特許 7391450 フォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-27

(45)【発行日】2023-12-05

(54)【発明の名称】フォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20231128BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20231128BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20231128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 572B

H01L21/306

H01L21/304 651

【請求項の数】 36

(21)【出願番号】P 2022514795

(86)(22)【出願日】2021-09-08

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-06-02

(86)【国際出願番号】 CN2021117270

(87)【国際公開番号】W WO2022205776

(87)【国際公開日】2022-10-06

【審査請求日】2022-03-04

(31)【優先権主張番号】202110340148.X

(32)【優先日】2021-03-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】517392436

【氏名又は名称】▲騰▼▲訊▼科技（深▲セン▼）有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100150197

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 直樹

(72)【発明者】

【氏名】▲趙▼ 仲平

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 文▲龍▼

(72)【発明者】

【氏名】戴 茂春

(72)【発明者】

【氏名】淮 ▲賽▼男

(72)【発明者】

【氏名】周 宇

【審査官】牧 隆志

(56)【参考文献】

【文献】中国特許出願公開第１０７６６５８１０（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２１１３７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２０７９４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０２－１３０５５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３１３９８６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００５－１９１５８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－０８８７８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／３７７９５１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許第５８５８１０６（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｇ０３Ｆ ７／２６ － ７／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

生産ライン設備が実行する、フォトレジスト除去方法であって、前記方法は、
ターゲットウエハを取得するステップであって、前記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ前記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、前記金属架空層は三次元中空構造を有する、ステップと、
前記ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬するステップと、
前記第１時間長さの終了に応答し、新しい前記第１有機溶剤を使用して前記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うステップと、
前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行うステップと、
前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去するステップと、
ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得するステップであって、前記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む、ステップと、を含み、
前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行う前記ステップは、
洗い流し後の前記ターゲットウエハを第２温度の前記第１有機溶剤中に置くステップと、
前記第２温度の前記第１有機溶剤を収容する容器を、前記容器の底部が超音波洗浄水面と接触するように前記容器を保持し、超音波洗浄の震動が前記超音波洗浄水面の震動のみによって前記容器の底部のみに伝達されるようにする、ステップと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記容器中の前記ターゲットウエハに対して前記第２時間長さの超音波洗浄を行うステップと、を含む、フォトレジスト除去方法。

【請求項2】

洗い流し後の前記ターゲットウエハを第２温度の前記第１有機溶剤中に置く前記ステップは、
洗い流し後の前記ターゲットウエハを、ターゲット角度で前記第２温度の前記第１有機溶剤中に置くステップを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記ターゲット角度は４５度である、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である、請求項１～３のいずれかに記載の方法。

【請求項5】

前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去する前記ステップは、
前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハを第２有機溶剤中に配置するステップと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記ターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得する前記ステップは、
溶剤除去後の前記ターゲットウエハを紙面上に立てて、初期の乾燥処理を行うステップと、
初期の乾燥処理の終了に応答し、前記ターゲット処理方式によって前記ターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記遠心脱水とはターゲット回転数で前記ターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

前記ターゲット回転数は３０００回転／分である、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記第４時間長さは３５秒である、請求項７に記載の方法。

【請求項10】

前記第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、前記第１温度は８０℃であり、前記第１時間長さは９６時間である、請求項１に記載の方法。

【請求項11】

前記第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、前記第１温度は８５℃であり、前記第１時間長さは４時間である、請求項１に記載の方法。

【請求項12】

前記金属架空層はエアブリッジ構造である、請求項１に記載の方法。

【請求項13】

フォトレジスト除去システムであって、前記フォトレジスト除去システムは、ウエハ取得装置と、水浴浸漬装置と、洗い流し装置と、超音波洗浄装置と、残留溶剤除去装置と、乾燥処理装置と、を含み、
前記ウエハ取得装置は、ターゲットウエハを取得することに用いられ、前記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ前記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、前記金属架空層は三次元中空構造を有し、
前記水浴浸漬装置は、前記ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬することに用いられ、
前記洗い流し装置は、前記第１時間長さの終了に応答し、新しい前記第１有機溶剤を使用して前記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うことに用いられ、
前記超音波洗浄装置は、前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられ、
前記残留溶剤除去装置は、前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することに用いられ、
前記乾燥処理装置は、ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、前記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含み、
前記超音波洗浄装置は、洗い流し後の前記ターゲットウエハを第２温度の前記第１有機溶剤中に置くことと、
第２温度の前記第１有機溶剤を収容する容器を前記容器の底部が超音波洗浄水面と接触するように前記容器を保持し、超音波洗浄の震動が前記超音波洗浄水面の震動のみによって前記容器の底部のみに伝達されるようにする、ことと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記容器中の前記ターゲットウエハに対して前記第２時間長さの超音波洗浄を行うことと、に用いられる、フォトレジスト除去システム。

【請求項14】

前記超音波洗浄装置は、洗い流し後の前記ターゲットウエハを、ターゲット角度で前記第２温度の前記第１有機溶剤中に置くことに用いられる、請求項１３に記載のシステム。

【請求項15】

前記ターゲット角度は４５度である、請求項１４に記載のシステム。

【請求項16】

前記ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である、請求項１３～１５のいずれかに記載のシステム。

【請求項17】

前記残留溶剤除去装置は、前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハを第２有機溶剤中に配置することと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記ターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することと、に用いられる、請求項１３に記載のシステム。

【請求項18】

前記乾燥処理装置は、溶剤除去後の前記ターゲットウエハを紙面上に立てて、初期の乾燥処理を行うことと、
初期の乾燥処理の終了に応答し、前記ターゲット処理方式によって前記ターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することと、に用いられる、請求項１３に記載のシステム。

【請求項19】

前記遠心脱水とはターゲット回転数で前記ターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す、請求項１３に記載のシステム。

【請求項20】

前記ターゲット回転数は３０００回転／分である、請求項１９に記載のシステム。

【請求項21】

前記第４時間長さは３５秒である、請求項１９に記載のシステム。

【請求項22】

前記第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、前記第１温度は８０℃であり、前記第１時間長さは９６時間である、請求項１３に記載のシステム。

【請求項23】

前記第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、前記第１温度は８５℃であり、前記第１時間長さは４時間である、請求項１３に記載のシステム。

【請求項24】

前記金属架空層はエアブリッジ構造である、請求項１３に記載のシステム。

【請求項25】

生産ライン設備であって、前記生産ライン設備は水浴浸漬機と、洗い流し器と、超音波洗浄機と、遠心機と、を含み、
前記水浴浸漬機は、ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬することに用いられ、前記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ前記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、前記金属架空層は三次元中空構造を有し、
前記洗い流し器は、前記第１時間長さの終了に応答し、新しい前記第１有機溶剤を使用して前記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うことに用いられ、
前記超音波洗浄機は、前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行い、且つ前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することに用いられ、
前記遠心機は、ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、前記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含み、
前記超音波洗浄機は、前記ターゲット超音波出力に基づき容器中の前記ターゲットウエハに対して前記第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられ、
前記容器中に第２温度の前記第１有機溶剤が収容されており、且つ洗い流し後の前記ターゲットウエハが配置されており、前記容器は、前記容器の底部が超音波洗浄水面と接触するように保持され、超音波洗浄の震動が前記超音波洗浄水面の震動のみによって前記容器の底部のみに伝達されるようにする、生産ライン設備。

【請求項26】

前記超音波洗浄機は、洗い流し後且つターゲット角度で前記第２温度の前記第１有機溶剤中に置かれた前記ターゲットウエハに対して、ターゲット超音波出力に基づき前記第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられる、請求項２５に記載の設備。

【請求項27】

前記ターゲット角度は４５度である、請求項２６に記載の設備。

【請求項28】

前記ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である、請求項２５～２７のいずれかに記載の設備。

【請求項29】

前記超音波洗浄機は、前記第２時間長さの終了に応答し、前記第１有機溶剤を第２有機溶剤に置き換えることと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記ターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することと、に用いられる、請求項２５に記載の設備。

【請求項30】

前記遠心機は、初期の乾燥処理の終了に応答し、前記ターゲット処理方式によって前記ターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、前記初期の乾燥処理とは溶剤除去後の前記ターゲットウエハを紙面上に立てることを指す、請求項２５に記載の設備。

【請求項31】

前記遠心脱水とはターゲット回転数で前記ターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す、請求項２５に記載の設備。

【請求項32】

前記ターゲット回転数は３０００回転／分である、請求項３１に記載の設備。

【請求項33】

前記第４時間長さは３５秒である、請求項３１に記載の設備。

【請求項34】

前記第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、前記第１温度は８０℃であり、前記第１時間長さは９６時間である、請求項２５に記載の設備。

【請求項35】

前記第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、前記第１温度は８５℃であり、前記第１時間長さは４時間である、請求項２５に記載の設備。

【請求項36】

前記金属架空層はエアブリッジ構造である、請求項２５に記載の設備。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願はチップ製造の技術分野に関し、特にフォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去システムに関する。

【0002】

本願は２０２１年３月３０日に提出された、出願番号が第２０２１１０３４０１４８．Ｘ号であり、発明の名称が「フォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去システム」である中国特許出願の優先権を主張しており、その全ての内容は引用によって本願中に組み合わせられる。

【背景技術】

【0003】

チップの製造過程において、フォトレジストを利用してコンポーネント、例えば重要なコンポーネントであるエアブリッジを構築する必要があり、コンポーネント構築完了後に、余分なフォトレジストに対してレジスト除去処理を行う必要がある。

【0004】

関連技術においては、フォトレジストに対してレジスト除去処理を行うときに、通常、乾式レジスト除去方法を採用しフォトレジストに対して除去を行う。例えばｐｌａｓｍａプラズマレジスト塗布法を採用してフォトレジストに対して除去を行い、乾式レジスト除去によってフォトレジスト除去を行うときに、高周波電圧を印加する必要があり、フォトレジストとその他のイオンとの間の反応をトリガーし、それにより除去しやすい反応物を生成し、それによりフォトレジストの除去を実現する。

【0005】

しかし、上記方法においては、高周波電圧を印加して関連反応の発生をトリガーする必要があり、該過程において、高周波電圧はコンポーネントに対して衝撃が発生することになり、それによりコンポーネントの表面又は構造に対して一定の損傷をもたらし、獲得したコンポーネントの製品品質を比較的低下させる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本願の実施例はフォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去システムを提供し、フォトレジスト除去効果を向上させると同時に、コンポーネントの製品品質を向上させることができる。該技術的手段は以下のとおりである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一態様は、フォトレジスト除去方法を提供しており、前記方法は、
ターゲットウエハを取得するステップであって、前記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ前記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、前記金属架空層は三次元中空構造を有する、ステップと、
前記ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬するステップと、
前記第１時間長さの終了に応答し、新しい前記第１有機溶剤を使用して前記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うステップと、
前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行うステップと、
前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去するステップと、
ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得するステップであって、前記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む、ステップと、を含む。

【0008】

別の態様は、フォトレジスト除去システムを提供しており、前記システムは、ウエハ取得装置と、水浴浸漬装置と、洗い流し装置と、超音波洗浄装置と、残留溶剤除去装置と、乾燥処理装置と、を含み、
前記ウエハ取得装置は、ターゲットウエハを取得することに用いられ、前記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ前記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、前記金属架空層は三次元中空構造を有し、
前記水浴浸漬装置は、前記ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬することに用いられ、
前記洗い流し装置は、前記第１時間長さの終了に応答し、新しい前記第１有機溶剤を使用して前記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うことに用いられ、
前記超音波洗浄装置は、前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられ、
前記残留溶剤除去装置は、前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することに用いられ、
前記乾燥処理装置は、ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、前記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む。

【0009】

一種の可能な実現方式においては、前記超音波洗浄装置は、洗い流し後の前記ターゲットウエハを第２温度の前記第１有機溶剤中に置くことと、
前記第２温度の前記第１有機溶剤を収容する容器を超音波洗浄水面上に浮かべることであって、前記容器の底部は前記超音波洗浄水面と接触する、ことと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記容器中の前記ターゲットウエハに対して前記第２時間長さの超音波洗浄を行うことと、に用いられる。

【0010】

一種の可能な実現方式においては、前記超音波洗浄装置は、洗い流し後の前記ターゲットウエハを、ターゲット角度で前記第２温度の前記第１有機溶剤中に置くことに用いられる。

【0011】

一種の可能な実現方式においては、前記ターゲット角度は４５度である。

【0012】

一種の可能な実現方式においては、前記ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である。

【0013】

一種の可能な実現方式においては、前記残留溶剤除去装置は、前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハを第２有機溶剤中に配置することと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記ターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することと、に用いられる。

【0014】

一種の可能な実現方式においては、前記乾燥処理装置は、溶剤除去後の前記ターゲットウエハを紙面上に立てて、初期の乾燥処理を行うことと、
初期の乾燥処理の終了に応答し、前記ターゲット処理方式によって前記ターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することと、に用いられる。

【0015】

一種の可能な実現方式においては、前記遠心脱水とはターゲット回転数で前記ターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す。

【0016】

一種の可能な実現方式においては、前記ターゲット回転数は３０００回転／分である。

【0017】

一種の可能な実現方式においては、前記第４時間長さは３５秒である。

【0018】

一種の可能な実現方式においては、前記第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、前記第１温度は８０℃であり、前記第１時間長さは９６時間である。

【0019】

一種の可能な実現方式においては、前記第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、前記第１温度は８５℃であり、前記第１時間長さは４時間である。

【0020】

一種の可能な実現方式においては、前記金属架空層はエアブリッジ構造である。

【0021】

別の態様は、生産ライン設備を提供しており、前記設備は水浴浸漬機と、洗い流し器と、超音波洗浄機と、遠心機と、を含み、
前記水浴浸漬機は、ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬することに用いられ、前記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ前記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、前記金属架空層は三次元中空構造を有し、
前記洗い流し器は、前記第１時間長さの終了に応答し、新しい前記第１有機溶剤を使用して前記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うことに用いられ、
前記超音波洗浄機は、前記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の前記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行い、且つ前記第２時間長さの終了に応答し、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することに用いられ、
前記遠心機は、ターゲット処理方式によって溶剤除去後の前記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、前記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む。

【0022】

一種の可能な実現方式においては、前記超音波洗浄機は、前記ターゲット超音波出力に基づき容器中の前記ターゲットウエハに対して前記第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられ、
前記容器中に第２温度の前記第１有機溶剤が収容されており、且つ洗い流し後の前記ターゲットウエハが配置されており、前記容器は超音波洗浄水面上に浮かべられ、前記容器の底部は前記超音波洗浄水面と接触する。

【0023】

一種の可能な実現方式においては、前記超音波洗浄機は、洗い流し後且つターゲット角度で前記第２温度の前記第１有機溶剤中に置かれた前記ターゲットウエハに対して、ターゲット超音波出力に基づき前記第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられる。

【0024】

一種の可能な実現方式においては、前記ターゲット角度は４５度である。

【0025】

一種の可能な実現方式においては、前記ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である。

【0026】

一種の可能な実現方式においては、前記超音波洗浄機は、前記第２時間長さの終了に応答し、前記第１有機溶剤を第２有機溶剤に置き換えることと、
前記ターゲット超音波出力に基づき前記ターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、前記ターゲットウエハの表面に残留した前記第１有機溶剤を除去することと、に用いられる。

【0027】

一種の可能な実現方式においては、前記遠心機は、初期の乾燥処理の終了に応答し、前記ターゲット処理方式によって前記ターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後の前記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、前記初期の乾燥処理とは溶剤除去後の前記ターゲットウエハを紙面上に立てることを指す。

【0028】

一種の可能な実現方式においては、前記遠心脱水とはターゲット回転数で前記ターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す。

【0029】

一種の可能な実現方式においては、前記ターゲット回転数は３０００回転／分である。

【0030】

一種の可能な実現方式においては、前記第４時間長さは３５秒である。

【0031】

一種の可能な実現方式においては、前記第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、前記第１温度は８０℃であり、前記第１時間長さは９６時間である。

【0032】

一種の可能な実現方式においては、前記第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、前記第１温度は８５℃であり、前記第１時間長さは４時間である。

【0033】

一種の可能な実現方式においては、前記金属架空層はエアブリッジ構造である。

【0034】

別の態様は、可読記憶媒体を提供しており、前記可読記憶媒体中に少なくとも１つのコンピュータプログラムが記憶されており、前記少なくとも１つのコンピュータプログラムはプロセッサによりロードされ且つ実行されて前記フォトレジスト除去方法を実現する。

【0035】

本願が提供する技術的手段は以下の有益な効果を含んでもよい。

【0036】

表面にフォトレジストを有し、同時にフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされているターゲットウエハを、第１温度の第１有機溶剤中に第１時間長さで水浴浸漬した後に、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行い、第１有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う。ここで超音波洗浄がターゲット超音波出力を採用し、洗浄終了後のターゲットウエハに対して溶剤除去及び乾燥処理を行うことによって、レジスト除去処理後のターゲットウエハを獲得し、フォトレジスト除去過程において、同一種のレジスト除去溶剤（第１有機溶剤）を使用して２ステップの処理（水浴浸漬及び超音波洗浄）によってフォトレジストに対する除去を実現できるようにし、フォトレジストの残留を減少させ、フォトレジストの処理効果を向上させる。同時に、遠心脱水とガスパージとを組み合わせる方式によって湿式処理後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、ガスパージのみを利用して処理する過程において気流を制御しにくいという原因で金属デバイスに対してもたらす損傷を回避し、獲得した金属デバイスの製品品質を向上させる。

【0037】

ここでの図面は明細書中に組み込まれ且つ本明細書の一部分を構成し、本願に合致する実施例を示し、且つ明細書とともに本願の原理を解釈することに用いられる。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1】本願の一例示的実施例に示されるＬｉｆｔ－Ｏｆｆプロセスの模式図を示す。

【図2】本願の一例示的実施例が提供するフォトレジスト除去方法のフローチャートを示す。

【図3】本願の一例示的実施例が提供するフォトレジスト除去方法のフローチャートを示す。

【図4】関連技術に基づきレジスト除去処理を行った後のエアブリッジ構造の画像を示す。

【図5】関連技術に基づきレジスト除去処理を行った後のエアブリッジ構造の画像を示す。

【図6】本願が提供するフォトレジスト除去方法に基づき処理した後のエアブリッジ構造の画像を示す。

【図7】本願が提供するフォトレジスト除去方法に基づき処理した後のエアブリッジ構造の画像を示す。

【図8】本願の一例示的実施例に示されるフォトレジスト処理方法のフローチャートである。

【図9】本願の一例示的実施例が提供するフォトレジスト除去システムの模式図を示す。

【図10】本願の一例示的実施例に示される生産ライン設備の模式図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0039】

例示的実施例に対してここに詳細に説明を行い、その例示は図面中に表される。以下の記述は図面に関し、別途表記されない限り、異なる図面における同じ数字は同じ又は類似する要素を表す。以下の例示的実施例中に記述される実施形態は本願と一致する全ての実施形態を代表するものではない。逆に、それらは添付の特許請求の範囲中に詳述される本願のいくつかの態様と一致する装置及び方法の例に過ぎない。

【0040】

理解されるべきであるように、本明細書中に言及される「複数」とは２つ又は２つ以上を指す。「及び／又は」は、関連対象の関連関係を記述し、三種の関係が存在できることを表す。例えば、Ａ及び／又はＢは、Ａが単独で存在すること、ＡとＢとが同時に存在すること、及びＢが単独で存在することの三種の状況を表すことができる。文字「／」は一般に前後の関連対象が一種の「又は」の関係であることを表す。

【0041】

本願の実施例はフォトレジスト除去方法を提供しており、フォトレジストの処理効果を向上させ、獲得した金属デバイスの製品品質を向上させることができる。理解しやすくするために、以下、本願に関する数個の名詞に対して解釈を行う。

【0042】

１）ウエハ（Ｗａｆｅｒ）
ウエハとはシリコン半導体集積回路の作製に用いられるシリコンウエハを指し、多くのはシリコン／サファイア等の材質であり、シリコンウエハ上に各種の回路素子構造を加工して作製でき、概略的に、ウエハはチップ基板として用いることができる。

【0043】

２）フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）
フォトレジストは、感光性レジストとも呼ばれ、マイクロ電子技術中における微細パターニング加工の重要な材料の１つであり、チップ基板の表面をコーティングすることに用いることができる一種の感光重合体であり、フォトエッチングステップを行う時に化学反応が発生でき、後で現像液と組み合わせて所要のパターンを形成する。

【0044】

フォトレジストはネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストを含み、すべてエネルギービーム（光ビーム、電子ビーム、及びイオンビーム等）の照射下で、架橋反応を主とするフォトレジストはネガ型フォトレジストと呼ばれ、ネガ型レジストと略称し、すべてエネルギービーム（光ビーム、電子ビーム、及びイオンビーム等）の照射下で、光分解反応を主とするフォトレジストはポジ型フォトレジストと呼ばれ、ポジ型レジストと略称する。

【0045】

異なるタイプのフォトレジストの異なる属性に基づき、対応的にネガ型フォトエッチング及びポジ型フォトエッチングの２種のプロセスを有する。ネガ型フォトエッチングの基本特徴は露光後に、フォトレジストが架橋なので溶解不能になり且つ硬化することになることである。一度硬化すると、架橋したフォトレジストは溶剤中に洗い落とされることができなくなり、フォトレジスト上のパターニングは投影マスク上のパターニングとは逆である。ポジ型フォトエッチングはシリコンチップの表面にコピーしたパターニングが投影マスクと同様であり、紫外線に露光された後の領域は一種の化学反応を経て、現像液中に軟化し、且つ現像液中に溶解できる。露光したポジ型フォトレジスト領域は現像液中に除去され、不透明な投影マスク下での露光されないフォトレジストは依然としてシリコンチップ上に残される。

【0046】

３）リフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）
リフローとは特定のフォトレジストは加熱後に変形収縮が発生し、アーチ状物を形成することを指す。

【0047】

４）空気ブリッジ／真空ブリッジ
空気ブリッジは一種の低寄生効果の交差相互接続方法であり、クロスライン接続をすることができるだけでなく、チップ中における伝送線間の信号クロストークを効果的に抑制することができる。

【0048】

独立で存在する空気ブリッジは分離式エアブリッジと呼ばれてもよく、一連の空気ブリッジは全部連結して１つの全体エアブリッジを形成し、全体式エアブリッジと呼ばれる。

【0049】

チップ製造過程において、通常、Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆプロセス（剥離プロセス）を採用してターゲットデバイス、例えば空気ブリッジを獲得する。図１は本願の一例示的実施例に示されるＬｉｆｔ－Ｏｆｆプロセスの模式図を示す。図１に示されるように、Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆプロセスは、１．基板を洗浄することであって、該基板は一般にウエハとして実現される、ことと、２．清潔な基板上に一層のフォトレジストをコーティングすることであって、ここで、回転コーティングの方式を採用してフォトレジスト被覆を行うことができ、フォトレジストを均一にコーティングするようにする、ことと、３．フォトレジストをコーティングした基板をレーザ直接描画機中に入れてレイアウトを記録し、且つ露光を行うことと、４．露光後の基板を化学溶剤に浸して現像を行うことであって、該過程において、もしコーティングしたフォトレジストがポジ型フォトレジストであるなら、露光を経た後の部位は現像液に溶けることになり、それにより対応する形状を形成し、もしコーティングしたフォトレジストがネガ型フォトレジストであるなら、露光を経ていない部位は現像液に溶けることになり、対応する形状を残す、ことと、５．構造を有するフォトレジスト層表面に基づき、その上方に一層の金属膜材料をメッキし、金属架空層を形成することであって、該過程は垂直蒸着の方法を採ることができ、フォトレジストがポジ型フォトレジストであることを例とすると、該金属膜材料は構造を有する部位で材料に入って直接フォトレジストの下の基板に接触することになり、それにより相応な粘着を生じて金属構造を形成する、ことと、６．有機溶剤を使用して金属構造を基板上から剥離することと、７．金属構造を獲得することと、を含む。

【0050】

フォトレジストはフォトエッチングマスクからシリコンチップの表面へのパターニング転移の媒介、及びエッチングされる領域又はイオンが注入される領域のバリア層として、フォトレジストは一度エッチング操作又は注入される操作が完了するとウエハ表面では有用ではなくなる。よって、できるだけ完全に除去する必要がある。同時にエッチング過程によるいかなる残留物もできるだけ除かなければ、チップの各性能に影響を与えることになる。フォトレジストに対する除去効果を向上させるために、本願はフォトレジスト除去方法を提供し、残留したフォトレジストを効果的に除去すると同時に、コンポーネント構造の完全性を保障することができる。ここで、本願において示されるフォトレジスト除去方法は生産ライン設備により実行されてもよく、該生産ライン設備はアプリケーションプログラムが制御するマニピュレータ、及びアプリケーションプログラムが制御する組立ラインにおけるフォトレジスト除去設備等として実現されてもよい。

【0051】

本願において提供されるフォトレジスト除去方法は各種のチップのチップコンポーネントの製造過程に応用できる。概略的に、量子チップのチップコンポーネントの製造過程に応用でき、量子チップのチップコンポーネントの製造において、本願が提供するフォトレジスト除去方法は、金属架空層が製造されているウエハ上に残留したフォトレジストを効果的に除去し、金属架空層の品質を向上させ、更に該金属架空層の性能を向上させることができる。例えば、該金属架空層がエアブリッジ構造であるときに、伝送線間のクロストークに対するエアブリッジ構造の遮蔽機能を向上させることができる。

【0052】

図２は本願の一例示的実施例が提供するフォトレジスト除去方法のフローチャートを示し、該方法は生産ライン設備により実行されてもよく、図２に示されるように、該フォトレジスト除去方法は以下のステップを含んでもよい。

【0053】

ステップ２１０：ターゲットウエハを取得し、該ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ該フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、該金属架空層は三次元中空構造を有する。

【0054】

ターゲットウエハ上にフォトレジストがコーティングされており、且つ該ターゲットウエハは、該フォトレジストのレジスト層上に金属膜メッキ処理を行ってターゲットコンポーネント構造を形成した後の、レジスト除去処理を行うことを待つウエハである。

【0055】

ステップ２２０：ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬する。

【0056】

一種の可能な実現方式においては、第１温度は第１有機溶剤の種類と対応し、第１時間長さは第１有機溶剤の種類と対応する。

【0057】

一種の可能な実現方式においては、該第１温度は該第１有機溶剤の使用説明データテーブルに基づき決定する温度である。概略的に、該第１温度は該第１有機溶剤を有効にする温度区間におけるターゲット温度である。

【0058】

該第１有機溶剤はターゲットウエハ上のフォトレジストを溶解して、余分なフォトレジストを除去するために用いられる。

【0059】

ここで、該第１有機溶剤の深さはターゲットウエハの厚さ以上であり、ターゲットウエハを該第１有機溶剤中に浸没できるようにする。

【0060】

ステップ２３０：第１時間長さの終了に応答し、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行う。

【0061】

ここで、新しい第１有機溶剤とは使用されていない第１有機溶剤、つまり、環境に汚染されていない第１有機溶剤を指す。

【0062】

ターゲットウエハに対して洗い流しを行うこととは、流れる第１有機溶剤を使用してターゲットウエハの表面上に残留した使用された第１有機溶剤を洗い落とすことを指す。

【0063】

ステップ２４０：第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力（超音波出力パワーとも称される）に基づき洗い流し後のターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行う。

【0064】

一種の可能な実現方式においては、超音波洗浄マシンを使用してターゲットウエハに対して超音波洗浄を行い、ターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う過程において、ターゲットウエハを第１有機溶剤中に浸没する必要があり、更に残留したフォトレジストに対して洗浄を行う。

【0065】

ステップ２５０：第２時間長さの終了に応答し、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去する。

【0066】

第１有機溶剤の残留は、金属架空層の性能に対して一定の影響をもたらすことになり、例えば、金属架空層の電気的性能に対して影響をもたらす。従って、第１有機溶剤によってターゲットウエハ上に残留した余分なフォトレジストを除去した後に、第１有機溶剤の残留によるターゲットウエハ上の金属架空層の性能に対する影響を減少させるために、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去する必要がある。従って、第１有機溶剤によってウエハ表面上のフォトレジストを除去した後に、すなわち第２時間長さの終了後に、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去する。

【0067】

ステップ２６０：ターゲット処理方式によって溶剤除去後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後のターゲットウエハを獲得し、該ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む。

【0068】

一種の可能な実現方式においては、ガスパージを行う時に採用されるガスは窒素ガス（Ｎ_２）である。

【0069】

以上のように、本願が提供するフォトレジスト除去方法は、表面にフォトレジストを有する。同時にフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされているターゲットウエハを、第１温度の第１有機溶剤中おいてに第１時間長さで水浴浸漬した後に、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行う。その後、第１有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う。ここで超音波洗浄がターゲット超音波出力を採用し、洗浄終了後のターゲットウエハに対して溶剤除去及び乾燥処理を行うことによって、レジスト除去処理後のターゲットウエハを獲得し、フォトレジスト除去過程において、同一種のレジスト除去溶剤（第１有機溶剤）を使用して２ステップの処理（水浴浸漬及び超音波洗浄）によってフォトレジストに対する除去を実現できるようにし、フォトレジストの残留を減少させ、フォトレジストの処理効果を向上させる。同時に、遠心脱水とガスパージとを組み合わせる方式によって湿式処理後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、ガスパージのみを利用して処理する過程において気流を制御しにくいという原因で金属デバイスに対してもたらす損傷を回避し、獲得した金属デバイスの製品品質を向上させる。

【0070】

本願が提供するフォトレジスト除去方法はチップ製造過程において、立体構造に対してフォトレジスト除去を行うシーンに応用できる。概略的に、本願において示されるフォトレジスト除去方法は全体式エアブリッジのレジスト層ブリッジサポートをリリースする製造シーンにおいて用いることができる。

【0071】

一種の可能な実現方式においては、本願の実施例におけるターゲットウエハはチップ製造過程においてエアブリッジ構造の製造を行うことに用いられるウエハであり、該エアブリッジ構造は伝送線間のマイクロ波クロストークを遮蔽することに用いられ、該エアブリッジ構造は立体構造である。従って、エアブリッジ構造の製造過程において、中間層の形状が変わらないことを保証する前提下で、上下層の重合体に対してリリースを行う必要がある。図３は本願の一例示的実施例が提供するフォトレジスト除去方法のフローチャートを示し、該方法は生産ライン設備により実行されてもよく、図３に示されるように、該フォトレジスト除去方法は以下のステップを含んでもよい。

【0072】

ステップ３１０：ターゲットウエハを取得し、該ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、該金属架空層は三次元中空構造を有する。

【0073】

一種の可能な実現方式においては、該金属架空層はエアブリッジ構造であり、該エアブリッジ構造は独立で存在する空気ブリッジ、すなわち分離式エアブリッジであってもよく、又は、該エア構造とは一連の空気ブリッジが形成した全体エアブリッジ、すなわち全体式エアブリッジを指し、本願の実施例は該エアブリッジ構造が全体式エアブリッジであることを例として説明を行う。

【0074】

該ターゲットウエハはリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）後にエアブリッジ構造が刻まれており、且つレジスト除去ステップを経ていないウエハであってもよい。

【0075】

ステップ３２０：ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬する。

【0076】

一種の可能な実現方式においては、該過程は以下のように実現されてもよい。該ターゲットウエハを現像バスケット中に平らに置いた後に、容器中に置き、容器内に第１有機溶剤を注ぎ入れ、該第１有機溶剤の深さはターゲットウエハの厚さ以上であり、ターゲットウエハを該第１有機溶剤中に浸没するようにし、それにより第１有機溶剤がターゲットウエハの表面の余分なフォトレジストに十分に作用できるようにする。

【0077】

ここで、該第１時間長さは第１有機溶剤の温度が第１温度に達する時にタイミングを開始するものであり、つまり、第１有機溶剤の温度が第１温度に達することに応答し、タイマーを始動し、該タイマーは第１温度の持続時間長さに対してタイミングを行うことに用いられる。

【0078】

一種の可能な実現方式においては、該第１温度は第１有機溶剤に対して加熱を行う水浴釜の温度であってもよく、水浴を使用して加熱することは第１有機溶剤が均一に熱を受けるようにすることができ、それにより第１有機溶剤のレジスト除去効果を向上させる。

【0079】

一種の可能な実現方式においては、該第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、その対応する第１温度は８０℃であり、第１時間長さは９６時間である。

【0080】

別の一種の可能な実現方式においては、該第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン（Ｎ－Ｍｅｔｈｙｌ Ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ、ＮＭＰ）溶剤であり、対応する第１温度は８５℃であり、該第１時間長さは４時間である。

【0081】

ステップ３３０：第１時間長さの終了に応答し、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行う。

【0082】

一種の可能な実現方式においては、第１時間長さの終了に応答し、新しい第１有機溶剤を使用して常温下でターゲットウエハに対して洗い流しを行う。

【0083】

ここで、常温とはチップ製造環境（クリーンルーム）の定温を指し、該定温は２２℃である。

【0084】

ステップ３４０：洗い流し後のターゲットウエハを第２温度の第１有機溶剤中に置く。

【0085】

超音波洗浄の洗浄効果を向上させるために、一種の可能な実現方式においては、洗い流し後のターゲットウエハを、ターゲット角度で第２温度の第１有機溶剤中に置く。

【0086】

ここで、該ターゲット角度は４５°である。

【0087】

概略的に、ターゲット角度の角で洗い流した後のターゲットウエハを第２温度の第１有機溶剤中に置くことを実現するために、ターゲットウエハを配置するときに、ターゲットウエハをターゲットウエハの直径と同じ現像バスケット中に配置することができ、ターゲットウエハの一端を現像バスケットの中心に接触させ、一端を現像バスケットの支柱に接触させるようにし、上記形式で配置されたターゲットウエハを第１有機溶剤が入れられた容器中に配置して、ターゲットウエハをターゲット角度で第１有機溶剤中に置くようにする。

【0088】

ステップ３５０：第２温度の第１有機溶剤を収容する容器を超音波洗浄水面上に浮かべ、容器の底部は超音波洗浄水面と接触する。

【0089】

立体構造が比較的弱く、超音波洗浄が立体構造に対して破壊をもたらしやすく、例えば、エアブリッジ構造が中空構造であり、超音波洗浄が容易にエアブリッジ構造の崩壊変形をもたらす。従って、超音波洗浄を行う過程において、容器と超音波洗浄水面との接触面積を減少させる必要があり、本願の実施例においては、第２温度の第１有機溶剤を収容する容器を超音波洗浄水面上に浮かべ、該容器の底部は超音波洗浄水面と接触して、容器が水面の振動のみに接触するようにし、超音波が容器内の立体構造に対してもたらす影響を減少させる。

【0090】

一種の可能な実現方式においては、該第２温度は常温、すなわち（クリーンルーム）の定温であり、例えば２２℃である。

【0091】

ステップ３６０：ターゲット超音波出力に基づき容器中のターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行う。

【0092】

超音波洗浄過程において、超音波による立体構造（エアブリッジ構造）に対する橋体損害を減少させるために、一種の可能な実現方式においては、超音波洗浄を行う過程において使用するターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である。ここで、該最も低い出力は３５％Ｐｏｗｅｒであり、該最も低い出力とは超音波洗浄機の最も低い震動出力を指す。

【0093】

一種の可能な実現方式においては、該第２時間長さは５ｍｉｎである。

【0094】

ステップ３７０：第２時間長さの終了に応答し、ターゲットウエハを第２有機溶剤中に配置する。

【0095】

一種の可能な実現方式においては、超音波洗浄終了後のターゲットウエハをターゲット時間長さ内に第１有機溶剤から移し出し、該ターゲット時間長さはできるだけ短くし、その後、該ターゲットウエハを第２有機溶剤中に配置する。

【0096】

概略的に、該第２有機溶剤は第１有機溶剤と溶ける有機溶剤、例えばイソプロパノール（Ｉｓｏ－Ｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ、ＩＰＡ）溶剤として実現されてもよい。

【0097】

ステップ３８０：ターゲット超音波出力に基づきターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去する。

【0098】

一種の可能な実現方式においては、ターゲット超音波出力で第２有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う過程は、ターゲット超音波出力で第１有機溶剤中においてターゲットウエハに対して清超音波洗浄を行う過程と同じであってもよい。つまり、ターゲット超音波出力で第２有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う過程において、ターゲットウエハはターゲット角度で第２有機溶剤中に浸没し、第２有機溶剤を収容する容器は超音波洗浄水面上に浮かべられ、容器の底部は超音波洗浄水面と接触する。

【0099】

ここで、ターゲット超音波出力で第２有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う過程は常温（２２℃）下で行われてもよい。

【0100】

一種の可能な実現方式においては、該第３時間長さは第２時間長さに等しく、すなわち第２時間長さは５ｍｉｎであり、第３時間長さも５ｍｉｎである。

【0101】

ステップ３９０：ターゲット処理方式によって溶剤除去後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後のターゲットウエハを獲得し、該ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む。

【0102】

一種の可能な実現方式においては、ターゲットウエハに対して乾燥処理を行うことは、
溶剤除去後のターゲットウエハを紙面上に立てて、初期の乾燥処理を行うこととして実現されてもよい。

【0103】

初期の乾燥処理の終了に応答し、ターゲット処理方式によってターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後のターゲットウエハを獲得する。

【0104】

ここで、初期の乾燥処理の過程は、第２有機溶剤中から取り出されたターゲットウエハを吸水紙の紙面上に立てて、ターゲットウエハの表面に残留した第２有機溶剤をターゲットウエハと紙面との接触点に集めるようにし、吸水紙がターゲットウエハ上に残留した第２有機溶剤に対して吸収を行うようにすることとして実現されてもよい。初期の乾燥処理を行った後に、遠心脱水とガスパージとを組み合わせる方式によって、更にターゲットウエハに対して乾燥処理を行う。

【0105】

一種の可能な実現方式においては、該遠心脱水とはターゲット回転数でターゲットウエハに対して第４時間長さで回転することを指し、該第４時間長さは３５ｓであり、該ターゲット回転数は３０００回転／分（ｒｐｍ）である。

【0106】

ここで、ターゲット回転数でターゲットウエハに対して回転を行うことは、ターゲットウエハを回転塗布平板上に配置し、回転塗布平板の回転数を３０００回転／分（ｒｐｍ）に制御することとして実現されてもよく、回転時間長さは３５ｓである。

【0107】

以上のように、本願の実施例が提供するフォトレジスト除去方法は、表面にフォトレジストを有する。同時にフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされているターゲットウエハを、第１温度の第１有機溶剤中に第１時間長さで水浴浸漬した後に、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行い、第１有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う。ここで超音波洗浄がターゲット超音波出力を採用し、洗浄終了後のターゲットウエハに対して溶剤除去及び乾燥処理を行うことによって、レジスト除去処理後のターゲットウエハを獲得し、フォトレジスト除去過程において、同一種のレジスト除去溶剤（第１有機溶剤）を使用して２ステップの処理（水浴浸漬及び超音波洗浄）によってフォトレジストに対する除去を実現できるようにし、フォトレジストの残留を減少させ、フォトレジストの処理効果を向上させる。同時に、遠心脱水とガスパージとを組み合わせる方式によって湿式処理後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、ガスパージのみを利用して処理する過程において気流を制御しにくいという原因で金属デバイスに対してもたらす損傷を回避し、獲得した金属デバイスの製品品質を向上させる。

【0108】

立体構造に対してフォトレジスト除去を行う過程において、レジスト除去効果を上げると同時に、立体構造に対する構造損害を低減させることができる。エアブリッジ構造を例とすると、図４、及び図５は関連技術に基づきレジスト除去処理を行った後のエアブリッジ構造の画像を示し、図４における部分Ａは光学顕微鏡下での分離エアブリッジ構造の模式図に対応し、図４における部分Ｂは光学顕微鏡下での全体式エアブリッジ構造の模式図に対応する。図４に示されるように、関連技術に基づきレジスト除去処理を行った後に、エアブリッジ構造の周囲に依然として残留したフォトレジストが付着している。図５に示されるように、関連技術に基づきレジスト除去処理を行った後に、異なるサイズの分離エアブリッジは、共焦点顕微鏡下で、エアブリッジ構造の橋体表面構造が損傷されることを観察できる。

【0109】

図４、及び図５に示されるエアブリッジ構造の画像と比較して、図６、及び図７は本願が提供するフォトレジスト除去方法に基づき処理した後のエアブリッジ構造の画像を示す。図６に示されるように、本願が提供するフォトレジスト除去方法に基づき処理した後の全体式エアブリッジ構造は、電子顕微鏡下で、橋体構造の橋頂及び橋底にフォトレジストの残留がなく、且つエアブリッジ構造の形状は完全に維持され、陥没及び破断等の状況が生じていない。図７に示されるように、本願が提供するフォトレジスト除去方法は異なるサイズのエアブリッジ構造中に使用され、いずれも安定した効果を果たすことができる。

【0110】

全体式エアブリッジがレジスト層ブリッジサポートをリリースするプロセスでは、第１有機溶剤がＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であることを例とすると、図８は本願の一例示的実施例に示されるフォトレジスト処理方法のフローチャートであり、図８に示されるように、該方法は以下を含む。

【0111】

ステップ８１０：ターゲットウエハを現像バスケット中に平らに置き、ビーカー内にターゲットウエハ全体を被覆するＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤を注ぎ入れ、８０℃まで水浴加熱し、９６時間水浴する。

【0112】

ここで、該ターゲットウエハは、リフロー後にエアブリッジ構造が刻まれているレジスト除去ステップを経ていないウエハであり、該ターゲットウエハの直径は２インチである。

【0113】

該水浴時間長さは水浴温度が８０℃になった時にタイミングを開始するものである。

【0114】

ステップ８２０：９６時間後に、ターゲットウエハを取り出し、新しいＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤を使用して表面に対して洗い流しを行う。

【0115】

ステップ８３０：ターゲットウエハを第１傾斜角でビーカー内に立て、超音波洗浄機の出力を最も低く調節し、常温で５ｍｉｎ超音波洗浄する。

【0116】

ここで、該第１傾斜角は４５°であり、超音波洗浄機の出力は３５％Ｐｏｗｅｒであり、且つ超音波洗浄過程において、終始ビーカーを持ち上げてビーカーが水面の震動に接触するようにする。

【0117】

ステップ８４０：Ｒｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤中に超音波洗浄が完了した後に、ターゲットウエハを迅速に移し出し、ＩＰＡ溶剤が注がれたビーカー内に引き替えて５ｍｉｎ超音波洗浄する。

【0118】

ここで、ステップ８４０の超音波洗浄過程における操作方式はステップ８３０における超音波洗浄過程における操作方式と同じである。

【0119】

ステップ８５０：ターゲットウエハを取り出し、それを紙面上に立てて水を片隅に集め、ティッシュによって吸収した後に回転塗布平板に置き、３０００ｒｐｍ回転数で３５ｓ回転し、その間にＮ_２と組み合わせてチップ表面をパージしてクリーンし、フォトレジストを除去した後のターゲットウエハを獲得する。

【0120】

以上のように、本願の実施例が提供するフォトレジスト除去方法は、表面にフォトレジストを有する。同時にフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされているターゲットウエハを、第１温度の第１有機溶剤中に第１時間長さで水浴浸漬した後に、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行い、第１有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う。ここで超音波洗浄がターゲット超音波出力を採用し、洗浄終了後のターゲットウエハに対して溶剤除去及び乾燥処理を行うことによって、レジスト除去処理後のターゲットウエハを獲得し、比較的良いフォトレジスト除去効果を実現でき、ターゲットウエハの表面に明瞭なフォトエッチング構造を現すようにする。同時に、立体型構造について、レジスト除去効果を向上させると同時に、立体型構造表面に対する損傷を減少させ、立体型構造の品質を向上させることができる。

【0121】

図９は本願の一例示的実施例が提供するフォトレジスト除去システムの模式図を示し、図９に示されるように、該フォトレジスト除去システムは、ウエハ取得装置９１０と、水浴浸漬装置９２０と、洗い流し装置９３０と、超音波洗浄装置９４０と、残留溶剤除去装置９５０と、乾燥処理装置９６０と、を含み、
上記ウエハ取得装置９１０は、ターゲットウエハを取得することに用いられ、上記ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つ上記フォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、上記金属架空層は三次元中空構造を有し、
上記水浴浸漬装置９２０は、上記ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬することに用いられ、
上記洗い流し装置９３０は、上記第１時間長さの終了に応答し、新しい上記第１有機溶剤を使用して上記ターゲットウエハに対して洗い流しを行うことに用いられ、
上記超音波洗浄装置９４０は、上記第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後の上記ターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられ、
上記残留溶剤除去装置９５０は、上記第２時間長さの終了に応答し、上記ターゲットウエハの表面に残留した上記第１有機溶剤を除去することに用いられ、
上記乾燥処理装置９６０は、ターゲット処理方式によって溶剤除去後の上記ターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後の上記ターゲットウエハを獲得することに用いられ、上記ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む。

【0122】

一種の可能な実現方式においては、上記超音波洗浄装置９４０は、洗い流し後の上記ターゲットウエハを第２温度の上記第１有機溶剤中に置くことと、
上記第２温度の上記第１有機溶剤を収容する容器を超音波洗浄水面上に浮かべることであって、上記容器の底部は上記超音波洗浄水面と接触する、ことと、
上記ターゲット超音波出力に基づき上記容器中の上記ターゲットウエハに対して上記第２時間長さの超音波洗浄を行うことと、に用いられる。

【0123】

一種の可能な実現方式においては、上記超音波洗浄装置９４０は、洗い流し後の上記ターゲットウエハを、ターゲット角度で上記第２温度の上記第１有機溶剤中に置くことに用いられる。

【0124】

一種の可能な実現方式においては、上記ターゲット角度は４５度である。

【0125】

一種の可能な実現方式においては、上記ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である。

【0126】

一種の可能な実現方式においては、上記残留溶剤除去装置９５０は、上記第２時間長さの終了に応答し、上記ターゲットウエハを第２有機溶剤中に配置することと、
上記ターゲット超音波出力に基づき上記ターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、上記ターゲットウエハの表面に残留した上記第１有機溶剤を除去することと、に用いられる。

【0127】

一種の可能な実現方式においては、乾燥処理装置９６０は、溶剤除去後の上記ターゲットウエハを紙面に立てて、初期の乾燥処理を行うことと、
初期の乾燥処理の終了に応答し、上記ターゲット処理方式によって上記ターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後の上記ターゲットウエハを獲得することと、に用いられる。

【0128】

一種の可能な実現方式においては、上記遠心脱水とはターゲット回転数で上記ターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す。

【0129】

一種の可能な実現方式においては、上記ターゲット回転数は３０００回転／分である。

【0130】

一種の可能な実現方式においては、上記第４時間長さは３５秒である。

【0131】

一種の可能な実現方式においては、上記第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、上記第１温度は８０℃であり、上記第１時間長さは９６時間である。

【0132】

一種の可能な実現方式においては、上記第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、上記第１温度は８５℃であり、上記第１時間長さは４時間である。

【0133】

一種の可能な実現方式においては、上記金属架空層はエアブリッジ構造である。

【0134】

ここで、本願の実施例中に示されるフォトレジスト除去システムにおける各々の装置は、対応する機能を実現し、又は対応するステップを実行することに用いられる各々のマニピュレータとして実現されてもよく、又は、フォトレジスト除去組立ライン上の各々の設備として実現されてもよく、本願はこれに対して制限しない。

【0135】

以上のように、本願の実施例が提供するフォトレジスト除去システムは、表面にフォトレジストを有する。同時にフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされているターゲットウエハを、第１温度の第１有機溶剤中に第１時間長さで水浴浸漬した後に、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行い、第１有機溶剤中においてターゲットウエハに対して超音波洗浄を行う。ここで超音波洗浄がターゲット超音波出力を採用し、洗浄終了後のターゲットウエハに対して溶剤除去及び乾燥処理を行い、レジスト除去処理後のターゲットウエハを獲得し、フォトレジスト除去過程において、同一種のレジスト除去溶剤（第１有機溶剤）を使用して２ステップの処理（水浴浸漬及び超音波洗浄）によってフォトレジストに対する除去を実現できるようにし、フォトレジストの残留を減少させる。同時に、遠心脱水とガスパージとを組み合わせる方式によって湿式処理後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、ガスパージのみを利用して処理する過程において気流を制御しにくいという原因で金属デバイスに対してもたらす損傷を回避し、獲得した金属デバイスの製品品質を向上させる。

【0136】

図１０は本願の一例示的実施例に示される生産ライン設備の模式図を示し、図１０に示されるように、該生産ライン設備は水浴浸漬機１０１０、洗い流し器１０２０、超音波洗浄機１０３０、及び遠心機１０４０等を含み、
ここで、該水浴浸漬機１０１０は、ターゲットウエハを温度が第１温度である第１有機溶剤中に置いて第１時間長さで水浴浸漬することに用いられ、該ターゲットウエハの表面にフォトレジストを有し、且つフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされており、該金属架空層は三次元中空構造を有し、
該洗い流し器１０２０は、第１時間長さの終了に応答し、新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行うことに用いられ、
該超音波洗浄機１０３０は、第１有機溶剤中において、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後のターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行い、且つ第２時間長さの終了に応答し、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去することに用いられ、
該遠心機１０４０は、ターゲット処理方式によって溶剤除去後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行い、レジスト除去後のターゲットウエハを獲得することに用いられ、該ターゲット処理方式は遠心脱水と同時にガスパージを行うことを含む。

【0137】

一種の可能な実現方式においては、該超音波洗浄機は、ターゲット超音波出力に基づき容器中のターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられ、
該容器中に第２温度の第１有機溶剤が収容されており、且つ洗い流し後のターゲットウエハが配置されており、該容器は超音波洗浄水面上に浮かべられ、該容器の底部は超音波洗浄水面と接触する。

【0138】

一種の可能な実現方式においては、該超音波洗浄機は、洗い流し後且つターゲット角度で第２温度の第１有機溶剤中に置かれたターゲットウエハに対して、ターゲット超音波出力に基づき第２時間長さの超音波洗浄を行うことに用いられる。

【0139】

一種の可能な実現方式においては、該ターゲット角度は４５度である。

【0140】

一種の可能な実現方式においては、該ターゲット超音波出力は超音波洗浄機の最も低い出力である。

【0141】

一種の可能な実現方式においては、該超音波洗浄機は、第２時間長さの終了に応答し、第１有機溶剤を第２有機溶剤に置き換えることと、
ターゲット超音波出力に基づきターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去することと、に用いられる。

【0142】

選択可能に、第１有機溶剤が収容されている超音波洗浄機と第２有機溶剤が収容されている超音波洗浄機とは異なる超音波洗浄機であってもよい。概略的に、第１超音波洗浄機（第１有機溶剤が収容されている超音波洗浄機）中においてターゲットウエハに対する超音波洗浄が完了した後に、ロボットアーム又はコンベアによって、ターゲットウエハを第２超音波洗浄機（第２有機溶剤が収容されている超音波洗浄機）中に移動することができ、第２超音波洗浄機中にターゲットウエハに対して第３時間長さの超音波洗浄を行って、ターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去する。

【0143】

一種の可能な実現方式においては、該遠心機は、初期の乾燥処理の終了に応答し、ターゲット処理方式によってターゲットウエハに対して更なる乾燥処理を行い、レジスト除去後のターゲットウエハを獲得することに用いられ、初期の乾燥処理とは溶剤除去後のターゲットウエハを紙面上に立てることを指す。

【0144】

一種の可能な実現方式においては、遠心脱水とはターゲット回転数でターゲットウエハに対して第４時間長さで遠心回転することを指す。

【0145】

一種の可能な実現方式においては、ターゲット回転数は３０００回転／分である。

【0146】

一種の可能な実現方式においては、第４時間長さは３５秒である。

【0147】

一種の可能な実現方式においては、第１有機溶剤はＲｅｍｏｖｅｒ ＰＧ溶剤であり、第１温度は８０℃であり、第１時間長さは９６時間である。

【0148】

一種の可能な実現方式においては、第１有機溶剤はＮ－メチルピロリドン溶剤であり、第１温度は８５℃であり、第１時間長さは４時間である。

【0149】

一種の可能な実現方式においては、金属架空層はエアブリッジ構造である。

【0150】

選択可能に、該生産ライン設備はさらに制御チップを含み、該制御チップは水浴浸漬機、洗い流し器、超音波洗浄機、及び遠心機にそれぞれ電気的に連結されてもよく、水浴浸漬機、洗い流し器、超音波洗浄機、及び遠心機を制御してそれぞれパラメータ調節を行うために用いられ、例えば、水浴浸漬機の水浴温度及び水浴時間長さを制御し、洗い流し器の放水時間長さを制御し、超音波洗浄機の超音波出力、及び洗浄時間長さを制御し、遠心機の回転数等々を制御する。

【0151】

選択可能に、該生産ライン設備はさらに電源を含み、制御チップ、水浴浸漬機、洗い流し器、超音波洗浄機、及び遠心機等の電気設備のために電力供給を行うために用いられる。

【0152】

選択可能に、各々のマシンの間はコンベアによって空間的接続を行い、又はロボットアームに基づきターゲットウエハの各々のマシン間での空間的移動を完了させる。概略的に、ロボットアームに基づきターゲットウエハの各々のマシン間での空間的移動を完了させることを例とすると、表面にフォトレジストを有し、且つフォトレジストのレジスト層表面上に金属架空層がメッキされているターゲットウエハに対して一回のフォトレジスト除去を行う過程において、先ず制御チップによって水浴浸漬機、洗い流し器、超音波洗浄機、及び遠心機におけるパラメータに対してそれぞれ設定を行う。その後、ロボットアームを利用してターゲットウエハを水浴浸漬機中に配置し、該水浴浸漬機中に第１温度の第１有機溶剤が収容されており、第１時間長さで浸漬し、第１時間長さが終了した後に、ロボットアームを制御してターゲットウエハを洗い流し器中に移動させて、洗い流し器が新しい第１有機溶剤を使用してターゲットウエハに対して洗い流しを行うようにする。その後、ロボットアームを利用してターゲットウエハを第１有機溶剤が収容されている超音波洗浄機中に移動させ、ターゲット超音波出力に基づき洗い流し後のターゲットウエハに対して第２時間長さの超音波洗浄を行い、第２時間長さが終了した後に、超音波洗浄機を利用してターゲットウエハの表面に残留した第１有機溶剤を除去する。その後、ロボットアームを利用してターゲットウエハを遠心機中に移動させ、遠心機が溶剤除去後のターゲットウエハに対して乾燥処理を行うようにし、最終的にレジスト除去後のターゲットウエハを獲得し、及びターゲットウエハ上にレジスト除去後の金属架空層がメッキされている。上記過程においておける各々のマシンによるターゲットウエハに対する処理過程は図２又は図３に示される実施例における関連記述を参照でき、ここでは再度説明しない。

【0153】

一例示的実施例においては、さらに可読記憶媒体を提供しており、少なくとも１つの指令、少なくとも一段のプログラム、コードセット又は指令セットを記憶することに用いられ、上記少なくとも１つの指令、上記少なくとも一段のプログラム、上記コードセット又は指令セットは生産ライン設備におけるプロセッサによりロードされ且つ実行されて相応な装置を制御して上記フォトレジスト除去方法における全部又は部分ステップを実現する。例えば、該コンピュータ可読記憶媒体は読み出し専用メモリ（Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ、ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ、ＲＡＭ）、読み出し専用光ディスク（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ、ＣＤ－ＲＯＭ）、磁気テープ、フロッピーディスク及び光データ記憶設備等であってもよい。

【0154】

当業者は明細書を考慮し、ここに開示されている発明を実践した後に、本願の他の実施手段を容易に想到する。本願は本願のいかなる変更、用途又は適応的変化をもカバーすることを目的とし、これらの変更、用途又は適応的変化は本願の一般的な原理に従い、且つ本願において開示されていない本技術分野における公知常識又は慣用技術手段を含む。明細書及び実施例は例示的なものとしてのみ見なされ、本願の真の範囲及び精神は以下の請求項により示される。

【0155】

理解されるべきであるように、本願は上記に記述され、且つ図面中に示される正確な構造に限定されず、且つその範囲を逸脱することなく各種の改定及び改変を行うことができる。本願の範囲は添付される請求項のみにより制限される。

【符号の説明】

【0156】

９１０ ウエハ取得装置
９２０ 水浴浸漬装置
９３０ 装置
９４０ 超音波洗浄装置
９５０ 残留溶剤除去装置
９６０ 乾燥処理装置
１０１０ 水浴浸漬機
１０２０ 器
１０３０ 超音波洗浄機
１０４０ 遠心機

【図1】

【図2】

【図3】

【図4(A)】

【図4(B)】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】