内部に電極が埋設されたセラミックス構造体（電極埋設セラミックス構造体）において、第２セラミックス層は、絶縁層、あるいは、断熱層として機能する。そのため、電極埋設セラミックス構造体が用いられる機器では、良好な特性を得るために第２セラミックス層の厚みを薄くすることが好ましい。しかしながら、第２セラミックス層の厚みを薄くすると、機器の耐久性（寿命）が低下する。したように、特許文献１では、第２セラミックス層の厚みを１０μｍ以上とし、機器の耐久性低下を抑制している。このように、従来の電極埋設セラミックス構造体は、特性と耐久性がトレードオフの関係を有している。そのため、従来の設計思想では、電極埋設セラミックス構造体の特性と耐久性を両立させることが困難であり、新たな設計思想に基づいた電極埋設セラミックス構造体を実現することが望まれている。本明細書は、従来とは異なる新たな設計思想に基づく新規な電極埋設セラミックス構造体を提供することを目的とする。

一態様の電極埋設セラミックス構造体は、静電容量の変化を利用した静電容量式センサである電極埋設セラミックス構造体であって、前記静電容量式センサは前記静電容量式センサの外部に露出された検知面を有しており、前記静電容量の変化は前記検知面上の液体の存在に応じて生じるものである。前記電極埋設セラミックス構造体は、第１セラミックス層と、前記第１セラミックス層の表面に設けられている電極層と、前記第１セラミ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る