特許7397348IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

このような発光素子において、発光効率の向上が望まれる。本発明は、発光効率を向上できる発光素子を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子は、下方から上方に向かって順に、第1活性層を有する第1発光部と、トンネル接合部と、第2活性層を有する第2発光部とを備え、前記第1活性層は、複数の第1井戸層と、前記複数の第1井戸層のうち隣り合う第1井戸層間に位置し、前記第1井戸層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第1障壁層とを有し、前記第2活性層は、複数の第2井戸層と、前記複数の第2井戸層のうち隣・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、発光効率を向上できる発光素子を提供することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施形態の発光素子の断面図である。
【図2】 実施形態の第1活性層の断面図である。
【図3】 実施形態の第2活性層の断面図である。
【図4】 実施形態の変形例の第2活性層の一部の断面図である。
【図5A】 実施形態の発光素子の順電圧の測定結果を示すグラフである。
【図5B】 実施形態の発光素子の光出力の測定結果を示すグラフである。
【図6A】 実施形態の発光素子の順電圧の測定結果を示すグラフである。
【図6B】 実施形態の発光素子の光出力の測定結果を示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

1…発光素子、10…基板、20…半導体構造体、21…第1発光部、22…第2発光部、30…トンネル接合部、41…n側窒化物半導体層、42…第1p側窒化物半導体層、43…第2p側窒化物半導体層、50…第1超格子層、60…第1活性層、61…第1井戸層、65…第1障壁層、70…第2超格子層、80…第2活性層、81…第2井戸層、82…第2障壁層、82a…第1層、82b…第2層、82c…第3層、84…第3障壁層

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