特許 7400382 電気光学装置および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-11

(45)【発行日】2023-12-19

(54)【発明の名称】電気光学装置および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20231212BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALI20231212BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20231212BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 500

G02F1/1335 500

G09F9/30 309

G09F9/30 320

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2019208552

(22)【出願日】2019-11-19

(65)【公開番号】P2021081573

(43)【公開日】2021-05-27

【審査請求日】2022-11-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 智

【審査官】岩村 貴

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－２２１６９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－３０９４４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１７８３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－３１８３８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００５／００７３６３７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１４１０８０６（ＣＮ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１３／０１６９９１３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００３－３１５８１０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３３９

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
樹脂材料を含み、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、平面視で前記電気光学層を囲む枠状のシール部材と、
無機材料を含み、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定する第１スペーサーと、を備え、
前記第１基板は、電極と、前記電極と前記第１スペーサーとの間に配置された第１無機材料膜と、前記第１無機材料膜と前記第１スペーサーとの間に配置された第１遮光膜と、前記平面視で前記シール部材の内側に、前記シール部材と離間して配置された遮光性の見切部と、を有し、
前記第１スペーサーは、前記平面視で前記シール部材と表示領域との間に、前記シール部材と離間して配置され、前記平面視で前記表示領域の外縁に沿うとともに前記見切部と重なる位置に配置されていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記第１スペーサーは、前記表示領域の外縁に沿って並ぶ複数の通気孔を有する請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記表示領域の前記平面視での外縁は、角および辺を有し、
前記複数の通気孔は、前記角に対応して配置される第１通気孔と、前記辺に対応して配置される第２通気孔と、を有する請求項２に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記第１通気孔の断面積は、前記第２通気孔の断面積よりも大きい請求項３に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記第１スペーサーに対する前記複数の通気孔の占める割合は、前記第１スペーサーのうち前記複数の通気孔を除く部分の占める割合よりも低い請求項２から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。

【請求項6】

前記平面視で前記表示領域の外縁に沿って延びる第２スペーサーをさらに備え、
前記第１スペーサーと前記第２スペーサーとの間に前記シール部材が配置される請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。

【請求項7】

前記平面視で前記表示領域の外縁に沿って延びる第３スペーサーをさらに有し、
前記第３スペーサーは、前記第１スペーサーと前記シール部材との間に配置され、
前記第１スペーサーと前記第３スペーサーとは、空間を介して配置される請求項６に記載の電気光学装置。

【請求項8】

前記第１スペーサーは、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。

【請求項9】

請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、一般的に、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶装置等の電気光学装置が用いられる。特許文献１には、上基板と、下基板と、これら２個の基板に挟持される液晶層とを有する液晶装置が開示される。２個の基板同士は、樹脂製のシール部材によって貼り合わされる。液晶層は、シール部材によって封止される。

【0003】

また、特許文献１に記載の液晶装置は、２個の基板間のギャップを調整するための柱状のスペーサーを有する。当該スペーサーは、表示領域内、シール部材の内部、またはシール部材よりも外側に配置される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００４－９３８４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

表示領域内に柱状のスペーサーが配置されると、コントラストが低下するおそれがある。コントラストの低下を防ぐため、表示領域内に柱状のスペーサーを配置せずに、シール部材の外側、またはシール部材の内部に柱状のスペーサーを配置すると、基板の中央部が撓み易くなってしまう。このため、２個の基板間のギャップが変動してしまう。また、スペーサーが柱状であると、スペーサーの機械的強度が十分でなく、この結果、基板間のギャップの均一化を図ることが難しい。このようなことから、表示品質が低下するおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、樹脂材料を含み、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、平面視で前記電気光学層を囲む枠状のシール部材と、無機材料を含み、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定する第１スペーサーと、を備え、前記第１基板は、電極と、前記電極と前記第１スペーサーとの間に配置された第１無機材料膜と、前記第１無機材料膜と前記第１スペーサーとの間に配置された第１遮光膜と、前記平面視で前記シール部材の内側に、前記シール部材と離間して配置された遮光性の見切部と、を有し、前記第１スペーサーは、前記平面視で前記シール部材と表示領域との間に、前記シール部材と離間して配置され、前記平面視で前記表示領域の外縁に沿うとともに前記見切部と重なる位置に配置されている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係る電気光学装置の断面図である。

【図2】素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図3】第１スペーサーおよび第２スペーサーを示す断面図である。

【図4】第１スペーサーおよび第２スペーサーを示す平面図である。

【図5】無機材料膜、遮光膜および絶縁層の形成方法について説明するための断面図である。

【図6】第１スペーサーおよび第２スペーサーの形成方法を説明するための断面図である。

【図7】遮光膜の形成方法を説明するための断面図である。

【図8】無機材料膜の形成方法を説明するための断面図である。

【図9】第２実施形態に係る電気光学装置の一部を示す断面図である。

【図10】図９に示す第１スペーサー、第２スペーサーおよび第３スペーサーを示す平面図である。

【図11】変形例における第１スペーサーとシール部材との配置を示す平面図である。

【図12】変形例における第１スペーサーおよび第２スペーサーを示す断面図である。

【図13】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図14】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図15】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0009】

１．電気光学装置
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。

【0010】

１Ａ．第１実施形態
１Ａ－１．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の断面図である。なお、図１では、対向基板４の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。

【0011】

図１に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶装置である。図１に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、第１スペーサー５１と、第２スペーサー５２と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。液晶層９は「電気光学層」の例示である。第１スペーサー５１は、「スペーサー」の例示である。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。素子基板２、液晶層９および対向基板４は、Ｚ軸に沿って並ぶ。素子基板２と対向基板４との重なる方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」と言う。

【0012】

本実施形態の電気光学装置１００では、光は、例えば素子基板２に入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射される。なお、光は、対向基板４に入射し、液晶層９を透過して素子基板２から出射されてもよい。当該光は可視光である。「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。

【0013】

図１に示すように、素子基板２は、第１基材２１と配線層２２と複数の画素電極２６と複数のダミー画素電極２６ｄと第１配向膜２９とを有する。第１基材２１、配線層２２、複数の画素電極２６、および第１配向膜２９は、この順に並ぶ。第１配向膜２９が最も液晶層９側に位置する。画素電極２６は「一対の電極」の一方の例示である。第１基材２１および配線層２２で構成される構造体は「一対の基板」の一方の例示である。なお、「一対の基板」の一方の例示は、これに限定されない。

【0014】

第１基材２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基材２１の材料は、例えば、ガラスまたは石英である。図示はしないが、配線層２２は、透光性および絶縁性を有する複数の絶縁膜を備える。各絶縁膜の材料は、例えば、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。また、配線層２２には、複数のトランジスター２３が配置される。各画素電極２６は、透光性を有する。各画素電極２６の材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料である。複数のダミー画素電極２６ｄは、図示しないが、平面視で、複数の画素電極２６を囲むように配置される。各ダミー画素電極２６ｄは、画像の表示に寄与しない電極である。また、第１配向膜２９は、素子基板２において最も液晶層９側に位置しており、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の材料は、例えば、ポリイミドおよび酸化ケイ素である。

【0015】

図１に示すように、対向基板４は、素子基板２に対して離間して配置される。対向基板４は、第２基材４１と絶縁膜４２と見切部４３と共通電極４４と第２配向膜４６とを有する。第２基材４１、絶縁膜４２、共通電極４４および第２配向膜４６は、この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。共通電極４４は「一対の電極」の他方の例示である。第２基材４１および絶縁膜４２で構成される構造体は「一対の基板」の他方の例示である。なお、「一対の基板」の他方の例示は、これに限定されない。

【0016】

第２基材４１の表面はＸ－Ｙ平面に平行である。絶縁膜４２、共通電極４４および第２配向膜４６のそれぞれは、平面視で第２基材４１のほぼ全域と重なる。第２基材４１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基材４１の材料は、例えば、ガラスまたは石英である。絶縁膜４２の材料は、例えば、酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料である。絶縁膜４２内には、枠状の見切部４３が配置される。見切部４３は、遮光性を有する金属材料等で構成される。共通電極４４は、図示しない導通用電極を介して素子基板２に電気的に接続される。共通電極４４には、例えば固定電位が印加される。共通電極４４の材料は、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料である。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の材料は、例えば、ポリイミドおよび酸化ケイ素である。

【0017】

図１に示すように、第１スペーサー５１は、共通電極４４と素子基板２との間に配置される。同様に、第２スペーサー５２は、共通電極４４と素子基板２との間に配置される。第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、素子基板２と対向基板４との間の距離を規定する。

【0018】

シール部材８は、例えば、エポキシ樹脂等の各種の硬化性の樹脂材料を含む接着剤を用いて形成される。シール部材８は、ギャップ材を含んでもよい。当該ギャップ材は、例えば、ガラス等の無機材料で構成されるファイバー、またはガラス等の無機材料で構成されるビーズである。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置され、素子基板２と対向基板４とを貼り合わせる。

【0019】

液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９は、複数の画素電極２６と共通電極４４との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する。具体的には、液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。

【0020】

図１に示す電気光学装置１００は平面視での形状は、四角形であるが、これに限定されず、例えば円形であってもよい。また、電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、周辺領域Ａ２０とを有する。周辺領域Ａ２０は、図示しないが、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。表示領域Ａ１０は、行列状に配列される複数の画素Ｐを有する。表示領域Ａ１０には、複数の画素電極２６が配置される。複数の画素電極２６は、複数の画素Ｐに１対１で配置される。前述の見切部４３は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。見切部４３によって、不要な迷光が表示領域Ａ１０に入射することを防ぐことができる。また、周辺領域Ａ２０は、ダミー画素領域Ａ２１を有する。ダミー画素領域Ａ２１には、複数のダミー画素電極２６ｄが配置される。ダミー画素領域Ａ２１は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。

【0021】

１Ａ－２．電気的な構成
図２は、素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図２に示すように、素子基板２は、複数のトランジスター２３と、ｎ本の走査線２４４と、ｍ本のデータ線２４６と、ｎ本の容量線２４５と、複数の蓄積容量２４０とを有する。また、素子基板２は、図示しないが、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２を有する。ｎ本の走査線２４４、ｍ本のデータ線２４６、ｎ本の容量線２４５、複数の蓄積容量２４０、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２は、図１の配線層２２に配置される。なお、ｎおよびｍのそれぞれは２以上の整数である。また、複数のトランジスター２３は、複数の画素電極２６に１対１で配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0022】

ｎ本の走査線２４４のそれぞれはＸ軸に沿って延在し、ｎ本の走査線２４４はＹ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４４のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２４４は、走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４４には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0023】

ｍ本のデータ線２４６のそれぞれはＹ軸に沿って延在し、ｍ本のデータ線２４６はＸ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４６のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのソースに電気的に接続される。また、ｍ本のデータ線２４６は、データ線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本のデータ線２４６には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0024】

ｎ本の走査線２４４とｍ本のデータ線２４６とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２個の走査線２４４と隣り合う２個のデータ線２４６とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２６には、対応するトランジスター２３のドレインが電気的に接続される。

【0025】

ｎ本の容量線２４５のそれぞれはＸ軸に沿って延在し、ｎ本の容量線２４５はＹ軸に沿って等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２４５は、ｍ本のデータ線２４６およびｎ本の走査線２４４と絶縁され、これらに対して離間して形成される。各容量線２４５には、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。また、ｎ本の容量線２４５のそれぞれは、全ての蓄積容量２４０のうちの幾つかの蓄積容量２４０に電気的に接続される。複数の蓄積容量２４０は、複数の画素電極２６に１対１で電気的に接続される。また、複数の蓄積容量２４０は、複数のトランジスター２３のドレインに１対１で電気的に接続される。各蓄積容量２４０は、画素電極２６の電位を保持するための容量素子である。

【0026】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４４が順次選択されると、選択される走査線２４４に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４６を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４４に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２６に印加される。これにより、各画素電極２６と図１に示す共通電極４４との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４０によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され、階調表示が可能となる。

【0027】

１Ａ－３．第１スペーサー５１、第２スペーサー５２およびこれら近傍の構成
図３は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２を示す断面図である。図３に示すように、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、共通電極４４と第２配向膜４６との間に配置される。また、対向基板４は、無機材料膜５０１ａおよび５０１ｂと、遮光膜５０２ａおよび５０２ｂと、コート層４５とを有する。以下、各要素について説明する。

【0028】

図３に示すように、無機材料膜５０１ａは、第１スペーサー５１と共通電極４４との間に配置される。無機材料膜５０１ｂは、第２スペーサー５２と共通電極４４との間に配置される。無機材料膜５０１ａおよび５０１ｂのそれぞれは、共通電極４４に接触する。無機材料膜５０１ａおよび５０１ｂのそれぞれは、無機材料で構成される。具体的には、無機材料膜５０１ａおよび５０１ｂの各材料は、共通電極４４の材料とは異なる。具体的には、当該各材料としては、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素が挙げられる。

【0029】

遮光膜５０２ａは、無機材料膜５０１ａと共通電極４４との間に配置され、無機材料膜５０１ａに接触する。遮光膜５０２ｂは、無機材料膜５０１ｂと共通電極４４との間に配置され、無機材料膜５０１ｂに接触する。遮光膜５０２ａおよび５０２ｂのそれぞれは、遮光性を有し、例えば無機材料で構成される。遮光膜５０２ａおよび５０２ｂの各材料は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の各材料と異なる。当該各材料としては、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属、または窒化ケイ素（ＳｉＮ）が挙げられる。また、遮光膜５０２ａおよび５０２ｂの各材料が窒化ケイ素であることで、金属が液晶層９に侵入することによる液晶層９の劣化が抑制される。それゆえ、電気光学装置１００の長寿命化を図ることができる。

【0030】

また、前述の無機材料膜５０１ａが存在することで、遮光膜５０２ａは、共通電極４４に接触しない。同様に、無機材料膜５０１ｂが存在することで、遮光膜５０２ｂは、共通電極４４に接触しない。無機材料膜５０１ａが前述のように酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含むことで、遮光膜５０２ａが金属を含んでいても、遮光膜５０２ａの影響によって画素電極２６の結晶性が変わることが抑制することができる。無機材料膜５０１ｂについても同様である。

【0031】

コート層４５は、共通電極４４上に配置され、共通電極４４に接触する。コート層４５は、第１スペーサー５１、および第２スペーサー５２を覆う。また、コート層４５は、無機材料膜５０１ａおよび５０１ｂの各側壁および遮光膜５０２ａおよび５０２ｂの各の側壁を覆う。コート層４５の材料は、例えば、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。

【0032】

コート層４５上には、第２配向膜４６が配置される。第２配向膜４６は、コート層４５に接触する。第２配向膜４６は素子基板２に接触する。また、第２配向膜４６の下層にコート層４５が配置されることで、共通電極４４のうち第２配向膜４６で覆われてない部分が生じることが抑制される。よって、コート層４５が存在することで、第２配向膜４６の均一性を高めることができる。特に、コート層４５の材料と第２配向膜４６の材料が同一であることで、当該均一性の効果を高めることができる。また、コート層４５が遮光膜５０２ａおよび５０２ｂのそれぞれの側壁を覆うことで、遮光膜５０２ａおよび５０２ｂのそれぞれが金属を含む場合でも、金属が液晶層９に侵入することによる液晶層９の劣化が抑制される。このため、電気光学装置１００の長寿命化を図ることができる。

【0033】

なお、無機材料膜５０１ａ、無機材料膜５０１ｂ、遮光膜５０２ａ、遮光膜５０２ｂ、およびコート層４５のうちのいずれかは省略されてもよい。また、本実施形態では、コート層４５および第２配向膜４６は、複数の共通電極４４上に少なくとも配置されていればよい。よって、コート層４５および第１配向膜２９は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれを覆ってなくてもよい。この場合、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、素子基板２に直接的に接触してもよい。

【0034】

図３に示すように、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、共通電極４４から素子基板２に向かってＺ２方向に突出する。第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、素子基板２と対向基板４との間の距離を規定する。具体的には、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、複数の画素電極２６と共通電極４４との間の距離を規定する。別の見方をすれば、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、液晶層９の厚さを規定する。

【0035】

前述のように、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、対向基板４に配置される。具体的には、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、共通電極４４とコート層４５との間に配置される。第１スペーサー５１が対向基板４に配置されることで、素子基板２に配置される場合に比べ、第１スペーサー５１を簡単に形成でき、かつ素子基板２に含まれる複数の電極等に損傷が生じるおそれを低減することができる。なお、第２スペーサー５２についても同様である。

【0036】

第１スペーサー５１は、無機材料を含む。特に、第１スペーサー５１は、無機材料で構成されることが好ましく、樹脂材料を含まないことが好ましい。樹脂材料を含まないことで、液晶層９中に樹脂成分が侵入するおそれが回避される。このため、有機汚染による誤作動等の不具合の発生を防ぐことができる。また、第１スペーサー５１が無機材料で構成されることで、有機材料で構成される場合に比べ、第１スペーサー５１の寸法精度を高めることができ、かつ経時的な寸法変化を生じ難くすることができる。よって、長期にわたって、素子基板２と対向基板４との間の距離の安定化を図ることができる。

【0037】

第２スペーサー５２は、第１スペーサー５１の材料と同材料であることが好ましい。よって、第２スペーサー５２は無機材料を含むことが好ましい。同材料であることで、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２を一括で簡単に形成することができる。また、第２スペーサー５２が無機材料で構成されることで、第２スペーサー５２の寸法精度を高めることができ、かつ経時的な寸法変化を生じ難くすることができる。

【0038】

具体的には、第１スペーサー５１の材料は、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素であることが好ましい。酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含むことで、例えばドライエッチングにより寸法精度の高い第１スペーサー５１を容易に製造することができる。また、無機材料の中でも、酸化ケイ素であることがより好ましい。酸化ケイ素であることで、第１スペーサー５１を、特に容易に、かつ寸法精度高く製造することができる。同様に、第２スペーサー５２の材料は、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素であることが好ましく、酸化ケイ素であることがより好ましい。かかる材料であることで、第２スペーサー５２を、特に容易に、かつ寸法精度高く製造することができる。

【0039】

なお、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、複数層で形成されてもよい。この場合、当該複数層は、互いに異なる材料であってもよいし、同一材料でもよい。よって、第１スペーサー５１は、複数種の無機材料を含んでもよい。また、第２スペーサー５２は、複数種の材料を含んでもよい。

【0040】

図４は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２を示す平面図である。図４では、便宜上、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれに斜線パターンが付され、シール部材８にドットパターンが付されている。

【0041】

図４に示すように、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って延びる。図４は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の各平面視での形状は、四角形の枠状である。なお、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、例えば、四角形以外の多角形、または円形であってもよい。また、図示の例では、第１スペーサー５１の平面視での形状、第２スペーサー５２の平面視での形状、および表示領域Ａ１０の平面視での外縁の形状は、相似であるが、相似でなくてもよい。

【0042】

第１スペーサー５１は、平面視で第２スペーサー５２の内側に位置し、第２スペーサー５２に対して離間する。第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、平面視で表示領域Ａ１０よりも外側に位置する。したがって、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、図示はしないが、平面視で複数の画素電極２６を囲む。また、図４に示す例では、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれは、平面視でダミー画素領域Ａ２１よりも外側に位置する。なお、第１スペーサー５１は、平面視でダミー画素領域Ａ２１と重なってもよい。

【0043】

より具体的には、第１スペーサー５１は、平面視で表示領域Ａ１０とシール部材８との間に配置される。一方、第２スペーサー５２は、平面視でシール部材８の外側に配置される。かかる箇所に配置される第１スペーサー５１が存在することで、第１スペーサー５１が存在せずに、第２スペーサー５２のみが存在する場合に比べ、対向基板４の中央または素子基板２の中央が撓むことが抑制される。第２スペーサー５２よりも内側に第１スペーサー５１が配置されるためである。よって、第１スペーサー５１が存在することで、素子基板２と対向基板４との間の距離が変動することが抑制される。また、前述のように、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２は、表示領域Ａ１０内に配置されていない。このため、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の存在によって、コントラストが低下するおそれが回避される。また、第１スペーサー５１がシール部材８内に配置されていないので、シール部材８のシール機能の低下するおそれが回避される。このようなことから、表示品質の低下を抑制することができる。

【0044】

図４に示すように、第１スペーサー５１はシール部材８に接触しておらず、第１スペーサー５１とシール部材８との間には空間Ｓ１１が存在する。一方、第２スペーサー５２は、シール部材８に接触する。空間Ｓ１１が存在することで、液晶層９とシール部材８との接触が抑制される。このため、液晶層９とシール部材８とが接触することにより、液晶層９の外周での光学特性の均一性が低下するおそれを抑制することができる。

【0045】

第１スペーサー５１は、複数の部分に分断されている。具体的には、第１スペーサー５１は、複数の壁部５１５を有する。各壁部５１５は、平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って延びる壁状の部分である。複数の壁部５１５は、互いに離間し、平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って並ぶ。また、各壁部５１５は、図４では図示しないが、共通電極４４から素子基板２に向かって突出する。なお、図示しないが、前述の無機材料膜５０１ａおよび遮光膜５０２ａのそれぞれは、第１スペーサー５１と同様に複数の部分に分断されている。

【0046】

第１スペーサー５１が平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って延びる壁状の壁部５１５を有することで、第１スペーサー５１が柱状の部材で構成される場合に比べ、第１スペーサー５１の機械的な強度を高めることができる。このため、第１スペーサー５１が存在せずに第２スペーサー５２のみが存在する場合に比べ、対向基板４または素子基板２が経時的に撓むことが抑制される。よって、素子基板２と対向基板４との間の距離の経時的な変化を生じ難くすることができる。したがって、表示品質の低下を長期間抑制することができる。また、第１スペーサー５１が存在するため、シール部材８は、ギャップ材を含んでいなくてもよい。

【0047】

図４に示すように、第１スペーサー５１には、複数の通気孔５１０が設けられる。各通気孔５１０は、液晶層９からシール部材８に向かって気体を流通させるオリフィスである。また、各通気孔５１０は、隣り合う２個の壁部５１５によって形成される隙間である。よって、複数の通気孔５１０は、第１スペーサー５１を複数の壁部５１５に分断する隙間であるともいえる。複数の通気孔５１０は、互いに離間し、平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って並ぶ。

【0048】

ここで、液晶層９は、素子基板２と対向基板４とを貼り合わせる際に、液晶材を素子基板２と対向基板４と間で押し広げることで形成される。このとき、気泡が混入せずに、当該液晶材が表示領域Ａ１０の隅々まで均質に広がることが望まれる。第１スペーサー５１が複数の通気孔５１０を有することで、複数の通気孔５１０を有さない場合に比べ、表示領域Ａ１０の全域にわたって液晶材を効率良く広げることができる。このため、表示領域Ａ１０の全域にわたり均質な液晶層９を形成することができる。また、第１スペーサー５１が複数の通気孔５１０を有するため、表示領域Ａ１０の中央から外縁に向かう液晶材の流れが第１スペーサー５１によって阻害されることが抑制される。よって、いわゆる角シミの発生または悪化を抑制することができる。また、前述のように、空間Ｓ１１が存在する。このため、液晶材を押し広げられることで、表示領域Ａ１０の外縁に到達した気泡が、シール部材８に侵入することが抑制される。この結果、シール特性が低下することが抑制される。

【0049】

複数の通気孔５１０は、複数の第１通気孔５１１と、複数の第２通気孔５１２とを有する。ここで、表示領域Ａ１０の平面視での外縁は、複数の角ａ１および複数の辺ａ２を有する。複数の第１通気孔５１１は、複数の角ａ１に１対１で対応して配置される。また、複数の第２通気孔５１２は、複数の辺ａ２に対応して配置される。具体的には、図示の例では、Ｙ軸に沿った１個の辺ａ２に対して、５個の第２通気孔５１２が配置される。Ｘ軸に沿った１個の辺ａ２に対して、８個の第２通気孔５１２が配置される。なお、１個の辺ａ２に対して配置される第２通気孔５１２の数は、図示の例に限定されず、任意である。

【0050】

第１スペーサー５１が複数の第１通気孔５１１および複数の第２通気孔５１２を有することで、表示領域Ａ１０の中央から外縁に向かって液晶材を効率よく広げることができる。特に、複数の第１通気孔５１１が存在することで、表示領域Ａ１０の角ａ１に気泡が溜まることが抑制される。よって、角ａ１での表示品質の低下が抑制される。

【0051】

なお、複数の通気孔５１０は、等間隔で並んでいてもよいし、等間隔で並んでいなくてもよい。また、前述の複数の壁部５１５は、等間隔で並んでいてもよいし、等間隔で並んでいなくてもよい。

【0052】

第１スペーサー５１に対する複数の通気孔５１０の占める割合は、第１スペーサー５１のうち複数の通気孔５１０を除く部分、すなわち複数の壁部５１５の占める割合よりも低い。このため、複数の通気孔５１０の占める割合が複数の壁部５１５の占める割合よりも高い場合に比べ、素子基板２と対向基板４との間の距離の経時的な寸法変化をより生じ難くすることができる。また、表示領域Ａ１０の中央から外縁に向かって液晶材をより効率よく広げることができる。

【0053】

具体的には、第１スペーサー５１に対する複数の通気孔５１０の占める割合は、特に限定されないが、１％以上２０％以下であることが好ましく、５％以上１０％以下であることがより好ましい。かかる範囲内であることで、素子基板２と対向基板４との間の距離の経時的な寸法変化を特に生じ難くすることができ、かつ、液晶層９の均質性を特に高めることができる。

【0054】

第１通気孔５１１の断面積は、第２通気孔５１２の断面積よりも大きい。別の見方をすれば、第１通気孔５１１を構成する２個の壁部５１５同士の離間距離は、第２通気孔５１２を構成する２個の壁部５１５同士の離間距離よりも大きい。第１通気孔５１１の断面積が第２通気孔５１２の断面積よりも大きいことで、小さい場合に比べ、表示領域Ａ１０の角ａ１に向かって液晶材を特に効率よく流動させることができる。よって、表示領域Ａ１０の角ａ１に気泡が溜まることがより抑制される。よって、角ａ１での表示品質の低下がより抑制される。

【0055】

なお、前述の「断面積」は、Ｚ軸を含む面で切断した断面における面積である。また、複数の第１通気孔５１１の断面積は、互いに等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。同様に、複数の第２通気孔５１２の断面積は、互いに等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。また、複数の壁部５１５の平面視での面積は、互いに等しくてもよいし、互いに異なっていてもよい。

【0056】

また、前述のように、第２スペーサー５２は、平面視でシール部材８よりも外側に配置される。よって、第１スペーサー５１と第２スペーサー５２との間にシール部材８が配置される。また、第２スペーサー５２は、平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って延びる枠状をなす。かかる第２スペーサー５２が存在することで、第２スペーサー５２が存在しない場合に比べ、素子基板２と対向基板４との間の距離の経時的な化を特に生じ難くすることができる。また、第２スペーサー５２がシール部材８の外側に配置されることで、外部の水分がシール部材８に侵入するおそれを抑制することができる。このため、シール部材８を介して表示領域Ａ１０に水分が侵入するおそれを抑制することができる。よって、当該水分の影響により電気光学装置１００に不具合が生じることが抑制される。

【0057】

第２スペーサー５２は、第１スペーサー５１と異なり、貫通孔を有さない枠状である。第２スペーサー５２に貫通孔が設けられていないことで、シール部材８に水分が侵入するおそれを特に効果的に抑制することができる。なお、第２スペーサー５２は、貫通孔を有してもよい。

【0058】

１Ａ－４．第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の製造方法
以下、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の製造方法と、第１スペーサー５１または第２スペーサー５２に関連する要素の製造方法を説明する。図５は、無機材料膜５０１ｘ、遮光膜５０２ｘおよび絶縁層５０ｘの形成方法について説明するための断面図である。

【0059】

まず、図５に示すように、共通電極４４上に、無機材料膜５０１ｘが形成される。共通電極４４は、ＰＶＤ（physical vapor deposition）法等により形成される。無機材料膜５０１ｘは、後の工程を経て、無機材料膜５０１ａおよび５０２ｂとなる。無機材料膜５０１ｘの材料は、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素である。無機材料膜５０１ｘは、例えば、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により形成される。

【0060】

次に、無機材料膜５０１ｘ上に、遮光膜５０２ｘが形成される。遮光膜５０２ｘは、後の工程を経て、２個の遮光膜５０２ａおよび５０２ｂとなる。遮光膜５０２ｘの材料は例えば、窒化チタン等の金属、または窒化ケイ素を含む。遮光膜５０２ｘは、例えば、スパッタリング法または蒸着法により形成される。

【0061】

次に、遮光膜５０２ｘ上に、無機材料を含む絶縁層５０ｘが形成される。絶縁層５０ｘは、後の工程を経て、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２となる。絶縁層５０ｘは、例えばプラズマＣＶＤ法によりが形成される。具体的には、例えば、絶縁層５０ｘは、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素であることが好ましく、酸化ケイ素であることがより好ましい。窒化ケイ素および酸窒化ケイ素を含むことで、寸法精度の高い第１スペーサー５１および寸法精度の高い第２スペーサー５２を容易に製造することができる。

【0062】

図６は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の形成方法を説明するための断面図である。次に、図５に示す絶縁層５０ｘをドライエッチング等でパターニングすることにより、図６に示すように第１スペーサー５１および第２スペーサー５２が形成される。絶縁層５０ｘが酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む場合、当該ドライエッチングで用いられるエッチングガスとしては、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ_４）および八フッ化シクロブタン（Ｃ_４Ｆ_８）等のフルオロカーボン系ガスが挙げられる。また、ドライエッチングを用いることでウェットエッチングを用いる場合に比べ、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の各寸法精度を高めることができる。また、無機材料膜５０１ｘと異なる材料で構成される遮光膜５０２ｘが設けられることで、当該ドライエッチングにおいて共通電極４４が損傷することを抑制することができる。

【0063】

かかる方法により、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２を特に簡単かつ確実に製造することができる。また、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の製造において、共通電極４４が損傷することを特に効果的に抑制することができる。

【0064】

図７は、遮光膜５０２ｘの形成方法を説明するための断面図である。次に、図６に示す遮光膜５０２ｘの一部を除去することにより、図７に示すように、遮光膜５０２ａおよび５０２ｂが形成される。当該除去では、例えばケミカルドライエッチングが用いられる。ケミカルドライエッチングを用いることで、共通電極４４に損傷が生じることを抑制することができる。例えば、遮光膜５０２ｘが窒化チタンである場合、当該ケミカルドライエッチングでは、四フッ化メタン（ＣＦ_４）および酸素（Ｏ_２）を含むエッチングガスが用いられる。

【0065】

図８は、無機材料膜５０１ａおよび５０１ｂの形成方法を説明するための断面図である。次に、図７に示す無機材料膜５０１ｘの一部を除去することにより、図８に示すように、５０１ａおよび５０１ｂが形成される。当該除去では、例えばウェットエッチングが用いられる。ウェットエッチングを用いることでドライエッチングを用いる場合に比べて共通電極４４に損傷が生じることを抑制することができる。当該ウェットエッチングでは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、またはＤＨＦ（希フッ酸）等のフッ素系のエッチング液が用いられる。

【0066】

また、図示はしないが、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれが形成された後、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれを覆うようにコート層４５が形成される。コート層４５は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法等により形成される。コート層４５の形成では、適宜、蒸着源に対して共通電極４４の表面が斜めに配置される。これにより、共通電極４４の表面だけでなく、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２の各表面にコート層４５を好適に形成することができる。コート層４５は、例えばケイ素を含む無機材料で形成される。特に、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素で形成されることで、ＡＬＤ法により、均質で充分に薄いコート層４５を形成することができる。

【0067】

また、図示はしないが、コート層４５が形成された後、コート層４５上に、例えばＣＶＤ法またはＡＬＤ法により酸化ケイ素等を含む膜が形成される。そして、当該膜にラビング処理が施されることにより第２配向膜４６が形成される。コート層４５上に第２配向膜４６が形成されることで、コート層４５が無い場合に比べ、共通電極４４、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれに対する第２配向膜４６の密着性を高めることができる。密着性を高めるためには、コート層４５と第２配向膜４６とは同一の材料を含むことが特に好ましい。なお、第２配向膜４６の形成においても、コート層４５の形成と同様に、適宜、蒸着源に対して共通電極４４の表面が斜めに配置される。

【0068】

第２配向膜４６が形成された後、対向基板４は、例えば公知の技術を適宜用いて形成された素子基板２にシール部材８を介して貼り合わされる。この際、素子基板２、対向基板４およびシール部材８との間に液晶材が供給され、当該液晶材が素子基板２と対向基板４と間で押し広げる。これにより、液晶層９が形成される。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００を製造することができる。

【0069】

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0070】

図９は、第２実施形態に係る電気光学装置１００Ａの一部を示す断面図である。図１０は、図９に示す第１スペーサー５１、第２スペーサー５２および第３スペーサー５３を示す平面図である。図１０では、便宜上、第３スペーサー５３に斜線パターンが付される。電気光学装置１００Ａは、第３スペーサー５３を有することが第１実施形態のおける電気光学装置１００と異なる。

【0071】

図９および図１０に示す第３スペーサー５３は、第２スペーサー５２と、配置が異なる以外は同一である。よって、第３スペーサー５３は、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２とともに、素子基板２と対向基板４との間の距離を規定する。また、第３スペーサー５３と共通電極４４との間には、無機材料膜５０１ｃおよび遮光膜５０２ｃが配置される。無機材料膜５０１ｃは、無機材料膜５０１ｂと配置が異なる以外同一である。遮光膜５０２ｃは、遮光膜５０２ｂと配置が異なる以外同一である。

【0072】

図１０に示すように、第３スペーサー５３は、第２スペーサー５２と同様に、平面視で表示領域Ａ１０の外縁に沿って延びる。第３スペーサー５３の平面視での形状は、第２スペーサー５２の平面視での形状と同様に、四角形の枠状である。また、図示の例では、第３スペーサー５３の平面視での形状、第２スペーサー５２の平面視での形状、第１スペーサー５１の平面視での形状、表示領域Ａ１０の平面視での外縁の形状は、相似であるが、相似でなくてもよい。

【0073】

第３スペーサー５３は、平面視で表示領域Ａ１０よりも外側に位置する。第３スペーサー５３は、平面視で第１スペーサー５１と第２スペーサー５２との間に位置し、第１スペーサー５１および第２スペーサー５２のそれぞれと離間する。また、第３スペーサー５３は、平面視で第１スペーサー５１とシール部材８との間に位置する。かかる第３スペーサー５３が存在することで、第３スペーサー５３が存在しない場合に比べ、液晶層９とシール部材８との接触が抑制される。このため、液晶層９とシール部材８とが接触することにより、液晶層９の外周での光学特性の均一性が低下するおそれを抑制することができる。

【0074】

また、第３スペーサー５３と第１スペーサー５１とは、空間Ｓ１２を介して配置される。このため、表示領域Ａ１０の中央から外縁に向かって液晶材をより効率よく広げることができる。また、空間Ｓ１２が存在することで、当該気泡がシール部材８に侵入し、この結果、シール特性が低下することが抑制される。

【0075】

第３スペーサー５３は、シール部材８と接触する。第３スペーサー５３は、第１スペーサー５１とともにシール部材８の幅を規定する部材として機能する。

【0076】

以上の第２実施形態の電気光学装置１００Ａによっても、第１実施形態の電気光学装置１００と同様に、表示品質の低下を抑制することができる。

【0077】

１Ｃ．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

【0078】

前述の第１実施形態では、第１スペーサー５１は、シール部材８と接触していないが、第１スペーサー５１は、シール部材８に接触してもよい。例えば、図１１に示す例が挙げられる。図１１は、変形例における第１スペーサー５１とシール部材８との配置を示す平面図である。図１１に示すように、シール部材８は、第１スペーサー５１と第２スペーサー５２とに接触する。第１スペーサー５１および第２スペーサー５２は、シール部材８の幅を規定する部材として機能する。なお、第１スペーサー５１がシール部材８に接触する場合、シール部材８はギャップ材を含むことが好ましい。ギャップ材を含むことで、表示領域Ａ１０の外縁に到達した気泡が、複数の通気孔５１０を通過し、シール部材８に侵入することを抑制することができる。

【0079】

前述の第１実施形態では、素子基板２の第２配向膜４６との接触面は、平坦面であるが、平坦面でなくてもよい。例えば、図１２に示す例が挙げられる。図１２は、変形例における第１スペーサー５１および第２スペーサー５２を示す断面図である。素子基板２は、第１スペーサー５１の一部が配置される凹部２０１と、第２スペーサー５２の一部が配置される凹部２０２と、を有する。凹部２０１が存在することで、第１スペーサー５１のＸ－Ｙ平面におけるズレを抑制することができる。同様に、凹部２０２が存在することで、第２スペーサー５２のＸ－Ｙ平面におけるズレを抑制することができる。なお、図示はしないが、素子基板２は、第３スペーサー５３の一部が配置される凹部を有してもよい。

【0080】

前述の各実施形態では、第１スペーサー５１は、複数の第１通気孔５１１と複数の第２通気孔５１２を有するが、複数の第１通気孔５１１または複数の第２通気孔５１２は省略されてもよい。

【0081】

前述の各実施形態では、第１スペーサー５１は、複数の壁部５１５を有するが、複数の壁部５１５は一体であってもよい。つまり、第１スペーサー５１は、１個の枠状の部材で構成されてもよい。この場合、例えば、第１スペーサー５１は、分断されておらず、凹部で構成される複数の通気孔を有してもよい。当該凹部は、液晶層９からシール部材８に向かって気体を流通させるよう構成される。

【0082】

前述の各実施形態では、表示領域Ａ１０の外縁が有する各辺ａ２は、直線であるが、曲線であってもよい。

【0083】

前述の各実施形態では、各第１通気孔５１１の断面積は、各第２通気孔５１２の断面積よりも大きいが、小さくてもよい。また、複数の第２通気孔５１２のうちのいくつかの断面積が、各第１通気孔５１１の断面積よりも小さく、複数の第２通気孔５１２のうちの残りが、各第１通気孔５１１の断面積よりも大きくてもよい。

【0084】

前述の各実施形態では、第１スペーサー５１に対する複数の通気孔５１０の占める割合は、複数の壁部５１５の占める割合よりも小さいが、大きくてもよい。

【0085】

前述の各実施形態では、第２スペーサー５２が存在するが、第２スペーサー５２は省略されてもよい。

【0086】

前述の各実施形態では、第１スペーサー５１、第２スペーサー５２および第３スペーサー５３のそれぞれは、対向基板４に配置されるが、素子基板２に配置されてもよい。

【0087】

前述の実施形態では、トランジスター２３はＴＦＴである場合を例に説明したが、トランジスター２３はＴＦＴに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）であってもよい。

【0088】

前述の実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。
前述の実施形態では、一対の基板の基板面と略直交する方向の縦電界を液晶層９に印加して液晶分子の配向状態を制御する方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の方式としては、素子基板側に画素電極と共通電極とを配置して、一対の基板の基板面と略平行な方向の横電界（フリンジ電界も含む）を液晶層９に印加して液晶分子の配向状態を制御する方式であってもよい。

【0089】

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0090】

図１３は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0091】

図１４は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0092】

図１５は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0093】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0094】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述のように電気光学装置１００によれば、表示品質の低下が抑制される。このため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品質を高めることができる。

【0095】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0096】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【0097】

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

【符号の説明】

【0098】

２…素子基板、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、２１…第１基材、２２…配線層、２３…トランジスター、２６…画素電極、２６ｄ…ダミー画素電極、２９…第１配向膜、４１…第２基材、４２…絶縁膜、４３…見切部、４４…共通電極、４５…コート層、４６…第２配向膜、５０ｘ…絶縁層、５１…第１スペーサー、５２…第２スペーサー、５３…第３スペーサー、１００…電気光学装置、１００Ａ…電気光学装置、２４０…蓄積容量、２４４…走査線、２４５…容量線、２４６…データ線、５０１ａ…無機材料膜、５０１ｂ…無機材料膜、５０１ｃ…無機材料膜、５０１ｘ…無機材料膜、５０２ａ…遮光膜、５０２ｂ…遮光膜、５０２ｃ…遮光膜、５０２ｘ…遮光膜、５１０…通気孔、５１１…第１通気孔、５１２…第２通気孔、５１５…壁部、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…ダミー画素領域、Ｐ…画素、Ｓ１１…空間、Ｓ１２…空間、ａ１…角、ａ２…辺。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】