(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-22
(45)【発行日】2023-12-01
(54)【発明の名称】蒸着マスク用金属板、蒸着マスク及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/04 20060101AFI20231124BHJP
【ＦＩ】
C23C14/04 A
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021152029
(22)【出願日】2021-09-17
(62)【分割の表示】P 2019514011の分割
【原出願日】2017-08-22
(65)【公開番号】P2022000542
(43)【公開日】2022-01-04
【審査請求日】2021-09-17
(31)【優先権主張番号】10-2016-0118389
(32)【優先日】2016-09-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2017-0014643
(32)【優先日】2017-02-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】517099982
【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114188
【弁理士】
【氏名又は名称】小野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100119253
【弁理士】
【氏名又は名称】金山 賢教
(74)【代理人】
【識別番号】100129713
【弁理士】
【氏名又は名称】重森 一輝
(74)【代理人】
【識別番号】100137213
【弁理士】
【氏名又は名称】安藤 健司
(74)【代理人】
【識別番号】100143823
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 英彦
(74)【代理人】
【識別番号】100183519
【弁理士】
【氏名又は名称】櫻田 芳恵
(74)【代理人】
【識別番号】100196483
【弁理士】
【氏名又は名称】川嵜 洋祐
(74)【代理人】
【識別番号】100160749
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 陽一
(74)【代理人】
【識別番号】100160255
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 祐輔
(74)【代理人】
【識別番号】100202267
【弁理士】
【氏名又は名称】森山 正浩
(74)【代理人】
【識別番号】100146318
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 吉和
(72)【発明者】
【氏名】ソン，ドンムグ
(72)【発明者】
【氏名】ユン，ジョンミン
(72)【発明者】
【氏名】チョ，スヒョン
(72)【発明者】
【氏名】キム，ヘシク
(72)【発明者】
【氏名】ハン，テヒョン
(72)【発明者】
【氏名】ソン，ヒョウオン
(72)【発明者】
【氏名】イ，サンユ
(72)【発明者】
【氏名】イ，サンボム
【審査官】宮崎 園子
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第１０５８０３３８９（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１３３９３４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
鉄(Fe)及びニッケル(Ni)を含み、長さ方向に一端から他端まで延長される金属板を含み、前記金属板は、第１面と、前記第１面と反対となる第２面を含み、
前記金属板は、蒸着パターン領域と非蒸着領域を含み、
前記蒸着パターン領域は、複数の有効領域と複数の非有効領域を含み、
それぞれの有効領域は、複数の貫通孔を含み、
複数の有効領域は、第１有効領域、第２有効領域及び第３有効領域を含み、
前記金属板の非蒸着領域は、第１溝、第２溝、第３溝及び第４溝を含み、
前記第１溝、前記第２溝、前記第３溝及び前記第４溝は、金属板の深さ方向に対応する溝が形成される別途の領域であり、
前記第１溝は、前記金属板の一端と前記蒸着パターン領域の間に配置され、
前記第２溝は、前記金属板の他端と前記蒸着パターン領域の間に配置され、
前記第３溝は、前記第１溝と前記第１有効領域の間に配置され、
前記第４溝は、前記第２溝と前記第３有効領域の間に配置され、
前記金属板の非蒸着領域は、前記金属板の一端と他端にそれぞれ配置された半円形の第１オープン部と半円形の第２オープン部を含み、
前記第１溝及び前記第２溝は、それぞれ曲面と平面を含み、
前記第１溝の曲面は、前記一端に配置された第１オープン部の曲面に向かい、
前記第２溝の曲面は、前記他端に配置された第２オープン部の曲面に向かい、
前記貫通孔は、前記金属板の第１面に形成される第１面孔と、前記第２面に形成される第２面孔を含み、
前記第２面孔の幅は、前記第１面孔の幅より大きく、
前記第１溝、前記第２溝、前記第３溝及び前記第４溝は、前記第１面のみに配置され、
前記第１溝、前記第２溝、前記第３溝及び前記第４溝の形状は、前記金属板の長さ方向の中心を基準として相互対称となるように配置される、蒸着用マスク。
【請求項2】
前記第１溝の曲面は、前記一端方向に膨らみ、前記第２溝の曲面は、前記他端方向に膨らむ、請求項１に記載の蒸着用マスク。
【請求項3】
前記第３溝及び前記第４溝の形状は、前記第１溝及び前記第２溝のうちいずれか一つの溝の形状と異なる、請求項１または２に記載の蒸着用マスク。
【請求項4】
前記非蒸着領域は、第１フレーム固定領域及び第２フレーム固定領域を含み、前記第１フレーム固定領域は、前記第１溝と前記第３溝の間に配置され、
前記第２フレーム固定領域は、前記第２溝と前記第４溝の間に配置される、請求項１から３のいずれか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項5】
前記蒸着パターン領域は、複数の分離領域を含み、前記分離領域は、前記第１有効領域と前記第２有効領域の間の第１分離領域と、前記第２有効領域と前記第３有効領域の間の第２分離領域とを含み、
前記第１分離領域及び前記第２分離領域の幅は、前記第１フレーム固定領域と前記第１溝の間の距離より小さい、請求項４に記載の蒸着用マスク。
【請求項6】
前記第１溝は、前記金属板の長さ方向への第１幅を有し、前記第３溝は、前記金属板の長さ方向への第２幅を有し、
前記第１幅は、前記第２幅より大きい、請求項１から５のいずれか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項7】
前記第１溝及び前記第３溝は、前記金属板の長さ方向に前記第２溝及び前記第４溝と対称する、請求項１から６のいずれか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項8】
前記貫通孔は、前記第１面孔と前記第２面孔の間の変曲点を含み、前記変曲点と前記第１面孔の終端の任意の地点を連結する直線と前記金属板の第１面の間の傾斜角の内角の大きさは、前記変曲点と前記第２面孔の終端の任意の地点を連結する直線と前記金属板の第２面の間の傾斜角の内角の大きさと異なる、請求項１に記載の蒸着用マスク。
【請求項9】
前記変曲点と前記第１面孔の終端の任意の地点を連結する直線と前記金属板の第１面の間の傾斜角の内角の大きさは、９０度を超過し、前記変曲点と前記第２面孔の終端の任意の地点を連結する直線と前記金属板の第２面の間の傾斜角の内角の大きさは、２０度～７０度である、請求項８に記載の蒸着用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は金属板に関する。詳細には、実施例は蒸着マスクに用いられる金属板及びその
製造方法に関する。より詳細には、実施例による蒸着マスクを用いてＯＬＥＤパネルを製
作することができる。
製造方法に関する。より詳細には、実施例による蒸着マスクを用いてＯＬＥＤパネルを製
作することができる。
【背景技術】
【0002】
高解像度及び低消費電力を有する表示装置が要求されることにより、液晶表示装置や電
界発光表示装置のような多様な表示装置が開発されている。
界発光表示装置のような多様な表示装置が開発されている。
【0003】
電界発光表示装置は、液晶表示装置に比べ、低発光、消費電力、高解像度などの優れた
特性により、次世代表示装置としで脚光を浴びている。
特性により、次世代表示装置としで脚光を浴びている。
【0004】
電界表示装置は、有機発光表示装置と無機発光表示装置がある。すなわち、発光層の物
質によって有機発光表示装置と無機発光表示装置とに区別され得る。
質によって有機発光表示装置と無機発光表示装置とに区別され得る。
【0005】
この中でも、有機発光表示装置は、広い視野角を有し、速い応答速度を有するという点
、低消費電力が要求されるという点で注目されている。
、低消費電力が要求されるという点で注目されている。
【0006】
このような発光層を構成する有機物質は、ファインメタルマスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａ
ｌ ｍａｓｋ）方式によって基板上に画素を形成するためのパターンが形成され得る。
ｌ ｍａｓｋ）方式によって基板上に画素を形成するためのパターンが形成され得る。
【0007】
このとき、ファインメタルマスク、すなわち蒸着用マスクは、基板上に形成されるパタ
ーンと対応する貫通孔を有し得、基板上にファインメタルマスクをアライメントした後、
有機物質を蒸着することにより、画素を形成する赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、
青色（Ｂｌｕｅ）のパターンを形成することができる。
ーンと対応する貫通孔を有し得、基板上にファインメタルマスクをアライメントした後、
有機物質を蒸着することにより、画素を形成する赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、
青色（Ｂｌｕｅ）のパターンを形成することができる。
【0008】
最近、仮想現実(ＶＲ、ｖｉｒｔｕａｌ ｒｅａｌｉｔｙ)器機など多様な電子機器で超
高解像度（ＵＨＤ、Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）の表示装置が要求さ
れる。これに伴って、超高解像度（ＵＨＤ級）のパターンを形成することができる微細な
サイズの貫通孔を有するファインメタルマスクが要求される。
高解像度（ＵＨＤ、Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）の表示装置が要求さ
れる。これに伴って、超高解像度（ＵＨＤ級）のパターンを形成することができる微細な
サイズの貫通孔を有するファインメタルマスクが要求される。
【0009】
蒸着マスクとして用いられる金属板は、エッチング工程によって複数の貫通孔が形成さ
れ得る。
れ得る。
【0010】
このとき、複数の貫通孔が均一でない場合、蒸着の均一性が低下することがあり、これ
によって形成されるパターンの蒸着効率が低下することにより工程効率が低下するという
問題点があった。
によって形成されるパターンの蒸着効率が低下することにより工程効率が低下するという
問題点があった。
【0011】
一方、高解像度または超高解像度（ＵＨＤ級）のパターンを形成することができる微細
なサイズの貫通孔は均一に形成しにくいという問題点を有する。
なサイズの貫通孔は均一に形成しにくいという問題点を有する。
【0012】
または、微細なサイズの貫通孔を形成しても隣接した貫通孔が互いに連結されることに
よって、蒸着不良を発生させることがあるという問題点を有する。
よって、蒸着不良を発生させることがあるという問題点を有する。
【0013】
したがって、新しい構造の蒸着マスク用基板、蒸着マスク及びその製造方法が要求され
る。
る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
実施例は、均一な貫通孔を有する蒸着マスクを提供するためのものである。
【0015】
実施例は、均一で微細な貫通孔を有する蒸着マスクを提供するためのものである。
【課題を解決するための手段】
【0016】
蒸着マスクの製作に用いられる金属板は、ベース金属板；前記ベース金属板の第１面上
に配置される第１表面層；及び前記ベース金属板の前記第１面と対向する第２面上に配置
される第２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互
いに異なる元素を含むか、または異なる組成比を有し、前記ベース金属板のエッチング速
度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度より大きいものを含む。
に配置される第１表面層；及び前記ベース金属板の前記第１面と対向する第２面上に配置
される第２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互
いに異なる元素を含むか、または異なる組成比を有し、前記ベース金属板のエッチング速
度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度より大きいものを含む。
【0017】
実施例による蒸着マスクの製造方法は、ベース金属板の準備ステップ；前記ベース金属
板の第１面上に第１表面層を配置するステップ；前記ベース金属板の第２面上に第２表面
層を配置するステップ；前記第１表面層上に第１フォトレジスト層を配置し、前記第２表
面層上に第２フォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；及び前記第１
面の第１面孔と前記第２面の第２面孔とが連通する貫通孔を形成するエッチングステップ
;を含み、前記エッチングステップは、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも
一つの面孔の下記式１によって計算されたエッチングファクターが２．５以上であり、
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
上記式で、前記Ｂは、エッチングされた前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面
孔の深さであり、上記式で、前記Ａは、前記一つの面孔上のブリッジ領域から延びて前記
一つの面孔の中心方向に突出したフォトレジスト層の幅を意味する。
板の第１面上に第１表面層を配置するステップ；前記ベース金属板の第２面上に第２表面
層を配置するステップ；前記第１表面層上に第１フォトレジスト層を配置し、前記第２表
面層上に第２フォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；及び前記第１
面の第１面孔と前記第２面の第２面孔とが連通する貫通孔を形成するエッチングステップ
;を含み、前記エッチングステップは、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも
一つの面孔の下記式１によって計算されたエッチングファクターが２．５以上であり、
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
上記式で、前記Ｂは、エッチングされた前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面
孔の深さであり、上記式で、前記Ａは、前記一つの面孔上のブリッジ領域から延びて前記
一つの面孔の中心方向に突出したフォトレジスト層の幅を意味する。
【0018】
実施例の蒸着マスクは、互いに対向する第１面及び第２面を含むベース金属板；前記第
１面上の第１表面層；及び前記第２面上の第２表面層;を含む蒸着マスク用金属板を含み
、前記蒸着マスク用金属板は蒸着パターン領域と非蒸着領域を含み、前記蒸着パターン領
域は複数の貫通孔を含み、前記蒸着パターン領域は有効領域と外郭領域、非有効領域に分
けられ、前記有効領域と前記外郭領域に貫通孔が形成され得る。
１面上の第１表面層；及び前記第２面上の第２表面層;を含む蒸着マスク用金属板を含み
、前記蒸着マスク用金属板は蒸着パターン領域と非蒸着領域を含み、前記蒸着パターン領
域は複数の貫通孔を含み、前記蒸着パターン領域は有効領域と外郭領域、非有効領域に分
けられ、前記有効領域と前記外郭領域に貫通孔が形成され得る。
【発明の効果】
【0019】
実施例による金属板は、ベース金属板及び前記ベース金属板上に配置される表面層を含
むことができる。
むことができる。
【0020】
前記表面層は、前記ベース金属板の第１面及び前記第１面と対向される第２面上にそれ
ぞれ配置されることによって、前記ベース金属板の第１面及び第２面におけるエッチング
速度を遅くすることができる。これに伴って、前記表面層を含む金属板は、均一な貫通孔
を形成することができる。すなわち、蒸着マスクの製作に用いられる前記金属板は、均一
性が向上した貫通孔を含むことにより、これを通じて形成されるパターンの均一性が向上
し得、パターンの蒸着効率が増加することによって工程効率が向上し得る。
ぞれ配置されることによって、前記ベース金属板の第１面及び第２面におけるエッチング
速度を遅くすることができる。これに伴って、前記表面層を含む金属板は、均一な貫通孔
を形成することができる。すなわち、蒸着マスクの製作に用いられる前記金属板は、均一
性が向上した貫通孔を含むことにより、これを通じて形成されるパターンの均一性が向上
し得、パターンの蒸着効率が増加することによって工程効率が向上し得る。
【0021】
したがって、実施例による蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効
率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。
率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】基板上に有機物質を蒸着する工程を説明するための概念図である。
【図2】基板上に有機物質を蒸着する工程を説明するための概念図である。
【図3】基板上に有機物質を蒸着する工程を説明するための概念図である。
【図4】実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。
【図5】実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。
【図6】実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。
【図7】実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。
【図8】蒸着マスクの有効領域の平面図を示した図である。
【図9】蒸着マスクの有効領域の平面図を示した図である。
【図11】第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。
【図12】第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。
【図13】第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。
【図14】第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。
【図15】第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。
【図16】実施例による金属板の面孔を撮影した写真である。
【図17】比較例による金属板の面孔を撮影した写真である。
【図18】実施例のエッチング工程における断面図を示した図である。
【図19】比較例のエッチング工程における断面図を示した図である。
【図22】第２実施例による蒸着マスクを示した図である。
【図23】蒸着マスク用金属板の厚さ減少による貫通孔形成の容易性を説明するための図である。
【図24】エッチングファクターの増加による貫通孔形成の容易性を説明するための図である。
【図31】第２実施例による蒸着マスクの貫通孔を示した他の図である。
【図32】第２実施例による蒸着マスクの貫通孔を示したまた他の図である。
【発明の実施のための形態】
【0023】
以下、添付した図面を参照して実施例を具体的に説明する。
【0024】
添付図面を参照して説明することにおいて、同じ構成要素は同じ図面符号を付与し、こ
れに対する重複説明は省略する。
れに対する重複説明は省略する。
【0025】
第１、第２などの用語は、構成要素を説明することに使用され得るが、前記構成要素は
、前記用語に限定されず、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的にのみ用いられ
る。
、前記用語に限定されず、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的にのみ用いられ
る。
【0026】
また、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対になる記載がな
い限り、他の構成要素を除くことでなく他の構成要素をさらに備え得ることができるとい
うことを意味する。
い限り、他の構成要素を除くことでなく他の構成要素をさらに備え得ることができるとい
うことを意味する。
【0027】
【0028】
図１は、実施例による蒸着マスク１００が含まれた有機物蒸着装置を示した図である。
【0029】
有機物蒸着装置は、蒸着マスク１００、マスクフレーム２００、基板３００、有機物蒸
着容器４００及び真空チャンバ５００を含むことができる。
着容器４００及び真空チャンバ５００を含むことができる。
【0030】
前記蒸着マスク１００は、複数の貫通孔ＴＨを含むことができる。前記蒸着マスク１０
０は、複数の貫通孔ＴＨを含む蒸着マスク用基板であり得る。このとき、前記貫通孔は、
基板上に形成されるパターンと対応するように形成され得る。
０は、複数の貫通孔ＴＨを含む蒸着マスク用基板であり得る。このとき、前記貫通孔は、
基板上に形成されるパターンと対応するように形成され得る。
【0031】
前記マスクフレーム２００は、開口部を含むことができる。前記蒸着マスク１００の複
数の貫通孔は、前記開口部と対応する領域上に配置され得る。これに伴って、前記有機物
蒸着容器４００に供給される有機物質が前記基板３００上に蒸着され得る。前記蒸着マス
クは、前記マスクフレーム２００上に配置されて固定され得る。例えば、前記蒸着マスク
は引っ張られ、前記マスクフレーム２００上に溶接によって固定され得る。
数の貫通孔は、前記開口部と対応する領域上に配置され得る。これに伴って、前記有機物
蒸着容器４００に供給される有機物質が前記基板３００上に蒸着され得る。前記蒸着マス
クは、前記マスクフレーム２００上に配置されて固定され得る。例えば、前記蒸着マスク
は引っ張られ、前記マスクフレーム２００上に溶接によって固定され得る。
【0032】
図１及び図２を参照すると、前記蒸着マスク１００は、前記蒸着マスク１００の最外郭
に配置された端部で、互いに反対方向に引っ張られ得る。前記蒸着マスク１００は、前記
蒸着マスク１００の長さ方向で、前記蒸着マスク１００の一端及び前記一端と反対の他端
が互いに反対方向に引っ張られ得る。前記蒸着マスク１００の一端と前記他端は、互いに
向かい合って平行に配置され得る。前記蒸着マスク１００の一端は、前記蒸着マスク１０
０の最外郭に配置された４個の側面を成す端部のいずれか一つであり得る。例えば、前記
蒸着マスク１００は、０．４ないし１．５ｋｇｆの力で引張され得る。これに伴って、引
張された前記蒸着マスク１００は、前記マスクフレーム２００上に取付けられ得る。
に配置された端部で、互いに反対方向に引っ張られ得る。前記蒸着マスク１００は、前記
蒸着マスク１００の長さ方向で、前記蒸着マスク１００の一端及び前記一端と反対の他端
が互いに反対方向に引っ張られ得る。前記蒸着マスク１００の一端と前記他端は、互いに
向かい合って平行に配置され得る。前記蒸着マスク１００の一端は、前記蒸着マスク１０
０の最外郭に配置された４個の側面を成す端部のいずれか一つであり得る。例えば、前記
蒸着マスク１００は、０．４ないし１．５ｋｇｆの力で引張され得る。これに伴って、引
張された前記蒸着マスク１００は、前記マスクフレーム２００上に取付けられ得る。
【0033】
次いで、前記蒸着マスク１００は、前記蒸着マスク１００の側面領域、すなわち端部を
熔接することによって、前記マスクフレーム２００に前記蒸着マスク１００を固定するこ
とができる。その次いで、前記マスクフレーム２００の外部に配置される前記蒸着マスク
１００の一部分は切断などの方法で除去され得る。例えば、前記溶接過程で前記蒸着マス
ク１００が変形されることによって、前記蒸着マスク１００が前記蒸着マスク１００及び
前記マスクフレーム２００の固定領域を除いた領域に配置される場合には、前記蒸着マス
クの一部分を除去することができる。
熔接することによって、前記マスクフレーム２００に前記蒸着マスク１００を固定するこ
とができる。その次いで、前記マスクフレーム２００の外部に配置される前記蒸着マスク
１００の一部分は切断などの方法で除去され得る。例えば、前記溶接過程で前記蒸着マス
ク１００が変形されることによって、前記蒸着マスク１００が前記蒸着マスク１００及び
前記マスクフレーム２００の固定領域を除いた領域に配置される場合には、前記蒸着マス
クの一部分を除去することができる。
【0034】
図１及び図３を参照すると、前記基板３００は、表示装置の製造に用いられる基板であ
り得る。前記基板３００上には光の３原色の画素を形成するために、赤色（Ｒｅｄ）、緑
色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）のパターンが形成され得る。
り得る。前記基板３００上には光の３原色の画素を形成するために、赤色（Ｒｅｄ）、緑
色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）のパターンが形成され得る。
【0035】
前記有機物蒸着容器４００は、るつぼであり得る。前記るつぼの内部には有機物質が配
置され得る。
置され得る。
【0036】
前記真空チャンバ５００内で前記るつぼに熱源及び／または電流が供給されることによ
り、前記有機物質は前記基板１００上に蒸着され得る。
り、前記有機物質は前記基板１００上に蒸着され得る。
【0037】
図３は、前記蒸着マスク１００の一つの貫通孔を拡大した図である。
【0038】
前記蒸着マスク１００は、第１面１０１及び前記第１面と対向する第２面１０２を含む
ことができる。
ことができる。
【0039】
前記蒸着マスク１００の前記第１面１０１は、製１面孔Ｖ１を含み、前記蒸着マスク１
００の前記第２面１０２は、第２面孔Ｖ２を含むことができる。
００の前記第２面１０２は、第２面孔Ｖ２を含むことができる。
【0040】
前記貫通孔は、前記第１面孔Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通する連結部ＣＡによって
形成され得る。
形成され得る。
【0041】
前記第２面孔Ｖ２の幅は、前記第１面孔Ｖ１の幅より大きいことがある。このとき、前
記第１面孔Ｖ１の幅は、前記第１面１０１で測定され、前記第２面孔Ｖ２の幅は、前記第
２面１０２で測定され得る。
記第１面孔Ｖ１の幅は、前記第１面１０１で測定され、前記第２面孔Ｖ２の幅は、前記第
２面１０２で測定され得る。
【0042】
前記第１面孔Ｖ１は、前記基板３００に向かって配置され得る。これにより、前記第１
面孔Ｖ１は、蒸着物Ｄ、すなわちパターンと対応する形状を有し得る。
面孔Ｖ１は、蒸着物Ｄ、すなわちパターンと対応する形状を有し得る。
【0043】
前記第２面孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００に向かって配置され得る。これにより
、前記第２面孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００から供給される有機物質を広い幅で収
容でき、前記第２面孔Ｖ２より幅が小さい前記第１面孔Ｖ１を通じて前記基板３００上に
微細なパターンを速く形成することができる。
、前記第２面孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００から供給される有機物質を広い幅で収
容でき、前記第２面孔Ｖ２より幅が小さい前記第１面孔Ｖ１を通じて前記基板３００上に
微細なパターンを速く形成することができる。
【0044】
【0045】
【0046】
前記蒸着パターン領域ＤＡは，蒸着パターン部を通じて有機物質を蒸着するための領域
であり得る。
であり得る。
【0047】
前記蒸着パターン領域ＤＡは，一つの蒸着マスクに含まれた複数の蒸着パターン部ＡＡ
１、ＡＡ２、ＡＡ３を含むことができる。
１、ＡＡ２、ＡＡ３を含むことができる。
【0048】
複数の蒸着パターン部は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領域ＡＡ２及び第３有効領域
ＡＡ３を含むことができる。一つの蒸着パターン部は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領
域ＡＡ２及び第３有効領域ＡＡ３のいずれか一つであり得る。
ＡＡ３を含むことができる。一つの蒸着パターン部は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領
域ＡＡ２及び第３有効領域ＡＡ３のいずれか一つであり得る。
【0049】
スマートフォンのような小型表示装置の場合、一つの蒸着マスクに含まれた一つの蒸着
パターン部は、一つの表示装置を形成するためのものであり得る。これに伴って、一つの
蒸着マスクは、複数の蒸着パターン部を含むことができ、複数の表示装置を同時に形成す
ることができる。したがって、実施例による蒸着マスクは、工程効率を向上させることが
できる。
パターン部は、一つの表示装置を形成するためのものであり得る。これに伴って、一つの
蒸着マスクは、複数の蒸着パターン部を含むことができ、複数の表示装置を同時に形成す
ることができる。したがって、実施例による蒸着マスクは、工程効率を向上させることが
できる。
【0050】
または、テレビのような大型表示装置の場合、一つの蒸着マスクに含まれた複数の蒸着
パターン部が一つの表示装置を形成するための一部であり得る。このとき、前記複数の蒸
着パターン部は、マスクの荷重による変形を防止するためのものであり得る。
パターン部が一つの表示装置を形成するための一部であり得る。このとき、前記複数の蒸
着パターン部は、マスクの荷重による変形を防止するためのものであり得る。
【0051】
前記蒸着パターン領域ＤＡは、一つの蒸着マスクに含まれた複数の分離領域ＩＡ１、Ｉ
Ａ２を含むことができる。
Ａ２を含むことができる。
【0052】
隣接した蒸着パターン部の間には分離領域ＩＡ１、ＩＡ２が配置され得る。前記分離領
域は、複数の蒸着パターン部の間の離隔領域であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ
１及び前記第２有効領域ＡＡ２の間には第１分離領域ＩＡ１が配置され得る。例えば、前
記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間には第２分離領域ＩＡ２が配置さ
れ得る。前記分離領域は、隣接した蒸着パターン部を区別できるようにし、複数の蒸着パ
ターン部を一つの蒸着マスクが支持できるようにする。
域は、複数の蒸着パターン部の間の離隔領域であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ
１及び前記第２有効領域ＡＡ２の間には第１分離領域ＩＡ１が配置され得る。例えば、前
記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間には第２分離領域ＩＡ２が配置さ
れ得る。前記分離領域は、隣接した蒸着パターン部を区別できるようにし、複数の蒸着パ
ターン部を一つの蒸着マスクが支持できるようにする。
【0053】
蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡの長さ方向の両側部に非蒸着領域ＮＤＡを含
むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡの水平方向の両
側に前記非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。
むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡの水平方向の両
側に前記非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。
【0054】
前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、蒸着に関与しない領域であり得る。
【0055】
前記非蒸着領域ＮＤＡは、マスクフレームに固定するためのフレーム固定領域ＦＡ１、
ＦＡ２を含むことができる。例えば、前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸
着パターン領域ＤＡの一側に第１フレーム固定領域ＦＡ１を含むことができ、前記蒸着パ
ターン領域ＤＡの前記一側と反対の他側に第２フレーム固定領域ＦＡ２を含むことができ
る。前記第１フレーム固定領域ＦＡ１及び前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、溶接によ
ってマスクフレームと固定される領域であり得る。
ＦＡ２を含むことができる。例えば、前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸
着パターン領域ＤＡの一側に第１フレーム固定領域ＦＡ１を含むことができ、前記蒸着パ
ターン領域ＤＡの前記一側と反対の他側に第２フレーム固定領域ＦＡ２を含むことができ
る。前記第１フレーム固定領域ＦＡ１及び前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、溶接によ
ってマスクフレームと固定される領域であり得る。
【0056】
前記非蒸着領域ＮＤＡは、ハーフエッチング部ＨＦ１、ＨＦ２を含むことができる。例
えば、前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着パターン領域ＤＡの一側に第
１ハーフエッチング部ＨＦ１を含むことができ、前記蒸着パターン領域ＤＡの前記一側と
反対の他側に第２ハーフエッチング部ＨＦ２を含むことができる。前記第１ハーフエッチ
ング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２は、蒸着マスクの深さ方向に溝が形
成される領域であり得る。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチ
ング部ＨＦ２は、蒸着マスクの約１／２厚さの溝部を有し得、蒸着マスクの引張時の応力
を分散させることができる。
えば、前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着パターン領域ＤＡの一側に第
１ハーフエッチング部ＨＦ１を含むことができ、前記蒸着パターン領域ＤＡの前記一側と
反対の他側に第２ハーフエッチング部ＨＦ２を含むことができる。前記第１ハーフエッチ
ング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２は、蒸着マスクの深さ方向に溝が形
成される領域であり得る。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチ
ング部ＨＦ２は、蒸着マスクの約１／２厚さの溝部を有し得、蒸着マスクの引張時の応力
を分散させることができる。
【0057】
また、前記ハーフエッチング部は、第１面孔または第２面孔を形成するとき、同時に形
成することができる。これを通じて工程効率を向上させることができる。
成することができる。これを通じて工程効率を向上させることができる。
【0058】
また、前記蒸着パターン領域ＤＡ領域には表面層を形成し、前記非蒸着領域ＮＤＡには
表面層を形成しないか、または、基板の１面または２面のうち一部のみ表面層を形成する
か、または１面の一部のみ表面層を形成することによって１面孔または２面孔とハーフエ
ッチング部のエッチングファクターを異なるように形成して応力分散を調整することがで
きる。
表面層を形成しないか、または、基板の１面または２面のうち一部のみ表面層を形成する
か、または１面の一部のみ表面層を形成することによって１面孔または２面孔とハーフエ
ッチング部のエッチングファクターを異なるように形成して応力分散を調整することがで
きる。
【0059】
ハーフエッチング部は、蒸着パターン領域ＤＡの非有効領域ＵＡに形成され得る。ハー
フエッチング部は、蒸着マスクの引張時に応力を分散させるために非有効領域ＵＡの全体
または一部に分散して複数配置され得る。
フエッチング部は、蒸着マスクの引張時に応力を分散させるために非有効領域ＵＡの全体
または一部に分散して複数配置され得る。
【0060】
また、ハーフエッチング部は、フレーム固定領域及び／またはフレーム固定領域の周辺
領域にも形成され得る。これに伴って、蒸着マスクをフレームに固定するとき、及び／ま
たは蒸着マスクをフレームに固定した後に蒸着物を蒸着するときに発生する蒸着マスクの
応力を均一に分散させることができる。これに伴って、蒸着マスクが均一な貫通孔を有す
るように維持できる。
領域にも形成され得る。これに伴って、蒸着マスクをフレームに固定するとき、及び／ま
たは蒸着マスクをフレームに固定した後に蒸着物を蒸着するときに発生する蒸着マスクの
応力を均一に分散させることができる。これに伴って、蒸着マスクが均一な貫通孔を有す
るように維持できる。
【0061】
前記非蒸着領域ＮＤＡのマスクフレームに固定するためのフレーム固定領域ＦＡ１、Ｆ
Ａ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡのハーフエッチング部ＨＦ１、ＨＦ２及び前記ハーフエッ
チング部ＨＦ１、ＨＦ２と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの有効領域の間に配置され
得る。例えば、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第１ハーフ
エッチング部ＨＦ１及び前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１と隣接した前記蒸着パターン
領域ＤＡの第１有効領域ＡＡ１の間に配置され得る。例えば、前記第２フレーム固定領域
ＦＡ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第２ハーフエッチング部ＨＦ２及び前記第２ハーフエ
ッチング部ＨＦ２と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの第３有効領域ＡＡ３の間に配置
され得る。これに伴って、複数の蒸着パターン部を同時に固定することができる。
Ａ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡのハーフエッチング部ＨＦ１、ＨＦ２及び前記ハーフエッ
チング部ＨＦ１、ＨＦ２と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの有効領域の間に配置され
得る。例えば、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第１ハーフ
エッチング部ＨＦ１及び前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１と隣接した前記蒸着パターン
領域ＤＡの第１有効領域ＡＡ１の間に配置され得る。例えば、前記第２フレーム固定領域
ＦＡ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第２ハーフエッチング部ＨＦ２及び前記第２ハーフエ
ッチング部ＨＦ２と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの第３有効領域ＡＡ３の間に配置
され得る。これに伴って、複数の蒸着パターン部を同時に固定することができる。
【0062】
蒸着マスクは、水平方向Ｘの両終端に半円形状のオープン部を含むことができる。蒸着
マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の両終端にそれぞれ一つの半円形状のオープ
ン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の一
側には垂直方向Ｙの中心がオープンされたオープン部を含むことができる。例えば、蒸着
マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の前記一側と反対の他側には垂直方向の中心
がオープンされたオープン部を含むことができる。すなわち、蒸着マスクの両終端は、垂
直方向長さの１／２地点にオープン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの両終端
は、馬蹄のような形状であり得る。
マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の両終端にそれぞれ一つの半円形状のオープ
ン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の一
側には垂直方向Ｙの中心がオープンされたオープン部を含むことができる。例えば、蒸着
マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の前記一側と反対の他側には垂直方向の中心
がオープンされたオープン部を含むことができる。すなわち、蒸着マスクの両終端は、垂
直方向長さの１／２地点にオープン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの両終端
は、馬蹄のような形状であり得る。
【0063】
ハーフエッチング部は、多様な形状に形成され得る。
【0064】
図４ないし図６を参照すると、前記ハーフエッチング部は、半円形状の溝部を含むこと
ができる。前記溝は、前記蒸着マスクの第１面１０１または第２面１０２のうち少なくと
も一つの面上に形成され得る。望ましくは、前記ハーフエッチング部は、第１面孔（蒸着
される面側）と対応する面上に形成され得る。これに伴って、前記ハーフエッチング部は
、第１面孔と第２面孔の間のサイズの差によって発生し得る応力を分散させることができ
る。
ができる。前記溝は、前記蒸着マスクの第１面１０１または第２面１０２のうち少なくと
も一つの面上に形成され得る。望ましくは、前記ハーフエッチング部は、第１面孔（蒸着
される面側）と対応する面上に形成され得る。これに伴って、前記ハーフエッチング部は
、第１面孔と第２面孔の間のサイズの差によって発生し得る応力を分散させることができ
る。
【0065】
または、前記ハーフエッチング部は、第１面及び第２面の応力を分散させるために、第
１面及び第２面の両面に形成され得る。このとき、前記ハーフエッチング部のハーフエッ
チング領域は、第１面孔（蒸着される面側）と対応する面でさらに広いことがある。すな
わち、実施例による蒸着マスクは、蒸着マスクの第１面及び第２面にそれぞれ溝が形成さ
れることによって、前記ハーフエッチング部を含むことができる。詳しくは、前記第１面
に形成されるハーフエッチング部の溝の深さは、前記第２面に形成されるハーフエッチン
グ部の溝の深さより大きいことがある。これに伴って、前記ハーフエッチング部は、第１
面孔と第２面孔のサイズの差によって発生し得る応力を分散させることができる。第１面
孔、第２面孔及びハーフエッチング部の形成は、蒸着マスクの第１面と第２面における表
面積を同様にすることができて、貫通孔のずれを防止することができる。
１面及び第２面の両面に形成され得る。このとき、前記ハーフエッチング部のハーフエッ
チング領域は、第１面孔（蒸着される面側）と対応する面でさらに広いことがある。すな
わち、実施例による蒸着マスクは、蒸着マスクの第１面及び第２面にそれぞれ溝が形成さ
れることによって、前記ハーフエッチング部を含むことができる。詳しくは、前記第１面
に形成されるハーフエッチング部の溝の深さは、前記第２面に形成されるハーフエッチン
グ部の溝の深さより大きいことがある。これに伴って、前記ハーフエッチング部は、第１
面孔と第２面孔のサイズの差によって発生し得る応力を分散させることができる。第１面
孔、第２面孔及びハーフエッチング部の形成は、蒸着マスクの第１面と第２面における表
面積を同様にすることができて、貫通孔のずれを防止することができる。
【0066】
また、第１面及び第２面に形成される溝は、互いにずれるように形成することができる
。これを通じてハーフエッチング部が貫通孔を形成しないようにすることができる。
。これを通じてハーフエッチング部が貫通孔を形成しないようにすることができる。
【0067】
前記ハーフエッチング部は、曲面及び平面を含むことができる。
【0068】
前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１の平面は、前記第１有効領域ＡＡ１と隣接するよう
に配置され、前記平面は、蒸着マスクの長さ方向の終端と水平に配置され得る。前記第１
ハーフエッチング部ＨＦ１の曲面は、蒸着マスクの長さ方向の一端に向かって凸の形状で
あり得る。例えば、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１の曲面は、蒸着マスクの垂直方向
の長さの１／２地点が半円形状の半径と対応するように形成され得る。
に配置され、前記平面は、蒸着マスクの長さ方向の終端と水平に配置され得る。前記第１
ハーフエッチング部ＨＦ１の曲面は、蒸着マスクの長さ方向の一端に向かって凸の形状で
あり得る。例えば、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１の曲面は、蒸着マスクの垂直方向
の長さの１／２地点が半円形状の半径と対応するように形成され得る。
【0069】
前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面は、前記第３有効領域ＡＡ３と隣接するよう
に配置され、前記平面は、蒸着マスクの長さ方向の終端と水平に配置され得る。前記第２
ハーフエッチング部ＨＦ２の曲面は、蒸着マスクの長さ方向の他端に向かって凸の形状で
あり得る。例えば、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の曲面は、蒸着マスクの垂直方向
の長さの１／２地点が半円形状の半径と対応するように形成され得る。
に配置され、前記平面は、蒸着マスクの長さ方向の終端と水平に配置され得る。前記第２
ハーフエッチング部ＨＦ２の曲面は、蒸着マスクの長さ方向の他端に向かって凸の形状で
あり得る。例えば、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の曲面は、蒸着マスクの垂直方向
の長さの１／２地点が半円形状の半径と対応するように形成され得る。
【0070】
一方、蒸着マスクの両終端に位置したオープン部の曲面は、ハーフエッチング部に向か
うことができる。これに伴って、蒸着マスクの両終端に位置したオープン部は、前記第１
または第２ハーフエッチング部と蒸着マスクの垂直方向の長さの１／２地点で隔離距離が
最も短いことがある。
うことができる。これに伴って、蒸着マスクの両終端に位置したオープン部は、前記第１
または第２ハーフエッチング部と蒸着マスクの垂直方向の長さの１／２地点で隔離距離が
最も短いことがある。
【0071】
【0072】
実施例による蒸着マスクは、複数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例に
よる蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡ及び前記非蒸着領域ＮＤＡのうち少なくと
も一つの領域に複数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスク
は、非有効領域ＵＡにのみハーフエッチング部を含むことができる。前記非有効領域ＵＡ
は、有効領域ＡＡ以外の領域であり得る。
よる蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡ及び前記非蒸着領域ＮＤＡのうち少なくと
も一つの領域に複数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスク
は、非有効領域ＵＡにのみハーフエッチング部を含むことができる。前記非有効領域ＵＡ
は、有効領域ＡＡ以外の領域であり得る。
【0073】
図４及び図７を参照すると、実施例による蒸着マスクは、２個のハーフエッチング部を
含むことができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含
むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡにのみ配置され得る
。
含むことができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含
むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡにのみ配置され得る
。
【0074】
前記ハーフエッチング部は、マスクの中心を基準にＸ軸方向に対称となるか、またはＹ
軸方向に対称となるように形成した方が良い。これを通じて両方向への引張力が同一にす
ることができる。
軸方向に対称となるように形成した方が良い。これを通じて両方向への引張力が同一にす
ることができる。
【0075】
図５を参照すると、実施例による蒸着マスクは、４個のハーフエッチング部を含むこと
ができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことが
できる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡにのみ複数のハーフエッチン
グ部を含むことができる。
ができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことが
できる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡにのみ複数のハーフエッチン
グ部を含むことができる。
【0076】
前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第１有効領域ＡＡ１の間には、第３ハーフ
エッチング部ＨＦ３をさらに含むことができる。例えば、前記第３ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ３は、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１及び前記第１有効領域ＡＡ１の間に配置され得
る。
エッチング部ＨＦ３をさらに含むことができる。例えば、前記第３ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ３は、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１及び前記第１有効領域ＡＡ１の間に配置され得
る。
【0077】
前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間には、第４ハーフ
エッチング部ＨＦ４をさらに含むことができる。例えば、前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４は、前記第２フレーム固定領域ＦＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間に配置され得
る。
エッチング部ＨＦ４をさらに含むことができる。例えば、前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４は、前記第２フレーム固定領域ＦＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間に配置され得
る。
【0078】
互いに対応する水平方向の位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と対応する形状であり得る。互いに対応する水平方向の
位置に配置される前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４と対応する形状であり得る。
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と対応する形状であり得る。互いに対応する水平方向の
位置に配置される前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４と対応する形状であり得る。
【0079】
互いに異なる位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前記第３ハーフ
エッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４のいずれか一つと異なる形状
であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１、前
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハー
フエッチング部ＨＦ４がすべて同じ形状であり得ることは勿論である。実施例においては
４個のハーフエッチング部を説明したが、前記ハーフエッチング部は、前記非有効領域Ｕ
Ａに形成される範囲内で多様な形状、多様な個数に形成され得ることは勿論である。すな
わち、ハーフエッチング部の形状は、蒸着マスクの水平方向Ｘの中心を基準に相互対称と
なるように形成されればどんな形状でもよい。また、前記ハーフエッチング部は、６個以
上であり得ることは勿論である。
エッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４のいずれか一つと異なる形状
であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１、前
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハー
フエッチング部ＨＦ４がすべて同じ形状であり得ることは勿論である。実施例においては
４個のハーフエッチング部を説明したが、前記ハーフエッチング部は、前記非有効領域Ｕ
Ａに形成される範囲内で多様な形状、多様な個数に形成され得ることは勿論である。すな
わち、ハーフエッチング部の形状は、蒸着マスクの水平方向Ｘの中心を基準に相互対称と
なるように形成されればどんな形状でもよい。また、前記ハーフエッチング部は、６個以
上であり得ることは勿論である。
【0080】
前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、形状で
あり得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部
ＨＦ４は、長方形状であり得る。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフ
エッチング部ＨＦ４は,蒸着マスクの垂直方向に延長される長方形状であり得る。詳しく
は、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、垂直
方向Ｙの長さが水平方向Ｘの長さより長くてもよい。これに伴って、前記ハーフエッチン
グ部は、蒸着マスクをフレームに固定するとき発生する応力を効果的に制御することがで
きる。
あり得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部
ＨＦ４は、長方形状であり得る。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフ
エッチング部ＨＦ４は,蒸着マスクの垂直方向に延長される長方形状であり得る。詳しく
は、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、垂直
方向Ｙの長さが水平方向Ｘの長さより長くてもよい。これに伴って、前記ハーフエッチン
グ部は、蒸着マスクをフレームに固定するとき発生する応力を効果的に制御することがで
きる。
【0081】
図６を参照すると、実施例による蒸着マスクは、４個のハーフエッチング部を含むこと
ができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことが
できる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡ及び前記蒸着パターン領域Ｄ
Ａにそれぞれ複数のハーフエッチング部を含むことができる。
ができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことが
できる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡ及び前記蒸着パターン領域Ｄ
Ａにそれぞれ複数のハーフエッチング部を含むことができる。
【0082】
前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッ
チング部ＨＦ２を含むことができる。
チング部ＨＦ２を含むことができる。
【0083】
前記蒸着パターン領域ＤＡは、第３ ハーフエッチング部ＨＦ３及び第４ハーフエッチ
ング部ＨＦ４を含むことができる。
ング部ＨＦ４を含むことができる。
【0084】
前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第１有効領域ＡＡ１及び前記第２有効領域
ＡＡ２の間に配置され得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第１分
離領域ＩＡ１に配置され得る。
ＡＡ２の間に配置され得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第１分
離領域ＩＡ１に配置され得る。
【0085】
前記第４ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域
ＡＡ３の間に配置され得る。例えば、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、前記第２分
離領域ＩＡ２に配置され得る。
ＡＡ３の間に配置され得る。例えば、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、前記第２分
離領域ＩＡ２に配置され得る。
【0086】
互いに対応する水平方向の位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と対応する形状であり得る。互いに対応する水平方向の
位置に配置される前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４と対応する形状であり得る。
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と対応する形状であり得る。互いに対応する水平方向の
位置に配置される前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４と対応する形状であり得る。
【0087】
互いに異なる位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前記第３ハーフ
エッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４のいずれか一つと異なる形状
であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１、前
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハー
フエッチング部ＨＦ４がすべて同じ形状であり得ることは勿論である。
エッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４のいずれか一つと異なる形状
であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１、前
記第２ハーフエッチング部ＨＦ２、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハー
フエッチング部ＨＦ４がすべて同じ形状であり得ることは勿論である。
【0088】
前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、四角形
状であり得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチン
グ部ＨＦ４は、長方形状であり得る。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハ
ーフエッチング部ＨＦ４は、蒸着マスクの垂直方向に延長される長方形状であり得る。詳
しくは、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、
垂直方向Ｙの長さが水平方向Ｘの長さより長くてもよい。
状であり得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチン
グ部ＨＦ４は、長方形状であり得る。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハ
ーフエッチング部ＨＦ４は、蒸着マスクの垂直方向に延長される長方形状であり得る。詳
しくは、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、
垂直方向Ｙの長さが水平方向Ｘの長さより長くてもよい。
【0089】
蒸着マスクの両終端に位置した前記オープン部の垂直方向Ｙの長さは、前記ハーフエッ
チング部の垂直方向の長さと互いに対応するか、または互いに異なってもよい。
チング部の垂直方向の長さと互いに対応するか、または互いに異なってもよい。
【0090】
【0091】
例えば、図５及び図６を参照すると、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第
４ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ３は、前記オープン部の垂直方向の長さ
ｄ２より大きくてもよい。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第４ハーフエッ
チング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ３は、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記
第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面部分の垂直方向の長さｄ１と対応し得る。
４ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ３は、前記オープン部の垂直方向の長さ
ｄ２より大きくてもよい。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第４ハーフエッ
チング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ３は、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記
第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面部分の垂直方向の長さｄ１と対応し得る。
【0092】
例えば、図７を参照すると、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフ
エッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２と対
応し得る。これに伴って、蒸着マスクを引張する場合に、応力が均一に分散することがで
きるので、蒸着マスクの変形（ｗａｖｅ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を減少させることが
できる。したがって、実施例による蒸着マスクは、均一な貫通孔を有し得るので、パター
ンの蒸着効率が向上し得る。
エッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２と対
応し得る。これに伴って、蒸着マスクを引張する場合に、応力が均一に分散することがで
きるので、蒸着マスクの変形（ｗａｖｅ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を減少させることが
できる。したがって、実施例による蒸着マスクは、均一な貫通孔を有し得るので、パター
ンの蒸着効率が向上し得る。
【0093】
望ましくは、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の８０ないし２００
％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．８～２：１）。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１また
は前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方
向の長さｄ２の９０ないし１５０％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．９～１．５：１）。前
記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の
長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の９５ないし１１０％であり得る（ｄ
１：ｄ２＝０．９５～１．１：１）。
Ｆ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の８０ないし２００
％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．８～２：１）。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１また
は前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方
向の長さｄ２の９０ないし１５０％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．９～１．５：１）。前
記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の
長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の９５ないし１１０％であり得る（ｄ
１：ｄ２＝０．９５～１．１：１）。
【0094】
また、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面部分の垂直方向の長さｄ１、前記第４
ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ３は、第１有効領域ＡＡ１の垂直方向の長
さに対応し得る。これを通じて、有効領域に形成された貫通孔に均一に引張力を付与する
ことができる。
ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ３は、第１有効領域ＡＡ１の垂直方向の長
さに対応し得る。これを通じて、有効領域に形成された貫通孔に均一に引張力を付与する
ことができる。
【0095】
望ましくは、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ２の垂直方向の長さｄ１は、前記有効領域の垂直方向の長さの８０ないし１２０％であ
り得る。
Ｆ２の垂直方向の長さｄ１は、前記有効領域の垂直方向の長さの８０ないし１２０％であ
り得る。
【0096】
望ましくは、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３または前記第４ハーフエッチング部Ｈ
Ｆ４の垂直方向の長さｄ３は、前記有効領域の垂直方向の長さの８０ないし１２０％であ
り得る。
Ｆ４の垂直方向の長さｄ３は、前記有効領域の垂直方向の長さの８０ないし１２０％であ
り得る。
【0097】
【0098】
蒸着マスクは、有効領域ＡＡ及び非有効領域ＵＡを含むことができる。前記蒸着マスク
１００は、複数の貫通孔ＴＨとブリッジ領域ＢＲを含む有効領域ＡＡ及び前記有効領域の
外郭に配置される非有効領域ＵＡを含むことができる。
１００は、複数の貫通孔ＴＨとブリッジ領域ＢＲを含む有効領域ＡＡ及び前記有効領域の
外郭に配置される非有効領域ＵＡを含むことができる。
【0099】
前記有効領域ＡＡは、複数の貫通孔の中で有機物質を蒸着するための最外郭に位置した
貫通孔の外郭を連結したときの内側領域であり得る。前記非有効領域ＵＡは、複数の貫通
孔の中で有機物質を蒸着するための最外郭に位置した貫通孔の外郭を連結したときの外側
領域であり得る。
貫通孔の外郭を連結したときの内側領域であり得る。前記非有効領域ＵＡは、複数の貫通
孔の中で有機物質を蒸着するための最外郭に位置した貫通孔の外郭を連結したときの外側
領域であり得る。
【0100】
前記非有効領域ＵＡは、前記蒸着パターン領域ＤＡの有効領域を除いた領域及び前記非
蒸着領域ＮＤＡである。前記非有効領域ＵＡは、有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の外郭
を囲む外郭領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含むことができる。
蒸着領域ＮＤＡである。前記非有効領域ＵＡは、有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の外郭
を囲む外郭領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含むことができる。
【0101】
実施例による蒸着マスクは、複数の蒸着パターン部の外郭に位置した複数の外郭領域Ｏ
Ａ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含むことができる。前記蒸着パターン部の個数は、前記外郭領域
の個数と対応し得る。すなわち、一つの蒸着パターン部は、一つの蒸着パターン部の終端
から水平方向及び垂直方向からそれぞれ一定の距離で離れた一つの外郭領域を含むことが
できる。
Ａ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含むことができる。前記蒸着パターン部の個数は、前記外郭領域
の個数と対応し得る。すなわち、一つの蒸着パターン部は、一つの蒸着パターン部の終端
から水平方向及び垂直方向からそれぞれ一定の距離で離れた一つの外郭領域を含むことが
できる。
【0102】
前記第１有効領域ＡＡ１は、第１外郭領域ＯＡ１内に含まれ得る。前記第１有効領域Ａ
Ａ１は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第１有効領域
ＡＡ１の外郭を囲む前記第１外郭領域ＯＡ１は、複数の貫通孔を含むことができる。前記
第１有効領域ＡＡ１は四角形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は四角形状であり得る
。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１は長方形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は長方
形状であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１は正方形状であり得、前記第１外郭領
域ＯＡ１は正方形状であり得る。
Ａ１は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第１有効領域
ＡＡ１の外郭を囲む前記第１外郭領域ＯＡ１は、複数の貫通孔を含むことができる。前記
第１有効領域ＡＡ１は四角形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は四角形状であり得る
。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１は長方形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は長方
形状であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１は正方形状であり得、前記第１外郭領
域ＯＡ１は正方形状であり得る。
【0103】
前記第１外郭領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔から水
平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第
１外郭領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部
の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第１外郭
領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれ
ぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第１外郭領域ＯＡ１に含まれる
複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるため
のものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫
通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向
上させることができる。
平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第
１外郭領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部
の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第１外郭
領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれ
ぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第１外郭領域ＯＡ１に含まれる
複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるため
のものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫
通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向
上させることができる。
【0104】
前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭の上部及び下部にそれぞれ位置した一つの貫通孔が水
平方向に一列に配置された前記第１外郭領域ＯＡ１の貫通孔セットは、前記第１有効領域
ＡＡ１の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭の左
側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第１外郭
領域ＯＡ１の貫通孔セットは、前記第１有効領域ＡＡ１の貫通孔と対応する形状であり得
る。これに伴って、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の均一性を向上させること
ができる。
平方向に一列に配置された前記第１外郭領域ＯＡ１の貫通孔セットは、前記第１有効領域
ＡＡ１の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭の左
側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第１外郭
領域ＯＡ１の貫通孔セットは、前記第１有効領域ＡＡ１の貫通孔と対応する形状であり得
る。これに伴って、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の均一性を向上させること
ができる。
【0105】
前記有効領域に含まれた貫通孔は、前記非有効領域に含まれた貫通孔と部分的に対応す
る形状を有し得る。前記有効領域に含まれた貫通孔は、前記非有効領域のエッジ部に位置
した貫通孔と互いに異なる形状を有し得る。
る形状を有し得る。前記有効領域に含まれた貫通孔は、前記非有効領域のエッジ部に位置
した貫通孔と互いに異なる形状を有し得る。
【0106】
前記第１外郭領域ＯＡ１の最外郭の角に位置した４個の貫通孔ＥＨは、前記第１有効領
域ＡＡ１に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
域ＡＡ１に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
【0107】
例えば、前記第１外郭領域ＯＡ１の最外郭の角に位置した４個のエッジホールＥＨは、
円形状であり得る。ここで、円形状は、全体的に曲面を含む形状を意味することができる
。
円形状であり得る。ここで、円形状は、全体的に曲面を含む形状を意味することができる
。
【0108】
例えば、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔は、四角形状であり得る。ここで、
四角形状は長方形状であり得、角がラウンドした長方形状を意味することができる。すな
わち、有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔は、水平方向の直径と垂直方向の直径が互いに異
なり得る。
四角形状は長方形状であり得、角がラウンドした長方形状を意味することができる。すな
わち、有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔は、水平方向の直径と垂直方向の直径が互いに異
なり得る。
【0109】
前記エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の水平方向の直
径及び垂直方向の直径のいずれか一つと互いに異なり得る。例えば、図４のように、前記
エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の水平方向の直径と互
いに異なり得る。前記エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔
の垂直方向の直径と互いに同じであり得る。
径及び垂直方向の直径のいずれか一つと互いに異なり得る。例えば、図４のように、前記
エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の水平方向の直径と互
いに異なり得る。前記エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔
の垂直方向の直径と互いに同じであり得る。
【0110】
前記エッジホールＥＨを除いた残りの前記非有効領域に含まれた貫通孔は、前記有効領
域に含まれた貫通孔と対応する形状を有し得る。
域に含まれた貫通孔と対応する形状を有し得る。
【0111】
また、非有効領域に含まれた貫通孔は、前記有効領域に含まれた貫通孔と異なる形状を
有し得る。これを通じて蒸着マスクの位置による応力の差を調節することができる。
有し得る。これを通じて蒸着マスクの位置による応力の差を調節することができる。
【0112】
前記非有効領域ＵＡには、貫通孔エッジ部が形成され、前記エッジ部によって有効領域
のエッジ部における蒸着不良を除去することができる。すなわち、実施例は蒸着マスクの
エッジホールＥＨを非有効領域に形成することによって、有効領域のエッジ部に位置した
貫通孔は、前記エッジホールＥＨより内部に位置することができる。これに伴って、有効
領域のエッジ部に位置した貫通孔と有効領域の内部に位置した貫通孔のうち一つは同じ蒸
着効果を有し得る。詳しくは、前記非有効領域ＵＡに貫通孔が含まれることによって、有
効領域のエッジ部に位置した貫通孔と有効領域の内部に位置した貫通孔は均一性が向上し
得る。
のエッジ部における蒸着不良を除去することができる。すなわち、実施例は蒸着マスクの
エッジホールＥＨを非有効領域に形成することによって、有効領域のエッジ部に位置した
貫通孔は、前記エッジホールＥＨより内部に位置することができる。これに伴って、有効
領域のエッジ部に位置した貫通孔と有効領域の内部に位置した貫通孔のうち一つは同じ蒸
着効果を有し得る。詳しくは、前記非有効領域ＵＡに貫通孔が含まれることによって、有
効領域のエッジ部に位置した貫通孔と有効領域の内部に位置した貫通孔は均一性が向上し
得る。
【0113】
前記第２有効領域ＡＡ２は、第２外郭領域ＯＡ２内に含まれ得る。前記第２有効領域Ａ
Ａ２は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第２有効領域
ＡＡ２の外郭を囲む前記第２外郭領域ＯＡ２は、複数の貫通孔を含むことができる。
Ａ２は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第２有効領域
ＡＡ２の外郭を囲む前記第２外郭領域ＯＡ２は、複数の貫通孔を含むことができる。
【0114】
前記第２有効領域ＡＡ２は、前記第１有効領域ＡＡ１と互いに対応する形状であり得る
。前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第１外郭領域ＯＡ１と互いに対応する形状であり得る
。
。前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第１外郭領域ＯＡ１と互いに対応する形状であり得る
。
【0115】
前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔から水
平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第
２外郭領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部
の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第２外郭
領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれ
ぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第２外郭領域ＯＡ２に含まれる
複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるため
のものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫
通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向
上させることができる。
平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第
２外郭領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部
の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第２外郭
領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれ
ぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第２外郭領域ＯＡ２に含まれる
複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるため
のものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫
通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向
上させることができる。
【0116】
前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭の上部及び下部にそれぞれ位置した一つの貫通孔が水
平方向に一列に配置された前記第２外郭領域ＯＡ２の貫通孔セットは、前記第２有効領域
ＡＡ２の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭の左
側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第２外郭
領域ＯＡ２の貫通孔セットは、前記第２有効領域ＡＡ２の貫通孔と対応する形状であり得
る。これに伴って、前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔の均一性を向上させること
ができる。
平方向に一列に配置された前記第２外郭領域ＯＡ２の貫通孔セットは、前記第２有効領域
ＡＡ２の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭の左
側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第２外郭
領域ＯＡ２の貫通孔セットは、前記第２有効領域ＡＡ２の貫通孔と対応する形状であり得
る。これに伴って、前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔の均一性を向上させること
ができる。
【0117】
前記第２外郭領域ＯＡ２の最外郭の角に位置した４個の貫通孔は、前記第２有効領域Ａ
Ａ２に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
Ａ２に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
【0118】
例えば、前記第２外郭領域ＯＡ２の最外郭の角に位置した４個のエッジホールＥＨは、
円形状であり得る。ここで、円形状は全体的に曲面を含む形状を意味することができる。
前記第２外郭領域ＯＡ２に含まれたエッジホールＥＨは、前記第１外郭領域ＯＡ１に含ま
れたエッジホールＥＨと対応する形状を含むことができる。
円形状であり得る。ここで、円形状は全体的に曲面を含む形状を意味することができる。
前記第２外郭領域ＯＡ２に含まれたエッジホールＥＨは、前記第１外郭領域ＯＡ１に含ま
れたエッジホールＥＨと対応する形状を含むことができる。
【0119】
例えば、前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔は、四角形状であり得る。前記第２
有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔は、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と対応す
る形状を含むことができる。
有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔は、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と対応す
る形状を含むことができる。
【0120】
前記第３有効領域ＡＡ３は、第３外郭領域ＯＡ３内に含まれ得る。前記第３有効領域Ａ
Ａ３は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第３有効領域
ＡＡ３の外郭を囲む前記第３外郭領域ＯＡ３は、複数の貫通孔を含むことができる。
Ａ３は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第３有効領域
ＡＡ３の外郭を囲む前記第３外郭領域ＯＡ３は、複数の貫通孔を含むことができる。
【0121】
前記第３有効領域ＡＡ３は、前記第１有効領域ＡＡ１と互いに対応する形状であり得る
。前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第１外郭領域ＯＡ１と互いに対応する形状であり得る
。
。前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第１外郭領域ＯＡ１と互いに対応する形状であり得る
。
【0122】
前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔から水
平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第
３外郭領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部
の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第３外郭
領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれ
ぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第３外郭領域ＯＡ３に含まれる
複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるため
のものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫
通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向
上させることができる。
平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第
３外郭領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部
の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第３外郭
領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれ
ぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第３外郭領域ＯＡ３に含まれる
複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるため
のものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫
通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向
上させることができる。
【0123】
前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭の上部及び下部にそれぞれ位置した一つの貫通孔が水
平方向に一列に配置された前記第３外郭領域ＯＡ３の貫通孔セットは、前記第３有効領域
ＡＡ３の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭の左
側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第３外郭
領域ＯＡ３の貫通孔セットは、前記第３有効領域ＡＡ３の貫通孔と対応する形状であり得
る。これに伴って、前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔の均一性を向上させること
ができる。
平方向に一列に配置された前記第３外郭領域ＯＡ３の貫通孔セットは、前記第３有効領域
ＡＡ３の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭の左
側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第３外郭
領域ＯＡ３の貫通孔セットは、前記第３有効領域ＡＡ３の貫通孔と対応する形状であり得
る。これに伴って、前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔の均一性を向上させること
ができる。
【0124】
前記第３外郭領域ＯＡ３の最外郭の角に位置した４個の貫通孔は、前記第３有効領域Ａ
Ａ３に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
Ａ３に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
【0125】
例えば、前記第３外郭領域ＯＡ３の最外郭の角に位置した４個のエッジホールＥＨは、
円形状であり得る。ここで、円形状は全体的に曲面を含む形状を意味することができる。
前記第３外郭領域ＯＡ３に含まれたエッジホールＥＨは、前記第１外郭領域ＯＡ１に含ま
れたエッジホールＥＨと対応する形状を含むことができる。
円形状であり得る。ここで、円形状は全体的に曲面を含む形状を意味することができる。
前記第３外郭領域ＯＡ３に含まれたエッジホールＥＨは、前記第１外郭領域ＯＡ１に含ま
れたエッジホールＥＨと対応する形状を含むことができる。
【0126】
例えば、前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔は、四角形状であり得る。前記第３
有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔は、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と対応す
る形状を含むことができる。
有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔は、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と対応す
る形状を含むことができる。
【0127】
図８及び図９は、蒸着マスクの有効領域の平面図を示した図である。図８及び図９は、
前記第１有効領域ＡＡ１、前記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３のいずれ
か一つの有効領域の平面図である。図８及び図９は、貫通孔の配列を説明するためのもの
であって、実施例による蒸着マスクは、図面の貫通孔の個数に限定されないことは勿論で
ある。
前記第１有効領域ＡＡ１、前記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３のいずれ
か一つの有効領域の平面図である。図８及び図９は、貫通孔の配列を説明するためのもの
であって、実施例による蒸着マスクは、図面の貫通孔の個数に限定されないことは勿論で
ある。
【0128】
前記蒸着マスク１００は、複数の貫通孔を含むことができる。前記図８及び図９に示さ
れた複数の貫通孔は、前記第２面孔Ｖ２を示したものであり得る。任意のいずれか一つの
貫通孔である基準孔の水平方向の直径Ｃｘと垂直方向の直径Ｃｙを測定する場合、前記基
準孔に接する孔（示された図では総６個）間のそれぞれの水平方向の直径Ｃｘ間の偏差と
、垂直方向の直径Ｃｙ間の偏差は、２％ないし１０％で具現され得る。すなわち、一つの
基準孔の隣接孔の間のサイズの偏差が２％ないし１０％で具現される場合には蒸着の均一
度を確保することができる。
れた複数の貫通孔は、前記第２面孔Ｖ２を示したものであり得る。任意のいずれか一つの
貫通孔である基準孔の水平方向の直径Ｃｘと垂直方向の直径Ｃｙを測定する場合、前記基
準孔に接する孔（示された図では総６個）間のそれぞれの水平方向の直径Ｃｘ間の偏差と
、垂直方向の直径Ｃｙ間の偏差は、２％ないし１０％で具現され得る。すなわち、一つの
基準孔の隣接孔の間のサイズの偏差が２％ないし１０％で具現される場合には蒸着の均一
度を確保することができる。
【0129】
例えば、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、４％ないし９％であり得る。例え
ば、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、５％ないし７％であり得る。例えば、前
記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、２％ないし５％であり得る。
ば、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、５％ないし７％であり得る。例えば、前
記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、２％ないし５％であり得る。
【0130】
前記基準孔と前記隣接孔間のサイズの偏差が２％未満の場合には、蒸着後にＯＬＥＤパ
ネルでモアレの発生率が高くなり得る。前記基準孔と前記隣接孔間のサイズの偏差が１０
％超過の場合には、蒸着後のＯＬＥＤパネルで色むらの発生率が高くなり得る。
ネルでモアレの発生率が高くなり得る。前記基準孔と前記隣接孔間のサイズの偏差が１０
％超過の場合には、蒸着後のＯＬＥＤパネルで色むらの発生率が高くなり得る。
【0131】
前記貫通孔直径の平均偏差は、±５μｍであり得る。例えば、前記貫通孔直径の平均偏
差は、±３μｍであり得る。実施例は、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差を±３μ
ｍ以内に具現することにより、蒸着効率が向上し得る。
差は、±３μｍであり得る。実施例は、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差を±３μ
ｍ以内に具現することにより、蒸着効率が向上し得る。
【0132】
前記貫通孔は方向により、一列に配置されるか、または互いに交差して配置され得る。
【0133】
例えば、図８を参照すると、前記貫通孔は、縦軸で一列に配置され、横軸で一列に配置
され得る。
され得る。
【0134】
例えば、図９を参照すると、前記貫通孔は、縦軸で一列に配置され、横軸で互いに 交
差して配置され得る。
差して配置され得る。
【0135】
または、前記貫通孔は、縦軸で互いに交差して配置され、横軸で一列に配置され得るこ
とは勿論である。
とは勿論である。
【0136】
前記貫通孔は、水平方向で測定された第１直径Ｃｘと、垂直方向で測定された第２直径
Ｃｙが互いに対応するか、または互いに異なり得る。前記貫通孔は、Ａ－Ａ’の断面方向
と対応する第１対角線方向で測定された第３直径と、前記第１対角線方向と交差する第２
対角線方向で測定された第４直径が互いに対応するか、または互いに異なり得る。前記貫
通孔はラウンドすることがある。
Ｃｙが互いに対応するか、または互いに異なり得る。前記貫通孔は、Ａ－Ａ’の断面方向
と対応する第１対角線方向で測定された第３直径と、前記第１対角線方向と交差する第２
対角線方向で測定された第４直径が互いに対応するか、または互いに異なり得る。前記貫
通孔はラウンドすることがある。
【0137】
【0138】
図１０は、第１実施例による蒸着マスクの複数の貫通孔の断面を拡大した図である。
【0139】
実施例による蒸着マスクに含まれる金属板は、互いに対向する第１面及び第２面を含む
ベース金属板；前記第１面上に配置される第１表面層；及び前記第２面上に配置される第
２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異な
る元素を含むか、または元素含有量が異なり得る。これを通じて前記ベース金属板のエッ
チング速度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度と互いに異なり得る
。前記第１表面層及び前記第２表面層は、それぞれ金属表面層であり得る。
ベース金属板；前記第１面上に配置される第１表面層；及び前記第２面上に配置される第
２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異な
る元素を含むか、または元素含有量が異なり得る。これを通じて前記ベース金属板のエッ
チング速度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度と互いに異なり得る
。前記第１表面層及び前記第２表面層は、それぞれ金属表面層であり得る。
【0140】
実施例による蒸着マスクは、ベース金属板；前記ベース金属板の第１面上に配置される
第１表面層；及び前記金属層の前記第１面と対向する第２面上に配置される第２表面層を
含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異なる元素を含
むか、または元素含有量が異なり得る。これを通じて前記ベース金属板のエッチング速度
は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度と互いに異なり得る。実施例に
よる蒸着マスクは、前記ベース金属板、第１表面層及び前記第２表面層を貫通し、相互に
連通する第１面孔及び第２面孔を含む複数の貫通孔を含むことができる。実施例による蒸
着マスクは、各貫通孔の間のブリッジ領域を含み、前記第１表面層または前記第２表面層
は、前記ブリッジ領域上に配置され得る。
第１表面層；及び前記金属層の前記第１面と対向する第２面上に配置される第２表面層を
含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異なる元素を含
むか、または元素含有量が異なり得る。これを通じて前記ベース金属板のエッチング速度
は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度と互いに異なり得る。実施例に
よる蒸着マスクは、前記ベース金属板、第１表面層及び前記第２表面層を貫通し、相互に
連通する第１面孔及び第２面孔を含む複数の貫通孔を含むことができる。実施例による蒸
着マスクは、各貫通孔の間のブリッジ領域を含み、前記第１表面層または前記第２表面層
は、前記ブリッジ領域上に配置され得る。
【0141】
前記金属板は、複数の貫通孔を含む中央領域及び前記中央領域の外郭に位置した外郭領
域を含むことができる。前記中央領域はパターン形成に関与する領域であり、前記外郭領
域はパターン形成に関与しない領域であり得る。例えば、前記中央領域は有効領域であり
、前記外郭領域は有効領域以外の領域であり得る。前記中央領域に配置される前記第１表
面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第１表面層の厚さと対応し、前記中央領域に配
置される前記第２表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第２表面層の厚さと対応し
得る。
域を含むことができる。前記中央領域はパターン形成に関与する領域であり、前記外郭領
域はパターン形成に関与しない領域であり得る。例えば、前記中央領域は有効領域であり
、前記外郭領域は有効領域以外の領域であり得る。前記中央領域に配置される前記第１表
面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第１表面層の厚さと対応し、前記中央領域に配
置される前記第２表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第２表面層の厚さと対応し
得る。
【0142】
図１０を参照すると、蒸着マスク１００は、ベース金属板１００ａ及び表面層を含むこ
とができる。例えば、前記蒸着マスク１００は、前記ベース金属板１００ａ、前記ベース
金属板１００ａの第１面１０１上に配置される第１表面層１１０及び前記第１面１０１と
対向する第２面１０２上に配置される第２表面層１２０を含むことができる。
とができる。例えば、前記蒸着マスク１００は、前記ベース金属板１００ａ、前記ベース
金属板１００ａの第１面１０１上に配置される第１表面層１１０及び前記第１面１０１と
対向する第２面１０２上に配置される第２表面層１２０を含むことができる。
【0143】
前記ベース金属板１００ａは、金属物質を含むことができる。前記ベース金属板１００
ａは、ニッケル合金を含むことができる。例えば、前記ベース金属板１００ａは、ニッケ
ルと鉄の合金であり得る。このとき、ニッケルは、約３５重量％ないし約３７重量％であ
り得、前記鉄は、約６３重量％ないし約６５重量％であり得る。一例として、前記ベース
金属板１００ａは、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％、鉄は約６３重量％ない
し約６５重量％、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ
、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上が含まれたインバー（Ｉｎｖａ
ｒ）を含むことができる。ここで、微量は１重量％以下であることを意味することができ
る。詳しくは、ここで、微量は０．５重量％以下であることを意味することができる。但
し、前記ベース基板１００ａがこれに制限されるず、多様な金属物質を含むことができる
ことは勿論である。
ａは、ニッケル合金を含むことができる。例えば、前記ベース金属板１００ａは、ニッケ
ルと鉄の合金であり得る。このとき、ニッケルは、約３５重量％ないし約３７重量％であ
り得、前記鉄は、約６３重量％ないし約６５重量％であり得る。一例として、前記ベース
金属板１００ａは、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％、鉄は約６３重量％ない
し約６５重量％、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ
、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上が含まれたインバー（Ｉｎｖａ
ｒ）を含むことができる。ここで、微量は１重量％以下であることを意味することができ
る。詳しくは、ここで、微量は０．５重量％以下であることを意味することができる。但
し、前記ベース基板１００ａがこれに制限されるず、多様な金属物質を含むことができる
ことは勿論である。
【0144】
前記インバーのようなニッケル合金は、熱膨脹係数が小さいので、蒸着マスクの寿命が
増加できるという長所を有する。但し、インバーのようなニッケル合金は、均一なエッチ
ングが困難であるという問題点を有する。
増加できるという長所を有する。但し、インバーのようなニッケル合金は、均一なエッチ
ングが困難であるという問題点を有する。
【0145】
すなわち、インバーのようなニッケル合金は、エッチング初期にエッチング速度が速い
ことにより、貫通孔が側面に大きくなることがあり、これに伴って、フォトレジスト層の
脱膜が発生し得る。また、インバーをエッチングする場合、貫通孔のサイズが大きくなる
ことにより、微細なサイズの貫通孔を形成が困難となり得る。また、貫通孔が不均一に形
成されて、蒸着マスクの製造収率が低下することがある。
ことにより、貫通孔が側面に大きくなることがあり、これに伴って、フォトレジスト層の
脱膜が発生し得る。また、インバーをエッチングする場合、貫通孔のサイズが大きくなる
ことにより、微細なサイズの貫通孔を形成が困難となり得る。また、貫通孔が不均一に形
成されて、蒸着マスクの製造収率が低下することがある。
【0146】
したがって、実施例は、ベース金属板表面上に成分、含有量、結晶構造及び腐食速度を
異にする表面改質のための表面層を配置することができる。ここで、表面改質とは、エッ
チングファクターを向上させるために表面に配置される多様な物質からなった層を意味す
ることができる。
異にする表面改質のための表面層を配置することができる。ここで、表面改質とは、エッ
チングファクターを向上させるために表面に配置される多様な物質からなった層を意味す
ることができる。
【0147】
実施例の蒸着マスク用の金属板は、ベース金属板の表面上に速いエッチングを阻止する
ための表面層を含むことができる。前記表面層は、ベース金属板よりエッチング速度が遅
いエッチングバリアー層であり得る。前記表面層は、前記ベース金属層と結晶面及び結晶
構造が異なり得る。例えば、前記表面層は、前記ベース金属層と互いに異なる元素を含む
ことにより、結晶面及び結晶構造が互いに異なり得る。
ための表面層を含むことができる。前記表面層は、ベース金属板よりエッチング速度が遅
いエッチングバリアー層であり得る。前記表面層は、前記ベース金属層と結晶面及び結晶
構造が異なり得る。例えば、前記表面層は、前記ベース金属層と互いに異なる元素を含む
ことにより、結晶面及び結晶構造が互いに異なり得る。
【0148】
同じ腐食環境において、前記表面層は、前記ベース金属板と腐食電位が異なり得る。例
えば、同じ温度の同じエッチング液で同一時間処理したとき、前記表面層は、前記ベース
金属板と腐食電流ないし腐食電位が互いに異なり得る。
えば、同じ温度の同じエッチング液で同一時間処理したとき、前記表面層は、前記ベース
金属板と腐食電流ないし腐食電位が互いに異なり得る。
【0149】
前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と互いに異なる元素を含むことが
できる。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と互いに異なる元素
を含むことができる。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前
記ベース金属板１１０ａに含まれない他の元素を含むことができる。
できる。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と互いに異なる元素
を含むことができる。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前
記ベース金属板１１０ａに含まれない他の元素を含むことができる。
【0150】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、クロム（Ｃｒ）を含み、
前記ベース金属板１００ａは、クロム以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、クロム（Ｃｒ）を含むことにより、金属板表面におけ
る腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
前記ベース金属板１００ａは、クロム以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、クロム（Ｃｒ）を含むことにより、金属板表面におけ
る腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0151】
また、表面層のＣｒの含有量をベース金属板のＣｒ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0152】
一例として、前記ベース金属板１００ａがニッケルは３６重量％、鉄は６４重量％が含
まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層
１２０は、それぞれクロム（Ｃｒ）を０．０１ないし２４重量％含む合金層であり得る。
このとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれクロム（Ｃｒ）
を１ないし２４重量％含み、ニッケル（Ｎｉ）を７６ないし９９重量％含むか、またはニ
ッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を７６ないし９９重量％含むことができる。
まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層
１２０は、それぞれクロム（Ｃｒ）を０．０１ないし２４重量％含む合金層であり得る。
このとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれクロム（Ｃｒ）
を１ないし２４重量％含み、ニッケル（Ｎｉ）を７６ないし９９重量％含むか、またはニ
ッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を７６ないし９９重量％含むことができる。
【0153】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０はチタン（Ｔｉ）を含み、前
記ベース金属板１００ａはチタン（Ｔｉ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面
層１１０及び前記第２表面層１２０はチタン（Ｔｉ）を含むことにより、金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
記ベース金属板１００ａはチタン（Ｔｉ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面
層１１０及び前記第２表面層１２０はチタン（Ｔｉ）を含むことにより、金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0154】
また、表面層のＴｉの含有量をベース金属板のＴｉ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0155】
一例として、前記ベース金属板１００ａがニッケルは３６重量％、鉄は６４重量％が含
まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層
１２０は、それぞれチタン（Ｔｉ）を０．５ないし１０重量％含む合金層であり得る。こ
のとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれチタン（Ｔｉ）を
０．５ないし１０重量％含み、ニッケル（Ｎｉ）を９０ないし９９．５重量％含むか、ま
たはニッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を９０ないし９９．５重量％含むことができる。
まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層
１２０は、それぞれチタン（Ｔｉ）を０．５ないし１０重量％含む合金層であり得る。こ
のとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれチタン（Ｔｉ）を
０．５ないし１０重量％含み、ニッケル（Ｎｉ）を９０ないし９９．５重量％含むか、ま
たはニッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を９０ないし９９．５重量％含むことができる。
【0156】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、マンガン（Ｍｎ）を含み
、前記ベース金属板１００ａは、マンガン（Ｍｎ）以外の元素を含むことができる。前記
第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、マンガン（Ｍｎ）系合金を含むことによ
り、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることが
できる。
、前記ベース金属板１００ａは、マンガン（Ｍｎ）以外の元素を含むことができる。前記
第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、マンガン（Ｍｎ）系合金を含むことによ
り、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることが
できる。
【0157】
また、表面層のＭｎの含有量をベース金属板のＭｎ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0158】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、モリブデン（Ｍｏ）を含
み、前記ベース金属板１００ａは、モリブデン（Ｍｏ）以外の元素を含むことができる。
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、モリブデン（Ｍｏ）系合金を含むこ
とにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くする
ことができる。
み、前記ベース金属板１００ａは、モリブデン（Ｍｏ）以外の元素を含むことができる。
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、モリブデン（Ｍｏ）系合金を含むこ
とにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くする
ことができる。
【0159】
また、表面層のＭｏの含有量をベース金属板のＭｏ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0160】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、銀（Ａｇ）を含み、前記
ベース金属板１００ａは、銀（Ａｇ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、銀（Ａｇ）系合金を含むことにより、金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
ベース金属板１００ａは、銀（Ａｇ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、銀（Ａｇ）系合金を含むことにより、金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0161】
また、表面層のＡｇの含有量をベース金属板のＡｇ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0162】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、亜鉛（Ｚｎ）を含み、前
記ベース金属板１００ａは、亜鉛（Ｚｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面
層１１０及び前記第２表面層１２０は、亜鉛（Ｚｎ）系合金を含むことにより、金属板表
面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
記ベース金属板１００ａは、亜鉛（Ｚｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面
層１１０及び前記第２表面層１２０は、亜鉛（Ｚｎ）系合金を含むことにより、金属板表
面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0163】
また、表面層のＺｎの含有量をベース金属板のＺｎ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0164】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）を含み、前記
ベース金属板１００ａは、窒素（Ｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）系合金を含むことにより、金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
ベース金属板１００ａは、窒素（Ｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）系合金を含むことにより、金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0165】
また、表面層のＮの含有量をベース金属板のＮ含有量より高く形成して金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0166】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、アルミニウム（Ａｌ）を
含み、前記ベース金属板１００ａは、アルミニウム（Ａｌ）以外の元素を含むことができ
る。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、アルミニウム（Ａｌ）系合金を
含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅
くすることができる。
含み、前記ベース金属板１００ａは、アルミニウム（Ａｌ）以外の元素を含むことができ
る。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、アルミニウム（Ａｌ）系合金を
含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅
くすることができる。
【0167】
また、表面層のＡｌの含有量をベース金属板のＡｌ含有量より高く形成して金属板表面
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0168】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、酸素元素を含むことがで
きる。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、金属酸化物層であ
り得る。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、金属酸化物とし
て鉄酸化物、ニッケル酸化物のうち少なくとも一つを含むことができる。前記第１表面層
１１０の酸素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの酸素の含有量より高いことがある
。前記第２表面層１２０の酸素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの酸素の含有量よ
り高いことがある。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が金属酸化物を含む
ことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くす
ることができる。
きる。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、金属酸化物層であ
り得る。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、金属酸化物とし
て鉄酸化物、ニッケル酸化物のうち少なくとも一つを含むことができる。前記第１表面層
１１０の酸素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの酸素の含有量より高いことがある
。前記第２表面層１２０の酸素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの酸素の含有量よ
り高いことがある。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が金属酸化物を含む
ことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くす
ることができる。
【0169】
また、表面層のＯの含有量をベース金属板のＯ含有量より高く形成して金属板表面にお
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
ける腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
【0170】
実施例は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が前記ベース金属板１１０
ａと互いに異なる元素を含むことにより、前記第１及び第２表面層の腐食速度を前記ベー
ス金属板より遅くすることができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクのエッチン
グファクターを増加させることができる。また、実施例による蒸着マスクは、複数の貫通
孔を均一に形成することができることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率を向上させ
ることができる。ここで、互いに異なる元素を含むということは、前記ベース金属板１１
０ａと前記表面層が少なくとも一つの他の元素を含むか、または、すべての元素が同一で
あっても含有量が異なる合金を含むことを意味することができる。
ａと互いに異なる元素を含むことにより、前記第１及び第２表面層の腐食速度を前記ベー
ス金属板より遅くすることができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクのエッチン
グファクターを増加させることができる。また、実施例による蒸着マスクは、複数の貫通
孔を均一に形成することができることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率を向上させ
ることができる。ここで、互いに異なる元素を含むということは、前記ベース金属板１１
０ａと前記表面層が少なくとも一つの他の元素を含むか、または、すべての元素が同一で
あっても含有量が異なる合金を含むことを意味することができる。
【0171】
前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と含まれる元素の組成が互いに異
なり得る。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と含まれる元素の
組成が互いに異なり得る。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は
、前記ベース金属板１１０ａの構成元素と同じ元素を含む場合にも、同一元素の含有量が
互いに異なり得る。
なり得る。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と含まれる元素の
組成が互いに異なり得る。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は
、前記ベース金属板１１０ａの構成元素と同じ元素を含む場合にも、同一元素の含有量が
互いに異なり得る。
【0172】
一例として、前記ベース金属板１００ａがニッケルは３６重量％、鉄は６４重量％が含
まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層
１２０がニッケルまたは鉄のうち少なくともど一つの元素を含んでも、前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａとのニッケルまたは鉄の含
有量が互いに異なり得る。
まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層
１２０がニッケルまたは鉄のうち少なくともど一つの元素を含んでも、前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａとのニッケルまたは鉄の含
有量が互いに異なり得る。
【0173】
前記第１表面層１１０の窒素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの窒素の含有量よ
り大きいか、または小さいことがある。また、前記第２表面層１２０の窒素の含有量は、
前記ベース金属板１００ａの窒素の含有量より大きいか、または小さいことがある。例え
ば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）元素を含むことがで
きる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の各層は、窒素（Ｎ）
元素を２０重量％ないし７０重量％含む窒素系合金であり得る。
り大きいか、または小さいことがある。また、前記第２表面層１２０の窒素の含有量は、
前記ベース金属板１００ａの窒素の含有量より大きいか、または小さいことがある。例え
ば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）元素を含むことがで
きる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の各層は、窒素（Ｎ）
元素を２０重量％ないし７０重量％含む窒素系合金であり得る。
【0174】
前記第１表面層１１０の鉄の含有量は、前記ベース金属板１００ａの鉄の含有量より大
きいか、または小さいことがある。また、前記第２表面層１２０の鉄の含有量は、前記ベ
ース金属板１００ａの鉄の含有量より大きいか、または小さいことがある。例えば、前記
第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、鉄（Ｆｅ）元素を含むことができる。詳
しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の各層は、鉄（Ｆｅ）元素を２
０重量％ないし７０重量％含む鉄系合金であり得る。
きいか、または小さいことがある。また、前記第２表面層１２０の鉄の含有量は、前記ベ
ース金属板１００ａの鉄の含有量より大きいか、または小さいことがある。例えば、前記
第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、鉄（Ｆｅ）元素を含むことができる。詳
しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の各層は、鉄（Ｆｅ）元素を２
０重量％ないし７０重量％含む鉄系合金であり得る。
【0175】
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する元素を含むことが
できる。ここで、互いに対応するということは、構成元素の含有量％が同じであることを
意味し、公差による誤差範囲を含むことができることは勿論である。
できる。ここで、互いに対応するということは、構成元素の含有量％が同じであることを
意味し、公差による誤差範囲を含むことができることは勿論である。
【0176】
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ
）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）
、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金のう
ち少なくとも一つの金属を含むことができる。
）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）
、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金のう
ち少なくとも一つの金属を含むことができる。
【0177】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロ
ム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン
（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか一
つの単一元素を含むことができる。
ム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン
（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか一
つの単一元素を含むことができる。
【0178】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロ
ム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン
（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち二つの
元素を含む二元系合金であり得る。
ム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン
（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち二つの
元素を含む二元系合金であり得る。
【0179】
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロ
ム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン
（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち三つの
元素を含む三元系合金であり得る。
ム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン
（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち三つの
元素を含む三元系合金であり得る。
【0180】
前記ベース金属板１００ａの厚さは、前記表面層より厚さが大きいことがある。例えば
、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、前記第１表面層１１０の厚さＴ２及び前記第
２表面層１２０の厚さＴ３より大きいことがある。
、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、前記第１表面層１１０の厚さＴ２及び前記第
２表面層１２０の厚さＴ３より大きいことがある。
【0181】
前記金属板１００の厚さは５μｍないし５０μｍであり得る。例えば、前記金属板１０
０の厚さは、５μｍないし３０μｍであり得る。または、１０μｍないし２５μｍであり
得る。前記金属板１００の厚さが５μｍ未満の場合には製造効率が低いことがある。
０の厚さは、５μｍないし３０μｍであり得る。または、１０μｍないし２５μｍであり
得る。前記金属板１００の厚さが５μｍ未満の場合には製造効率が低いことがある。
【0182】
前記金属板１００の厚さが５０μｍ超過の場合には、貫通孔を形成するための工程効率
が低下することがある。
が低下することがある。
【0183】
前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、５０μｍ以下であり得る。例えば、前記ベー
ス金属板１００ａの厚さＴ１は、３０μｍ以下であり得る。また、前記ベース金属板１０
０ａの厚さＴ１は、２５μｍ以下であり得る。また、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ
１は、２０μｍ以下であり得る。
ス金属板１００ａの厚さＴ１は、３０μｍ以下であり得る。また、前記ベース金属板１０
０ａの厚さＴ１は、２５μｍ以下であり得る。また、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ
１は、２０μｍ以下であり得る。
【0184】
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する厚さを有し得る。
ここで、対応するということは公差による誤差を含むことであり得る。前記第１表面層１
１０の厚さＴ２は、０．５ｎｍないし１０００ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層
１１０の厚さＴ２は、５ｎｍないし８５０ｎｍであり得る。
ここで、対応するということは公差による誤差を含むことであり得る。前記第１表面層１
１０の厚さＴ２は、０．５ｎｍないし１０００ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層
１１０の厚さＴ２は、５ｎｍないし８５０ｎｍであり得る。
【0185】
前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第１面１０１にお
けるエッチング速度の低下効果が減少することにより、貫通孔の均一性が低下することが
ある。また、５ｎｍ以下の自然酸化膜が生じることもある。
けるエッチング速度の低下効果が減少することにより、貫通孔の均一性が低下することが
ある。また、５ｎｍ以下の自然酸化膜が生じることもある。
【0186】
例えば、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／ま
たは幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によっ
て形成されたパターンが均一でないこともあって、表示装置の製造効率が低下することが
ある。
たは幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によっ
て形成されたパターンが均一でないこともあって、表示装置の製造効率が低下することが
ある。
【0187】
また、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第１面１０
１におけるエッチング速度の低下効果が減少することにより、微細なサイズの貫通孔の形
成が困難となり得る。
１におけるエッチング速度の低下効果が減少することにより、微細なサイズの貫通孔の形
成が困難となり得る。
【0188】
また、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、第１面孔Ｖ１の
内周面の表面粗さが増加することにより、前記第１面孔Ｖ１を通じて形成される蒸着パタ
ーンの品質が低下することがあり、これによって工程効率が低下することがある。
内周面の表面粗さが増加することにより、前記第１面孔Ｖ１を通じて形成される蒸着パタ
ーンの品質が低下することがあり、これによって工程効率が低下することがある。
【0189】
一方、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が１０００ｎｍ超過の場合には、製造効率が低
下することがある。
下することがある。
【0190】
前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、０．５ｎｍないし１０００ｎｍであり得る。例え
ば、前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、３０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。
ば、前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、３０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。
【0191】
前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第２面１０２での
エッチング速度の低下効果が減少することにより、貫通孔の均一性が低下することがある
。例えば、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／ま
たは幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によっ
て形成されたパターンが均一でないこともあって、表示装置の製造効率が低下することが
ある。
エッチング速度の低下効果が減少することにより、貫通孔の均一性が低下することがある
。例えば、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／ま
たは幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によっ
て形成されたパターンが均一でないこともあって、表示装置の製造効率が低下することが
ある。
【0192】
また、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第２面１０
２でのエッチング速度の低下効果が減少することにより、微細なサイズの貫通孔の形成が
困難となり得る。
２でのエッチング速度の低下効果が減少することにより、微細なサイズの貫通孔の形成が
困難となり得る。
【0193】
また、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、第２面孔Ｖ２の
内周面の表面粗さが増加することがある。
内周面の表面粗さが増加することがある。
【0194】
一方、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が１０００ｎｍ超過の場合には、製造効率が低
下することがある。
下することがある。
【0195】
前記金属板１００は、貫通孔の厚さ方向により、互いに異なる貫通孔の幅を有し得る。
例えば、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。
詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほ
ど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０
１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
例えば、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。
詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほ
ど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０
１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0196】
例えば、前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある
。詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１
０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
。詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１
０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0197】
実施例による蒸着マスクは、複数の貫通孔を含むことができる。詳しくは、前記金属板
は、複数の貫通孔を含む中央領域及び前記中央領域に位置した外郭領域を含むことができ
る。このとき、一つの貫通孔の幅は、２０μｍ以上であり得る。例えば、前記貫通孔の幅
は、２０μｍないし４０μｍであり得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面
孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、２０μｍ以上の幅を有し得る。例えば、前記第１面
孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、２０μｍないし４０μｍ
の幅を有し得る。
は、複数の貫通孔を含む中央領域及び前記中央領域に位置した外郭領域を含むことができ
る。このとき、一つの貫通孔の幅は、２０μｍ以上であり得る。例えば、前記貫通孔の幅
は、２０μｍないし４０μｍであり得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面
孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、２０μｍ以上の幅を有し得る。例えば、前記第１面
孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、２０μｍないし４０μｍ
の幅を有し得る。
【0198】
前記貫通孔の幅が４０μｍ超過の場合には、微細な蒸着パターンの形成が困難となり得
る。
る。
【0199】
前記複数の貫通孔は、第１貫通孔及び前記第１貫通孔と隣接した第２貫通孔を含むこと
ができる。前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の間に位置する金属板は、ブリッジ領域Ｂ
Ｒと定義することができる。前記ブリッジ領域ＢＲは、前記中央領域に配置され得る。
ができる。前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の間に位置する金属板は、ブリッジ領域Ｂ
Ｒと定義することができる。前記ブリッジ領域ＢＲは、前記中央領域に配置され得る。
【0200】
前記中央領域に配置される前記第１表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第１表
面層の厚さと対応し得る。
面層の厚さと対応し得る。
【0201】
前記中央領域に配置される前記第２表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第２表
面層の厚さと対応し得る。
面層の厚さと対応し得る。
【0202】
前記金属板の第１面は第１ブリッジ領域ＢＲ１を含み、前記第１面と反対となる第２面
は、第２ブリッジ領域ＢＲ２を含むことができる。
は、第２ブリッジ領域ＢＲ２を含むことができる。
【0203】
前記ブリッジ領域には、金属板、金属板の第１面上に配置される第１表面層、及び金属
板の第２面上に配置される第２表面層が配置され得る。
板の第２面上に配置される第２表面層が配置され得る。
【0204】
前記金属板の外郭領域には、金属板、金属板の第１面上に配置される第１表面層、及び
金属板の第２面上に配置される第２表面層が配置され得る。
金属板の第２面上に配置される第２表面層が配置され得る。
【0205】
前記貫通孔は、前記ベース金属板、前記第１表面層、及び前記第２表面層を貫通して形
成され得る。これに伴って、前記貫通孔の内側面で前記ベース金属板、前記第１表面層及
び前記第２表面層が露出することができる。
成され得る。これに伴って、前記貫通孔の内側面で前記ベース金属板、前記第１表面層及
び前記第２表面層が露出することができる。
【0206】
前記貫通孔の内側面は曲面を含むことができる。前記貫通孔の内側面は全体的にまたは
部分的に曲面を含むことができる。前記貫通孔の内側面は曲率が変化する曲面を含むこと
ができる。前記貫通孔の内側面で、前記ベース金属板、前記第１表面層及び前記第２表面
層それぞれの曲率は互いに異なり得る。このとき、前記ベース金属板、前記第１表面層及
び前記第２表面層それぞれの曲率は、前記ベース金属板厚さの１／２地点、前記第１表面
層厚さの１／２地点及び前記第２表面層厚さの１／２地点で測定したことを意味すること
ができる。
部分的に曲面を含むことができる。前記貫通孔の内側面は曲率が変化する曲面を含むこと
ができる。前記貫通孔の内側面で、前記ベース金属板、前記第１表面層及び前記第２表面
層それぞれの曲率は互いに異なり得る。このとき、前記ベース金属板、前記第１表面層及
び前記第２表面層それぞれの曲率は、前記ベース金属板厚さの１／２地点、前記第１表面
層厚さの１／２地点及び前記第２表面層厚さの１／２地点で測定したことを意味すること
ができる。
【0207】
前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２は、前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１より大きいことがある。
【0208】
一方、前記第１面孔Ｖ１と隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は
、前記第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連
結部ＣＡを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
、前記第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連
結部ＣＡを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
【0209】
前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４より大きいことがある。
例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある
。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１か
ら前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある
。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１か
ら前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0210】
例えば、前記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある
。詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１
０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
。詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１
０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0211】
前記第４面孔Ｖ４の高さＨ４は、前記第３面孔Ｖ３の高さＨ３より大きいことがある。
【0212】
前記ベース金属板１００ａのエッチング速度は、前記第１表面層１１０及び前記第２表
面層１２０のエッチング速度と互いに異なり得る。例えば、前記金属板の厚さ方向の内部
に位置した前記ベース金属板１００ａのエッチング速度は、前記金属板の厚さ方向の外部
に位置した前記第１及び第２表面層１１０、１２０のエッチング速度より速いことがある
。言い換えれば、前記第１表面層１１０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａ
のエッチング速度より遅いことがある。前記第２表面層１２０のエッチング速度は、前記
ベース金属板１００ａのエッチング速度より遅いことがある。詳しくは、前記第１表面層
１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１１０ａの構成元素より耐食性が
大きい元素を含むことができるので、表面層でのエッチング速度をベース金属板でのエッ
チング速度より遅くすることができる。すなわち、前記表面層は、前記ベース金属板の構
成元素より耐食性が大きい金属元素を含む金属表面層であり得る。
面層１２０のエッチング速度と互いに異なり得る。例えば、前記金属板の厚さ方向の内部
に位置した前記ベース金属板１００ａのエッチング速度は、前記金属板の厚さ方向の外部
に位置した前記第１及び第２表面層１１０、１２０のエッチング速度より速いことがある
。言い換えれば、前記第１表面層１１０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａ
のエッチング速度より遅いことがある。前記第２表面層１２０のエッチング速度は、前記
ベース金属板１００ａのエッチング速度より遅いことがある。詳しくは、前記第１表面層
１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１１０ａの構成元素より耐食性が
大きい元素を含むことができるので、表面層でのエッチング速度をベース金属板でのエッ
チング速度より遅くすることができる。すなわち、前記表面層は、前記ベース金属板の構
成元素より耐食性が大きい金属元素を含む金属表面層であり得る。
【0213】
一般的な金属板は、エッチング液の接触面積が大きい金属板外部のエッチング速度が金
属板内部のエッチング速度より速いことにより、隣接した貫通孔が重畳され得るという問
題点がある。すなわち、ベース金属板１００ａだけで製造された蒸着マスクは、エッチン
グ液と接触するベース金属板１００ａの第１面１０１及び第２面１０２のエッチング速度
が速いことにより、前記第１面１０１及び前記第２面１０２で形成される貫通孔の幅が大
きくなり得る。これに伴って、微細なパターンを有する貫通孔の形成が困難であり、製造
収率が低下することがある。また、複数の貫通孔の均一性が低下することがある。したが
って、これを通じて製造されるＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率が低く、パターン
の蒸着均一性が低下することがある。
属板内部のエッチング速度より速いことにより、隣接した貫通孔が重畳され得るという問
題点がある。すなわち、ベース金属板１００ａだけで製造された蒸着マスクは、エッチン
グ液と接触するベース金属板１００ａの第１面１０１及び第２面１０２のエッチング速度
が速いことにより、前記第１面１０１及び前記第２面１０２で形成される貫通孔の幅が大
きくなり得る。これに伴って、微細なパターンを有する貫通孔の形成が困難であり、製造
収率が低下することがある。また、複数の貫通孔の均一性が低下することがある。したが
って、これを通じて製造されるＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率が低く、パターン
の蒸着均一性が低下することがある。
【0214】
一方、実施例は、ベース金属板１００ａの両面上に前記第１表面層１１０及び前記第２
表面層１２０を含み、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金
属板１００ａと異なる元素を含むことができる。これに伴って、前記第１表面層１１０及
び前記第２表面層１２０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａのエッチング速
度より遅いことがある。
表面層１２０を含み、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金
属板１００ａと異なる元素を含むことができる。これに伴って、前記第１表面層１１０及
び前記第２表面層１２０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａのエッチング速
度より遅いことがある。
【0215】
すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１０
０ａより耐食性が大きい金属元素または金属酸化物を含むことができ、前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ０．５ｎｍないし１０００ｎｍの厚さで配置さ
れることにより、微細な貫通孔を形成することができる。
０ａより耐食性が大きい金属元素または金属酸化物を含むことができ、前記第１表面層１
１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ０．５ｎｍないし１０００ｎｍの厚さで配置さ
れることにより、微細な貫通孔を形成することができる。
【0216】
例えば、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がそ
れぞれ５ｎｍ超過８００ｎｍ以下、１０ｎｍないし６００ｎｍ、３０ｎｍないし５００ｎ
ｍの厚さで配置されるとき、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１と前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４が
対応し、前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２と前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５が対応し得る。例えば
、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ５
ｎｍ超過８００ｎｍ以下、１０ｎｍないし６００ｎｍ、３０ｎｍないし５００ｎｍの厚さ
で配置されるとき、前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１と前記第３面孔Ｖ３の高さＨ３が対応し
、前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２と前記第４面孔Ｖ４の高さＨ４が対応し得る。すなわち、
複数の貫通孔の幅と高さの均一性が向上し得る。
れぞれ５ｎｍ超過８００ｎｍ以下、１０ｎｍないし６００ｎｍ、３０ｎｍないし５００ｎ
ｍの厚さで配置されるとき、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１と前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４が
対応し、前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２と前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５が対応し得る。例えば
、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ５
ｎｍ超過８００ｎｍ以下、１０ｎｍないし６００ｎｍ、３０ｎｍないし５００ｎｍの厚さ
で配置されるとき、前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１と前記第３面孔Ｖ３の高さＨ３が対応し
、前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２と前記第４面孔Ｖ４の高さＨ４が対応し得る。すなわち、
複数の貫通孔の幅と高さの均一性が向上し得る。
【0217】
すなわち、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が
配置される領域でエッチング速度が遅いことがあり、貫通孔の幅が小さくかつ深い厚さを
有するように形成することができる。これに伴って、金属表面で速いエッチングによって
発生し得るフォトレジスト層の脱膜現象を防止することができる。
配置される領域でエッチング速度が遅いことがあり、貫通孔の幅が小さくかつ深い厚さを
有するように形成することができる。これに伴って、金属表面で速いエッチングによって
発生し得るフォトレジスト層の脱膜現象を防止することができる。
【0218】
また、実施例による蒸着マスク製作に用いられる金属板は、表面におけるエッチング速
度を制御でき、微細なパターンを有する貫通孔の製造収率が向上し、複数の貫通孔の均一
性が向上し得る。これに伴って、このような蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パ
ターンの蒸着効率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。また、実施例による表面層は、耐食
性が大きい金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことにより、フォトレジス
ト層の密着力を向上させることができ、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜または
分離を防止することができる。これに伴って、実施例による金属板は、複数の貫通孔の製
造収率及び工程効率が向上し得る。
度を制御でき、微細なパターンを有する貫通孔の製造収率が向上し、複数の貫通孔の均一
性が向上し得る。これに伴って、このような蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パ
ターンの蒸着効率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。また、実施例による表面層は、耐食
性が大きい金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことにより、フォトレジス
ト層の密着力を向上させることができ、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜または
分離を防止することができる。これに伴って、実施例による金属板は、複数の貫通孔の製
造収率及び工程効率が向上し得る。
【0219】
【0220】
実施例による蒸着マスクは、ベース金属板の準備ステップ；前記ベース金属板の第１面
上に第１表面層を配置するステップ；前記ベース金属板の第２面上に第２表面層を配置す
るステップ；前記第１表面層上に第１フォトレジスト層配置し、前記第２表面層上に第２
フォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；前記第１面の第１面孔と前
記第２面の第２面孔とが連通する貫通孔を形成するエッチングステップを含むことができ
る。また、実施例による蒸着マスクに用いられる金属板は、前記エッチングステップ以後
に、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の除去ステップをさらに含
むことができる。
上に第１表面層を配置するステップ；前記ベース金属板の第２面上に第２表面層を配置す
るステップ；前記第１表面層上に第１フォトレジスト層配置し、前記第２表面層上に第２
フォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；前記第１面の第１面孔と前
記第２面の第２面孔とが連通する貫通孔を形成するエッチングステップを含むことができ
る。また、実施例による蒸着マスクに用いられる金属板は、前記エッチングステップ以後
に、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の除去ステップをさらに含
むことができる。
【0221】
また、前記第１表面層及び前記第２表面層は、同時に形成することができる。これに伴
って、工程効率を向上させることができる。また、前記第１フォトレジスト層及び前記第
２フォトレジスト層は、ステップごとに形成することもできることは勿論である。
って、工程効率を向上させることができる。また、前記第１フォトレジスト層及び前記第
２フォトレジスト層は、ステップごとに形成することもできることは勿論である。
【0222】
また、前記第１面孔、第２面孔をステップごとに形成して貫通孔を形成することもでき
る。
る。
【0223】
また、第１面孔を形成のための第１フォトレジストを形成して第２面にエッチング防止
保護層を形成した後に第１面孔を形成し、第２面孔を形成するためのフォトレジストを形
成して第１面にエッチング防止保護層を形成した後に第２面孔を形成することもできる。
保護層を形成した後に第１面孔を形成し、第２面孔を形成するためのフォトレジストを形
成して第１面にエッチング防止保護層を形成した後に第２面孔を形成することもできる。
【0224】
また、前記フォトレジスト層の除去ステップ以後に第１、第２表面層を除去するステッ
プをさらに含むことができる。これを通じてＯＬＥＤ蒸着時に表面層によって発生する異
物を防止することができる。このような場合、表面層が除去された第１面のＮｉ含有量と
ベース金属板の厚さの１／２となる中央のＮｉ含有量は異なり得る。望ましくは、第１面
のＮｉ含有量がベース金属板の厚さの１／２となる中央のＮｉ含有量より大きいことがあ
る。
プをさらに含むことができる。これを通じてＯＬＥＤ蒸着時に表面層によって発生する異
物を防止することができる。このような場合、表面層が除去された第１面のＮｉ含有量と
ベース金属板の厚さの１／２となる中央のＮｉ含有量は異なり得る。望ましくは、第１面
のＮｉ含有量がベース金属板の厚さの１／２となる中央のＮｉ含有量より大きいことがあ
る。
【0225】
先ず、第１ステップは、ベース金属板１００ａの準備ステップである。前記ベース金属
板１００ａは、ニッケル合金を準備することができる。例えば、前記ベース金属板１００
ａは、ニッケル及び鉄の合金であり得る。
板１００ａは、ニッケル合金を準備することができる。例えば、前記ベース金属板１００
ａは、ニッケル及び鉄の合金であり得る。
【0226】
また、強度向上のために不純物を含むことができる。前記不純物は、Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、
Ｐ、Ｓ、Ａｌ、Ｃｒのうち少なくとも一つを含むことができ、全体のベース金属板の２ｗ
％以下、１．７ｗ％以下、１．５ｗ％以下であり得る。２ｗ％を越える場合、インバーの
基本特性である熱膨脹特性が悪くなり得る。
Ｐ、Ｓ、Ａｌ、Ｃｒのうち少なくとも一つを含むことができ、全体のベース金属板の２ｗ
％以下、１．７ｗ％以下、１．５ｗ％以下であり得る。２ｗ％を越える場合、インバーの
基本特性である熱膨脹特性が悪くなり得る。
【0227】
前記ベース金属板の準備ステップは、多様な厚さ減少ステップを含むことができる。例
えば、前記ベース金属板は、圧延ステップによる厚さ減少ステップをさらに含むことがで
きる。
えば、前記ベース金属板は、圧延ステップによる厚さ減少ステップをさらに含むことがで
きる。
【0228】
すなわち、第２ステップは、前記ベース金属板１００ａの圧延ステップであり得る。図
１１を参照すると、前記ベース金属板１００ａは、５μｍないし５０μｍの厚さＴ１を有
し得る。例えば、前記ベース金属板１００ａは、３０μｍ以下の厚さＴ１を有し得る。こ
こで、前記ベース金属板１００ａの厚さは、圧延工程後に測定された厚さであり得る。こ
のとき、前記圧延工程は冷間圧延工程であり得る。すなわち、初期の金属基板は３０μｍ
超過の厚さを有し、圧延ステップによる厚さ減少ステップによって加工されたベース金属
板は、３０μｍ以下の厚さ（例えば２５μｍ、２０μｍ）を有し得る。
１１を参照すると、前記ベース金属板１００ａは、５μｍないし５０μｍの厚さＴ１を有
し得る。例えば、前記ベース金属板１００ａは、３０μｍ以下の厚さＴ１を有し得る。こ
こで、前記ベース金属板１００ａの厚さは、圧延工程後に測定された厚さであり得る。こ
のとき、前記圧延工程は冷間圧延工程であり得る。すなわち、初期の金属基板は３０μｍ
超過の厚さを有し、圧延ステップによる厚さ減少ステップによって加工されたベース金属
板は、３０μｍ以下の厚さ（例えば２５μｍ、２０μｍ）を有し得る。
【0229】
第３ステップは、前記ベース金属板の第１面上に第１表面層を配置するステップである
。
。
【0230】
第４ステップは、前記ベース金属板の第２面上に第２表面層を配置するステップである
。
。
【0231】
図１２を参照すると、前記ベース金属板１００ａ上に第１及び第２表面層１１０、１２
０を形成することができる。例えば、前記ベース金属板 １００ａは、蒸着工程により、
前記ベース金属板１００ａの一面上に第１表面層１１０を形成することができる。次いで
、前記ベース金属板１００ａの前記一面と反対となる他面上に第２表面層１２０が蒸着工
程によって形成され得る。
０を形成することができる。例えば、前記ベース金属板 １００ａは、蒸着工程により、
前記ベース金属板１００ａの一面上に第１表面層１１０を形成することができる。次いで
、前記ベース金属板１００ａの前記一面と反対となる他面上に第２表面層１２０が蒸着工
程によって形成され得る。
【0232】
また、第１表面層及び第２表面層は、共に蒸着され得る。
【0233】
また、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する厚さで前記
ベース金属板１００ａ上に配置されることができ、前記ベース金属板１００ａの第１面１
０１及び第２面１０２のエッチング速度をすべて低下させることがある。
ベース金属板１００ａ上に配置されることができ、前記ベース金属板１００ａの第１面１
０１及び第２面１０２のエッチング速度をすべて低下させることがある。
【0234】
第５ステップは、前記第１表面層１１０上に第１フォトレジスト層Ｐ１配置し、前記第
２表面層１２０上に第２フォトレジスト層Ｐ２を配置するフォトレジスト層形成ステップ
である。図１３を参照すると、前記第１表面層１１０上にオープン領域を有する第１フォ
トレジスト層Ｐ１を配置し、前記第２表面層１２０上にオープン領域を有する第２フォト
レジスト層Ｐ２を配置することができる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２
表面層１２０上にそれぞれフォトレジスト物質を塗布し、露光及び現像工程によって前記
第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２をそれぞれ配置すること
ができる。
２表面層１２０上に第２フォトレジスト層Ｐ２を配置するフォトレジスト層形成ステップ
である。図１３を参照すると、前記第１表面層１１０上にオープン領域を有する第１フォ
トレジスト層Ｐ１を配置し、前記第２表面層１２０上にオープン領域を有する第２フォト
レジスト層Ｐ２を配置することができる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２
表面層１２０上にそれぞれフォトレジスト物質を塗布し、露光及び現像工程によって前記
第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２をそれぞれ配置すること
ができる。
【0235】
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域の幅
が異なるように配置されることにより、前記第１面１０１上に形成される前記第１面孔Ｖ
１と前記第２面１０２上に形成される前記第２面孔Ｖ２の幅が異なり得る。
が異なるように配置されることにより、前記第１面１０１上に形成される前記第１面孔Ｖ
１と前記第２面１０２上に形成される前記第２面孔Ｖ２の幅が異なり得る。
【0236】
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、金属板に貫通孔
を形成するために複数のオープン領域を含むことができる。
を形成するために複数のオープン領域を含むことができる。
【0237】
第６ステップは、金属板に貫通孔を形成するステップである。
【0238】
前記第１表面層１１０上には、部分的に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置され得る
。前記第１表面層１１０の上に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置される領域には、貫
通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、エッチン
グ工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前
記第１フォトレジスト層Ｐ１は、前記第１フォトレジスト層Ｐ１の下部に配置された前記
第１表面層１１０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
。前記第１表面層１１０の上に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置される領域には、貫
通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、エッチン
グ工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前
記第１フォトレジスト層Ｐ１は、前記第１フォトレジスト層Ｐ１の下部に配置された前記
第１表面層１１０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
【0239】
前記第２表面層１２０上には、部分的に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置され得る
。前記第２表面層１２０の上に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置される領域には、貫
通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、エッチン
グ工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前
記第２フォトレジスト層Ｐ２は、前記第２フォトレジスト層Ｐ２の下部に配置された前記
第２表面層１２０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
。前記第２表面層１２０の上に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置される領域には、貫
通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、エッチン
グ工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前
記第２フォトレジスト層Ｐ２は、前記第２フォトレジスト層Ｐ２の下部に配置された前記
第２表面層１２０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
【0240】
一方、前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領
域には、エッチング工程でエッチングが行われ得る。これに伴って、前記第１フォトレジ
スト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域に金属板の貫通孔が形成さ
れ得る。
域には、エッチング工程でエッチングが行われ得る。これに伴って、前記第１フォトレジ
スト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域に金属板の貫通孔が形成さ
れ得る。
【0241】
また、第１面孔を形成のための第１フォトレジストを形成して第２面にエッチング防止
保護層を形成した後に第１面孔を形成し、第２面孔を形成するためのフォトレジストを形
成して第１面にエッチング防止保護層を形成した後に第２面孔を形成することもできる。
保護層を形成した後に第１面孔を形成し、第２面孔を形成するためのフォトレジストを形
成して第１面にエッチング防止保護層を形成した後に第２面孔を形成することもできる。
【0242】
図１４を参照すると、エッチング工程によって金属板の第１面に前記第１面孔Ｖ１が形
成され、前記第１面と反対となる第２面に前記第２面孔Ｖ２が形成され、前記連結部ＣＡ
によって前記第１面孔Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通されることによって貫通孔が形成
され得る。
成され、前記第１面と反対となる第２面に前記第２面孔Ｖ２が形成され、前記連結部ＣＡ
によって前記第１面孔Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通されることによって貫通孔が形成
され得る。
【0243】
例えば、前記エッチング工程は、湿式エッチング工程によって行われ得る。これに伴っ
て、前記第１面１０１及び前記第２面１０２が同時にエッチングされることができ、工程
効率性が向上し得る。一例として、前記湿式エッチング工程は、塩化鉄を含むエッチング
液を用いて、約４５℃で行われ得る。このとき、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３５な
いし４５重量％含むことができる。詳しくは、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３６重量
％含むことができる。例えば、ＦｅＣｌ３を４３重量％含んだ前記エッチング液の比重は
２０℃で１．４７であり得る。ＦｅＣｌ３を４１重量％含んだ前記エッチング液の比重は
２０℃で１．４４であり得る。ＦｅＣｌ３を３８重量％含んだ前記エッチング液の比重は
２０℃で１．３９であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、金属表面層のエッチン
グ速度がベース金属板のエッチング速度より遅くすることができる範囲内の多様なエッチ
ング液を使用できることは勿論である。
て、前記第１面１０１及び前記第２面１０２が同時にエッチングされることができ、工程
効率性が向上し得る。一例として、前記湿式エッチング工程は、塩化鉄を含むエッチング
液を用いて、約４５℃で行われ得る。このとき、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３５な
いし４５重量％含むことができる。詳しくは、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３６重量
％含むことができる。例えば、ＦｅＣｌ３を４３重量％含んだ前記エッチング液の比重は
２０℃で１．４７であり得る。ＦｅＣｌ３を４１重量％含んだ前記エッチング液の比重は
２０℃で１．４４であり得る。ＦｅＣｌ３を３８重量％含んだ前記エッチング液の比重は
２０℃で１．３９であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、金属表面層のエッチン
グ速度がベース金属板のエッチング速度より遅くすることができる範囲内の多様なエッチ
ング液を使用できることは勿論である。
【0244】
第７ステップは、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の除去ステ
ップである。図１５を参照すると、前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォト
レジスト層Ｐ２を除去するにより、前記ベース金属板１００ａ上に第１表面層１１０及び
第２表面層１２０が配置され、複数の貫通孔を有する金属板を形成することができる。
ップである。図１５を参照すると、前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォト
レジスト層Ｐ２を除去するにより、前記ベース金属板１００ａ上に第１表面層１１０及び
第２表面層１２０が配置され、複数の貫通孔を有する金属板を形成することができる。
【0245】
前記工程で下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくと
も一つの面孔のエッチングファクターは、２．５以上であり得る。これに伴って、実施例
の貫通孔はエッチング特性に優れ、フォトレジスト層の剥離または分離による製造収率低
下を防止することができる。
も一つの面孔のエッチングファクターは、２．５以上であり得る。これに伴って、実施例
の貫通孔はエッチング特性に優れ、フォトレジスト層の剥離または分離による製造収率低
下を防止することができる。
【0246】
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
【0247】
上記式で、前記Ｂは、エッチングされた前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面
孔の深さであり、前記Ａは、前記一つの面孔上のブリッジ領域から延びて前記一つの面孔
の中心方向に突出したフォトレジスト層の幅を意味する。詳しくは、前記Ａは、前記一つ
の面孔上に突出したフォトレジスト層一側の幅及び前記一側と反対となる他側の幅の平均
値を意味する。
孔の深さであり、前記Ａは、前記一つの面孔上のブリッジ領域から延びて前記一つの面孔
の中心方向に突出したフォトレジスト層の幅を意味する。詳しくは、前記Ａは、前記一つ
の面孔上に突出したフォトレジスト層一側の幅及び前記一側と反対となる他側の幅の平均
値を意味する。
【0248】
図１８を参照して、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔を形成するエッチ
ングステップについて説明する。
ングステップについて説明する。
【0249】
前記エッチングステップで、フォトレジスト層Ｐがオープンされた領域に前記第１面孔
及び前記第２面孔のうち一つの面孔が形成され得る。このとき、エッチング液は、オープ
ン領域に位置したフォトレジスト層側面の下部にも接触できることにより、アンダーカッ
トが発生し得る。これに伴って、前記一つの面孔上にフォトレジスト層の突出部が位置す
ることができる。
及び前記第２面孔のうち一つの面孔が形成され得る。このとき、エッチング液は、オープ
ン領域に位置したフォトレジスト層側面の下部にも接触できることにより、アンダーカッ
トが発生し得る。これに伴って、前記一つの面孔上にフォトレジスト層の突出部が位置す
ることができる。
【0250】
前記突出部は、前記面孔と離隔して、前記面孔上に配置され得る。前記突出部は、前記
面孔の端ＶＥを囲むことができる。前記突出部は、前記面孔を部分的に覆うことができる
。前記突出部の端ＰＥは、前記面孔の端ＶＥから一定の間隔で離隔し得る。前記突出部の
端ＰＥは、前記面孔上に配置され得る。前記突出部は、前記面孔と接触しないこともある
。前記突出部は、前記ブリッジ領域または前記外郭領域に接触したフォトレジスト層が延
びて前記面孔上に配置され得る。
面孔の端ＶＥを囲むことができる。前記突出部は、前記面孔を部分的に覆うことができる
。前記突出部の端ＰＥは、前記面孔の端ＶＥから一定の間隔で離隔し得る。前記突出部の
端ＰＥは、前記面孔上に配置され得る。前記突出部は、前記面孔と接触しないこともある
。前記突出部は、前記ブリッジ領域または前記外郭領域に接触したフォトレジスト層が延
びて前記面孔上に配置され得る。
【0251】
前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の形状は、前記フォトレジスト層のオ
ープン領域の形状と対応し得る。例えば、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面
孔の形状が円形状の場合には、前記フォトレジスト層のオープン領域の形状も円形状であ
り得る。
ープン領域の形状と対応し得る。例えば、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面
孔の形状が円形状の場合には、前記フォトレジスト層のオープン領域の形状も円形状であ
り得る。
【0252】
前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の平均直径は、前記一つの面孔上のフ
ォトレジスト層のオープン領域の平均直径より大きいことがある。例えば、前記第１面孔
及び前記第２面孔のうち一つの面孔の平均直径は、２５μｍないし３５μｍ であり得る
。例えば、前記一つの面孔上のフォトレジスト層のオープン領域の平均直径は、２０μｍ
ないし３０μｍであり得る。
ォトレジスト層のオープン領域の平均直径より大きいことがある。例えば、前記第１面孔
及び前記第２面孔のうち一つの面孔の平均直径は、２５μｍないし３５μｍ であり得る
。例えば、前記一つの面孔上のフォトレジスト層のオープン領域の平均直径は、２０μｍ
ないし３０μｍであり得る。
【0253】
すなわち、フォトレジスト層のオープン領域と貫通孔の幅は、互いに異なり得る。詳し
くは、フォトレジスト層のオープン領域の幅より前記フォトレジスト層のオープン領域の
下部に形成された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅は、さらに大きい
ことがある。ここで、一つの面孔の幅は、金属板の一面で測定した最大の直径を意味する
ことができる。また、フォトレジスト層のオープン領域の幅と比較される一つの面孔の幅
は、上、下に対応する位置に配置される幅を意味することができる。
くは、フォトレジスト層のオープン領域の幅より前記フォトレジスト層のオープン領域の
下部に形成された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅は、さらに大きい
ことがある。ここで、一つの面孔の幅は、金属板の一面で測定した最大の直径を意味する
ことができる。また、フォトレジスト層のオープン領域の幅と比較される一つの面孔の幅
は、上、下に対応する位置に配置される幅を意味することができる。
【0254】
前記フォトレジスト層のオープン領域の幅と前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つ
の面孔の幅の値差が小さいほどエッチング特性に優れる。詳しくは、前記フォトレジスト
層のオープン領域の幅と前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅の値差の小
さいほどアンダーカットの発生する領域が縮小され得る。これに伴って、貫通孔の設計の
便宜性が向上することができ、微細な貫通孔を工程で効率的に形成することができる。
の面孔の幅の値差が小さいほどエッチング特性に優れる。詳しくは、前記フォトレジスト
層のオープン領域の幅と前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅の値差の小
さいほどアンダーカットの発生する領域が縮小され得る。これに伴って、貫通孔の設計の
便宜性が向上することができ、微細な貫通孔を工程で効率的に形成することができる。
【0255】
前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合は、１
：１．５以下の値を有し得る。例えば、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径
及び前記面孔の平均直径の割合は、１：１．１ないし１：１．４の値を有し得る。例えば
、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合は、１
：１．３ないし１：１．４の値を有し得る。前記フォトレジスト層のオープン領域の平均
直径及び前記面孔の平均直径の割合が１：１．５超過の場合には、エッチング特性が低下
することがある。
：１．５以下の値を有し得る。例えば、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径
及び前記面孔の平均直径の割合は、１：１．１ないし１：１．４の値を有し得る。例えば
、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合は、１
：１．３ないし１：１．４の値を有し得る。前記フォトレジスト層のオープン領域の平均
直径及び前記面孔の平均直径の割合が１：１．５超過の場合には、エッチング特性が低下
することがある。
【0256】
上記式１のＡ値は、下記式２のように表現され得る。
【0257】
＜式２＞
Ａ＝（Ａ１＋Ａ２）／２
Ａ＝（Ａ１＋Ａ２）／２
【0258】
図１８を参照すると、上記式２のＡ１は、前記一つの面孔上のフォトレジスト層突出部
の一側の幅を意味し、上記式２のＡ２は前記一つの面孔上のフォトレジスト層突出部の前
記一側と反対となる他側の幅を意味することができる。
の一側の幅を意味し、上記式２のＡ２は前記一つの面孔上のフォトレジスト層突出部の前
記一側と反対となる他側の幅を意味することができる。
【0259】
すなわち、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔のエッチングファクターは
、下記の式３でさらに整理され得る。
＜式３＞
、下記の式３でさらに整理され得る。
＜式３＞
【0260】
実施例による蒸着マスクは、貫通孔を形成するエッチングステップで、エッチングファ
クターが２．５以上に測定され得る。前記エッチングファクターが大きいほど、金属板の
厚さ方向、すなわち、貫通孔の深さ方向にエッチング特性に優れることを意味することが
できる。
クターが２．５以上に測定され得る。前記エッチングファクターが大きいほど、金属板の
厚さ方向、すなわち、貫通孔の深さ方向にエッチング特性に優れることを意味することが
できる。
【0261】
前記エッチングファクターが小さいほど、貫通孔の幅が大きくなることを意味すること
ができる。すなわち、前記エッチングファクターが小さいほど貫通孔の幅が大きくなるこ
とにより、フォトレジスト層が浮いたり、分離される現象が発生し得る。
ができる。すなわち、前記エッチングファクターが小さいほど貫通孔の幅が大きくなるこ
とにより、フォトレジスト層が浮いたり、分離される現象が発生し得る。
【0262】
前記金属板の少なくとも一面は面孔を含み、このとき、上記式１のＡ値は８以下であり
得る。例えば、上記式１のＡ値は５以下であり得る。例えば、上記式１のＡ値は４ないし
５であり得る。
得る。例えば、上記式１のＡ値は５以下であり得る。例えば、上記式１のＡ値は４ないし
５であり得る。
【0263】
上記式１のＡ値が８超過の場合には、エッチングファクターが低下することがある。上
記式１のＡ値が８超過の場合には、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径と前
記一つの貫通孔の平均直径の差が大きいので、微細な貫通孔の設計が困難であり得る。
記式１のＡ値が８超過の場合には、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径と前
記一つの貫通孔の平均直径の差が大きいので、微細な貫通孔の設計が困難であり得る。
【0264】
以下、実施例及び比較例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。このような実施例は
、本発明をさらに詳細に説明するために例として提示したものに過ぎない。したがって本
発明がこのような実施例に限定されるものではない。
、本発明をさらに詳細に説明するために例として提示したものに過ぎない。したがって本
発明がこのような実施例に限定されるものではない。
【0265】
＜実験例１：フォトレジスト層オープン領域の平均直径とオープン領域下部に形成され
た面孔の平均直径のサイズ評価＞
た面孔の平均直径のサイズ評価＞
【実施例1】
【0266】
冷間圧延されたインバーベース金属板上にＮｉ－Ｃｒ合金材の第１表面層及び第２表面
層を蒸着して形成した。
層を蒸着して形成した。
【0267】
このとき、Ｎｉ－Ｃｒ合金は、ニッケルが７６ないし９９重量％、クロムが１ないし２
４重量％の合金であった。
４重量％の合金であった。
【0268】
以後、第１表面層及び第２表面層のうち一つの金属表面層上に複数のオープン領域を含
むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフ
ォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフ
ォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
【0269】
これを通じて、フォトレジスト層のオープン領域の下部に第１面孔及び第２面孔のうち
一つの面孔を形成した。
一つの面孔を形成した。
【実施例2】
【0270】
冷間圧延されたインバーベース金属板上にＮｉ－Ｃｒ－Ｆｅ合金材の第１表面層及び第
２表面層を蒸着して形成した。
２表面層を蒸着して形成した。
【0271】
このとき、Ｎｉ－Ｃｒ－Ｆｅ合金は、ニッケル及び鉄が７６ないし９９重量％、クロム
が１ないし２４重量％の合金であった。
が１ないし２４重量％の合金であった。
【0272】
以後、第１表面層及び第２表面層のうち一つの金属表面層上に複数のオープン領域を含
むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフ
ォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフ
ォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
【0273】
これを通じて、フォトレジスト層のオープン領域の下部に第１面孔及び第２面孔のうち
一つの面孔を形成した。実施例２は、実施例１と表面層の合金組成が異なること以外に各
層の厚さ、エッチング工程の条件は同一であった。
一つの面孔を形成した。実施例２は、実施例１と表面層の合金組成が異なること以外に各
層の厚さ、エッチング工程の条件は同一であった。
【比較例１】
【0274】
冷間圧延されたインバーベース金属板を準備した。
【0275】
以後、前記インバーベース金属板の一面上に複数のオープン領域を含むフォトレジスト
層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフォトレジスト層が
形成された面でのみ行われた。
層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフォトレジスト層が
形成された面でのみ行われた。
【0276】
これを通じて、フォトレジスト層のオープン領域の下部に第１面孔及び第２面孔のうち
一つの面孔を形成した。
一つの面孔を形成した。
【0277】
前記比較例１は、実施例１及び２とベース金属板の厚さが同一であって、エッチング工
程の条件も同一であった。
程の条件も同一であった。
【0278】
実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層オープン領域の平均直径と前記オープン
領域下部に形成された面孔の平均直径との差は、比較例１によるフォトレジスト層オープ
ン領域の平均直径と前記オープン領域下部に形成された面孔の平均直径との差より小さい
ものと測定された。
領域下部に形成された面孔の平均直径との差は、比較例１によるフォトレジスト層オープ
ン領域の平均直径と前記オープン領域下部に形成された面孔の平均直径との差より小さい
ものと測定された。
【0279】
実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平
均直径は、１：１．５以下と測定された。詳しくは、実施例１及び実施例２によるフォト
レジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径は、１：１．１ないし１：１．
４と測定された。
均直径は、１：１．５以下と測定された。詳しくは、実施例１及び実施例２によるフォト
レジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径は、１：１．１ないし１：１．
４と測定された。
【0280】
比較例１によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径の割合
は、１：１．７以上と測定された。詳しくは、比較例１によるフォトレジスト層のオープ
ン領域の平均直径及び面孔の平均直径の割合は、１：１．７ないし１：１．８と測定され
た。
は、１：１．７以上と測定された。詳しくは、比較例１によるフォトレジスト層のオープ
ン領域の平均直径及び面孔の平均直径の割合は、１：１．７ないし１：１．８と測定され
た。
【0281】
【0282】
図１６を参照すると、実施例１によって形成された任意のフォトレジスト層オープン領
域の直径は２３．８μｍであり、前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に配置され
た任意の面孔の直径は３２．８５μｍである。
域の直径は２３．８μｍであり、前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に配置され
た任意の面孔の直径は３２．８５μｍである。
【0283】
一方、図１７を参照すると、比較例１によって形成された任意のフォトレジスト層オー
プン領域の直径は２２．４３μｍであり、前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に
配置された任意の面孔の直径は３９．１５μｍである。
プン領域の直径は２２．４３μｍであり、前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に
配置された任意の面孔の直径は３９．１５μｍである。
【0284】
実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平
均直径は１：１．４以下の割合を満足することにより、貫通孔のエッチング特性に優れる
ことを確認した。また、実施例による蒸着マスクは、均一性が向上した貫通孔を含むこと
ができ、これを通じて蒸着されるパターン形状の均一性が向上することを確認した。
＜実験例２： エッチングファクター評価＞
均直径は１：１．４以下の割合を満足することにより、貫通孔のエッチング特性に優れる
ことを確認した。また、実施例による蒸着マスクは、均一性が向上した貫通孔を含むこと
ができ、これを通じて蒸着されるパターン形状の均一性が向上することを確認した。
＜実験例２： エッチングファクター評価＞
【0285】
【表1】
【0286】
前記表１は、実施例１、実施例２及び比較例１によるエッチングファクターを示す。
【0287】
実施例１及び実施例２による蒸着マスクのエッチングファクターは、２．５以上である
ことが分かる。例えば、実施例１及び実施例２による蒸着マスクのエッチングファクター
は、２．５ないし２．７であることが分かる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは
、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜を防止することができ、面孔または貫通孔の
エッチング特性に優れることが分かる。
ことが分かる。例えば、実施例１及び実施例２による蒸着マスクのエッチングファクター
は、２．５ないし２．７であることが分かる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは
、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜を防止することができ、面孔または貫通孔の
エッチング特性に優れることが分かる。
【0288】
一方、比較例１による蒸着マスクのエッチングファクターは、２．０未満であることが
分かる。詳しくは、比較例１による蒸着マスクのエッチングファクターは、１．７である
ことが分かる。これに伴って、比較例１による蒸着マスクは、エッチング工程でフォトレ
ジスト層の脱膜が発生することができ、面孔または貫通孔のエッチング特性が低下するこ
とが分かる。
分かる。詳しくは、比較例１による蒸着マスクのエッチングファクターは、１．７である
ことが分かる。これに伴って、比較例１による蒸着マスクは、エッチング工程でフォトレ
ジスト層の脱膜が発生することができ、面孔または貫通孔のエッチング特性が低下するこ
とが分かる。
【0289】
エッチング速度は、単位時間当りエッチングされる量を意味するものであって、
【0290】
比較例１による冷間圧延されたインバーベース金属板は、外部表面のエッチング速度が
内部のエッチングと類似する。冷間圧延の工程を経る場合でも、外部表面と内部は同じ成
分であり、外部表面と内部の結晶構造は同じか、または類似するので、インバー材料自体
だけではエッチング特性を向上させにくいことが分かる。
内部のエッチングと類似する。冷間圧延の工程を経る場合でも、外部表面と内部は同じ成
分であり、外部表面と内部の結晶構造は同じか、または類似するので、インバー材料自体
だけではエッチング特性を向上させにくいことが分かる。
【0291】
一方、実施例１及び２は、エッチングファクターを２．５以上に向上させることができ
る第１及び第２表面層を含むことができる。実施例１の金属表面層は、ベース金属板より
エッチング速度を遅くすることができるクロムを含む二元系合金である。実施例２の金属
表面層は、ベース金属板よりエッチング速度を遅くすることができるクロムを含む三元系
合金である。
る第１及び第２表面層を含むことができる。実施例１の金属表面層は、ベース金属板より
エッチング速度を遅くすることができるクロムを含む二元系合金である。実施例２の金属
表面層は、ベース金属板よりエッチング速度を遅くすることができるクロムを含む三元系
合金である。
【0292】
実施例１及び２による金属表面層は、ベース金属板と異なる元素、例えば、Ｃｒのよう
に耐食性に優れる金属元素を含むことができる。これに伴って、実施例１、２による金属
表面層のエッチング速度は、ベース金属板のエッチング速度より遅いことが分かる。これ
に伴って、実施例による金属板は、微細な貫通孔を形成することができる。
に耐食性に優れる金属元素を含むことができる。これに伴って、実施例１、２による金属
表面層のエッチング速度は、ベース金属板のエッチング速度より遅いことが分かる。これ
に伴って、実施例による金属板は、微細な貫通孔を形成することができる。
【0293】
表面層のエッチング速度は、ベース金属板のエッチング速度より遅いことがある。すな
わち、ベース金属板のエッチング速度は、表面層のエッチング速度より相対的に速いこと
がある。すなわち、金属板のベース層をエッチングするとき、表面層の側面方向（図１８
のＡ１、Ａ２方向）は、エッチング速度が相対的に遅いことがあり、ベース金属板の深さ
方向（図１８のＢ方向）のエッチング速度は、相対的に速いことがある。したがって、実
施例のエッチングファクターを高めることができ、これを通じて微細な貫通孔を形成でき
るようになる。表面層のエッチング速度とベース金属板のエッチング速度は、金属板をエ
ッチングしながら時間当りエッチングされた量を測定して確認することができる。このよ
うな方式で測定して見ると、表面層がエッチングされる時間には、エッチングされた量が
相対的に少なく、ベース金属板がエッチングされる時間には、エッチングされた量が相対
的に多いことを確認することができる。
わち、ベース金属板のエッチング速度は、表面層のエッチング速度より相対的に速いこと
がある。すなわち、金属板のベース層をエッチングするとき、表面層の側面方向（図１８
のＡ１、Ａ２方向）は、エッチング速度が相対的に遅いことがあり、ベース金属板の深さ
方向（図１８のＢ方向）のエッチング速度は、相対的に速いことがある。したがって、実
施例のエッチングファクターを高めることができ、これを通じて微細な貫通孔を形成でき
るようになる。表面層のエッチング速度とベース金属板のエッチング速度は、金属板をエ
ッチングしながら時間当りエッチングされた量を測定して確認することができる。このよ
うな方式で測定して見ると、表面層がエッチングされる時間には、エッチングされた量が
相対的に少なく、ベース金属板がエッチングされる時間には、エッチングされた量が相対
的に多いことを確認することができる。
【0294】
図１８は、実施例１による面孔の断面図である。
【0295】
図１８を参照すると、エッチングファクターが２．５以上のとき、面孔の幅が少なく、
深さ方向にエッチング特性に優れる。また、エッチングファクターが２．５以上のとき、
フォトレジスト層及び隣接した貫通孔の間に位置するブリッジ領域ＢＲの接触面積が広い
ことがあって、フォトレジスト層の脱膜を安定的に防止することができる。これに伴って
、実施例による蒸着マスクを通じて微細な蒸着パターンを形成することができる。
深さ方向にエッチング特性に優れる。また、エッチングファクターが２．５以上のとき、
フォトレジスト層及び隣接した貫通孔の間に位置するブリッジ領域ＢＲの接触面積が広い
ことがあって、フォトレジスト層の脱膜を安定的に防止することができる。これに伴って
、実施例による蒸着マスクを通じて微細な蒸着パターンを形成することができる。
【0296】
図１９は、比較例１による面孔の断面図である。
【0297】
図２０を参照すると、比較例１による面孔は、エッチングファクターが１．７であるの
で、隣接した貫通孔が重畳され得る。または、フォトレジスト層の脱膜現象が発生し得る
。これに伴って、比較例１は、貫通孔の製造収率及び工程効率が低下することが分かる。
で、隣接した貫通孔が重畳され得る。または、フォトレジスト層の脱膜現象が発生し得る
。これに伴って、比較例１は、貫通孔の製造収率及び工程効率が低下することが分かる。
【0298】
実施例による蒸着マスクは、金属板、互いに対向する第１面及び第２面を含むベース金
属板、前記第１面上に配置される第１表面層、及び前記第２面上に配置される第２表面層
を含み、前記金属板は複数の貫通孔を含み、前記金属板のエッチングファクターは２．５
以上であり得る。
属板、前記第１面上に配置される第１表面層、及び前記第２面上に配置される第２表面層
を含み、前記金属板は複数の貫通孔を含み、前記金属板のエッチングファクターは２．５
以上であり得る。
【0299】
実施例による蒸着マスクは、貫通孔を形成する前に、前記ベース金属板上に金属表面層
を配置することができる。これに伴って、前記表面層は、前記貫通孔が配置される領域上
に配置されず、オープンされ得る。
を配置することができる。これに伴って、前記表面層は、前記貫通孔が配置される領域上
に配置されず、オープンされ得る。
【0300】
前記貫通孔の内部領域は、前記表面層と異なる元素を含むことができる。また、前記貫
通孔の内部領域は、前記表面層と同一元素を含んでも、含まれる元素の組成が異なり得る
。これに伴って、金属表面層のエッチング速度を遅くすることができる。
通孔の内部領域は、前記表面層と同一元素を含んでも、含まれる元素の組成が異なり得る
。これに伴って、金属表面層のエッチング速度を遅くすることができる。
【0301】
すなわち、実施例による蒸着マスクは、貫通孔を形成するためのエッチング工程で、金
属表面層よりベース金属板のエッチング速度が速いことがあって、エッチング効率が向上
し、貫通孔の均一性が向上し得る。
属表面層よりベース金属板のエッチング速度が速いことがあって、エッチング効率が向上
し、貫通孔の均一性が向上し得る。
【0302】
また、実施例による蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率に優
れ、蒸着均一性が向上し得る。
れ、蒸着均一性が向上し得る。
【0303】
【0304】
第１実施例の特徴と矛盾する場合を除き、第１及び第２実施例の特徴を結合して適用で
きることは勿論である。前に説明した第１実施例と重複する説明は省略することができる
。同じ構成要素には同じ図面符号を付与することができる。
きることは勿論である。前に説明した第１実施例と重複する説明は省略することができる
。同じ構成要素には同じ図面符号を付与することができる。
【0305】
【0306】
前記ベース金属板１００ａの一面または両面には、金属表面層が配置され得る。
【0307】
前記ベース金属板１００ａの一面には、第１表面層１１０が配置され、前記一面と反対
となる他面には第２表面層１２０が配置され得る。
となる他面には第２表面層１２０が配置され得る。
【0308】
蒸着マスク用金属板は、前記ベース金属板１００ａの両面に前記第１表面層１１０及び
前記第２表面層１２０を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面
層１１０及び前記第２表面層１２０の間にサンドイッチ構造に配置され得る。
前記第２表面層１２０を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面
層１１０及び前記第２表面層１２０の間にサンドイッチ構造に配置され得る。
【0309】
前記ベース金属板１００ａは、前記表面層と互いに異なる物質を含むことができる。前
記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と互いに異なる元素を含むことができ
る。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と互いに異なる元素を含
むことができる。
記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と互いに異なる元素を含むことができ
る。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と互いに異なる元素を含
むことができる。
【0310】
また、前記ベース金属板１００ａは、前記第１、２金属表面層１１０、１２０と互いに
異なる組成比を有し得る。
異なる組成比を有し得る。
【0311】
実施例は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が前記ベース金属板１００
ａと互いに異なる元素を含むことにより、前記第１及び第２表面層の腐食速度を前記ベー
ス金属板より遅くすることができる。すなわち、バルク金属板であるベース金属板１００
ａの腐食速度が金属表面層の腐食速度より速いことがある。これに伴って、実施例による
蒸着マスクのエッチングファクターを増加させることができる。また、実施例による蒸着
マスクは、複数の貫通孔を均一に形成できることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率
を向上させることができる。
ａと互いに異なる元素を含むことにより、前記第１及び第２表面層の腐食速度を前記ベー
ス金属板より遅くすることができる。すなわち、バルク金属板であるベース金属板１００
ａの腐食速度が金属表面層の腐食速度より速いことがある。これに伴って、実施例による
蒸着マスクのエッチングファクターを増加させることができる。また、実施例による蒸着
マスクは、複数の貫通孔を均一に形成できることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率
を向上させることができる。
【0312】
前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇなどの金属原
素の以外にＮｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂなどの１次イオン化エネルギーが４５０ないし８５０ｋ
ｊ／Ｍｏlに該当する多様な元素を含むことができる。
素の以外にＮｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂなどの１次イオン化エネルギーが４５０ないし８５０ｋ
ｊ／Ｍｏlに該当する多様な元素を含むことができる。
【0313】
前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ
、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上
の元素を含むことができる。例えば、前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Si、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ
及びＳｂの中で互いに異なる二つの元素が含まれた二元系層であり得る。例えば、前記表
面層１００ｂ、１００ｃは、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、
Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに
異なる三つの元素が含まれた三元系層であり得る。例えば、前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ
、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに異なる元素を四つ以上含まれた層であり得
ることは勿論である。
、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上
の元素を含むことができる。例えば、前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Si、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ
及びＳｂの中で互いに異なる二つの元素が含まれた二元系層であり得る。例えば、前記表
面層１００ｂ、１００ｃは、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、
Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに
異なる三つの元素が含まれた三元系層であり得る。例えば、前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ
、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに異なる元素を四つ以上含まれた層であり得
ることは勿論である。
【0314】
前記表面層は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎのうち少なくとも一つの元素
を含むことができる。一例として、前記表面層は、金属酸化物層であり得る。このとき、
前記表面層は、ベース金属板の圧延工程後の移送過程で５ｎｍ以下に形成され得る自然酸
化膜ではない、別のスパッタリングなど工程によって形成された表面層であり得る。一例
として、前記表面層は、クロム層またはクロム合金層であり得る。このとき、前記表面層
のクロム含有量（重量％）は、ベース金属層のクロム含有量（重量％）より大きいことが
ある。前記表面層は、蒸着マスクに用いられる金属板表面における腐食速度を遅くするこ
とができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、エッチングファクターが向上し
得る。
を含むことができる。一例として、前記表面層は、金属酸化物層であり得る。このとき、
前記表面層は、ベース金属板の圧延工程後の移送過程で５ｎｍ以下に形成され得る自然酸
化膜ではない、別のスパッタリングなど工程によって形成された表面層であり得る。一例
として、前記表面層は、クロム層またはクロム合金層であり得る。このとき、前記表面層
のクロム含有量（重量％）は、ベース金属層のクロム含有量（重量％）より大きいことが
ある。前記表面層は、蒸着マスクに用いられる金属板表面における腐食速度を遅くするこ
とができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、エッチングファクターが向上し
得る。
【0315】
前記ベース金属板１００ａの厚さは、前記表面層の厚さより大きいことがある。前記ベ
ース金属板１００ａの厚さは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０のうち少
なくとも一つの厚さより大きいことがある。
ース金属板１００ａの厚さは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０のうち少
なくとも一つの厚さより大きいことがある。
【0316】
前記ベース金属板１００ａの厚さは３０μｍ以下であり得る。例えば、前記ベース金属
板１００ａの厚さは１μｍないし３０μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００
ａの厚さは５μｍないし１９．９μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの
厚さは１５μｍないし１９．５μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚
さは１０μｍないし１９．８μｍであり得る。前記ベース金属板１００ａの厚さが３０μ
ｍ超過の場合には、隣接した貫通孔の間の距離（ｐｉｔｃｈ）が増加することがある。こ
れに伴って、高解像度または超高解像度の表示装置を形成する効率が低下することがある
。実施例のベース金属板は、２０μｍ以下の厚さであり得、隣接した貫通孔の間の距離（
ｐｉｔｃｈ）が減少し得る。したがって、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を
提供することに適し得る。すなわち、実施例による蒸着マスクは、インチ当たりピクセル
（ＰＰＩ、ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）が増加できる。
板１００ａの厚さは１μｍないし３０μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００
ａの厚さは５μｍないし１９．９μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの
厚さは１５μｍないし１９．５μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚
さは１０μｍないし１９．８μｍであり得る。前記ベース金属板１００ａの厚さが３０μ
ｍ超過の場合には、隣接した貫通孔の間の距離（ｐｉｔｃｈ）が増加することがある。こ
れに伴って、高解像度または超高解像度の表示装置を形成する効率が低下することがある
。実施例のベース金属板は、２０μｍ以下の厚さであり得、隣接した貫通孔の間の距離（
ｐｉｔｃｈ）が減少し得る。したがって、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を
提供することに適し得る。すなわち、実施例による蒸着マスクは、インチ当たりピクセル
（ＰＰＩ、ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）が増加できる。
【0317】
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する厚さを有し得る。
ここで、対応するということは公差による誤差を含むことであり得る。
ここで、対応するということは公差による誤差を含むことであり得る。
【0318】
前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で０．５ｎｍないし１０００ｎｍ以下で
あり得る。前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で５ｎｍないし８５０ｎｍ以下
の厚さで配置され得る。前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で１０ｎｍないし
６００ｎｍ以下の厚さで配置され得る。
あり得る。前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で５ｎｍないし８５０ｎｍ以下
の厚さで配置され得る。前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で１０ｎｍないし
６００ｎｍ以下の厚さで配置され得る。
【0319】
前記第表面層１１０の厚さは、２０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。例えば、前記第
１表面層１１０の厚さは、２０ｎｍないし５０ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層
１１０の厚さは、２５ｎｍないし３５ｎｍであり得る。
１表面層１１０の厚さは、２０ｎｍないし５０ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層
１１０の厚さは、２５ｎｍないし３５ｎｍであり得る。
【0320】
前記第２表面層１２０の厚さは、２０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。例えば、前記
第２表面層１２０の厚さは、２０ｎｍないし５０ｎｍであり得る。例えば、前記第２表面
層１２０の厚さは、２５ｎｍないし３５ｎｍであり得る。
第２表面層１２０の厚さは、２０ｎｍないし５０ｎｍであり得る。例えば、前記第２表面
層１２０の厚さは、２５ｎｍないし３５ｎｍであり得る。
【0321】
前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、金属表面層によるエッチングファクターの
向上効果が減少し得る。これに伴って、貫通孔の均一性が低下することがある。すなわち
、前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／または幅の偏差が大きい貫通孔
が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によって形成されたパターンの均一
でないことがあって、表示装置の製造効率が低下することがある。
向上効果が減少し得る。これに伴って、貫通孔の均一性が低下することがある。すなわち
、前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／または幅の偏差が大きい貫通孔
が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によって形成されたパターンの均一
でないことがあって、表示装置の製造効率が低下することがある。
【0322】
また、前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、微細なサイズの貫通孔の形成が困難
となり得る。
となり得る。
【0323】
前記表面層の厚さが１μｍ超過の場合には、製造効率が低下することがある。前記ベー
ス金属板１００ａと前記表面層との間の界面は、陽イオンまたは陰イオン性物質を含むこ
とができる。前記ベース金属板１００ａは、酸性エッチング溶液によって２０μｍ以下の
薄い厚さを有し得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの表面には、酸性溶液の
プロトン（Ｈ+）のような陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンを含
むことができる。一例として、前記ベース金属板１００ａと前記表面層との間の界面は、
塩酸、硫酸、リン酸、酢酸のような酸性溶液の解離によるＣｌ－、ＨＳＯ４ －、Ｈ２ＰＯ
４ －、ＣＨ３ＣＯ２ －のいずれか一つのイオンを０．１重量％以下に含むことができる。
但し、酸性溶液は、水洗によって除去され得るので、実質的にプロトン（Ｈ+）のような
陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンは、ほとんど残っていないこと
もある。ここで、実質的にほとんど残っていないということは、プロトン（Ｈ+）のよう
な陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンが０．０１重量％以下に検出
されることを意味することができる。
ス金属板１００ａと前記表面層との間の界面は、陽イオンまたは陰イオン性物質を含むこ
とができる。前記ベース金属板１００ａは、酸性エッチング溶液によって２０μｍ以下の
薄い厚さを有し得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの表面には、酸性溶液の
プロトン（Ｈ+）のような陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンを含
むことができる。一例として、前記ベース金属板１００ａと前記表面層との間の界面は、
塩酸、硫酸、リン酸、酢酸のような酸性溶液の解離によるＣｌ－、ＨＳＯ４ －、Ｈ２ＰＯ
４ －、ＣＨ３ＣＯ２ －のいずれか一つのイオンを０．１重量％以下に含むことができる。
但し、酸性溶液は、水洗によって除去され得るので、実質的にプロトン（Ｈ+）のような
陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンは、ほとんど残っていないこと
もある。ここで、実質的にほとんど残っていないということは、プロトン（Ｈ+）のよう
な陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンが０．０１重量％以下に検出
されることを意味することができる。
【0324】
前記ベース金属板１００ａは、酸性溶液によってエッチング処理された表面を含むこと
ができる。前記ベース金属板１００ａは、圧延された表面を含む金属板より、大きい粗さ
を有し得る。詳しくは、前記ベース金属板１００ａは、圧延されたインバー金属板より算
術平均粗さ（Ｒａ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）の値が大きいことがある。
ができる。前記ベース金属板１００ａは、圧延された表面を含む金属板より、大きい粗さ
を有し得る。詳しくは、前記ベース金属板１００ａは、圧延されたインバー金属板より算
術平均粗さ（Ｒａ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）の値が大きいことがある。
【0325】
前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの
算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ超過であり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表
面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５
０ｎｍ＜Ｒａ＜３００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の
界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ＜Ｒａ
＜２００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定さ
れた前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、７０ｎｍ＜Ｒａ＜１５０ｎｍ
であり得る。
算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ超過であり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表
面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５
０ｎｍ＜Ｒａ＜３００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の
界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ＜Ｒａ
＜２００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定さ
れた前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、７０ｎｍ＜Ｒａ＜１５０ｎｍ
であり得る。
【0326】
前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの
十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ超過であり得る。例えば、前記ベース金属板と前記
表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、
８００ｎｍ＜Ｒｚ＜２５００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層と
の間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎ
ｍ＜Ｒｚ＜２０００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界
面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ＜Ｒｚ
＜１５００ｎｍであり得る。
十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ超過であり得る。例えば、前記ベース金属板と前記
表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、
８００ｎｍ＜Ｒｚ＜２５００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層と
の間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎ
ｍ＜Ｒｚ＜２０００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界
面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ＜Ｒｚ
＜１５００ｎｍであり得る。
【0327】
前記ベース金属板１００ａと直接接触される前記第１表面層１１０の一面の粗さは、蒸
着マスク用金属板の表面を形成する前記第１表面層１１０の前記一面と反対となる他面よ
り大きいことがある。これに伴って、前記ベース金属板１００ａと前記第１表面層１１０
との間の界面は、密着特性に優れる。また、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第
１表面層１１０の他面は、一面より粗さが小さいことがあって、エッチング品質を向上さ
せることができる。
着マスク用金属板の表面を形成する前記第１表面層１１０の前記一面と反対となる他面よ
り大きいことがある。これに伴って、前記ベース金属板１００ａと前記第１表面層１１０
との間の界面は、密着特性に優れる。また、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第
１表面層１１０の他面は、一面より粗さが小さいことがあって、エッチング品質を向上さ
せることができる。
【0328】
前記ベース金属板１００ａと直接接触される前記第２表面層１２０の一面の粗さは、蒸
着マスク用金属板の表面を形成する前記第２表面層１２０の前記一面と反対となる他面よ
り大きいことがある。これに伴って、前記ベース金属板１００ａと前記第２表面層１２０
との間の界面は、密着特性に優れる。また、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第
２表面層１２０の他面は、一面より粗さが小さいことがあって、エッチング品質を向上さ
せることができる。
着マスク用金属板の表面を形成する前記第２表面層１２０の前記一面と反対となる他面よ
り大きいことがある。これに伴って、前記ベース金属板１００ａと前記第２表面層１２０
との間の界面は、密着特性に優れる。また、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第
２表面層１２０の他面は、一面より粗さが小さいことがあって、エッチング品質を向上さ
せることができる。
【0329】
また、前記ベース金属板は、前記貫通孔を形成して表面層を除去することもできる。こ
の場合、前記表面層が除去されたベース金属板の表面で測定された算術平均粗さ（Ｒａ）
は５０ｎｍ超過であり得る。
の場合、前記表面層が除去されたベース金属板の表面で測定された算術平均粗さ（Ｒａ）
は５０ｎｍ超過であり得る。
【0330】
前記蒸着マスク１００は、貫通孔の厚さ方向によって、互いに異なる貫通孔の幅を有し
得る。
得る。
【0331】
図２０を参照すると、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大き
いことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに
向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、
前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少
し得る。
いことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに
向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、
前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少
し得る。
【0332】
前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しく
は、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記
貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から
前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
は、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記
貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から
前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0333】
前記第１面孔Ｖ１と隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記
第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部Ｃ
Ａを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部Ｃ
Ａを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
【0334】
前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４より大きいことがある。
例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある
。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１か
ら前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。例えば、前
記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、
前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通
孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記
連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある
。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が減少し得る。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１か
ら前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。例えば、前
記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、
前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通
孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記
連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0335】
図２１を参照すると、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より小さ
いことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに
向かって行くほど前記貫通孔の幅が増加できる。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、
前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に増加
できる。
いことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに
向かって行くほど前記貫通孔の幅が増加できる。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、
前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に増加
できる。
【0336】
前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しく
は、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記
貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から
前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
は、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記
貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から
前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
【0337】
前記第１面孔Ｖ１と隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記
第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部Ｃ
Ａを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部Ｃ
Ａを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
【0338】
前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４より大きいことがある。
例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より小さいことがある
。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が大きいことがある。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１
０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に増加できる。例え
ば、前記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳し
くは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前
記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２か
ら前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。これに伴っ
て、微細なサイズの蒸着パターンを効率的に形成することができる。
例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より小さいことがある
。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行く
ほど前記貫通孔の幅が大きいことがある。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１
０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に増加できる。例え
ば、前記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳し
くは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前
記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２か
ら前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。これに伴っ
て、微細なサイズの蒸着パターンを効率的に形成することができる。
【0339】
図２０及び図２１を参照すると、実施例による蒸着マスクは、複数の貫通孔を含むこと
ができる。このとき、一つの貫通孔の幅は４０μｍ以下であり得る。例えば、前記貫通孔
の幅は５μｍないし４０μｍであり得る。例えば、前記貫通孔の幅は１０μｍないし３５
μｍであり得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なく
とも一つは、４０μｍ以下の幅を有し得る。前記貫通孔の幅が４０μｍ超過の場合には、
微細な蒸着パターンの形成が困難となり得る。
ができる。このとき、一つの貫通孔の幅は４０μｍ以下であり得る。例えば、前記貫通孔
の幅は５μｍないし４０μｍであり得る。例えば、前記貫通孔の幅は１０μｍないし３５
μｍであり得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なく
とも一つは、４０μｍ以下の幅を有し得る。前記貫通孔の幅が４０μｍ超過の場合には、
微細な蒸着パターンの形成が困難となり得る。
【0340】
前記第１面孔とＶ１隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記
第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４とそれぞれ前記
連結部ＣＡを通じて連通することにより、複数の貫通孔を形成することができる。
第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４とそれぞれ前記
連結部ＣＡを通じて連通することにより、複数の貫通孔を形成することができる。
【0341】
実施例による蒸着マスクは、任意の第１貫通孔及び前記第１貫通孔と隣接した第２貫通
孔との間にブリッジ領域ＢＲを含むことができる。例えば、前記第１面孔Ｖ１及び前記第
３面孔Ｖ３の間の前記第１面１０１には、第１ブリッジ領域ＢＲ１を含むことができ、前
記第２面孔Ｖ１及び前記第４面孔Ｖ４の間の前記第２面１０２には、第２ブリッジ領域Ｂ
Ｒ２を含むことができる。前記第１ブリッジ領域ＢＲ１は、前記第２ブリッジ領域ＢＲ２
の平面積より大きいことがある。前記ブリッジ領域は、複数の貫通孔が一定の間隔で離隔
できるように支持することができる。
孔との間にブリッジ領域ＢＲを含むことができる。例えば、前記第１面孔Ｖ１及び前記第
３面孔Ｖ３の間の前記第１面１０１には、第１ブリッジ領域ＢＲ１を含むことができ、前
記第２面孔Ｖ１及び前記第４面孔Ｖ４の間の前記第２面１０２には、第２ブリッジ領域Ｂ
Ｒ２を含むことができる。前記第１ブリッジ領域ＢＲ１は、前記第２ブリッジ領域ＢＲ２
の平面積より大きいことがある。前記ブリッジ領域は、複数の貫通孔が一定の間隔で離隔
できるように支持することができる。
【0342】
【0343】
蒸着マスクは、互いに対向する第１面及び第２面を含み、前記第１面上の第１面孔Ｖ１
と前記第２面上の第２面孔Ｖ２との間には変曲点Ｐ２を含むことができる。
と前記第２面上の第２面孔Ｖ２との間には変曲点Ｐ２を含むことができる。
【0344】
前記変曲点Ｐ２を基準として、前記第１面孔Ｖ１までの角度と前記第２面孔Ｖ２までの
角度は互いに異なり得る。このとき、変曲点は、連結部ＣＡの終端の任意の地点であり得
る。
角度は互いに異なり得る。このとき、変曲点は、連結部ＣＡの終端の任意の地点であり得
る。
【0345】
図２２を参照すると、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを
連結する蒸着マスクの傾斜角度θ１は、９０度以下であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第
２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が９０度を超過すると、蒸着物
質を収容することが困難であって、蒸着効率が低下することがある。
連結する蒸着マスクの傾斜角度θ１は、９０度以下であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第
２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が９０度を超過すると、蒸着物
質を収容することが困難であって、蒸着効率が低下することがある。
【0346】
前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度θ１
は、２０度ないし７０度の範囲であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の
任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が２０度ないし７０度の範囲であるとき、蒸着の均
一性が向上し得る。
は、２０度ないし７０度の範囲であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の
任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が２０度ないし７０度の範囲であるとき、蒸着の均
一性が向上し得る。
【0347】
例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜
角度は、３０度ないし６０度の範囲であり得る。例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔
Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３２度ないし３８度または５２度
ないし５８度の範囲であり得る。
角度は、３０度ないし６０度の範囲であり得る。例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔
Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３２度ないし３８度または５２度
ないし５８度の範囲であり得る。
【0348】
前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３
との間の傾斜角度は、７０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の
地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、６０度以下で
あり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端
の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、５０度以下であり得る。これに伴って、蒸着物質
をよく収容できる傾斜角度を有し得る。
との間の傾斜角度は、７０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の
地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、６０度以下で
あり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端
の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、５０度以下であり得る。これに伴って、蒸着物質
をよく収容できる傾斜角度を有し得る。
【0349】
前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの
傾斜角度θ２は、９０度超過であり得る。
傾斜角度θ２は、９０度超過であり得る。
【0350】
前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの
傾斜角度θ２は、９０度超過１１０度以下であり得る。
傾斜角度θ２は、９０度超過１１０度以下であり得る。
【0351】
また、前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マ
スクの傾斜角度θ２は、９５度以上１００度以下であり得る。
スクの傾斜角度θ２は、９５度以上１００度以下であり得る。
【0352】
すなわち、蒸着マスクの傾斜角度θ２が１１０度超過の場合には、前記連結部より大幅
の第１面孔はシャドウ領域ＳＡを含むことができる。これに伴って、第１面孔を通じて放
出される蒸着パターンの広がる現象が発生し得る。蒸着マスクの傾斜角度θ２が９０度未
満の場合、マスクを通じて蒸着をさせた後にマスクを除去するとき、蒸着用基板から蒸着
物質が離れることができる。
の第１面孔はシャドウ領域ＳＡを含むことができる。これに伴って、第１面孔を通じて放
出される蒸着パターンの広がる現象が発生し得る。蒸着マスクの傾斜角度θ２が９０度未
満の場合、マスクを通じて蒸着をさせた後にマスクを除去するとき、蒸着用基板から蒸着
物質が離れることができる。
【0353】
実施例による蒸着マスクは、連結領域の幅より蒸着パターンが大きく形成されることに
より、高解像度及び／または超高解像度の表示装置の提供が困難であるという問題を解決
するため、蒸着マスク用金属板の全体厚さを２０μｍ以下に形成することができる。また
、第１面孔の高さＨ１が大きいほど蒸着パターンが広がるので、第１面孔の高さＨ１を５
μｍ以下に形成することができる。例えば、第１面孔の高さＨ１は３μｍ以下であり得る
。一方、前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２は前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１より大きいことがあ
る。また、実施例は、蒸着マスク用金属板に金属表面層を形成してエッチングファクター
を高めることにより、微細な蒸着パターンを形成することができる。
より、高解像度及び／または超高解像度の表示装置の提供が困難であるという問題を解決
するため、蒸着マスク用金属板の全体厚さを２０μｍ以下に形成することができる。また
、第１面孔の高さＨ１が大きいほど蒸着パターンが広がるので、第１面孔の高さＨ１を５
μｍ以下に形成することができる。例えば、第１面孔の高さＨ１は３μｍ以下であり得る
。一方、前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２は前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１より大きいことがあ
る。また、実施例は、蒸着マスク用金属板に金属表面層を形成してエッチングファクター
を高めることにより、微細な蒸着パターンを形成することができる。
【0354】
図２３を参照して、蒸着マスク用金属板が２０μｍ以下に形成されることによる貫通孔
形成の容易性を説明する。
形成の容易性を説明する。
【0355】
図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、蒸着マスク用金属板の厚さＴを変化させた場合に、
エッチングによる貫通孔の形成可否を説明した図である。
エッチングによる貫通孔の形成可否を説明した図である。
【0356】
フォトレジスト層のオープン領域の幅を一定にし、同じ材質の金属板を用いて、同じ時
間の間エッチングさせた場合に、蒸着マスク用金属板の厚さが大きい図２３（ａ）、図２
３（ｂ）では貫通孔が形成されないことが分かる。一方、蒸着マスク用金属板の厚さが小
さい図２３（ｃ）では貫通孔が形成されることが分かる。すなわち、実施例による蒸着マ
スク用金属板は、２０μｍ以下の薄い厚さを有し得、微細なサイズの貫通孔を速く形成す
ることができるので、製造工程が向上し得る。
間の間エッチングさせた場合に、蒸着マスク用金属板の厚さが大きい図２３（ａ）、図２
３（ｂ）では貫通孔が形成されないことが分かる。一方、蒸着マスク用金属板の厚さが小
さい図２３（ｃ）では貫通孔が形成されることが分かる。すなわち、実施例による蒸着マ
スク用金属板は、２０μｍ以下の薄い厚さを有し得、微細なサイズの貫通孔を速く形成す
ることができるので、製造工程が向上し得る。
【0357】
図２４を参照して、エッチングファクターの増加による微細貫通孔形成の容易性を説明
する。
する。
【0358】
図２４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、エッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）を変
化させた場合に、エッチングによる貫通孔の形成可否を説明した図である。図２４（ａ）
、（ｂ）、（ｃ）は、フォトレジスト層のオープン領域の幅を一定にし、同じ材質の金属
板を用いて、エッチングファクターの変化を示した図である。
化させた場合に、エッチングによる貫通孔の形成可否を説明した図である。図２４（ａ）
、（ｂ）、（ｃ）は、フォトレジスト層のオープン領域の幅を一定にし、同じ材質の金属
板を用いて、エッチングファクターの変化を示した図である。
【0359】
図２４（ａ）は、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔
の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が
１：０．５の割合であることにより、エッチングファクターが０．５であることを示した
図である。
の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が
１：０．５の割合であることにより、エッチングファクターが０．５であることを示した
図である。
【0360】
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
【0361】
上記式１で、前記Ｂは、エッチングされた面孔の中心方向の深さであり、前記Ａは、オ
ープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した
一端の幅である。
ープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した
一端の幅である。
【0362】
図２４（ｂ）は、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔
の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が
１：１の割合であることにより、エッチングファクターが１．０であることを示した図で
ある。
の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が
１：１の割合であることにより、エッチングファクターが１．０であることを示した図で
ある。
【0363】
図２４（ｃ）は、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔
の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が
１：２の割合であることにより、エッチングファクターが２．０であることを示した図で
ある。
の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が
１：２の割合であることにより、エッチングファクターが２．０であることを示した図で
ある。
【0364】
図２４（ａ）、図２４（ｂ）、図２４（ｃ）を参照すると、同じ金属板の深さで、エッ
チングファクターが増加するほど微細なサイズの貫通孔が形成されることが分かる。すな
わち、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を製造するための蒸着マスクは、エッ
チングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が増加するべきである。このために、実施例に
よる蒸着マスク用金属板は、ベース金属板上に金属表面層を含むことができる。
チングファクターが増加するほど微細なサイズの貫通孔が形成されることが分かる。すな
わち、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を製造するための蒸着マスクは、エッ
チングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が増加するべきである。このために、実施例に
よる蒸着マスク用金属板は、ベース金属板上に金属表面層を含むことができる。
【0365】
実施例による蒸着マスクのエッチングファクターは１．２以上であり得る。実施例によ
る蒸着マスクのエッチングファクターは１．５以上であり得る。実施例による蒸着マスク
のエッチングファクターは１．６以上であり得る。実施例による蒸着マスクのエッチング
ファクターは２．０以上であり得る。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、解像度
が６００ＰＰＩ以上であり得る。例えば、実施例による蒸着マスクは解像度が７００ＰＰ
Ｉ以上であり得る。例えば、実施例による蒸着マスクは解像度が８００ＰＰＩ以上であり
得る。
る蒸着マスクのエッチングファクターは１．５以上であり得る。実施例による蒸着マスク
のエッチングファクターは１．６以上であり得る。実施例による蒸着マスクのエッチング
ファクターは２．０以上であり得る。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、解像度
が６００ＰＰＩ以上であり得る。例えば、実施例による蒸着マスクは解像度が７００ＰＰ
Ｉ以上であり得る。例えば、実施例による蒸着マスクは解像度が８００ＰＰＩ以上であり
得る。
【0366】
【0367】
実施例による蒸着マスクは、ベース金属板の準備ステップ；前記ベース金属板上に金属
表面層を配置する表面層形成ステップ；前記表面層上にオープンされたフォトレジスト層
を配置するフォトレジスト層形成ステップ；及び前記オープンされたフォトレジスト層と
対応する位置に面孔を形成するエッチングステップ;を含んで製造され得る。
表面層を配置する表面層形成ステップ；前記表面層上にオープンされたフォトレジスト層
を配置するフォトレジスト層形成ステップ；及び前記オープンされたフォトレジスト層と
対応する位置に面孔を形成するエッチングステップ;を含んで製造され得る。
【0368】
先ず、図２５を参照して、金属基板の準備ステップを説明する。金属基板ＭＳは金属物
質を含むことができる。金属基板ＭＳはニッケル合金を含むことができる。例えば、金属
基板ＭＳはニッケルと鉄の合金であり得る。このとき、ニッケルは約３５重量％ないし約
３７重量％であり得、前記鉄は約６３重量％ないし約６５重量％であり得る。一例として
、金属基板ＭＳは、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％、鉄は約６３重量％ない
し約６５重量％、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ
、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上が含まれたインバー（Ｉｎｖａ
ｒ）を含むことができる。
質を含むことができる。金属基板ＭＳはニッケル合金を含むことができる。例えば、金属
基板ＭＳはニッケルと鉄の合金であり得る。このとき、ニッケルは約３５重量％ないし約
３７重量％であり得、前記鉄は約６３重量％ないし約６５重量％であり得る。一例として
、金属基板ＭＳは、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％、鉄は約６３重量％ない
し約６５重量％、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ
、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上が含まれたインバー（Ｉｎｖａ
ｒ）を含むことができる。
【0369】
前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２０μｍ超過であり得る。例えば、前記金属基板ＭＳの
厚さＴｏは３０μｍ以下であり得る。詳しくは、前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２５μｍ
以下であり得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの厚さを２０μｍ以下に製造
することができる。
厚さＴｏは３０μｍ以下であり得る。詳しくは、前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２５μｍ
以下であり得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの厚さを２０μｍ以下に製造
することができる。
【0370】
または、前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２０μｍ以下であり得る。これに伴って、前記
ベース金属板１００ａの厚さを１５μｍ以下に製造することができる。
ベース金属板１００ａの厚さを１５μｍ以下に製造することができる。
【0371】
前記ベース金属板の準備ステップは、多様な厚さ減少ステップを含むことができる。例
えば、前記ベース金属板は、化学的または電気的処理による厚さ減少ステップをさらに含
むことができる。すなわち、前記ベース金属板の準備ステップは、厚さが２０μｍ超過の
前記金属基板ＭＳを、厚さが２０μｍ以下のベース金属板に処理するステップを含むこと
ができる。
えば、前記ベース金属板は、化学的または電気的処理による厚さ減少ステップをさらに含
むことができる。すなわち、前記ベース金属板の準備ステップは、厚さが２０μｍ超過の
前記金属基板ＭＳを、厚さが２０μｍ以下のベース金属板に処理するステップを含むこと
ができる。
【0372】
図２６を参照して、ベース金属板の形成ステップを説明する。
【0373】
前記金属基板ＭＳは、化学的または電気的方法で処理されることによって、前記金属基
板ＭＳより約１５％ないし約２５％範囲程度に厚さが減少し得る。
板ＭＳより約１５％ないし約２５％範囲程度に厚さが減少し得る。
【0374】
前記金属基板ＭＳは、化学的薬品を通じてエッチングされることにより、前記金属基板
ＭＳより厚さが約２０％減少されたベース金属板１００ａを形成することができる。この
とき、前記化学的薬品は酸性溶液であって、多様な有機酸溶液または多様な無機酸溶液で
あり得る。または、前記金属基板ＭＳは、電気的に電解されることにより、前記金属基板
ＭＳより厚さが約２０％減少されたベース金属板１００ａを形成することができる。
ＭＳより厚さが約２０％減少されたベース金属板１００ａを形成することができる。この
とき、前記化学的薬品は酸性溶液であって、多様な有機酸溶液または多様な無機酸溶液で
あり得る。または、前記金属基板ＭＳは、電気的に電解されることにより、前記金属基板
ＭＳより厚さが約２０％減少されたベース金属板１００ａを形成することができる。
【0375】
すなわち、実施例によるベース金属板１００ａは、圧延方式を使用せずに製造され得る
。超高解像度の表示装置を製造するためには、２０μｍ以下の厚さを有するインバーを提
供するべきである。厚い原材料を反復的な圧延工程を通じて、薄いインバーで加工するこ
とができるが、工程の難易度が高く、工程費用が高くなるという問題点がある。このよう
な問題を解決するため、前記化学的または電気的方法でインバーを薄い厚さに加工するこ
とができる。これに伴って、非圧延ベース金属板１００ａの厚さＴ１は２０μｍ以下であ
り得る。例えば、前記非圧延ベース金属板１００ａの厚さＴ１は１５μｍ以下であり得る
。
。超高解像度の表示装置を製造するためには、２０μｍ以下の厚さを有するインバーを提
供するべきである。厚い原材料を反復的な圧延工程を通じて、薄いインバーで加工するこ
とができるが、工程の難易度が高く、工程費用が高くなるという問題点がある。このよう
な問題を解決するため、前記化学的または電気的方法でインバーを薄い厚さに加工するこ
とができる。これに伴って、非圧延ベース金属板１００ａの厚さＴ１は２０μｍ以下であ
り得る。例えば、前記非圧延ベース金属板１００ａの厚さＴ１は１５μｍ以下であり得る
。
【0376】
図２７を参照して、金属表面層形成ステップを説明する。
【0377】
前記ベース金属板１００ａの表面は、前記化学的または電気的処理によって、エッチン
グファクターが低下することがある。すなわち、前記ベース金属板１００ａの表面は、化
学または電気処理で粗さが大きいように変形されることにより、エッチングファクターの
低下を発生させることができる。
グファクターが低下することがある。すなわち、前記ベース金属板１００ａの表面は、化
学または電気処理で粗さが大きいように変形されることにより、エッチングファクターの
低下を発生させることができる。
【0378】
したがって、前記ベース金属板１００ａの一面または両面に金属表面層を形成すること
ができる。例えば、金属板の両面エッチングを通じて、第１面孔及び第２面孔を形成する
場合には、前記ベース金属板１００ａの両面に第１表面層１１０及び第２表面層１２０を
形成することができる。
ができる。例えば、金属板の両面エッチングを通じて、第１面孔及び第２面孔を形成する
場合には、前記ベース金属板１００ａの両面に第１表面層１１０及び第２表面層１２０を
形成することができる。
【0379】
または、図３２のように、金属板の一面のエッチングを通じて第２面孔のみを形成する
場合には、前記ベース金属板１００ａの一面に金属表面層を形成することができる。
場合には、前記ベース金属板１００ａの一面に金属表面層を形成することができる。
【0380】
前記表面層は、エッチングファクターを向上させることができる多様な材料であり得る
。前記表面層は、エッチングファクターを１．２以上に提供するための多様な材料であり
得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．５以上に提供するための多様な材料で
あり得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．６以上に提供するための多様な材
料であり得る。前記表面層は、エッチングファクターを２．０以上に提供するための多様
な材料であり得る。
。前記表面層は、エッチングファクターを１．２以上に提供するための多様な材料であり
得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．５以上に提供するための多様な材料で
あり得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．６以上に提供するための多様な材
料であり得る。前記表面層は、エッチングファクターを２．０以上に提供するための多様
な材料であり得る。
【0381】
前記表面層は１μｍ以下に形成され得る。前記表面層は１００ｎｍ以下に形成され得る
。前記表面層は５０ｎｍ以下に形成され得る。前記表面層は、Ａl、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、Ｍｎのうち少なくとも一つの元素を含むことができる。
。前記表面層は５０ｎｍ以下に形成され得る。前記表面層は、Ａl、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、Ｍｎのうち少なくとも一つの元素を含むことができる。
【0382】
前記第１表面層１１０の厚さＴ２は、１ｎｍないし１００ｎｍであり得る。前記第１表
面層１１０の厚さＴ２は、１ｎｍないし５０ｎｍであり得る。
面層１１０の厚さＴ２は、１ｎｍないし５０ｎｍであり得る。
【0383】
前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、１ｎｍないし１００ｎｍであり得る。前記第２表
面層１２０の厚さＴ３は、１ｎｍないし５０ｎｍであり得る。
面層１２０の厚さＴ３は、１ｎｍないし５０ｎｍであり得る。
【0384】
すなわち、前記表面層は、含まれる元素によってフォトレジスト層との密着力が異なる
ことがあり、エッチングファクターが異なり得る。したがって、金属表面層に含まれる元
素によって、１ｎｍないし１００ｎｍの範囲で多様な最適の厚さを有し得る。
ことがあり、エッチングファクターが異なり得る。したがって、金属表面層に含まれる元
素によって、１ｎｍないし１００ｎｍの範囲で多様な最適の厚さを有し得る。
【0385】
前記表面層は、蒸着、電気メッキ、溶液工程など多様な方法で形成され得る。例えば、
前記表面層は、薄膜形状に形成するために蒸着工程で形成され得る。または、前記表面層
は、蒸着工程より厚く製造するためにメッキによって形成することができる。または、前
記表面層は、ナノまたはマイクロ粒子を含む溶液で処理して形成することができる。また
、前記表面層は、前記ベース金属板を酸化処理して、エッチングファクターを高めること
ができる。
前記表面層は、薄膜形状に形成するために蒸着工程で形成され得る。または、前記表面層
は、蒸着工程より厚く製造するためにメッキによって形成することができる。または、前
記表面層は、ナノまたはマイクロ粒子を含む溶液で処理して形成することができる。また
、前記表面層は、前記ベース金属板を酸化処理して、エッチングファクターを高めること
ができる。
【0386】
図２８を参照して、フォトレジスト層形成ステップを説明する。
【0387】
前記第１表面層１１０上に第１フォトレジスト層Ｐ１配置し、前記第２表面層１２０上
に第２フォトレジスト層Ｐ２を配置することができる。
に第２フォトレジスト層Ｐ２を配置することができる。
【0388】
前記第１表面層１１０上にオープン領域を有する第１フォトレジスト層Ｐ１を配置し、
前記第２表面層１２０上にオープン領域を有する第２フォトレジスト層Ｐ２を配置するこ
とができる。詳しくは、前記第１表面層１００ａ及び前記第２表面層１２０上にそれぞれ
フォトレジスト物質を塗布し、露光及び現像工程によって前記第１フォトレジスト層Ｐ１
、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２をそれぞれ配置することができる。
前記第２表面層１２０上にオープン領域を有する第２フォトレジスト層Ｐ２を配置するこ
とができる。詳しくは、前記第１表面層１００ａ及び前記第２表面層１２０上にそれぞれ
フォトレジスト物質を塗布し、露光及び現像工程によって前記第１フォトレジスト層Ｐ１
、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２をそれぞれ配置することができる。
【0389】
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域の幅
が異なるように配置されることにより、前記第１面１０１上に形成される前記第１面孔Ｖ
１と前記第２面１０２上に形成される前記第２面孔Ｖ２の幅が異なり得る。
が異なるように配置されることにより、前記第１面１０１上に形成される前記第１面孔Ｖ
１と前記第２面１０２上に形成される前記第２面孔Ｖ２の幅が異なり得る。
【0390】
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、蒸着マスク用金
属板に貫通孔を同時に形成するために複数のオープン領域を含むことができる。
属板に貫通孔を同時に形成するために複数のオープン領域を含むことができる。
【0391】
図２９を参照して、面孔形成のためのエッチングステップを説明する。
【0392】
前記第１表面層１１０上には、部分的に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置され得る
。前記第１表面層１１０の上に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置される領域は、貫通
孔が形成されないこともある。すなわち、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、エッチング
工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記
第１フォトレジスト層Ｐ１は、前記第１フォトレジスト層Ｐ１の下部に配置された前記第
１表面層１１０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
。前記第１表面層１１０の上に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置される領域は、貫通
孔が形成されないこともある。すなわち、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、エッチング
工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記
第１フォトレジスト層Ｐ１は、前記第１フォトレジスト層Ｐ１の下部に配置された前記第
１表面層１１０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
【0393】
前記第２表面層１２０上には、部分的に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置され得る
。前記第２表面層１２０上に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置される領域は、貫通孔
が形成されないこともある。すなわち、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、エッチング工
程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記第
２フォトレジスト層Ｐ２は、前記第２フォトレジスト層Ｐ２の下部に配置された前記第２
表面層１２０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
。前記第２表面層１２０上に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置される領域は、貫通孔
が形成されないこともある。すなわち、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、エッチング工
程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記第
２フォトレジスト層Ｐ２は、前記第２フォトレジスト層Ｐ２の下部に配置された前記第２
表面層１２０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
【0394】
一方、前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領
域は、エッチング工程でエッチングが行われ得る。これに伴って、前記第１フォトレジス
ト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域に金属板の貫通孔が形成され
得る。
域は、エッチング工程でエッチングが行われ得る。これに伴って、前記第１フォトレジス
ト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域に金属板の貫通孔が形成され
得る。
【0395】
エッチング工程によって金属板の第１面に前記第１面孔Ｖ１が形成され、前記第１面と
反対となる第２面に前記第２面孔Ｖ２が形成され、前記連結部ＣＡによって前記第１面孔
Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通されることによって貫通孔が形成され得る。
反対となる第２面に前記第２面孔Ｖ２が形成され、前記連結部ＣＡによって前記第１面孔
Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通されることによって貫通孔が形成され得る。
【0396】
例えば、前記エッチング工程は、湿式エッチング工程によって行われ得る。これに伴っ
て、前記第１面１０１及び前記第２面１０２が同時にエッチングされることができ、工程
効率性が向上し得る。一例として、前記湿式エッチング工程は、塩化鉄を含むエッチング
液を用いて約４５℃で行われ得る。このとき、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３５ない
し４５重量％含むことができる。詳しくは、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３６重量％
含むことができる。例えば、ＦｅＣｌ３を４３重量％含んだ前記エッチング液の比重は２
０℃で１．４７であり得る。ＦｅＣｌ３を４１重量％含んだ前記エッチング液の比重は２
０℃で１．４４であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、多様なエッチング液を使
用できることは勿論である。
て、前記第１面１０１及び前記第２面１０２が同時にエッチングされることができ、工程
効率性が向上し得る。一例として、前記湿式エッチング工程は、塩化鉄を含むエッチング
液を用いて約４５℃で行われ得る。このとき、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３５ない
し４５重量％含むことができる。詳しくは、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３６重量％
含むことができる。例えば、ＦｅＣｌ３を４３重量％含んだ前記エッチング液の比重は２
０℃で１．４７であり得る。ＦｅＣｌ３を４１重量％含んだ前記エッチング液の比重は２
０℃で１．４４であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、多様なエッチング液を使
用できることは勿論である。
【0397】
蒸着マスク用金属板は、前記第１表面層１１０、前記ベース金属板１００ａ及び前記第
２表面層１２０を貫通する貫通孔を形成するため、前記第１表面層１１０の下面及び前記
第２表面層１２０の上面にエッチング液が接触され得る。このとき、前記第１表面層１１
０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａよりエッチング液に強い物質
を含むことができ、エッチングファクターを向上させることができる。
２表面層１２０を貫通する貫通孔を形成するため、前記第１表面層１１０の下面及び前記
第２表面層１２０の上面にエッチング液が接触され得る。このとき、前記第１表面層１１
０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａよりエッチング液に強い物質
を含むことができ、エッチングファクターを向上させることができる。
【0398】
図３０を参照して、フォトレジスト層の除去による蒸着マスクの形成ステップを説明す
る。前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２を除去すること
により、前記ベース金属板１００ａ上に第１表面層１１０及び第２表面層１２０が配置さ
れ、複数の貫通孔を有する金属板を形成することができる。
る。前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２を除去すること
により、前記ベース金属板１００ａ上に第１表面層１１０及び第２表面層１２０が配置さ
れ、複数の貫通孔を有する金属板を形成することができる。
【0399】
前記エッチングステップ以後に、下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第
２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．２以上であり得る。
下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔
のエッチングファクターは、１．５以上であり得る。下記式１によって計算された前記第
１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．６
以上であり得る。下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少な
くとも一つの面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．２以上であり得る。
下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔
のエッチングファクターは、１．５以上であり得る。下記式１によって計算された前記第
１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．６
以上であり得る。下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少な
くとも一つの面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
【0400】
蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．２以上であり得る
。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．５以上であり得る
。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る
。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る
。
。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．５以上であり得る
。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る
。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る
。
【0401】
望ましくは、前記第１面孔より大きい前記第２面孔のエッチングファクターは、１．２
以上であり得る。前記第１面孔より大きい前記第２面孔のエッチングファクターは、１．
５以上であり得る。前記第２面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る。前
記第２面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
以上であり得る。前記第１面孔より大きい前記第２面孔のエッチングファクターは、１．
５以上であり得る。前記第２面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る。前
記第２面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
【0402】
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
【0403】
上記式１で、前記Ｂは、エッチングされた面孔の中心方向の深さである。
【0404】
前記Ａは、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心
方向に突出した一端の幅である。
方向に突出した一端の幅である。
【0405】
また、実施例による蒸着マスクは、２０μｍ以下の厚さを有し得る。これに伴って、実
施例による蒸着マスクは、高解像度及び超高解像度の表示装置を提供することができる。
施例による蒸着マスクは、高解像度及び超高解像度の表示装置を提供することができる。
【0406】
実施例による蒸着マスクは、多様な構造を有し得る。
【0407】
実施例による第１面孔の傾斜角度は、多様であり得る。
【0408】
図３１を参照すると、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを
連結する蒸着マスクの傾斜角度θ１は、９０度以下であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第
２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が９０度を超過すると、蒸着物
質を収容することが困難であって、蒸着効率が低下することがある。
連結する蒸着マスクの傾斜角度θ１は、９０度以下であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第
２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が９０度を超過すると、蒸着物
質を収容することが困難であって、蒸着効率が低下することがある。
【0409】
前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度θ１
は、２０度ないし７０度の範囲であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の
任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が２０度ないし７０度の範囲であるとき、蒸着の均
一性が向上し得る。
は、２０度ないし７０度の範囲であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の
任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が２０度ないし７０度の範囲であるとき、蒸着の均
一性が向上し得る。
【0410】
例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜
角度は、３０度ないし６０度の範囲であり得る。例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔
Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３２度ないし３８度または５２度
ないし５８度の範囲であり得る。
角度は、３０度ないし６０度の範囲であり得る。例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔
Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３２度ないし３８度または５２度
ないし５８度の範囲であり得る。
【0411】
前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３
との間の傾斜角度は、７０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の
地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、６０度以下で
あり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端
の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、５０度以下であり得る。これに伴って、蒸着物質
をよく収容できる傾斜角度を有し得る。
との間の傾斜角度は、７０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の
地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、６０度以下で
あり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端
の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、５０度以下であり得る。これに伴って、蒸着物質
をよく収容できる傾斜角度を有し得る。
【0412】
前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの
傾斜角度θ２は、９０度以下であり得る。すなわち、前記連結部の幅は、第１面孔の幅よ
り大きいことがあるので、前記シャドー領域ＳＡを含まないこともある。
傾斜角度θ２は、９０度以下であり得る。すなわち、前記連結部の幅は、第１面孔の幅よ
り大きいことがあるので、前記シャドー領域ＳＡを含まないこともある。
【0413】
これは、蒸着方式に従って異なり得る。図２２の場合、蒸着時の蒸着のための蒸発源（
ＳＯＵＲＣＥ）物質とこのＰ１地点までの蒸着角度が大きいので、Ｐ１地点に蒸着物が附
着する可能性がある場合に容易であり、図３１の実施例の場合、蒸発源（ＳＯＵＲＣＥ）
物質は、金属基板との接着力が低いので、Ｐ１地点で蒸着物質と金属基板が附着しない場
合に容易である。
ＳＯＵＲＣＥ）物質とこのＰ１地点までの蒸着角度が大きいので、Ｐ１地点に蒸着物が附
着する可能性がある場合に容易であり、図３１の実施例の場合、蒸発源（ＳＯＵＲＣＥ）
物質は、金属基板との接着力が低いので、Ｐ１地点で蒸着物質と金属基板が附着しない場
合に容易である。
【0414】
前記第２面を基準に前記変曲点までの角度と前記変曲点を基準に前記第１面孔までの角
度は、それぞれ９０度以下であり得る。このとき、前記第２面を基準に前記変曲点までの
角度は、前記変曲点を基準に前記第１面孔までの角度よりさらに小さいことがある。すな
わち、前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マス
クの傾斜角度θ２は、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連
結する傾斜角度θ１よりさらに大きいことがある。
度は、それぞれ９０度以下であり得る。このとき、前記第２面を基準に前記変曲点までの
角度は、前記変曲点を基準に前記第１面孔までの角度よりさらに小さいことがある。すな
わち、前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マス
クの傾斜角度θ２は、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連
結する傾斜角度θ１よりさらに大きいことがある。
【0415】
一例として、金属表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｏ、Ｔｉのうち少なくと
も一つの元素を含むことができる。例えば、実施例による蒸着マスクの金属板は、インバ
ー金属板上にＣｒ含有の表面層を形成するか、またはＯ含有の表面層を形成することによ
り、表面におけるエッチング速度を遅くすることができ、変曲点と第１面孔との間の傾斜
角度を９０度以下に形成することができる。
も一つの元素を含むことができる。例えば、実施例による蒸着マスクの金属板は、インバ
ー金属板上にＣｒ含有の表面層を形成するか、またはＯ含有の表面層を形成することによ
り、表面におけるエッチング速度を遅くすることができ、変曲点と第１面孔との間の傾斜
角度を９０度以下に形成することができる。
【0416】
前記第２面孔の幅は、前記変曲点の幅より大きく、前記変曲点の幅は、前記第１面孔の
幅より大きいことがある。または、前記第２面孔の幅は、前記変曲点の幅より大きく、前
記変曲点の幅は、前記第１面孔の幅と対応し得る。例えば、前記第１面孔の幅及び前記変
曲点の幅は、０．５：１ないし１：１の割合であり得る。
幅より大きいことがある。または、前記第２面孔の幅は、前記変曲点の幅より大きく、前
記変曲点の幅は、前記第１面孔の幅と対応し得る。例えば、前記第１面孔の幅及び前記変
曲点の幅は、０．５：１ないし１：１の割合であり得る。
【0417】
これに伴って、第１面孔を通じて放出される蒸着パターンが広がる現象を防止すること
ができる。
ができる。
【0418】
実施例による蒸着マスクは、連結部の幅が蒸着パターンの幅と対応するか、または連結
部の幅が蒸着パターンより大きく形成されることにより、高解像度及び／または超高解像
度の表示装置を提供することができる。実施例による蒸着マスクは、解像度が８００ＰＰ
Ｉ以上であり得る。
部の幅が蒸着パターンより大きく形成されることにより、高解像度及び／または超高解像
度の表示装置を提供することができる。実施例による蒸着マスクは、解像度が８００ＰＰ
Ｉ以上であり得る。
【0419】
実施例は、第１面孔を含まないことがある。
【0420】
図３２を参照すると、蒸着マスク用金属板の一面でのみエッチングが行われる場合には
、前記ベース金属板１００ａの一面でのみ第２表面層１２０を含むことができる。これに
伴って、実施例は、第２面孔のみを含む貫通孔を形成することができる。第２面孔は、蒸
着物質を収容できる形態であり、第２面孔の終端と対応する幅に有機物質を蒸着すること
ができるので、蒸着物質が第１面孔の厚さによって、拡散する現象を防止することができ
る。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、蒸着効率を向上させることができる。
、前記ベース金属板１００ａの一面でのみ第２表面層１２０を含むことができる。これに
伴って、実施例は、第２面孔のみを含む貫通孔を形成することができる。第２面孔は、蒸
着物質を収容できる形態であり、第２面孔の終端と対応する幅に有機物質を蒸着すること
ができるので、蒸着物質が第１面孔の厚さによって、拡散する現象を防止することができ
る。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、蒸着効率を向上させることができる。
【0421】
したがって、実施例による蒸着マスクは、高解像度の表示装置を製造することができる
。
。
【0422】
以下、実施例及び比較例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。このような実施例は
、本発明をさらに詳細に説明するために例として提示したものに過ぎない。したがって、
本発明がこのような実施例に限定されるものではない。
、本発明をさらに詳細に説明するために例として提示したものに過ぎない。したがって、
本発明がこのような実施例に限定されるものではない。
【0423】
比較例１は、ベース蒸着マスク用３０μｍ金属板上にフォトレジスト層を配置し、湿式
エッチングして貫通孔を形成した。
エッチングして貫通孔を形成した。
【0424】
比較例２は、比較例１のベース蒸着マスク用３０μｍ金属板を酸性溶液でエッチングし
て２０μｍ以下の厚さに薄く処理されたベース金属板上にフォトレジスト層を配置し、湿
式エッチングして貫通孔を形成した。
て２０μｍ以下の厚さに薄く処理されたベース金属板上にフォトレジスト層を配置し、湿
式エッチングして貫通孔を形成した。
【0425】
実施例１は、比較例２のベース金属板上にＮｉ金属表面層を形成した。Ｎｉ含有の金属
表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
【0426】
実施例２は、比較例２のベース金属板上にＣｒ及びＮｉ金属表面層を形成した。Ｃｒ及
びＮｉの二元系合金を含む金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングし
て貫通孔を形成した。
びＮｉの二元系合金を含む金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングし
て貫通孔を形成した。
【0427】
実施例３は、比較例２のベース金属板上にＦｅ及びＮｉ金属表面層を形成した。Ｆｅ及
びＮｉの二元系合金を含む金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングし
て貫通孔を形成した。
びＮｉの二元系合金を含む金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングし
て貫通孔を形成した。
【0428】
前述したように、湿式エッチングを通じる貫通孔形成の後に表面層は除去され得る。
【0429】
比較例及び実施例のフォトレジスト層のオープン領域の幅、エッチング液の温図及びエ
ッチング液の種類は同じ条件で、エッチングファクターを測定した。
＜実験例１：フォトレジスト層の密着力、エッチングファクター及び貫通孔品質評価＞
ッチング液の種類は同じ条件で、エッチングファクターを測定した。
＜実験例１：フォトレジスト層の密着力、エッチングファクター及び貫通孔品質評価＞
【0430】
【表2】
【0431】
前記表２は、実施例及び比較例のフォトレジスト層の密着力、エッチングファクター及
び貫通孔品質の評価結果を示したものである。
び貫通孔品質の評価結果を示したものである。
【0432】
フォトレジスト層の脱膜が発生しない場合、○で表示した。
【0433】
貫通孔の直径の最大値と最小値のサイズ偏差が±３μｍ以内であるとき、○で表示した
。詳しくは、基準孔と隣接したホールのサイズ偏差が±３μｍ以内であるとき、○で表示
した。
。詳しくは、基準孔と隣接したホールのサイズ偏差が±３μｍ以内であるとき、○で表示
した。
【0434】
前記表２を参照すると、実施例１ないし実施例３の金属表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅの
うち少なくとも一つの元素を含むことによってエッチングファクターが１．２以上に向上
することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングフ
ァクターは、１．５以上に向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例
３の金属表面層のエッチングファクターは、１．６以上に向上することを確認することが
できる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングファクターは、２．０以上に
向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層は、ニッケ
ル層またはニッケル含有二元系合金を含むことにより、エッチングファクターが２．８以
上に向上することを確認することができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、
貫通孔の間隔（ｐｉｔｃｈ）を縮小させることができる。また、実施例による蒸着マスク
は、微細なサイズの貫通孔を優れた品質で形成することができ、これを通じて超高解像度
のＯＬＥＤパネルを製造することができる。
うち少なくとも一つの元素を含むことによってエッチングファクターが１．２以上に向上
することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングフ
ァクターは、１．５以上に向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例
３の金属表面層のエッチングファクターは、１．６以上に向上することを確認することが
できる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングファクターは、２．０以上に
向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層は、ニッケ
ル層またはニッケル含有二元系合金を含むことにより、エッチングファクターが２．８以
上に向上することを確認することができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、
貫通孔の間隔（ｐｉｔｃｈ）を縮小させることができる。また、実施例による蒸着マスク
は、微細なサイズの貫通孔を優れた品質で形成することができ、これを通じて超高解像度
のＯＬＥＤパネルを製造することができる。
【0435】
上述した実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施
例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例に
おいて例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野における通常の知識を有
する者によって他の実施例に対しても組合せまたは変形されて実施可能である。したがっ
て、このような組合せと変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈され
るべきである。
例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例に
おいて例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野における通常の知識を有
する者によって他の実施例に対しても組合せまたは変形されて実施可能である。したがっ
て、このような組合せと変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈され
るべきである。
【0436】
また、以上で実施例を中心に説明したが、これは単なる例示にすぎず、本発明を限定す
るものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質
的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であるこ
とが分かるだろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施する
ことができるものである。そして、このような変形と応用に関係した差異点は、添付した
特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
るものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質
的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であるこ
とが分かるだろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施する
ことができるものである。そして、このような変形と応用に関係した差異点は、添付した
特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】