特許 7402627 基体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-13

(45)【発行日】2023-12-21

(54)【発明の名称】基体

(51)【国際特許分類】

   H01F 27/29 20060101AFI20231214BHJP

   H01F 17/04 20060101ALI20231214BHJP

【ＦＩ】

H01F27/29 123

H01F17/04 F

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2019132821

(22)【出願日】2019-07-18

(65)【公開番号】P2021019043

(43)【公開日】2021-02-15

【審査請求日】2021-03-16

【審判番号】

【審判請求日】2023-02-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100132252

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 環

(74)【代理人】

【識別番号】100132263

【弁理士】

【氏名又は名称】江間 晴彦

(72)【発明者】

【氏名】笹島 菜美子

(72)【発明者】

【氏名】今枝 大樹

(72)【発明者】

【氏名】大門 正美

(72)【発明者】

【氏名】大谷 慎士

(72)【発明者】

【氏名】須永 友博

(72)【発明者】

【氏名】吉岡 由雅

【合議体】

【審判長】瀧内 健夫

【審判官】松永 稔

【審判官】棚田 一也

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－７５４７８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H01F17/00-19/08, H01F27/29

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

本体部と、前記本体部上に配置された多層金属膜とを備え、
前記多層金属膜は、前記本体部上に配置される導電性を有する第１金属膜と、前記第１金属膜上および前記本体部の上方に配置され耐はんだ食われ性を有する第２金属膜と、前記第２金属膜上に配置されはんだ濡れ性を有する第３金属膜とを備え、
前記第３金属膜は、前記第２金属膜と前記本体部との間に入り込む入り込み部を有し、
前記入り込み部の一部が前記第１金属膜と接触している、基体。

【請求項2】

本体部と、前記本体部の主面上に配置された多層金属膜とを備え、
前記多層金属膜は、前記本体部上に配置される導電性を有する第１金属膜と、前記第１金属膜上および前記本体部の上方に配置され耐はんだ食われ性を有する第２金属膜と、前記第２金属膜上に配置されはんだ濡れ性を有する第３金属膜とを備え、
前記本体部および前記第２金属膜の間に非磁性体の絶縁膜をさらに備え、
前記第３金属膜は、前記第２金属膜と前記絶縁膜との間に入り込む入り込み部を有し、
前記本体部の前記主面に直交する方向から見たときに、前記第２金属膜および前記第３金属膜が前記絶縁膜に重なり、前記第１金属膜が前記絶縁膜に重ならない、基体。

【請求項3】

前記本体部は金属磁性粉を含み、
前記入り込み部の端縁は、前記第２金属膜の下方に位置する前記金属磁性粉上に位置する、請求項１または２に記載の基体。

【請求項4】

前記入り込み部の厚みは、前記第３金属膜における前記入り込み部以外の部分の厚み以下である、請求項１から３の何れか一つに記載の基体。

【請求項5】

前記第３金属膜は、前記第１金属膜および前記第２金属膜よりも貴な金属を含む、請求項１から４の何れか一つに記載の基体。

【請求項6】

前記第１金属膜は、Ｃｕを含む、請求項１から５の何れか一つに記載の基体。

【請求項7】

前記第２金属膜は、Ｎｉを含む、請求項１から６の何れか一つに記載の基体。

【請求項8】

前記第３金属膜は、Ａｕを含む、請求項１から７の何れか一つに記載の基体。

【請求項9】

前記本体部内に配置されたインダクタ配線をさらに備え、
前記本体部は、樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含み、
前記インダクタ配線が、前記多層金属膜に電気的に接続されることにより、前記多層金属膜は外部端子を構成する、請求項１から８の何れか一つに記載の基体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基体に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、インダクタ部品などの基体においては、電気素子を構成する内部電極や、電気素子の端子となる外部端子に、金属膜が積層された多層金属膜が用いられる。例えば、特開２０１４－１３８１５号公報（特許文献１）に記載されたインダクタ部品は、基板と、基板の両面に配置されたスパイラル配線と、スパイラル配線を覆う磁性層と、磁性層の表面に配置された外部端子と、スパイラル配線と外部端子を電気的に接続する引出配線とを備える。スパイラル配線は、基板上に無電解めっき工程で形成されたＣｕの下地層と、下地層上に２度の電解めっきで形成された２層のＣｕの電解めっき層からなる多層金属膜である。外部端子は、個片化前にスパッタリングまたはスクリーン印刷により形成され、個片化後にめっき処理された多層金属膜である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１４－１３８１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載のインダクタ部品では、本体部の一例である、基板や磁性層の上に多層金属膜が配置される。本体部は、例えばフェライトやアルミナなどの焼結体や、樹脂などで構成されており、本体部と多層金属膜とは異種材料の界面において化学的または物理的な結合力によって密着している。ここで、基体は、製造、実装、使用する際などに熱、電気、物理的な力が加えられるが、この力が本体部と多層金属膜との間で内部応力となって蓄積し、剥離が発生する場合がある。今後、より一層の電子部品の小型化を受け、本体部及び多層金属膜の微細化、薄膜化が進むと、従来は問題のなかった製造、実装、使用条件であっても、上記のような剥離が発生する可能性がある。
そこで、本開示の目的は、本体部と多層金属膜との密着性を向上できる基体を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

前記課題を解決するため、本開示の一態様である基体は、
本体部と、前記本体部上に配置された多層金属膜とを備え、
前記多層金属膜は、前記本体部上に配置され導電性を有する第１金属膜と、前記第１金属膜上および前記本体部の上方に配置され耐はんだ食われ性を有する第２金属膜と、第２金属膜上に配置されはんだ濡れ性を有する第３金属膜とを備え、
前記第３金属膜は、前記第２金属膜と前記本体部との間に入り込む入り込み部を有する。

【0006】

本明細書において、Ａ膜がＢ膜の上方に配置されるとは、Ａ膜がＢ膜上に配置、すなわちＡ膜がＢ膜に接触するようにして直接的に配置されること、およびＡ膜が他のＣ膜を介してＢ膜の上側に間接的に配置されることの両方の意味を含む。

【0007】

前記態様によれば、多層金属膜の第２金属膜と本体部との間に、第２金属膜よりも密着性の高い第３金属膜が配置されるため、本体部と多層金属膜との密着性が向上する。

【0008】

また、基体の一実施形態では、
前記本体部は金属磁性粉を含み、
前記入り込み部の端縁は、前記第２金属膜の下方に位置する前記金属磁性粉上に位置する。

【0009】

前記実施形態によれば、本体部は金属磁性粉を含むため、第１金属膜は本体部の金属磁性粉と金属結合による強固な接合を形成する。そして、入り込み部の端縁は、第２金属膜の下方に位置する金属磁性粉上に位置し、入り込み部が本体部と第１金属膜との間に入り込むことが抑制されている。これにより、本体部と多層金属膜との間の密着性の低下を抑制できる。

【0010】

また、基体の一実施形態では、
前記入り込み部の厚みは、前記第３金属膜における前記入り込み部以外の部分の厚み以下である。

【0011】

前記実施形態によれば、入り込み部の厚みが比較的薄いため、入り込み部自体による密着性の低下を抑制できる。

【0012】

また、基体の一実施形態では、
前記本体部と、前記第２金属膜との間に、非磁性体の絶縁膜をさらに備え、
前記入り込み部は、前記第２金属膜と前記絶縁膜との間に入り込む。

【0013】

前記実施形態によれば、非磁性体の絶縁膜は、金属磁性体（より具体的には、金属磁性粉等）を含まない。このため、第１主面と第２金属膜との間の密着性は、非磁性体の絶縁膜を備えない基体に比べ、低下する。このように、本体部と第２金属膜との間に多層金属膜との密着性が比較的低い絶縁膜を備えることで、入り込み部が第２金属膜と絶縁膜との間に入り込みやすくなる。

【0014】

また、基体の一実施形態では、
前記第３金属膜は、前記第１金属膜および前記第２金属膜よりも貴な金属を含む。

【0015】

前記実施形態によれば、第３金属膜は、第１金属膜および第２金属膜との置換反応により形成することができる。

【0016】

また、基体の一実施形態では、
前記第１金属膜は、Ｃｕを含む。

【0017】

前記実施形態によれば、多層金属膜の導電性を低コストで確保できる。また、第１金属膜の硬度を小さくできるので、多層金属膜の内部応力の蓄積を緩和できる。

【0018】

また、基体の一実施形態では、
前記第２金属膜は、Ｎｉを含む。

【0019】

前記実施形態によれば、多層金属膜の耐はんだ食われ性を容易に向上できる。

【0020】

また、基体の一実施形態では、
前記第３金属膜は、Ａｕを含む。

【0021】

前記実施形態によれば、多層金属膜のはんだ濡れ性に加えて化学的安定性を容易に向上できる。また、第３金属膜を置換反応により容易に形成することができる。

【0022】

また、基体の一実施形態では、
前記本体部内に配置されたインダクタ配線をさらに備え、
前記本体部は、樹脂と前記樹脂に含有された金属磁性粉とを含み、
前記インダクタ配線が、前記多層金属膜に電気的に接続されることにより、前記多層金属膜は外部端子を構成する。

【0023】

前記実施形態によれば、本体部と外部端子との密着性が向上したインダクタ部品としての基体を提供できる。

【発明の効果】

【0024】

本開示の一態様である基体によれば、本体部と多層金属膜との密着性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1A】インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。

【図1B】図１ＡのＡ－Ａ断面図である。

【図2】図１ＢのＣ部拡大図である。

【図3】図１ＡのＢ部拡大図である。

【図4A】インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。

【図4B】インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。

【図4C】インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。

【図4D】インダクタ部品の製造方法について説明する説明図である。

【図5】インダクタ部品の第２実施形態を示す拡大断面図である。

【図6】インダクタ部品の第３実施形態を示す拡大断面図である。

【図7】インダクタ部品の実施例の走査型電子顕微鏡の画像図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、本開示の一態様としてインダクタ部品である基体を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

【0027】

（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ－Ａ断面図である。図２は、図１Ｂの一部拡大図（Ｃ部の拡大図）である。図３は、図１Ａの一部拡大図（Ｂ部の拡大図）である。

【0028】

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載される回路基板に実装される表面実装型の電子部品である。ただし、インダクタ部品１は，表面実装型ではなく、基板内蔵型の電子部品であってもよい。また、インダクタ部品１は、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

【0029】

図１Ａと図１Ｂに示すように、インダクタ部品１は、絶縁性を有する本体部１０と、本体部１０内に配置された第１インダクタ素子２Ａおよび第２インダクタ素子２Ｂと、本体部１０の第１主面１０ａから端面が露出するように本体部１０に埋め込まれた第１柱状配線３１、第２柱状配線３２、第３柱状配線３３および第４柱状配線３４と、本体部１０の第１主面１０ａに配置された第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３および第４外部端子４４と、本体部１０の第１主面１０ａ上に配置された絶縁膜５０とを備える。図中、インダクタ部品１の厚みに平行な方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。Ｚ方向に直交する平面において、インダクタ部品１の長手側となる長さに平行な方向をＸ方向とし、インダクタ部品１の短手側となる幅に平行な方向をＹ方向とする。

【0030】

本体部１０は、絶縁層６１と、絶縁層６１の下面６１ａに配置された第１磁性層１１と、絶縁層６１の上面６１ｂに配置された第２磁性層１２とを有する。本体部１０の第１主面１０ａは、第２磁性層１２の上面に相当する。本体部１０は、絶縁層６１、第１磁性層１１および第２磁性層１２の３層構造であるが、磁性層のみの１層構造、磁性層と絶縁層のみの２層構造、複数の磁性層及び絶縁層からなる４層以上の構造のいずれであってもよい。

【0031】

絶縁層６１は、絶縁性を有し、主面が長方形の層状であり、絶縁層６１の厚みは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。絶縁層６１は、例えば、低背化の観点からガラスクロスなどの基材を含まないエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁樹脂層であることが好ましいが、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトのような磁性体や、アルミナ、ガラスのような非磁性体からなる焼結体層であってもよく、ガラスエポキシなどの基材を含む樹脂基板層であってもよい。なお、絶縁層６１が焼結体層である場合は、絶縁層６１の強度や平坦性を確保でき、絶縁層６１上の積層物の加工性が向上する。また、絶縁層６１が焼結体層である場合は、低背化の観点から研磨加工されていることが好ましく、特に積層物のない下側から研磨されていることが好ましい。

【0032】

第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、高い透磁率を有し、主面が長方形の層状であり、樹脂１３５と、樹脂１３５に含有された金属磁性粉１３６とを含む。樹脂１３５は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属磁性粉１３６は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金などの磁性を有する金属材料である。金属磁性粉１３６の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉１３６の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径（いわゆるＤ５０）として算出することができる。金属磁性粉１３６の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、２０Ｖｏｌ％以上７０Ｖｏｌ％以下である。金属磁性粉１３６の平均粒径が５μｍ以下である場合、直流重畳特性がより向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。なお、金属磁性粉でなく、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの磁性粉を用いてもよい。

【0033】

第１インダクタ素子２Ａ、第２インダクタ素子２Ｂは、本体部１０の第１主面１０ａと平行に配置された第１スパイラル配線２１、第２スパイラル配線２２を含む。これにより、第１インダクタ素子２Ａおよび第２インダクタ素子２Ｂを第１主面１０ａと平行な方向で構成でき、インダクタ部品１の低背化を実現できる。第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、本体部１０内の同一平面上に配置されている。具体的に述べると、第１スパイラル配線２１と第２スパイラル配線２２は、絶縁層６１の上方側、つまり、絶縁層６１の上面６１ｂにのみ形成され、第２磁性層１２に覆われている。

【0034】

第１、第２スパイラル配線２１，２２は、平面状に巻回されている。具体的に述べると、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、Ｚ方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、中間部分で直線部を含んでいる。なお、本願において、スパイラル配線の「スパイラル」とは、渦巻形状を含む平面状に巻回された曲線形状を意味し、第１スパイラル配線２１、第２スパイラル配線２２のような１ターン以下の曲線形状も含み、また当該曲線形状は、部分的な直線部を含んでいてもよい。

【0035】

第１、第２スパイラル配線２１，２２の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。第１、第２スパイラル配線２１，２２の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が４０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは、絶縁性の確保の観点から、３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。

【0036】

第１、第２スパイラル配線２１，２２は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、第１、第２スパイラル配線２１，２２を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。なお、第１、第２スパイラル配線２１，２２は多層金属膜であってもよく、例えば、無電解めっきにより形成されたＣｕやＴｉなどの下地層上に、ＣｕやＡｇなどの導電層が形成された構造であってもよい。

【0037】

第１スパイラル配線２１は、第１端、第２端がそれぞれ外側に位置する第１柱状配線３１、第２柱状配線３２に電気的に接続され、第１柱状配線３１および第２柱状配線３２からインダクタ部品１の中心側に向かって孤を描く曲線状である。また、第１スパイラル配線２１は、その両端にスパイラル形状部分よりも線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、第１、第２柱状配線３１，３２と直接接続されている。

【0038】

同様に、第２スパイラル配線２２は、第１端、第２端がそれぞれ外側に位置する第３柱状配線３３、第４柱状配線３４に電気的に接続され、第３柱状配線３３および第４柱状配線３４からインダクタ部品１の中心側に向かって孤を描く曲線状である。

【0039】

ここで、第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれにおいて、第１、第２スパイラル配線２１，２２が描く曲線と、第１、第２スパイラル配線２１，２２の両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Ｚ方向からみて、第１、第２スパイラル配線２１，２２について、その内径部分同士は重ならず、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、互いに離隔している。

【0040】

第１、第２スパイラル配線２１，２２の第１から第４柱状配線３１～３４との接続位置からＸ方向に平行な方向であってインダクタ部品１の外側に向かってさらに配線が伸びており、この配線はインダクタ部品１の外側に露出している。つまり、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、インダクタ部品１の積層方向に平行な側面（ＹＺ方向に平行な面）から外部に露出している露出部２００を有する。

【0041】

この配線は、インダクタ部品１の製造過程において、第１、第２スパイラル配線２１，２２の形状を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される配線である。この給電配線によりインダクタ部品１を個片化する前のインダクタ基板状態において、追加で電解めっきを容易に行うことができ、配線間距離を狭くすることができる。また、追加で電解めっきを行うことで、第１、第２スパイラル配線２１，２２の配線間距離を狭くすることにより、第１、第２スパイラル配線２１，２２の磁気結合を高めたり、第１、第２スパイラル配線２１，２２の配線幅を大きくして電気抵抗を低減したり、インダクタ部品１の外形を小さくすることができる。

【0042】

また、第１、第２スパイラル配線２１，２２は、露出部２００を有するので、インダクタ基板の加工時の静電気破壊耐性を確保できる。各スパイラル配線２１，２２において、露出部２００の露出面２００ａの厚み（Ｚ方向に沿った寸法）は、好ましくは、各スパイラル配線２１，２２の厚み（Ｚ方向に沿った方向）以下で、かつ、４５μｍ以上である。露出面２００ａの厚みがスパイラル配線２１，２２の厚み以下であることにより、磁性層１１，１２の割合を増やすことができ、インダクタンスを向上できる。また、露出面２００ａの厚みが４５μｍ以上であることにより、露出面２００ａ付近の断線の発生を低減できる。露出面２００ａは、好ましくは、酸化膜である。これによれば、インダクタ部品１とその隣接部品との間でショートを抑制できる。

【0043】

第１から第４柱状配線３１～３４は、各スパイラル配線２１，２２からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１柱状配線３１は、第１スパイラル配線２１の一端の上面から上側に延在し、第１柱状配線３１の端面が、本体部１０の第１主面１０ａから露出する。第２柱状配線３２は、第１スパイラル配線２１の他端の上面から上側に延在し、第２柱状配線３２の端面が、本体部１０の第１主面１０ａから露出する。第３柱状配線３３は、第２スパイラル配線２２の一端の上面から上側に延在し、第３柱状配線３３の端面が、本体部１０の第１主面１０ａから露出する。第４柱状配線３４は、第２スパイラル配線２２の他端の上面から上側に延在し、第４柱状配線３４の端面が、本体部１０の第１主面１０ａから露出する。

【0044】

したがって、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２、第３柱状配線３３、第４柱状配線３４は、第１インダクタ素子２Ａ、第２インダクタ素子２Ｂから上記第１主面１０ａから露出する端面まで、当該端面に直交する方向に直線状に伸びる。これにより、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３、第４外部端子４４と、第１インダクタ素子２Ａ、第２インダクタ素子２Ｂとをより短い距離で接続することができ、インダクタ部品１の低抵抗化や高インダクタンス化を実現できる。第１から第４柱状配線３１～３４は、導電性材料からなり、例えば、スパイラル配線２１，２２と同様の材料からなる。

【0045】

第１から第４外部端子４１～４４は、本体部１０の第１主面１０ａ（第２磁性層１２の上面）に配置された多層金属膜である。第１外部端子４１は、第１柱状配線３１の本体部１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１柱状配線３１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子４１は、第１スパイラル配線２１の一端に電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２柱状配線３２の本体部１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２柱状配線３２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子４２は、第１スパイラル配線２１の他端に電気的に接続される。

【0046】

同様に、第３外部端子４３は、第３柱状配線３３の端面に接触し、第３柱状配線３３と電気的に接続されて、第２スパイラル配線２２の一端に電気的に接続される。第４外部端子４４は、第４柱状配線３４の端面に接触し、第４柱状配線３４と電気的に接続されて、第２スパイラル配線２２の他端に電気的に接続される。

【0047】

インダクタ部品１では、第１主面１０ａは、長方形状の辺に相当する直線状に伸びる第１端縁１０１、第２端縁１０２を有する。第１端縁１０１、第２端縁１０２は、それぞれ本体部１０の第１側面１０ｂ、第２側面１０ｃに続く第１主面１０ａの端縁である。第１外部端子４１と第３外部端子４３は、本体部１０の第１側面１０ｂ側の第１端縁１０１に沿って配列され、第２外部端子４２と第４外部端子４４は、本体部１０の第２側面１０ｃ側の第２端縁１０２に沿って配列されている。なお、本体部１０の第１主面１０ａに直交する方向からみて、本体部１０の第１側面１０ｂ，第２側面１０ｃは、Ｙ方向に沿った面であり、第１端縁１０１、第２端縁１０２と一致する。第１外部端子４１と第３外部端子４３の配列方向は、第１外部端子４１の中心と第３外部端子４３の中心を結ぶ方向とし、第２外部端子４２と第４外部端子４４の配列方向は、第２外部端子４２の中心と第４外部端子４４の中心を結ぶ方向とする。

【0048】

絶縁膜５０は、本体部１０の第１主面１０ａにおける第１から第４外部端子４１～４４が配置されていない部分上に配置されている。ただし、絶縁膜５０は第１から第４外部端子４１～４４の端部が乗り上げることで、第１から第４外部端子４１～４４とＺ方向に重なっていてもよい。絶縁膜５０は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等の電気絶縁性が高い樹脂材料から構成される。これにより、第１から第４外部端子４１～４４の間の絶縁性を向上できる。また、絶縁膜５０が第１から第４外部端子４１～４４のパターン形成時のマスク代わりとなり、製造効率が向上する。また、絶縁膜５０は、樹脂１３５から金属磁性粉１３６が露出していた場合に、当該露出する金属磁性粉１３６を覆うことで、金属磁性粉１３６の外部への露出を防止することができる。なお、絶縁膜５０は、シリカや硫酸バリウムなどの絶縁材料からなるフィラーを含有してもよい。

【0049】

図２に示すように、多層金属膜である第１外部端子４１は、本体部１０（第２磁性層）に接触する第１金属膜４１１と、第１金属膜４１１に対して本体部１０と反対側から第１金属膜４１１を覆う第２金属膜４１２と、第２金属膜４１２上に配置された第３金属膜４１３とを有する。なお、第１外部端子４１は、触媒層をさらに有してもよい。触媒層は、例えば、第１金属膜４１１と第２金属膜４１２との間、および第２金属膜４１２と第３金属膜４１３との間に配置されてもよい。第２、第３、第４外部端子４２，４３，４４の構成は、第１外部端子４１の構成と同じであるため、以下、第１外部端子４１のみについて説明する。

【0050】

第１金属膜４１１は、導電性を有し、第１外部端子４１の電気抵抗を低減する役割を有する。第２金属膜４１２は、耐はんだ食われ性を有し、第１金属膜４１１を直接的または間接的に覆うことで第１外部端子４１の第１金属膜４１１の実装はんだによるはんだ食われを抑制できる。第３金属膜４１３は、はんだ濡れ性を有し、第１外部端子４１をはんだで濡らすことができる。第３金属膜４１３は、第２金属膜４１２と本体部１０との間に入り込む入り込み部４１４を有する。すなわち、入り込み部４１４は、第１外部端子４１の端部から第１外部端子４１の内部側に向かって回り込んでいる。

【0051】

一般的に、はんだ濡れ性を有する金属は、耐はんだ食われ性を有する金属に比べて、硬度が低く柔らかい。このため、はんだ濡れ性を有する金属は、耐はんだ食われ性を有する金属に比べ、第１主面１０ａの凹凸に沿って密着しやすくなる。よって、第３金属膜４１３と本体部１０との密着性は、第２金属膜４１２と本体部１０との密着性よりも高くなる。このため、はんだ濡れ性を有する第３金属膜４１３は、耐はんだ食われ性を有する第２金属膜４１２に比べて、第１主面１０ａとの密着性が高い。よって、上述した入り込み部４１４の構造では、多層金属膜の第２金属膜４１２と本体部１０との間には、第２金属膜４１２よりも第１主面１０ａとの密着性の高い第３金属膜４１３が配置されている。したがって、本実施形態では、本体部１０と多層金属膜（第１外部端子４１）との密着性が向上する。

【0052】

入り込み部４１４は、端縁４１５を有する。図２および図３に示すように、入り込み部４１４の端縁４１５は、第２金属膜４１２の下方に位置する金属磁性粉１３６上に位置することが好ましい。本体部１０は金属磁性粉１３６を含むため、第１金属膜４１１と本体部１０の金属磁性粉１３６との間には、金属結合による強固な接合が形成される。入り込み部４１４の端縁４１５は、第２金属膜４１２の下方に位置する金属磁性粉１３６上に位置し、入り込み部４１４が第１金属膜４１１と金属磁性粉１３６との接合部分に阻止されて、本体部１０と第１金属膜４１１との間に入り込むことが抑制されている。よって、入り込み部４１４の端縁が第２金属膜４１２の下方に位置する金属磁性粉１３６上に位置すると、本体部１０と第１金属膜４１１との間の密着性の低下を抑制する。なお、図３は、第１外部端子４１のうちの入り込み部４１４で切断した平面断面を示す。ただし、第１金属膜４１１を図示していない。

【0053】

入り込み部４１４の厚みは、第３金属膜４１３における入り込み部４１４以外の部分の厚み以下であることが好ましい。かかる場合、入り込み部４１４の厚みを第３金属膜４１３における入り込み部４１４以外の部分の厚み以下とすることで、入り込み部４１４の厚みを薄くできる。このように、入り込み部４１４の厚みが比較的薄いため、入り込み部４１４自体による密着性の低下を抑制できる。

【0054】

また、入り込み部４１４以外の第３金属膜４１３の厚みは、入り込み部４１４の厚みに対して１倍以上であることが好ましい。かかる場合、入り込み部４１４以外の第３金属膜４１３（第２金属膜４１２上に配置された第３金属膜４１３）の厚みが一定以上の厚みを有する。このため、第３金属膜４１３は、はんだ濡れ性を確保することができる。

【0055】

厚みの計測条件（以下の厚みの計測を含む）としては、計測対象（上記の場合は第１外部端子４１）の計測寸法（厚み）に垂直な面の中心で計測対象を切断した断面の走査透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像で観察して計測する。具体的に述べると、インダクタ部品１などの試料を加工して測定対象の多層金属膜の上記中心を通る断面（例えば、図１ＡにおいてＡ－Ａ断面線で形成される断面）を露出させ、ＳＥＭを用い、１万倍の倍率にて取得した当該断面の画像において当該断面の厚みを測定する。なお、入り込み部４１４の厚み及び入り込み部４１４以外の部分の厚みについては、それぞれの端部を除いた５か所の厚みを測定し、その平均値を算出すればよい。以下の厚みも同様に算出する。

【0056】

好ましくは、第１金属膜４１１は、Ｃｕを含む。これにより、多層金属膜の導電性を低コストで確保できる。また、第１金属膜４１１の硬度を小さくできるので、第１金属膜４１１を含む第１外部端子４１の内部応力を低減できる。なお、第１金属膜４１１の厚みは、第１外部端子４１の他の金属膜よりも厚いことが好ましく、この場合第１外部端子４１の導電性を向上しつつ、内部応力をより低減できる。なお、第１金属膜４１１は、Ｃｕに限られず、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｄのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。

【0057】

好ましくは、触媒層は、Ｐｄを含む。これにより、触媒層を第１金属膜４１１が含む金属より貴な金属で容易に構成でき、かつ第２金属膜４１２を無電解めっきで形成する際に、次亜リン酸などの還元剤の酸化を容易に促進でき、第２金属膜４１２の析出をより促進することができる。なお、触媒層は、Ｐｄに限られず、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。なお、触媒層が、第１金属膜４１１よりも貴な金属を含む場合、第１金属膜４１１との置換反応により触媒層を容易に形成することができる。

【0058】

好ましくは、第２金属膜４１２は、Ｎｉを含む。これにより、第２金属膜４１２の耐はんだ食われ性を容易に向上できる。また、これにより、第１金属膜４１１のマイグレーションを低減することもできる。なお、第２金属膜４１２は、Ｎｉに限られず、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。

【0059】

好ましくは、第３金属膜４１３は、Ａｕを含む。これにより、第３金属膜４１３のはんだ濡れ性に加えて化学的安定性を容易に向上できる。また、第３金属膜４１３を置換反応により容易に形成することができる。なお、第３金属膜４１３は、Ａｕに限られず、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｇのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。好ましくは、第３金属膜４１３は、第１金属膜４１１および第２金属膜４１２よりも貴な金属を含む。これにより、第３金属膜４１３は、第１金属膜４１１および第２金属膜４１２との置換反応により第３金属膜４１３を形成することができる。

【0060】

（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。

【0061】

図４Ａに示すように、複数のスパイラル配線２１，２２と複数の柱状配線３１～３４を本体部１０により覆った状態において、本体部１０の上面を研磨などによって研磨加工し、柱状配線３１～３４の端面を本体部１０の上面から露出させる。
その後、図４Ｂに示すように、本体部１０の上面全体に、スピンコートやスクリーン印刷などの塗布法、ドライレジスト貼付などの乾式法などにより、ハッチングにて示す絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０は、例えば感光性レジストである。その後、外部端子を形成する領域において、フォトリソグラフィやレーザ、ドリル、ブラストなどにより、絶縁膜５０を除去することにより、柱状配線３１～３４の端面および本体部１０（第２磁性層１２）の一部が露出する貫通孔５０ａを形成する。この際、図４Ｂに示すように、貫通孔５０ａからは柱状配線３１～３４の端面全体を露出させてもよいし、柱状配線３１～３４の端面の一部を露出させてもよい。また、１つの貫通孔５０ａから、複数の柱状配線３１～３４の端面を露出させてもよい。

【0062】

その後、図４Ｃに示すように、貫通孔５０ａ内に、ハッチングにて示す多層金属膜４１０を後述の方法により形成して、マザー基板１００を構成する。多層金属膜４１０は、切断前の外部端子４１～４４を構成する。その後、図４Ｄに示すように、マザー基板１００、すなわち封止された複数のスパイラル配線２１，２２を、ダイシングブレードなどを用いてカット線Ｄにて２つのスパイラル配線２１，２２ごとに個片化して、複数のインダクタ部品１を製造する。多層金属膜４１０は、カット線Ｄにて切断されて、外部端子４１～４４を形成する。なお、外部端子４１～４４の製造方法は上記のように多層金属膜４１０を切断する方法であってもよいし、あらかじめ貫通孔５０ａを外部端子４１～４４の形状となるように絶縁膜５０を除去した上で多層金属膜４１０を形成する方法であってもよい。

【0063】

金属膜４１０を形成する工程は、例えば、本体部１０上に第１金属膜４１１を形成して、第１金属膜４１１上および本体部１０上に第２金属膜４１２を形成する。さらに、第２金属膜４１２上に第３金属膜４１３を形成する。この工程は、第１金属膜４１１の形成後で第２金属膜４１２の形成前、および第２金属膜４１２の形成後で第３金属膜４１３の形成前に触媒層を形成する工程をさらに含んでもよい。

【0064】

第１金属膜４１１は、例えば、無電解めっきにより形成されるが、電解めっきにより形成されてもよい。第１金属膜４１１が無電解めっきにより形成される場合、本体部１０は金属磁性粉１３６を含むので、本体部１０の主面１０ａに露出している金属磁性粉１３６との置換反応により第１金属膜４１１の金属成分を析出させ、第１金属膜４１１を形成する。それによって、本体部１０と第１金属膜４１１との間の密着性を向上できる。

【0065】

第２金属膜４１２は、例えば、第１金属膜４１１上に形成された触媒層を使用した無電解めっきにより形成される。触媒層は、例えば、第１金属膜４１１との置換反応により形成される。

【0066】

第３金属膜４１３は、例えば、無電解めっきにより形成される。第３金属膜４１３は、例えば、第２金属膜４１２との置換反応により形成される。

【0067】

入り込み部４１４の形成について説明する。インダクタ部品１の製造方法において、第２金属膜４１２の形成後に第３金属膜４１３を形成する。入り込み部４１４は、毛細管現象により第２金属膜４１２と本体部１０との間に進入する。これにより、入り込み部４１４を第２金属膜４１２と本体部１０の主面１０ａとの間に形成する。そして、本体部１０は金属磁性粉１３６を含むため、第１金属膜４１１と本体部１０の金属磁性粉１３６との間には、金属結合による強固な接合が形成される。このため、入り込み部４１４は、第１金属膜４１１と金属磁性粉１３６との接合部分に阻止されるまで、本体部１０と第１金属膜４１１との間に進入することができる。その結果、入り込み部４１４の端縁は、第２金属膜４１２の下方に位置する金属磁性粉１３６上に位置する。このようにして入り込み部４１４は形成される。

【0068】

入り込み部４１４は、その厚みが第３金属膜４１３における入り込み部４１４以外の部分の厚み以下に形成されることが好ましい。このように入り込み部４１４の厚みを薄くすることにより、入り込み部４１４におけるはんだ濡れ性をより向上させることができる。なお入り込み部４１４の厚みは、第３金属膜の形成時間や条件によって調整できる。

【0069】

入り込み部４１４の形成は、例えば、以下の方法を用いて促進することができる。例えば、１）本体部１０の主面１０ａにおいて金属磁性粉１３６が露出している領域を減らす方法、２）第２金属膜４１２と本体部１０の主面１０ａとの間に膜（より具体的には、酸化膜等の密着性阻害層、絶縁膜５０）を形成する方法（第２実施形態参照）、３）２）の絶縁膜５０に緩やかな勾配を設ける方法（第３実施形態参照）、および４）凹凸を低減する方法である。

【0070】

１）の方法は、本体部１０の主面１０ａにおける金属磁性粉１３６の露出領域を低減させることで、本体部１０と第２金属膜４１２との間に金属結合による強固な接合を形成しにくくする。これにより、第２金属膜４１２と本体部１０との間の境界面に入り込み部を進入しやすくし、入り込み部４１４が形成されやすい領域を増加させることを狙っている。本体部１０を形成する塗布液における樹脂１３５に対する金属磁性粉１３６の含有量を低下させることで実現できる。

【0071】

４）の方法は、例えば、１）の方法において本体部１０の主面１０ａの凹凸を低減する方法、ならびに２）および３）の方法においてそれぞれ膜および絶縁膜５０の表面の凹凸を低減する方法である。前者は、主面１０ａを形成する研磨条件を調整することで実現できる。後者は、例えば、絶縁膜５０を形成する塗布液の粘度、乾燥条件を調整することにより実現できる。

【0072】

（第２実施形態）
図５は、インダクタ部品１Ａの第２実施形態を示す拡大断面図であり、図１Ｂの一部拡大図（Ｃ部の拡大図）の変形例である。第２実施形態は、本体部１０と、第２金属膜４１２Ａとの間に非磁性体の絶縁膜５０Ａをさらに備える点で第１実施形態と相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態を同じ構成であるため、その説明を省略する。

【0073】

（構成）
図５に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａは、本体部１０と、第２金属膜４１２Ａとの間に非磁性体の絶縁膜５０Ａを備える。絶縁膜５０Ａは、第１金属膜４１１Ａと同一平面上に配置され、第２金属膜４１２Ａに覆われている。第１金属膜４１１Ａと絶縁膜５０Ａとは、好ましくは同じ厚みを有し、それらの上面は同一平面上に存在する。絶縁膜５０Ａの断面形状は、矩形である。入り込み部４１４Ａは、第２金属膜４１２Ａと絶縁膜５０Ａとの間に入り込む。さらに、入り込み部４１４Ａは、第１金属膜４１１Ａと絶縁膜５０Ａとの間に入り込む。入り込み部４１４Ａの端縁４１５Ａは、本体部１０の主面１０ａにおける金属磁性粉１３６上に位置する。

【0074】

インダクタ部品１Ａが、本体部１０と第２金属膜４１２Ａとの間に絶縁膜５０Ａを有すると、入り込み部４１４Ａをより確実に形成して、本体部１０と第１外部端子４１Ａとの間の密着性の低下を抑制できる。絶縁膜５０Ａは、金属磁性粉１３６のような金属磁性体を含まない。このため、第１金属膜４１１Ａおよび第２金属膜４１２Ａと、絶縁膜５０Ａとの間に金属結合のような強固な接合が形成されない。よって、第１主面１０ａと第２金属膜４１２との間の密着性は、非磁性体の絶縁膜５０Ａを備えない基体に比べ、低下する。つまり、絶縁膜５０Ａは、金属磁性体を含まないため、第１主面１０ａとの密着性が低くなる。このように、本体部１０と第２金属膜４１２との間に多層金属膜との密着性が比較的低い絶縁膜５０Ａを備えることで、入り込み部４１４Ａが第２金属膜４１２と絶縁膜５０Ａとの間に入り込みやすくなる。よって、インダクタ部品１Ａの製造方法において第３金属膜４１３Ａを形成すると、入り込み部４１４Ａは、第２金属膜４１２Ａと絶縁膜５０Ａとの間に進入し、さらに第１金属膜４１１Ａと絶縁膜５０Ａとの間に進入する。そして、入り込み部４１４Ａは、第１金属膜４１１Ａと金属磁性粉１３６との接合部分に阻止される。入り込み部４１４Ａの端縁は、金属磁性粉１３６上に位置する。このように入り込み部４１４Ａが本体部１０と多層金属膜との間に入り込むことが抑制されている。これにより、本体部１０と多層金属膜との間の密着性の低下を抑制できる。

【0075】

（製造方法）
インダクタ部品１Ａの製造方法では、図４Ｃに示す金属膜４１０を形成する工程において、第１金属膜４１１Ａを形成する。このとき、第１金属膜４１１Ａは、絶縁膜５０Ａと同じ厚みとなるように形成する。その後、第１金属膜４１１Ａと絶縁膜５０Ａとの境界面を覆うように、第２金属膜４１２Ａを形成する。このようにして、絶縁膜５０Ａを本体部１０と第２金属膜４１２Ａとの間に配置する。その後、第２金属膜４１２Ａ上に第３金属膜４１３Ａを形成する。このとき、本体部１０と第２金属膜４１２Ａとの間に多層金属膜との密着性が比較的低い絶縁膜５０Ａが備えられている。このため、入り込み部４１４Ａが第２金属膜４１２と絶縁膜５０Ａとの間に入り込みやすくなる。さらに、絶縁膜５０Ａは第１金属膜４１１Ａと界面を形成し、この界面の密着性は比較的低い。このため、入り込み部４１４Ａは、第１金属膜４１１Ａと絶縁膜５０Ａとの間にも入り込みやすくなる。その結果、入り込み部４１４Ａは、第２金属膜４１２Ａと本体部１０との間、および第１金属膜４１１Ａと絶縁膜５０Ａとの間に入り込む。そして、端縁４１５Ａが第２金属膜４１２Ａの下方に位置する金属磁性粉１３６上に位置するように、入り込み部４１４Ａが形成される。

【0076】

（第３実施形態）
図６は、インダクタ部品の第３実施形態を示す拡大断面図である。第３実施形態は、絶縁膜５０Ｂの断面形状が緩やかな傾斜を有する点で、第２実施形態と相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態および第２実施形態と同一の符号は、第１実施形態および第２実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。

【0077】

図６に示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、絶縁膜５０Ｂが第１金属膜４１１Ｂに向かって緩やかな傾斜を有する。入り込み部４１４Ｂは、第２金属膜４１２Ｂと絶縁膜５０Ｂとの間に入り込み、入り込み部４１４Ｂの端縁４１５Ｂは、第１金属膜４１１Ｂおよび金属磁性粉１３６と接触する。
絶縁膜５０Ｂが第１金属膜４１１Ｂに向かって緩やかな傾斜を有すると、インダクタ部品１Ｂの製造方法において第３金属膜４１３Ｂを形成する場合、第２金属膜４１２Ｂの端部に第３金属膜４１３Ｂが一層入り込みやすくなる。よって、インダクタ部品１Ｂが絶縁膜５０Ｂを有すると、第３金属膜４１３Ｂを一層確実に形成して、本体部１０と第１外部端子４１Ｂとの間の密着性をより一層向上させることができる。

【0078】

（製造方法）
インダクタ部品１Ｂの製造方法において、絶縁膜５０Ｂに緩やかな傾斜を形成する方法としては、例えば、絶縁膜５０Ｂを形成する塗布液の粘度を調整することで実現することができる。塗布液の粘度は、例えば、塗布液における溶媒、樹脂の種類および含有量により調整することができる。

【0079】

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。また、第１～第３実施形態の特徴点を様々に組み合わせてもよい。

【0080】

前記実施形態では、本体部内には第１インダクタおよび第２インダクタの２つが配置されたが、３つ以上のインダクタが配置されてもよく、このとき、外部端子および柱状配線は、それぞれ、６つ以上となる。

【0081】

前記実施形態では、インダクタ部品が有するスパイラル配線のターン数は、１周未満であるが、スパイラル配線のターン数が、１周を超える曲線であってもよい。また、インダクタが有するスパイラル配線の総数は、１層に限られず、２層以上の多層構成であってもよい。また、第１インダクタの第１スパイラル配線と第２インダクタの第２スパイラル配線は第１主面と平行な同一平面に配置される構成に限られず、第１スパイラル配線と第２スパイラル配線が第１主面と直交する方向に配列された構成であってもよい。また、インダクタ部品の本体部内に配置されるのはスパイラル配線に限られず、公知の構造、形状であってもよく、例えばミアンダ形状やヘリカル形状であってもよい。

【0082】

前記実施形態では、多層金属膜は、インダクタ部品の外部端子として適用している。具体的には、インダクタ部品は、本体部１０内に配置されたインダクタ配線をさらに備え、本体部１０は、樹脂１３５と樹脂１３５に含有された金属磁性粉１３６とを含み、インダクタ配線が多層金属膜に電気的に接続することにより、多層金属膜は外部端子を構成する。これにより、インダクタ部品は、本体部１０と多層金属膜との密着性が向上する。なお、インダクタ配線とは、電流が流れた場合に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであり、前述のスパイラル配線を含む、公知の構造、形状の配線形状を含む。

【0083】

前記実施形態では、多層金属膜は、インダクタ部品の外部端子として適用しているが、これに限られず、例えば多層金属膜がインダクタ部品の内部電極であってもよい。また、例えば、基体はインダクタ部品の基体に限られず、コンデンサ部品や抵抗部品などの他の電子部品であってもよいし、これらの電子部品を搭載する回路基板であってもよい。すなわち、多層金属膜として、回路基板の配線パターンであってもよい。

【0084】

上記した製造条件は、あくまで一例であり、入り込み部が得られるのであれば製造条件に限定はない。また、上記した製造条件に限定されず、絶縁膜５０ｂの表面粗さ等を調整することで、上記入り込み部を形成することができる。

【0085】

（第１実施例）
図７は、第３実施形態に係るインダクタ部品１ｂの実施例のＳＥＭの断面画像図である。図７は、インダクタ部品１ｂを中央部分で切断した画像図である。この断面は、図１Ａに示すように、金属膜の中心を通る断面（Ａ－Ａ断面線で形成される断面）である。図７では、上方向がＺ方向となる。

【0086】

第１金属膜４１１ｂは、Ｃｕからなる。触媒層４１６は、Ｐｄからなり、第１金属膜４１１ｂ上に配置されている。第２金属膜４１２ｂはＮｉからなり、触媒層４１６上および本体部１０の上方に配置されている。第３金属膜４１３ｂはＡｕからなり、第２金属膜４１２ｂ上に配置されている。第３金属膜４１３ｂは、入り込み部４１４ｂを有する。入り込み部４１４ｂは、第１外部端子４１ｂの端部から第１外部端子４１ｂの内部側に向かって回り込み、第２金属膜４１２ｂと本体部１０との間に入り込んでいる。また、入り込み部４１４ｂの端縁４１５ｂは、第２金属膜４１２ｂの下方に位置する金属磁性粉１３６上に位置する。また、インダクタ部品１ｂは、本体部１０と、第２金属膜４１２ｂとの間に、絶縁膜５０ｂを備える。絶縁膜５０ｂは第１金属膜４１１ｂに向かって緩やかな傾斜を有する。入り込み部４１４ｂは、第２金属膜４１２ｂと絶縁膜５０ｂとの間に入り込んでいる。

【符号の説明】

【0087】

１，１Ａ，１Ｂ，１ｂ インダクタ部品（基体）
２Ａ 第１インダクタ素子
２Ｂ 第２インダクタ素子
１０ 本体部
２１ 第１スパイラル配線
２２ 第２スパイラル配線
４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１ｂ 第１外部端子（多層金属膜）
４１１，４１１Ａ，４１１Ｂ，４１１ｂ 第１金属膜
４１２，４１２Ａ，４１２Ｂ，４１２ｂ 第２金属膜
４１３，４１３Ａ，４１３Ｂ，４１３ｂ 第３金属膜
４１４，４１４Ａ，４１４Ｂ，４１４ｂ 入り込み部
４１５，４１５Ａ，４１５Ｂ，４１５ｂ 端縁
４２，４２Ａ，４２ｂ 第２外部端子（多層金属膜）
４３，４３Ａ，４３ｂ 第３外部端子（多層金属膜）
４４，４４Ａ，４４ｂ 第４外部端子（多層金属膜）
５０Ａ，５０Ｂ，５０ｂ 絶縁膜
１３６ 金属磁性粉

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5】

【図6】

【図7】