特許7400282IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

面発光レーザ、面発光レーザ装置、光源装置及び検出装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来の面発光レーザでは、面発光レーザ素子の集積度の向上が困難である。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術の一態様によれば、面発光レーザは、基板の第１の面上に設けられた複数の面発光レーザ素子と、前記複数の面発光レーザ素子に電気的に接続される第１の電極及び第２の電極と、前記第１の面上に、前記複数の面発光レーザ素子から離間して設けられた、１または複数の第１のメサポスト領域と、を含み、前記面発光レーザ素子の各々は、前記基板側から順に、前記第１の電極に電気的に接続される第１の導電型の半導体と、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、面発光レーザ素子の集積度を向上することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図2】 第１の面発光レーザの内部構造を示す断面図である。
【図3】 第１の面発光レーザの使用例を示す模式図である。
【図4】 参考例に係る面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図5】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図6】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図7】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図8】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図9】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図10】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その６）である。
【図11】 第１の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その７）である。
【図12】 第２の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図13】 第３の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図14】 第４の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図15】 第５の面発光レーザの内部構造を示す断面図である。
【図16】 第５の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図17】 第５の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図18】 第５の面発光レーザの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図19】 第６の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図20】 第６の面発光レーザの内部構造を示す断面図（その１）である。
【図21】 第６の面発光レーザの内部構造を示す断面図（その２）である。
【図22】 第７の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図23】 第８の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図24】 第９の面発光レーザのレイアウトの概要を示す模式図である。
【図25】 第９の面発光レーザの内部構造を示す断面図である。
【図26】 第１０の面発光レーザの内部構造を示す断面図である。
【図27】 検出装置の一例としての測距装置の概要を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 測距装置 １１ 光源装置 １３ 受光素子 １５ 光学系 １８ 受光光学系 １００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００ 面発光レーザ １０２ 下部半導体多層膜反射鏡 １０４ 活性層 １０６ 上部半導体多層膜反射鏡 １０８ 被選択酸化層 １０８ａ 酸化領域 １０８ｂ 非酸化の領域 １１２ ｐ側電極 １１３ ｎ側電極 １１６ ｐ側コンタクト層 １１７ ｎ側コンタクト層 １２０、３２０、４２０ 発光単位 １５１ 面発光レーザ素子 １５５ ｐ側メサポスト領域 １５６、９５６ ｎ側メサポスト領域 １５７、６５７、９５７ ｎ側コンタクト領域 ５３０ 絶縁層

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