特許7390363IP Force 特許公報全文掲載

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（関連出願の相互参照）

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

いくつかの実施態様では、各々が外面と内面とを有し、接合部分で接合された第１の層および第２の層を含み、第１の層の内面と第２の層の内面とが第１の層と第２の層との間に密閉チャンバを画定する電気デバイスに関する。電気デバイスは、第１および第２の層のそれぞれの外面上に実装された外部電極と、第１および第２の層のそれぞれの内面上に実装された内部電極とをさらに含む。第１の層は、第１の外部電極、第１・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 直列に実装された第１の金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）素子、ガス放電管（ＧＤＴ）素子および第２のＭＯＶ素子の組み合わせを有するデバイスの側断面図である。
【図2】 図１の例と同様の電気的機能を提供することができるが、構造および／または製造方法を大幅に簡略化することができるＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを示す図である。
【図3】 いくつかの実施形態において、ＧＤＴ／ＭＯＶデバイスは、図２の例と同様に対向する面を有する密閉チャンバを含むことができることを示す図である。
【図4】 図２のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスのより詳細な例を示す図である。
【図5A】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図5B】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図5C】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図5D】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図5E】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図5F】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図5G】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図6】 図２のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスの別のより詳細な例を示す図である。
【図7A】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7B】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7C】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7D】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7E】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7F】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7G】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7H】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図7I】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図8】 図２のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスのさらに別のより詳細な例を示す図である。
【図9A】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9B】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9C】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9D】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9E】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9F】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9G】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9H】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図9I】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図10】 図２のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスのさらに別のより詳細な例を示す図である。
【図11A】 図１０のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図11B】 図１０のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図11C】 図１０のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図11D】 図１０のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図11E】 図１０のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスを製造するために実施され得る例示的なプロセスを示す図である。
【図12A】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12B】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12C】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12D】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12E】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12F】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12G】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図12H】 図４のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13A】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13B】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13C】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13D】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13E】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13F】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13G】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13H】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13I】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図13J】 図６のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図14A】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図14B】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図14C】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図14D】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図14E】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図14F】 図８のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスと同様のＧＤＴ／ＭＯＶデバイスをアレイ形式で製造することができる製造プロセスの様々な段階を示す図である。
【図15】 いくつかの実施形態において、ＧＤＴ／ＭＯＶデバイスは、第１の金属酸化物層と、第２の金属酸化物層と、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層との間に実装された複数のＧＤＴチャンバとを含むことができることを示す図である。
【図16】 いくつかの実施形態において、ＧＤＴ／ＭＯＶデバイスは、互いにガス連通状態にある２つのＧＤＴチャンバを含むことができることを示す図である。
【図17】 いくつかの実施形態において、ＧＤＴ／ＭＯＶデバイスは、一方の面の複数の内部電極と他方の面の複数の内部電極とによって促進されるＧＤＴチャンバを含むことができることを示す図である。
【図18】 いくつかの実施形態において、外部電極機能が複数の電極によって提供され得ることを示す図である。
【図19】 いくつかの実施形態において、ＧＤＴ／ＭＯＶデバイスは、ＧＤＴチャンバと、ＧＤＴチャンバに関連付けられた３つのＭＯＶ要素とを含むことができることを示す図である。
【図20】 いくつかの実施形態において、２つのＧＤＴ／ＭＯＶデバイスが一体的に直列に実装され得ることを示す図である。
【図21】 いくつかの実施形態において、本明細書に記載されているような１つ以上の特徴を有するＧＤＴ／ＭＯＶデバイスが、温度ヒューズと直列に配置され得ることを示す図である。
【図22】 いくつかの実施形態において、本明細書に記載されているような１つ以上の特徴を有するＧＤＴ／ＭＯＶデバイスが、サーマルスイッチと直列に配置され得ることを示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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