(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-22
(45)【発行日】2023-12-01
(54)【発明の名称】異方導電性樹脂組成物、及びマイクロＬＥＤディスプレイ装置
(51)【国際特許分類】
C08G 59/32 20060101AFI20231124BHJP
C08L 63/00 20060101ALI20231124BHJP
C08K 9/02 20060101ALI20231124BHJP
C08K 3/013 20180101ALI20231124BHJP
H01B 1/22 20060101ALI20231124BHJP
H01B 5/16 20060101ALI20231124BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20231124BHJP
【ＦＩ】
C08G59/32
C08L63/00 C
C08K9/02
C08K3/013
H01B1/22 A
H01B5/16
H01L33/62
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2020065092
(22)【出願日】2020-03-31
(65)【公開番号】P2021161281
(43)【公開日】2021-10-11
【審査請求日】2022-11-11
(73)【特許権者】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002620
【氏名又は名称】弁理士法人大谷特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】藤原 正和
【審査官】藤井 明子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－１３７３３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２４１１３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１４０１０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－３４５０１０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－１２４７７１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－０２１２３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０６７７０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１８６４７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－３２４９２０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０８Ｇ ５９／００－５９／７２
Ｃ０８Ｌ １／００－１０１／１４
Ｃ０８Ｋ ３／００－１３／０８
Ｈ０１Ｂ １／００－１／２４、５／００－５／１６
Ｈ０１Ｌ ３３／００、３３／４８－３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）導電性粒子と、を含む異方導電性樹脂組成物であって、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂が、下記一般式（１）で表される構造を有し、
前記（Ｃ）導電性粒子は異方導電性組成物中に水平投影面積当たり１５～６０％分散され、単位面積当たりの個数は２０，０００～７０，０００個／ｍｍ 2 であり、
前記（Ｃ）導電性粒子は金属被覆樹脂粒子を含み、
前記金属被覆樹脂粒子の平均粒径が０．５～５μｍである、
異方導電性樹脂組成物。
【化1】
［式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に１価の有機基を示し、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基及びフェニル基から選ばれる基を示し、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基を示す。Ｘはそれぞれ同一であっても異なってもよい。ａとｂは正の数であってａ＋ｂ＝１かつ０．３≦ａ＜１であり、ｎは１～２５である。］
【請求項2】
前記金属被覆樹脂粒子が、前記異方導電性樹脂組成物１００質量部に対して、０．１～５０質量部含有する、請求項１に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項3】
さらに、（Ｄ）無機充填剤を含む、請求項１又は２に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項4】
前記（Ｄ）無機充填剤の平均粒径が１～５００ｎｍである、請求項３に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項5】
前記（Ｄ）無機充填剤が、前記異方導電性樹脂組成物１００質量部に対して、０．３～２．５質量部含有する、請求項３又は４に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物を用いて、基板上にマイクロＬＥＤをアレイ状に並べて実装してなる、マイクロＬＥＤディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、異方導電性樹脂組成物、及びマイクロＬＥＤディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンス素子に次ぐ表示素子として、小型のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いた、いわゆるマイクロＬＥＤが注目されている。マイクロＬＥＤは有機エレクトロルミネッセンス素子と同様、発光素子であり、当該発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置が知られている（特許文献１及び特許文献２）。
また、従来から、表示素子に駆動回路を実装する方法として、異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）（以下、「異方導電性接着剤」ということがある。）を介して、表示素子の取り出し電極部と駆動回路基板上の接続端子とを電気的に接続することが行われている（特許文献３）。
また、従来から、表示素子に駆動回路を実装する方法として、異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）（以下、「異方導電性接着剤」ということがある。）を介して、表示素子の取り出し電極部と駆動回路基板上の接続端子とを電気的に接続することが行われている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】ＷＯ２０１９／２２０２６７号公報
【文献】特開２００７－１２３８６１号公報
【文献】特開２０１０－１９２８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、マイクロＬＥＤに用いる小型のＬＥＤチップの実装やそれらのリペアの際に、位置出し用のアライメントマークを照合する場合がある。例えば、異方導電性接着剤を介して、実装基板に小型のＬＥＤチップを実装する際に、実装基板の所定の位置に精度良く実装するために、実装基板上に形成された位置出し用のアライメントマークを、撮像素子を含むカメラ等により認識する必要がある。このような場合、認識エラーを回避するために、光学的に透過度が高く、耐変色性に優れた異方導電性樹脂組成物からなる異方導電性接着剤が求められることがある。
【0005】
本発明は、このような実情に鑑みなされたものであり、光透過性に優れた異方導電性樹脂組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂、硬化剤及び導電性粒子を含む異方導電性樹脂組成物が、例えば、表示素子等を有する基板上の電極等と駆動回路基板の接続端子等との電気的接続、また、小型のＬＥＤチップ等の実装時の電気的接続を、容易に精度良く行う接着剤に適した硬化物を与えることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の（１）～（８）を提供するものである。
（１）（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）導電性粒子と、を含む異方導電性樹脂組成物であって、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂が、下記一般式（１）で表される構造を有する、異方導電性樹脂組成物。
［式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に１価の有機基を示し、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基及びフェニル基から選ばれる基を示し、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基を示す。Ｘはそれぞれ同一であっても異なってもよい。ａとｂは正の数であってａ＋ｂ＝１かつ０．３≦ａ＜１であり、ｎは１～２５である。］
（２）前記（Ｃ）導電性粒子が、金属被覆樹脂粒子を含む、上記（１）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（３）前記金属被覆樹脂粒子の平均粒径が０．５～１０μｍである、上記（２）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（４）前記金属被覆樹脂粒子が、前記異方導電性樹脂組成物１００質量部に対して、０．１～５０質量部含有する、上記（２）又は（３）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（５）さらに、（Ｄ）無機充填剤を含む、上記（１）～（４）のいずれかに記載の異方導電性樹脂組成物。
（６）前記（Ｄ）無機充填剤の平均粒径が１～５００ｎｍである、上記（５）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（７）前記（Ｄ）無機充填剤が、前記異方導電性樹脂組成物１００質量部に対して、０．３～２．５質量部含有する、上記（５）又は（６）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（８）上記（１）～（７）のいずれかに記載の異方導電性樹脂組成物を用いて、基板上にマイクロＬＥＤをアレイ状に並べて実装してなる、マイクロＬＥＤディスプレイ装置。
すなわち、本発明は、以下の（１）～（８）を提供するものである。
（１）（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）導電性粒子と、を含む異方導電性樹脂組成物であって、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂が、下記一般式（１）で表される構造を有する、異方導電性樹脂組成物。
【化1】
［式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に１価の有機基を示し、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基及びフェニル基から選ばれる基を示し、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基を示す。Ｘはそれぞれ同一であっても異なってもよい。ａとｂは正の数であってａ＋ｂ＝１かつ０．３≦ａ＜１であり、ｎは１～２５である。］
（２）前記（Ｃ）導電性粒子が、金属被覆樹脂粒子を含む、上記（１）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（３）前記金属被覆樹脂粒子の平均粒径が０．５～１０μｍである、上記（２）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（４）前記金属被覆樹脂粒子が、前記異方導電性樹脂組成物１００質量部に対して、０．１～５０質量部含有する、上記（２）又は（３）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（５）さらに、（Ｄ）無機充填剤を含む、上記（１）～（４）のいずれかに記載の異方導電性樹脂組成物。
（６）前記（Ｄ）無機充填剤の平均粒径が１～５００ｎｍである、上記（５）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（７）前記（Ｄ）無機充填剤が、前記異方導電性樹脂組成物１００質量部に対して、０．３～２．５質量部含有する、上記（５）又は（６）に記載の異方導電性樹脂組成物。
（８）上記（１）～（７）のいずれかに記載の異方導電性樹脂組成物を用いて、基板上にマイクロＬＥＤをアレイ状に並べて実装してなる、マイクロＬＥＤディスプレイ装置。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、光透過性に優れた異方導電性樹脂組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0008】
［異方導電性樹脂組成物］
本発明の異方導電性樹脂組成物は、（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）導電性粒子と、を含む異方導電性樹脂組成物であって、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂が、下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする。
［式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に１価の有機基を示し、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基及びフェニル基から選ばれる基を示し、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基を示す。Ｘはそれぞれ同一であっても異なってもよい。ａとｂは正の数であってａ＋ｂ＝１かつ０．３≦ａ＜１であり、ｎは１～２５である。］
本発明の異方導電性樹脂組成物は、（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）導電性粒子と、を含む異方導電性樹脂組成物であって、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂が、下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする。
【化2】
【0009】
［（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂］
本発明の異方導電性樹脂組成物には、下記一般式（１）で表される構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂を必須成分として含む。
本発明の異方導電性樹脂組成物には、下記一般式（１）で表される構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂を必須成分として含む。
【0010】
【化3】
【0011】
式（１）中、Ｒ１はそれぞれ独立に１価の有機基を示し、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基及びフェニル基から選ばれる基を示し、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基を示す。Ｘはそれぞれ同一であっても異なってもよい。ａとｂは正の数であってａ＋ｂ＝１かつ０．３≦ａ＜１であり、ｎは１～２５である。
Ｒ１の１価の有機基として、ヒドロキシ基を有する１価の有機基、直鎖または分岐のアルキル基、アルコキシ基、アリール基等が挙げられる。
Ｒ２の炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、又はｎ－へキシル基等が挙げられる。
Ｒ２の炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基として、シクロプロピル基、シクロプチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロオクチル基等が挙げられる。
Ｙの環状エーテル基を含有する有機基として、３～６員環の構造を有する環状エーテル基が挙げられ、特に環歪みエネルギーが大きく、反応性の高い３員環又は４員環の環状エーテル基が好ましく、３員環のエーテル基がより好ましい。β－グリシドキシエチル基、γ－グリシドキシプロピル基、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル基等の炭素数１～３のアルキル基にオキシグリシジル基が結合したグリシドキシアルキル基、オキシラン基を持った炭素数５～８のシクロアルキル基で置換された炭素数３以下のアルキル基が好ましい。
Ｒ１の１価の有機基として、ヒドロキシ基を有する１価の有機基、直鎖または分岐のアルキル基、アルコキシ基、アリール基等が挙げられる。
Ｒ２の炭素数１～１０の鎖状の脂肪族炭化水素基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、又はｎ－へキシル基等が挙げられる。
Ｒ２の炭素数３～１０の環状の脂肪族炭化水素基として、シクロプロピル基、シクロプチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロオクチル基等が挙げられる。
Ｙの環状エーテル基を含有する有機基として、３～６員環の構造を有する環状エーテル基が挙げられ、特に環歪みエネルギーが大きく、反応性の高い３員環又は４員環の環状エーテル基が好ましく、３員環のエーテル基がより好ましい。β－グリシドキシエチル基、γ－グリシドキシプロピル基、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル基等の炭素数１～３のアルキル基にオキシグリシジル基が結合したグリシドキシアルキル基、オキシラン基を持った炭素数５～８のシクロアルキル基で置換された炭素数３以下のアルキル基が好ましい。
【0012】
本実施形態において、シリコーン変性エポキシ樹脂は、異方導電性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、好ましくは３０～８０質量部であり、より好ましくは４０～７０質量部であり、４５～６０質量部であることがさらに好ましい。
シリコーン変性エポキシ樹脂の質量部がこの範囲にあると、耐熱性、耐光性、及び耐マイグレーション性を有しやすくなる。
なお、前記シリコーン変性エポキシ樹脂は、例えば、特開２０１２－２４１１３６号公報に記載されている。
シリコーン変性エポキシ樹脂の質量部がこの範囲にあると、耐熱性、耐光性、及び耐マイグレーション性を有しやすくなる。
なお、前記シリコーン変性エポキシ樹脂は、例えば、特開２０１２－２４１１３６号公報に記載されている。
【0013】
［（Ｂ）硬化剤］
本発明の異方導電性樹脂組成物には、（Ｂ）硬化剤を必須成分として含む。
（Ｂ）硬化剤としては、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂がエポキシ基を有するため、例えば、熱硬化では、一般的に使用されるアミン系硬化剤、酸無水物硬化剤が挙げられる。この中で、光透過性、耐熱性等の観点から、酸無水物硬化剤を用いることが好ましい。
酸無水物硬化剤としては、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸、４－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル－テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、ノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物及びメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。これらの中で、光透過性の観点から、４－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、又はメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物が好ましい。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
本発明の異方導電性樹脂組成物には、（Ｂ）硬化剤を必須成分として含む。
（Ｂ）硬化剤としては、前記（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂がエポキシ基を有するため、例えば、熱硬化では、一般的に使用されるアミン系硬化剤、酸無水物硬化剤が挙げられる。この中で、光透過性、耐熱性等の観点から、酸無水物硬化剤を用いることが好ましい。
酸無水物硬化剤としては、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸、４－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル－テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、ノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン－２，３－ジカルボン酸無水物及びメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。これらの中で、光透過性の観点から、４－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、又はメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物が好ましい。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
【0014】
本実施形態において、硬化剤は、良好な硬化性や硬化物特性が得られるという観点から、異方導電性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、好ましくは４～７０質量部であり、より好ましくは１０～５０質量部であり、１５～３５質量部であることがさらに好ましい。
【0015】
さらに、前記硬化剤との反応に有効な硬化促進剤、硬化触媒を併用して使用することができる。
前記硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン等の有機リン化合物；エチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムリン酸ジエチル、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－Ｏ，Ｏ’－ジエチルホスホロジチオネート等の第４級ホスフォニウム塩；１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデカン－７－エン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデカン－７－エンとオクチル酸の塩、オクチル酸亜鉛、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第４級アンモニウム塩が挙げられる。これらの中で、密着性の観点から、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－Ｏ，Ｏ’－ジエチルホスホロジチオネート、４ヒドロキシ２（トリフェニルホスホニウム）フェノラトが好ましい。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
前記硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン等の有機リン化合物；エチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムリン酸ジエチル、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－Ｏ，Ｏ’－ジエチルホスホロジチオネート等の第４級ホスフォニウム塩；１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデカン－７－エン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデカン－７－エンとオクチル酸の塩、オクチル酸亜鉛、テトラブチルアンモニウムブロミド等の第４級アンモニウム塩が挙げられる。これらの中で、密着性の観点から、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－Ｏ，Ｏ’－ジエチルホスホロジチオネート、４ヒドロキシ２（トリフェニルホスホニウム）フェノラトが好ましい。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
【0016】
前記硬化触媒としては、例えば、トリフェニルフォスフィン及びジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化触媒；１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン－７、トリエタノールアミン及びベンジルジメチルアミン等の三級アミン系硬化触媒；２－メチルイミダゾール及び２－フェニル－４－メチルイミダゾール等のイミダゾール類等が挙げられる。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
【0017】
また、熱カチオン硬化触媒や光カチオン硬化触媒を添加して熱硬化、光硬化とすることができる。
前記熱カチオン硬化触媒として、例えば、ベンジルスルホニウム塩、チオフェニウム塩、チオラニウム塩、ベンジルアンモニウム、ピリジニウム塩、ヒドラジニウム塩、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル及びアミンイミド等が挙げられる。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
前記光カチオン硬化触媒としては、例えば、スルホニウム塩系やヨウドニウム塩系が挙げられる。スルホニウム塩系の例としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられ、ヨードニウム塩系の例として、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート及びジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
前記熱カチオン硬化触媒として、例えば、ベンジルスルホニウム塩、チオフェニウム塩、チオラニウム塩、ベンジルアンモニウム、ピリジニウム塩、ヒドラジニウム塩、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル及びアミンイミド等が挙げられる。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
前記光カチオン硬化触媒としては、例えば、スルホニウム塩系やヨウドニウム塩系が挙げられる。スルホニウム塩系の例としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられ、ヨードニウム塩系の例として、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート及びジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
【0018】
［（Ｃ）導電性粒子］
本発明の異方導電性樹脂組成物には、（Ｃ）導電性粒子を必須成分として含む。
（Ｃ）導電性粒子としては、例えば、金属及びカーボンが挙げられる。前記金属としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の遷移金属；金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金族金属等の貴金属；及びはんだ等の合金が挙げられる。
導電性粒子は、核となる粒子を上記金属又はカーボンで被覆した被覆粒子であることが好ましい。
導電性粒子の最外層は、充分なポットライフが得られ易い観点から、Ａｕ、Ａｇ、白金族金属等の貴金属を含むことが好ましく、Ａｕを含むことがより好ましい。
導電性粒子は、例えば、Ｎｉ等の遷移金属を核として、その表面をＡｕ等の貴金属で被覆したものであってもよく、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を核として、その表面に前記金属等の導通層を被覆等により形成したものであってもよい。前記導通層は、単一の層であってもよく、複数の層であってもよいが、最外層は貴金属層であることが好ましい。
本発明の異方導電性樹脂組成物には、（Ｃ）導電性粒子を必須成分として含む。
（Ｃ）導電性粒子としては、例えば、金属及びカーボンが挙げられる。前記金属としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の遷移金属；金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金族金属等の貴金属；及びはんだ等の合金が挙げられる。
導電性粒子は、核となる粒子を上記金属又はカーボンで被覆した被覆粒子であることが好ましい。
導電性粒子の最外層は、充分なポットライフが得られ易い観点から、Ａｕ、Ａｇ、白金族金属等の貴金属を含むことが好ましく、Ａｕを含むことがより好ましい。
導電性粒子は、例えば、Ｎｉ等の遷移金属を核として、その表面をＡｕ等の貴金属で被覆したものであってもよく、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を核として、その表面に前記金属等の導通層を被覆等により形成したものであってもよい。前記導通層は、単一の層であってもよく、複数の層であってもよいが、最外層は貴金属層であることが好ましい。
【0019】
被覆粒子（例えば、プラスチックを核とする導電性粒子）又は熱溶融金属粒子は、加熱及び加圧による変形性を付与し得ることから、接続時に回路電極等の高さのばらつきを解消すること及び回路電極等との接触面積を増大させることが容易であり、これにより信頼性がさらに向上すると考えられる。
【0020】
導電性粒子の最外層が貴金属層である場合、該貴金属層の厚みは、接続される回路間の抵抗を充分に低減し易い観点から、通常、１０ｎｍ以上である。ただし、貴金属層が、Ｎｉ等の遷移金属の上に設けられる場合、例えば、導電性粒子の混合分散時に、貴金属層が欠損すること等により、Ｎｉ等の遷移金属が異方導電性樹脂組成物中に露出し、当該遷移金属による酸化還元作用により遊離ラジカルが発生することがあり、該遊離ラジカルは、異方導電性樹脂組成物の保存安定性を低下させるおそれがある。このため、前記貴金属層の厚みは、好ましくは３０ｎｍ以上であり、より好ましくは６０ｎｍ以上であり、１００ｎｍ以上がさらに好ましい。
前記貴金属層の厚みの上限は、特に制限はないが、製造コストの観点から、通常、１μｍ以下である。
前記貴金属層の厚みの上限は、特に制限はないが、製造コストの観点から、通常、１μｍ以下である。
【0021】
導電性粒子の平均粒径は、回路電極の高さのばらつきに対応し易く、回路電極間の導電性が低下し難い観点から、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。導電性粒子の平均粒径は、隣接する回路電極間の絶縁性が低下し難い観点から、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。これらの観点から、導電性粒子の平均粒径は、好ましくは０．５～１０μｍであり、より好ましくは１～５μｍであり、１．５～４．５μｍであることがさらに好ましい。
前記導電性粒子の平均粒子径は、任意の１００個の導電性粒子を顕微鏡で観察することにより測定することができる。
前記導電性粒子の平均粒子径は、任意の１００個の導電性粒子を顕微鏡で観察することにより測定することができる。
【0022】
導電性粒子の含有量は、導電性に優れる観点から、異方導電性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上である。導電性粒子の含有量は、隣接回路の短絡等を抑制し易い観点から、異方導電性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、好ましくは５０質量部以下、より好ましくは４０質量部以下である。これらの観点から、導電性粒子の含有量は、異方導電性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、好ましくは０．１～５０質量部であり、より好ましくは０．１～４０質量部であり、０．１～３０質量部であることがさらに好ましい。
導電性粒子は、異方導電性樹脂組成物が加圧加熱された後に異方導電性接着剤としての機能を発揮することができるような密度で、異方導電性組成物中に分散されている。具体的には、水平投影面積当たり導電性粒子が好ましくは１５～６０％、より好ましくは２５～６０％を占める。また、単位面積当たりの個数は、平均粒子径に大きく依存するが、導電性の観点から、好ましくは１０，０００～１００，０００個／ｍｍ2であり、より好ましくは２０，０００～７０，０００個／ｍｍ2であり、３０，０００～６０，０００個／ｍｍ2であることがさらに好ましい。
導電性粒子は、異方導電性樹脂組成物が加圧加熱された後に異方導電性接着剤としての機能を発揮することができるような密度で、異方導電性組成物中に分散されている。具体的には、水平投影面積当たり導電性粒子が好ましくは１５～６０％、より好ましくは２５～６０％を占める。また、単位面積当たりの個数は、平均粒子径に大きく依存するが、導電性の観点から、好ましくは１０，０００～１００，０００個／ｍｍ2であり、より好ましくは２０，０００～７０，０００個／ｍｍ2であり、３０，０００～６０，０００個／ｍｍ2であることがさらに好ましい。
【0023】
［（Ｄ）無機充填剤］
本発明の異方導電性樹脂組成物には、さらに（Ｄ）無機充填剤を含むことが好ましい。
（Ｄ）無機充填剤としては、例えば、金属炭化物、金属酸化物、シリカ粒子、炭素粒子、金属炭酸塩粒子、金属窒化物粒子、金属水酸化物粒子、金属硫酸塩粒子、チタン酸バリウム粒子、等が挙げられる。これらの中で、光透過性の低下の抑制、熱膨張係数の低下の観点から、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、非晶質シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、非晶質溶融シリカ、粉砕シリカ、ナノシリカ等、当該技術分野で使用される各種シリカが挙げられ、非晶質溶融シリカが好ましい。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
本発明の異方導電性樹脂組成物には、さらに（Ｄ）無機充填剤を含むことが好ましい。
（Ｄ）無機充填剤としては、例えば、金属炭化物、金属酸化物、シリカ粒子、炭素粒子、金属炭酸塩粒子、金属窒化物粒子、金属水酸化物粒子、金属硫酸塩粒子、チタン酸バリウム粒子、等が挙げられる。これらの中で、光透過性の低下の抑制、熱膨張係数の低下の観点から、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、非晶質シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、非晶質溶融シリカ、粉砕シリカ、ナノシリカ等、当該技術分野で使用される各種シリカが挙げられ、非晶質溶融シリカが好ましい。
これらは単独、もしくは２種類以上混合して使用することができる。
【0024】
（Ｄ）無機充填剤の平均粒径は、光透過性を低下させない観点から、好ましくは１～５００ｎｍであり、より好ましくは５～３００ｎｍであり、１０～２００ｎｍであることがさらに好ましい。
（Ｄ）無機充填剤の含有量は、異方導電性樹脂組成物の形状保持の観点から、異方導電性樹脂組成物１００質量部に対し、好ましくは０．３～２．５質量部であり、より好ましくは０．５～２．０質量部であり、０．７～１．７質量部であることがさらに好ましい。
前記無機充填剤の平均粒径は、特に限定しない限り、レーザ回折・光散乱法に基く体積基準の粒度分布において、粒径が小さい側からの累積頻度５０体積％に相当する粒径（Ｄ５０、メジアン径ともいう。）をいう。
（Ｄ）無機充填剤の含有量は、異方導電性樹脂組成物の形状保持の観点から、異方導電性樹脂組成物１００質量部に対し、好ましくは０．３～２．５質量部であり、より好ましくは０．５～２．０質量部であり、０．７～１．７質量部であることがさらに好ましい。
前記無機充填剤の平均粒径は、特に限定しない限り、レーザ回折・光散乱法に基く体積基準の粒度分布において、粒径が小さい側からの累積頻度５０体積％に相当する粒径（Ｄ５０、メジアン径ともいう。）をいう。
【0025】
（その他成分）
本発明の異方導電性樹脂組成物には、カップリング剤を添加してもよい。カップリング剤としては、この種の樹脂組成物に配合される公知のカップリング剤であれば特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤およびチタネート系カップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、通常、エポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系、及びこれらの複合系が挙げられ、任意の添加量で用いることができる。また、チタネート系カップリング剤としては、通常、少なくとも炭素数１～６０のアルキレート基を有するチタネート系カップリング剤、アルキルホスファイト基を有するチタネート系カップリング剤、アルキルホスフェート基を有するチタネート系カップリング剤もしくはアルキルパイロホスフェート基を有するチタネート系カップリング剤、及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられ、任意の添加量で用いることができる。
なお、カップリング剤の配合量は、典型的には異方導電性樹脂組成物１００質量％に対して５質量％以下である。
本発明の異方導電性樹脂組成物には、カップリング剤を添加してもよい。カップリング剤としては、この種の樹脂組成物に配合される公知のカップリング剤であれば特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤およびチタネート系カップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、通常、エポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系、及びこれらの複合系が挙げられ、任意の添加量で用いることができる。また、チタネート系カップリング剤としては、通常、少なくとも炭素数１～６０のアルキレート基を有するチタネート系カップリング剤、アルキルホスファイト基を有するチタネート系カップリング剤、アルキルホスフェート基を有するチタネート系カップリング剤もしくはアルキルパイロホスフェート基を有するチタネート系カップリング剤、及びこれらの複合系カップリング剤が挙げられ、任意の添加量で用いることができる。
なお、カップリング剤の配合量は、典型的には異方導電性樹脂組成物１００質量％に対して５質量％以下である。
【0026】
また、本発明の異方導電性樹脂組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、イオン捕捉剤等の添加剤を添加してもよい。
【0027】
［異方導電性樹脂組成物の製造方法］
本発明の異方導電性樹脂組成物は、公知の方法を適用して製造することができる。
例えば、前記（Ａ）～（Ｃ）成分、及び、必要に応じて任意に配合される各種成分を、ポットミル、ボールミル、ビーズミル、ロールミル、ホモジナイザー、スーパーミル、ライカイ機等の公知の混練機を用いて、室温あるいは加熱下において混練した後、必要に応じて溶剤を希釈して、異方導電性樹脂組成物を得ることにより製造することができる。
本発明の異方導電性樹脂組成物は、公知の方法を適用して製造することができる。
例えば、前記（Ａ）～（Ｃ）成分、及び、必要に応じて任意に配合される各種成分を、ポットミル、ボールミル、ビーズミル、ロールミル、ホモジナイザー、スーパーミル、ライカイ機等の公知の混練機を用いて、室温あるいは加熱下において混練した後、必要に応じて溶剤を希釈して、異方導電性樹脂組成物を得ることにより製造することができる。
【0028】
［マイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の製造方法］
本発明のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の製造方法は、印刷法またはディスペンス法等公知の手段で、前記異方導電性樹脂組成物を基板上に塗布した後、マイクロＬＥＤを所定の間隔で実装し、１５０～２００℃、１～１０ＭＰａの条件下で、０．１～２時間、加熱硬化することにより、マイクロＬＥＤをアレイ状に並べて基板に接合することで得られる。
アレイ状とは、特に限定されないが、例えば、マイクロＬＥＤをＭ行Ｎ列に配置することを意味する。ただし、ここでＭ及びＮは整数であり、ＭとＮとの少なくともいずれかは２以上である。
本発明のマイクロＬＥＤアレイディスプレイ装置の製造方法は、印刷法またはディスペンス法等公知の手段で、前記異方導電性樹脂組成物を基板上に塗布した後、マイクロＬＥＤを所定の間隔で実装し、１５０～２００℃、１～１０ＭＰａの条件下で、０．１～２時間、加熱硬化することにより、マイクロＬＥＤをアレイ状に並べて基板に接合することで得られる。
アレイ状とは、特に限定されないが、例えば、マイクロＬＥＤをＭ行Ｎ列に配置することを意味する。ただし、ここでＭ及びＮは整数であり、ＭとＮとの少なくともいずれかは２以上である。
【実施例】
【0029】
次に実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【0030】
［合成例１］
（Ａ１）シリコーン変性エポキシ樹脂の合成
温度計、冷却管、窒素導入管、撹拌翼のついた５００ｍｌの４つ口セパラブルフラスコに、ハイドロジェンポリジメチルシロキサン〔商品名：ＤＭＳ－Ｈ０３、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕を８５．０質量部、トルエンを１００質量部投入し、常温で撹拌した。そこへ白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体キシレン溶液〔商品名：ＳＩＰ６８３１．２、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕を０．０７５質量部添加し、マントルヒーターを用いて６０℃に加温した。そこへモノアリルグリシジルイソシアヌル酸〔商品名：ＭＡＤＧＩＣ、四国化成工業株式会社製〕を５３．１質量部投入し、溶解させた。その後、１１０℃まで上昇し、そのまま４時間撹拌した。
次いで、トルエン５０質量部に溶解させた液状ポリブタジエン〔商品名：ＮＩＳＳＯ ＰＢ Ｇ－１０００、日本曹達株式会社製〕１１．９質量部を３０分かけて反応溶液中に滴下し、さらに１１０℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物の溶剤を減圧下で留去することにより、シリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
（Ａ１）シリコーン変性エポキシ樹脂の合成
温度計、冷却管、窒素導入管、撹拌翼のついた５００ｍｌの４つ口セパラブルフラスコに、ハイドロジェンポリジメチルシロキサン〔商品名：ＤＭＳ－Ｈ０３、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕を８５．０質量部、トルエンを１００質量部投入し、常温で撹拌した。そこへ白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体キシレン溶液〔商品名：ＳＩＰ６８３１．２、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕を０．０７５質量部添加し、マントルヒーターを用いて６０℃に加温した。そこへモノアリルグリシジルイソシアヌル酸〔商品名：ＭＡＤＧＩＣ、四国化成工業株式会社製〕を５３．１質量部投入し、溶解させた。その後、１１０℃まで上昇し、そのまま４時間撹拌した。
次いで、トルエン５０質量部に溶解させた液状ポリブタジエン〔商品名：ＮＩＳＳＯ ＰＢ Ｇ－１０００、日本曹達株式会社製〕１１．９質量部を３０分かけて反応溶液中に滴下し、さらに１１０℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物の溶剤を減圧下で留去することにより、シリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
【0031】
［合成例２］
（Ａ２）シリコーン変性エポキシ樹脂の合成
合成例１で用いたものと同様のフラスコに、エポキシ化ポリブタジエン〔エポキシ当量２０３ｇ／ｅｑ、二重結合当量８３ｇ／ｅｑ、数平均分子量１０００〕を１２３質量部、トルエンを２００質量部入れてエポキシ化ポリブタジエンを溶解させた。そこへ白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体キシレン溶液〔商品名：ＳＩＰ６８３１．２、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕を０．０３３質量部添加し、マントルヒーターを用いて６０℃に加温した。そこへトルエン７０質量部に溶解させたハイドロジェンポリジメチルシロキサン〔商品名：ＤＭＳ－Ｈ０３、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕６質量部を３０分かけて反応溶液中に滴下し、さらに１１０℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物の溶剤を減圧下で留去することにより、シリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
（Ａ２）シリコーン変性エポキシ樹脂の合成
合成例１で用いたものと同様のフラスコに、エポキシ化ポリブタジエン〔エポキシ当量２０３ｇ／ｅｑ、二重結合当量８３ｇ／ｅｑ、数平均分子量１０００〕を１２３質量部、トルエンを２００質量部入れてエポキシ化ポリブタジエンを溶解させた。そこへ白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体キシレン溶液〔商品名：ＳＩＰ６８３１．２、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕を０．０３３質量部添加し、マントルヒーターを用いて６０℃に加温した。そこへトルエン７０質量部に溶解させたハイドロジェンポリジメチルシロキサン〔商品名：ＤＭＳ－Ｈ０３、Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．社製〕６質量部を３０分かけて反応溶液中に滴下し、さらに１１０℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物の溶剤を減圧下で留去することにより、シリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
【0032】
（実施例１、２、比較例１～４）
表１に示した配合比で各成分を混合し、異方導電性樹脂組成物を得た。得られた異方導電性樹脂組成物を後述の方法で評価した。その結果を表１に併せて示す。なお、実施例及び比較例で用いた材料は、下記の特性を有するものを使用した。
表１に示した配合比で各成分を混合し、異方導電性樹脂組成物を得た。得られた異方導電性樹脂組成物を後述の方法で評価した。その結果を表１に併せて示す。なお、実施例及び比較例で用いた材料は、下記の特性を有するものを使用した。
【0033】
（Ａ１）シリコーン変性エポキシ樹脂：合成例１
（Ａ２）シリコーン変性エポキシ樹脂：合成例２
その他の樹脂
・シリコーン樹脂（信越化学工業社製、商品名：ＫＥＲ－３０００－Ｍ２）
・イソシアヌル酸構造を有するエポキシ樹脂（日産化学社製、商品名：ＴＥＰＩＣ－ＦＬ）
（Ａ２）シリコーン変性エポキシ樹脂：合成例２
その他の樹脂
・シリコーン樹脂（信越化学工業社製、商品名：ＫＥＲ－３０００－Ｍ２）
・イソシアヌル酸構造を有するエポキシ樹脂（日産化学社製、商品名：ＴＥＰＩＣ－ＦＬ）
【0034】
（Ｂ）硬化剤
・（Ｂ１）４－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化社製、商品名：リカシッドＭＨ）
・（Ｂ２）イソシアネート系硬化剤（東ソー社製、商品名：コロネートＨＸ）
・（Ｂ１）４－メチル－ヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化社製、商品名：リカシッドＭＨ）
・（Ｂ２）イソシアネート系硬化剤（東ソー社製、商品名：コロネートＨＸ）
【0035】
・硬化促進剤：テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－Ｏ，Ｏ’－ジエチルホスホロジチオネート（日本化学工業社製、商品名：ＰＸ－４ＥＴ）
【0036】
（Ｃ）導電性粒子
・金メッキ樹脂粒子（積水化学社製、商品名：ミクロパールＡＵ、平均粒子径：５μｍ）
・金メッキ樹脂粒子（積水化学社製、商品名：ミクロパールＡＵ、平均粒子径：５μｍ）
【0037】
（Ｄ）無機充填剤
・非晶質溶融シリカ（日本アエロジル社製、商品名：Ｒ９７２、平均粒子径：１５ｎｍ）
前記（Ｄ）無機充填剤の平均粒子径は、レーザ回折／散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所製、製品名：ＬＡ－９２０）を用いて、レーザ回折散乱方式によりメジアン径を測定し、これを平均粒子径とした。
・非晶質溶融シリカ（日本アエロジル社製、商品名：Ｒ９７２、平均粒子径：１５ｎｍ）
前記（Ｄ）無機充填剤の平均粒子径は、レーザ回折／散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所製、製品名：ＬＡ－９２０）を用いて、レーザ回折散乱方式によりメジアン径を測定し、これを平均粒子径とした。
【0038】
その他成分
・シランカップリング剤（信越シリコーン社製、商品名：ＫＢＭ－３０３）
・シランカップリング剤（信越シリコーン社製、商品名：ＫＢＭ－３０３）
【0039】
＜評価方法＞
（１）密着性
異方導電性樹脂組成物を印刷評価基板に塗布し、さらに５０μｍ×５０μｍのＬＥＤを実装し、２００℃で１時間加熱して接合した後、接着強度測定装置（西進商事社製、型名：ＳＳ－３０ＷＤ）を用いて２５℃及び２６０℃の環境下での接着強度を測定し、２５℃での接着強度に対する２６０℃の接着強度の変化率（低下率）を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：１０％未満
△：１０％以上２０％未満
×：２０％以上
（１）密着性
異方導電性樹脂組成物を印刷評価基板に塗布し、さらに５０μｍ×５０μｍのＬＥＤを実装し、２００℃で１時間加熱して接合した後、接着強度測定装置（西進商事社製、型名：ＳＳ－３０ＷＤ）を用いて２５℃及び２６０℃の環境下での接着強度を測定し、２５℃での接着強度に対する２６０℃の接着強度の変化率（低下率）を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：１０％未満
△：１０％以上２０％未満
×：２０％以上
【0040】
（２）初期透過率
対向した厚さ１ｍｍの２枚のガラス板（松波硝子社製、製品名：Ｓ１１１２）の間に、厚さ０．５ｍｍのシリコーンゴムシートをスペーサーとして挟み込みことにより作製したセルに、異方導電性樹脂組成物を流し込み、１２０℃で２時間加熱し、次いで１５０℃まで加熱した後、さらに５時間の加熱を行い樹脂組成物を硬化させることにより、厚さ０．５ｍｍの板状硬化物を作製した。
紫外可視分光光度計（日本分光社製、製品名：Ｖ－５７０）を用いて、加熱硬化後の板状硬化物の波長４６０ｎｍにおける光透過率を測定した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
対向した厚さ１ｍｍの２枚のガラス板（松波硝子社製、製品名：Ｓ１１１２）の間に、厚さ０．５ｍｍのシリコーンゴムシートをスペーサーとして挟み込みことにより作製したセルに、異方導電性樹脂組成物を流し込み、１２０℃で２時間加熱し、次いで１５０℃まで加熱した後、さらに５時間の加熱を行い樹脂組成物を硬化させることにより、厚さ０．５ｍｍの板状硬化物を作製した。
紫外可視分光光度計（日本分光社製、製品名：Ｖ－５７０）を用いて、加熱硬化後の板状硬化物の波長４６０ｎｍにおける光透過率を測定した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
【0041】
（３）耐熱性試験（１）
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、１５０℃の大気オーブンにて２４時間加熱処理した。また、この加熱処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、１５０℃の大気オーブンにて２４時間加熱処理した。また、この加熱処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
【0042】
（４）耐熱性試験（２）
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、１５０℃の大気オーブンにて１０００時間加熱処理した。また、この加熱処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、１５０℃の大気オーブンにて１０００時間加熱処理した。また、この加熱処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
【0043】
（５）耐光性試験（１）
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、ＵＶ照射装置（オーク製作所製、製品名：ＵＶ－３００、高圧水銀灯、４００ｎｍ以下の波長カットフィルター使用）を用い、２４時間ＵＶ照射処理した。また、この照射処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、ＵＶ照射装置（オーク製作所製、製品名：ＵＶ－３００、高圧水銀灯、４００ｎｍ以下の波長カットフィルター使用）を用い、２４時間ＵＶ照射処理した。また、この照射処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
【0044】
（６）耐光性試験（２）
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、ＵＶ照射装置（オーク製作所製、製品名：ＵＶ－３００、高圧水銀灯、４００ｎｍ以下の波長カットフィルター使用）を用い、１０００時間ＵＶ照射処理した。次いで、照射処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
前記（２）で得られた加熱硬化後の板状硬化物に対し、ＵＶ照射装置（オーク製作所製、製品名：ＵＶ－３００、高圧水銀灯、４００ｎｍ以下の波長カットフィルター使用）を用い、１０００時間ＵＶ照射処理した。次いで、照射処理後の板状硬化物の４６０ｎｍにおける光透過率を測定し、その変化率を算出した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：９０％以上
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
【0045】
（７）耐マイグレーション性
くし型パターン基板（基板材料：窒化アルミ、電極材料：Ｃｕ、０．１ｍｍ間隔で５本）に実施例で得られた異方導電性樹脂組成物を塗布し、２００℃、１ＭＰａで６０分間、熱硬化したサンプル（５０×５０ｍｍ、厚さ：０．１ｍｍ）に対し、８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下で電極に１００Ｖの電圧を１０００時間印加しマイグレーション性試験を行うことにより、耐マイグレーション性を評価した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：マイグレーション発生なし
×：マイグレーション発生
くし型パターン基板（基板材料：窒化アルミ、電極材料：Ｃｕ、０．１ｍｍ間隔で５本）に実施例で得られた異方導電性樹脂組成物を塗布し、２００℃、１ＭＰａで６０分間、熱硬化したサンプル（５０×５０ｍｍ、厚さ：０．１ｍｍ）に対し、８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下で電極に１００Ｖの電圧を１０００時間印加しマイグレーション性試験を行うことにより、耐マイグレーション性を評価した。評価基準は次の通りである。
［評価基準］
○：マイグレーション発生なし
×：マイグレーション発生
【0046】
【表1】
【0047】
主成分である樹脂として、シリコーン変成エポキシ樹脂を用いた実施例１、２は、シリコーン樹脂を用いた比較例１、３（密着性、耐マイグレーション性が悪い）、エポキシ樹脂を用いた比較例２、４（耐光性が悪い）に比べ、密着性、光透過性、耐熱性、耐光性及び耐マイグレーション性のすべてが同時に満たされていることがわかる。