(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-20
(45)【発行日】2023-11-29
(54)【発明の名称】半導体装置及びモジュール
(51)【国際特許分類】
H01L 21/822 20060101AFI20231121BHJP
H01L 27/04 20060101ALI20231121BHJP
H01G 4/33 20060101ALI20231121BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20231121BHJP
【ＦＩ】
H01L27/04 C
H01G4/33 102
H01G4/30 541
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2022501894
(86)(22)【出願日】2021-02-16
(86)【国際出願番号】 JP2021005626
(87)【国際公開番号】W WO2021166880
(87)【国際公開日】2021-08-26
【審査請求日】2022-07-21
(31)【優先権主張番号】P 2020024563
(32)【優先日】2020-02-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】松原 弘
(72)【発明者】
【氏名】原田 真臣
(72)【発明者】
【氏名】香川 武史
【審査官】脇水 佳弘
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１６／０２１５２９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／０５７４２２（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２７／０４
Ｈ０１Ｌ ２１／８２２
Ｈ０１Ｇ ４／３３
Ｈ０１Ｇ ４／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚み方向に相対する第１主面及び第２主面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１主面上に設けられた回路層と、
前記回路層の前記半導体基板とは反対側の表面上に設けられた第１樹脂体と、を備え、
前記回路層は、前記半導体基板側に設けられた第１電極層と、前記第１電極層に対向して設けられた第２電極層と、前記厚み方向において前記第１電極層と前記第２電極層との間に設けられた誘電体層と、前記第１電極層に電気的に接続され、前記回路層の前記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第１外部電極と、前記第２電極層に電気的に接続され、前記回路層の前記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第２外部電極と、を有し、
前記第１樹脂体は、平面視において前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に設けられ、かつ、平面視において前記半導体基板の中心を囲む少なくとも３箇所に設けられ、
断面視において、前記第１樹脂体の前記半導体基板とは反対側の先端は、前記第１外部電極及び前記第２外部電極の前記半導体基板とは反対側の先端よりも高い位置にある、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記第１樹脂体は、前記厚み方向に直交する方向であって、前記第２外部電極から前記第１外部電極に向かう方向に対して交差する方向に延在する壁部を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記壁部は、前記第１外部電極側に設けられた第１壁部と、前記第２外部電極側に設けられ、前記第１壁部と離隔された第２壁部と、を含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１壁部と前記第１外部電極との距離Ｌ１は、前記第１外部電極及び前記第２外部電極間の中心位置と前記第１壁部との距離Ｌ２よりも短く、前記第２壁部と前記第２外部電極との距離Ｌ３は、前記第１外部電極及び前記第２外部電極間の中心位置と前記第２壁部との距離Ｌ４よりも短い、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１壁部と前記第１外部電極とは離隔され、前記第２壁部と前記第２外部電極とは離隔されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１樹脂体の押し込み弾性率は、前記誘電体層の押し込み弾性率よりも低い、請求項１～５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第１樹脂体のヤング率は、２０ＧＰａ以下である、請求項１～６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１樹脂体は、ソルダーレジスト中の樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド、及び、エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１つの樹脂を含む、請求項１～７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１樹脂体は、感光性樹脂の硬化物である、請求項１～８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項10】
前記誘電体層は、窒化ケイ素及び酸化ケイ素の少なくとも一方を含む、請求項１～９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項11】
前記厚み方向において、前記第２電極層と前記第１樹脂体との間には、樹脂保護層が設けられている、請求項１～１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記回路層の前記半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、前記第２樹脂体は、平面視において前記半導体基板の端部と前記第１外部電極との間で前記半導体基板の端部に沿って設けられた第１外周部と、平面視において前記半導体基板の端部と前記第２外部電極との間で前記半導体基板の端部に沿って設けられた第２外周部と、を有する、請求項１～１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項13】
断面視において、前記壁部の前記第１外部電極側の側面と前記壁部の前記第２外部電極側の側面とは、前記半導体基板側から前記半導体基板とは反対側に向かって互いに近づく、請求項２～５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項14】
前記回路層の前記半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、前記第２樹脂体は、平面視において前記半導体基板の端部と前記第１外部電極との間に設けられた第１外周部と、平面視において前記半導体基板の端部と前記第２外部電極との間に設けられた第２外周部と、を有し、
前記第１壁部と前記第１外周部とは連接され、
前記第２壁部と前記第２外周部とは連接され、
前記第１壁部には、前記第１壁部と前記第２壁部とを離隔する空間に連通する第１開口が設けられ、
前記第２壁部には、前記第１壁部と前記第２壁部とを離隔する空間に連通する第２開口が設けられている、請求項３～５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項15】
平面視において、前記壁部は、前記第１外部電極及び前記第２外部電極の互いに対向する端部同士を結ぶ領域に延在する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記壁部は、前記第１外部電極側に設けられた第１壁部と、前記第２外部電極側に設けられ、前記第１壁部と離隔された第２壁部と、を含み、前記回路層の前記半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、
前記第２樹脂体は、平面視において前記半導体基板の端部と前記第１外部電極との間に設けられた第１外周部と、平面視において前記半導体基板の端部と前記第２外部電極との間に設けられた第２外周部と、を有し、
前記第１壁部と前記第１外周部とは連接され、
前記第２壁部と前記第２外周部とは連接され、
前記第１壁部には、前記第１壁部と前記第２壁部とを離隔する空間に連通する第１開口が設けられ、
前記第２壁部には、前記第１壁部と前記第２壁部とを離隔する空間に連通する第２開口が設けられ、
前記第２外部電極から前記第１外部電極に向かう方向において、前記第１開口は前記第２壁部に対向し、かつ、前記第２開口は前記第１壁部に対向する、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記第１電極層は、前記半導体基板の端部と離隔された位置までに設けられ、断面視において、前記第２樹脂体の前記半導体基板とは反対側の先端は、前記第１樹脂体の前記半導体基板とは反対側の先端よりも低い位置にある、請求項１２、１４、及び、１６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項18】
請求項１～１７のいずれかに記載の半導体装置と、前記第１外部電極に電気的に接続された第１ランドと、前記第２外部電極に電気的に接続された第２ランドと、を有する配線基板と、を備える、ことを特徴とするモジュール。
【請求項19】
前記配線基板と前記第１外部電極と前記第２外部電極との各間には、モールド樹脂が設けられている、請求項１８に記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及びモジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体集積回路に用いられる代表的なコンデンサ素子として、例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）コンデンサ（キャパシタ）が知られている。ＭＩＭコンデンサは、誘電体層が下部電極と上部電極とで挟まれた平行平板型の構造を有するコンデンサである。
【0003】
例えば、特許文献１には、基板上に形成された回路素子と、回路素子と接続する電極層と、電極層を覆う保護層と、保護層を貫通するビア導体を介して電極層と接続され、かつ、保護層の上部に設けられた端子電極と、を備え、端子電極の一方端は保護層の側壁面上に位置している、電子部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１１－４４６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１に記載の電子部品では端子電極が最も突出しているが、例えば、このような電子部品を配線基板に実装する際、最も突出した端子電極に荷重が加わることになる。そのため、この荷重が端子電極を介して電子部品の厚み方向に伝わることにより、回路素子が破損してしまうおそれがある。
【0006】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、荷重が加わってもコンデンサ素子の破損が抑制される半導体装置を提供することを目的とするものである。また、本発明は、上記半導体装置を有するモジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の半導体装置は、厚み方向に相対する第１主面及び第２主面を有する半導体基板と、上記半導体基板の上記第１主面上に設けられた回路層と、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面上に設けられた第１樹脂体と、を備え、上記回路層は、上記半導体基板側に設けられた第１電極層と、上記第１電極層に対向して設けられた第２電極層と、上記厚み方向において上記第１電極層と上記第２電極層との間に設けられた誘電体層と、上記第１電極層に電気的に接続され、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第１外部電極と、上記第２電極層に電気的に接続され、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第２外部電極と、を有し、上記第１樹脂体は、平面視において上記第１外部電極と上記第２外部電極との間に設けられ、断面視において、上記第１樹脂体の上記半導体基板とは反対側の先端は、上記第１外部電極及び上記第２外部電極の上記半導体基板とは反対側の先端よりも高い位置にある、ことを特徴とする。
【0008】
本発明のモジュールは、本発明の半導体装置と、上記第１外部電極に電気的に接続された第１ランドと、上記第２外部電極に電気的に接続された第２ランドと、を有する配線基板と、を備える、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、荷重が加わってもコンデンサ素子の破損が抑制される半導体装置を提供できる。また、本発明によれば、上記半導体装置を有するモジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態１の半導体装置を示す平面模式図である。
【図3】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図4】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図5】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図6】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図7】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図8】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図9】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図10】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図11】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図12】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図13】本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【図14】本発明の実施形態１のモジュールを示す断面模式図である。
【図15】本発明の実施形態１のモジュールにおいて、モールド樹脂が設けられた状態を示す断面模式図である。
【図16】本発明の実施形態２の半導体装置を示す平面模式図である。
【図18】本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置を示す平面模式図である。
【図20】本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置を示す平面模式図である。
【図22】本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置を示す断面模式図である。
【図23】本発明の実施形態２の変形例４の半導体装置を示す平面模式図である。
【図24】本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置を示す平面模式図である。
【図25】本発明の実施形態２の変形例５のモジュールを示す断面模式図である。
【図26】本発明の実施形態２の変形例６の半導体装置を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の半導体装置と本発明のモジュールとについて説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。
【0012】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示す構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。実施形態２以降では、実施形態１と共通の事項についての記載は省略し、異なる点を主に説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎に逐次言及しない。以下の説明において、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明の半導体装置」及び「本発明のモジュール」と言う。
【0013】
［実施形態１］
本発明の半導体装置は、厚み方向に相対する第１主面及び第２主面を有する半導体基板と、半導体基板の第１主面上に設けられた回路層と、回路層の半導体基板とは反対側の表面上に設けられた第１樹脂体と、を備え、回路層は、半導体基板側に設けられた第１電極層と、第１電極層に対向して設けられた第２電極層と、厚み方向において第１電極層と第２電極層との間に設けられた誘電体層と、第１電極層に電気的に接続され、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第１外部電極と、第２電極層に電気的に接続され、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第２外部電極と、を有し、第１樹脂体は、平面視において第１外部電極と第２外部電極との間に設けられ、断面視において、第１樹脂体の半導体基板とは反対側の先端は、第１外部電極及び第２外部電極の半導体基板とは反対側の先端よりも高い位置にある、ことを特徴とする。また、本発明の半導体装置では、平面視において、第１樹脂体は、半導体基板の中心を囲む少なくとも３箇所に設けられていてもよい。このような例を、本発明の実施形態１の半導体装置として以下に説明する。
本発明の半導体装置は、厚み方向に相対する第１主面及び第２主面を有する半導体基板と、半導体基板の第１主面上に設けられた回路層と、回路層の半導体基板とは反対側の表面上に設けられた第１樹脂体と、を備え、回路層は、半導体基板側に設けられた第１電極層と、第１電極層に対向して設けられた第２電極層と、厚み方向において第１電極層と第２電極層との間に設けられた誘電体層と、第１電極層に電気的に接続され、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第１外部電極と、第２電極層に電気的に接続され、上記回路層の上記半導体基板とは反対側の表面に引き出された第２外部電極と、を有し、第１樹脂体は、平面視において第１外部電極と第２外部電極との間に設けられ、断面視において、第１樹脂体の半導体基板とは反対側の先端は、第１外部電極及び第２外部電極の半導体基板とは反対側の先端よりも高い位置にある、ことを特徴とする。また、本発明の半導体装置では、平面視において、第１樹脂体は、半導体基板の中心を囲む少なくとも３箇所に設けられていてもよい。このような例を、本発明の実施形態１の半導体装置として以下に説明する。
【0014】
【0015】
本明細書中、半導体装置の長さ方向、幅方向、及び、厚み方向を、図１、図２等に示すように、各々、矢印Ｌ、矢印Ｗ、及び、矢印Ｔで定められる方向とする。ここで、長さ方向Ｌと幅方向Ｗと厚み方向Ｔとは、互いに直交している。
【0016】
【0017】
半導体基板１０は、厚み方向Ｔに相対する第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂを有している。第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂは、厚み方向Ｔにおいて互いに対向している。
【0018】
半導体基板１０の構成材料としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体が挙げられる。
【0019】
半導体基板１０の電気抵抗率は、好ましくは１０－５Ω・ｃｍ以上、１０５Ω・ｃｍ以下である。
【0020】
半導体基板１０の長さ方向Ｌにおける寸法は、好ましくは２００μｍ以上、６００μｍ以下である。
【0021】
半導体基板１０の幅方向Ｗにおける寸法は、好ましくは１００μｍ以上、３００μｍ以下である。
【0022】
半導体基板１０の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは１００μｍ以上、２５０μｍ以下である。
【0023】
回路層２０は、半導体基板１０の第１主面１０ａ上に設けられている。回路層２０は、絶縁層２１と、第１電極層２２と、誘電体層２３と、第２電極層２４と、耐湿保護層２５と、樹脂保護層２６と、第１外部電極２７と、第２外部電極２８と、を有している。なお、実施形態１においては、回路層２０は、半導体基板１０の第１主面１０ａの全面上に設けられているが、半導体基板１０の第１主面１０ａの一部上に設けられていてもよい。その場合、回路層２０は、半導体基板１０の第１主面１０ａ上の中央位置に設けられていることが好ましく、また、半導体基板１０の中心軸と回路層２０の中心軸とが略一致する位置に設けられていることが好ましい。
【0024】
回路層２０の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは５μｍ以上、７０μｍ以下である。回路層２０の厚み方向Ｔにおける寸法は、絶縁層２１の半導体基板１０側の表面から、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の最表面のうちで最も半導体基板１０とは反対側に位置する表面までの寸法で定められる。
【0025】
絶縁層２１は、半導体基板１０の第１主面１０ａの全面上に設けられている。なお、絶縁層２１は、半導体基板１０の第１主面１０ａの一部上に設けられていてもよいが、第１電極層２２よりも大きく、かつ、第１電極層２２に重なる領域に設けられる必要がある。例えば、熱酸化法により半導体基板１０の第１主面１０ａを酸化させたり、スパッタリング法又は化学蒸着（ＣＶＤ）法により成膜したりすることで絶縁層を半導体基板１０の第１主面１０ａの全面上に一旦形成した後、エッチング法によりその絶縁層の一部を除去すると、絶縁層２１を半導体基板１０の第１主面１０ａの一部上に設けることができる。
【0026】
絶縁層２１の構成材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ、ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等が挙げられる。
【0027】
絶縁層２１は、単層構造であってもよいし、上述した材料からなる複数の層を含む多層構造であってもよい。
【0028】
絶縁層２１の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは０．５μｍ以上、３μｍ以下である。
【0029】
第１電極層２２は、回路層２０の半導体基板１０側、ここでは、絶縁層２１の半導体基板１０とは反対側の表面上に設けられている。また、第１電極層２２は、半導体基板１０の端部と離隔された位置までに設けられている。より具体的には、第１電極層２２の端部は、半導体基板１０の端部よりも内側に位置している。図１に示すような平面視において、第１電極層２２の端部と半導体基板１０の端部との距離は、好ましくは５μｍ以上、３０μｍ以下である。なお、第１電極層２２の端部は、半導体基板１０の端部までの絶縁層２１の表面上に設けられていてもよい。
【0030】
第１電極層２２の構成材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の金属が挙げられる。第１電極層２２の構成材料は、上述した金属を少なくとも１種含む合金であってもよく、その具体例としては、アルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）、アルミニウム－銅合金（ＡｌＣｕ）、アルミニウム－シリコン－銅合金（ＡｌＳｉＣｕ）等が挙げられる。
【0031】
第１電極層２２は、単層構造であってもよいし、上述した材料からなる複数の導電体層を含む多層構造であってもよい。
【0032】
第１電極層２２の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは０．３μｍ以上、１０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上、５μｍ以下である。
【0033】
誘電体層２３は、厚み方向Ｔ、ここでは、半導体基板１０の第１主面１０ａに直交する方向において、第１電極層２２と第２電極層２４との間に設けられている。また、誘電体層２３は、開口を除く部分で第１電極層２２を覆うように設けられ、誘電体層２３の端部は、第１電極層２２の端部から半導体基板１０の端部までの絶縁層２１の表面上にも設けられている。
【0034】
誘電体層２３の構成材料としては、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ、ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等が挙げられる。中でも、誘電体層２３は、窒化ケイ素及び酸化ケイ素の少なくとも一方を含むことが好ましい。
【0035】
誘電体層２３の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは０．０２μｍ以上、２μｍ以下である。
【0036】
第２電極層２４は、第１電極層２２に対向して設けられている。より具体的には、第２電極層２４は、誘電体層２３の半導体基板１０とは反対側の表面上に設けられ、誘電体層２３を挟んで第１電極層２２に対向している。
【0037】
第２電極層２４の構成材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の金属が挙げられる。第２電極層２４の構成材料は、上述した金属を少なくとも１種含む合金であってもよく、その具体例としては、アルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）、アルミニウム－銅合金（ＡｌＣｕ）、アルミニウム－シリコン－銅合金（ＡｌＳｉＣｕ）等が挙げられる。
【0038】
第２電極層２４は、単層構造であってもよいし、上述した材料からなる複数の導電体層を含む多層構造であってもよい。
【0039】
第２電極層２４の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは０．３μｍ以上、１０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上、５μｍ以下である。
【0040】
半導体装置１では、第１電極層２２と誘電体層２３と第２電極層２４とでコンデンサ素子が構成される。より具体的には、第１電極層２２と誘電体層２３と第２電極層２４とが重なる領域でコンデンサ素子の容量が形成される。
【0041】
耐湿保護層２５は、開口を除く部分で誘電体層２３及び第２電極層２４を覆うように設けられている。耐湿保護層２５が設けられていることにより、コンデンサ素子、特に、誘電体層２３の耐湿性が高まる。
【0042】
耐湿保護層２５の構成材料としては、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ＳｉＯ２（酸化ケイ素）等が挙げられる。
【0043】
耐湿保護層２５の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは０．５μｍ以上、３μｍ以下である。
【0044】
樹脂保護層２６は、厚み方向Ｔにおいて、第２電極層２４と第１樹脂体３０との間、ここでは、耐湿保護層２５の半導体基板１０とは反対側の表面上に設けられている。また、樹脂保護層２６の端部は、第１樹脂体３０から半導体基板１０の端部まで広がって設けられており、樹脂保護層２６には、誘電体層２３及び耐湿保護層２５の開口（第１電極層２２に重なる開口）に重なる位置と、耐湿保護層２５の開口（第２電極層２４に重なる開口）に重なる位置との各々に開口が設けられている。樹脂保護層２６が設けられていることにより、コンデンサ素子、特に、誘電体層２３が水分から充分に保護される。
【0045】
樹脂保護層２６の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ソルダーレジスト中の樹脂等の樹脂が挙げられる。
【0046】
樹脂保護層２６の厚み方向Ｔにおける寸法は、好ましくは１μｍ以上、２０μｍ以下である。
【0047】
第１外部電極２７は、第１電極層２２に電気的に接続されている。より具体的には、誘電体層２３、耐湿保護層２５、及び、樹脂保護層２６に各々設けられた開口が厚み方向Ｔに沿って連通することで伸びており、第１外部電極２７は、その開口を介して第１電極層２２に電気的に接続されている。また、第１外部電極２７は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿う面において、第２電極層２４と離隔されることにより、第２電極層２４に電気的に接続されていない。また、第１外部電極２７は、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面に引き出され、第２外部電極２８と離隔されている。つまり、第１外部電極２７は、第１電極層２２の半導体基板１０とは反対側に位置している。
【0048】
第１外部電極２７は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
【0049】
第１外部電極２７が単層構造である場合、その構成材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの金属を少なくとも１種含む合金等が挙げられる。
【0050】
第１外部電極２７が多層構造である場合、第１外部電極２７は、図２に示すように、半導体基板１０側から順に、シード層２９ａと、第１めっき層２９ｂと、第２めっき層２９ｃと、を有していてもよい。
【0051】
第１外部電極２７のシード層２９ａとしては、例えば、チタン（Ｔｉ）からなる導電体層と銅（Ｃｕ）からなる導電体層との積層体（Ｔｉ／Ｃｕ）等が挙げられる。
【0052】
第１外部電極２７の第１めっき層２９ｂの構成材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
【0053】
第１外部電極２７の第２めっき層２９ｃの構成材料としては、例えば、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）等が挙げられる。
【0054】
第２外部電極２８は、第２電極層２４に電気的に接続されている。より具体的には、耐湿保護層２５及び樹脂保護層２６に各々設けられた開口が厚み方向Ｔに沿って連通することで伸びており、第２外部電極２８は、その開口を介して第２電極層２４に電気的に接続されている。また、第２外部電極２８は、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿う面において、第１電極層２２と離隔されることにより、第１電極層２２に電気的に接続されていない。また、第２外部電極２８は、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面に引き出され、第１外部電極２７と離隔されている。つまり、第２外部電極２８は、第２電極層２４の半導体基板１０とは反対側に位置している。
【0055】
第２外部電極２８は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
【0056】
第２外部電極２８が単層構造である場合、その構成材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの金属を少なくとも１種含む合金等が挙げられる。
【0057】
第２外部電極２８が多層構造である場合、第２外部電極２８は、図２に示すように、半導体基板１０側から順に、シード層２９ａと、第１めっき層２９ｂと、第２めっき層２９ｃと、を有していてもよい。
【0058】
第２外部電極２８のシード層２９ａとしては、例えば、チタン（Ｔｉ）からなる導電体層と銅（Ｃｕ）からなる導電体層との積層体（Ｔｉ／Ｃｕ）等が挙げられる。
【0059】
第２外部電極２８の第１めっき層２９ｂの構成材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
【0060】
第２外部電極２８の第２めっき層２９ｃの構成材料としては、例えば、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）等が挙げられる。
【0061】
第１外部電極２７の構成材料と第２外部電極２８の構成材料とは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【0062】
第１樹脂体３０は、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上に設けられている。また、第１樹脂体３０は、図１に示すような平面視において、第１外部電極２７と第２外部電極２８との間に設けられている。より具体的には、長さ方向Ｌにおいて、第１樹脂体３０は、第１外部電極２７における第２外部電極２８側の端部から幅方向Ｗに沿って伸びる法線と、第２外部電極２８における第１外部電極２７側の端部から幅方向Ｗに沿って伸びる法線との間に設けられている。
【0063】
図２に示すような断面視において、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の半導体基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にある。より具体的には、図２に示すような断面視において、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の半導体基板１０とは反対側の先端同士を結ぶ線分（図２中の点線）よりも半導体基板１０とは反対側にある。
【0064】
図２では、第１外部電極２７の最表面が凹凸状であるが、この場合、厚み方向Ｔにおいて、第１外部電極２７の最表面のうちで最も半導体基板１０とは反対側に位置する部分を、第１外部電極２７の半導体基板１０とは反対側の先端と定める。第２外部電極２８についても同様である。
【0065】
ここで、上述したように、第１電極層２２は半導体基板１０の端部と離隔された位置までに設けられているため、回路層２０の端部（周縁部）が中心部よりも半導体基板１０側に下がりやすい。なお、図２に示すような断面視において、半導体基板１０の端部上には、樹脂保護層２６が設けられているものの、その下層に第１電極層２２及び第２電極層２４が存在していないため、実際は樹脂保護層２６の厚みが大きくなりにくい。このことからも、回路層２０の端部（周縁部）が中心部よりも半導体基板１０側に下がりやすくなる。そのため、第１外部電極２７及び第２外部電極２８においては、回路層２０の中心部側が端部側よりも高い位置になりやすい。これに対して、第１樹脂体３０は、図１に示すような平面視において、第１外部電極２７と第２外部電極２８との間、すなわち、回路層２０の端部ではなく中心部近傍に設けられている。また、上述したように、図２に示すような断面視において、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の半導体基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にある。よって、回路層２０の端部が中心部よりも半導体基板１０側に下がっている状態であっても、第１樹脂体３０が回路層２０よりも突出することになる。
【0066】
第１樹脂体３０が回路層２０よりも突出することにより、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０が第１外部電極２７及び第２外部電極２８よりも先に配線基板側（例えば、配線基板の上面、ランド、はんだ等）に接触することになる。そのため、第１樹脂体３０に荷重が加わることになり、第１外部電極２７及び第２外部電極２８に加わる荷重が抑制される。その結果、荷重が第１外部電極２７及び第２外部電極２８を介してコンデンサ素子に伝わることが抑制されるため、コンデンサ素子の破損、特に、誘電体層２３の破損が抑制される。このような効果は、半導体装置１を回路層２０側から平板上に載置する際にも同様に得られる。
【0067】
厚み方向Ｔにおいて、回路層２０に対する第１樹脂体３０の突出寸法は、好ましくは５０μｍ以下である。
【0068】
また、図１に示すような平面視において、第１樹脂体３０は、半導体基板１０の中心を囲む少なくとも３箇所（図１では、３箇所）に設けられている。このように第１樹脂体３０が設けられていることにより、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０で荷重を受け止めつつ、半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持できる。このような効果は、半導体装置１を回路層２０側から平板上に載置する際にも同様に得られる。
【0069】
第１樹脂体３０の押し込み弾性率は、誘電体層２３の押し込み弾性率よりも低いことが好ましい。この場合、第１樹脂体３０の柔軟性が誘電体層２３の柔軟性よりも高くなるため、第１樹脂体３０で荷重を受け止めやすくなり、コンデンサ素子、特に、誘電体層２３に加わる荷重が充分に抑制される。第１樹脂体３０の押し込み弾性率は、好ましくは２０ＧＰａ以下である。
【0070】
押し込み弾性率は、例えば、ナノインデンテーション法により測定される。
【0071】
第１樹脂体３０のヤング率は、好ましくは２０ＧＰａ以下である。この場合、第１樹脂体３０の柔軟性が充分に高くなるため、第１樹脂体３０で荷重を受け止めやすくなり、コンデンサ素子に加わる荷重が充分に抑制される。また、第１樹脂体３０のヤング率は、より好ましくは０．５ＧＰａ以上、２０ＧＰａ以下である。
【0072】
ヤング率は、例えば、引張試験法により測定される。
【0073】
第１樹脂体３０は、ソルダーレジスト中の樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド、及び、エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１つの樹脂を含むことが好ましい。
【0074】
第１樹脂体３０は、感光性樹脂の硬化物であることが好ましい。
【0075】
図１及び図２に示した半導体装置１は、例えば、以下の方法で製造される。図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０、図１１、図１２、及び、図１３は、本発明の実施形態１の半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面模式図である。
【0076】
＜絶縁層の形成＞
図３に示すように、絶縁層２１を、例えば、熱酸化法、スパッタリング法、又は、化学蒸着法により、半導体基板１０の第１主面１０ａ上に形成する。
図３に示すように、絶縁層２１を、例えば、熱酸化法、スパッタリング法、又は、化学蒸着法により、半導体基板１０の第１主面１０ａ上に形成する。
【0077】
＜第１電極層の形成＞
第１電極層２２の構成材料からなる導電体層を、例えば、スパッタリング法により、絶縁層２１の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、導電体層のパターニングを、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図４に示すような第１電極層２２を形成する。より具体的には、第１電極層２２を、半導体基板１０の端部と離隔された位置までに形成する。
第１電極層２２の構成材料からなる導電体層を、例えば、スパッタリング法により、絶縁層２１の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、導電体層のパターニングを、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図４に示すような第１電極層２２を形成する。より具体的には、第１電極層２２を、半導体基板１０の端部と離隔された位置までに形成する。
【0078】
＜誘電体層の形成＞
誘電体層２３の構成材料からなる層を、例えば、スパッタリング法又は化学蒸着法により、第１電極層２２を覆うように形成する。その後、この層のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図５に示すような誘電体層２３を形成する。より具体的には、第１電極層２２の一部を露出させる開口が設けられるように、誘電体層２３を形成する。
誘電体層２３の構成材料からなる層を、例えば、スパッタリング法又は化学蒸着法により、第１電極層２２を覆うように形成する。その後、この層のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図５に示すような誘電体層２３を形成する。より具体的には、第１電極層２２の一部を露出させる開口が設けられるように、誘電体層２３を形成する。
【0079】
＜第２電極層の形成＞
第２電極層２４の構成材料からなる導電体層を、例えば、スパッタリング法により、図５に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、導電体層のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図６に示すような第２電極層２４を形成する。より具体的には、誘電体層２３を挟んで第１電極層２２に対向するように、第２電極層２４を形成する。
第２電極層２４の構成材料からなる導電体層を、例えば、スパッタリング法により、図５に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、導電体層のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図６に示すような第２電極層２４を形成する。より具体的には、誘電体層２３を挟んで第１電極層２２に対向するように、第２電極層２４を形成する。
【0080】
＜耐湿保護層の形成＞
耐湿保護層２５の構成材料からなる層を、例えば、化学蒸着法により、図６に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、この層のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図７に示すような耐湿保護層２５を形成する。より具体的には、第１電極層２２の一部を露出させるための誘電体層２３の開口に重なる位置と、第２電極層２４の一部を露出させる位置との各々に開口が設けられるように、耐湿保護層２５を形成する。
耐湿保護層２５の構成材料からなる層を、例えば、化学蒸着法により、図６に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、この層のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図７に示すような耐湿保護層２５を形成する。より具体的には、第１電極層２２の一部を露出させるための誘電体層２３の開口に重なる位置と、第２電極層２４の一部を露出させる位置との各々に開口が設けられるように、耐湿保護層２５を形成する。
【0081】
＜樹脂保護層の形成＞
樹脂保護層２６の構成材料からなる層を、例えば、スピンコート法により、図７に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、この層のパターニングを、例えば、樹脂保護層２６の構成材料が感光性である場合はフォトリソグラフィー法のみを用い、また、樹脂保護層２６の構成材料が非感光性である場合はフォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図８に示すような樹脂保護層２６を形成する。より具体的には、第１電極層２２の一部を露出させるための誘電体層２３及び耐湿保護層２５の開口に重なる位置と、第２電極層２４の一部を露出させるための耐湿保護層２５の開口に重なる位置との各々に開口が設けられるように、樹脂保護層２６を形成する。
樹脂保護層２６の構成材料からなる層を、例えば、スピンコート法により、図７に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。その後、この層のパターニングを、例えば、樹脂保護層２６の構成材料が感光性である場合はフォトリソグラフィー法のみを用い、また、樹脂保護層２６の構成材料が非感光性である場合はフォトリソグラフィー法及びエッチング法を組み合わせて行うことにより、図８に示すような樹脂保護層２６を形成する。より具体的には、第１電極層２２の一部を露出させるための誘電体層２３及び耐湿保護層２５の開口に重なる位置と、第２電極層２４の一部を露出させるための耐湿保護層２５の開口に重なる位置との各々に開口が設けられるように、樹脂保護層２６を形成する。
【0082】
＜外部電極の形成＞
図９に示すように、シード層２９ａを、図８に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。そして、めっき処理及びフォトリソグラフィー法を組み合わせることにより、図１０に示すような第１めっき層２９ｂ及び第２めっき層２９ｃを順次形成する。その後、図１１に示すように、シード層２９ａの一部を、例えば、エッチング法により除去する。以上により、図１１に示すような第１外部電極２７及び第２外部電極２８を形成する。より具体的には、誘電体層２３、耐湿保護層２５、及び、樹脂保護層２６に各々設けられた開口を介して、第１電極層２２に電気的に接続されるように、第１外部電極２７を形成する。また、耐湿保護層２５及び樹脂保護層２６に各々設けられた開口を介して、第２電極層２４に電気的に接続されるように、第２外部電極２８を形成する。
図９に示すように、シード層２９ａを、図８に示した構造体の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。そして、めっき処理及びフォトリソグラフィー法を組み合わせることにより、図１０に示すような第１めっき層２９ｂ及び第２めっき層２９ｃを順次形成する。その後、図１１に示すように、シード層２９ａの一部を、例えば、エッチング法により除去する。以上により、図１１に示すような第１外部電極２７及び第２外部電極２８を形成する。より具体的には、誘電体層２３、耐湿保護層２５、及び、樹脂保護層２６に各々設けられた開口を介して、第１電極層２２に電気的に接続されるように、第１外部電極２７を形成する。また、耐湿保護層２５及び樹脂保護層２６に各々設けられた開口を介して、第２電極層２４に電気的に接続されるように、第２外部電極２８を形成する。
【0083】
以上により、図１１に示すような回路層２０を、半導体基板１０の第１主面１０ａ上に形成する。第１外部電極２７は、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面に引き出され、第２外部電極２８と離隔されている。また、第２外部電極２８は、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面に引き出され、第１外部電極２７と離隔されている。
【0084】
＜第１樹脂体の形成＞
図１２に示すように、感光性樹脂膜３５を、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。そして、感光性樹脂膜３５のパターニングをフォトリソグラフィー法で行うことにより、図１３に示すような第１樹脂体３０を、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。より具体的には、平面視において第１外部電極２７と第２外部電極２８との間に設けられ、かつ、断面視において、半導体基板１０とは反対側の先端が、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の半導体基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にあるように、第１樹脂体３０を形成する。また、平面視において、半導体基板１０の中心を囲む少なくとも３箇所に設けられるように、第１樹脂体３０を形成する。
図１２に示すように、感光性樹脂膜３５を、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。そして、感光性樹脂膜３５のパターニングをフォトリソグラフィー法で行うことにより、図１３に示すような第１樹脂体３０を、回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上に形成する。より具体的には、平面視において第１外部電極２７と第２外部電極２８との間に設けられ、かつ、断面視において、半導体基板１０とは反対側の先端が、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の半導体基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にあるように、第１樹脂体３０を形成する。また、平面視において、半導体基板１０の中心を囲む少なくとも３箇所に設けられるように、第１樹脂体３０を形成する。
【0085】
以上により、図１３に示すような半導体装置１が製造される。
【0086】
以上では、１つの半導体装置１を製造する場合について説明したが、同一の半導体基板１０の第１主面１０ａ上に複数の回路層２０を形成した後、ダイシング等で半導体基板１０を切断して個片化することにより、複数の半導体装置１を同時に製造してもよい。
【0087】
本発明のモジュールは、本発明の半導体装置と、第１外部電極に電気的に接続された第１ランドと、第２外部電極に電気的に接続された第２ランドと、を有する配線基板と、を備える、ことを特徴とする。以下では、本発明の実施形態１の半導体装置を有するモジュールを、本発明の実施形態１のモジュールとして説明する。
【0088】
図１４は、本発明の実施形態１のモジュールを示す断面模式図である。
【0089】
図１４に示すように、モジュール１００は、半導体装置１と、配線基板５０と、を有している。より具体的には、モジュール１００は、半導体装置１が配線基板５０に実装されたものである。
【0090】
配線基板５０は、基板５１と、第１ランド５２と、第２ランド５３と、を有している。
【0091】
基板５１には、各種配線が設けられている。基板５１の各種配線は、第１ランド５２及び第２ランド５３に独立して接続されている。
【0092】
第１ランド５２は、基板５１の表面上に設けられており、第１外部電極２７に電気的に接続されている。より具体的には、第１ランド５２は、はんだ６０を介して第１外部電極２７に電気的に接続されている。
【0093】
第１ランド５２の構成材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属が挙げられる。
【0094】
第２ランド５３は、基板５１の表面上で第１ランド５２と離隔された位置に設けられており、第２外部電極２８に電気的に接続されている。より具体的には、第２ランド５３は、はんだ６０を介して第２外部電極２８に電気的に接続されている。
【0095】
第２ランド５３の構成材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属が挙げられる。
【0096】
モジュール１００では、第１樹脂体３０が配線基板５０側（例えば、第１ランド５２、第２ランド５３、はんだ６０等）に接触していないが、これは、例えば、下記のメカニズムによるものと考えられる。
【0097】
１つ目のメカニズムとして、半導体装置１が配線基板５０に位置ずれしていない状態で実装される場合について説明する。半導体装置１をはんだ６０を介して配線基板５０に実装する際には、まず、第１樹脂体３０がはんだ６０に接触する。その後、リフロー処理を行うと、はんだ６０が第１ランド５２及び第２ランド５３の各々において全体的に濡れ広がるものの、はんだ６０が第１樹脂体３０を避けるようになり、結果的に、第１樹脂体３０がはんだ６０に接触しないようになる。
【0098】
２つ目のメカニズムとして、半導体装置１が配線基板５０に位置ずれした状態で実装される場合について説明する。この場合は、リフロー処理時のセルフアライメント効果により、結果的に、第１樹脂体３０がはんだ６０に接触しないようになる。
【0099】
モジュール１００では、図１５に示すように、配線基板５０と第１外部電極２７と第２外部電極２８との各間には、モールド樹脂７０が設けられていてもよい。図１５は、本発明の実施形態１のモジュールにおいて、モールド樹脂が設けられた状態を示す断面模式図である。
【0100】
［実施形態２］
本発明の半導体装置では、第１樹脂体は、厚み方向に直交する方向であって、第２外部電極から第１外部電極に向かう方向に対して交差する方向に延在する壁部を含んでいてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の半導体装置として以下に説明する。本発明の実施形態２の半導体装置は、第１樹脂体の構成が変更されていること以外、本発明の実施形態１の半導体装置と同様である。
本発明の半導体装置では、第１樹脂体は、厚み方向に直交する方向であって、第２外部電極から第１外部電極に向かう方向に対して交差する方向に延在する壁部を含んでいてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の半導体装置として以下に説明する。本発明の実施形態２の半導体装置は、第１樹脂体の構成が変更されていること以外、本発明の実施形態１の半導体装置と同様である。
【0101】
【0102】
図１６及び図１７に示すように、第１樹脂体３０は、厚み方向Ｔに直交する方向であって、第２外部電極２８から第１外部電極２７に向かう方向、ここでは、長さ方向Ｌに対して交差する方向に延在する壁部を含んでいる。より具体的には、第１樹脂体３０は、長さ方向Ｌと厚み方向Ｔとの両方に直交する方向、すなわち、幅方向Ｗに延在する壁部を含んでいる。
【0103】
第１樹脂体３０がこのような壁部を含むことにより、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０で荷重をより広く分散できるため、コンデンサ素子、特に、誘電体層２３に加わる荷重が充分に抑制される。
【0104】
図１６に示すような平面視において、第１樹脂体３０の長さ方向Ｌにおける寸法と幅方向Ｗにおける寸法とは、ともに、好ましくは３μｍ以上である。第１樹脂体３０の長さ方向Ｌにおける寸法と幅方向Ｗにおける寸法とがともに３μｍよりも短い場合、半導体装置１を配線基板に実装する際に、第１樹脂体３０で荷重を受け止めつつ、半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持できないおそれがある。
【0105】
第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持する観点から、図１６に示すような平面視において、第１樹脂体３０の幅方向Ｗにおける寸法は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各々の幅方向Ｗにおける寸法よりも長いことが好ましい。
【0106】
図１６に示すような平面視において、第１樹脂体３０は矩形状であるが、その形状は特に限定されず、例えば、楕円形状であってもよい。
【0107】
本発明の実施形態２のモジュールは、本発明の実施形態２の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。
【0108】
図１６に示すような平面視において、壁部としての第１樹脂体３０は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の互いに対向する端部同士を結ぶ領域８０に延在している。これにより、図１６及び図１７に示した半導体装置１を配線基板に実装してモジュールを構成する際に、はんだの広がり、いわゆるはんだスプラッシュが発生しても、図１７中の矢印で示すように、はんだの濡れ広がる経路が第１樹脂体３０の分だけ長くなる。そのため、はんだスプラッシュによる、第１外部電極２７と第２外部電極２８との短絡を抑制できる。
【0109】
［実施形態２の変形例１］
本発明の実施形態２の半導体装置では、壁部は、第１外部電極側に設けられた第１壁部と、第２外部電極側に設けられ、第１壁部と離隔された第２壁部と、を含んでいてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置として以下に説明する。
本発明の実施形態２の半導体装置では、壁部は、第１外部電極側に設けられた第１壁部と、第２外部電極側に設けられ、第１壁部と離隔された第２壁部と、を含んでいてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置として以下に説明する。
【0110】
【0111】
【0112】
第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂを壁部として含む第１樹脂体３０が設けられていることにより、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持できる。また、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０で荷重をより広く分散できるため、コンデンサ素子、特に、誘電体層２３に加わる荷重が充分に抑制される。
【0113】
図１８に示すように平面視したとき、幅方向Ｗにおいて、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの一端は、各々、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の互いに対向する端部同士を結ぶ領域８０の一端と、半導体基板１０の一端との間に位置していることが好ましい。また、幅方向Ｗにおいて、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの他端は、各々、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の互いに対向する端部同士を結ぶ領域８０の他端と、半導体基板１０の他端との間に位置していることが好ましい。このように第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂが設けられていることにより、第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で充分安定して保持できる。
【0114】
第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持する観点から、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの長さ方向Ｌにおける寸法は、各々、好ましくは３μｍ以上である。また、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの長さ方向Ｌにおける寸法は、各々、好ましくは、第１外部電極２７と第２外部電極２８との長さ方向Ｌにおける距離の半分未満である。
【0115】
第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持する観点から、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの幅方向Ｗにおける寸法は、各々、好ましくは１０μｍ以上である。また、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの幅方向Ｗにおける寸法は、各々、好ましくは、半導体基板１０の幅方向Ｗにおける寸法以下である。
【0116】
図１８に示すような平面視において、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂは、並行して設けられていることが好ましい。この場合、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で充分安定して保持できる。特に、半導体基板１０の長さ方向Ｌにおいて、その中心に対して一方側に第１壁部３０ａが設けられ、かつ、他方側に第２壁部３０ｂが設けられていることにより、第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上でより安定して保持できる。
【0117】
第１壁部３０ａと第１外部電極２７との距離Ｌ１は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８間の中心位置Ｚと第１壁部３０ａとの距離Ｌ２よりも短く、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８との距離Ｌ３は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８間の中心位置Ｚと第２壁部３０ｂとの距離Ｌ４よりも短い、ことが好ましい。この場合、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で充分安定して保持できる。また、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、半導体装置１が３点曲げされることが防止される。
【0118】
距離Ｌ１、距離Ｌ２、距離Ｌ３、距離Ｌ４、及び、中心位置Ｚは、各々、下記のようにして定められる。まず、長さ方向Ｌに伸びる５本の各直線上で、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の互いに対向する端部間の中点を定め、これらの中点を結んだ直線を中心位置Ｚと定める。ここで、上記の５本の直線については、第１壁部３０ａと第１外部電極２７との距離が最大となる位置を通る直線と、第１壁部３０ａと第１外部電極２７との距離が最小となる位置を通る直線と、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８との距離が最大となる位置を通る直線と、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８との距離が最小となる位置を通る直線と、を含むように選択する。次に、上記と同じ５本の各直線上で、第１壁部３０ａと第１外部電極２７との距離、中心位置Ｚと第１壁部３０ａとの距離、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８との距離、及び、中心位置Ｚと第２壁部３０ｂとの距離を測定する。そして、第１壁部３０ａと第１外部電極２７との距離、中心位置Ｚと第１壁部３０ａとの距離、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８との距離、及び、中心位置Ｚと第２壁部３０ｂとの距離について、得られた５つの測定値の平均値を、各々、距離Ｌ１、距離Ｌ２、距離Ｌ３、及び、距離Ｌ４と定める。
【0119】
一方、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂが、例えば、ソルダーレジスト等のはんだを弾く材料で構成されている場合、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂが第１外部電極２７及び第２外部電極２８に各々接触している、すなわち、距離Ｌ１及び距離Ｌ３がともに０であると、半導体装置１、より具体的には、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各々を配線基板のランドにはんだを介して接続する際に、はんだが第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂを避けるように、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各電極上で大きくくびれてしまうことがある。その結果、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各々に対するはんだの接合強度が低下することがある。また、はんだが大きくくびれてしまうことで、はんだでの断線が発生しやすくなる。更に、半導体装置１を高周波領域で使用する場合、表皮効果により電流経路がはんだの外周部となるが、はんだが大きくくびれると電流経路が長くなるため、結果的に、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が上昇し、Ｑ値が悪化する。このような不具合を抑制する観点から、第１壁部３０ａと第１外部電極２７とは離隔され、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８とは離隔されている、ことが好ましい。
【0120】
本発明の実施形態２の変形例１のモジュールは、本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。
【0121】
［実施形態２の変形例２］
本発明の実施形態２の半導体装置では、回路層の半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、第２樹脂体は、平面視において半導体基板の端部と第１外部電極との間で半導体基板の端部に沿って設けられた第１外周部と、平面視において半導体基板の端部と第２外部電極との間で半導体基板の端部に沿って設けられた第２外周部と、を有していてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置として以下に説明する。なお、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置においては、第１樹脂体が第１壁部及び第２壁部を壁部として含んでいる場合を例示する。つまり、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置は、第２樹脂体が設けられていること以外、本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置と同様である。
本発明の実施形態２の半導体装置では、回路層の半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、第２樹脂体は、平面視において半導体基板の端部と第１外部電極との間で半導体基板の端部に沿って設けられた第１外周部と、平面視において半導体基板の端部と第２外部電極との間で半導体基板の端部に沿って設けられた第２外周部と、を有していてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置として以下に説明する。なお、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置においては、第１樹脂体が第１壁部及び第２壁部を壁部として含んでいる場合を例示する。つまり、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置は、第２樹脂体が設けられていること以外、本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置と同様である。
【0122】
【0123】
【0124】
第２樹脂体４０は、図２０に示すような平面視において半導体基板１０の端部と第１外部電極２７との間で半導体基板１０の端部に沿って設けられた第１外周部４０ａと、図２０に示すような平面視において半導体基板１０の端部と第２外部電極２８との間で半導体基板１０の端部に沿って設けられた第２外周部４０ｂと、を有している。より具体的には、第１外周部４０ａは、第１外部電極２７の周囲で、半導体基板１０の長さ方向Ｌに沿って延在する両端と幅方向Ｗに沿って延在する一端と、に沿って設けられている。第２外周部４０ｂは、第２外部電極２８の周囲で、半導体基板１０の長さ方向Ｌに沿って延在する両端と幅方向Ｗに沿って延在する他端と、に沿って設けられている。
【0125】
第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂを有する第２樹脂体４０が設けられていることにより、例えば、同一の半導体基板１０の第１主面１０ａ上に複数の回路層２０を形成した後、ダイシング等で半導体基板１０を切断して個片化する際に、第２樹脂体４０を含んで切断するため、半導体装置１にチッピングが発生することを抑制できる。
【0126】
図２１に示すような断面視において、第２樹脂体４０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端は、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端よりも低い位置にあることが好ましい。この場合、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第１樹脂体３０によって半導体基板１０及び回路層２０を配線基板上で安定して保持できる。上述したように、第１電極層２２が半導体基板１０の端部と離隔された位置までに設けられていることで、回路層２０の端部が中心部よりも半導体基板１０側に下がりやすくなっているため、第２樹脂体４０の半導体基板１０とは反対側の先端は、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端よりも低い位置になりやすい。
【0127】
図２１に示すような断面視において、第２樹脂体４０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の半導体基板１０とは反対側の先端よりも高い位置にあることが好ましい。この場合、例えば、半導体装置１を配線基板に実装する際、第２樹脂体４０で荷重をより広く分散できるため、コンデンサ素子、特に、誘電体層２３に加わる荷重が充分に抑制される。
【0128】
なお、第１外周部及び第２外周部を有する第２樹脂体は、本発明の実施形態１の半導体装置に設けられていてもよい。
【0129】
本発明の実施形態２の変形例２のモジュールは、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。
【0130】
［実施形態２の変形例３］
本発明の実施形態２の半導体装置では、断面視において、壁部の第１外部電極側の側面と壁部の第２外部電極側の側面とは、半導体基板側から半導体基板とは反対側に向かって互いに近づいていてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置として以下に説明する。なお、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置においては、第１樹脂体が第１壁部及び第２壁部を壁部として含んでいる場合を例示する。つまり、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置は、第１樹脂体の形状が変更されていること以外、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置と同様である。
本発明の実施形態２の半導体装置では、断面視において、壁部の第１外部電極側の側面と壁部の第２外部電極側の側面とは、半導体基板側から半導体基板とは反対側に向かって互いに近づいていてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置として以下に説明する。なお、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置においては、第１樹脂体が第１壁部及び第２壁部を壁部として含んでいる場合を例示する。つまり、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置は、第１樹脂体の形状が変更されていること以外、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置と同様である。
【0131】
図２２は、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置を示す断面模式図である。
【0132】
図２２に示すような断面視において、第１壁部３０ａの第１外部電極２７側の側面と第１壁部３０ａの第２外部電極２８側の側面とは、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって互いに近づいている。また、図２２に示すような断面視において、第２壁部３０ｂの第１外部電極２７側の側面と第２壁部３０ｂの第２外部電極２８側の側面とは、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって互いに近づいている。つまり、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの断面形状は、各々、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって幅が小さくなる、いわゆるテーパー形状である。第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの各々について、第１外部電極２７側の側面と第２外部電極２８側の側面とは、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって互いに近づくものであれば、曲面状であってもよい。
【0133】
第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂが上述した形状であることにより、図２１に示すような状態と比較して、第１壁部３０ａと第１外部電極２７上の領域とが遠くなり、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８上の領域とが遠くなる。そのため、半導体装置１、より具体的には、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各々を配線基板のランドにはんだを介して接続する際に、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂが、例えば、ソルダーレジスト等のはんだを弾く材料で構成されている場合でも、はんだが第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各電極上で大きくくびれることがない。すなわち、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各々と配線基板のランドとを接続するはんだの電流経路が途中で狭くなることがない。その結果、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の各々に対するはんだの接合強度の低下が充分に抑制される。また、はんだが大きくくびれることがないため、はんだでの断線が発生しにくくなる。更に、半導体装置１を高周波領域で使用する場合、表皮効果により電流経路がはんだの外周部となるが、はんだが大きくくびれることがないために電流経路が長くならず、結果的に、等価直列抵抗の上昇とＱ値の悪化とが抑制される。このような観点から、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂにおいて、第１外部電極２７及び第２外部電極２８よりも突出している部分（第１外部電極２７及び第２外部電極２８上の領域と対向する部分）が上述した形状であることが好ましい。
【0134】
第１外部電極２７上ではんだを大きくくびれさせないようにするには、第１壁部３０ａと第１外部電極２７上の領域とが遠くなるようにすることが重要であるため、図２２に示すように、第１壁部３０ａの第１外部電極２７側の側面と第１外部電極２７との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。つまり、第１樹脂体３０が複数の壁部を含む場合、複数の壁部のうちで最も第１外部電極２７側に設けられた壁部、ここでは、第１壁部３０ａの第１外部電極２７側の側面と第１外部電極２７との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。なお、第１壁部３０ａについて、第１外部電極２７側の側面と第２外部電極２８側の側面とが半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって互いに近づくものであれば、第１壁部３０ａの第２外部電極２８側の側面と第１外部電極２７との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって小さくなっていてもよいし、一定であってもよい。言い換えれば、第１壁部３０ａの第２外部電極２８側の側面と第２外部電極２８との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなっていてもよいし、一定であってもよい。
【0135】
また、第２外部電極２８上ではんだを大きくくびれさせないようにするには、第２壁部３０ｂと第２外部電極２８上の領域とが遠くなるようにすることが重要であるため、図２２に示すように、第２壁部３０ｂの第２外部電極２８側の側面と第２外部電極２８との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。つまり、第１樹脂体３０が複数の壁部を含む場合、複数の壁部のうちで最も第２外部電極２８側に設けられた壁部、ここでは、第２壁部３０ｂの第２外部電極２８側の側面と第２外部電極２８との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。なお、第２壁部３０ｂについて、第１外部電極２７側の側面と第２外部電極２８側の側面とが半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって互いに近づくものであれば、第２壁部３０ｂの第１外部電極２７側の側面と第２外部電極２８との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって小さくなっていてもよいし、一定であってもよい。言い換えれば、第２壁部３０ｂの第１外部電極２７側の側面と第１外部電極２７との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなっていてもよいし、一定であってもよい。
【0136】
一方、図１６に示すように、第１樹脂体３０として１つの壁部が設けられている場合、第１樹脂体３０の第１外部電極２７側の側面と第１外部電極２７との距離、及び、第１樹脂体３０の第２外部電極２８側の側面と第２外部電極２８との距離は、ともに、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。
【0137】
本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置においては、本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置と同様に、図２２に示すような第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂを有する第２樹脂体４０が設けられていてもよい。第２樹脂体４０についても、第１樹脂体３０と同様に、図２２に示すような断面視において、第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂの断面形状は、各々、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって幅が小さくなっていることが好ましい。より具体的には、第１外周部４０ａの第１外部電極２７側の側面と第１外部電極２７との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。また、第２外周部４０ｂの第２外部電極２８側の側面と第２外部電極２８との距離は、半導体基板１０側から半導体基板１０とは反対側に向かって大きくなることが好ましい。
【0138】
本発明の実施形態２の変形例３のモジュールは、本発明の実施形態２の変形例３の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。
【0139】
［実施形態２の変形例４］
本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置では、回路層の半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、第２樹脂体は、平面視において半導体基板の端部と第１外部電極との間に設けられた第１外周部と、平面視において半導体基板の端部と第２外部電極との間に設けられた第２外周部と、を有し、第１壁部と第１外周部とは連接され、第２壁部と第２外周部とは連接され、第１壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第１開口が設けられ、第２壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第２開口が設けられていてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例４の半導体装置として以下に説明する。
本発明の実施形態２の変形例１の半導体装置では、回路層の半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、第２樹脂体は、平面視において半導体基板の端部と第１外部電極との間に設けられた第１外周部と、平面視において半導体基板の端部と第２外部電極との間に設けられた第２外周部と、を有し、第１壁部と第１外周部とは連接され、第２壁部と第２外周部とは連接され、第１壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第１開口が設けられ、第２壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第２開口が設けられていてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例４の半導体装置として以下に説明する。
【0140】
図２３は、本発明の実施形態２の変形例４の半導体装置を示す平面模式図である。
【0141】
回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上には、第２樹脂体４０が設けられている。
【0142】
第２樹脂体４０は、図２３に示すような平面視において半導体基板１０の端部と第１外部電極２７との間に設けられた第１外周部４０ａと、図２３に示すような平面視において半導体基板１０の端部と第２外部電極２８との間に設けられた第２外周部４０ｂと、を有している。
【0143】
第１外周部４０ａは、半導体基板１０の端部に沿って、より具体的には、第１外部電極２７の周囲で、半導体基板１０の長さ方向Ｌに沿って延在する両端と幅方向Ｗに沿って延在する一端と、に沿って設けられていてもよい。
【0144】
第２外周部４０ｂは、半導体基板１０の端部に沿って、より具体的には、第２外部電極２８の周囲で、半導体基板１０の長さ方向Ｌに沿って延在する両端と幅方向Ｗに沿って延在する他端と、に沿って設けられていてもよい。
【0145】
第１壁部３０ａと第１外周部４０ａとは、連接されている。また、第２壁部３０ｂと第２外周部４０ｂとは、連接されている。
【0146】
第１壁部３０ａには、第１壁部３０ａと第２壁部３０ｂとを離隔する空間に連通する第１開口３１ａが設けられている。また、第２壁部３０ｂには、第１壁部３０ａと第２壁部３０ｂとを離隔する空間に連通する第２開口３１ｂが設けられている。
【0147】
第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂに第１開口３１ａ及び第２開口３１ｂが各々設けられていることにより、半導体装置１を配線基板に実装してモジュールを構成する際に、半導体装置１を配線基板に実装した後で、モールド樹脂を、第１壁部３０ａと第２壁部３０ｂとを離隔する空間に充填すると、その空間に連通する第１開口３１ａを通して第１外部電極２７の周辺に、また、第２開口３１ｂを通して第２外部電極２８の周辺に、各々充填しやすくなる。
【0148】
本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置と同様に、断面視において、第２樹脂体４０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端は、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端よりも低い位置にあることが好ましい。
【0149】
本発明の実施形態２の変形例４のモジュールは、本発明の実施形態２の変形例４の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。
【0150】
［実施形態２の変形例５］
本発明の実施形態２の半導体装置では、平面視において、壁部は、第１外部電極及び第２外部電極の互いに対向する端部同士を結ぶ領域に延在していてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置として以下に説明する。
本発明の実施形態２の半導体装置では、平面視において、壁部は、第１外部電極及び第２外部電極の互いに対向する端部同士を結ぶ領域に延在していてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置として以下に説明する。
【0151】
図２４は、本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置を示す平面模式図である。
【0152】
図２４に示すような平面視において、壁部としての第１樹脂体３０は、第１外部電極２７及び第２外部電極２８の互いに対向する端部同士を結ぶ領域８０に延在している。
【0153】
図２５は、本発明の実施形態２の変形例５のモジュールを示す断面模式図である。本発明の実施形態２の変形例５のモジュールは、本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。図２４に示すような平面視において第１樹脂体３０が領域８０に延在していることにより、図２５に示すように半導体装置１を配線基板５０に実装してモジュール１００を構成する際に、はんだ６０の濡れ広がり、いわゆるはんだスプラッシュが発生しても、図２５中の矢印で示すように、はんだ６０の濡れ広がる経路が第１樹脂体３０の分だけ長くなる。そのため、はんだスプラッシュによる、第１外部電極２７と第２外部電極２８との短絡を抑制できる。
【0154】
【0155】
［実施形態２の変形例６］
本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置では、壁部は、第１外部電極側に設けられた第１壁部と、第２外部電極側に設けられ、第１壁部と離隔された第２壁部と、を含み、回路層の半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、第２樹脂体は、平面視において半導体基板の端部と第１外部電極との間に設けられた第１外周部と、平面視において半導体基板の端部と第２外部電極との間に設けられた第２外周部と、を有し、第１壁部と第１外周部とは連接され、第２壁部と第２外周部とは連接され、第１壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第１開口が設けられ、第２壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第２開口が設けられ、第２外部電極から第１外部電極に向かう方向において、第１開口は第２壁部に対向し、かつ、第２開口は第１壁部に対向していてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例６の半導体装置として以下に説明する。
本発明の実施形態２の変形例５の半導体装置では、壁部は、第１外部電極側に設けられた第１壁部と、第２外部電極側に設けられ、第１壁部と離隔された第２壁部と、を含み、回路層の半導体基板とは反対側の表面上には第２樹脂体が設けられ、第２樹脂体は、平面視において半導体基板の端部と第１外部電極との間に設けられた第１外周部と、平面視において半導体基板の端部と第２外部電極との間に設けられた第２外周部と、を有し、第１壁部と第１外周部とは連接され、第２壁部と第２外周部とは連接され、第１壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第１開口が設けられ、第２壁部には、第１壁部と第２壁部とを離隔する空間に連通する第２開口が設けられ、第２外部電極から第１外部電極に向かう方向において、第１開口は第２壁部に対向し、かつ、第２開口は第１壁部に対向していてもよい。このような例を、本発明の実施形態２の変形例６の半導体装置として以下に説明する。
【0156】
図２６は、本発明の実施形態２の変形例６の半導体装置を示す平面模式図である。
【0157】
図２６に示すように、壁部としての第１樹脂体３０は、第１外部電極２７側に設けられた第１壁部３０ａと、第２外部電極２８側に設けられ、第１壁部３０ａと離隔された第２壁部３０ｂと、を含んでいる。
【0158】
回路層２０の半導体基板１０とは反対側の表面上には、第２樹脂体４０が設けられている。
【0159】
第２樹脂体４０は、図２６に示すような平面視において半導体基板１０の端部と第１外部電極２７との間に設けられた第１外周部４０ａと、図２６に示すような平面視において半導体基板１０の端部と第２外部電極２８との間に設けられた第２外周部４０ｂと、を有している。
【0160】
第１外周部４０ａは、半導体基板１０の端部に沿って、より具体的には、第１外部電極２７の周囲で、半導体基板１０の長さ方向Ｌに沿って延在する両端と幅方向Ｗに沿って延在する一端と、に沿って設けられていてもよい。
【0161】
第２外周部４０ｂは、半導体基板１０の端部に沿って、より具体的には、第２外部電極２８の周囲で、半導体基板１０の長さ方向Ｌに沿って延在する両端と幅方向Ｗに沿って延在する他端と、に沿って設けられていてもよい。
【0162】
第１壁部３０ａと第１外周部４０ａとは、連接されている。また、第２壁部３０ｂと第２外周部４０ｂとは、連接されている。
【0163】
第１壁部３０ａには、第１壁部３０ａと第２壁部３０ｂとを離隔する空間に連通する第１開口３１ａが設けられている。また、第２壁部３０ｂには、第１壁部３０ａと第２壁部３０ｂとを離隔する空間に連通する第２開口３１ｂが設けられている。
【0164】
第２外部電極２８から第１外部電極２７に向かう方向、すなわち、長さ方向Ｌにおいて、第１開口３１ａは第２壁部３０ｂに対向し、かつ、第２開口３１ｂは第１壁部３０ａに対向している。
【0165】
第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂに第１開口３１ａ及び第２開口３１ｂが各々設けられていることにより、半導体装置１を配線基板に実装してモジュールを構成する際に、半導体装置１を配線基板に実装した後で、モールド樹脂を、第１壁部３０ａと第２壁部３０ｂとを離隔する空間に充填すると、その空間に連通する第１開口３１ａを通して第１外部電極２７の周辺に、また、第２開口３１ｂを通して第２外部電極２８の周辺に、各々充填しやすくなる。また、長さ方向Ｌにおいて、第１開口３１ａが第２壁部３０ｂに対向し、かつ、第２開口３１ｂが第１壁部３０ａに対向している、すなわち、第１開口３１ａ及び第２開口３１ｂが対向していないことにより、半導体装置１を配線基板に実装してモジュールを構成する際にはんだスプラッシュが発生しても、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂが障壁となるため、第１外部電極２７と第２外部電極２８との短絡を抑制できる。
【0166】
本発明の実施形態２の変形例２の半導体装置と同様に、断面視において、第２樹脂体４０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１外周部４０ａ及び第２外周部４０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端は、第１樹脂体３０の半導体基板１０とは反対側の先端、ここでは、第１壁部３０ａ及び第２壁部３０ｂの半導体基板１０とは反対側の先端よりも低い位置にあることが好ましい。
【0167】
本発明の実施形態２の変形例６のモジュールは、本発明の実施形態２の変形例６の半導体装置を有すること以外、本発明の実施形態１のモジュールと同様である。
【符号の説明】
【0168】
１ 半導体装置
１０ 半導体基板
１０ａ 半導体基板の第１主面
１０ｂ 半導体基板の第２主面
２０ 回路層
２１ 絶縁層
２２ 第１電極層
２３ 誘電体層
２４ 第２電極層
２５ 耐湿保護層
２６ 樹脂保護層
２７ 第１外部電極
２８ 第２外部電極
２９ａ シード層
２９ｂ 第１めっき層
２９ｃ 第２めっき層
３０ 第１樹脂体
３０ａ 第１壁部
３０ｂ 第２壁部
３１ａ 第１開口
３１ｂ 第２開口
３５ 感光性樹脂膜
４０ 第２樹脂体
４０ａ 第１外周部
４０ｂ 第２外周部
５０ 配線基板
５１ 基板
５２ 第１ランド
５３ 第２ランド
６０ はんだ
７０ モールド樹脂
８０ 領域
１００ モジュール
Ｌ 長さ方向
Ｌ１ 第１壁部と第１外部電極との距離
Ｌ２ 第１外部電極及び第２外部電極間の中心位置と第１壁部との距離
Ｌ３ 第２壁部と第２外部電極との距離
Ｌ４ 第１外部電極及び第２外部電極間の中心位置と第２壁部との距離
Ｔ 厚み方向
Ｗ 幅方向
Ｚ 第１外部電極及び第２外部電極間の中心位置
１０ 半導体基板
１０ａ 半導体基板の第１主面
１０ｂ 半導体基板の第２主面
２０ 回路層
２１ 絶縁層
２２ 第１電極層
２３ 誘電体層
２４ 第２電極層
２５ 耐湿保護層
２６ 樹脂保護層
２７ 第１外部電極
２８ 第２外部電極
２９ａ シード層
２９ｂ 第１めっき層
２９ｃ 第２めっき層
３０ 第１樹脂体
３０ａ 第１壁部
３０ｂ 第２壁部
３１ａ 第１開口
３１ｂ 第２開口
３５ 感光性樹脂膜
４０ 第２樹脂体
４０ａ 第１外周部
４０ｂ 第２外周部
５０ 配線基板
５１ 基板
５２ 第１ランド
５３ 第２ランド
６０ はんだ
７０ モールド樹脂
８０ 領域
１００ モジュール
Ｌ 長さ方向
Ｌ１ 第１壁部と第１外部電極との距離
Ｌ２ 第１外部電極及び第２外部電極間の中心位置と第１壁部との距離
Ｌ３ 第２壁部と第２外部電極との距離
Ｌ４ 第１外部電極及び第２外部電極間の中心位置と第２壁部との距離
Ｔ 厚み方向
Ｗ 幅方向
Ｚ 第１外部電極及び第２外部電極間の中心位置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】