技術分野
基板処理装置及び温度制御方法に関するものであり、より詳細には、高圧の処理流体を利用して基板を処理する基板処理装置及び前記基板処理装置が有するチャンバに伝達される処理流体を貯蔵するタンク内の温度制御方法に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、処理流体の温度を効率的に調節することができる温度制御方法及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、温度制御方法を提供する。チャンバに伝達される処理流体を貯蔵するタンク内の温度制御方法は、前記タンクが有する内部空間に前記処理流体を供給し、前記内部空間で前記処理流体を加熱し、加熱された前記処理流体を前記チャンバに伝達するが、前記内部空間の温度は、前記内部空間の圧力を測定し、測定された前記圧力に根拠して前記内部空間の温度が調節されることができる。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一実施例によれば、処理流体の温度を効率的に調節することができる。
また、本発明の一実施例によれば、オーバーシューテング現象が発生されることを最小化できる。
また、本発明の一実施例によれば、タンクの内部空間の温度及び圧力を効果的に制御することができる。
また、本発明の一実施例によれば、タンクの内部空間の温度を精密に制御することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなく、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
超臨界乾燥工程を遂行する一般的な基板処理装置を見せてくれる図面である。
【図2】
図1のタンクの内部空間の圧力及び温度変化、そして、超臨界チャンバの処理空間の圧力変化を見せてくれるグラフである。
【図3】
本発明の一実施例による基板処理装置を見せてくれる図面である。
【図4】
図3の液処理チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる図面である。
【図5】
図3の乾燥チャンバに提供される基板処理装置を見せてくれる図面である。
【図6】
図5の流体供給ユニットの姿を概略的に示した図面である。
【図7】
図6の第2温度調節部材の断面を見せてくれる図面である。
【図8】
図6のバイメタルの機能を概略的に示した図面である。
【図9】
図6のタンクの内部空間の圧力及び温度変化、そして、チャンバの処理空間の圧力変化を見せてくれるグラフである。
【図10】
本発明の他の実施例による流体供給ユニットの姿を概略的に示した図面である。
1 ガス供給ユニット
2 タンク
3 内部空間
4 ヒーター
5 第1ガス供給管
6 第2ガス供給管
7 温度センサー
8 圧力センサー
9 超臨界チャンバ
A 第1領域
B 第2領域
500 乾燥チャンバ
510 チャンバ
520 加熱部材
550 排気ライン
560 昇降部材
600 流体供給ユニット
610 タンク
620 第1供給ライン
621 第1バルブ
630 第2供給ライン
631 第2バルブ
633 上部供給ライン
634 上部バルブ
635 下部供給ライン
636 下部バルブ
640 圧力測定部材
650 温度調節部材
651 第1温度調節部材
652 胴体
653 発熱部
654 第1電力供給ライン
656 第2温度調節部材
657 シャフト
658 熱板
659 第2電力供給ライン
660 バイメタル
661 第1バイメタル
662 第2バイメタル
663 第3バイメタル
670 温度測定部材
30 制御機
31 信号ライン
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