(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-08
(45)【発行日】2023-12-18
(54)【発明の名称】被加工物の加工方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20231211BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 S
【請求項の数】
1
(21)【出願番号】P 2019231852
(22)【出願日】2019-12-23
(65)【公開番号】P2021100074
(43)【公開日】2021-07-01
【審査請求日】2022-10-21
(73)【特許権者】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(72)【発明者】
【氏名】飯塚 健太呂
【審査官】三浦 みちる
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１９－５１２８７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０７９２９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０２９５４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１１２１５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１７６００２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０５０５３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－２１２７６４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
被加工物の表面側に設定された複数の分割予定ラインにより複数の領域に区画された各領域に複数のバンプが設けられた被加工物の加工方法であって、流動性を有する硬化性樹脂が供給された台の上面側と対面する様に該被加工物の該表面を下向きにして該被加工物を保持する保持工程と、
該被加工物を下方に移動させて、該被加工物の該表面側を該硬化性樹脂に押し当てることにより、該硬化性樹脂が該バンプと該表面との隙間に入り込み且つ該バンプが該硬化性樹脂に埋まる様に、該被加工物の該表面の全体を該硬化性樹脂で被覆する被覆工程と、
該硬化性樹脂を硬化させて樹脂膜を形成する硬化工程と、
該硬化工程の後、該樹脂膜に吸収される波長を有するレーザービームを各分割予定ラインに沿って該樹脂膜に照射して、各分割予定ライン上の該樹脂膜を除去するレーザービーム照射工程と、
該レーザービーム照射工程の後、該被加工物にプラズマ化したガスを供給して、該樹脂膜をマスクとして各分割予定ラインに沿って該被加工物を個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
を備え、
該レーザービーム照射工程の前に、該樹脂膜の表面をバイト工具で切削して該樹脂膜を薄化する薄化工程を更に備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数のバンプが設けられた被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話、コンピュータ等の電気機器には、一般的にデバイスチップが搭載されている。デバイスチップを製造するためには、例えば、まず、シリコン等の半導体で形成されたウェーハの表面側に複数の分割予定ラインを格子状に設定し、複数の分割予定ラインで区画される各領域にデバイスを形成する。
【0003】
その後、研削装置を用いてウェーハの裏面側を所定の厚さまで研削してウェーハを薄化した後、切削装置を用いて各分割予定ラインに沿ってウェーハを切削する。これにより、ウェーハは分割予定ラインに沿って分割されて、デバイスチップが製造される。
【0004】
切削装置は、一般的に、円柱状のスピンドルと、スピンドルの一端側に連結される駆動モータと、スピンドルの他端側に装着される円環状の切削ブレードとを含む切削ユニットを有する。切削ブレードとしては、例えば、円環状のアルミニウム基台に形成される電着層で砥粒が固定された、ハブタイプの切削ブレードが用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【0005】
しかし、切削ブレードを用いてウェーハを切削すると、ウェーハの表面側にチッピング、クラック等が形成されやすい。チッピング、クラック等が形成されると、デバイスチップの抗折強度が低下するので、デバイスチップの品質が低下するという問題がある。
【0006】
そこで、ウェーハを切削ブレードで切削することに代えて、ウェーハに対してプラズマエッチングを施すことによりウェーハを個々のデバイスチップに切断するプラズマダイシング法が開発され、実際に使用されている（例えば、特許文献２参照）。
【0007】
プラズマダイシング法でウェーハを分割するためには、まず、スピンコーターを用いてウェーハの表面側を感光性有機物質で成るレジスト膜で被覆する。スピンコーターは、例えば、ウェーハを吸引保持する保持面を含むチャックテーブルを備える。チャックテーブルの保持面とは反対側には、駆動モータ等の回転駆動源が連結されている。
【0008】
ウェーハの表面側をレジスト膜で被覆するためには、まず、ウェーハの裏面側を保持面で保持する。そして、回転駆動源でチャックテーブルを回転させた状態で、ウェーハの表面側に感光性有機物質、溶媒等を含む液状のレジスト材料を滴下する。レジスト材料は、遠心力によりウェーハの外周方向へ広がり、ウェーハの表面側を被覆する。その後、レジスト材料を乾燥させると溶媒が蒸発し、ウェーハの表面側がレジスト膜で被覆される。
【0009】
次に、露光装置、現像装置等を用いて、分割予定ライン上に位置するレジスト膜を除去することで、レジスト膜をパターン化する。そして、このレジスト膜をマスクとして用いて、ウェーハに対してプラズマエッチングを施す。これにより、ウェーハは個々のデバイスチップに分割される。
【0010】
ところで、従来、デバイスチップを電気機器に搭載するためには、ワイヤーで互いに接続されたデバイスチップとリード端子とを、リード端子が露出する様に樹脂で封止することで、ＱＦＮ（Quad Flat No leaded package）等のパッケージを形成する必要があった。しかし、近年、電気機器に搭載されるデバイスチップの小型化、薄型化、軽量化等が求められている。
【0011】
この要求を満たすために、デバイスチップとリード端子とがワイヤーで接続されておらず、デバイスチップの一部が露出している、ウェーハレベルチップサイズパッケージ（Wafer Level Chip Size Package、以下ＷＬ－ＣＳＰ）が開発された。ＷＬ－ＣＳＰは、ＱＦＮ等のパッケージに比べて小型化等が可能である。
【0012】
ＷＬ－ＣＳＰ製造用のウェーハでは、ウェーハの表面側に配線層が形成され、この配線層を部分的に覆う様に樹脂膜が形成され、配線層に電気的に接続された複数のバンプ（即ち、突起電極）が、樹脂膜から突出する様に形成されている。ＷＬ－ＣＳＰを製造する場合にも、ウェーハに対してプラズマエッチングを施して、ウェーハを個々のＷＬ－ＣＳＰに分割することが試みられている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【文献】特開２０００－８７２８２号公報
【文献】特開２００６－１１４８２５号公報
【文献】特開２０１７－１０３３３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
しかし、ＷＬ－ＣＳＰ製造用のウェーハに対して、スピンコーターを用いてレジスト膜等の樹脂膜を形成する場合、液状の樹脂材料が遠心力で広がる過程で、ウェーハの外周側への樹脂材料の流れがバンプにより遮られることがある。
【0015】
また、バンプの周囲の隙間には、樹脂材料が回り込み難い。従って、表面側全体を樹脂膜で被覆することが難しい。このような被覆の困難性に伴い、歩留まりが低下するという問題もある。
【0016】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、表面側にバンプが形成されたウェーハに対してプラズマエッチングを施してウェーハを分割する場合に、ウェーハの表面の全体を樹脂膜で覆うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明の一態様によれば、被加工物の表面側に設定された複数の分割予定ラインにより複数の領域に区画された各領域に複数のバンプが設けられた被加工物の加工方法であって、流動性を有する硬化性樹脂が供給された台の上面側と対面する様に該被加工物の該表面を下向きにして該被加工物を保持する保持工程と、該被加工物を下方に移動させて、該被加工物の該表面側を該硬化性樹脂に押し当てることにより、該硬化性樹脂が該バンプと該表面との隙間に入り込み且つ該バンプが該硬化性樹脂に埋まる様に、該被加工物の該表面の全体を該硬化性樹脂で被覆する被覆工程と、該硬化性樹脂を硬化させて樹脂膜を形成する硬化工程と、該硬化工程の後、該樹脂膜に吸収される波長を有するレーザービームを各分割予定ラインに沿って該樹脂膜に照射して、各分割予定ライン上の該樹脂膜を除去するレーザービーム照射工程と、該レーザービーム照射工程の後、該被加工物にプラズマ化したガスを供給して、該樹脂膜をマスクとして各分割予定ラインに沿って該被加工物を個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を備え、該レーザービーム照射工程の前に、該樹脂膜の表面をバイト工具で切削して該樹脂膜を薄化する薄化工程を更に備える被加工物の加工方法が提供される。
【発明の効果】
【0019】
本発明の一態様に係る加工方法の被覆工程では、流動性を有する硬化性樹脂に被加工物の表面側を押し当てることにより、硬化性樹脂がバンプと表面との隙間に入り込み且つバンプが硬化性樹脂に埋まる様に、被加工物の表面の全体を硬化性樹脂で被覆する。
【0020】
この様に、遠心力ではなく、流動性を有する硬化性樹脂に表面側のバンプを押し当てるので、デバイスから突出する態様でバンプが設けられていても、バンプの周囲を含むウェーハの表面側全体を一様な厚さの硬化性樹脂で覆うことができる。
【0021】
この硬化性樹脂を硬化させた樹脂膜をマスクとしてウェーハの表面側に対してプラズマエッチングを施すことにより、ウェーハを個々のデバイスチップに分割する。これにより、スピンコーターを用いてレジスト膜を形成する場合に比べて、歩留まりを改善できる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図2】樹脂塗布工程を示す図である。
【図3】保持工程を示す図である。
【図4】被覆工程を示す図である。
【図5】硬化工程を示す図である。
【図6】薄化工程を示す図である。
【図9】ウェーハの加工方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態では、ＷＬ－ＣＳＰ製造用のウェーハ（被加工物）１１を加工して、ＷＬ－ＣＳＰを製造する。図１（Ａ）は、ウェーハ１１の斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハ１１の断面図である。
【0024】
ウェーハ１１は、５００μｍから１０００μｍ程度の厚さを有する円盤状のシリコンウェーハである。なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のシリコン以外の半導体材料で形成されたウェーハ１１を用いてもよい。
【0025】
ウェーハ１１の表面１１ａ側には、格子状に配置された複数の分割予定ライン（ストリート）１３が設定されている。複数の分割予定ライン１３で区画された各領域には、デバイス１５が形成されている。
【0026】
デバイス１５の表面１１ａ側の一部は、平坦面１５ａであり、デバイス１５には、平坦面１５ａから突出する態様で、複数のバンプ（突起電極）１５ｂが固定されている。本実施形態のバンプ１５ｂは略球状であるが、バンプ１５ｂは角柱状、円柱状であってもよい。
【0027】
次に、図２から図９を用いて、ウェーハ１１からＷＬ－ＣＳＰを製造するときのウェーハ１１の加工方法について説明する。本実施形態の加工方法では、まず、貼り合わせ装置１０（図２から図５参照）を用いて、バンプ１５ｂを覆う様にウェーハ１１の表面１１ａ側に樹脂膜を形成する。
【0028】
貼り合わせ装置１０は、ガラス（フロートガラス、石英ガラス等）で形成された板状の台１２を有する。台１２の下面１２ａよりも下方には、紫外線（ＵＶ）を発するＵＶランプ１４ａが設けられている（図３から図５参照）。なお、台１２は、ＵＶランプ１４ａから照射される紫外線を透過させる。
【0029】
台１２の上面１２ｂには、上面１２ｂよりも小さい面積を有する円盤状のプラスチック製（例えば、ＰＥＴ製）の薄板１４ｂが固定されている。薄板１４ｂは、後述する硬化性樹脂が上面１２ｂに接触することを防ぐ保護シートとして機能する。なお、薄板１４ｂは、ＵＶランプ１４ａから照射される紫外線を透過させる。
【0030】
薄板１４ｂの上方には、ノズル１６が設けられている。ノズル１６は、ノズル移動装置（不図示）に固定されており、ノズル移動装置の動作により、薄板１４ｂの上方に位置する内側領域と、薄板１４ｂの外周よりも外側に位置する外側領域とに移動可能である。
【0031】
ノズル１６には、樹脂供給源１８が接続されている。樹脂供給源１８からノズル１６へは、流動性を有する硬化性樹脂が供給される。本実施形態では、硬化性樹脂として紫外線硬化樹脂１７（図２参照）が用いられる。
【0032】
紫外線硬化樹脂１７は、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等である。なお、紫外線硬化樹脂１７に代えて、熱硬化樹脂や、主剤と硬化剤とを混ぜ合わせることで硬化する自然硬化樹脂が用いられてもよい。
【0033】
【0034】
枠体２２の下部には、円盤状の凹部２２ａが形成されている。凹部２２ａの開口は、枠体２２の下面に露出しており、凹部２２ａの底面は、開口よりも上方に位置している。凹部２２ａには多孔質セラミックスで形成された円盤状の多孔質プレート２４が固定されている。凹部２２ａの開口側に位置する多孔質プレート２４の一面２４ａは、略平坦であり、枠体２２の下面と面一になっている。
【0035】
凹部２２ａには、複数の第１流路２２ｂが放射状に形成されている。複数の第１流路２２ｂの各々は、枠体２２の厚さ方向において枠体２２を貫通する第２流路２２ｃの一端に接続している。また、第２流路２２ｃの他端は、エジェクタ等の吸引源２６に接続されている。
【0036】
吸引源２６を動作させると、第１流路２２ｂ及び第２流路２２ｃを介して多孔質プレート２４の一面２４ａには負圧が作用する。これにより、多孔質プレート２４の一面２４ａは、ウェーハ１１等を吸引して保持する保持面として機能する。
【0037】
枠体２２の上部には、複数のアーム２８が接続されており、複数のアーム２８は、薄板１４ｂの上方に位置する内側領域と、薄板１４ｂの外周よりも外側に位置する外側領域と間を移動する。
【0038】
次に、貼り合わせ装置１０を用いて、バンプ１５ｂを覆う様にウェーハ１１の表面１１ａ側に樹脂膜を形成する工程について説明する。図２は、樹脂供給工程（Ｓ１０）を示す図である。
【0039】
樹脂供給工程（Ｓ１０）では、薄板１４ｂの略中央の上部にノズル１６を位置付け、ノズル１６から薄板１４ｂへ紫外線硬化樹脂１７を供給する。例えば、ウェーハ１１の直径が３００ｍｍである場合に、平坦面１５ａからの厚さが１ｍｍの樹脂膜を形成するために、７０ｍｌの紫外線硬化樹脂１７を供給する。紫外線硬化樹脂１７は、所定の粘度を有するので、ノズル１６の直下近傍において例えばドーム状に堆積する。
【0040】
樹脂供給工程（Ｓ１０）の後、ウェーハ１１を薄板１４ｂと対面する様に、搬送装置２０の一面２４ａで裏面１１ｂ側を吸引して保持する（保持工程（Ｓ２０））。図３は、保持工程（Ｓ２０）を示す図である。保持工程（Ｓ２０）では、ウェーハ１１は表面１１ａが下向きとなり、表面１１ａ側は、台１２の上面１２ｂ側に位置する紫外線硬化樹脂１７と対面する。
【0041】
保持工程（Ｓ２０）の後、搬送装置２０を用いて、ウェーハ１１を下方に移動させて、バンプ１５ｂが薄板１４ｂに接触しない様に、ウェーハ１１の表面１１ａを紫外線硬化樹脂１７に適度に押し当てる（被覆工程（Ｓ３０））。
【0042】
このとき、バンプ１５ｂの下端と薄板１４ｂの上面との距離を、１個以上２個以下のバンプ１５ｂの高さに相当する距離とする。例えば、バンプ１５ｂの高さが１００μｍである場合、バンプ１５ｂの下端と薄板１４ｂの上面とを１００μｍ以上２００μｍ以下だけ離す。図４は、被覆工程（Ｓ３０）を示す図である。
【0043】
紫外線硬化樹脂１７は、バンプ１５ｂと平坦面１５ａとの隙間１５ｃに入り込み、且つ、バンプ１５ｂは、紫外線硬化樹脂１７に埋まる。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａの全体は紫外線硬化樹脂１７で被覆される。
【0044】
この様に、本実施形態の被覆工程（Ｓ３０）では、遠心力ではなく、流動性を有する紫外線硬化樹脂１７に表面１１ａ側のバンプ１５ｂを押し当てる。それゆえ、バンプ１５ｂと平坦面１５ａとの間や、ウェーハ１１の表面１１ａ側全体を一様な厚さの紫外線硬化樹脂１７で覆うことができる。
【0045】
被覆工程（Ｓ３０）の後、ＵＶランプ１４ａから台１２及び薄板１４ｂを介して紫外線硬化樹脂１７に紫外線を、例えば数秒間、照射することにより、紫外線硬化樹脂１７を硬化させる。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側に樹脂膜１９を形成する（硬化工程（Ｓ４０））。
【0046】
図５は、硬化工程（Ｓ４０）を示す図である。紫外線硬化樹脂１７を用いれば、熱硬化樹脂、自然硬化樹脂を用いる場合に比べて、短時間で硬化した樹脂膜１９を形成できる点が有利である。
【0047】
その後、搬送装置２０を上方に移動させる。樹脂膜１９とＰＥＴ製の薄板１４ｂとの接着力は、樹脂膜１９とウェーハ１１の表面１１ａ側との接着力に比べて弱い。それゆえ、搬送装置２０を上方に移動させれば、ウェーハ１１は薄板１４ｂから容易に剥離される。
【0048】
薄板１４ｂからウェーハ１１を剥離した後、テープ貼り付け装置（不図示）を用いて、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、ウェーハ１１よりも大きな径を有する樹脂製の保護テープ２１（図６参照）を貼り付ける。
【0049】
また、保護テープ２１の外周部には、金属製の環状のフレーム（不図示）を貼り付けて、ウェーハユニット２３を形成する。そして、ウェーハユニット２３をバイト切削装置３０へ搬送する。
【0050】
バイト切削装置３０は、チャックテーブル３２を有する。チャックテーブル３２の下方には、ボールネジ等から成るテーブル移動機構（不図示）が設けられている。テーブル移動機構を動作させれば、チャックテーブル３２は所定の加工送り方向に移動する。
【0051】
チャックテーブル３２の上面側には、多孔質セラミックスで形成された円盤状の多孔質プレート（不図示）が固定されている。多孔質プレートには、エジェクタ等の吸引源（不図示）が接続されている。
【0052】
吸引源を動作させると、多孔質プレートの上面には負圧が作用するので、多孔質プレート２４の上面は、ウェーハユニット２３を吸引して保持する保持面として機能する。保持面の上方には、バイト切削ユニット３４が設けられている。
【0053】
バイト切削ユニット３４は、筒状のスピンドルハウジング３４ａを有する。スピンドルハウジング３４ａは、Ｚ軸方向に移動可能なＺ軸移動プレート（不図示）に固定されており、このＺ軸移動プレートはＺ軸移動機構（不図示）に連結されている。
【0054】
スピンドルハウジング３４ａ内には、スピンドル３４ｂの一部が回転可能な態様で収容されている。スピンドル３４ｂの上端部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。一方、スピンドル３４ｂの下端部は、スピンドルハウジング３４ａの外部に露出している。
【0055】
スピンドル３４ｂの下端部には、円盤状のホイールマウント３４ｃが固定されている。ホイールマウント３４ｃの下面側には、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属で形成された円盤状のバイトホイール３６の上面側が装着されている。
【0056】
バイトホイール３６の下面側に位置する外周部の一部には、バイト工具３８が装着されている。バイト工具３８は、バイトホイール３６に装着されている略角柱状の基部３８ａを有する。
【0057】
基部３８ａのバイトホイール３６とは反対側の端部には、ダイヤモンド等で形成された切り刃３８ｂが固定されている。また、バイトホイール３６の下面側に位置する外周部の他部には、錘部４０が連結されている。
【0058】
錘部４０の重心は、バイト切削ユニット３４の回転中心に対して、バイト工具３８の重心とは点対称な位置に配置されている。錘部４０を配置することにより、錘部４０が無い場合に比べて、バイト切削ユニット３４の回転時のバランスを良好にできる。
【0059】
バイト切削装置３０を用いて、樹脂膜１９の表面１９ａ側を切削して樹脂膜１９を薄化する（薄化工程（Ｓ５０））。図６は、薄化工程（Ｓ５０）を示す図である。薄化工程（Ｓ５０）では、まず、ウェーハユニット２３の保護テープ２１側をチャックテーブル３２の保持面３２ａで保持する。
【0060】
これにより、ウェーハユニット２３の樹脂膜１９が上方に露出される。次いで、回転駆動源を動作させることにより、スピンドル３４ｂを回転中心として、バイト切削ユニット３４を回転させ、切り刃３８ｂの下端をバンプ１５ｂの上端の高さよりも僅かに低い位置に調整する。
【0061】
次いで、Ｚ軸方向に直交する加工送り方向（Ｘ軸方向）にチャックテーブル３２を移動させる。これにより、樹脂膜１９とバンプ１５ｂの上部側の一部とが、バイト工具３８で切削されて、バンプ１５ｂの上部側が樹脂膜１９から露出する。薄化工程（Ｓ５０）の後、ウェーハユニット２３をレーザー加工装置５０（図７（Ａ）参照）へ搬送する。
【0062】
レーザー加工装置５０も、バイト切削装置３０と同様に、ウェーハユニット２３の保護テープ２１側を吸引して保持するチャックテーブル（不図示）を有する。チャックテーブルの下方には、チャックテーブルを回転させるθテーブル（不図示）が連結されており、θテーブルの下方には、チャックテーブルを加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動させるＸ軸移動機構（不図示）が連結されている。
【0063】
チャックテーブルの上方には、パルス状のレーザービームＬを照射する加工ヘッド５２が設けられている（図７（Ａ）参照）。加工ヘッド５２から照射されるレーザービームＬは、例えば、３５５ｎｍの波長、２００ｋＨｚの繰り返し周波数、２．０Ｗの平均出力及びナノ秒オーダーのパルス幅を有する。
【0064】
３５５ｎｍは、樹脂膜１９に吸収される波長の一例である。レーザービームＬを樹脂膜１９の一部に照射することにより、樹脂膜１９の一部はアブレーション加工されて、除去される。
【0065】
レーザー加工装置５０を用いて、レーザービームＬを各分割予定ライン１３に沿って樹脂膜１９に照射して、各分割予定ライン１３上の樹脂膜１９を除去する（レーザービーム照射工程（Ｓ６０））。図７（Ａ）は、レーザービーム照射工程（Ｓ６０）を示す図である。
【0066】
レーザービーム照射工程（Ｓ６０）では、まず、レーザー加工装置５０のＸ軸方向と一の分割予定ライン１３とが平行になる様にθテーブルでウェーハ１１の向きを調整する。そして、一の分割予定ライン１３の一端から他端に沿ってレーザービームＬを照射して、一の分割予定ライン１３上の樹脂膜１９を除去する。
【0067】
次いで、加工ヘッド５２をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に割り出し送りし、一の分割予定ライン１３に対してＹ軸方向に隣接する他の分割予定ライン１３の直上に加工ヘッド５２を位置付ける。そして、他の分割予定ライン１３の一端から他端に沿ってレーザービームＬを照射して、他の分割予定ライン１３上の樹脂膜１９を除去する。
【0068】
同様にして、Ｘ軸方向に平行な全ての分割予定ライン１３に沿って樹脂膜１９を除去した後、θテーブルを用いてウェーハ１１を９０度回転させる。そして、同様に、未加工の分割予定ライン１３に沿って樹脂膜１９を除去する。なお、レーザービーム照射工程（Ｓ６０）では、分割予定ライン１３上にＴＥＧ（Test Element Group）やＬｏｗ－ｋ膜が存在する場合、これも樹脂膜１９と併せて除去する。
【0069】
図７（Ｂ）は、レーザービーム照射工程（Ｓ６０）後のウェーハ１１等の断面図である。レーザービーム照射工程（Ｓ６０）により、各分割予定ライン１３に沿い且つウェーハ１１の表面１１ａに達する溝１９ｂを、樹脂膜１９に形成する。これにより、樹脂膜１９はパターン化される。
【0070】
図７（Ｃ）は、溝１９ｂ近傍の拡大図である。なお、図７（Ｃ）では示していないが、レーザービーム照射工程（Ｓ６０）では、ウェーハ１１の表面１１ａ側が分割予定ライン１３に沿って除去されることや、分割予定ライン１３に沿って表面１１ａ側に熱変質層が形成されることがある。
【0071】
レーザービーム照射工程（Ｓ６０）の後、ウェーハユニット２３をプラズマエッチング装置５４へ搬送する（図８（Ａ）参照）。本実施形態のプラズマエッチング装置５４は、容量結合方式でチャンバー内においてガスをプラズマ化するダイレクトプラズマ型であるが、チャンバー外でプラズマ化したガスをチャンバー（不図示）内へ供給するリモートプラズマ型であってもよい。
【0072】
プラズマエッチング装置５４は、金属で形成され且つ接地されているチャンバーを有する。チャンバーには、ウェーハユニット２３の搬送経路となるドア部（不図示）が設けられており、ドア部とは異なる位置には、チャンバーの内部を排気するための排気装置（不図示）が接続されている。
【0073】
チャンバー内には、テーブルベース（不図示）が設けられている。テーブルベースには、ウェーハユニット２３を保持する静電チャック（不図示）と、静電チャックから電気的に分離され、ブロッキングコンデンサ（不図示）を介して高周波電源（不図示）に接続されたバイアス用電極（不図示）とが設けられている。
【0074】
テーブルベースの上方と、チャンバーの天井部との間には、金属で形成されたメッシュ状のプラズマ拡散部材（不図示）が設けられている。チャンバーの上部には、チャンバーの天井部に略垂直に接続する態様で、ガス供給管（不図示）が設けられている。
【0075】
本実施形態のガス供給管には、ＳＦ６を有する第１のガス供給源と、Ｃ４Ｆ８を有する第２のガス供給源とが接続されているが、使用されるガス種は、この例に限定されるものではない。
【0076】
本実施形態では、パターン化された樹脂膜１９をマスクとして、ボッシュ法により、各分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を個々のデバイスチップに分割する（分割工程（Ｓ７０））。図８（Ａ）は、分割工程（Ｓ７０）を示す図である。
【0077】
分割工程（Ｓ７０）では、まず、ウェーハユニット２３を静電チャックに搬送し、樹脂膜１９が上方に露出し且つ保護テープ２１が静電チャックに接触する態様で、ウェーハユニット２３を静電チャックで保持する。そして、ドア部を閉じ、排気装置を動作させて、チャンバー内を所定の圧力とする。
【0078】
次に、高周波電源からバイアス用電極に電力を供給した状態で、ガス供給管からチャンバー内にＳＦ６を第１の所定時間、供給する。ＳＦ６ガスは、チャンバー内でプラズマ化され、プラズマ化したＳＦ６ガスが、ウェーハ１１の表面１１ａ側に供給される。
【0079】
ウェーハ１１の表面１１ａ側に供給されるプラズマ化したＳＦ６ガス（即ち、エッチングガスＰ）は、フッ素イオン、フッ素ラジカル等を含み、このエッチングガスＰによりウェーハ１１はエッチングされる（エッチング工程）。
【0080】
次いで、第１のガス供給源からＳＦ６ガスの供給を停止し、第２のガス供給源からガス供給管へＣ４Ｆ８ガスを第２の所定時間、供給する。これにより、プラズマ化したＣ４Ｆ８ガスが、ウェーハ１１の表面１１ａ側に供給される。プラズマ化したＣ４Ｆ８ガスにより、ウェーハ１１の表面１１ａのエッチング溝（不図示）の側面及び底面は、ＣＦ系重合膜で被覆される（被覆工程）。
【0081】
更に、チャンバー内へ供給するガス種を交互に切り替えることにより、エッチング工程と被覆工程とを複数回、繰り返す。分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１に形成される溝１１ｃによりウェーハ１１は分割され、ＷＬ－ＣＳＰ（デバイスチップ）が製造される。
【0082】
【0083】
本実施形態では、樹脂膜１９をマスクとしてウェーハ１１の表面１１ａ側に対してプラズマエッチングを施すことによりウェーハ１１を個々のＷＬ－ＣＳＰ２５に分割できるので、スピンコーターを用いてレジスト膜を形成する場合に比べて、歩留まりを改善できる。
【0084】
なお、バンプ１５ｂと平坦面１５ａとの間に樹脂膜１９が無い空間が形成される場合にはＷＬ－ＣＳＰ２５の強度低下が懸念されるが、本実施形態では上述の被覆工程（Ｓ３０）等を経て樹脂膜１９が形成されているので、当該空間が形成され難い。それゆえ、ＷＬ－ＣＳＰ２５の強度低下を防止できる。
【0085】
また、バンプ１５ｂと平坦面１５ａとの間に空間が形成されている場合には、プラズマエッチング中にウェーハ１１が加熱されることにより、空間に存在する空気が膨張して、ウェーハ１１、樹脂膜１９等の破損やひび割れが生じやすくなる。しかし、本実施形態ではバンプ１５ｂと表面１１ａとの間の空間が形成され難いので、ウェーハ１１、樹脂膜１９等の破損やひび割れを防止できる。
【0086】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。上述の分割工程（Ｓ７０）ではボッシュ法を採用したが、エッチングにより除去するウェーハ１１の厚さに応じて、被覆工程を省略してエッチング工程だけを行ってもよい。
【符号の説明】
【0087】
１１ ウェーハ（被加工物）
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ 溝
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１５ａ 平坦面
１５ｂ バンプ
１５ｃ 隙間
１７ 紫外線硬化樹脂
１９ 樹脂膜
１９ａ 表面
１９ｂ 溝
２１ 保護テープ
２３ ウェーハユニット
２５ ＷＬ－ＣＳＰ
１０ 貼り合わせ装置
１２ 台
１２ａ 下面
１２ｂ 上面
１４ａ ＵＶランプ
１４ｂ 薄板
１６ ノズル
１８ 樹脂供給源
２０ 搬送装置
２２ 枠体
２２ａ 凹部
２２ｂ 第１流路
２２ｃ 第２流路
２４ 多孔質プレート
２４ａ 一面
２６ 吸引源
２８ アーム
３０ バイト切削装置
３２ チャックテーブル
３２ａ 保持面
３４ バイト切削ユニット
３４ａ スピンドルハウジング
３４ｂ スピンドル
３４ｃ ホイールマウント
３６ バイトホイール
３８ バイト工具
３８ａ 基部
３８ｂ 切り刃
４０ 錘部
５０ レーザー加工装置
５２ 加工ヘッド
５４ プラズマエッチング装置
Ｌ レーザービーム
Ｐ エッチングガス
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ 溝
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１５ａ 平坦面
１５ｂ バンプ
１５ｃ 隙間
１７ 紫外線硬化樹脂
１９ 樹脂膜
１９ａ 表面
１９ｂ 溝
２１ 保護テープ
２３ ウェーハユニット
２５ ＷＬ－ＣＳＰ
１０ 貼り合わせ装置
１２ 台
１２ａ 下面
１２ｂ 上面
１４ａ ＵＶランプ
１４ｂ 薄板
１６ ノズル
１８ 樹脂供給源
２０ 搬送装置
２２ 枠体
２２ａ 凹部
２２ｂ 第１流路
２２ｃ 第２流路
２４ 多孔質プレート
２４ａ 一面
２６ 吸引源
２８ アーム
３０ バイト切削装置
３２ チャックテーブル
３２ａ 保持面
３４ バイト切削ユニット
３４ａ スピンドルハウジング
３４ｂ スピンドル
３４ｃ ホイールマウント
３６ バイトホイール
３８ バイト工具
３８ａ 基部
３８ｂ 切り刃
４０ 錘部
５０ レーザー加工装置
５２ 加工ヘッド
５４ プラズマエッチング装置
Ｌ レーザービーム
Ｐ エッチングガス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】