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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-16
(45)【発行日】2023-11-27
(54)【発明の名称】銅箔の表面パラメータの測定方法、及び銅箔の選別方法
(51)【国際特許分類】
G01B 21/30 20060101AFI20231117BHJP
G01B 11/30 20060101ALI20231117BHJP
【ＦＩ】
G01B21/30 102
G01B11/30 102Z
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2023562766
(86)(22)【出願日】2022-12-14
(86)【国際出願番号】 JP2022046102
(87)【国際公開番号】W WO2023120337
(87)【国際公開日】2023-06-29
【審査請求日】2023-10-12
(31)【優先権主張番号】PCT/JP2021/047646
(32)【優先日】2021-12-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006183
【氏名又は名称】三井金属鉱業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113365
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 雅晴
(74)【代理人】
【識別番号】100209336
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 悠
(74)【代理人】
【識別番号】100218800
【弁理士】
【氏名又は名称】河内 亮
(72)【発明者】
【氏名】栗原 宏明
(72)【発明者】
【氏名】岩瀬 健
【審査官】飯村 悠斗
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１７／００６７３９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０２１－２６８３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平６－３３７２１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２２１８５６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｂ ２１／３０
Ｇ０１Ｂ １１／３０
Ｇ０１Ｎ ２１／９５６
Ｃ２５Ｄ １／０４
Ｃ２５Ｄ ５／１６
Ｃ２５Ｄ ７／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅箔の表面パラメータの測定方法であって、（ａ）フィルター条件を設定するために、リファレンスとしての表面処理銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得する工程と、
（ｂ）前記表面プロファイルに基づいてＬフィルターのカットオフ値を設定する工程であって、前記カットオフ値は、
（ｉ）Ｌフィルターで処理した後の算術平均高さＳａであるＳａ１が０．５μｍ以下を満たし、かつ、
（ｉｉ）Ｌフィルターで処理する前後における界面の展開面積比Ｓｄｒの変化率：（｜Ｓｄｒ０－Ｓｄｒ１｜／Ｓｄｒ０）×１００（式中、Ｓｄｒ０はＬフィルターで処理する前のＳｄｒであり、Ｓｄｒ１はＬフィルターで処理した後のＳｄｒである）が８０％以下を満たす、又は
（ｉｉ’）Ｌフィルターで処理する前後における、コア部の実体体積Ｖｍｃをコア部のレベル差Ｓｋで除して界面の展開面積比Ｓｄｒを乗じることにより、すなわち（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒの式により得られるα値の変化率：（｜α０－α１｜／α０）×１００（式中、α０はＬフィルターで処理する前のα値であり、α１はＬフィルターで処理した後のα値である）が８０％以下を満たすように設定され、
Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋはＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータである、工程と、
（ｃ）前記リファレンスとしての表面処理銅箔と同等の条件によって製造又は処理された、測定対象としての表面処理銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得する工程と、
（ｄ）前記測定対象としての表面処理銅箔について取得された表面プロファイルをフィルター処理する工程であって、前記カットオフ値のＬフィルターを用いて処理することを含む工程と、
（ｅ）前記フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、前記測定対象としての表面処理銅箔の処理表面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータのうち少なくとも１種を算出する工程と、
を含む、銅箔の表面パラメータの測定方法。
【請求項2】
前記工程（ｄ）において、前記フィルター処理がＳフィルターを用いることなく行われる、請求項１に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。【請求項3】
前記Ｓａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、前記Ｓｄｒの変化率が７０％以下である、請求項１又は２に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。【請求項4】
前記Ｓａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、前記α値の変化率が７０％以下である、請求項１又は２に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。【請求項5】
前記工程（ｂ）において、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータの２階微分を行い、前記Ｌフィルターのカットオフ値を設定する、請求項１又は２に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。【請求項6】
銅箔の選別方法であって、請求項１又は２に記載の方法を用いて銅箔の表面パラメータを測定する工程であって、前記表面パラメータがＩＳＯ２５１７８で規定される算術平均高さＳａ、二乗平均平方根高さＳｑ、最大高さＳｚ、界面の展開面積比Ｓｄｒ、コア部の実体体積Ｖｍｃ及びコア部のレベル差Ｓｋからなる群から選択される少なくとも１種である工程と、
前記Ｓａが１．２μｍ以下、前記Ｓｑが２．５μｍ以下、前記Ｓｚが１４μｍ以下、前記Ｓｄｒが６０％以下、前記Ｖｍｃが１．５μｍ３以下、及び／又は前記Ｓｋが４μｍ以下の表面を有する銅箔を、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔として選別する工程と、
を含む、銅箔の選別方法。
【請求項7】
請求項６に記載の方法により得られた銅箔を用いて高周波用途向けプリント配線板を製造する工程を含む、高周波用途向けプリント配線板の製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、銅箔の表面パラメータの測定方法、及び銅箔の選別方法に関する。
【背景技術】
【0002】
プリント配線板の製造工程において、銅箔は絶縁樹脂基材と張り合わされた銅張積層板の形態で広く使用されている。この点、プリント配線板製造時に配線の剥がれが生じるのを防ぐために、銅箔と絶縁樹脂基材とは高い密着力を有することが望まれる。そこで、通常のプリント配線板製造用銅箔では、銅箔の張り合わせ面に粗化処理等の表面処理を施して微細な銅粒子からなる凹凸を形成し、この凹凸をプレス加工により絶縁樹脂基材の内部に食い込ませてアンカー効果を発揮させることで、密着性を向上している。
【0003】
近年の携帯用電子機器等の高機能化に伴い、大量の情報の高速処理をすべく信号の高周波化が進んでおり、高周波用途に適したプリント配線板が求められている。このような高周波用プリント配線板には、高周波信号を品質低下させずに伝送可能とするために、伝送損失の低減が望まれる。プリント配線板は配線パターンに加工された銅箔と絶縁基材とを備えたものであるが、伝送損失における主な損失としては、銅箔に起因する導体損失と、絶縁基材に起因する誘電損失が挙げられる。
【0004】
高周波用プリント配線板に用いられる銅箔として、例えば特許文献１（特開２０２０－５０９５４号公報）には、複数のピーク、複数の凹溝及び複数の微結晶クラスタを含む微小粗面化表面を有する微小粗面化電解銅箔が開示されており、この銅箔によれば信号輸送中の損失を効果的に抑制できるとされている。また、特許文献１には、レーザー顕微鏡を用いて、λｓ＝２．５μｍ及びλｃ＝０．００３ｍｍの条件で銅箔のＲｌｒ値を計測することも記載されている。
【0005】
ところで、プリント配線板の高周波特性（伝送損失の周波数依存性）は銅箔の表面粗さと相関があることが知られており、一般的に低粗度の銅箔を用いるほど高周波特性は良好となる傾向がある。銅箔の表面粗さ測定方法として、例えば非特許文献１（フレキシブルプリント配線板の高速伝送線路試験法ガイドライン第１版）には、高周波伝送線路用の銅箔表面プロファイルの三次元方式による試験方法が開示されている。この試験方法では、ＩＳＯ２５１７８に準拠した測定装置（共焦点顕微鏡）を用いて、所定のＳフィルター（０．５μｍ又は０．８μｍ）及びＬフィルター（２５μｍ、５０μｍ又は８０μｍ）で処理することにより、算術平均高さＳａを算出することが非特許文献１には記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０２０－５０９５４号公報
【文献】特開平９－２４１８８２号公報
【文献】ＷＯ２００８／０４１７０６Ａ１
【非特許文献】
【0007】
【文献】フレキシブルプリント配線板の高速伝送線路試験法ガイドライン第１版、一般社団法人日本電子回路工業会、２０１９年６月５日発行
【発明の概要】
【0008】
しかしながら、従来の銅箔の表面粗さ測定方法により算出された表面パラメータは、高周波特性との相関が必ずしも十分とはいえなかった。このため、表面処理銅箔を作製して実際に高周波特性の評価を行う必要があり、作業時間及び材料の無駄を要していた。
【0009】
本発明者らは、今般、リファレンスとしての表面処理銅箔の表面プロファイルに基づき、所定の条件を満たすようにＬフィルターのカットオフ値を設定し、その後、測定対象としての表面処理銅箔の表面プロファイルを予め設定されたカットオフ値のＬフィルターで処理することにより、高周波特性との高い相関を示す表面パラメータを簡便に取得できるとの知見を得た。
【0010】
したがって、本発明の目的は、高周波特性との高い相関を示す銅箔の表面パラメータを簡便に取得することが可能な測定方法を提供することにある。
【0011】
本発明によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
銅箔の表面パラメータの測定方法であって、
（ａ）フィルター条件を設定するために、リファレンスとしての表面処理銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得する工程と、
（ｂ）前記表面プロファイルに基づいてＬフィルターのカットオフ値を設定する工程であって、前記カットオフ値は、
（ｉ）Ｌフィルターで処理した後の算術平均高さＳａであるＳａ１が０．５μｍ以下を満たし、かつ、
（ｉｉ）Ｌフィルターで処理する前後における界面の展開面積比Ｓｄｒの変化率：（｜Ｓｄｒ０－Ｓｄｒ１｜／Ｓｄｒ０）×１００（式中、Ｓｄｒ０はＬフィルターで処理する前のＳｄｒであり、Ｓｄｒ１はＬフィルターで処理した後のＳｄｒである）が８０％以下を満たす、又は
（ｉｉ’）Ｌフィルターで処理する前後における、コア部の実体体積Ｖｍｃをコア部のレベル差Ｓｋで除して界面の展開面積比Ｓｄｒを乗じることにより、すなわち（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒの式により得られるα値の変化率：（｜α０－α１｜／α０）×１００（式中、α０はＬフィルターで処理する前のα値であり、α１はＬフィルターで処理した後のα値である）が８０％以下を満たすように設定され、
Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋはＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータである、工程と、
（ｃ）前記リファレンスとしての表面処理銅箔と同等の条件によって製造又は処理された、測定対象としての表面処理銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得する工程と、
（ｄ）前記測定対象としての表面処理銅箔について取得された表面プロファイルをフィルター処理する工程であって、前記カットオフ値のＬフィルターを用いて処理することを含む工程と、
（ｅ）前記フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、前記測定対象としての表面処理銅箔の処理表面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータのうち少なくとも１種を算出する工程と、
を含む、銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様２］
前記工程（ｄ）において、前記フィルター処理がＳフィルターを用いることなく行われる、態様１に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様３］
前記Ｓａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、前記Ｓｄｒの変化率が７０％以下である、態様１又は２に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様４］
前記Ｓａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、前記α値の変化率が７０％以下である、態様１～３のいずれか一つに記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様５］
前記工程（ｂ）において、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータの２階微分を行い、前記Ｌフィルターのカットオフ値を設定する、態様１～４のいずれか一つに記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様６］
銅箔の選別方法であって、
態様１～５のいずれか一つに記載の方法を用いて銅箔の表面パラメータを測定する工程であって、前記表面パラメータがＩＳＯ２５１７８で規定される算術平均高さＳａ、二乗平均平方根高さＳｑ、最大高さＳｚ、界面の展開面積比Ｓｄｒ、コア部の実体体積Ｖｍｃ及びコア部のレベル差Ｓｋからなる群から選択される少なくとも１種である工程と、
前記Ｓａが１．２μｍ以下、前記Ｓｑが２．５μｍ以下、前記Ｓｚが１４μｍ以下、前記Ｓｄｒが６０％以下、前記Ｖｍｃが１．５μｍ３以下、及び／又は前記Ｓｋが４μｍ以下の表面を有する銅箔を、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔として選別する工程と、
を含む、銅箔の選別方法。
［態様７］
態様６に記載の方法により得られた銅箔を用いて高周波用途向けプリント配線板を製造する工程を含む、高周波用途向けプリント配線板の製造方法。
［態様１］
銅箔の表面パラメータの測定方法であって、
（ａ）フィルター条件を設定するために、リファレンスとしての表面処理銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得する工程と、
（ｂ）前記表面プロファイルに基づいてＬフィルターのカットオフ値を設定する工程であって、前記カットオフ値は、
（ｉ）Ｌフィルターで処理した後の算術平均高さＳａであるＳａ１が０．５μｍ以下を満たし、かつ、
（ｉｉ）Ｌフィルターで処理する前後における界面の展開面積比Ｓｄｒの変化率：（｜Ｓｄｒ０－Ｓｄｒ１｜／Ｓｄｒ０）×１００（式中、Ｓｄｒ０はＬフィルターで処理する前のＳｄｒであり、Ｓｄｒ１はＬフィルターで処理した後のＳｄｒである）が８０％以下を満たす、又は
（ｉｉ’）Ｌフィルターで処理する前後における、コア部の実体体積Ｖｍｃをコア部のレベル差Ｓｋで除して界面の展開面積比Ｓｄｒを乗じることにより、すなわち（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒの式により得られるα値の変化率：（｜α０－α１｜／α０）×１００（式中、α０はＬフィルターで処理する前のα値であり、α１はＬフィルターで処理した後のα値である）が８０％以下を満たすように設定され、
Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋはＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータである、工程と、
（ｃ）前記リファレンスとしての表面処理銅箔と同等の条件によって製造又は処理された、測定対象としての表面処理銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得する工程と、
（ｄ）前記測定対象としての表面処理銅箔について取得された表面プロファイルをフィルター処理する工程であって、前記カットオフ値のＬフィルターを用いて処理することを含む工程と、
（ｅ）前記フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、前記測定対象としての表面処理銅箔の処理表面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータのうち少なくとも１種を算出する工程と、
を含む、銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様２］
前記工程（ｄ）において、前記フィルター処理がＳフィルターを用いることなく行われる、態様１に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様３］
前記Ｓａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、前記Ｓｄｒの変化率が７０％以下である、態様１又は２に記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様４］
前記Ｓａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、前記α値の変化率が７０％以下である、態様１～３のいずれか一つに記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様５］
前記工程（ｂ）において、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータの２階微分を行い、前記Ｌフィルターのカットオフ値を設定する、態様１～４のいずれか一つに記載の銅箔の表面パラメータの測定方法。
［態様６］
銅箔の選別方法であって、
態様１～５のいずれか一つに記載の方法を用いて銅箔の表面パラメータを測定する工程であって、前記表面パラメータがＩＳＯ２５１７８で規定される算術平均高さＳａ、二乗平均平方根高さＳｑ、最大高さＳｚ、界面の展開面積比Ｓｄｒ、コア部の実体体積Ｖｍｃ及びコア部のレベル差Ｓｋからなる群から選択される少なくとも１種である工程と、
前記Ｓａが１．２μｍ以下、前記Ｓｑが２．５μｍ以下、前記Ｓｚが１４μｍ以下、前記Ｓｄｒが６０％以下、前記Ｖｍｃが１．５μｍ３以下、及び／又は前記Ｓｋが４μｍ以下の表面を有する銅箔を、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔として選別する工程と、
を含む、銅箔の選別方法。
［態様７］
態様６に記載の方法により得られた銅箔を用いて高周波用途向けプリント配線板を製造する工程を含む、高周波用途向けプリント配線板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】ＩＳＯ２５１７８に準拠して決定される負荷曲線及び負荷面積率を説明するための図である。
【図2】ＩＳＯ２５１７８に準拠して決定される突出山部とコア部を分離する負荷面積率Ｓｍｒ１、突出谷部とコア部を分離する負荷面積率Ｓｍｒ２、及びコア部のレベル差Ｓｋを説明するための図である。
【図3】ＩＳＯ２５１７８に準拠して決定されるコア部の実体体積Ｖｍｃを説明するための図である。
【図4】複数のコブを有する銅箔表面の模式図であり、α値を説明するための図である。
【図5】本発明の銅箔の表面パラメータ測定方法を説明するための工程流れ図である。
【図6A】例Ａ１において、各カットオフ値によるＬフィルター処理を行った銅箔ｂの処理表面のＳｄｒを示したグラフである。
【図6B】例Ａ１において、各カットオフ値によるＬフィルター処理を行った銅箔ｂの処理表面のα値を示したグラフである。
【図7】銅箔ｂの処理表面において、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を示したグラフである。
【図8A】例Ａ１において、各カットオフ値によるＬフィルター処理を行った銅箔ｄの処理表面のＳｄｒを示したグラフである。
【図8B】例Ａ１において、各カットオフ値によるＬフィルター処理を行った銅箔ｄの処理表面のα値を示したグラフである。
【図9】銅箔ｄの処理表面において、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を示したグラフである。
【図10A】例Ａ１において、各カットオフ値によるＬフィルター処理を行った銅箔ｅの処理表面のＳｄｒを示したグラフである。
【図10B】例Ａ１において、各カットオフ値によるＬフィルター処理を行った銅箔ｅの処理表面のα値を示したグラフである。
【図11】銅箔ｅの処理表面において、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を示したグラフである。
【図12】例Ａ１～Ａ３における、銅箔の表面パラメータと伝送損失との回帰式の決定係数Ｒ２を比較したグラフである。
【図13】例Ｂ１における、銅箔ａ～ｅの算術平均高さＳａと高周波特性との相関関係を示すグラフである。
【図14】例Ｂ２～Ｂ８における、銅箔ａ～ｅのＳｄｒの変化率と、高周波特性との相関関係（決定係数Ｒ２）を表すグラフである。
【図15】例Ｂ２～Ｂ８における、銅箔ａ～ｅのα値の変化率と、高周波特性との相関関係（決定係数Ｒ２）を表すグラフである。
【図16】例Ｂ３における、銅箔ａ～ｅの算術平均高さＳａと高周波特性との相関関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0013】
定義
本発明を特定するために用いられる用語ないしパラメータの定義を以下に示す。
本発明を特定するために用いられる用語ないしパラメータの定義を以下に示す。
【0014】
本明細書において「算術平均高さＳａ」又は「Ｓａ」とは、ＩＳＯ２５１７８に規定される、表面の平均面に対して、各点における高さの差の絶対値の平均を表すパラメータである。つまり、Ｓａは輪郭曲線の算術平均高さＲａを面に拡張したパラメータに相当する。
【0015】
本明細書において「二乗平均平方根高さＳｑ」又は「Ｓｑ」とは、ＩＳＯ２５１７８に規定される、平均面からの距離の標準偏差に相当するパラメータであり、高さの標準偏差に相当する。
【0016】
本明細書において「最大高さＳｚ」又は「Ｓｚ」とは、ＩＳＯ２５１７８に規定される、表面の最も高い点から最も低い点までの距離を表す。
【0017】
本明細書において「界面の展開面積比Ｓｄｒ」又は「Ｓｄｒ」とは、ＩＳＯ２５１７８に規定される、定義領域の展開面積（表面積）が、定義領域の面積に対してどれだけ増大しているかを表すパラメータである。なお、本明細書では、界面の展開面積比Ｓｄｒを表面積の増加分（％）として表すものとする。この値が小さいほど、平坦に近い表面形状であることを示し、完全に平坦な表面のＳｄｒは０％となる。一方、この値が大きいほど、凹凸が多い表面形状であることを示す。例えば、表面のＳｄｒが４０％である場合、この表面は完全に平坦な表面から４０％表面積が増大していることを示す。
【0018】
本明細書において「面の負荷曲線」（以下、単に「負荷曲線」という）とは、ＩＳＯ２５１７８に規定される、負荷面積率が０％から１００％となる高さを表した曲線をいう。負荷面積率とは、図１に示されるように、ある高さｃ以上の領域の面積を表すパラメータである。高さｃでの負荷面積率は図１におけるＳｍｒ（ｃ）に相当する。図２に示されるように、負荷面積率が０％から負荷曲線に沿って負荷面積率の差を４０％にして引いた負荷曲線の割線を、負荷面積率０％から移動させていき、割線の傾斜が最も緩くなる位置を負荷曲線の中央部分という。この中央部分に対して、縦軸方向の偏差の二乗和が最小になる直線を等価直線という。等価直線の負荷面積率０％から１００％の高さの範囲に含まれる部分をコア部という。コア部より高い部分を突出山部といい、コア部より低い部分は突出谷部という。
【0019】
本明細書において「コア部のレベル差Ｓｋ」又は「Ｓｋ」とは、ＩＳＯ２５１７８に規定される、コア部の最大高さから最小高さを引いた値であり、図２に示されるように、等価直線の負荷面積率０％と１００％の高さの差により算出されるパラメータである。
【0020】
本明細書において「コア部の実体体積Ｖｍｃ」又は「Ｖｍｃ」とは、図３に示されるように、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される、コア部の体積を表すパラメータである。本明細書では、コア部と突出山部を分離する負荷面積率Ｓｍｒ１を１０％、及びコア部と突出谷部を分離する負荷面積率Ｓｍｒ２を８０％と指定してＶｍｃを算出するものとする。
【0021】
本明細書において「α値」とは、コア部の実体体積Ｖｍｃをコア部のレベル差Ｓｋで除して界面の展開面積比Ｓｄｒを乗じることにより、すなわち（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒの式により得られるパラメータを意味する。ここで、α値を説明するための銅箔表面の模式図を図４に示す。図４（ｉ）に示されるような複数のコブＮを有する銅箔表面において、ＶｍｃはコブＮから突出部を除去したコア部の体積に相当し、Ｓｋはコア部の高さに相当する（図４（ｉｉ）参照）。したがって、ＶｍｃをＳｋで除したＶｍｃ／Ｓｋはコア部の面積に相当するものであり（図４（ｉｉｉ）参照）、Ｖｍｃ／ＳｋにＳｄｒを乗じたα値は、コア部のＳｄｒを反映したパラメータであるといえる（図４（ｉｖ）参照）。
【0022】
本明細書において「未処理銅箔」とは、粗化処理や防錆処理等の表面処理が行われていない段階の銅箔を指す。ここでいう銅箔は、支持層、剥離層及び極薄銅層を備える銅箔（いわゆるキャリア付き銅箔）でもよい。
【0023】
本明細書において、電解銅箔の「電極面」とは、作製時に陰極と接していた側の面を指す。
【0024】
本明細書において、電解銅箔の「析出面」とは、作製時に電解銅が析出されていく側の面、すなわち陰極と接していない側の面を指す。
【0025】
本明細書において、「Ｌフィルター」とは大きい波長成分を除去するフィルターであり、輪郭曲線方式の測定（線粗さ測定）においては「λｃ」とも称される。すなわち、Ｌフィルターは銅箔のうねり等の大きいスケールの波長成分を除去するフィルターである。
【0026】
本明細書において、「Ｓフィルター」とは小さい波長成分を除去するフィルターであり、輪郭曲線方式の測定（線粗さ測定）においては「λｓ」とも称される。すなわち、Ｓフィルターは銅箔の粗化処理等の小さいスケールの波長成分を除去するフィルターである。
【0027】
銅箔の表面パラメータの測定方法
本発明の方法は、銅箔の表面パラメータの測定方法である。この方法は、（１）リファレンス銅箔の表面プロファイル取得、（２）Ｌフィルターのカットオフ値設定、（３）測定対象銅箔の表面プロファイル取得、（４）測定対象銅箔の表面プロファイルのフィルター処理、及び（５）測定対象銅箔の表面パラメータ算出の各工程を含む。以下、図面を参照しながら、工程（１）～（５）の各々について説明する。
本発明の方法は、銅箔の表面パラメータの測定方法である。この方法は、（１）リファレンス銅箔の表面プロファイル取得、（２）Ｌフィルターのカットオフ値設定、（３）測定対象銅箔の表面プロファイル取得、（４）測定対象銅箔の表面プロファイルのフィルター処理、及び（５）測定対象銅箔の表面パラメータ算出の各工程を含む。以下、図面を参照しながら、工程（１）～（５）の各々について説明する。
【0028】
（１）リファレンス銅箔の表面プロファイル取得
本発明による銅箔の表面パラメータの測定方法の一例を図５に示す。まず、図５（ｉ）に示されるように、フィルター条件を設定するために、リファレンスとしての表面処理銅箔１０の処理表面における表面プロファイルを取得する。なお、本明細書において、リファレンスとしての表面処理銅箔を「リファレンス銅箔」と称することがある。
本発明による銅箔の表面パラメータの測定方法の一例を図５に示す。まず、図５（ｉ）に示されるように、フィルター条件を設定するために、リファレンスとしての表面処理銅箔１０の処理表面における表面プロファイルを取得する。なお、本明細書において、リファレンスとしての表面処理銅箔を「リファレンス銅箔」と称することがある。
【0029】
フィルター条件を設定するためのリファレンス銅箔１０の表面プロファイル取得は、非接触式表面粗さ測定器、例えば市販のレーザー顕微鏡を用いてリファレンス銅箔１０の処理表面を測定することにより、好ましく行うことができる。レーザー顕微鏡による測定を行う場合、測定面積は９０μｍ２以上１０３，０００μｍ２以下とするのが好ましく、より好ましくは１，０００μｍ２以上２６，０００μｍ２以下、さらに好ましくは１，０００μｍ２以上１７，０００μｍ２以下である。また、レーザー顕微鏡の測定倍率は５０倍以上５００倍以下が好ましく、より好ましくは１００倍以上４００倍以下である。
【0030】
リファレンス銅箔１０は、公知の手法及び条件に従って製造されたものであってもよく、市販品であってもよい。例えば、図５（ｉ）に示されるように、リファレンス銅箔１０は、未処理銅箔１２の少なくとも一方の面に対して表面処理を行ってコブ１４（例えば粗化粒子）等を形成することにより、好ましく製造することができる。リファレンス銅箔１０の厚さ（キャリア付き銅箔の場合は極薄銅層の厚さを指す）は０．５μｍ以上２１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上７０μｍ以下である。
【0031】
未処理銅箔１２は、電解銅箔及び圧延銅箔のいずれであってもよいが、好ましくは電解銅箔である。未処理銅箔１２に施される表面処理の例としては、粗化処理、防錆処理、カップリング剤処理、及びそれら任意の組合せが挙げられる。例えば、リファレンス銅箔１０は、未処理銅箔１２に対して少なくとも粗化処理が行われることにより、コブ１４を備えたものであるのが好ましいが、粗化処理無しの防錆処理のみが行われたものであってもよい。未処理銅箔１２が電解銅箔である場合、表面処理は、電解銅箔の電極面及び析出面のいずれの表面に対して行われるものであってもよい。
【0032】
（２）Ｌフィルターのカットオフ値設定
取得したリファレンスとしての表面処理銅箔１０の表面プロファイルに基づいて、Ｌフィルターのカットオフ値を設定する。このように予めＬフィルターのカットオフ値を設定しておくことで、測定対象の表面処理銅箔ごとに測定条件を逐一設定して表面パラメータを算出することが不要となる。また、表面処理銅箔の処理表面における凹凸は、コブ（粗化粒子等）に起因する粗さ成分と、銅箔のうねりに起因するうねり成分とからなる。そして、プリント配線板の伝送損失は、高周波になるほど顕著に現れる銅箔の表皮効果によって増大するが、うねり成分は伝送損失に影響を及ぼしにくく、主に粗さ成分が伝送損失に影響を及ぼす。この点、後述する条件を満たすようにＬフィルターのカットオフ値を設定することにより、高周波特性と高い相関を示す表面パラメータを簡便に取得することができる。なお、Ｌフィルターのカットオフ値の設定は、後述する第一の態様及び第二の態様のいずれか一方のみを満たすように行われてもよく、両方を満たすように行われてもよい。
取得したリファレンスとしての表面処理銅箔１０の表面プロファイルに基づいて、Ｌフィルターのカットオフ値を設定する。このように予めＬフィルターのカットオフ値を設定しておくことで、測定対象の表面処理銅箔ごとに測定条件を逐一設定して表面パラメータを算出することが不要となる。また、表面処理銅箔の処理表面における凹凸は、コブ（粗化粒子等）に起因する粗さ成分と、銅箔のうねりに起因するうねり成分とからなる。そして、プリント配線板の伝送損失は、高周波になるほど顕著に現れる銅箔の表皮効果によって増大するが、うねり成分は伝送損失に影響を及ぼしにくく、主に粗さ成分が伝送損失に影響を及ぼす。この点、後述する条件を満たすようにＬフィルターのカットオフ値を設定することにより、高周波特性と高い相関を示す表面パラメータを簡便に取得することができる。なお、Ｌフィルターのカットオフ値の設定は、後述する第一の態様及び第二の態様のいずれか一方のみを満たすように行われてもよく、両方を満たすように行われてもよい。
【0033】
本発明の第一の態様によれば、Ｌフィルターのカットオフ値が、（ｉ）Ｌフィルターで処理した後のＳａであるＳａ１が０．５μｍ以下を満たし、かつ、（ｉｉ）Ｌフィルターで処理する前後におけるＳｄｒの変化率：（｜Ｓｄｒ０－Ｓｄｒ１｜／Ｓｄｒ０）×１００（式中、Ｓｄｒ０はＬフィルターで処理する前のＳｄｒであり、Ｓｄｒ１はＬフィルターで処理した後のＳｄｒである）が８０％以下を満たすように設定される。Ｌフィルターのカットオフ値は、好ましくはＳａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、Ｓｄｒの変化率が７０％以下、より好ましくはＳａ１が０．００１μｍ以上０．３μｍ以下であり、かつ、Ｓｄｒの変化率が０．１％以上６０％以下、さらに好ましくはＳａ１が０．００５μｍ以上０．２μｍ以下であり、かつ、Ｓｄｒの変化率が１％以上４０％以下であるように設定される。すなわち、Ｓａ１は０．５μｍ以下であり、好ましくは０．３μｍ以下、より好ましくは０．００１μｍ以上０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．００５μｍ以上０．２μｍ以下である。Ｓａ１が上記範囲内であると、高周波特性に影響を及ぼしにくいうねり成分を効果的に除去することができる。また、Ｓｄｒの変化率は８０％以下であり、好ましくは７０％以下、より好ましくは０．１％以上６０％以下、さらに好ましくは１％以上４０％以下である。Ｓｄｒの変化率が上記範囲内であると、高周波特性に大きな影響を及ぼす粗さ成分（コブ成分）を確実に残すことができる。つまり、粗さ成分を除去するカットオフ値でＬフィルターによる処理を行った場合、Ｓｄｒの変化率が大きくなる。このため、Ｓｄｒの変化率を上記範囲内に制御することにより、高周波特性の評価に必要な粗さ成分が除去されることを効果的に抑制することができる。したがって、上記条件を満たすようにＬフィルターのカットオフ値を設定することで、後述する工程において、高周波特性との高い相関を示す表面処理銅箔の表面パラメータを算出することができる。
【0034】
本発明の第二の態様によれば、Ｌフィルターのカットオフ値が、（ｉ）Ｌフィルターで処理した後のＳａであるＳａ１が０．５μｍ以下を満たし、かつ、（ｉｉ’）Ｌフィルターで処理する前後におけるα値の変化率：（｜α０－α１｜／α０）×１００（式中、α０はＬフィルターで処理する前のα値であり、α１はＬフィルターで処理した後のα値である）が８０％以下を満たすように設定される。Ｌフィルターのカットオフ値は、より好ましくはＳａ１が０．３μｍ以下であり、かつ、α値の変化率が７０％以下、さらに好ましくはＳａ１が０．００１μｍ以上０．３μｍ以下であり、かつ、α値の変化率が０．１％以上６０％以下、特に好ましくはＳａ１が０．００５μｍ以上０．２μｍ以下であり、かつ、α値の変化率が１％以上４０％以下であるように設定される。すなわち、Ｓａ１は０．５μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．００１μｍ以上０．３μｍ以下、特に好ましくは０．００５μｍ以上０．２μｍ以下である。Ｓａ１が上記範囲内であると、高周波特性に影響を及ぼしにくいうねり成分を効果的に除去することができる。また、α値の変化率は８０％以下が好ましく、より好ましくは７０％以下、さらに好ましくは０．１％以上６０％以下、特に好ましくは１％以上４０％以下である。α値の変化率が上記範囲内であると、高周波特性に大きな影響を及ぼす粗さ成分（コブ成分）を確実に残すことができる。つまり、粗さ成分を除去するカットオフ値でフィルター処理を行った場合、α値の変化率が大きくなる。このため、α値の変化率を上記範囲内に制御することにより、高周波特性の評価に必要な粗さ成分が除去されることを効果的に抑制することができる。したがって、上記条件を満たすようにＬフィルターのカットオフ値を設定することで、後述する工程において、高周波特性との高い相関を示す表面処理銅箔の表面パラメータを算出することができる。
【0035】
Ｌフィルターのカットオフ値の設定は、以下のようにして行われてもよい。まず、暫定的に複数のＬフィルターのカットオフ値を使用してリファレンス銅箔１０の表面プロファイルを解析し、カットオフ値ごとの表面パラメータを算出する。そして、算出された表面パラメータに基づいて、上記複数のカットオフ値の中から好ましいカットオフ値を特定する。このようなカットオフ値の特定は、例えば本明細書の実施例に記載される諸条件に従って変化点を求めることにより、好ましく行うことができる。特に、最適なカットオフ値をより確実に設定する観点から、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータ（例えばＳｄｒ又はα値）の２階微分を行い、Ｌフィルターのカットオフ値を設定するのが好ましい。
【0036】
（３）測定対象銅箔の表面プロファイル取得
図５（ｉｉ）に示されるように、測定対象としての表面処理銅箔１０’の処理表面における表面プロファイルを取得する。なお、本明細書において、測定対象としての表面処理銅箔を「測定対象銅箔」と称することがある。この測定対象銅箔１０’は、リファレンス銅箔１０と同等の条件によって製造又は処理されたものである。このような例としては、リファレンス銅箔１０と測定対象銅箔１０’とが、互いに同一仕様で別ロットの製品である場合が挙げられる。ただし、リファレンス銅箔１０及び測定対象銅箔１０’の処理表面における表面プロファイルの取得箇所が互いに異なる場合、両者は同一製品であってもよい。すなわち、本発明の方法は、ロール状のように長尺の表面処理銅箔を製造する場合に、例えば製造ロットの初期及び後期における表面処理状態の変化を確認するために好ましく利用することができる。
図５（ｉｉ）に示されるように、測定対象としての表面処理銅箔１０’の処理表面における表面プロファイルを取得する。なお、本明細書において、測定対象としての表面処理銅箔を「測定対象銅箔」と称することがある。この測定対象銅箔１０’は、リファレンス銅箔１０と同等の条件によって製造又は処理されたものである。このような例としては、リファレンス銅箔１０と測定対象銅箔１０’とが、互いに同一仕様で別ロットの製品である場合が挙げられる。ただし、リファレンス銅箔１０及び測定対象銅箔１０’の処理表面における表面プロファイルの取得箇所が互いに異なる場合、両者は同一製品であってもよい。すなわち、本発明の方法は、ロール状のように長尺の表面処理銅箔を製造する場合に、例えば製造ロットの初期及び後期における表面処理状態の変化を確認するために好ましく利用することができる。
【0037】
このように、本発明による銅箔の表面パラメータの測定方法は、製品管理や品質保証等に好ましく用いることができる。すなわち、本発明の工程を経て取得された表面パラメータを利用することで、後述するとおり良品質の製品を簡便かつ確実に選別及び出荷することができる。例えば、測定対象銅箔１０’の表面プロファイルの測定及び表面パラメータの算出は、測定対象銅箔１０’の製造直後に行われるものであってもよく、出荷前検査時に行われるものであってもよい。
【0038】
測定対象銅箔１０’の表面プロファイル取得は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）、接触式表面粗さ測定器、非接触式表面粗さ測定器等、様々な公知の機器を用いることができる。例えば非接触式表面粗さ測定器である市販のレーザー顕微鏡を用いて測定対象銅箔１０’の表面を測定することにより、表面プロファイル取得を好ましく行うことができる。レーザー顕微鏡による測定条件は、例えばリファレンス銅箔１０の表面プロファイル取得に関して上述した条件をそのまま採用することができる。
【0039】
（４）測定対象銅箔の表面プロファイルのフィルター処理
測定対象としての表面処理銅箔１０’について取得された表面プロファイルをフィルター処理する。このフィルター処理は、上述したリファレンス銅箔１０の表面プロファイルに基づいて設定されたカットオフ値のＬフィルターを用いて処理することを含む。こうすることで、上述のとおり高周波特性に影響を及ぼしにくい銅箔のうねり成分を選択的に除去することができ、高周波特性に大きな影響を及ぼす粗さ成分を反映した表面パラメータを算出することが可能となる。
測定対象としての表面処理銅箔１０’について取得された表面プロファイルをフィルター処理する。このフィルター処理は、上述したリファレンス銅箔１０の表面プロファイルに基づいて設定されたカットオフ値のＬフィルターを用いて処理することを含む。こうすることで、上述のとおり高周波特性に影響を及ぼしにくい銅箔のうねり成分を選択的に除去することができ、高周波特性に大きな影響を及ぼす粗さ成分を反映した表面パラメータを算出することが可能となる。
【0040】
上記フィルター処理は、Ｓフィルターを用いることなく行われるのが好ましい。Ｓフィルターによる処理を行った場合、Ｓフィルターのカットオフ値より小さな凹凸が平均化される（除去される）ことになる。したがって、Ｓフィルターを用いることなくフィルター処理を行うことで、測定対象銅箔１０’に存在する小さなコブ（粗化粒子等）を確実に検出することができ、結果として高周波特性との相関がより一層高い表面パラメータを算出することが可能となる。
【0041】
（５）測定対象銅箔の表面パラメータ算出
フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、測定対象としての表面処理銅箔１０’の処理表面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータのうち少なくとも１種を算出する。上述した工程を経て算出された表面パラメータは、うねり成分の影響が十分に排除され、表面処理銅箔の粗さ成分が的確に反映されたパラメータであり、それ故、高周波特性を精度良く予測できる。その結果、銅箔作製のたびに実際に高周波特性の評価を行うことが不要となり、作業時間及び材料の無駄を省くことが可能となる。
フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、測定対象としての表面処理銅箔１０’の処理表面における、ＩＳＯ２５１７８で規定される表面パラメータのうち少なくとも１種を算出する。上述した工程を経て算出された表面パラメータは、うねり成分の影響が十分に排除され、表面処理銅箔の粗さ成分が的確に反映されたパラメータであり、それ故、高周波特性を精度良く予測できる。その結果、銅箔作製のたびに実際に高周波特性の評価を行うことが不要となり、作業時間及び材料の無駄を省くことが可能となる。
【0042】
算出される表面パラメータの好ましい例としては、Ｓａ、Ｓｑ、Ｓｚ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ、Ｓｋ、及びそれらの組合せ（例えばα値）が挙げられ、より好ましくはＳａ、Ｓｑ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ、Ｓｋ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＳａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ、Ｓｋ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＳａ、Ｓｄｒ及びそれらの組合せである。これらの表面パラメータであると、高周波特性との相関がより一層高いものとなる。
【0043】
銅箔の選別方法
本発明の好ましい態様によれば、銅箔の選別方法が提供される。この銅箔の選別方法は、上述した方法に基づき銅箔の表面パラメータを測定する工程と、所定の表面パラメータを有する銅箔を、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔として選別する工程とを含む。
本発明の好ましい態様によれば、銅箔の選別方法が提供される。この銅箔の選別方法は、上述した方法に基づき銅箔の表面パラメータを測定する工程と、所定の表面パラメータを有する銅箔を、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔として選別する工程とを含む。
【0044】
本態様において測定される銅箔の表面パラメータは、Ｓａ、Ｓｑ、Ｓｚ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋからなる群から選択される少なくとも１種である。そして、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及び／又はＳｋが表１に示される範囲内の表面を有する銅箔を、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔として選別する。
【0045】
【表1】
【0046】
上述のとおり、本発明の方法により測定された銅箔の表面パラメータは、高周波特性との高い相関を有するため、高周波特性の代替指標として利用することができる。この点、上記範囲内の表面パラメータを満たす表面を有する銅箔は、高周波特性にとりわけ優れたものと判定することができ、それ故、高周波用途向けプリント配線板に適した銅箔といえる。
【0047】
プリント配線板の製造方法
本発明の好ましい態様によれば、高周波用途向けプリント配線板の製造方法が提供される。このプリント配線板の製造方法は、上述した方法により得られた銅箔を用いて高周波用途向けプリント配線板を製造する工程を含む。プリント配線板は公知の層構成が採用可能である。すなわち、プリント配線板の製造は、本発明の方法により選別された表面処理銅箔を用いること以外は、公知の手法及び条件を採用することができ、特に限定されない。
本発明の好ましい態様によれば、高周波用途向けプリント配線板の製造方法が提供される。このプリント配線板の製造方法は、上述した方法により得られた銅箔を用いて高周波用途向けプリント配線板を製造する工程を含む。プリント配線板は公知の層構成が採用可能である。すなわち、プリント配線板の製造は、本発明の方法により選別された表面処理銅箔を用いること以外は、公知の手法及び条件を採用することができ、特に限定されない。
【0048】
本発明の方法により製造されたプリント配線板は、１ＧＨｚ以上の高周波用途に使用されるのが好ましく、より好ましくは３ＧＨｚ以上、さらに好ましくは２０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下である。
【実施例】
【0049】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
【0050】
［例Ａ１～Ａ３］
本発明の方法に従って、リファレンス銅箔の表面プロファイルに基づきＬフィルターのカットオフ値を設定し、測定対象銅箔の表面パラメータと高周波特性との相関関係を確認した。具体的には、以下のとおりである。
本発明の方法に従って、リファレンス銅箔の表面プロファイルに基づきＬフィルターのカットオフ値を設定し、測定対象銅箔の表面パラメータと高周波特性との相関関係を確認した。具体的には、以下のとおりである。
【0051】
例Ａ１
（１）リファレンス銅箔の用意
まず、未処理銅箔として、電解製箔されたままの銅箔（析離箔）を以下のとおり２種類用意した。
‐未処理銅箔Ｉ：厚さ１８μｍ、特許文献２（特開平９－２４１８８２号公報）に開示される方法により製造
‐未処理銅箔ＩＩ：厚さ１８μｍ、特許文献３（ＷＯ２００８／０４１７０６Ａ１）に開示される方法により製造
（１）リファレンス銅箔の用意
まず、未処理銅箔として、電解製箔されたままの銅箔（析離箔）を以下のとおり２種類用意した。
‐未処理銅箔Ｉ：厚さ１８μｍ、特許文献２（特開平９－２４１８８２号公報）に開示される方法により製造
‐未処理銅箔ＩＩ：厚さ１８μｍ、特許文献３（ＷＯ２００８／０４１７０６Ａ１）に開示される方法により製造
【0052】
次いで、 表２に示されるように、未処理銅箔Ｉ又はＩＩの電極面又は析出面に対して、公知の条件で表面処理（粗化処理）を行うことにより、リファレンス銅箔として、表面粗さの異なる５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ～ｅ）を作製した。なお、銅箔ａ、ｃ及びｅは、未処理銅箔ＩＩの析出面に対してそれぞれ異なる条件で粗化処理を行っており、それ故、互いに異なる表面粗さを有している。また、作製された銅箔ａ～ｅはいずれも市販品と同等の性質（表面粗さや高周波特性等）を有するものである。
【0053】
（２）リファレンス銅箔の表面プロファイル取得
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ－５０００）を用いて、測定面積４０９６μｍ２及び倍率２００倍の条件で、作製した表面処理銅箔の処理表面を測定し、表面プロファイルを取得した。
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ－５０００）を用いて、測定面積４０９６μｍ２及び倍率２００倍の条件で、作製した表面処理銅箔の処理表面を測定し、表面プロファイルを取得した。
【0054】
（３）Ｌフィルターのカットオフ値設定
得られたリファレンス銅箔の表面プロファイルを解析することにより、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。具体的には、Ｌフィルターのカットオフ値を０．３μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ、４．５μｍ、５．０μｍ、６．０μｍ、７．０μｍ、８．０μｍ、９．０μｍ、１０μｍ、３０μｍ及び６４μｍと変更して解析を行うことで、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。また、Ｌフィルターによるカットオフを行わない条件でのＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋも同様に算出した。算出されたＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋに基づき、α値（＝（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒ）を計算するとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分及びα値の２階微分を計算した。参考のため、銅箔ｂにおける、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値を図６Ａ及び６Ｂにそれぞれ示すとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を図７に示す。また、銅箔ｄにおける、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値を図８Ａ及び８Ｂにそれぞれ示すとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を図９に示す。さらに、銅箔ｅにおける、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値を図１０Ａ及び１０Ｂにそれぞれ示すとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を図１１に示す。
得られたリファレンス銅箔の表面プロファイルを解析することにより、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。具体的には、Ｌフィルターのカットオフ値を０．３μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ、４．５μｍ、５．０μｍ、６．０μｍ、７．０μｍ、８．０μｍ、９．０μｍ、１０μｍ、３０μｍ及び６４μｍと変更して解析を行うことで、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。また、Ｌフィルターによるカットオフを行わない条件でのＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋも同様に算出した。算出されたＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋに基づき、α値（＝（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒ）を計算するとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分及びα値の２階微分を計算した。参考のため、銅箔ｂにおける、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値を図６Ａ及び６Ｂにそれぞれ示すとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を図７に示す。また、銅箔ｄにおける、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値を図８Ａ及び８Ｂにそれぞれ示すとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を図９に示す。さらに、銅箔ｅにおける、各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値を図１０Ａ及び１０Ｂにそれぞれ示すとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの２階微分を図１１に示す。
【0055】
各カットオフ値によるＬフィルター処理後のＳｄｒ及びα値、並びにＳｄｒの２階微分の計算結果より、銅箔ａ～ｅにおいて、Ｓｄｒ及びα値が変化点となるＬフィルターのカットオフ値をそれぞれ確認した。その結果、銅箔ａ及び銅箔ｂはカットオフ値が４．０μｍのときに、銅箔ｃ及びｄはカットオフ値が３．５μｍのときに、銅箔ｅはカットオフ値が３．０μｍのときに、それぞれＳｄｒ及びα値が変化点となることが確認された。そして、これらのカットオフ値でＬフィルター処理を行ったとき、銅箔ａ～ｅにおけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率はいずれも８０％以下であり、かつ、Ｌフィルター処理後のＳａ（つまりＳａ１）の値はいずれも０．５μｍ以下であることが確認された。以上の結果より、銅箔ａ～ｅにおけるＬフィルターのカットオフ値を、表２に示すようにそれぞれ設定した。なお、ここでいう「変化点」とは、カットオフ値及び表面パラメータ（ここではＳｄｒ及びα値）の関係を示すグラフにおいて、グラフの傾きが大きく変化する点である。カットオフ値を変化点よりも小さな値にすると、実際には表面に存在する小さな凹凸が平均化される（除去される）領域に入ることを示している。ただし、「変化点」を厳密かつ一義的に定めることは難しいため、ある程度の幅が許容される概念である。カットオフ値及び表面パラメータの関係における２階微分を用いると「変化点」を見極める精度が高まり、より好適なカットオフ値を設定する一助となる。本実施例では銅箔ａ～ｅの処理表面におけるＳｄｒ及びα値をそれぞれ２階微分した値を用いて「変化点」を求めた。２階微分の算出に際しては、誤差を小さくするため３区間移動平均を使用した。
【0056】
（４）測定対象銅箔の用意
上記（１）で作製したリファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）と同一の条件を用いて、測定対象銅箔としての５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）をそれぞれ作製した。
上記（１）で作製したリファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）と同一の条件を用いて、測定対象銅箔としての５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）をそれぞれ作製した。
【0057】
（５）測定対象銅箔の表面プロファイル取得
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ－５０００）を用いて、測定面積４０９６μｍ２及び倍率２００倍の条件で測定対象銅箔の処理表面を測定し、表面プロファイルを取得した。
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ－５０００）を用いて、測定面積４０９６μｍ２及び倍率２００倍の条件で測定対象銅箔の処理表面を測定し、表面プロファイルを取得した。
【0058】
（６）フィルター処理及び表面パラメータ算出
各測定対象銅箔の表面プロファイルをフィルター処理した。このとき、表２に示されるとおり、Ｌフィルターのカットオフ値を上記（３）で設定した数値、すなわち銅箔ａ及び銅箔ｂについては４．０μｍ、銅箔ｃ及びｄについては３．５μｍ、銅箔ｅについては３．０μｍとした。このフィルター処理は、Ｓフィルターによる処理は行わず、Ｌフィルターによる処理のみを行った。フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出するとともに、α値を計算した。結果は表２に示されるとおりであった。
各測定対象銅箔の表面プロファイルをフィルター処理した。このとき、表２に示されるとおり、Ｌフィルターのカットオフ値を上記（３）で設定した数値、すなわち銅箔ａ及び銅箔ｂについては４．０μｍ、銅箔ｃ及びｄについては３．５μｍ、銅箔ｅについては３．０μｍとした。このフィルター処理は、Ｓフィルターによる処理は行わず、Ｌフィルターによる処理のみを行った。フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出するとともに、α値を計算した。結果は表２に示されるとおりであった。
【0059】
（７）高周波特性の評価
絶縁樹脂基材として高周波用基材（パナソニック製、ＭＥＧＴＲＯＮ６Ｎ）を用意した。この絶縁樹脂基材の両面に表面処理銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）をその処理表面が絶縁樹脂基材と当接するように積層し、真空プレス機を使用して、温度１９０℃、プレス時間１２０分の条件で積層し、絶縁厚さ１３６μｍの銅張積層板を得た。その後、当該銅張積層板にエッチング加工を施し、特性インピーダンスが５０Ωになるようマイクロストリップラインを形成した伝送損失測定用基板を得た。得られた伝送損失測定用基板に対して、ネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー製、Ｎ５２２５Ｂ）を用いて、５０ＧＨｚの伝送損失（ｄＢ／ｃｍ）を測定した。結果は表２に示されるとおりであった。
絶縁樹脂基材として高周波用基材（パナソニック製、ＭＥＧＴＲＯＮ６Ｎ）を用意した。この絶縁樹脂基材の両面に表面処理銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）をその処理表面が絶縁樹脂基材と当接するように積層し、真空プレス機を使用して、温度１９０℃、プレス時間１２０分の条件で積層し、絶縁厚さ１３６μｍの銅張積層板を得た。その後、当該銅張積層板にエッチング加工を施し、特性インピーダンスが５０Ωになるようマイクロストリップラインを形成した伝送損失測定用基板を得た。得られた伝送損失測定用基板に対して、ネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー製、Ｎ５２２５Ｂ）を用いて、５０ＧＨｚの伝送損失（ｄＢ／ｃｍ）を測定した。結果は表２に示されるとおりであった。
【0060】
（８）表面パラメータ及び高周波特性の相関関係
伝送損失を横軸とし、表面パラメータ（Ｓｄｒ又はα値）を縦軸として、各銅箔の評価結果をプロットした。このプロットデータに基づき、線形近似（最小二乗法）により回帰式を求めるとともに、決定係数Ｒ２を算出した。その結果、Ｓｄｒを縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９７８６であり、α値を縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９７１７であった。
伝送損失を横軸とし、表面パラメータ（Ｓｄｒ又はα値）を縦軸として、各銅箔の評価結果をプロットした。このプロットデータに基づき、線形近似（最小二乗法）により回帰式を求めるとともに、決定係数Ｒ２を算出した。その結果、Ｓｄｒを縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９７８６であり、α値を縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９７１７であった。
【0061】
【表2】
【0062】
例Ａ２
リファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）において、Ｌフィルターのカットオフ値を５．０μｍと設定したこと、すなわちＬフィルターのカットオフ値を５．０μｍとして測定対象銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）における表面プロファイルのフィルター処理を行ったこと以外は、例Ａ１と同様にして表面パラメータ及び高周波特性の相関関係を確認した。ここで、Ｌフィルターのカットオフ値を５．０μｍとしたときに、銅箔ａ～ｅにおけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率はいずれも８０％以下であり、かつ、Ｌフィルター処理後のＳａ（つまりＳａ１）の値はいずれも０．５μｍ以下であった。
リファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）において、Ｌフィルターのカットオフ値を５．０μｍと設定したこと、すなわちＬフィルターのカットオフ値を５．０μｍとして測定対象銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）における表面プロファイルのフィルター処理を行ったこと以外は、例Ａ１と同様にして表面パラメータ及び高周波特性の相関関係を確認した。ここで、Ｌフィルターのカットオフ値を５．０μｍとしたときに、銅箔ａ～ｅにおけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率はいずれも８０％以下であり、かつ、Ｌフィルター処理後のＳａ（つまりＳａ１）の値はいずれも０．５μｍ以下であった。
【0063】
その結果、Ｓｄｒを縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９６６６であり、α値を縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９５１８であった。なお、例Ａ１では、Ｓｄｒ及びα値の変化点を４．０μｍ（銅箔ａ及び銅箔ｂ）、３．５μｍ（銅箔ｃ及び銅箔ｄ）又は３．０μｍ（銅箔ｅ）とみなしているが、これらは例Ａ２におけるカットオフ値の設定値（５．０μｍ）とは相違する。この点、図６Ａ、６Ｂ、８Ａ、８Ｂ、１０Ａ及び１０Ｂに示されるように、カットオフ値が３．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲において、Ｓｄｒ及びα値の変化が小さいことから、上記カットオフ設定値は変化点として許容されるものである。
【0064】
例Ａ３
リファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）において、Ｌフィルターのカットオフ値を２．０μｍと設定したこと、すなわちＬフィルターのカットオフ値を２．０μｍとして測定対象銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）における表面プロファイルのフィルター処理を行ったこと以外は、例Ａ１と同様にして表面パラメータ及び高周波特性の相関関係を確認した。ここで、Ｌフィルターのカットオフ値を２．０μｍとしたときに、銅箔ａ～ｅにおけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率はいずれも８０％以下であり、かつ、Ｌフィルター処理後のＳａ（つまりＳａ１）の値はいずれも０．５μｍ以下であった。
リファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）において、Ｌフィルターのカットオフ値を２．０μｍと設定したこと、すなわちＬフィルターのカットオフ値を２．０μｍとして測定対象銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）における表面プロファイルのフィルター処理を行ったこと以外は、例Ａ１と同様にして表面パラメータ及び高周波特性の相関関係を確認した。ここで、Ｌフィルターのカットオフ値を２．０μｍとしたときに、銅箔ａ～ｅにおけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率はいずれも８０％以下であり、かつ、Ｌフィルター処理後のＳａ（つまりＳａ１）の値はいずれも０．５μｍ以下であった。
【0065】
その結果、Ｓｄｒを縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９６８７であり、α値を縦軸とした場合の回帰式における決定係数Ｒ２は０．９６０９であった。なお、例Ａ１では、Ｓｄｒ及びα値の変化点を４．０μｍ（銅箔ａ及び銅箔ｂ）、３．５μｍ（銅箔ｃ及び銅箔ｄ）又は３．０μｍ（銅箔ｅ）とみなしているが、これらは例Ａ３におけるカットオフ値の設定値（２．０μｍ）とは相違する。この点、図６Ａ、６Ｂ、８Ａ、８Ｂ、１０Ａ及び１０Ｂに示されるように、カットオフ値が２．０μｍ以上４．０μｍ以下の範囲において、Ｓｄｒ及びα値の変化が小さいことから、上記カットオフ設定値は変化点として許容されるものである。
【0066】
例Ａ１～Ａ３における、銅箔の表面パラメータ（Ｓｄｒ又はα値）と伝送損失との回帰式の決定係数Ｒ２を比較したグラフを図１２に示す。図１２に示されるように、例Ａ１～Ａ３のいずれにおいても、表面パラメータ及び高周波特性の相関は良好であった。すなわち、リファレンス銅箔（銅箔ａ～ｅ）を用いてＬフィルターのカットオフ値を所定の条件に基づき予め設定することにより、測定対象銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）の表面パラメータが高周波特性を的確に反映することを確認した。また、リファレンス銅箔の表面パラメータに応じて個別にカットオフ値を設定して算出された表面パラメータ（例Ａ１で算出された表面パラメータ）は、Ｌフィルターのカットオフ値を固定して算出された表面パラメータ（例Ａ２及びＡ３で算出された表面パラメータ）と比較して、高周波特性との相関がより良好な結果となった。これにより、従来は表面処理銅箔を用いて高周波特性評価用のサンプル基板を逐一作製して、評価を行う必要があったところ、当該作業が不要となったため、作業時間の短縮及び材料の無駄の低減に繋がった。
【0067】
［例Ｂ１～Ｂ８］
Ｌフィルターのカットオフ値を変更することで、所定の条件を満たす場合に表面処理銅箔の表面パラメータが高周波特性と高い相関を示すことを確認した。具体的には、以下のとおりである。
Ｌフィルターのカットオフ値を変更することで、所定の条件を満たす場合に表面処理銅箔の表面パラメータが高周波特性と高い相関を示すことを確認した。具体的には、以下のとおりである。
【0068】
例Ｂ１（比較）
（１）リファレンス銅箔の用意
例Ａ１と同様にして、表面粗さの異なる５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ～ｅ）をリファレンス銅箔として用意した。
（１）リファレンス銅箔の用意
例Ａ１と同様にして、表面粗さの異なる５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ～ｅ）をリファレンス銅箔として用意した。
【0069】
（２）リファレンス銅箔の表面プロファイル取得
例Ａ１と同様にして、リファレンス銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得した。
例Ａ１と同様にして、リファレンス銅箔の処理表面における表面プロファイルを取得した。
【0070】
（３）Ｌフィルターのカットオフ値設定
得られたリファレンス銅箔の各表面プロファイルについて、Ｌフィルターのカットオフ値を６４μｍとして解析を行うことで、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。その結果、銅箔ｂにおけるＬフィルター処理後のＳａ（すなわちＳａ１）が０．５μｍを超える値であることが確認された。また、Ｌフィルターによるカットオフを行わない条件でのＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。算出されたＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋに基づき、α値（＝（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒ）を計算するとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの変化率、及びα値の変化率を計算した。その結果、銅箔ａ～ｅは、いずれもＳｄｒの変化率及びα値の変化率が８０％以下であった。
得られたリファレンス銅箔の各表面プロファイルについて、Ｌフィルターのカットオフ値を６４μｍとして解析を行うことで、Ｓａ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。その結果、銅箔ｂにおけるＬフィルター処理後のＳａ（すなわちＳａ１）が０．５μｍを超える値であることが確認された。また、Ｌフィルターによるカットオフを行わない条件でのＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出した。算出されたＳｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋに基づき、α値（＝（Ｖｍｃ／Ｓｋ）×Ｓｄｒ）を計算するとともに、Ｌフィルター処理前後におけるＳｄｒの変化率、及びα値の変化率を計算した。その結果、銅箔ａ～ｅは、いずれもＳｄｒの変化率及びα値の変化率が８０％以下であった。
【0071】
（４）測定対象銅箔の用意
例Ａ１と同様にして、表面粗さの異なる５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）を測定対象銅箔として用意した。
例Ａ１と同様にして、表面粗さの異なる５種類の表面処理銅箔（銅箔ａ’～ｅ’）を測定対象銅箔として用意した。
【0072】
（５）測定対象銅箔の表面プロファイル取得
例Ａ１と同様にして、測定対象銅箔の処理表面をレーザー顕微鏡で測定し、表面プロファイルを取得した。
例Ａ１と同様にして、測定対象銅箔の処理表面をレーザー顕微鏡で測定し、表面プロファイルを取得した。
【0073】
（６）フィルター処理及び表面パラメータ算出
各銅箔の表面プロファイルをフィルター処理した。このとき、Ｌフィルターのカットオフ値は６４μｍとした。このフィルター処理は、Ｓフィルターによる処理は行わず、Ｌフィルターによる処理のみを行った。フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、Ｓａ、Ｓｑ、Ｓｚ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出するとともに、α値を計算した。
各銅箔の表面プロファイルをフィルター処理した。このとき、Ｌフィルターのカットオフ値は６４μｍとした。このフィルター処理は、Ｓフィルターによる処理は行わず、Ｌフィルターによる処理のみを行った。フィルター処理後の表面プロファイルに基づき、Ｓａ、Ｓｑ、Ｓｚ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ及びＳｋを算出するとともに、α値を計算した。
【0074】
（７）高周波特性の評価
例Ａ１と同様にして、銅箔ａ’～ｅ’を用いて伝送損失測定用基板をそれぞれ作製し、５０ＧＨｚの伝送損失を測定した。
例Ａ１と同様にして、銅箔ａ’～ｅ’を用いて伝送損失測定用基板をそれぞれ作製し、５０ＧＨｚの伝送損失を測定した。
【0075】
（８）表面パラメータ及び高周波特性の相関関係
伝送損失を横軸とし、表面パラメータ（Ｓａ、Ｓｑ、Ｓｚ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ、Ｓｋ又はα値）を縦軸として、各銅箔の評価結果をプロットした。このプロットデータに基づき、線形近似（最小二乗法）により回帰式を求めるとともに、決定係数Ｒ２を算出した。結果は表３に示されるとおりであった。参考のため、銅箔ａ～ｅにおけるＳａと高周波特性との相関関係を表すグラフを図１３に示す。
伝送損失を横軸とし、表面パラメータ（Ｓａ、Ｓｑ、Ｓｚ、Ｓｄｒ、Ｖｍｃ、Ｓｋ又はα値）を縦軸として、各銅箔の評価結果をプロットした。このプロットデータに基づき、線形近似（最小二乗法）により回帰式を求めるとともに、決定係数Ｒ２を算出した。結果は表３に示されるとおりであった。参考のため、銅箔ａ～ｅにおけるＳａと高周波特性との相関関係を表すグラフを図１３に示す。
【0076】
例Ｂ２～Ｂ７
リファレンス銅箔を用いたＬフィルターのカットオフ値の設定、及び測定対象銅箔における表面プロファイルのＬフィルター処理において、表３に示すようにカットオフ値を１．０～１０μｍに変更したこと以外は、例Ｂ１と同様にして表面パラメータと高周波特性との相関関係を確認した。結果は表３に示されるとおりであった。
リファレンス銅箔を用いたＬフィルターのカットオフ値の設定、及び測定対象銅箔における表面プロファイルのＬフィルター処理において、表３に示すようにカットオフ値を１．０～１０μｍに変更したこと以外は、例Ｂ１と同様にして表面パラメータと高周波特性との相関関係を確認した。結果は表３に示されるとおりであった。
【0077】
銅箔ａ～ｅにおけるＳｄｒの変化率と、高周波特性との相関関係（決定係数Ｒ２）を表すグラフを図１４に示すとともに、銅箔ａ～ｅにおけるα値の変化率と高周波特性との相関関係（決定係数Ｒ２）を表すグラフを図１５に示す。図１４及び１５に示されるように、Ｌフィルターのカットオフ値を１．０～１０μｍとした場合、銅箔ａ～ｅの処理表面におけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率は、いずれも８０％以下であった。また、Ｌフィルターのカットオフ値を１．０～１０μｍとした場合の銅箔ａ～ｅの処理表面におけるＳａの値は、いずれも０．５μｍ以下であった。参考のため、例Ｂ３（Ｌフィルターのカットオフ値５μｍ）の銅箔ａ～ｅにおけるＬフィルター処理後のＳａ（つまりＳａ１）と、高周波特性との相関関係を表すグラフを図１６に示す。
【0078】
例Ｂ８（比較）
リファレンス銅箔を用いたＬフィルターのカットオフ値の設定、及び測定対象銅箔における表面プロファイルのＬフィルター処理において、カットオフ値を０．５μｍに変更したこと以外は、例Ｂ１と同様にして表面パラメータと高周波特性との相関関係を確認した。結果は表３に示されるとおりであった。
リファレンス銅箔を用いたＬフィルターのカットオフ値の設定、及び測定対象銅箔における表面プロファイルのＬフィルター処理において、カットオフ値を０．５μｍに変更したこと以外は、例Ｂ１と同様にして表面パラメータと高周波特性との相関関係を確認した。結果は表３に示されるとおりであった。
【0079】
例Ｂ８におけるＳｄｒの変化率と、高周波特性との相関関係（決定係数Ｒ２）を表すグラフを図１４に示すとともに、例Ｂ８におけるα値の変化率と、高周波特性との相関関係（決定係数Ｒ２）を表すグラフを図１５に示す。図１４及び１５に示されるように、Ｌフィルターのカットオフ値を０．５μｍとした場合、銅箔ａ、銅箔ｂ、銅箔ｄ及び銅箔ｅの処理表面におけるＳｄｒの変化率及びα値の変化率は、いずれも８０％を超える値であった。また、Ｌフィルターのカットオフ値を０．５μｍとした場合の銅箔ａ～ｅの処理表面におけるＳａの値は、いずれも０．５μｍ以下であった。
【0080】
【表3】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
