(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-21
(45)【発行日】2023-11-30
(54)【発明の名称】擬似乱数生成回路装置
(51)【国際特許分類】
G06F 7/58 20060101AFI20231122BHJP
G09C 1/00 20060101ALI20231122BHJP
H03K 3/84 20060101ALI20231122BHJP
【ＦＩ】
G06F7/58 640
G09C1/00 650B
H03K3/84 Z
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2020042578
(22)【出願日】2020-03-12
(65)【公開番号】P2021144463
(43)【公開日】2021-09-24
【審査請求日】2022-11-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000005223
【氏名又は名称】富士通株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094525
【弁理士】
【氏名又は名称】土井 健二
(74)【代理人】
【識別番号】100094514
【弁理士】
【氏名又は名称】林 恒徳
(72)【発明者】
【氏名】村田 誠治
【審査官】豊田 真弓
(56)【参考文献】
【文献】特開平１１－０４５１７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０５－３１５９０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開平０４－０６１９２７（ＪＰ，Ｕ）
【文献】特開平１１－１８４６７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１２６５１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０７２８９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２１５８２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２４２４７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１７９４７２（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０６Ｆ ７／５８
Ｇ０９Ｃ １／００
Ｈ０３Ｋ ３／８４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ルールデータに基づいて構成された論理回路が現在の乱数値から次の乱数値を生成する擬似乱数生成部と、前記擬似乱数生成部が生成した乱数の周期終了をシードに基づいて検出する周期検出部と、
前記周期検出部が前記乱数の周期終了を検出したことを第１のトリガにして、新たなルールデータを生成し、前記新たなルールデータを前記擬似乱数生成部に出力するルールデータ生成部とを有し、
前記周期検出部は、前記新たなルールデータに基づいて構成された新たな論理回路が生成した乱数値を前記シードとして記憶する、擬似乱数生成回路装置。
【請求項2】
前記周期検出部は、前記新たなルールデータに基づいて構成された新たな論理回路が最初に生成した乱数値を前記シードとして記憶し、前記擬似乱数生成部が生成した乱数値と前記シードとが一致した場合に前記乱数の周期終了を検出する、請求項１に記載の擬似乱数生成回路装置。
【請求項3】
前記擬似乱数生成部は、前記論理回路と、
前記論理回路が生成する次の乱数値を反転信号に基づいて反転する反転回路と、
前記論理回路が生成する次の乱数値または前記反転回路によって反転された反転乱数値をラッチするラッチ回路とを有し、
前記周期検出部は、前記次の乱数値が全ビット０か否かを検出するオールゼロチェック部を有し、
前記ルールデータ生成部は、前記オールゼロチェック部が前記次の乱数値が全ビット０であることを検出したことを第２のトリガとして、前記新たなルールデータを生成し、前記新たなルールデータを前記擬似乱数生成部に出力し、
前記周期検出部は、前記第２のトリガが生成されたとき、前記反転信号をアクティブ状態で前記擬似乱数生成部に出力する、請求項１に記載の擬似乱数生成回路装置。
【請求項4】
前記擬似乱数生成部は、前記論理回路と、
前記論理回路が生成する次の乱数値を反転信号に基づいて反転する反転回路と、
前記論理回路が生成する次の乱数値または前記反転回路によって反転された反転乱数値をラッチするラッチ回路とを有し、
前記周期検出部は、前記次の乱数値が同じ数に収束したか否かを検出する収束チェック部を有し、
前記ルールデータ生成部は、前記収束チェック部が前記次の乱数値が同じ数に収束したことを検出したことを第３のトリガとして、前記新たなルールデータを生成し、前記新たなルールデータを前記擬似乱数生成部に出力し、
前記周期検出部は、前記第３のトリガが生成されたとき、前記反転信号をアクティブ状態で前記擬似乱数生成部に出力する、請求項１に記載の擬似乱数生成回路装置。
【請求項5】
前記擬似乱数生成部は、前記論理回路と、
前記論理回路が生成する次の乱数値を反転信号に基づいて反転する反転回路と、
前記論理回路が生成する次の乱数値または前記反転回路によって反転された反転乱数値をラッチするラッチ回路とを有し、
前記周期検出部は、前記第１のトリガが生成されたとき、前記反転信号をアクティブ状態で前記擬似乱数生成部に出力する、請求項１に記載の擬似乱数生成回路装置。
【請求項6】
前記擬似乱数生成部は、前記論理回路と、前記ラッチ回路とをそれぞれ有するＮ（Ｎは複数）個のセルを有し、
前記Ｎ個のセルのうち一部のセルが、前記反転回路を有し、
前記Ｎ個のセルがそれぞれ１ビットの乱数を生成し、
前記反転回路は、前記反転信号と前記次の乱数値を入力とする排他的論理和回路と、前記反転信号と前記次の乱数値を入力とする論理和回路のいずれか一方であり、前記反転回路の少なくとも１つは前記論理和回路である、請求項３乃至４のいずれかに記載の擬似乱数生成回路装置。
【請求項7】
前記ルールデータ生成部は、前記第１のトリガが生成されるたびに発振周波数が変更されるリング発振器と、前記リング発振器が出力する時系列ビットを前記ルールデータとして記憶するルールデータ記憶装置とを有する、請求項１に記載の擬似乱数生成回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、擬似乱数生成回路装置に関する。
【背景技術】
【0002】
マイクロプロセッサなどの半導体装置には、命令デコーダ、論理演算回路、キャッシュメモリなどと共に、擬似乱数生成回路が組み込まれる。擬似乱数生成回路が生成する擬似乱数（以下、単に乱数と称する。）は、暗号鍵など様々な用途を有する。
【0003】
暗号鍵に乱数を利用する場合、暗号化の際に毎回異なる乱数を暗号鍵として利用する。したがって、擬似乱数生成回路は、予測困難な乱数列を生成することが要求される。
【0004】
擬似乱数生成回路の一つとして、有限体上の原始多項式を一次元線形セル・オートマトン上に実現した擬似乱数生成回路がある。このような擬似乱数生成回路は、簡単な構成のデジタル回路で実現できるので、マイクロプロセッサに広く実装される。擬似乱数生成回路について、以下の特許文献に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００６－７２８９１号公報
【文献】特開２００６－２１５８２５号公報
【文献】特開２０００－２４２４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
一次元線形セル・オートマトンによる擬似乱数生成回路が生成する乱数は一見してランダムに見えるものの、所定のアルゴリズムに従ってプログラミングされた擬似乱数のため、原始多項式ごとに乱数生成シーケンスが決まり、その乱数生成シーケンスは周期毎に繰り返す。このように、擬似乱数生成回路は、原始多項式に対応した同じシーケンスで乱数の生成を繰り返すため、原始多項式と初期値が判明すると将来生成される乱数が予測できる場合がある。そのため、乱数を暗号鍵として利用する場合、セキュリティ上の問題がある。
【0007】
そこで、本実施の形態の第１の側面の目的は、乱数の予測困難性を高くした擬似乱数生成回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本実施の形態の第１の側面は、ルールデータに基づいて構成された論理回路が現在の乱数値から次の乱数値を生成する擬似乱数生成部と、前記擬似乱数生成部が生成した乱数の周期終了をシードに基づいて検出する周期検出部と、前記周期検出部が前記乱数の周期終了を検出したことを第１のトリガにして、新たなルールデータを生成し、前記新たなルールデータを前記擬似乱数生成部に出力するルールデータ生成部とを有し、前記周期検出部は、前記新たなルールデータに基づいて構成された新たな論理回路が生成した乱数値を前記シードとして記憶する、擬似乱数生成回路装置である。
【発明の効果】
【0009】
第１の側面によれば、擬似乱数生成回路装置が生成する乱数の予測困難性が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】一次元線形セル・オートマトンによる擬似乱数生成回路の一例を示す図である。
【図2】式１に示した４次多項式に対応した乱数列の乱数生成パターンの例を示す図である。
【図3】第１の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の構成例を示す図である。
【図4】第１の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の動作の概略を示すフローチャート図である。
【図5】第１の実施の形態における擬似乱数生成部P_RDM_GENの構成例を示す図である。
【図6】周期検出部CYC_DETの構成例を示す図である。
【図7】ルールデータ生成部RLD_GENの構成例を示す図である。
【図8】擬似乱数生成回路装置の乱数の周期の終わりを検出したときのタイミングチャートを示す図である。
【図9】第２の実施の形態における擬似乱数生成部P_RDM_GENの構成例を示す図である。
【図10】第２の実施の形態における周期検出部CYC_DETの構成例を示す図である。
【図11】第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の動作フローチャートを示す図である。
【図12】第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置において、乱数の周期の終了を検出した場合のタイミングチャートを示す図である。
【図13】第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置において、乱数値の収束を検出した場合のタイミングチャートを示す図である。
【図14】第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置において、乱数値がオールゼロになるのを検出した場合のタイミングチャートを示す図である。
【図15】第３の実施の形態におけるルールデータ生成部RLD_GENの構成例を示す図である。
【図16】第３の実施の形態のルールデータ生成部を有する擬似乱数生成回路装置のタイミングチャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
図１は、一次元線形セル・オートマトンによる擬似乱数生成回路の一例を示す図である。擬似乱数生成回路は、ｎ個のセルCELL1～CELLnを有し、各セルは、自己のセルとその両隣の２つのセルを含めた３つのセルの状態から自己のセルの次の状態を決定する。隣接するセルがない左右端のセルには、例えば“０”が入力される。各セルは、次の状態を決定する論理回路rule90、rule150と、論理回路が出力する次の乱数値h1～hnを保持するフリップフロップFF1～FFnなどの記憶装置とを有する。次の乱数値h1～hnを決定する論理回路は、ルールによって構成が異なり、２５６種類のルールが存在する。
【0012】
図１に示した擬似乱数生成回路は、ルール９０とルール１５０と呼ばれる２つのルールを組み合わせて使用する。つまり、ルール９０の論理回路rule90とルール１５０の論理回路rule150との組み合わせであり、図１の例では、n個のセルが、論理回路rule90と論理回路rule150とが交互に有する。
【0013】
擬似乱数生成回路が、４つのセルを有し、４つのセルがルール９０、ルール１５０、ルール９０、ルール１５０という順序で組み合わされると、以下の４次の原始多項式f（x）に対応した乱数列を生成する。
f（x）＝ x4 ＋ x ＋ １ （式１）
f（x）＝ x4 ＋ x ＋ １ （式１）
【0014】
図１の擬似乱数生成回路は、各セルのフリップフロップFF1～FFnに初期のシードが格納されると、クロックCKに同期して各セルの論理回路が次の乱数値h1～hnを生成、フリップフロップが次の乱数値を保持する。各論理回路では、論理回路rule90は、両隣のセルのフリップフロップの出力の現在の乱数値q1～qnから次の乱数値h1～hnを出力し、論理回路rule150は、自己のセルと両隣のセルのフリップフロップが出力する現在の乱数値q1～qnから次の乱数値h1～hnを出力する。フリップフロップが保持した次の乱数値h1～hnは、現在の乱数値q1～qnとして出力される。
【0015】
図２は、式１に示した４次多項式に対応した乱数列の乱数生成パターンの例を示す図である。図２の（ａ）周期最長の例は、４つの論理回路のルールの組み合わせがルール１５０、ルール９０、ルール１５０、ルール９０の擬似乱数生成回路の乱数生成パターンを示す。この乱数生成パターンでは、初期値が６（２進数で０１１０）に設定され、４ビットの乱数の生成パターンは０以外の異なる値であり、１５ステップ目の乱数値は初期値６である。したがって、乱数の周期が最も長い例であり、１５ステップの周期で乱数が生成される。
【0016】
図２の（ｂ）周期最長より短いときの例は、以下の４次多項式に対応し、４つの論理回路のルールの組み合わせがルール９０、ルール９０、ルール９０、ルール１５０の擬似乱数生成回路の乱数生成パターンを示す。この乱数生成パターンでは、初期値が６（２進数で０１１０）に設定され、７ステップ目の乱数が初期値６になる。この場合、６ステップの周期で乱数が生成される。また、３、４、７などの一部の値が生成されない。
【数1】
【0017】
図２の（ｃ）乱数値が収束するときの例は、以下の４次多項式に対応し、ルール９０、ルール９０、ルール１５０、ルール１５０の擬似乱数生成回路の乱数生成パターンを示す。初期値が６に設定され、ステップ１から乱数値が１１で固定している。この場合、乱数値が１１に収束する例である。
【数2】
【0018】
そして、図２の（ｄ）乱数値が「０」に収束するときの例は、以下の４次多項式に対応し、ルール１５０、ルール９０、ルール９０、ルール１５０の擬似乱数生成回路の乱数生成パターンを示す。初期値が６に設定され、ステップ２から乱数値が０に固定している。この場合、乱数値が０に収束する例である。この場合、一旦乱数値が０に収束すると、論理回路のルールを変更しても乱数値が０を繰返すことが判明した。
【数3】
【0019】
図２から判明した課題は、擬似乱数生成回路が、論理回路に設定するルールの組み合わせによって、（１）様々な周期で乱数の生成が繰り返される、（２）所定の乱数値に収束する、（３）０に収束する、などの乱数生成パターンを生成することである。このような乱数生成パターンになると、将来の乱数を予測することができ、乱数を暗号鍵に用いることはセキュリティの低下を招く。
【0020】
［第１の実施の形態］
図３は、第１の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の構成例を示す図である。擬似乱数生成回路装置は、擬似乱数生成部P_RDM_GENと、乱数の周期の終わりを検出する周期検出部CYC_DETと、周期検出部が周期終了検出時に生成するルールデータ制御信号CNT_RLDに応答して、新たなルールデータRLDを生成するルールデータ生成部RLD_GENとを有する。擬似乱数生成回路装置には、システムクロックCKと、イネーブル信号ENが与えられる。
図３は、第１の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の構成例を示す図である。擬似乱数生成回路装置は、擬似乱数生成部P_RDM_GENと、乱数の周期の終わりを検出する周期検出部CYC_DETと、周期検出部が周期終了検出時に生成するルールデータ制御信号CNT_RLDに応答して、新たなルールデータRLDを生成するルールデータ生成部RLD_GENとを有する。擬似乱数生成回路装置には、システムクロックCKと、イネーブル信号ENが与えられる。
【0021】
図４は、第１の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の動作の概略を示すフローチャート図である。初期設定として、擬似乱数生成回路装置は、擬似乱数生成部P_RDM_GENにシードを設定し（S1）、更に、ルールデータ生成部RLD_GENにルールデータを生成させ、擬似乱数生成部にルールデータを設定する（S2）。初期設定後、イネーブル信号ENをイネーブル状態にしてクロックCKを供給すると、擬似乱数生成部が乱数の生成を開始する（S3）。周期検出部は、生成される乱数値をチェックする（S4）。周期検出部は、乱数の周期が終了したことを検出したら（S4のYES）、ルールデータ制御信号CNT_RLDを出力し、これに応答してルールデータ生成部が新たなルールデータを生成し、擬似乱数生成部の論理回路のルールを変更する（S5）。そして、周期検出部は、ステップS3で生成された乱数値とステップS5で変更されたルールとに基づいて擬似乱数生成部が生成する新たな乱数値を新たなシードとして記憶する（S6）。これによりシードが変更される。その後、新たなルールデータと新たなシードに基づいて、擬似乱数生成部が新たに乱数の生成シーケンスを開始する（S3）。上記のステップS3～S6の処理が繰り返される。
【0022】
以下、擬似乱数生成回路装置の動作をより具体的に説明する。まず、ルールデータ生成部RLD_GENは、ルールデータをランダムに生成し、生成したルールデータRLDを擬似乱数生成部P_RDM_GENに出力する（S2、S5）。擬似乱数生成部では、入力したルールデータRLDに基づいて各セル内の論理回路の構成が変更される。そして、擬似乱数生成部P_RDM_GENでは、ルールデータに基づいて構成された論理回路が、前述したとおり現在の乱数値C_RDMから次の乱数値N_RDMを生成する（S3）。また、周期検出部CYC_DETは、擬似乱数生成部が生成する次の乱数値N_RDMを監視し、乱数の周期が終了したことを検出し、その検出をトリガにしてルールデータ制御信号CNT_RLDをルールデータ生成部に出力する（S4）。そして、ルールデータ生成部RLD_GENは、ルールデータ制御信号CNT_RLDに応答して、新たなルールデータRLDを生成し、擬似乱数生成部P_RDM_GENに出力し、新たなルールデータに基づいて各セルの論理回路の構成を変更する（S5）。擬似乱数生成部は、新たなルールデータで論理回路の構成が変更され、新たに次の乱数値N_RDMを生成し、その新たに生成した次の乱数値N_RDMが周期検出部CYC_DETに新たなシードとして記憶される（S6）。その後、周期検出部は、記憶されたシードとその後生成される次の乱数値とのマッチングを判定し、マッチしたとき周期の終了を検出する（S4）。
【0023】
擬似乱数生成回路装置が生成する乱数が予測可能なのは、擬似乱数生成部の原始多項式が一種類に固定されているため乱数生成シーケンスが周期的に生成されることが一つの原因である。そこで、本実施の形態では、擬似乱数生成部のルールデータを変更設定可能にして、乱数生成シーケンスや周期が異なる複数の多項式に変更可能にする。更に、ルールデータを外部から設定することなく、擬似乱数生成回路装置が自律的に且つ非決定的にルールデータを適時切り替える。これにより乱数予測が困難になる。本実施の形態では、乱数生成の周期が終わったことを検出すると、新たな乱数生成ルールを生成して擬似乱数生成部の論理回路の構成を切り替えるとともに、そのときの乱数値（現在の乱数値）から生成した新たな乱数値（次の乱数値）を新たなシードとし、新たな乱数列を生成し続ける。
【0024】
図５は、第１の実施の形態における擬似乱数生成部P_RDM_GENの構成例を示す図である。擬似乱数生成部は、図１と同様に、n個のセルを有しnビットの乱数を生成する。n個のセルCELL1～CELLnそれぞれは、自己のセルが保持する現在の乱数値q1～qnと両隣の２つのセルが保持する現在の乱数値q1～qnを入力する３入力の論理回路HB_Rと、論理回路HB_Rが出力する次の乱数値h1～hnをクロックCKに同期して保持するフリップフロップFF1～FFnを有する。クロックCKは、イネーブル信号ENが「１」のときアンドゲートA1からクロックA1_outとして出力され、各フリップフロップのクロック端子に供給される。また、最上位ビットのセルCELLnのフリップフロップFFnは、乱数出力ビットRDM_outを出力する。
【0025】
n個の論理回路HB_Rそれぞれは、ルールデータ生成部が生成するルールデータd1～dnをそれぞれ入力し、入力されたルールデータの値に応じてルール９０の論理回路とルール１５０の論理回路のいずれかにその構成が変更されるハイブリッドルール論理回路である。
【0026】
図５の下部に示されるハイブリッドルール論理回路HB_Rは、kビット目のセルの論理回路である。論理回路HB_Rは、ルールデータdkと自己のセルの現在の乱数値qk(t)とを入力するアンドゲートA0と、アンドゲートA0の出力と両隣のセルの現在の乱数値qk-1(t)、qk+1(t)を入力する３入力排他的論理和回路XORを有する。
【0027】
ルールデータdkが「１」の場合、アンドゲートA0は自己の現在の乱数値qk(t)をそのまま排他的論理和回路XORに入力する。これにより、論理回路HB_Rは、３入力の排他的論理和回路となり、ルール１５０の論理回路に構成される。また、ルールデータdkが「０」の場合、アンドゲートA0の出力は「０」となる。これにより、論理回路HB_Rは、両隣の現在の乱数値を入力する２入力の排他的論理和回路となり、ルール９０の論理回路に構成される。論理回路HB_Rは、現在の乱数値を入力し、次の乱数値hk(t）を出力する。このように、擬似乱数生成部は、ルールデータd1～dnを変更することで乱数を生成する論理回路HB_Rの構成を変更することができる。
【0028】
図６は、周期検出部CYC_DETの構成例を示す図である。周期検出部は、擬似乱数生成部が生成する現在の乱数値q1～qnを初期シードs1～snとして格納する初期シード記憶装置SEED_MEMを有する。また、周期検出部は、次の乱数値h1～hnと初期シードs1～snのマッチングをチェックし、マッチしたときに乱数周期の終わりを検出する周期チェック部CYC_CHを有する。また、周期検出部は、周期チェック部が出力する周期終了トリガ信号TRG_Cを、クロックCKの反転クロック/CKに同期して格納するフリップフロップFFa、FFbを有する。インバータIVはクロックCKの位相を１８０°反転して反転クロック/CKを出力する。
【0029】
擬似乱数生成部がクロックCKに同期して現在の乱数値q1～qn及び次の乱数値h1～hnを順次生成中に、周期チェック部CYC_CHが次の乱数値h1～hnと初期シードs1～snのマッチを検出して周期終了トリガ信号TRG_C「１」を出力する。すると、その半クロック後にフリップフロップFFaが周期終了トリガ信号TRG_Cをラッチし、ルールデータ制御信号CNT_RLDを「１」に変更する。また、次のクロックCKの半クロック後にフリップフロップFFbがルールデータ制御信号CNT_RLDをラッチし、シード制御信号CNT_SDを「１」に変更する。これに応答して、アンドゲートA2がクロックCKをシードラッチクロックA2_outとして出力し、初期シード記憶装置SEED_MEMが、マッチした次の乱数値h1～hnの１クロック後に生成された次の乱数値であり、擬似乱数生成部でラッチされた現在の乱数値q1～qnを、初期シードs1～snとして格納する。
【0030】
図７は、ルールデータ生成部RLD_GENの構成例を示す図である。ルールデータ生成部は、ルールデータ生成回路１０と、ルールデータ記憶装置１２とを有する。ルールデータ生成回路１０は、複数のリングオシレータR_OSCと、その出力を入力する排他的論理和回路XORと、XORの出力をクロックCKに同期して転送するシフトレジスタ１１とを有する。リングオシレータは、ルールデータを生成するためのシードとなる。ルールデータ記憶装置１２は、ルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」のとき、ルールデータ生成回路１０がシフトレジスタ１１に保持するルールデータd1～dnを、クロックCKに同期して、複数のフリップフロップにコピーしてルールデータを変更する。ルールデータ記憶装置１２は、次にルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」になるまで、コピーしたルールデータを保持し続ける。保持されたルールデータd1～dnは、前述したとおり、擬似乱数生成部内の論理回路に出力されて論理回路の構成を決定する。
【0031】
図８は、擬似乱数生成回路装置の乱数の周期の終わりを検出したときのタイミングチャートを示す図である。以下、乱数の周期の終わりを検出したときの動作を説明する。
【0032】
前提として、擬似乱数生成部P_RDM_GENでは、クロックCKに同期して、フリップフロップFF1～FFnが、論理回路が出力していた次の乱数値h1～hnを格納し、そのクロックサイクル中に、論理回路が、フリップフロップが出力する現在の乱数値q1～qnに基づいて次の乱数値h1～hnを出力する。以下、クロックサイクルCK1～CK3での動作を順番に説明する。
【0033】
クロックCK1（周期検出）
クロックCK1に同期して、擬似乱数生成部が、次の乱数値h1～hnをフリップフロップに格納して現在の乱数値q1～qnを変更し、クロックCK1の前半サイクル中に、論理回路が現在の乱数値q1～qnに基づいて次の乱数値h1～hnを新たに生成する。そこで、図８では、周期検出部の周期チェック部CYC_CHが次の乱数値h1～hn（0xE）が初期シードs1～sn（0xE）とマッチしたことを検出し、周期終了トリガ信号TRG_Cを「１」にする。そして、クロックCK1の反転クロック/CK1に同期して、ルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」になる。
クロックCK1に同期して、擬似乱数生成部が、次の乱数値h1～hnをフリップフロップに格納して現在の乱数値q1～qnを変更し、クロックCK1の前半サイクル中に、論理回路が現在の乱数値q1～qnに基づいて次の乱数値h1～hnを新たに生成する。そこで、図８では、周期検出部の周期チェック部CYC_CHが次の乱数値h1～hn（0xE）が初期シードs1～sn（0xE）とマッチしたことを検出し、周期終了トリガ信号TRG_Cを「１」にする。そして、クロックCK1の反転クロック/CK1に同期して、ルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」になる。
【0034】
クロックCK2（ルールデータ切り替えと新たなルールデータによる次の乱数値の生成）
クロックCK2に同期して、ルールデータ生成部RLD_GENでは、ルールデータ記憶装置１２が、CNT_RLD＝１によりアンドゲートA4が出力するクロックA4_outに同期して、ルールデータ生成回路１０が生成したルールデータをフリップフロップにコピーし、新たなルールデータd1～dn（0x1）を出力する。そして、擬似乱数生成部P_RDM_GENでは、新たなルールデータd1～dn (0x1)で構成が変更された論理回路が、現在の乱数値q1～qn（0xE）から次の乱数値h1～hn（0xB）を出力する。また、クロックCK2の反転クロック/CK2に同期して周期検出部CYC_DETのフリップフロップFFbが、ルールデータ制御信号CNT_RLDの「１」をラッチしてシード制御信号CNT_SDを「１」にする。
クロックCK2に同期して、ルールデータ生成部RLD_GENでは、ルールデータ記憶装置１２が、CNT_RLD＝１によりアンドゲートA4が出力するクロックA4_outに同期して、ルールデータ生成回路１０が生成したルールデータをフリップフロップにコピーし、新たなルールデータd1～dn（0x1）を出力する。そして、擬似乱数生成部P_RDM_GENでは、新たなルールデータd1～dn (0x1)で構成が変更された論理回路が、現在の乱数値q1～qn（0xE）から次の乱数値h1～hn（0xB）を出力する。また、クロックCK2の反転クロック/CK2に同期して周期検出部CYC_DETのフリップフロップFFbが、ルールデータ制御信号CNT_RLDの「１」をラッチしてシード制御信号CNT_SDを「１」にする。
【0035】
クロックCK3（CK2で新たなルールデータで構成された論理回路が生成した次の乱数値h
1
～h
n
でシード更新）
クロックCK3に同期して、擬似乱数生成部は、クロックCK2で新たなルールデータで構成された論理回路が生成した次の乱数値h1～hn（0xB)を、現在の乱数値q1～qn（0xB)として出力する。一方、周期検出部CYC_DETでは、アンドゲートA2がシード制御信号CNT_SDの「１」によりクロックCKをシードラッチクロックA2_outとして出力し、初期シード記憶装置SEED_MEMがシードラッチクロックA2_outに同期して現在の乱数値q1～qn（0xB)を新たなシードs1～snとして記憶する。つまり、記憶された新たなシードs1～snは、クロックCK2で論理回路が生成した次の乱数値h1～hnである。
クロックCK3に同期して、擬似乱数生成部は、クロックCK2で新たなルールデータで構成された論理回路が生成した次の乱数値h1～hn（0xB)を、現在の乱数値q1～qn（0xB)として出力する。一方、周期検出部CYC_DETでは、アンドゲートA2がシード制御信号CNT_SDの「１」によりクロックCKをシードラッチクロックA2_outとして出力し、初期シード記憶装置SEED_MEMがシードラッチクロックA2_outに同期して現在の乱数値q1～qn（0xB)を新たなシードs1～snとして記憶する。つまり、記憶された新たなシードs1～snは、クロックCK2で論理回路が生成した次の乱数値h1～hnである。
【0036】
クロックCK4以降（新たなルールデータとシードにより乱数の生成）
クロックCK1～CK3それぞれで、順番に、周期の終わりが検出され、ルールデータが切り替えられ、シードが更新される。そして、クロックCK4以降、新たなルールデータとシードにより擬似乱数生成回路が乱数の生成を継続する。
クロックCK1～CK3それぞれで、順番に、周期の終わりが検出され、ルールデータが切り替えられ、シードが更新される。そして、クロックCK4以降、新たなルールデータとシードにより擬似乱数生成回路が乱数の生成を継続する。
【0037】
以上、第１の実施の形態において、クロックCK1で次の乱数値が初期シードとマッチしたことで乱数の周期の終わりを検出すると、次のクロックCK2で新たなルールデータに変更し、次のクロックCK3で、CK2での新たなルールデータにより構成された論理回路が生成した最初の次の乱数値を、新たなシードとして記憶する。
【0038】
したがって、（１）同じ乱数の周期が繰り返されることが防止される。（２）更新したルールデータに基づいて論理回路が生成した次の乱数値をシードとして記憶するので、擬似乱数生成部が生成しない乱数値をシードとして記憶することがない。これにより、図２の（ｂ）のように乱数の周期内に生成しない乱数値をシードとして記憶して、次の周期の終わりを検出できなくなるのを回避できる。また、（３）シードを生成する回路を別途設ける必要がなく、回路規模の拡大を回避できる。（４）擬似乱数生成部の動作を止めることなくシードを生成することができ、シームレスに乱数を生成することができる。
【0039】
［第２の実施の形態］
図９は、第２の実施の形態における擬似乱数生成部P_RDM_GENの構成例を示す図である。図９の擬似乱数生成部は、図５と同様に、n個のセルを有しnビットの乱数を生成する。n個のセルCELL1～CELLnそれぞれは、自己のセルが保持する現在の乱数値q1～qnと両隣の２つのセルが保持する現在の乱数値q1～qnを入力する３入力の論理回路HB_Rと、論理回路HB_Rが出力する次の乱数値h1～hnをクロックCKに同期して保持するフリップフロップFF1～FFnを有する。ハイブリッドルール論理回路HB_R、アンドゲートA1などは、図５と同様である。
図９は、第２の実施の形態における擬似乱数生成部P_RDM_GENの構成例を示す図である。図９の擬似乱数生成部は、図５と同様に、n個のセルを有しnビットの乱数を生成する。n個のセルCELL1～CELLnそれぞれは、自己のセルが保持する現在の乱数値q1～qnと両隣の２つのセルが保持する現在の乱数値q1～qnを入力する３入力の論理回路HB_Rと、論理回路HB_Rが出力する次の乱数値h1～hnをクロックCKに同期して保持するフリップフロップFF1～FFnを有する。ハイブリッドルール論理回路HB_R、アンドゲートA1などは、図５と同様である。
【0040】
但し、図９の擬似乱数生成部P_RDM_GENは、一部のセルに、反転信号INVが「１」のとき次の乱数値h1～hnを反転する排他的論理和回路XOR1、または反転信号INVが「１」のとき次の乱数値h1～hnを強制的に「１」にする論理和回路OR1、を有する。この構成は、第１の実施の形態の図５とは異なる。反転信号INVは、乱数の周期の終わりが検出されたとき、乱数値が収束したとき、乱数値の全ビットが「０」に収束したときに、「１」になる。
【0041】
図１０は、第２の実施の形態における周期検出部CYC_DETの構成例を示す図である。図１０の周期検出部は、図６に示した周期チェック部CYC_CH、初期シード記憶装置SEED_MEM、フリップフロップFFa、FFbを有し、更に、収束チェック部CNV_CHと、オールゼロチェック部ALZ_CHと、反転信号INVを出力するフリップフロップFFcを有する。
【0042】
収束チェック部CNV_CHは、周期チェック部CYC_CHと同様にマッチ回路であり、次の乱数値h1～hnと現在の乱数値q1～qnとがマッチしたか否かチェックし、マッチしたとき収束トリガ信号TRG_CNVを「１」にする。次の乱数値h1～hnと現在の乱数値q1～qnとがマッチしたことは、擬似乱数生成部が出力する乱数値が連続して同じになったことを意味する。したがって、その場合は、乱数値が収束したことを意味する。
【0043】
オールゼロチェック部ALZ_CHは、NOR回路で構成され、次の乱数値h1～hnの全ビットが「０」になると、オールゼロトリガ信号TRG_Zを「１」にする。
【0044】
図１０の周期検出部CYC_DETは、収束トリガ信号TRG_CNVまたはオールゼロトリガ信号TRG_Zが「１」になると、論理和回路OR2を経由して、次の遅延クロック/CKに同期してフリップフロップFFcが反転信号INVを「１」にする。また、周期チェック部CYC_CHが周期終了トリガ信号TRG_Cを「１」にする場合にも、論理和回路OR2を経由して、フリップフロップFFcが反転信号INVを「１」にしても良い。周期検出部CYC_DETは、周期チェック部CYC_CH、収束チェック部CNV_CH、オールゼロチェック部ALZ_CHのいずれかのトリガ信号が「１」になったときに、次の遅延クロック/CKに同期してフリップフロップFFaがトリガ信号をラッチし、ルールデータ制御信号CNT_RLDを「１」にし、フリップフロップFFcが反転信号INVを「１」にする。
【0045】
第２の実施の形態におけるルールデータ生成部RLD_GENは、図７に記載したとおりである。
【0046】
図１１は、第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置の動作フローチャートを示す図である。まず、イネーブル信号ENをオン（EN=1）にする（S11）。そして、ルールデータ生成部のシフトレジスタを初期化する（S12）。また、擬似乱数生成部と周期検出部にシードを設定する（S12）。ルールデータの初期化とシードの設定は、シフトレジスタや擬似乱数生成部のフリップフロップをリセットし、また周期検出部の初期シード記憶装置をリセットする等により行われる。
【0047】
初期化後、システムクロックCKの印加を開始すると（S13）、ルールデータ生成部がルールデータを出力し、このルールデータが擬似乱数生成部に設定され、擬似乱数生成部が乱数の生成を開始する（S14）。そして、イネーブル信号がオフ（EN=0）になるまで（S15のYES）、擬似乱数生成回路装置は以下の動作を行う。
【0048】
周期検出部CYC_DETの周期チェック部CYC_CHが、次の乱数値h1～hnが初期シードs1～snとマッチするか否かを毎クロックサイクルでチェックする（S17）。これにより、周期チェック部は、乱数の周期が終了したことを検出する。周期チェック部は、設定されるルールデータが異なると乱数生成周期が異なるので、毎クロックサイクルでチェックする。
【0049】
更に、周期検出部の収束チェック部CNV_CHが、次の乱数値h1～hnが現在の乱数値q1～qnとマッチするか否かを毎クロックサイクルでチェックする（S18）。図２の（c）に示すように乱数値が任意の値に収束した場合、将来の乱数を予測できるので、乱数値の収束をチェックする。
【0050】
また、周期検出部のオールゼロチェック部ALZ_CHが、次の乱数値h1～hnの全ビットがゼロか否かを毎クロックサイクルチェックする（S19）。図２の（d）に示すように乱数値がオールゼロになると、その後の乱数値もゼロが続くことになり将来の乱数を予測できるので、乱数値がオールゼロになったか否かをチェックする。
【0051】
上記の乱数の周期の終わりの検出（S17）、収束の検出（S18）、オールゼロの検出（S19）のいずれにも該当しない場合、擬似乱数生成部は乱数の生成を継続する。
【0052】
クロックCK1
一方、クロックCK1で周期の終了、収束、オールゼロのいずれかに該当すると、半クロック後、周期検出部は、ルールデータ制御信号CNT_RLDと反転信号INVを共にオン（「１」）にする（S20）。反転信号INVがオンになると、そのクロックサイクルで擬似乱数生成部が次の乱数値の一部のビットを反転しまたは強制的に１にする（S21）。
一方、クロックCK1で周期の終了、収束、オールゼロのいずれかに該当すると、半クロック後、周期検出部は、ルールデータ制御信号CNT_RLDと反転信号INVを共にオン（「１」）にする（S20）。反転信号INVがオンになると、そのクロックサイクルで擬似乱数生成部が次の乱数値の一部のビットを反転しまたは強制的に１にする（S21）。
【0053】
クロックCK2
また、ルールデータ制御信号CNT_RLDがオンになると、次のクロックサイクルCK2で、ルールデータ生成部がルールデータを変更し、変更後のルールデータを擬似乱数生成部に設定する（S22）。これにより、そのクロックサイクルCK2で、新ルールデータで構成が変更された論理回路が、反転信号で一部のビットが反転された次の乱数値h1～hnを保持したフリップフロップ内の現在の乱数値q1～qnから、次の乱数値h1～hnを生成する。
また、ルールデータ制御信号CNT_RLDがオンになると、次のクロックサイクルCK2で、ルールデータ生成部がルールデータを変更し、変更後のルールデータを擬似乱数生成部に設定する（S22）。これにより、そのクロックサイクルCK2で、新ルールデータで構成が変更された論理回路が、反転信号で一部のビットが反転された次の乱数値h1～hnを保持したフリップフロップ内の現在の乱数値q1～qnから、次の乱数値h1～hnを生成する。
【0054】
クロックCK3
また、周期検出部が、次のクロックサイクルCK3で、前のクロックサイクルCK2で生成された次の乱数値を新たなシードとして記憶する（S23）。
また、周期検出部が、次のクロックサイクルCK3で、前のクロックサイクルCK2で生成された次の乱数値を新たなシードとして記憶する（S23）。
【0055】
図１２は、第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置において、乱数の周期の終了を検出した場合のタイミングチャートを示す図である。第１の実施の形態の図８と異なるところは、反転信号INVが追加されていること、反転クロック/CK1に同期して擬似乱数生成部が次の乱数値h1～hnの一部のビットを反転及び一部のビットを強制的に１に変更することである。これに伴い、クロックCK1の反転クロック/CK1に同期して、次の乱数値h1～hn (0x8)が一部変更され、次のクロックCK2に同期して、現在の乱数値q1～qn（0x3）が生成される。それ以外の動作は、図８で説明したとおりである。
【0056】
図１３は、第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置において、乱数値の収束を検出した場合のタイミングチャートを示す図である。図１２と異なり、クロックCK1で次の乱数値h1～hn（0xF）と現在の乱数値q1～qn（0xF）がマッチして収束トリガ信号TRG_CNVが「１」になり、それに応答して、反転クロック/CK1でルールデータ制御信号CNT_RLDと反転信号INVが「１」になることが追加されている。その後、図１２と同様に、反転クロック/CK1に同期して擬似乱数生成部が次の乱数値h1～hnの一部のビットを反転及び一部のビットを強制的に１に変更し、クロックCK2でルールデータ生成部がルールデータを切り替えると共に、擬似乱数生成部が新たなシードとなる次の乱数値h1～hnを生成し、クロックCK3でシードが更新される。
【0057】
図１４は、第２の実施の形態における擬似乱数生成回路装置において、乱数値がオールゼロになるのを検出した場合のタイミングチャートを示す図である。図１２と異り、クロックCK1で次の乱数値h1～hn（0xF）の全ビットがオールゼロとなりオールゼロトリガ信号TRG_ALZが「１」になり、それに応答して、反転クロック/CK1でルールデータ制御信号CNT_RLDと反転信号INVが「１」になる。その後、図１２と同様に、反転クロック/CK1に同期して擬似乱数生成部が次の乱数値h1～hnの一部のビットを反転及び一部のビットを強制的に１に変更し、クロックCK2でルールデータ生成部がルールデータを切り替えると共に、擬似乱数生成部が新たなシードとなる次の乱数値h1～hnを生成し、クロックCK3でシードが更新される。
【0058】
第２の実施の形態によれば、擬似乱数生成部が生成する乱数値が収束した場合、ルールデータを更新し、更新ルールデータで構成された論理回路が生成する乱数値を新たなシードに更新する。これにより、将来の擬似乱数が予測されることを抑制できる。更新ルールデータで構成された論理回路が最初に生成する乱数値を新たなシードに更新するので、その後、乱数の周期終了時にシードと同じ乱数値が生成されるので、乱数の周期の終了を確実に検出できる。また、擬似乱数生成部の動作を停止する必要がなく、シームレスに乱数の生成を継続できる。
【0059】
また、第２の実施の形態によれば、擬似乱数生成部が生成する乱数値の全ビットがオールゼロになった場合、ルールデータを更新し、次の乱数値の一部のビットを反転及び強制的に１にする。これにより、更新ルールデータで構成された論理回路が、オールゼロ以外の現在の乱数値から次の乱数値を生成するので、その後、オールゼロの乱数値が生成されることを回避できる。
【0060】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、ルールデータ生成部RLD_GENの構成を一部変更し、ルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」になるときに、リングオシレータR_OSCの発振周波数が変更されるようにする。擬似乱数生成部と周期検出部の構成は、第１の実施の形態または第２の実施の形態と同じである。
第３の実施の形態では、ルールデータ生成部RLD_GENの構成を一部変更し、ルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」になるときに、リングオシレータR_OSCの発振周波数が変更されるようにする。擬似乱数生成部と周期検出部の構成は、第１の実施の形態または第２の実施の形態と同じである。
【0061】
図１５は、第３の実施の形態におけるルールデータ生成部RLD_GENの構成例を示す図である。図１５のルールデータ生成部は、図７のルールデータ生成部の構成に加えて、リングオシレータR_OSCの前段にトグル回路TGLを有する。トグル回路TGLは、ルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」のときにアンドゲートA4が出力するクロックA4_outに同期して選択信号SELを「０」「１」の間でトグルする。トグル回路TGLは、フリップフロップとその入出力間に設けたインバータとで構成される。
【0062】
更に、図１５のルールデータ生成部のリングオシレータR_OSCは、図１５の下部に示すとおり、選択信号SELに応じてリングオシレータのインバータチェーンの長さを切り替えるマルチプレクサMPLを有する。選択信号SELが「１」の場合、インバータチェーンの長さが短くなり、リングオシレータの周波数が高く設定される。一方、選択信号SELが「０」の場合、インバータチェーンの長さが長くなり、リングオシレータの周波数が低く設定される。
【0063】
図１６は、第３の実施の形態のルールデータ生成部を有する擬似乱数生成回路装置のタイミングチャートを示す図である。このタイミングチャートは、擬似乱数生成回路装置が乱数の周期の終わりを検出した場合のタイミングチャート（図８）に、選択信号SELを追加したものである。
【0064】
このタイミングチャートにおいて、クロックCK1で周期検出部の周期チェック部CYC_CHが、乱数の周期の終わりを検出して周期終了トリガ信号TRG_Cを「１」にし、その半クロック後の/CK1でルールデータ制御信号CNT_RLDが「１」になる。そして、ルールデータ生成部RLD_GENにおいて、アンドゲートA4が出力するクロックA4_outに同期して、選択信号SELが「０」から「１」に変化し、ルールデータ生成回路１０のリングオシレータが高い周波数に切り替えられる。それ以外の動作は、図８や図１２～図１４と同等である。図１６では、クロックCK1での次の乱数値h1～hnと現在の乱数値q1～qnが図８と同じになっているが、その後の次の乱数値と現在の乱数値は第２の実施の形態の反転信号INVにより一部のビットが反転される例になっている。
【0065】
第３の実施の形態によれば、乱数の周期の終わり、乱数値の収束、乱数値がオールゼロになったことのいずれかを検出したとき、ルールデータ生成部のリングオシレータの構成を変更する。従って、ルールデータの乱数性を高めることができ、ルールデータにより構成される論理回路の構成のランダム性が高くなる。それにより、生成される乱数の予測困難性を高くできる。
【0066】
以上のとおり、本実施の形態によれば、擬似乱数生成回路装置が生成する乱数の予測困難性を高くすることができる。
【符号の説明】
【0067】
P_RDM_GEN：擬似乱数生成部
CELL：セル
HB_R：論理回路、ハイブリッドルール論理回路
h1～hn：次の乱数値
q1～qn：現在の乱数値
d1～dn：ルールデータ
s1～sn：シード
CK：クロック
EN：イネーブル信号
CYC_DET：周期検出部
CYC_CH：周期チェック部
CNV_CH：収束チェック部
ALZ_CH：オールゼロチェック部
SEED_MEM：初期シード記憶装置
RLD_GEN：ルールデータ生成部
１０：ルールデータ生成回路
１１：シフトレジスタ
１２：ルールデータ記憶装置
CELL：セル
HB_R：論理回路、ハイブリッドルール論理回路
h1～hn：次の乱数値
q1～qn：現在の乱数値
d1～dn：ルールデータ
s1～sn：シード
CK：クロック
EN：イネーブル信号
CYC_DET：周期検出部
CYC_CH：周期チェック部
CNV_CH：収束チェック部
ALZ_CH：オールゼロチェック部
SEED_MEM：初期シード記憶装置
RLD_GEN：ルールデータ生成部
１０：ルールデータ生成回路
１１：シフトレジスタ
１２：ルールデータ記憶装置
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】