特許 7398097 太陽電池の検査装置および検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-06

(45)【発行日】2023-12-14

(54)【発明の名称】太陽電池の検査装置および検査方法

(51)【国際特許分類】

   H02S 50/10 20140101AFI20231207BHJP

   H01L 31/0463 20140101ALI20231207BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20231207BHJP

【ＦＩ】

H02S50/10

H01L31/04 532A

G01R31/26 F

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2019237300

(22)【出願日】2019-12-26

(65)【公開番号】P2021106467

(43)【公開日】2021-07-26

【審査請求日】2022-11-15

(73)【特許権者】

【識別番号】390000608

【氏名又は名称】三星ダイヤモンド工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087985

【弁理士】

【氏名又は名称】福井 宏司

(72)【発明者】

【氏名】高橋 昌見

【審査官】吉岡 一也

(56)【参考文献】

【文献】中国実用新案第２０５８８００５９（ＣＮ，Ｕ）

【文献】特開２０１１－１１９６９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１９９５０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１３４３７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２３６８８９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３１／０４－３１／０５６

Ｈ０２Ｓ ５０／００－５０／１５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

分割溝の第１側部に隣接する第１セル裏電極層に接触する第１種端子対の間の導通状態、および、前記分割溝の第２側部に隣接する第２セル裏電極層に接触する第２種端子対の間の導通状態と、前記第１種端子対の一方の端子と前記第２種端子対の一方の端子とを含む第３種端子対の間の絶縁状態とを測定する測定部を備える
太陽電池の検査装置。

【請求項2】

前記測定部により測定される導通状態および絶縁状態を参照して、前記分割溝の欠陥について判定する解析部をさらに備える
請求項１に記載の太陽電池の検査装置。

【請求項3】

前記解析部は前記第１種端子対の間および前記第２種端子対の間が導通していることが確認され、前記第３種端子対の間が絶縁されていないことが確認される場合、前記分割溝に欠陥が存在すると判定する
請求項２に記載の太陽電池の検査装置。

【請求項4】

前記解析部は前記第１種端子対の間および前記第２種端子対の間が導通していることが確認され、前記第３種端子対の間が絶縁されていることが確認される場合、前記分割溝に欠陥が存在しないと判定する
請求項２または３に記載の太陽電池の検査装置。

【請求項5】

前記解析部は前記第１種端子対の間および前記第２種端子対の間の少なくとも一方が導通していないことが確認される場合、前記分割溝の欠陥に関する判定を保留する
請求項２～４のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。

【請求項6】

前記分割溝に残存する裏電極層の一部である残存部が除去されるように前記第３種端子対の間に電流を流す除去部をさらに備える
請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。

【請求項7】

前記第１種端子対、前記第２種端子対、および、前記第３種端子対をさらに備え、
前記第１種端子対は前記第１セル裏電極層の各端部に接触するように構成され、
前記第２種端子対は前記第２セル裏電極層の各端部に接触するように構成され、
前記第３種端子対は前記第１種端子対の一方の端子、および、前記第２種端子対の一方の端子を含み、
前記分割溝の長手方向に関する前記第３種端子対の各端子間の距離は前記分割溝の長手方向に関する前記第１種端子対の各端子間の距離または前記第２種端子対の各端子間の距離に等しい
請求項１～６のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。

【請求項8】

裏電極層を複数のセル裏電極層に分割する分割溝の欠陥を検出する検査方法であって、
前記分割溝の第１側部に隣接する第１セル裏電極層に接触する第１種端子対の間の導通状態、および、前記分割溝の第２側部に隣接する第２セル裏電極層に接触する第２種端子対の導通状態を測定する導通判定処理工程と、
前記第１種端子対の一方の端子と前記第２種端子対の一方の端子とを含む第３種端子対の間の絶縁状態を測定する第１の絶縁判定処理工程とを含む
太陽電池の検査方法。

【請求項9】

前記第１の絶縁判定処理工程の実行後に前記第３種端子対の間に電流を流す通電処理工程をさらに含む
請求項８に記載の太陽電池の検査方法。

【請求項10】

前記通電処理工程の実行後に前記第３種端子対の間の絶縁状態を測定する第２の絶縁判定処理工程をさらに含む
請求項９に記載の太陽電池の検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は太陽電池の検査装置および検査方法に関する。

【背景技術】

【0002】

太陽電池の検査装置としては、例えばラインスキャンカメラにより被検査物を撮影する装置が知られている。特許文献１には従来の検査装置の一例が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第５８８５４７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

太陽電池の裏電極層は複数の分割溝により複数のセル裏電極層に区分される。分割溝を介して隣接する１組のセル裏電極層は分割溝により絶縁される。裏電極層は分割溝に関する欠陥を含む場合がある。例えば、分割溝を形成する工程において裏電極層の一部が除去されずに分割溝に残る。分割溝を介して隣接する１組のセル裏電極層が、分割溝に残る裏電極層の一部により接続され、１組のセル裏電極層の絶縁抵抗が低下する。特許文献１の検査装置では、このような欠陥の検出を想定していない。

【0005】

本発明の目的は裏電極層の分割溝に関する欠陥の適切な検出に寄与する太陽電池の検査装置および検査方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に関する太陽電池の検査装置は分割溝の第１側部に隣接する第１セル裏電極層に接触する第１種端子対の間の導通状態、および、前記分割溝の第２側部に隣接する第２セル裏電極層に接触する第２種端子対の間の導通状態と、前記第１種端子対の一方の端子と前記第２種端子対の一方の端子とを含む第３種端子対の間の絶縁状態とを測定する測定部を備える。

【0007】

上記検査装置では、測定部により測定される導通状態および絶縁状態を分割溝に関する欠陥の検出に利用できる。これは分割溝に関する欠陥の適切な検出に寄与する。

【0008】

前記太陽電池の検査装置の一例では、前記測定部により測定される導通状態および絶縁状態を参照して、前記分割溝の欠陥について判定する解析部をさらに備える。

【0009】

上記検査装置によれば、分割溝の欠陥について適切に判定できる。

【0010】

前記太陽電池の検査装置の一例では、前記解析部は前記第１種端子対の間および前記第２種端子対の間が導通していることが確認され、前記第３種端子対の間が絶縁されていないことが確認される場合、前記分割溝に欠陥が存在すると判定する。

【0011】

上記検査装置によれば、分割溝に欠陥が存在することを適切に検出できる。

【0012】

前記太陽電池の検査装置の一例では、前記解析部は前記第１種端子対の間および前記第２種端子対の間が導通していることが確認され、前記第３種端子対の間が絶縁されていることが確認される場合、前記分割溝に欠陥が存在しないと判定する。

【0013】

上記検査装置によれば、分割溝に欠陥が存在しないことを適切に検出できる。

【0014】

前記太陽電池の検査装置の一例では、前記解析部は前記第１種端子対の間および前記第２種端子対の間の少なくとも一方が導通していないことが確認される場合、前記分割溝の欠陥に関する判定を保留する。

【0015】

上記検査装置によれば、分割溝の欠陥に関する判定の誤りを抑制できる。

【0016】

前記太陽電池の検査装置の一例では、前記第３種端子対の間に電流を流す除去部をさらに備える。

【0017】

上記検査装置によれば、分割溝に残存する異物が電流の流れにともない除去される場合がある。

【0018】

前記太陽電池の検査装置の一例では、前記第１種端子対、前記第２種端子対、および、前記第３種端子対をさらに備え、前記第１種端子対は前記第１セル裏電極層の各端部に接触するように構成され、前記第２種端子対は前記第２セル裏電極層の各端部に接触するように構成され、前記第３種端子対は前記第１種端子対の一方の端子、および、前記第２種端子対の一方の端子を含み、前記分割溝の長手方向に関する前記第３種端子対の各端子間の距離は前記分割溝の長手方向に関する前記第１種端子対の各端子間の距離または前記第２種端子対の各端子間の距離に等しい。

【0019】

分割溝に欠陥が含まれる場合、分割溝の長手方向に関する欠陥の位置は分割溝の形成時の加工条件等に応じて異なる。上記検査装置では、各セル裏電極層のおおよそ全体の電気抵抗が第３種端子対を用いた絶縁抵抗の測定に反映される。各セル裏電極層の電気抵抗が絶縁抵抗の測定に及ぼす影響の度合が、分割溝における欠陥の位置に応じてばらつくことが抑制される。

【発明の効果】

【0020】

本発明に関する太陽電池の検査装置および検査方法は裏電極層の分割溝に関する欠陥の適切な検出に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】太陽電池の断面図。

【図2】太陽電池の製造工程に関する図(１)。

【図3】太陽電池の製造工程に関する図(２)。

【図4】太陽電池の製造工程に関する図(３)。

【図5】太陽電池の製造工程に関する図(４)。

【図6】太陽電池の製造工程に関する図(５)。

【図7】太陽電池の製造工程に関する図(６)。

【図8】太陽電池の製造工程に関する図(７)。

【図9】太陽電池の製造工程に関する図(８)。

【図10】溝欠陥の一例を示す図。

【図11】検査装置のブロック図。

【図12】裏電極対の平面図。

【図13】検査装置の外観図。

【図14】待機状態の一例を示す図。

【図15】検査方法の一例を示すフローチャート。

【発明を実施するための形態】

【0022】

図１は太陽電池１０の断面を示す。光吸収層の材料による分類では、太陽電池１０は例えば化合物系太陽電池である。厚さによる分類では、太陽電池１０は例えば薄膜太陽電池である。太陽電池１０の説明には直交座標系が用いられる。Ｘ軸およびＹ軸により規定される平面を「基準面」と称する。太陽電池１０の平面は基準面に平行である。Ｚ軸は太陽電池１０の平面に直交する。Ｘ軸に平行な方向を「横方向」と称する。横方向の一方を「第１横方向」と称する。横方向の他方を「第２横方向」と称する。Ｙ軸に平行な方向を「縦方向」と称する。縦方向の一方を「第１縦方向」と称する。縦方向の他方を「第２縦方向」と称する。Ｚ軸に平行な方向を「厚さ方向」と称する。厚さ方向の一方を「第１厚さ方向」と称する。厚さ方向の他方を「第２厚さ方向」と称する。

【0023】

太陽電池１０は例えば板である。太陽電池１０の平面視では、太陽電池１０の形状は例えば四角形である。平面視における太陽電池１０の外郭には２組の対辺が含まれる。一方の対辺は横方向に平行である。他方の対辺は縦方向に平行である。太陽電池１０は第１主面１０Ａおよび第２主面１０Ｂを含む。第１主面１０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面１０Ｂは第２厚さ方向を向く。各主面１０Ａ、１０Ｂは基準面に平行である。

【0024】

太陽電池１０は複数の層を含む。一例では、太陽電池１０は基板２０、裏電極層３０、中間層４０、および、窓層５０を含む。基板２０は第１主面２０Ａおよび第２主面２０Ｂを含む。第１主面２０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面２０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面２０Ｂは太陽電池１０の第２主面１０Ｂを構成する。裏電極層３０は基板２０の第１主面２０Ａに積層される。裏電極層３０は第１主面３０Ａおよび第２主面３０Ｂを含む。第１主面３０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面３０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面３０Ｂは基板２０の第１主面２０Ａに対向する。

【0025】

中間層４０は裏電極層３０の第１主面３０Ａに積層される。中間層４０は第１主面４０Ａおよび第２主面４０Ｂを含む。第１主面４０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面４０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面４０Ｂは裏電極層３０の第１主面３０Ａに対向する。中間層４０の構成について例示する。第１例では、中間層４０は光吸収層４１により構成される。光吸収層４１は裏電極層３０の第１主面３０Ａに積層される。光吸収層４１は第１主面４１Ａおよび第２主面４１Ｂを含む。第１主面４１Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面４１Ｂは第２厚さ方向を向く。第１主面４１Ａは中間層４０の第１主面４０Ａを構成する。第２主面４１Ｂは裏電極層３０の第１主面３０Ａに対向する。第２例では、中間層４０は光吸収層４１およびバッファ層４２により構成される。バッファ層４２は光吸収層４１の第１主面４１Ａに積層される。バッファ層４２は第１主面４２Ａおよび第２主面４２Ｂを含む。第１主面４２Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面４２Ｂは第２厚さ方向を向く。第１主面４２Ａは中間層４０の第１主面４０Ａを構成する。第２主面４２Ｂは光吸収層４１の第１主面４１Ａに対向する。第３例では、中間層４０は第２例の中間層４０にさらに別の層が積層された構成を備える。

【0026】

窓層５０は中間層４０の第１主面４０Ａに積層される。窓層５０は第１主面５０Ａおよび第２主面５０Ｂを含む。第１主面５０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面５０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面５０Ｂは中間層４０の第１主面４０Ａに対向する。

【0027】

硬さに関する分類では、基板２０は例えばリジッド基板、フレキシブル基板、または、リジッドフレキシブル基板である。電気的性質に関する分類では、基板２０は例えば絶縁体または半導体である。透明度に関する分類では、基板２０は例えば透明基板である。一例では、基板２０はガラス基板である。ガラス基板の種類は例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、鉛ガラス、アルカリバリウムガラス、アルミノボロシリケートガラス、および、無アルカリガラスから選択される。

【0028】

裏電極層３０は例えば金属電極層である。裏電極層３０の材料は例えば、モリブデン(Ｍｏ)、チタン(Ｔｉ)、および、クロム(Ｃｒ)から選択される。光吸収層４１は例えばｐ型半導体である。光吸収層４１は例えば化合物半導体である。化合物半導体の種類は例えば、ＣＩＳ化合物、ＣＩＧＳ化合物、ＣＺＴＳ化合物、ＣｄＴｅ化合物、および、ＣｄＳ化合物から選択される。ＣＩＳ化合物の主成分は銅(Ｃｕ)、インジウム(Ｉｎ)、および、セレン(Ｓｅ)である。ＣＩＧＳ化合物の主成分は銅(Ｃｕ)、インジウム(Ｉｎ)、ガリウム(Ｇａ)、および、セレン(Ｓｅ)である。ＣＺＴＳ化合物の主成分は銅(Ｃｕ)、亜鉛(Ｚｎ)、スズ(Ｓｎ)、硫黄(Ｓ)、および、セレン(Ｓｅ)である。ＣｄＴｅ化合物の主成分はカドミウム(Ｃｄ)およびテルル(Ｔｅ)である。ＣｄＳ化合物の主成分はカドミウム(Ｃｄ)および硫黄(Ｓ)である。

【0029】

バッファ層４２は例えば高抵抗層である。バッファ層４２は例えばｎ型半導体である。バッファ層４２の材料は例えば、硫化カドミウム(ＣｄＳ)、酸化亜鉛(ＺｎＯ)、硫化亜鉛(ＺｎＳ)、および、硫化インジウム(ＩｎＳ)から選択される。

【0030】

窓層５０は例えばｎ型半導体である。窓層５０は例えば透明導電膜である。透明導電膜の種類は例えば、酸化錫系薄膜、酸化亜鉛系薄膜、および、酸化インジウム系薄膜から選択される。

【0031】

太陽電池１０は複数の分割溝Ｐおよび複数のセル６０を含む。複数の分割溝Ｐは裏電極層３０、中間層４０、および、窓層５０を複数のセル６０に区分する。複数のセル６０は横方向に並ぶ。一例では、セル６０は縦方向に長い。セル６０の長手方向は縦方向に平行である。複数の分割溝Ｐには３種類の分割溝Ｐが含まれる。分割溝Ｐの種類は第１分割溝Ｐ１、第２分割溝Ｐ２、および、第３分割溝Ｐ３である。太陽電池１０は複数の第１分割溝Ｐ１、複数の第２分割溝Ｐ２、および、複数の第３分割溝Ｐ３を含む。一例では、各分割溝Ｐ１～Ｐ３は縦方向に長い。各分割溝Ｐ１～Ｐ３は縦方向に平行である。

【0032】

第１分割溝Ｐ１は裏電極層３０に形成される。裏電極層３０には複数の第１分割溝Ｐ１が形成される。複数の第１分割溝Ｐ１は横方向に並ぶ。第２分割溝Ｐ２は中間層４０に形成される。中間層４０には複数の第２分割溝Ｐ２が形成される。複数の第２分割溝Ｐ２は横方向に並ぶ。第３分割溝Ｐ３は中間層４０および窓層５０に形成される。中間層４０および窓層５０には複数の第３分割溝Ｐ３が形成される。複数の第３分割溝Ｐ３は横方向に並ぶ。中間層４０は第１分割溝Ｐ１を埋める第１凸部４０Ｐを含む。窓層５０は第２分割溝Ｐ２を埋める第２凸部５０Ｐを含む。

【0033】

横方向に隣接するセル６０は第１分割溝Ｐ１および第３分割溝Ｐ３により区分される。各セル６０は電気的に直列に接続される。セル６０は横方向に並ぶ１組の第３分割溝Ｐ３の間に設けられる窓層５０および中間層４０と、横方向に並ぶ１組の第１分割溝Ｐ１の間に設けられる裏電極層３０とを含む。１つのセル６０を構成する裏電極層３０、中間層４０、および、窓層５０をそれぞれ「セル裏電極層６１」、「セル中間層６２」、および、「セル窓層６３」と称する。

【0034】

裏電極層３０は複数の第１分割溝Ｐ１により複数のセル裏電極層６１に分割される。第１分割溝Ｐ１を介して横方向に隣接する１組のセル裏電極層６１を「裏電極対Ｅ」と称する。裏電極対に含まれる一方のセル裏電極層６１と他方の裏電極層６１とは第１分割溝Ｐ１により絶縁される。

【0035】

セル裏電極層６１は第１横方向に隣接する別のセル６０のセル窓層６３に接続される。中間層４０および窓層５０は複数の第３分割溝Ｐ３により複数のセル中間層６２およびセル窓層６３に分割される。セル窓層６３は第２横方向に隣接する別のセル６０のセル裏電極層６１に接続される。セル中間層６２は第２分割溝Ｐ２により第１層構成部６２Ａおよび第２層構成部６２Ｂに分割される。第１層構成部６２Ａはセル裏電極層６１に積層される。第２層構成部６２Ｂは第２横方向に隣接する別のセル６０のセル裏電極層６１に積層される。

【0036】

セル中間層６２は第１分割溝Ｐ１を埋める第１凸部４０Ｐを含む。第１凸部４０Ｐは裏電極対Ｅに含まれる一方のセル裏電極層６１と他方の裏電極層６１とを絶縁する。セル窓層６３は第２分割溝Ｐ２を埋める第２凸部５０Ｐを含む。第２凸部５０Ｐは第２横方向に隣接する別のセル６０のセル裏電極層６１に接続される。

【0037】

各分割溝Ｐ１～Ｐ３は例えばスクライブ加工により形成される。第１分割溝Ｐ１は例えばレーザスクライブにより形成される。第２分割溝Ｐ２および第３分割溝Ｐ３は例えばメカニカルスクライブにより形成される。

【0038】

太陽電池１０は例えば次のように製造される。図２に示される第１工程では、基板２０が洗浄される。図３に示される第２工程では、基板２０に裏電極層３０が形成される。裏電極層３０の形成方法は例えば蒸着である。図４に示される第３工程では、裏電極層３０がパターニングされ、裏電極層３０に複数の第１分割溝Ｐ１が形成される。第１分割溝Ｐ１の形成方法は例えばレーザスクライブである。図５に示される第４工程では、裏電極層３０に光吸収層４１が形成される。一例では、第４工程には次の各工程が含まれる。裏電極層３０に金属薄膜であるプリカーサが形成される。プリカーサの形成方法は例えば蒸着である。特定のガス雰囲気中においてプリカーサにアニール処理が施される。アニール処理によりプリカーサが化合物に変化する。一例では、アニール処理によりプリカーサがセレン化または硫化される。図６に示される第５工程では、光吸収層４１にバッファ層４２が形成される。バッファ層４２の形成方法は例えば蒸着である。図７に示される第６工程では、中間層４０がパターニングされ、中間層４０に複数の第２分割溝Ｐ２が形成される。第２分割溝Ｐ２の形成方法は例えばメカニカルスクライブである。図８に示される第７工程では、中間層４０に窓層５０が形成される。窓層５０の形成方法は例えば蒸着である。図９に示される第８工程では、中間層４０および窓層５０がパターニングされ、中間層４０および窓層５０に複数の第３分割溝Ｐ３が形成される。第３分割溝Ｐ３の形成方法は例えばメカニカルスクライブである。

【0039】

第３工程(図４参照)により形成される太陽電池１０の仕掛品を「仕掛品１０Ｘ」と称する。仕掛品１０Ｘおよび太陽電池１０において厚さ方向に関する第１分割溝Ｐ１に対応する部分を「特定部Ｑ」と称する。横方向に関する特定部Ｑの幅は第１分割溝Ｐ１の幅に等しい。

【0040】

裏電極層３０は分割溝Ｐに関する欠陥(以下「溝欠陥」という)を含む場合がある。図１０は溝欠陥の一例を示す。第１分割溝Ｐ１を形成する工程において裏電極層３０の特定部Ｑの一部が除去されずに第１分割溝Ｐ１に残る場合がある。第１分割溝Ｐ１に残る特定部Ｑの一部を「残存部Ｒ」と称する。裏電極対Ｅに含まれる一方のセル裏電極層６１と他方のセル裏電極層６１とが残存部Ｒにより接続される場合がある。裏電極対Ｅが残存部Ｒにより接続される部分では、裏電極対Ｅの絶縁抵抗が低下する。残存部Ｒは第１分割溝Ｐ１を形成するためのスクライブ加工の工程における種々の加工条件の影響により生じる。残存部Ｒの形成範囲および形状等は加工条件に応じて異なる。

【0041】

図１１は裏電極対Ｅを示す。裏電極対Ｅは一対のセル裏電極層６１を含む。セル裏電極層６１および第１分割溝Ｐ１は縦方向に長い。第１分割溝Ｐ１は第１側部Ｐ１１および第２側部Ｐ１２を含む。各側部Ｐ１１、Ｐ１２は第１分割溝Ｐ１の長手方向に長い。第１側部Ｐ１１と第２側部Ｐ１２との間には第１分割溝Ｐ１の空間が形成される。裏電極対Ｅに含まれる一方のセル裏電極層６１を「第１セル裏電極層Ｅ１」と称する。裏電極対Ｅに含まれる他方のセル裏電極層６１を「第２セル裏電極層Ｅ２」と称する。第１セル裏電極層Ｅ１は横方向に関して第１分割溝Ｐ１の第１側部Ｐ１１に隣接する。第２セル裏電極層Ｅ２は横方向に関して第１分割溝Ｐ１の第２側部Ｐ１２に隣接する。

【0042】

縦方向に関するセル裏電極層６１の中心を「電極中心ＳＣ」と称する。縦方向に関するセル裏電極層６１の一方の端部を「第１端部Ｓ１」と称する。縦方向に関するセル裏電極層６１の他方の端部を「第２端部Ｓ２」と称する。縦方向に関する第１端部Ｓ１と電極中心ＳＣとの間の部分を「第１中間部Ｓ３」と称する。縦方向に関する第２端部Ｓ２と電極中心ＳＣとの間の部分を「第２中間部Ｓ４」と称する。縦方向に関するセル裏電極層６１の一方の縁を「第１縁Ｓ５」と称する。縦方向に関するセル裏電極層６１の他方の縁を「第２縁Ｓ６」と称する。第１端部Ｓ１は第１縁Ｓ５を含む一定の範囲である。第２端部Ｓ２は第２縁Ｓ６を含む一定の範囲である。

【0043】

図１２は検査装置１００に関するブロック図を示す。検査装置１００は被検査物Ｗの溝欠陥の測定に関連する機能、および、残存部Ｒの除去に関連する機能の少なくとも１つを含む。溝欠陥の測定に関連する機能では、被検査物Ｗの電気的特性を測定し、その結果を参照して被検査物Ｗの溝欠陥を検出する。残存部Ｒの除去に関連する機能では、残存部Ｒを蒸発させることに寄与する電流を裏電極対Ｅに供給する。検査装置１００は複数の端子Ｔおよび複数の機能ブロックＦ１０を含む。複数の端子Ｔには例えば、第１種端子対ＴＡ、第２種端子対ＴＢ、および、第３種端子対ＴＣが含まれる。複数の機能ブロックＦ１０には例えば、測定部Ｆ１１、ＡＤ変換部Ｆ１２、解析部Ｆ１３、データ変換部Ｆ１４、および、除去部Ｆ１５が含まれる。

【0044】

測定部Ｆ１１は第１種端子対ＴＡの間の導通状態、および、第２種端子対ＴＢの間の導通状態と、第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態とを測定する。一例では、測定部Ｆ１１は第１測定部Ｆ１１Ａおよび第２測定部Ｆ１１Ｂを含む。第１測定部Ｆ１１Ａは第１種端子対ＴＡの間の導通状態、および、第２種端子対ＴＢの間の導通状態を測定する。第２測定部Ｆ１１Ｂは第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態を測定する。第１種端子対ＴＡの間を流れる電流、または、第１端子対ＴＡの間の抵抗は第１種端子対ＴＡの間の導通状態を反映する。第１端子対ＴＡの間の導通状態の測定では、例えば第１種端子対ＴＡの間の電流または抵抗が測定される。第２種端子対ＴＢの間を流れる電流、または、第２端子対ＴＢの間の抵抗は第２種端子対ＴＢの間の導通状態を反映する。第２端子対ＴＢの間の導通状態の測定では、例えば第２種端子対ＴＢの間の電流または抵抗が測定される。第３端子対ＴＣの間の抵抗、または、第３種端子対ＴＣの間を流れる電流は第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態を反映する。第３端子対ＴＣの間の絶縁状態の測定では、例えば第３種端子対ＴＣの間の抵抗または電流が測定される。

【0045】

ＡＤ変換部Ｆ１２は測定部Ｆ１１の出力信号をデジタル信号に変換する。解析部Ｆ１３はＡＤ変換部Ｆ１２の出力信号を参照し、検査対象部位の溝欠陥について判定する。データ変換部Ｆ１４は解析部Ｆ１３の演算結果を特定形式のデータに変換する。除去部Ｆ１５は第３種端子対ＴＣの間に電流を流す。

【0046】

第１種端子対ＴＡは一対の端子Ｔを含む。第１種端子対ＴＡの一方の端子Ｔを「端子ＴＡ１」と表示する場合がある。第１種端子対ＴＡの他方の端子Ｔを「端子ＴＡ２」と表示する場合がある。第１種端子対ＴＡは第１セル裏電極層Ｅ１に接触する。第２種端子対ＴＢは一対の端子Ｔを含む。第２種端子対ＴＢの一方の端子Ｔを「端子ＴＢ１」と表示する場合がある。第２種端子対ＴＢの他方の端子Ｔを「端子ＴＢ２」と表示する場合がある。第２種端子対ＴＢは第２セル裏電極層Ｅ２に接触する。

【0047】

第３種端子対ＴＣは第１種端子対ＴＡの一方の端子Ｔ、および、第２種端子対ＴＢの一方の端子Ｔを含む。第１例では、第３種端子対ＴＣは第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ１、および、第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ１を含む。第２例では、第３種端子対ＴＣは第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ１、および、第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ２を含む。第３例では、第３種端子対ＴＣは第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ２、および、第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ１を含む。第４例では、第３種端子対ＴＣは第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ２、および、第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ２を含む。

【0048】

セル裏電極層６１は第１種端子対ＴＡの一方の端子Ｔまたは第２種端子対ＴＢの一方の端子Ｔが接触する第１被接触部、および、第１種端子対ＴＡの他方の端子Ｔまたは第２種端子対ＴＢの一方の端子Ｔが接触する第２被接触部を含む。第１被接触部および第２被接触部は例えば、セル裏電極層６１の第１端部Ｓ１、第２端部Ｓ２、第１中間部Ｓ３、および、第２中間部Ｓ４から選択される。

【0049】

縦方向に関する第１被接触部と第２被接触部との距離を「測定距離」と称する。測定距離の内容について例示する。第１例では、測定距離は第１所定距離以上である。第１所定距離は例えば縦方向に関する第１端部Ｓ１と第２端部Ｓ２との距離に相当する。第２例では、測定距離は第２所定距離以上である。第２所定距離は縦方向に関する第１端部Ｓ１または第２端部Ｓ２と電極中心ＳＣとの距離に相当する。測定距離が長くなるほど、第１分割溝Ｐ１における溝欠陥の位置が第３種端子対ＴＣの間の抵抗に関する測定に及ぼす影響が小さくなる。これは抵抗の測定精度の向上に寄与する。

【0050】

第１種端子対ＴＡと第１セル裏電極層Ｅ１との関係について例示する。第１例では、端子ＴＡ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＡ２は第２端部Ｓ２に接触する。第２例では、端子ＴＡ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＡ２は第２中間部Ｓ４に接触する。第３例では、端子ＴＡ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＡ２は電極中心ＳＣに接触する。第４例では、端子ＴＡ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＡ２は第１中間部Ｓ３に接触する。第５例では、端子ＴＡ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＡ２は第１端部Ｓ１における端子ＴＡ１が接触する部分とは異なる部分に接触する。

【0051】

第２種端子対ＴＢと第２セル裏電極層Ｅ２との関係について例示する。第１例では、端子ＴＢ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＢ２は第２端部Ｓ２に接触する。第２例では、端子ＴＢ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＢ２は第２中間部Ｓ４に接触する。第３例では、端子ＴＢ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＢ２は電極中心ＳＣに接触する。第４例では、端子ＴＢ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＢ２は第１中間部Ｓ３に接触する。第５例では、端子ＴＢ１は第１端部Ｓ１に接触する。端子ＴＢ２は第１端部Ｓ１における端子ＴＢ１が接触する部分とは異なる部分に接触する。

【0052】

図１３は検査装置１００のハードウェアの構成の一例を示す。検査装置１００の説明には直交座標系が用いられる。Ｘ軸およびＹ軸により規定される平面を「基準面」と称する。検査装置１００の平面は基準面に平行である。Ｚ軸は検査装置１００の平面に直交する。Ｘ軸に平行な方向を「幅方向」と称する。Ｙ軸に平行な方向を「奥行方向」と称する。Ｚ軸に平行な方向を「高さ方向」と称する。一例では、太陽電池１０の横方向は検査装置１００の幅方向に平行である。太陽電池１０の縦方向は検査装置１００の奥行方向に平行である。太陽電池１０の厚さ方向は検査装置１００の高さ方向に平行である。

【0053】

被検査物Ｗは例えば仕掛品１０Ｘである(図４、図１０参照)。被検査物Ｗは第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢを含む。被検査物Ｗの第１主面ＷＡは裏電極層３０の第１主面３０Ａである。被検査物Ｗの第２主面ＷＢは基板２０の第２主面２０Ｂである。被検査物Ｗのサイズは任意に選択できる。一例では、横方向に関する被検査物Ｗの長さは６００ｍｍ～７００ｍｍの範囲に含まれる。縦方向に関する被検査物Ｗの長さは１５００ｍｍ～１６００ｍｍの範囲に含まれる。

【0054】

検査装置１００はプローブユニット２００、計測器３００、電源ユニット４００、コントロールユニット５００、および、端末装置６００を備える。各端子対ＴＡ、ＴＢ、ＴＣはプローブユニット２００に含まれる。測定部Ｆ１１は例えばプローブユニット２００、計測器３００、および、コントロールユニット５００により構成される。ＡＤ変換部Ｆ１２は計測器３００またはコントロールユニット５００に含まれる。解析部Ｆ１３およびデータ変換部Ｆ１４はコントロールユニット５００に含まれる。データ変換部Ｆ１４により変換される特定形式のデータは例えば端末装置６００において利用される形式のデータである。除去部Ｆ１５は例えばプローブユニット２００、電源ユニット４００、および、コントロールユニット５００により構成される。

【0055】

一例では、検査装置１００は移送部１１０およびテーブル１２０をさらに備える。移送部１１０はプローブユニット２００とテーブル１２０とを相対的に移動させる。テーブル１２０は被検査物Ｗを支持する。移送部１１０による移動対象に関する構成について例示する。第１例では、移送部１１０はテーブル１２０に対してプローブユニット２００を移動させる。第２例では、移送部１１０はプローブユニット２００に対してテーブル１２０を移動させる。第３例では、移送部１１０はプローブユニット２００およびテーブル１２０の両方を移動させる。移送部１１０はプローブユニット２００を移動させる第１のアクチュエータ、および、テーブル１２０を移動させる第２のアクチュエータの少なくとも１つを含む。第１のアクチュエータは電源から供給される電気エネルギーをプローブユニット２００の運動に変換する。第２のアクチュエータは電源から供給される電気エネルギーをテーブル１２０の運動に変換する。

【0056】

移送部１１０の相対移動に関する構成について例示する。第１例では、移送部１１０はプローブユニット２００とテーブル１２０とを検査装置１００の高さ方向に相対移動させる第１移送構造を含む。第２例では、移送部１１０はプローブユニット２００とテーブル１２０とを幅方向に相対移動させる第２移送構造を含む。第３例では、移送部１１０はプローブユニット２００とテーブル１２０とを奥行方向に相対移動させる第３移送構造を含む。第４例では、移送部１１０は第１～第３例の少なくとも２つの移送構造を含む。図示される例では、移送部１１０はテーブル１２０に対してプローブユニット２００を高さ方向に相対移動させる第１移送構造を含む。

【0057】

プローブユニット２００は複数の端子Ｔを含む。端子Ｔは例えば２端子法に対応する端子、または、４端子法に対応する端子である。複数の端子Ｔは複数の第１種端子対ＴＡ、複数の第２種端子対ＴＢ、および、複数の第３種端子対ＴＣを含む。一例では、プローブユニット２００は第１プローブユニット２１０および第２プローブユニット２２０を含む。移送部１１０はテーブル１２０に対して各プローブユニット２１０、２２０を高さ方向に相対移動させる。

【0058】

第１プローブユニット２１０は第１ユニット本体２１１および複数の端子Ｔを含む。第１プローブユニット２１０に含まれる複数の端子Ｔはプローブユニット２００に含まれる全数の端子Ｔの一部である。第１ユニット本体２１１は移送部１１０に取り付けられる。第１ユニット本体２１１はケース２１１Ａおよびリレー回路２１１Ｂを含む。ケース２１１Ａには長手方向および短手方向が規定される。ケース２１１Ａの長手方向は検査装置１００の幅方向に平行である。ケース２１１Ａの短手方向は検査装置１００の奥行方向に平行である。リレー回路２１１Ｂはケース２１１Ａ内に設けられる。複数の端子Ｔはケース２１１Ａの外部に設けられる。複数の端子Ｔはケース２１１Ａに支持される。複数の端子Ｔはケース２１１Ａの長手方向に並ぶ。複数の端子Ｔはリレー回路２１１Ｂに電気的に接続される。

【0059】

第１プローブユニット２１０の端子Ｔの数について例示する。第１例では、第１プローブユニット２１０の端子Ｔの数は被検査物Ｗに設けられるセル裏電極層６１の数に等しい。第２例では、第１プローブユニット２１０の端子Ｔの数は被検査物Ｗに設けられるセル裏電極層６１の数よりも多い。第３例では、第１プローブユニット２１０の端子Ｔの数は被検査物Ｗに設けられるセル裏電極層６１の数よりも少ない。

【0060】

第２プローブユニット２２０は第２ユニット本体２２１および複数の端子Ｔを含む。第２プローブユニット２２０に含まれる複数の端子Ｔはプローブユニット２００に含まれる全数の端子Ｔの一部である。第２ユニット本体２２１は移送部１１０に取り付けられる。第２ユニット本体２２１はケース２２１Ａおよびリレー回路２２１Ｂを含む。ケース２２１Ａには長手方向および短手方向が規定される。ケース２２１Ａの長手方向は検査装置１００の幅方向に平行である。ケース２２１Ａの短手方向は検査装置１００の奥行方向に平行である。リレー回路２２１Ｂはケース２２１Ａ内に設けられる。複数の端子Ｔはケース２２１Ａの外部に設けられる。複数の端子Ｔはケース２２１Ａに支持される。複数の端子Ｔはケース２２１Ａの長手方向に並ぶ。複数の端子Ｔはリレー回路２２１Ｂに電気的に接続される。

【0061】

第２プローブユニット２２０の端子Ｔの数について例示する。第１例では、第２プローブユニット２２０の端子Ｔの数は被検査物Ｗに設けられるセル裏電極層６１の数に等しい。第２例では、第２プローブユニット２２０の端子Ｔの数は被検査物Ｗに設けられるセル裏電極層６１の数よりも多い。第３例では、第２プローブユニット２２０の端子Ｔの数は被検査物Ｗに設けられるセル裏電極層６１の数よりも少ない。

【0062】

一例では、第１プローブユニット２１０および第２プローブユニット２２０は同数の端子Ｔを含む。プローブユニット２００が被検査物Ｗの電気的特性を測定できるように被検査物Ｗにセットされた状態(以下「待機状態」という)では、各端子Ｔが被検査物Ｗに接触する。図１４は待機状態の一例を示す。待機状態では、各プローブユニット２１０、２２０の端子Ｔは縦方向に並ぶ縦端子対ＴＬを構成する。縦端子対ＴＬは第１プローブユニット２１０の１つの端子Ｔおよび第２プローブユニット２２０の１つの端子Ｔを含む。個々の縦端子対ＴＬは第１種端子対ＴＡまたは第２種端子対ＴＢに対応する。プローブユニット２００は第１プローブユニット２１０または第２プローブユニット２２０に設けられる全数の端子Ｔと同数の縦端子対ＴＬを含む。

【0063】

横方向に隣接する１組の縦端子対ＴＬについて、一方の縦端子対ＴＬは第１種端子対ＴＡに対応し、他方の縦端子対ＴＬは第２種端子対ＴＢに対応する。一例では、各端子対ＴＡ～ＴＣと裏電極対Ｅとは次の関係を含む。第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ１は第１セル裏電極層Ｅ１の第１端部Ｓ１に接触する。第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ２は第１セル裏電極層Ｅ１の第２端部Ｓ２に接触する。第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ１は第２セル裏電極層Ｅ２の第１端部Ｓ１に接触する。第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ２は第２セル裏電極層Ｅ２の第２端部Ｓ２に接触する。第３種端子対ＴＣは第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ１および第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ２を含む、または、第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ２および第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ１を含む。

【0064】

第１分割溝Ｐ１の長手方向に関する第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ１と端子ＴＡ２との距離と、第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ１と端子ＴＢ２との距離とは等しい。第１分割溝Ｐ１の長手方向に関する第３種端子対ＴＣの距離は第１分割溝Ｐ１の長手方向に関する第１種端子対ＴＡの端子ＴＡ１と端子ＴＡ２との距離、または、第２種端子対ＴＢの端子ＴＢ１と端子ＴＢ２との距離に等しい。

【0065】

計測器３００はプローブユニット２００と電気的に接続される。計測器３００の構成について例示する。第１例では、計測器３００はマルチメータを含む。第２例では、計測器３００は個別に構成される電流計および抵抗測定器を含む。計測器３００は縦端子対ＴＬの間の導通状態、および、第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態を測定する。導通状態の測定では、例えば縦端子対ＴＬの間に定電圧が印加され、縦端子対ＴＬの間を流れる電流が測定される。縦端子対ＴＬの間の電圧および電流から縦端子対ＴＬの間の抵抗が測定される。絶縁状態の測定では、例えば第３種端子対ＴＣの間に定電圧が印加され、第３種端子対ＴＣの間を流れる電流が測定される。第３種端子対ＴＣの間の電圧および電流から第３種端子対ＴＣの間の抵抗が測定される。計測器３００は縦端子対ＴＬの間の導通状態に関する情報を含む導通測定情報、および、第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態に関する情報を含む絶縁測定情報を出力する。

【0066】

電源ユニット４００はプローブユニット２００に電気的に接続される。電源ユニット４００はプローブユニット２００に直流電流を供給する。電源ユニット４００は例えば残存部Ｒの蒸発に寄与する大きさの直流電流を出力する。

【0067】

コントロールユニット５００はプローブユニット２００、計測器３００、および、電源ユニット４００と電気的に接続される。コントロールユニット５００はマイクロコントローラ５１０を含む。マイクロコントローラ５１０は解析部Ｆ１３を含む。マイクロコントローラ５１０はプローブユニット２００のリレー回路２１１Ｂ、２２１Ｂの設定を切り替える制御信号をプローブユニット２００に出力する。

【0068】

コントロールユニット５００によるリレー回路２１１Ｂ、２２１Ｂの設定により選択される計測器３００および電源ユニット４００と各端子Ｔとの接続関係には、例えば次の第１～第３接続状態が含まれる。第１接続状態では、複数の縦端子対ＴＬのいずれか１つが計測器３００に接続される。計測器３００は接続される縦端子対ＴＬの間の導通状態を測定する。第２接続状態では、複数の第３種端子対ＴＣのいずれか１つが計測器３００に接続される。計測器３００は接続される第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態を測定する。第３接続状態では、複数の第３種端子対ＴＣのいずれか１つが電源ユニット４００に接続される。電源ユニット４００に接続される第３種端子対ＴＣの間に電源ユニット４００の直流電圧がかかる。電源ユニット４００に接続される第３種端子対ＴＣに対応する裏電極対Ｅに溝欠陥が存在する場合、第３種端子対ＴＣの間に直流電流が流れる。

【0069】

コントロールユニット５００は計測器３００から導通測定情報および絶縁測定情報を受信する。マイクロコントローラ５１０の解析部Ｆ１３は導通測定情報および絶縁測定情報を参照して、被検査物Ｗの溝欠陥について判定する。溝欠陥に関する判定処理には例えば導通判定処理、絶縁判定処理、および、欠陥判定処理が含まれる。

【0070】

導通判定処理の内容について例示する。縦端子対ＴＬの間の導通状態が導通測定情報に基づいて判定される。これは、導通測定情報に基づく第１種端子対ＴＡの間の導通状態の判定、および、第２種端子対ＴＢの間の導通状態の判定を含む。一例では、全数の縦端子対ＴＬについて導通状態が判定される。縦端子対ＴＬの間の電流が第１基準電流以上である場合、または、縦端子対ＴＬの間の抵抗が第１基準抵抗未満である場合、縦端子対ＴＬの間が導通していると判定される。縦端子対ＴＬの間の電流が第１基準電流未満である場合、または、縦端子対ＴＬの間の抵抗が第１基準抵抗以上である場合、縦端子対ＴＬの間が導通していないと判定される。縦端子対ＴＬの間の導通状態に関する判定結果を含む情報を「導通判定情報」と称する。

【0071】

マイクロコントローラ５１０の記憶部は縦端子対ＴＬの識別情報と導通判定情報とを関連付けて記憶する。個々の縦端子対ＴＬには固有の識別情報が設定される。導通状態が判定された場合、判定対象の縦端子対ＴＬに対応する導通判定情報が更新される。

【0072】

絶縁判定処理の内容について例示する。第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態が絶縁測定情報に基づいて判定される。一例では、全数の第３種端子対ＴＣについて絶縁状態が判定される。第３種端子対ＴＣの間の抵抗が第２基準抵抗以上である場合、または、第３種端子対ＴＣの間の電流が第２基準電流未満である場合、第３種端子対ＴＣの間が絶縁されていると判定される。第３種端子対ＴＣの間の抵抗が第２基準抵抗未満である場合、または、第３種端子対ＴＣの間の電流が第２基準電流以上である場合、第３種端子対ＴＣの間が絶縁されていないと判定される。第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態に関する判定結果を含む情報を「絶縁判定情報」と称する。

【0073】

マイクロコントローラ５１０の記憶部は第３種端子対ＴＣの識別情報と絶縁判定情報とを関連付けて記憶する。個々の第３種端子対ＴＣには固有の識別情報が設定される。絶縁状態が判定された場合、判定対象の第３種端子対ＴＣに対応する絶縁判定情報が更新される。

【0074】

欠陥判定処理の内容について例示する。第１分割溝Ｐ１の溝欠陥に関する状態が導通判定情報および絶縁判定情報に基づいて判定される。一例では、全数の第１分割溝Ｐ１について溝欠陥に関する状態が判定される。欠陥判定処理では、判定対象の第３種端子対ＴＣの絶縁判定情報と、その第３種端子対ＴＣに対応する第１種端子対ＴＡの導通判定情報および第２種端子対ＴＢの導通判定情報とが参照される。第１種端子対ＴＡの間が導通し、第２種端子対ＴＢの間が導通し、第３種端子対ＴＣの間が絶縁されていない場合、判定対象の第３種端子対ＴＣに対応する第１分割溝Ｐ１に溝欠陥が存在すると判定される。第１種端子対ＴＡの間が導通し、第２種端子対ＴＢの間が導通し、第３種端子対ＴＣの間が絶縁されている場合、判定対象の第３種端子対ＴＣに対応する第１分割溝Ｐ１に溝欠陥が存在しないと判定される。第１種端子対ＴＡの間および第２種端子対ＴＢの間の少なくとも一方が導通していない場合、判定対象の第３種端子対ＴＣに対応する第１分割溝Ｐ１の溝欠陥に関する判定が保留される。溝欠陥に関する判定結果を含む情報を「欠陥判定情報」と称する。

【0075】

マイクロコントローラ５１０の記憶部は第１分割溝Ｐ１の識別情報と欠陥判定情報とを関連付けて記憶する。個々の第１分割溝Ｐ１には固有の識別情報が設定される。溝欠陥に関する状態が判定された場合、判定対象の第１分割溝Ｐ１の欠陥判定情報が更新される。溝欠陥に関する判定が保留された場合も判定対象の第１分割溝Ｐ１の欠陥判定情報が更新される。この場合の欠陥判定情報には、溝欠陥に関する判定が保留されたことを示す情報が含まれる。

【0076】

溝欠陥に関する判定処理の内容について整理する。
解析部Ｆ１３は導通測定情報から第１種端子対ＴＡの間および第２種端子対ＴＢの間が導通していることが確認され、絶縁測定情報から第３種端子対ＴＣの間が絶縁されていないことが確認される場合、第１分割溝Ｐ１に溝欠陥が存在すると判定する。

【0077】

解析部Ｆ１３は導通測定情報から第１種端子対ＴＡの間および第２種端子対ＴＢの間が導通していることが確認され、絶縁測定情報から第３種端子対ＴＣの間が絶縁されていることが確認される場合、第１分割溝Ｐ１に溝欠陥が存在しないと判定する。

【0078】

解析部Ｆ１３は導通測定情報から第１種端子対ＴＡの間および第２種端子対ＴＢの間の少なくとも一方が導通していないことが確認される場合、第１分割溝Ｐ１の溝欠陥に関する判定を保留する。

【0079】

端末装置６００はコントロールユニット５００と有線通信または無線通信できるように通信機器を介してコントロールユニット５００に接続される。コントロールユニット５００は導通測定情報、絶縁測定情報、導通判定情報、絶縁判定情報、および、欠陥判定情報の少なくとも１つを含む検査情報を端末装置６００に出力する。端末装置６００は例えば検査情報に基づく情報をディスプレイに表示する。

【0080】

図１５は被検査物Ｗに関する検査方法の一例を示す。
第１工程では、プローブユニット２００が待機状態にセットされる。一例では、第１工程は次のように実行される。移送部１１０は各プローブユニット２１０、２２０の端子Ｔが被検査物Ｗに接触するようにプローブユニット２００を被検査物Ｗに対して相対移動させる。第１プローブユニット２１０の各端子Ｔは各セル裏電極層６１の第１端部Ｓ１に接触する。第２プローブユニット２２０の各端子Ｔは各セル裏電極層６１の第２端部Ｓ２に接触する。第１工程が完了した状態では、全数のセル裏電極層６１の各々について、第１端部Ｓ１に１本の端子Ｔが接触し、第２端部Ｓ２に１本の端子Ｔが接触する。

【0081】

第２工程では、コントロールユニット５００は導通判定処理を実行する。一例では、第２工程は次のように実行される。コントロールユニット５００は測定対象の縦端子対ＴＬの間に測定用電流が流れるようにプローブユニット２００のリレー回路２１１Ｂ、２２１Ｂの状態を第１接続状態に設定する。測定対象の縦端子対ＴＬに含まれる第１プローブユニット２１０の端子Ｔおよび第２プローブユニット２２０の端子Ｔがそれぞれセル裏電極層６１と導通している場合、測定対象の縦端子対ＴＬの間に確認用電流が流れる。コントロールユニット５００は測定対象の縦端子対ＴＬを順番に切り替える。計測器３００は導通測定情報をコントロールユニット５００に出力する。コントロールユニット５００は導通測定情報に基づいて縦端子対ＴＬの間の導通状態を判定する。第２工程が完了した状態では、全数の縦端子対ＴＬについて導通判定情報が得られる。

【0082】

導通していない縦端子対ＴＬ(以下「非導通の縦端子対ＴＬ」という)が存在する場合、導通判定処理により非導通の縦端子対ＴＬが検出される。非導通の縦端子対ＴＬでは、少なくとも一方の端子Ｔがセル裏電極層６１に電気的に接続されていない。端子Ｔがセル裏電極層６１に電気的に接続されない原因には、例えば次の第１～第３原因の少なくとも１つが含まれる。第１原因では、縦端子対ＴＬの少なくとも一方の端子Ｔがセル裏電極層６１から離れた位置にあり、その端子Ｔがセル裏電極層６１に接触していない。第２原因では、縦端子対ＴＬの少なくとも一方の端子Ｔの表面に異物が存在し、その端子Ｔがセル裏電極層６１に接触していない。端子Ｔの表面に存在する異物には例えば、端子Ｔの表面に形成された酸化膜、および、端子Ｔに付着した汚れ等が含まれる。第３原因では、第１種端子対ＴＡの少なくとも一方の端子Ｔが焼損している。

【0083】

第３工程では、コントロールユニット５００は絶縁判定処理を実行する。一例では、第３工程は次のように実行される。コントロールユニット５００は測定対象の第３種端子対ＴＣの間に測定用電流が流れるようにプローブユニット２００のリレー回路２１１Ｂ、２２１Ｂの状態を第２接続状態に設定する。測定対象の第３種端子対ＴＣの間が絶縁されている場合、第３種端子対ＴＣの間には測定用電流が流れない。コントロールユニット５００は測定対象の第３種端子対ＴＣを順番に切り替える。計測器３００は絶縁測定情報をコントロールユニット５００に出力する。コントロールユニット５００は絶縁測定情報に基づいて第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態を判定する。第３工程が完了した状態では、全数の第３種端子対ＴＣについて絶縁判定情報が得られる。

【0084】

第４工程では、コントロールユニット５００は欠陥判定処理を実行する。一例では、第４工程は次のように実行される。コントロールユニット５００は導通判定情報および絶縁判定情報に基づいて判定対象の第１分割溝Ｐ１の溝欠陥について判定する。第４工程が完了した状態では、全数の第１分割溝Ｐ１について欠陥判定情報が得られる。

【0085】

第５工程では、コントロールユニット５００は通電処理を実行する。一例では、第５工程は次のように実行される。コントロールユニット５００は通電対象の第３種端子対ＴＣの間に除去用電流が流れるようにプローブユニット２００のリレー回路２１１Ｂ、２２１Ｂの状態を第３接続状態に設定する。除去用電流は残存部Ｒの除去に適した高電流である。除去用電流は測定用電流よりも高い。通電対象の第３種端子対ＴＣに対応する第１分割溝Ｐ１に残存部Ｒが存在する場合、第３種端子対ＴＣの間に除去用電流が流れる。除去用電流が流れることにともない残存部Ｒが蒸発する場合がある。横方向に隣接するセル裏電極層６１を接続する残存部Ｒが蒸発する場合、隣接するセル裏電極層６１が第１分割溝Ｐ１により絶縁される。コントロールユニット５００は通電対象の第３種端子対ＴＣを順番に切り替える。

【0086】

溝欠陥を含む裏電極対Ｅを「欠陥電極対」と称する。溝欠陥を含まない裏電極対Ｅを「正常電極対」と称する。欠陥電極対の絶縁抵抗は正常電極対の絶縁抵抗よりも低い。通電処理により欠陥電極対の残存部Ｒが除去された場合、その電極対の絶縁抵抗が高くなる。一例では、欠陥電極対から正常電極対に遷移した裏電極対Ｅの絶縁抵抗と、当初から存在する正常電極対の絶縁抵抗とは実質的に等しい。

【0087】

第６工程では、コントロールユニット５００は絶縁判定処理を再度実行する。一例では、第６工程は次のように実行される。コントロールユニット５００は測定対象の第３種端子対ＴＣの間に測定用電流が流れるようにプローブユニット２００のリレー回路２１１Ｂ、２２１Ｂの状態を第２接続状態に設定する。コントロールユニット５００は測定対象の第３種端子対ＴＣを順番に切り替える。計測器３００は絶縁測定情報をコントロールユニット５００に出力する。コントロールユニット５００は絶縁測定情報に基づいて第３種端子対ＴＣの間の絶縁状態を判定する。第６工程が完了した状態では、全数の第３種端子対ＴＣについて絶縁判定情報が得られる。

【0088】

第７工程では、コントロールユニット５００は欠陥判定処理を再度実行する。一例では、第７工程は次のように実行される。コントロールユニット５００は導通判定情報および絶縁判定情報に基づいて判定対象の第１分割溝Ｐ１の溝欠陥について判定する。第７工程が完了した状態では、全数の第１分割溝Ｐ１について欠陥判定情報が得られる。

【0089】

被検査物Ｗの検査方法は図１５の検査方法とは異なる内容を取り得る。第１例の検査方法は第５～第７工程を含まない。第２例の検査方法は第６および第７工程を含まない。第３例の検査方法は第５工程とは別に、第２工程の実行後に通電処理を実行する。第４例の検査方法は第５工程とは別に、第３工程の実行後に通電処理を実行する。第５例の検査方法は第５工程とは別に、第６工程の実行後に通電処理を実行する。第６例の検査方法は第５工程とは別に、第７工程の実行後に通電処理を実行する。第７例の検査方法は第３～第６例の内容の少なくとも２つを含む。第８例の検査方法では、第３～第７例のいずれかの検査方法において第５工程を省略する。

【0090】

第９例の検査方法は第８工程および第９工程をさらに含む。第８工程は第２工程と第３工程との間に実行される。第２工程の導通判定処理では、非導通の縦端子対ＴＬが検出される。非導通の縦端子対ＴＬが存在する場合、絶縁判定処理において、隣接するセル裏電極層６１が第１分割溝Ｐ１により絶縁されていることを正確に検出できない場合がある。非導通の縦端子対ＴＬが存在する場合、通電処理において、残存部Ｒが除去されない場合がある。導通判定情報は絶縁判定処理および通電処理が適切に実行されるか否かを確認する情報として利用できる。

【0091】

第８工程では、コントロールユニット５００は導通判定情報を参照し、非導通の縦端子対ＴＬの数が所定数以上か否かを判定する。所定数は１以上の整数である。非導通の縦端子対ＴＬの数が所定数未満の場合、第３工程が実行される。非導通の縦端子対ＴＬの数が所定数以上の場合、第９工程が実行される。第９工程では、コントロールユニット５００は所定の表示装置に案内情報を出力させる。案内情報は例えば、非導通の縦端子対ＴＬが含まれることを示す情報、プローブユニット２００の再セットを案内する情報、および、プローブユニット２００の状態に関する検査の実行を案内する情報の少なくとも１つを含む。表示装置には例えば端末装置６００が含まれる。

【0092】

なお、上記実施形態の説明は本発明に関する太陽電池の検査装置および検査装置が取り得る形態を制限することを意図していない。本発明に関する太陽電池の検査装置および検査装置は実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、実施形態に新たな構成を付加した形態である。

【符号の説明】

【0093】

１０ ：太陽電池
１００：検査装置
Ｆ１１：測定部
Ｆ１３：解析部
Ｆ１５：除去部
ＴＡ ：第１種端子対
ＴＢ ：第２種端子対
ＴＣ ：第３種端子対
Ｐ ：分割溝
Ｐ１１：第１側部
Ｐ１２：第２側部
Ｅ１ ：第１セル裏電極層
Ｅ２ ：第２セル裏電極層
Ｓ１ ：第１端部
Ｓ２ ：第２端部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】