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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-06
(45)【発行日】2023-12-14
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20231207BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20231207BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20231207BHJP
G09F 9/35 20060101ALI20231207BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20231207BHJP
G02F 1/1368 20060101ALN20231207BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G02F1/1333 505
G09F9/30 349B
G09F9/33
G09F9/35
H01L33/62
G02F1/1368
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2020020318
(22)【出願日】2020-02-10
(65)【公開番号】P2021124698
(43)【公開日】2021-08-30
【審査請求日】2022-12-21
(73)【特許権者】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】横谷 有紀
(72)【発明者】
【氏名】池田 雅延
【審査官】石本 努
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－００８８８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】登録実用新案第３１９５６０３（ＪＰ，Ｕ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０２５８２６５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－２０５４３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－００５０３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／２２０２６７（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ１／１３３３
１／１３４３－１／１３４５
１／１３５－１／１３６８
Ｇ０９Ｆ９／３０－９／４６
Ｈ０１Ｌ３３／００
３３／４８－３３／６４
Ｈ０５Ｂ３３／００－３３／２８
４４／００
４５／６０
Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、カラーフィルタ膜を含む第２基板と、を備え、
前記第１基板は、
第１有機樹脂層と、
前記第１有機樹脂層の上の第２有機樹脂層と、
前記第１有機樹脂層に設けられた第１開口および前記第２有機樹脂層に設けられた第２開口を含み、前記第１有機樹脂層および前記第２有機樹脂層を貫通する第１開口部と、を含み、
前記第１開口部において、
前記第１開口および前記第２開口が重畳し、
前記第２開口の第２開口側面のみが露出されるように、前記第１開口の第１開口側面が前記第２有機樹脂層によって覆われ、
前記第１開口側面は、０°より大きく８０°未満の第１テーパー角を有し、
前記第２開口側面は、８０°以上９０°未満の第２テーパー角を有し、
前記第１開口部は、表示領域の複数の画素の各々に設けられる表示装置。
【請求項2】
前記第１有機樹脂層の膜厚に対する前記第２有機樹脂層の膜厚の比は、０．２以上１．０以下である請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１有機樹脂層の第１比誘電率は、前記第２有機樹脂層の第２比誘電率よりも小さい請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１有機樹脂層の第１比誘電率は、２．０以上３．５未満である請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第２有機樹脂層の第２比誘電率は、３．５以上５．０未満である請求項３または請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記第１基板は、さらに、前記第１有機樹脂層に設けられた第３開口および前記第２有機樹脂層に設けられた第４開口を含み、前記第１有機樹脂層および前記第２有機樹脂層を貫通する第２開口部を含み、前記第２開口部において、
前記第３開口および前記第４開口が重畳し、
前記第３開口の第３開口側面および前記第４開口の第４開口側面が露出されるように、前記第４開口側面の下端が前記第１有機樹脂層の上に設けられ、
前記第４開口側面は、０°より大きく８０°未満の第３テーパー角を有し、
前記第３テーパー角は、前記第１テーパー角よりも小さく、
前記第２開口部は、周辺領域の端子に設けられる請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項7】
さらに、前記第１有機樹脂層および前記第２有機樹脂層の上に液晶層を含む請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１基板は、さらに、ＬＥＤチップを含み、
前記ＬＥＤチップの上面が前記第２有機樹脂層から露出されるように、前記ＬＥＤチップの側面に前記第１有機樹脂層および前記第２有機樹脂層が設けられる請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、仮想現実（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ：ＶＲ）用途を目的として、例えば、１０００ｐｐｉを超える超高精細で、かつ、リフレッシュレートが６０Ｈｚを超える高速駆動の表示装置の開発が進められている。超高精細の表示装置を実現するためには、配線間のピッチを縮小する必要がある。しかしながら、配線間のピッチを縮小すると、配線間または電極間の負荷容量の増大によって高速駆動が難しくなる。すなわち、超高精細と高速駆動はトレードオフの関係にある。そのため、配線間ピッチを縮小しながら負荷容量を低減した表示装置の設計が要求されている。
【0003】
また、表示装置に含まれる発光素子に着目すると、近年、複数の画素の各々に、微小なＬＥＤチップを配置したマイクロＬＥＤ表示装置の開発が進められている。マイクロＬＥＤ表示装置は、有機ＥＬ表示装置と同様に自発光型表示装置であり、視認性に優れる。また、有機ＥＬ素子に比べて、ＬＥＤチップは、発光効率が高く、寿命も長い。そのため、マイクロＬＥＤ表示装置は、有機ＥＬ表示装置に代わる次世代ディスプレイとして期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許公開１０４０３７９９号明細書
【文献】特開２０１９－２１２６９４号公報
【文献】特開２０１６－１４８４９号公報
【文献】特開２０１７－１８１９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
したがって、本発明の課題の１つは、高精細で、かつ、高速駆動の表示装置を提供することである。また、本発明の課題の１つは、高信頼性の表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、カラーフィルタ膜を含む第２基板と、を備え、第１基板は、開口が設けられた第１有機樹脂層と、開口を覆い、第１有機樹脂層の上の第２有機樹脂層と、開口と重畳し、第２有機樹脂層を貫通して設けられた第１開口部と、を含み、第１開口部において、第１有機樹脂層は、０°より大きく８０°未満の第１テーパー角を有する第１開口側面を含み、第２有機樹脂層は、８０°以上９０°未満の第２テーパー角を有する第２開口側面を含み、第１開口側面は、第２開口側面に覆われている。
【0007】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１電極層と、第１電極層の上のＬＥＤチップと、第１電極層を覆う第１有機樹脂層と、第１有機樹脂層の上の第２有機樹脂層と、を含み、ＬＥＤチップの側面の近傍において、第１有機樹脂層の端部は、第１凸形状を有し、第２有機樹脂層の端部は、第２凸形状を有し、第２凸形状の高さは、第１凸形状の高さよりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る表示装置に含まれるトランジスタの模式的な断面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素における画素回路の回路図である。
【図5A】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素における積層構造を有する平坦化層の模式的な断面図である。
【図5B】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素における積層構造を有する平坦化層の模式的な平面図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る表示装置の端子の断面図である。
【図7A】本発明の一実施形態に係る表示装置の端子における積層構造を有する平坦化層の模式的な断面図である。
【図7B】本発明の一実施形態に係る表示装置の端子における積層構造を有する平坦化層の模式的な平面図である。
【図8A】本発明の一実施形態に係る表示装置の平坦化層の作製方法を説明する模式図である。
【図8B】本発明の一実施形態に係る表示装置の平坦化層の作製方法を説明する模式図である。
【図8C】本発明の一実施形態に係る表示装置の平坦化層の作製方法を説明する模式図である。
【図8D】本発明の一実施形態に係る表示装置の平坦化層の作製方法を説明する模式図である。
【図8E】本発明の一実施形態に係る表示装置の平坦化層の作製方法を説明する模式図である。
【図8F】本発明の一実施形態に係る表示装置の平坦化層の作製方法を説明する模式図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。
【図10A】本発明の一実施形態に係る表示装置において、ＬＥＤチップが実装された領域の拡大図である。
【図10B】本発明の一実施形態に係る表示装置において、第３有機樹脂層の端部の近傍の拡大図である。
【図10C】本発明の一実施形態に係る表示装置において、第４有機樹脂層の端部の近傍の拡大図である。
【図11】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素における画素回路の回路図である。
【図12】本発明の一実施形態に係る表示装置２０において、ＬＥＤチップが実装された領域の拡大図である。
【図13】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。
【図14】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の各実施形態において、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その技術的思想の要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0010】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、図示の形状そのものが本発明の解釈を限定するものではない。また、図面において、明細書中で既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、別図であっても同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【0011】
ある一つの膜を加工して複数の構造体を形成した場合、各々の構造体は異なる機能、役割を有する場合があり、また各々の構造体はそれが形成される下地が異なる場合がある。しかしながらこれら複数の構造体は、同一の工程で同一層として形成された膜に由来するものであり、同一の材料を有する。従って、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【0012】
ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接して、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【0013】
本発明の各実施形態において、原則として、構造体が形成された基板を基準とし、基板から基板から構造体に向かう方向を「上」と表記し、また、図示する。ただし、構造体の形成方法の説明においては、形成する順序を基にして説明するため、上下関係が図面と逆になる場合もある。例えば、図面で第１部材の上に第２部材が設けられている場合であっても、第２部材の上に第１部材を形成するとして説明することがある。
【0014】
【0015】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の模式的な平面図である。
【0016】
図１に示すように、表示装置１０は、表示領域１０－１および周辺領域１０－２を含む。周辺領域１０－２は、表示領域１０－１の外側に位置している。
【0017】
表示領域１０－１と周辺領域１０－２との境界は必ずしも明確ではないが、表示領域１０－１は、画像または映像を表示することができる領域である。図１に示す表示領域１０－１の形状は、長辺および短辺を有する矩形であるが、表示領域１０－１の形状はこれに限られない。表示領域１０－１の形状は、例えば、多角形、円形、または楕円など、表示装置１０の大きさまたは形状に合わせた任意の形状とすることができる。
【0018】
表示領域１０－１は、複数の画素１１０を含む。図１に示す複数の画素１１０はマトリクス状に配列されている。しかし、複数の画素１１０の配列はこれに限られない。複数の画素１１０は、例えば、千鳥状に配置することもできる。
【0019】
周辺領域１０－２は、走査線駆動回路部１２０および端子部１３０を含む。図１に示す走査線駆動回路部１２０は、表示領域１０－１の矩形の長辺方向に沿って設けられている。しかしながら、走査線駆動回路部１２０の位置はこれに限られない。走査線駆動回路部１２０は、例えば、表示領域１０－１の矩形の短辺方向に沿って設けることもできる。
【0020】
図１に示す走査線駆動回路部１２０は、表示領域１０－１の矩形の長辺側の２か所に設けられているが、矩形の長辺側の１か所に設けられていてもよい。また、走査線駆動回路部１２０は、表示領域１０－１の矩形の短辺側に設けられていてもよい。
【0021】
表示装置１０は、端子部１３０を用いて、外部から電源または信号を供給することができる。そのため、端子部１３０は、外部と電気的に接続することができる複数の端子１４０を含む。図１に示す複数の端子１４０は、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）７１０と電気的に接続されている。また、ドライバＩＣ７００が、フレキシブルプリント回路基板７１０上に設けられている。
【0022】
端子部１３０は、表示装置１０の端部に設けられている。映像信号および制御信号は、表示装置１０の外部に設けられたコントローラ（図示せず）から、フレキシブルプリント回路基板７１０を介して表示装置１０に供給される。また、映像信号および制御信号は、ドライバＩＣ７００を介して表示装置１０用の信号に変換され、それぞれ、複数の画素１１０および走査線駆動回路部１２０に入力される。さらに、映像信号および制御信号だけでなく、走査線駆動回路部１２０、ドライバＩＣ７００、および複数の画素１１０を駆動するための電源が表示装置１０に供給される。
【0023】
【0024】
図２に示すように、表示装置１０は、第１基板２０２、遮光層２０４、第１絶縁層２０６、半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、第２導電層２１６、第４絶縁層２１８、第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、第１電極層２２８、第５絶縁層２３０、第２電極層２３２、液晶層２３４、第６絶縁層２３６、遮光膜２３８ＢＭ、赤色カラーフィルタ膜２３８Ｒ、緑色カラーフィルタ膜２３８Ｇ、青色カラーフィルタ膜２３８Ｂ、第７絶縁層２４０、および第２基板２４２を含む。
【0025】
図２には、複数の画素１１０として、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂが示されている。赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂの各々は、画素１１０を制御するトランジスタ３００を含む。
【0026】
ここで、図３を参照して、トランジスタ３００について説明する。
【0027】
図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０に含まれるトランジスタ３００の模式的な断面図である。図３に示すように、トランジスタ３００は、半導体層３００ａ、ゲート絶縁層３００ｂ、ゲート電極３００ｃ、層間絶縁層３００ｄ、ソース電極３００ｅ、およびドレイン電極３００ｆを含む。ゲート絶縁層３００ｂは、半導体層３００ａを覆うように設けられている。層間絶縁層３００ｄは、ゲート電極３００ｃを覆うように設けられている。ゲート絶縁層３００ｂおよび層間絶縁層３００ｄには開口部が設けられ、ソース電極３００ｅおよびドレイン電極３００ｆが、開口部を介して半導体層３００ａと電気的に接続される。
【0028】
図３に示すトランジスタ３００は、トップゲート型トランジスタである。この場合、半導体層３００ａ、ゲート絶縁層３００ｂ、ゲート電極３００ｃ、層間絶縁層３００ｄ、ならびにソース電極３００ｅおよびドレイン電極３００ｆのそれぞれは、半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、および第２導電層２１６で形成することができる。なお、表示装置１０に含まれるトランジスタ３００は、トップゲート型トランジスタに限られない。トランジスタ３００として、ボトムゲート型トランジスタおよび上下のゲート電極で半導体層を挟んだデュアルゲート型トランジスタを用いることもできる。
【0029】
半導体層３００ａの材料として、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、ＩＧＺＯなどの酸化物半導体、または窒化ガリウムなどの化合物半導体を用いることができる。半導体層３００ａは、チャネル形成領域だけでなく、ソース領域またはドレイン領域（高濃度不純物領域）を含むことができる。また、チャネル形成領域とソース領域またはドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を含むこともできる。
【0030】
ゲート絶縁層３００ｂの材料として、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムを用いることができる。また、ゲート絶縁層３００ｂは、単層または積層とすることができる。
【0031】
ゲート電極３００ｃの材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）などの金属、若しくはこれらの合金を用いることができる。また、ゲート電極３００ｃは、単層または積層とすることができる。
【0032】
層間絶縁層３００ｄの材料として、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムを用いることができる。また、層間絶縁層３００ｄは、単層または積層とすることができる。
【0033】
ソース電極３００ｅおよびドレイン電極３００ｆの材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）などの金属、若しくはこれらの合金を用いることができる。また、ソース電極３００ｅおよびドレイン電極３００ｆは、単層または積層とすることができる。ゲート絶縁層３００ｂおよび層間絶縁層３００ｄには開口部が設けられる。ソース電極３００ｅおよびドレイン電極３００ｆは、ゲート絶縁層３００ｂおよび層間絶縁層３００ｄに設けられた開口部を介して、半導体層３００ａと電気的に接続される。
【0034】
さらに、図４を参照して、表示装置１０の画素１１０の制御について説明する。
【0035】
図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の画素１１０における画素回路の回路図である。複数の画素１１０の各々は、図４に示す画素回路を有する。画素回路は、トランジスタ３００、ゲート配線（走査線）９１１、ソース配線（信号線）９１３、液晶素子３１０、および容量素子３２０を含む。トランジスタ３００のゲート電極３００ｃはゲート配線９１１と電気的に接続される。ソース電極３００ｅはソース配線９１３と電気的に接続される。ドレイン電極３００ｆは液晶素子３１０および容量素子３２０と電気的に接続される。なお、本実施形態では、説明の便宜上、３００ｅをソース電極といい、３００ｆをドレイン電極とするが、各々の電極のソースとしての機能とドレインとしての機能とが入れ替わってもよい。
【0036】
トランジスタ３００は、ゲート配線９１１の信号によって、ソース電極３００ｅとドレイン電極３００ｆとの間の導通状態が制御される。したがって、各画素１１０に設けられたトランジスタ３００によって、各画素１１０の液晶素子３１０のオン・オフを制御することができる。なお、トランジスタ３００は、ｎｃｈトランジスタであってもよく、ｐｃｈトランジスタであってもよい。
【0037】
容量素子３２０は、液晶素子３１０と並列して設けられ、液晶素子３１０の電圧を保持することができる。図２においては、容量素子３２０は、第１電極層２２８（共通電極）と第２電極層２３２（画素電極）との間に形成される容量である。図示しないが、半導体層３００ａのソース領域またはドレイン領域と同一の工程で形成される導電層と、ゲート電極３００ｃと同一の工程で形成される導電層との間に、ゲート絶縁層３００ｂを挟んで容量素子３２０を形成することができる。また、ゲート電極３００ｃと同一の工程で形成される導電層と、ソース電極３００ｅまたはドレイン電極３００ｆと同一の工程で形成される導電層との間に、層間絶縁層３００ｄを挟んで容量素子３２０を形成することもできる。
【0038】
再び、図２に戻り、表示装置１０について説明する。
【0039】
第１基板２０２は、第１基板２０２上に形成される各層を支持する支持基板として機能することができる。第１基板２０２としては、例えば、ガラス基板、石英基板、およびサファイア基板などの剛性基板を用いることができる。第１基板２０２を透明基板とすれば、表示領域１０－１が透光性を有する表示装置１０となる。また、第１基板２０２としては、例えば、ポリイミド基板、アクリル基板、シロキサン基板、またはフッ素樹脂基板などの可撓性基板を用いることができる。可撓性基板の耐熱性を向上させるために、可撓性基板に不純物が導入されていてもよい。第１基板２０２が透光性を必要としない場合には、第１基板２０２としては、シリコン基板、炭化シリコン基板、または化合物半導体基板などの半導体基板、もしくはステンレス基板などの導電性基板を用いることができる。
【0040】
遮光層２０４は、半導体層２０８のチャネル形成領域を遮光することができる。そのため、トランジスタ３００の半導体層３００ａと重畳していることが好ましい。遮光層２０４の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）などの金属、若しくはこれらの合金を用いることができる。また、遮光層２０４は、単層または積層とすることができる。
【0041】
第１絶縁層２０６は、遮光層２０４と半導体層２０８とを電気的に離間する層間絶縁層として機能することができる。第１絶縁層２０６の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムなどを用いることができる。また、第１絶縁層２０６は、単層または積層とすることができる。
【0042】
半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、および第２導電層２１６は、上述したように、トランジスタ３００の各層を形成することができる。また、第１導電層２１２および第２導電層２１６は、ゲート配線９１１およびソース配線９１３の一部として形成することもできる。さらに、第２絶縁層２１０または第３絶縁層２１４は、容量素子３２０の誘電体とすることもできる。半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、および第２導電層２１６の材料は、それぞれ、半導体層３００ａ、ゲート絶縁層３００ｂ、ゲート電極３００ｃ、層間絶縁層３００ｄ、ならびにソース電極３００ｅおよびドレイン電極３００ｆと同様の材料を用いることができる。
【0043】
第４絶縁層２１８は、トランジスタ３００の保護層として機能することができる。第４絶縁層２１８の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムなどを用いることができる。また、第４絶縁層２１８は、単層または積層とすることができる。
【0044】
第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２は、いわゆる積層構造を有する平坦化層２２０である。すなわち、第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２は、トランジスタ３００を覆い、トランジスタ３００の段差を平坦にすることができる。第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２の材料としては、例えば、感光性アクリルまたは感光性ポリイミドなどの感光性有機材料を用いることができる。
【0045】
本実施形態では、第１有機樹脂層２２０－１上に、第１有機樹脂層２２０－１とは性質の異なる第２有機樹脂層２２０－２が設けられ、第１有機樹脂層２２０－１と第２有機樹脂層２２０－２との積層構造によって優れた機能を有する平坦化層２２０を提供することができる。第１有機樹脂層２２０－１と第２有機樹脂層２２０－２の積層構造およびその機能の詳細については後述する。
【0046】
第１電極層２２８は、液晶素子３１０の液晶を駆動するための共通電極として機能することができる。第１電極層２２８の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電性酸化物を用いることができる。
【0047】
第５絶縁層２３０は、第１電極層２２８と第２電極層２３２とを電気的に絶縁する層間絶縁層として機能することができる。また、第５絶縁層２３０は、平坦化層２２０の保護層として機能することができる。さらに、第５絶縁層２３０は、第１電極層２２８と第２電極層２３２との間で容量素子３２０を形成するための容量絶縁膜として機能することができる。
【0048】
第２電極層２３２は、液晶素子３１０の液晶を駆動するための画素電極として機能することができる。第２電極層２３２の材料として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電性酸化物を用いることができる。なお、第２電極層２３２は、第１電極層２２８と重畳する領域において、２３２Ａに示すように、櫛歯状に形成されている。
【0049】
第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、および第５絶縁層２３０には開口部が設けられる。図２では、開口部の側面に第５絶縁層２３０が設けられている。第５絶縁層２３０が開口部の側面を覆っていることが好ましいが、第５絶縁層２３０が開口部の側面に設けられなくてもよい。第２電極層２３２は、第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、および第５絶縁層２３０に設けられた開口部を介して、第２導電層２１６と電気的に接続される。
【0050】
液晶層２３４は、液晶を含む。液晶の材料は、ネマティック相、スメクティック相、コレステリック相、ディスコティック相などの配向を有する有機高分子材料を用いることができる。また、液晶層２３４は、液晶を配向させるための配向膜を含むことができる。配向膜は、第２電極層２３２上に形成される。配向膜の材料として、例えば、ポリイミドなどを用いることができる。
【0051】
図２に示す液晶素子３１０は、第１電極層２２８および第２電極層２３２を利用して液晶層２３４に電圧を印加する、いわゆる横電界駆動方式である。図２では、第１電極層２２８と第２電極層２３２とが第５絶縁層２３０を挟んで異なる層に形成されているが、第１電極層２２８と第２電極層２３２とを同じ層に形成することもできる。この場合においても、液晶素子３１０は、横電界駆動方式となる。また、液晶素子３１０は、第１電極層２２８と第２電極層２３２とで液晶層２３４を挟む構成とすることもできる。この場合、液晶素子３１０は、縦電界駆動方式となる。本実施形態の表示装置１０では、横電界駆動方式または縦電界駆動方式のいずれの液晶素子３１０も適用することができる。
【0052】
第６絶縁層２３６は、遮光膜２３８ＢＭ、赤色カラーフィルタ膜２３８Ｒ、緑色カラーフィルタ膜２３８Ｇ、および青色カラーフィルタ膜２３８Ｂを保護する保護膜として機能することができる。第６絶縁層２３６の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または感光性アクリルなどを用いることができる。また、第７絶縁層２４０は、単層または積層とすることができる。
【0053】
遮光膜２３８ＢＭは、例えば、ブラックマトリクスである。遮光膜２３８ＢＭは、画素１１０間を離間し、画素１１０間の領域を非透光性にすることができる。すなわち、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂは、遮光膜２３８ＢＭによって離間されている。遮光膜２３８ＢＭの材料としては、例えば、カーボン、金属酸化物、無機顔料、または有機顔料などの遮光性微粒子を含有する有機材料を用いることができる。
【0054】
赤色カラーフィルタ膜２３８Ｒ、緑色カラーフィルタ膜２３８Ｇ、および青色カラーフィルタ膜２３８Ｂは、それぞれ、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂに設けられている。また、緑色カラーフィルタ膜２３８Ｇ、および青色カラーフィルタ膜２３８Ｂは、遮光膜２３８ＢＭによって離間されているが、遮光膜２３８ＢＭ上では、緑色カラーフィルタ膜２３８Ｇ、または青色カラーフィルタ膜２３８Ｂが重畳していてもよい。赤色カラーフィルタ膜２３８Ｒ、緑色カラーフィルタ膜２３８Ｇ、および青色カラーフィルタ膜２３８Ｂの材料としては、それぞれ、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、および青色カラーレジストを用いることができる。
【0055】
第７絶縁層２４０は、カラーレジストが劣化することを保護する保護膜として機能することができる。第７絶縁層２４０の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムなどを用いることができる。また、第７絶縁層２４０は、単層または積層とすることができる。
【0056】
第２基板２４２は、第２基板２４２上に形成される各層を支持することができる。また、第２基板２４２の材料としては、第１基板２０２と同様の材料を用いることができる。
【0057】
なお、図示しないが、表示装置１０は、さらに、偏光板またはバックライトなどの一般的な液晶表示装置の構成要素を含むことができる。
【0058】
［２．画素１１０の平坦化層２２０］
図５Ａおよび図５Ｂを参照して、画素１１０に適用される第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を用いた積層構造を有する平坦化層２２０の構成について説明する。
図５Ａおよび図５Ｂを参照して、画素１１０に適用される第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を用いた積層構造を有する平坦化層２２０の構成について説明する。
【0059】
【0060】
図５Ａに示すように、画素１１０の平坦化層２２０は、第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を含む。第１有機樹脂層２２０－１は、第２導電層２１６上に設けられている。また、第２有機樹脂層２２０－２は、第１有機樹脂層２２０－１上に設けられている。なお、図５Ａに示す平坦化層２２０は、説明の便宜上、第２導電層２１６上に設けられているが、画素１１０の平坦化層２２０は、第２導電層２１６以外の層の上に設けることもできる。
【0061】
平坦化層２２０は、第１有機樹脂層２２０－１と第２有機樹脂層２２０－２とに分けて形成されるため、第１有機樹脂層２２０－１の性質と第２有機樹脂層２２０－２の性質を併せ持つことができる。例えば、第１有機樹脂層２２０－１の第１比誘電率を、第２有機樹脂層２２０－２の第２比誘電率よりも小さくすることで、平坦化層２２０の比誘電率を調整することができる。また、第１有機樹脂層２２０－１の第１屈折率を、第２有機樹脂層２２０－２の第２屈折率よりも小さくすることで、平坦化層２２０の屈折率を調整することができる。また、第１有機樹脂層２２０－１の第１光透過率を、第２有機樹脂層２２０－２の第２光透過率よりも小さくすることで、平坦化層２２０の光透過率を調整することができる。なお、比誘電率、屈折率、および光透過率の大きさは、第１有機樹脂層２２０－１よりも第２有機樹脂層２２０－２が大きくてもよい。
【0062】
第１有機樹脂層２２０－１の熱安定性が低い場合、熱安定性が高い第２有機樹脂層２２０－２で第１有機樹脂層２２０－１を覆うことで、平坦化層２２０の耐熱性を改善することができる。また、第１有機樹脂層２２０－１の光安定性が低い場合、光安定性が高い第２有機樹脂層２２０－２で第１有機樹脂層２２０－１を覆うことで、平坦化層２２０の光安定性を改善することができる。
【0063】
画素１１０において、平坦化層２２０の膜厚は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下であり、好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。
【0064】
第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２の各々の膜厚は、表示装置１０で必要となる性質または機能に応じて決定することができる。例えば、第２有機樹脂層２２０－２の第２比誘電率が第１有機樹脂層２２０－１の第１比誘電率よりも大きい場合、第２有機樹脂層２２０－２の膜厚は第１有機樹脂層２２０－１の膜厚よりも小さくすることができる。典型的には、第１有機樹脂層２２０－１の膜厚に対する第２有機樹脂層の膜厚の比は、０．２以上１．０以下である。
【0065】
また、平坦化層２２０は、上述した平坦化層２２０の性質を有したまま、平坦化層に設けられた開口部のテーパー角を調整することもできる。以下では、平坦化層２２０の特徴の１つである開口部のテーパー角の調整について説明する。
【0066】
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、平坦化層２２０は、第２有機樹脂層２２０－２を貫通して設けられた開口部２２５を含む。具体的には、開口部２２５は、第１有機樹脂層２２０－１に設けられた開口を第２有機樹脂層２２０－２が覆い、第１有機樹脂層２２０－１に設けられた開口と重畳し、第２有機樹脂層２２０－２を貫通するように設けられている。なお、以下では、便宜上、開口部２２５が、第２有機樹脂層２２０－２の開口だけなく、第１有機樹脂層２２０－１の開口も含む場合があるものとして説明する。
【0067】
図５Ｂに示す開口部２２５の断面形状は円形であるが、開口部２２５の断面形状の構成はこれに限られない。開口部２２５の断面形状は、楕円形または矩形を含む多角形などであってもよい。
【0068】
第１有機樹脂層２２０－１の開口は、第１開口側面２２２－１を含む。また、第２有機樹脂層２２０－２の開口は、第２開口側面２２２－２を含む。開口部２２５において、第１開口側面２２２－１は、第２開口側面２２２－２に覆われている。第２開口側面２２２－２が第１開口側面２２２－１を覆うことで、第２有機樹脂層２２０－２をリフローするときに、第１有機樹脂層２２０－１が溶解して開口部２２５に流出することを防止することができる。
【0069】
ここで、第２導電層２１６の表面に対する第１有機樹脂層２２０－１の第１開口側面２２２－１の角度を第１テーパー角αとする。同様に、第２導電層２１６の表面に対する第２有機樹脂層２２０－２の第２開口側面２２２－２の角度を第２テーパー角βとする。第１テーパー角αは０°より大きく８０°未満であり、第２テーパー角βは８０°以上９０°未満である。すなわち、第２テーパー角βは、第１テーパー角αよりも大きい。平坦化層２２０の開口部のテーパー角は、第２テーパー角βで決定されるが、第２テーパー角βが大きくなることで、平坦化層２２０の開口部を介する配線の電気的接続における面積を縮小することができる。そのため、配線間ピッチを縮小することができる。すなわち、表示装置１０の高精細化が可能となる。
【0070】
感光性有機材料の比誘電率が大きいと、加工性に優れ、テーパー角を大きくすることができる。そのため、第２テーパー角βを第１テーパー角αよりも大きくするためには、第２有機樹脂層２２０－２の第２比誘電率が、第１有機樹脂層２２０－１の第１比誘電率よりも大きくなるように感光性有機材料を選択することが好ましい。例えば、第１有機樹脂層２２０－１の第１比誘電率は、２．０以上３．５未満であり、第２有機樹脂層２２０－２の第２比誘電率は、３．５以上５．０未満である。
【0071】
以上、本実施形態に係る表示装置１０によれば、画素１１０の平坦化層２２０が、第１有機樹脂層２２０－１上に第２有機樹脂層２２０－２が設けられた積層構造を有する。平坦化層２２０は、性質的に優れた第１有機樹脂層２２０－１上に、加工性に優れた第２有機樹脂層２２０－２を積層する。そのため、平坦化層２２０の開口部２２５は、加工性に優れた第２有機樹脂層２２０－２によって制御することができ、配線間ピッチを縮小することができる。また、第２有機樹脂層の第２比誘電率よりも低い第１比誘電率を有する第１有機樹脂層を設けることにより、平坦化層２２０の比誘電率が低くなり、負荷容量が低減される。したがって、表示装置１０は、高精細で、かつ、高速駆動が可能となる。
【0072】
［３．端子１４０の平坦化層２２０］
第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を用いた積層構造を有する平坦化層は、表示領域１０－１の画素１１０だけでなく、周辺領域１０－２の端子１４０にも適用することができる。そこで、図６～図７Ｂを参照して、端子１４０に適用される第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を用いた積層構造を有する平坦化層２２０Ａの構成について説明する。
第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を用いた積層構造を有する平坦化層は、表示領域１０－１の画素１１０だけでなく、周辺領域１０－２の端子１４０にも適用することができる。そこで、図６～図７Ｂを参照して、端子１４０に適用される第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を用いた積層構造を有する平坦化層２２０Ａの構成について説明する。
【0073】
図６は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の端子１４０の断面図である。
【0074】
図６に示すように、端子１４０は、第１基板２０２、第１絶縁層２０６、半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、第２導電層２１６、第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、第１電極層２２８、第５絶縁層２３０、および第２電極層２３２を含む。
【0075】
端子１４０では、平坦化層２２０に開口部２２５Ａが設けられている。また、開口部２２５Ａには、第１電極層２２８および第２電極層２３２が設けられている。第１電極層２２８と第２電極層２３２は電気的に接続され、端子１４０の電極として機能することができる。端子１４０における第１電極層２２８および第２電極層２３２は、第２導電層２１６に接続される。第２導電層２１６の一方は、第１導電層２１２に接続され、第１導電層２１２は表示領域１０－１に向かって引き出される。第２導電層２１６の他方は、半導体層２０８に接続され、半導体層２０８は第１基板２０２の端部に向かって引き出される。
【0076】
【0077】
【0078】
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、端子１４０の平坦化層２２０は、第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を含む。第１有機樹脂層２２０－１は、第３絶縁層２１４上に設けられている。また、第２有機樹脂層２２０－２は、第１有機樹脂層２２０－１上に設けられている。なお、図７Ａに示す平坦化層２２０は、説明の便宜上、第３絶縁層２１４上に設けられているが、端子１４０の平坦化層２２０は、第３絶縁層２１４以外の層の上に設けることもできる。
【0079】
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、平坦化層２２０は、第１有機樹脂層２２０－１および第２有機樹脂層２２０－２を貫通して設けられた開口部２２５Ａを含む。開口部２２５Ａは、第１有機樹脂層２２０－１に設けられた開口と、第２有機樹脂層２２０－２に設けられた開口とが組合わせられている。なお、第１有機樹脂層２２０－１の開口と第２有機樹脂層２２０－２の開口とは、完全に重畳している。
【0080】
第１有機樹脂層２２０－１の開口は、第１開口側面２２２Ａ－１を含む。また、第２有機樹脂層２２０－２の開口は、第３開口側面２２２Ａ－２を含む。第１開口側面２２２Ａ－１の下端は、第３絶縁層２１４と接する。一方、第３開口側面２２２Ａ－２の下端は、第１有機樹脂層２２０－１上にあり、第１有機樹脂層２２０－１と接する。
【0081】
ここで、第３絶縁層２１４の表面に対する第１有機樹脂層２２０－１の第１開口側面２２２－１の角度を第１テーパー角αとする。一方、第１有機樹脂層２２０－１の表面に対する第３開口側面２２２Ａ－２の角度を第３テーパー角γとする。第１テーパー角αおよび第３テーパー角γの各々は０°より大きく８０°未満であるが、第３テーパー角γは第１テーパー角αよりも小さいことが好ましい。開口部２２５Ａには、第１電極層２２８および第２電極層２３２が設けられるが、開口部２２５Ａの側面の段差を小さくすることで、開口部２２５Ａの側面に成膜された第１電極層２２８および第２電極層２３２のエッチングが可能となり、第１電極層２２８および第２電極層２３２のエッチング残りを防止することができる。また、開口部２２５Ａの側面の段差が小さいため、開口部２２５ＡへのＦＰＣ圧着接続の際に、ＡＣＦに圧力が印加されやすい。
【0082】
以上、本実施形態に係る表示装置１０によれば、端子１４０の平坦化層２２０が、第１有機樹脂層２２０－１上に第２有機樹脂層２２０－２が設けられた積層構造を有する。平坦化層２２０は、性質的に優れた第１有機樹脂層２２０－１上に、加工性に優れた第２有機樹脂層２２０－２を積層する。そのため、平坦化層２２０の開口部２２５Ａは、加工性に優れた第２有機樹脂層２２０－２の第３テーパー角γを小さくなるように制御することで、端子１４０の電極の密着性を向上させ、外部と端子１４０との電気的接続を容易にする。
【0083】
【0084】
図８Ａ～図８Ｆは、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の平坦化層２２０の作製方法を説明する模式図である。具体的には、図８Ａ～図８Ｆは、表示装置１０の画素１１０および端子１４０で形成される平坦化層２２０を示す。なお、説明の便宜上、図８Ａ～図８Ｆでは、平坦化層２２０が、基板２００上に形成されるものとして説明する。
【0085】
まず、基板２００上に、感光性アクリルまたは感光性ポリイミドなどの感光性有機材料を塗布し、２００℃以上２５０℃以下で加熱し、第１有機樹脂層２２０－１を形成する（図８Ａ）。感光性有機材料は、スピンコート、インクジェット、またはスリットコートなどを用いて塗布することができる。また、感光性有機材料は、ポジ型であってもよく、ネガ型であってもよい。以下では、感光性有機材料がポジ型であるとして説明する。
【0086】
次に、マスク８１０を用いて、第１有機樹脂層２２０－１を露光する（図８Ｂ）。マスク８１０は、透過部８１２および遮光部８１４を含む。露光機からの照射光は、透過部８１２を透過するが、遮光部８１４を透過しない。そのため、第１有機樹脂層２２０－１は、マスク８１０の透過部８１２と重畳する領域が露光される。
【0087】
次に、第１有機樹脂層２２０－１を現像すると、露光された領域に開口部２２４及び開口部２２４Ａが形成される（図８Ｃ）。第１有機樹脂層２２０－１の現像において、露光された領域の近傍のサイドエッチングが進行するため、第１有機樹脂層２２０－１の開口部２２４では、第１テーパー角αを有する第１開口側面２２２－１が形成される。同様に、開口部２２４Ａでも、第１テーパー角αを有する第１開口側面２２２Ａ－１が形成される。第１有機樹脂層２２０－１は現像液に溶解しやすい材料であり、第１テーパー角αは、０°より大きく８０°未満となる。
【0088】
また、第１有機樹脂層２２０－１は、２００℃以上２５０℃以下でリフローしてもよい。
【0089】
次に、第１有機樹脂層２２０－１上に、第１有機樹脂層２２０－１とは異なる感光性有機材料を塗布し、２１０℃以上２６０℃以下で加熱し、第２有機樹脂層２２０－２を形成する（図８Ｄ）。
【0090】
次に、マスク８２０を用いて、第２有機樹脂層２２０－２を露光する（図８Ｅ）。マスク８２０は、透過部８２２、遮光部８２４、および半透過部８２６を含む。すなわち、マスク８２０は、いわゆるハーフトーンマスクである。露光機からの照射光は、透過部８２２だけでなく、半透過部８２６も透過する。しかしながら、半透過部８２６で透過した光の強度は、透過部８２２を透過した光の強度よりも小さい。そのため、第２有機樹脂層２２０－２において、マスク８２０の半透過部８２６と重畳する領域は、透過部８２２と重畳する領域よりも露光量が少ない。
【0091】
また、マスク８２０の半透過部８２６では、光透過率が変化していることが好ましい。光透過率を変化させることで、露光量が細かく調整されるため、感光性有機材料のテーパー角をより小さくすることが可能となる。半透過部８２６の光透過率は、例えば、図８Ｅに示すように、半透過部８２６の膜厚を変えることで、調整することができる。また、半透過部８２６の光透過率は、半透過部８２６に含まれる材料濃度を変化することでも、調整することができる。
【0092】
また、図８Ｅでは、マスク８２０として、ハーフトーンマスクを示したが、他の多階調マスク、例えば、グレートーンマスクを用いることもできる。
【0093】
次に、第２有機樹脂層２２０－２を現像すると、露光された領域に開口部２２５および開口部２２５Ａが形成される（図８Ｆ）。第２有機樹脂層２２０－２の現像において、画素１１０の露光された領域の近傍のサイドエッチングが進行するため、第２有機樹脂層２２０－２の開口部２２５では、第２テーパー角βを有する第２開口側面２２２－２が形成される。第２有機樹脂層２２０－２は現像液に溶解しにくい材料であり、第２テーパー角βは、８０°以上９０°未満となる。
【0094】
一方、端子１４０の露光された領域では、透過部８１２と重畳する領域だけでなく、半透過部８１６と重畳する領域も露光されている。また、半透過部８１６と重畳する領域は、透過部８１２と重畳する領域よりも露光量が少ないため、半透過部８１６と重畳する領域は、透過部８１２と重畳する領域よりも現像されにくい。そのため、第２有機樹脂層２２０－２の開口部２２５Ａでは、第３テーパー角γを有する第３開口側面２２２－３が形成される。第３テーパー角γは、マスク８２０の半透過部８１６で調整ができるため、第１テーパー角αよりも小さくてもよく、大きくてもよい。ただし、開口部２２５Ａでは、第１電極層２２８および第２電極層２３２が設けられるため、開口部２２５Ａの側面においても第１電極層２２８および第２電極層２３２のエッチングを可能にするため、開口部２２５Ａの側面の段差を小さくすることが好ましい。そのため、第３テーパー角γは、第１テーパー角αよりも小さいことが好ましい。
【0095】
以上、本実施形態に係る表示装置１０の平坦化層２２０の作製方法によれば、それぞれの構造が異なる画素１１０の開口部２２５と端子１４０の開口部２２５Ａとを同時に形成することができる。具体的には、画素１１０では、大きな第２テーパー角βの第２開口側面２２２－２を有する開口部２２５が形成され、端子１４０では、第１テーパー角αの第１開口側面２２２－１および第３テーパー角γの第３開口側面２２２－３を有する開口部２２５Ａが形成される。ただし、テーパー角の違いだけであれば、多階調マスクを用いて形成することも可能である。しかしながら、本実施形態に係る表示装置１０の平坦化層２２０では、平坦化層２２０の性質も考慮することができる。例えば、比誘電率の大きい第２有機樹脂層２２０－２のみからなる平坦化層の場合、多階調マスクを用いて、画素１１０に高精細化するための大きなテーパー角を有する開口部、および端子１４０に小さいテーパー角を有する開口部を有する平坦化層を形成することができる。しかしながら、この平坦化層は、比誘電率が大きいため、負荷容量が大きく、表示装置は高速駆動ができない。一方、平坦化層２２０に比誘電率の小さい第１有機樹脂層２２０－１を含めることにより、平坦化層２２０の比誘電率が小さくなり、表示装置１０は高速駆動が可能となる。しかも、上述したように、画素１１０は、大きな第２テーパー角βの開口部２２５を有するため、表示装置１０は高精細が可能となる。
【0096】
したがって、本実施形態に係る表示装置１０の平坦化層２２０の作製方法によれば、構造、性質、および機能が優れた平坦化層２２０を作製することができるため、性能が優れた表示装置１０、例えば、高精細で、かつ高速駆動の表示装置１０を作製することができる。
【0097】
＜第３実施形態＞
図９～図１１を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置２０について説明する。以下では、表示装置２０について、表示装置１０と同じ構成は省略し、主に、表示装置１０と異なる構成について説明する。
図９～図１１を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置２０について説明する。以下では、表示装置２０について、表示装置１０と同じ構成は省略し、主に、表示装置１０と異なる構成について説明する。
【0098】
図９は、本発明の一実施形態に係る表示装置２０の表示領域の断面図である。
【0099】
図９に示すように、表示装置２０は、第１基板２０２、遮光層２０４、第１絶縁層２０６、半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、第２導電層２１６、第４絶縁層２１８、第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、第５絶縁層２３０、第１電極層４１０、接続電極層４１２、赤色ＬＥＤチップ４１４Ｒ、緑色ＬＥＤチップ４１４Ｇ、青色ＬＥＤチップ４１４Ｂ、第３有機樹脂層４２０－１、第４有機樹脂層４２０－２、および第２電極層４３０を含む。
【0100】
図９には、複数の画素１１０として、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂが示されている。赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂの各々は、画素１１０を制御するトランジスタ３００を含む。
【0101】
第１電極層４１０は、第１基板２０２側に設けられ、ＬＥＤチップ４１４と電気的に接続するための電極として機能することができる。第１電極層４１０は、トランジスタ３００と電気的に接続している。第１電極層４１０の材料としては、例えば、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）などの金属、若しくはこれらの合金を用いることができる。また、第１電極層４１０の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電性酸化物を用いることもできる。また、第１電極層４１０は、金属と透明導電性酸化物の積層構造であってもよい。さらに、第１電極層４１０は、複数の金属による積層構造であってもよい。
【0102】
接続電極層４１２は、ＬＥＤチップ４１４を第１電極層４１０に固定するとともに、ＬＥＤチップ４１４と第１電極層４１０とを電気的に接続することができる。接続電極層４１２は、例えば、銀ペーストまたはハンダなどの導電性接着剤である。また、接続電極層４１２として、異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いることもできる。
【0103】
赤色ＬＥＤチップ４１４Ｒ、緑色ＬＥＤチップ４１４Ｇ、および青色ＬＥＤチップ４１４Ｂのそれぞれは、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂに配置されている。赤色ＬＥＤチップ４１４Ｒ、緑色ＬＥＤチップ４１４Ｇ、および青色ＬＥＤチップ４１４Ｂからの発光を制御することにより、表示装置２０はフルカラー表示を得ることができる。
【0104】
図９に示すＬＥＤチップ４１４は、縦型ＬＥＤ構造（垂直電極構造）を有し、下方の第１電極層４１０と上方の第２電極層４３０と電気的に接続される。ただし、ＬＥＤチップ４１４の構成はこれに限られない。ＬＥＤチップ４１４は、横型ＬＥＤ構造（水平電極構造）を有していてもよい。なお、ＬＥＤチップ４１４は、第２電極層４３０側に発光する。
【0105】
第２電極層４３０は、平坦化層４２０上に設けられ、ＬＥＤチップ４１４と電気的に接続することができる。ＬＥＤチップ４１４からの発光は第２電極層４３０を通して取り出されるため、第２電極層４３０は光透過率の高い導電性材料であることが好ましい。第２電極層４３０の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電性酸化物を用いることができる。
【0106】
第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２は、いわゆる積層構造を有する平坦化層４２０である。すなわち、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２は、第１電極層４１０を覆い、第１電極層４１０と第２電極層４３０とを離間することができる。第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２の材料としては、例えば、感光性アクリルまたは感光性ポリイミドなどの感光性有機材料を用いることができる。
【0107】
本実施形態では、第３有機樹脂層４２０－１上に第３有機樹脂層４２０－１とは性質の異なる第４有機樹脂層４２０－２が設けられ、第３有機樹脂層４２０－１と第４有機樹脂層４２０－２との積層構造によって優れた機能を有する平坦化層４２０を提供することができる。
【0108】
【0109】
図１０Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置２０において、ＬＥＤチップ４１４が実装された領域の拡大図である。
【0110】
ＬＥＤチップ４１４は、接続電極層４１２を介して、第１電極層４１０上に実装されている。ＬＥＤチップ４１４の側面には平坦化層４２０が設けられているが、ＬＥＤチップ４１４の上面は露出されている。第２電極層４３０は、露出されたＬＥＤチップ４１４の上面および平坦化層４２０の上に設けられている。
【0111】
平坦化層４２０は、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２を含む。第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２の各々の膜厚は、表示装置２０で必要となる性質または機能に応じて決定することができる。例えば、第４有機樹脂層４２０－２の第４比誘電率が第３有機樹脂層４２０－１の第３比誘電率よりも小さい場合、第４有機樹脂層４２０－２の膜厚は第３有機樹脂層４２０－１の膜厚よりも小さくすることができる。典型的には、第３有機樹脂層４２０－１の膜厚に対する第４有機樹脂層４２０－２の膜厚の比は、０．２以上１．０以下である。
【0112】
また、例えば、第３有機樹脂層４２０－１の耐熱性が第４有機樹脂層４２０－２の耐熱性よりも優れている場合、第３有機樹脂層４２０－１と第４有機樹脂層４２０－２との界面が、ＬＥＤチップ４１４の活性層４１４ａよりも上方（活性層４１４ａよりも第２電極層４３０側）に位置することが好ましい。ＬＥＤチップ４１４での発熱の大部分は活性層４１４ａで生じるため、耐熱性に優れた第３有機樹脂層４２０－１を活性層４１４ａの近傍に配置することで、表示装置２０の耐熱性を向上させることができる。また、第３有機樹脂層４２０－１の透湿性が第４有機樹脂層４２０－２の透湿性よりも優れている場合も、第３有機樹脂層４２０－１と第４有機樹脂層４２０－２との界面が、ＬＥＤチップ４１４の活性層４１４ａよりも上方に位置することが好ましい。活性層４１４ａへの水分の侵入を防止することができるため、表示装置２０の信頼性を向上させることができる。
【0113】
感光性有機材料の比誘電率が大きいと、耐熱性および透湿性に優れる。そのため、第３有機樹脂層４２０－１の第３比誘電率が、第４有機樹脂層４２０－２の第４比誘電率よりも大きくなるように感光性有機材料を選択することが好ましい。例えば、第３有機樹脂層４２０－１の第３比誘電率は、３．５以上５．０未満であり、第４有機樹脂層４２０－２の第４比誘電率は、２．０以上３．５未満である。
【0114】
ＬＥＤチップ４１４は下面よりも上面が大きく、ＬＥＤチップ４１４の側面は、下面から上面に向かって傾斜している。すなわち、ＬＥＤチップ４１４の側面は、いわゆる逆テーパー形状を有する。逆テーパー形状を有するＬＥＤチップ４１４間に、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２が形成される場合、ＬＥＤチップ４１４の側面の近傍において、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２の各々の端部は上方に向かって傾斜する凸形状を含む。第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２の各々の端部の凸形状は、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２をリフローした場合に生じるものである。
【0115】
図１０Ａに示すように、平坦化層４２０では、第３有機樹脂層４２０－１の端部の第１凸形状４５０－１の高さと第４有機樹脂層４２０－２の端部の第２凸形状４５０－２の高さとが異なるように形成されている。ここで、図１０Ｂおよび図１０Ｃを参照して、第１凸形状４５０－１の高さと第２凸形状の高さについて説明する。
【0116】
【0117】
図１０Ｂに示すように、第１凸形状４５０－１の高さＴ１は、第３有機樹脂層４２０－１と第４有機樹脂層４２０－２とが接する境界面の平坦部（例えば、平坦部は、図９に示す第１基板２０２の表面と略平行であってもよい。）から、ＬＥＤチップ４１４と接する境界面の端部までの高さである。同様に、図１０Ｃに示すように、第２凸形状４５０－２の高さＴ２は、第４有機樹脂層４２０－２と第２電極層４３０とが接する境界面の平坦部（例えば、平坦部は、図９に示す第１基板２０２の表面と略平行であってもよい。）から、ＬＥＤチップ４１４と接する境界面の端部までの高さである。
【0118】
表示装置２０においては、第４有機樹脂層４２０－２の端部の第２凸形状４５０－２の高さＴ２が、第３有機樹脂層４２０－１の端部の第１凸形状４５０－１の高さＴ１よりも大きいことが好ましい。言い換えれると、第４有機樹脂層４２０－２の端部が、第３有機樹脂層４２０－１の端部よりも傾斜が急俊であることが好ましいということもできる。第４有機樹脂層４２０－２の端部の第２凸形状４５０－２が大きいと、ＬＥＤチップ４１４の上面端部の近傍において、ＬＥＤチップ４１４の上面と平坦化層４２０との段差が小さくなる。そのため、ＬＥＤチップ４１４の上面および平坦化層４２０の上に形成される第２電極層４３０の断線による不良が抑制され、表示装置２０の信頼性を向上させることができる。
【0119】
また、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２リフローすることによって、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２は収縮する。収縮した第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２は、ＬＥＤチップ４１４を第１電極層４１０側に引っ張ることになるため、ＬＥＤチップ４１４と第１電極層４１０との密着性が向上する。
【0120】
ここで、図１１を参照して、表示装置２０の画素１１０の制御について説明する。
【0121】
図１１は、本発明の一実施形態に係る表示装置２０の画素１１０における画素回路の回路図である。
【0122】
図１１に示すように、画素１１０の画素回路は、ＬＥＤチップ４１４、第１トランジスタ３００－１、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、第４トランジスタ３００－４、第５トランジスタ３００－５、第１容量素子３３０、および第２容量素子３４０を含む。また、走査線９２１、信号線９２２、発光制御走査線９２３、電流供給線９２４、初期化走査線９２５、初期化線９２６、リセット走査線９２７、およびリセット線９２８を含む。
【0123】
第１トランジスタ３００－１は、発光制御トランジスタである。第１トランジスタ３００－１は、発光制御走査線９２３で開閉され、ＬＥＤチップ４１４および第５トランジスタ３００－５へ電流を流すか否かの選択を行う。
【0124】
第２トランジスタ３００－２は、選択トランジスタである。第２トランジスタ３００－２は、走査線９２１で開閉され、信号線９２２で供給される電圧を第５トランジスタ３００－５のゲートに印加する。
【0125】
第３トランジスタ３００－３は、初期化トランジスタである。第３トランジスタ３００－３は、初期化走査線９２５で開閉され、初期化線９２６で供給される電圧を用いて第５トランジスタ３００－５のゲートを所定の電位に固定する。
【0126】
第４トランジスタ３００－４は、リセットトランジスタである。第４トランジスタ３００－４は、リセット走査線９２７で開閉され、リセット線９２８で供給される逆バイアス電圧をＬＥＤチップ４１４に印加する。
【0127】
第５トランジスタ３００－５は、駆動トランジスタである。第５トランジスタ３００－５は、上述したように、第２トランジスタ３００－２または第３トランジスタ３００－３の動作に基づいてゲートの電位が決定され、当該ゲートの電位に基づいて決定される値の電流を、電流供給線９２４からＬＥＤチップ４１４に供給する。
【0128】
電流供給線９２４は電源と電気的に接続されるが、電流供給線９２４に流れる電流が急激に変化すると、電流変化に伴う誘導電圧が発生し、電源の電圧が変動してしまう。そのため、一般的には、電流供給線９２４と接地線との間にデカップリングコンデンサを設けて電源の電圧を安定化する。
【0129】
一方、本実施形態に係る表示装置２０の場合、平坦化層４２０に比誘電率の大きい第３有機樹脂層４２０－１を含むことができる。そのため、電流供給線９２４を第３有機樹脂層４２０－１で覆うことによって、デカップリング容量を大きし、電源を安定化することができる。
【0130】
以上、本実施形態に係る表示装置２０によれば、ＬＥＤチップ４１４間の平坦化層が、第３有機樹脂層４２０－１上に第４有機樹脂層４２０－２が設けられた積層構造を有する。平坦化層４２０は、ＬＥＤチップ４１４の構造または形状に合わせて第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２を選択することができる。例えば、耐熱性の優れた第３有機樹脂層４２０－１上に、リフロー後の端部の凸形状が大きい第４有機樹脂層４２０－２を積層することにより、表示装置２０の耐熱性および信頼性が向上する。特に、第３有機樹脂層４２０－１の第３比誘電率が、第４有機樹脂層４２０－２の第４比誘電率より大きく、第３有機樹脂層４２０－１の膜厚が、第４有機樹脂層４２０－２の膜厚よりも大きい場合に、その効果は大きい。
【0131】
＜変形例１＞
図１２を参照して、表示装置２０の変形例について説明する。以下では、上述した表示装置２０と同様の構成については、説明を省略する。
図１２を参照して、表示装置２０の変形例について説明する。以下では、上述した表示装置２０と同様の構成については、説明を省略する。
【0132】
図１２は、本発明の一実施形態に係る表示装置２０において、ＬＥＤチップ４１４が実装された領域の拡大図である。
【0133】
図１２に示す表示装置２０では、ＬＥＤチップ４１４の側面に、第６絶縁層４１６が設けられている。第６絶縁層４１６は、ＬＥＤチップ４１４の保護層として機能することができる。第６絶縁層４１６の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムなどを用いることができる。また、第６絶縁層４１６は、単層または積層とすることができる。
【0134】
表示装置２０における上記構成は、例えば、次のような工程で作製することができる。ＬＥＤチップ４１４の側面に第６絶縁層４１６を形成し、第６絶縁層４１６が形成されたＬＥＤチップを接続電極層４１２に実装する。続いて、第３有機樹脂層４２０－１および第４有機樹脂層４２０－２を順次、塗布などにより形成する。
【0135】
変形例１に係る表示装置２０では、ＬＥＤチップ４１４の側面に第６絶縁層４１６が設けられているため、活性層４１４ａへの水分の侵入を防止することができ、表示装置２０の信頼性をさらに向上させることができる。また、第６絶縁層４１６を設けることによって、ＬＥＤチップ４１４の上面端部の近傍において、ＬＥＤチップ４１４の上面と平坦化層４２０との段差を小さくすることができる。そのため、ＬＥＤチップ４１４の上面および平坦化層４２０の上に形成される第２電極層４３０の断線の断線による不良が抑制され、表示装置２０の信頼性を向上させることができる。
【0136】
＜変形例２＞
図１３を参照して、表示装置２０の別の変形例について説明する。以下では、上述した表示装置２０と同様の構成については、説明を省略する。
図１３を参照して、表示装置２０の別の変形例について説明する。以下では、上述した表示装置２０と同様の構成については、説明を省略する。
【0137】
図１３は、本発明の一実施形態に係る表示装置２０の表示領域の断面図である。
【0138】
図１３に示すように、表示装置２０は、第１基板２０２、遮光層２０４、第１絶縁層２０６、半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、第２導電層２１６、第４絶縁層２１８、第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、第５絶縁層２３０、第１電極層４１０、接続電極層４１２、紫外ＬＥＤチップ４１４Ｕ、第３有機樹脂層４２０－１、第４有機樹脂層４２０－２、第２電極層４３０、および変換層４４０、を含む。変換層４４０は、第２電極層４３０上に設けられている。
【0139】
図１３には、複数の画素１１０として、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂが示されている。赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂの各々は、画素１１０を制御するトランジスタ３００を含む。また、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂの各々は、紫外ＬＥＤチップ４１４Ｕおよび変換層４４０を含む。
【0140】
紫外ＬＥＤチップ４１４Ｕは、紫外光を出射する。紫外光の波長は、例えば、３００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下である。紫外ＬＥＤチップ４１４Ｕの紫外光の波長が上記範囲よりも小さいと、紫外光のエネルギーが大きいため、表示装置２０に含まれる層または領域が紫外光によって損傷を受ける。また、紫外光の波長が上記範囲よりも大きいと、紫外光が蛍光体４４６に吸収されにくくなる。そのため、紫外光の波長は、上記範囲であることが好ましい。
【0141】
変換層４４０は、バンク４４２、バインダー樹脂４４４、および蛍光体４４６を含む。各画素１１０間は、バンク４４２によって離隔されている。赤色画素１１０Ｒは、バインダー樹脂４４４および赤色蛍光体４４６Ｒを含み、緑色画素１１０Ｇは、バインダー樹脂４４４および緑色蛍光体４４６Ｇを含み、青色画素１１０Ｂは、バインダー樹脂４４４および青色蛍光体４４６Ｂを含む。
【0142】
バンク４４２は、各画素１１０間を離隔することができればよく、黒色であることが好ましい。すなわち、バンク４４２は、ブラックマトリクスとして機能することができる。
【0143】
バインダー樹脂４４４は、透光性を有し、蛍光体４４６を分散することができる。バインダー樹脂４４４の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、またはポリイミド樹脂などの有機樹脂材料を用いることができる。また、バインダー樹脂４４４の材料としては、ガラスなどの無機材料を用いることもできる。
【0144】
赤色蛍光体４４６Ｒは、紫外ＬＥＤチップから出射された紫外光を吸収し、紫外光の波長を赤色光の波長に変換して光を出射することができる。緑色蛍光体４４６Ｇは、紫外ＬＥＤチップから出射された紫外光を吸収し、紫外光の波長を緑色光の波長に変換して光を出射することができる。緑色蛍光体４４６Ｇは、紫外ＬＥＤチップから出射された紫外光を吸収し、紫外光の波長を青色光の波長に変換して光を出射することができる。すなわち、赤色画素１１０Ｒでは、赤色蛍光体４４６Ｒによって変換された赤色光が出射され、緑色画素１１０Ｇでは、緑色蛍光体４４６Ｇによって変換された緑色光が出射され、青色画素１１０Ｂでは、青色蛍光体４４６Ｂによって変換された青色光が出射される。表示装置２０では、変換層４４０によって変換された赤色光、緑色光、および青色光によってフルカラー表示が可能となる。
【0145】
赤色蛍光体４４６Ｒとしては、例えば、Ｅｕ３＋イオンを含有する蛍光体（Ｓｒ２Ｓｉ７Ａｌ３ＯＮ１３：ＥｕまたはＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなど）を用いることができる。緑色蛍光体４４６Ｇとしては、例えば、Ｅｕ２＋イオンまたはＭｎ２＋イオンを含有する蛍光体（Ｓｒ３Ｓｉ１３Ａｌ３Ｏ２Ｎ２１：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ，Ｍｎ、または３（Ｂａ，Ｍｇ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３：Ｅｕ，Ｍｎ）を用いることができる。青色蛍光体４４６Ｂとしては、例えば、Ｅｕ２＋イオンを含有する蛍光体（Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕまたは（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕなど）を用いることができる。
【0146】
赤色蛍光体４４６Ｒ、緑色蛍光体４４６Ｇ、および青色蛍光体４４６Ｂは、量子ドットであってもよい。量子ドットとしては、例えば、直径０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の大きさの半導体微粒子を用いることができる。
【0147】
変形例２に係る表示装置２０では、紫外ＬＥＤチップ４１４Ｕを用いる。そのため、表示装置２０の各層または領域が、紫外光によって損傷する可能性がある。特に、紫外ＬＥＤチップ４１４Ｕ間の平坦化層４２０は、紫外光の影響が顕著である。そのため、変形例２に係る表示装置２０では、紫外光に影響を受けにくい感光性有機材料を第３有機樹脂層４２０－１に用いる。また、第３有機樹脂層４２０－１の膜厚は、第４有機樹脂層４２０－２の膜厚よりも大きいことが好ましい。このような構成にすることで、平坦化層４２０は、紫外光に強い第３有機樹脂層４２０－１の占める割合が高くなり、平坦化層４２０の信頼性が向上する。また、第４有機樹脂層４２０－２は、リフロー後の端部の凸形状が大きい感光性有機材料とすることで、第２電極層４３０の断線による不良を抑制することができるため、変形例２に係る表示装置２０の信頼性が向上する。特に、第３有機樹脂層４２０－１の第３比誘電率が、第４有機樹脂層４２０－２の第４比誘電率より大きく、第３有機樹脂層４２０－１の膜厚が、第４有機樹脂層４２０－２の膜厚よりも大きい場合に、その効果は大きい。
【0148】
＜変形例３＞
図１４を参照して、表示装置２０の別の変形例について説明する。以下では、上述した表示装置２０と同様の構成については、説明を省略する。
図１４を参照して、表示装置２０の別の変形例について説明する。以下では、上述した表示装置２０と同様の構成については、説明を省略する。
【0149】
図１４は、本発明の一実施形態に係る表示装置２０の表示領域の断面図である。
【0150】
図１４に示すように、変形例３に係る表示装置２０は、第１基板２０２、遮光層２０４、第１絶縁層２０６、半導体層２０８、第２絶縁層２１０、第１導電層２１２、第３絶縁層２１４、第２導電層２１６、第４絶縁層２１８、第１有機樹脂層２２０－１、第２有機樹脂層２２０－２、第５絶縁層２３０、第１電極層４１０、第２電極層４３２、接続電極層４１２、赤色ＬＥＤチップ４１８Ｒ、緑色ＬＥＤチップ４１８Ｇ、青色ＬＥＤチップ４１８Ｂ、第３有機樹脂層４２０－１、および第４有機樹脂層４２０－２を含む。第１電極層４１０および第２電極層４３２は、第５絶縁層２３０上に接して設けられている。
【0151】
図１４には、複数の画素１１０として、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂが示されている。赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂの各々は、画素１１０を制御するトランジスタ３００を含む。
【0152】
赤色ＬＥＤチップ４１８Ｒ、緑色ＬＥＤチップ４１８Ｇ、および青色ＬＥＤチップ４１８Ｂのそれぞれは、赤色画素１１０Ｒ、緑色画素１１０Ｇ、および青色画素１１０Ｂに配置されている。赤色ＬＥＤチップ４１４Ｒ、緑色ＬＥＤチップ４１４Ｇ、および青色ＬＥＤチップ４１４Ｂからの発光を制御することにより、表示装置２０はフルカラー表示を得ることができる。
【0153】
変形例３に係る表示装置２０では、ＬＥＤチップ４１８は、接続電極層４１２を介して、第１電極層４１０および第２電極層４３２の上に設けられている。ＬＥＤチップ４１８は、横型ＬＥＤ構造（水平電極構造）を有し、第１電極層４１０および第２電極層４３２の上に、いわゆるフリップチップ実装されている。この場合においても、ＬＥＤチップ４１８の活性層の近傍に耐熱性の優れた第３有機樹脂層４２０－１に設けることができる。そのため、変形例３に係る表示装置２０の耐熱性および信頼性が向上する。特に、第３有機樹脂層４２０－１の第３比誘電率が、第４有機樹脂層４２０－２の第４比誘電率より大きく、第３有機樹脂層４２０－１の膜厚が、第４有機樹脂層４２０－２の膜厚よりも大きい場合に、その効果は大きい。
【0154】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0155】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0156】
１０、２０：表示装置、 １０－１：表示領域、 １０－２：周辺領域、 １１０：画素、 １１０Ｒ：赤色画素 、１１０Ｇ：緑色画素、 １１０Ｂ：青色画素、１２０：走査線駆動回路部 、１３０：端子部、 １４０：端子、 ２００：基板、 ２０２：第１基板、 ２０４：遮光層、 ２０６：第１絶縁層、 ２０８：半導体層、 ２１０：第２絶縁層、 ２１２：第１導電層、 ２１４：第３絶縁層、 ２１６：第２導電層、 ２１８：第４絶縁層、 ２２０、２２０Ａ：平坦化層、 ２２０－１：第１有機樹脂層、 ２２０－２：第２有機樹脂層、 ２２２－１、２２２Ａ－１：第１開口側面、 ２２２－２：第２開口側面、 ２２２－３、２２２Ａ－３：第３開口側面、 ２２４、２２４Ａ、２２５、２２５Ａ：開口部、 ２２８：第１電極層、 ２３０：第５絶縁層、 ２３２：第２電極層、 ２３４：液晶層、 ２３６：第６絶縁層、 ２３８ＢＭ：遮光膜、 ２３８Ｒ：赤色カラーフィルタ膜、 ２３８Ｇ：緑色カラーフィルタ膜、 ２３８Ｂ：青色カラーフィルタ膜、 ２４０：第７絶縁層、 ２４２：第２基板、 ３００：トランジスタ、 ３００－１：第１トランジスタ、 ３００－２：第２トランジスタ、 ３００－３：第３トランジスタ、 ３００－４：第４トランジスタ、 ３００－５：第５トランジスタ、 ３００ａ：半導体層、 ３００ｂ：ゲート絶縁層、 ３００ｃ：ゲート電極、 ３００ｄ：層間絶縁層、 ３００ｅ：ソース電極、 ３００ｆ：ドレイン電極、 ３１０：液晶素子、 ３２０：容量素子、 ３３０：第１容量素子、 ３４０：第２容量素子、 ４１０：第１電極層、 ４１２：接続電極層、 ４１４、４１８：ＬＥＤチップ、 ４１４ａ：活性層、 ４１４Ｒ、４１８Ｒ：赤色ＬＥＤチップ、 ４１４Ｇ、４１８Ｇ：緑色ＬＥＤチップ、 ４１４Ｂ、４１８Ｂ：青色ＬＥＤチップ、 ４１４Ｕ：紫外ＬＥＤチップ、 ４１６：第６絶縁層、 ４２０：平坦化層、 ４２０－１：第３有機樹脂層、 ４２０－２：第４有機樹脂層、 ４３０、４３２：第２電極層、 ４４０：変換層、 ４４２：バンク、 ４４４：バインダー樹脂、 ４４６：蛍光体、 ４４６Ｂ：青色蛍光体、 ４４６Ｇ：緑色蛍光体、 ４４６Ｒ：赤色蛍光体、 ４５０－１：第１凸形状、 ４５０－２：第２凸形状、 ７００：ドライバＩＣ、 ７１０：フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）、 ８１０、８２０：マスク、 ８２２：透過部、 ８２４：遮光部、 ８２６：半透過部、 ９１１：ゲート配線（走査線）、 ９１３：ソース配線（信号線）、 ９２１：走査線、 ９２２：信号線、 ９２３：発光制御走査線、 ９２４：電流供給線、 ９２５：初期化走査線、 ９２６：初期化線、 ９２７：リセット走査線、 ９２８：リセット線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】