特許 7397358 表面処理剤及び表面処理体の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-05

(45)【発行日】2023-12-13

(54)【発明の名称】表面処理剤及び表面処理体の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20231206BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 647A

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021527560

(86)(22)【出願日】2020-06-04

(86)【国際出願番号】 JP2020022031

(87)【国際公開番号】W WO2020255725

(87)【国際公開日】2020-12-24

【審査請求日】2023-03-24

(31)【優先権主張番号】P 2019115096

(32)【優先日】2019-06-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002200

【氏名又は名称】セントラル硝子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110928

【弁理士】

【氏名又は名称】速水 進治

(72)【発明者】

【氏名】福井 由季

(72)【発明者】

【氏名】奥村 雄三

(72)【発明者】

【氏名】照井 貴陽

(72)【発明者】

【氏名】公文 創一

【審査官】堀江 義隆

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－６３１７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１２４２６４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／４０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被処理体の表面処理に使用される表面処理剤であって、
（Ｉ）下記一般式［１］及び［２］で示されるケイ素化合物のうち少なくとも１種、
（ＩＩ）下記一般式［３］で示される含窒素複素環化合物、下記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物、及び、イミダゾールのうち少なくとも１種、
（ＩＩＩ）有機溶媒、及び
（ＩＶ）下記一般式［５］及び［６］で示されるケイ素化合物のうち少なくとも１種
を含む、表面処理剤。

【化7】

［式［１］中、Ｒ¹は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｒ²は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、及び、水素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ³は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基であり、ａは１～３の整数、ｂは０～２の整数であり、ａとｂの合計は１～３である。］

【化8】

［式［２］中、Ｒ⁴及びＲ⁶は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｒ⁵は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、及び、水素元素からなる群から選ばれる基であり、ｃは１～３の整数、ｄは０～２の整数、ｅは１～３の整数であり、ｃとｄの合計は１～３である。］

【化9】

［式［３］中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素元素及び／又は窒素元素と、水素元素とからなる２価の有機基であり、炭素数と窒素数の合計は１～９であり、２以上の場合は環を構成しない炭素元素が存在してもよい。］

【化10】

［式［４］中、Ｒ⁹は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～８のアルキル基を持つトリアルキルシリル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が２～６のアルケニル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルコキシ基、アミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基を持つアルキルアミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基を持つジアルキルアミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアミノアルキル基、ニトロ基、シアノ基、フェニル基、ベンジル基、又は、ハロゲン基であり、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、又は、水素基である。］

【化11】

［式［５］中、Ｒ¹³は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｒ¹⁴は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基であり、ｆは１～３の整数、ｇは０～２の整数であり、ｆとｇの合計は１～３である。］

【化12】

［式［６］中、Ｒ¹⁵は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、ハロゲン基、アルキルスルホネート基、又は、パーフルオロアルキルスルホネート基であり、ｈは１～３の整数、ｉは０～２の整数であり、ｈとｉの合計は１～３である。］

【請求項2】

前記（Ｉ）に対する前記（ＩＶ）の含有量が、モル比で０．００１以上、１未満である、請求項１に記載の表面処理剤。

【請求項3】

前記（ＩＶ）として、前記一般式［５］のｆが３で、Ｒ¹⁴が炭素数１～６の含フッ素アルキル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有する、請求項１又は請求項２に記載の表面処理剤。

【請求項4】

前記（ＩＶ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃を含有する、請求項１～３のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項5】

前記（ＩＶ）として、前記一般式［６］のｈが３で、ｉが０であり、Ｒ¹⁵が炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６の含フッ素アルキル基であるケイ素化合物を含有する、請求項１～４のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項6】

前記（ＩＶ）として、前記一般式［６］のＸが、クロロ基であるケイ素化合物を含有する、請求項１～５のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項7】

前記（ＩＶ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＣｌを含有する、請求項１～６のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項8】

前記（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が０．０５～１０質量％である、請求項１～７のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項9】

前記（ＩＩ）が、２５℃、１気圧で液体である、請求項１～８のいずれかに記載の表面処理剤

【請求項10】

前記一般式［４］の、Ｒ⁹が、炭素数が１～４のアルキル基、又は、トリメチルシリル基であり、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²が水素基である、請求項１～９のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項11】

前記（ＩＩ）が、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－エチルイミダゾール、Ｎ－プロピルイミダゾール、Ｎ－ブチルイミダゾール、及び、トリメチルシリルイミダゾールからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１～１０のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項12】

前記（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（Ｉ）の濃度が０．１～３５質量％である、請求項１～１１のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項13】

前記（Ｉ）として、前記一般式［１］のａが３で、Ｒ²がメチル基で、Ｒ³が炭素数１～６の含フッ素アルキル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有する、請求項１～１２のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項14】

前記（Ｉ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃を含有する、請求項１～１３のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項15】

前記（Ｉ）として、前記一般式［２］のｃ及びｅが３で、Ｒ⁵がメチル基又はトリフルオロメチル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有する、請求項１～１４のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項16】

前記（Ｉ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（ＣＦ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃を含有する、請求項１～１５のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項17】

前記有機溶媒が、非プロトン性溶媒である、請求項１～１６のいずれかに記載の表面処理剤。

【請求項18】

被処理体の表面に、請求項１～１７のいずれかに記載の表面処理剤を接触させ、当該被処理体の表面を処理する表面処理体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表面処理剤及び表面処理体の製造方法に関し、特に、半導体集積回路製造において使用される基板等の被処理体の表面処理に好適に適用可能な表面処理剤及び表面処理体の製造方法に関する。

【0002】

半導体デバイス等の製造においては、基板にエッチング等の処理を施す前にリソグラフィ技術が用いられている。このリソグラフィ技術では、感光性樹脂組成物を用いて基板上に感光性樹脂層を設け、次いでこれを活性放射線で選択的に照射して露光し、現像処理を行ったあと、感光性樹脂層を選択的に溶解除去して、基板上に樹脂パターンを形成する。そして、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板に無機パターンを形成する。

【0003】

ところで、近年、半導体デバイスの高集積化、微小化の傾向が高まり、マスクとなる樹脂パターンやエッチング処理により作製された無機パターンの微細化・高アスペクト比化が進んでいる。しかし、その一方で、いわゆるパターン倒れの問題が生じるようになっている。このパターン倒れは、基板上に多数の樹脂パターンや無機パターンを並列して形成させる際、隣接するパターン同士がもたれ合うように近接し、場合によってはパターンが基部から折損したり、剥離したりするという現象のことである。このようなパターン倒れが生じると、所望の製品が得られないため、製品の歩留まりや信頼性の低下を引き起こすことになる。

【0004】

このパターン倒れは、パターン形成後の洗浄処理において、洗浄液が乾燥する際、その洗浄液の表面張力により発生することがわかっている。つまり、乾燥過程で洗浄液が除去される際に、パターン間に洗浄液の表面張力に基づく応力が作用し、パターン倒れが生じることになる。

【0005】

そこで、特許文献１では、基板上に設けられた無機パターン又は樹脂パターンのパターン倒れを防止することを目的として、シリル化剤と、ケイ素原子を含まない含窒素複素環化合物とを調液した表面処理剤で被処理体（当該基板上のパターン）を表面処理して撥水性を付与する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１７－０６３１７９号公報

【発明の概要】

【0007】

しかし、シリル化剤と、ケイ素原子を含まない含窒素複素環化合物とを含む表面処理剤は、調液時に原料を溶かすのに時間がかかってしまう場合や、撥水性付与効果が不十分な場合があることを、本発明者らは見出した。

【0008】

そこで、本開示は、それらの問題を解決できる新規な表面処理剤を提供することを課題とする。

【0009】

本開示の第１の態様は、被処理体の表面処理に使用される表面処理剤であって、
（Ｉ）下記一般式［１］及び［２］で示されるケイ素化合物のうち少なくとも１種、
（ＩＩ）下記一般式［３］で示される含窒素複素環化合物、下記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物、及び、イミダゾールのうち少なくとも１種、
（ＩＩＩ）有機溶媒、及び
（ＩＶ）下記一般式［５］及び［６］で示されるケイ素化合物のうち少なくとも１種
を含む、表面処理剤である。

【化1】

［式［１］中、Ｒ¹は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｒ²は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、及び、水素元素からなる群から選ばれる基であり、Ｒ³は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基であり、ａは１～３の整数、ｂは０～２の整数であり、ａとｂの合計は１～３である。］

【化2】

［式［２］中、Ｒ⁴及びＲ⁶は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｒ⁵は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、及び、水素元素からなる群から選ばれる基であり、ｃは１～３の整数、ｄは０～２の整数、ｅは１～３の整数であり、ｃとｄの合計は１～３である。］

【化3】

［式［３］中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、炭素元素及び／又は窒素元素と、水素元素とからなる２価の有機基であり、炭素数と窒素数の合計は１～９であり、２以上の場合は環を構成しない炭素元素が存在してもよい。］

【化4】

［式［４］中、Ｒ⁹は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～８のアルキル基を持つトリアルキルシリル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が２～６のアルケニル基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルコキシ基、アミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基を持つアルキルアミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基を持つジアルキルアミノ基、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアミノアルキル基、ニトロ基、シアノ基、フェニル基、ベンジル基、又は、ハロゲン基であり、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ独立に、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基、又は、水素基である。］

【化5】

［式［５］中、Ｒ¹³は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｒ¹⁴は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～６のアルキル基であり、ｆは１～３の整数、ｇは０～２の整数であり、ｆとｇの合計は１～３である。］

【化6】

［式［６］中、Ｒ¹⁵は、それぞれ互いに独立して、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、ハロゲン基、アルキルスルホネート基、又は、パーフルオロアルキルスルホネート基であり、ｈは１～３の整数、ｉは０～２の整数であり、ｈとｉの合計は１～３である。］

【0010】

前記（Ｉ）に対する前記（ＩＶ）の含有量が、モル比で０．００１以上、１未満であるとより好ましい。上記（ＩＶ）を加えることによって、表面処理剤から形成される保護膜の撥水性を向上させることが出来るが、特に上記の範囲内にすることで、より効果的に上記効果を得ることが可能となる。

【0011】

また、上記表面処理剤が、上記（ＩＶ）として、前記一般式［５］のｆが３で、Ｒ¹⁴が炭素数１～６の含フッ素アルキル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有するものであると、撥水性付与効果が特に優れたものとなりやすいため、より好ましい。中でも、上記（ＩＶ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃を含有すると、撥水性付与効果の観点から特に好ましい。

【0012】

また、上記表面処理剤が、上記（ＩＶ）として、上記一般式［６］のｈが３で、ｉが０であり、Ｒ¹⁵が炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６の含フッ素アルキル基であるケイ素化合物を含有すると、撥水性付与効果がより優れたものとなりやすいため好ましい。また、上記一般式［６］のＸが、クロロ基であると、撥水性付与効果がより優れたものとなりやすいため好ましい。中でも上記（ＩＶ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＣｌを含有すると特に好ましい。

【0013】

上記（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が０．０５～１０質量％であることが好ましい。

【0014】

上記（ＩＩ）が、２５℃、１気圧で液体であると、溶解性の観点から好ましい。

【0015】

上記一般式［４］の、Ｒ⁹が、炭素数が１～４のアルキル基、又は、トリメチルシリル基であり、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²が水素基であることが好ましい。

【0016】

また、上記（ＩＩ）が、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－エチルイミダゾール、Ｎ－プロピルイミダゾール、Ｎ－ブチルイミダゾール、及び、トリメチルシリルイミダゾールからなる群から選択される少なくとも１つであると、溶解性の観点から好ましい。

【0017】

上記（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（Ｉ）の濃度が０．１～３５質量％であると、被処理体の表面に均一に保護膜を形成しやすくなるため好ましい。０．１質量％以上では、撥水性付与効果を得やすい傾向がある。また、３５質量％以下では、被処理体の表面を侵食したり、不純物として被処理体表面に残留したりする可能性が低いこと、またコスト的な観点から見ても好ましい。さらに好ましくは０．５～３０質量％、より好ましくは１～２０質量％、特に好ましくは１～９質量％である。

【0018】

また、上記表面処理剤が、上記（Ｉ）として、上記一般式［１］のａが３で、Ｒ²がメチル基で、Ｒ³が炭素数１～６の含フッ素アルキル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有するものであると、撥水性付与効果がより優れたものとなりやすいため好ましく、中でも、上記（Ｉ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃を含有することが特に好ましい。

【0019】

また、上記表面処理剤が、上記（Ｉ）として、前記一般式［２］のｃ及びｅが３で、Ｒ⁵がメチル基又はトリフルオロメチル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有するものであると、撥水性付与効果がより優れたものとなりやすいため好ましく、中でも、上記（Ｉ）として、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（ＣＦ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃を含有すると特に好ましい。

【0020】

上記有機溶媒が、非プロトン性溶媒であることが好ましい。

【0021】

本開示の第２の態様は、被処理体の表面に、上記のいずれかに記載の表面処理剤を接触させ、当該被処理体の表面を処理する表面処理体の製造方法である。

【0022】

本開示によれば、調液時に原料を溶かすのに時間がかかってしまったり、撥水性付与効果が不十分であったりする恐れがない表面処理剤、及び当該表面処理剤を使用した表面処理体の製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】（ＩＩ）の濃度に対する、表面処理後の接触角のプロットと溶解時間の傾向を示す図（ＰＧＭＥＡ溶媒）である。

【図2】（ＩＩ）の濃度に対する、表面処理後の接触角のプロットと溶解時間の傾向を示す図（ｎ－デカン、ＴＰＧＤＭＥ混合溶媒）である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

１．表面処理剤について
本開示の表面処理剤は、被処理体の表面をシリル化する際に使用され、
（Ｉ）上記一般式［１］及び［２］で示されるケイ素化合物のうち少なくとも１種、
（ＩＩ）上記一般式［３］で示される含窒素複素環化合物、上記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物、及び、イミダゾールのうち少なくとも１種、
（ＩＩＩ）有機溶媒、及び
（ＩＶ）上記一般式［５］及び［６］で示されるケイ素化合物のうち少なくとも１種を含む。

【0025】

被処理体の種類は特に限定されない。被処理体としては、「基板」が好ましい。ここで、シリル化処理の対象となる「基板」としては、半導体デバイス作製のために使用される基板が例示され、「基板の表面」とは、基板自体の表面のほか、基板上に設けられた無機パターン及び樹脂パターンの表面、並びにパターン化されていない無機層及び有機層の表面が例示される。

【0026】

基板上に設けられた無機パターンとしては、フォトレジスト法により基板に存在する無機層の表面にエッチングマスクを作製し、その後、エッチング処理することにより形成されたパターンが例示される。無機層としては、基板自体の他、基板を構成する元素の酸化膜、基板の表面に形成した窒化珪素、窒化チタン、タングステン等の無機物の膜や層等が例示される。このような膜や層としては、特に限定されないが、半導体デバイスの作製過程において形成される無機物の膜や層等が例示される。

【0027】

基板上に設けられた樹脂パターンとしては、フォトレジスト法により基板上に形成された樹脂パターンが例示される。このような樹脂パターンは、例えば、基板上にフォトレジストの膜である有機層を形成し、この有機層に対してフォトマスクを通して露光し、現像することによって形成される。有機層としては、基板自体の表面の他、基板の表面に設けられた積層膜の表面等に設けられたものが例示される。このような有機層としては、特に限定されないが、半導体デバイスの作製過程において、エッチングマスクを形成するために設けられた有機物の膜が例示される。

【0028】

上記（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）を、上記（ＩＩＩ）の有機溶媒に溶解した溶液タイプの表面処理剤を、例えばスピンコート法や浸漬法等の手段によって基板等の被処理体の表面に塗布して、接触させることにより、表面処理することができる。また、上記の溶液タイプの表面処理剤を、例えば、蒸気化して当該蒸気を基板等の被処理体の表面に供給して、当該被処理体の表面に凝集させて液体状態にして保持することで、接触させることにより、表面処理することもできる。

【0029】

以下、各成分について説明する。

【0030】

（Ｉ）ケイ素化合物について
上記一般式［１］のＲ¹基、及び、上記一般式［２］のＲ⁴基は、撥水性の官能基である。そして、上記一般式［１］の－Ｎ（Ｒ²）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ³基、及び、上記一般式［２］の－ＯＣ（Ｒ⁵）＝ＮＳｉ（Ｒ⁶）_e（Ｈ）_3-e基が被処理体の表面と反応し、上記撥水性の官能基を有する部位が被処理体に固定されることにより、該被処理体に撥水性の保護膜（以降、「撥水性保護膜」や単に「保護膜」と記載する場合がある）が形成する。また上述の、被処理体の表面と反応する基が、保護膜の撥水性をより高める構造であると一層好ましい。該ケイ素化合物と、上記（ＩＩ）成分とを用いると、該ケイ素化合物と被処理体の表面が早く反応するようになり、撥水性付与効果が得られる。

【0031】

上記一般式［１］のケイ素化合物の具体例としては、ＣＨ₃Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、（Ｃ₄Ｈ₉）₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、（ＣＨ₃）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₄Ｈ₉）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（Ｈ）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、ＣＨ₃Ｓｉ（Ｈ）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（Ｈ）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（Ｈ）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（Ｈ）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（Ｈ）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕₂、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₄Ｆ
₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃等のＮ－メチル－Ｎ－アルキルシリルトリフルオロアセトアミド、あるいは、上記Ｎ－メチル－Ｎ－アルキルシリルトリフルオロアセトアミドの－Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃基を該－Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃基以外の－Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ³（Ｒ³は、一部又はすべての水素元素がフッ素元素に置き換えられていてもよい炭素数が１～６のアルキル基）に置き換えたものなどが挙げられる。また、上記化合物の－Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ³のメチル基部分を、水素基、エチル基、プロピル基、ブチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等に置き換えた化合物が挙げられる。なお、上記一般式［１］のケイ素化合物としては、市販のものを用いることができる。例えば、Ｎ－メチル－Ｎ－トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド〔（ＣＨ₃）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕であれば、東京化成工業株式会社製のものを用いることができる。

【0032】

撥水性付与効果の観点から、上記一般式［１］のＲ²基が、一部又はすべての水素元素がフッ素元素に置き換えられていてもよい炭素数が１～４のアルキル基、又は水素基が好ましく、炭素数が１～４のアルキル基、又は水素基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。

【0033】

撥水性付与効果の観点から、上記一般式［１］のＲ³基が、全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられたアルキル基が好ましく、該アルキル基の炭素数は１～４がより好ましく、特に炭素数は１が好ましい。

【0034】

また、上記一般式［１］において４－ａ－ｂで表される－Ｎ（Ｒ²）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ³基の数が１であると、上記保護膜を均質に形成できるのでより好ましい。

【0035】

また、上記一般式［１］においてｂが０であると、後述の保護膜形成後の洗浄において撥水性を維持しやすいため好ましい。

【0036】

さらに、上記一般式［１］のＲ¹基は、２個のメチル基と１個の直鎖状アルキル基の組合せであると、上記保護膜を均質に形成できるのでより好ましい。さらに、Ｒ¹基は、３個のメチル基が好ましい。

【0037】

上記一般式［２］のケイ素化合物の具体例としては、ＣＨ₃Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、（Ｃ₄Ｈ₉）₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₃ＳｉＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₄Ｈ₉）₃ＳｉＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（Ｈ）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、ＣＨ₃Ｓｉ（Ｈ）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（Ｈ）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（Ｈ）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（Ｈ）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（Ｈ）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、
Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）〔ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕₂、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃等の化合物、あるいは、上記化合物の－ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃基を該－ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃基以外の－ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（Ｒ⁶）_e（Ｈ）_3-e基（Ｒ⁶は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１～１８の１価の炭化水素基）に置き換えたものなどが挙げられる。また、上記化合物の－ＯＣ（ＣＨ₃）＝ＮＳｉ（Ｒ⁶）_e（Ｈ）_3-e基のメチル基部分を、水素基、エチル基、プロピル基、ブチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等に置き換えた化合物が挙げられる。なお、上記一般式［２］のケイ素化合物としては、市販のものを用いることができる。例えば、Ｎ，Ｏ－ビス(トリメチルシリル)トリフルオロアセトアミド〔（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（ＣＦ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕であれば、東京化成工業株式会社製のものを用いることができる。

【0038】

撥水性付与効果の観点から、上記一般式［２］のＲ⁵基が、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていてもよい炭素数が１～４のアルキル基が好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。

【0039】

また、撥水性付与効果の観点から、上記一般式［２］のＲ⁶基は、３個のメチル基が好ましい。

【0040】

また、上記一般式［２］において４－ｃ－ｄで表される－ＯＣ（Ｒ⁵）＝ＮＳｉ（Ｒ⁶）_e（Ｈ）_3-e基の数が１であると、上記保護膜を均質に形成できるのでより好ましい。

【0041】

また、上記一般式［２］においてｄが０であると、後述の保護膜形成後の洗浄において撥水性を維持しやすいため好ましい。

【0042】

さらに、上記一般式［２］のＲ⁴基は、２個のメチル基と１個の直鎖状アルキル基の組合せであると、上記保護膜を均質に形成できるのでより好ましい。さらに、Ｒ⁴基は、３個のメチル基が好ましい。

【0043】

また、上記表面処理剤が、上記（Ｉ）として、上記一般式［１］のａが３で、Ｒ²がメチル基で、Ｒ³が炭素数１～６の含フッ素アルキル基である少なくとも１種のケイ素化合物を含有し、後述する（ＩＶ）として、前述した一般式［５］で示されるケイ素化合物である、トリメチルシリルトリフルオロアセテートを含有する表面処理剤とすると、更に優れた撥水性付与効果を発揮することができるため好ましい。

【0044】

上記（Ｉ）～（ＩＶ）の総量１００質量％に対して、（Ｉ）の濃度が、０．１～３５質量％であると、被処理体の表面に均一に保護膜を形成しやすくなるため好ましい。０．１質量％以上だと、撥水性付与効果を得やすい傾向がある。また、３５質量％を以下だと、被処理体の表面を侵食したり、不純物として被処理体表面に残留したりする可能性が低いこと、またコスト的な観点から見ても好ましい。さらに好ましくは０．５～３０質量％、より好ましくは１～２０質量％、特に好ましくは１～９質量％である。

【0045】

（ＩＩ）成分について
上記一般式［３］で示される含窒素複素環化合物、上記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物、及び、イミダゾールは、上記一般式［１］の－Ｎ（Ｒ²）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ³基、及び、上記一般式［２］の－ＯＣ（Ｒ⁵）＝ＮＳｉ（Ｒ⁶）_e（Ｈ）_3-e基と被処理体の表面との反応を促進するものであり、それ自身が保護膜の一部を形成するものであってもよい。

【0046】

上記一般式［３］で示される含窒素複素環化合物は、Ｒ⁷が、炭素数が３の２価の炭化水素基であり、Ｒ⁸が、炭素元素及び／又は窒素元素と、水素元素からなり、炭素数と窒素数の合計が３～５で、環を構成しない炭素元素が存在してもよい２価の有機基であることが好ましく、また、調液後に不溶解物が生じがたいという観点から、２５℃１気圧で液体であることが好ましく、その具体例としては、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０]－５－ノネン 、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン等が挙げられる。

【0047】

上記一般式［３］で示される含窒素複素環化合物としては、市販のものを用いることができ、入手が比較的容易であるという観点から、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０]－５－ノネン（例えば東京化成工業株式会社製）、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン（例えば東京化成工業株式会社製）、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン（例えば東京化成工業株式会社製）等を用いることができる。

【0048】

上記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物は、Ｒ⁹が、炭素数が１～４のアルキル基、又は、トリメチルシリル基であり、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²が水素基であることが好ましく、その具体例としては、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－エチルイミダゾール、Ｎ－プロピルイミダゾール、Ｎ－ブチルイミダゾール、トリメチルシリルイミダゾール等が挙げられる。

【0049】

また、調液後に不溶解物が生じ難いという観点から、上記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物は２５℃１気圧で液体であることが好ましく、例えば、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－エチルイミダゾール、Ｎ－プロピルイミダゾール、Ｎ－ブチルイミダゾール、トリメチルシリルイミダゾール等が好ましい。

【0050】

上記一般式［４］で示される含窒素複素環化合物、及び、イミダゾールとしては、市販のものを用いることができ、入手が比較的容易であるという観点から、イミダゾール（例えば東京化成工業株式会社製）、Ｎ－メチルイミダゾール（例えば東京化成工業株式会社製）、Ｎ－エチルイミダゾール（例えば東京化成工業株式会社製）、Ｎ－プロピルイミダゾール（例えば東京化成工業株式会社製）、Ｎ－ブチルイミダゾール（例えば東京化成工業株式会社製）、トリメチルシリルイミダゾール（例えば東京化成工業株式会社製）等を用いることができる。

【0051】

上記（Ｉ）～（ＩＶ）の総量１００質量％に対して、（ＩＩ）の濃度が、０．０５～１０質量％が好ましい。０．０５質量％以上であれば反応促進効果（ひいては撥水性付与効果）を発揮しやすいため好ましい。１０質量％以下であれば、被処理体表面などを浸食し難く、不純物として被処理体表面に残留し難いため好ましい。また、有機溶媒に溶解せずに不均質な表面処理剤になるということも起こり難いため好ましい。該濃度は０．０７～５質量％がより好ましく、０．１～２質量％がさらに好ましい。

【0052】

（ＩＩＩ）有機溶媒について
上記表面処理剤において、上記（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）は、（ＩＩＩ）有機溶媒に溶解している。表面処理剤が有機溶媒を含有することにより、スピンコート法や浸漬法等による被処理体の表面処理が容易になる。

【0053】

有機溶媒としては、上記（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）を溶解でき、且つ、被処理体の表面（例えば、基板の表面（無機パターン、樹脂パターン等））に対するダメージの少ないものであれば、特に限定されずに従来公知の有機溶媒を使用することができる。

【0054】

上記有機溶媒は、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、スルホン系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、多価アルコールの誘導体のうちＯＨ基を持たないもの、Ｎ－Ｈ基を持たない窒素元素含有溶媒、シリコーン溶媒、テルペン系溶媒などの非プロトン性溶媒、チオール類、あるいは、それらの混合液が好適に使用される。この中でも、炭化水素類、エステル類、エーテル類、含ハロゲン溶媒、多価アルコールの誘導体のうちＯＨ基を持たないもの、あるいは、それらの混合液を用いると、被処理体に撥水性保護膜を短時間に形成できるためより好ましい。なお、上記（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）の溶解性の観点からは、上記有機溶媒としては非極性溶媒の含有量が少ないものほど好ましく、上記有機溶媒として非極性溶媒を用いないものが特に好ましい。

【0055】

上記炭化水素類の例としては、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカン、ｎ－ウンデカン、ｎ－ドデカン、ｎ－テトラデカン、ｎ－ヘキサデカン、ｎ－オクタデカン、ｎ－アイコサン、並びにそれらの炭素数に対応する分岐状の炭化水素（例えば、イソドデカン、イソセタンなど）、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、デカリン、ベンゼン、トルエン、キシレン、（オルト－、メタ－、又はパラ－）ジエチルベンゼン、１，３，５－トリメチルベンゼン、ナフタレン等があり、上記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸ｎ－プロピル、酢酸ｉ－プロピル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸ｉ－ブチル、酢酸ｎ－ペンチル、酢酸ｉ－ペンチル、酢酸ｎ－ヘキシル、酢酸ｎ－ヘプチル、酢酸ｎ－オクチル、ぎ酸ｎ－ペンチル、プロピオン酸ｎ－ブチル、酪酸エチル、酪酸ｎ－プロピル、酪酸ｉ－プロピル、酪酸ｎ－ブチル、ｎ－オクタン酸メチル、デカン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸ｎ－プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸エチル、アジピン酸ジメチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル等があり、上記エーテル類の例としては、ジ－ｎ－プロピルエーテル、エチル－ｎ－ブチルエーテル、ジ－ｎ－ブチルエーテル、エチル－ｎ－アミルエーテル、ジ－ｎ－アミルエーテル、エチル－ｎ－ヘキシルエーテル、ジ－ｎ－ヘキシルエーテル、ジ－ｎ－オクチルエーテル、並びにそれらの炭素数に対応するジイソプロピルエーテル、ジイソアミルエーテルなどの分岐状の炭化水素基を有するエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、ジフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルパーフルオロプロピルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、メチルパーフルオロヘキシルエーテル、エチルパーフルオロヘキシルエーテル等があり、上記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、シクロヘキサノン、イソホロン等があり、上記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼン等のパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３－ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３－ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン製）等のハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンＡＥ－３０００（旭硝子製）、Ｎｏｖｅｃ７１００、Ｎｏｖｅｃ７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれも３Ｍ製）等のハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルム等のハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタン等のクロロフルオロカーボン、１，１－ジクロロ－２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロパン、１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン、１－クロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン、１，２－ジクロロ－３，３，３－トリフルオロプロペン等のハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテル等があり、上記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシド等があり、上記スルホン系溶媒の例としては、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２－ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等があり、上記ラクトン系溶媒の例としては、β－プロピオラクトン、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、γ－ヘキサノラクトン、γ－ヘプタノラクトン、γ－オクタノラクトン、γ－ノナノラクトン、γ－デカノラクトン、γ－ウンデカノラクトン、γ－ドデカノラクトン、δ－バレロラクトン、δ－ヘキサノラクトン、δ－オクタノラクトン、δ－ノナノラクトン、δ－デカノラクトン、δ－ウンデカノラクトン、δ－ドデカノラクトン、ε－ヘキサノラクトン等があり、上記カーボネート系溶媒の例としては、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート等があり、上記多価アルコールの誘導体のうちＯＨ基を持たないものの例としては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジメチルエーテル、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルプロピオネート等があり、上記Ｎ－Ｈ基を持たない窒素元素含有溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ－プロピル－２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、１，３－ジエチル－２－イミダゾリジノン、１，３－ジイソプロピル－２－イミダゾリジノン、トリエチルアミン、ピリジン等があり、シリコーン溶媒の例としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン等があり、テルペン系溶媒の例としては、ｐ－メンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、テルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン等があり、上記チオール類の例としては、１－ヘキサンチオール、２－メチル－１－ペンタンチオール、３－メチル－１－ペンタンチオール、４－メチル－１－ペンタンチオール、２，２－ジメチル－１－ブタンチオール、３，３－ジメチル－１－ブタンチオール、２－エチル－１－ブタンチオール、１－ヘプタンチオール、ベンジルチオール、１－オクタンチオール、２－エチル－１－ヘキサンチオール、１－ノナンチオール、１－デカンチオール、１－ウンデカンチオール、１－ドデカンチオール、１－トリデカンチオール等がある。

【0056】

また、上記有機溶媒は、上記（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）の溶解性の観点から、多価アルコールの誘導体のうちＯＨ基を持たないものが好ましい。上記多価アルコールの誘導体のうちＯＨ基を持たないものの具体例としては、上述の列挙化合物等が挙げられ、その中でも、環境負荷が小さいという観点から、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートが好ましく、特にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。

【0057】

（ＩＶ）一般式［５］、及び［６］で示されるケイ素化合物について
前述した（Ｉ）～（ＩＩＩ）を含む表面処理剤を用いることで、被処理体に優れた撥水性を付与することが可能である。上記の表面処理剤に、さらに上記（ＩＶ）成分を含有させることで、被処理体表面に形成する保護膜の撥水性をより高めることができる。上記の効果が得られた具体的なメカニズムは不明だが、上記成分（ＩＶ）と、上記成分（Ｉ）、成分（ＩＩ）、又は被処理体等との間に、何らかの反応や相互作用等を生じたことによって、得られる保護膜の撥水性がより高まったと考えられる。例えば、上記成分（ＩＶ）が被処理体と結合を形成、又は保護膜中に取り込まれる等によって、上記一般式［５］のＲ¹³基や上記一般式［６］のＲ¹⁵基で示される撥水性の官能基が上記被処理体又は保護膜中に固定され、保護膜の撥水性をより高めた可能性が挙げられる。上記の他にも、例えば、表面処理剤内に上記成分（ＩＶ）を有することで上記成分（Ｉ）の反応が促進され、上記被処理体又は保護膜中に固定される上記成分（Ｉ）由来の撥水性の官能基が増加した可能性等が挙げられる。

【0058】

上記一般式［５］のケイ素化合物の具体例としては、ＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、（Ｃ₄Ｈ₉）₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₃ＳｉＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₄Ｈ₉）₃ＳｉＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（Ｈ）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、ＣＨ₃Ｓｉ（Ｈ）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（Ｈ）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（Ｈ）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（Ｈ）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（Ｈ）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃）₂、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃等のトリフルオロアセトキシシラン、あるいは、上記トリフルオロアセトキシシランの－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃基を、該－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃基以外の－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹⁴（Ｒ¹⁴は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていてもよい炭素数が１～６のアルキル基）に置き換えたものなどが挙げられる。なお、上記一般式［５］のケイ素化合物としては、市販のものを用いることができる。例えば、トリメチルシリルトリフルオロアセテート〔（ＣＨ₃）₃Ｓｉ－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕であれば、東京化成工業株式会社製のものを用いることができる。

【0059】

撥水性付与効果の観点から、上記－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹⁴基のＲ¹⁴は、全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられたアルキル基が好ましく、該アルキル基の炭素数は１～４がより好ましく、特に炭素数は１が好ましい。

【0060】

また、上記一般式［５］において４－ｆ－ｇで表される－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹⁴基の数が１であると、より優れた撥水性付与効果が得られ易いためより好ましい。

【0061】

また、上記一般式［５］においてｇが０であると、より優れた撥水性付与効果が得られ易いため好ましい。

【0062】

さらに、撥水性付与効果の観点から、上記一般式［５］のＲ¹³は、２個のメチル基と１個の直鎖状アルキル基の組合せであるとより好ましい。さらに、Ｒ¹³基は、３個のメチル基が特に好ましい。

【0063】

上記一般式［６］で示される化合物の具体例としては、ＣＨ₃ＳｉＣｌ₃、Ｃ₂Ｈ₅ＳｉＣｌ₃、Ｃ₃Ｈ₇ＳｉＣｌ₃、Ｃ₄Ｈ₉ＳｉＣｌ₃、Ｃ₅Ｈ₁₁ＳｉＣｌ₃、Ｃ₆Ｈ₁₃ＳｉＣｌ₃、Ｃ₇Ｈ₁₅ＳｉＣｌ₃、Ｃ₈Ｈ₁₇ＳｉＣｌ₃、Ｃ₉Ｈ₁₉ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₀Ｈ₂₁ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₁Ｈ₂₃ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₃Ｈ₂₇ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₄Ｈ₂₉ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₅Ｈ₃₁ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₆Ｈ₃₃ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₇Ｈ₃₅ＳｉＣｌ₃、Ｃ₁₈Ｈ₃₇ＳｉＣｌ₃、（ＣＨ₃）₂ＳｉＣｌ₂、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＳｉＣｌ₂、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、（Ｃ₃Ｈ₇）₂ＳｉＣｌ₂、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、（Ｃ₄Ｈ₉）₂ＳｉＣｌ₂、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、（ＣＨ₃）₃ＳｉＣｌ、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ、（Ｃ₂Ｈ₅）₃ＳｉＣｌ、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ、（Ｃ₃Ｈ₇）₃ＳｉＣｌ、Ｃ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、（Ｃ₄Ｈ₉）₃ＳｉＣｌ、Ｃ₅Ｈ₁₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₆Ｈ₁₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₇Ｈ₁₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₈Ｈ₁₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₉Ｈ₁₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₀Ｈ₂₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₁Ｈ₂₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₃Ｈ₂₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ（Ｈ）Ｃｌ、ＣＨ₃Ｓｉ（Ｈ）₂Ｃｌ、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｓｉ（Ｈ）Ｃｌ、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（Ｈ）₂Ｃｌ、Ｃ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）Ｃｌ、（Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（Ｈ）Ｃｌ、Ｃ₃Ｈ₇Ｓｉ（Ｈ）₂Ｃｌ、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣｌ₃、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）Ｃｌ₂、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₂Ｆ₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₃Ｆ₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₄Ｆ₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₅Ｆ₁₁ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₇Ｆ₁₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、Ｃ₈Ｆ₁₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｃｌ、ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）（Ｈ）Ｃｌ等のクロロシラン、あるいは、上記クロロシランの－Ｃｌ基を、クロロ基以外のハロゲン基、アルキルスルホネート基、パーフルオロアルキルスルホネート基に置き換えたものなどが挙げられる。なお、上記一般式［６］で示される化合物としては、市販のものを用いることができる。例えば、トリメチルクロロシラン〔（ＣＨ₃）₃ＳｉＣｌ〕であれば、東京化成工業株式会社製のものを用いることができる。

【0064】

撥水性付与効果の観点から、上記一般式［６］のＲ¹⁵基が、一部又はすべての水素元素がフッ素元素に置き換えられていてもよい炭素数が１～４のアルキル基が好ましく、炭素数が１～４のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。

【0065】

また、上記一般式［６］においてｈが３でｉが０であると、より優れた撥水性付与効果が得られ易いためより好ましい。

【0066】

前述したように、前記（Ｉ）に対する前記（ＩＶ）の含有量が、モル比で０．００１以上、１未満であることが好ましい。モル比が０．００１以上であれば、保護膜の撥水性を高める効果を得やすい為好ましい。また、前記（ＩＶ）の含有量を増やすにつれて撥水性が高くなっていくが、ある程度まで高まるとそれ以上は高くなり難くなる傾向にあることから、コストの観点からは、上限をモル比で１未満とするのが好ましい。また、（ＩＶ）の成分として、上記の一般式［５］のケイ素化合物のみで用いても、上記一般式［６］のケイ素化合物のみで用いても、上記一般式［５］のケイ素化合物と上記一般式［６］のケイ素化合物とを両方用いてもよい。なお、上記の含有量は、（ＩＶ）として用いる成分の合計量を示すものとする。

【0067】

また、前記（ＩＶ）として一般式［５］のケイ素化合物のみを用いる場合、より好ましくは０．００５以上、１未満、さらに好ましくは０．０１以上、０．５以下としてもよい。また、前記（ＩＶ）として一般式［６］のケイ素化合物のみを用いる場合、より好ましくは０．００１以上、１未満、さらに好ましくは０．０１以上、０．５以下としてもよい。

【0068】

その他の成分について
本開示の表面処理剤は、安定性をさらに高めるために、重合禁止剤や連鎖移動剤、酸化防止剤等の添加剤を含んでいてもよい。また、その他の成分としてヘプタメチルジシラザン（以降、「ＨＰＭＤＳ」と記載する場合がある）を含有してもよい。

【0069】

また、上記表面処理剤の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し２０００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。水分量の総量が２０００質量ｐｐｍ以下の場合、上記（Ｉ）のケイ素化合物や（ＩＩ）成分の効果が発揮されやすく、上記保護膜を短時間で形成しやすくなる。また、上記表面処理剤の原料中の水分量の総量は少ないほど好ましく、特に５００質量ｐｐｍ以下、さらには２００質量ｐｐｍ以下が好ましい。さらに、水の存在量が少ないほど、上記表面処理剤の保管安定性が向上しやすいため、水分量は少ない方が好ましく、１００質量ｐｐｍ以下、さらには５０質量ｐｐｍ以下が好ましい。なお、上記水分量は少ないほど好ましいが上記の含有量範囲内であれば、上記表面処理剤の原料中の水分量は０．１質量ｐｐｍ以上であってもよい。従って、上記表面処理剤に含まれる（Ｉ）のケイ素化合物、（ＩＩ）成分、有機溶媒、（ＩＶ）成分は水を多く含有しないものであることが好ましい。

【0070】

また、上記表面処理剤中の液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における０．２μｍより大きい粒子の数が該表面処理剤１ｍＬ当たり１００個以下であることが好ましい。上記０．２μｍより大きい粒子の数が該表面処理剤１ｍＬ当たり１００個以下であると、パーティクルにより、被処理体にダメージを誘発する恐れが低減され、デバイスの歩留まり低下及び信頼性の低下を抑制できるため好ましい。また、０．２μｍより大きい粒子の数が該表面処理剤１ｍＬ当たり１００個以下であれば、上記保護膜を形成した後の、溶媒や水による洗浄を省略又は低減できるため好ましい。なお、上記０．２μｍより大きい粒子の数は少ないほど好ましいが上記の含有量範囲内であれば該表面処理剤１ｍＬ当たり１個以上あってもよい。なお、本開示における表面処理剤中の液相でのパーティクル測定は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して測定するものであり、パーティクルの粒径とは、ＰＳＬ（ポリスチレン製ラテックス）標準粒子基準の光散乱相当径を意味する。

【0071】

ここで、上記パーティクルとは、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物、無機固形物などの粒子や、表面処理剤の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物、無機固形物などの粒子などであり、最終的に表面処理剤中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。

【0072】

また、上記表面処理剤中のＮａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ及びＡｇの各元素（金属不純物）の含有量が、該表面処理剤総量に対し各０．１質量ｐｐｂ以下であることが好ましい。上記金属不純物含有量が、該表面処理剤総量に対し０．１質量ｐｐｂ以下であると、デバイスの接合リーク電流を増大させる恐れが低減され、デバイスの歩留まりの低下及び信頼性の低下を抑制できるため好ましい。また、上記金属不純物含有量が、該表面処理剤総量に対し各０．１質量ｐｐｂ以下であると、上記保護膜を被処理体表面に形成した後の、溶媒や水による該被処理体表面（保護膜表面）の洗浄を省略又は低減できるため好ましい。このため、上記金属不純物含有量は少ないほど好ましいが、上記の含有量範囲内であれば該表面処理剤の総量に対して、各元素につき、０．００１質量ｐｐｂ以上であってもよい。

【0073】

２．表面処理体の製造方法について
本開示の表面処理体の製造方法は、被処理体の表面に上述の表面処理剤を接触させ、当該被処理体の表面を処理するものである。

【0074】

本開示の表面処理方法における処理対象である被処理体（以下、「基板」ともいう）の表面とは、基板自体の表面のほか、基板上に設けられた無機パターン及び樹脂パターンの表面、並びにパターン化されていない無機層及び有機層の表面を意味する。

【0075】

本開示の表面処理体の製造方法は、被処理体の表面をシリル化処理することにより表面処理体を得るものであり、その処理の目的はいかなるものであってもよいが、その処理の目的の代表的な例として、（１）基板等の被処理体の表面を疎水化し、例えばフォトレジスト等からなる樹脂パターン等に対する密着性を向上させること、（２）基板である被処理体の表面の洗浄中に、基板の表面の無機パターンや樹脂パターンのパターン倒れを防止することが挙げられる。

【0076】

上記（１）について、被処理体の表面に表面処理剤を接触する方法としては、従来公知の方法を特に制限なく使用することができ、例えば、表面処理剤を気化させて蒸気とし、その蒸気を被処理体の表面に接触させる方法、表面処理剤をスピンコート法や浸漬法等により被処理体の表面に接触させる方法等が挙げられる。フォトレジストの膜である有機層の形成に使用される基板が被処理体である場合、表面処理剤の接触は有機層の形成前に行うのがよい。
このような操作により、被処理体の表面がシリル化されて、被処理体の表面の疎水性が向上する。被処理体が基板であり表面処理剤により処理された基板を用いる場合、基板表面が疎水化されることにより、例えばフォトレジスト等に対する基板の密着性が向上する。
上記（２）については、無機パターンや樹脂パターンを形成した後の洗浄操作を行う前に、被処理体である基板の表面に対して表面処理剤を接触させてもよい。

【0077】

通常、基板の表面に無機パターンを形成した後には、ＳＰＭ（硫酸・過酸化水素水）やＡＰＭ（アンモニア・過酸化水素水）等の水系洗浄液により、パターンの表面を洗浄するのが一般的である。また、該洗浄後に基板表面に保持された水系洗浄液を該水系洗浄液とは異なる洗浄液（以降、「洗浄液Ａ」と記載する）に置換してさらに洗浄してもよい。上記洗浄液Ａとは、有機溶媒、該有機溶媒と水系洗浄液の混合物、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種が混合された洗浄液を示す。

【0078】

また、基板の表面に樹脂パターンを形成した後にも、水や活性剤リンス等の洗浄液により現像残渣や付着現像液を洗浄除去するのが一般的である。

【0079】

上記基板表面に、液体状態の上記表面処理剤や洗浄液を保持できる洗浄装置を用いるのであれば、該基板の洗浄（表面処理）方式は特に限定されない。例えば、基板をほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に液体を供給して基板を１枚ずつ洗浄するスピン洗浄装置を用いる洗浄方法に代表される枚葉方式や、洗浄槽内で複数枚の基板を浸漬し洗浄する洗浄装置を用いるバッチ方式が挙げられる。なお、基板表面に液体状態の上記表面処理剤や洗浄液を供給するときの該表面処理剤や洗浄液の形態としては、該基板表面に保持された時に液体になるものであれば特に限定されず、たとえば、液体、蒸気などがある。

【0080】

上記洗浄液Ａの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。

【0081】

液体状態の表面処理剤は、上記の水系洗浄液や洗浄液Ａを該表面処理剤に置換して使用される。また、上記の置換した表面処理剤は、該表面処理剤とは異なる洗浄液（以降、「洗浄液Ｂ」と記載する）に置換されてもよい。

【0082】

上記のように水系洗浄液や洗浄液Ａでの洗浄の後に、該洗浄液を液体状態の表面処理剤に置換し、基板に該表面処理剤が保持されている間に、該基板表面に上記保護膜が形成される。本開示において、保護膜は、必ずしも連続的に形成されていなくてもよく、また、必ずしも均一に形成されていなくてもよいが、より優れた撥水性を付与できるため、連続的に、また、均一に形成されていることがより好ましい。

【0083】

なお、基板に表面処理剤を保持させる時間は１～１２０秒間が好ましい。

【0084】

表面処理剤は、温度を高くすると、より短時間で上記保護膜を形成しやすくなる。均質な保護膜を形成しやすい温度は、１０℃以上、該表面処理剤の沸点未満であり、特には１５℃以上、該表面処理剤の沸点よりも１０℃低い温度以下で保持されることが好ましい。上記表面処理剤の温度は、基板に保持されているときも当該温度に保持されることが好ましい。なお、該表面処理剤の沸点は該表面処理剤に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分の沸点を意味する。

【0085】

上記のように保護膜を形成した後で、基板表面に残った液体状態の上記表面処理剤を、洗浄液Ｂに置換した後に、乾燥工程に移ってもよい。該洗浄液Ｂの例としては、水系洗浄液、有機溶媒、水系洗浄液と有機溶媒の混合物、又は、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種が混合されたもの、並びに、それらと表面処理剤の混合物等が挙げられる。上記洗浄液Ｂは、パーティクルや金属不純物の除去の観点から、水、有機溶媒、又は水と有機溶媒の混合物がより好ましい。

【0086】

上記洗浄液Ｂの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。

【0087】

また、表面処理剤により基板表面に形成された保護膜は、上記洗浄液Ｂとして有機溶媒を用いると、該洗浄液Ｂの洗浄によって撥水性が低下しにくい場合がある。

【0088】

基板表面に上記保護膜が形成されることによって撥水化されている。そして、該保護膜は、液体が基板表面から除去されるときも基板表面に保持される。

【0089】

基板表面に上記保護膜が形成されたとき、該表面に水が保持されたと仮定したときの接触角が８５～１３０°であると、フォトレジスト等からなる樹脂パターン等に対する密着性の観点や、パターン倒れが発生し難い観点から好ましく、９０～１３０°となることがより好ましい。

【0090】

次に、上記表面処理剤により保護膜が形成された基板表面に保持された液体を、乾燥により該基板表面から除去する。このとき、基板表面に保持されている液体は、上記表面処理剤、上記洗浄液Ｂ、又は、それらの混合液でも良い。上記混合液は、表面処理剤と洗浄液Ｂを混合したものや、表面処理剤に含まれる各成分が該表面処理剤よりも低濃度になるように含有されたものであり、該混合液は、上記表面処理剤を洗浄液Ｂに置換する途中の状態の液でも良いし、あらかじめ上記（Ｉ）～（ＩＶ）を洗浄液Ｂに混合して得た混合液でも良い。基板表面の清浄度の観点からは、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物が好ましい。また、上記基板表面から液体が一旦除去された後で、上記基板表面に洗浄液Ｂを保持させて、その後、乾燥しても良い。

【0091】

なお、保護膜形成後に洗浄液Ｂで洗浄する場合、該洗浄の時間、すなわち洗浄液Ｂが保持される時間は、上記基板表面のパーティクルや不純物の除去の観点から、１～６０秒間行うことが好ましい。上記基板表面に形成された保護膜の撥水性能の維持効果の観点から、洗浄液Ｂとして有機溶媒を用いると、該洗浄を行っても基板表面の撥水性を維持し易い傾向がある。

【0092】

上記乾燥によって、基板表面に保持された液体が除去される。当該乾燥は、スピン乾燥法、ＩＰＡ（２－プロパノール）蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、加熱乾燥、温風乾燥、送風乾燥、真空乾燥などの周知の乾燥方法によって行うことが好ましい。

【0093】

上記乾燥の後で、さらに保護膜を除去してもよい。撥水性保護膜を除去する場合、該撥水性保護膜中のＣ－Ｃ結合、Ｃ－Ｆ結合を切断することが有効である。その方法としては、上記結合を切断できるものであれば特に限定されないが、例えば、基板表面を光照射すること、基板を加熱すること、基板をオゾン曝露すること、基板表面にプラズマ照射すること、基板表面にコロナ放電すること等が挙げられる。

【0094】

光照射で保護膜を除去する場合、該保護膜中のＣ－Ｃ結合、Ｃ－Ｆ結合の結合エネルギーである８３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、１１６ｋｃａｌ／ｍｏｌに相当するエネルギーである３４０ｎｍ、２４０ｎｍよりも短い波長を含む紫外線を照射することが好ましい。この光源としては、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、カーボンアークなどが用いられる。紫外線照射強度は、メタルハライドランプであれば、例えば、照度計（コニカミノルタセンシング製照射強度計ＵＭ－１０、受光部ＵＭ－３６０〔ピーク感度波長：３６５ｎｍ、測定波長範囲：３１０～４００ｎｍ〕）の測定値で１００ｍＷ／ｃｍ²以上が好ましく、２００ｍＷ／ｃｍ²以上が特に好ましい。なお、照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ²未満では保護膜を除去するのに長時間要するようになる。また、低圧水銀ランプであれば、より短波長の紫外線を照射することになるので、照射強度が低くても短時間で保護膜を除去できるので好ましい。

【0095】

また、光照射で保護膜を除去する場合、紫外線で保護膜の構成成分を分解すると同時にオゾンを発生させ、該オゾンによって保護膜の構成成分を酸化揮発させると、処理時間が短くなるので特に好ましい。この光源として、低圧水銀ランプやエキシマランプなどが用いられる。また、光照射しながら基板を加熱してもよい。

【0096】

基板を加熱する場合、４００～１０００℃、好ましくは、５００～９００℃で基板の加熱を行うことが好ましい。この加熱時間は、１０秒～６０分間、好ましくは３０秒～１０分間の保持で行うことが好ましい。また、当該工程では、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。また、基板を加熱しながら光照射を行ってもよい。

【0097】

加熱により保護膜を除去する方法は、基板を熱源に接触させる方法、熱処理炉などの加熱された雰囲気に基板を置く方法などがある。なお、加熱された雰囲気に基板を置く方法は、複数枚の基板を処理する場合であっても、基板表面に保護膜を除去するためのエネルギーを均質に付与しやすいことから、操作が簡便で処理が短時間で済み処理能力が高いという工業的に有利な方法である。

【0098】

基板をオゾン曝露する場合、低圧水銀灯などによる紫外線照射や高電圧による低温放電等で発生させたオゾンを基板表面に供することが好ましい。基板をオゾン曝露しながら光照射してもよいし、加熱してもよい。

【0099】

上記の光照射、加熱、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電を組み合わせることによって、効率的に基板表面の保護膜を除去することができる。

【実施例】

【0100】

以下、本開示の実施形態をより具体的に開示した実験例を示す。なお、本開示はこれらの実験例のみに限定されるものではない。

【0101】

本開示では、表面処理剤の調液時における原料の溶解し易さと該表面処理剤で被処理体（以降、単に「ウェハ」とも表記する）を表面処理した際の撥水性付与効果について、評価を行った。なお、実施例及び比較例において、接触角を評価する際にウェハ表面に接触させる液体としては、水系洗浄液の代表的なものである水を用いた。

【0102】

ただし、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの場合、該凹凸パターン表面に形成された上記保護膜自体の接触角を正確に評価できない。

【0103】

水滴の接触角の評価は、ＪＩＳ Ｒ ３２５７「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」にもあるように、サンプル（基材）表面に数μｌの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Ｗｅｎｚｅｌ効果やＣａｓｓｉｅ効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状（ラフネス）に影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。

【0104】

そこで、実施例及び比較例では上記表面処理剤を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に保護膜を形成して、該保護膜を表面に微細な凹凸パターンが形成されたウェハの表面に形成された保護膜とみなし、種々評価を行った。なお、実施例及び比較例では、表面が平滑なウェハとして、表面が平滑なシリコンウェハ上にＳｉＯ₂層を有する「ＳｉＯ₂膜付きウェハ」を用いた。

【0105】

以下に、評価方法、表面処理剤の調液、表面処理剤を用いた表面処理体の製造方法、及び評価結果を記載する。

【0106】

〔評価方法〕
（Ａ）調液時の原料の溶解時間
液温を２５℃に維持した状態で表面処理剤の原料を混合して、目視にて原料の全量が溶解するまで撹拌した時間（溶解時間）を計測した。当然ながらこの溶解時間は短いほど原料が溶け易いため好ましい。
そこで、２５℃において、攪拌３０秒以内で原料が溶解した場合は合格とした。なお後述の表中で、攪拌５秒超、３０秒以内で原料が溶解した場合を○と表記し、攪拌５秒以内で原料が溶解した場合を「特に溶解性に優れる結果」として◎と表記した。
一方、攪拌を継続すれば原料が溶解するものの撹拌に３０秒超要する場合を△と表記し、攪拌を１時間超継続しても原料の全量が溶解できない場合を×と表記して、いずれも不合格とした。

【0107】

（Ｂ）ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価（撥水性付与効果の評価）
保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約２μｌを置き、水滴とウェハ表面とのなす角（接触角）を接触角計（協和界面科学製：ＣＡ－Ｘ型）で測定し、８５°以上を合格とした。

【0108】

［実施例１］
（１）表面処理剤の調液
表面処理剤の原料の、（Ｉ）Ｎ－メチル－Ｎ－トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド〔（ＣＨ₃）₃ＳｉＮ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕（東京化成工業株式会社製、以降「ＭＳＴＦＡ」と記載する場合がある）と、（ＩＩ）イミダゾール（東京化成工業株式会社製、以降「Ｉｍ」と記載する場合がある）と、（ＩＩＩ）有機溶媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成工業株式会社製、以降「ＰＧＭＥＡ」と記載する場合がある）と、（ＩＶ）トリメチルクロロシラン（東京化成工業株式会社製、以降「ＴＭＳ－Ｃｌ」と記載する場合がある）とを、表１に示す含有量となるように、液温を２５℃に維持しながら混合したところ、約１５秒間の撹拌にて原料の全量が溶解した溶液状態の表面処理剤が得られた。

【0109】

（２）シリコンウェハの洗浄
エッチング処理によるパターン形成後の被処理体に見立てた、平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ（表面に厚さ１μｍの熱酸化膜層を有するＳｉウェハ）を１質量％のフッ酸水溶液に室温で１０分浸漬し、純水に室温で１分、２－プロパノール（ｉＰＡ）に室温で１分浸漬した。

【0110】

（３）表面処理剤によるシリコンウェハの表面処理
上記洗浄後のシリコンウェハを、上記「（１）表面処理剤の調液」で調液した表面処理剤に室温で２０秒浸漬し、ｉＰＡに室温で１分浸漬した。最後に、シリコンウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。

【0111】

上記（Ｂ）に記載した要領で評価を実施したところ、表１に示すとおり、表面処理後の接触角は９３°となり、良好な撥水性付与効果を示した。

【0112】

［実施例２～６２、参考例１～１０、比較例１～９４］
表１～５に示すように、表面処理剤の原料の（Ｉ）～（ＩＶ）及び、その他の成分の種類や質量％濃度を変更して、それ以外は実施例１と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。
なお、表中で、「Ｎ－ＭｅＩｍ」はＮ－メチルイミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｎ－ＥｔＩｍ」はＮ－エチルイミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｎ－ＢｕＩｍ」はＮ－ブチルイミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＴＭＳ－Ｉｍ」はＮ－トリメチルシリルイミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｔｅｔ」は１Ｈ－テトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ＭｅＴｅｔ」は５－メチルテトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｔｒｉ」は１，２，４－トリアゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＢｚｏＴｒｉ」は１，２，３－ベンゾトリアゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｐｙｒ」はピラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「２－ＭｅＩｍ」は２－メチルイミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、
「４－ＭｅＩｍ」は４－メチルイミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＴＦＡｃＩｍ」は１－（トリフルオロアセチル）イミダゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「３－Ｍｅｒ－１，２，４－Ｔｒｉ」は３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ＭｅＢｚｏＴｒｉ」は５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ＡｍｉｎｏＴｅｔ」は５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｔｅｔ－１－ＡｃＯＨ」は１Ｈ－テトラゾール－１－酢酸（東京化成工業株式会社製）を意味し、「Ｔｅｔ－５－ＡｃＯＨ」は１Ｈ－テトラゾール－５－酢酸（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－Ｍｅｒ－１－ＭｅＴｅｔ」は５－メルカプト－１－メチルテトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ＢｎＴｅｔ」は５－ベンジル－１Ｈ－テトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ＰｈＴｅｔ」は５－フェニルテトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ｐＴｏｌＴｅｔ」は５－（ｐ－トリル）－１Ｈ－テトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－Ｍｅｒ－１－ＰｈＴｅｔ」は５－メルカプト－１－フェニル－１Ｈ－テトラゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「５－ＭｅＴｈｉＴｅｔ」は５－（メチルチオ）－１Ｈ－テトラゾール（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を意味し、「Ｓａｃ」はｏ－スルホンベンズイミド（サッカリン）（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ｉＯｘ」はイソオキサゾール（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＴＭＳ－ＤＭＡ」はＮ－（トリメチルシリル）ジメチルアミン（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＨＭＤＳ」は１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＴＤＡＣＰ」は２，２，５，５－テトラメチル－２，５－ジシラ－１－アザシクロペンタン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を意味し、「ＨＭＣＴＳ」は２，２，４，４，６，６－ヘキサメチルシクロトリシラザン（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＴＭＳ－ＴＦＡ」はトリメチルシリルトリフルオロアセテート〔（ＣＨ₃）₃Ｓｉ－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＢＳＴＦＡ」はＮ，Ｏ－ビス(トリメチルシリル)トリフルオロアセトアミド〔（ＣＨ₃）₃ＳｉＯＣ（ＣＦ₃）＝ＮＳｉ（ＣＨ₃）₃〕（東京化成工業株式会社製）を意味し、「ＴＨＦ」は テトラヒドロフラン（富士フイルム和光純薬株式会社製）を意味し、「ＨＰＭＤＳ」はヘプタメチルジシラザン（東京化成工業株式会社製）を意味する。
また、「ＰＧＭＥＡ／ＴＨＦ－０．０１」は、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対するＴＨＦ（富士フイルム和光純薬株式会社製）の濃度が０．０１質量％である、ＰＧＭＥＡ（東京化成工業株式会社製）とＴＨＦとの混合溶媒を意味する。

【0113】

【表1】

【0114】

【表2】

【0115】

【表3】

【0116】

【表4】

【0117】

【表5】

【0118】

実施例１～６では、（ＩＶ）成分だけが無い参考例１～５と同様に、表面処理剤の調液時の溶解時間がいずれも３０秒以内と短く、得られた表面処理剤を用いると、被処理体（ウェハ）表面に優れた撥水性を付与することができた。さらには、実施例１～６と参考例１～５とを比較すると、本開示で規定する（ＩＶ）成分を含有することで、撥水性付与効果がより高まることが確認された。
上述の傾向は、表４、５に示す各実施例と、それらに対応する各参考例においても確認された。

【0119】

これに対し、本開示の表面処理剤とは（ＩＩ）成分が異なる比較例１～４２に係る組成では、原料を混合後３０秒超攪拌を継続しないと不溶解成分が溶解しない（比較例１，２，４，６，７，９，１０，１２～１６，１８～２０，２２，２３，２５，２７，２８，３０，３１，３３～３７，３９～４１）、または、原料を混合後１時間撹拌を継続した後も溶け残った不溶解成分が目視で確認され（比較例３，１１，１７，２４，３２，３８）、あるいは、溶解時間は３０秒以内と短いものの撥水性付与効果が劣る結果（比較例５，８，２１，２６，２９，４２）であり、本開示の表面処理剤よりも劣るものであった。（なお、比較例１～４２で用いた（ＩＩ）成分は、それぞれ、特開２０１７－０６３１７９号公報の実施例１５，１６，１９～２１，３４，３５，３８～５１の表面処理剤に用いられた「ケイ素原子を含まない含窒素複素環化合物」に相当する。）

【0120】

また、本開示の表面処理剤とは（Ｉ）成分が異なる比較例４３～４７，６９～７３に係る組成（それぞれ、特開２０１７－０６３１７９号公報の実施例１～９，２２，２３の表面処理剤に対応する組成）では、溶解時間は３０秒以内と短いものの撥水性付与効果が劣る結果（比較例４３～４７，６９～７３）であり、本開示の表面処理剤よりも劣るものであった。

【0121】

また、本開示の表面処理剤とは（Ｉ）成分及び（ＩＩ）成分がともに異なる比較例４８～６８，７４～９４に係る組成（それぞれ、特開２０１７－０６３１７９号公報の実施例１５，１６，１９～２１，３４，３５，３８～５１の表面処理剤に対応する組成）では、原料を混合後３０秒超攪拌を継続しないと溶解しない（比較例５１，５２，５４，５６，５７，６２，７７，７８，８０，８２，８３，８８）、原料を混合後１時間撹拌を継続した後も溶け残った不溶解成分が目視で確認され（比較例４８～５０，５３，５８～６１，６３～６７，７４～７６，７９，８４～８７，８９～９３）、あるいは、溶解時間は短いものの撥水性付与効果が劣る結果（比較例５５，６８，８１，９４）であり、本開示の表面処理剤よりも劣るものであった。

【0122】

また、表１より、（ＩＩ）として２５℃１気圧で液体状態であるＮ－ＭｅＩｍ、Ｎ－ＥｔＩｍ、Ｎ－ＢｕＩｍ、ＴＭＳ－Ｉｍを用いた実施例２～６に係る表面処理剤は、（ＩＩ）として２５℃１気圧で固体状態であるＩｍを用いた実施例１に係る表面処理剤に比べて溶解時間が５秒以内と非常に短く、原料の溶解時間の短縮の観点でより優れたものであった。また、撥水性付与効果の観点から、（ＩＩ）としてＮ－ＭｅＩｍ、Ｎ－ＥｔＩｍ、及び、Ｎ－ＢｕＩｍからなる群から選択される少なくとも１つを用いることが好ましいことが確認された。

【0123】

また、表４,５より、（Ｉ）成分に対する（ＩＶ）成分のモル比が高くなるにつれて、保護膜の接触角が高くなり、ある程度高くなると（ＩＶ）成分のモル比を大きくしてもそれ以上高くならないことが確認された。

【0124】

［実施例６３］
（Ｉ）及び（ＩＶ）の原料として、ＭＳＴＦＡ、及び、無水トリフルオロ酢酸〔ＣＦ₃Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ₃〕（東京化成工業株式会社製、以降「ＴＦＡＡ」と記載する場合がある）と、（ＩＩ）Ｎ－ＭｅＩｍと、（ＩＩＩ）ＰＧＭＥＡとを、液温を２５℃に維持しながら混合した。
上記の原料は、一部のＭＳＴＦＡとＴＦＡＡとが反応して、素早く（ＩＶ）のＴＭＳ－ＴＦＡを生成する。
以上により、（Ｉ）ＭＳＴＦＡと、（ＩＩ）Ｎ－ＭｅＩｍと、（ＩＩＩ）ＰＧＭＥＡと、（ＩＶ）ＴＭＳ－ＴＦＡとを、表６に示す含有量含む表面処理剤を得た。なお、５秒以内の撹拌にて原料の全量が溶解した溶液状態の表面処理剤が得られた。その後は実施例１と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。

【0125】

［実施例６４、６７～７１］
表面処理剤の原料の（Ｉ）～（ＩＶ）及び、その他の成分の種類や質量％濃度を変更した以外は上記の実施例６３と同様に表面処理剤の調液を行い、各成分を表６に示す含有量含む表面処理剤を得た。なお、実施例６９～７１については、表６に記載したように（ＩＶ）としてＴＭＳ－Ｃｌも併せて使用した。その後は実施例１と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。

【0126】

［実施例６５］
（Ｉ）及び（ＩＶ）の原料として、ＭＳＴＦＡ、及び、トリフルオロ酢酸〔ＣＦ₃Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨ〕（東京化成工業株式会社製、以降「ＴＦＡ」と記載する場合がある）と、（ＩＩ）Ｎ－ＭｅＩｍと、（ＩＩＩ）ＰＧＭＥＡとを、液温を２５℃に維持しながら混合した。
上記の原料は、一部のＭＳＴＦＡとＴＦＡとが素早く反応して、（ＩＶ）のＴＭＳ－ＴＦＡを生成する。
以上により、（Ｉ）ＭＳＴＦＡと、（ＩＩ）Ｎ－ＭｅＩｍと、（ＩＩＩ）ＰＧＭＥＡと、（ＩＶ）ＴＭＳ－ＴＦＡとを、表６に示す含有量含む表面処理剤を得た。なお、５秒以内の撹拌にて原料の全量が溶解した溶液状態の表面処理剤が得られた。その後は実施例１と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。

【0127】

［実施例６６、７２～７６］
表面処理剤の原料の（Ｉ）～（ＩＶ）及び、その他の成分の種類や質量％濃度を変更した以外は上記の実施例６５と同様に表面処理剤の調液を行い、各成分を表６に示す含有量含む表面処理剤を得た。なお、実施例７４～７６については、表６に記載したように（ＩＶ）としてＴＭＳ－Ｃｌも併せて使用した。その後は実施例１と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。

【0128】

【表6】

【0129】

表６より、本開示の表面処理剤の（Ｉ）及び（ＩＶ）の原料として、ＭＳＴＦＡとＴＦＡＡ、又はＭＳＴＦＡとＴＦＡを用いて、混合することによって反応させ、（Ｉ）及び（ＩＶ）を得た実施例６３～７６は、いずれも表面処理剤の調液時の溶解時間がいずれも３０秒以内と短く、得られた表面処理剤を用いると、被処理体（ウェハ）表面に優れた撥水性を付与することができた。さらには、前述した実施例１～６２と同様に、実施例６３～７６と対応する参考例２，９とを比較すると、本開示で規定する（ＩＶ）成分を含有することで、撥水性付与効果がより高まることが確認された。

【0130】

［実施例２－１、２－２］
表７に示すように、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度をそれぞれ１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇに変更して、それ以外は実施例２と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表７及び図１に示す。

【0131】

［比較例６－１、６－２］
表７に示すように、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度をそれぞれ１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇに変更して、それ以外は比較例６と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表７及び図１に示す。

【0132】

［比較例７－１、７－２］
表７に示すように、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度をそれぞれ１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇに変更して、それ以外は比較例７と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表７及び図１に示す。

【0133】

【表7】

【0134】

（ＩＩ）としてＮ－ＭｅＩｍを用いた実施例２、２－１、２－２においては、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が、２．４ｍｍｏｌ／１００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇと増大するにつれて接触角が、９７°、９９°、１００°と向上する傾向を示した。またこのような（ＩＩ）の濃度の増大に関係なく溶解時間はいずれも◎と良好な結果であった。なお、図１中でそれぞれのプロットの付近に括弧書きで溶解時間の結果を記している。

【0135】

一方、（ＩＩ）として２－ＭｅＩｍを用いた比較例６、６－１、６－２においては、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が、２．４ｍｍｏｌ／１００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇと増大しても接触角は、８３°、８３°、８３°と変化せず、溶解時間はそれぞれ、△、△、×と（ＩＩ）の濃度の増大に伴って悪化する傾向であった。

【0136】

（ＩＩ）として４－ＭｅＩｍを用いた比較例７、７－１、７－２においても、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が、２．４ｍｍｏｌ／１００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇと増大しても接触角は、９０°、９０°、８７°とほぼ変化せず、溶解時間はそれぞれ、△（溶解時間：約３分間）、△（溶解時間：約１０分間）、△（溶解時間：約３０分間）と（ＩＩ）の濃度の増大に伴って悪化する傾向であった。

【0137】

以上の結果から、本開示の表面処理剤は、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が広い範囲にわたって、優れた撥水性付与効果を発揮できるとともに、調液時に原料を短時間で溶解できることが確認された。よって、本開示の表面処理剤においては、（ＩＩ）の濃度を自由に選択することができ、特に、反応促進効果（ひいては撥水性付与効果）から０．０５質量％以上、被処理体表面などを浸食し難く、不純物として被処理体表面に残留し難い観点から１０．０質量％以下という好適な範囲を選択することができる。
一方で、本開示の成分（ＩＩ）に該当しない含窒素複素環化合物を用いると、溶解性が劣り、当該含窒素複素環化合物の濃度が増大するほど溶解性が悪化することが確認された。

【0138】

［実施例２Ｄ、２Ｄ－１、２Ｄ－２］
表８に示すように、（ＩＩＩ）の有機溶媒をｎ－デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３に変更した以外は、それぞれ実施例２、２－１、２－２と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表８及び図２に示す。ここで、ｎ－デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３は、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対するトリプロピレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業株式会社製、「ＴＰＧＤＭＥ」と記載する場合がある）の濃度が４３質量％である、ｎ－デカン（東京化成工業株式会社製）とＴＰＧＤＭＥの混合溶媒を意味する。

【0139】

［比較例６Ｄ、６Ｄ－１、６Ｄ－２］
表８に示すように、有機溶媒をｎ－デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３に変更した以外は、それぞれ比較例６、６－１、６－２と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表８及び図２に示す。

【0140】

［比較例７Ｄ、７Ｄ－１、７Ｄ－２］
表８に示すように、有機溶媒をｎ－デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３に変更した以外は、それぞれ比較例７、７－１、７－２と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表８及び図２に示す。

【0141】

【表8】

【0142】

（ＩＩ）としてＮ－ＭｅＩｍを用いた実施例２Ｄ、２Ｄ－１、２Ｄ－２においては、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が、２．４ｍｍｏｌ／１００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇと増大するにつれて接触角が、９６°、９７°、９８°と向上する傾向を示した。またこのような（ＩＩ）の濃度の増大に関係なく溶解時間はいずれも◎と良好な結果であった。なお、図２中でそれぞれのプロットの付近に括弧書きで溶解時間の結果を記している。

【0143】

一方、（ＩＩ）として２－ＭｅＩｍを用いた比較例６Ｄ、６Ｄ－１、６Ｄ－２においては、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が、２．４ｍｍｏｌ／１００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇと増大しても接触角は、８５°、８５°、８５°と変化せず、溶解時間はそれぞれ、△、×、×と（ＩＩ）の濃度の増大に伴って悪化する傾向であった。

【0144】

（ＩＩ）として４－ＭｅＩｍを用いた比較例７Ｄ、７Ｄ－１、７Ｄ－２においても、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が、２．４ｍｍｏｌ／１００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ／１００ｇ、９７．４ｍｍｏｌ／１００ｇと増大しても接触角は、８９°、８９°、８８°とほぼ変化せず、溶解時間はそれぞれ、△（溶解時間：約５分間）、△（溶解時間：約１５分間）、△（溶解時間：約５０分間）と（ＩＩ）の濃度の増大に伴って悪化する傾向であった。
なお、有機溶媒としてＰＧＭＥＡを用いた前述の比較例７、７－１、７－２の場合に比べて、有機溶媒として非極性溶媒のｎ－デカンを含む「デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３」を用いた比較例７Ｄ、７Ｄ－１、７Ｄ－２の場合は、いずれも溶解時間がより長いことがわかる。このことから、上記（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）の溶解性の観点からは、上記有機溶媒としては非極性溶媒の含有量が少ないものほど好ましいと言える。上記の傾向は、他の実施例、比較例においても確認された。

【0145】

本開示の成分（ＩＩ）に該当しない含窒素複素環化合物を用いると、有機溶媒として非極性溶媒であるｎ－デカンを含む「デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３」を用いた場合も、溶解性が劣り、当該含窒素複素環化合物の濃度が増大するほど溶解性が悪化することが確認された。また、表７と表８との比較、及び図１と図２との比較から、有機溶媒を極性溶媒のＰＧＭＥＡから非極性溶媒のｎ－デカンを含む「デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３」に変えると溶解性がより悪化する傾向が確認された。

【0146】

一方、本開示の表面処理剤は、有機溶媒として非極性溶媒であるｎ－デカンを含む「デカン／ＴＰＧＤＭＥ－４３」を用いた場合であっても、（Ｉ）～（ＩＶ）の総量に対する（ＩＩ）の濃度が広い範囲にわたって、優れた撥水性付与効果を発揮できるとともに、調液時に原料を短時間で溶解できることが確認された。よって、本開示の表面処理剤においては、（ＩＩ）の濃度を自由に選択することができ、特に、反応促進効果（ひいては撥水性付与効果）から０．０５質量％以上、被処理体表面などを浸食し難く、不純物として被処理体表面に残留し難い観点から１０．０質量％以下という好適な範囲を選択することができる。

【0147】

以上のことから、本開示の表面処理剤は、有機溶媒の極性に大きく依存せず、優れた撥水性付与効果を発揮できるとともに、調液時に原料を短時間で溶解できるものである。

【図1】

【図2】