特許 7390779 フレキシブル配線回路基板および撮像装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-24

(45)【発行日】2023-12-04

(54)【発明の名称】フレキシブル配線回路基板および撮像装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20231127BHJP

   H05K 9/00 20060101ALI20231127BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 P

H05K9/00 R

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2018083301

(22)【出願日】2018-04-24

(65)【公開番号】P2018190972

(43)【公開日】2018-11-29

【審査請求日】2021-03-31

【審判番号】

【審判請求日】2022-11-30

(31)【優先権主張番号】P 2017090167

(32)【優先日】2017-04-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100103517

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 寛之

(72)【発明者】

【氏名】高倉 隼人

(72)【発明者】

【氏名】河邨 良広

(72)【発明者】

【氏名】若木 秀一

(72)【発明者】

【氏名】柴田 周作

【合議体】

【審判長】篠塚 隆

【審判官】野崎 大進

【審判官】富澤 哲生

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／０４７０７２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１６／２０４２０８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００３－０３４８２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２９４９１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０５９７０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２０７６４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－２１０６２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３１３８３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H05K 1/02

H05K 9/00

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、
前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、
前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え、
前記シールド層は、
導電層と、
前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層と、を備え、
前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、
前記バリア層は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択され、
前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、
前記第２絶縁層は、前記配線と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２絶縁層と直接接触し、
前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記導電層と直接接触し、
前記第３絶縁層は、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層と直接接触し、
前記導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であり、
前記シールド層は、前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。

【請求項2】

前記第２絶縁層および前記第３絶縁層のそれぞれの材料は、ポリイミドであることを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項3】

前記バリア層は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウムおよびタンタルからなる群から選択される１種の金属であることを特徴とする、請求項２に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項4】

前記配線は、グランド配線を含み、
前記シールド層は、前記バリア層が前記グランド配線と接触することにより、前記グランド配線と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項5】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、
前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、
前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え、
前記シールド層は、
導電層と、
前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層と、を備え、
前記厚み方向において、前記配線と前記第２絶縁層との間に配置される第４絶縁層および第２配線をさらに備え、
前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、
前記バリア層は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択され、
前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、
前記第４絶縁層は、前記配線と直接接触し、
前記第２配線は、前記第４絶縁層と直接接触し、
前記第２絶縁層は、前記２配線と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２配線および前記第２絶縁層と直接接触し、
前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、
前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記第３絶縁層と直接接触し、
前記導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であり、
前記シールド層は、前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。

【請求項6】

撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項7】

請求項１～５のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板と、
前記フレキシブル配線回路基板に実装される撮像素子と、を備えることを特徴とする、撮像装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フレキシブル配線回路基板および撮像装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、電子部品が実装される回路基板では、外部からの電磁波の影響により、電子部品の誤作動やノイズが生じることが知られている。そのため、回路基板に電磁波のシールド層を設けて、外部からの電磁波を遮蔽することが望まれる。

【0003】

そのようなシールド層として、例えば、樹脂基板にＳｕＳで成膜された密着膜と、密着膜にＣｕで成膜された通電性膜と、通電性膜にＳｕＳで成膜された保護膜とを備えるシールド膜が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００７－２４３１２２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかるに、回路基板がフレキシブル配線回路基板である場合、シールド層には、フレキシブル配線回路基板が変形しても基板から剥離しない優れた密着性と、電磁波に対する優れたシールド特性との両立が求められる。

【0006】

しかし、特許文献１のシールド膜では、フレキシブル配線回路基板において要求される密着性およびシールド特性を十分に両立できない。

【0007】

本発明は、シールド層の優れた密着性と、電磁波に対する優れたシールド特性との両立を図ることができるフレキシブル配線回路基板および撮像装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明［１］は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え、前記シールド層は、導電層と、前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層と、を備え、前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、前記バリア層は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択されるフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0009】

このような構成によれば、導電層を挟む２つのバリア層のそれぞれが、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択される。そのため、バリア層の材料がステンレス鋼（ＳＵＳ）である場合と比較して、シールド層の密着性およびシールド特性の向上を図ることができ、優れた密着性と優れたシールド特性との両立を図ることができる。

【0010】

本発明［２］は、前記第２絶縁層および前記第３絶縁層のそれぞれの材料は、ポリイミドである、上記［１］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0011】

しかるに、第２絶縁層および第３絶縁層の材料がポリイミドであると、シールド層の材料である金属がポリイミドに拡散（マイグレーション）しやすい傾向にある。

【0012】

一方、上記の構成によれば、導電層を挟むバリア層が、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択される。そのため、シールド層の材料である金属がポリイミドを材料とする第２絶縁層および第３絶縁層に拡散（マイグレーション）することを抑制することができる。

【0013】

本発明［３］は、前記バリア層は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウムおよびタンタルからなる群から選択される１種の金属である、上記［２］に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0014】

このような構成によれば、バリア層が、上記の群から選択される金属である。上記の群に属する金属は、上記したバリア層の材料である金属（周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属）において、とりわけポリイミドに拡散（マイグレーション）しにくい。

【0015】

そのため、バリア層の材料である金属がポリイミドを材料とする第２絶縁層および第３絶縁層に拡散（マイグレーション）することを抑制できる。

【0016】

本発明［４］は、前記配線は、グランド配線を含み、前記シールド層は、前記バリア層が前記グランド配線と接触することにより、前記グランド配線と電気的に接続されている、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0017】

このような構成によれば、第１絶縁層の厚み方向一方側に、グランド配線が配置されているので、別途、グランド配線のための層を設ける必要がない。そのため、フレキシブル配線回路基板の薄型化を図ることができる。

【0018】

また、バリア層の材料である周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属は、ステンレス鋼と比較して体積抵抗率が低いので、バリア層をグランド配線に接触させる構造において、シールド層を効率的に接地することができる。

【0019】

本発明［５］は、前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、前記第２絶縁層は、前記配線と直接接触し、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２絶縁層と直接接触し、前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記導電層と直接接触し、前記第３絶縁層は、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層と直接接触する、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0020】

このような構成によれば、複数の層（第１絶縁層、配線、第２絶縁層、導電層、２つバリア層および第３絶縁層）のうち、厚み方向に互いに隣り合う層が直接接触している。

【0021】

つまり、厚み方向に互いに隣り合う層は、それらの間に接着剤を介することなく互いに接着されている。そのため、厚み方向に互いに隣り合う層が接着剤により接着される場合と比較して、フレキシブル配線回路基板の薄型化を図ることができる。

【0022】

とりわけ、バリア層が上記の金属から選択されるので、シールド層の優れた密着性を確保することができ、接着剤を用いることなくシールド層を第２絶縁層および第３絶縁層に確実に接着でき、接着剤レスのフレキシブル配線回路基板を実現することができる。

【0023】

本発明［６］は、前記厚み方向において、前記配線と前記第２絶縁層との間に配置される第４絶縁層および第２配線をさらに備え、前記第４絶縁層は、前記配線の前記厚み方向一方側に配置され、前記第２配線は、前記第４絶縁層の前記厚み方向一方側に配置される、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0024】

このような構成によれば、フレキシブル配線回路基板が、配線および第２配線を備えているので、配線の数を増加させることができ、設計の自由度の向上を図ることができる。

【0025】

本発明［７］は、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板である、上記［１］～［６］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板を含んでいる。

【0026】

このような構成によれば、フレキシブル配線回路基板が、シールド層の優れた密着性と電磁波に対する優れたシールド特性との両立を図ることができるので、撮像素子実装基板として好適に利用できる。

【0027】

本発明［８］は、上記［１］～［６］のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板と、前記フレキシブル配線回路基板に実装される撮像素子とを備える、撮像装置を含んでいる。

【0028】

このような構成によれば、撮像装置が、上記のフレキシブル配線回路基板を備えるので、シールド層の優れた密着性と電磁波に対する優れたシールド特性との両立を図ることができる。

【発明の効果】

【0029】

本発明のフレキシブル配線回路基板および撮像装置によれば、シールド層の優れた密着性と、電磁波に対する優れたシールド特性との両立を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】図１は、本発明のフレキシブル配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板の底面図を示す。

【図2】図２は、図１に示す撮像素子実装基板におけるＡ－Ａ断面図を示す。

【図3】図３Ａ～図３Ｄは、図２に示す撮像素子実装基板の製造工程図を示し、図３Ａが、金属支持体用意工程およびベース絶縁層形成工程、図３Ｂが、導体パターン形成工程、図３Ｃが、第１カバー絶縁層形成工程を示す。

【図4】図４Ｄ～図４Ｆは、図３Ｃに続く撮像素子実装基板の製造工程図を示し、図４Ｄが、シールド層形成工程、図４Ｅが、第２カバー絶縁層形成工程、図４Ｆが、金属支持体除去工程を示す。

【図5】図５は、図２に示す撮像素子実装基板を備える撮像装置を示す。

【図6】図６は、本発明のフレキシブル配線回路基板の他の実施形態（第３カバー絶縁層および第２導体パターンを備える態様）の断面図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0031】

図１において、紙面上下方向は、前後方向（第１方向）であって、紙面上側が前側（第１方向一方側）、紙面下側が後側（第１方向他方側）である。

【0032】

図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向と直交する第２方向）であって、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。

【0033】

図１において、紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向の一例、第１方向および第２方向と直交する第３方向）であって、紙面奥側が上側（厚み方向一方側の一例、第３方向一方側）、紙面手前側が下側（厚み方向他方側の一例、第３方向他方側）である。

【0034】

具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

【0035】

＜一実施形態＞
１．撮像素子実装基板
本発明のフレキシブル配線回路基板の一実施形態である撮像素子実装基板１（以下、単に実装基板１とも略する。）を説明する。

【0036】

図１に示すように、実装基板１は、撮像素子２１（後述、図５参照）を実装するためのフレキシブル配線回路基板（ＦＰＣ）であって、撮像素子２１を未だ備えていない。実装基板１は、前後方向および左右方向（面方向）に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有している。

【0037】

実装基板１は、ハウジング配置部２、および、外部部品接続部３を備える。

【0038】

ハウジング配置部２は、ハウジング２２（後述、図５参照）や撮像素子２１が配置される部分である。具体的には、ハウジング配置部２は、ハウジング２２が実装基板１に配置された場合において、厚み方向に投影したときに、ハウジング２２と重複する部分である。ハウジング配置部２の略中央部には、撮像素子２１と電気的に接続するための撮像素子接続端子１０（後述）が複数配置されている。

【0039】

外部部品接続部３は、ハウジング配置部２以外の領域であって、外部部品と接続するための部分である。外部部品接続部３は、外部部品接続部３の前端縁がハウジング配置部２の後端縁と連続するように、ハウジング配置部２の後側に配置されている。外部部品接続部３の後端縁には、外部部品と電気的に接続するための外部部品接続端子１１（後述）が複数配置されている。

【0040】

実装基板１は、図２に示すように、第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層４と、導体パターン５と、第２絶縁層の一例としての第１カバー絶縁層６と、シールド層４０と、第３絶縁層の一例としての第２カバー絶縁層３１とを、上側（厚み方向一方側の一例）に向かって順に備える。

【0041】

ベース絶縁層４は、図１および図２に示すように、実装基板１の外形をなし、底面視略矩形状に形成されている。ベース絶縁層４は、実装基板１の最下層に位置する。ベース絶縁層４の下面（厚み方向他方面の一例）は、平坦となるように形成されている。また、ベース絶縁層４の下面の全ては、下方に向かって露出している。詳しくは、ベース絶縁層４は、ベース絶縁層４の下面は金属支持体（図３Ａ～図４Ｅの符号１９参照）に支持されておらず、従って、実装基板１は、金属支持体１９（金属支持層）を備えない。

【0042】

ベース絶縁層４には、図１に示すように、複数の撮像素子開口部７、および、複数の外部部品開口部８が形成されている。

【0043】

複数の撮像素子開口部７は、撮像素子接続端子１０を下面から露出するための開口部である。複数の撮像素子開口部７は、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の撮像素子開口部７のそれぞれは、図２に示すように、ベース絶縁層４を上下方向に貫通し、底面視略円形状を有している。撮像素子開口部７は、下側に向かうに従って開口断面積が小さくなるテーパ形状を有している。

【0044】

複数の外部部品開口部８は、図１に示すように、外部部品接続端子１１を下面から露出するための開口部である。外部部品開口部８は、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の外部部品開口部８のそれぞれは、ベース絶縁層４を上下方向に貫通し、底面視略矩形状（長方形状）を有している。外部部品開口部８は、底面視において、外部部品接続部３の後端縁から前側に向かって延びるように、形成されている。

【0045】

ベース絶縁層４の材料として、例えば、絶縁材料が挙げられる。絶縁材料として、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などが挙げられる。絶縁材料として、好ましくは、絶縁性、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミドが挙げられる。

【0046】

ポリイミドとして、具体的には、特開平０７－１７９６０４号公報、特開２０１０－２７６７７５号公報、特開２０１３－１００４４１号公報などに記載の材料などが挙げられる。

【0047】

ベース絶縁層４の厚みは、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上である。

【0048】

導体パターン５は、図２に示すように、ベース絶縁層４の上面と接触するように、ベース絶縁層４の上側（厚み方向一方側）に配置されている。導体パターン５は、複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１（図１参照）、および、複数の配線９を備える。

【0049】

複数の撮像素子接続端子１０は、図１に示すように、ハウジング配置部２の中央部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の撮像素子接続端子１０は、実装される撮像素子２１の複数の端子２５（図５参照）に対応するように、設けられている。また、複数の撮像素子接続端子１０は、複数の撮像素子開口部７に対応して設けられている。撮像素子接続端子１０は、底面視略円形状を有している。撮像素子接続端子１０は、撮像素子開口部７内に配置され、断面視（側断面視および正断面視）において、下側に凸となるように形成されている。撮像素子接続端子１０の下面は、撮像素子開口部７から露出している。

【0050】

複数の外部部品接続端子１１は、図１に示すように、外部部品接続部３の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、外部部品の複数の端子（図示せず）と対応するように設けられている。また、複数の外部部品接続端子１１は、複数の外部部品開口部８に対応して設けられている。外部部品接続端子１１は、平面視略矩形状（長方形状）を有している。外部部品接続端子１１は、外部部品開口部８内に配置され、その下面は、外部部品開口部８から露出している。

【0051】

複数の配線９は、図２に示すように、ベース絶縁層４の上側（厚み方向一方側）に配置され、ベース絶縁層４の上面と直接接触している。複数の配線９は、複数の接続配線１４および複数のグランド配線１５を含む。

【0052】

複数の接続配線１４は、複数の撮像素子接続端子１０および複数の外部部品接続端子１１に対応するように設けられている。具体的には、接続配線１４は、図示しないが、撮像素子接続端子１０と外部部品接続端子１１とを接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、接続配線１４の一端は、撮像素子接続端子１０と連続し、接続配線１４の他端は、外部部品接続端子１１と連続して、これらを電気的に接続している。

【0053】

複数のグランド配線１５は、複数の接続配線１４の外側に、これらに沿うように設けられている。グランド配線１５の一端には、図示しないグランド端子が一体的に接続されている。

【0054】

導体パターン５の材料として、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。

【0055】

導体パターン５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。配線９の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

【0056】

第１カバー絶縁層６は、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４および導体パターン５の上側に配置されている。すなわち、第１カバー絶縁層６は、導体パターン５の上面および側面、および、導体パターン５から露出するベース絶縁層４の上面と接触するように、配置されている。つまり、第１カバー絶縁層６の少なくとも一部は、導体パターン５（複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１および複数の配線９）の上側（厚み方向一方側）に配置されており、導体パターン５（複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１および複数の配線９）と直接接触している。第１カバー絶縁層６の外形は、ベース絶縁層４の外形と同一となるように形成されている。

【0057】

また、第１カバー絶縁層６には、グランド開口部１６が形成されている。グランド開口部１６は、グランド配線１５の上面を露出するための開口部である。グランド開口部１６は、グランド配線１５に対応して形成されている。グランド開口部１６は、第１カバー絶縁層６を上下方向に貫通し、グランド配線１５の上面を露出している。グランド開口部１６は、下側に向かうに従って開口断面積が小さくなるテーパ形状を有している。

【0058】

第１カバー絶縁層６の材料として、例えば、ベース絶縁層４で上記した絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられ、好ましくは、ポリイミドが挙げられる。

【0059】

第１カバー絶縁層６の厚みは、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上である。

【0060】

シールド層４０は、電磁波を遮蔽するためのシールドであって、第１カバー絶縁層６の上面と接触するように、第１カバー絶縁層６の上側（厚み方向一方側）に配置されている。本実施形態において、シールド層４０は、面方向（前後方向および左右方向）に延びるシート状に形成されている。シールド層４０の外形は、第１カバー絶縁層６の外形と同一となるように形成されている。つまり、シールド層４０は、第１カバー絶縁層６の上面全体と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面全体とに、一括して接触するように設けられている。

【0061】

シールド層４０は、導電層４１と、導電層４１を上下方向（厚み方向）に挟む２つのバリア層４２とを備え、好ましくは、導電層４１と、２つのバリア層４２とからなる。なお、以下において、２つのバリア層４２を互いに区別する場合、導電層４１に対して下側（厚み方向他方側）に位置するバリア層４２を第１バリア層４２Ａとし、導電層４１に対して上側（厚み方向一方側）に位置するバリア層４２を第２バリア層４２Ｂとする。

【0062】

導電層４１は、電磁波を遮蔽するための層であり、上下方向において第１バリア層４２Ａと第２バリア層４２Ｂとの間に配置されている。詳しくは、導電層４１は、第１バリア層４２Ａの上面と直接接触するとともに、第２バリア層４２Ｂの下面と直接接触している。導電層４１は、面方向（前後方向および左右方向）に延びるシート状に形成されている。導電層４１は、好ましくは、スパッタリングにより形成されるスパッタ膜である。

【0063】

導電層４１は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択される。つまり、導電層４１は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属（銅および銀）の少なくとも１種から形成される。なお、周期表は、ＩＵＰＡＣ Ｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｔａｂｌｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｍｅｎｔｓ（ｖｅｒｓｉｏｎ ｄａｔｅｄ ２８ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ ２０１６）に従う。これら導電層４１の材料である金属として、好ましくは、銅または銀の純金属が挙げられ、より好ましくは、銅が挙げられる。

【0064】

導電層４１は、バリア層４２よりも高い導電性を有する。つまり、導電層４１の体積抵抗率は、バリア層４２の体積抵抗率よりも低い。導電層４１の体積抵抗率（ａｔ ０℃）は、例えば、１．６μΩ・ｃｍ以下であり、また、例えば、１．０μΩ・ｃｍ以上である。なお、体積抵抗率は、四探針法により測定される。

【0065】

導電層４１の体積抵抗率が上記上限以下であれば、シールド層４０のシールド特性の向上を確実に図ることができる。

【0066】

導電層４１の厚みは、例えば、１．０μｍ以下、好ましくは、０．３μｍ以下、また、例えば、０．０５μｍ以上である。

【0067】

導電層４１の厚みが上記上限以下であれば、実装基板１の薄型化を確実に図ることができ、導電層４１の厚みが上記下限以上であれば、シールド層４０のシールド特性の向上を確実に図ることができる。

【0068】

２つのバリア層４２は、導電層４１の材料である金属が、絶縁層に拡散（マイグレーション）することを抑制するための層である。より詳しくは、第１バリア層４２Ａが、導電層４１の材料である金属が、第１カバー絶縁層６に拡散（マイグレーション）することを抑制するための層であり、第２バリア層４２Ｂが、導電層４１の材料である金属が、第２カバー絶縁層３１に拡散（マイグレーション）することを抑制するための層である。

【0069】

第１バリア層４２Ａは、上下方向において、第１カバー絶縁層６と導電層４１との間と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５と導電層４１との間とに配置されている。第１バリア層４２Ａは、第１カバー絶縁層６の上面と直接接触するように、第１カバー絶縁層６の上側（厚み方向一方側）に配置され、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面と直接接触するように、グランド配線１５の上側に配置される。

【0070】

第２バリア層４２Ｂは、上下方向において導電層４１と第２カバー絶縁層３１との間に配置されている。第２バリア層４２Ｂは、導電層４１の上面と直接接触するように、導電層４１の上側（厚み方向一方側）に配置されている。

【0071】

各バリア層４２（第１バリア層４２Ａおよび第２バリア層４２Ｂのそれぞれ）は、面方向（前後方向および左右方向）に延びるシート状に形成されている。バリア層４２は、好ましくは、スパッタリングにより形成されるスパッタ膜である。

【0072】

各バリア層４２（第１バリア層４２Ａおよび第２バリア層４２Ｂのそれぞれ）は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択される。つまり、バリア層４２は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属（チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウムおよび白金）からなる群より選択される１種の純金属から形成される。

【0073】

これらバリア層４２の材料である金属として、好ましくは、チタン、クロム、ニッケル、パラジウムおよびタンタルからなる群から選択される１種の金属（純金属）が挙げられ、より好ましくは、チタンおよびクロムの純金属が挙げられる。

【0074】

バリア層４２の材料である金属が、上記の群から選択される金属であれば、第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１の材料がポリイミドである場合であっても、それら金属が、第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１に拡散（マイグレーション）することを確実に抑制できる。

【0075】

また、第１バリア層４２Ａの材料である金属と第２バリア層４２Ｂの材料である金属とは、互いに異なってもよく、互いに同じであってもよい。

【0076】

また、導電層４１の材料である金属とバリア層４２の材料である金属との組み合わせとして、好ましくは、銅または銀（導電層４１）とチタン（バリア層４２）との組み合わせ、銅または銀（導電層４１）とクロム（バリア層４２）との組み合わせ、銅または銀（導電層４１）とニッケル（バリア層４２）との組み合わせ、銅または銀（導電層４１）とパラジウム（バリア層４２）との組み合わせ、銅または銀（導電層４１）とタンタル（バリア層４２）との組み合わせが挙げられ、より好ましくは、銅とチタンとの組み合わせ、銅とクロムとの組み合わせが挙げられる。

【0077】

導電層４１の材料である金属とバリア層４２の材料である金属との組み合わせが上記の組み合わせであれば、シールド層４０の優れた密着性と、電磁波に対する優れたシールド特性との両立を確実に図ることができる。

【0078】

また、第１バリア層４２Ａの材料である金属と第２バリア層４２Ｂの材料である金属とが互いに異なる場合、第１バリア層４２Ａの材料である金属と、導電層４１の材料である金属と、第２バリア層４２Ｂの材料である金属との組み合わせとして、好ましくは、クロム（第１バリア層４２Ａ）と銅または銀（導電層４１）とニッケル（第２バリア層４２Ｂ）との組み合わせ、チタン（第１バリア層４２Ａ）と銅または銀（導電層４１）とニッケル（第２バリア層４２Ｂ）との組み合わせ、クロム（第１バリア層４２Ａ）と銅または銀（導電層４１）とパラジウム（第２バリア層４２Ｂ）との組み合わせが挙げられ、さらに好ましくは、クロム（第１バリア層４２Ａ）と銅または銀（導電層４１）とニッケル（第２バリア層４２Ｂ）との組み合わせが挙げられる。

【0079】

バリア層４２の体積抵抗率（ａｔ ０℃）は、例えば、５０μΩ・ｃｍ以下、好ましくは、２０μΩ・ｃｍ以下、より好ましくは、１５μΩ・ｃｍ以下であり、また、例えば、１．８μΩ・ｃｍ以上である。

【0080】

バリア層４２の体積抵抗率が上記上限以下であれば、バリア層４２の導電性を確保することができ、シールド層４０のシールド特性のさらなる向上を図ることができる。

【0081】

バリア層４２の厚みは、導電層４１の厚みを１００としたときに、例えば、１０以上、好ましくは、２０以上である。バリア層４２の厚みは、例えば、１．０μｍ以下、好ましくは、０．０９μｍ以下、さらに好ましくは、０．０８μｍ以下、とりわけ好ましくは、０．０５μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．０２μｍ以上である。

【0082】

バリア層４２の厚みが上記上限以下であれば、実装基板１の薄型化を確実に図ることができ、バリア層４２の厚みが上記下限以上であれば、導電層４１の材料である金属が絶縁層に拡散（マイグレーション）することを確実に抑制でき、シールド層４０の密着性の向上を確実に図ることができる。

【0083】

また、シールド層４０は、上記のように、バリア層４２（第１バリア層４２Ａ）がグランド配線１５と接触することにより、グランド配線１５と電気的に接続されている。すなわち、シールド層４０は、グランド配線１５と連続している。具体的には、シールド層４０は、グランド配線１５と対向する部分において、グランド開口部１６を介して、グランド配線１５の上面と接触するように下側に凸となっている。これにより、シールド層４０は、グランド配線１５を介して接地されている。

【0084】

第２カバー絶縁層３１は、シールド層４０を被覆するように、シールド層４０の上側（厚み方向一方側）に配置されている。第２カバー絶縁層３１の下面は、第２バリア層４２Ｂの上面と直接接触している。第２カバー絶縁層３１は、実装基板１の最上層に位置し、第２カバー絶縁層３１の上面は、上方に向かって露出している。第２カバー絶縁層３１の外形は、シールド層４０の外形と同一となるように形成されている。

【0085】

第２カバー絶縁層３１の材料として、例えば、第１カバー絶縁層６で上記した絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられ、好ましくは、ポリイミドが挙げられる。つまり、第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１のそれぞれの材料は、好ましくは、ポリイミドである。

【0086】

第２カバー絶縁層３１の厚みの範囲は、例えば、第１カバー絶縁層６の厚みの範囲と同じである。

【0087】

本実施形態において、実装基板１は、複数の層（ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、シールド層４０および第２カバー絶縁層３１）のうち、厚み方向に互いに隣り合う層が直接接触しており、それら層の間に接着剤を介することなく互いに接着されている。つまり、実装基板１は、接着剤が使用されない接着剤レスのＦＰＣである。そのため、実装基板１の薄型化を図ることができる。

【0088】

このような実装基板１において、シールド層４０の厚みと第２カバー絶縁層３１の厚みとの総和は、例えば、１５．０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。

【0089】

実装基板１の厚み（ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、シールド層４０および第２カバー絶縁層３１の厚みの総和）は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下、より好ましくは、２０μｍ以下であり、また、例えば、３μｍ以上である。

【0090】

２．撮像素子実装基板の製造方法
実装基板１は、図３Ａ～図４Ｆに示すように、例えば、金属支持体用意工程、ベース絶縁層形成工程、導体パターン形成工程、第１カバー絶縁層形成工程、シールド層形成工程、第２カバー絶縁層形成工程、および、金属支持体除去工程を順に実施することにより得られる。

【0091】

図３Ａに示すように、金属支持体用意工程では、金属支持体１９を用意する。

【0092】

金属支持体１９は、面方向に延びる平面視略矩形（長方形状）の平板形状（シート形状）を有する。金属支持体１９の上面は、平坦（平滑）となるように形成されている。

【0093】

金属支持体１９の材料として、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウムなどの金属材料が挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。

【0094】

金属支持体１９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

【0095】

続いて、ベース絶縁層形成工程では、ベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。すなわち、撮像素子開口部７および外部部品開口部８を有するベース絶縁層４を、金属支持体１９の上面に形成する。

【0096】

具体的には、感光性の絶縁性材料（例えば、ポリイミド）のワニスを金属支持体１９の上面全面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜（ベース絶縁層）を形成する。その後、ベース皮膜を、開口部（撮像素子開口部７および外部部品開口部８）に対応するパターンを有するフォトマスクを介して露光する。その後、ベース皮膜を現像し、好ましくは加熱硬化させる。

【0097】

続いて、図３Ｂに示すように、導体パターン形成工程では、導体パターン５を、上記したパターンで、ベース絶縁層４の上面と、撮像素子開口部７および外部部品開口部８から露出する金属支持体１９の上面とに、例えば、アディティブ法などによって、形成する。

【0098】

続いて、図３Ｃに示すように、第１カバー絶縁層形成工程では、第１カバー絶縁層６を、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４の上面に形成する。すなわち、グランド開口部１６を有する第１カバー絶縁層６を、ベース絶縁層４の上面に形成する。第１カバー絶縁層形成工程は、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。

【0099】

続いて、図４Ｄに示すように、シールド層形成工程では、シールド層４０を、第１カバー絶縁層６の上面全体と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面全体とに、形成する。

【0100】

詳しくは、シールド層形成工程は、第１バリア層形成工程と、導電層形成工程と、第２バリア層形成工程とを順に含んでいる。

【0101】

第１バリア層形成工程では、第１カバー絶縁層６の上面全体と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面全体とに、第１バリア層４２Ａを一括して形成する。第１バリア層４２Ａの形成方法として、例えば、スパッタリング、蒸着、めっきなどの公知の薄膜形成方法が挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。

【0102】

導電層形成工程では、第１バリア層４２Ａの上面全体に導電層４１を形成する。導電層４１の形成方法として、例えば、第１バリア層４２Ａと同様の形成方法が挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。

【0103】

第２バリア層形成工程では、導電層４１の上面全体に第２バリア層４２Ｂを形成する。第２バリア層４２Ｂの形成方法として、例えば、第１バリア層４２Ａと同様の形成方法が挙げられ、好ましくは、スパッタリングが挙げられる。

【0104】

これにより、第１バリア層４２Ａと、導電層４１と、第２バリア層４２Ｂとを備えるシールド層４０が形成される。

【0105】

続いて、図４Ｅに示すように、第２カバー絶縁層形成工程では、第２カバー絶縁層３１を、シールド層４０（第２バリア層４２Ｂ）の上面全体に形成する。第２カバー絶縁層形成工程は、ベース絶縁層形成工程と同様に実施する。

【0106】

しかるに、第２カバー絶縁層形成工程において、第２カバー絶縁層３１を加熱硬化させるときなどに、導電層４１の材料である金属が第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１に拡散（マイグレーション）するおそれがある。一方、実装基板１では、第１バリア層４２Ａが第１カバー絶縁層６と導電層４１との間に位置し、第２バリア層４２Ｂが導電層４１と第２カバー絶縁層３１との間に位置するので、導電層４１の金属が第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１に拡散（マイグレーション）することが抑制されている。

【0107】

以上により、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第１カバー絶縁層６と、シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを備える実装基板１を、金属支持体１９に支持された状態で得る。なお、この実装基板１は、金属支持体１９を備え、未だ除去されていない。そのため、この実装基板１は、本発明のフレキシブル配線回路基板に包含されない。

【0108】

図４Ｆに示すように、金属支持体除去工程では、金属支持体１９を除去する。

【0109】

金属支持体１９の除去方法として、例えば、金属支持体１９を、ベース絶縁層４の下面と、撮像素子開口部７から露出する撮像素子接続端子１０の下面および外部部品開口部８から露出する外部部品接続端子１１の下面とから剥離する方法、例えば、金属支持体１９に対して、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどのエッチングを施す方法などが挙げられる。金属支持体１９の除去方法として、好ましくは、エッチング、より好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。

【0110】

これにより、金属支持体１９が除去され、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第１カバー絶縁層６と、シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを備える実装基板１を得る。実装基板１は、金属支持体１９を備えず、好ましくは、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第１カバー絶縁層６と、シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とのみからなる。

【0111】

このような実装基板１は、例えば、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板に用いられる。すなわち、実装基板１は、カメラモジュールなどの撮像装置に備えられる。なお、実装基板１は、次に説明する撮像装置ではなく、撮像装置の一部品、すなわち、撮像装置を作製するための部品であり、撮像素子を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

【0112】

３．撮像装置
次に、図５を参照して、実装基板１を備える撮像装置２０を説明する。

【0113】

撮像装置２０は、実装基板１、撮像素子２１、ハウジング２２、光学レンズ２３、および、フィルター２４を備える。

【0114】

実装基板１は、図２に示される実装基板１を上下反転して撮像装置２０に備えられる。すなわち、実装基板１は、ベース絶縁層４を上側（厚み方向他方側）とし、第２カバー絶縁層３１を下側（厚み方向一方側）となるように、配置される。

【0115】

撮像素子２１は、光を電気信号に変換する半導体素子であって、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子が挙げられる。撮像素子２１は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、図示しないが、Ｓｉ基板などのシリコンと、その上に配置されるフォトダイオード（光電変換素子）およびカラーフィルターとを備える。撮像素子２１の下面には、実装基板１の撮像素子接続端子１０と対応する端子２５が複数設けられている。撮像素子２１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

【0116】

撮像素子２１は、実装基板１に実装されている。具体的には、撮像素子２１の端子２５は、対応する実装基板１の撮像素子接続端子１０と、ソルダーバンプ２６などを介して、フリップチップ実装されている。これにより、撮像素子２１は、実装基板１のハウジング配置部２の中央部に配置され、実装基板１の撮像素子接続端子１０および外部部品接続端子１１と電気的に接続されている。

【0117】

撮像素子２１は、実装基板１に実装されることにより、撮像ユニット２７を構成する。すなわち、撮像ユニット２７は、実装基板１と、それに実装される撮像素子２１とを備える。

【0118】

ハウジング２２は、撮像素子２１のハウジング配置部２に、撮像素子２１と間隔を隔てて囲むように、配置されている。ハウジング２２は、平面視略矩形状の筒状を有している。ハウジング２２の上端には、光学レンズ２３を固定するための固定部が設けられている。

【0119】

光学レンズ２３は、実装基板１の上側に、実装基板１および撮像素子２１と間隔を隔てて配置されている。光学レンズ２３は、平面視略円形状に形成され、外部からの光が、撮像素子２１に到達するように、固定部によって固定されている。

【0120】

フィルター２４は、撮像素子２１および光学レンズ２３の上下方向中央に、これらと間隔を隔てて配置され、ハウジング２２に固定されている。

【0121】

実装基板１のシールド層４０は、図２に示すように、導電層４１と、導電層４１を上下方向に挟む２つのバリア層４２と、を備える。そして、バリア層４２は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択される。そのため、バリア層４２の材料がステンレス鋼（ＳＵＳ）である場合と比較して、シールド層４０の密着性およびシールド特性の向上を図ることができ、優れた密着性と優れたシールド特性との両立を図ることができる。

【0122】

第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１のそれぞれの材料は、好ましくは、ポリイミドである。第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１の材料がポリイミドであると、シールド層４０の金属がポリイミドに拡散（マイグレーション）しやすい傾向にある。

【0123】

一方、実装基板１では、導電層４１を挟むバリア層４２が、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択される。そのため、シールド層４０の金属がポリイミドを材料とする第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１に拡散（マイグレーション）することを抑制することができる。

【0124】

バリア層４２は、好ましくは、チタン、クロム、ニッケル、パラジウムおよびタンタルからなる群から選択される１種の金属である。そのため、バリア層４２の金属がポリイミドを材料とする第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１に拡散（マイグレーション）することを抑制できる。その結果、シールド層４０の密着性とシールド特性との両立を確実に図ることができる。

【0125】

複数の配線９は、グランド配線１５を含み、グランド配線１５は、ベース絶縁層４の上面（厚み方向一方側）に配置にされている。そのため、別途、グランド配線１５のための層を設ける必要がない。その結果、実装基板１の薄型化を図ることができる。

【0126】

また、バリア層４２の材料である金属は、ステンレス鋼と比較して体積抵抗率が低いので、バリア層４２（第１バリア層４２Ａ）をグランド配線１５に接触させる構造において、シールド層４０を効率的に接地することができる。

【0127】

実装基板１は、複数の層（ベース絶縁層４、導体パターン５、第１カバー絶縁層６、シールド層４０および第２カバー絶縁層３１）のうち、上下方向に互いに隣り合う層が接着剤なしに接着される接着剤レスのＦＰＣである。そのため、実装基板１の薄型化を図ることができる。

【0128】

また、バリア層４２が上記の金属から選択され、シールド層４０の優れた密着性が確保されているので、接着剤を用いることなくシールド層４０を第１カバー絶縁層６および第２カバー絶縁層３１に確実に接着でき、接着剤レスの実装基板１を実現することができる。

【0129】

実装基板１は、シールド層４０の優れた密着性と電磁波に対する優れたシールド特性との両立が図られているので、撮像素子実装基板として好適に利用できる。

【0130】

撮像装置２０は、実装基板１を備える。そのため、シールド層４０の優れた密着性と電磁波に対する優れたシールド特性との両立を図ることができる。

【0131】

＜変形例＞
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【0132】

一実施形態では、本発明のフレキシブル配線回路基板として、撮像素子２１を実装するための撮像素子実装基板１（実装基板１）として説明しているが、フレキシブル配線回路基板の用途は、これに限定されない。例えば、シールド層の密着性および電磁波に対する優れたシールド特性の両立が要求される各種用途、例えば、スマートフォン、パソコン、ゲーム機などに用いられるＦＰＣなどに好適に用いられる。

【0133】

また、実装基板１では、図２に示すように、配線９は、グランド配線１５を含んでいるが、これに限定されず、グランド配線１５を含まなくてもよい。すなわち、配線９を、接続配線１４のみから構成することもできる。

【0134】

また、実装基板１では、シールド層４０は、グランド配線１５と電気的に接続されているが、これに限定されず、グランド配線１５と電気的に接続されなくてもよい。一方、シールド特性の観点から、上記の実施形態のように、シールド層４０は、グランド配線１５と電気的に接続されることが好ましい。

【0135】

また、実装基板１では、シールド層４０の外形が、第１カバー絶縁層６の外形と同一となり、シールド層４０が、第１カバー絶縁層６の上面全体と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面全体とに一括して接触するが、シールド層４０の形状は、シールド特性を確保できれば特に制限されない。

【0136】

例えば、シールド層４０は、実装基板１の電気特性（例えば、配線のインピーダンス調整など）を考慮して、本発明の効果を阻害しない範囲でパターニングされていてもよい。

【0137】

なお、シールド層４０がパターニングされる場合、実装基板１を厚み方向に投影したときの投影面の面積１００％に対して、シールド層４０の面積は、例えば、６０％以上、好ましくは、８０％以上、例えば、９９％以下である。

【0138】

このようなパターニングされたシールド層４０を形成するには、まず、図３Ａ～図４Ｄに示されるように、上記した金属支持体用意工程、ベース絶縁層形成工程、導体パターン形成工程、第１カバー絶縁層形成工程およびシールド層形成工程と同様にして、シート状のシールド層４０を、第１カバー絶縁層６の上面全体に形成する。

【0139】

次いで、シールド層４０を、公知のエッチング方法によりパターニングする。

【0140】

例えば、第２バリア層４２Ｂの上面全体に、公知の感光性ドライフィルムレジスト（図示せず）を配置した後、フォトマスク（図示せず）を介して露光および現像して、シールド層４０のうち不要な箇所（除去したい箇所）が露出するように、感光性ドライフィルムレジスト（図示せず）を開口させる。そして、シールド層４０の各金属のエッチングに適したエッチング液により、感光性ドライフィルムレジスト（図示せず）の開口から露出するシールド層４０の部分を除去して、シールド層４０をパターニングする。

【0141】

このようなパターニングされたシールド層４０を有する実装基板では、シールド層４０の密着性およびシールド特性の両立を図ることができながら、実装基板１の電気特性の向上を図ることができる。

【0142】

一方、上記の実施形態のように、シールド層４０の外形が第１カバー絶縁層６の外形と同一となり、シールド層４０が、第１カバー絶縁層６の上面全体と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面全体とに一括して形成される態様（つまり、実装基板１の厚み方向の投影面の面積１００％に対してシールド層４０の面積が１００％である態様）が、シールド特性の観点からより好ましい。

【0143】

また、実装基板１では、上下方向に互いに隣り合う層が、接着剤なしに接着される接着剤レスのＦＰＣであるが、これに限定されない。上下方向に互いに隣り合う層の間に接着剤層を設けることもできる。一方、薄型化の観点から、上記の実施形態のように、実装基板１は、接着剤レスのＦＰＣであることが好ましい。

【0144】

また、実装基板１では、図２に示すように、導体パターン５（複数の配線９）と第１カバー絶縁層６とが互いに直接接触しているが、これに限定されない。例えば、導体パターン５と第１カバー絶縁層６との間に他の層が配置されてもよい。

【0145】

例えば、図６に示すように、フレキシブル配線回路基板の他の実施形態である実装基板５０は、上下方向（厚み方向）において、導体パターン５と第１カバー絶縁層６との間に配置される第３カバー絶縁層５１（第４絶縁層の一例）および第２導体パターン５２を備える。

【0146】

つまり、実装基板５０は、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第３カバー絶縁層５１と、第２導体パターン５２と、第１カバー絶縁層６と、シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを、上側（厚み方向一方側の一例）に向かって順に備える。なお、導体パターン５と第２導体パターン５２とを明確に区別するために、以下おいて、導体パターン５を第１導体パターン５とし、配線９を第１配線９とし、接続配線１４を第１接続配線１４とし、グランド配線１５を第１グランド配線１５とする。

【0147】

第３カバー絶縁層５１は、第１導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４および第１導体パターン５の上側に配置されている。第３カバー絶縁層５１の少なくとも一部は、第１導体パターン５（複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１および複数の第１配線９）の上側（厚み方向一方側）に配置されており、第１導体パターン５（複数の撮像素子接続端子１０、複数の外部部品接続端子１１および複数の第１配線９）と直接接触している。

【0148】

また、第３カバー絶縁層５１には、グランド開口部５３が形成されている。グランド開口部５３は、第１グランド配線１５に対応して形成されている。グランド開口部５３は、第３カバー絶縁層５１を上下方向に貫通し、第１グランド配線１５の上面を露出している。

【0149】

第３カバー絶縁層５１の材料として、例えば、ベース絶縁層４で上記した絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられ、好ましくは、ポリイミドが挙げられる。第３カバー絶縁層５１の厚みの範囲は、例えば、上記した第１カバー絶縁層６の厚みの範囲と同じである。

【0150】

第２導体パターン５２は、第３カバー絶縁層５１の上面と接触するように、第３カバー絶縁層５１の上側（厚み方向一方側）に配置されている。第２導体パターン５２は、複数の撮像素子接続端子（図示せず）、複数の外部部品接続端子（図示せず）、複数の第２配線５４を備える。

【0151】

複数の撮像素子接続端子（図示せず）および複数の外部部品接続端子（図示せず）は、ベース絶縁層４および第３カバー絶縁層５１に形成された複数の開口部（図示せず）から露出するように、形成されている。

【0152】

複数の第２配線５４は、複数の第２接続配線５５および複数の第２グランド配線５６を含む。

【0153】

複数の第２接続配線５５は、複数の撮像素子接続端子および複数の外部部品接続端子に対応して、これらを接続するように設けられている。複数の第２グランド配線５６は、複数の第１グランド配線１５に対応して設けられる。第２グランド配線５６は、グランド開口部５３を介して第１グランド配線１５と接触して、第１グランド配線１５と電気的に接続されている。

【0154】

第２導体パターン５２の材料として、例えば、第１導体パターン５で上記した金属材料と同様の金属材料が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。第２導体パターン５２の厚みの範囲は、例えば、上記した第１導体パターン５の厚みの範囲と同じである。

【0155】

第１カバー絶縁層６は、第２導体パターン５２を被覆するように、第３カバー絶縁層５１および第２導体パターン５２の上側に配置されている。グランド開口部１６は、第２グランド配線５６の上面の一部を露出している。シールド層４０は、グランド開口部１６を介して第２グランド配線５６と接触して、第２グランド配線５６と電気的に接続されている。つまり、シールド層４０は、第２グランド配線５６を介して、第１グランド配線１５と電気的に接続されている。

【0156】

このような実装基板５０は、複数の第１配線９および複数の第２配線５４を備えるので、配線の数を増加させることができ、実装基板５０の設計の自由度の向上を図ることができる。なお、実装基板において、導体パターン５と第１カバー絶縁層６との間に配置される絶縁層および配線の個数は特に制限されず、第３カバー絶縁層５１および第２配線５４に加えて、さらに絶縁層および配線を備えていてもよい。一方、薄型化の観点からは、実装基板１が好ましい。

【0157】

また、一実施形態の撮像装置２０では、図５に示すように、撮像素子２１は、実装基板１にフリップチップ実装されているが、例えば、図示しないが、撮像素子２１は、実装基板１にワイヤボンディングによって実装することもできる。

【0158】

上記した各変形例についても、一実施形態と同様の作用効果を奏する。

【実施例】

【0159】

以下に製造例、比較製造例、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら製造例、比較製造例、実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

【0160】

実施例１
図３Ａに示すように、厚み１８μｍのステンレスを材料とする金属支持体１９を用意した。

【0161】

次いで、ポリイミド前駆体溶液を金属支持体１９の上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、ベース皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃１時間、ベース皮膜を加熱する（硬化させる）ことにより、撮像素子開口部７および外部部品開口部８を有し、ポリイミドを材料とする厚み５μｍのベース絶縁層４を形成した。

【0162】

図３Ｂに示すように、その後、銅を材料とする厚み３μｍの導体パターン５を、ベース絶縁層４の上面と、撮像素子開口部７および外部部品開口部８から露出する金属支持体１９の上面とに、アディティブ法で形成した。

【0163】

図３Ｃに示すように、その後、ポリイミド前駆体溶液をベース絶縁層４および導体パターン５の上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、カバー皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃１時間、カバー皮膜を加熱することにより、グランド開口部１６を有し、ポリイミドを材料とする厚み３μｍの第１カバー絶縁層６を得た。

【0164】

図４Ｄに示すように、その後、クロムを材料とする厚み０．０２μｍの第１バリア層４２Ａを、第１カバー絶縁層６の上面と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面とに、スパッタリングにより形成した。次いで、銅を材料とする厚み０．１μｍの導電層４１を、第１バリア層４２Ａの上面に、スパッタリングにより形成した。次いで、クロムを材料とする厚み０．０２μｍの第２バリア層４２Ｂを、導電層４１の上面に、スパッタリングにより形成した。これにより、シールド層４０を形成した。

【0165】

続いて、図４Ｅに示すように、ポリイミド前駆体溶液を第２バリア層４２Ｂの上面に塗布し、次いで、８０℃で１０分乾燥させて、カバー皮膜（ポリイミド前駆体皮膜）を形成した。続いて、カバー皮膜を、露光し、続いて、現像した。その後、窒素雰囲気下、３６０℃１時間、カバー皮膜を加熱する（硬化させる）ことにより、ポリイミドを材料とする厚み３．０μｍの第２カバー絶縁層３１を形成した。

【0166】

図４Ｆに示すように、金属支持体１９を、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を下方からスプレーする化学エッチング法によって、除去した。これによって、ベース絶縁層４の下面の全てを露出させた。

【0167】

以上により、ベース絶縁層４と、導体パターン５と、第１カバー絶縁層６と、シールド層４０と、第２カバー絶縁層３１とを備える実装基板１を得た。

【0168】

実施例２
第１バリア層４２Ａおよび第２バリア層４２Ｂのそれぞれを、チタンを材料とする厚み０．０３μｍの薄膜（スパッタ膜）に変更した以外は、実施例１と同様にして、実装基板１を得た。

【0169】

実施例３
第２バリア層４２Ｂを、ニッケルを材料とする厚み０．０８μｍの薄膜（スパッタ膜）に変更した以外は、実施例１と同様にして、実装基板１を得た。

【0170】

比較例１
第１バリア層４２Ａおよび第２バリア層４２Ｂのそれぞれを、ステンレス鋼（ＳＵＳ）を材料とする厚み０．０５μｍの薄膜（スパッタ膜）に変更した以外は、実施例１と同様にして、実装基板１を得た。

【0171】

比較例２
第１バリア層４２Ａおよび第２バリア層４２Ｂのそれぞれを形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、実装基板１を得た。つまり、導電層４１を、第１カバー絶縁層６の上面と、グランド開口部１６から露出するグランド配線１５の上面とに形成し、第２カバー絶縁層３１を、導電層４１の上面に形成した。

【0172】

各実施例および各比較例の層構成および厚みを表１に記載する。

【0173】

［評価］
各実施例および各比較例の実装基板１について、以下の項目を評価した。その結果を表１に記載する。

【0174】

＜シールド特性＞
各実施例および各比較例の実装基板１におけるシールド層４０のシールド特性をＫＥＣ法により測定した。そして、シールド特性を下記の基準で評価した。
○：－４０ｄｂ以下（１ＧＨｚ）
△：－４０ｄｂ超過－３０ｄｂ以下（１ＧＨｚ）
×：－３０ｄｂ超過（１ＧＨｚ）
＜密着性＞
各実施例および各比較例の実装基板１におけるシールド層４０の密着性を、ＪＩＳ Ｋ－５６００－５－６（クロスカット法）に準拠して測定した。具体的には、所定の切り込み工具およびスペーサを用いて、第２カバー絶縁層３１に格子パターンが形成されるように切り込み（縦６本×横６本）を設けた後、長さが約７５ｍｍの付着テープを、第２カバー絶縁層３１における格子にカットした部分に貼り付けた。次いで、付着テープを通して第２カバー絶縁層３１が透けて見えるように、付着テープを指でしっかりとこすり、付着テープと第２カバー絶縁層３１とを正しく接触させた。その後、付着テープを付着して５分以内に、付着テープの折れ曲り角度が６０°に近い角度（剥離角度約１２０°）で０．５秒から１．０秒で、付着テープを第２カバー絶縁層３１から確実に引き離した。その後、試験部分を、ＪＩＳ Ｋ－５６００－５－６の８．３における表１に示される図例と比較して、６段階（０～５）に分類した。そして、密着性を下記の基準で評価した。
○：分類０（剥離なし）
△：分類１－２
×：分類３－５

【0175】

【表1】

【符号の説明】

【0176】

１ 実装基板（撮像素子実装基板）
４ ベース絶縁層
６ 第１カバー絶縁層
９ 配線
２０ 撮像装置
２１ 撮像素子
３１ 第２カバー絶縁層
４０ シールド層
４１ 導電層
４２ バリア層
５０ 実装基板
５１ 第３カバー絶縁層
５４ 第２配線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】