特許 7391793 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-11-27

(45)【発行日】2023-12-05

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20231128BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20231128BHJP

   H05F 3/02 20060101ALI20231128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 646

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

H01L21/68 N

H05F3/02 K

H05F3/02 F

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2020137050

(22)【出願日】2020-08-14

(65)【公開番号】P2021034731

(43)【公開日】2021-03-01

【審査請求日】2021-09-29

(31)【優先権主張番号】10-2019-0101706

(32)【優先日】2019-08-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】パク，シ ヒョン

【審査官】今井 聖和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－０１２８８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１８３３８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１０３４３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１２３５３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１８４３６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１７２８８０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０５Ｆ ３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する装置において、
基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、
制御器と、を含み、
前記除電ユニットは、
前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートと、
前記支持板に提供され、前記除電プレートを前記支持板から離隔させる除電ピンと、を含み、
前記制御器は、
前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御する基板処理装置。

【請求項2】

前記除電ピンは、前記除電プレートと電気的に連結され、接地される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記除電ピンは、前記支持板と電気的に連結され、前記支持板は、接地される請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記除電プレートは、前記除電ピンの上端に結合される請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記除電プレートは、
上部から見る時、リング形状を有する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記除電プレートは、
上部から見る時、一部が切断されて曲がったリング形状を有する請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記除電プレートは、前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に配置される請求項１乃至請求項６のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記支持ユニットは、
前記支持板に提供され、基板の側部を支持するチョクピンを含み、
前記除電プレートは、
前記チョクピンの間に配置される請求項１乃至請求項６のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記チョクピンは、
上部から見る時、前記支持板に円周方向に沿って配置し、
前記除電プレートは、前記円周方向に沿って配置される前記チョクピンの間に配置される請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記除電プレートは、導電性素材を含む材質で提供される請求項１乃至請求項６のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【請求項11】

基板を処理する方法において、
前記基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートの間の空間に流体を供給して液膜を形成し、
前記液膜が前記基板と前記除電プレートを電気的に連結して前記基板を除電し、
前記除電プレートは、支持板を含む支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供され、
前記除電プレートは、前記支持板に提供された除電ピンによって前記支持板から離隔される
基板処理方法。

【請求項12】

前記除電プレートが上部から見る時、前記基板の縁領域に配置されて前記基板の縁領域を除電する請求項１１に記載の基板処理方法。

【請求項13】

基板を処理する装置において、
基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板が処理される処理空間を有する処理容器と、
前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板の上面に処理液を供給する上部流体供給ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、
制御器と、を含み、
前記除電ユニットは、
前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供され、接地される除電プレートと、
前記支持板に提供され、前記除電プレートを前記支持板から離隔させる除電ピンと、を含み、
前記制御器は、
前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御する基板処理装置。

【請求項14】

前記除電ピンは、前記除電プレートと電気的に連結され、接地される請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記除電ピンは、前記支持板と電気的に連結され、前記支持板は接地される請求項１４に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に係る。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を製造するためには写真、蒸着、アッシング、蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。また、このような工程が遂行される前後には基板上に残留されたパーティクルを洗浄処理する洗浄工程が遂行される。

【0003】

洗浄工程ではスピンチャックに支持された基板の一面又は両面に洗浄液を供給する。洗浄液は基板の中央領域に供給され、洗浄液が供給される間に基板はスピンチャックによって回転される。基板に供給された洗浄液は回転する基板が有する遠心力によって基板の縁領域に飛散又は拡散される。

【0004】

基板に供給される洗浄液は基板の表面と摩擦しながら、静電気を発生させる。発生された静電気は基板を損傷させる。例えば、洗浄液が基板に供給されながら、発生された静電気は基板上に形成されたパターンを損傷させる。したがって、基板に発生された静電気を適切に除去することが要求されている。

【0005】

図１は一般的な基板処理装置１０００を示す図面である。図１を参照すれば、一般的な基板処理装置１０００は支持板１１００、回転軸１２００、支持ピン１３００、そしてチョクピン１４００を含む。支持板１１００は回転軸１２００と結合されて回転軸１２００と共に回転される。また、支持ピン１３００とチョクピン１４００は支持板１１００に提供され、支持ピン１３００とチョクピン１４００は各々基板Ｗの下面と側部を支持する。一般的な基板処理装置１０００では基板Ｗに発生された静電気を除去するために、基板Ｗを支持する支持ピン１３００とチョクピン１４００を接地させる。これによって、静電気は支持ピン１３００とチョクピン１４００を通じて基板Ｗから除去される。

【0006】

しかし、一般的な基板処理装置１０００で静電気を除去する方式では基板Ｗに発生された静電気が適切に除去されなくとも多い。さらに具体的に、静電気を除去するチョクピン１４００と支持ピン１３００は基板Ｗと点接触する。即ち、静電気が除去される経路はチョクピン１４００及び／又は支持ピン１３００と基板Ｗが点接触する地点に限定される。したがって、チョクピン１４００及び／又は支持ピン１３００と接接触する地点と比較的遠い領域に発生された静電気は適切に除去されないことがあり得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】韓国特許公開第１０－２０１７－０１３７８７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明の目的は基板に発生された静電気を効率的に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【0009】

また、本発明の目的は基板に発生された静電気が除去される除電経路をさらに広げることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【0010】

また、本発明の目的はは基板を高速に回転させても基板上に発生された静電気を適切に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

【0011】

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、基板を支持し、支持板を含む支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の下部に流体を供給する下部流体供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板を除電する除電ユニットと、制御器と、を含み、前記除電ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートを含み、前記制御器は、前記基板の下部に前記流体を供給して前記基板の下面と前記除電プレートとの間の空間に液膜を形成するように前記下部流体供給ユニットを制御することができる。

【0013】

一実施形態によれば、前記除電プレートは接地されることができる。

【0014】

一実施形態によれば、前記除電プレートと電気的に連結され、前記支持板に提供される除電ピンをさらに含むことができる。

【0015】

一実施形態によれば、前記除電ピンは接地されることができる。

【0016】

一実施形態によれば、前記除電ピンは前記支持板と電気的に連結され、前記支持板は接地されることができる。

【0017】

一実施形態によれば、前記除電プレートは前記除電ピンの上端に結合されることができる。

【0018】

一実施形態によれば、前記除電プレートは、上部から見る時、リング形状を有することができる。

【0019】

一実施形態によれば、前記除電プレートは、上部から見る時、一部が切断されて曲がったリング形状を有することができる。

【0020】

一実施形態によれば、前記除電プレートは前記支持ユニットに支持された基板の縁領域に配置されることができる。

【0021】

一実施形態によれば、前記支持ユニットは、前記支持板に提供され、基板の側部を支持するチョクピンを含み、前記除電プレートは、前記チョクピンの間に配置されることができる。

【0022】

一実施形態によれば、前記チョクピンは、上部から見る時、前記支持板に円周方向に沿って配置し、前記除電プレートは前記円周方向に沿って配置される前記チョクピンの間に配置されることができる。

【0023】

一実施形態によれば、前記除電プレートは導電性素材を含む材質で提供されることができる。

【0024】

また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、前記基板の下面と離隔されるように提供される除電プレートの間の空間に流体を供給して液膜を形成し、前記液膜が前記基板と前記除電プレートを電気的に連結して前記基板を除電することができる。

【0025】

一実施形態によれば、前記除電プレートは接地されることができる。

【0026】

一実施形態によれば、前記除電プレートが上部から見る時、前記基板の縁領域に配置されて前記基板の縁領域を除電することができる。

【発明の効果】

【0027】

本発明の一実施形態によれば、基板に発生された静電気を効率的に除去することができる。

【0028】

また、本発明の一実施形態によれば、基板に発生された静電気が除去される除電経路をさらに広げることができる。

【0029】

また、本発明の一実施形態によれば、基板を高速に回転させても基板上に発生された静電気を適切に除去することができる。

【0030】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】一般的な基板処理装置を示す図面である。

【図2】本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。

【図3】図２の基板処理装置を示す断面図である。

【図4】図３の支持ユニット、下部流体供給ユニット、回転駆動部材の一部を示す断面図である。

【図5】図４の下部流体供給ユニットを示す図面である。

【図6】図３の支持ユニット、そして本発明の一実施形態に係る除電ユニットの形状を示す斜視図である。

【図7】図６の支持ユニット、そして除電ユニットの一部を示す断面図である。

【図8】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が基板に発生された静電気を除去する形状を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0032】

下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。

【0033】

ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。

【0034】

単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。

【0035】

以下、図２乃至図８を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。

【0036】

図２は本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。図２を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０と工程処理モジュール２０を有する。インデックスモジュール１０はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２０は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２０が配列された方向を第１の方向１２とし、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面と垂直である方向を第３方向１６とする。

【0037】

ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が安着される。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板がＷを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。

【0038】

工程処理モジュール２０はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、そして工程チャンバー２６０を有する。移送チャンバー２４０はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバー２４０の両側には各々工程チャンバー２６０が配置される。移送チャンバー２４０の一側及び他側で工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー２４０の一側には複数の工程チャンバー２６０が提供される。工程チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には工程チャンバー２６０がＡＸＢの配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー２６０が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６０の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。

【0039】

バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と対向する面及び移送チャンバー２４０と対向する面が開放される。

【0040】

移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその横方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２０からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２０に基板Ｗを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。

【0041】

移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、そして工程チャンバー２６０の間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、本体２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。本体２４４ｂはベース２４４ａに結合される。本体２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは本体２４４ｂに結合され、これは本体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。

【0042】

工程チャンバー２６０には基板Ｗに対して液処理する工程を遂行する基板処理装置３００が提供される。基板処理装置３００は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の工程チャンバー２６０内の基板処理装置３００は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー２６０内に基板処理装置３００は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する工程チャンバー２６０内に提供された基板処理装置３００の構造は互いに異なりに提供されることができる。

【0043】

基板処理装置３００は基板Ｗを液処理する。本実施形態には基板の液処理工程を洗浄工程で説明する。このような液処理工程は洗浄工程に限定されなく、写真、アッシング、そして蝕刻等の多様に適用可能である。

【0044】

図３は図２の基板処理装置を示す断面図である。図３を参照すれば、基板処理装置３００は処理容器３２０、支持ユニット３４０、昇降ユニット３６０、上部流体供給ユニット３８０、下部流体供給ユニット３９０、除電ユニット４００、そして制御器５００を含むことができる。

【0045】

処理容器３２０は内部に基板が処理される処理空間を提供する。処理容器３２０は上部が開放された筒形状を有する。処理容器３２０は内部回収筒３２２及び外部回収筒３２６を有する。各々の回収筒３２２、３２６は工程に使用された処理液の中で互いに異なる処理液を回収する。内部回収筒３２２は基板支持ユニット３４０を囲む環状のリング形状に提供され、外部回収筒３２６は内部回収筒３２６を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒３２２の内側空間３２２ａ及び内部回収筒３２２は内部回収筒３２２に処理液が流入される第１流入口３２２ａとして機能する。内部回収筒３２２と外部回収筒３２６との間の空間３２６ａは外部回収筒３２６に処理液が流入される第２流入口３２６ａとして機能する。一例によれば、各々の流入口３２２ａ、３２６ａは互いに異なる高さに位置されることができる。各々の回収筒３２２、３２６の底面の下には回収ライン３２２ｂ、３２６ｂが連結される。各々の回収筒３２２、３２６に流入された処理液は回収ライン３２２ｂ、３２６ｂを通じて外部の処理液再生システム（図示せず）に提供されて再使用されることができる。

【0046】

支持ユニット３４０は処理空間で基板Ｗを支持する。支持ユニット３４０は工程進行の中で基板Ｗを支持及び回転させる。支持ユニット３４０は支持板３４２、支持ピン３４４、チョクピン３４６、そして回転駆動部材３５０を有する。支持板３４２は大体に円形の板形状に提供され、上面及び底面を有する。下部面は上部面に比べて小さい直径を有する。上面及び底面はその中心軸が互いに一致するように位置される。支持板３４２には支持ピン３４４、そしてチョクピン３４６が提供されることができる。支持ピン３４４、そしてチョクピン３４６は各々基板Ｗの側部と背面を支持することができる。したがって、支持板３４２は基板Ｗを支持することができる。

【0047】

支持ピン３４４は複数が提供される。支持ピン３４４は支持板３４２の上面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し、支持板３４２から上部に突出される。支持ピン３４４は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン３４４は支持板３４２の上部面から基板Ｗが一定距離離隔されるように基板Ｗの後面縁を支持する。また、支持ピン３４４はリフトピンとして提供されることができる。支持ピン３４４は上下方向に移動されることができる。支持ピン３４４は上下方向に移動して基板Ｗを上下方向に移動させることができる。

【0048】

チャックピン３４６は複数が提供される。チャックピン３４６は本体３４２の中心から支持ピン３４４より遠く離れるように配置される。チョクピン３４６は支持板３４２の上面から上に突出されるように提供される。チョクピン３４６は支持板３４２が回転される時、基板Ｗが正位置から側方向に離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。チョクピン３４６は支持板３４２の半径方向に沿って外側位置と内側位置との間に直線移動が可能するように提供される。外側位置は内側位置に比べて支持板３４２の中心から遠く離れた場所である。基板Ｗが支持板３４２にローディング又はアンローディングされる時、チョクピン３４６は外側位置に位置され、基板Ｗに対して工程遂行の時、チョクピン３４６は内側位置に位置される。内側位置はチョクピン３４６と基板Ｗの側部が互いに接触される位置であり、外側位置はチョクピン３４６と基板Ｗが互いに離隔される場所である。

【0049】

回転駆動部材３５０は支持板３４２を回転させる。支持板３４２は回転駆動部材３５０によってその中心軸を中心に回転可能である。回転駆動部材３５０は中空軸３５２及び駆動器３５４を含む。中空軸３５２は第３方向１６に向かう筒形状を有する。中空軸３５２の上端は支持板３４２の底面に固定結合される。駆動器３５４は支持軸３４８が回転されるように駆動力を提供する。駆動器３５４はモーターである。駆動器３５４は中心が上下方向に開放された中空モーターである。中空軸３５２は駆動器３５４によって回転され、支持板３４２は中空軸３５２と共に回転可能である。

【0050】

昇降ユニット３００は処理容器３２０を上下方向に直線移動させる。処理容器３２０が上下に移動されることによって、支持板３４２に対する処理容器３２０の相対高さが変更される。昇降ユニット３６０は基板Ｗが支持板３４２にローディングされるか、或いはアンローディングされる時、支持板３４２が処理容器３２０の上部に突出されるように処理容器３２０は下降される。また、工程が進行される時には基板Ｗに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒３２２、３２６に流入されるように処理容器３２０の高さが調節する。昇降ユニット３６０はブラケット３６２、移動軸３６４、そして駆動器３６６を有する。ブラケット３６２は処理容器３２０の外壁に固定設置され、ブラケット３６２には駆動器３６６によって上下方向に移動される移動軸３６４が固定結合される。選択的に、昇降ユニット３６０は支持板３４２を上下方向に移動させることができる。

【0051】

上部流体供給ユニット３８０は基板Ｗの上面に処理液を供給する。基板の上面はパターンが形成されたパターン面である。液供給ユニット３８０は複数に提供され、各々は互いに異なる種類の処理液を供給することができる。例えば、処理液はケミカル、リンス液、有機溶剤、そして洗浄液である。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、リン酸（Ｐ_２Ｏ_５）、フッ酸（ＨＦ）、そして水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）を含むことができる。リンス液は純水（Ｈ_２０）である。有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液である。洗浄液は脱イオン水である。洗浄液は純水である。上部流体供給ユニット３８０は移動部材３８１及びノズル３８９を含む。

【0052】

移動部材３８１はノズル３８９を工程位置及び待機位置に移動させる。ここで、工程位置はノズル３８９が基板支持ユニット３４０に支持された基板Ｗと対向される位置であり、待機位置はノズル３８９が工程位置をずれた位置として定義する。一例によれば、工程位置は前処理位置及び後処理位置を含む。前処理位置はノズル３８９が第１供給位置に処理液を供給する位置であり、後処理位置はノズル３８９が第２供給位置に処理液を供給する位置に提供される。第１供給位置は第２供給位置より基板Ｗの中心にさらに近い位置であり、第２供給位置は基板の端部を含む位置である。選択的に第２供給位置は基板の端部に隣接する領域である。

【0053】

移動部材３８１は支持軸３８６、アーム３８２、そして駆動部材３８８を含む。支持軸３８６は処理容器３２０の一側に位置される。支持軸３８６はその横方向が第３方向に向かうロード形状を有する。支持軸３８６は駆動部材３８８によって回転可能するように提供される。支持軸３８６は昇降移動が可能するように提供される。アーム３８２は支持軸３８６の上端に結合される。アーム３８２は支持軸３８６から垂直に延長される。アーム３８２の終端にはノズル３８９が固定結合される。支持軸３８６が回転されることによって、ノズル３８９はアーム３８２と共にスイング移動可能である。ノズル３９０はスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。選択的に、アーム３８２はその長さ方向に向かって前進及び後進移動が可能するように提供されることができる。上部から見る時、ノズル３８９が移動される経路は工程位置で基板Ｗの中心軸と一致されることができる。

【0054】

下部流体供給ユニット３９０は基板Ｗの下面を洗浄及び乾燥処理することができる。下部流体供給ユニット３９０は基板Ｗの下部に流体を供給することができる。流体は処理液である。処理液は洗浄液である。基板Ｗの下面はパターンが形成される面と反対になる非パターン面である。下部流体供給ユニット３９０は上部流体供給ユニット３８０と同時に液を供給することができる。これと異なりに、下部流体供給ユニット３９０は上部流体供給ユニット３８０と独立的に液を供給することができる。下部流体供給ユニット３９０は回転されないように固定されることができる。

【0055】

図４は図３の支持ユニット、下部流体供給ユニット、回転駆動部材の一部を示す断面図であり、図５は図４の下部流体供給ユニットを示す図面である。図４と図５を参照すれば、下部流体供給ユニット３９０はカバー３９２、固定シャフト３９４、液吐出管３９６、ガス吐出管３９８、そしてベアリング３９９を含むことができる。

【0056】

カバー３９２は固定シャフト３９４の上端に提供されることができる。カバー３９２には複数のホールが形成されることができる。カバー３９２に形成された複数のホールには後述する流体吐出管３９６、３９８が挿入されることができる。カバー３９２は流体吐出管３９６、３９８の位置が変更されることを防止することができる。カバー３９２は固定シャフト３９４に脱着可能に提供されることができる。

【0057】

固定シャフト３９４は内部空間を有することができる。固定シャフト３９４は中空軸３５２内に提供されることができる。固定シャフト３９４は中空軸３５２と互いに離隔されるように位置されることができる。固定シャフト３９４は中空軸３５２の内面から一定距離離隔されるように位置されることができる。また、固定シャフト３９４は支持板３４２に形成された開口に挿入されることができる。固定シャフト３９４は上部から見る時、支持板３４２の中央領域に形成された開口に挿入されることができる。固定シャフト３９４が有する内部空間には流体吐出管３９６、３９８が提供されることができる。

【0058】

流体吐出管３９６、３９８は基板Ｗの下面に流体を供給することができる。流体吐出管３９６、３９８は支持板３４２に支持された基板Ｗの下面に流体を供給することができる。流体吐出管３９６、３９８は液吐出管３９６、そしてガス吐出管３９８を含むことができる。液吐出管３９６とガス吐出管３９８は固定シャフト３９４の内部空間に提供されることができる。

【0059】

液吐出管３９６は基板Ｗの下面に処理液を吐出する。液吐出管３９６から吐出された処理液は基板Ｗの下面を洗浄処理する。液吐出管３９６は上に向かう液吐出端を有する。例えば、液吐出端は垂直上に向かうように提供されることができる。液吐出管３９６は複数に提供され、各々は互いに異なる種類の液を吐出することができる。液吐出管３９６はカバー３９２に固定されることができる。液吐出管３９６はカバー３９２の中心から離隔されるように位置される。液吐出管３９６はカバー３９２の中心を囲むように配列される。液吐出管３９６から吐出される処理液はケミカル、リンス液及び／又は洗浄液を含むことができる。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、リン酸（Ｐ_２Ｏ_５）、フッ酸（ＨＦ）、そして水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）を含むことができる。リンス液、洗浄液は純水（Ｈ_２０）である。選択的に液吐出端は上に行くほど、基板Ｗの中心から遠くなるように上向傾いた方向に向かうように提供されることができる。

【0060】

ガス吐出管３９８は乾燥ガスを吐出する。ガス吐出管３９８はカバー３９２に固定されることができる。ガス吐出管３９８はカバー３９２の中心軸上に位置される。ガス吐出管３９８はガス吐出端を含む。ガス吐出端は垂直上に向かうように提供されることができる。ガス吐出管３９８から吐出されるガスは基板Ｗの下面に供給される。ガス吐出管３９８から吐出されたガスは基板Ｗの下面を乾燥処理する。例えば、乾燥ガスは非活性ガス又はエアである。非活性ガスは窒素ガス（Ｎ_２）である。

【0061】

ベアリング３９９は支持板３４２と固定シャフト３９４との間に提供されることができる。ベアリング３９９は支持板３４２が回転する時、固定シャフト３９４と支持板３４２が互いに摩擦されることを防止することができる。

【0062】

図６は図３の支持ユニット、そして本発明の一実施形態に係る除電ユニットの形状を示す斜視図であり、図７は図６の支持ユニット、そして除電ユニットの一部を示す断面図である。

【0063】

図６と図７を参照すれば、除電ユニット４００は支持ユニット３４０に支持された基板Ｗを除電することができる。除電ユニット４００は支持ユニット３４０に支持された基板Ｗに発生された静電気が除去される経路を提供することができる。除電ユニット４００は支持ユニット３４０に提供されることができる。除電ユニット４００は支持ユニット３４０が含む支持板３４２に提供されることができる。除電ユニット４００は除電プレート４１０、そして除電ピン４３０を含むことができる。

【0064】

除電プレート４１０は支持ユニット３４０に支持された基板Ｗの下面と離隔されるように提供されることができる。除電プレート４１０は上部から見る時、リング形状を有することができる。除電プレート４１０は上部から見る時、リング形状を有するプレートである。除電プレート４１０は上部から見る時、円周の一部が切断されて曲がったリング形状を有することができる。除電プレート４１０は導電性素材を含む材質で提供されることができる。除電プレート４１０は複数に提供されることができる。除電プレート４１０の中で一部は第１長さに提供され、除電プレート４１０の中で他の一部は第２長さに提供されることができる。第１長さと第２長さは互いに異なる長さである。第２長さは第１長さより小さい長さである。

【0065】

除電ピン４３０は除電プレート４１０と電気的に連結されることができる。除電ピン４３０は接地されることができる。例えば、除電ピン４３０は支持板３４２と電気的に連結され、支持板３４２は接地されることができる。さらに具体的には支持板３４２は回転駆動部材３５０と電気的に連結され、回転駆動部材３５０は接地されることができる。即ち、回転駆動部材３５０が接地されてこれと電気的に連結される支持板３４２、除電ピン４３０、そして除電プレート４１０は接地されることができる。

【0066】

除電ピン４３０には除電プレート４１０が結合されることができる。除電プレート４１０は除電ピン４３０の上端に結合されることができる。ここで、除電プレート４１０が除電ピン４３０と結合されることは除電プレート４１０と除電ピン４３０が各々の構成で提供されて物理的に結合されること及び／又は除電プレート４１０と除電ピン４３０が一体の構成で提供されることを含むことと理解されなければならない。

【0067】

除電ピン４３０は複数に提供されることができる。複数に提供される除電ピン４３０の各々には除電プレート４１０が結合されることができる。除電ピン４３０の中で一部は第１長さを有する除電プレート４１０が結合され、除電ピン４３０の中で他の一部は第２長さを有する除電プレート４１０が結合されることができる。また、除電プレート４１０はその中心に除電ピン４３０が結合されることができ、これと異なりに除電プレート４１０の一端に除電ピン４３０が結合されてもよい。

【0068】

上述した説明では１つの除電ピン４３０に１つの除電プレート４１０が結合されることと説明したが、これに限定されることではない。例えば、１つの除電プレート４１０に複数の除電ピン４３０が結合されてもよい。

【0069】

除電ユニット４００は複数に提供されることができる。複数に提供される除電ユニット４００は上部から見る時、支持板３４２の縁領域に配置されることができる。即ち、除電プレート４１０、そして除電ピン４３０は上部から見る時、支持板３４２の縁領域に配置されることができる。したがって、除電ユニット４００は支持ユニット３４０に支持された基板Ｗの縁領域下部に配置されることができる。

【0070】

支持板３４２には複数のチョクピン３４６が提供されることができる。複数のチョクピン３４６は上部から見る時、支持板３４２に円周方向に沿って配置されることができる。除電プレート４１０と除電ピン４３０はこのようなチョクピン３４６の間に配置されることができる。除電ピン４３０はチョクピン３４６が配置される円周上に配置されることができる。また、除電プレート４１０はチョクピン３４６が配置される円周と同一な曲率を有する切断されて曲がったリング形状に提供されることができる。また、除電プレート４１０はチョクピン３４６が配置される円周と重畳される形状を有し、配置されることができる。

【0071】

再び図３を参照すれば、制御器５００は基板処理設備１を制御することができる。また、制御器５００は基板処理装置３００を制御することができる。制御器５００は回転駆動部材３５０を制御することができる。制御器５００は駆動器３５４を制御することができる。また、制御器５００は上部供給ユニット３８０と下部供給ユニット３９０を制御することができる。また、制御器５００は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置３００を制御することができる。例えば、制御器５００は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように下部供給ユニット３９０を制御することができる。

【0072】

以下では本発明の一実施形態による基板処理方法に対して詳細に説明する。図８は本発明の一実施形態に係る基板処理装置が基板に発生された静電気を除去する形状を示す図面である。図８を参照すれば、下部流体供給ユニット３９０は基板Ｗの下面に流体Ｌを供給することができる。下部流体供給ユニット３９０は基板Ｗの下面に処理液である流体Ｌを供給することができる。下部流体供給ユニット３９０が供給する流体Ｌは液相を有する流体Ｌである。下部流体供給ユニット３９０は回転する基板Ｗの下面に流体Ｌを供給することができる。下部流体供給ユニット３９０は回転する基板Ｗの下面中心領域に流体Ｌを供給することができる。

【0073】

基板Ｗの下面中心領域に供給された流体Ｌは回転する基板Ｗの遠心力によって縁領域に拡散又は飛散されることができる。したがって、基板Ｗの下面に供給された流体Ｌは除電プレート４１０と基板Ｗの下面との間の空間で液膜を形成することができる。形成された液膜は基板Ｗに発生された静電気が提供される経路を提供することができる。即ち、基板Ｗに発生された静電気は基板Ｗと液膜に沿って除電プレート４１０に伝達され、除電プレート４１０に伝達された静電気は接地された除電ピン４３０を通じて除去されることができる。

【0074】

一般的な基板処理装置では基板Ｗに発生された静電気を除去するために接地されたピンを利用した。この場合、基板Ｗに発生された静電気は基板Ｗと点接触するピンを通じて除去される。しかし、基板Ｗと点接触するピンを通じて静電気を除去する場合、静電気が移動する経路が点接触された地点に限定されて静電気除去効率が低下される。本発明の一実施形態によれば、除電プレート４１０が基板Ｗの下面と離隔され、離隔された間の空間に流体Ｌが液膜を形成する。したがって、静電気が除去される経路をさらに広げることができ、静電気除去効率を高めることがきる。

【0075】

また、静電気が除去される経路を広げるために、基板Ｗの下面と直接的に接触する接地プレートを配置することを考慮してもよい。しかし、この場合、基板Ｗの下面が接地プレートと接触されながら、損傷される恐れがある。したがって、本発明の一実施形態によれば、静電気の除去は流体Ｌが形成する液膜を媒介で行われる。これによって、基板Ｗの下面にスクラッチが発生する等、基板Ｗが破損されるリスクをさらに最小化することができる。

【0076】

また、除電プレート４１０が支持板３４２の縁領域に配置されながら、支持板３４２を高速に回転させても、基板Ｗの下面と除電プレート４１０との間に液膜を維持することができる。したがって、静電気除去において、支持板３４２の回転速度が制限されることを最小化することができる。

【0077】

また、基板Ｗの下面に流体Ｌが供給される途中に、流体Ｌが基板Ｗと衝突して静電気を発生させることができる。静電気が発生された後に、基板Ｗを除電する場合、静電気発生時点と静電気除電の時点との間に基板Ｗが損傷されることができる。しかし、本発明の一実施形態によれば、基板Ｗの下面に流体Ｌが供給される途中に静電気が発生しても、発生された静電気は直ちに除電プレート４１０を通じて除去される。したがって、基板Ｗが破損されることをさらに最小化することができる。

【0078】

以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。

【符号の説明】

【0079】

３００ 基板処理装置
２００ 処理容器
３４０ 支持ユニット
３６０ 昇降ユニット
３８０ 上部流体供給ユニット
３９０ 下部流体供給ユニット
３９２ カバー
３９４ 固定シャフト
３９６ 液吐出管
３９８ ガス吐出管
３９９ ベアリング
４００ 除電ユニット
４１０ 除電プレート
４３０ 除電ピン
５００ 制御器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】