特許7402023IP Force 特許公報全文掲載

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高解像度ディスプレイ装置及びその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、高解像度ディスプレイ装置を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

例示的なサブピクセル単位で電源を印加するように構成されたピクセル電極と、共通電極とを含み、サブピクセル別に光を発光するディスプレイ装置において、 支持基板と、 前記支持基板上に具備され、前記ピクセル電極に電源を印加する駆動素子を含む駆動層と、 前記駆動層上の、第１半導体層、活性層及び第２半導体層を含む発光層と、を含む。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

例示的な実施形態によるディスプレイ製造方法により、駆動層と発光層とがモノリシックに形成され得る。また、例示的な実施形態によるディスプレイ製造方法により、エピ基板を上部に来るように逆さにして製造するフリップ製造工程を介して、メサ構造のない垂直型電極構造を形成することができる。電極を形成するためのビアホールエッチング工程を減らし、製造工程を単純化させることができ、メサ構造がないために、該メサ構造による内部量子効率低下を防止することができる。また、第１電極と第２電極とのうち少なくとも一つが反射膜の役割を行うことにより、発光効率を高めることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置を概略的に示した図面である。
【図2】 他の例示的な実施形態によるディスプレイ装置を図示した図面である。
【図3】 図２に図示されたディスプレイ装置に、色変換層をさらに具備した構造を図示した図面である。
【図4】 図３に図示されたディスプレイ装置において、電極構造を変形させた例を図示した図面である。
【図5】 他の実施形態によるディスプレイ装置を図示した図面である。
【図6】 図５に図示されたディスプレイ装置に、色変換層をさらに具備した構造を図示した図面である。
【図7】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図8】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図9】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図10】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図11】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図12】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図13】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図14】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図15】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図16】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の製造方法を図示した図面である。
【図17】 例示的な実施形態によるディスプレイ装置の透明電極を形成する方法を図示した図面である。
【図18】 図１６に図示された構造物に、色変換層を形成する方法を図示した図面である。
【図19】 他の例示的な実施形態によるディスプレイ製造方法を図示した図面である。
【図20】 他の例示的な実施形態によるディスプレイ製造方法を図示した図面である。

代表図 図1本件の代表的な図

１１０，２１０，４５０ 支持基板 １２０，２２０，４５５ 結合層 １３０，２３０ 駆動層 １３５，２３５ 駆動素子 １４０，２４０ 発光層 １４１，２４１ 第１電極 １４２，２４２ 第１半導体層 １４３，２４３ 活性層 １４５，２４５ 第２半導体層 １４６，２４６，２４６Ｂ，３４６ 第２電極 １４７，２４７，４３０ 隔離構造 ２４８，４６５ 微細パターン構造 １４９，２４９ ウィンドウ領域 １５０，２５０ 隔壁 １５１，１５２，１５３，２５１，２５２，２５３，３５１，３５２，３５３，４８１，４８２，４８３ 色変換層

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