知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-13
(45)【発行日】2023-12-21
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1368 20060101AFI20231214BHJP
G02F 1/1343 20060101ALI20231214BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1368
G02F1/1343
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2022159430
(22)【出願日】2022-10-03
(62)【分割の表示】P 2020091232の分割
【原出願日】2014-07-15
(65)【公開番号】P2022183195
(43)【公開日】2022-12-08
【審査請求日】2022-11-02
(31)【優先権主張番号】P 2013154170
(32)【優先日】2013-07-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】深井 修次
(72)【発明者】
【氏名】初見 亮
(72)【発明者】
【氏名】久保田 大介
【審査官】横井 亜矢子
(56)【参考文献】
【文献】特開２００９－１０３７９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－０９０２９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－２２７４７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／０８４８４６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－１８０９２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０３２８９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２８８４９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－２５８９４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－０２２１８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０１１２９７９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ １／１３６－１／１３６８
Ｇ０２Ｆ １／１３４３－１／１３４５，１／１３５
Ｈ０１Ｌ ２１／３３６，２９／７８６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
トランジスタと、画素電極として機能する領域を有する第１の導電膜と、
コモン電極として機能する領域を有する第２の導電膜と、
配線として機能する領域を有する第３の導電膜と、
第１の絶縁層と、
第２の絶縁層と、
第３の絶縁層と、
第４の絶縁層と、
スペーサと、を有し、
前記トランジスタは、
ゲート電極として機能する領域を有する第４の導電膜と、
前記第４の導電膜上の、ゲート絶縁層として機能する領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ソース電極として機能する領域を有する第５の導電膜と、
前記酸化物半導体層上の、ドレイン電極として機能する領域を有する第６の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化珪素を有し、かつ前記第５の導電膜の上面に接する領域と、前記第６の導電膜の上面に接する領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第１の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、有機物を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第４の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域と、前記第３の絶縁層の上面に接する領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁層の側面に接する領域と、前記第２の絶縁層の側面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第４の導電膜と重なる領域と、前記第４の導電膜と重ならない領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層を挟んで前記第２の導電膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜に接する領域を有し、
前記第２の導電膜は、開口を有し、
前記第２の導電膜は、前記第５の導電膜又は前記第６の導電膜の少なくとも一方と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記開口を介して前記第５の導電膜の上面又は前記第６の導電膜の上面に接する領域を有し、
平面視において、前記第５の導電膜は、
前記第１の導電膜に沿うように配置され且つ第１の幅を有する第１の領域と、
前記第４の導電膜と交差する位置に配置され且つ前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する第２の領域と、を有し、
前記スペーサは、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記スペーサは、前記第５の導電膜と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項2】
トランジスタと、画素電極として機能する領域を有する第１の導電膜と、
コモン電極として機能する領域を有する第２の導電膜と、
配線として機能する領域を有する第３の導電膜と、
第１の絶縁層と、
第２の絶縁層と、
第３の絶縁層と、
第４の絶縁層と、
スペーサと、を有し、
前記トランジスタは、
ゲート電極として機能する領域を有する第４の導電膜と、
前記第４の導電膜上の、ゲート絶縁層として機能する領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ソース電極として機能する領域を有する第５の導電膜と、
前記酸化物半導体層上の、ドレイン電極として機能する領域を有する第６の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化珪素を有し、かつ前記第５の導電膜の上面に接する領域と、前記第６の導電膜の上面に接する領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第１の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、有機物を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第４の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域と、前記第３の絶縁層の上面に接する領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁層の側面に接する領域と、前記第２の絶縁層の側面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第４の導電膜と重なる領域と、前記第４の導電膜と重ならない領域と、を有し、
前記第５の導電膜は、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記第６の導電膜は、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層を挟んで前記第２の導電膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜に接する領域を有し、
前記第２の導電膜は、開口を有し、
前記第２の導電膜は、前記第５の導電膜又は前記第６の導電膜の少なくとも一方と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記開口を介して前記第５の導電膜の上面又は前記第６の導電膜の上面に接する領域を有し、
平面視において、前記第５の導電膜は、
前記第１の導電膜に沿うように配置され且つ第１の幅を有する第１の領域と、
前記第４の導電膜と重なり且つ前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する第２の領域と、を有し、
前記スペーサは、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記スペーサは、前記第５の導電膜と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項3】
トランジスタと、
画素電極として機能する領域を有する第１の導電膜と、
コモン電極として機能する領域を有する第２の導電膜と、
配線として機能する領域を有する第３の導電膜と、
第１の絶縁層と、
第２の絶縁層と、
第３の絶縁層と、
第４の絶縁層と、
スペーサと、を有し、
前記トランジスタは、
ゲート電極として機能する領域を有する第４の導電膜と、
前記第４の導電膜上の、ゲート絶縁層として機能する領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ソース電極として機能する領域を有する第５の導電膜と、
前記酸化物半導体層上の、ドレイン電極として機能する領域を有する第６の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化珪素を有し、かつ前記第５の導電膜の上面に接する領域と、前記第６の導電膜の上面に接する領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第１の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、有機物を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第４の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域と、前記第３の絶縁層の上面に接する領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁層の側面に接する領域と、前記第２の絶縁層の側面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第４の導電膜と重なる領域と、前記第４の導電膜と重ならない領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層を挟んで前記第２の導電膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜に接する領域を有し、
前記第２の導電膜は、開口を有し、
前記第２の導電膜は、前記第５の導電膜又は前記第６の導電膜の少なくとも一方と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記開口を介して前記第５の導電膜の上面又は前記第６の導電膜の上面に接する領域を有し、
平面視において、前記第５の導電膜は、
前記第１の導電膜に沿うように配置され且つ第１の幅を有する第１の領域と、
前記第４の導電膜と交差する位置に配置され且つ前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する第２の領域と、
前記第１の領域と前記第２の領域の間に配置され且つ前記第１の幅よりも大きい第３の幅を有する第３の領域と、を有し、
前記スペーサは、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記スペーサは、前記第５の導電膜と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項4】
トランジスタと、
画素電極として機能する領域を有する第１の導電膜と、
コモン電極として機能する領域を有する第２の導電膜と、
配線として機能する領域を有する第３の導電膜と、
第１の絶縁層と、
第２の絶縁層と、
第３の絶縁層と、
第４の絶縁層と、
スペーサと、を有し、
前記トランジスタは、
ゲート電極として機能する領域を有する第４の導電膜と、
前記第４の導電膜上の、ゲート絶縁層として機能する領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ソース電極として機能する領域を有する第５の導電膜と、
前記酸化物半導体層上の、ドレイン電極として機能する領域を有する第６の導電膜と、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化珪素を有し、かつ前記第５の導電膜の上面に接する領域と、前記第６の導電膜の上面に接する領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第１の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、有機物を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第４の絶縁層は、窒化珪素を有し、かつ前記第２の絶縁層の上面に接する領域と、前記第３の絶縁層の上面に接する領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層の上面に接する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁層の側面に接する領域と、前記第２の絶縁層の側面に接する領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第４の導電膜と重なる領域と、前記第４の導電膜と重ならない領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第４の絶縁層を挟んで前記第２の導電膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜に接する領域を有し、
前記第２の導電膜は、開口を有し、
前記第２の導電膜は、前記第５の導電膜又は前記第６の導電膜の少なくとも一方と重なる領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記開口を介して前記第５の導電膜の上面又は前記第６の導電膜の上面に接する領域を有し、
平面視において、前記第５の導電膜は、
前記第１の導電膜に沿うように配置され且つ第１の幅を有する第１の領域と、
前記第４の導電膜と重なり且つ前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する第２の領域と、
前記第１の領域と前記第２の領域の間に配置され且つ前記第１の幅よりも大きい第３の幅を有する第３の領域と、を有し、
前記スペーサは、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記スペーサは、前記第５の導電膜と重なる領域を有する、表示装置。
【請求項5】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置およびその駆動方法等に関する。また、液晶表示装置を表示部に
備えた電子機器に関する。
備えた電子機器に関する。
【0002】
なお、本明細書において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタ、ダイオード等）を
含む回路、および同回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能し
うる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップ、表示装置、発光装置
、照明装置および電子機器等は全て半導体装置である。
含む回路、および同回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能し
うる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップ、表示装置、発光装置
、照明装置および電子機器等は全て半導体装置である。
【背景技術】
【0003】
情報化社会の発展とともに、情報を得る手段は、紙媒体からよりも、スマートフォンやパ
ーソナルコンピュータ等の情報端末によることが多くなっている。そのため、近い距離で
長時間画面を見続けているため、日常的に目を酷使している。目の疲れの原因は複合的で
あるが、その１つとして画面のちらつきがある。
ーソナルコンピュータ等の情報端末によることが多くなっている。そのため、近い距離で
長時間画面を見続けているため、日常的に目を酷使している。目の疲れの原因は複合的で
あるが、その１つとして画面のちらつきがある。
【0004】
表示装置では、１秒間に数十回表示される画像が切り換っている。１秒間あたりの画像の
切り換え回数はリフレッシュレートと呼ばれている。また、リフレッシュレートを駆動周
波数と呼ぶこともある。このような人の目で知覚できないような高速の画面の切り換えが
、目の疲労の原因として考えられている。情報端末の表示手段としては、液晶表示装置（
ＬＣＤ）が代表的である。そこで、非特許文献１、２では、ＬＣＤのリフレッシュレート
を低下させて、画像の書き換え回数を減らすことが提案されている。
切り換え回数はリフレッシュレートと呼ばれている。また、リフレッシュレートを駆動周
波数と呼ぶこともある。このような人の目で知覚できないような高速の画面の切り換えが
、目の疲労の原因として考えられている。情報端末の表示手段としては、液晶表示装置（
ＬＣＤ）が代表的である。そこで、非特許文献１、２では、ＬＣＤのリフレッシュレート
を低下させて、画像の書き換え回数を減らすことが提案されている。
【0005】
アクティブマトリクス型のＬＣＤの駆動方式（モード）には、液晶分子の配向の制御によ
り区別される。例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（垂直配
向）モード、ＩＰＳ（面内スイッチング）モードや、ＦＦＳ（縞状電界スイッチング）モ
ードなどが知られている。駆動方式の違いにより、ＬＣＤの画素の構造が異なる。
り区別される。例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（垂直配
向）モード、ＩＰＳ（面内スイッチング）モードや、ＦＦＳ（縞状電界スイッチング）モ
ードなどが知られている。駆動方式の違いにより、ＬＣＤの画素の構造が異なる。
【0006】
ＴＮモード、ＶＡモードのＬＣＤの画素は、一対の基板の一方に画素電極が、他方にコモ
ン電極（対向電極とも呼ばれる）が形成されており、画素電極とコモン電極間に２つの基
板面に垂直な電界を形成して、液晶分子の配向を制御することで、画素の透過率を制御し
ている。
ン電極（対向電極とも呼ばれる）が形成されており、画素電極とコモン電極間に２つの基
板面に垂直な電界を形成して、液晶分子の配向を制御することで、画素の透過率を制御し
ている。
【0007】
他方、ＩＰＳモードやＦＦＳモードのＬＣＤでは、コモン電極が画素電極と同じ基板上に
形成される。ＩＰＳモードのＬＣＤでは、コモン電極と画素電極は櫛歯状とされ、同じ絶
縁膜上に形成される。ＦＦＳモードはＩＰＳモードを改良した表示方式であり、絶縁膜を
介して、画素電極とコモン電極が対向して形成されている。ＦＦＳモードのＬＣＤの画素
電極は、例えば、複数のスリットが形成された構造を有しており、画素電極のフリンジと
コモン電極間に形成される電界（フリンジ・フィールド）により、液晶分子の配向を制御
しているため、ＦＦＳモードのＬＣＤは、ＩＰＳモードのＬＣＤよりも広視野角で、高透
過率との特徴がある。
形成される。ＩＰＳモードのＬＣＤでは、コモン電極と画素電極は櫛歯状とされ、同じ絶
縁膜上に形成される。ＦＦＳモードはＩＰＳモードを改良した表示方式であり、絶縁膜を
介して、画素電極とコモン電極が対向して形成されている。ＦＦＳモードのＬＣＤの画素
電極は、例えば、複数のスリットが形成された構造を有しており、画素電極のフリンジと
コモン電極間に形成される電界（フリンジ・フィールド）により、液晶分子の配向を制御
しているため、ＦＦＳモードのＬＣＤは、ＩＰＳモードのＬＣＤよりも広視野角で、高透
過率との特徴がある。
【0008】
ＦＦＳモードのＬＣＤについて様々な改良が行われており、例えば、特許文献１には、画
素電極が形成されていない基板に第２のコモン電極を形成し、この第２のコモン電極に与
える電位により、ＬＣＤを高速応答で広視野角にすることが開示されている。
素電極が形成されていない基板に第２のコモン電極を形成し、この第２のコモン電極に与
える電位により、ＬＣＤを高速応答で広視野角にすることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【文献】国際公開第２００４／０１９１１７号
【非特許文献】
【0010】
【文献】Ｓ．Ａｍａｎｏ ｅｔ ａｌ．，”Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ ＬＣ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｕｓｉｎｇ Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏｘｉｄｅ ＴＦＴｓ Ｂａｓｅｄ Ｏｎ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｆｒａｍｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ”，ＳＩＤ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ，２０１０，ｐ．６２６－６２９
【文献】Ｒ．Ｈａｔｓｕｍｉ ｅｔ ａｌ．，”Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ＦＦＳ－Ｍｏｄｅ ＯＳ－ＬＣＤ ｆｏｒ Ｒｅｄｕｃｉｎｇ Ｅｙｅ Ｓｔｒａｉｎ”，ＳＩＤ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ，２０１３，ｐ．３３８－３４１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
このような背景技術を踏まえ、本発明の一形態の課題の１つは、新規なＦＦＳモードの液
晶表示装置、およびその駆動方法等を提供することである。
晶表示装置、およびその駆動方法等を提供することである。
【0012】
また、本発明の一形態の課題の１つは、目にやさしい表示が可能な液晶表示装置、および
その駆動方法等を提供することである。
その駆動方法等を提供することである。
【0013】
なお、複数の課題の記載は、互いの課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発
明の一形態の課題となり得る。
態様は、これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発
明の一形態の課題となり得る。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明の形態は、対向している第１および第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間の
液晶層と、第１の基板に形成された画素電極および第１のコモン電極と、第２の基板に形
成された第２のコモン電極と、を有し、絶縁層を挟んで、画素電極は第１のコモン電極と
対向し、液晶層を挟んで、第２のコモン電極は第１のコモン電極と対向し、画素電極には
、画像データに対応するデータ信号が供給され、第１および第２のコモン電極には、同じ
電位が印加されることを特徴とする液晶表示装置である。
液晶層と、第１の基板に形成された画素電極および第１のコモン電極と、第２の基板に形
成された第２のコモン電極と、を有し、絶縁層を挟んで、画素電極は第１のコモン電極と
対向し、液晶層を挟んで、第２のコモン電極は第１のコモン電極と対向し、画素電極には
、画像データに対応するデータ信号が供給され、第１および第２のコモン電極には、同じ
電位が印加されることを特徴とする液晶表示装置である。
【0015】
本発明の他の形態は、対向している第１および第２の基板と、第１の基板と第２の基板の
間の液晶層と、画素と、画素に接続されたゲート線およびソース線と、ゲート信号を生成
し、ゲート線に出力するゲートドライバと、データ信号を生成し、ソース線に出力するソ
ースドライバと、ゲートドライバおよびソースドライバを制御するコントローラと、を有
し、画素は、第１の基板に形成されたトランジスタ、画素電極および第１のコモン電極と
、第２の基板に形成された第２のコモン電極と、を有し、トランジスタは、ゲートにゲー
ト線が接続され、画素電極とソース線との接続を制御するスイッチとして機能し、画素電
極は、絶縁層を挟んで第１のコモン電極と対向し、第２のコモン電極は、液晶層を挟んで
第１のコモン電極と対向し、第１のコモン電極の電位と同じ電位が印加され、コントロー
ラは、ゲートドライバおよびソースドライバに対して、１フレーム期間よりも長い期間、
画素に入力されたデータ信号を保持させる制御機能を備えることを特徴とする液晶表示装
置である。
間の液晶層と、画素と、画素に接続されたゲート線およびソース線と、ゲート信号を生成
し、ゲート線に出力するゲートドライバと、データ信号を生成し、ソース線に出力するソ
ースドライバと、ゲートドライバおよびソースドライバを制御するコントローラと、を有
し、画素は、第１の基板に形成されたトランジスタ、画素電極および第１のコモン電極と
、第２の基板に形成された第２のコモン電極と、を有し、トランジスタは、ゲートにゲー
ト線が接続され、画素電極とソース線との接続を制御するスイッチとして機能し、画素電
極は、絶縁層を挟んで第１のコモン電極と対向し、第２のコモン電極は、液晶層を挟んで
第１のコモン電極と対向し、第１のコモン電極の電位と同じ電位が印加され、コントロー
ラは、ゲートドライバおよびソースドライバに対して、１フレーム期間よりも長い期間、
画素に入力されたデータ信号を保持させる制御機能を備えることを特徴とする液晶表示装
置である。
【0016】
上記の形態において、画素のトランジスタは、画素電極とソース線との接続を制御するス
イッチとして、チャネルが酸化物半導体層で形成されているトランジスタを用いることが
好ましい。
イッチとして、チャネルが酸化物半導体層で形成されているトランジスタを用いることが
好ましい。
【発明の効果】
【0017】
本発明の一形態により、データ書き換えに伴うちらつきを低減することができるので、目
にやさしい表示が可能な液晶表示装置、およびその駆動方法等を提供することが可能にな
る。
にやさしい表示が可能な液晶表示装置、およびその駆動方法等を提供することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】ＦＦＳモードのＬＣＤの画素の構成の一例を説明する図。Ａ：回路図。Ｂ：電極構造を示す模式的な断面図。Ｃ：同斜視図。
【図2】ＦＦＳモードのＬＣＤの構成の一例を説明する図。Ａ：ブロック図。Ｂ：液晶（ＬＣ）パネルの構成の一例を示す平面図。
【図3】ＬＣＤの駆動方法の一例を説明する模式図。Ａ：通常駆動。Ｂ：ＩＤＳ駆動。
【図4】ＬＣＤの駆動方法の一例を説明するタイミングチャート。Ａ：通常駆動。Ｂ：ＩＤＳ駆動。
【図5】Ａ，Ｂ：ＩＤＳ駆動の一例を説明する図。
【図6】ＦＦＳモードのＬＣパネルの構成の一例を示す断面図。
【図8】情報処理システムの構成の一例を示すブロック図。
【図9】Ａ－Ｆ：情報処理システムの具体例を示す外観図。
【図10】ＬＣＤの透過率の変動量の測定結果のグラフ。Ａ：実施例１。Ｂ：比較例１。
【図11】ＬＣＤの表示品位に関する主観評価結果のグラフ。Ａ：実施例１。Ｂ：比較例１。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下に、図面を用いて、本発明の実施の形態について詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態お
よび詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本
発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態お
よび詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本
発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0020】
また、発明の実施の形態の説明に用いられる図面において、同一部分または同様な機能を
有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0021】
【0022】
＜＜ＬＣＤの構成例＞＞
図２Ａは、ＬＣＤ１００の構成の一例を示すブロック図である。図２Ａに示すように、Ｌ
ＣＤ１００は、画素部１１１、ゲートドライバ１１２、ソースドライバ１１３およびコン
トローラ１８０を有する。また、ＬＣＤ１００では、図２Ａの一点鎖線で囲まれた回路ブ
ロックがモジュール化されて、液晶（ＬＣ）パネル１１０として構成されている。ＬＣパ
ネル１１０は、画素部１１１、ゲートドライバ１１２、およびソースドライバ１１３を有
する。
図２Ａは、ＬＣＤ１００の構成の一例を示すブロック図である。図２Ａに示すように、Ｌ
ＣＤ１００は、画素部１１１、ゲートドライバ１１２、ソースドライバ１１３およびコン
トローラ１８０を有する。また、ＬＣＤ１００では、図２Ａの一点鎖線で囲まれた回路ブ
ロックがモジュール化されて、液晶（ＬＣ）パネル１１０として構成されている。ＬＣパ
ネル１１０は、画素部１１１、ゲートドライバ１１２、およびソースドライバ１１３を有
する。
【0023】
ＬＣＤ１００には、画像信号（Ｖｉｄｅｏ）、およびＬＣパネル１１０のデータの書き換
えを制御するための同期信号（ＳＹＮＣ）および基準クロック信号（ＣＬＫ）等の制御信
号が入力される。同期信号としては、例えば水平同期信号、垂直同期信号等がある。また
、ＬＣＤ１００には、電源１９０から動作に必要な電圧が供給される。
えを制御するための同期信号（ＳＹＮＣ）および基準クロック信号（ＣＬＫ）等の制御信
号が入力される。同期信号としては、例えば水平同期信号、垂直同期信号等がある。また
、ＬＣＤ１００には、電源１９０から動作に必要な電圧が供給される。
【0024】
画素部１１１は、複数の画素１２１、複数のゲート線１２２および複数のソース線１２３
を有する。複数の画素１２１は、２次元のアレイ状に配置されており、画素１２１の配置
に対応して、ゲート線１２２およびソース線１２３が設けられている。同じ行の画素１２
１は、共通のゲート線１２２によりゲートドライバ１１２に接続され、同じ列の画素１２
１は共通のソース線１２３によりソースドライバ１１３に接続されている。
を有する。複数の画素１２１は、２次元のアレイ状に配置されており、画素１２１の配置
に対応して、ゲート線１２２およびソース線１２３が設けられている。同じ行の画素１２
１は、共通のゲート線１２２によりゲートドライバ１１２に接続され、同じ列の画素１２
１は共通のソース線１２３によりソースドライバ１１３に接続されている。
【0025】
コントローラ１８０はＬＣパネル１１０全体を制御する回路であり、ＬＣＤ１００を構成
する回路の制御信号を生成する。コントローラ１８０は、同期信号（ＳＹＮＣ）から、ド
ライバ（１１２、１１３）の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。同期信号（
ＳＹＮＣ）とは、垂直同期信号、水平同期信号、基準クロック信号等である。
する回路の制御信号を生成する。コントローラ１８０は、同期信号（ＳＹＮＣ）から、ド
ライバ（１１２、１１３）の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。同期信号（
ＳＹＮＣ）とは、垂直同期信号、水平同期信号、基準クロック信号等である。
【0026】
コントローラ１８０は、ゲートドライバ１１２の制御信号として、スタートパルス信号（
ＧＳＰ）、クロック信号（ＧＣＬＫ）等を生成し、ソースドライバ１１３の制御信号とし
て、スタートパルス信号（ＳＳＰ）、クロック信号（ＳＣＬＫ）等を生成する。なお、こ
れら制御信号は、１つの信号でなく、信号群である場合がある。
ＧＳＰ）、クロック信号（ＧＣＬＫ）等を生成し、ソースドライバ１１３の制御信号とし
て、スタートパルス信号（ＳＳＰ）、クロック信号（ＳＣＬＫ）等を生成する。なお、こ
れら制御信号は、１つの信号でなく、信号群である場合がある。
【0027】
以下の説明において、スタートパルス信号（ＧＳＰ）を単にＧＳＰや、信号ＧＳＰと呼ぶ
ことがある。これは、他の信号、電圧、電位、回路、および配線等についても同様である
。
ことがある。これは、他の信号、電圧、電位、回路、および配線等についても同様である
。
【0028】
また、コントローラ１８０は、電源管理ユニットを備えており、ドライバ（１１２、１１
３）への電源供給およびその停止を制御する機能を備える。
３）への電源供給およびその停止を制御する機能を備える。
【0029】
ゲートドライバ１１２では、ＧＳＰが入力されるとＧＣＬＫに従ってゲート信号を生成し
、ゲート線１２２に順次出力する。ゲート信号は、データ信号が書き込まれる画素１２１
を選択するための信号である。
、ゲート線１２２に順次出力する。ゲート信号は、データ信号が書き込まれる画素１２１
を選択するための信号である。
【0030】
ソースドライバ１１３は、画像信号（Ｖｉｄｅｏ）を処理して、データ信号を生成し、ソ
ース線１２３に出力する機能を有する。ソースドライバ１１３は、ＳＳＰが入力されると
、ＳＣＬＫに従ってデータ信号を生成し、それをソース線１２３に順次出力する。
ース線１２３に出力する機能を有する。ソースドライバ１１３は、ＳＳＰが入力されると
、ＳＣＬＫに従ってデータ信号を生成し、それをソース線１２３に順次出力する。
【0031】
画素１２１は、ゲート信号によりオン、オフが制御されるスイッチング素子を有する。ス
イッチング素子がオンになると、ソースドライバ１１３から画素１２１にデータ信号が書
き込まれる。スイッチング素子がオフ状態になると、画素１２１は、書き込まれたデータ
信号を保持するデータ保持状態となる。
イッチング素子がオンになると、ソースドライバ１１３から画素１２１にデータ信号が書
き込まれる。スイッチング素子がオフ状態になると、画素１２１は、書き込まれたデータ
信号を保持するデータ保持状態となる。
【0032】
＜＜ＬＣパネルの構成例＞＞
ＬＣパネル１１０は、対向して設けられた基板２１および基板２２を有する。基板２１、
基板２２は、隙間を有するように、封止部材２３により固定されている。基板２１と基板
２２の間には、液晶層２０が存在する（図１Ｂ参照）。
ＬＣパネル１１０は、対向して設けられた基板２１および基板２２を有する。基板２１、
基板２２は、隙間を有するように、封止部材２３により固定されている。基板２１と基板
２２の間には、液晶層２０が存在する（図１Ｂ参照）。
【0033】
基板２１は、ＬＣパネル１１０のバックプレーンの支持基板であり、基板２１上には、回
路（１１１―１１３）および端子部２４が形成されている。回路（１１１―１１３）が形
成されている基板２１は、素子基板、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板等と呼ばれる。
路（１１１―１１３）および端子部２４が形成されている。回路（１１１―１１３）が形
成されている基板２１は、素子基板、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板等と呼ばれる。
【0034】
なお、図２Ｂには、ゲートドライバ１１２を２つの回路（ゲートドライバ１１２ａ、１１
２ｂ）に分け、画素部１１１の両側に配置している構成例を示す。もちろん、ゲートドラ
イバ１１２を１つの回路で構成し、画素部１１１の片側に配置することも可能である。
２ｂ）に分け、画素部１１１の両側に配置している構成例を示す。もちろん、ゲートドラ
イバ１１２を１つの回路で構成し、画素部１１１の片側に配置することも可能である。
【0035】
端子部２４には、複数の端子が形成されている。基板２１に形成された電極および配線、
並び基板２２に形成された電極および配線が、引き回し配線等により端子部２４の端子に
接続される。異方性導電膜等の導電性部材により、端子部２４には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉ
ｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）２５が接続されている。ＦＰＣ２５を介して
、基板２１上の回路（１１１―１１３）に電圧および信号が入力される。
並び基板２２に形成された電極および配線が、引き回し配線等により端子部２４の端子に
接続される。異方性導電膜等の導電性部材により、端子部２４には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉ
ｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）２５が接続されている。ＦＰＣ２５を介して
、基板２１上の回路（１１１―１１３）に電圧および信号が入力される。
【0036】
なお、基板２１に、コントローラ１８０を含むＩＣチップを実装してもよい。また、ドラ
イバ（１１２、１１３）の一部、またはすべてをＩＣチップにして、基板２１に実装して
もよい。実装方法としては、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法、ＣＯＦ（Ｃｈｉ
ｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）法、ワイヤボンディング法、およびＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍ
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法等がある。
イバ（１１２、１１３）の一部、またはすべてをＩＣチップにして、基板２１に実装して
もよい。実装方法としては、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法、ＣＯＦ（Ｃｈｉ
ｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）法、ワイヤボンディング法、およびＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍ
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法等がある。
【0037】
また、以下で説明する通り、基板２１には、液晶分子を駆動するための画素電極およびコ
モン電極が形成される。基板２２は、対向基板あるいはカラーフィルタ基板等と呼ばれる
部品の支持基板であり、基板２２にもコモン電極が設けられる。
モン電極が形成される。基板２２は、対向基板あるいはカラーフィルタ基板等と呼ばれる
部品の支持基板であり、基板２２にもコモン電極が設けられる。
【0038】
＜＜画素の構成例＞＞
図１Ａは、画素１２１の回路構成の一例を示す回路図である。また、図１Ｂ、図１Ｃは、
画素１２１の電極構造を説明するための模式図であり、図１Ｂは、画素１２１の要部の断
面図であり、図１Ｃは、同斜視図である。
図１Ａは、画素１２１の回路構成の一例を示す回路図である。また、図１Ｂ、図１Ｃは、
画素１２１の電極構造を説明するための模式図であり、図１Ｂは、画素１２１の要部の断
面図であり、図１Ｃは、同斜視図である。
【0039】
【0040】
トランジスタ１３０は、そのゲートはゲート線１２２に接続されており、液晶素子１３１
とソース線１２３との接続を制御するスイッチング素子である。ゲートドライバ１１２か
ら出力されるゲート信号により、トランジスタ１３０のオン、オフが制御される。
とソース線１２３との接続を制御するスイッチング素子である。ゲートドライバ１１２か
ら出力されるゲート信号により、トランジスタ１３０のオン、オフが制御される。
【0041】
液晶素子１３１は、２つの電極（３０、３１）と、液晶層２０を有する（図１Ｂ）。ここ
では、液晶素子１３１の２つの電極のうち、トランジスタ１３０を介してソース線１２３
に接続されている電極（３０）を”画素電極”と呼び、他方の電極（３１）を”コモン電
極”と呼ぶことにする。コモン電極３１には、コモン電圧ＶＣＯＭが印加される。
では、液晶素子１３１の２つの電極のうち、トランジスタ１３０を介してソース線１２３
に接続されている電極（３０）を”画素電極”と呼び、他方の電極（３１）を”コモン電
極”と呼ぶことにする。コモン電極３１には、コモン電圧ＶＣＯＭが印加される。
【0042】
容量素子１３２は、液晶素子１３１と並列に接続されており、液晶素子１３１の補助容量
として機能する。容量素子１３２は、絶縁層４０を誘電体に、画素電極３０およびコモン
電極３１を一対の電極（端子）とするＭＩＭ構造の容量素子である（図１Ｂ）。
として機能する。容量素子１３２は、絶縁層４０を誘電体に、画素電極３０およびコモン
電極３１を一対の電極（端子）とするＭＩＭ構造の容量素子である（図１Ｂ）。
【0043】
【0044】
図１Ｃに示すように、画素電極３０は、画素１２１ごとに電気的に分離して設けられる。
他方、画素部１１１の全ての画素１２１に同じ電圧（ＶＣＯＭ）を供給するため、コモン
電極３１は画素部１１１において１つの電極として設けられる。なお、実際のコモン電極
３１には、画素電極３０をトランジスタ１３０に接続するための開口が設けられている。
他方、画素部１１１の全ての画素１２１に同じ電圧（ＶＣＯＭ）を供給するため、コモン
電極３１は画素部１１１において１つの電極として設けられる。なお、実際のコモン電極
３１には、画素電極３０をトランジスタ１３０に接続するための開口が設けられている。
【0045】
図１Ｃの例では、画素電極３０の平面形状を、複数の帯状の開口を有する四角としている
が、もちろんこのような形状に限定されるものではない。画素電極３０は、画素電極３０
とコモン電極３１に電圧を印加することでフリンジ・フィールドが形成されるような形状
であればよい。画素電極３０は、例えば、複数の帯状構造物が規則的に配列している部分
と、それらを接続する接続部を有する構造とすることができる。
が、もちろんこのような形状に限定されるものではない。画素電極３０は、画素電極３０
とコモン電極３１に電圧を印加することでフリンジ・フィールドが形成されるような形状
であればよい。画素電極３０は、例えば、複数の帯状構造物が規則的に配列している部分
と、それらを接続する接続部を有する構造とすることができる。
【0046】
液晶層２０を挟んで、基板２２上には、コモン電極３１に対向してコモン電極３２が設け
られている。コモン電極３２も、コモン電極３１と同様に、全ての画素１２１に対して、
１つの電極（１つの導電膜）として設けられている。また、表示を行う際に、コモン電極
３２はコモン電極３１と同じ電位とされ、コモン電圧ＶＣＯＭが印加される。
られている。コモン電極３２も、コモン電極３１と同様に、全ての画素１２１に対して、
１つの電極（１つの導電膜）として設けられている。また、表示を行う際に、コモン電極
３２はコモン電極３１と同じ電位とされ、コモン電圧ＶＣＯＭが印加される。
【0047】
コモン電極３１とコモン電極３２を同じ電位にするには、ＬＣパネル１１０内でコモン電
極３１とコモン電極３２を接続し、共通の引き回し配線により端子部２４の同じ端子に接
続し、この端子にＶＣＯＭを印加するようにしてもよい。あるいは、コモン電極３１とコ
モン電極３２を別々の引き回し配線で異なる端子に接続して、それぞれの端子にＶＣＯＭ
を印加するようにしてもよい。
極３１とコモン電極３２を接続し、共通の引き回し配線により端子部２４の同じ端子に接
続し、この端子にＶＣＯＭを印加するようにしてもよい。あるいは、コモン電極３１とコ
モン電極３２を別々の引き回し配線で異なる端子に接続して、それぞれの端子にＶＣＯＭ
を印加するようにしてもよい。
【0048】
ＬＣパネル１１０へのＶＣＯＭ供給は、電源１９０でＶＣＯＭを生成し、ＬＣパネル１１
０に供給することで行うことができる。ＶＣＯＭを０Ｖ（接地電位）にする場合は、コモ
ン電極３１とコモン電極３２を、接地電位（ＧＮＤ）用の端子に接続すればよく、この場
合は、電源１９０からの電源電圧の供給は不要になる。
０に供給することで行うことができる。ＶＣＯＭを０Ｖ（接地電位）にする場合は、コモ
ン電極３１とコモン電極３２を、接地電位（ＧＮＤ）用の端子に接続すればよく、この場
合は、電源１９０からの電源電圧の供給は不要になる。
【0049】
＜＜ＬＣＤの画像表示方法＞＞
画像表示時に、対向する２つの基板にそれぞれ形成されたコモン電極を同じ電位とするこ
とで、画像の書き換え時におけるちらつきを低減したＦＦＳモードのＬＣＤを提供するこ
とが可能になる。
画像表示時に、対向する２つの基板にそれぞれ形成されたコモン電極を同じ電位とするこ
とで、画像の書き換え時におけるちらつきを低減したＦＦＳモードのＬＣＤを提供するこ
とが可能になる。
【0050】
ＬＣＤでは、データを書き換えるごとに、画素に書き込む信号（データ信号）の極性を反
転する反転駆動により画像を表示する。また、液晶材料の性質上、データ信号の極性によ
り、画素の電圧－透過率（Ｖ－Ｔ）特性が異なる。そのため、データ信号の極性反転に伴
う画素の透過率の変動が、ＬＣＤによる目の疲れの原因となると考えられている。
転する反転駆動により画像を表示する。また、液晶材料の性質上、データ信号の極性によ
り、画素の電圧－透過率（Ｖ－Ｔ）特性が異なる。そのため、データ信号の極性反転に伴
う画素の透過率の変動が、ＬＣＤによる目の疲れの原因となると考えられている。
【0051】
そこで、本実施の形態では、データの書き換え回数（データの極性反転の回数）を減らす
ことで、使用者の目の負担を軽減する。そのため、ＬＣＤ１００は、少なくとも２つの駆
動方法（表示モード）を有する。１つは、一般的な動画を表示するための駆動方法であり
、１フレーム毎にデータを書き換える駆動方法である。これを”通常駆動”と呼ぶ。もう
１つは、データの書き込み処理を実行した後、データの書き換えを停止する駆動方法であ
る。これを”アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動”と呼ぶ。ＩＤＳ駆動とは、通常駆
動よりも低い頻度でデータを書き換える駆動方法である。
ことで、使用者の目の負担を軽減する。そのため、ＬＣＤ１００は、少なくとも２つの駆
動方法（表示モード）を有する。１つは、一般的な動画を表示するための駆動方法であり
、１フレーム毎にデータを書き換える駆動方法である。これを”通常駆動”と呼ぶ。もう
１つは、データの書き込み処理を実行した後、データの書き換えを停止する駆動方法であ
る。これを”アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動”と呼ぶ。ＩＤＳ駆動とは、通常駆
動よりも低い頻度でデータを書き換える駆動方法である。
【0052】
また、通常駆動、ＩＤＳ駆動により、ＬＣＤ１００が画像を表示しているモードを、それ
ぞれ、”通常モード（状態）”、”ＩＤＳモード（状態）”と呼ぶ。
ぞれ、”通常モード（状態）”、”ＩＤＳモード（状態）”と呼ぶ。
【0053】
動画の表示は、通常駆動により行われる。静止画の表示は、通常駆動またはＩＤＳ駆動に
より行われる。表示モードを決定する信号が、ＬＣＤ１００のコントローラ１８０に入力
されると、コントローラ１８０では、その表示モードで表示が行われるように、ドライバ
（１１２、１１３）を制御する。
より行われる。表示モードを決定する信号が、ＬＣＤ１００のコントローラ１８０に入力
されると、コントローラ１８０では、その表示モードで表示が行われるように、ドライバ
（１１２、１１３）を制御する。
【0054】
静止画は１フレームごとの画像データに変化がないため、静止画を表示する場合は１フレ
ームごとにデータの書き換えを行う必要がない。そこで、静止画を表示する際は、ＬＣＤ
１００をＩＤＳモードで動作させることで、画面のちらつきを低減すると共に、消費電力
を削減することができる。以下、図３および図４を用いて、通常駆動およびＩＤＳ駆動を
説明する。
ームごとにデータの書き換えを行う必要がない。そこで、静止画を表示する際は、ＬＣＤ
１００をＩＤＳモードで動作させることで、画面のちらつきを低減すると共に、消費電力
を削減することができる。以下、図３および図４を用いて、通常駆動およびＩＤＳ駆動を
説明する。
【0055】
図３Ａは、通常駆動による静止画の表示方法を説明する図であり、図３Ｂは、ＩＤＳ駆動
による静止画の表示方法を説明する図である。また、図４Ａは通常駆動、図４ＢはＩＤＳ
駆動の一例を示すタイミングチャートである。図４において、Ｖｉｄｅｏは、ＬＣパネル
１１０へ入力される画像信号であり、ＧＶＤＤは、ゲートドライバ１１２の高電源電圧で
あり、ＶＤａｔａは、ソースドライバ１１３からソース線１２３に出力されるデータ信号
である。
による静止画の表示方法を説明する図である。また、図４Ａは通常駆動、図４ＢはＩＤＳ
駆動の一例を示すタイミングチャートである。図４において、Ｖｉｄｅｏは、ＬＣパネル
１１０へ入力される画像信号であり、ＧＶＤＤは、ゲートドライバ１１２の高電源電圧で
あり、ＶＤａｔａは、ソースドライバ１１３からソース線１２３に出力されるデータ信号
である。
【0056】
＜通常駆動＞
通常駆動では、１フレーム期間（Ｔｐｄ）ごとに反転駆動を行って画素のデータを周期的
に書き換える駆動方法である。ＧＳＰの入力をトリガーにして、ゲートドライバ１１２は
、ＧＣＬＫに従いゲート信号を生成し、ゲート線１２２に出力する。ソースドライバ１１
３では、ＳＳＰが入力されると、ＳＣＬＫに従いＶＤａｔａを生成し、ソース線１２３に
出力する。
通常駆動では、１フレーム期間（Ｔｐｄ）ごとに反転駆動を行って画素のデータを周期的
に書き換える駆動方法である。ＧＳＰの入力をトリガーにして、ゲートドライバ１１２は
、ＧＣＬＫに従いゲート信号を生成し、ゲート線１２２に出力する。ソースドライバ１１
３では、ＳＳＰが入力されると、ＳＣＬＫに従いＶＤａｔａを生成し、ソース線１２３に
出力する。
【0057】
【0058】
ここでは、ＶＤａｔａの極性はＶＣＯＭを基準に決定される。ＶＤａｔａの電圧がＶＣＯ
Ｍより高い場合は正の極性であり、低い場合は負の極性である。
Ｍより高い場合は正の極性であり、低い場合は負の極性である。
【0059】
＜ＩＤＳ駆動＞
ＩＤＳ駆動では、通常駆動よりも低いリフレッシュレートでデータが周期的に書き換えら
れる。そのため、データ保持期間は、１フレーム期間よりも長くなる。図３Ｂには、１０
フレームごとに画像を書き換える例を示している。これにより、ＩＤＳ駆動のリフレッシ
ュレートは、通常駆動の１／１０になる。例えば、通常駆動のリフレッシュレートが６０
Ｈｚであれば、図３ＢのＩＤＳ駆動のリフレッシュレートは、６Ｈｚである。
ＩＤＳ駆動では、通常駆動よりも低いリフレッシュレートでデータが周期的に書き換えら
れる。そのため、データ保持期間は、１フレーム期間よりも長くなる。図３Ｂには、１０
フレームごとに画像を書き換える例を示している。これにより、ＩＤＳ駆動のリフレッシ
ュレートは、通常駆動の１／１０になる。例えば、通常駆動のリフレッシュレートが６０
Ｈｚであれば、図３ＢのＩＤＳ駆動のリフレッシュレートは、６Ｈｚである。
【0060】
【0061】
まず、通常駆動と同じリフレッシュレート（間隔Ｔｐｄ）で、データの書き換えが１回ま
たは複数回実行され、画素１２１にデータが書き込まれる。データ書き込みの後、ゲート
ドライバ１１２でのゲート信号の生成を停止して、データの書き換えを停止する。これに
より、全ての画素１２１は、トランジスタ１３０がオフ状態となり、データ保持状態とな
る。
たは複数回実行され、画素１２１にデータが書き込まれる。データ書き込みの後、ゲート
ドライバ１１２でのゲート信号の生成を停止して、データの書き換えを停止する。これに
より、全ての画素１２１は、トランジスタ１３０がオフ状態となり、データ保持状態とな
る。
【0062】
データの書き換え回数は１回でもよいし、複数回でもよい。ＩＤＳ駆動でも、通常駆動と
同じリフレッシュレートで、データを書き換えればよい。データ書き換え回数は、通常、
ＩＤＳ駆動のリフレッシュレート等を考慮して設定すればよい。図３Ｂおよび図４Ｂはデ
ータ書き換え回数が３回の例である。
同じリフレッシュレートで、データを書き換えればよい。データ書き換え回数は、通常、
ＩＤＳ駆動のリフレッシュレート等を考慮して設定すればよい。図３Ｂおよび図４Ｂはデ
ータ書き換え回数が３回の例である。
【0063】
また、最後に画素１２１に書き込むＶＤａｔａの極性が、直前のＩＤＳモードのデータ保
持期間で、画素１２１が保持していたＶＤａｔａの極性とは逆の極性なるように、データ
書き換え回数を調節する。これにより、ＩＤＳ駆動による液晶素子１３１の劣化を抑制す
ることができる。例えば、データ書き換え回数を奇数回とする場合、１回目の書き換えで
は、直前のＩＤＳモードのデータ保持期間で画素１２１が保持していたＶＤａｔａの極性
とは逆の極性のＶｄａｔａを画素１２１に書き込めばよい。
持期間で、画素１２１が保持していたＶＤａｔａの極性とは逆の極性なるように、データ
書き換え回数を調節する。これにより、ＩＤＳ駆動による液晶素子１３１の劣化を抑制す
ることができる。例えば、データ書き換え回数を奇数回とする場合、１回目の書き換えで
は、直前のＩＤＳモードのデータ保持期間で画素１２１が保持していたＶＤａｔａの極性
とは逆の極性のＶｄａｔａを画素１２１に書き込めばよい。
【0064】
図３、図４から明らかなように、ＩＤＳモードによる静止画表示は、通常モードよりもデ
ータの書き換え回数を少なくすることができるので、ＩＤＳモードで静止画を表示するこ
とで、画面のちらつきが抑えられるため目の疲れを抑制することができる。
ータの書き換え回数を少なくすることができるので、ＩＤＳモードで静止画を表示するこ
とで、画面のちらつきが抑えられるため目の疲れを抑制することができる。
【0065】
また、図４Ｂに示すように、ＩＤＳモードでは、データ保持期間は、コントローラ１８０
からゲートドライバ１１２への制御信号（ＧＳＰ、ＧＣＬＫ）の供給が停止される。その
ため、コントローラ１８０において、制御信号（ＧＳＰ、ＧＣＬＫ）の供給を停止した後
に、ゲートドライバ１１２への電源電圧ＧＶＤＤの供給を停止するような制御を行っても
よい。また、データ保持期間ではソースドライバ１１３への制御信号（ＳＳＰ、ＳＣＬＫ
）の供給も停止されるため、同様に、ソースドライバ１１３への電源電圧の供給を停止す
る制御を行うことができる。つまり、ＩＤＳ駆動により、目に優しい表示を行うことがで
き、かつ低消費電力なＬＣＤ１００を提供することができる。
からゲートドライバ１１２への制御信号（ＧＳＰ、ＧＣＬＫ）の供給が停止される。その
ため、コントローラ１８０において、制御信号（ＧＳＰ、ＧＣＬＫ）の供給を停止した後
に、ゲートドライバ１１２への電源電圧ＧＶＤＤの供給を停止するような制御を行っても
よい。また、データ保持期間ではソースドライバ１１３への制御信号（ＳＳＰ、ＳＣＬＫ
）の供給も停止されるため、同様に、ソースドライバ１１３への電源電圧の供給を停止す
る制御を行うことができる。つまり、ＩＤＳ駆動により、目に優しい表示を行うことがで
き、かつ低消費電力なＬＣＤ１００を提供することができる。
【0066】
なお、本明細書において、配線や端子等に、信号および電圧を供給しないとは、回路を動
作させるための所定の電圧とは異なる大きさの信号や電圧を配線等に印加すること、およ
び／又は配線等を電気的に浮遊状態にすることをいう。
作させるための所定の電圧とは異なる大きさの信号や電圧を配線等に印加すること、およ
び／又は配線等を電気的に浮遊状態にすることをいう。
【0067】
通常駆動でもＩＤＳ駆動でも、画素１２１に供給された電圧は、次のデータの書き換えま
で保持する必要がある。この電圧の変動は、ＬＣＤ１００の表示品位の低下につながる。
通常駆動では、６０Ｈｚあるいは１２０Ｈｚの頻度でデータの書き換えを行っているため
、画素１２１は交流電圧により駆動される。一方で、ＩＤＳ駆動は、表示期間の多くがデ
ータ保持期間となるので、疑似的な直流（ＤＣ）駆動とみなすことができる。そのため、
ＩＤＳ駆動では、通常駆動よりも、残留ＤＣ電圧を誘起させるような状態が長く続くため
、液晶のイオン性不純物の局在化や、液晶層と配向膜界面での残留電荷の蓄積が生じやす
い。残留ＤＣ電圧は、画素１２１で保持している電圧を変動させ、結果として、液晶セル
の透過率を変動させてしまう。
で保持する必要がある。この電圧の変動は、ＬＣＤ１００の表示品位の低下につながる。
通常駆動では、６０Ｈｚあるいは１２０Ｈｚの頻度でデータの書き換えを行っているため
、画素１２１は交流電圧により駆動される。一方で、ＩＤＳ駆動は、表示期間の多くがデ
ータ保持期間となるので、疑似的な直流（ＤＣ）駆動とみなすことができる。そのため、
ＩＤＳ駆動では、通常駆動よりも、残留ＤＣ電圧を誘起させるような状態が長く続くため
、液晶のイオン性不純物の局在化や、液晶層と配向膜界面での残留電荷の蓄積が生じやす
い。残留ＤＣ電圧は、画素１２１で保持している電圧を変動させ、結果として、液晶セル
の透過率を変動させてしまう。
【0068】
ちらつきを抑制する方法には、ＩＤＳ駆動のようにデータ書き換え回数を減らす方法があ
る。その一方で、液晶セルに残留ＤＣ電圧が存在していると、データ保持時間が長いＩＤ
Ｓ駆動のほうが通常駆動よりも、液晶セルの透過率の変動量が大きくなるおそれがある。
その結果、ＩＤＳ駆動のほうが、データ書き換えに伴うちらつきが視認されやすくなると
いう新たな問題が生ずる。本実施の形態は、このような課題を解決するものである。
る。その一方で、液晶セルに残留ＤＣ電圧が存在していると、データ保持時間が長いＩＤ
Ｓ駆動のほうが通常駆動よりも、液晶セルの透過率の変動量が大きくなるおそれがある。
その結果、ＩＤＳ駆動のほうが、データ書き換えに伴うちらつきが視認されやすくなると
いう新たな問題が生ずる。本実施の形態は、このような課題を解決するものである。
【0069】
本実施の形態のＬＣＤ１００では、コモン電極３１とコモン電極３２を等電位にすること
で、ＩＤＳ駆動による残留ＤＣ電圧の発生を抑制する。つまり、コモン電極３１とコモン
電極３２間を等電位とすることで、データ保持期間に、液晶セルに印加される基板２１（
コモン電極３１）に垂直な方向のＤＣ電圧成分を小さくする。これにより、液晶セル内の
残留電荷の蓄積を抑制して、データ保持期間での液晶セルの透過率の変動を抑える。
で、ＩＤＳ駆動による残留ＤＣ電圧の発生を抑制する。つまり、コモン電極３１とコモン
電極３２間を等電位とすることで、データ保持期間に、液晶セルに印加される基板２１（
コモン電極３１）に垂直な方向のＤＣ電圧成分を小さくする。これにより、液晶セル内の
残留電荷の蓄積を抑制して、データ保持期間での液晶セルの透過率の変動を抑える。
【0070】
液晶セルの透過率の変動を抑えることで、データ書き換え時のちらつきが抑制されるため
、ＬＣＤ１００にて、目が疲れにくい表示を行うことが可能になる。コモン電極３１とコ
モン電極３２を等電位とすることで、ＩＤＳモードでの動作時の液晶セルの透過率の変動
を抑止して、ちらつきを低減できることは、実施例１にて明らかにする。
、ＬＣＤ１００にて、目が疲れにくい表示を行うことが可能になる。コモン電極３１とコ
モン電極３２を等電位とすることで、ＩＤＳモードでの動作時の液晶セルの透過率の変動
を抑止して、ちらつきを低減できることは、実施例１にて明らかにする。
【0071】
また、液晶セルの透過率を変動する別の要因は、液晶セルで保持している電荷がリークす
ることによる、保持電圧の変化である。そこで、液晶素子１３１の印加電圧の変動量をよ
り少なくするために、トランジスタ１３０として、オフ電流が非常に小さいトランジスタ
を用いることが好ましく、また、液晶層２０の液晶材料として抵抗が高い材料を用いるこ
とが好ましい。
ることによる、保持電圧の変化である。そこで、液晶素子１３１の印加電圧の変動量をよ
り少なくするために、トランジスタ１３０として、オフ電流が非常に小さいトランジスタ
を用いることが好ましく、また、液晶層２０の液晶材料として抵抗が高い材料を用いるこ
とが好ましい。
【0072】
＜画素のトランジスタ＞
トランジスタのオフ電流とは、オフ状態でソースードレイン間を流れる電流のことをいう
。また、トランジスタがオフ状態とは、ｎチャネル型のトランジスタの場合、ゲート電圧
がしきい値電圧よりも十分小さい状態をいう。
トランジスタのオフ電流とは、オフ状態でソースードレイン間を流れる電流のことをいう
。また、トランジスタがオフ状態とは、ｎチャネル型のトランジスタの場合、ゲート電圧
がしきい値電圧よりも十分小さい状態をいう。
【0073】
トランジスタ１３０のオフ電流は小さいほど好ましい。トランジスタ１３０は、チャネル
幅１μｍあたりのオフ電流が１００ｚＡ以下にするとよい。オフ電流は少ないほど好まし
いため、この規格化されたオフ電流が１０ｚＡ／μｍ以下、あるいは１ｚＡ／μｍ以下と
することが好ましく、１０ｙＡ／μｍ以下であることがさらに好ましい。
幅１μｍあたりのオフ電流が１００ｚＡ以下にするとよい。オフ電流は少ないほど好まし
いため、この規格化されたオフ電流が１０ｚＡ／μｍ以下、あるいは１ｚＡ／μｍ以下と
することが好ましく、１０ｙＡ／μｍ以下であることがさらに好ましい。
【0074】
このようにオフ電流をきわめて小さくするには、Ｓｉ、Ｇｅよりもバンドギャップが広い
（３．０ｅＶ以上）の酸化物半導体でトランジスタ１３０のチャネルを構成するとよい。
ここでは、酸化物半導体（ＯＳ）でチャネルが形成されているトランジスタをＯＳトラン
ジスタと呼ぶ。
（３．０ｅＶ以上）の酸化物半導体でトランジスタ１３０のチャネルを構成するとよい。
ここでは、酸化物半導体（ＯＳ）でチャネルが形成されているトランジスタをＯＳトラン
ジスタと呼ぶ。
【0075】
電子供与体（ドナー）となる水分または水素等の不純物を低減し、かつ酸素欠損も低減す
ることで、酸化物半導体をｉ型（真性半導体）にする、あるいはｉ型に限りなく近づける
ことができる。ここでは、このような酸化物半導体を高純度化酸化物半導体と呼ぶことに
する。高純度化酸化物半導体でチャネルを形成することで、規格化されたオフ電流を数ｙ
Ａ／μｍ―数ｚＡ／μｍ程度に低くすることができる。
ることで、酸化物半導体をｉ型（真性半導体）にする、あるいはｉ型に限りなく近づける
ことができる。ここでは、このような酸化物半導体を高純度化酸化物半導体と呼ぶことに
する。高純度化酸化物半導体でチャネルを形成することで、規格化されたオフ電流を数ｙ
Ａ／μｍ―数ｚＡ／μｍ程度に低くすることができる。
【0076】
ＯＳトランジスタの酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）
を含むものが好ましい。また、酸化物半導体は、電気的特性のばらつきを減らすためのス
タビライザとなる元素を含むものが好ましい。このような元素として、Ｇａ、Ｓｎ、Ｈｆ
、Ａｌ、Ｚｒ等がある。ＯＳトランジスタを構成する酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｇａ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物が体表的である。実施の形態４において、酸
化物半導体についてより詳細に説明する。
を含むものが好ましい。また、酸化物半導体は、電気的特性のばらつきを減らすためのス
タビライザとなる元素を含むものが好ましい。このような元素として、Ｇａ、Ｓｎ、Ｈｆ
、Ａｌ、Ｚｒ等がある。ＯＳトランジスタを構成する酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｇａ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物が体表的である。実施の形態４において、酸
化物半導体についてより詳細に説明する。
【0077】
＜液晶材料＞
トランジスタ１３０を経由してリークする電荷量を抑えるため、トランジスタ１３０の抵
抗値を高くするとよい。そのため、液晶層２０の液晶材料の固有抵抗率は１．０×１０１
３Ωｃｍ以上であることが好ましく、１．０×１０１４Ωｃｍ以上であることがより好ま
しい。例えば、液晶材料として、固有抵抗率が、１．０×１０１３Ωｃｍ以上１．０×１
０１６Ωｃｍ以下の材料、好ましくは、１．０×１０１４Ωｃｍ以上１．０×１０１６Ω
ｃｍ以下の材料を選択するとよい。なお、液晶材料の固有抵抗率は、２０℃で測定した値
である。
トランジスタ１３０を経由してリークする電荷量を抑えるため、トランジスタ１３０の抵
抗値を高くするとよい。そのため、液晶層２０の液晶材料の固有抵抗率は１．０×１０１
３Ωｃｍ以上であることが好ましく、１．０×１０１４Ωｃｍ以上であることがより好ま
しい。例えば、液晶材料として、固有抵抗率が、１．０×１０１３Ωｃｍ以上１．０×１
０１６Ωｃｍ以下の材料、好ましくは、１．０×１０１４Ωｃｍ以上１．０×１０１６Ω
ｃｍ以下の材料を選択するとよい。なお、液晶材料の固有抵抗率は、２０℃で測定した値
である。
【0078】
以上述べたように、本実施の形態により、目が疲れにくい表示が可能であり、かつ低消費
電力化が可能なＬＣＤを提供することが可能になる。
電力化が可能なＬＣＤを提供することが可能になる。
【0079】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることが可能である。
【0080】
（実施の形態２）
本実施の形態では、ＩＤＳ駆動の他の例を説明する。
本実施の形態では、ＩＤＳ駆動の他の例を説明する。
【0081】
＜ＩＤＳ駆動＞
図３ＢのＩＤＳ駆動は、通常駆動よりも低いリフレッシュレートでデータの書き換えが定
期的に行われる。静止画の表示では、表示する画像が変化しない限りデータの書き換えを
停止することができる。そこで、データ書き換えを定期的に行うのではなく、表示する画
像が変わるときに行うような駆動方法で静止画を表示することができる。ここでは、この
駆動方法を第２のＩＤＳ駆動と呼び、図３ＢのＩＤＳ駆動を第１のＩＤＳ駆動と呼ぶこと
にする。以下、図５を用いて、第２のＩＤＳ駆動を説明する。
図３ＢのＩＤＳ駆動は、通常駆動よりも低いリフレッシュレートでデータの書き換えが定
期的に行われる。静止画の表示では、表示する画像が変化しない限りデータの書き換えを
停止することができる。そこで、データ書き換えを定期的に行うのではなく、表示する画
像が変わるときに行うような駆動方法で静止画を表示することができる。ここでは、この
駆動方法を第２のＩＤＳ駆動と呼び、図３ＢのＩＤＳ駆動を第１のＩＤＳ駆動と呼ぶこと
にする。以下、図５を用いて、第２のＩＤＳ駆動を説明する。
【0082】
ここでは、図５Ａに示すような、静止画ＩＭ１を表示した後に、静止画ＩＭ２を表示する
場合を例に説明する。図５Ｂに示すように、ＩＤＳ駆動により、静止画ＩＭ１の画像デー
タを画素１２１に書き込む。データの書き込みは、第１のＩＤＳ駆動と同様に行うことが
できる。通常駆動と同じリフレッシュレート（間隔Ｔｐｄ）でデータの書き換えが１回ま
たは複数回実行され、画素１２１にデータが書き込まれる。図５Ｂの例では、データの書
き換えが３回行なわれる。
場合を例に説明する。図５Ｂに示すように、ＩＤＳ駆動により、静止画ＩＭ１の画像デー
タを画素１２１に書き込む。データの書き込みは、第１のＩＤＳ駆動と同様に行うことが
できる。通常駆動と同じリフレッシュレート（間隔Ｔｐｄ）でデータの書き換えが１回ま
たは複数回実行され、画素１２１にデータが書き込まれる。図５Ｂの例では、データの書
き換えが３回行なわれる。
【0083】
データ書き込みの後、データの書き換えを停止し、データ保持状態とする。第２のＩＤＳ
駆動では、表示する画像が切り替わるまで、データ保持状態が継続される。静止画ＩＭ２
を表示するためのデータの書き換えは、静止画ＩＭ１と同様に行われ、まず、データの書
き換えを３回行い、その後、データの書き換えを停止して、データ保持状態とする。
駆動では、表示する画像が切り替わるまで、データ保持状態が継続される。静止画ＩＭ２
を表示するためのデータの書き換えは、静止画ＩＭ１と同様に行われ、まず、データの書
き換えを３回行い、その後、データの書き換えを停止して、データ保持状態とする。
【0084】
なお、静止画ＩＭ１から静止画ＩＭ２への画面の切り換えをスムーズに行うため、静止画
ＩＭ１と静止画ＩＭ２の表示の間に、通常駆動により静止画ＩＭ１から静止画ＩＭ２への
画面切り替え用動画を表示してもよい。
ＩＭ１と静止画ＩＭ２の表示の間に、通常駆動により静止画ＩＭ１から静止画ＩＭ２への
画面切り替え用動画を表示してもよい。
【0085】
ＬＣＤ１００では、ＩＤＳ駆動として、第１、第２のＩＤＳ駆動の双方を行えるようにし
てもよいし、一方のみを行うようにしてもよい。ＬＣＤ１００が適用される半導体装置の
用途や、画素１２１を構成する部材（配向膜、液晶など）により、適切なＩＤＳ駆動が実
行できるようにすればよい。
てもよいし、一方のみを行うようにしてもよい。ＬＣＤ１００が適用される半導体装置の
用途や、画素１２１を構成する部材（配向膜、液晶など）により、適切なＩＤＳ駆動が実
行できるようにすればよい。
【0086】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることが可能である。
【0087】
【0088】
＜＜ＦＦＳモードのＬＣパネル＞＞
図６は、ＬＣパネル２１０の構成の一例を示す断面図である。ＬＣパネル２１０も、ＬＣ
パネル１１０と同様に、同一基板上に画素部、並びにドライバ（ゲートドライバおよびソ
ースドライバ）が形成されている。ここでは、これら回路を構成するトランジスタをＯＳ
トランジスタとする。ＯＳトランジスタはｎチャネル型のトランジスタである。
図６は、ＬＣパネル２１０の構成の一例を示す断面図である。ＬＣパネル２１０も、ＬＣ
パネル１１０と同様に、同一基板上に画素部、並びにドライバ（ゲートドライバおよびソ
ースドライバ）が形成されている。ここでは、これら回路を構成するトランジスタをＯＳ
トランジスタとする。ＯＳトランジスタはｎチャネル型のトランジスタである。
【0089】
【0090】
【0091】
図６に示すように、基板３０１と基板３０２の間には、封止部材３０４により封止された
液晶層３０３が存在する。液晶層３０３には、上述したように固有抵抗率が１．０×１０
１３Ωｃｍ以上の液晶材料を用いることが好ましい。
液晶層３０３が存在する。液晶層３０３には、上述したように固有抵抗率が１．０×１０
１３Ωｃｍ以上の液晶材料を用いることが好ましい。
【0092】
ＬＣパネル２１０のセルギャップを維持するための部材として、基板３０２にスペーサ３
８３が形成されている。図７に示すように、スペーサ３８３は、ゲート線３１１およびソ
ース線３２１が重なる領域に存在する。このような領域は、液晶材料の配向が乱れる領域
であり表示に寄与しない。スペーサ３８３をこのような領域に形成することで、画素２２
１の開口率を高くすることができる。なお、スペーサ３８３は基板３０１側に設けること
もできる。
８３が形成されている。図７に示すように、スペーサ３８３は、ゲート線３１１およびソ
ース線３２１が重なる領域に存在する。このような領域は、液晶材料の配向が乱れる領域
であり表示に寄与しない。スペーサ３８３をこのような領域に形成することで、画素２２
１の開口率を高くすることができる。なお、スペーサ３８３は基板３０１側に設けること
もできる。
【0093】
基板３０１の封止部材３０４の外側の領域には、複数の端子３２４を含む端子部２２４が
形成されている。これら端子３２４は異方性導電膜２２６によりＦＰＣ２２５に接続され
る。端子３２４は引き回し配線３１２に接続されている。
形成されている。これら端子３２４は異方性導電膜２２６によりＦＰＣ２２５に接続され
る。端子３２４は引き回し配線３１２に接続されている。
【0094】
基板３０２の表面には絶縁層３９１が形成され、絶縁層３９１上に遮光層３８１およびカ
ラーフィルタ層３８２が形成されている。絶縁層３９１は、例えば窒化シリコン膜で形成
される。遮光層３８１およびカラーフィルタ層３８２は、例えば樹脂で形成される。遮光
層３８１は、画素２２１に形成される配線や電極等の表示に寄与しない領域を隠すように
設けられている。
ラーフィルタ層３８２が形成されている。絶縁層３９１は、例えば窒化シリコン膜で形成
される。遮光層３８１およびカラーフィルタ層３８２は、例えば樹脂で形成される。遮光
層３８１は、画素２２１に形成される配線や電極等の表示に寄与しない領域を隠すように
設けられている。
【0095】
遮光層３８１およびカラーフィルタ層３８２を覆って、樹脂等でなる絶縁層３９２が形成
されている。絶縁層３９２上にコモン電極３３２（ＣＯＭ－２）が形成され、コモン電極
３３２上にスペーサ３８３が形成されている。スペーサ３８３は、感光性樹脂材料から形
成することができる。コモン電極３３２およびスペーサ３８３を覆って、配向膜３５２が
形成されている。コモン電極３３２は、ＴＮモードのＬＣＤパネルの対向電極と同様に、
異方性導電膜により基板３０１に形成される接続部（コモンコンタクト）の端子に接続さ
れる。この端子は、引き回し配線３１２を介して端子部２２４の端子３２４に接続されて
いる。
されている。絶縁層３９２上にコモン電極３３２（ＣＯＭ－２）が形成され、コモン電極
３３２上にスペーサ３８３が形成されている。スペーサ３８３は、感光性樹脂材料から形
成することができる。コモン電極３３２およびスペーサ３８３を覆って、配向膜３５２が
形成されている。コモン電極３３２は、ＴＮモードのＬＣＤパネルの対向電極と同様に、
異方性導電膜により基板３０１に形成される接続部（コモンコンタクト）の端子に接続さ
れる。この端子は、引き回し配線３１２を介して端子部２２４の端子３２４に接続されて
いる。
【0096】
トランジスタ２３１は、ゲート線３１１（ＧＬ）、ソース線３２１（ＳＬ）、電極３２２
および酸化物半導体（ＯＳ）層３４０を有する。電極３２２には、画素電極３３０（ＰＸ
）が接続されている。ＯＳ層３４０は、チャネルが形成される酸化物半導体層を少なくと
も１層有する。絶縁層３７１はトランジスタ２３１のゲート絶縁層を構成する。
および酸化物半導体（ＯＳ）層３４０を有する。電極３２２には、画素電極３３０（ＰＸ
）が接続されている。ＯＳ層３４０は、チャネルが形成される酸化物半導体層を少なくと
も１層有する。絶縁層３７１はトランジスタ２３１のゲート絶縁層を構成する。
【0097】
また、ドライバにも、トランジスタ２３１と同様の素子構造を有するトランジスタが形成
される。
される。
【0098】
図６の例では、トランジスタ２３１をボトムゲート型のトランジスタとしているが、トッ
プゲート型としてもよい。また、チャネルを挟んで２つのゲート電極を有するデュアルゲ
ート型としてもよい。デュアルゲート型とすることで、ＯＳトランジスタの電流駆動特性
を向上させることができる。また、ドライバにおいては、その用途に合わせて、一部のト
ランジスタをデュアルゲート型とし、他をボトムゲート型またはトップゲート型とするこ
ともできる。
プゲート型としてもよい。また、チャネルを挟んで２つのゲート電極を有するデュアルゲ
ート型としてもよい。デュアルゲート型とすることで、ＯＳトランジスタの電流駆動特性
を向上させることができる。また、ドライバにおいては、その用途に合わせて、一部のト
ランジスタをデュアルゲート型とし、他をボトムゲート型またはトップゲート型とするこ
ともできる。
【0099】
コモン電極３３１（ＣＯＭ－１）が絶縁層３７５を介して画素電極３３０に対向して設け
られている。画素電極３３０が画素２２１毎に形成されるのに対して、コモン電極３３１
は、１つの導電膜から形成されており、全ての画素２２１で共有されている。図６、図７
に示すように、コモン電極３３１には、トランジスタ２３１と画素電極３３０を接続する
ための開口が画素２２１毎に設けられている。
られている。画素電極３３０が画素２２１毎に形成されるのに対して、コモン電極３３１
は、１つの導電膜から形成されており、全ての画素２２１で共有されている。図６、図７
に示すように、コモン電極３３１には、トランジスタ２３１と画素電極３３０を接続する
ための開口が画素２２１毎に設けられている。
【0100】
電極（３３０－３３２）は、透光性を有する導電膜から形成される。透光性を有する導電
材料としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化シ
リコンを添加したインジウム錫酸化物等がある。これらの導電材料からなる膜は、スパッ
タリング法で形成することができる。
材料としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化シ
リコンを添加したインジウム錫酸化物等がある。これらの導電材料からなる膜は、スパッ
タリング法で形成することができる。
【0101】
第１層目の配線・電極として、ゲート線３１１の他、引き回し配線３１２等が形成されて
いる。第１層目の配線・電極（３１１、３１２）覆って、絶縁層３７１が形成されている
。
いる。第１層目の配線・電極（３１１、３１２）覆って、絶縁層３７１が形成されている
。
【0102】
絶縁層３７１上にＯＳ層３４０が形成され、絶縁層３７１およびＯＳ層３４０上に、第２
層目の配線・電極（３２１―３２４）が形成される。配線３２３は、コモン電極３３１を
引き回し配線３１２に接続するための配線である。第２層目の配線・電極（３２１―３２
４）の形成前に、絶縁層３７１には、引き回し配線３１２を露出する開口が形成されてい
る。配線３２３や端子３２４は、この開口において引き回し配線３１２に接続されている
。
層目の配線・電極（３２１―３２４）が形成される。配線３２３は、コモン電極３３１を
引き回し配線３１２に接続するための配線である。第２層目の配線・電極（３２１―３２
４）の形成前に、絶縁層３７１には、引き回し配線３１２を露出する開口が形成されてい
る。配線３２３や端子３２４は、この開口において引き回し配線３１２に接続されている
。
【0103】
第２層目の配線・電極（３２１―３２４）を覆って、無機材料からなる絶縁層３７２、３
７３が形成されている。絶縁層３７２、３７３に、第２層目の配線・電極（３２２―３２
４）を露出する開口を形成した後に、例えば、樹脂材料からなる絶縁層３７４が形成され
る。感光性樹脂材料を用いることで、エッチング工程を用いずに、開口を有する絶縁層３
７４を形成することができる。絶縁層３７４には、接続用の開口の他に、封止部材３０４
が形成される領域に開口が形成されている。
７３が形成されている。絶縁層３７２、３７３に、第２層目の配線・電極（３２２―３２
４）を露出する開口を形成した後に、例えば、樹脂材料からなる絶縁層３７４が形成され
る。感光性樹脂材料を用いることで、エッチング工程を用いずに、開口を有する絶縁層３
７４を形成することができる。絶縁層３７４には、接続用の開口の他に、封止部材３０４
が形成される領域に開口が形成されている。
【0104】
絶縁層３７４上にコモン電極３３１が形成されている。コモン電極３３１を覆って絶縁層
３７５が形成されている。絶縁層３７５には、第２層目の配線・電極（３２２―３２４）
を露出する開口が形成されている。絶縁層３７５上に画素電極３３０が形成されており、
画素電極３３０を覆って配向膜３５１が形成されている。画素電極３３０が絶縁層３７５
を介してコモン電極３３１と重なっている領域が、液晶素子の補助容量として機能する。
３７５が形成されている。絶縁層３７５には、第２層目の配線・電極（３２２―３２４）
を露出する開口が形成されている。絶縁層３７５上に画素電極３３０が形成されており、
画素電極３３０を覆って配向膜３５１が形成されている。画素電極３３０が絶縁層３７５
を介してコモン電極３３１と重なっている領域が、液晶素子の補助容量として機能する。
【0105】
基板３０１、３０２に適用可能な基板としては、例えば、無アルカリガラス基板、バリウ
ムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、セラミック基板、石英基板、
サファイア基板、金属基板、ステンレス基板、プラスチック基板、ポリエチレンテレフタ
レート基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
ムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、セラミック基板、石英基板、
サファイア基板、金属基板、ステンレス基板、プラスチック基板、ポリエチレンテレフタ
レート基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
【0106】
基板３０１、基板３０２は、画素２２１や、コモン電極３３２等を作製するために使用さ
れる支持基板（ガラス基板など）でなくてよい。画素２２１等を作製した後、支持基板を
剥離して、接着層により可撓性基板を取り付けてもよい。可撓性基板としては、代表的に
はプラスチック基板をその例に挙げる事ができる他、厚さが５０μｍ以上５００μｍ以下
の薄いガラス基板などを用いることもできる。基板３０１、３０２を可撓性基板とするこ
とで、ＬＣパネル２１０を曲げることが可能になる。
れる支持基板（ガラス基板など）でなくてよい。画素２２１等を作製した後、支持基板を
剥離して、接着層により可撓性基板を取り付けてもよい。可撓性基板としては、代表的に
はプラスチック基板をその例に挙げる事ができる他、厚さが５０μｍ以上５００μｍ以下
の薄いガラス基板などを用いることもできる。基板３０１、３０２を可撓性基板とするこ
とで、ＬＣパネル２１０を曲げることが可能になる。
【0107】
第１層目、第２層目の配線・電極（３１１、３１２、３２１―３２４）は、単層の導電膜
で、または２層以上の導電膜で形成することができる。このような導電膜としては、アル
ミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タン
グステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、
ベリリウム等の金属膜を用いることができる。また、これら金属を成分とする合金膜およ
び化合物膜、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコン膜等を用いることができる
。
で、または２層以上の導電膜で形成することができる。このような導電膜としては、アル
ミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タン
グステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、
ベリリウム等の金属膜を用いることができる。また、これら金属を成分とする合金膜およ
び化合物膜、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコン膜等を用いることができる
。
【0108】
絶縁層（３７１―３７５、３９１、３９２）は、単層の絶縁膜で、または２層以上の絶縁
膜で形成することができる。無機絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、
酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム
、酸化ハフニウムおよび酸化タンタル等でなる膜があげられる。また、これらの絶縁膜は
、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて形成するこ
とができる。また、樹脂膜としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂膜がある。な
お、本明細書において、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいい、
窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をいう。
膜で形成することができる。無機絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、
酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム
、酸化ハフニウムおよび酸化タンタル等でなる膜があげられる。また、これらの絶縁膜は
、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて形成するこ
とができる。また、樹脂膜としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂膜がある。な
お、本明細書において、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいい、
窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をいう。
【0109】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることが可能である。
【0110】
（実施の形態４）
本実施の形態では、ＯＳトランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体について説明す
る。
本実施の形態では、ＯＳトランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体について説明す
る。
【0111】
ＯＳトランジスタの酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ－
Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ－
Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｇａ系酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物（
ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ
－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｚｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓ
ｃ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ
－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ－
Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｇａ系酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物（
ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ
－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｚｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓ
ｃ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ
－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【0112】
ＯＳトランジスタの酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）
を含むものが好ましい。また、酸化物半導体は、電気的特性のばらつきを減らすためのス
タビライザとなる元素を含むものが好ましい。このような元素として、Ｇａ、Ｓｎ、Ｈｆ
、Ａｌ、Ｚｒ等がある。ＯＳトランジスタを構成する酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｇａ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物が代表的である。
を含むものが好ましい。また、酸化物半導体は、電気的特性のばらつきを減らすためのス
タビライザとなる元素を含むものが好ましい。このような元素として、Ｇａ、Ｓｎ、Ｈｆ
、Ａｌ、Ｚｒ等がある。ＯＳトランジスタを構成する酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｇａ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物が代表的である。
【0113】
ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物
という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の
金属元素が入っていてもよい。
という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の
金属元素が入っていてもよい。
【0114】
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用い
てもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一の金属元素または複
数の金属元素、若しくは上記のスタビライザとしての元素を示す。また、酸化物半導体と
して、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０）で表記される材料を用いてもよい。
てもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一の金属元素または複
数の金属元素、若しくは上記のスタビライザとしての元素を示す。また、酸化物半導体と
して、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０）で表記される材料を用いてもよい。
【0115】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝３：１：２、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：１：３の原子数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚ
ｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
Ｚｎ＝３：１：２、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：１：３の原子数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚ
ｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【0116】
酸化物半導体膜に水素が多量に含まれると、酸化物半導体と結合することによって、水素
の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、ＯＳトランジ
スタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜の形
成後において、脱水化処理（脱水素化処理）を行い酸化物半導体膜から、水素、又は水分
を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、ＯＳトランジ
スタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜の形
成後において、脱水化処理（脱水素化処理）を行い酸化物半導体膜から、水素、又は水分
を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
【0117】
なお、酸化物半導体膜への脱水化処理（脱水素化処理）によって、酸化物半導体膜から酸
素も同時に減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理（脱水素
化処理）によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理を
行うことが好ましい。ここでは酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を、加酸素化処理、
または過酸素化処理と呼ぶことがある。
素も同時に減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理（脱水素
化処理）によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理を
行うことが好ましい。ここでは酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を、加酸素化処理、
または過酸素化処理と呼ぶことがある。
【0118】
このように、酸化物半導体膜は、脱水化処理（脱水素化処理）により、水素または水分が
除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、ｉ型（真性）化または
ｉ型に限りなく近く実質的にｉ型（真性）である酸化物半導体膜とすることができる。な
お、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく（
ゼロに近く）、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、１×１０１６／ｃｍ３以下、
１×１０１５／ｃｍ３以下、１×１０１４／ｃｍ３以下、１×１０１３／ｃｍ３以下であ
ることをいう。
除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、ｉ型（真性）化または
ｉ型に限りなく近く実質的にｉ型（真性）である酸化物半導体膜とすることができる。な
お、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく（
ゼロに近く）、キャリア密度が１×１０１７／ｃｍ３以下、１×１０１６／ｃｍ３以下、
１×１０１５／ｃｍ３以下、１×１０１４／ｃｍ３以下、１×１０１３／ｃｍ３以下であ
ることをいう。
【0119】
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
【0120】
酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜または非単結晶酸化物半導体膜とすればよい。
非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸
化物半導体膜、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎ
ｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜等をいう。
非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸
化物半導体膜、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎ
ｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜等をいう。
【0121】
ＯＳトランジスタの酸化物半導体膜は、単層構造でもよいし、例えば、非晶質酸化物半導
体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であっ
てもよい。
体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であっ
てもよい。
【0122】
非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない酸
化物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。非
晶質酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。非
晶質酸化物半導体膜に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌ
ａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半導
体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半導
体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観
測される。
化物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。非
晶質酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。非
晶質酸化物半導体膜に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌ
ａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半導
体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半導
体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観
測される。
【0123】
微結晶酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域とを有する。微結晶酸化物半導体膜に
含まれる結晶部は、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下
の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさの微結晶（ｎｃ：ｎ
ａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａ
ｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ－ＯＳ膜
は、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。ｎｃ－
ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも秩序性が高い酸化物半導体膜である。そのため、
ｎｃ－ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ－
ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ－ＯＳ膜は
、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域とを有する。微結晶酸化物半導体膜に
含まれる結晶部は、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下
の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさの微結晶（ｎｃ：ｎ
ａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａ
ｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ－ＯＳ膜
は、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。ｎｃ－
ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも秩序性が高い酸化物半導体膜である。そのため、
ｎｃ－ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ－
ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ－ＯＳ膜は
、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
【0124】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。
以下、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜について詳細な説明を行う。
以下、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜について詳細な説明を行う。
【0125】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の明視野像および回折パターンの複合解析像（
高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバ
ウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、粒
界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
ｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の明視野像および回折パターンの複合解析像（
高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバ
ウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、粒
界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【0126】
試料面と概略平行な方向から、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面の高分解能ＴＥＭ像を観察すると
、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は
、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映し
た形状であり、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は
、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映し
た形状であり、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
【0127】
一方、試料面と概略垂直な方向から、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の平面の高分解能ＴＥＭ像を観察
すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認
できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認
できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
【0128】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装
置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ膜
のｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ膜
のｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【0129】
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理等の結晶化処理を行っ
た際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面または
上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の形状
をエッチング等によって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
た際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面または
上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の形状
をエッチング等によって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
【0130】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜
の結晶部が、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
の結晶部が、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
【0131】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ膜のｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法
による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れ
る場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＺｎＧａ２Ｏ４の結晶の（３１１）面に帰
属されることから、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ膜中の一部に、Ｚｎ
Ｇａ２Ｏ４の結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れ
る場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＺｎＧａ２Ｏ４の結晶の（３１１）面に帰
属されることから、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳ膜中の一部に、Ｚｎ
Ｇａ２Ｏ４の結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、２θが３１°近傍
にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【0132】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素、
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
【0133】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化物
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
【0134】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性または
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（
ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（
ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
【0135】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【0136】
なお、結晶構造の説明において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の
角度で配置されている状態をいう。従って、－５°以上５°以下の場合も含まれる。また
、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をい
う。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
角度で配置されている状態をいう。従って、－５°以上５°以下の場合も含まれる。また
、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をい
う。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【0137】
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、例えば、金属酸化物の多結晶ターゲットを用い、スパッタリング法
によって成膜する。当該ターゲットにイオンが衝突すると、ターゲットに含まれる結晶領
域がａ－ｂ面から劈開し、ａ－ｂ面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッ
タリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状またはペレット状のスパ
ッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を
成膜することができる。
によって成膜する。当該ターゲットにイオンが衝突すると、ターゲットに含まれる結晶領
域がａ－ｂ面から劈開し、ａ－ｂ面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッ
タリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状またはペレット状のスパ
ッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を
成膜することができる。
【0138】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【0139】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制でき
る。例えば、処理室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素、および窒素等）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
－８０℃以下、好ましくは－１００℃以下である成膜ガスを用いる。
る。例えば、処理室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素、および窒素等）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
－８０℃以下、好ましくは－１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【0140】
また、成膜時の基板加熱温度を高めることで、平板状またはペレット状のスパッタリング
粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の
平らな面が基板に付着する。例えば、基板加熱温度は、１００℃以上７４０℃以下、好ま
しくは２００℃以上５００℃以下とすればよい。
粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の
平らな面が基板に付着する。例えば、基板加熱温度は、１００℃以上７４０℃以下、好ま
しくは２００℃以上５００℃以下とすればよい。
【0141】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージ
を軽減することができる。例えば、成膜ガス中の酸素の割合は、３０体積％以上、好まし
くは１００体積％とすることができる。
を軽減することができる。例えば、成膜ガス中の酸素の割合は、３０体積％以上、好まし
くは１００体積％とすることができる。
【0142】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることができる。
【0143】
（実施の形態５）
本実施の形態では、ＬＣＤが表示部に用いられた電子機器について説明する。実施の形態
１―４を適用することで、目に優しい表示が可能で、低消費電力な電子機器を提供するこ
とが可能になる。
本実施の形態では、ＬＣＤが表示部に用いられた電子機器について説明する。実施の形態
１―４を適用することで、目に優しい表示が可能で、低消費電力な電子機器を提供するこ
とが可能になる。
【0144】
＜＜情報処理システムの構成例＞＞
図８は、ＬＣＤを表示部に備えた情報処理システムの構成の一例を示すブロック図である
。情報処理システム５００は、演算部５１０、ＬＣＤ５２０、入力装置５３０、および記
憶装置５４０を備える。
図８は、ＬＣＤを表示部に備えた情報処理システムの構成の一例を示すブロック図である
。情報処理システム５００は、演算部５１０、ＬＣＤ５２０、入力装置５３０、および記
憶装置５４０を備える。
【0145】
演算部５１０は、情報処理システム５００全体を制御する機能を有する。演算部５１０は
、プロセッサ５１１、記憶装置５１２、入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース５１３、およ
びバス５１４を有する。バス５１４により、プロセッサ５１１、記憶装置５１２およびＩ
／Ｏインターフェース５１３が互いに接続されている。演算部５１０は、Ｉ／Ｏインター
フェース５１３を介して、ＬＣＤ５２０、入力装置５３０および記憶装置５４０との通信
を行う。例えば、入力装置５３０からの入力信号は、Ｉ／Ｏインターフェース５１３およ
びバス５１４を経てプロセッサ５１１や記憶装置５１２に伝送される。
、プロセッサ５１１、記憶装置５１２、入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース５１３、およ
びバス５１４を有する。バス５１４により、プロセッサ５１１、記憶装置５１２およびＩ
／Ｏインターフェース５１３が互いに接続されている。演算部５１０は、Ｉ／Ｏインター
フェース５１３を介して、ＬＣＤ５２０、入力装置５３０および記憶装置５４０との通信
を行う。例えば、入力装置５３０からの入力信号は、Ｉ／Ｏインターフェース５１３およ
びバス５１４を経てプロセッサ５１１や記憶装置５１２に伝送される。
【0146】
記憶装置５１２には、プロセッサ５１１の処理に必要なデータ（プログラムも含む）や、
Ｉ／Ｏインターフェース５１３を経て入力されたデータが保存される。
Ｉ／Ｏインターフェース５１３を経て入力されたデータが保存される。
【0147】
プロセッサ５１１は、プログラムを実行して、情報処理システム５００を動作させる。プ
ロセッサ５１１は、例えば、入力装置５３０からの入力信号を解析する、記憶装置５４０
に情報を読み出す、記憶装置５１２および記憶装置５４０にデータを書き込む、ＬＣＤ５
２０に出力する信号を生成する、等の処理を行う。
ロセッサ５１１は、例えば、入力装置５３０からの入力信号を解析する、記憶装置５４０
に情報を読み出す、記憶装置５１２および記憶装置５４０にデータを書き込む、ＬＣＤ５
２０に出力する信号を生成する、等の処理を行う。
【0148】
ＬＣＤ５２０は、出力装置として設けられており、情報処理システム５００の表示部を構
成する。また、情報処理システム５００には、出力装置として、表示装置の他に、スピー
カ、プリンタ等の他の出力装置を備えていてもよい。
成する。また、情報処理システム５００には、出力装置として、表示装置の他に、スピー
カ、プリンタ等の他の出力装置を備えていてもよい。
【0149】
入力装置５３０は、演算部５１０にデータを入力するための装置である。使用者は入力装
置５３０を操作することにより、情報処理システム５００を操作することができる。入力
装置５３０には、様々なヒューマンインターフェースを用いることができ、複数の入力装
置を情報処理システム５００に設けることができる。入力装置５３０としては、例えば、
タッチパネル、キーボード、操作ボタン等がある。これらを使用者が直接操作することに
より、情報処理システム５００の操作を行うことできる。その他、音声、視線、ジェスチ
ャ等を検出する装置を組み込んだ入力装置を設けて、これらにより情報処理システム５０
０を操作するようにしてもよい。例えば、マイクロフォン、カメラ（撮像システム）等を
設けてもよい。
置５３０を操作することにより、情報処理システム５００を操作することができる。入力
装置５３０には、様々なヒューマンインターフェースを用いることができ、複数の入力装
置を情報処理システム５００に設けることができる。入力装置５３０としては、例えば、
タッチパネル、キーボード、操作ボタン等がある。これらを使用者が直接操作することに
より、情報処理システム５００の操作を行うことできる。その他、音声、視線、ジェスチ
ャ等を検出する装置を組み込んだ入力装置を設けて、これらにより情報処理システム５０
０を操作するようにしてもよい。例えば、マイクロフォン、カメラ（撮像システム）等を
設けてもよい。
【0150】
記憶装置５４０には、プログラムや画像信号等の各種のデータが格納される。記憶装置５
４０の記憶容量は記憶装置５１２よりも大きい。記憶装置５４０としては、フラッシュメ
モリ、ＤＲＡＭ、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等がある。また、記憶装置５４０は
必要に応じて設ければよい。
４０の記憶容量は記憶装置５１２よりも大きい。記憶装置５４０としては、フラッシュメ
モリ、ＤＲＡＭ、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等がある。また、記憶装置５４０は
必要に応じて設ければよい。
【0151】
情報処理システム５００は、演算部５１０等の全ての装置が１つの筐体に収められている
形態の装置であってもよいし、一部の装置が有線、または無線により、演算部５１０に接
続されている形態の装置であってもよい。例えば、前者の形態として、ノート型パーソナ
ルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ（端末）、電子書籍リーダ（端末）、およびス
マートフォン等がある。後者の形態として、デスクトップ型ＰＣ、キーボード、マウス、
およびモニタのセットがある。
形態の装置であってもよいし、一部の装置が有線、または無線により、演算部５１０に接
続されている形態の装置であってもよい。例えば、前者の形態として、ノート型パーソナ
ルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ（端末）、電子書籍リーダ（端末）、およびス
マートフォン等がある。後者の形態として、デスクトップ型ＰＣ、キーボード、マウス、
およびモニタのセットがある。
【0152】
情報処理システム５００のＬＣＤ５２０では、通常駆動とＩＤＳ駆動での表示が可能であ
る。また、ＩＤＳ駆動としては、第１、第２のＩＤＳ駆動の双方または一方が行われる。
例えば、第２のＩＤＳ駆動（図５参照）で静止画表示を行う情報処理システム５００の好
適な用途としては、電子書籍を読む、デジタルカメラで撮影した写真を鑑賞する、等であ
る。つまり、同じ画像である状態が比較的長く、また使用者の操作により画面全体の表示
を切り換えることで、情報処理システム５００を使用する場合に、第２のＩＤＳ駆動で静
止画を表示することが好ましい。
る。また、ＩＤＳ駆動としては、第１、第２のＩＤＳ駆動の双方または一方が行われる。
例えば、第２のＩＤＳ駆動（図５参照）で静止画表示を行う情報処理システム５００の好
適な用途としては、電子書籍を読む、デジタルカメラで撮影した写真を鑑賞する、等であ
る。つまり、同じ画像である状態が比較的長く、また使用者の操作により画面全体の表示
を切り換えることで、情報処理システム５００を使用する場合に、第２のＩＤＳ駆動で静
止画を表示することが好ましい。
【0153】
【0154】
図９Ａに示す携帯型ゲーム機７００は、筐体７０１、筐体７０２、表示部７０３、表示部
７０４、マイクロフォン７０５、スピーカ７０６、操作ボタン７０７、およびスタイラス
７０８等を有する。表示部７０３および／又は表示部７０４に、入力装置５３０としてタ
ッチパネルを設けてもよい。
７０４、マイクロフォン７０５、スピーカ７０６、操作ボタン７０７、およびスタイラス
７０８等を有する。表示部７０３および／又は表示部７０４に、入力装置５３０としてタ
ッチパネルを設けてもよい。
【0155】
図９Ｂに示すビデオカメラ７１０は、筐体７１１、筐体７１２、表示部７１３、操作ボタ
ン７１４、レンズ７１５、および接続部７１６等を有する。操作ボタン７１４およびレン
ズ７１５は筐体７１１に設けられており、表示部７１３は筐体７１２に設けられている。
そして、筐体７１１と筐体７１２とは、接続部７１６により接続されており、筐体７１１
と筐体７１２の間の角度は、接続部７１６により可動となっている。表示部７１３の画面
の切り換えを、接続部７１６における筐体７１１と筐体７１２との間の角度に従って行う
構成としてもよい。表示部７１３にタッチパネルを設けてもよい。
ン７１４、レンズ７１５、および接続部７１６等を有する。操作ボタン７１４およびレン
ズ７１５は筐体７１１に設けられており、表示部７１３は筐体７１２に設けられている。
そして、筐体７１１と筐体７１２とは、接続部７１６により接続されており、筐体７１１
と筐体７１２の間の角度は、接続部７１６により可動となっている。表示部７１３の画面
の切り換えを、接続部７１６における筐体７１１と筐体７１２との間の角度に従って行う
構成としてもよい。表示部７１３にタッチパネルを設けてもよい。
【0156】
図９Ｃに示すタブレット型端末７２０は、筐体７２１に組み込まれた表示部７２２の他、
操作ボタン７２３、スピーカ７２４、その他図示しないマイク、ステレオヘッドフォンジ
ャック、メモリカード挿入口、カメラ、ＵＳＢコネクタ等の外部接続ポート等を備えてい
る。表示部７２２には、入力装置５３０として、タッチパネルが設けられている。
操作ボタン７２３、スピーカ７２４、その他図示しないマイク、ステレオヘッドフォンジ
ャック、メモリカード挿入口、カメラ、ＵＳＢコネクタ等の外部接続ポート等を備えてい
る。表示部７２２には、入力装置５３０として、タッチパネルが設けられている。
【0157】
図９Ｄに示す２つ折りタイプのタブレット型端末７３０は、筐体７３１、筐体７３２、表
示部７３３、表示部７３４、接続部７３５、および操作ボタン７３６等を有する。表示部
７３３および表示部７３４はＬＣＤ５２０で構成されている。表示部７３３、７３４には
、入力装置５３０として、タッチパネルが設けられている。
示部７３３、表示部７３４、接続部７３５、および操作ボタン７３６等を有する。表示部
７３３および表示部７３４はＬＣＤ５２０で構成されている。表示部７３３、７３４には
、入力装置５３０として、タッチパネルが設けられている。
【0158】
図９Ｅに示すスマートフォン７４０は、筐体７４１、操作ボタン７４２、マイクロフォン
７４３、表示部７４４、スピーカ７４５、およびカメラ用レンズ７４６等を有する。表示
部７４４と同一面上にカメラ用レンズ７４６を備えているため、テレビ電話が可能である
。表示部７４４には、入力装置５３０として、タッチパネルが設けられている。
７４３、表示部７４４、スピーカ７４５、およびカメラ用レンズ７４６等を有する。表示
部７４４と同一面上にカメラ用レンズ７４６を備えているため、テレビ電話が可能である
。表示部７４４には、入力装置５３０として、タッチパネルが設けられている。
【0159】
図９Ｆに示すノート型ＰＣ７５０は、筐体７５１、表示部７５２、キーボード７５３、お
よびポインティングデバイス７５４等を有する。表示部７５２には、ＬＣＤ５２０が用い
られる。また、表示部７５２に、入力装置５３０としてタッチパネルを設けてもよい。
よびポインティングデバイス７５４等を有する。表示部７５２には、ＬＣＤ５２０が用い
られる。また、表示部７５２に、入力装置５３０としてタッチパネルを設けてもよい。
【0160】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせることが可能である。
【実施例1】
【0161】
＜ＬＣパネルの仕様＞
実施の形態３のＦＦＳモードのＬＣパネル（図６、図７参照）を作製し、その動作を検証
した。試作したＬＣパネル（以下、テストパネルと呼ぶ。）の仕様を表１に示す。実際の
検証では、テストパネルにバックライトモジュール等を組み込んで、透過型のＬＣＤとし
て動作させた。
実施の形態３のＦＦＳモードのＬＣパネル（図６、図７参照）を作製し、その動作を検証
した。試作したＬＣパネル（以下、テストパネルと呼ぶ。）の仕様を表１に示す。実際の
検証では、テストパネルにバックライトモジュール等を組み込んで、透過型のＬＣＤとし
て動作させた。
【0162】
【表1】
【0163】
テストパネルの２枚の基板はガラス基板である。ゲートドライバとソースドライバは、画
素部と共に素子基板に集積した。作製したトランジスタはＯＳトランジスタであり、その
酸化物半導体層を、ＣＡＡＣ構造を有するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物膜で形成した。
素部と共に素子基板に集積した。作製したトランジスタはＯＳトランジスタであり、その
酸化物半導体層を、ＣＡＡＣ構造を有するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物膜で形成した。
【0164】
＜＜テストパネルの評価＞＞
テストパネルのコモン電圧ＶＣＯＭ（コモン電極ＣＯＭ－１の電圧）は０Ｖとした。また
、コモン電極ＣＯＭ－２の電圧ＶＣＯＭ２も０Ｖにして、コモン電極ＣＯＭ－１とコモン
電極ＣＯＭ－２を等電位にした状態で動作させて、ちらつきに関して客観評価および主観
評価を行った。
テストパネルのコモン電圧ＶＣＯＭ（コモン電極ＣＯＭ－１の電圧）は０Ｖとした。また
、コモン電極ＣＯＭ－２の電圧ＶＣＯＭ２も０Ｖにして、コモン電極ＣＯＭ－１とコモン
電極ＣＯＭ－２を等電位にした状態で動作させて、ちらつきに関して客観評価および主観
評価を行った。
【0165】
また、比較例１として、コモン電極ＣＯＭ－１とコモン電極ＣＯＭ－２間に電位差がある
状態で、テストパネルを動作させ、同じ評価を行った。比較例１では、ＶＣＯＭ２＝－１
．７Ｖとした。また、ＶＣＯＭは、－１．８―－１．７Ｖの範囲で一定電圧とした。ＶＣ
ＯＭの値は、テストパネルごとに異なり、中間調の表示が最適になるように決定された。
状態で、テストパネルを動作させ、同じ評価を行った。比較例１では、ＶＣＯＭ２＝－１
．７Ｖとした。また、ＶＣＯＭは、－１．８―－１．７Ｖの範囲で一定電圧とした。ＶＣ
ＯＭの値は、テストパネルごとに異なり、中間調の表示が最適になるように決定された。
【0166】
＜透過率の測定＞
客観評価として、テストパネルの透過率の測定を行った。ＩＤＳ駆動により、テストパネ
ルにグレーの静止画を表示させた。リフレッシュレートは１Ｈｚである。つまり１秒ごと
にデータの書き換えを行った。また、ＩＤＳ駆動において、１回の画面書き換えにおいて
、データの書き込みは３回行った（図３Ｂ、図４Ｂ参照）。これは、下記の主観評価でも
同様である。
客観評価として、テストパネルの透過率の測定を行った。ＩＤＳ駆動により、テストパネ
ルにグレーの静止画を表示させた。リフレッシュレートは１Ｈｚである。つまり１秒ごと
にデータの書き換えを行った。また、ＩＤＳ駆動において、１回の画面書き換えにおいて
、データの書き込みは３回行った（図３Ｂ、図４Ｂ参照）。これは、下記の主観評価でも
同様である。
【0167】
【0168】
図１０Ｂに示すように、比較例１では、６時間経過後のテストパネルは、データ保持期間
にデータ書き換え直後の透過率を維持できず、透過率が１％以上低下している。他方、図
１０Ａに示すように、実施例１では、ＩＤＳ駆動を６時間連続して行っても、透過率の変
動は、駆動直後と同程度である。
にデータ書き換え直後の透過率を維持できず、透過率が１％以上低下している。他方、図
１０Ａに示すように、実施例１では、ＩＤＳ駆動を６時間連続して行っても、透過率の変
動は、駆動直後と同程度である。
【0169】
図１０から、ＦＦＳモードのＬＣＤの透過率の変動は、コモン電極ＣＯＭ－１とコモン電
極ＣＯＭ－２間の電位差が原因となることが分かった。２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、
ＣＯＭ－２）を等電位とすることで、長時間ＩＤＳ駆動しても透過率の変動が抑制される
ことが確認された。ＩＤＳ駆動は疑似的なＤＣ駆動であるため、２つのコモン電極（ＣＯ
Ｍ－１、ＣＯＭ－２）間に電位差がある状態で、数時間連続してＩＤＳ駆動すると、液晶
セル内に電荷の偏析が生じ、それが透過率を変動させる原因になったと考えられる。
極ＣＯＭ－２間の電位差が原因となることが分かった。２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、
ＣＯＭ－２）を等電位とすることで、長時間ＩＤＳ駆動しても透過率の変動が抑制される
ことが確認された。ＩＤＳ駆動は疑似的なＤＣ駆動であるため、２つのコモン電極（ＣＯ
Ｍ－１、ＣＯＭ－２）間に電位差がある状態で、数時間連続してＩＤＳ駆動すると、液晶
セル内に電荷の偏析が生じ、それが透過率を変動させる原因になったと考えられる。
【0170】
ＬＣＤの一般的なＶ－Ｔ（電圧―透過率）特性では、中間調（グレー表示）の方が、低階
調（黒表示）や高階調（白表示）よりも電圧に対する透過率の変動量が大きくなる。図１
０Ａには、実施例１によりＩＤＳ駆動によるグレー表示の透過率の変動が抑えられている
ことが示されている。すなわち、２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、ＣＯＭ－２）を等電位
とすることで、ＩＤＳ駆動でも、中間調で表現される自然画を高品位で表示することが可
能になることが分かった。
調（黒表示）や高階調（白表示）よりも電圧に対する透過率の変動量が大きくなる。図１
０Ａには、実施例１によりＩＤＳ駆動によるグレー表示の透過率の変動が抑えられている
ことが示されている。すなわち、２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、ＣＯＭ－２）を等電位
とすることで、ＩＤＳ駆動でも、中間調で表現される自然画を高品位で表示することが可
能になることが分かった。
【0171】
＜ちらつきに関する主観評価＞
コモン電極ＣＯＭ－１とコモン電極ＣＯＭ－２間の電位差を調整することで、人の目で感
じるちらつきを低減できることを主観評価で確認した。図１１Ａ、図１１Ｂに、実施例１
、比較例１の主観評価の結果を示す。
コモン電極ＣＯＭ－１とコモン電極ＣＯＭ－２間の電位差を調整することで、人の目で感
じるちらつきを低減できることを主観評価で確認した。図１１Ａ、図１１Ｂに、実施例１
、比較例１の主観評価の結果を示す。
【0172】
主観評価は、２つのテストパネルを用意し、一方を通常駆動（リフレッシュレート６０Ｈ
ｚ）で動作させ、他方をＩＤＳ駆動（リフレッシュレート１Ｈｚ）で動作させた。動作モ
ードがわからないようにして、被験者に２つのテストパネルの画面を比較させることで、
それぞれの表示品位を評価させた。
ｚ）で動作させ、他方をＩＤＳ駆動（リフレッシュレート１Ｈｚ）で動作させた。動作モ
ードがわからないようにして、被験者に２つのテストパネルの画面を比較させることで、
それぞれの表示品位を評価させた。
【0173】
被験者に評価目的について先入観を与えないようにするため、「ちらつき」以外の表示品
位に関する評価項目を設けた。評価項目は、「ちらつき」の他、「色合い」、「解像度」
、「画面への映り込み（反射）」、「ムラ」、および「文字の読みやすさ」である。これ
らについて、「非常に良い」、「やや良い」、「どちらでもない」、「やや悪い」、「非
常に悪い」の５段階で被験者に評価させた。
位に関する評価項目を設けた。評価項目は、「ちらつき」の他、「色合い」、「解像度」
、「画面への映り込み（反射）」、「ムラ」、および「文字の読みやすさ」である。これ
らについて、「非常に良い」、「やや良い」、「どちらでもない」、「やや悪い」、「非
常に悪い」の５段階で被験者に評価させた。
【0174】
評価には、動物や風景などの１３の自然画と、７つのテキスト（アルファベット、ひらが
な）の２０の静止画を使用した。スライドショー形式で、これらの静止画を５秒間隔でテ
ストパネルに表示した。また、実施例１、比較例１ともに、２つのテストパネルを６時間
常時動作させた。この間に、被験者が適宜評価を行ったため、被験者により、テストパネ
ルの動作開始から評価時点の経過時間が異なる。表２に、被験者の内訳を示す。（ａ）が
実施例１であり、（ｂ）が比較例１である。
な）の２０の静止画を使用した。スライドショー形式で、これらの静止画を５秒間隔でテ
ストパネルに表示した。また、実施例１、比較例１ともに、２つのテストパネルを６時間
常時動作させた。この間に、被験者が適宜評価を行ったため、被験者により、テストパネ
ルの動作開始から評価時点の経過時間が異なる。表２に、被験者の内訳を示す。（ａ）が
実施例１であり、（ｂ）が比較例１である。
【0175】
【表2】
【0176】
図１１Ａに示すように、実施例１では、通常駆動とＩＤＳ駆動とで、ちらつきに関する評
価結果の差が小さい。８６人中、３人がＩＤＳ駆動の方がよりちらつきを感じ、６人が通
常駆動の方がよりちらつきを感じた、という回答であった。実施例１では、総合的な評価
結果は、ＩＤＳ駆動の方が通常駆動よりもちらつきを感じないというものであった。
価結果の差が小さい。８６人中、３人がＩＤＳ駆動の方がよりちらつきを感じ、６人が通
常駆動の方がよりちらつきを感じた、という回答であった。実施例１では、総合的な評価
結果は、ＩＤＳ駆動の方が通常駆動よりもちらつきを感じないというものであった。
【0177】
図１１Ｂに示すように、ちらつきに関する評価結果について、表示モードによる差が比較
例１の方が実施例１よりも大きくなった。８４人中、１１人がＩＤＳ駆動の方がよりちら
つきを感じ、３人が通常駆動の方がよりちらつきを感じた、という回答であった。比較例
１では、総合的な評価結果は、ＩＤＳ駆動の方が通常駆動よりもちらつきを感じるという
ものであった。また、テスト開始から時間が経つほど、ＩＤＳ駆動の方がちらつきを感じ
るという回答が多くなった。比較例１の主観評価結果は、図１０Ｂの、時間経過に伴う透
過率の変動量の増加という客観評価に合致する。
例１の方が実施例１よりも大きくなった。８４人中、１１人がＩＤＳ駆動の方がよりちら
つきを感じ、３人が通常駆動の方がよりちらつきを感じた、という回答であった。比較例
１では、総合的な評価結果は、ＩＤＳ駆動の方が通常駆動よりもちらつきを感じるという
ものであった。また、テスト開始から時間が経つほど、ＩＤＳ駆動の方がちらつきを感じ
るという回答が多くなった。比較例１の主観評価結果は、図１０Ｂの、時間経過に伴う透
過率の変動量の増加という客観評価に合致する。
【0178】
以上述べたように、２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、ＣＯＭ－２）を同じ電位にすること
で、疑似的なＤＣ駆動であるＩＤＳ駆動を長時間行っても、透過率の変動を抑えることが
できることが確認された。また、ＩＤＳ駆動時のデータ書き換えに伴うちらつきを低減で
きることが、確認された。
で、疑似的なＤＣ駆動であるＩＤＳ駆動を長時間行っても、透過率の変動を抑えることが
できることが確認された。また、ＩＤＳ駆動時のデータ書き換えに伴うちらつきを低減で
きることが、確認された。
【0179】
また、図１１の主観評価結果は、実施例１では、ＩＤＳ駆動と通常駆動とで、表示品位に
ついて評価結果に大きな差がないが、比較例１では、ＩＤＳ駆動の方が通常駆動よりも表
示品位が劣化してしまうことを示している。これは、２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、Ｃ
ＯＭ－２）の電位を等しくすることで、長時間ＩＤＳ駆動を行ったＬＣＤでも、通常駆動
の動作時と同様の表示品位を維持することが可能なことを示している。
ついて評価結果に大きな差がないが、比較例１では、ＩＤＳ駆動の方が通常駆動よりも表
示品位が劣化してしまうことを示している。これは、２つのコモン電極（ＣＯＭ－１、Ｃ
ＯＭ－２）の電位を等しくすることで、長時間ＩＤＳ駆動を行ったＬＣＤでも、通常駆動
の動作時と同様の表示品位を維持することが可能なことを示している。
【符号の説明】
【0180】
２０ 液晶層
２１ 基板
２２ 基板
２３ 封止部材
２４ 端子部
２５ ＦＰＣ
３０ 画素電極
３１ コモン電極
３２ コモン電極
４０ 絶縁層
１００ 液晶表示装置（ＬＣＤ）
１１０ 液晶（ＬＣ）パネル
１１１ 画素部
１１２ ゲートドライバ
１１３ ソースドライバ
１２１ 画素
１２２ ゲート線
１２３ ソース線
１３０ トランジスタ
１３１ 液晶素子
１３２ 容量素子
１８０ コントローラ
１９０ 電源
２１ 基板
２２ 基板
２３ 封止部材
２４ 端子部
２５ ＦＰＣ
３０ 画素電極
３１ コモン電極
３２ コモン電極
４０ 絶縁層
１００ 液晶表示装置（ＬＣＤ）
１１０ 液晶（ＬＣ）パネル
１１１ 画素部
１１２ ゲートドライバ
１１３ ソースドライバ
１２１ 画素
１２２ ゲート線
１２３ ソース線
１３０ トランジスタ
１３１ 液晶素子
１３２ 容量素子
１８０ コントローラ
１９０ 電源
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】