(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-13
(45)【発行日】2023-12-21
(54)【発明の名称】フィルタおよびマルチプレクサ
(51)【国際特許分類】
H03H 9/64 20060101AFI20231214BHJP
H03H 9/72 20060101ALI20231214BHJP
H03H 9/17 20060101ALI20231214BHJP
H03H 9/54 20060101ALI20231214BHJP
H03H 9/70 20060101ALI20231214BHJP
H03H 7/01 20060101ALI20231214BHJP
【ＦＩ】
H03H9/64 Z
H03H9/72
H03H9/17 F
H03H9/54 Z
H03H9/70
H03H7/01 A
【請求項の数】
2
(21)【出願番号】P 2019044760
(22)【出願日】2019-03-12
(65)【公開番号】P2020150361
(43)【公開日】2020-09-17
【審査請求日】2022-02-22
(73)【特許権者】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100087480
【弁理士】
【氏名又は名称】片山 修平
(72)【発明者】
【氏名】田坂 直之
(72)【発明者】
【氏名】天野 崇
【審査官】志津木 康
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１２９６８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－１１１３１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０９８９９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－１２０３５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１７１０８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－３１０４５５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２１８６６９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０３Ｈ１／００－７／１３
Ｈ０３Ｈ３／００７－３／１０
Ｈ０３Ｈ９／００－９／７６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力端子と、出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に直列接続された２つのキャパシタと、前記入力端子と前記出力端子との間において、前記２つのキャパシタに並列接続されたインダクタと、を備え、共振周波数は、通過帯域より高く、かつ正の温度係数を有する共振回路と、
一端が前記２つのキャパシタの間のノードに接続され、他端が接地され、共振周波数は、通過帯域と前記共振回路の共振周波数との間に位置し、かつ負の温度係数を有する弾性波共振器と、
誘電率の温度係数が負でありＳｒＴｉＯ ３ を添加したＣａＭｇＳｉ ２ Ｏ ６ を含む積層された複数の誘電体層と、
を備え、
前記２つのキャパシタは、前記複数の誘電体層のうち少なくとも１つの誘電体層を挟む一対の電極を備え、
前記インダクタは、前記複数の誘電体層の少なくとも１つの誘電体層に設けられた配線パターンを備えるフィルタ。
【請求項2】
請求項１に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フィルタおよびマルチプレクサに関し、共振回路と弾性波共振器を有するフィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【0002】
キャパシタおよびインダクタにより形成された共振回路に、弾性波共振器を設けるフィルタが知られている（例えば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１８－１２９６８０号公報
【文献】特開２０１８－１２９６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
共振回路に弾性波共振器を設けることで、通過帯域と阻止帯域との間の急峻性を高めることができる。しかしながら、温度特性が劣化することがある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、温度特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に直列接続された２つのキャパシタと、前記入力端子と前記出力端子との間において、前記２つのキャパシタに並列接続されたインダクタと、を備え、共振周波数は、通過帯域より高く、かつ正の温度係数を有する共振回路と、一端が前記２つのキャパシタの間のノードに接続され、他端が接地され、共振周波数は、通過帯域と前記共振回路の共振周波数との間に位置し、かつ負の温度係数を有する弾性波共振器と、誘電率の温度係数が負でありＳｒＴｉＯ
３
を添加したＣａＭｇＳｉ
２
Ｏ
６
を含む積層された複数の誘電体層と、を備え、前記２つのキャパシタは、前記複数の誘電体層のうち少なくとも１つの誘電体層を挟む一対の電極を備え、前記インダクタは、前記複数の誘電体層の少なくとも１つの誘電体層に設けられた配線パターンを備えるフィルタである。
【0011】
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、温度特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例1】
【0015】
図１は、実施例１に係るフィルタの回路図である。図１に示すように、実施例１に係るフィルタでは、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に共振回路２０が接続されている。共振回路２０は、キャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１を備えている。キャパシタＣ１およびＣ２は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に直列接続されている。インダクタＬ１は、入力端子ＴｉｎとキャパシタＣ１との間のノードＮ１と、出力端子ＴｏｕｔとキャパシタＣ２との間のノードＮ２と、の間に、キャパシタＣ１およびＣ２と並列接続されている。弾性波共振器Ｒ１の一端は、キャパシタＣ１とＣ２との間のノードＮ３に接続され、他端はグランド端子に接続されている。
【0016】
共振回路２０は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間の通過特性に減衰極を形成する。弾性波共振器Ｒ１は、共振回路２０が形成する減衰極と通過帯域との間の減衰極を形成する。これにより、通過帯域と阻止帯域との間に急峻性を高めることができる。
【0017】
図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図であり、図２（ｂ）は、実施例１における別の弾性波共振器の断面図である。図２（ａ）の例では、弾性波共振器Ｒ１は弾性表面波共振器である。基板１０の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）１２と反射器１３が設けられている。ＩＤＴ１２は、互いに対向する１対の櫛型電極１２ａを有する。櫛型電極１２ａは、複数の電極指１２ｂと複数の電極指１２ｂを接続するバスバー１２ｃとを有する。反射器１３は、ＩＤＴ１２の両側に設けられている。ＩＤＴ１２が基板１０に弾性表面波を励振する。基板１０は、例えば、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板等の圧電基板である。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板上に圧電基板が接合された複合基板でもよい。支持基板と圧電基板との間に酸化シリコン膜または窒化アルミニウム膜等の絶縁膜が設けられていてもよい。ＩＤＴ１２および反射器１３は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板１０上にＩＤＴ１２および反射器１３を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【0018】
図２（ｂ）の例では、弾性波共振器Ｒ１は圧電薄膜共振器である。基板１０上に圧電膜１６が設けられている。圧電膜１６を挟むように下部電極１４および上部電極１８が設けられている。下部電極１４と基板１０との間に空隙１５が形成されている。空隙１５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。圧電膜１６の少なくとも一部を挟み下部電極１４と上部電極１８とが対向する領域が共振領域１７である。共振領域１７内の下部電極１４および上部電極１８は圧電膜１６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極１４および上部電極１８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜１６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙１５の代わりに下部電極１４下に弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。
【0019】
弾性波共振器Ｒ１として、弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器を用いた場合、共振周波数および反共振周波数の温度係数は負である。これにより、弾性波共振器Ｒ１により形成される減衰極の温度係数は負となる。例えば、基板１０を４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用いた弾性表面波共振器の共振周波数の温度係数は約－４０ｐｐｍ／℃である。
【0020】
図３は、実施例１に係るＬＣ部品の断面図である。図３に示すように、ＬＣ部品３０は、複数の誘電体層３１ａから３１ｅが積層された積層体３１を備えている。誘電体層３１ａから３１ｄの表面にはそれぞれ金属層３２ａから３２ｄが設けられている。積層体３１の下面には端子３６が設けられている。誘電体層３１ａから３１ｄを貫通するビア（図３ではビア３４ａおよび３４ｄを図示）が設けられている。誘電体層３１ｂを挟む金属層３２ａおよび３２ｂによりキャパシタＣ１およびＣ２が形成される。金属層３２ｃおよび３２ｄによりインダクタＬ１が形成される。
【0021】
誘電体層３１ａから３１ｅは、例えばセラミック材料等の無機絶縁体からなる。誘電体層３１ａから３１ｅは、例えば主成分としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）およびマグネシウム（Ｍｇ）の酸化物（例えばディオブサイドＣａＭｇＳｉ２Ｏ６）を主成分とし、例えばチタン酸ストロンチウム（ＳｉＴｉＯ３）が添加されている。金属層３２ａ、３２ｂ、ビア３４ａ、３４ｄおよび端子３６は、例えば銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、金－パラジウム合金または銀－白金合金を主成分とする金属層である。
【0022】
誘電体層３１ａから３１ｅの誘電率が温度により変化すると、並列共振回路の共振周波数が変化する。例えば、インダクタＬ１のインダクタンスをＬ、キャパシタＣ１およびＣ２の合成キャパシタンスをＣとすると、並列共振回路の共振周波数は１／√ＬＣに比例する。よって、誘電体層３１ａから３１ｅの誘電率の温度係数を所望の値とすることで、共振回路２０の共振周波数の温度係数を所望の値にできる。
【0023】
表１は、誘電体材料の比誘電率の温度係数τｆ［ｐｐｍ／℃］、比誘電率εｒおよびτｆ／εｒを示す表である。
【表1】
【0024】
表１に示すように、ＭｇＴｉＯ３およびＣａＭｇＳｉ２Ｏ６の比誘電率の温度係数τｆは負である。ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３およびＢａＺｒＯ３の比誘電率の温度係数τｆは正である。比誘電率の温度係数が負の誘電体材料と比誘電率の温度係数が正の誘電体材料を適宜混合することで、任意の温度係数τｆを実現できる。
【0025】
例えばＣａＭｇＳｉ２Ｏ６にτｆが正の誘電体材料を添加してτｆを調整するときには、τｆ／εｒが大きい誘電体材料を選択すれば、比誘電率をあまり変えずに、τｆを調整できる。そこで、τｆ／εｒが最も大きいＳｒＴｉＯ３を添加する場合を考えた。
【0026】
表２は、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６とＳｒＴｉＯ３との体積比に対するτｆを示す表である。
【表2】
【0027】
表２に示すように、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６とＳｒＴｉＯ３との体積比が０．９６０と０．０４０のときτｆは０ｐｐｍ／℃である。ＳｒＴｉＯ３を減らすとτｆは負となり、増やすと正となる。このように、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６に添加するＳｒＴｉＯ３の量を選択することにより、誘電体層３１ａから３１ｅの誘電率の温度係数τｆを所望の値とすることができる。これにより、共振回路２０の共振周波数の温度係数を所望の値にすることができる。
【0028】
［実験］
図４は、実験に用いたマルチプレクサを示す回路図である。図４に示すように、マルチプレクサは端子Ｔａと端子Ｔ１との間に接続されたフィルタ４０、端子ＴａとＴ２との間に接続されたフィルタ４２、および端子ＴａとＴ３との間に接続されたフィルタ４４を備えている。
図４は、実験に用いたマルチプレクサを示す回路図である。図４に示すように、マルチプレクサは端子Ｔａと端子Ｔ１との間に接続されたフィルタ４０、端子ＴａとＴ２との間に接続されたフィルタ４２、および端子ＴａとＴ３との間に接続されたフィルタ４４を備えている。
【0029】
フィルタ４０はキャパシタＣ１１からＣ１３並びにインダクタＬ１１およびＬ１２を備えている。インダクタＬ１１およびＬ１２は端子ＴａとＴ１との間に直列接続されている。キャパシタＣ１１はインダクタＬ１２に並列接続されている。キャパシタＣ１２およびＣ１３は端子ＴａとＴ１との間にシャント接続されている。
【0030】
フィルタ４２は、キャパシタＣ２１からＣ２３、インダクタＬ２１およびＬ２２並びに弾性波共振器Ｒ２１を備えている。キャパシタＣ２１からＣ２３は端子ＴａとＴ２との間に直列接続されている。インダクタＬ２１はキャパシタＣ２２およびＣ２３に並列接続されている。インダクタＬ２２および弾性波共振器Ｒ２１は端子ＴａとＴ２との間にシャント接続されている。
【0031】
フィルタ４２のうちフィルタ２２が実施例１のフィルタである。キャパシタＣ２２、Ｃ２３およびインダクタＬ２１は共振回路２０のそれぞれキャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１に相当する。弾性波共振器Ｒ２１は弾性波共振器Ｒ１に相当する。
【0032】
フィルタ４４は、キャパシタＣ３１からＣ３３、インダクタＬ３１からＬ３３並びに弾性波共振器Ｒ３１を備えている。キャパシタＣ３１からＣ３３は端子ＴａとＴ３との間に直列接続されている。インダクタＬ３１はキャパシタＣ３１およびＣ３２に並列接続され、インダクタＬ３２はキャパシタＣ３３に並列接続されている。インダクタＬ３３および弾性波共振器Ｒ３１は端子ＴａとＴ３との間にシャント接続されている。
【0033】
フィルタ４０、４２および４４は、ノードＮ１において共通に接続されている。フィルタ４２および４４は、ノードＮ１とＮ２との間に共通回路として、キャパシタＣ０１およびインダクタＬ０１を有する。キャパシタＣ０１およびインダクタＬ０１は、ノードＮ１とＮ２との間に直列接続されている。フィルタ４０はローパスフィルタとして機能し、フィルタ４２および４４はバンドパスフィルタとして機能する。
【0034】
フィルタ４０はローバンドの信号を通過させ、ミドルバンドおよびハイバンドの信号を抑圧する。フィルタ４２はミドルバンドの信号を通過させ、ローバンドおよびハイバンドの信号を抑圧する。フィルタ４４はハイバンドの信号を通過させ、ローバンドおよびミドルバンドの信号を抑圧する。
【0035】
ローバンド、ミドルバンドおよびハイバンドは、それぞれ７００ＭＨｚから９６０ＭＨｚ、１７１０ＭＨｚから２２００ＭＨｚおよび２３００ＭＨｚから２６９０ＭＨｚである。ローバンド、ミドルバンドおよびハイバンドは、各々ＬＴＥ（ＬＴＥ規格（Ｅ－ＵＴＲＡ Operating Band））に対応する周波数帯規格（Ｅ－ＵＴＲＡ Operating Band）に対応する複数のバンドを含む。
【0036】
フィルタ４２および４４の通過帯域はそれぞれミドルバンドおよびハイバンドより広く設けられる。ミドルバンドおよびハイバンドは通過帯域幅が３００ＭＨｚ以上である。このように広帯域のフィルタ４２および４４はＬＣ回路により形成される。しかし、ミドルバンドとハイバンドとの通過帯域の間隔は１００ＭＨｚである。このため、フィルタ４２および４４には通過帯域と阻止帯域との間の急峻性が求められる。しかし、インダクタおよびキャパシタでフィルタを形成すると、急峻性が十分でない。そこで、弾性波共振器Ｒ２１およびＲ３１を接続する。これにより、フィルタ４２および４４における急峻性を高めることができる。
【0037】
［比較例１］
比較例１として、図４の回路のマルチプレクサを作製した。作製条件は以下である。誘電体層の比誘電率の温度係数τｆがほぼ０となるように、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６にＳｒＴｉＯ３を添加した。各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを表３とした。
比較例１として、図４の回路のマルチプレクサを作製した。作製条件は以下である。誘電体層の比誘電率の温度係数τｆがほぼ０となるように、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６にＳｒＴｉＯ３を添加した。各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを表３とした。
【表3】
【0038】
弾性波共振器Ｒ２１およびＲ３１は、４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用いた弾性表面波共振器とし、共振周波数および反共振周波数を以下とした。
Ｒ２１の共振周波数：２．２５１ＧＨｚ、反共振周波数：２．３３２ＧＨｚ
Ｒ３１の共振周波数：２．２６１ＧＨｚ、反共振周波数：２．３３１ＧＨｚ
Ｒ２１の共振周波数：２．２５１ＧＨｚ、反共振周波数：２．３３２ＧＨｚ
Ｒ３１の共振周波数：２．２６１ＧＨｚ、反共振周波数：２．３３１ＧＨｚ
【0039】
【0040】
環境温度を８５℃、２５℃および－３０℃として、端子ＴａとＴ２との間のフィルタ４２の通過特性を測定した。図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１のマルチプレクサにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の範囲Ａの拡大図である。減衰極Ａ１は主に共振回路２０の共振周波数により形成される。減衰極Ａ２は主に弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数により形成される。
【0041】
フィルタ４２の通過特性は、ミドルバンドの帯域ＭＢが通過帯域となり、ハイバンドの帯域ＨＢが阻止帯域となる。帯域ＭＢとＨＢとの間の減衰量の変化が急峻である。これは、弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数に由来する減衰極Ａ２を通過帯域と減衰極Ａ１との間に設けためである。弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数は、通過帯域と減衰極Ａ１との間であって通過帯域の高周波側のすそ野に重なるように位置している。
【0042】
温度が高くなると、矢印５１のように減衰極Ａ１の周波数は高くなり、矢印５２のように減衰極Ａ２の周波数は低くなる。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋３９ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋３５ｐｐｍ／℃である。
【0043】
温度が高くなると減衰極Ａ１とＡ２が遠ざかるため、減衰極Ａ１とＡ２との間の減衰量のピーク５４の大きさが矢印５３のように高くなる。減衰量のピーク５４が阻止帯域で最も減衰量が小さいため、ピーク５４の大きさの温度変化を抑制することが求められる。
【0044】
弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数の温度係数は負であり、減衰極Ａ２の周波数の温度係数が負であることは理解できる。しかし、減衰極Ａ１の周波数の温度係数が正となる理由が不明である。
【0045】
［比較例１のシミュレーション］
図６（ａ）および図６（ｂ）の測定した通過特性を基に、弾性波共振器Ｒ２１と共振回路２０のうち弾性波共振器Ｒ１のみが温度により特性が変化し共振回路２０の特性は温度で変化しない場合と、共振回路２０のみが温度により特性が変化し弾性波共振器Ｒ２１の特性は温度で変化しない場合のフィルタ４２の通過特性をシミュレーションした。
図６（ａ）および図６（ｂ）の測定した通過特性を基に、弾性波共振器Ｒ２１と共振回路２０のうち弾性波共振器Ｒ１のみが温度により特性が変化し共振回路２０の特性は温度で変化しない場合と、共振回路２０のみが温度により特性が変化し弾性波共振器Ｒ２１の特性は温度で変化しない場合のフィルタ４２の通過特性をシミュレーションした。
【0046】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、比較例１のシミュレーションにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。図７（ａ）は弾性波共振器Ｒ１のみ特性が温度で変化する場合のフィルタ４２の通過特性を示している。図７（ａ）に示すように、弾性波共振器Ｒ２１のみ温度により特性が変化し共振回路２０の特性が温度で変化しない場合、矢印５１のように減衰極Ａ１の周波数の温度係数は正である。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋２３ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋４３ｐｐｍ／℃である。矢印５２のように減衰極Ａ２の周波数の温度係数は負である。矢印５３のように減衰量のピーク５４の温度変化が大きい。
【0047】
図７（ｂ）は共振回路２０のみ特性が温度で変化する場合のフィルタ４２の通過特性を示している。図７（ｂ）に示すように、共振回路２０のみ温度により特性が変化し弾性波共振器Ｒ２１の特性が温度で変化しない場合、減衰極Ａ１およびＡ２の周波数の温度係数はほとんど０である。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋０．２ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋０．３ｐｐｍ／℃である。減衰量のピーク５４の温度変化はほとんどない。
【0048】
弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数の温度係数は負であることが知られている。図７（ａ）のように、弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数に由来する減衰極Ａ２の周波数の温度変化は、弾性波共振器の共振周波数の温度変化で説明がつく。共振回路２０の共振周波数に由来する減衰極Ａ１の周波数が弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数の温度変化により変化してしまう。このような現象は発明者らが初めて見出した現象である。
【0049】
［実施例１のシミュレーション］
共振回路２０の共振数波数の温度係数を正としシミュレーションした。例えば、共振回路２０を構成する部品３０の誘電体材料内のＳｒＴｉＯ３の添加量を少なくし比誘電率の温度係数τｆを負とする。これにより、共振回路２０の共振周波数の温度係数は正となる。
共振回路２０の共振数波数の温度係数を正としシミュレーションした。例えば、共振回路２０を構成する部品３０の誘電体材料内のＳｒＴｉＯ３の添加量を少なくし比誘電率の温度係数τｆを負とする。これにより、共振回路２０の共振周波数の温度係数は正となる。
【0050】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１のシミュレーションにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。図８（ａ）は共振回路２０のみ特性が温度で変化する場合のフィルタ４２の通過特性を示している。図８（ａ）に示すように、共振回路２０の共振周波数の温度係数を正とすると、減衰極Ａ１およびＡ２の周波数の温度係数は、矢印５１および５２のように正となる。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋４５ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋４５ｐｐｍ／℃である。このとき、共振回路２０の共振周波数の温度係数は０．２ｐｐｍ／℃である。すなわち、共振回路２０の共振周波数の温度係数の絶対値は弾性波共振器Ｒ３１の共振周波数の温度係数（約－４０ｐｐｍ／℃）の約２００倍である。
【0051】
図８（ｂ）は図８（ａ）の共振回路２０の温度変化と、図７（ａ）の弾性波共振器Ｒ２１の温度変化を合成してシミュレーションしたフィルタ４２の通過特性である。図８（ｂ）に示すように、減衰極Ａ１とＡ２の周波数の温度変化がともに図６（ｂ）の比較例１より小さくなっている。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋１０ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋１７ｐｐｍ／℃である。これにより、減衰量のピーク５４の温度変化が小さくなる。
【0052】
弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器等の弾性波共振器Ｒ１の共振周波数および反共振周波数の周波数の温度係数を０とすることは難しく、一般的に負である。一方、キャパシタおよびインダクタを有する共振回路２０の共振周波数の温度係数は、表１および表２のように調整可能ある。そこで、一般的に共振回路２０の共振周波数の温度係数がほぼ０となるように共振回路２０を形成する。
【0053】
しかし、減衰極Ａ１の温度係数は負となり、減衰極Ａ２の温度係数は正となってしまう。これにより、減衰極Ａ１とＡ２の間のピーク５４の大きさが温度により変化してしまう。
【0054】
実施例１によれば、共振回路２０は入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に互いに並列接続されたキャパシタＣ１およびＣ２とインダクタＬ１とを備える。弾性波共振器Ｒ１の一端がキャパシタＣ１、Ｃ２またはインダクタＬ１の一端に接続され、他端が接地されている。弾性波共振器Ｒ１の共振周波数は通過帯域と共振回路２０の共振周波数との間に位置する。このとき、弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数の符号を共振回路２０の共振周波数の温度係数の符号と反対とする。これにより、図８（ｂ）のように減衰極Ａ１とＡ２の間のピーク５４の大きさの温度変化を小さくできる。よって、フィルタの温度特性が向上できる。
【0055】
弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数の絶対値に対する、共振回路２０の共振周波数の温度係数の絶対値の比は、０．１以上かつ１．９以下が好ましく、０．２以上かつ１．８以下がより好ましく、０．５以上かつ１．５以下がさらに好ましい。これにより、ピーク５４の大きさの温度変化をより小さくできる。
【0056】
実施例１では、共振回路２０を誘電体層を積層した部品で形成する例を説明したが、共振回路２０の少なくとも一部は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic）のように部品を搭載する基板内に形成してもよい。共振回路２０の少なくとも一部はチップコンデンサまたはチップインダクタでもよい。これらの場合においても、ピーク５４の大きさの温度変化を小さくできる。
【0057】
弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数は一般的に負である。そこで、図３のように、キャパシタＣ１およびＣ２は、誘電体層３１ｂと誘電体層３１ｂを挟む一対の金属層３２ａおよび３２ｂ（電極）を有している。このとき、誘電体層３１ｂの誘電率の温度係数を負とする。並列共振回路のインダクタのインダクタンスをＬ、キャパシタのキャパシタンスをＣとすると、並列共振回路の共振周波数は１／√ＬＣである。よって、減衰極Ａ１の周波数の温度係数は正となる。これにより、ピーク５４の温度変化を小さくできる。
【0058】
減衰極Ａ１（すなわち共振回路２０の共振周波数）は通過帯域より高い。このとき、弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数の符号を共振回路２０の共振周波数の温度係数の符号と反対とする。これにより、減衰極Ａ１とＡ２の間のピーク５４の大きさの温度変化を小さくできる。
【0059】
共振回路２０は、インダクタＬ１に並列接続された２つのキャパシタＣ１およびＣ２を備えている。弾性波共振器Ｒ１の一端は２つのキャパシタＣ１およびＣ２の間のノードＮ３に接続される。これにより、通過帯域と阻止帯域との間の減衰量の変化を急峻にできる。
【0060】
図３のように、共振回路は、積層された複数の誘電体層３１ａから３１ｅと複数の誘電体層３１ａから３１ｅの少なくとも１つの誘電体層に設けられた金属層３２ａから３２ｄ（配線パターン）とを含む。金属層３２ａから３２ｄは、キャパシタＣ１およびＣ２の電極およびインダクタＬ１を含む。このように、積層部品の場合、誘電体層３１ａから３１ｅの組成を変えることで、誘電体層の誘電率の温度係数を任意に設定することができる。
【0061】
実施例１のフィルタを適用するマルチプレクサの例として３つのフィルタ４０、４２および４４を有するトリプレクサを例に説明したが、マルチプレクサは、ダイプレクサ、デュプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【0062】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0063】
２０ 共振回路
２２、４０、４２、４４ フィルタ
３０ 部品
３１ａ－３１ｅ 誘電体層
３２ａ－３２ｄ 金属層
２２、４０、４２、４４ フィルタ
３０ 部品
３１ａ－３１ｅ 誘電体層
３２ａ－３２ｄ 金属層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】