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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-11-27
(45)【発行日】2023-12-05
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
   G06F 3/042 20060101AFI20231128BHJP
   G06F 3/041 20060101ALI20231128BHJP
【FI】
G06F3/042 471
G06F3/041 400
【請求項の数】 3
(21)【出願番号】P 2020535330
(86)(22)【出願日】2019-07-30
(86)【国際出願番号】 IB2019056463
(87)【国際公開番号】W WO2020031018
(87)【国際公開日】2020-02-13
【審査請求日】2022-07-25
(31)【優先権主張番号】P 2018150221
(32)【優先日】2018-08-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
(72)【発明者】
【氏名】楠 紘慈
(72)【発明者】
【氏名】石谷 哲二
【審査官】岩橋 龍太郎
(56)【参考文献】
【文献】特開2011-070658(JP,A)
【文献】国際公開第2009/125644(WO,A1)
【文献】特開2008-257495(JP,A)
【文献】特開2012-230519(JP,A)
【文献】特開2007-334827(JP,A)
【文献】特開2011-166123(JP,A)
【文献】特開2017-068775(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2010/0277439(US,A1)
【文献】米国特許出願公開第2013/0257815(US,A1)
【文献】特開平02-035415(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G06F 3/041-3/047
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
透光性を有する表示領域と、前記表示領域に重ねて配置された検知領域と、を備え、
前記表示領域は、表示面の裏面側に配置される対象物に重ねて画像を表示する機能を有する表示装置であって、
前記表示領域は、複数の画素を有し、
前記画素の一は、第1の基板上に位置する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタと電気的に接続され、且つ前記第1のトランジスタの上方に位置する領域を有する液晶素子と、を有し、
前記検知領域は、第2の基板上に位置する第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタと電気的に接続され、且つ前記第2のトランジスタの上方に位置する領域を有する光電変換素子と、を有し、
前記光電変換素子は、前記画素の下方に配置され、且つ前記画素を透過して入射する光を検知する機能を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、前記光電変換素子と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項2】
透光性を有する表示領域と、前記表示領域に重ねて配置され、且つ透光性を有する検知領域と、を備え、
前記表示領域は、表示面の裏面側に配置される対象物に重ねて画像を表示する機能を有し、
前記検知領域は、前記対象物を観察するための機能を有する表示装置であって、
前記表示領域は、複数の画素を有し、
前記画素の一は、第1の基板上に位置する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタと電気的に接続され、且つ前記第1のトランジスタの上方に位置する領域を有する液晶素子と、を有し、
前記検知領域は、第2の基板上に位置する第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタと電気的に接続され、且つ前記第2のトランジスタの上方に位置する領域を有する光電変換素子と、を有し、
前記光電変換素子は、前記画素の下方に配置され、且つ前記画素を透過して入射する光を検知する機能を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、前記光電変換素子と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項3】
請求項1又は2において、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層の下方に位置する領域を有し且つ前記第1のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第1の導電層と、を有し、
前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域を有する第2の半導体層と、前記第2の半導体層の下方に位置する領域を有し且つ前記第2のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第2の導電層と、を有し、
前記第1のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第1の導電層は、前記第1の半導体層と重ならない領域を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第2の半導体層は、前記第2の導電層と重ならない領域を有する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、入出力装置、情報処理装置または半導体装置に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
光透過性を有する第1基板と、第1基板と対向し光透過性を有する第2基板と、第1基板と第2基板との間に配置された光変調層と、画像を表示する表示領域と法線方向で対向する位置の外側から光変調層を照明する光源ユニットと、第1基板に配置され、それぞれレッド、グリーン、またはブルーの互いに異なる色の第1乃至第3カラーフィルタと、第1乃至第3カラーフィルタにそれぞれ対向する第1乃至第3電極と、を備え、光変調層は、第1乃至第3電極のそれぞれによって生じる電場に応じて、第1乃至第3カラーフィルタのそれぞれに対向する領域の光散乱性を変調可能である、表示装置が知られている(特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許出願公開第2018/0024403号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【0006】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0007】
(1)本発明の一態様は、表示部と、入力部と、を有する入出力装置である。
【0008】
表示部は表示領域を備え、表示領域は画素を備え、画素は画素回路および液晶素子を備える。
【0009】
液晶素子は第1の電極、第2の電極、液晶材料を含む層、第1の配向膜および第2の配向膜を備える。第1の配向膜は第1の電極および液晶材料を含む層の間に挟まれる領域を備え、第2の配向膜は第2の電極および液晶材料を含む層の間に挟まれる領域を備える。第2の電極は、第1の電極との間に、液晶材料を含む層に対して、電界が印加されるように配置される。
【0010】
液晶材料を含む層は、電界が第1の状態において、入射光を第1の散乱強度で散乱し、液晶材料を含む層は、電界が第1の状態より大きい第2の状態において、入射光を第2の散乱強度で散乱する。なお、第2の散乱強度は、第1の散乱強度の10倍以上である。
【0011】
液晶材料を含む層は、液晶材料および高分子材料を含み、液晶材料を含む層は、高分子材料で安定化され、高分子材料は、多官能モノマーおよび単官能モノマーの共重合体である。
【0012】
入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は画素と重なる領域を備え、検知領域は検知器を備える。
【0013】
これにより、画像が表示された表示領域に近接する、指などを検知することができる。または、指などを画像が表示された表示領域に近づけて情報を入力することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0014】
(2)また、本発明の一態様は、上記の検知器が、光電変換素子を備え、光電変換素子は、画素を透過して入射する光を検知する、上記の入出力装置である。
【0015】
これにより、検知領域に近接する指、指紋、手のひらまたは掌紋などを撮影することができる。または、使用者の姿、指または顔などを撮影することができる。または、表示領域に画像を表示しながら、撮影することができる。または、表示領域に画像を表示しながら、使用者を認証することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0016】
(3)また、本発明の一態様は、上記の画素回路が、液晶素子と電気的に接続される上記の入出力装置である。
【0017】
画素回路は、第1のスイッチ、第2のスイッチ、第1の容量素子、第2の容量素子、ノードおよび導電膜を備える。
【0018】
第1のスイッチは第1の信号を供給される第1の端子を備え、第1のスイッチはノードと電気的に接続される第2の端子を備える。
【0019】
第1の容量素子はノードに電気的に接続される第1の電極を備え、第1の容量素子は導電膜と電気的に接続される第2の電極を備える。
【0020】
第2のスイッチは第2の信号を供給される第1の端子を備え、第2のスイッチは第2の容量素子の第1の電極と電気的に接続される第2の端子を備える。
【0021】
第2の容量素子はノードと電気的に接続される第2の電極を備える。
【0022】
これにより、液晶素子に高い電圧を供給することができる。または、液晶材料を含む層に大きな電界を印加することができる。または、高分子安定化された液晶材料の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0023】
(4)また、本発明の一態様は、上記の表示領域が一群の画素、他の一群の画素、第1の走査線、第1の信号線を備える、上記の入出力装置である。
【0024】
一群の画素は、行方向に配設され、一群の画素は、画素を含む。
【0025】
他の一群の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、他の一群の画素は、画素を含む。
【0026】
第1の走査線は、一群の画素と電気的に接続され、第2の走査線は、一群の画素と電気的に接続される。
【0027】
第1の信号線は、他の一群の画素と電気的に接続され、第2の信号線は、他の一群の画素と電気的に接続される。
【0028】
これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0029】
(5)また、本発明の一態様は、上記表示部が、表示パネルおよび制御部を備える入出力装置である。
【0030】
制御部は画像情報および制御情報を供給され、制御部は画像情報に基づいて情報を生成し、制御部は制御情報に基づいて制御信号を生成し、制御部は情報および制御信号を供給する。
【0031】
表示パネルは表示領域および駆動回路を備え、表示パネルは情報および制御信号を供給される。
【0032】
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。また、画素は情報に基づいて表示する。
【0033】
これにより、液晶素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0034】
(6)また、本発明の一態様は、上記のいずれか一に記載の入出力装置と、演算装置と、を有する情報処理装置である。
【0035】
入出力装置は検知情報および入力情報を供給し、入出力装置は検知部を備える。なお、検知部は検知情報を生成し、入力部は入力情報を生成する。
【0036】
演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成する。また、演算装置は制御情報および画像情報を供給する。
【0037】
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【0038】
(7)また、本発明の一態様は、上記の演算装置が人工知能部を備える情報処理装置である。
【0039】
人工知能部は入力情報または検知情報を供給され、人工知能部は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を推論する。
【0040】
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報を生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【0041】
(8)また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の入出力装置と、を含む、情報処理装置である。
【0042】
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【0043】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【0044】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【0045】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【0046】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【0047】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【0048】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【0049】
また、本明細書中において、トランジスタの第1の電極または第2の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【0050】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。
【0051】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0052】
図1A乃至図1Cは、実施の形態に係る入出力装置を説明する図である。
図2Aおよび図2Bは、実施の形態に係る入出力装置の表示パネルの構成を説明する図である。
図3Aおよび図3Bは、実施の形態に係る入出力装置の表示パネルの構成を説明する断面図である。
図4は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。
図5Aおよび図5Bは、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図である。
図6は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。
図7Aおよび図7Bは、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図である。
図8は、実施の形態に係る入出力装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。
図9Aおよび図9Bは、実施の形態に係る入出力装置の表示パネルの構成を説明する断面図である。
図10Aおよび図10B1乃至図10B3は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する図である。
図11A乃至図11Cは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図である。
図12Aおよび図12Bは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。
図13A乃至図13Cは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図14A乃至図14Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図15A乃至図15Eは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図16Aおよび図16Bは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0053】
本発明の一態様の入出力装置は、表示部と、入力部と、を有する。表示部は表示領域を備え、表示領域は画素を備え、画素は画素回路および液晶素子を備える。液晶素子は第1の電極、第2の電極、液晶材料を含む層、第1の配向膜および第2の配向膜を備え、第1の配向膜は第1の電極および液晶材料を含む層の間に挟まれる領域を備え、第2の配向膜は第2の電極および液晶材料を含む層の間に挟まれる領域を備える。第2の電極は第1の電極との間に液晶材料を含む層に対して、電界が印加されるように配置される。液晶材料を含む層は電界が第1の状態において、入射光を第1の散乱強度で散乱し、液晶材料を含む層は電界が第1の状態より大きい第2の状態において入射光を第2の散乱強度で散乱し、第2の散乱強度は第1の散乱強度の10倍以上である。液晶材料を含む層は液晶材料および高分子材料を含み、液晶材料を含む層は高分子材料で安定化され、高分子材料は多官能モノマーおよび単官能モノマーの共重合体である。入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は画素と重なる領域を備え、検知領域は検知器を備える。
【0054】
これにより、画像が表示された表示領域に近接する、指などを検知することができる。または、指などを画像が表示された表示領域に近づけて情報を入力することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0055】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【0056】
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図1乃至図7を参照しながら説明する。
【0057】
図1は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図1Aは本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する側面図であり、図1B図1Aの一部を説明する上面図であり、図1C図1Aの他の一部を説明する上面図である。
【0058】
図2は本発明の一態様の入出力装置の表示パネルの構成を説明する図である。図2A図1Bの切断線X1-X2、X3-X4、X9-X10および画素における断面図であり、図2Bは画素回路530(i,j)の構成を説明する回路図である。
【0059】
図3は本発明の一態様の入出力装置の表示パネルの構成を説明する図である。図3A図2Aの画素702(i,j)の断面図であり、図3B図3Aの一部を説明する断面図である。
【0060】
図4は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【0061】
図5は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する図である。図5A図1Cの切断線Y1-Y2、Y3-Y4、Y9-Y10および画素における断面図であり、図5Bは検知回路430(g,h)の構成を説明する回路図である。
【0062】
図6は、本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
【0063】
図7は本発明の一態様の入出力装置の入力部の構成を説明する図である。図7A図1Cの検知器802(g,h)の断面図であり、図7B図7Aの一部を説明する断面図である。
【0064】
なお、本明細書において、1以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、1以上の整数の値をとる変数pを含む(p)を、最大p個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、1以上の整数の値をとる変数mおよび変数nを含む(m,n)を、最大m×n個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
【0065】
<入出力装置の構成例1>
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示部230と、入力部240と、を有する(図1A参照)。
【0066】
《表示部230の構成例1》
表示部230は表示領域231を備え、表示領域231は画素702(i,j)を備える(図1Aおよび図1B参照)。
【0067】
《画素702(i,j)》
画素702(i,j)は、画素回路530(i,j)および液晶素子750(i,j)を備える(図2A参照)。
【0068】
《液晶素子750(i,j)》
液晶素子750(i,j)は、電極751(i,j)、電極752、液晶材料を含む層753、配向膜AF1および配向膜AF2を備える(図3A参照)。
【0069】
《配向膜AF1および配向膜AF2の構成例》
配向膜AF1は、電極751(i,j)および液晶材料を含む層753の間に挟まれる領域を備える。また、配向膜AF2は、電極752および液晶材料を含む層753の間に挟まれる領域を備える。
【0070】
およそ水平方向に液晶を配向する配向膜を配向膜AF1および配向膜AF2に用いることができる。例えば、2°から5°程度の角度を、プレチルト角にすることができる。
【0071】
なお、配向膜AF2は、配向膜AF1に対してアンチパラレルになるようにラビング処理される。また、配向膜AF1または配向膜AF2の厚さを、例えば、70nmにすることができる。
【0072】
《電極751(i,j)および電極752の構成例》
電極752は、電極751(i,j)との間に、液晶材料を含む層753に対して、電界が印加されるように配置される。言い換えると、液晶材料を含む層753を横切る電界を形成するように配置される。
【0073】
《液晶材料を含む層753の構成例》
液晶材料を含む層753は、電界が第1の状態において、入射光Iを第1の散乱強度で散乱する。また、液晶材料を含む層753は、電界が第1の状態より大きい第2の状態において、入射光Iを第2の散乱強度で散乱する。なお、第2の散乱強度は、第1の散乱強度の10倍以上である。
【0074】
液晶材料を含む層753は、液晶材料および高分子材料を含み、液晶材料を含む層753は、高分子材料で安定化され、高分子材料は、多官能モノマーおよび単官能モノマーの共重合体である。
【0075】
《液晶材料の構成例》
例えば、メルク社製液晶材料MDA-00-3506を、液晶材料を含む層753に用いることができる。
【0076】
《多官能モノマーの構成例》
多官能モノマーは、安息香酸フェニル骨格を備える。例えば、安息香酸フェニル骨格を有するジアクリレートを多官能モノマーに用いることができる。
【0077】
《単官能モノマーの構成例》
単官能モノマーは、シクロヘキシルベンゼン骨格を備える。例えば、シクロヘキシル骨格を有するアクリレートを単官能モノマーに用いることができる。
【0078】
《入力部240の構成例1》
入力部240は検知領域241を備え、入力部240は検知領域241に近接するものを検知する(図1Aおよび図1C参照)。なお、入力部240は、機能パネル800を備える。
【0079】
《検知領域241》
検知領域241は、画素702(i,j)と重なる領域を備え、検知領域241は検知器802(g,h)を備える(図1C参照)。
【0080】
《光源SL》
LEDなどを光源SLに用いることができる。例えば、青色のLED、緑色のLEDおよび赤色のLEDを光源SLに用いることができる。具体的には、青色のLED、緑色のLEDおよび赤色のLEDを同時に点灯して白色の光を照射する光源を光源SLに用いることができる。または、青色のLED、緑色のLEDおよび赤色のLEDのそれぞれを順番に点灯して白色の光を照射する光源を光源SLに用いることができる。
【0081】
なお、画像情報VIの青色の成分を表示する際に、青色のLEDを点灯し、画像情報VIの緑色の成分を表示する際に、緑色のLEDを点灯し、画像情報VIの赤色の成分を表示する際に、赤色のLEDを点灯する光源を、光源SLに用いることができる。言い換えると、フィールド・シーケンシャル方式を用いて画像情報VIを表示することができる。
【0082】
これにより、入射光を透過する状態と、入射光を散乱する状態のコントラストを大きくすることができる。または、光の散乱または透過を制御して、画像を表示することができる。または、例えば、光源SLが射出する光を透過または散乱して、画像を表示することができる。または、使用者は、液晶素子750(i,j)を透過して、表示領域231の向こう側にある対象物を観察することができる。または、表示領域231の向こう側にある対象物に重ねて画像を表示することができる。
【0083】
または、画像が表示された表示領域231に近接する、指などを検知することができる。または、指などを画像が表示された表示領域231に近づけて情報を入力することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0084】
《検知領域241の構成例》
検知領域241は、例えば、単数または複数の検知器802を備える(図4参照)。
【0085】
検知領域241は、一群の検知器802(g,1)乃至検知器802(g,q)と、他の一群の検知器802(1,h)乃至検知器802(p,h)と、を有する。なお、gは1以上p以下の整数であり、hは1以上q以下の整数であり、pおよびqは1以上の整数である。
【0086】
一群の検知器802(g,1)乃至検知器802(g,q)は、検知器802(g,h)を含み、行方向(図中に矢印R2で示す方向)に配設される。なお、矢印R2で示す方向は、矢印R1で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
【0087】
また、他の一群の検知器802(1,h)乃至検知器802(p,h)は、検知器802(g,h)を含み、行方向と交差する列方向(図中に矢印C2で示す方向)に配設される。
【0088】
ところで、透光性を備える検知器802(g,h)を検知領域241に用いることができる。これにより、検知領域241は透光性を備えることができる。または、検知領域241の向こう側にある対象物を観察することができる。
【0089】
また、表示パネルの端部から光を照射するエッジライトを光源SLに用いて、表示領域231に透光性を備える検知領域241を重ねることができる。これにより、使用者は、液晶素子750(i,j)を透過して、表示領域231の向こう側にある対象物を観察することができる。または、検知器802(g,h)および液晶素子750(i,j)を透過して、検知領域241および表示領域231の向こう側にある対象物を観察することができる。または、例えば、検知領域241および表示領域231の向こう側にあるプリント基板の外観を観察することができる。または、例えば、検知領域241および表示領域231の向こう側にある電池、二次電池またはリチウムイオン二次電池の外観を観察することができる。
【0090】
《検知器802(g,h)の構成例1》
検知器802(g,h)は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
【0091】
具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知器802(g,h)に用いることができる。
【0092】
また、複数の方式の検知器を併用することもできる。例えば、指を検知する検知器と、スタイラスペンを検知する検知器とを、併用することができる。
【0093】
これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
【0094】
具体的には、静電容量方式、感圧方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
【0095】
《入力部240の構成例2》
入力部240は発振回路OSCおよび検知回路DCを備える(図4参照)。
【0096】
発振回路OSCは探索信号を検知器802(g,h)に供給する。例えば、矩形波、のこぎり波、三角波、サイン波等を、探索信号に用いることができる。
【0097】
検知器802(g,h)は、検知器802(g,h)に近接するポインタまでの距離および探索信号に基づいて変化する検知信号を生成し供給する。
【0098】
検知回路DCは検知信号に基づいて入力情報を供給する。
【0099】
これにより、近接するポインタから検知領域241までの距離を検知することができる。または、検知領域241内においてポインタが最も近接する位置を検知することができる。
【0100】
《検知器802(g,h)の構成例2》
検知器802(g,h)は、光電変換素子PD(g,h)を備える(図5A参照)。光電変換素子PD(g,h)は、検知器802(g,h)および導電膜VCOMと電気的に接続される。また、検知器802(g,h)は検知回路430(g,h)を備える。なお、検知回路430(g,h)は、スイッチSW1、スイッチSW2、スイッチSW3、トランジスタMおよびノードFD1(g,h)を備える。スイッチSW1は、光電変換素子PD(g,h)と電気的に接続される第1の端子と、ノードFD1(g,h)と電気的に接続される第2の端子と、配線TX(g)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。スイッチSW3は、ノードFD1(g,h)と電気的に接続される第1の端子と、導電膜VRと電気的に接続される第2の端子と、配線RS(g)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。トランジスタMは、ノードFD1(g,h)と電気的に接続されるゲート電極と、導電膜VPIと電気的に接続される第1の電極と、を備える。スイッチSW2は、トランジスタMの第2の電極と電気的に接続される第1の端子と、導電膜WX(h)と電気的に接続される第2の端子と、配線SE(g)の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。
【0101】
光電変換素子PD(g,h)は、画素702(i,j)を透過して入射する光を検知する。なお、レンズ470を光電変換素子PD(g,h)に用いることができる。これにより、光電変換素子PD(g,h)に入射する光の量を多くすることができる。
【0102】
これにより、検知領域241に近接する指、指紋、手のひらまたは掌紋などを撮影することができる。または、使用者の姿、指または顔などを撮影することができる。または、表示領域231に画像を表示しながら、撮影することができる。または、表示領域231に画像を表示しながら、使用者を認証することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0103】
《光電変換素子PD(g,h)》
光電変換素子PD(g,h)は、電極451(g,h)、電極452および半導体膜453を備える(図7A参照)。
【0104】
半導体膜453は、p型の半導体膜およびn型の半導体膜を含む。
【0105】
例えば、p型の半導体膜とn型の半導体膜が互いに接するように積層した積層膜を半導体膜453に用いることができる。なお、半導体膜453にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子PD(g,h)を、PN型のフォトダイオードということができる。
【0106】
また、例えば、p型の半導体膜およびn型の半導体膜の間にi型の半導体膜を挟むように、p型の半導体膜、i型の半導体膜およびn型の半導体膜を積層した積層膜を半導体膜453に用いることができる。なお、半導体膜453にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子PD(g,h)を、PIN型のフォトダイオードということができる。
【0107】
また、例えば、p型の半導体膜およびn型の半導体膜の間にp型の半導体膜を挟み、当該p型の半導体膜および当該n型の半導体膜の間にp型の半導体膜を挟むように、p型の半導体膜、p型の半導体膜、p型の半導体膜およびn型の半導体膜を積層した積層膜を半導体膜453に用いることができる。なお、半導体膜453にこのような構造の積層膜を用いる光電変換素子PD(g,h)を、アバランシェフォトダイオードということができる。
【0108】
例えば、フラーレン(例えばC60、C70等)またはその誘導体等の電子受容性の有機半導体材料をn型の半導体膜に用いることができる。
【0109】
また、例えば、銅(II)フタロシアニン(Copper(II) phthalocyanine;CuPc)またはテトラフェニルジベンゾペリフランテン(Tetraphenyldibenzoperiflanthene;DBP)等の電子供与性の有機半導体材料をp型の半導体膜に用いることができる。
【0110】
また、例えば、電子受容性の半導体材料と電子供与性の半導体材料とを共蒸着した膜をi型の半導体膜に用いることができる。
【0111】
《入力部240の構成例3》
入力部240は、機能層420を備える(図5A参照)。
【0112】
《機能層420の構成例》
機能層420は、検知回路430(g,h)および開口部491Aを備える。なお、検知回路430(g,h)は開口部491Aにおいて、光電変換素子PD(g,h)と電気的に接続される。
【0113】
《検知回路430(g,h)の構成例》
検知回路430(g,h)は、配線TX(g)、配線SE(g)、配線RS(g)、導電膜WX(h)、導電膜VPIおよび導電膜VRと電気的に接続される(図5B参照)。
【0114】
例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を検知回路430(g,h)に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。
【0115】
例えば、複数のトランジスタを検知回路に用いる場合、一のトランジスタの半導体膜を形成する工程において、他のトランジスタの半導体膜を形成することができる。
【0116】
《トランジスタの構成例》
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、検知回路430(g,h)に用いることができる。
【0117】
トランジスタは、半導体膜408、導電膜404、導電膜412Aおよび導電膜412Bを備える(図7B参照)。
【0118】
半導体膜408は、導電膜412Aと電気的に接続される領域408A、導電膜412Bと電気的に接続される領域408Bを備える。半導体膜408は、領域408Aおよび領域408Bの間に領域408Cを備える。
【0119】
導電膜404は領域408Cと重なる領域を備え、導電膜404はゲート電極の機能を備える。
【0120】
絶縁膜406は、半導体膜408および導電膜404の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜406はゲート絶縁膜の機能を備える。
【0121】
導電膜412Aはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜412Bはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【0122】
また、導電膜424をトランジスタに用いることができる。導電膜424は、導電膜404との間に半導体膜408を挟む領域を備える。導電膜424は、第2のゲート電極の機能を備える。導電膜424を、例えば、導電膜404と電気的に接続することができる。
【0123】
《入力部240の構成例4》
入力部240は、選択線駆動回路GDおよび読み出し回路RDを有する(図6参照)。選択線駆動回路GDは、駆動回路RSD、駆動回路TXDおよび駆動回路SEDを備える。
【0124】
《選択線駆動回路GDの構成例》
選択線駆動回路GDは、第1の選択信号、第2の選択信号および第3の選択信号を供給する機能を備える。
【0125】
《読み出し回路RDの構成例》
読み出し回路RDは第1の画像信号を供給され、読み出し回路RDは画像情報を供給する。
【0126】
《表示部230の構成例2》
表示部230は、機能層520を備える(図2A参照)。
【0127】
《機能層520の構成例1》
機能層520は、画素回路530(i,j)および開口部591Aを備える。なお、画素回路530(i,j)は開口部591Aにおいて、液晶素子750(i,j)と電気的に接続される。
【0128】
《画素回路530(i,j)の構成例1》
画素回路530(i,j)は、走査線G1(i)および信号線S1(j)と電気的に接続される(図2B参照)。
【0129】
例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路530(i,j)に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。
【0130】
例えば、複数のトランジスタを画素回路に用いる場合、一のトランジスタの半導体膜を形成する工程において、他のトランジスタの半導体膜を形成することができる。
【0131】
《画素回路530(i,j)の構成例2》
画素回路530(i,j)は液晶素子750(i,j)と電気的に接続される(図2B参照)。
【0132】
画素回路530(i,j)は、スイッチSW11、スイッチSW12、容量素子C11、容量素子C12、ノードN1(i,j)および導電膜VCOM1を備える。
【0133】
スイッチSW11は第1の信号を供給される第1の端子を備え、スイッチSW11はノードN1(i,j)と電気的に接続される第2の端子を備える。
【0134】
容量素子C11はノードN1(i,j)に電気的に接続される第1の電極を備え、容量素子C11は、導電膜CSCOMと電気的に接続される第2の電極を備える。
【0135】
スイッチSW12は第2の信号を供給される第1の端子を備え、スイッチSW12は容量素子C12の第1の電極と電気的に接続される第2の端子を備える。
【0136】
容量素子C12は、ノードN1(i,j)と電気的に接続される第2の電極を備える。
【0137】
液晶素子750(i,j)はノードN1(i,j)の電位に基づいて表示をする。
【0138】
これにより、ノードN1(i,j)の電位をスイッチSW11およびスイッチSW12を用いて制御することができる。または、スイッチSW11を用いてノードN1(i,j)の電位を制御し、スイッチSW12を用いてノードN1(i,j)の電位を変化することができる。または、導通状態のスイッチSW11および導通状態のスイッチSW12を用いて、信号線S1(j)および信号線S2(j)の間に生じる電位差を容量素子C12に記録することができる。または、非導通状態のスイッチSW11および導通状態のスイッチSW12を用いて、信号線S2(j)の電位を用いて、ノードN1(i,j)の電位を変化することができる。または、変化する電位を液晶素子750(i,j)に供給することができる。または、変化する電位に基づいて表示をすることができる。または、液晶素子750(i,j)の表示を変化することができる。または、液晶素子750(i,j)の動作を強調することができる。または、液晶素子750(i,j)の応答を速めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0139】
または、これにより、液晶素子750(i,j)に高い電圧を供給することができる。または、液晶材料を含む層753に大きな電界を印加することができる。または、高分子安定化された液晶材料の配向を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0140】
《トランジスタの構成例》
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、画素回路530(i,j)に用いることができる。
【0141】
トランジスタは、半導体膜508、導電膜504、導電膜512Aおよび導電膜512Bを備える(図3B参照)。
【0142】
半導体膜508は、導電膜512Aと電気的に接続される領域508A、導電膜512Bと電気的に接続される領域508Bを備える。半導体膜508は、領域508Aおよび領域508Bの間に領域508Cを備える。
【0143】
導電膜504は領域508Cと重なる領域を備え、導電膜504はゲート電極の機能を備える。
【0144】
絶縁膜506は、半導体膜508および導電膜504の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜506はゲート絶縁膜の機能を備える。
【0145】
導電膜512Aはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜512Bはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【0146】
また、導電膜524をトランジスタに用いることができる。導電膜524は、導電膜504との間に半導体膜508を挟む領域を備える。導電膜524は、第2のゲート電極の機能を備える。導電膜524を、例えば、導電膜504と電気的に接続することができる。なお、導電膜524を走査線G1(i)に用いることができる。
【0147】
なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。
【0148】
《半導体膜508の構成例1》
例えば、14族の元素を含む半導体を半導体膜508に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜508に用いることができる。
【0149】
[水素化アモルファスシリコン]
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。
【0150】
[ポリシリコン]
例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
【0151】
または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【0152】
または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。
【0153】
または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
【0154】
[単結晶シリコン]
例えば、単結晶シリコンを半導体膜508に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜508に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜508に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
【0155】
《半導体膜508の構成例2》
例えば、金属酸化物を半導体膜508に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、入出力装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
【0156】
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
【0157】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。
【0158】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ25nmの膜を、半導体膜508に用いることができる。
【0159】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ10nmの膜と、銅を含む厚さ300nmの膜と、を積層した導電膜を導電膜504に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜506との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【0160】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ400nmの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ200nmの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜506に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜508との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。
【0161】
例えば、タングステンを含む厚さ50nmの膜と、アルミニウムを含む厚さ400nmの膜と、チタンを含む厚さ100nmの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜512Aまたは導電膜512Bに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜508と接する領域を備える。
【0162】
ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。
【0163】
これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。
【0164】
《半導体膜508の構成例3》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を用いることができる。
【0165】
例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
【0166】
《容量素子の構成例》
容量素子は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備え、当該絶縁膜は一の導電膜および他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。
【0167】
例えば、導電膜504、導電膜512Aおよび絶縁膜506を容量素子に用いることができる。
【0168】
例えば、導電膜754(i,j)、電極751(i,j)および絶縁膜521Bを容量素子C12に用いることができる(図3A参照)。なお、絶縁膜521Bは導電膜754(i,j)および電極751(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
【0169】
《機能層520の構成例2》
また、機能層520は、絶縁膜521A、絶縁膜521B、絶縁膜518、絶縁膜516、絶縁膜506および絶縁膜501C等を備える(図3Aおよび図3B参照)。
【0170】
絶縁膜521は、画素回路530(i,j)および液晶素子750(i,j)の間に挟まれる領域を備える。
【0171】
絶縁膜518は、絶縁膜521および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。
【0172】
絶縁膜516は絶縁膜518および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。
【0173】
絶縁膜506は絶縁膜516および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。
【0174】
[絶縁膜521]
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521に用いることができる。
【0175】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜521に用いることができる。
【0176】
例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜521に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。
【0177】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜521に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜521は、例えば、絶縁膜521と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
【0178】
なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜521等に好適に用いることができる。
【0179】
例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜521に用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜521に用いることができる。
【0180】
[絶縁膜518]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜518に用いることができる。
【0181】
例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜518に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜518に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜518に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。
【0182】
[絶縁膜516]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜516に用いることができる。
【0183】
具体的には、絶縁膜518とは作製方法が異なる膜を絶縁膜516に用いることができる。
【0184】
[絶縁膜506]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜506に用いることができる。
【0185】
具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜506に用いることができる。
【0186】
[絶縁膜501C]
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路または液晶素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
【0187】
《機能層520の構成例3》
機能層520は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を導電膜、配線および端子等に用いることができる。
【0188】
《配線等》
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。
【0189】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【0190】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。
【0191】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【0192】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【0193】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【0194】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。
【0195】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【0196】
なお、例えば、導電材料を用いて、端子519Bをフレキシブルプリント基板FPC1と電気的に接続することができる(図2A参照)。
【0197】
<表示パネル700の構成例1>
また、表示パネル700は、基材510、基材770および封止材705を備える(図9A参照)。
【0198】
《基材510、基材770》
透光性を備える材料を、基材510または基材770に用いることができる。
【0199】
例えば、可撓性を有する材料を基材510または基材770に用いることができる。これにより、可撓性を備える表示パネルを提供することができる。
【0200】
例えば、厚さ0.7mm以下厚さ0.1mm以上の材料を用いることができる。具体的には、厚さ0.1mm程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。
【0201】
ところで、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等のガラス基板を基材510または基材770に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。
【0202】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材510または基材770に用いることができる。
【0203】
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材510または基材770に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材510または基材770に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。
【0204】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材510または基材770に用いることができる。
【0205】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を基材510または基材770に用いることができる。これにより、半導体素子を基材510または基材770に形成することができる。
【0206】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材510または基材770に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材510または基材770に用いることができる。例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。
【0207】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、シクロオレフィンポリマー(COP)またはシクロオレフィンコポリマー(COC)等を基材510または基材770に用いることができる。
【0208】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせた複合材料を基材510または基材770に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材510または基材770に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材510または基材770に用いることができる。
【0209】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材510または基材770に用いることができる。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。
【0210】
また、紙または木材などを基材510または基材770に用いることができる。
【0211】
例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材510または基材770に用いることができる。具体的には、トランジスタまたは容量素子等を直接形成する作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材510または基材770に用いることができる。
【0212】
例えば、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を、例えば、基材510または基材770に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【0213】
《封止材705》
封止材705は、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備え、機能層520および基材770を貼り合わせる機能を備える。
【0214】
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705に用いることができる。
【0215】
例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材705に用いることができる。
【0216】
例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または/および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材705に用いることができる。
【0217】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を封止材705に用いることができる。
【0218】
<表示パネル700の構成例2>
表示パネル700は、機能層720を備える(図3A参照)。また、表示パネル700は、構造体KB1および機能膜770Pなどを備える。
【0219】
《機能層720》
機能層720は液晶素子750(i,j)および基材770の間に挟まれる領域を備える。例えば、絶縁膜771を機能層720に用いることができる。
【0220】
《構造体KB1》
構造体KB1は、機能層520および基材770の間に挟まれる領域を備える。また、構造体KB1は、機能層520および基材770の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
【0221】
《機能膜770P等》
機能膜770Pは、液晶素子750(i,j)と重なる領域を備える。
【0222】
例えば、反射防止膜等を機能膜770Pに用いることができる。
【0223】
例えば、厚さ1μm以下の反射防止膜を、機能膜770Pに用いることができる。具体的には、誘電体を3層以上、好ましくは5層以上、より好ましくは15層以上積層した積層膜を機能膜770Pに用いることができる。これにより、反射率を0.5%以下好ましくは0.08%以下に抑制することができる。
【0224】
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、非光沢処理膜(アンチ・グレア膜)、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜770Pに用いることができる。
【0225】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0226】
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図8および図9を参照しながら説明する。
【0227】
図8は、本発明の一態様の入出力装置の表示パネルの構成を説明するブロック図である。
【0228】
図9は、本発明の一態様の入出力装置の表示パネルの構成を説明する図である。図9A図1Bの切断線X1-X2およびX3-X4における断面図であり、図9B図9Aの一部を説明する断面図である。
【0229】
<入出力装置の構成例1>
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示領域231が一群の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)、他の一群の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)、第1の走査線G1(i)、第2の走査線G2(i)、第1の信号線S1(j)および第2の信号線S2(j)を備える(図8参照)。なお、iは1以上m以下の整数であり、jは1以上n以下の整数であり、mおよびnは1以上の整数である。また、2m+1および3mも整数である。
【0230】
また、図示しないが、表示領域231は、導電膜CSCOMおよび導電膜VCOM1を有する。
【0231】
一群の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)は行方向(図中に矢印R1で示す方向)に配設され、一群の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)は画素702(i,j)を含む。
【0232】
他の一群の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)は行方向と交差する列方向(図中に矢印C1で示す方向)に配設され、他の一群の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)は画素702(i,j)を含む。
【0233】
走査線G1(i)は、行方向に配設される一群の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)と電気的に接続される。また、走査線G2(i)は、行方向に配設される一群の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)と電気的に接続される。
【0234】
信号線S1(j)は、列方向に配設される他の一群の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)と電気的に接続される。また、信号線S2(j)は、列方向に配設される他の一群の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)と電気的に接続される。
【0235】
これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0236】
<入出力装置の構成例2>
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示パネル700が、単数または複数の駆動回路を備える。例えば、駆動回路GDおよび駆動回路SDを備えることができる(図8参照)。
【0237】
《駆動回路GDA、駆動回路GDB》
駆動回路GDAおよび駆動回路GDBを駆動回路GDに用いることができる。例えば、駆動回路GDAおよび駆動回路GDBは、制御信号SPに基づいて選択信号を供給する機能を有する。
【0238】
具体的には、制御信号SPに基づいて、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で、選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。
【0239】
または、制御信号SPに基づいて、30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された静止画像を表示することができる。
【0240】
複数の駆動回路を備える場合、例えば、駆動回路GDAが選択信号を供給する頻度と、駆動回路GDBが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。
【0241】
ところで、フレーム周波数を可変にすることができる。または、例えば、1Hz以上120Hz以下のフレーム周波数で表示をすることができる。または、プログレッシブ方式を用いて、120Hzのフレーム周波数で表示をすることができる。
【0242】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、駆動回路GDに用いることができる。具体的には、トランジスタMG1を駆動回路GDに用いることができる(図9参照)。
【0243】
なお、例えば、駆動回路GDのトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路530(i,j)のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程で形成することができる。
【0244】
《駆動回路SD》
駆動回路SDは、情報V11に基づいて画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の液晶素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える(図8参照)。
【0245】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路SDに用いることができる。
【0246】
例えば、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路SDに用いることができる。
【0247】
例えば、COG(Chip on glass)法またはCOF(Chip on Film)法を用いて、集積回路を端子に接続することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に接続することができる。
【0248】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0249】
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図10を参照しながら説明する。
【0250】
図10は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図10Aは本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図10B1乃至図10B3は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する投影図である。
【0251】
<表示部230の構成例1>
本実施の形態で説明する表示部230は、制御部238および表示パネル700を備える(図10A参照)。
【0252】
《制御部238の構成例1》
制御部238は、画像情報VIおよび制御情報CIを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。
【0253】
制御部238は画像情報VIに基づいて情報V11を生成し、制御部238は制御情報CIにもとづいて制御信号SPを生成する。
【0254】
制御部238は情報V11および制御信号SPを制御回路233を介して供給する。
【0255】
例えば、情報V11は、8bit以上好ましくは12bit以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号SPに用いることができる。
【0256】
《制御部238の構成例2》
例えば、伸張回路234および画像処理回路235を制御部238に用いることができる。
【0257】
《伸張回路234》
伸張回路234は、圧縮された状態で供給される画像情報VIを伸張する機能を備える。伸張回路234は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
【0258】
《画像処理回路235》
画像処理回路235は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報VIに含まれる情報を記憶する機能を備える。
【0259】
画像処理回路235は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報VIを補正して情報V11を生成する機能と、情報V11を供給する機能を備える。
【0260】
《表示パネル700の構成例1》
表示パネル700は、表示領域231および駆動回路を備える。例えば、実施の形態2において説明する入出力装置の表示パネル700を用いることができる。
【0261】
表示パネル700は、情報V11および制御信号SPを供給される。
【0262】
駆動回路は、制御信号SPに基づいて動作する。制御信号SPを用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。
【0263】
例えば、駆動回路GDA(1)、駆動回路GDA(2)駆動回路GDB(1)および駆動回路GDB(2)を表示パネルに用いることができる。また、駆動回路GDA(1)、駆動回路GDA(2)、駆動回路GDB(1)および駆動回路GDB(2)は、制御信号SPを供給され、選択信号を供給する機能を備える。
【0264】
例えば、駆動回路SDA(1)、駆動回路SDA(2)、駆動回路SDB(1)、駆動回路SDB(2)、駆動回路SDC(1)および駆動回路SDC(2)を表示パネルに用いることができる。また、駆動回路SDA(1)、駆動回路SDA(2)、駆動回路SDB(1)、駆動回路SDB(2)、駆動回路SDC(1)および駆動回路SDC(2)は、制御信号SPおよび情報V11を供給され、画像信号を供給することができる。
【0265】
《画素702(i,j)の構成例》
画素702(i,j)は、情報V11に基づいて表示する。
【0266】
これにより、液晶素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョン受像システム(図10B1参照)、映像モニター(図10B2参照)またはノートブックコンピュータ(図10B3参照)などを提供することができる。
【0267】
《表示パネル700の構成例2》
例えば、制御回路233を表示パネル700に用いることができる。具体的には、リジッド基板上に形成された制御回路233を表示パネル700に用いることができる。また、リジッド基板上に形成された制御回路233を、フレキシブルプリント基板を用いて、制御部238と電気的に接続することができる。
【0268】
《制御回路233》
制御回路233は制御信号SPを生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号SPに用いることができる。具体的には、タイミングコントローラを制御回路233に用いることができる。
【0269】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0270】
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図11乃至図13を参照しながら説明する。
【0271】
図11Aは本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図11Bおよび図11Cは、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。
【0272】
図12は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図12Aは、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図12Bは、割り込み処理を説明するフローチャートである。
【0273】
図13は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図13Aは、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図13Bは、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図13Cは、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【0274】
<情報処理装置の構成例1>
本実施の形態で説明する情報処理装置は、入出力装置220と、演算装置210と、を有する(図11A参照)。なお、入出力装置220は、演算装置210と電気的に接続される。また、情報処理装置200は筐体を備えることができる(図11Bおよび図11C参照)。
【0275】
《入出力装置220の構成例》
入出力装置220は検知情報DSおよび入力情報IIを供給する(図11A参照)。また、入出力装置220は検知部250を備える。また、入出力装置220は通信部290を備えることができる。
【0276】
例えば、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれか一において説明する入出力装置を、入出力装置220に用いることができる。
【0277】
例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報IIに用いることができる。または、例えば、情報処理装置200が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報DSに用いることができる。
【0278】
例えば、画像情報VIを表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報CIに用いることができる。または、画像情報VIの一部の表示を変化する信号を、制御情報CIに用いることができる。
【0279】
《検知部250の構成例》
検知部250は検知情報DSを生成する。例えば、検知部250は、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
【0280】
検知部250は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。
【0281】
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、GPS(Global positioning System)信号受信回路、感圧スイッチ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部250に用いることができる。
【0282】
《入力部240の構成例》
入力部240は、入力情報IIを生成する。例えば、入力部240は、位置情報を供給する機能を備える。
【0283】
例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図11A参照)。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部240に用いることができる。
【0284】
また、表示部230に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表示部230と表示部230に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
【0285】
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー(タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等)をすることができる。
【0286】
例えば、演算装置210は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
【0287】
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
【0288】
《通信部290》
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
【0289】
《筐体》
なお、筐体は入出力装置220または演算装置210を収納する機能を備える。または、筐体は表示部230または演算装置210を支持する機能を備える。
【0290】
《演算装置210の構成例1》
演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSを供給される。
【0291】
演算装置210は入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIおよび画像情報VIを生成し、演算装置210は制御情報CIおよび画像情報VIを供給する。
【0292】
演算装置210は、演算部211、記憶部212、および人工知能部213を備える。また、演算装置210は、伝送路214および入出力インターフェース215を備える。
【0293】
伝送路214は、演算部211、記憶部212、人工知能部213、および入出力インターフェース215と電気的に接続される。
【0294】
《演算部211》
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
【0295】
《記憶部212》
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
【0296】
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
【0297】
《入出力インターフェース215、伝送路214》
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
【0298】
伝送路214は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース215と電気的に接続することができる。また、演算部211、記憶部212または入出力インターフェース215と電気的に接続することができる。
【0299】
これにより、入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIを生成することができる。または、入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、画像情報VIを表示することができる。または、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【0300】
《演算装置210の構成例2》
演算装置210は人工知能部213を備える(図11A参照)。
【0301】
人工知能部213は入力情報IIまたは検知情報DSを供給され、人工知能部213は入力情報IIまたは検知情報DSに基づいて、制御情報CIを推論する。
【0302】
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報CIを生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報CIを生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【0303】
[入力情報IIに対する自然言語処理]
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを自然言語処理して、入力情報II全体から1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部213は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報CIに用いることができる。
【0304】
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを自然言語処理して、入力情報IIに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部213は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部213は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する情報を生成し、制御情報CIに用いることができる。
【0305】
[入力情報IIに対する画像処理]
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを画像処理して、入力情報IIから1つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部213は、入力情報IIが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報CIを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色(例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等)を指定する情報を制御情報CIに用いることができる。
【0306】
具体的には、人工知能部213は入力情報IIを画像処理して、入力情報IIに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報CIを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報CIを生成することができる。
【0307】
[検知情報DSを用いる推論]
具体的には、人工知能部213は検知情報DSを用いて、推論を生成することができる。または、推論に基づいて、情報処理装置200の使用者が快適であると感じられるように制御情報CIを生成することができる。
【0308】
具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部213は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報CIを生成することができる。または、人工知能部213は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報CIを生成することができる。
【0309】
なお、表示部230が備える制御部238に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。または、入力部240が備える制御部に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報CIに用いることができる。
【0310】
<情報処理装置の構成例2>
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図12Aおよび図12Bを参照しながら説明する。
【0311】
《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する(図12A参照)。
【0312】
[第1のステップ]
第1のステップにおいて、設定を初期化する(図12A(S1)参照)。
【0313】
例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部212から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第1のモードまたは第2のモードを所定のモードに用いることができる。
【0314】
[第2のステップ]
第2のステップにおいて、割り込み処理を許可する(図12A(S2)参照)。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。
【0315】
なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。
【0316】
[第3のステップ]
第3のステップにおいて、第1のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する(図12A(S3)参照)。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報VIを表示する情報に用いることができる。
【0317】
例えば、画像情報VIを表示する一の方法を、第1のモードに関連付けることができる。または、画像情報VIを表示する他の方法を第2のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。
【0318】
《第1のモード》
具体的には、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第1のモードに関連付けることができる。
【0319】
例えば、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。
【0320】
例えば、30Hz以上、好ましくは60Hz以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置200に表示することができる。
【0321】
《第2のモード》
具体的には、30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは1分に1回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第2のモードに関連付けることができる。
【0322】
30Hz未満、好ましくは1Hz未満、より好ましくは1分に1回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。
【0323】
例えば、情報処理装置200を時計に用いる場合、1秒に1回の頻度または1分に1回の頻度等で表示を更新することができる。
【0324】
[第4のステップ]
第4のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第5のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第3のステップに進むように選択する(図12A(S4)参照)。
【0325】
例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。
【0326】
[第5のステップ]
第5のステップにおいて、プログラムを終了する(図12A(S5)参照)。
【0327】
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図12B参照)。
【0328】
[第6のステップ]
第6のステップにおいて、例えば、検知部250を用いて、情報処理装置200が使用される環境の照度を検出する(図12B(S6)参照)。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。
【0329】
[第7のステップ]
第7のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する(図12B(S7)参照)。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。
【0330】
なお、第6のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。
【0331】
[第8のステップ]
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図12B(S8)参照)。
【0332】
<情報処理装置の構成例3>
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図13を参照しながら説明する。
【0333】
図13Aは、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図13Aは、図12Bに示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。
【0334】
なお、情報処理装置の構成例3は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図12Bを参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【0335】
《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第6のステップ乃至第8のステップを備える(図13A参照)。
【0336】
[第6のステップ]
第6のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第7のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第8のステップに進む(図13A(U6)参照)。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、5秒以下、1秒以下または0.5秒以下好ましくは0.1秒以下であって0秒より長い期間を所定の期間とすることができる。
【0337】
[第7のステップ]
第7のステップにおいて、モードを変更する(図13A(U7)参照)。具体的には、第1のモードを選択していた場合は、第2のモードを選択し、第2のモードを選択していた場合は、第1のモードを選択する。
【0338】
例えば、表示部230の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路GDA、駆動回路GDBおよび駆動回路GDCを備える表示部230の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる(図13B参照)。
【0339】
例えば、駆動回路GDBが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部240に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路GDBが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる(図13Bおよび図13C参照)。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路GDBが供給する選択信号の頻度を変更することができる。
【0340】
なお、信号GCLKは駆動回路GDBの動作を制御するクロック信号であり、信号PWC1および信号PWC2は駆動回路GDBの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路GDBは、信号GCLK、信号PWC1および信号PWC2等に基づいて、選択信号を走査線G2(m+1)乃至走査線G2(2m)に供給する。
【0341】
これにより、例えば、駆動回路GDAおよび駆動回路GDCが選択信号を供給することなく、駆動回路GDBが選択信号を供給することができる。または、駆動回路GDAおよび駆動回路GDCが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路GDBが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。
【0342】
[第8のステップ]
第8のステップにおいて、割り込み処理を終了する(図13A(U8)参照)。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。
【0343】
《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。
【0344】
また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。
【0345】
例えば、検知部250が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。
【0346】
具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部250に用いることができる。
【0347】
《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。
【0348】
例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【0349】
例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。
【0350】
例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部250が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。
【0351】
例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部290を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。
【0352】
なお、情報を取得する資格の有無を、検知部250が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置200を教科書等に用いることができる(図11C参照)。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。
【0353】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0354】
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図14乃至図16を参照しながら説明する。
【0355】
図14乃至図16は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図14Aは情報処理装置のブロック図であり、図14B乃至図14Eは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図15A乃至図15Eは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図16Aおよび図16Bは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
【0356】
<情報処理装置>
本実施の形態で説明する情報処理装置5200Bは、演算装置5210と、入出力装置5220と、を有する(図14A参照)。
【0357】
演算装置5210は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
【0358】
入出力装置5220は、表示部5230、入力部5240、検知部5250、通信部5290、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置5220は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。例えば、実施の形態1乃至実施の形態3において説明する入出力装置を入出力装置5220に用いることができる。
【0359】
入力部5240は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部5240は、情報処理装置5200Bの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
【0360】
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部5240に用いることができる。
【0361】
表示部5230は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。
【0362】
検知部5250は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
【0363】
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部5250に用いることができる。
【0364】
通信部5290は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
【0365】
《情報処理装置の構成例1》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部5230に適用することができる(図14B参照)。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
【0366】
《情報処理装置の構成例2》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える(図14C参照)。具体的には、対角線の長さが20インチ以上、好ましくは40インチ以上、より好ましくは55インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて1つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
【0367】
《情報処理装置の構成例3》
他の装置から情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図14D参照)。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
【0368】
《情報処理装置の構成例4》
表示部5230は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える(図14E参照)。または、表示部5230は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。
【0369】
《情報処理装置の構成例5》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる(図15A参照)。または、作成したメッセージを表示部5230で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
【0370】
《情報処理装置の構成例6》
リモートコントローラーを入力部5240に用いることができる(図15B参照)。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部5230に表示することができる。または、検知部5250を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部5230に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
【0371】
《情報処理装置の構成例7》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部5230に表示することができる(図15C参照)。または、入力部5240を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部5230に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。
【0372】
例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部5230に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部5230をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
【0373】
《情報処理装置の構成例8》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部5230を備える(図15D参照)。例えば、検知部5250で撮影しながら表示部5230に表示することができる。または、撮影した映像を検知部5250に表示することができる。または、入力部5240を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
【0374】
《情報処理装置の構成例9》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる(図15E参照)。または、例えば、画像情報の一部を表示部5230に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。または、画像信号を供給することができる。または、通信部5290を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。
【0375】
《情報処理装置の構成例10》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図16A参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部5230は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。
【0376】
《情報処理装置の構成例11》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部5250を備える(図16B参照)。または、検知部5250は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を重ねて表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。
【0377】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0378】
例えば、本明細書等において、XとYとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。
【0379】
ここで、X、Yは、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
【0380】
XとYとが直接的に接続されている場合の一例としては、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であり、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに、XとYとが、接続されている場合である。
【0381】
XとYとが電気的に接続されている場合の一例としては、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0382】
XとYとが機能的に接続されている場合の一例としては、XとYとの機能的な接続を可能とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能である。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとYとが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとYとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0383】
なお、XとYとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、XとYとが電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【0384】
なお、例えば、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1を介して(又は介さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【0385】
例えば、「XとYとトランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【0386】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタのソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【0387】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、X、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
【0388】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【0389】
AF1:配向膜、AF2:配向膜、C11:容量素子、C12:容量素子、CI:制御情報、CSCOM:導電膜、DC:検知回路、DS:検知情報、FPC1:フレキシブルプリント基板、G1:走査線、G2:走査線、GCLK:信号、II:入力情報、IS:画像信号、KB1:構造体、N1:ノード、PWC1:信号、PWC2:信号、S1:信号線、S2:信号線、SP:制御信号、SW11:スイッチ、SW12:スイッチ、V11:情報、VCOM1:導電膜、VI:画像情報、VPI:導電膜、VR:導電膜、WX:導電膜、200:情報処理装置、210:演算装置、211:演算部、212:記憶部、213:人工知能部、214:伝送路、215:入出力インターフェース、220:入出力装置、230:表示部、231:表示領域、233:制御回路、234:伸張回路、235:画像処理回路、238:制御部、240:入力部、241:検知領域、250:検知部、290:通信部、404:導電膜、406:絶縁膜、408:半導体膜、408A:領域、408B:領域、408C:領域、412A:導電膜、412B:導電膜、420:機能層、424:導電膜、430:検知回路、451:電極、452:電極、453:半導体膜、470:レンズ、491A:開口部、501C:絶縁膜、504:導電膜、506:絶縁膜、508:半導体膜、508A:領域、508B:領域、508C:領域、510:基材、512A:導電膜、512B:導電膜、516:絶縁膜、518:絶縁膜、519B:端子、520:機能層、521:絶縁膜、521B:絶縁膜、524:導電膜、530:画素回路、591A:開口部、700:表示パネル、702:画素、705:封止材、720:機能層、750:液晶素子、751:電極、752:電極、753:層、754:導電膜、770:基材、770P:機能膜、771:絶縁膜、800:機能パネル、802:検知器、5200B:情報処理装置、5210:演算装置、5220:入出力装置、5230:表示部、5240:入力部、5250:検知部、5290:通信部
図1A
図1B
図1C
図2A
図2B
図3A
図3B
図4
図5A
図5B
図6
図7A
図7B
図8
図9A
図9B
図10A
図10B1
図10B2
図10B3
図11A
図11B
図11C
図12A
図12B
図13A
図13B
図13C
図14A
図14B
図14C
図14D
図14E
図15A
図15B
図15C
図15D
図15E
図16A
図16B