５０％、６０％、７０％、８０％、および／または９０％のうちの少なくとも１つを超える、項目３７から４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４３）
前記不透明コーティングは、前記不透明コーティングを通る光透過を３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、および／または９５％のうちの少なくとも１つだけ減少させる、項目３７から４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４４）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を透過する光をフィルタリングするように構成される、項目３７から４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４５）
前記光透過領域は、少なくとも１つの構成軸に沿って延在する構成において整列されている、項目３７から４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４６）
前記第１の層表面に実質的に平行な層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合された少なくとも１つの第１の電極と、前記第１の層表面に実質的に平行な層に延在する少なくとも１つの第２の電極と、
前記少なくとも１つの第１の電極と前記少なくとも１つの第２の電極との間に延在する少なくとも１つの半導体層と、をさらに備え、
前記少なくとも１つの第１の電極、前記少なくとも１つの第２の電極、およびそれらの間の前記少なくとも１つの半導体層を含むスタックが、前記デバイスから発光するための前記デバイスの少なくとも１つの放射領域を画定する、項目３７から４５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４７）
前記放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、および／または５％のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４６に記載の光電子デバイス。
（項目４８）
前記不透明コーティングは前記少なくとも１つの第２の電極上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、項目４６または４７に記載の光電子デバイス。
（項目４９）
前記少なくとも１つの第２の電極と前記不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに備える、項目４６から４８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５０）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの第２の電極と同じ層上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、項目４６から４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５１）
前記少なくとも１つの第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備える、項目４８または４９に記載の光電子デバイス。
（項目５２）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第１の表面に堆積される、項目５１に記載の光電子デバイス。
（項目５３）
前記少なくとも１つのＴＦＴは、前記不透明コーティングと前記少なくとも１つの第１の電極との間に形成される、項目５２に記載の光電子デバイス。
（項目５４）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第２の対向する表面に堆積される、項目５１に記載の光電子デバイス。
（項目５５）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの放射領域と前記基板との間に配置されている、項目５１に記載の光電子デバイス。
（項目５６）
前記少なくとも１つの第１の電極の周囲に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備える、項目４６から５５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５７）
前記少なくとも１つの光透過領域は、前記少なくとも１つの第２の電極を実質的に備えない、項目５６に記載の光電子デバイス。
（項目５８）
前記少なくとも１つ半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、その上に導電性コーティングが堆積して前記少なくとも１つの第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されることを妨げる、項目５７に記載の光電子デバイス。
（項目５９）
前記少なくとも１つの開口が前記ＰＤＬを実質的に備えない、項目５６から５８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６０）
複数の放射領域が隣接する光透過領域の間に配置されている、項目４６から５９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６１）
前記複数の放射領域はピクセルに対応し、前記複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応する、項目６０に記載の光電子デバイス。
（項目６２）
各サブピクセルは対応付けられた色および／または波長スペクトルを有する、項目６０または６１に記載の光電子デバイス。
（項目６３）
各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応する、項目６０から６２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６４）
前記複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置されている、項目６０から６４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６５）
前記境界は少なくとも１つの非線形セグメントを含む、項目３７から６４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６６）
前記境界は実質的に楕円形である、項目６５に記載の光電子デバイス。
（項目６７）
前記境界は実質的に円形である、項目６５に記載の光電子デバイス。
（項目６８）
前記回折特性は前記回折パターン内のスパイクの数である、項目３７から６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６９）
前記スパイクの数が４、６、８、１０、１２、１４、および／または１６のうちの少なくとも１つを超える、項目６８に記載の光電子デバイス。
（項目７０）
前記回折特性は前記回折パターンのパターン境界の長さである、項目３７から６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目７１）
前記回折パターンの前記パターン境界の前記長さに対する前記回折パターンのパターン外周の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．７５、０．８、０．９、および／または０．９５のうちの少なくとも１つを超える、項目７０に記載の光電子デバイス。
（項目７２）
電子デバイスであって、
前記デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、
前記デバイス内にあり、前記ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと、を備え、
前記ディスプレイは、
前記ディスプレイの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、前記第１の層表面を横切る第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、前記面に入射する光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングを備え、
各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げ、前記トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿って前記ディスプレイを通過する光を受け入れるように前記デバイス内に配置されている、
電子デバイス。
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
（項目１）
光電子デバイスであって、
それぞれが第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在し、光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、
前記デバイスから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域と、を備え、
各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進する、
光電子デバイス。
（項目２）
前記境界は少なくとも１つの非線形セグメントを含む、項目１に記載の光電子デバイス。
（項目３）
前記境界は実質的に楕円形である、項目２に記載の光電子デバイス。
（項目４）
前記境界は実質的に円形である、項目２に記載の光電子デバイス。
（項目５）
前記回折特性は前記回折パターン内のスパイクの数である、項目１から４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６）
前記スパイクの数が４、６、８、１０、１２、１４、および／または１６のうちの少なくとも１つを超える、項目５に記載の光電子デバイス。
（項目７）
前記特性は前記回折パターンのパターン境界の長さである、項目１から６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目８）
前記回折パターンの前記パターン境界の前記長さに対する前記回折パターンのパターン外周の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．７５、０．８、０．９、および／または０．９５のうちの少なくとも１つを超える、項目７に記載の光電子デバイス。
（項目９）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１０）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目１から８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１１）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目１から１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１２）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目１から１０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１３）
前記光透過領域のうちの少なくとも１つにおける光透過率が、５０％、６０％、７０％、８０％、および／または９０％のうちの少なくとも１つを超える、項目１から１２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１４）
前記放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、および／または５％のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目１から１３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１５）
前記デバイスは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記デバイスを通る光の透過を実質的に妨げる、項目１から１４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目１６）
前記第１の軸に沿った光の透過を実質的に妨げ、対応する少なくとも１つの光透過領域の閉じた境界を画定する少なくとも１つの開口を有する、少なくとも１つの不透明コーティングをさらに含む、項目１５に記載の光電子デバイス。
（項目１７）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を透過した光をフィルタリングするように構成される、項目１６に記載の光電子デバイス。
（項目１８）
前記第１の軸を実質的に横切る層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合された少なくとも１つの第１の電極と、
前記第１の電極に実質的に平行な層に延在する少なくとも１つの第２の電極と、
前記少なくとも１つの第１の電極と前記少なくとも１つの第２の電極との間に延在する少なくとも１つの半導体層と、をさらに備え、
前記少なくとも１つの第１の電極、前記少なくとも１つの第２の電極、およびそれらの間の前記少なくとも１つの半導体層を含むスタックは、少なくとも１つの放射領域を画定する、
項目１６または１７に記載の光電子デバイス。
（項目１９）
前記少なくとも１つの不透明コーティングは前記少なくとも１つの第２の電極上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部を含む、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２０）
前記少なくとも１つの第２の電極と前記少なくとも１つの不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに含む、項目１８または１９に記載の光電子デバイス。
（項目２１）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの第２の電極と同じ層上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２２）
前記少なくとも１つの第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備える、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２３）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第１の表面に堆積される、項目２２に記載の光電子デバイス。
（項目２４）
前記少なくとも１つのＴＦＴは、前記不透明コーティングと前記少なくとも１つの第１の電極との間に形成される、項目２３に記載の光電子デバイス。
（項目２５）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第２の対向する表面に堆積される、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２６）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの放射領域と前記基板との間に配置されている、項目１８に記載の光電子デバイス。
（項目２７）
前記少なくとも１つの第１の電極の周囲に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備える、項目１８から２６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目２８）
前記少なくとも１つの光透過領域は、前記少なくとも１つの第２の電極を実質的に備えない、項目２７に記載の光電子デバイス。
（項目２９）
前記少なくとも１つの半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、その上に導電性コーティングが堆積して前記少なくとも１つの第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されることを妨げる、項目２８に記載の光電子デバイス。
（項目３０）
前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界は、前記ＰＤＬを実質的に備えない、項目２７から２９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３１）
複数の放射領域が隣接する光透過領域の間に配置されている、項目１から３０のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３２）
前記複数の放射領域はピクセルに対応し、前記複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応する、項目３１に記載の光電子デバイス。
（項目３３）
各サブピクセルは対応付けられた色および／または波長スペクトルを有する、項目３１または３２に記載の光電子デバイス。
（項目３４）
各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応する、項目３１から３３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３５）
前記複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置されている、項目３１から３４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目３６）
電子デバイスであって、
前記デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、前記デバイス内にあり、前記ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと、を備え、
前記ディスプレイは、
前記面を実質的に横切る第１の軸に沿って前記ディスプレイを通ってそれぞれが延在し、前記面に入射する光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが前記第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、
前記ディスプレイから発光するために、複数の前記構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域と、を備え、
各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する前記第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、前記トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿って前記ディスプレイを通過する光を受け入れるように前記デバイス内に配置されている、
電子デバイス。
（項目３７）
光電子デバイスであって、
前記デバイスの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、前記第１の層表面を横切る第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングを備え、
各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げる、
光電子デバイス。
（項目３８）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目３７に記載の光電子デバイス。
（項目３９）
前記少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目３７に記載の光電子デバイス。
（項目４０）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が実質的に同じである、項目３７から３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４１）
前記複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない、項目３７から３９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４２）
前記少なくとも１つの光透過領域の光透過率が、５０％、６０％、７０％、８０％、および／または９０％のうちの少なくとも１つを超える、項目３７から４１のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４３）
前記不透明コーティングは、前記不透明コーティングを通る光透過を３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、および／または９５％のうちの少なくとも１つだけ減少させる、項目３７から４２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４４）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を透過する光をフィルタリングするように構成される、項目３７から４３のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４５）
前記光透過領域は、少なくとも１つの構成軸に沿って延在する構成において整列されている、項目３７から４４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４６）
前記第１の層表面に実質的に平行な層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合された少なくとも１つの第１の電極と、前記第１の層表面に実質的に平行な層に延在する少なくとも１つの第２の電極と、
前記少なくとも１つの第１の電極と前記少なくとも１つの第２の電極との間に延在する少なくとも１つの半導体層と、をさらに備え、
前記少なくとも１つの第１の電極、前記少なくとも１つの第２の電極、およびそれらの間の前記少なくとも１つの半導体層を含むスタックが、前記デバイスから発光するための前記デバイスの少なくとも１つの放射領域を画定する、項目３７から４５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目４７）
前記放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、および／または５％のうちの少なくとも１つよりも小さい、項目４６に記載の光電子デバイス。
（項目４８）
前記不透明コーティングは前記少なくとも１つの第２の電極上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、項目４６または４７に記載の光電子デバイス。
（項目４９）
前記少なくとも１つの第２の電極と前記不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに備える、項目４６から４８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５０）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの第２の電極と同じ層上に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備える、項目４６から４９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５１）
前記少なくとも１つの第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備える、項目４８または４９に記載の光電子デバイス。
（項目５２）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第１の表面に堆積される、項目５１に記載の光電子デバイス。
（項目５３）
前記少なくとも１つのＴＦＴは、前記不透明コーティングと前記少なくとも１つの第１の電極との間に形成される、項目５２に記載の光電子デバイス。
（項目５４）
前記不透明コーティングは、前記基板の前記第２の対向する表面に堆積される、項目５１に記載の光電子デバイス。
（項目５５）
前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの放射領域と前記基板との間に配置されている、項目５１に記載の光電子デバイス。
（項目５６）
前記少なくとも１つの第１の電極の周囲に堆積され、前記少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、前記少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備える、項目４６から５５のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目５７）
前記少なくとも１つの光透過領域は、前記少なくとも１つの第２の電極を実質的に備えない、項目５６に記載の光電子デバイス。
（項目５８）
前記少なくとも１つ半導体層は、前記少なくとも１つの光透過領域を横切って延在し、パターン化コーティングが、前記少なくとも１つの光透過領域の前記境界内のその露出面上に配置され、その上に導電性コーティングが堆積して前記少なくとも１つの第２の電極が前記少なくとも１つの光透過領域内に形成されることを妨げる、項目５７に記載の光電子デバイス。
（項目５９）
前記少なくとも１つの開口が前記ＰＤＬを実質的に備えない、項目５６から５８のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６０）
複数の放射領域が隣接する光透過領域の間に配置されている、項目４６から５９のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６１）
前記複数の放射領域はピクセルに対応し、前記複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応する、項目６０に記載の光電子デバイス。
（項目６２）
各サブピクセルは対応付けられた色および／または波長スペクトルを有する、項目６０または６１に記載の光電子デバイス。
（項目６３）
各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応する、項目６０から６２のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６４）
前記複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置されている、項目６０から６４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６５）
前記境界は少なくとも１つの非線形セグメントを含む、項目３７から６４のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６６）
前記境界は実質的に楕円形である、項目６５に記載の光電子デバイス。
（項目６７）
前記境界は実質的に円形である、項目６５に記載の光電子デバイス。
（項目６８）
前記回折特性は前記回折パターン内のスパイクの数である、項目３７から６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目６９）
前記スパイクの数が４、６、８、１０、１２、１４、および／または１６のうちの少なくとも１つを超える、項目６８に記載の光電子デバイス。
（項目７０）
前記回折特性は前記回折パターンのパターン境界の長さである、項目３７から６７のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目７１）
前記回折パターンの前記パターン境界の前記長さに対する前記回折パターンのパターン外周の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．７５、０．８、０．９、および／または０．９５のうちの少なくとも１つを超える、項目７０に記載の光電子デバイス。
（項目７２）
電子デバイスであって、
前記デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、
前記デバイス内にあり、前記ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと、を備え、
前記ディスプレイは、
前記ディスプレイの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、前記第１の層表面を横切る第１の軸に沿って前記デバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、前記面に入射する光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングを備え、
各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、前記不透明コーティングは、前記少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、前記不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げ、前記トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿って前記ディスプレイを通過する光を受け入れるように前記デバイス内に配置されている、
電子デバイス。
【図面の簡単な説明】
【0011】
本開示の例は、以下の図を参照することによって説明される。ここで、異なる図の同一の参照番号は、同一および／またはいくつかの非限定的な例において、類似および／または対応する要素を示す。
【0012】
【図1】本開示の実施例に係る、例示的堆積ステップによる例示的エレクトロルミネセントデバイスの例示的断面図を示す概略図である。
【0013】
【図2】本開示の実施例に係る、２次元アレイ構成で配置された複数の放射領域および複数の光透過領域を有する透明なエレクトロルミネセントデバイスの例を平面図で示す概略図である。
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【図5A】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5B】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5C】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5D】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5E】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5F】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5G】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5H】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【図5I】本開示の実施例に係る、光透過領域の閉じた非多角形の境界の例を平面図で示す概略図である。
【0018】
【図6】本開示の実施例に係る、反復六角形配置の光透過領域の例示的構成を平面図で示す概略図である。
【0019】
【図7】本開示の実施例に係る、例示的デバイスサンプルの分析のための例示的構成を示す概略図である。
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【発明を実施するための形態】
【0024】
本開示では、いくつかの要素または特徴は、本明細書で提供される図のいずれにも示されていない可能性のある参照番号によって識別され得る。
【0025】
本開示において、本開示を完全に理解できるよう、限定ではなく説明の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、および／または技術を含むがこれらに限定されない、特定の詳細が示される。場合によっては、不必要な詳細で本開示の説明を曖昧にしないために、周知のシステム、技術、コンポーネント、デバイス、回路、方法、およびアプリケーションの詳細な説明が省略される。
【0026】
さらに、本明細書で再現されたブロック図は、技術の原理を具体化する例示的構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
【0027】
したがって、システムおよび方法の構成要素は、図面中の従来の記号によって適切に表されており、本明細書の説明の利益を享受する当業者にとってすぐに分かる詳細で開示を曖昧にしないように、本開示の実施例を理解することに関連する特定の詳細のみを示している。
【0028】
本明細書で提供されるいかなる図面も、一定の縮尺で描かれてはおらず、決して本開示を限定するものと見なされてはならない。
【0029】
破線のアウトラインで示されている機能またはアクションは、一部の例ではオプションと見なされる場合がある。
【0030】
いくつかの非限定的な例では、境界は、少なくとも１つの非線形セグメントを備え得る。いくつかの非限定的な例では、境界は、実質的に楕円形および／または実質的に円形であり得る。
【0031】
いくつかの非限定的な例では、回折特性は回折パターン内のスパイクの数であり得る。いくつかの非限定的な例では、スパイクの数は、４、６、８、１０、１２、１４、および／または１６の少なくとも１つを超え得る。
【0032】
いくつかの非限定的な例では、回折特性は回折パターンのパターン境界の長さであり得る。いくつかの非限定的な例では、回折パターンのパターン境界の長さに対する回折パターンのパターン外周の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．７５、０．８、０．９、および／または０．９５のうちの少なくとも１つを超え得る。
【0033】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない場合がある。
【0034】
いくつかの非限定的な例では、複数の光透過領域にわたる光透過率が、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない場合がある。
【0035】
いくつかの非限定的な例では、光透過領域の少なくとも１つの光透過率が、５０％、６０％、７０％、８０％、および／または９０％のうちの少なくとも１つを超え得る。いくつかの非限定的な例では、放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、および／または５％のうちの少なくとも１つよりも小さい。
【0036】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、デバイスを通る光の透過を実質的に妨げ得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第１の軸に沿った光の透過を実質的に妨げるために、少なくとも１つの不透明コーティングをさらに備え得、対応する少なくとも１つの光透過領域の閉じた境界を画定する少なくとも１つの開口を有し得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの光透過領域を透過した光をフィルタリングするように構成され得る。
【0037】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第１の軸を実質的に横切る層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合された少なくとも１つの第１の電極と、第１の電極に実質的に平行な層に延在する少なくとも１つの第２の電極と、少なくとも１つの第１の電極と少なくとも１つの第２の電極との間に延在する少なくとも１つの半導体層と、をさらに備え、少なくとも１つの第１の電極、少なくとも１つの第２の電極、およびそれらの間の少なくとも１つの半導体層を含むスタックが、少なくとも１つの放射領域を画定する。
【0038】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不透明コーティングは、少なくとも１つの第２の電極上に堆積され得、少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部を備え得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの第２の電極と少なくとも１つの不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに備え得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの第２の電極と同じ層上に堆積され得、少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備え得る。
【0039】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備え得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、基板の第１の表面に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＴＦＴは、不透明コーティングと少なくとも１つの第１の電極との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、基板の第２の対向する表面に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの放射領域と基板との間に配置され得る。
【0040】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの第１の電極の周囲に堆積され、少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備え得る。
【0041】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域は、少なくとも１つの第２の電極を実質的に備えない。
【0042】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層は、少なくとも１つの光透過領域を横切って延び得、パターン化コーティングが、少なくとも１つの光透過領域の境界内のその露出面上に配置され得、その上に導電性コーティングが堆積して少なくとも１つの第２の電極が少なくとも１つの光透過領域内に形成されることを妨げる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域の境界は、ＰＤＬを実質的に備えない場合がある。
【0043】
いくつかの非限定的な例では、複数の放射領域が、隣接する光透過領域の間に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、複数の放射領域はピクセルに対応し得、複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各サブピクセルは、対応付けられた色および／または波長スペクトルを有し得る。いくつかの非限定的な例では、各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応し得る。
【0044】
いくつかの非限定的な例では、複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置され得る。
【0045】
本開示の広い態様によると、電子デバイスが開示され、この電子デバイスは、デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、デバイス内にあり、ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと、を備え、ディスプレイは、面を実質的に横切る第１の軸に沿ってディスプレイを通ってそれぞれが延在し、面に入射する光の通過を可能にする複数の光透過領域であって、それぞれが第１の軸を実質的に横切る複数の構成軸に沿って延在する構成で配置される光透過領域と、ディスプレイから発光するために、複数の構成軸に沿って隣接する光透過領域の間に配置された少なくとも１つの放射領域と、を備え、各光透過領域は、光が透過されるときに示される回折パターンの少なくとも１つの特性を変化させる形状を有する第１の軸を横切る横断面の閉じた境界によって画定され、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿ってディスプレイを通過する光を受け入れるように前記デバイス内に配置されている。
【0046】
本開示の広い態様によると、光電子デバイスが開示され、この光電子デバイスは、デバイスの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、第１の層表面を横切る第１の軸に沿ってデバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングを備え、各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、不透明コーティングは、少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げる。
【0047】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない場合がある。
【0048】
いくつかの非限定的な例では、複数の光透過領域にわたる光透過率が、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、複数の光透過領域にわたる光透過率が、２０％、１５％、１０％、５％、２．５％、および／または１％のうちの少なくとも１つ未満しか変化しない場合がある。
【0049】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域の光透過率は、５０％、６０％、７０％、８０％、および／または９０％のうちの少なくとも１つを超え得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、不透明コーティングを通る光透過率を３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、および／または９５％のうちの少なくとも１つだけ減少させ得る。
【0050】
いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの光透過領域を透過した光をフィルタリングするように構成され得る。
【0051】
いくつかの非限定的な例では、光透過領域は、少なくとも１つの構成軸に沿って延在する構成において整列され得る。
【0052】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、第１の層表面に実質的に平行な層に延在し、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に電気的に結合された少なくとも１つの第１の電極と、第１の層表面に実質的に平行な層に延在する少なくとも１つの第２の電極と、前記少なくとも１つの第１の電極と前記少なくとも１つの第２の電極との間に延在する少なくとも１つの半導体層と、をさらに備え得、少なくとも１つの第１の電極、少なくとも１つの第２の電極、およびそれらの間の少なくとも１つの半導体層を含むスタックが、デバイスから発光するためのデバイスの少なくとも１つの放射領域を画定する。
【0053】
いくつかの非限定的な例では、放射領域のうちの少なくとも１つにおけるこれを通る光透過率が、約５０％、４０％、３０％、２０％、１０％、および／または５％のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。
【0054】
いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは少なくとも１つの第２の電極上に堆積され得、少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備え得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの第２の電極と不透明コーティングとの間に配置されたカプセル化コーティングをさらに備え得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの第２の電極と同じ層上に堆積され得、少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする少なくとも１つの開口部をさらに備え得る。
【0055】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの第１の電極が堆積された第１の表面と第２の対向する表面とを有する基板をさらに備え得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、基板の第１の表面に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＴＦＴは、不透明コーティングと少なくとも１つの第１の電極との間に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、基板の第２の対向する表面に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの放射領域と基板との間に配置され得る。
【0056】
いくつかの非限定的な例では、デバイスは、少なくとも１つの第１の電極の周囲に堆積され、少なくとも１つの放射領域に対応する開口部を画定して、少なくとも１つの放射領域によって放出された光が通過することを可能にする、少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）をさらに備え得る。
【0057】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光透過領域は、少なくとも１つの第２の電極を実質的に備えない場合がある。
【0058】
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層は、少なくとも１つの光透過領域を横切って延び得、パターン化コーティングが、少なくとも１つの光透過領域の境界内のその露出面上に配置され得、その上に導電性コーティングが堆積して少なくとも１つの第２の電極が少なくとも１つの光透過領域内に形成されることを妨げる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口は、ＰＤＬを実質的に備えない場合がある。
【0059】
いくつかの非限定的な例では、複数の放射領域が、隣接する光透過領域の間に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、複数の放射領域はピクセルに対応し得、複数の放射領域のそれぞれはそのサブピクセルに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各サブピクセルは、対応付けられた色および／または波長スペクトルを有し得る。いくつかの非限定的な例では、各サブピクセルは、赤、緑、青、および白のうちの少なくとも１つの色に対応し得る。
【0060】
いくつかの非限定的な例では、複数の放射領域は、ピクセルアレイに配置され得る。
【0061】
いくつかの非限定的な例では、境界は、少なくとも１つの非線形セグメントを含み得る。いくつかの非限定的な例では、境界は、実質的に楕円形および／または実質的に円形であり得る。
【0062】
いくつかの非限定的な例では、回折特性は回折パターン内のスパイクの数であり得る。いくつかの非限定的な例では、スパイクの数は、４、６、８、１０、１２、１４、および／または１６の少なくとも１つを超え得る。
【0063】
いくつかの非限定的な例では、回折特性は回折パターンのパターン境界の長さであり得る。いくつかの非限定的な例では、回折パターンのパターン境界の長さに対する回折パターンのパターン外周の比は、０．４、０．５、０．６、０．７、０．７５、０．８、０．９、および／または０．９５のうちの少なくとも１つを超え得る。
【0064】
本開示の広い態様によると、電子デバイスが開示され、この電子デバイスは、デバイスの面を画定する層状の光電子ディスプレイと、デバイス内にあり、ディスプレイ全体で少なくとも１つの電磁信号を交換するように配置されたトランシーバと、を備え、ディスプレイは、ディスプレイの第１の層表面に配置された不透明コーティングであって、第１の層表面を横切る第１の軸に沿ってデバイスを通って延在する対応する少なくとも１つの光透過領域を画定する閉じた境界を有し、面に入射する光の通過を可能にする少なくとも１つの開口を含む不透明コーティングを備え、各開口は、光が透過されるときに示される回折効果を低減するために少なくとも１つの回折特性を変化させる形状を有し、これにより当該回折パターンによる干渉の軽減を促進し、不透明コーティングは、少なくとも１つの光透過領域を通る以外の、不透明コーティングを通る光の透過を実質的に妨げ、トランシーバは、少なくとも１つの光透過領域に沿ってディスプレイを通過する光を受け入れるようにデバイス内に配置されている。
【0065】
上述の実施例は、それらを実施することができる本開示の態様と併せて説明されてきた。当業者は、実施例が、それらが記載されている態様と併せて実施され得るが、その他の例または別の態様と共に実施されてもよいことを理解するであろう。実施例が相互に排他的である場合、または他の点で互いに互換性がない場合、関連技術の当業者には自明となろう。いくつかの実施例が１つの態様に関連して説明され得るが、当業者には明らかであるように、他の態様にも適用可能であり得る。
【0066】
本開示のいくつかの態様または例は、不透明コーティングにおいて、非多角形の閉じた境界を有する開口によって画定される、これを通る光透過領域を有する光電子デバイスを提供し得、これによって閉じた境界の形状に起因する回折による干渉の軽減を促進する。
【0067】
説明
光電子デバイス
本開示は、概して電子デバイス、より具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは、一般的に、電気信号を光子に、またはその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
光電子デバイス
本開示は、概して電子デバイス、より具体的には光電子デバイスに関する。光電子デバイスは、一般的に、電気信号を光子に、またはその逆に変換する任意のデバイスを包含する。
【0068】
本開示において、「光子」および「光」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得る。本開示において、光子は、可視光スペクトル、赤外線（ＩＲ）、および／または紫外線（ＵＶ）領域にある波長を有し得る。さらに、「光」という用語は、可視光の波長スペクトルに対応すると一般的に理解されている対応付けられた波長スペクトルを有するかどうかにかかわらず、全般的に任意の電磁信号を指すことがあり、いくつかの非限定的な例では、文脈に応じて、ＵＶ、ＩＲ、および／または近ＩＲ波長領域にある信号を含み得る。
【0069】
有機光電子デバイスは、１つまたは複数の活性層および／またはその堆積層が主に有機（炭素含有）材料、より具体的には有機半導体材料から形成される任意の光電子デバイスを包含することができる。
【0070】
本開示において、有機材料は、限定されないが、多種多様な有機分子、および／または有機ポリマーを備え得ることが、関連技術の当業者によって理解されるであろう。さらに、元素および／または無機化合物を含むがこれらに限定されない様々な無機物質がドープされた有機材料は、依然として有機材料と見なされ得ることが、関連技術における当業者によって理解されるであろう。さらに、様々な有機材料を使用することができ、本明細書に記載のプロセスは、一般的に、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが、関連技術の当業者によって理解されるであろう。
【0071】
本開示において、無機物質は、主に無機材料を含む物質を指し得る。本開示において、無機材料は、金属、ガラス、および／またはミネラルを含むがこれらに限定されない、有機材料とは見なされない任意の材料を含み得る。
【0072】
光電子デバイスが発光プロセスを介して光子を放出する場合、デバイスはエレクトロルミネセントデバイスと見なすことができる。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネルまたはモジュール、および／またはスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子書籍リーダーなどのコンピューティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイまたはモジュール、および／またはモニターおよび／またはテレビセットなどの他のいくつかの電子デバイス（総称して「ユーザデバイス」３９５０（図４Ａ））であり得る。
【0073】
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機太陽電池（ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、電気発光量子ドットデバイスであり得る。本開示では、反対に明示されない限り、いくつかの例において、そのような開示は、関連技術の当業者にとって明らかな方法で、ＯＰＶおよび／または量子ドットデバイスを含むがこれらに限定されない他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解して、ＯＬＥＤデバイスに言及する。
【0074】
そのような装置の構造は、２つの態様のそれぞれから、すなわち、断面図、および／または横断面図（平面図）の態様から説明される。
【0075】
本開示において、「層」および「堆積層」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得る。
【0076】
以下の断面の態様を紹介する文脈において、そのようなデバイスの構成要素は、実質的に平面の横方向の堆積層で示されている。関連技術の当業者は、そのような実質的に平面の表現は例示のみを目的とするものであり、そのような装置の横方向の範囲にわたって、厚さおよび寸法の異なる局所化された実質的に平面の堆積層があり得ることを理解するであろう。それは、非限定的な例において、実質的に完全な層の欠如、および／または非平面遷移領域（横方向のギャップおよび不連続性さえも含む）によって分離された層を含む。したがって、例示の目的で、デバイスは、実質的に層状の構造としてその断面図の態様で以下に示されているが、以下で説明する平面図の態様では、そのようなデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを示し得る。そのような特徴の各々は、断面図の態様で説明した層状プロファイルを実質的に呈する。
【0077】
関連技術の当業者は、構成要素、層、領域および／またはその一部が、別の基礎となる材料、構成要素、層、領域、および／または部分の上に「形成される」、「配置される」および／または「堆積される」と表現される場合、そのような形成、配置および／または堆積は、例えば基礎となる材料、構成要素、層、領域および／または部分の露出層表面１１１の上に（そのような形成、配置および／または堆積の際に）直接および／または間接的に載っている場合があることを、間に材料、構成要素、層、領域および／または部分が介在する可能性と共に理解するであろう。
【0078】
本開示では、上記の横断面に対して実質的に垂直に延び、基板１１０（図３）がデバイス１０００（図１）の「底部」であると見なされ、層１２０（図３）、１３０（図３）、１４０（図３）が基板１１０の「上部」に配置されている方向性の慣例に従う。そのような慣例に従って、第２の電極１４０は図示されるデバイス１０００の上部にあり、たとえ（製造プロセス中を含むがこれに限定されないいくつかの例の場合のように１つまたは複数の層１２０、１３０、１４０が気相堆積プロセスによって導入され得るとき）、第１の電極１２０など、限定されないが、層１２０、１３０、１４０のうちの１つが設けられる上面が物理的に基板１１０の下になるように基板１１０が物理的に反転されたとしても、堆積材料（図示せず）が上方に移動して、薄膜としてその上面に堆積することを可能にする。
【0079】
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、電源（図示せず）に電気的に結合され得る。そのように結合されると、デバイス１０００は、本明細書に記載されるように光子を放出し得る。
【0080】
薄膜形成
層１２０、１３０、１４０は、基礎となる材料のターゲット露出層表面１１１（図１）（および／または、本明細書に開示される選択的堆積の場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのターゲット領域および／またはそのような表面の一部）の上に設けられ得る。いくつかの非限定的な例では、時により基礎となる材料は、薄膜として基板１１０および介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０、１７５０（図３）は、導電性コーティング８３０（図１）の少なくとも１つの薄い導電性フィルム層から形成され得る。
層１２０、１３０、１４０は、基礎となる材料のターゲット露出層表面１１１（図１）（および／または、本明細書に開示される選択的堆積の場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのターゲット領域および／またはそのような表面の一部）の上に設けられ得る。いくつかの非限定的な例では、時により基礎となる材料は、薄膜として基板１１０および介在する下層１２０、１３０、１４０であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２０、１４０、１７５０（図３）は、導電性コーティング８３０（図１）の少なくとも１つの薄い導電性フィルム層から形成され得る。
【0081】
図全体に示されている、層１２０、１３０、１４０、および基板１１０を含むがこれらに限定されない各層の厚さは例示にすぎず、必ずしも別の層１２０、１３０、１４０（および／または基板１１０）に対する厚さを表していない。
【0082】
下にある材料の露出層表面１１１への気相堆積中の薄膜の形成は、核形成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な例では分子および／または原子であり得る）は、通常、気相から凝縮して、基板１１０の（または介在する下層１２０、１３０、１４０の）ものであるかどうかにかかわらず、存在する表面１１１上に初期核を形成する。蒸気モノマーがそのような表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さなクラスターまたは島を形成する。飽和島密度に達した後、隣接する島は通常合体を始め、平均的な島のサイズが増大し、島密度は減少する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで継続し得る。
【0083】
本開示は、気相堆積の観点で、少なくとも１つの層またはコーティングに言及して薄膜形成を論じているが、関連技術の当業者は、いくつかの非限定的な例において、エレクトロルミネセントデバイス１００の様々な構成要素は、蒸着（熱蒸着および／または電子ビーム蒸着を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィー、印刷（インクジェットおよび／または蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷および／またはマイクロコンタクトトランスファー印刷を含むがこれらに限定されない）、物理気相堆積（ＰＶＤ）（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、化学気相堆積（ＣＶＤ）（プラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）および／または有機気相成長法（ＯＶＰＤ）を含むがこれに限定されない）、レーザーアニーリング、レーザー誘起熱イメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（ＡＬＤ）、コーティング（スピンコーティング、ディップコーティング、ラインコーティングおよび／またはスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）および／またはそれらの組み合わせを含むがこれに限定されない、多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。いくつかのプロセスは、様々な層および／またはコーティングのいずれかの堆積中に、露出された基礎となる材料の表面の特定の部分への堆積材料の堆積をマスキングおよび／または妨げることにより様々なパターンを実現するために、シャドウマスクと組み合わせて使用され得る。シャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、オープンマスクおよび／またはファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得る。
【0084】
本開示において、「蒸発」および／または「昇華」という用語は、全般的に加熱によるものを含むがこれに限定するものではなく、原料が気化して、固体の状態に限定されないターゲット表面に堆積される堆積プロセスを指すために交換可能に使用され得る。理解されるように、蒸発プロセスは、１つまたは複数の原料が低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発および／または昇華して、１つまたは複数の蒸発したソース材料の凝華を通じてターゲット表面に堆積する一種のＰＶＤプロセスである。様々な異なる蒸発源を原料の加熱に使用することができ、したがって、原料を様々な方法で加熱され得ることが、関連技術の通常の技術を有する者によって理解されるであろう。非限定的な例として、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、および／または抵抗加熱によって加熱され得る。いくつかの非限定的な例では、原料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（噴出蒸発器源であり得る）および／または任意の他のタイプの蒸発源に装填され得る。
【0085】
本開示では、材料の層の厚さへの言及は、その堆積のメカニズムに関係なく、ターゲット露出層表面１１１上に堆積された材料の量を指し、これは、参照された層厚を有する材料の均一に厚い層でターゲット表面を覆う材料の量に相当する。非限定的な例として、層厚１０ナノメートル（ｎｍ）の材料の堆積は、表面に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さで材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。上で論じた薄膜が形成されるメカニズムに関して、非限定的な例として、起こり得るモノマーのスタッキングまたはクラスター化により、堆積された材料の実際の厚さは不均一であり得ることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚を堆積することにより、実際の厚さが１０ｎｍを超える堆積材料の部分、または実際の厚さが１０ｎｍ未満の堆積材料の他の部分が得られ得る。したがって、表面に堆積された材料の特定の層の厚さは、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面全体の堆積された材料の平均の厚さに対応し得る。
【0086】
本開示において、適切な決定メカニズムによって決定されるようにターゲット表面上には実質的に材料が存在しないとき、ターゲット表面（および／またはそのターゲット領域（複数可））は、材料が「実質的に備えない」、「実質的に存在しない」、および／または「実質的に覆われていない」と見なされ得る。
【0087】
本開示では、例示を簡単にするために、層の厚さプロファイルおよび／またはエッジプロファイルを含むがこれらに限定されない、堆積された材料の詳細は省略されている。
【0088】
横断面
ＯＬＥＤデバイス３７００（図２）がディスプレイモジュールを備える場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の横断面は、デバイス３７００の複数の放射領域１９１０（図３）に細分され得る。ここで、各放射領域１９１０内でデバイス構造３７００の断面は、エネルギーを与えられたときにそこから光子を放出させる。
ＯＬＥＤデバイス３７００（図２）がディスプレイモジュールを備える場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の横断面は、デバイス３７００の複数の放射領域１９１０（図３）に細分され得る。ここで、各放射領域１９１０内でデバイス構造３７００の断面は、エネルギーを与えられたときにそこから光子を放出させる。
【0089】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の各放射領域１９１０は、１つのディスプレイピクセル３４０に対応する（図２）。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル３４０は、所与の波長スペクトルで発光する。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、可視光スペクトルの色に対応するが、これに限定されない。
【0090】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の各放射領域１９１０は、ディスプレイピクセル３４０のサブピクセル２６４１から２６４３（図２）に対応する。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセル２６４１から２６４３が組み合わさって、１つのディスプレイピクセル３４０を形成するか、または表し得る。
【0091】
本開示では、サブピクセル２６４１から２６４３の概念は、説明を簡単にするために、サブピクセル２６４ｘとして本明細書で言及され得る。同様に、本開示では、ピクセル３４０の概念は、その少なくとも１つのサブピクセル２６４ｘの概念と併せて説明され得る。説明を簡単にするために、そのような複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘ」と呼ばれ、そのような用語は、文脈により別途定められる場合を除いて、ピクセル３４０および／またはその少なくとも１つのサブピクセル２６４ｘのいずれかまたは両方を示唆すると理解される。
【0092】
非放射領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の様々な放射領域１９１０は、少なくとも１つの横方向において、１つまたは複数の非放射領域１９２０によって実質的に囲まれ、分離され、その中で、限定されないが図３に示されるデバイス構造３７００の断面に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に阻害するように変化する。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１９２０は、放射領域１９１０を実質的に備えない横断面の領域を含む。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の様々な放射領域１９１０は、少なくとも１つの横方向において、１つまたは複数の非放射領域１９２０によって実質的に囲まれ、分離され、その中で、限定されないが図３に示されるデバイス構造３７００の断面に沿った構造および／または構成は、そこから放出される光子を実質的に阻害するように変化する。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１９２０は、放射領域１９１０を実質的に備えない横断面の領域を含む。
【0093】
したがって、少なくとも１つの半導体層１３０の様々な層の横方向トポロジーを変化させて、少なくとも１つの非放射領域１９２０によって（少なくとも１つの横方向に）囲まれた少なくとも１つの放射領域１９１０を画定し得る。
【0094】
いくつかの非限定的な例では、１つのディスプレイ（サブ）ピクセル３４０／２６４ｘに対応する放射領域１９１０は、横断面４２０を有する、少なくとも１つの非放射領域１９２０によって少なくとも１つの横方向に囲まれた横断面４１０を有すると理解され得る。
【0095】
透過率
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を、いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の放射領域（複数可）１９１０の横断面４１０の実質的な部分に少なくともわたって、実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい場合がある。本開示において、電極１２０、１４０、そのような要素が形成される材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されないそのような透過性要素は、実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲にある、要素、材料および／またはその特性を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０のいずれかまたは両方を、いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の放射領域（複数可）１９１０の横断面４１０の実質的な部分に少なくともわたって、実質的に光子（または光）透過性（「透過性」）にすることが望ましい場合がある。本開示において、電極１２０、１４０、そのような要素が形成される材料、および／またはその特性を含むがこれらに限定されないそのような透過性要素は、実質的に透過性（「透明」）、および／またはいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲にある、要素、材料および／またはその特性を備え得る。
【0096】
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０および／または第２の電極１４０を透過性にするメカニズムは、透過性薄膜製のこれら電極１２０、１４０を形成することである。
【0097】
核形成阻害および／または促進材料の特性
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第１の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイスの特徴を形成するために、複数の薄い導電性フィルムの層として、または少なくとも１つとして使用され得る導電性コーティング８３０（図１）は、下にある材料の露出層表面１１１上に堆積されることに対して比較的低い親和性を示し得、これによって導電性コーティング８３０の堆積が抑制される。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０、第１の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはそれらに電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないデバイスの特徴を形成するために、複数の薄い導電性フィルムの層として、または少なくとも１つとして使用され得る導電性コーティング８３０（図１）は、下にある材料の露出層表面１１１上に堆積されることに対して比較的低い親和性を示し得、これによって導電性コーティング８３０の堆積が抑制される。
【0098】
導電性コーティング８３０がその上に堆積されることに対する材料および／またはその特性の相対的な親和性またはその欠如は、それぞれ「核形成促進」または「核形成阻害」であると呼ばれることがある。
【0099】
本開示において、「核形成阻害」は、その上の導電性コーティング８３０（の堆積）に対して比較的低い親和性を示す表面を有するコーティング、材料、および／またはその層を指し、これによって、当該表面上での導電性コーティング８３０の堆積は抑制される。
【0100】
本開示において、「核形成促進」は、その上の導電性コーティング８３０（の堆積）に対して比較的高い親和性を示す表面を有するコーティング、材料、および／またはその層を指し、これによって、当該表面上での導電性コーティング８３０の堆積が促進される。
【0101】
これらの用語における「核形成」という語は、気相中のモノマーが表面に凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核形成段階を指す。
【0102】
本開示において、「ＮＩＣ」および「パターン化コーティング」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得、導電性コーティング８３０をパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において、本明細書におけるＮＩＣ８１０（図１）への言及は、いくつかの非限定的な例において、電極コーティングをパターン化するためのその選択的堆積という文脈において、パターン化コーティングに適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングへの言及は、特定の組成を有するコーティングを意味し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ８１０を含むがこれに限定されないパターン化コーティングを使用して、本明細書の図１に記載されたものと同様の方法で、光の透過を増強および／または実質的に妨げる光学コーティングを含むがこれに限定されない、導電性ではないコーティングを選択的に堆積させ得る。
【0103】
本開示において、「導電性コーティング」および「電極コーティング」という用語は、ＮＩＣ８１０の選択された堆積によってパターン化されるという文脈において、本明細書における導電性コーティング８３０への同様の概念および参照を示すために交換可能に使用され得、いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティングの選択的堆積によってパターン化される文脈での電極コーティングに適用可能である。いくつかの非限定的な例では、電極コーティングへの言及は、特定の組成を有するコーティングを意味し得る。
【0104】
ここで図１を参照すると、本明細書に記載されているいくつかの追加の堆積ステップを備えた例示的なエレクトロルミネセンスデバイス１０００が示されている。
【0105】
デバイス１０００は、下にある材料の露出層表面１１１の横断面を示している。横断面は、第１の部分１００１および第２の部分１００２を含む。第１の部分１００１では、ＮＩＣ８１０が露出層表面１１１上に配置されている。しかしながら、第２の部分１００２では、露出層表面１１１は、ＮＩＣ８１０を実質的に備えない。
【0106】
ＮＩＣ８１０を第１の部分１００１にわたって選択的に堆積させた後、導電性コーティング８３０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１０００上に堆積されるが、実質的にはＮＩＣ８１０を実質的に備えない第２の部分１００２内のみに留まる。
【0107】
ＮＩＣ８１０は、第１の部分１００１内に、導電性コーティング８３０に対して比較的低い初期付着確率Ｓ０を有する表面を提供し、これは、第２の部分１００２内のデバイス１０００の下にある材料の露出層表面１１１の導電性コーティング８３０に対しての初期付着確率Ｓ０よりも実質的に低い。
【0108】
したがって、第１の部分１００１は、導電性コーティング８３０を実質的に備えない。
【0109】
このようにして、ＮＩＣ８１０は、シャドウマスクを使用することを含めて選択的に堆積され、導電性コーティング８３０を、オープンマスクおよび／またはマスクフリー堆積プロセスを使用することを含むがこれらに限定されないように堆積させることを可能にし、第１の電極１２０、第２の電極１４０、補助電極１７５０、および／またはその少なくとも１つの層のうちの少なくとも１つ、および／またはそれに電気的に結合された導電性要素を含むがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することができる。
【0110】
回折低減
いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス３７００は、ユーザデバイス３９５０の面３９４０を通して少なくとも１つの電磁信号（「光」）を交換するために中に少なくとも１つのトランシーバ３９７０（図４Ａ）を収容するユーザデバイス３９５０の面３９４０（図４Ａ）を形成する。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス３９５０の面３９４０を通過してトランシーバ３９７０に向かう、および／またはトランシーバ３９７０からの少なくとも１つの電磁信号は、可視光スペクトル、ＩＲスペクトル、近ＩＲスペクトル、および／またはＵＶスペクトルにあるがこれに限定されない波長スペクトルを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイス３７００は、ユーザデバイス３９５０の面３９４０を通して少なくとも１つの電磁信号（「光」）を交換するために中に少なくとも１つのトランシーバ３９７０（図４Ａ）を収容するユーザデバイス３９５０の面３９４０（図４Ａ）を形成する。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス３９５０の面３９４０を通過してトランシーバ３９７０に向かう、および／またはトランシーバ３９７０からの少なくとも１つの電磁信号は、可視光スペクトル、ＩＲスペクトル、近ＩＲスペクトル、および／またはＵＶスペクトルにあるがこれに限定されない波長スペクトルを有し得る。
【0111】
いくつかの非限定的な例では、そのようなトランシーバ３９７０は、ユーザデバイス３９５０を超えて面３９４０を通過する光を受光および処理するように適合された受信機を備え得る。そのようなトランシーバ３９７０の非限定的な例は、指紋センサ、光学センサ、赤外線近接センサ、虹彩認識センサ、および／または顔認識センサを含むがこれらに限定されない、アンダーディスプレイカメラおよび／またはセンサであり得る。
【0112】
いくつかの非限定的な例では、そのようなトランシーバ３９７０はまた、ユーザデバイス３９５０を越えて面３９４０を通過する光を放出し得る。そのようなトランシーバ３９７０の非限定的な例は、指紋センサ、赤外線近接センサ、および／または顔認識センサであり得、そのような放出された光は、表面で反射され、面３９４０を通って戻り、トランシーバ３９７０によって受光され得る。いくつかの非限定的な例では、トランシーバ３９７０は光を放出しない場合があり、むしろ、ユーザデバイス３９５０の面３９４０を形成するエレクトロルミネセントデバイス１００は、表面で反射されて面３９４０を通って戻る光を放出し得、これがトランシーバ３９７０によって受光され、および／またはトランシーバ３９７０によって受信されるために面３９４０を通って戻される光は、ユーザデバイス３９５０によって全く放出されず、むしろそれに入射する周囲光を構成する。
【0113】
そのようなトランシーバ３９７０をユーザデバイス３９５０内に収容するために、ユーザデバイス３９５０の面３９４０として機能するエレクトロルミネセントデバイス１００は、ユーザデバイス３９５０の外側から内側、またはその逆への、光の完全な通過を可能にする実質的に光透過領域を備え得る。
【0114】
関連技術における当業者は、図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、トランシーバ３９７０は、１つの光透過領域２６２０よりも大きいサイズを有し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、トランシーバ３９７０は、複数の光透過領域２６２０および／またはそれらの間に延在する複数の放射領域１９１０の下にあるようなサイズであり得る。そのような例では、トランシーバ３９７０は、そのような複数の光透過領域２６２０の下に配置され得、そのような複数の光透過領域２６２０を通って面３９４０を通過する光を交換し得る。
【0115】
非限定的な例は、図２の例示的な概略図において平面に示されている実質的に光透過性のエレクトロルミネセントデバイス３７００である。デバイス３７００は、デバイス３７００の表面によって、閉じた境界、および／または周囲３７０１によって画定される非放射領域（複数可）１９２０の横断面４２０内にそれぞれが画定される、複数の光透過領域２６２０を備える。
【0116】
光透過領域２６２０は、光がデバイス３７００の表面を実質的に横切る第１の軸３７０２に沿ってデバイス３７００を通過することを可能にするように構成され、いくつかの非限定的な例では、これはユーザデバイス３９５０の面３９４０と平行であり得る。
【0117】
いくつかの非限定的な例では、各光透過領域２６２０にわたる光透過率は実質的に同じである。いくつかの非限定的な例では、各光透過領域２６２０における光透過率は、約５０％を超え、約６０％を超え、約７０％を超え、約８０％を超え、および／または約９０％を超える。
【0118】
いくつかの非限定的な例では、複数の光透過領域２６２０および／またはそのサブセットのそれぞれにわたる光透過率は、実質的に同じである。いくつかの非限定的な例では、複数の光透過領域２６２０および／またはそのサブセットのそれぞれにわたる光透過率は、約５０％を超え、約６０％を超え、約７０％を超え、約８０％を超え、および／または約９０％を超える。
【0119】
非限定的な例として、光透過領域２６２０は、電磁スペクトルの可視範囲、近赤外範囲、および／またはＩＲ範囲の光を透過するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、電磁スペクトルのＩＲ範囲の波長は、約７００ｎｍから約１ｍｍの間、約７５０ｎｍから約５０００ｎｍの間、約７５０ｎｍから約３０００ｎｍの間、約７５０ｎｍから約７５０ｎｍ約１４００ｎｍの間、および／または約８５０ｎｍから約１２００ｎｍの間にあり得る。
【0120】
いくつかの非限定的な例では、光透過領域（複数可）２６２０におけるエレクトロルミネセントデバイス３７００の光透過率は、約４００ｎｍから約１４００ｎｍの間、約４２０ｎｍから約１２００ｎｍの間、および／または約４３０ｎｍから約１１００ｎｍの間の電磁スペクトルの範囲の波長について、約５０％より大きく、約６０％より大きく、約６５％より大きく、約７０％より大きく、約７５％より大きく、約８０％より大きく、約８５％より大きく、約９０％より大きく、および／または約９５％より大きくてもよい。
【0121】
いくつかの非限定的な例において、光発光デバイス３７００に入射し、それを透過する外光は、光が透過する開口３９２０（図４Ｂ）の形状による回折パターンの回折特性によって影響を受ける可能性があることが見出だされた。
【0122】
少なくともいくつかの非限定的な例では、その上に入射する外光を、特徴的で不均一な回折パターンを示すように成形されたその中の開口３９２０を通過させるエレクトロルミネセントデバイス３７００は、それによって表される画像および／または光パターンの撮像と干渉し得る問題がある。
【0123】
非限定的な例として、そのような回折パターンは、光学的後処理技術を適用した場合でも、またはそのようなデバイスを通した画像および／または光パターンの観察者がそのような画像および／または光パターンに含まれる情報を識別できるようにする場合でも、そのような回折パターンによる干渉を軽減することを促進する能力、すなわち、ユーザデバイス３９５０内の光学センサがそのような画像および／または光パターンを正確に受信および処理できることを可能にする能力を妨げる可能性がある。
【0124】
デバイス３７００において、光透過領域２６２０は、複数の構成軸３７０３、３７０４によって画定される実質的に平面の構成で配置され、これらはそれぞれ、第１の軸３７０２を実質的に横切り、すなわち、デバイス３７００の表面によって画定された面内に存在する。
【0125】
いくつかの非限定的な例では、構成は、図２に示されるように、それぞれ３７０３および３７０４と指定されている少なくとも２つの構成軸によって画定されるアレイである。いくつかの非限定的な例では、構成軸３７０３、３７０４は、互いに実質的に垂直であり、第１の軸３７０２に垂直である。
【0126】
少なくとも１つの放射領域１９１０は、複数の構成軸３７０３、３７０４に沿って隣接する光透過領域２６２０の間に配置される。
【0127】
図示されるように、放射領域１９１０および光透過領域２６２０は、そのような構成軸３７０３、３７０４のそれぞれに沿って交互のパターンで延在する。いくつかの非限定的な例では、そのような交互のパターンは、そのような構成軸３７０３、３７０４のそれぞれに沿って同じである。いくつかの非限定的な例では、そのような交互のパターンは、隣接する、隣り合う、および／または連続する光透過領域２６２０の間に複数の放射領域１９１０を含む。いくつかの非限定的な例では、そのような交互のパターン（複数可）は、デバイス３７００全体にわたって、またはいくつかの非限定的な例では、その一部にわたって実質的に同一に繰り返され得る。
【0128】
すなわち、いくつかの非限定的な例では、交互パターン（複数可）は、１つの光透過領域２６２０と交互になっている単一ピクセル３４０（それぞれがその１つのサブピクセル２６４ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１９１０を含む）を含み得る。
【0129】
いくつかの非限定的な例では、そのような各ピクセル３４０は、それぞれがその１つのサブピクセル２６４ｘに対応する１、２、３、４、５、またはそれ以上の放射領域１９１０を含む。いくつかの非限定的な例では、各サブピクセル２６４ｘは、所与の色および／または波長スペクトルで発光するように構成される。
【0130】
いくつかの非限定的な例では、そのような各ピクセル３４０に対応する放射領域（複数可）１９１０は、隣り合う光透過領域２６２０の間のピクセルアレイに配置される。いくつかの非限定的な例では、放射領域１９１０のそのようなピクセルアレイは、交互パターンが延在する構成軸３７０３、３７０４の少なくとも１つに平行な少なくとも１つの軸によって画定される。
【0131】
いくつかの非限定的な例では、そのような各ピクセル３４０は、４つのサブピクセル２６４ｘを含む。いくつかの非限定的な例では、４つのサブピクセル２６４ｘは、Ｒ（赤色）発光するように構成された１つのサブピクセル２６４１、Ｇ（緑色）発光するように構成された２つのサブピクセル２６４２、およびＢ（青色）発光するように構成された１つのサブピクセル２６４３に対応する。いくつかの非限定的な例では、４つのサブピクセル２６４ｘは、Ｒ（赤色）発光するように構成された１つのサブピクセル２６４１、Ｇ（緑色）発光するように構成された１つのサブピクセル２６４２、Ｂ（青色）発光するように構成された１つのサブピクセル２６４３、およびＷ（白色）発光するように構成された１つのサブピクセル２６４ｘに対応する。
【0132】
いくつかの非限定的な例では、特に各ピクセル３４０が２つまたは４つ以外の数である複数のサブピクセル２６４ｘを含む場合、そのような各ピクセル３４０のサブピクセル２６４ｘは、多角形、円形、および／または他の構成に形成され得る。
【0133】
いくつかの非限定的な例では、所与のピクセル３４０のサブピクセル２６４ｘがアレイまたは他の構成で形成されているかどうかにかかわらず、そのような構成は、各ピクセル３４０について同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、異なるピクセル３４０について形状が類似していて、そのサブピクセル２６４ｘの順序のみが異なる場合がある。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、そのような構成の向きのみが異なり、異なるピクセル３４０について形状が類似している場合がある。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、異なるピクセル３４０に対して異なる場合がある。
【0134】
いくつかの非限定的な例では、所与の波長スペクトルで発光するように構成されたサブピクセル２６４ｘのサイズおよび／または形状は、同じであっても異なっていてもよい。いくつかの非限定的な例では、同じ波長スペクトルで発光するように構成されたサブピクセル２６４ｘのサイズおよび／または形状は、同じであっても異なっていてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなサブピクセル２６４ｘの形状は、多角形、円形、および／または他の形状を有し得る。
【0135】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００を完全に通過して放射領域１９１０に入射する外光の透過率は、約５０％未満、約４０％未満、約３０％未満、約２０％未満、約１０％未満、および／または約５％未満であり得る。
【0136】
ここで図３を参照すると、線３８－３８に沿ったデバイス３７００の断面図が示されている。サブピクセル２６４ｘの放射領域１９１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）トランジスタ、抵抗器および／またはコンデンサ（総称してＴＦＴ構造２００）を含むがこれらに限定されない、１つまたは複数の電子および／または光電子部品に結合された第１の電極１２０を含む。そのいずれも、いくつかの非限定的な例では、薄膜に、積層構成において配置され得、これには、第１の電極１２０の上部に配置された正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、および／または電子注入層（ＥＩＬ）のいずれか１つまたは複数を含み得るがこれらに限定されない、複数の層を含み得る少なくとも１つの半導体層１３０（またはこの層は有機半導体材料を含むことができるため「有機層」）を含む。さらに、少なくとも１つの半導体層１３０の上部に配置された第２の電極１４０を含む。デバイス３７００は、第１の電極１２０の少なくとも周囲を覆うＰＤＬ４４０をさらに含む。ＰＤＬ４４０は、サブピクセル２６４ｘの放射領域１９１０に対応する開口部を画定する。デバイス３７００は、その上にＴＦＴ構造２００が配置されている基板１１０をさらに含む。ＴＦＴ絶縁層２８０は、ＴＦＴ構造２００上部に提供され、第１の電極１２０は、ＴＦＴ絶縁層２８０上に堆積され、ＴＦＴ構造２００と電気的に結合されるように構成される。
【0137】
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０はアノード３４１であり得、第２の電極１４０はカソード３４２であり得る。
【0138】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、第２の電極１４０が透過性であり、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２０が反射性であり、少なくとも１つの半導体層１３０で放出される光を、第２の電極１４０を通って基板１１０から離れて透過可能とするように、上部発光型である。
【0139】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は底部発光型である。
【0140】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、第２の電極１４０上に配置された補助層を備える。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例ではＴＦＥ層２０５０であるかもしれないカプセル化層が、補助層の上部に提供される。
【0141】
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００、ＴＦＴ絶縁層２８０、第１の電極１２０、ＰＤＬ４４０、少なくとも１つの半導体層１３０、第２の電極１４０、補助層、およびカプセル化を備える層が、デバイス３７００のデバイス領域３７０５を構成し得る。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス領域３７０５は、バッファ層２１０、半導体活性領域、ゲート絶縁層２３０、ソース電極および／またはドレイン電極を形成するための電極層（ＴＦＴ電極層）、中間層絶縁層２５０、および／またはＴＦＴ構造２００を形成するための絶縁層を含むがこれらに限定されない１つ以上の追加の層を備え得る。
【0142】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、第２の電極１４０とカプセル化層との間に配置されたアウトカップリング層（図示せず）をさらに備える。
【0143】
いくつかの非限定的な例では、補助層はキャッピング層を含む。非限定的な例では、そのようなキャッピング層は、デバイス３７００からの光のアウトカップリングを強化するように作用し得、したがって、デバイス３７００の効率および／または明るさを増加させる。いくつかの非限定的な例では、補助層は導電層を含む。いくつかの非限定的な例では、導電層は、第２の電極１４０に電気的に結合され得る補助電極１７５０として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１７５０の存在は、第２の電極１２０の実効シート抵抗を低下させる場合がある。
【0144】
いくつかの非限定的な例では、補助層は、キャッピング層と補助電極１７５０の両方の特性を含む。いくつかの非限定的な例では、補助層は、少なくとも１つの層において、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、および／またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）および／またはそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み、当該層のいずれか１つ以上は、限定されないが、薄膜であり得る。関連技術における当業者は、いくつかの非限定的な例において、そのようなＴＣＯは、キャッピング層としての使用に適した光学特性を示し、補助電極１７５０としての使用に適した電気特性も示すことができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、補助層は、２０ｎｍから約１００ｎｍの間、約２５ｎｍから約８０ｎｍの間、および／または約３０ｎｍから約６０ｎｍの間の厚さを有するＩＺＯ層であるか、またはそれらを備え得る。いくつかの非限定的な例では、補助層はまた、キャッピング層および／またはその一部として機能する有機材料を備え得る。
【0145】
特定の理論に拘束されることを望まないが、キャッピング層および補助電極１７５０の特性を示す補助層を含むことは、以下のいくつかの非限定的な例において有利である可能性があると仮定される。すなわち、（ｉ）第２の電極１４０は、離散的または不連続な特徴でパターン化され、さらに／あるいは、（ｉｉ）第２の電極１４０の厚さは比較的薄く、その結果、補助電極１７５０がない場合のディスプレイ３７００全体の電流抵抗（ＩＲ）降下はデバイス性能を低下させ得る。
【0146】
いくつかの非限定的な例において、補助層は、共通の層として適用され得る。いくつかの非限定的な例では、補助層は、光透過領域２６２０および放射領域１９１０の両方に提供される。
【0147】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、追加の層、コーティング、および／または構成要素をさらに備える。非限定的な例として、図示されていないが、デバイス３７００は、偏光子、波長板、タッチセンサ、カラーフィルター、カバーガラス、および／または接着剤のうちの少なくとも１つを備え得、これらは、デバイス領域３７０５を超えて配置され得る。
【0148】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、ＯＬＥＤディスプレイデバイスである。いくつかの非限定的な例では、そのようなデバイス３７００は、少なくとも１つの半導体層１３０が一般的にエミッタ層を含み、これが、非限定的な例として、蛍光エミッタ、リン光エミッタおよび／またはＴＡＤＦエミッタを含むがこれらに限定されないエミッタ材料でホスト材料をドープすることによって形成され得る、ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、複数のエミッタ材料をホスト材料にドープして、エミッタ層を形成することができる。
【0149】
いくつかの非限定的な例では、不透明であるか、またはその外面に入射してデバイス３７００の光透過領域２６２０を通過する光の透過を実質的に制限および／または防止する要素、コーティング、および／または材料は、いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００が面３９４０を形成するユーザデバイス３７５０を完全に通過するように、外部入射光がデバイス３７００を透過することができるように、さらに／あるいは、いくつかの非限定的な例では、実質的な干渉および／または信号劣化なしに、デバイス３７００によって画定されるその面３９４０を超えて、ユーザデバイス３９５０内のトランシーバ３９７０に入射するように、光透過領域２６２０からは除かれるように配置され得る。
【0150】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００のバックプレーン層は、少なくとも１つのＴＦＴ構造２００および／またはそれに電気的に結合された導電性トレースを備え得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＴＦＴ構造２００および／または導電性トレースを形成するための材料は、比較的低い光透過率を示し得るため、いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造２００および／または導電性トレースは、光透過領域２６２０から除かれ得る。
【0151】
いくつかの非限定的な例では、そのようなＴＦＴ構造２００および／または導電性トレースは、図３の非限定的な例において図示されるものを含む、放射領域１９１０の横断面４１０内にあるようにそのような要素を配置することによって、光透過領域２６２０から除かれ得る。
【0152】
いくつかの非限定的な例では、バックプレーン層の１つまたは複数の層は、１つまたは複数のバッファ層２１０、半導体活性領域、ゲート絶縁層２３０、中間層絶縁層２５０、ＴＦＴ電極層、および／またはＴＦＴ構造２００を形成するための絶縁層を含むがこれらには限定されない、光透過領域２６２０の少なくとも１つの全部または一部から除かれ得る。
【0153】
いくつかの非限定的な例では、フロントプレーンの１つまたは複数の層は、第１の電極１２０、ＰＤＬ４４０、少なくとも１つの半導体層１３０、および／またはその層、および／または第２の電極１４０を形成するために使用される１つまたは複数の材料を含むがこれらには限定されない、光透過領域２６２０の少なくとも１つの全部または一部から除かれ得る。
【0154】
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層２８０、少なくとも１つの半導体層１３０、および／またはその層、および／またはカプセル化層は、光透過領域２６２０の少なくとも１つの全部または一部内にそのような層を提供することにより、それを通る外光の透過に実質的に影響を及ぼさないように、実質的に光透過性であり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、そのような層は、光透過領域２６２０の少なくとも１つの全部または一部内に引き続き提供され得る。
【0155】
光透過領域２６２０は、非放射領域１９２０の横断面４２０の少なくとも一部に沿って延在する。破線の輪郭で示されるように、いくつかの非限定的な例では、バックプレーンおよび／またはフロントプレーン層の少なくとも一部は、それを通る光の透過を促進するために、少なくとも１つの光透過領域２６２０の全部または一部から除かれる。
【0156】
図４Ａを参照すると、一例によるデバイス３９００ａとして示される、デバイス３７００のあるバージョンの断面の簡略図が示されている。デバイス３９００ａは、少なくとも１つのトランシーバ３９７０を含む様々な構成要素を収容するための本体３９６０を有するユーザデバイス３９５０の面３９４０として機能する。
【0157】
ユーザデバイス３９５０の面３９４０を形成するデバイス３９００ａは、本体３９６０およびトランシーバ３９７０を含むその構成要素を実質的に覆うように延在する。
【0158】
デバイス３９００ａでは、デバイス領域３７０５は基板１１０の上部に配置され、デバイス３９００ａは、基板１１０の平面に平行な方向に少なくとも１つのアレイ軸に沿って交互に配置された放射領域１９１０および光透過領域２６２０を含む。非限定的な例として、デバイス３９００ａは、デバイス３９００ａの表面の平面を実質的に横切る方向から、すなわち、軸３７０２に沿って、少なくとも１つの光透過領域２６２０の全部または一部を通る以外の、入射する外光の透過を実質的に抑制するように構成され得る。
【0159】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３９００ａは、光透過領域２６２０のうちの少なくとも１つの横断面４２０の全部または一部内を除いて、実質的に不透明であり得る。非限定的な例として、図には明示的に示されていないが、デバイス３９００ａの様々な部分を形成するための不透明および／または光減衰層、コーティング、および／または材料は、光透過性領域２６２０の横断面４２０を超えて配置され得、これによって放射領域１９１０を含むデバイス３９００ａの特定の部分が実質的に不透明であり、光の透過を実質的に妨げる一方で、光透過領域２６２０は、そこに入射する外光の通過を可能にする。
【0160】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、少なくとも１つの不透明コーティング３９１０をさらに備える。いくつかの非限定的な例では、そのような不透明コーティング３９１０は、それぞれが対応する光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１を画定する複数の開口３９２０を備え得る。そのような不透明コーティング３９１０は、いくつかの非限定的な例では、開口３９２０を通り、したがってそれによって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１を通る光の透過を可能にするように構成され得る。
【0161】
いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、その開口３９２０以外を通る光の透過を低減するように構成され得る。非限定的な例として、不透明コーティング３９１０は、光の透過を約３０％以上、約４０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上、約９０％以上、および／または約９５％以上だけ減少させることができる。いくつかの非限定的な例では、開口３９２０を通る光の透過は、実質的に影響を受けない場合がある。
【0162】
いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、その上に入射する任意の外光をフィルタリングするように構成され得、その結果、光は、光透過領域２６２０を画定する開口３９２０を通って選択的に透過され得る。
【0163】
いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、開口３９２０以外に入射する任意の外光を反射するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、ある開口３９２０以外に入射する任意の外光を吸収するように構成された材料で形成され得、および／または他の方法でこのように構成され得る。
【0164】
【0165】
図４Ｂは、一例によるデバイス３７００のあるバージョン３９００ｂを示しており、不透明コーティング３９１０は、デバイス領域３７０５が配置されている基板１１０の露出面１１１と反対の基板１１０の表面に配置されている。光透過領域２６２０は、不透明コーティング３９１０を形成するための材料を実質的に備えず、したがって、開口３９２０および対応付けられた光透過領域２６２０を通る外光の透過は、実質的に影響を受けない。不透明コーティング３９１０は、隣接する放射領域１９１０および／または光透過性領域２６２０間の光透過領域２６２０（中間領域）を画定する開口３９２０以外の、放射領域１９１０の横断面４１０を横切って、非放射領域１９２０の横断面４２０を横切って延在するように配置される。結果として、非限定的な例として、放射領域１９１０および／または中間領域に入射する任意の外光の透過は、不透明コーティング３９１０の存在によるものを含むがこれに限定されない理由により、実質的に抑制される。いくつかの非限定的な例では、これにより、デバイス３９００ｂに入射する外光が、以下で説明するように、特定の構成で選択的に透過されることが可能になり得る。
【0166】
図４Ｃは、一例によるデバイス３７００のあるバージョン３９００ｃを示しており、不透明コーティング３９１０は、基板１１０と、その露出面１１１上に堆積されたデバイス領域３７０５との間に配置されている。不透明コーティング３９１０は、非限定的な例として、不透明コーティング３９１０の存在によるものを含むがこれに限定されない、放射領域１９１０および／または中間領域に入射する外光の任意の透過が実質的に抑制されるように、放射領域１９１０の横断面４１０を横切って、かつ中間領域の横断面４２０を横切って延在するように配置される。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、ＴＦＴ構造２００が不透明コーティング３９１０と少なくとも１つの第１の電極１２０との間に位置するように、デバイス領域３７０５にＴＦＴ構造２００を形成するための材料を堆積させる前に、基板１１０の露出表面１１１上に配置され得る。
【0167】
図４Ｄは、一例によるデバイス３７００のあるバージョン３９００ｄを示しており、不透明コーティング３９１０は、デバイス領域３７０５内に配置されている。不透明コーティング３９１０は、非限定的な例として、不透明コーティング３９１０の存在によるものを含むがこれに限定されない、放射領域１９１０および／または中間領域に入射する外光の任意の透過が実質的に抑制されるように、放射領域１９１０の横断面４１０を横切って、かつ中間領域の横断面４２０を横切って延在するように配置される。非限定的な例として、不透明コーティング３９１０は、ＴＦＴ構造２００を形成し、第１の電極１２０を形成し、ＰＤＬ４４０を形成し、および／または第２の電極１４０を形成するために、１つ以上の材料において、および／またはこれらの材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、そのような材料に加えて、別の材料を使用して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、放射領域１９１０と基板１１０との間に配置される。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、ＴＦＴ絶縁層２８０の露出面１１１上に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、第１の電極１２０と実質的に同じ平面に配置され得る。
【0168】
図４Ｅは、一例によるデバイス３７００のあるバージョン３９００ｅを示しており、不透明コーティング３９１０は、デバイス領域３７０５内に配置されているが、デバイス３９００ｅの放射領域１９１０と実質的に重なっておらず、その結果、放射領域１９１０および光透過領域２６２０の両方が不透明コーティング３９１０を形成するための材料を実質的に備えない。不透明コーティング３９１０は、非限定的な例として、不透明コーティング３９１０の存在によるものを含むがこれに限定されない、中間領域に入射する外光の任意の透過が実質的に抑制されるように、中間領域の横断面４２０に実質的に限定され、かつそれを横切って延在するように配置される。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティングは、少なくとも１つの放射領域１９１０と一致する少なくとも１つの開口部３９８０を有し、そのような対応する少なくとも１つの放射領域１９１０によって放出される光が発光し、そのような光が不透明コーティング３９１０を通過することを可能にする。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、放射領域１９１０が実質的に不透明である場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、不透明コーティングが第２の電極１４０と同じ上に堆積されるように、また、不透明コーティング３９１０が少なくとも１つの放射領域１９１０と一致するＰＤＬ４４０内にある少なくとも１つの開口部３９８０を有し、そのような対応する少なくとも１つの放射領域１９１０によって放出される光が発光し、そのような光が不透明コーティング３９１０を通過するようにすることを可能にするように、ＰＤＬ４４０によって、および／またはＰＤＬ４４０の一部として、および／または第２の電極１４０によって、および／またはその一部として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、第２の電極１４０上に配置され得る。非限定的な例として、不透明コーティング３９１０は、第２の電極１４０に電気的および／または物理的に結合された金属を含むがこれに限定されない導電性材料であり得る。そのような非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、第２の電極１４０の実効シート抵抗を低減するための補助電極１７５０としても機能し得る。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、第２の電極１４０とカプセル化層との間に位置するように、第２の電極１４０上に堆積されるように配置され得る。
【0169】
図４Ｆは、一例によるデバイス３７００のあるバージョン３９００ｆを示しており、不透明コーティング３９１０は、デバイス領域３７０５上および／または上部に配置されるが、（そこに設けられた開口部３９８０によって）デバイス３９００ｆの放射領域１９１０と実質的に重なっておらず、その結果、放射領域１９１０および光透過領域２６２０の両方が、不透明コーティング３９１０を形成するための材料を実質的に備えず、したがって、放射領域１９１０を介した外光や開口３９２０および対応付けられた光透過領域２６２０を介した外光の透過が実質的に影響を受けない。不透明コーティング３９１０は、非限定的な例として、不透明コーティング３９１０の存在によるものを含むがこれに限定されない、中間領域に入射する外光の任意の透過が実質的に抑制されるように、中間領域の横断面４２０に実質的に限定され、かつそれを横切って延在するように配置される。いくつかの非限定的な例では、不透明コーティング３９１０は、カプセル化層の上に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、各光透過領域２６２０は、第２の電極１４０を実質的に備えない場合がある。いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００は、対応する開口３９２０によって画定される各光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１内に配置されたＮＩＣ８１０などであるがこれには限定されないパターン化コーティングを備え得、これにより、その上に導電性コーティング８３０が堆積して第２の電極１４０がその中に形成されることを妨げる。非限定的な例として、少なくとも１つの半導体層１３０は、光透過領域２６２０を横切って横方向に延在することができ、ＮＩＣ８１０は、光透過領域２６２０内にその上に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、放射領域１９１０は、ＮＩＣ８１０を実質的に備えない場合がある。
【0170】
関連技術の当業者は、いくつかの非限定的な例において、ＮＩＣ８１０を含むがこれに限定されないパターン化コーティングが、露出層表面１１１の第１の部分に堆積されて、必ずしも導電性であるとは限らないコーティングが当該第１の部分内で堆積することを実質的に妨げ得ることを理解するであろう。非限定的な例として、そのような第１の部分は、光透過領域の横断面以外の非放射領域１９２０の横断面４２０の全体を含み得、これによって、光透過領域２６２０のみに対応する開口３９２０を有する不透明コーティング３９１０の堆積を促進する。さらなる非限定的な例によって、そのような第１の部分は、放射領域１９１０の横断面４１０をさらに含み得、これによって、光透過領域２６２０にのみ対応する開口３９２０および放射領域１９１０に対応する開口部３９８０の両方を備えた不透明コーティング３９１０の堆積を促進する。
【0171】
いくつかの非限定的な例では、パターン化コーティング上に堆積された不透明コーティング１９１０（いくつかの非限定的な例ではＮＩＣ８１０であり得る）は、純粋に光学的な非導電性コーティングまたは光学的コーティング特性も有する導電性コーティング８３０を備え得る。
【0172】
いくつかの非限定的な例では、光透過領域２６２０は、ＰＤＬ４４０を実質的に備えない場合がある。非限定的な例として、そのような構成は、それを透過する外光の色および／または対応付けられた波長スペクトルの歪みを軽減することを含むがこれに限定されない方法によって、光透過領域２６２０を通る光透過をさらに強化し得る。
【0173】
いくつかの非限定的な例では、対応する開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１の形状によって影響を受ける特徴的で不均一な回折パターンが、それを透過する外光を歪ませる干渉を引き起こし得、この回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を促進する能力に悪影響を与え得る。
【0174】
いくつかの非限定的な例では、特徴的で不均一な回折パターンが、回折パターン内に明確なおよび／または角度的に分離された回折スパイクを引き起こす開口３９２０の形状から生じ得る。
【0175】
いくつかの非限定的な例では、全角度回転に沿った回折スパイクの総数を数えることができるように、単純な観察によって、第１の回折スパイクが第２の近接する回折スパイクと区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に回折スパイクの数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難になる場合がある。そのような状況では、結果として生じる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き起こされる干渉の軽減を促進する場合がある。これは、歪み効果がぼやけ、さらに／あるいはより均一に分布する傾向があるからである。歪み効果のそのようなぼやけおよび／またはより均一な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像および／またはそこに含まれる情報を回復するために、光学的後処理技術によるものを含むがこれに限定されないに方法による緩和により適している可能性がある。
【0176】
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を促進する能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加する可能性がある。いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を促進する能力の有益な増加は、約４より大きい、約６より大きい、約８より大きい、約１０より大きい、約１２より大きい、約１４より大きい、および／または約１６より大きい、全角度回転にわたる回折パターン内の回折スパイクの数に反映され得る。
【0177】
いくつかの非限定的な例では、特徴的で不均一な回折パターンは、回折パターンのパターン外周Ｐｃ（図８Ｂ）の関数としての、および／またはパターン境界ＰＢの長さに対するパターン外周Ｐｃの比を減少させる、光の高強度の領域および低強度の領域間の回折パターン内のパターン境界ＰＢ（図８Ｂ）の長さを増加させる開口３９２０の形状から生じ得る。
【0178】
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を促進する能力の有益な増加は、約０．４より大きい、約０．５より大きい、約０．６より大きい、約０．７より大きい、約０．７５より大きい、約０．８より大きい、約０．９より大きい、および／または約０．９５より大きい、パターン境界ＰＢの長さに対する回折パターンのパターン外周Ｐｃの比に反映され得る。
【0179】
特定の理論に拘束されることを望まないが、多角形である対応する開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１を有するデバイス３７００は、非多角形である対応する開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１を有するデバイス３７００と比較して、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を促進する能力に悪影響を与える特徴的で不均一な回折パターンを示し得ると仮定される。
【0180】
本開示において、「多角形」という用語は、一般的に、形状、図形、閉じた境界３７０１、および／または有限数の線形および／または直線セグメントによって形成される周囲を示し得、「非多角形」という用語は、一般的に、形状、図形、閉じた境界３７０１、および／または多角形ではない周囲を示し得る。非限定的な例として、有限数の線形セグメントおよび少なくとも１つの非線形または湾曲したセグメントによって形成される閉じた境界３７０１は、非多角形と見なされる。
【0181】
特定の理論に拘束されることを望まないが、対応する開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１が少なくとも１つの非線形および／または湾曲したセグメントを含むとき、それに入射して透過する外光は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を促進する、より特徴的でないおよび／またはより均一な回折パターンを示し得ると仮定される。
【0182】
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形および／または円形である対応する開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１を有するデバイス３７００は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減をさらに促進し得る。
【0183】
いくつかの非限定的な例では、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、構成軸３７０３、３７０４の少なくとも１つに対して対称であり得る。
【0184】
開口３９２０によって画定されるそのような光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１の多種多様な形状および構成が適切であり得る。図５Ａから図５Ｉは、光透過領域２６２０のアレイの非限定的な例を示している（説明を簡単にするために、介在する放射領域１９１０は省略されている）。
【0185】
図５Ａから図５Ｃに示されるものなどのいくつかの非限定的な例では、アレイ内の開口３９２０によって規定される各光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような境界３７０１は、構成軸３７０３、３７０４のうちの少なくとも１つに関して対称であるように方向付けられ得る。
【0186】
図５Ｄから図５Ｇに示されるものなどのいくつかの非限定的な例では、アレイ内の開口３９２０によって画定される各光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、有限の複数の凸状の丸いセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくともいくつかは、凹状のノッチまたはピークで一致する。
【0187】
図５Ｈは、非限定的な例として、アレイ内の開口３９２０によって画定される各光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、有限の複数の凹状の丸いセグメントによって画定され得ることを示す。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくともいくつかは、凸状のノッチまたはピークで一致する。
【0188】
図５Ｉは、非限定的な例として、そのアレイ内の開口３９２０によって画定される各光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、それらの端部が丸みのある角部によって結合される有限の複数の線形セグメントによって画定され得ることを示す。示されている例では、閉じた境界３７０１は、丸みのある長方形を画定する４つの線形セグメントを備える。
【0189】
いくつかの非限定的な例では、アレイ内の開口３９２０によって規定される各光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、共通の形状を有する。いくつかの非限定的な例では、アレイ内の開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、異なるサイズおよび／または形状であり得る。
【0190】
いくつかの非限定的な例では、デバイス３７００の光透過領域２６２０は、三角形（三角を含むがこれに限定されない）、正方形、長方形、平行四辺形および／または六角形の構成を含むがこれらに限定されない多角形を含むがこれらに限定されない様々な構成で配置され得る。六角形の構成は、図６に非限定的な例として示されている。
【0191】
構成が多角形であるいくつかの非限定的な例では、構成は、そのような構成によって画定される多角形のそれぞれの辺を画定する複数の構成軸３７０３、３７０４に沿って整列され得、光透過領域２６２０はその頂点を形成する。いくつかの非限定的な例では、１つまたは複数の光透過領域２６２０は、そのような多角形内に配置され得る。
【0192】
しかしながら、構成された、いくつかの非限定的な例では、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は、少なくとも１つの構成軸３７０３、３７０４に沿って交互のパターンで少なくとも１つの隣接する放射領域１９１０と散在し得る。
【0193】
例
以下の例は、例示のみを目的としており、いかなる方法でも本開示の一般性を制限することを意図するものではない。
以下の例は、例示のみを目的としており、いかなる方法でも本開示の一般性を制限することを意図するものではない。
【0194】
図７の非限定的な例として示されるように、光は、外部光源４２１０によって放出され、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１の様々な例示的な構成を有する複数のサンプルＯＬＥＤデバイス３７００に入射し、それを透過する。非限定的な例として、カメラを検出器４２２０として使用して、光源４２１０によって放出され、サンプルデバイス３７００に入射し、光透過領域２６２０を透過した、光４２２５の画像を捕捉した。図に概略的に示されているように、光源４２１０によって放出される光は、直径またはスポットサイズがｄ０であるコリメートされた円筒形ビーム４２１５の形態である。また、図に概略的に示されているように、デバイス３７００、特に、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１を通過した後、検出器４２２０によって捕捉された光４２２５は、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１の形状によって光４２２５に与えられた回折特性の結果としての発散ビームであり得る。
【0195】
図では、光源４２１０は、ビーム４２１５でサンプルデバイス３７００の基板１１０を照明するように示され、検出器４２２０は、デバイス領域３７０５を通して放出される光４２２５を捕捉する。当業者は、いくつかの非限定的な例では、光源４２１０がデバイス領域３７０５をビーム４２１５で照らし、検出器４２２０が基板１１０を通して放出される光４２２５を捕捉するように、サンプルデバイス３７００の向きを逆にすることができることを理解するであろう。
【0196】
例１
図８Ａは、第１の参照サンプルＯＬＥＤデバイス３７００について検出器４２２０によって捕捉された光４２２５の画像であり、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は実質的に長方形であり、境界３７０１の辺は２つの構成軸３７０３、３７０４に沿って、直角に実質的に整列している。
図８Ａは、第１の参照サンプルＯＬＥＤデバイス３７００について検出器４２２０によって捕捉された光４２２５の画像であり、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は実質的に長方形であり、境界３７０１の辺は２つの構成軸３７０３、３７０４に沿って、直角に実質的に整列している。
【0197】
図８Ｂは、図８Ａの画像に捕捉された回折パターンの理想化された概略図であり、構成軸３７０３、３７０４に沿って整列された少数の有意な回折スパイクを示している。図９Ｂにより詳細に示されるように、いくつかの非限定的な例では、特に回折スパイクの数が増加するにつれて、および／または回折パターンの最大強度Ｌａｘに対する最小強度Ｉｍｉｎの比が１に近づくにつれて、完全な角度回転にわたって分布する回折スパイクの数を決定することが次第に困難になる可能性がある。
【0198】
この目的のために、いくつかの非限定的な例では、回折スパイクの数を定量化するためのメカニズムは、回折パターンの中心から任意の閾値直径Ｄを確立することである。いくつかの非限定的な例では、直径Ｄは、スポットサイズの約３倍、約４倍、約５倍、約７倍、約１０倍、および／または約１５倍であり得る。そのような直径Ｄが確立されると、回折パターンの強度が完全な角度回転にわたって直径Ｄと交差するインスタンスの数を決定することによって（そのような交差の数の１／２に対応する回折スパイクの数で）、回折スパイクを隣接する回折スパイクから識別および／または区別することができる。関連技術の当業者は、直径Ｄが所与の回折スパイクの最大強度Ｌａｘを超える場合、そのような回折スパイクに対応付けられた交差がないことから、このように識別された回折スパイクの数が、いくつかの非限定的な例において、直径Ｄの値に依存し得ることを理解するであろう。
【0199】
非限定的な例として、理想的な状況では、対応する開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１の形状の形状によって与えられる回折が実質的にない場合、透過した後に得られた「回折」パターンは、回折スパイクがなく、実質的に円形になる。したがって、高強度の光の領域と低強度の光の領域との間のパターン境界ＰＢは、そのような円形パターンの外周であり、これは、パターン外周Ｐｃでもある。関連技術の当業者は、そのようなパターン境界ＰＢの長さが、所与のパターン外周Ｐｃに対して最小になることを理解するであろう。
【0200】
しかしながら、回折が増加するにつれて、図８Ｂに示されるような回折スパイクを生成するように、パターン境界ＰＢは、パターンの中心から実質的に半径方向に離れて延在するそのような回折スパイクに対応するセグメントと、それに続く、中心に向かって実質的に半径方向に延在するセグメントＲＳ（総称して「放射状セグメント」）を含む傾向がある。したがって、そのような回折スパイクの存在は、パターン外周Ｐｃの関数としてパターン境界ＰＢの長さを増加させる傾向がある。
【0201】
この図では、回折パターンの実線の輪郭は境界パターンＰＢを反映しており、境界パターンＰＢの曲線部分と重なる点線の円形の輪郭は回折パターンのパターン外周Ｐｃを反映している。図から分かるように、ＲＳとして識別される（図８内の）放射状セグメントの長さは長く、境界パターンＰＢの長さを長くすることから、境界パターンＰＢに対するパターン外周Ｐｃの比率は、１よりもかなり小さくなり、０に近づく可能性がある。
【0202】
例２
図９Ａは、第２のサンプルＯＬＥＤデバイス３７００の検出器４２２０によって捕捉された光４２２５の画像であり、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は実質的に円形である。
図９Ａは、第２のサンプルＯＬＥＤデバイス３７００の検出器４２２０によって捕捉された光４２２５の画像であり、開口３９２０によって画定される光透過領域２６２０の閉じた境界３７０１は実質的に円形である。
【0203】
図９Ｂは、図９Ａの捕捉された画像の回折パターンの概略図であり、強度が実質的により少ない程度で変化する、より多くの実質的に均一に分布された回折スパイクを示している。回折スパイクの数の増加および強度の変動の対応する減少は、回折パターンのぼやけを反映するより均一な応答を示し、これは、いくつかの非限定的な例では、そのような回折パターンの干渉の軽減を促進し得る。そのような軽減により、いくつかの非限定的な例では、その実質的な排除および／または同等の軽減結果を達成するための処理量の減少をもたらす場合がある。
【0204】
図に示すように、回折スパイクの数が増加する。しかしながら、そうであるように、回折スパイクは重なり合う傾向があり、その結果、結果として生じる回折パターンのパターン外周Ｐｃが増加し、放射状セグメントの長さＲＳが減少し、その結果、パターン外周Ｐｃの関数としてパターン境界ＰＢの長さが短くなり、および／またはパターン境界ＰＢの長さに対するパターン外周の比率が増加し、１に近づく。
【0205】
用語
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
特に明記されていない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様である。
【0206】
本明細書で使用される場合、「第１」および「第２」などの関係用語、および「ａ」、「ｂ」などの番号付けデバイスは、ある実体または要素を別の実体または要素から区別するためにのみ使用され得る。そのような実体または要素間の物理的または論理的な関係または順序を必然的に要求または暗示する。
【0207】
「含む」および「備える」という用語は、広範かつオープンエンド形式で使用されるため、「含むがこれに限定されない」ことを意味すると解釈されるべきである。「実施例」および「例示的」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用され、本発明の範囲を記載された事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、意匠、性能、その他の観点から、「例示的」という用語は、それが使用される表現に対して賞賛に値する、有益な、またはその他の品質を示す、または与えると解釈されるべきではない。
【0208】
任意の形式の「結合」および「通信」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、またはその他の方法で、何らかのインターフェース、デバイス、中間コンポーネント、または接続を介した直接接続または間接接続のいずれかを意味することを意図している。
【0209】
最初のコンポーネントが別のコンポーネントに関連するとき、「上に」または「上方に」という用語は、最初のコンポーネントに関して使用される場合、および／または最初のコンポーネントが別のコンポーネントを「カバーしている」または「カバーする」場合、最初のコンポーネントが別のコンポーネントの直上にある状況（他のコンポーネントと物理的に接触している場合を含むがこれに限定されない）と、１つ以上の介在するコンポーネントが最初のコンポーネントと別のコンポーネントの間に配置されている場合を含み得る。
【0210】
量、比率、および／または他の数値は、本明細書では範囲形式で提示されることがある。このような範囲形式は、利便性、説明、および簡潔さのために使用されるのであり、範囲の限定として明示的に指定された数値だけでなく、個々の数値、および／またはその範囲内に含まれる下位範囲も、各数値および／または下位範囲が明示的に指定されていたものとして、それらを包含すると柔軟に理解されるべきである。
【0211】
「上向き」、「下向き」、「左」および「右」などの方向用語は、特に明記しない限り、参照される図面内の方向を指すために使用される。同様に、「内向き」および「外向き」などの単語は、それぞれ、デバイス、領域または体積、またはそれらの指定された部分の幾何学的中心に向かう方向および離れる方向を指すために使用される。さらに、本明細書に記載のすべての寸法は、特定の実施形態を説明する目的の例としてのみ意図されており、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の実施形態に限定することを意図しない。
【0212】
本明細書で使用される場合、「実質的に」、「実質的な」、「ほぼ」および／または「約」という用語は、小さな変動を示し、説明するために使用される。イベントまたは状況と組み合わせて使用される場合、そのような用語は、イベントまたは状況が正確に発生するインスタンス、およびイベントまたは状況が非常に近似して発生するインスタンスを指すことがあります。非限定的な例として、数値と組み合わせて使用される場合、そのような用語は、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、および／または±０．０５％以下など、そのような数値の±１０％以下の変動の範囲を指す場合がある。
【0213】
本明細書で使用される場合、「実質的に・・・から構成されている」という句は、具体的に記載された要素、および記載された技術の基本的および新規の特性に実質的に影響を及ぼさない追加の要素を含むと理解され、一方、何も修飾されていない「から構成されている」という句は、具体的に記載されていない要素を除外する。
【0214】
関連技術において通常の技能を有する当業者によって理解されるように、ありとあらゆる目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、本明細書に開示されるすべての範囲はまた、ありとあらゆる可能なサブ範囲および／またはサブ範囲の組み合わせを包含する。リストされた範囲は、同じ範囲が、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含む、少なくとも等しい割合に分解されることを十分に説明および／または可能にするものとして容易に認識できる。非限定的な例として、本明細書で論じられる範囲は、下３分の１、中３分の１、および／または上３分の１などに容易に分解することができる。
【0215】
関連技術において通常の技能を有する者によって理解されるように、「まで」、「少なくとも」、「より大きい」、「より小さい」などのすべての言葉および／または用語は、列挙された範囲を含み、および／または参照し、また、本明細書で論じられるように、後にサブ範囲に分解される範囲を参照し得る。
【0216】
関連技術の通常の技能を有する当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の個々の要素を含む。
【0217】
全般的
要約書の目的は、関連する特許庁、または一般の人々、具体的には、特許または法律の用語または表現に精通していない当業者が、大まかな調査から、技術的開示の本質を判断できるようにすることである。要約書は、本開示の範囲を定義することを意図するものでも、本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
要約書の目的は、関連する特許庁、または一般の人々、具体的には、特許または法律の用語または表現に精通していない当業者が、大まかな調査から、技術的開示の本質を判断できるようにすることである。要約書は、本開示の範囲を定義することを意図するものでも、本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
【0218】
現在開示されている実施例の構造、製造および使用は、上述されてきた。説明された特定の実施例は、本明細書に開示された概念を形成および使用するための特定の方法の単なる例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載されている一般原則は、本開示の範囲の単なる例示であると見なされる。
【0219】
提供される実施の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明され、任意の要素および／または限定を変更、省略、追加、または置換することによって、および／または任意の要素および／または限定がない場合に、代替物および／または同等の機能要素によって変形可能な本開示は、本明細書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、関連技術の当業者に明らかであり、本明細書に開示された例に対して行うことが可能であり、そして本開示から逸脱することなく、多種多様な特定の状況で具体化することのできる多くの適用可能な発明概念を提供し得ることを理解されたい。
【0220】
特に、上記の例の１つまたは複数で説明および図示された機能、技術、システム、サブシステム、および方法は、分散または分離して図示されているかどうかにかかわらず、本開示の範囲を逸脱することなく別のシステムに組み合わせたり、統合したりすることで、上記で明示的に説明されていない可能性がある機能のコンビネーションまたはサブコンビネーションからなる代替例、または特定の機能が省略されている可能性がある、または実装されていない可能性がある代替例を作り出してもよい。そのようなコンビネーションおよびサブコンビネーションに適した特徴は、本出願全体を検討すると、当業者には容易に明らかになるであろう。変更、置換、および改変の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示された要旨および範囲から逸脱することなく行うことができる。
【0221】
本開示の原理、態様および例、ならびにそれらの特定の例を列挙する本明細書のすべての記述は、それらの構造的および機能的均等物の両方を包含し、技術におけるすべての適切な変更を網羅および包含することを意図している。さらに、そのような均等物には、現在知られている均等物と将来開発される均等物の両方、すなわち、構造に関係なく同じ機能を実行する開発された要素の両方が含まれることが意図されている。
【0222】
したがって、そこに開示されている明細書および実施例は、例示と見なされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号が付けられた特許請求の範囲によって開示されている。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図5I】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】