(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-24
(45)【発行日】2023-12-04
(54)【発明の名称】圧電磁器組成物及び圧電アクチュエータ
(51)【国際特許分類】
C04B 35/495 20060101AFI20231127BHJP
C01G 33/00 20060101ALI20231127BHJP
H10N 30/853 20230101ALI20231127BHJP
H10N 30/20 20230101ALI20231127BHJP
【ＦＩ】
C04B35/495
C01G33/00 A
H10N30/853
H10N30/20
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2022512108
(86)(22)【出願日】2021-03-26
(86)【国際出願番号】 JP2021012805
(87)【国際公開番号】W WO2021200632
(87)【国際公開日】2021-10-07
【審査請求日】2022-09-06
(31)【優先権主張番号】P 2020060390
(32)【優先日】2020-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006633
【氏名又は名称】京セラ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135828
【弁理士】
【氏名又は名称】飯島 康弘
(72)【発明者】
【氏名】平山 武
(72)【発明者】
【氏名】田畑 周平
(72)【発明者】
【氏名】東別府 誠
(72)【発明者】
【氏名】志村 元
(72)【発明者】
【氏名】長谷川 幸弘
【審査官】田中 永一
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１３／００８４１８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２００６／１１７９９０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２００７／０９４１１５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００９－２４２１６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０６９９８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－２１９６６９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０４Ｂ ３５／４９５
Ｃ０１Ｇ ３３／００
Ｈ１０Ｎ ３０／８５３
Ｈ１０Ｎ ３０／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
組成式ＡＢＯ３で表されるニオブ酸カリウムナトリウム系のペロブスカイト型複合酸化物を主成分として含む圧電磁器組成物であって、ＡサイトにＢｉを含み、ＢサイトにＺｒを含み、
結晶粒内に位置し、Ｚｒ及びＢｉの少なくとも一方が偏在している偏析部を有しており、
断面視において、
１以上の結晶粒内に位置する複数の前記偏析部が０．０５μｍ以上の円相当径を有する第１偏析部を含んでおり、
５μｍ ２ 当たり１個以上の割合で複数の前記第１偏析部を有している
圧電磁器組成物。
【請求項2】
前記複合酸化物に加えてＭｎを更に含み、前記複合酸化物が、組成式{（Ｋ１－ｖＮａｖ）１－ｗ－ｘ－αＬｉｗＡｇｘＡ１α}ｙ{（Ｎｂ１－ｚＳｂｚ）１－βＢ１β}Ｏ３で表され、
Ａ１がＢｉを含み、Ｂ１がＺｒを含み、
以下の不等式、
０．５５０≦ｖ≦０．６２５、
０．０１５≦ｗ≦０．０２０、
０．００００≦ｘ≦０．０３８４、
０．９９≦ｙ≦１．０１、
０．０２≦ｚ≦０．０６、
０．０１５≦α≦０．０２０、及び
０．０３≦β≦０．０４、が満たされ、
Ｍｎが前記複合酸化物の１００質量部に対してＭｎＯ２換算で０．０１質量部以上０．５０質量部以下含まれている
請求項１に記載の圧電磁器組成物。
【請求項3】
粒界におけるＢｉの質量％が、結晶粒内の前記偏析部以外の部分におけるＢｉの質量％よりも低い請求項１又は２に記載の圧電磁器組成物。
【請求項4】
粒界におけるＺｒの質量％が、結晶粒内の前記偏析部以外の部分におけるＺｒの質量％よりも低い請求項１～３のいずれか１項に記載の圧電磁器組成物。
【請求項5】
前記圧電磁器組成物の断面において前記偏析部が占める面積割合が１％以上である請求項１～４のいずれか１項に記載の圧電磁器組成物。
【請求項6】
前記偏析部におけるＢｉの質量％が、結晶粒内の前記偏析部以外の部分におけるＢｉの質量％、及び粒界におけるＢｉの質量％それぞれの１．１倍以上である請求項１～５のいずれか１項に記載の圧電磁器組成物。
【請求項7】
前記偏析部におけるＺｒの質量％が、結晶粒内の前記偏析部以外の部分におけるＺｒの質量％、及び粒界におけるＺｒの質量％それぞれの２．０倍以上である請求項１～６のいずれか１項に記載の圧電磁器組成物。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか１項に記載の圧電磁器組成物からなる圧電部材と、前記圧電部材に電圧を印加する電極と、
を有している圧電アクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、圧電磁器組成物及び圧電アクチュエータに関する。
【背景技術】
【0002】
アクチュエータ、センサ、振動子又はフィルタ等に用いられる圧電磁器組成物が知られている。鉛フリーの圧電磁器組成物として、ニオブ酸カリウムナトリウム系のものが種々提案されている（例えば特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１４－６９９８８号公報
【文献】特開２０１６－２１９６６９号公報
【発明の概要】
【0004】
本開示の一態様に係る圧電磁器組成物は、組成式ＡＢＯ３で表されるニオブ酸カリウムナトリウム系のペロブスカイト型複合酸化物を主成分として含む圧電磁器組成物である。前記圧電磁器組成物は、ＡサイトにＢｉを含み、ＢサイトにＺｒを含む。前記圧電磁器組成部は、結晶粒内に位置する偏析部を有している。Ｚｒ及びＢｉの少なくとも一方が前記偏析部に偏在している。
【0005】
本開示の一態様に係る圧電アクチュエータは、上記圧電磁器組成物からなる圧電部材と、前記圧電部材に電圧を印加する電極と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】実施形態に係る圧電磁器組成物の模式的な断面図。
【図2】実施例に係る圧電磁器組成物における成分比の測定結果を示す図表である。
【図3】比較例に係る圧電磁器組成物における成分比の測定結果を示す図表である。
【図4】複数の試料の組成及び特性の測定結果を示す図表である。
【図5】圧電アクチュエータの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
（圧電磁器組成物の主成分）
実施形態に係る圧電磁器組成物は、ニオブ酸カリウムナトリウム系（ＫＮＮ系、ニオブ酸アルカリ系）のペロブスカイト型複合酸化物を主成分として含んでいる。圧電磁器組成物は、例えば、鉛（Ｐｂ）を含んでいない。
実施形態に係る圧電磁器組成物は、ニオブ酸カリウムナトリウム系（ＫＮＮ系、ニオブ酸アルカリ系）のペロブスカイト型複合酸化物を主成分として含んでいる。圧電磁器組成物は、例えば、鉛（Ｐｂ）を含んでいない。
【0008】
ペロブスカイト型複合酸化物は、簡略化した組成式ＡＢＯ３で表される。この組成式において、Ａサイト及びＢサイトそれぞれのモル比は１である。ただし、この１は、厳密に１である必要は無く、例えば、０．５以上１．４以下の範囲の値、０．９５以上１．０４以下の範囲の値、又は０．９９以上１．０１以下の範囲の値を指すものとして捉えられてよい。
【0009】
ベロブスカイト型複合酸化物がＫＮＮ系であるとは、例えば、Ａサイトが主としてＫ（カリウム）及びＮａ（ナトリウム）を含み、Ｂサイトが主としてＮｂ（ニオブ）を含むこととされてよい。Ａサイトが主としてＫ及びＮａを含むとは、例えば、Ｋ及びＮａの物質量がＡサイトの物質量に占める割合（モル比。例えば後述する１－ｗ－ｘ－α）が０．７以上、０．８以上又は０．９以上であることとされてよい。Ｂサイトが主としてＮｂを含むとは、例えば、Ｎｂの物質量がＢサイトの物質量に占める割合（モル比。例えば後述する（１－ｚ）×（１－β））が０．７以上、０．８以上又は０．９以上であることとされてよい。
【0010】
本実施形態では、Ａサイトは、Ｋ及びＮａ以外の材料として、Ｂｉ（ビスマス）を含んでいる。ＡサイトがＢｉを含むことによって、例えば、圧電定数を向上させたり、及び／又は圧電定数の温度依存性を低下させたりすることができる。
【0011】
Ａサイトは、Ｋ、Ｎａ及びＢｉ以外の材料を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。前者の場合において、Ａサイトが含む材料としては、例えば、Ａｇ（銀）、Ｌｉ（リチウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｎｄ（ネオジム）及び／又はＳｍ（サマリウム）を挙げることができる。これらの材料は、圧電定数の向上及び／又は抗電界の向上に寄与する。
【0012】
ＡサイトがＫ、Ｎａ及びＢｉ以外の材料を含む場合において、Ａサイトの、Ｋ及びＮａ以外の材料の物質量にＢｉの物質量が占める割合（モル比。例えば後述するα／（ｗ＋ｘ＋α））は適宜に設定されてよい。例えば、当該割合は、０．５以下であってもよいし、０．５超であってもよい。後述する実施例によって示されるように、いずれの場合においても圧電定数の値及び抗電界の値として適宜な値を得ることができる。
【0013】
本実施形態では、Ｂサイトは、Ｎｂ以外の材料として、Ｚｒ（ジルコニウム）を含んでいる。ＢサイトがＺｒを含むことによって、例えば、圧電定数を向上させたり、及び／又は圧電定数の温度依存性を低下させたりすることができる。
【0014】
Ｂサイトは、Ｎｂ及びＺｒ以外の材料を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。前者の場合において、Ｂサイトが含む材料としては、例えば、Ｓｂ（アンチモン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｃｅ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｖ（バナジウム）及び／又はＷ（タングステン）を挙げることができる。これらの材料は、圧電定数の向上及び／又は抗電界の向上に寄与する。
【0015】
ＢサイトがＮｂ及びＺｒ以外の材料を含む場合において、Ｂサイトの、Ｎｂ以外の材料の物質量にＺｒの物質量が占める割合（モル比。例えば後述するβ／（ｚ×（１－β）＋β））は適宜に設定されてよい。例えば、当該割合は、０．５以下であってもよいし、０．５超であってもよい。後述する実施例に示されるように、いずれの場合においても圧電定数の値及び抗電界の値として適宜な値を得ることができる。
【0016】
圧電磁器組成物がＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物を主成分として含むとは、例えば、上述したようなＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物の質量が圧電磁器組成物の質量に占める割合が８０％以上、９０％以上又は９５％以上であることとされてよい。又は、例えば、（Ｋ１－ａＮａａ）ＮｂＯ３で表される純粋なニオブ酸カリウムナトリウム組成物の質量が圧電磁器組成物の質量に占める割合が７０％以上、８０％以上又は９０％以上であることとされてもよい。
【0017】
（Ｂｉ及び／又はＺｒの偏析部）
図１は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）を用いて得られる圧電磁器組成物１０１の断面の画像（以下、ＴＥＭ画像）を模式化して示す図である。この図は、実際に得られた画像のうち概ね５μｍ２の範囲を模式化して示している。
図１は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）を用いて得られる圧電磁器組成物１０１の断面の画像（以下、ＴＥＭ画像）を模式化して示す図である。この図は、実際に得られた画像のうち概ね５μｍ２の範囲を模式化して示している。
【0018】
多結晶体からなる圧電磁器組成物１０１を断面視したとき、図示のように複数の結晶粒１０３が観察される。各結晶粒１０３は、単結晶からなる。別の観点では、結晶粒１０３の境界である粒界１０５が観察される。
【0019】
本実施形態に係る圧電磁器組成物１０１は、Ｂｉ及びＺｒの少なくとも一方が偏在している偏析部１０７を結晶粒１０３内に有している。このような圧電磁器組成物１０１は、後に詳述するように、結晶粒１０３内に偏析部１０７を有していない圧電磁器組成物に比較して、電気抵抗率（以下、単に「抵抗率」という。）が高くなる（絶縁性が向上する）。
【0020】
なお、圧電磁器組成物１０１は、一部又は全部が粒界１０５に位置する偏析部１０７を有していてもよいし、有していなくてもよい。ただし、以下の説明では、偏析部１０７は、結晶粒１０３内にのみ存在するものとして説明する。また、以下の説明では、結晶粒１０３内において、偏析部１０７以外の部分を非偏析部１０９ということがある。
【0021】
偏析部１０７は、例えば、ＴＥＭ画像において、他の領域よりも白い領域として視認される。ＴＥＭ画像において、偏析部１０７と、それ以外の領域との境界は比較的明瞭であり、目視によって両者を区別する（偏析部１０７の範囲を特定する）ことが可能である。
【0022】
Ｂｉ及び／又はＺｒの質量％（全元素の質量に占める所定の元素の質量の割合）によって偏析部１０７が定義されてもよい。例えば、Ｂｉの質量％の圧電磁器組成物１０１（偏析部１０７、非偏析部１０９及び粒界１０５を含む。）における平均値の所定倍数以上のＢｉの質量％を示す部分は、Ｂｉが偏析している偏析部１０７とされてよい。同様に、Ｚｒの質量％の圧電磁器組成物１０１における平均値の所定倍数以上のＺｒの質量％を示す部分は、Ｚｒが偏析している偏析部１０７とされてよい。また、Ｂｉ及びＺｒの質量％の合計の圧電磁器組成物１０１における平均値の所定倍数以上のＢｉ及びＺｒの質量％の合計を示す部分は、Ｂｉ及びＺｒが偏析している偏析部１０７とされてよい。上記において、所定倍数以上は、例えば、１．１倍以上、１．５倍以上、２倍以上又は１０倍以上とされてよい。所定倍数は、Ｂｉ、Ｚｒ、並びにＢｉ及びＺｒの組み合わせの間で異なっていてよい。
【0023】
Ｂｉ及びＺｒそれぞれの質量％は、例えば、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray spectrometry）分析によって特定することができる。Ｂｉ及び／又はＺｒの質量％の平均値は、例えば、圧電磁器組成物１０１の複数の部位について質量％を特定し、特定した質量％を平均することによって得ることができる。複数の部位の数及び位置は、理想的には、当該複数の部位の数の増減によって平均値の変動が生じないように設定される。ただし、図示のように５μｍ２程度の領域において、１次元的又は２次元的に均等な間隔で（換言すれば無作為に）、１０個以上又は３０個以上の複数の部位を設定し、当該複数の部位の質量％から平均値が求められてもよい。
【0024】
偏析部１０７の粒径は適宜な大きさであってよい。例えば、複数の偏析部１０７は、粒径が０．０５μｍ以上のものを含む。粒径は、円相当径であり、断面画像に基づいて算出されてよい。以下において、粒径が０．０５μｍ以上の偏析部１０７を第１偏析部１０７Ａということがある。偏析部１０７の数は適宜に設定されてよい。例えば、第１偏析部１０７Ａの数は、５μｍ２当たり１個以上又は５個以上とされてよい。また、圧電磁器組成物１０１の任意の横断面において、偏析部１０７又は第１偏析部１０７Ａが占める面積割合は、例えば、１％以上とされてよい。
【0025】
（Ｂｉ及びＺｒの質量％）
偏析部１０７において、Ｂｉの質量％は、位置によらずに概ね一定であってもよいし、一定でなくてもよい。同様に、結晶粒１０３内の偏析部１０７以外の領域（非偏析部１０９）又は粒界１０５において、Ｂｉの質量％は、位置によらずに概ね一定であってもよいし、一定でなくてもよい。また、非偏析部１０９におけるＢｉの質量％（例えばその平均値）と、粒界１０５におけるＢｉの質量％（例えばその平均値）とは、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。Ｂｉについて述べたが、Ｚｒについても同様である。
偏析部１０７において、Ｂｉの質量％は、位置によらずに概ね一定であってもよいし、一定でなくてもよい。同様に、結晶粒１０３内の偏析部１０７以外の領域（非偏析部１０９）又は粒界１０５において、Ｂｉの質量％は、位置によらずに概ね一定であってもよいし、一定でなくてもよい。また、非偏析部１０９におけるＢｉの質量％（例えばその平均値）と、粒界１０５におけるＢｉの質量％（例えばその平均値）とは、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。Ｂｉについて述べたが、Ｚｒについても同様である。
【0026】
偏析部１０７におけるＢｉの質量％（例えば、最大値又は平均値）と、非偏析部１０９及び／又は粒界１０５におけるＢｉの質量％（例えば平均値）との差及び比は、適宜に設定されてよい。例えば、偏析部１０７におけるＢｉの質量％の最大値又は平均値は、非偏析部１０９及び／又は粒界１０５におけるＢｉの質量％の平均値の１．１倍以上、１．５倍以上、２倍以上又は１０倍以上とされてよい。Ｂｉについて述べたが、上記は、ＢｉをＺｒに置換して、Ｚｒにも適用されてよいし、ＢｉをＢｉ及びＺｒに置換して、Ｂｉ及びＺｒの組み合わせにも適用されてよい。
【0027】
粒界１０５におけるＢｉの質量％（例えば平均値）は、非偏析部１０９におけるＢｉの質量％（例えば平均値）よりも小さくされてもよい。この場合において、両者の差又は比は適宜に設定されてよい。例えば、粒界１０５におけるＢｉの質量％の平均値は、非偏析部１０９におけるＢｉの質量％平均値の０．９５倍以下、０．９倍以下又は０．８倍以下とされてよい。Ｂｉについて述べたが、上記は、ＢｉをＺｒに置換して、Ｚｒにも適用されてよいし、ＢｉをＢｉ及びＺｒに置換して、Ｂｉ及びＺｒの組み合わせにも適用されてよい。
【0028】
（主成分の組成の具体例）
既述のように、圧電磁器組成物１０１の主成分は、ＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物であり、組成式ＡＢＯ３によって表される。組成式ＡＢＯ３を具体化した式の一例を以下に示す。組成式ＡＢＯ３は、例えば、以下の（１）式とされてよい。
{（Ｋ１－ｖＮａｖ）１－ｗ－ｘ－αＬｉｗＡｇｘＡ１α}ｙ{（Ｎｂ１－ｚＳｂｚ）１－βＢ１β}Ｏ３
…（１）
既述のように、圧電磁器組成物１０１の主成分は、ＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物であり、組成式ＡＢＯ３によって表される。組成式ＡＢＯ３を具体化した式の一例を以下に示す。組成式ＡＢＯ３は、例えば、以下の（１）式とされてよい。
{（Ｋ１－ｖＮａｖ）１－ｗ－ｘ－αＬｉｗＡｇｘＡ１α}ｙ{（Ｎｂ１－ｚＳｂｚ）１－βＢ１β}Ｏ３
…（１）
【0029】
上記（１）式において、Ａサイトは、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ａｇ及びＡ１を含んでいる。Ｂサイトは、Ｎｂ、Ｓｂ及びＢ１を含んでいる。Ａ１及びＢ１は金属元素である。ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、α及びβはモル比を表している。
【0030】
Ａ１は、少なくともＢｉを含む。Ａ１は、Ｂｉのみを含んでいてもよいし、Ｂｉ以外の材料を含んでいてもよい。後者の場合のＢｉ以外の材料としては、Ａサイトの材料として例示した既述の材料のうち、（１）式で明示されていないものを挙げることができる。すなわち、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ及び／又はＳｍを例示できる。
【0031】
Ａ１がＢｉ以外の材料を含む場合において、Ａ１の物質量にＢｉの物質量が占める割合は適宜に設定されてよい。例えば、当該割合は、０．７以上、０．８以上又は０．９以上とされよい。この場合、例えば、Ａ１がＢｉのみを含む実施例（後述）における特性と同様の特性が得られる。
【0032】
Ｂ１は、少なくともＺｒを含む。Ｂ１は、Ｚｒのみを含んでいてもよいし、Ｚｒ以外の材料を含んでいてもよい。後者の場合のＺｒ以外の材料としては、Ｂサイトの材料として例示した既述の材料のうち、（１）式で明示されていないものを挙げることができる。すなわち、Ｔａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃｅ、Ｙｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｖ及び／又はＷを例示できる。
【0033】
Ｂ１がＺｒ以外の材料を含む場合において、Ｂ１の物質量にＺｒの物質量が占める割合は適宜に設定されてよい。例えば、当該割合は、０．７以上、０．８以上又は０．９以上とされよい。この場合、例えば、Ｂ１がＺｒのみを含む実施例（後述）における特性と同様の特性が得られる。
【0034】
ＡサイトがＬｉを含むことにより、例えば、焼結性を高めることができる。ＡサイトがＡｇを含むことにより、例えば、正方晶と斜方晶との相転移温度を比較的高い温度（例えば６０℃以上）とし、ひいては、圧電特性に温度依存性が現れやすい温度範囲を下げることができる。ＢサイトがＳｂを含むことにより、例えば、焼結性を高めることができる。
【0035】
既述のように、組成式ＡＢＯ３におけるＡ及びＢのモル比の１は、厳密に１である必要は無く、（１）ではｙによって示されている。すなわち、組成式ＡＢＯ３と、（１）式とは矛盾しない。また、（１）式のＢサイトのモル比は１であるものとして示されているが、このモル比も厳密に１である必要は無い。例えば、以下に述べるモル比ｙの上限値及び下限値において四捨五入される小数点以下の桁（例えば小数点第３位）は、Ｂサイトのモル比においても四捨五入されてよい。すなわち、Ｂサイトのモル比の１は、１．００を指し、また、０．９９５及び１．００４を含むと捉えられてよい。
【0036】
Ａサイトのモル比ｙは、例えば、０．９９以上１．０１以下（小数第３位は四捨五入）とされてよい。特許文献１及び２では、Ａサイトのモル比の変化が０．０１程度であれば、圧電定数の変化は１０％程度であり、十分に圧電特性が得られることが示されている。このことから、本開示においても、モル比ｙは、上記の範囲とされてよい。
【0037】
既述のように、Ｋ及びＮａの物質量がＡサイトの物質量に占める割合（１－ｗ－ｘ－α）は比較的大きい。また、Ｎｂの物質量がＢサイトの物質量に占める割合（（１－ｚ）×（１－β））は比較的大きい。この裏返しになるが、他の元素の物質量がＡサイト又はＢサイトに占める割合は比較的小さい。例えば、Ｋ及びＮａ以外の元素の物質量がＡサイトの物質量に占める割合（ｗ＋ｘ＋α）は、０．３以下、０．２以下又は０．１以下とされてよい。また、Ｎｂ以外の元素の物質量がＢサイトの物質量に占める割合（ｚ×（１－β）＋β）は、０．３以下、０．２以下又は０．１以下とされてよい。ｗ、ｘ、ｚ、α及びβは、それぞれ０．１以下又は０．０５以下とされてよい。
【0038】
Ｋの物質量とＮａの物質量との比（１－ｖ：ｖ）は、概ね１：１である。すなわち、ｖは概ね０．５である。ただし、Ｎａの物質量がＫの物質量よりも多くされてもよい。すなわち、圧電磁器組成物は、ＮａリッチなＫＮＮとされてもよい。例えば、ｖは、０．５５以上とされてよい。
【0039】
（１）式におけるモル比のより具体的な値は、適宜に設定されてよい。一例を以下に示す。０．５５０≦ｖ≦０．６２５（小数第４位は四捨五入）、０．０１５≦ｗ≦０．０２０（小数第４位は四捨五入）、０．００００≦ｘ≦０．０３８４（小数第５位は四捨五入）、０．９９≦ｙ≦１．０１（小数第３位は四捨五入）、０．０２≦ｚ≦０．０６（小数第３位は四捨五入）、０．０１５≦α≦０．０２０（小数第４位は四捨五入）、及び０．０３≦β≦０．０４（小数第３位は四捨五入）。このモル比の範囲の組み合わせは、モル比ｙを除いて、後述する実施例のモル比の値を下限値及び上限値としている。
【0040】
（副成分の具体例）
圧電磁器組成物１０１は、主成分（ＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物）以外の副成分として、適宜な材料を含んでよい。例えば、圧電磁器組成物１０１は、Ｍｎを更に含んでいてもよい。圧電磁器組成物１０１は、Ｍｎを含むことによって、例えば、広い温度範囲において圧電定数を高くすることができる。
圧電磁器組成物１０１は、主成分（ＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物）以外の副成分として、適宜な材料を含んでよい。例えば、圧電磁器組成物１０１は、Ｍｎを更に含んでいてもよい。圧電磁器組成物１０１は、Ｍｎを含むことによって、例えば、広い温度範囲において圧電定数を高くすることができる。
【0041】
Ｍｎの添加量は適宜に設定されてよい。例えば、主成分１００質量部に対して、ＭｎＯ２換算で、０．０１質量部以上０．５０質量部以下、又は０．０２質量部以上０．０３質量部以下の量で、Ｍｎが圧電磁器組成物１０１に含まれていてよい。念のために別の表現をすると、圧電磁器組成物１０１に含まれるＭｎの質量と同じ質量のＭｎを含むＭｎＯ２の質量は、圧電磁器組成物１０１に含まれる主成分の質量に対して、０．０１倍以上０．５０倍以下、又は０．０２倍以上０．０３倍以下とされてよい。
【0042】
上記の添加量の妥当性は、特許文献１で示されている。また、後述する実施例によって、偏析部１０７を形成した場合においても、上記添加量が妥当であることが確認されている。
【0043】
（圧電磁器組成物の製造方法）
本実施形態に係る圧電磁器組成物の製造方法は、ニオブ酸カリウムナトリウムに添加される具体的な金属元素の種類及びそのモル比を除いては、公知のニオブ酸カリウムナトリウム系の圧電磁器組成物の製造方法と同様とされてよい。圧電磁器組成物１０１の主成分であるＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物の組成式が（１）式で表される態様を例に取ると、例えば、以下のとおりである。
本実施形態に係る圧電磁器組成物の製造方法は、ニオブ酸カリウムナトリウムに添加される具体的な金属元素の種類及びそのモル比を除いては、公知のニオブ酸カリウムナトリウム系の圧電磁器組成物の製造方法と同様とされてよい。圧電磁器組成物１０１の主成分であるＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物の組成式が（１）式で表される態様を例に取ると、例えば、以下のとおりである。
【0044】
まず、（１）式に含まれる金属元素の化合物（例えば酸化物）の粉末を準備する。そのような化合物としては、例えば、Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、Ａｇ２Ｏ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３及びＺｒＯ２などを挙げることができる。また、副成分（本実施形態では例えばＭｎ）を含む化合物の粉末を準備する。例えば、副成分がＭｎであれば、化合物としては、ＭｎＯ２を挙げることができる。
【0045】
次に、（１）式の組成となるように、上記の各種化合物の粉末を計量（例えば秤量）する。また、（１）式で表される主成分１００質量部に対して０．０１質量部以上０．５０質量部以下でＭｎが含まれるようにＭｎの化合物の粉末を計量する。
【0046】
次に、計量した粉末をボールミルによってアルコール中で混合する（湿式混合を行う。）。ボールミルとしては、例えば、ＺｒＯ２ボールが用いられてよい。アルコールとしては、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられてよい。混合時間は、例えば、２０時間以上２５時間以下とされてよい。
【0047】
次に、上記の混合物を乾燥させた後、混合物の仮焼を行う。仮焼は、例えば、大気中において９００℃以上１１００℃以下の温度で３時間程度行われてよい。次に、その仮焼物をボールミルによって粉砕する。次に、その粉砕物にバインダーを混合して造粒する。バインダーとしては、例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）が用いられてよい。
【0048】
次に、造粒後の粉体を任意の形状及び寸法に成形する。成形の圧力は、例えば、２００ＭＰａ程度とされてよい。そして、その成形体を焼成して圧電磁器組成物が得られる。焼成は、例えば、大気中において１０００℃以上１２５０℃以下の温度で２時間以上４時間以下の期間に亘って行われてよい。
【0049】
圧電磁器組成物を圧電アクチュエータ等に利用する場合においては、例えば、圧電磁器組成物は、電極となる導電ペーストと共に焼成されてもよいし、焼成後に電極が形成されてもよい。また、圧電磁器組成物は、焼成後に、適宜な方向に適宜な大きさの電圧が印加されて分極処理がなされてよい。
【0050】
偏析部１０７は、例えば、上記のような製造方法において、焼成温度を調整することによって形成することができる。例えば、焼成温度を相対的に低くすると、偏析部１０７が形成され、焼成温度を相対的に高くすると、偏析部１０７が形成されない。その具体的な温度は、圧電磁器組成物１０１の具体的な組成等の種々の条件によって相違する。一例を挙げると、後述する実施例及び比較例の組成では、１１２０℃で３時間に亘って焼成を行った場合においては偏析部１０７が形成され、１１４０℃で３時間に亘って焼成を行った場合においては偏析部１０７が形成されなかった。
【0051】
＜実施例＞
（偏析部の影響）
偏析部１０７を有する実施例に係る圧電磁器組成物と、偏析部１０７を有さない比較例に係る圧電磁器組成物とを作製した。そして、両者の比較から、偏析部によって抵抗率が高くなる（絶縁性が向上する）ことを確認した。具体的には、以下のとおりである。
（偏析部の影響）
偏析部１０７を有する実施例に係る圧電磁器組成物と、偏析部１０７を有さない比較例に係る圧電磁器組成物とを作製した。そして、両者の比較から、偏析部によって抵抗率が高くなる（絶縁性が向上する）ことを確認した。具体的には、以下のとおりである。
【0052】
実施例及び比較例に係る圧電磁器組成物の組成は互いに同一とした。より詳細には、実施例及び比較例に係る圧電磁器組成物の主成分の組成は、いずれも（１）式で表されるものとした。また、（１）式におけるＡ１及びＢ１の材料の種類、並びにｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、α及びβの値は、実施例と比較例とで同じとした。副成分は、実施例及び比較例ともＭｎとし、主成分に対する質量比も実施例と比較例とで同じとした。なお、ここで参照する実施例に係る圧電磁器組成物は、より詳細には、後述する図４に示す試料５の圧電磁器組成物である。
【0053】
実施例に係る圧電磁器組成物は、１１２０℃で３時間に亘って焼成され、偏析部１０７を有する。一方、比較例に係る圧電磁器組成物は、１１４０℃で３時間に亘って焼成され、偏析部１０７を有さない。なお、ここでの偏析部１０７の有無は、ＴＥＭ画像の目視によって判断されている。実施例及び比較例における結晶粒１０３の粒径は、平均値が０．４μｍ以上０．６μｍ以下であり、最小値が０．１μｍ以上０．２μｍ以下であり、最大値が２．０μｍ以上３．０μｍ以下であり、分散が０．３以上０．４以下である。
【0054】
上記のような構成の実施例及び比較例に係る圧電磁器組成物について、圧電定数ｄ３１（ｐＣ／Ｎ）、抗電界Ｅｃ（ｋＶ／ｃｍ）及び抵抗率ρ（Ωｍ）を測定した。圧電定数ｄ３１は、圧電磁器組成物の分極方向に電圧を印加したときの分極方向に直交する方向における圧電特性を示す。ｄ３１の値が大きいほど、印加される電界の強さに対して生じる歪、又は付与される圧力に対して生じる電荷が大きい。
【0055】
圧電定数ｄ３１は、分極後の圧電磁器組成物をＪＥＩＴＡ(一般社団法人 電子情報技術産業協会)の定める規格(ＥＭ－４５０１Ａ 圧電セラミック振動子の電気的試験方法)に準拠し測定した。より詳細には、共振反共振法を用いて、インピーダンスアナライザーにて測定した。抗電界の測定においては、まず、所定の波形（正弦波又は三角波など）の電界を強誘電性試料に印加したときの電束密度Ｄを測定し、電界Ｅを横軸に電束密度Ｄを縦軸に表したＤ－Ｅ履歴曲線(ヒステリシス曲線)を得た。そして、当該曲線と横軸との交点を抗電界Ｅｃとして特定した。絶縁抵抗値は、圧電磁器組成物に所定の電圧を印加し、印加中の漏れ電流を測定し、算出した。
【0056】
測定結果を以下に示す。
実施例：ｄ３１＝１１９（ｐＣ／Ｎ）、Ｅｃ＝１．１５（ｋＶ／ｃｍ）、ρ＝１．１×１０１１（Ωｍ）
比較例：ｄ３１＝１１４（ｐＣ／Ｎ）、Ｅｃ＝１．１４（ｋＶ／ｃｍ）、ρ＝９．４×１０１０（Ωｍ）
実施例：ｄ３１＝１１９（ｐＣ／Ｎ）、Ｅｃ＝１．１５（ｋＶ／ｃｍ）、ρ＝１．１×１０１１（Ωｍ）
比較例：ｄ３１＝１１４（ｐＣ／Ｎ）、Ｅｃ＝１．１４（ｋＶ／ｃｍ）、ρ＝９．４×１０１０（Ωｍ）
【0057】
上記のように、実施例は、比較例に比較して、絶縁性が向上している。具体的には、実施例の抵抗率は、比較例の抵抗率に対して１．１倍以上１．２倍以下となっている。また、実施例は、比較例に比較して、圧電特性及び抗電界も若干向上している。
【0058】
実施例が比較例よりも絶縁性が向上している理由としては、例えば、以下のものが挙げられる。焼結途中において、Ｂｉ及び／又はＺｒはＫＮＮを主成分とする粒子がなす粒界に相対的に多く存在する。焼結後においてもＢｉ及び／又はＺｒが粒界１０５に残存すると、粒界１０５の抵抗率が低くなる。その結果、圧電磁器組成物１０１全体としても抵抗率が低くなる。これに対して、結晶粒１０３内にＢｉ及び／又はＺｒの偏析部１０７を形成することによって、粒界１０５に残存するＢｉ及び／又はＺｒを相対的に低減することができる。ひいては、圧電磁器組成物１０１全体の抵抗率を高くすることができる。
【0059】
（Ｂｉ及びＺｒの質量％の影響）
上述した実施例及び比較例に係る圧電磁器組成物に関して、偏析部１０７、非偏析部１０９及び粒界１０５それぞれにおける成分比を測定した。これにより、偏析部１０７を形成することによって抵抗率が高くなる上述の原理が正しいことを確認した。
上述した実施例及び比較例に係る圧電磁器組成物に関して、偏析部１０７、非偏析部１０９及び粒界１０５それぞれにおける成分比を測定した。これにより、偏析部１０７を形成することによって抵抗率が高くなる上述の原理が正しいことを確認した。
【0060】
各部における成分比は、以下のように測定した。まず、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置を用いて、圧電磁器組成物から数μｍ～数十μｍの大きさの試料をサンプリングする。そのサンプリングした箇所から、幅１０μｍ×高さ１０μｍの領域を厚さ０．１２μｍ～０．０５μｍ程度に加工する。この加工後の試料をＴＥＭによって観察する。ＴＥＭとしては、日本電子製のＪＥＭ－２０１０Ｆを用いた。また、加速電圧は２００ｋＶとした。そして、透過電子像とＳＴＥＭ（Scanning TEM）像とを見比べながら、結晶粒１０３及び粒界１０５を区別し、また、偏析部１０７及び非偏析部１０９を区別した。そして、粒界１０５、偏析部１０７及び非偏析部１０９に対して、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray spectrometry）分析を行った。ＥＤＸの装置としては、日本電子製のＪＥＤ－２３００Ｔを用いた。
【0061】
【0062】
各図において、最も左側の欄は、元素の種類を示している。ここでは、Ｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｍｎ及びＳｉのそれぞれについて質量％が示されている。他の欄（ＰＡ１、ＰＢ１等）は、圧電磁器組成物内の種々の部位に対応している。図２では、実施例に係る圧電磁器組成物のうち５つの部位における各元素の質量％が示されている。図３では、比較例に係る圧電磁器組成物のうちの３つの部位における各元素の質量％が示されている。
【0063】
ＰＡ１～ＰＡ４は、非偏析部１０９に対応している。ＰＢ１及びＰＢ２は、粒界に対応している。ＰＣ１及びＰＣ２は偏析部１０７に対応している。実施例において、非偏析部１０９に対応する欄（ＰＡ１及びＰＡ２）が２つあるのは、非偏析部１０９のうち互いに異なる位置に対して成分比を測定したことからである。ＰＣ１及びＰＣ２、ＰＡ３及びＰＡ４についても同様である。
【0064】
各セルに示された数値は、質量％を示している。また、各セルに示された「－」は、有意な大きさの質量％が測定されなかったことを示している。各セルにおける質量％は、少数第２位が四捨五入されている。各セルにおける四捨五入の影響により、全ての元素の質量％の合計が１００．０％にならない部位も存在する。
【0065】
図２に示されているように、偏析部１０７（ＰＣ１及びＰＣ２）においては、他の部位に比較して、Ｂｉ及びＺｒの質量％が高い。これにより、ＴＥＭ画像において、他の領域よりも白い領域として視認される偏析部が、Ｂｉ及び／又はＺｒが偏析している部位であることが確認された。
【0066】
具体的には、偏析部１０７におけるＢｉの質量％は、粒界１０５（ＰＢ１）におけるＢｉの質量％の約１．４倍（ＰＣ１）又は約３．４倍（ＰＣ２）となっている。偏析部１０７におけるＢｉの質量％は、非偏析部１０９（ＰＡ１及びＰＡ２）におけるＢｉの質量％の約１．２倍（ＰＣ１）又は約２．８倍（ＰＣ２）となっている。これらのことから、偏析部１０７におけるＢｉの質量％は、非偏析部１０９におけるＢｉの質量％、及び粒界１０５におけるＢｉの質量％それぞれの１．１倍以上であるということができる。
【0067】
また、偏析部１０７におけるＺｒの質量％は、粒界１０５（ＰＢ１）におけるＺｒの質量％の約２２．７倍（ＰＣ１）又は約３．０倍（ＰＣ２）となっている。また、偏析部１０７におけるＺｒの質量％は、非偏析部１０９（ＰＡ１及びＰＡ２）におけるＺｒの質量％の約１７．０倍以上（ＰＣ１）又は約２．３倍以上（ＰＣ２）となっている。これらのことから、偏析部１０７におけるＺｒの質量％は、非偏析部１０９におけるＺｒの質量％、及び粒界１０５におけるＺｒの質量％それぞれの２．０倍以上であるということができる。
【0068】
なお、図１に示すようなＴＥＭ画像において、粒界１０５及び偏析部１０７の面積比率は比較的低い。従って、非偏析部１０９におけるＢｉ及び／又はＺｒの質量％に対する偏析部１０７におけるＺｒの質量％の上記比は、Ｂｉ及び／又はＺｒの質量％の圧電磁器組成物（１０５、１０７及び１０９を含む）における平均値に対する偏析部１０７におけるＢｉ及び／又はＺｒの質量％の比として捉えてもよい。
【0069】
粒界１０５（ＰＢ１及びＰＢ２）におけるＢｉの質量％について、実施例と比較例とで比較すると、実施例の方が低くなっている。より詳細には、実施例の粒界１０５（ＰＢ１）におけるＢｉの質量％は、比較例の粒界１０５（ＰＢ２）におけるＢｉの質量％の約０．８倍となっている。同様に、粒界１０５におけるＺｒの質量％について、実施例と比較例とで比較すると、実施例の方が低くなっている。より詳細には、実施例の粒界１０５におけるＺｒの質量％は、比較例の粒界１０５におけるＺｒの質量％の約０．８倍となっている。上記から偏析部１０７が形成されることによって、粒界１０５におけるＢｉ及びＺｒの質量％が低くなることが確認された。
【0070】
実施例において、非偏析部１０９（ＰＡ１及びＰＡ２）におけるＢｉの質量％と、粒界１０５（ＰＢ１）におけるＢｉの質量％とを比較すると、後者の方が低い。より詳細には、後者は前者の約０．８０倍となっている。換言すれば、後者は前者の０．９０倍以下又は０．８０倍以下であるということができる。一方、比較例においては、非偏析部１０９（ＰＡ３及びＰＡ４）におけるＢｉの質量％と、粒界１０５（ＰＢ２）におけるＢｉの質量％とを比較すると、後者の方が高い。以上のことから、偏析部１０７が形成されることによって、粒界１０５におけるＢｉの質量％は、非偏析部１０９におけるＢｉの質量％よりも低くなることが確認された。
【0071】
Ｂｉについて述べたが、Ｚｒについても同様のことが言える。具体的には、実施例において、非偏析部１０９（ＰＡ１及びＰＡ２）におけるＺｒの質量％と、粒界１０５（ＰＢ１）におけるＺｒの質量％とを比較すると、後者の方が低い。より詳細には、後者は前者の約０．９２倍又は約０．７５倍となっている。換言すれば、後者は前者の０．９５倍以下であるということができる。一方、比較例においては、非偏析部１０９（ＰＡ３及びＰＡ４）におけるＺｒの質量％と、粒界１０５（ＰＢ２）におけるＺｒの質量％とを比較すると、後者の方が高いか、同等である。以上のことから、偏析部１０７が形成されることによって、粒界１０５におけるＺｒの質量％は、非偏析部１０９におけるＺｒの質量％よりも低くなることが確認された。
【0072】
（組成の一例におけるモル比の例）
偏析部１０７は、ＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物がＡサイトにＢｉを含み、ＢサイトにＺｒを含む限り形成可能である。従って、偏析部１０７を形成する技術は、上述した実施例に係る組成を有する圧電磁器組成物（（１）式で表される複合酸化物を主成分とする圧電磁器組成物）以外の種々の圧電磁器組成物に適用されてよい。もちろん、偏析部１０７を形成する技術は、（１）式で表される複合酸化物を主成分として含む圧電磁器組成物に適用されてよいし、この場合において、圧電定数及び／又は抗電界を向上させる観点から適宜にモル比の値が設定されてよい。以下では、実施例を参照して（１）式におけるモル比の値の例を示す。
偏析部１０７は、ＫＮＮ系のペロブスカイト型複合酸化物がＡサイトにＢｉを含み、ＢサイトにＺｒを含む限り形成可能である。従って、偏析部１０７を形成する技術は、上述した実施例に係る組成を有する圧電磁器組成物（（１）式で表される複合酸化物を主成分とする圧電磁器組成物）以外の種々の圧電磁器組成物に適用されてよい。もちろん、偏析部１０７を形成する技術は、（１）式で表される複合酸化物を主成分として含む圧電磁器組成物に適用されてよいし、この場合において、圧電定数及び／又は抗電界を向上させる観点から適宜にモル比の値が設定されてよい。以下では、実施例を参照して（１）式におけるモル比の値の例を示す。
【0073】
（１）で表される複合酸化物を主成分とし、（１）式のモル比の値が互いに異なる種々の試料を作製した。副成分は、いずれの試料もＭｎのみとした。また、Ｍｎの質量は、いずれの試料においても、ＭｎＯ２の質量に換算したときに、主成分１００質量部に対して０．２５質量部となる量とした。そして、各試料について、その特性として、圧電定数及び抗電界を測定した。測定方法は既に述べたとおりである。
【0074】
図４は、複数の試料の組成及び特性の測定結果を示す図表である。図中、「Ｎｏ．」の欄は、試料の番号を示している。ここでは、試料１～１２までの１２種類の試料について、組成及び特性が例示されている。
【0075】
「ｖ Ｎａ」、「ｗ Ｌｉ」、「ｙ Ａ ｓｉｔｅ」、「ｘ Ａｇ」、「ｚ Ｓｂ」、「α」及び「β」の欄は、各試料におけるｖ、ｗ、ｙ、ｘ、ｚ、α及びβの値を示している。「Ａ１」及び「Ｂ１」の欄は、各試料におけるＡ１及びＢ１の金属元素の種類を示している。ただし、ここでは、Ａ１はＢｉのみであり、Ｂ１はＺｒのみである。モル比の小数点以下の有効桁は基本的に複数の試料同士で互いに同じであるが、便宜上、末尾側の０の表示は省略している。
【0076】
「ｄ３１ ｐＣ／Ｎ」の欄は、各試料における圧電定数ｄ３１（ｐＣ／Ｎ）の値を示している。「Ｅｃ ｋＶ／ｃｍ」の欄は、抗電界Ｅｃ（ｋＶ／ｃｍ）の値を示している。これらの欄において「－」は、有意な値を測定できなかったことを示している。
【0077】
この図に示されているように、試料９及び１０を除く全ての試料において、十分な圧電定数の値及び抗電界の値が得られている。具体的には、１０３（ｐＣ／Ｎ）以上の圧電定数が得られているとともに、０．６５（ｋＶ／ｃｍ）以上の抗電界が得られている。なお、試料９及び１０は、他の試料に比較して、モル比ｚが小さくされている。
【0078】
上記から、例えば、試料９及び１０を除く全ての試料のモル比の値が含まれるように、（１）式のモル比の値の範囲が設定されてよい。換言すれば、各モル比について、試料９及び１０を除く全ての試料における最小値及び最大値によって、各モル比の下限及び上限が設定されてよい。この場合の各モル比の範囲については既に述べたが、以下に、下限値及び上限値に対応する試料の番号を括弧内に付して、各モル比の範囲を再掲する。
【0079】
０．５５０（Ｎｏ．１）≦ｖ≦０．６２５（Ｎｏ．７）
０．０１５（Ｎｏ．８）≦ｗ≦０．０２０（Ｎｏ．８以外）
０．００００（Ｎｏ．１及び２）≦ｘ≦０．０３８４（Ｎｏ．１２）
０．０２（Ｎｏ．５、１１及び１２）≦ｚ≦０．０６（Ｎｏ．４）
０．０１５（Ｎｏ．８）≦α≦０．０２０（Ｎｏ．８以外）
０．０３（Ｎｏ．８）≦β≦０．０４（Ｎｏ．８以外）
０．０１５（Ｎｏ．８）≦ｗ≦０．０２０（Ｎｏ．８以外）
０．００００（Ｎｏ．１及び２）≦ｘ≦０．０３８４（Ｎｏ．１２）
０．０２（Ｎｏ．５、１１及び１２）≦ｚ≦０．０６（Ｎｏ．４）
０．０１５（Ｎｏ．８）≦α≦０．０２０（Ｎｏ．８以外）
０．０３（Ｎｏ．８）≦β≦０．０４（Ｎｏ．８以外）
【0080】
以上のとおり、本実施形態に係る圧電磁器組成物１０１は、組成式ＡＢＯ３で表されるニオブ酸カリウムナトリウム系のペロブスカイト型複合酸化物を主成分として含む圧電磁器組成物である。また、圧電磁器組成物１０１は、ＡサイトにＢｉを含み、ＢサイトにＺｒを含む。さらに、圧電磁器組成物１０１は、結晶粒１０３内に位置する偏析部１０７を有している。Ｚｒ及びＢｉの少なくとも一方が偏析部１０７に偏在している。
【0081】
従って、既述のように、抵抗率が高い圧電磁器組成物１０１を得ることができる。その結果、例えば、圧電磁器組成物１０１が後述する振動板２９又は圧電体層３３に適用されたときに短絡の蓋然性が低減される。圧電磁器組成物１０１の全体としての組成を変化させるのではなく、偏析部１０７を形成することによって圧電磁器組成物１０１の特性を向上させることから、例えば、圧電磁器組成物１０１の組成の調整だけでは得られない高い抵抗率を得ることも可能である。また、その製造方法に着目すると、焼成温度を微調整することによって偏析部１０７を形成することができることから、製造工程が複雑化する蓋然性も低い。
【0082】
また、本実施形態では、圧電磁器組成物１０１は、主成分としての複合酸化物に加えてＭｎを更に含んでよい。主成分としての複合酸化物は、（１）式で表されてよい。Ａ１は、Ｂｉを含んでよく、Ｂ１はＺｒを含んでよい。（１）式の種々のモル比は、既述の不等式を満たしてよい。Ｍｎは、複合酸化物の１００質量部に対してＭｎＯ２換算で０．０１質量部以上０．５０質量部以下含まれてよい。
【0083】
この場合、例えば、図４を参照して説明したように、圧電定数の値及び抗電界の値を大きくすることが容易である。その結果、例えば、圧電磁器組成物１０１が圧電アクチュエータに適応されたときに、大きな駆動力を生じることが容易化される。
【0084】
また、本実施形態では、粒界１０５におけるＢｉの質量％が、結晶粒１０３内の偏析部１０７以外の部分（非偏析部１０９）におけるＢｉの質量％よりも低い。及び／又は、粒界１０５におけるＺｒの質量％が、非偏析部１０９におけるＺｒの質量％よりも低い。
【0085】
これらの場合、換言すれば、実施形態の粒界１０５においては、比較例の粒界１０５との対比においてＢｉ及び／又はＺｒの質量％が低いだけでなく、実施形態の結晶粒１０３との対比においてＢｉ及び／又はＺｒの質量％が低い。従って、例えば、既述の粒界１０５におけるＢｉ及び／又はＺｒの質量％が低いことによる抵抗率の向上の効果が得られやすい。
【0086】
また、本実施形態では、断面視において、１以上の結晶粒１０３内に位置する複数の偏析部１０７が０．０５μｍ以上の円相当径を有する第１偏析部１０７Ａを含んでよい。また、この場合、圧電磁器組成物１０１は、断面視において、５μｍ２当たり１個以上の割合で複数の第１偏析部１０７Ａを有してよい。また、偏析部１０７におけるＢｉの質量％が、結晶粒１０３内の偏析部１０７以外の部分（非偏析部１０９）におけるＢｉの質量％、及び粒界１０５におけるＢｉの質量％それぞれの１．１倍以上であってよい。及び／又は偏析部１０７におけるＺｒの質量％が、非偏析部１０９におけるＺｒの質量％、及び粒界１０５におけるＺｒの質量％それぞれの２．０倍以上であってよい。
【0087】
これらの場合は、いずれも偏析部１０７が十分に形成されていると言える場合である。従って、上述した偏析部１０７による効果が得られやすい。
【0088】
【0089】
ヘッド１１は、例えば、概略板状の部材であり、図５に示す構成をＤ３軸に直交する平面に沿って複数有している。ヘッド１１の厚さ（Ｄ３方向）は、例えば、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下である。ヘッド１１の記録媒体に対向する吐出面２ａには液滴を吐出する複数の吐出孔３（図５では１つのみ示す。）が開口している。複数の吐出孔３は、吐出面２ａに沿って２次元的に配置されている。
【0090】
ヘッド１１は、圧電素子の機械的歪により液体に圧力を付与して液滴を吐出するピエゾ式のヘッドである。ヘッド１１は、それぞれ吐出孔３を含む複数の吐出素子３７を有しており、図５では、一の吐出素子３７が示されている。複数の吐出素子３７は、吐出面２ａに沿って２次元的に配置されている。
【0091】
また、別の観点では、ヘッド１１は、液体（インク）が流れる流路が形成されている板状の流路部材１３と、流路部材１３内の液体に圧力を付与するためのアクチュエータ基板１５（圧電アクチュエータの一例）とを有している。複数の吐出素子３７は、流路部材１３及びアクチュエータ基板１５により構成されている。吐出面２ａは、流路部材１３によって構成されている。
【0092】
流路部材１３は、共通流路１９と、共通流路１９にそれぞれ接続されている複数の個別流路１７（図５では１つを図示）とを有している。各個別流路１７は、それぞれ既述の吐出孔３を有しており、また、共通流路１９から吐出孔３へ順に、接続流路２５、加圧室２３及び部分流路２１を有している。加圧室２３は、流路部材１３の吐出面２ａとは反対側の面に開口している。部分流路２１は、加圧室２３から吐出面２ａ側へ延びている。吐出孔３は、部分流路２１の底面２１ａに開口している。
【0093】
複数の個別流路１７及び共通流路１９には液体が満たされている。複数の加圧室２３の容積が変化して液体に圧力が付与されることにより、複数の加圧室２３から複数の部分流路２１へ液体が送出され、複数の吐出孔３から複数の液滴が吐出される。また、複数の加圧室２３へは複数の接続流路２５を介して共通流路１９から液体が補充される。
【0094】
流路部材１３は、例えば、複数のプレート２７Ａ～２７Ｊ（以下、Ａ～Ｊを省略することがある。）が積層されることにより構成されている。プレート２７には、複数の個別流路１７及び共通流路１９を構成する複数の穴（主として貫通孔。凹部にすることも可）が形成されている。複数のプレート２７の厚み及び積層数は、複数の個別流路１７及び共通流路１９の形状等に応じて適宜に設定されてよい。複数のプレート２７は、適宜な材料により形成されてよい。例えば、複数のプレート２７は、金属又は樹脂によって形成されている。プレート２７の厚さは、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。
【0095】
アクチュエータ基板１５は、複数の加圧室２３に亘る広さを有する概略板状である。アクチュエータ基板１５は、いわゆるユニモルフ型の圧電アクチュエータによって構成されている。なお、アクチュエータ基板１５は、バイモルフ型等の他の形式の圧電アクチュエータによって構成されていてもよい。アクチュエータ基板１５は、例えば、流路部材１３側から順に、振動板２９、共通電極３１、圧電体層３３及び個別電極３５を有している。
【0096】
振動板２９、共通電極３１及び圧電体層３３は、平面視において複数の加圧室２３に亘って広がっている。すなわち、これらは、複数の加圧室２３に共通に設けられている。個別電極３５は、加圧室２３毎に設けられている。個別電極３５は、加圧室２３に重なる本体部３５ａと、本体部３５ａから延び出ている引出電極３５ｂとを有している。引出電極３５ｂは、不図示の信号線との接続に寄与する。
【0097】
圧電体層３３は、例えば、本実施形態に係る圧電磁器組成物によって構成されている。圧電体層３３の個別電極３５と共通電極３１とに挟まれている部分は、厚さ方向に分極されている。従って、例えば、個別電極３５及び共通電極３１によって圧電体層３３の分極方向に電界（電圧）を印加すると、圧電体層３３は当該層に沿う方向に収縮する。この収縮は、振動板２９によって規制される。その結果、アクチュエータ基板１５は加圧室２３側へ凸となるように撓み変形する。個別電極３５及び共通電極３１によって上記とは逆向きに電界（電圧）を印加すると、アクチュエータ基板１５は加圧室２３とは反対側へ撓み変形する。
【0098】
アクチュエータ基板１５を構成する各層の厚さ及び材料等は適宜に設定されてよい。一例を挙げると、振動板２９及び圧電体層３３の厚さは、それぞれ１０μｍ以上４０μｍ以下とされてよい。共通電極３１の厚さは１μｍ以上３μｍ以下とされてよい。個別電極３５の厚さは、０．５μｍ以上２μｍ以下とされてよい。振動板２９の材料は、圧電性を有する、又は圧電性を有さないセラミックス材料とされてよい。共通電極３１の材料は、Ａｇ－Ｐｄ系などの金属材料とされてよい。個別電極３５の材料は、Ａｕ系などの金属材料とされてよい。
【0099】
なお、上記において、アクチュエータ基板１５は、圧電アクチュエータの一例である。圧電体層３３は圧電部材の一例である。共通電極３１及び個別電極３５はそれぞれ電極の一例である。
【0100】
本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【0101】
圧電磁器組成物は、アクチュエータ以外に、センサ、振動子又はフィルタ等に用いられてよい。アクチュエータは、インクジェットヘッドに用いられるものに限定されず、種々の機器に用いられるものとされてよい。
【符号の説明】
【0102】
１０１…圧電磁器組成物、１０３…結晶粒、１０５…粒界、１０７…偏析部、１０９…（結晶粒内の）非偏析部、１５…アクチュエータ基板（圧電アクチュエータ）、３１…共通電極（電極）、３３…圧電体層（圧電部材）、３５…個別電極（電極）。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】