(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-22
(45)【発行日】2023-12-01
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H01L 29/786 20060101AFI20231124BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20231124BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20231124BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20231124BHJP
H10K 59/00 20230101ALI20231124BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 618C
H01L29/78 612C
H01L29/78 613B
H01L29/78 618B
G09F9/30 338
H05B33/14 A
H05B33/14 Z
H10K59/00
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2022005921
(22)【出願日】2022-01-18
(62)【分割の表示】P 2020063005の分割
【原出願日】2007-07-19
(65)【公開番号】P2022062072
(43)【公開日】2022-04-19
【審査請求日】2022-01-26
(31)【優先権主張番号】P 2006199292
(32)【優先日】2006-07-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】加藤 瑞季
【審査官】高橋 優斗
(56)【参考文献】
【文献】特開２００３－２９５７９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－００６２４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－１５７２６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－１２３５６７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ１／１３６－１／１３６８
Ｇ０９Ｆ９／３０－９／４６
Ｈ０１Ｌ２１／３３６
Ｈ０１Ｌ２９／７８６
Ｈ０５Ｂ３３／１４
Ｈ１０Ｋ５０／１０
Ｈ１０Ｋ５９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、ＥＬ素子と、容量素子と、を有する画素を備え、前記第１の配線は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第１の配線は、平面視において第１の方向に延伸する領域を有し、且つ、前記第１のトランジスタを介して前記ＥＬ素子に流れる電流を伝達する機能を有し、
前記第２の配線は、平面視において前記第１の方向に延伸する領域を有し、且つ、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第２の配線の信号を前記第１のトランジスタに供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層は、平面視において曲がった形状を有する領域を有し、且つ、前記第１の配線と同じ材料を有する第１の導電層を介して、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の方向と交差する方向にキャリアが流れる領域を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の方向と平行にキャリアが流れる領域を有し、
前記第１の配線は、前記第２の配線と同じ材料を有し、且つ、前記第２の配線よりも配線幅が大きく、
前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第２の導電層は、前記容量素子の一方としての機能を有し、
前記第１の配線は、前記第２の導電層と重なる領域と、前記半導体層と重なる領域と、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域と、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域と、前記容量素子と重なる領域と、を有し、
平面視において、前記第１の配線は、前記第２の配線と前記第１の導電層との間に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項2】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、ＥＬ素子と、容量素子と、を有する画素を備え、前記第１の配線は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第１の配線は、平面視において第１の方向に延伸する領域を有し、且つ、前記第１のトランジスタを介して前記ＥＬ素子に流れる電流を伝達する機能を有し、
前記第２の配線は、平面視において前記第１の方向に延伸する領域を有し、且つ、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、前記第２の配線の信号を前記第１のトランジスタに供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層は、平面視において前記第１の方向に延伸する領域と曲がった形状を有する領域とを有し、且つ、前記第１の配線と同じ材料を有する第１の導電層を介して、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の方向と交差する方向にキャリアが流れる領域を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の方向と平行にキャリアが流れる領域を有し、
前記第１の配線は、前記第２の配線と同じ材料を有し、且つ、前記第２の配線よりも配線幅が大きく、
前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第２の導電層は、前記容量素子の一方としての機能を有し、
前記第１の配線は、前記第２の導電層と重なる領域と、前記半導体層と重なる領域と、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域と、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域と、前記容量素子と重なる領域と、を有し、
平面視において、前記第１の配線は、前記第２の配線と前記第１の導電層との間に位置する領域を有する、表示装置。
【請求項3】
請求項１又は２において、前記半導体層は、多結晶珪素を有する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置、及びマトリクス状に素子が配置された半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、画像表示装置として、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」という。）表示装置等が知られている。こ
れらの表示装置の型式としては、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型とがあ
る。そして、アクティブマトリクス型表示装置は、画素数が増加した場合であっても高速
な動作が可能であるという特徴を有する。
ｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」という。）表示装置等が知られている。こ
れらの表示装置の型式としては、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型とがあ
る。そして、アクティブマトリクス型表示装置は、画素数が増加した場合であっても高速
な動作が可能であるという特徴を有する。
【0003】
アクティブマトリクス型表示装置は、ＴＦＴ、容量素子、配線、画素電極等を同一基板上
に形成するので開口率が減少してしまいやすい。そのため、これらの材料、形状、数、又
は配置等の設計を工夫することによって、開口率を上げる試みがなされている。例えば、
特許文献１においては、比誘電率の高い酸化タンタルを容量素子の誘電体として利用する
ことにより、容量素子の小面積化を図る方法が開示されている。
に形成するので開口率が減少してしまいやすい。そのため、これらの材料、形状、数、又
は配置等の設計を工夫することによって、開口率を上げる試みがなされている。例えば、
特許文献１においては、比誘電率の高い酸化タンタルを容量素子の誘電体として利用する
ことにより、容量素子の小面積化を図る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平１１－３１２８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
一方、開口率を上げる為、比誘電率の高い材料を容量素子に使用する方法は、工程数の増
加につながるという問題がある。
加につながるという問題がある。
【0006】
ここで、工程数を増加させないで開口率を上げる為には開口部の面積を大きくすればよい
。しかし、開口部の面積を大きくするために配線の間に開口部を設けようとすると、開口
部の形状は複雑な形状となる。そして、ＥＬ表示装置において、開口部の形状を複雑な形
状とすると、開口部のエッジ（端部）の長さが大きくなってしまう為、ＥＬ発光部のシュ
リンクが助長されてしまうという問題が生じてしまう。
。しかし、開口部の面積を大きくするために配線の間に開口部を設けようとすると、開口
部の形状は複雑な形状となる。そして、ＥＬ表示装置において、開口部の形状を複雑な形
状とすると、開口部のエッジ（端部）の長さが大きくなってしまう為、ＥＬ発光部のシュ
リンクが助長されてしまうという問題が生じてしまう。
【0007】
ここで、ＥＬ発光部のシュリンクとは、ＥＬ層が物理的に収縮することではなく、ＥＬ素
子の有効面積（ＥＬ素子が発光している部分の面積）が、端部より徐々に収縮していく状
態をいう。
子の有効面積（ＥＬ素子が発光している部分の面積）が、端部より徐々に収縮していく状
態をいう。
【0008】
また、表示装置以外の半導体装置（例えばＤＲＡＭ等）においても、トランジスタと接続
される素子の面積を大きくすることは好ましいことである。
される素子の面積を大きくすることは好ましいことである。
【0009】
そこで、本発明は、開口率の高い表示装置（又は素子の面積の大きい半導体装置）を提供
することを課題とする。
することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本明細書において、ＴＦＴのチャネル形成領域とは、ゲート電極の下にゲート絶縁膜を介
して配置された半導体領域をいう。また、チャネル長とは、チャネル形成領域におけるキ
ャリアが流れる方向の長さをいう。そして、チャネル幅とは、チャネル長方向と垂直方向
のチャネル形成領域の長さをいう。
して配置された半導体領域をいう。また、チャネル長とは、チャネル形成領域におけるキ
ャリアが流れる方向の長さをいう。そして、チャネル幅とは、チャネル長方向と垂直方向
のチャネル形成領域の長さをいう。
【0011】
なお、マルチゲート構造のＴＦＴの場合、チャネル長及びチャネル幅は、一つのチャネル
形成領域ごとの寸法をいうものとする。
形成領域ごとの寸法をいうものとする。
【0012】
また、マルチゲート構造とは、一つのＴＦＴに複数のチャネル形成領域を設けた構造であ
る。一方、シングルゲート構造とは、一つのＴＦＴに一つのチャネル形成領域を設けた構
造である。
る。一方、シングルゲート構造とは、一つのＴＦＴに一つのチャネル形成領域を設けた構
造である。
【0013】
そして、本発明の表示装置は、隣接する画素電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジ
スタと、を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けら
れており、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネ
ル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向と平行な方向であ
ることを特徴とする。
スタと、を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けら
れており、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネ
ル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向と平行な方向であ
ることを特徴とする。
【0014】
本発明の表示装置は、隣接する画素電極の間に設けられた配線と、複数のチャネル形成領
域を有する薄膜トランジスタと、を有し、前記複数のチャネル形成領域は、前記配線の下
方に設けられており、前記複数のチャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられて
おり、前記複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れ
る方向と平行な方向であることを特徴とする。
域を有する薄膜トランジスタと、を有し、前記複数のチャネル形成領域は、前記配線の下
方に設けられており、前記複数のチャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられて
おり、前記複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れ
る方向と平行な方向であることを特徴とする。
【0015】
本発明の表示装置は、隣接する画素電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、
を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており
、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領
域のチャネル幅の方向は、前記配線の形状における長尺方向と平行な方向であることを特
徴とする。
を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており
、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領
域のチャネル幅の方向は、前記配線の形状における長尺方向と平行な方向であることを特
徴とする。
【0016】
本発明の表示装置は、隣接する画素電極の間に設けられた配線と、複数のチャネル形成領
域を有する薄膜トランジスタと、を有し、前記複数のチャネル形成領域は、前記配線の下
方に設けられており、前記複数のチャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられて
おり、前記複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線の形状における長尺
方向と平行な方向であることを特徴とする。
域を有する薄膜トランジスタと、を有し、前記複数のチャネル形成領域は、前記配線の下
方に設けられており、前記複数のチャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられて
おり、前記複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線の形状における長尺
方向と平行な方向であることを特徴とする。
【0017】
本発明の表示装置は、隣接する画素電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、
を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており
、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領
域のチャネル幅の方向は、前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向であること
を特徴とする。
を有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており
、前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領
域のチャネル幅の方向は、前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向であること
を特徴とする。
【0018】
本発明の表示装置は、隣接する画素電極の間に設けられた配線と、複数のチャネル形成領
域を有する薄膜トランジスタと、を有し、前記複数のチャネル形成領域は、前記配線の下
方に設けられており、前記複数のチャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられて
おり、前記複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記画素電極の形状における
長尺方向と平行な方向であることを特徴とする。
域を有する薄膜トランジスタと、を有し、前記複数のチャネル形成領域は、前記配線の下
方に設けられており、前記複数のチャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられて
おり、前記複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記画素電極の形状における
長尺方向と平行な方向であることを特徴とする。
【0019】
本発明の表示装置において、前記薄膜トランジスタは、線形領域で動作することを特徴と
する。
する。
【0020】
トランジスタのゲートとソースの間の電圧をＶｇｓ、トランジスタのソースとドレインの
間の電圧をＶｄｓ、トランジスタの閾値電圧をＶｔｈ、とする。この場合、線形領域は、
｜Ｖｇｓ－Ｖｔｈ｜＞｜Ｖｄｓ｜の関係式が成り立つ範囲をいう。
間の電圧をＶｄｓ、トランジスタの閾値電圧をＶｔｈ、とする。この場合、線形領域は、
｜Ｖｇｓ－Ｖｔｈ｜＞｜Ｖｄｓ｜の関係式が成り立つ範囲をいう。
【0021】
即ち、前記薄膜トランジスタは、ゲートとソースの間電圧（Ｖｇｓ）が、ソースとドレイ
ンの間電圧（Ｖｄｓ）よりもしきい値電圧（Ｖｔｈ）分以上大きい範囲で動作することを
特徴とする。
ンの間電圧（Ｖｄｓ）よりもしきい値電圧（Ｖｔｈ）分以上大きい範囲で動作することを
特徴とする。
【0022】
本発明の表示装置において、前記チャネル形成領域のチャネル幅の長さは、前記チャネル
形成領域のチャネル長の長さよりも大きいことを特徴とする。
形成領域のチャネル長の長さよりも大きいことを特徴とする。
【0023】
本発明の表示装置において、前記チャネル形成領域同士を接続する不純物領域の形状にお
ける長尺方向は、チャネル幅の方向と平行な方向であることを特徴とする。
ける長尺方向は、チャネル幅の方向と平行な方向であることを特徴とする。
【0024】
本発明の表示装置において、前記チャネル形成領域は、非晶質半導体又は多結晶半導体で
あることを特徴とする。
あることを特徴とする。
【0025】
本発明の表示装置において、前記チャネル形成領域は単結晶であることを特徴とする。
【0026】
本発明の表示装置において、前記薄膜トランジスタは、島状半導体層と、ゲート絶縁膜と
、ゲート電極と、を有し、前記島状半導体層は、前記複数のチャネル形成領域と、複数の
不純物領域と、を有し、前記複数のチャネル形成領域上には、ゲート絶縁膜を介してゲー
ト電極が形成されていることを特徴とする。
、ゲート電極と、を有し、前記島状半導体層は、前記複数のチャネル形成領域と、複数の
不純物領域と、を有し、前記複数のチャネル形成領域上には、ゲート絶縁膜を介してゲー
ト電極が形成されていることを特徴とする。
【0027】
本発明の表示装置において、前記配線は、層間絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成さ
れていることを特徴とする。
れていることを特徴とする。
【0028】
本発明の表示装置において、前記島状半導体層と、前記島状半導体層上の前記ゲート絶縁
膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極と、からなる第１の容量と、前記ゲート電極
と、前記ゲート電極上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の前記配線と、からなる第２の
容量が形成されていることを特徴とする。
膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極と、からなる第１の容量と、前記ゲート電極
と、前記ゲート電極上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の前記配線と、からなる第２の
容量が形成されていることを特徴とする。
【0029】
本発明の表示装置において、前記ゲート電極の形状における長尺方向は、前記チャネル幅
の方向であることを特徴とする。
の方向であることを特徴とする。
【0030】
本発明の表示装置において、前記配線は前記画素電極の端部を覆って形成された隔壁（絶
縁物）の下方に形成されていることを特徴とする。
縁物）の下方に形成されていることを特徴とする。
【0031】
本発明の表示装置において、前記薄膜トランジスタのソース端子（領域）又はドレイン端
子（領域）の一方は、前記隣接する画素電極の一方に接続されていることを特徴とする。
子（領域）の一方は、前記隣接する画素電極の一方に接続されていることを特徴とする。
【0032】
本発明の表示装置において、前記薄膜トランジスタのソース端子（領域）又はドレイン端
子（領域）の他方は前記配線と接続されていることを特徴とする。
子（領域）の他方は前記配線と接続されていることを特徴とする。
【0033】
本発明の半導体装置は、隣接する電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、を
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向（又は前記配線の形状におけ
る長尺方向）と平行な方向であることを特徴とする。
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向（又は前記配線の形状におけ
る長尺方向）と平行な方向であることを特徴とする。
【0034】
本発明の半導体装置は、隣接する電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、を
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記電極の形状における長尺方向と平行な方向であることを特徴
とする。
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記電極の形状における長尺方向と平行な方向であることを特徴
とする。
【0035】
本発明の半導体装置は、隣接する素子の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、を
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向（又は前記配線の形状におけ
る長尺方向）と平行な方向であることを特徴とする。
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向（又は前記配線の形状におけ
る長尺方向）と平行な方向であることを特徴とする。
【0036】
本発明の半導体装置は、隣接する素子の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、を
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記素子の形状における長尺方向と平行な方向であることを特徴
とする。
有し、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、前記チャネル形成領域
のチャネル幅の方向は、前記素子の形状における長尺方向と平行な方向であることを特徴
とする。
【0037】
本発明の半導体装置において、前記チャネル形成領域のチャネル幅の長さは、前記チャネ
ル形成領域のチャネル長の長さよりも大きいことを特徴とする。
ル形成領域のチャネル長の長さよりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【0038】
本発明によって、開口率が高い表示装置（又は、素子の面積の大きい半導体装置）を実現
することが可能である。
することが可能である。
【0039】
また、開口率を高くする為に画素電極（又は素子の電極）の形状を複雑な形状にする必要
もなくなる。
もなくなる。
【0040】
さらに、開口率が高くすることにより、素子に対する電流密度が低くなる為、素子の長寿
命化が可能となる。
命化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0041】
【図1】ダブルゲート構造のレイアウト１
【図2】ダブルゲート構造のレイアウト２
【図3】画素の回路図
【図4】ＴＦＴの作製フロー（上面図）
【図5】画素電極及び配線の図（配線形状：直線）
【図6】画素電極及び配線の図（配線形状：ジグザグ）
【図7】画素電極及び配線の図（配線形状：ミアンダ）
【図8】シングルゲート構造のレイアウト１
【図9】シングルゲート構造のレイアウト２
【図10】トリプルゲート構造のレイアウト１
【図11】トリプルゲート構造のレイアウト２
【図14】表示装置の上面図及び断面図
【図15】ＤＲＡＭの回路図
【図16】ＤＲＡＭのレイアウト
【図17】電子機器の例
【発明を実施するための形態】
【0042】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる様
態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0043】
なお、以下の実施の形態１～１１は、適宜組み合わせることが可能である。
【0044】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の表示装置の画素構成とレイアウトについて説明する。なお、
ここでは、２つのＴＦＴから構成される画素について説明する。
本実施の形態では、本発明の表示装置の画素構成とレイアウトについて説明する。なお、
ここでは、２つのＴＦＴから構成される画素について説明する。
【0045】
まず、図３を用いて本発明の表示装置の画素構成について説明する。画素は画素電極に接
続されたＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ３０１）と、容量素子３００と、スイッチング用ＴＦＴ３
０２と、表示素子３０３と、走査線３０５と、信号線３０４と、電源供給線３０６とを有
している。なお、駆動用ＴＦＴ３０１とスイッチング用ＴＦＴ３０２は、２つのチャネル
形成領域を有するダブルゲート構造である。
続されたＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ３０１）と、容量素子３００と、スイッチング用ＴＦＴ３
０２と、表示素子３０３と、走査線３０５と、信号線３０４と、電源供給線３０６とを有
している。なお、駆動用ＴＦＴ３０１とスイッチング用ＴＦＴ３０２は、２つのチャネル
形成領域を有するダブルゲート構造である。
【0046】
なお、駆動用ＴＦＴ３０１は、シングルゲート構造であっても良いし、３つ以上のチャネ
ル形成領域を有するマルチゲート構造であってもよい。
ル形成領域を有するマルチゲート構造であってもよい。
【0047】
スイッチング用ＴＦＴ３０２のソース端子又はドレイン端子の一方は信号線３０４に接続
されている。
されている。
【0048】
スイッチング用ＴＦＴ３０２のゲート端子は走査線３０５に接続されている。
【0049】
スイッチング用ＴＦＴ３０２のソース端子又はドレイン端子の他方は駆動用ＴＦＴ３０１
のゲート端子及び容量素子の電極の一方に電気的に接続されている。
のゲート端子及び容量素子の電極の一方に電気的に接続されている。
【0050】
駆動用ＴＦＴ３０１のソース端子又はドレイン端子の一方は電源供給線３０６に接続され
ている。
ている。
【0051】
駆動用ＴＦＴ３０１のソース端子又はドレイン端子の他方は表示素子３０３に接続されて
いる。
いる。
【0052】
駆動用ＴＦＴ３０１のゲート端子は容量素子の電極の一方及びスイッチング用ＴＦＴ３０
２のソース端子又はドレイン端子の他方に接続されている。
２のソース端子又はドレイン端子の他方に接続されている。
【0053】
容量素子３００の他方の端子は、電源供給線３０６に電気的に接続されている。
【0054】
容量素子３００の一方の端子は、駆動用ＴＦＴのゲート端子及びスイッチング用ＴＦＴ３
０２のソース端子又はドレイン端子の他方と電気的に接続されている。
０２のソース端子又はドレイン端子の他方と電気的に接続されている。
【0055】
次に、画素部のレイアウトについて図１、図２を用いて説明する。図２は図１に対応する
上面図であり、第１の半導体層１０１、第２の半導体層１０２とゲート配線１０５、ゲー
ト電極１００を形成した段階の図である。
上面図であり、第１の半導体層１０１、第２の半導体層１０２とゲート配線１０５、ゲー
ト電極１００を形成した段階の図である。
【0056】
【0057】
破線部６００１で囲まれた部分が駆動用ＴＦＴ３０１に対応する。
【0058】
破線部６０１１で囲まれた部分がスイッチング用ＴＦＴ３０２に対応する。
【0059】
破線部６０１２で囲まれた部分が容量素子３００に対応する。
【0060】
画素電極１０７が表示素子３０３の画素電極に対応する。
【0061】
信号線１０４が信号線３０４に対応する。
【0062】
電源供給線１０６が電源供給線３０６に対応する。
【0063】
図１において、第１の半導体層１０１は、スイッチング用ＴＦＴの島状半導体層である。
ゲート配線１０５と重なる領域がチャネル形成領域、信号線１０４と接続する領域がソー
ス端子（又はドレイン端子）、コンタクトホールを介して接続電極１０３と接続する領域
がドレイン端子（又はソース端子）である。なお、スイッチング用ＴＦＴは、２つのチャ
ネル形成領域を有するダブルゲート構造である。
ゲート配線１０５と重なる領域がチャネル形成領域、信号線１０４と接続する領域がソー
ス端子（又はドレイン端子）、コンタクトホールを介して接続電極１０３と接続する領域
がドレイン端子（又はソース端子）である。なお、スイッチング用ＴＦＴは、２つのチャ
ネル形成領域を有するダブルゲート構造である。
【0064】
なお、スイッチング用ＴＦＴは、シングルゲート構造であっても良いし、３つ以上のチャ
ネル形成領域を有するマルチゲート構造であってもよい。
ネル形成領域を有するマルチゲート構造であってもよい。
【0065】
また、第２の半導体層１０２は表示素子を駆動する駆動用ＴＦＴ３０１の島状半導体層で
ある。そして、ゲート電極１００と重なる領域がチャネル形成領域である。そして、駆動
用ＴＦＴ３０１のゲート電極は、コンタクトホールを介して接続電極１０３と接続してい
る。さらに、駆動用ＴＦＴ３０１のソース端子（又はドレイン端子）と電源供給線１０６
とがコンタクトホールを介して接続されている。駆動用ＴＦＴ３０１のドレイン端子（又
はソース端子）と接続電極１０８とがコンタクトホールを介して接続されている。また、
該接続電極１０８と接して画素電極１０７が形成されている。
ある。そして、ゲート電極１００と重なる領域がチャネル形成領域である。そして、駆動
用ＴＦＴ３０１のゲート電極は、コンタクトホールを介して接続電極１０３と接続してい
る。さらに、駆動用ＴＦＴ３０１のソース端子（又はドレイン端子）と電源供給線１０６
とがコンタクトホールを介して接続されている。駆動用ＴＦＴ３０１のドレイン端子（又
はソース端子）と接続電極１０８とがコンタクトホールを介して接続されている。また、
該接続電極１０８と接して画素電極１０７が形成されている。
【0066】
また、第２の半導体層１０２のうち、ゲート電極１００とゲート絶縁膜を介して重なるチ
ャネル形成領域の上方には、電源供給線１０６が配置されている。このゲート電極１００
と電源供給線１０６との間で形成される容量は、表示素子の保持容量として利用すること
ができる。
ャネル形成領域の上方には、電源供給線１０６が配置されている。このゲート電極１００
と電源供給線１０６との間で形成される容量は、表示素子の保持容量として利用すること
ができる。
【0067】
ゲート電極１００と電源供給線１０６との間には層間絶縁膜が挟まれている。
【0068】
また、ゲート電極１００が容量素子の電極の一方となり、電源供給線のうちゲート電極と
重なる部分が容量素子の電極の他方となる。
重なる部分が容量素子の電極の他方となる。
【0069】
また、表示素子の電極のショート防止の為、発光エリア以外の領域を隔壁（絶縁物）で覆
っている。隣り合って隣接する左右の画素間に設けられる隔壁の幅は、例えば、２０μｍ
～２５μｍ程度である。本実施の形態においては、幅２０μｍの隔壁の下（即ち、隣接す
る画素電極の間）に信号線１０４と電源供給線１０６を配置する。
っている。隣り合って隣接する左右の画素間に設けられる隔壁の幅は、例えば、２０μｍ
～２５μｍ程度である。本実施の形態においては、幅２０μｍの隔壁の下（即ち、隣接す
る画素電極の間）に信号線１０４と電源供給線１０６を配置する。
【0070】
なお、本実施の形態においては、電源供給線１０６の長尺方向と画素電極の形状における
長尺方向（画素電極の長尺方向）とが平行になるように配置する。さらに、電源供給線１
０６の下方に駆動用ＴＦＴを重なるように配置する。そして、チャネル幅の方向を該長尺
方向と平行に配置する。
長尺方向（画素電極の長尺方向）とが平行になるように配置する。さらに、電源供給線１
０６の下方に駆動用ＴＦＴを重なるように配置する。そして、チャネル幅の方向を該長尺
方向と平行に配置する。
【0071】
しかし、本願発明は、常に画素電極の形状における長尺方向と平行に電源供給線１０６を
配置し、且つ駆動用ＴＦＴ３０１を電源供給線１０６の下方に配置する必要はない。
配置し、且つ駆動用ＴＦＴ３０１を電源供給線１０６の下方に配置する必要はない。
【0072】
したがって、信号線１０４を画素電極の形状における長尺方向と平行に配置した場合は、
信号線１０４の下方に重なるように駆動用ＴＦＴ３０１を配置しても良い。
信号線１０４の下方に重なるように駆動用ＴＦＴ３０１を配置しても良い。
【0073】
また、画素電極の形状が、正方形、略正方形（例えば、正方形の角に切欠部を設けた形状
、又は、正方形の角が丸くなっている形状（角の全てが丸くなっている必要はない。一部
の角のみ丸くてもよい。）等）、円形等のように長尺方向が存在しない場合は、電源供給
線１０６又は信号線１０４のどちらの下方に駆動用ＴＦＴ３０１を配置しても問題はない
。
、又は、正方形の角が丸くなっている形状（角の全てが丸くなっている必要はない。一部
の角のみ丸くてもよい。）等）、円形等のように長尺方向が存在しない場合は、電源供給
線１０６又は信号線１０４のどちらの下方に駆動用ＴＦＴ３０１を配置しても問題はない
。
【0074】
なお、画素電極の形状には、長方形、又は略長方形（例えば、長方形の角に切欠き部を設
けた形状、又は、長方形の角の形状が丸くなっている形状（角の全てが丸くなっている必
要はない。一部の角のみ丸くてもよい。））、楕円形、多角形、略多角形（例えば、多角
形の角に切欠部を設けた形状、又は、多角の角の形状が丸くなっている形状（角の全てが
丸くなっている必要はない。一部の角のみ丸くてもよい。））等のさまざまな形状が考え
られる。なお、画素電極の形状は、これら例示された形状に限定されない。なお、画素電
極の形状が長方形又は略長方形である場合、配線を格子状に配置しやすいので、レイアウ
トの設計がしやすくなり好ましい。
けた形状、又は、長方形の角の形状が丸くなっている形状（角の全てが丸くなっている必
要はない。一部の角のみ丸くてもよい。））、楕円形、多角形、略多角形（例えば、多角
形の角に切欠部を設けた形状、又は、多角の角の形状が丸くなっている形状（角の全てが
丸くなっている必要はない。一部の角のみ丸くてもよい。））等のさまざまな形状が考え
られる。なお、画素電極の形状は、これら例示された形状に限定されない。なお、画素電
極の形状が長方形又は略長方形である場合、配線を格子状に配置しやすいので、レイアウ
トの設計がしやすくなり好ましい。
【0075】
また、画素電極の大きさが画素ごとに異なっていてもよい。さらに、画素電極の形状が画
素ごとに異なっていても良い。
素ごとに異なっていても良い。
【0076】
また、要求されるチャネル幅の長さが画素電極の形状における短尺方向の長さよりも短い
場合は、該短尺方向と平行に配置された配線の下方に重なるように駆動用ＴＦＴ３０１を
配置しても良い。
場合は、該短尺方向と平行に配置された配線の下方に重なるように駆動用ＴＦＴ３０１を
配置しても良い。
【0077】
また、電源供給線１０６の一部が、画素電極の上方又は下方に配置されていても良い。こ
のような配置とした場合、駆動用ＴＦＴ３０１のゲート電極を、電源供給線１０６の一部
と重なり合うように配置する。
のような配置とした場合、駆動用ＴＦＴ３０１のゲート電極を、電源供給線１０６の一部
と重なり合うように配置する。
【0078】
なお、駆動用ＴＦＴ３０１のチャネル幅の方向は、配線の形状における長尺方向（配線の
長尺方向）と平行な方向にする。これにより、チャネル幅の長さを大きくすることが可能
だからである。また、配線は隣接する画素電極の間に配置する為、配線の形状における長
尺方向（配線の長尺方向）は、画素電極の長尺方向又は短尺方向と平行な方向とすること
により開口率を上げることができる。
長尺方向）と平行な方向にする。これにより、チャネル幅の長さを大きくすることが可能
だからである。また、配線は隣接する画素電極の間に配置する為、配線の形状における長
尺方向（配線の長尺方向）は、画素電極の長尺方向又は短尺方向と平行な方向とすること
により開口率を上げることができる。
【0079】
なお、通常は配線の長尺方向に電流を流す為、チャネル幅の方向は、チャネル形成領域の
上方に配置された配線において電流が流れる方向と平行な方向であるともいえる。
上方に配置された配線において電流が流れる方向と平行な方向であるともいえる。
【0080】
また、本実施の形態では、線形領域で動作する場合である。チャネル長Ｌ、チャネル幅Ｗ
とすると、駆動用ＴＦＴはＬ＜Ｗのダブルゲート構造としている。ここでは、駆動用ＴＦ
ＴはＬ＝７μｍ、Ｗ＝２０μｍ程度のダブルゲート構造とする。そして、画素のレイアウ
トを行う際に、幅２０μｍ隔壁の下に配線を配置し、且つ配線の下に駆動用ＴＦＴを配置
することによって、駆動用ＴＦＴのサイズが大きくなっても開口率を上げることができる
。
とすると、駆動用ＴＦＴはＬ＜Ｗのダブルゲート構造としている。ここでは、駆動用ＴＦ
ＴはＬ＝７μｍ、Ｗ＝２０μｍ程度のダブルゲート構造とする。そして、画素のレイアウ
トを行う際に、幅２０μｍ隔壁の下に配線を配置し、且つ配線の下に駆動用ＴＦＴを配置
することによって、駆動用ＴＦＴのサイズが大きくなっても開口率を上げることができる
。
【0081】
本実施の形態では、半導体層をゲート電極１００に対してコの字型に折り曲げるようにパ
ターニングする（図１、図２ 破線部６００１）。これにより、チャネル幅の方向を画素
電極の形状における長尺方向と平行に配置することができる（図１、図２ 矢印７００１
）。
ターニングする（図１、図２ 破線部６００１）。これにより、チャネル幅の方向を画素
電極の形状における長尺方向と平行に配置することができる（図１、図２ 矢印７００１
）。
【0082】
なお、チャネル形成領域同士を接続する不純物領域の形状における長尺方向を、チャネル
幅の方向と平行な方向とすることが好ましい。これにより、画素電極間の狭いスペース（
隣接する画素電極の間のスペース）に可能な限り大きなサイズのＴＦＴを配置できる為、
開口率の増加が望めるからである。さらに、該不純物領域においては該不純物領域の形状
における長尺方向に電流が流れる為、該不純物領域の抵抗値を上げることができる。した
がって、オフ電流を低減することができる。
幅の方向と平行な方向とすることが好ましい。これにより、画素電極間の狭いスペース（
隣接する画素電極の間のスペース）に可能な限り大きなサイズのＴＦＴを配置できる為、
開口率の増加が望めるからである。さらに、該不純物領域においては該不純物領域の形状
における長尺方向に電流が流れる為、該不純物領域の抵抗値を上げることができる。した
がって、オフ電流を低減することができる。
【0083】
但し、本発明は、チャネル幅の方向が画素電極の長尺方向と垂直方向になれば、該長尺方
向の長さ分までチャネル幅を増やすことができる。したがって、ＴＦＴの島状半導体層の
形状は、本実施の形態のようにコの字型形状に限定されない。
向の長さ分までチャネル幅を増やすことができる。したがって、ＴＦＴの島状半導体層の
形状は、本実施の形態のようにコの字型形状に限定されない。
【0084】
なお、容量素子３００は、第２の半導体層１０２と、ゲート電極１００と、第２の半導体
層１０２とゲート電極１００の間に形成されるゲート絶縁膜（第１の保持容量）及び、ゲ
ート電極１００と、電源供給線１０６と、ゲート電極１００と電源供給線１０６の間に形
成される層間絶縁膜（第２の保持容量）で形成することができる。
層１０２とゲート電極１００の間に形成されるゲート絶縁膜（第１の保持容量）及び、ゲ
ート電極１００と、電源供給線１０６と、ゲート電極１００と電源供給線１０６の間に形
成される層間絶縁膜（第２の保持容量）で形成することができる。
【0085】
そして、この場合、破線部６０１２において、ゲート電極１００と、第２の半導体層１０
２と、ゲート電極２の半導体層１０２との間に形成されたゲート絶縁膜と、で保持容量を
形成することとなる。したがって、破線部６０１２におけるゲート電極の面積を大きくす
ることで、保持容量の大きさも大きくすることができる。
２と、ゲート電極２の半導体層１０２との間に形成されたゲート絶縁膜と、で保持容量を
形成することとなる。したがって、破線部６０１２におけるゲート電極の面積を大きくす
ることで、保持容量の大きさも大きくすることができる。
【0086】
上記構成によって、画素電極間の狭いスペース（隣接する画素電極の間のスペース）に可
能な限り大きなサイズのＴＦＴ（特に、チャネル幅が大きいサイズのＴＦＴ）を配置でき
る。したがって、開口率の増加が可能となる。
能な限り大きなサイズのＴＦＴ（特に、チャネル幅が大きいサイズのＴＦＴ）を配置でき
る。したがって、開口率の増加が可能となる。
【0087】
なお、ＴＦＴは非常に小さなサイズであるため、ゲート絶縁膜の膜厚のばらつき又は膜質
のばらつき、イオンドーピング処理時の注入ドーズ量のばらつき等によって、電気的特性
がばらつきやすいという問題がある。
のばらつき、イオンドーピング処理時の注入ドーズ量のばらつき等によって、電気的特性
がばらつきやすいという問題がある。
【0088】
特に、ＴＦＴの半導体として非晶質珪素、微結晶珪素、又は多結晶珪素を用いた場合、半
導体の結晶性に起因したＴＦＴの特性（例えば、オン電流、オフ電流、閾値電圧、移動度
等）のばらつきが生じてしまう。特に、画素に接続されたＴＦＴの特性のばらついた場合
、画素に供給される電流（又は電圧）がばらつく為、表示装置の視認性が悪化してしまう
という問題がある。
導体の結晶性に起因したＴＦＴの特性（例えば、オン電流、オフ電流、閾値電圧、移動度
等）のばらつきが生じてしまう。特に、画素に接続されたＴＦＴの特性のばらついた場合
、画素に供給される電流（又は電圧）がばらつく為、表示装置の視認性が悪化してしまう
という問題がある。
【0089】
そこで、上記問題を解決するため、マルチゲート構造を採用する方法があるが、マルチゲ
ート構造のＴＦＴは、シングルゲート構造のＴＦＴと比較して、面積が大きくなってしま
う。したがって、ＴＦＴの電気的特性のばらつきを低減する為にマルチゲート構造のＴＦ
Ｔを採用すると開口率が低下してしまう。しかし、本発明の構成を適用することにより、
ＴＦＴの特性のばらつき低減と、開口率の上昇の両方を実現することが可能となる。
ート構造のＴＦＴは、シングルゲート構造のＴＦＴと比較して、面積が大きくなってしま
う。したがって、ＴＦＴの電気的特性のばらつきを低減する為にマルチゲート構造のＴＦ
Ｔを採用すると開口率が低下してしまう。しかし、本発明の構成を適用することにより、
ＴＦＴの特性のばらつき低減と、開口率の上昇の両方を実現することが可能となる。
【0090】
ここで、本実施の形態では、駆動用ＴＦＴを線形領域で動作させるいわゆる定電圧駆動方
式の一例を説明した。そこで、定電圧駆動方式について以下説明する。
式の一例を説明した。そこで、定電圧駆動方式について以下説明する。
【0091】
ＴＦＴは、飽和領域で動作させる場合と線形領域で動作させる場合とがある。トランジス
タのゲートとソースの間の電圧をＶｇｓ、トランジスタのソースとドレインの間の電圧を
Ｖｄｓ、トランジスタの閾値電圧をＶｔｈ、とする。この場合、飽和領域は、｜Ｖｇｓ－
Ｖｔｈ｜＜｜Ｖｄｓ｜の関係式が成り立つ範囲をいう。一方、線形領域は、｜Ｖｇｓ－Ｖ
ｔｈ｜＞｜Ｖｄｓ｜の関係式が成り立つ範囲をいう。
タのゲートとソースの間の電圧をＶｇｓ、トランジスタのソースとドレインの間の電圧を
Ｖｄｓ、トランジスタの閾値電圧をＶｔｈ、とする。この場合、飽和領域は、｜Ｖｇｓ－
Ｖｔｈ｜＜｜Ｖｄｓ｜の関係式が成り立つ範囲をいう。一方、線形領域は、｜Ｖｇｓ－Ｖ
ｔｈ｜＞｜Ｖｄｓ｜の関係式が成り立つ範囲をいう。
【0092】
そして、ＥＬ素子の画素電極に接続されたＴＦＴ（以下「駆動用ＴＦＴ」という）を飽和
領域で動作させることによって、表示素子に一定の電流を流す方式を定電流駆動方式とい
う。
領域で動作させることによって、表示素子に一定の電流を流す方式を定電流駆動方式とい
う。
【0093】
定電流駆動方式は、一定の電流をＥＬ素子に流し続けることができる為、表示素子の劣化
によるばらつきを低減することができる。しかし、定電流駆動方式は、駆動用ＴＦＴが劣
化すると、該駆動用ＴＦＴに流れる電流も減少してしまう。したがって、ＴＦＴのばらつ
きは、表示素子の輝度のばらつきに影響を与えやすい。
によるばらつきを低減することができる。しかし、定電流駆動方式は、駆動用ＴＦＴが劣
化すると、該駆動用ＴＦＴに流れる電流も減少してしまう。したがって、ＴＦＴのばらつ
きは、表示素子の輝度のばらつきに影響を与えやすい。
【0094】
一方、駆動用ＴＦＴを線形領域で動作させることによって、一定の電圧をＥＬ素子に印加
する方式を定電圧駆動方式という。
する方式を定電圧駆動方式という。
【0095】
定電圧駆動方式は、線形領域で動作する為、ソースとドレインの間の電圧を表示素子の両
電極間の電圧と比較して低くすることができる。その為、駆動用ＴＦＴのばらつきのＥＬ
素子に流れる電流に対する影響を低減することができる。したがって、ＴＦＴの劣化のば
らつきは、表示素子の輝度のばらつきに影響を与えにくい。
電極間の電圧と比較して低くすることができる。その為、駆動用ＴＦＴのばらつきのＥＬ
素子に流れる電流に対する影響を低減することができる。したがって、ＴＦＴの劣化のば
らつきは、表示素子の輝度のばらつきに影響を与えにくい。
【0096】
しかし、駆動用ＴＦＴを線形領域で動作させたとしても、ＴＦＴの半導体層として非晶質
珪素、微結晶珪素、多結晶珪素等を使用した場合、基板面内における結晶性のばらつきの
影響を無視することができない。
珪素、微結晶珪素、多結晶珪素等を使用した場合、基板面内における結晶性のばらつきの
影響を無視することができない。
【0097】
そこで、駆動用ＴＦＴのばらつきを抑えるために、駆動用ＴＦＴのチャネル形成領域の面
積を大きくすることが好ましい。即ち、チャネル長とチャネル幅を大きくすることが好ま
しい。
積を大きくすることが好ましい。即ち、チャネル長とチャネル幅を大きくすることが好ま
しい。
【0098】
また、チャネル幅が長いほど、ソースとドレインの間の電圧を低くすることができる。さ
らに、チャネル長が短いほどソースとドレイン間の電圧を低くすることができる。よって
、チャネル幅は、チャネル長よりも長いことが好ましい。
らに、チャネル長が短いほどソースとドレイン間の電圧を低くすることができる。よって
、チャネル幅は、チャネル長よりも長いことが好ましい。
【0099】
したがって、ＴＦＴを線形領域で動作させる場合、駆動用ＴＦＴのチャネル形成領域の面
積を増大させる為には、チャネル幅を長くすることが好ましい。
積を増大させる為には、チャネル幅を長くすることが好ましい。
【0100】
ここで、一般的には、チャネル形成領域の面積を増大させることにより、表示装置の開口
率は低下してしまう傾向がある。つまり、ＴＦＴの特性のばらつき低減を図った場合、開
口率が低下してしまう。即ち、一般的には、ＴＦＴの特性のばらつき低減と、開口率の上
昇の両方を同時に実現することは非常に困難である。本実施の形態のようにマルチゲート
構造のＴＦＴのチャネル形成領域の面積を増大させた場合、このことは特に顕著になる。
率は低下してしまう傾向がある。つまり、ＴＦＴの特性のばらつき低減を図った場合、開
口率が低下してしまう。即ち、一般的には、ＴＦＴの特性のばらつき低減と、開口率の上
昇の両方を同時に実現することは非常に困難である。本実施の形態のようにマルチゲート
構造のＴＦＴのチャネル形成領域の面積を増大させた場合、このことは特に顕著になる。
【0101】
しかし、本実施の形態の構成を適用することにより、ＴＦＴの特性のばらつき低減と、開
口率の上昇の両方を同時に実現することが可能となる。
口率の上昇の両方を同時に実現することが可能となる。
【0102】
また、開口率を上げることは、消費電力の減少、及び表示素子の信頼性の向上になる。即
ち、一定の輝度が要求される場合、開口率が大きければ少ない電流（又は電圧）で要求さ
れる輝度をえることができるからである。そして、表示素子に供給される電流（又は電圧
）が少なければ、表示素子の劣化速度は減少されるからである。
ち、一定の輝度が要求される場合、開口率が大きければ少ない電流（又は電圧）で要求さ
れる輝度をえることができるからである。そして、表示素子に供給される電流（又は電圧
）が少なければ、表示素子の劣化速度は減少されるからである。
【0103】
また、表示素子の劣化速度も表示素子ごとにばらつきが生じる。したがって、開口率を上
げて表示素子の劣化速度を減少させた場合、表示素子の輝度劣化のばらつきも低減できる
。よって、ＴＦＴの特性のばらつき低減と開口率増加によるばらつき低減の相乗効果によ
り、表示装置の視認性を上げることができる。
げて表示素子の劣化速度を減少させた場合、表示素子の輝度劣化のばらつきも低減できる
。よって、ＴＦＴの特性のばらつき低減と開口率増加によるばらつき低減の相乗効果によ
り、表示装置の視認性を上げることができる。
【0104】
なお、マルチゲート構造のＴＦＴは、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる。した
がって、ＴＦＴの半導体が、非単結晶であっても、単結晶であっても、マルチゲート構造
のＴＦＴを採用することは好ましいことである。
がって、ＴＦＴの半導体が、非単結晶であっても、単結晶であっても、マルチゲート構造
のＴＦＴを採用することは好ましいことである。
【0105】
また、本実施の形態のように、駆動トランジスタと、該駆動トランジスタに接続されるス
イッチングトランジスタと、をともに配線（信号線又は電源供給線）の下方に配置し、ス
イッチングトランジスタのチャネル長の方向と、駆動トランジスタのチャネル長の方向と
を垂直方向に配置し、駆動トランジスタのチャネル幅の方向を該配線において電流の流れ
る方向とすることによって、開口率を上昇させることができる。
イッチングトランジスタと、をともに配線（信号線又は電源供給線）の下方に配置し、ス
イッチングトランジスタのチャネル長の方向と、駆動トランジスタのチャネル長の方向と
を垂直方向に配置し、駆動トランジスタのチャネル幅の方向を該配線において電流の流れ
る方向とすることによって、開口率を上昇させることができる。
【0106】
【0107】
「配線の形状における長尺方向」（「チャネル幅の方向」）は、「（前述した）チャネル
形成領域の上方に配置された配線において電流が流れる方向と平行な方向」である。なお
、後述のジグザグ形状又はミアンダ形状の配線の場合、必ずしも配線において電流が直線
方向に流れるわけではない。この場合、「配線の形状における長尺方向」（「チャネル幅
の方向」）は、「チャネル形成領域の上方に配置された配線領域において電流が流れる方
向と略平行な方向」とする。
形成領域の上方に配置された配線において電流が流れる方向と平行な方向」である。なお
、後述のジグザグ形状又はミアンダ形状の配線の場合、必ずしも配線において電流が直線
方向に流れるわけではない。この場合、「配線の形状における長尺方向」（「チャネル幅
の方向」）は、「チャネル形成領域の上方に配置された配線領域において電流が流れる方
向と略平行な方向」とする。
【0108】
ここで、配線の形状は、必ずしも図５のように直線である必要はない。例えば、図６のよ
うに、第１の配線５０１、５０２のようにジグザグ形状としてもよい。また、図７のよう
に、第１の配線５０１、５０２のようにミアンダ形状としても良い。
うに、第１の配線５０１、５０２のようにジグザグ形状としてもよい。また、図７のよう
に、第１の配線５０１、５０２のようにミアンダ形状としても良い。
【0109】
なお、図５、図６、図７は、配線と画素電極の配置を表す模式図である。したがって、Ｔ
ＦＴは図示していない。５０１～５０４は第１の配線であり、６０１、６０２は第２の配
線であり、７０１～７０７は画素電極である。なお、第１の配線及び第２の配線は、一方
がソース信号線であり、他方が電源供給線である。
ＦＴは図示していない。５０１～５０４は第１の配線であり、６０１、６０２は第２の配
線であり、７０１～７０７は画素電極である。なお、第１の配線及び第２の配線は、一方
がソース信号線であり、他方が電源供給線である。
【0110】
ジグザグ（ｚｉｇｚａｇ）形状とは、直線が左右に何回も折れ曲がっている形をいう。ま
た、ミアンダ（ｍｅａｎｄｅｒ）とは、「曲がりくねって流れる」という意味を有する。
そして、ミアンダ形状とは、そのような形状をいう。
た、ミアンダ（ｍｅａｎｄｅｒ）とは、「曲がりくねって流れる」という意味を有する。
そして、ミアンダ形状とは、そのような形状をいう。
【0111】
そして、図５のように、第１の配線５０１～５０４及び第２の配線６０１が直線的な形状
をしている場合、「配線の形状における長尺方向（図５の第１の矢印８００１）」は、「
チャネル形成領域の上方に配置された第１の配線において電流が流れる方向（図５の第１
の矢印８００１）」と平行な方向である。
をしている場合、「配線の形状における長尺方向（図５の第１の矢印８００１）」は、「
チャネル形成領域の上方に配置された第１の配線において電流が流れる方向（図５の第１
の矢印８００１）」と平行な方向である。
【0112】
そして、図６のように配線がジグザグ形状の場合、例えば図６の第１の配線領域５００１
の下にＴＦＴを配置する。この場合、「配線の形状における長尺方向（図６の第２の矢印
８００２）」は、「チャネル形成領域の上方に配置された配線において電流が流れる方向
（図６の第２の矢印８００２）」と平行な方向である。
の下にＴＦＴを配置する。この場合、「配線の形状における長尺方向（図６の第２の矢印
８００２）」は、「チャネル形成領域の上方に配置された配線において電流が流れる方向
（図６の第２の矢印８００２）」と平行な方向である。
【0113】
一方、例えば図６の第２の配線領域５００２の下にＴＦＴを配置した場合、「配線の形状
における長尺方向（図６の第３の矢印８００３）」は、「チャネル形成領域の上方に配置
された配線において電流が流れる方向（図６の第３の矢印８００３）」と平行な方向であ
る。
における長尺方向（図６の第３の矢印８００３）」は、「チャネル形成領域の上方に配置
された配線において電流が流れる方向（図６の第３の矢印８００３）」と平行な方向であ
る。
【0114】
また、図７のように配線がミアンダ形状の場合であっても、電流は配線の形状に沿って流
れる。したがって、配線の形状における長尺方向と平行ではない方向に電流が流れている
箇所が存在する。しかし、最終的には電子は配線の形状における長尺方向と平行方向に向
かって流れる（図７の第４の矢印８００４）。よって、このような配線の形状とする場合
、チャネル幅の方向を「チャネル形成領域の上方に配置された配線領域において電流が流
れる方向と略平行な方向」又は「配線の形状における長尺方向と平行な方向」とする。
れる。したがって、配線の形状における長尺方向と平行ではない方向に電流が流れている
箇所が存在する。しかし、最終的には電子は配線の形状における長尺方向と平行方向に向
かって流れる（図７の第４の矢印８００４）。よって、このような配線の形状とする場合
、チャネル幅の方向を「チャネル形成領域の上方に配置された配線領域において電流が流
れる方向と略平行な方向」又は「配線の形状における長尺方向と平行な方向」とする。
【0115】
上記構成によって、画素電極間の狭いスペース（隣接する画素電極の間のスペース）に配
線を配置できる。且つ、その配線の下方に可能な限り大きなサイズのＴＦＴ（特に、チャ
ネル幅が大きいサイズのＴＦＴ）を配置できる。したがって、開口率の増加が可能となる
。
線を配置できる。且つ、その配線の下方に可能な限り大きなサイズのＴＦＴ（特に、チャ
ネル幅が大きいサイズのＴＦＴ）を配置できる。したがって、開口率の増加が可能となる
。
【0116】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の駆動トランジスタのレイアウトの他のバリエーションを例示
する。なお、本発明は、本実施の形態に例示するレイアウトに限定されない。
本実施の形態では、本発明の駆動トランジスタのレイアウトの他のバリエーションを例示
する。なお、本発明は、本実施の形態に例示するレイアウトに限定されない。
【0117】
図８は、シングルゲート構造のレイアウトである。第１の半導体層１０１は、スイッチン
グ用ＴＦＴの島状半導体層である。ゲート配線１０５と重なる領域がチャネル形成領域、
信号線１０４とコンタクトホールを介して接続する領域がソース端子（又はドレイン端子
）、接続電極１０３と接続する領域がドレイン端子（又はソース端子）である。
グ用ＴＦＴの島状半導体層である。ゲート配線１０５と重なる領域がチャネル形成領域、
信号線１０４とコンタクトホールを介して接続する領域がソース端子（又はドレイン端子
）、接続電極１０３と接続する領域がドレイン端子（又はソース端子）である。
【0118】
また、第２の半導体層１０２は表示素子を駆動する駆動用ＴＦＴ３０１の島状半導体層で
ある。そして、ゲート電極１００と重なる領域がチャネル形成領域である。そして、駆動
用ＴＦＴ３０１のゲート電極は、接続電極１０３とコンタクトホールを介して接続してい
る。さらに、駆動用ＴＦＴ３０１のソース端子（又はドレイン端子）と電源供給線１０６
とが接続されている。駆動用ＴＦＴ３０１のドレイン端子（又はソース端子）と接続電極
１０８とがコンタクトホールを介して接続されている。また、該接続電極１０８と接して
画素電極１０７が形成されている。
ある。そして、ゲート電極１００と重なる領域がチャネル形成領域である。そして、駆動
用ＴＦＴ３０１のゲート電極は、接続電極１０３とコンタクトホールを介して接続してい
る。さらに、駆動用ＴＦＴ３０１のソース端子（又はドレイン端子）と電源供給線１０６
とが接続されている。駆動用ＴＦＴ３０１のドレイン端子（又はソース端子）と接続電極
１０８とがコンタクトホールを介して接続されている。また、該接続電極１０８と接して
画素電極１０７が形成されている。
【0119】
【0120】
破線部６００２で囲まれた部分が駆動用ＴＦＴ３０１に対応する。
【0121】
破線部６０２１で囲まれた部分がスイッチング用ＴＦＴ３０２に対応する。
【0122】
破線部６０２２で囲まれた部分が容量素子３００に対応する。
【0123】
画素電極１０７が表示素子３０３の画素電極に対応する。
【0124】
信号線１０４が信号線３０４に対応する。
【0125】
電源供給線１０６が電源供給線３０６に対応する。
【0126】
【0127】
そして、半導体層の不純物領域が画素電極の長尺方向（又は、配線における電流の流れる
方向、又は、配線の形状における長尺方向）と平行になるようにパターニングする（図８
、図９ 破線部６００２）。これにより、チャネル幅の方向を画素電極の形状における長
尺方向と平行に配置することができる（図８、図９ 矢印７００２）。
方向、又は、配線の形状における長尺方向）と平行になるようにパターニングする（図８
、図９ 破線部６００２）。これにより、チャネル幅の方向を画素電極の形状における長
尺方向と平行に配置することができる（図８、図９ 矢印７００２）。
【0128】
図１０は、トリプルゲート構造のレイアウトである。第１の半導体層１０１は、スイッチ
ング用ＴＦＴの島状半導体層である。ゲート配線１０５と重なる領域がチャネル形成領域
、信号線１０４と接続する領域がソース端子（又はドレイン端子）、接続電極１０３とコ
ンタクトホールを介して接続する領域がドレイン端子（又はソース端子）である。
ング用ＴＦＴの島状半導体層である。ゲート配線１０５と重なる領域がチャネル形成領域
、信号線１０４と接続する領域がソース端子（又はドレイン端子）、接続電極１０３とコ
ンタクトホールを介して接続する領域がドレイン端子（又はソース端子）である。
【0129】
また、第２の半導体層１０２は表示素子を駆動する駆動用ＴＦＴ３０１の島状半導体層で
ある。そして、ゲート電極１００と重なる領域がチャネル形成領域である。そして、駆動
用ＴＦＴ３０１のゲート電極は、接続電極１０３と接続している。さらに、駆動用ＴＦＴ
３０１のソース端子（又はドレイン端子）と電源供給線１０６とがコンタクトホールを介
して接続されている。駆動用ＴＦＴ３０１のドレイン端子（又はソース端子）と接続電極
１０８とがコンタクトホールを介して接続されている。また、該接続電極１０８と接して
画素電極１０７が形成されている。
ある。そして、ゲート電極１００と重なる領域がチャネル形成領域である。そして、駆動
用ＴＦＴ３０１のゲート電極は、接続電極１０３と接続している。さらに、駆動用ＴＦＴ
３０１のソース端子（又はドレイン端子）と電源供給線１０６とがコンタクトホールを介
して接続されている。駆動用ＴＦＴ３０１のドレイン端子（又はソース端子）と接続電極
１０８とがコンタクトホールを介して接続されている。また、該接続電極１０８と接して
画素電極１０７が形成されている。
【0130】
【0131】
破線部６００３で囲まれた部分が駆動用ＴＦＴ３０１に対応する。
【0132】
破線部６０３１で囲まれた部分がスイッチング用ＴＦＴ３０２に対応する。
【0133】
破線部６０３２で囲まれた部分が容量素子３００に対応する。
【0134】
画素電極１０７が表示素子３０３の画素電極に対応する。
【0135】
信号線１０４が信号線３０４に対応する。
【0136】
電源供給線１０６が電源供給線３０６に対応する。
【0137】
【0138】
そして、半導体層の不純物領域が画素電極の長尺方向（又は、配線における電流の流れる
方向、又は、配線の形状における長尺方向）と平行になるよう（例えば、Ｓ字形状）に、
パターニングする（図１０、図１１ 破線部６００３）。これにより、チャネル幅の方向
を画素電極の形状における長尺方向と平行に配置することができる（図１０、図１１ 矢
印７００３）。
方向、又は、配線の形状における長尺方向）と平行になるよう（例えば、Ｓ字形状）に、
パターニングする（図１０、図１１ 破線部６００３）。これにより、チャネル幅の方向
を画素電極の形状における長尺方向と平行に配置することができる（図１０、図１１ 矢
印７００３）。
【0139】
本実施の形態では、チャネル形成領域を１つ又は３つ有するＴＦＴのレイアウトについて
説明した。また、実施の形態１では、チャネル形成領域を２つ有するＴＦＴのレイアウト
について説明した。しかし、本発明の構成はこれらの実施の形態の構成に限定されず、４
つ以上のチャネル形成領域を有するＴＦＴについても適用可能である。
説明した。また、実施の形態１では、チャネル形成領域を２つ有するＴＦＴのレイアウト
について説明した。しかし、本発明の構成はこれらの実施の形態の構成に限定されず、４
つ以上のチャネル形成領域を有するＴＦＴについても適用可能である。
【0140】
（実施の形態４）
本発明は、２つのＴＦＴから構成される画素に限らない。Ｌ＜Ｗのダブルゲート構造の駆
動用ＴＦＴを有した画素構成の場合、開口率の向上やシンプルな開口部形状、且つチャネ
ル幅の長さを大きくするような配置になるように適宜用いることができる。
本発明は、２つのＴＦＴから構成される画素に限らない。Ｌ＜Ｗのダブルゲート構造の駆
動用ＴＦＴを有した画素構成の場合、開口率の向上やシンプルな開口部形状、且つチャネ
ル幅の長さを大きくするような配置になるように適宜用いることができる。
【0141】
（実施の形態５）
本実施の形態では、表示装置の作製工程について説明する。なお、説明に際しては、画素
部のみについて説明するが、駆動回路部においては、作製工程はこの限りではなく、ここ
では説明を省略する。
本実施の形態では、表示装置の作製工程について説明する。なお、説明に際しては、画素
部のみについて説明するが、駆動回路部においては、作製工程はこの限りではなく、ここ
では説明を省略する。
【0142】
図４（Ａ）に示すように、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
等のガラスからなる基板上に、酸化珪素膜、窒化珪素膜、もしくは酸化窒化珪素膜でなる
下地膜を形成する。その後、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱
結晶化法を用いて結晶化した結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングし、島状半導体
層４１０１、４１０２を得る。なお、下地膜及び半導体膜は公知の成膜法（例えば、ＣＶ
Ｄ法、ＰＶＤ法等）により形成できる。
等のガラスからなる基板上に、酸化珪素膜、窒化珪素膜、もしくは酸化窒化珪素膜でなる
下地膜を形成する。その後、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱
結晶化法を用いて結晶化した結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングし、島状半導体
層４１０１、４１０２を得る。なお、下地膜及び半導体膜は公知の成膜法（例えば、ＣＶ
Ｄ法、ＰＶＤ法等）により形成できる。
【0143】
なお、ここでは、半導体膜を結晶化して多結晶珪素膜を用いた。しかし、本発明は、非晶
質珪素、又は微結晶珪素を用いても良い。また、単結晶珪素を用いても良い。
質珪素、又は微結晶珪素を用いても良い。また、単結晶珪素を用いても良い。
【0144】
単結晶珪素を用いる場合、基板上に薄い単結晶珪素層が配置されているＳＯＩ基板（Ｓｉ
ｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ基板）等を用いれば良い。
ｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ基板）等を用いれば良い。
【0145】
ここで、島状半導体層４１０１のうち第１の容量部分となる第１の領域に不純物を添加す
ることにより、第１の領域を第１の容量の第１の電極として機能させることができる。こ
こでは、ｐ型導電性を付与するボロンをイオンドーピング法により注入した。ｎ型導電性
を付与する不純物を注入しても良い。ｎ型導電性を付与する不純物としては、リン、ヒ素
等がある。なお、不純物の添加については公知の方法（例えば、イオンドーピング法、イ
オンシャワー法等）を用いることができる。
ることにより、第１の領域を第１の容量の第１の電極として機能させることができる。こ
こでは、ｐ型導電性を付与するボロンをイオンドーピング法により注入した。ｎ型導電性
を付与する不純物を注入しても良い。ｎ型導電性を付与する不純物としては、リン、ヒ素
等がある。なお、不純物の添加については公知の方法（例えば、イオンドーピング法、イ
オンシャワー法等）を用いることができる。
【0146】
次に、島状半導体層４１０１、４１０２を覆うゲート絶縁膜を形成する。その後、Ｔａ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ等から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材
料もしくは化合物材料を用いて、ゲート電極を形成するための導電膜を形成する。その後
、所望の形状にパターニングし、ゲート電極４１０３、４１０４（４１０４は走査線を兼
ねる）を得る（図４（Ｂ））。
Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ等から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材
料もしくは化合物材料を用いて、ゲート電極を形成するための導電膜を形成する。その後
、所望の形状にパターニングし、ゲート電極４１０３、４１０４（４１０４は走査線を兼
ねる）を得る（図４（Ｂ））。
【0147】
次に、島状半導体層４１０１、４１０２の不純物領域に不純物を添加することにより、ソ
ース領域、ドレイン領域、チャネル領域を形成する。ここでは、ｐチャネル型トランジス
タを形成するためにｐ型導電性を付与するボロンをイオンドーピング法により注入した。
ｎチャネル型トランジスタを形成する場合は、ｎ型導電性を付与する不純物を注入しても
良い。ｎ型導電性を付与する不純物としては、リン、ヒ素等がある。なお、不純物の添加
については公知の方法（例えば、イオンドーピング法、イオンシャワー法等）を用いるこ
とができる。また、チャネル形成領域と接する部分にＬＤＤ領域を形成しても良い。
ース領域、ドレイン領域、チャネル領域を形成する。ここでは、ｐチャネル型トランジス
タを形成するためにｐ型導電性を付与するボロンをイオンドーピング法により注入した。
ｎチャネル型トランジスタを形成する場合は、ｎ型導電性を付与する不純物を注入しても
良い。ｎ型導電性を付与する不純物としては、リン、ヒ素等がある。なお、不純物の添加
については公知の方法（例えば、イオンドーピング法、イオンシャワー法等）を用いるこ
とができる。また、チャネル形成領域と接する部分にＬＤＤ領域を形成しても良い。
【0148】
次に、アニールを行い添加した不純物を活性化する。アニールの方法としては、ファーネ
スアニール、レーザーアニール等の公知の技術を使用すればよい。なお、アニールの前に
ゲート絶縁膜を保護する為にパッシベーション膜（例えば酸化珪素等）を公知の方法（例
えばＣＶＤ法、ＰＶＤ法等）で形成しても良い。
スアニール、レーザーアニール等の公知の技術を使用すればよい。なお、アニールの前に
ゲート絶縁膜を保護する為にパッシベーション膜（例えば酸化珪素等）を公知の方法（例
えばＣＶＤ法、ＰＶＤ法等）で形成しても良い。
【0149】
次に、層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜は、有機絶縁膜であっても無機絶縁膜であって
も良い。有機絶縁膜としては、アクリル、ポリイミド、シロキサン等がある。有機絶縁膜
の形成方法は公知の方法（スピンコート法、ディップ法等）を用いることができる。また
、無機絶縁膜としては、酸化珪素、窒化珪素等がある。公知の方法（例えばＣＶＤ法、Ｐ
ＶＤ法等）で形成しても良い。なお、窒化珪素等の比誘電率が高い材料を使用することは
、容量を増加できる。一方、有機絶縁膜を用いた場合は、平坦化が可能である。
も良い。有機絶縁膜としては、アクリル、ポリイミド、シロキサン等がある。有機絶縁膜
の形成方法は公知の方法（スピンコート法、ディップ法等）を用いることができる。また
、無機絶縁膜としては、酸化珪素、窒化珪素等がある。公知の方法（例えばＣＶＤ法、Ｐ
ＶＤ法等）で形成しても良い。なお、窒化珪素等の比誘電率が高い材料を使用することは
、容量を増加できる。一方、有機絶縁膜を用いた場合は、平坦化が可能である。
【0150】
なお、層間絶縁膜は公知の技術（例えばＣＭＰ法）により平坦化処理を行っても良い。
【0151】
次に、図４（Ｃ）に示すように、島状半導体層４１０１、４１０２、ゲート電極４１０３
、４１０４に達するコンタクトホール４１０５を形成し、配線４１０６、４１０７、４１
０８（４１０６はソース信号線、４１０７は電源供給線となる）及び電極４１１０を形成
する。
、４１０４に達するコンタクトホール４１０５を形成し、配線４１０６、４１０７、４１
０８（４１０６はソース信号線、４１０７は電源供給線となる）及び電極４１１０を形成
する。
【0152】
次に、図４（Ｄ）に示すように、画素電極４１０９を形成する。画素電極の材料としては
、インジウム錫酸化物（通称「ＩＴＯ」）等が代表的である。画素電極４１０９もまた、
前記材料でなる膜を形成した後、パターニングにより所望の形状を得る。ここで、電極４
１１０と、画素電極４１０９とは、コンタクトホール４１０５を介して接している。
、インジウム錫酸化物（通称「ＩＴＯ」）等が代表的である。画素電極４１０９もまた、
前記材料でなる膜を形成した後、パターニングにより所望の形状を得る。ここで、電極４
１１０と、画素電極４１０９とは、コンタクトホール４１０５を介して接している。
【0153】
次に、隣接する画素の間に隔壁を形成し、発光エリアとなる部分をパターニングにより開
口する。その後、開口部分にＥＬ層を形成する。
口する。その後、開口部分にＥＬ層を形成する。
【0154】
本実施の形態においては、トップゲート型のＴＦＴの作製方法について説明した。しかし
、本発明はボトムゲート型のＴＦＴにも適用可能である。
、本発明はボトムゲート型のＴＦＴにも適用可能である。
【0155】
（実施の形態６）
本実施の形態では、発光表示パネルの外観の一例について、図１４を用いて説明する。図
１４（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１２０５及び第２のシ
ール材１２０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ
）のＡ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’それぞれにおける断面図に相当する。
本実施の形態では、発光表示パネルの外観の一例について、図１４を用いて説明する。図
１４（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１のシール材１２０５及び第２のシ
ール材１２０６によって封止されたパネルの上面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ
）のＡ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’それぞれにおける断面図に相当する。
【0156】
図１４（Ａ）は、点線で示された画素部１２０２、モニター素子部１２３０、走査線駆動
回路１２０３（ゲート線駆動回路）を示す。本実施の形態において、画素部１２０２、及
び走査線駆動回路１２０３は、第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域
内にある。また、１２０１は信号線（ソース線）駆動回路であり、信号線駆動回路が第１
基板１２００上に設けられている。第１のシール材としては、フィラーを含む粘性の高い
エポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第２のシール材としては、粘性の低いエポ
キシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１のシール材１２０５及び第２のシール材１
２０６はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
回路１２０３（ゲート線駆動回路）を示す。本実施の形態において、画素部１２０２、及
び走査線駆動回路１２０３は、第１のシール材及び第２のシール材で封止されている領域
内にある。また、１２０１は信号線（ソース線）駆動回路であり、信号線駆動回路が第１
基板１２００上に設けられている。第１のシール材としては、フィラーを含む粘性の高い
エポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第２のシール材としては、粘性の低いエポ
キシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１のシール材１２０５及び第２のシール材１
２０６はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【0157】
また、画素部１２０２と第１のシール材１２０５との間に、乾燥剤を設けてもよい。さら
には、画素部において、走査線又は信号線上に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤としては、
酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のようなアルカリ土類金属の酸化
物のような化学吸着によって水（Ｈ２Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、
これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても
構わない。
には、画素部において、走査線又は信号線上に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤としては、
酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のようなアルカリ土類金属の酸化
物のような化学吸着によって水（Ｈ２Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、
これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても
構わない。
【0158】
また、層間絶縁膜として透湿性の高い樹脂に乾燥剤の粒状の物質を含ませた物を用いて、
層間絶縁膜と第２の基板１２０４とをシール材で固定することができる。また、透湿性の
高い樹脂の代わりに、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等の無機物
を用いてもよい。
層間絶縁膜と第２の基板１２０４とをシール材で固定することができる。また、透湿性の
高い樹脂の代わりに、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等の無機物
を用いてもよい。
【0159】
また、走査線と重畳する領域に乾燥剤を設けてもよい。更には、層間絶縁膜として透湿性
の高い樹脂に乾燥剤の粒状の物質を含ませたものを用いて、層間絶縁膜と第２の基板１２
０４とをシール材で固定してもよい。これらの乾燥剤を設けることにより、開口率を低下
せずに表示素子への水分の侵入及びそれに起因する劣化を抑制することができる。このた
め、画素部１２０２の周辺部と中央部における表示素子の劣化のバラツキを抑えることが
可能である。
の高い樹脂に乾燥剤の粒状の物質を含ませたものを用いて、層間絶縁膜と第２の基板１２
０４とをシール材で固定してもよい。これらの乾燥剤を設けることにより、開口率を低下
せずに表示素子への水分の侵入及びそれに起因する劣化を抑制することができる。このた
め、画素部１２０２の周辺部と中央部における表示素子の劣化のバラツキを抑えることが
可能である。
【0160】
なお、接続配線１２１０は、信号線駆動回路１２０１及び走査線駆動回路１２０３に入力
される信号を伝送するための接続配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ１２０９（フレ
キシブルプリント回路）から、接続配線１２０８を介してビデオ信号やクロック信号を受
け取る。
される信号を伝送するための接続配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ１２０９（フレ
キシブルプリント回路）から、接続配線１２０８を介してビデオ信号やクロック信号を受
け取る。
【0161】
次に、断面構造について図１４（Ｂ）を用いて説明する。第１基板１２００上には駆動回
路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。駆動
回路として信号線駆動回路１２０１と画素部１２０２とを示す。なお、信号線駆動回路１
２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２１とｐチャネル型ＴＦＴ１２２２とを組み合わせたＣ
ＭＯＳ回路が形成される。
路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。駆動
回路として信号線駆動回路１２０１と画素部１２０２とを示す。なお、信号線駆動回路１
２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２１とｐチャネル型ＴＦＴ１２２２とを組み合わせたＣ
ＭＯＳ回路が形成される。
【0162】
本実施の形態においては、同一基板上に走査線駆動回路、及び画素部のＴＦＴが形成され
ている。このため、発光表示装置の容積を縮小することができる。
ている。このため、発光表示装置の容積を縮小することができる。
【0163】
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、駆動用ＴＦＴ１２１２とその
ソース又はドレインの他方に電気的に接続された反射性を有する導電膜からなる第１の画
素電極１２１３（陽極）を含む複数の画素により形成される。
ソース又はドレインの他方に電気的に接続された反射性を有する導電膜からなる第１の画
素電極１２１３（陽極）を含む複数の画素により形成される。
【0164】
また、第１の画素電極１２１３（陽極）の両端には絶縁物１２１４（バンク、隔壁、障壁
、土手などと呼ばれる）が形成される。絶縁物１２１４に形成する膜の被覆率（カバレッ
ジ）を良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率半径を有する
曲面が形成されるようにする。また、絶縁物１２１４表面を、窒化アルミニウム膜、窒化
酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆っ
てもよい。更には、絶縁物１２１４として、黒色顔料、色素などの可視光を吸収する材料
を溶解又は分散させてなる有機材料を用いることで、後に形成される表示素子からの迷光
を吸収することができる。この結果、各画素のコントラストが向上する。本発明において
は、該絶縁物の下方に走査線、信号線、及びＴＦＴを配置している。また、走査線又は信
号線の下方にＴＦＴを配置する。走査線の下方にＴＦＴを配置した場合、走査線の形状に
おける長尺方向（又は電流の流れる方向）とＴＦＴのチャネル幅の方向を平行に配置する
。信号線の下方にＴＦＴを配置した場合、信号線の形状における長尺方向（又は電流の流
れる方向）とＴＦＴのチャネル幅の方向を平行に配置する。
、土手などと呼ばれる）が形成される。絶縁物１２１４に形成する膜の被覆率（カバレッ
ジ）を良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率半径を有する
曲面が形成されるようにする。また、絶縁物１２１４表面を、窒化アルミニウム膜、窒化
酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆っ
てもよい。更には、絶縁物１２１４として、黒色顔料、色素などの可視光を吸収する材料
を溶解又は分散させてなる有機材料を用いることで、後に形成される表示素子からの迷光
を吸収することができる。この結果、各画素のコントラストが向上する。本発明において
は、該絶縁物の下方に走査線、信号線、及びＴＦＴを配置している。また、走査線又は信
号線の下方にＴＦＴを配置する。走査線の下方にＴＦＴを配置した場合、走査線の形状に
おける長尺方向（又は電流の流れる方向）とＴＦＴのチャネル幅の方向を平行に配置する
。信号線の下方にＴＦＴを配置した場合、信号線の形状における長尺方向（又は電流の流
れる方向）とＴＦＴのチャネル幅の方向を平行に配置する。
【0165】
また、第１の画素電極１２１３（陽極）上には、有機化合物材料の蒸着を行い、電界発光
層１２１５を選択的に形成する。さらには、電界発光層１２１５上に第２の画素電極１２
１６（陰極）を形成する。
層１２１５を選択的に形成する。さらには、電界発光層１２１５上に第２の画素電極１２
１６（陰極）を形成する。
【0166】
こうして、第１の画素電極１２１３（陽極）、電界発光層１２１５、及び第２の画素電極
１２１６（陰極）からなる表示素子１２１７が形成される。表示素子１２１７は、第２の
基板１２０４側に発光する。
１２１６（陰極）からなる表示素子１２１７が形成される。表示素子１２１７は、第２の
基板１２０４側に発光する。
【0167】
また、表示素子１２１７を封止するために保護積層１２１８を形成する。保護積層１２１
８は、第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層からなっている。
次に、保護積層１２１８と第２の基板１２０４とを、第１のシール材１２０５及び第２の
シール材１２０６で接着する。なお、第２のシール材を、シール材を滴下する装置を用い
て滴下することが好ましい。シール材をディスペンサから滴下、又は吐出させてシール材
をアクティブマトリクス基板上に形成した後、真空中で、第２の基板とアクティブマトリ
クス基板とを貼り合わせ、紫外線硬化を行って封止することができる。
８は、第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層からなっている。
次に、保護積層１２１８と第２の基板１２０４とを、第１のシール材１２０５及び第２の
シール材１２０６で接着する。なお、第２のシール材を、シール材を滴下する装置を用い
て滴下することが好ましい。シール材をディスペンサから滴下、又は吐出させてシール材
をアクティブマトリクス基板上に形成した後、真空中で、第２の基板とアクティブマトリ
クス基板とを貼り合わせ、紫外線硬化を行って封止することができる。
【0168】
なお、第２の基板１２０４表面には、外光が基板表面で反射するのを防止するための反射
防止膜１２２６を設ける。また、第２の基板と反射防止膜との間に、偏光板、及び位相差
板のいずれか一方又は両方を設けてもよい。位相差板、偏光板を設けることにより、外光
が画素電極で反射することを防止することが可能である。なお、第１の画素電極１２１３
及び第２の画素電極１２１６を、透光性を有する導電膜又は半透光性を有する導電膜で形
成し、層間絶縁膜を可視光を吸収する材料、又は可視光を吸収する材料を溶解又は分散さ
せてなる有機材料を用いて形成すると、各画素電極で外光が反射しないため、位相差板及
び偏光板を用いなくとも良い。
防止膜１２２６を設ける。また、第２の基板と反射防止膜との間に、偏光板、及び位相差
板のいずれか一方又は両方を設けてもよい。位相差板、偏光板を設けることにより、外光
が画素電極で反射することを防止することが可能である。なお、第１の画素電極１２１３
及び第２の画素電極１２１６を、透光性を有する導電膜又は半透光性を有する導電膜で形
成し、層間絶縁膜を可視光を吸収する材料、又は可視光を吸収する材料を溶解又は分散さ
せてなる有機材料を用いて形成すると、各画素電極で外光が反射しないため、位相差板及
び偏光板を用いなくとも良い。
【0169】
接続配線１２０８とＦＰＣ１２０９とは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂１２２７で電
気的に接続されている。さらに、各配線層と接続端子との接続部を封止樹脂で封止するこ
とが好ましい。この構造により、断面部からの水分が表示素子に侵入し、劣化することを
防ぐことができる。
気的に接続されている。さらに、各配線層と接続端子との接続部を封止樹脂で封止するこ
とが好ましい。この構造により、断面部からの水分が表示素子に侵入し、劣化することを
防ぐことができる。
【0170】
なお、第２の基板１２０４と、保護積層１２１８との間の空間を、第２のシール材１２０
６の代わりに、不活性ガス、例えば窒素ガスで充填することで劣化を防いでもよい。
６の代わりに、不活性ガス、例えば窒素ガスで充填することで劣化を防いでもよい。
【0171】
また、第２の基板と偏光板の間に着色層を設けることができる。この場合、画素部に白色
発光が可能な表示素子を設け、ＲＧＢを示す着色層を別途設けることでフルカラー表示す
ることができる。また、画素部に青色発光が可能な表示素子を設け、色変換層などを別途
設けることによってフルカラー表示することができる。さらには、各画素部、赤色、緑色
、青色の発光を示す表示素子を形成し、且つ着色層を用いることもできる。このような表
示モジュールは、各ＲＢＧの色純度が高く、高精細な表示が可能となる。
発光が可能な表示素子を設け、ＲＧＢを示す着色層を別途設けることでフルカラー表示す
ることができる。また、画素部に青色発光が可能な表示素子を設け、色変換層などを別途
設けることによってフルカラー表示することができる。さらには、各画素部、赤色、緑色
、青色の発光を示す表示素子を形成し、且つ着色層を用いることもできる。このような表
示モジュールは、各ＲＢＧの色純度が高く、高精細な表示が可能となる。
【0172】
また、第１基板１２００又は第２の基板１２０４の一方、若しくは両方にフィルム又は樹
脂等の基板を用いて発光表示モジュールを形成してもよい。このようにフィルムまたは樹
脂等の基板を用いると、表示装置の軽量化、小型化、薄膜化を向上させることができる。
脂等の基板を用いて発光表示モジュールを形成してもよい。このようにフィルムまたは樹
脂等の基板を用いると、表示装置の軽量化、小型化、薄膜化を向上させることができる。
【0173】
更には、外部入力端子となるＦＰＣ１２０９（フレキシブルプリント回路）表面又は端部
に、コントローラ、メモリ、画素駆動回路のようなＩＣチップを設け発光表示モジュール
を形成してもよい。
に、コントローラ、メモリ、画素駆動回路のようなＩＣチップを設け発光表示モジュール
を形成してもよい。
【0174】
（実施の形態７）
発光素子とは、電界が生じると発光する有機化合物層を、陽極及び陰極で挟んだ構造を有
する素子（ＯＬＥＤ素子）を示すものとする。ただし、これに限定されるものではない。
発光素子とは、電界が生じると発光する有機化合物層を、陽極及び陰極で挟んだ構造を有
する素子（ＯＬＥＤ素子）を示すものとする。ただし、これに限定されるものではない。
【0175】
また、発光素子とは、一重項励起子から基底状態に遷移する際の発光（蛍光）を利用する
ものと、三重項励起子から基底状態に遷移する際の発光（燐光）を利用するものの両方を
示すものとしている。
ものと、三重項励起子から基底状態に遷移する際の発光（燐光）を利用するものの両方を
示すものとしている。
【0176】
有機化合物層としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が
挙げられる。発光素子は、基本的に、陽極と発光層と陰極とを順次積み重ねた構造で示さ
れるが、この他に、陽極と正孔注入層と発光層と電子注入層と陰極とを順次積み重ねた構
造や、陽極と正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層と陰極とを順次
積み重ねた構造などがある。
挙げられる。発光素子は、基本的に、陽極と発光層と陰極とを順次積み重ねた構造で示さ
れるが、この他に、陽極と正孔注入層と発光層と電子注入層と陰極とを順次積み重ねた構
造や、陽極と正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層と陰極とを順次
積み重ねた構造などがある。
【0177】
なお、有機化合物層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が
、明確に区別された積層構造を有するものに限定されない。つまり、有機化合物層は、正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を構成する材料が、混合した
層を有する構造であってもよい。
、明確に区別された積層構造を有するものに限定されない。つまり、有機化合物層は、正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を構成する材料が、混合した
層を有する構造であってもよい。
【0178】
また、無機物が混合されていてもよい。
【0179】
また、ＯＬＥＤ素子の有機化合物層としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のい
ずれの材料であってもよい。
ずれの材料であってもよい。
【0180】
なお、本明細書中において、中分子材料とは、連鎖する分子の長さが１０ｕｍ以下で、昇
華性を有さないものとする。
華性を有さないものとする。
【0181】
【0182】
エレクトロルミネセンスを利用する発光素子（表示素子）は、発光材料が有機化合物であ
るか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無
機ＥＬ素子と呼ばれている。
るか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無
機ＥＬ素子と呼ばれている。
【0183】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた電界発光層を有し、後者は
、発光材料の薄膜からなる電界発光層を有している点に違いはあるが、高電界で加速され
た電子を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナ
ー準位とアクセプター準位を利用するドナー－アクセプター再結合型発光と、金属イオン
の内殻電子遷移を利用する局在型発光とがある。一般的に、分散型無機ＥＬ素子ではドナ
ー－アクセプター再結合型発光、薄膜型無機ＥＬ素子では局在型発光である場合が多い。
類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた電界発光層を有し、後者は
、発光材料の薄膜からなる電界発光層を有している点に違いはあるが、高電界で加速され
た電子を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナ
ー準位とアクセプター準位を利用するドナー－アクセプター再結合型発光と、金属イオン
の内殻電子遷移を利用する局在型発光とがある。一般的に、分散型無機ＥＬ素子ではドナ
ー－アクセプター再結合型発光、薄膜型無機ＥＬ素子では局在型発光である場合が多い。
【0184】
本発明で用いることのできる発光材料は、母体材料と発光中心となる不純物元素とで構成
される。含有させる不純物元素を変化させることで、様々な色の発光を得ることができる
。発光材料の作製方法としては、固相法や液相法（共沈法）などの様々な方法を用いるこ
とができる。また、噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆
ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、凍結乾燥法などの液相法なども
用いることができる。
される。含有させる不純物元素を変化させることで、様々な色の発光を得ることができる
。発光材料の作製方法としては、固相法や液相法（共沈法）などの様々な方法を用いるこ
とができる。また、噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆
ミセル法やこれらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、凍結乾燥法などの液相法なども
用いることができる。
【0185】
固相法は、母体材料と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を秤量し、乳鉢で混合、
電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。焼
成温度は、７００～１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温
度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行っ
てもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。比較的高温での焼成を必要とす
るが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。
電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。焼
成温度は、７００～１５００℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温
度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行っ
てもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。比較的高温での焼成を必要とす
るが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。
【0186】
液相法（共沈法）は、母体材料又は母体材料を含む化合物と、不純物元素又は不純物元素
を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の粒
子が均一に分布し、粒径が小さく低い焼成温度でも反応が進むことができる。
を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法である。発光材料の粒
子が均一に分布し、粒径が小さく低い焼成温度でも反応が進むことができる。
【0187】
発光材料に用いる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。
硫化物としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシ
ウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ２Ｓ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、硫化ス
トロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）等を用いることができる。また、酸化
物としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等を用いるこ
とができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウ
ム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等を用いることができる。さらに、セレン化亜
鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）等も用いることができ、硫化カルシウム－ガ
リウム（ＣａＧａ２Ｓ４）、硫化ストロンチウム－ガリウム（ＳｒＧａ２Ｓ４）、硫化バ
リウム－ガリウム（ＢａＧａ２Ｓ４）、等の３元系の混晶であってもよい。
硫化物としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシ
ウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ２Ｓ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、硫化ス
トロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）等を用いることができる。また、酸化
物としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等を用いるこ
とができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウ
ム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等を用いることができる。さらに、セレン化亜
鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）等も用いることができ、硫化カルシウム－ガ
リウム（ＣａＧａ２Ｓ４）、硫化ストロンチウム－ガリウム（ＳｒＧａ２Ｓ４）、硫化バ
リウム－ガリウム（ＢａＧａ２Ｓ４）、等の３元系の混晶であってもよい。
【0188】
局在型発光の発光中心として、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、テ
ルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セ
リウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）などを用いることができる。なお、電荷補償と
して、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
ルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セ
リウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）などを用いることができる。なお、電荷補償と
して、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
【0189】
一方、ドナー－アクセプター再結合型発光の発光中心として、ドナー準位を形成する第１
の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第２の不純物元素を含む発光材料を用いる
ことができる。第１の不純物元素は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）等を用いることができる。第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、
銀（Ａｇ）等を用いることができる。
の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第２の不純物元素を含む発光材料を用いる
ことができる。第１の不純物元素は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）等を用いることができる。第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、
銀（Ａｇ）等を用いることができる。
【0190】
ドナー－アクセプター再結合型発光の発光材料を固相法を用いて合成する場合、母体材料
と、第１の不純物元素又は第１の不純物元素を含む化合物と、第２の不純物元素又は第２
の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を
行う。母体材料としては、上述した母体材料を用いることができ、第１の不純物元素とし
ては、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）等を用いることができ、第１の不純物元素を
含む化合物としては、例えば、硫化アルミニウム（Ａｌ２Ｓ３）等を用いることができ、
第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等を用いることができ、第
２の不純物元素を含む化合物としては、例えば、硫化銅（Ｃｕ２Ｓ）、硫化銀（Ａｇ２Ｓ
）等を用いることができる。焼成温度は、７００～１５００℃が好ましい。温度が低すぎ
る場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである
。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。
と、第１の不純物元素又は第１の不純物元素を含む化合物と、第２の不純物元素又は第２
の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を
行う。母体材料としては、上述した母体材料を用いることができ、第１の不純物元素とし
ては、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）等を用いることができ、第１の不純物元素を
含む化合物としては、例えば、硫化アルミニウム（Ａｌ２Ｓ３）等を用いることができ、
第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等を用いることができ、第
２の不純物元素を含む化合物としては、例えば、硫化銅（Ｃｕ２Ｓ）、硫化銀（Ａｇ２Ｓ
）等を用いることができる。焼成温度は、７００～１５００℃が好ましい。温度が低すぎ
る場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである
。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。
【0191】
また、固相反応を利用する場合の不純物元素として、第１の不純物元素と第２の不純物元
素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されや
すく、固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、余
分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第１の不純物
元素と第２の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩
化銀（ＡｇＣｌ）等を用いることができる。
素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されや
すく、固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに、余
分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第１の不純物
元素と第２の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩
化銀（ＡｇＣｌ）等を用いることができる。
【0192】
なお、これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して０．０１～１０ａｔｏｍ％であれ
ばよく、好ましくは０．０５～５ａｔｏｍ％の範囲である。
ばよく、好ましくは０．０５～５ａｔｏｍ％の範囲である。
【0193】
薄膜型無機ＥＬの場合、電界発光層は、上記発光材料を含む層であり、抵抗加熱蒸着法、
電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（
ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）、原子層エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いて形成することができる。
電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）法等の真空蒸着法、スパッタリング法等の物理気相成長法（
ＰＶＤ）、有機金属ＣＶＤ法、ハイドライド輸送減圧ＣＶＤ法等の化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）、原子層エピタキシ法（ＡＬＥ）等を用いて形成することができる。
【0194】
【0195】
図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）に示す表示素子は、図１２（Ａ）の表示素子において、電
極層と電界発光層間に絶縁層を設ける構造である。図１２（Ｂ）に示す表示素子は、第１
の電極層５０と電界発光層５２との間に絶縁層５４を有し、図１２（Ｃ）に示す表示素子
は、第１の電極層５０と電界発光層５２との間に絶縁層５４ａ、第２の電極層５３と電界
発光層５２との間に絶縁層５４ｂとを有している。このように絶縁層は電界発光層を挟持
する一対の電極層のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。また
絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でもよい。
極層と電界発光層間に絶縁層を設ける構造である。図１２（Ｂ）に示す表示素子は、第１
の電極層５０と電界発光層５２との間に絶縁層５４を有し、図１２（Ｃ）に示す表示素子
は、第１の電極層５０と電界発光層５２との間に絶縁層５４ａ、第２の電極層５３と電界
発光層５２との間に絶縁層５４ｂとを有している。このように絶縁層は電界発光層を挟持
する一対の電極層のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。また
絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でもよい。
【0196】
【0197】
分散型無機ＥＬ素子の場合、粒子状の発光材料をバインダ中に分散させ膜状の電界発光層
を形成する。発光材料の作製方法によって、十分に所望の大きさの粒子が得られない場合
は、乳鉢等で粉砕などによって粒子状に加工すればよい。バインダとは、粒状の発光材料
を分散した状態で固定し、電界発光層としての形状に保持するための物質である。発光材
料は、バインダによって電界発光層中に均一に分散し固定される。
を形成する。発光材料の作製方法によって、十分に所望の大きさの粒子が得られない場合
は、乳鉢等で粉砕などによって粒子状に加工すればよい。バインダとは、粒状の発光材料
を分散した状態で固定し、電界発光層としての形状に保持するための物質である。発光材
料は、バインダによって電界発光層中に均一に分散し固定される。
【0198】
分散型無機ＥＬ素子の場合、電界発光層の形成方法は、選択的に電界発光層を形成できる
液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷など）、スピンコート法、ディ
ッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。膜厚は特に限定されることはな
いが、好ましくは、１０～１０００ｎｍの範囲である。また、発光材料及びバインダを含
む電界発光層において、発光材料の割合は５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下とするよい。
液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷など）、スピンコート法、ディ
ッピング法、ディスペンサ法などを用いることもできる。膜厚は特に限定されることはな
いが、好ましくは、１０～１０００ｎｍの範囲である。また、発光材料及びバインダを含
む電界発光層において、発光材料の割合は５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下とするよい。
【0199】
図１３（Ａ）乃至（Ｃ）に表示素子として用いることのできる分散型無機ＥＬ素子の一例
を示す。図１３（Ａ）における表示素子は、第１の電極層６０、電界発光層６２、第２の
電極層６３の積層構造を有し、電界発光層６２中にバインダによって保持された発光材料
６１を含む。
を示す。図１３（Ａ）における表示素子は、第１の電極層６０、電界発光層６２、第２の
電極層６３の積層構造を有し、電界発光層６２中にバインダによって保持された発光材料
６１を含む。
【0200】
本実施の形態に用いることのできるバインダには、有機材料や無機材料を用いることがで
き、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機材料としては、シアノエチル
セルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹
脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙ
ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい
。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは
、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少な
くとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基と
して、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と
、フルオロ基とを用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールな
どのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレ
タン樹脂、オキサゾール樹脂（ポリベンゾオキサゾール）等の樹脂材料を用いてもよい。
これらの樹脂に、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）やチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ
ｉＯ３）などの高誘電率の微粒子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。
き、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機材料としては、シアノエチル
セルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹
脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙ
ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい
。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは
、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少な
くとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基と
して、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と
、フルオロ基とを用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールな
どのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレ
タン樹脂、オキサゾール樹脂（ポリベンゾオキサゾール）等の樹脂材料を用いてもよい。
これらの樹脂に、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）やチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ
ｉＯ３）などの高誘電率の微粒子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。
【0201】
バインダに含まれる無機材料としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、
酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素及び窒素を含むアルミニウ
ムまたは酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ＢａＴｉＯ３、Ｓ
ｒＴｉＯ３、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、ニオブ酸
鉛（ＰｂＮｂＯ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、タンタル酸バリウム（ＢａＴａ２Ｏ
６）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）、ＺｎＳその他の無機材料を含む物質から選ばれた材料を用いるこ
とができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる（添加等によって）ことによ
って、発光材料及びバインダよりなる電界発光層の誘電率をより制御することができ、よ
り誘電率を大きくすることができる。
酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素及び窒素を含むアルミニウ
ムまたは酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ＢａＴｉＯ３、Ｓ
ｒＴｉＯ３、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、ニオブ酸
鉛（ＰｂＮｂＯ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、タンタル酸バリウム（ＢａＴａ２Ｏ
６）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）、ＺｎＳその他の無機材料を含む物質から選ばれた材料を用いるこ
とができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる（添加等によって）ことによ
って、発光材料及びバインダよりなる電界発光層の誘電率をより制御することができ、よ
り誘電率を大きくすることができる。
【0202】
作製工程において、発光材料はバインダを含む溶液中に分散されるが本実施の形態に用い
ることのできるバインダを含む溶液の溶媒としては、バインダ材料が溶解し、電界発光層
を形成する方法（各種ウエットプロセス）及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製でき
るような溶媒を適宜選択すればよい。有機溶媒等を用いることができ、例えばバインダと
してシロキサン樹脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡともいう）、３－メトシキ－
３メチル－１－ブタノール（ＭＭＢともいう）などを用いることができる。
ることのできるバインダを含む溶液の溶媒としては、バインダ材料が溶解し、電界発光層
を形成する方法（各種ウエットプロセス）及び所望の膜厚に適した粘度の溶液を作製でき
るような溶媒を適宜選択すればよい。有機溶媒等を用いることができ、例えばバインダと
してシロキサン樹脂を用いる場合は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡともいう）、３－メトシキ－
３メチル－１－ブタノール（ＭＭＢともいう）などを用いることができる。
【0203】
図１３（Ｂ）及び図１３（Ｃ）に示す表示素子は、図１３（Ａ）の表示素子において、電
極層と電界発光層間に絶縁層を設ける構造である。図１３（Ｂ）に示す表示素子は、第１
の電極層６０と電界発光層６２との間に絶縁層６４を有し、図１３（Ｃ）に示す表示素子
は、第１の電極層６０と電界発光層６２との間に絶縁層６４ａ、第２の電極層６３と電界
発光層６２との間に絶縁層６４ｂとを有している。このように絶縁層は電界発光層を挟持
する一対の電極層のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。また
絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でもよい。
極層と電界発光層間に絶縁層を設ける構造である。図１３（Ｂ）に示す表示素子は、第１
の電極層６０と電界発光層６２との間に絶縁層６４を有し、図１３（Ｃ）に示す表示素子
は、第１の電極層６０と電界発光層６２との間に絶縁層６４ａ、第２の電極層６３と電界
発光層６２との間に絶縁層６４ｂとを有している。このように絶縁層は電界発光層を挟持
する一対の電極層のうち一方の間にのみ設けてもよいし、両方の間に設けてもよい。また
絶縁層は単層でもよいし複数層からなる積層でもよい。
【0204】
【0205】
図１２における絶縁層５４、図１３における絶縁層６４のような絶縁層は、特に限定され
ることはないが、絶縁耐圧が高く、緻密な膜質であることが好ましく、さらには、誘電率
が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ
３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（Ｈ
ｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、窒化シリコン（Ｓｉ３
Ｎ４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等やこれらの混合膜又は２種以上の積層膜を用い
ることができる。これらの絶縁膜は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等により成膜するこ
とができる。また、絶縁層はこれら絶縁材料の粒子をバインダ中に分散して成膜してもよ
い。バインダ材料は、電界発光層に含まれるバインダと同様な材料、方法を用いて形成す
ればよい。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは１０～１０００ｎｍの範囲で
ある。
ることはないが、絶縁耐圧が高く、緻密な膜質であることが好ましく、さらには、誘電率
が高いことが好ましい。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ
３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（Ｈ
ｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、窒化シリコン（Ｓｉ３
Ｎ４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等やこれらの混合膜又は２種以上の積層膜を用い
ることができる。これらの絶縁膜は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等により成膜するこ
とができる。また、絶縁層はこれら絶縁材料の粒子をバインダ中に分散して成膜してもよ
い。バインダ材料は、電界発光層に含まれるバインダと同様な材料、方法を用いて形成す
ればよい。膜厚は特に限定されることはないが、好ましくは１０～１０００ｎｍの範囲で
ある。
【0206】
本実施の形態で示す表示素子は、電界発光層を挟持する一対の電極層間に電圧を印加する
ことで発光が得られるが、直流駆動又は交流駆動のいずれにおいても動作することができ
る。
ことで発光が得られるが、直流駆動又は交流駆動のいずれにおいても動作することができ
る。
【0207】
（実施の形態９）
実施の形態１～８において、主にエレクトロルミネッセンスを用いた表示装置を例として
説明した。しかし、本発明は、様々なアクティブマトリクス型表示装置に適用可能である
。その他の表示装置としては、例えば、液晶表示装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。
実施の形態１～８において、主にエレクトロルミネッセンスを用いた表示装置を例として
説明した。しかし、本発明は、様々なアクティブマトリクス型表示装置に適用可能である
。その他の表示装置としては、例えば、液晶表示装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。
【0208】
（実施の形態１０）
また、本発明は、表示装置以外の様々な半導体装置にも適用可能である（なお、半導体装
置は、表示装置を含む概念である）。
また、本発明は、表示装置以外の様々な半導体装置にも適用可能である（なお、半導体装
置は、表示装置を含む概念である）。
【0209】
例えば、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の
メモリ素子（記憶素子）がある。図１５（Ａ）にＤＲＡＭの回路図を示す。トランジスタ
４０１の一方の端子とセルプレート４０２（容量素子）が接続されたユニットを１セルと
している。そして、１セル同士は配線によって接続されている。また、トランジスタ４０
１の他方の端子は、ビットライン４０３と接続されている。また、トランジスタ４０１の
ゲートはワードライン４０４と接続されている。
メモリ素子（記憶素子）がある。図１５（Ａ）にＤＲＡＭの回路図を示す。トランジスタ
４０１の一方の端子とセルプレート４０２（容量素子）が接続されたユニットを１セルと
している。そして、１セル同士は配線によって接続されている。また、トランジスタ４０
１の他方の端子は、ビットライン４０３と接続されている。また、トランジスタ４０１の
ゲートはワードライン４０４と接続されている。
【0210】
ＤＲＡＭの動作原理を述べる。トランジスタ４０１がＮ型トランジスタの場合、データ書
き込み期間は、ビットライン４０３及びワードライン４０４に正の電圧を印加してセルプ
レート４０２に電荷を蓄積する。また、データ読み出し期間には、ワードラインに正の電
圧を印加することにより、セルプレート４０２に蓄積された電荷がビットライン４０３に
流れる。トランジスタ４０１がＰ型トランジスタの場合は、極性を逆にした電圧をそれぞ
れの期間において印加すればよい。
き込み期間は、ビットライン４０３及びワードライン４０４に正の電圧を印加してセルプ
レート４０２に電荷を蓄積する。また、データ読み出し期間には、ワードラインに正の電
圧を印加することにより、セルプレート４０２に蓄積された電荷がビットライン４０３に
流れる。トランジスタ４０１がＰ型トランジスタの場合は、極性を逆にした電圧をそれぞ
れの期間において印加すればよい。
【0211】
さらに、セルプレート４０２は、面積が大きいほど容量が大きくなる。容量を大きくする
ことによって、ソフトエラー（宇宙線の衝突といった要因により、メモリセルに記録され
ている情報が消失してしまう（書き換わってしまう）エラー）等の発生を抑制できる。し
たがって、容量素子の容量を増大する為に、容量素子の表面積の増大が要求される。
ことによって、ソフトエラー（宇宙線の衝突といった要因により、メモリセルに記録され
ている情報が消失してしまう（書き換わってしまう）エラー）等の発生を抑制できる。し
たがって、容量素子の容量を増大する為に、容量素子の表面積の増大が要求される。
【0212】
そこで、隣接する電極の間に配線を設け、その下に容量素子と接続する薄膜トランジスタ
を配置し、且つ薄膜トランジスタのチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記配線にお
ける電流の流れる方向と平行な方向、又は該電極の形状における長尺方向と平行方向に配
置することで、容量素子の容量の増大が図れる。
を配置し、且つ薄膜トランジスタのチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記配線にお
ける電流の流れる方向と平行な方向、又は該電極の形状における長尺方向と平行方向に配
置することで、容量素子の容量の増大が図れる。
【0213】
本実施の形態では、図１６のように、トランジスタ４０１のチャネル幅の方向をセルプレ
ート４０２（又は容量素子の電極）の形状における長尺方向と平行に配置する（図１６
矢印７００４）。トランジスタ４０１は、シングルゲート構造であっても、マルチゲート
構造であっても良い。
ート４０２（又は容量素子の電極）の形状における長尺方向と平行に配置する（図１６
矢印７００４）。トランジスタ４０１は、シングルゲート構造であっても、マルチゲート
構造であっても良い。
【0214】
なお、ＤＲＡＭの構造は、スタック型でもトレンチ型でも良い。スタック型とは、絶縁膜
を形成した後、該絶縁膜をエッチングすることによって段差を基板上に設け、当該段差に
容量素子を埋め込んで形成するものである。一方、トレンチ型とは、基板をエッチングす
ることにより段差を設け、当該段差に容量素子を埋め込んで形成するものである。
を形成した後、該絶縁膜をエッチングすることによって段差を基板上に設け、当該段差に
容量素子を埋め込んで形成するものである。一方、トレンチ型とは、基板をエッチングす
ることにより段差を設け、当該段差に容量素子を埋め込んで形成するものである。
【0215】
なお、スタック型のＤＲＡＭの作製方法は、公知の方法でＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上にトランジスタを形成するか、又は、実施の形態３に記載の方
法でＴＦＴを作製する。その後、絶縁膜（例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサン、
酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる）を形成する。次に、該絶縁膜をパターニン
グした後、エッチングすることによって段差を形成する。
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上にトランジスタを形成するか、又は、実施の形態３に記載の方
法でＴＦＴを作製する。その後、絶縁膜（例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサン、
酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる）を形成する。次に、該絶縁膜をパターニン
グした後、エッチングすることによって段差を形成する。
【0216】
その後、トランジスタのソース領域又はドレイン領域と接する下部電極（例えば、アルミ
ニウム等の金属を用いることができる）を形成する。次に誘電体膜（例えば、酸化チタン
、酸化タンタル、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる）を形成する。次に、上部
電極（例えば、タングステンシリサイド、ポリシリコン等を用いることができる）を形成
することにより、段差に容量素子を形成する。
ニウム等の金属を用いることができる）を形成する。次に誘電体膜（例えば、酸化チタン
、酸化タンタル、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる）を形成する。次に、上部
電極（例えば、タングステンシリサイド、ポリシリコン等を用いることができる）を形成
することにより、段差に容量素子を形成する。
【0217】
また、トレンチ型のＤＲＡＭの作製方法は、最初に基板をパターンニングした後、エッチ
ングすることにより、基板に段差を形成する。その後、公知の方法でＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上にトランジスタを形成するか、又は、実施の形態３
に記載の方法でＴＦＴを作製する。
ングすることにより、基板に段差を形成する。その後、公知の方法でＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上にトランジスタを形成するか、又は、実施の形態３
に記載の方法でＴＦＴを作製する。
【0218】
その後、トランジスタのソース領域又はドレイン領域と接する下部電極（例えば、アルミ
ニウム等の金属を用いることができる）を形成する。次に誘電体膜（例えば、酸化チタン
、酸化タンタル、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる）を形成する。次に、上部
電極（例えば、タングステンシリサイド、ポリシリコン等を用いることができる）を形成
することにより、段差に容量素子を形成する。
ニウム等の金属を用いることができる）を形成する。次に誘電体膜（例えば、酸化チタン
、酸化タンタル、窒化珪素、酸化珪素等を用いることができる）を形成する。次に、上部
電極（例えば、タングステンシリサイド、ポリシリコン等を用いることができる）を形成
することにより、段差に容量素子を形成する。
【0219】
また、ＤＲＡＭ以外の素子であっても、素子の面積の拡大を図る場合は、本発明が適用可
能である。図１５（Ｂ）に本願発明が適用可能な素子の回路図を示す。トランジスタ４１
１の一方の端子と素子４１２が接続されたユニットを１セルとしている。そして、１セル
同士は配線によって接続されている。また、トランジスタ４１１の他方の端子は、第１の
配線４１３と接続されている。また、トランジスタ４１１のゲートは第２の配線４１４と
接続されている。
能である。図１５（Ｂ）に本願発明が適用可能な素子の回路図を示す。トランジスタ４１
１の一方の端子と素子４１２が接続されたユニットを１セルとしている。そして、１セル
同士は配線によって接続されている。また、トランジスタ４１１の他方の端子は、第１の
配線４１３と接続されている。また、トランジスタ４１１のゲートは第２の配線４１４と
接続されている。
【0220】
そこで、隣接する素子の間に配線を設け、その下に該素子と接続する薄膜トランジスタを
配置し、且つ薄膜トランジスタのチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記配線におけ
る電流の流れる方向と平行な方向、又は該素子の形状におけるの長尺方向と平行方向に配
置することで、素子の面積の増大又は素子の数の増加を図ることができる。
配置し、且つ薄膜トランジスタのチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記配線におけ
る電流の流れる方向と平行な方向、又は該素子の形状におけるの長尺方向と平行方向に配
置することで、素子の面積の増大又は素子の数の増加を図ることができる。
【0221】
素子４１２としては、例えば、有機メモリ、フォトダイオード、圧電素子等を用いること
ができる。
ができる。
【0222】
素子４１２として、有機メモリを用いた場合は、記憶素子を形成することができる。なお
、有機メモリの方式として、第１の配線４１３と第２の配線４１４の選択によって電気的
に記憶させる方式、有機材料、すなわち光酸発生剤をドープした共役高分子材料を用いた
有機メモリ素子にレーザ光を照射することにより光学的に記憶させる方式等がある。有機
メモリ素子を形成する場合、ある程度の面積が必要となる。また、メモリ容量を増やす為
には、メモリ素子の数を増やすことが効果的である。したがって、本発明の構成を採用す
るとメモリ素子の数を増やすことができるので効果的である。
、有機メモリの方式として、第１の配線４１３と第２の配線４１４の選択によって電気的
に記憶させる方式、有機材料、すなわち光酸発生剤をドープした共役高分子材料を用いた
有機メモリ素子にレーザ光を照射することにより光学的に記憶させる方式等がある。有機
メモリ素子を形成する場合、ある程度の面積が必要となる。また、メモリ容量を増やす為
には、メモリ素子の数を増やすことが効果的である。したがって、本発明の構成を採用す
るとメモリ素子の数を増やすことができるので効果的である。
【0223】
また、素子４１２として、フォトダイオードを用いると、光センサを形成することができ
る。フォトダイオードの種類としては、ＰＮフォトダイオード、ＰＩＮフォトダイオード
、アバランシェフォトダイオード、ショットキフォトダイオード等を用いることができる
。フォトダイオードは、面積が大きいほど光電変換効率が上がる為、本発明の構成を採用
すると効果的である。
る。フォトダイオードの種類としては、ＰＮフォトダイオード、ＰＩＮフォトダイオード
、アバランシェフォトダイオード、ショットキフォトダイオード等を用いることができる
。フォトダイオードは、面積が大きいほど光電変換効率が上がる為、本発明の構成を採用
すると効果的である。
【0224】
また、素子４１２として、圧電素子を用いることで、圧力センサを形成することができる
。さらに、圧電素子と表示素子とを同一基板上に形成することでタッチパネルを形成する
ことができる。圧電素子としては、平行平板コンデンサを設けた感圧センサ、ｐ型シリコ
ン結晶にｎ型不純物を熱拡散によりドープし、補償された高抵抗の真性半導体領域をひず
みゲージとして用いるひずみゲージ式圧力センサ等がある。圧電素子を形成する場合、あ
る程度の面積が必要となる。また、面積が大きい方がセンサとしての感度が高い。したが
って、本発明の構成を採用すると効果的である。
。さらに、圧電素子と表示素子とを同一基板上に形成することでタッチパネルを形成する
ことができる。圧電素子としては、平行平板コンデンサを設けた感圧センサ、ｐ型シリコ
ン結晶にｎ型不純物を熱拡散によりドープし、補償された高抵抗の真性半導体領域をひず
みゲージとして用いるひずみゲージ式圧力センサ等がある。圧電素子を形成する場合、あ
る程度の面積が必要となる。また、面積が大きい方がセンサとしての感度が高い。したが
って、本発明の構成を採用すると効果的である。
【0225】
以上のように、本発明は、さまざまな半導体装置に適用することが可能である。
【0226】
（実施の形態１１）
本発明の表示装置は様々な電子機器の表示部に用いることができる。特に薄型、軽量が要
求されるモバイル機器には本発明の表示装置を用いることが望ましい。また、本発明の半
導体装置は様々な電子機器に用いることができる。特に薄型、軽量が要求されるモバイル
機器には本発明の半導体装置を用いることが望ましい。
本発明の表示装置は様々な電子機器の表示部に用いることができる。特に薄型、軽量が要
求されるモバイル機器には本発明の表示装置を用いることが望ましい。また、本発明の半
導体装置は様々な電子機器に用いることができる。特に薄型、軽量が要求されるモバイル
機器には本発明の半導体装置を用いることが望ましい。
【0227】
本発明の表示装置又は半導体装置を筐体に組み込んだ電子機器として、テレビジョン装置
（単にＴＶ、テレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ。）、カメラ（ビデオカメラやデ
ジタルカメラ等）、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（
カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モ
バイルコンピュータ、携帯電話、携帯型のゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備え
た画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌｖｅｒｓａｔｉｌｅｄｉｓｃ）やＨ
ＤＤＶＤ（ＨｉｇｈＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎＤＶＤ）、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ―ｒａ
ｙ（登録商標）Ｄｉｓｋ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを
備えた装置）、その他表示部を有する電化製品などが挙げられる。電子機器の具体例を図
１７に示す。
（単にＴＶ、テレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ。）、カメラ（ビデオカメラやデ
ジタルカメラ等）、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（
カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モ
バイルコンピュータ、携帯電話、携帯型のゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備え
た画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌｖｅｒｓａｔｉｌｅｄｉｓｃ）やＨ
ＤＤＶＤ（ＨｉｇｈＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎＤＶＤ）、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ―ｒａ
ｙ（登録商標）Ｄｉｓｋ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを
備えた装置）、その他表示部を有する電化製品などが挙げられる。電子機器の具体例を図
１７に示す。
【0228】
図１７（Ａ）は携帯情報端末であり、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。
【0229】
図１７（Ｂ）はデジタルビデオカメラであり、本体９７０２、表示部９７０１等を含んで
いる。
いる。
【0230】
図１７（Ｃ）は携帯端末であり、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。
【0231】
図１７（Ｄ）は携帯型のテレビジョン装置であり、本体９３０１、表示部９３０２等を含
んでいる。このようなテレビジョン装置は携帯電話などの携帯端末に搭載する小型のもの
から、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以
上）まで、幅広く適用することができる。
んでいる。このようなテレビジョン装置は携帯電話などの携帯端末に搭載する小型のもの
から、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以
上）まで、幅広く適用することができる。
【0232】
図１７（Ｅ）は携帯型のコンピュータであり、本体９４０１、表示部９４０２等を含んで
いる。
いる。
【0233】
図１７（Ｆ）はテレビジョン装置であり、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる
。
。
【0234】
以上のように、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適
用することが可能である。
用することが可能である。
【符号の説明】
【0235】
５１ 電界発光層
５２ 電界発光層
６２ 電界発光層
１００ ゲート電極
１０１ 第１の半導体層
１０２ 第２の半導体層
１０３ 接続電極
１０４ 信号線
１０５ ゲート配線
１０６ 電源供給線
１０７ 画素電極
１０８ 接続電極
３００ 容量素子
３０１ 駆動用ＴＦＴ
３０２ スイッチング用ＴＦＴ
３０３ 表示素子
３０４ 信号線
３０５ 走査線
３０６ 電源供給線
４０１ トランジスタ
４０２ セルプレート
４０３ ビットライン
４０４ ワードライン
４１１ トランジスタ
４１２ 素子
４１３ 第１の配線
４１４ 第２の配線
５０１ 第１の配線
５０２ 第１の配線
５０３ 第１の配線
６０１ 第２の配線
６０２ 第２の配線
７０１ 画素電極
７０２ 画素電極
７０３ 画素電極
７０４ 画素電極
７０５ 画素電極
７０６ 画素電極
７０７ 画素電極
１２００ 第１基板
１２０１ 信号線駆動回路
１２０２ 画素部
１２０２ 画素部
１２０３ 走査線駆動回路
１２０４ 第２の基板
１２０５ 第１のシール材
１２０６ 第２のシール材
１２０８ 接続配線
１２０９ ＦＰＣ
１２１０ 接続配線
１２１１ スイッチング用ＴＦＴ
１２１２ 駆動用ＴＦＴ
１２１３ 第１の画素電極
１２１４ 絶縁物
１２１５ 電界発光層
１２１６ 第２の画素電極
１２１７ 表示素子
１２１８ 保護積層
１２２１ ｎチャネル型ＴＦＴ
１２２２ ｐチャネル型ＴＦＴ
１２２６ 反射防止膜
１２２７ 異方性導電樹脂
１２３０ モニター素子部
４１０１ 島状半導体層
４１０２ 島状半導体層
４１０３ ゲート電極
４１０４ ゲート電極
４１０５ コンタクトホール
４１０６ 配線
４１０７ 配線
４１０８ 配線
４１０９ 画素電極
４１１０ 発光エリア
５００１ 第１の配線領域
５００２ 第２の配線領域
６００１ 破線部
６００２ 破線部
６００３ 破線部
６０１１ 破線部
６０１２ 破線部
６０２１ 破線部
６０２２ 破線部
６０３１ 破線部
６０３２ 破線部
７００１ 矢印
７００２ 矢印
７００３ 矢印
７００４ 矢印
８００１ 第１の矢印
８００２ 第２の矢印
８００３ 第３の矢印
８００４ 第４の矢印
９１０１ 本体
９１０２ 表示部
９２０１ 本体
９２０２ 表示部
９３０１ 本体
９３０２ 表示部
９４０１ 本体
９４０２ 表示部
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９７０１ 表示部
９７０２ 本体
５２ 電界発光層
６２ 電界発光層
１００ ゲート電極
１０１ 第１の半導体層
１０２ 第２の半導体層
１０３ 接続電極
１０４ 信号線
１０５ ゲート配線
１０６ 電源供給線
１０７ 画素電極
１０８ 接続電極
３００ 容量素子
３０１ 駆動用ＴＦＴ
３０２ スイッチング用ＴＦＴ
３０３ 表示素子
３０４ 信号線
３０５ 走査線
３０６ 電源供給線
４０１ トランジスタ
４０２ セルプレート
４０３ ビットライン
４０４ ワードライン
４１１ トランジスタ
４１２ 素子
４１３ 第１の配線
４１４ 第２の配線
５０１ 第１の配線
５０２ 第１の配線
５０３ 第１の配線
６０１ 第２の配線
６０２ 第２の配線
７０１ 画素電極
７０２ 画素電極
７０３ 画素電極
７０４ 画素電極
７０５ 画素電極
７０６ 画素電極
７０７ 画素電極
１２００ 第１基板
１２０１ 信号線駆動回路
１２０２ 画素部
１２０２ 画素部
１２０３ 走査線駆動回路
１２０４ 第２の基板
１２０５ 第１のシール材
１２０６ 第２のシール材
１２０８ 接続配線
１２０９ ＦＰＣ
１２１０ 接続配線
１２１１ スイッチング用ＴＦＴ
１２１２ 駆動用ＴＦＴ
１２１３ 第１の画素電極
１２１４ 絶縁物
１２１５ 電界発光層
１２１６ 第２の画素電極
１２１７ 表示素子
１２１８ 保護積層
１２２１ ｎチャネル型ＴＦＴ
１２２２ ｐチャネル型ＴＦＴ
１２２６ 反射防止膜
１２２７ 異方性導電樹脂
１２３０ モニター素子部
４１０１ 島状半導体層
４１０２ 島状半導体層
４１０３ ゲート電極
４１０４ ゲート電極
４１０５ コンタクトホール
４１０６ 配線
４１０７ 配線
４１０８ 配線
４１０９ 画素電極
４１１０ 発光エリア
５００１ 第１の配線領域
５００２ 第２の配線領域
６００１ 破線部
６００２ 破線部
６００３ 破線部
６０１１ 破線部
６０１２ 破線部
６０２１ 破線部
６０２２ 破線部
６０３１ 破線部
６０３２ 破線部
７００１ 矢印
７００２ 矢印
７００３ 矢印
７００４ 矢印
８００１ 第１の矢印
８００２ 第２の矢印
８００３ 第３の矢印
８００４ 第４の矢印
９１０１ 本体
９１０２ 表示部
９２０１ 本体
９２０２ 表示部
９３０１ 本体
９３０２ 表示部
９４０１ 本体
９４０２ 表示部
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９７０１ 表示部
９７０２ 本体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】