特許7393900IP Force 特許公報全文掲載

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炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

基板ウェハ中の転位は素子中に伝播されることから、現状の製法にて作製された転位密度に面内で偏りがある炭化珪素ウェハを使用して素子を作製した場合、素子の歩留まりが領域によって悪化する不具合があることが現状の課題である。更に、素子を作製するプロセスにおいて、素子製品の歩留まりに面内領域的バラつきが生じた際、現状ウェハを使用していると、プロセス起因かウェハ起因か要因の切り分けができず、プロセス改善を長期化させ、投入する予算的、時間的に不利益をこうむることも現状の課題である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するための本発明の第１の態様は、炭化珪素単結晶ウェハであって、ウェハ中に含まれる転位密度が３５００個／ｃｍ２以下であり、前記ウェハの中心部、前記ウェハの端部、および前記ウェハの中間部分との比較において、前記転位密度の差が平均値の５０％未満であることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハにある。 基板ウェハ中の転位は素子中に伝播されることから、現状の製法にて作製された転位密度に面内・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、転位が少なく、且つ存在する転位が均一に分布する高品位の炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法が提供される。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本炭化珪素単結晶を製造する製造装置の断面図である。
【図2】 本炭化珪素単結晶の製造工程を示す製造装置の断面図である。
【図3】 ＳｉＣ単結晶の内部応力と、径方向の温度勾配との関係、及びＳｉＣ単結晶の内部応力と、成長結晶表面の形状のなす曲率半径との関係を示すグラフである。
【図4】 転位の相互作用を説明する図である。
【図5】 ウェハ中心部、ウェハ中間部、ウェハ端部の場所のイメージを示す図である。
【図6】 実施例１の炭化珪素単結晶を説明する図である。
【図7】 比較例の炭化珪素単結晶を説明する図である。
【図8】 実施例２の炭化珪素単結晶を説明する図である。

代表図 図1本件の代表的な図

Ｉ 炭化珪素単結晶の製造装置 １ 原料ガス供給手段 １０ 台座 ２０ 断熱容器 ３０ 密閉容器 ４０ コイル（加熱手段） ５０ａ 第１の種結晶 ５０ｂ 第２の種結晶 ５１ 単結晶

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