特許 7403362 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-14

(45)【発行日】2023-12-22

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20231215BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20231215BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20231215BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 R

H01L21/304 646

H01L21/304 643A

H01L21/304 648A

H01L21/304 648G

H01L21/304 647Z

H01L21/304 651B

H01L21/68 N

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2020055992

(22)【出願日】2020-03-26

(65)【公開番号】P2021158188

(43)【公開日】2021-10-07

【審査請求日】2022-12-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】澤崎 尚樹

(72)【発明者】

【氏名】脇田 明日香

(72)【発明者】

【氏名】太田 喬

(72)【発明者】

【氏名】林 昌之

【審査官】長谷川 直也

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０４６０６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１１９１２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／０４４５４８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－１０２５６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－０１６６６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１８３３８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／０１７４８９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－０３２７８１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のチャックピンで基板の周縁を保持する保持工程と、
前記基板の表面電位を測定する電位測定工程と、
前記チャックピンによって保持された前記基板の主面に垂直な回転軸のまわりで、前記基板を回転させる回転工程と、
回転中の前記基板の前記主面に薬液を供給する薬液工程と、
前記薬液工程の後に、前記チャックピンによって保持された前記基板と接地との間の導通経路の抵抗値を低減させる抵抗値変更工程と、
前記導通経路の抵抗値が低減した状態で、回転中の前記基板の前記主面にリンス液を供給するリンス工程と
を備える、基板処理方法。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記電位測定工程において測定された前記表面電位が基準値以上であるときに実行され、回転中の前記基板の前記主面に除電液を供給する除電工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記薬液は、ＳＰＭまたはフッ酸を含む、基板処理方法。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記薬液工程では、前記チャックピンのうち複数の第１チャックピンで前記基板を保持し、
前記抵抗値変更工程では、前記基板を保持する前記チャックピンを、前記第１チャックピンから、前記第１チャックピンよりも抵抗値の小さい複数の第２チャックピンに切り替える、基板処理方法。

【請求項5】

請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記第１チャックピンの抵抗値は１ＭΩ以上であり、前記第２チャックピンの抵抗値は１０Ω以下である、基板処理方法。

【請求項6】

請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記薬液工程では、前記チャックピンと接地との間の可変抵抗の抵抗値を第１抵抗値とし、
前記抵抗値変更工程では、前記可変抵抗の抵抗値を前記第１抵抗値よりも小さい第２抵抗値に低減する、基板処理方法。

【請求項7】

複数のチャックピンで基板の周縁を保持する保持工程と、
前記チャックピンによって保持された前記基板の主面に垂直な回転軸のまわりで、前記基板を回転させる回転工程と、
回転中の前記基板の前記主面に薬液を供給する薬液工程と、
前記薬液工程の後に、前記チャックピンによって保持された前記基板と接地との間の導通経路の抵抗値を低減させる抵抗値変更工程と、
前記導通経路の抵抗値が低減した状態で、回転中の前記基板の前記主面にリンス液を供給するリンス工程と
を備え、
前記薬液工程よりも前に、前記チャックピンによって保持された前記基板に除電液を供給する除電工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項8】

請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記導通経路の抵抗値を前記リンス工程での前記導通経路の抵抗値よりも高くした状態で、前記除電工程を開始する、基板処理方法。

【請求項9】

請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記除電工程の途中で、前記導通経路の抵抗値を低減する、基板処理方法。

【請求項10】

請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記除電工程と並行して実行され、前記導通経路を流れる電流を測定する電流測定工程をさらに備え、
前記除電工程において、前記電流が第２電流基準値を下回ったときに、前記導通経路の抵抗値を低減する、基板処理方法。

【請求項11】

請求項７から請求項９のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記除電工程よりも前に、前記基板の表面電位を測定する電位測定工程をさらに備え、
前記表面電位が電位基準値よりも大きいときに、前記除電工程における前記導通経路の抵抗値を第３抵抗値に決定し、前記表面電位が前記電位基準値よりも小さいときに、前記除電工程における前記導通経路の抵抗値を前記第３抵抗値よりも低い第４抵抗値に決定する工程
をさらに備える、基板処理方法。

【請求項12】

請求項７から請求項９のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記除電工程よりも前に、前記基板の表面電位を測定する電位測定工程をさらに備え、
前記表面電位が電位基準値よりも大きいときに、前記除電工程において前記除電液として、第１除電液を供給し、前記表面電位が前記電位基準値よりも小さいときに、前記除電工程において前記除電液として、前記第１除電液よりも比抵抗値の低い第２除電液を供給する工程
をさらに備える、基板処理方法。

【請求項13】

請求項７から請求項９および請求項１１のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記除電工程において、前記除電液として第１除電液を供給した後に、前記除電液として前記第１除電液よりも比抵抗値の低い第２除電液を前記基板に供給する、基板処理方法。

【請求項14】

請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記除電工程と並行して実行され、前記導通経路を流れる電流を測定する電流測定工程をさらに備え、
前記除電工程において、前記電流が電流基準値を下回ったときに、前記第１除電液の供給を停止し、前記第２除電液の供給を開始する、基板処理方法。

【請求項15】

請求項７から請求項９、請求項１１から請求項１３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記除電工程と並行して実行され、前記導通経路を流れる電流を測定する電流測定工程をさらに備え、
前記除電工程において、前記電流が電流基準値を下回ったときに、前記除電液の供給を終了する、基板処理方法。

【請求項16】

請求項７から請求項１５のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記除電工程の前に、前記基板に対してドライエッチングを行うドライ工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項17】

請求項１から請求項１６のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記基板の主面ではシリコンが露出している、基板処理方法。

【請求項18】

基板処理装置であって、
基板の周縁に当接して前記基板を保持する保持位置、および、前記基板の周縁から離れて前記基板の保持を解除する解除位置の間を移動する複数の第１チャックピンと、前記第１チャックピンよりも小さい抵抗値を有し、前記基板の周縁に当接して前記基板を保持する保持位置、および、前記基板の周縁から離れて前記基板の保持を解除する解除位置の間を移動する複数の第２チャックピンとを含む基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に垂直な回転軸のまわりで前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンを独立して駆動するチャック駆動部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に薬液を供給する薬液ノズルと、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面にリンス液を供給するリンスノズルと、
前記基板の表面電位を計測する表面電位センサと、
前記基板の前記主面に除電液を供給するか否かを、前記表面電位センサによって測定された前記表面電位に基づいて、判断する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１チャックピンで前記基板を保持した状態で前記薬液ノズルから前記基板の前記主面に前記薬液を供給させ、前記第２チャックピンで前記基板を保持した状態で前記リンスノズルから前記リンス液を前記基板の前記主面に供給させる、基板処理装置。

【請求項19】

請求項１８に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に除電液を供給する除電ノズルと、
前記基板保持部と接地との間の導通経路を流れる電流を測定する電流センサと
をさらに備える、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、基板に処理液を供給して、当該処理液に基づいた処理を基板に対して行う基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、保持部と、導通経路部と、接地部と、可変抵抗部と、供給部とを含む。保持部は導電し得を有しており、基板を保持する。導通経路部は保持部と接地部との間に設けられ、これらと接触する。可変抵抗部は接地部に設けられる。供給部は、保持部によって保持された基板に対して処理液を供給する。

【0003】

特許文献１では、処理液が帯電している場合に処理液と基板との間に大きな電流が流れることを問題としている。具体的には、当該処理液が基板に着液した瞬間に、処理液から基板および導通経路部をこの順に経由して接地部に大電流が流れて、基板に放電が生じることを問題としている。

【0004】

この問題を解決すべく、特許文献１では、基板に対して処理液の供給が開始されてからの所定期間、可変抵抗部の抵抗値を、その後の他の期間よりも高くする。これにより、所定期間において、処理液から基板および導通経路部を介して接地部に電流を流れにくくし、放電の発生を低減している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１７－１８３３８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上述のように、特許文献１は、基板および接地部の間の経路の抵抗値と、帯電した処理液から基板に流れる電流との関係について考察し、所定期間における当該抵抗値を高めることで、当該電流を低減している。しかしながら、特許文献１では、当該抵抗値と、処理液による基板の面内ばらつきとの関係についてはなんら考察していない。

【0007】

基板に対する処理は種々の処理があり、その一例として、基板の酸化膜をエッチングするエッチング処理が挙げられる。酸化膜をエッチングする薬液としては、例えば、希フッ酸を採用することができる。この希フッ酸を基板の主面に供給することにより、基板の主面に形成された酸化膜をエッチングすることができる。

【0008】

ここで、基板を、複数のチャックピンによって保持することを想定する。複数のチャックピンは、基板の周縁に沿って等間隔に配列されており、基板の周縁に当接して当該基板を保持する。複数のチャックピンは低抵抗材料で構成されており、複数のチャックピンによって保持された基板と、接地部との間の経路の抵抗値は高い。具体的には、当該導通経路の抵抗値は、チャックピンが高抵抗材料で構成される場合に比べて、低くなる。

【0009】

この場合、基板の主面のうちチャックピン付近の第１領域と、チャックピンから離れた第２領域（例えば基板の中央領域）との間で、エッチング速度の差が見受けられた。具体的には、第１領域におけるエッチング速度が第２領域におけるエッチング速度よりも高くなった。つまり、基板の主面に対するエッチングの面内ばらつきが大きくなった。

【0010】

また、基板に対する処理の一例として、シリコン基板に化学的酸化膜を形成する処理も挙げられる。シリコンに化学的酸化膜をつける薬液として、硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）を採用する場合もある。この場合、当該経路の抵抗値が低いと、基板の主面の第１領域と第２領域との間で、酸化膜の形成速度に差異が生じ得る。具体的には、第１領域の酸化膜の形成速度が第２領域の酸化膜の形成速度よりも高く、第１領域の酸化膜の膜厚が第２領域の酸化膜の膜厚に比べて厚くなる。つまり、基板の主面に対する膜厚の面内ばらつきが大きくなった。

【0011】

以上のように、当該経路の抵抗値が低いと、基板の主面に対する処理の程度の面内ばらつきが大きくなった。なお、当該経路の抵抗値が低いことに起因した処理の面内ばらつきは、上述の薬液に限らず、他の薬液でも生じ得る。

【0012】

また、薬液処理の後には、薬液を洗い流すリンス処理が行われる。リンス処理では、リンス液を基板の主面に供給して、基板の主面上の薬液をリンス液で洗い流す。その後、基板を乾燥させる。当該経路の抵抗値が高い場合、リンス処理において、リンス液と基板との摩擦等により、基板が帯電する可能性がある。基板が帯電すると、基板の乾燥後の種々の工程で不具合を生じさせる可能性があった。

【0013】

そこで、本願では、高い面内均一性で薬液工程を行いつつ、その後のリンス工程での基板の帯電を低減できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0014】

基板処理方法の第１の態様は、複数のチャックピンで基板の周縁を保持する保持工程と、前記基板の表面電位を測定する電位測定工程と、前記チャックピンによって保持された前記基板の主面に垂直な回転軸のまわりで、前記基板を回転させる回転工程と、回転中の前記基板の前記主面に薬液を供給する薬液工程と、前記薬液工程の後に、前記チャックピンによって保持された前記基板と接地との間の導通経路の抵抗値を低減させる抵抗値変更工程と、前記導通経路の抵抗値が低減した状態で、回転中の前記基板の前記主面にリンス液を供給するリンス工程とを備える。
基板処理方法の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記電位測定工程において測定された前記表面電位が基準値以上であるときに実行され、回転中の前記基板の前記主面に除電液を供給する除電工程をさらに備える。

【0015】

基板処理方法の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液は、ＳＰＭまたはフッ酸を含む。

【0016】

基板処理方法の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液工程では、前記チャックピンのうち複数の第１チャックピンで前記基板を保持し、前記抵抗値変更工程では、前記基板を保持する前記チャックピンを、前記第１チャックピンから、前記第１チャックピンよりも抵抗値の小さい複数の第２チャックピンに切り替える。

【0017】

基板処理方法の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理方法であって、前記第１チャックピンの抵抗値は１ＭΩ以上であり、前記第２チャックピンの抵抗値は１０Ω以下である。

【0018】

基板処理方法の第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記薬液工程では、前記チャックピンと接地との間の可変抵抗の抵抗値を第１抵抗値とし、前記抵抗値変更工程では、前記可変抵抗の抵抗値を前記第１抵抗値よりも小さい第２抵抗値に低減する。

【0019】

基板処理方法の第７の態様は、複数のチャックピンで基板の周縁を保持する保持工程と、前記チャックピンによって保持された前記基板の主面に垂直な回転軸のまわりで、前記基板を回転させる回転工程と、回転中の前記基板の前記主面に薬液を供給する薬液工程と、前記薬液工程の後に、前記チャックピンによって保持された前記基板と接地との間の導通経路の抵抗値を低減させる抵抗値変更工程と、前記導通経路の抵抗値が低減した状態で、回転中の前記基板の前記主面にリンス液を供給するリンス工程とを備え、前記薬液工程よりも前に、前記チャックピンによって保持された前記基板に除電液を供給する除電工程をさらに備える。

【0020】

基板処理方法の第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理方法であって、前記導通経路の抵抗値を前記リンス工程での前記導通経路の抵抗値よりも高くした状態で、前記除電工程を開始する。

【0021】

基板処理方法の第９の態様は、第８の態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程の途中で、前記導通経路の抵抗値を低減する。

【0022】

基板処理方法の第１０の態様は、第８の態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程と並行して実行され、前記導通経路を流れる電流を測定する電流測定工程をさらに備え、前記除電工程において、前記電流が第２電流基準値を下回ったときに、前記導通経路の抵抗値を低減する。

【0023】

基板処理方法の第１１の態様は、第７から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程よりも前に、前記基板の表面電位を測定する電位測定工程をさらに備え、前記表面電位が電位基準値よりも大きいときに、前記除電工程における前記導通経路の抵抗値を第３抵抗値に決定し、前記表面電位が前記電位基準値よりも小さいときに、前記除電工程における前記導通経路の抵抗値を前記第３抵抗値よりも低い第４抵抗値に決定する工程をさらに備える。

【0024】

基板処理方法の第１２の態様は、第７から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程よりも前に、前記基板の表面電位を測定する電位測定工程をさらに備え、前記表面電位が電位基準値よりも大きいときに、前記除電工程において前記除電液として、第１除電液を供給し、前記表面電位が前記電位基準値よりも小さいときに、前記除電工程において前記除電液として、前記第１除電液よりも比抵抗値の低い第２除電液を供給する工程をさらに備える。

【0025】

基板処理方法の第１３の態様は、第７から第９および第１１のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程において、前記除電液として第１除電液を供給した後に、前記除電液として前記第１除電液よりも比抵抗値の低い第２除電液を前記基板に供給する。

【0026】

基板処理方法の第１４の態様は、第１３の態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程と並行して実行され、前記導通経路を流れる電流を測定する電流測定工程をさらに備え、前記除電工程において、前記電流が電流基準値を下回ったときに、前記第１除電液の供給を停止し、前記第２除電液の供給を開始する。

【0027】

基板処理方法の第１５の態様は、第７から第９、第１１から第１３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程と並行して実行され、前記導通経路を流れる電流を測定する電流測定工程をさらに備え、前記除電工程において、前記電流が電流基準値を下回ったときに、前記除電液の供給を終了する。

【0028】

基板処理方法の第１６の態様は、第７から第１５のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記除電工程の前に、前記基板に対してドライエッチングを行うドライ工程をさらに備える。

【0029】

基板処理方法の第１７の態様は、第１から第１６のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記基板の主面ではシリコンが露出している。

【0030】

基板処理装置の第１の態様は、基板処理装置であって、基板の周縁に当接して前記基板を保持する保持位置、および、前記基板の周縁から離れて前記基板の保持を解除する解除位置の間を移動する複数の第１チャックピンと、前記第１チャックピンよりも小さい抵抗値を有し、前記基板の周縁に当接して前記基板を保持する保持位置、および、前記基板の周縁から離れて前記基板の保持を解除する解除位置の間を移動する複数の第２チャックピンとを含む基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に垂直な回転軸のまわりで前記基板保持部を回転させる回転機構と、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンを独立して駆動するチャック駆動部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に薬液を供給する薬液ノズルと、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面にリンス液を供給するリンスノズルと、前記基板の表面電位を計測する表面電位センサと、前記基板の前記主面に除電液を供給するか否かを、前記表面電位センサによって測定された前記表面電位に基づいて、判断する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第１チャックピンで前記基板を保持した状態で前記薬液ノズルから前記基板の前記主面に前記薬液を供給させ、前記第２チャックピンで前記基板を保持した状態で前記リンスノズルから前記リンス液を前記基板の前記主面に供給させる。

【0031】

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部によって保持された前記基板の主面に除電液を供給する除電ノズルと、前記基板保持部と接地との間の導通経路を流れる電流を測定する電流センサとをさらに備える。

【発明の効果】

【0032】

基板処理方法の第１から第３の態様および第１７の態様によれば、導通経路の抵抗値が高い状態で、基板の主面に薬液を供給する。よって、導通経路の抵抗値が低いことに起因した薬液工程の面内ばらつきを低減できる。また、導通経路の抵抗値が低い状態で、基板の主面にリンス液を供給する。よって、基板とリンス液との摩擦等による基板の帯電を低減できる。

【0033】

基板処理方法の第４および第５の態様によれば、簡単な構成で、基板保持部と接地との間の抵抗値を変更できる。

【0034】

基板処理方法の第６の態様によれば、可変抵抗を用いているので、導通経路の抵抗値を細かく調整できる。

【0035】

基板処理方法の第７の態様によれば、薬液を供給する前に基板を除電できる。よって、基板の帯電に起因した薬液と基板との間の大電流を低減または回避できる。

【0036】

基板処理方法の第８の態様によれば、基板の帯電量が大きくても、除電液と基板との間の電流を低減しつつ、基板を除電できる。

【0037】

基板処理方法の第９の態様によれば、除電工程の初期では、導通経路の抵抗値は高い。よって、基板と導通経路との間の大電流を低減または回避しつつ、基板を徐々に除電できる。一方で、基板がある程度除電された除電工程の後期では、導通経路の抵抗値を低減しても、初期ほど大電流は流れない。よって、除電工程の後期では、導通経路の抵抗値を低減する。これにより、基板の除電速度を向上できる。

【0038】

基板処理方法の第１０の態様によれば、基板の帯電量を反映する電流に基づいて、導通経路の抵抗値を低減するタイミングが決定される。よって、より確実に、導通経路の抵抗値を低減しても大電流が流れない程度まで帯電量が小さくなった状態で、導通経路の抵抗値を低減できる。

【0039】

基板処理方法の第１１の態様によれば、基板の薬液工程前に基板の帯電量を測定し、その帯電量に応じて、除電工程での導通経路の抵抗値を決定している。これによれば、帯電量が大きいときには、導通経路の抵抗値が高い状態で基板を除電でき、より確実に基板のダメージを低減または回避できる。一方で、帯電量が小さいときには、導通経路の抵抗値が低い状態で基板を除電でき、より確実に基板のダメージを低減または回避しつつ、より速やかに基板を除電できる。

【0040】

基板処理方法の第１２の態様によれば、基板の薬液工程前に基板の帯電量を測定し、その帯電量に応じて、除電工程での除電液を決定している。これによれば、帯電量が大きいときには、比抵抗値が高い第１除電液で基板を除電でき、より確実に基板のダメージを低減または回避できる。一方で、帯電量が小さいときには、比抵抗値が低い第２除電液で基板を除電でき、より確実に基板のダメージを低減または回避しつつ、より速やかに基板を除電できる。

【0041】

基板処理方法の第１３の態様によれば、除電工程の初期では、比抵抗値の高い第１除電液が供給される。よって、処理液と基板と間の大電流を低減または回避しつつ、基板を徐々に除電できる。一方で、基板がある程度除電された除電工程の後期では、比抵抗値の低い第２除電液を供給しても、初期ほど大電流は流れない。よって、除電工程の後期では、第２除電液を供給する。これにより、基板の除電速度を向上できる。

【0042】

基板処理方法の第１４の態様によれば、基板の帯電量を反映する電流に基づいて、除電液を切り替えるタイミングが決定される。よって、より確実に、比抵抗値の小さい第２除電液を供給しても大電流が生じない程度まで帯電量が小さくなった状態で、除電液を第２除電液に切り替えることができる。

【0043】

基板処理方法の第１５の態様によれば、基板の帯電量を反映する電流に基づいて、除電工程を終了するタイミングが決定される。よって、より確実に、帯電量が小さくなった状態で除電工程を終了できる。

【0044】

基板処理方法の第１６の態様によれば、基板が帯電する。

【0045】

基板処理装置の第１の態様によれば、基板を保持するチャックピンと接地との間の抵抗値を切り替えることができる。

【0046】

基板処理装置の第２の態様によれば、電流測定により、間接的に基板の帯電量を測定することができる。

【0047】

本願明細書に開示される技術に関する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

【図面の簡単な説明】

【0048】

【図1】基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図2】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。

【図3】基板保持部の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図4】基板保持部の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図5】制御部の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。

【図6】基板処理装置の動作の一例（第１基板処理）を示すフローチャートである。

【図7】各工程に応じた導通経路の抵抗値の一例を示すグラフである。

【図8】基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。

【図9】基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。

【図10】基板処理装置の動作の他の一例（第２基板処理）を示すフローチャートである。

【図11】各工程に応じた導通経路の抵抗値の一例を示すグラフである。

【図12】基板処理装置の動作の他の一例（第３基板処理）を示すフローチャートである。

【図13】各工程に応じた導通経路の抵抗値の一例を示すグラフである。

【図14】基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。

【図15】除電工程の一例を概略的に示すフローチャートである。

【図16】基板処理装置の動作の他の一例を示すフローチャートである。

【図17】第４基板処理の動作の他の一例を示すフローチャートである。

【図18】各工程に応じた導通経路の抵抗値の一例を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0049】

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

【0050】

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

【0051】

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

【0052】

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣのすべてを含む。

【0053】

＜基板処理システムの概略構成＞
図１は、基板洗浄装置として機能する基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１で示されるように、基板処理システム１００は、例えば、基板の一例としての半導体基板（ウエハ）９の表面に付着した有機系のゴミを除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。有機系のゴミとしては、例えば、基板９の表面に不純物を注入するイオン注入処理等の後において基板９の表面に残っている不要になったレジスト、あるいは基板９の表面のうちの外周部の近傍に付着しているレジスト等に由来する有機系のゴミ等、が含まれる。

【0054】

基板処理システム１００は、収容器としての複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構としてのロードポートＬＰと、基板９を処理する複数（この実施の形態では、１２台）の処理ユニット１１０とを含む。具体的には、例えば、平面的に配置されている４台の処理ユニット１１０でそれぞれ構成されている３組の処理ユニット１１０が、鉛直方向に積層するように配置されている。

【0055】

基板処理システム１００は、さらに、例えば、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御部６とを含む。インデクサロボットＩＲは、例えば、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板９を搬送することができる。センターロボットＣＲは、例えば、インデクサロボットＩＲと各処理ユニット１１０との間で基板９を搬送することができる。制御部６は、例えば、基板処理システム１００に備えられた各部の動作およびバルブの開閉等を制御することができる。

【0056】

ここでは、図１で示されるように、ロードポートＬＰと各処理ユニット１１０とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。ロードポートＬＰにおいて、複数枚の基板９を収容する複数のキャリアＣは、平面視したときに水平な配列方向Ｄに沿って配列されている。ロードポートＬＰは、基板９を搬入する搬入部として機能する。ここで、インデクサロボットＩＲは、例えば、キャリアＣから基板載置部ＰＡＳＳに複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができるとともに、基板載置部ＰＡＳＳからキャリアＣに複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができる。基板載置部ＰＡＳＳは、基板９を載置する載置台を含む。

【0057】

センターロボットＣＲは、例えば、基板載置部ＰＡＳＳから各処理ユニット１１０に複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができるとともに、各処理ユニット１１０から基板載置部ＰＡＳＳに複数枚の基板９を一枚ずつ搬送することができる。また、例えば、センターロボットＣＲは、必要に応じて複数の処理ユニット１１０の間において基板９を搬送することができる。インデクサロボットＩＲ、基板載置部ＰＡＳＳおよびセンターロボットＣＲは、基板９を搬入部（ロードポートＬＰ）から受け取り、処理ユニット１１０に受け渡す基板受渡部として機能する。

【0058】

図１の例では、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状のハンドＨを有している。ここでは、インデクサロボットＩＲは２つのハンドＨを有する。２つのハンドＨは、互いに異なる高さに配置される。各ハンドＨは基板９を水平な姿勢で支持することができる。インデクサロボットＩＲはハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。インデクサロボットＩＲは、受渡位置（図１でインデクサロボットＩＲが描かれている位置）を通る経路において配列方向Ｄに沿って移動する。受渡位置は、平面視したときにインデクサロボットＩＲと基板載置部ＰＡＳＳとが配列方向Ｄに直交する方向において対向する位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよび基板載置部ＰＡＳＳにそれぞれハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、インデクサロボットＩＲはハンドＨを移動させることにより、キャリアＣに基板９を搬入する搬入動作と、キャリアＣから基板９を搬出する搬出動作とを行うことができる。また、例えば、インデクサロボットＩＲは受渡位置においてハンドＨを移動させることにより、基板載置部ＰＡＳＳに基板９を搬入する搬入動作と、基板載置部ＰＡＳＳら基板９を搬出する搬出動作とを行うことができる。

【0059】

図１の例では、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと同様に、平面視Ｕ字状のハンドＨを有している。ここでは、センターロボットＣＲは２つのハンドＨを有する。２つのハンドＨは、互いに異なる高さに配置される。各ハンドＨは基板９を水平な姿勢で支持することができる。センターロボットＣＲは各ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させることができる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直方向に沿った軸を中心として回転（自転）することで、ハンドＨの向きを変更することができる。センターロボットＣＲは、平面視したときに、複数台の処理ユニット１１０に取り囲まれている。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット１１０および基板載置部ＰＡＳＳのいずれかにハンドＨを対向させることができる。ここで、例えば、センターロボットＣＲはハンドＨを移動させることにより、各処理ユニット１１０に基板９を搬入する搬入動作と、各処理ユニット１１０から基板９を搬出する搬出動作とを行うことができる。また、例えば、センターロボットＣＲはハンドＨを移動させることにより、基板載置部ＰＡＳＳに基板９を搬入する搬入動作と、基板載置部ＰＡＳＳら基板９を搬出する搬出動作とを行うことができる。

【0060】

未処理の基板９はキャリアＣからインデクサロボットＩＲによって取り出され、基板載置部ＰＡＳＳを経由してセンターロボットＣＲに受け渡される。センターロボットＣＲはこの未処理の基板９を処理ユニット１１０に搬入する。処理ユニット１１０は基板９に対して処理を行う。処理済みの基板９はセンターロボットＣＲによって処理ユニット１１０から取り出され、必要に応じて他の処理ユニット１１０を経由した上で、基板載置部ＰＡＳＳを介してインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは処理済みの基板９をキャリアＣに搬入する。以上により、基板９に対する処理が行われる。

【0061】

＜第１の実施の形態＞
＜基板処理装置＞
図２は、上記処理ユニット１１０の一つに相当する基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１は、基板９を一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板９は、例えば、シリコン基板であり、円板形状を有している。基板処理装置１は、基板９を保持し、基板９に対して種々の処理液を順次に供給して、当該処理液に応じた処理を基板９に対して行う。

【0062】

基板処理装置１は、基板保持部２と、基板回転機構３と、処理液供給部４と、抵抗値変更機構５とを含む。基板保持部２、基板回転機構３および抵抗値変更機構５は、箱状のチャンバ内に収容される。当該チャンバは、およそ密閉された内部空間を形成する。

【0063】

基板保持部２は基板９を水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。以下では、基板９の両主面のうち、基板保持部２によって保持された状態で上側を向く主面を上面とも呼び、下側を向く主面を下面とも呼ぶ。

【0064】

基板回転機構３は回転軸Ｊ１のまわりで基板保持部２を回転させる。回転軸Ｊ１は、基板保持部２によって保持された基板９の中央部を通り、鉛直方向に沿って延在する軸である。基板回転機構３が基板保持部２を回転させることにより、基板保持部２によって保持された基板９も回転軸Ｊ１のまわりで回転する。

【0065】

処理液供給部４は、回転中の基板９の主面に処理液を供給する。例えば処理液供給部４は基板９の中央部に向かって処理液を供給する。基板９の中央部に着液した処理液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の当該主面の全面に広がって基板９の周縁から外側に飛散する。これにより、処理液が基板９の主面に作用し、処理液の種類に基づく処理を基板９に対して行うことができる。例えば、処理液が除電液である場合には、基板９を除電することができ、処理液がエッチング液である場合には、基板９の主面をエッチングすることができる。

【0066】

抵抗値変更機構５は、基板保持部２と接地部材（不図示）との間の電気的な抵抗値を変更する機構である。当該抵抗値が低い場合には、基板９に生じた電荷は基板保持部２を介して接地部材と流れやすい。一方で、当該抵抗値が高い場合には、基板９に生じた電荷は接地部材に流れにくい。

【0067】

＜基板保持部２＞
基板保持部２は複数のチャックピン２２を含んでいる。複数のチャックピン２２は平面視において、基板９の周縁に沿って配列されており、例えば等間隔に配置される。各チャックピン２２は、基板９の周縁に当接する保持位置と、基板９の周縁から離れた解除位置との間で移動する。複数のチャックピン２２は、それぞれの保持位置で停止することにより、基板９の周縁を水平姿勢で保持する。複数のチャックピン２２は、それぞれの保持位置から解除位置へ移動することにより、基板９の保持を解除する。

【0068】

図２の例では、基板保持部２は対向板部２１を含んでいる。対向板部２１は、例えば、回転軸Ｊ１を中心とする円板形状を有する。基板保持部２は対向板部２１よりも上側において基板９を保持しており、対向板部２１の上側を向く面は、基板９の下面に対向する対向面２１１である。対向面２１１は回転軸Ｊ１に垂直な方向に広がる。対向面２１１の外周縁は基板９よりも外側に位置している。言い換えれば、対向面２１１の径は基板９の径よりも大きい。

【0069】

複数のチャックピン２２は、基板９の周縁に沿って並んで配列される。具体的には、複数のチャックピン２２が、基板９よりも僅かに大きな径を有する基準円に沿って略等間隔で配列されている。例えば、６つのチャックピン２２が６０度間隔で配列される。

【0070】

対向面２１１には、複数の穴部２１３が設けられる。鉛直方向に垂直な穴部２１３の断面形状は、円形である。具体的な一例として、６つの穴部２１３が６０度間隔で配列される。複数のチャックピン２２は複数の穴部２１３にそれぞれ挿入される。穴部２１３にはベアリング２１４が設けられており、穴部２１３の回動軸Ｊ２を中心として、チャックピン２２がベアリング２１４によって、対向板部２１に対して回動可能に支持される。以下の説明では、回動軸Ｊ２を「チャック回動軸Ｊ２」という。基板保持部２の一例では、穴部２１３に設けられる図示省略の係止部材により、チャックピン２２が回動可能な範囲が、所定の角度範囲（後述の保持位置と解除位置とを含む角度範囲）に制限されている。

【0071】

各チャックピン２２は、突出部２２１と、支持体２２２とを含んでいる。支持体２２２は穴部２１３の内部においてベアリング２１４に連結される。具体的には、支持体２２２がベアリング２１４の内輪に固定され、ベアリング２１４の外輪が穴部２１３の内部で対向板部２１に固定される。突出部２２１は支持体２２２の上面に設けられており、上側に突出する。突出部２２１は平面視において、チャック回動軸Ｊ２からずれた位置に配置される。よって、チャックピン２２がチャック回動軸Ｊ２のまわりで回動することにより、突出部２２１は、チャック回動軸Ｊ２を中心とした周方向に沿って移動する。突出部２２１はチャックピン２２が回動することにより、基板９の周縁に当接する保持位置と基板９の周縁から離れた解除位置との間で往復移動する。

【0072】

突出部２２１はチャック当接面を有しており、当該チャック当接面が基板９の周縁に当接する。チャック当接面は例えばＶ字形状を有しており、基板９をその厚み方向に挟んで把持することができる。

【0073】

基板保持部２には、チャック駆動部２３が設けられている。チャック駆動部２３はチャックピン２２を駆動して、チャックピン２２を保持位置と解除位置との間で回動させる。言い換えれば、チャック駆動部２３はチャックピン２２を回動させる駆動力を、チャックピン２２に作用させる。チャック駆動部２３は例えばモータを含んでいてもよい。

【0074】

あるいは、チャック駆動部２３は、チャックピン２２の支持体２２２の下端に連結された第１磁石と、第２磁石と、第１磁石および第２磁石の間の距離を変化させる移動機構とを含んでいてもよい。移動機構は、例えば、ボールねじ機構またはエアシリンダーを含み、第２磁石を鉛直方向に沿って移動させる。移動機構が第２磁石を第１磁石に近づけることにより、第１磁石および第２磁石の間の磁気作用により、チャックピン２２を保持位置および解除位置の一方まで回動させることができる。逆に移動機構が第２磁石を第１磁石から遠ざけることにより、第１磁石および第２磁石の間の磁気作用が消失し、チャックピン２２を保持位置および解除位置の他方まで回動させることができる。

【0075】

＜基板回転機構＞
基板回転機構３は回転軸Ｊ１のまわりで基板保持部２を回転させる。図２の例では、基板回転機構３は、シャフト部３１と、モータ３２とを含んでいる。シャフト部３１は、回転軸Ｊ１を中心とする円筒状の形状を有しており、その上端が基板保持部２の下面（具体的には、対向板部２１の下面２１２）の中央部に固定される。シャフト部３１は回転可能にモータ３２に連結されている。モータ３２はシャフト部３１を回転させて、基板保持部２を回転軸Ｊ１のまわりで回転させる。これにより、基板保持部２によって保持された基板９も回転軸Ｊ１のまわりで回転する。

【0076】

図２の例では、モータ３２は固定部材３３を介してチャンバの床部材１０に固定されている。固定部材３３は、チャンバの床部材１０から鉛直上側に延在している。図２の例では、固定部材３３はモータ３２のモータケースに固定されて、モータ３２を床部材１０から離れた状態で支持する。

【0077】

＜処理液供給部＞
処理液供給部４は、基板保持部２によって保持された基板９の主面に処理液（薬液およびリンス液を含む）を供給する。処理液供給部４は薬液供給部４１を含んでいる。薬液供給部４１は、基板保持部２によって保持された基板９の主面に薬液を供給する。薬液としては、例えば、フッ酸を含む薬液、または、硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）などの薬液を採用できる。フッ酸を含む薬液としては、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）を採用できる。

【0078】

薬液供給部４１は、薬液ノズル４１１と、供給管４１２と、バルブ４１３と、薬液供給源４１５とを含んでいる。薬液ノズル４１１はチャンバ内においてノズルアーム４１４により支持される。ノズルアーム４１４は図示省略のノズル移動機構に接続される。ノズル移動機構は薬液ノズル４１１を吐出位置と待機位置との間で移動させる。吐出位置は、例えば、鉛直方向において基板９の上面の中央部と対向する位置であり、待機位置は、例えば、鉛直方向において基板９と対向しない位置である。薬液ノズル４１１は供給管４１２を介して薬液供給源４１５に接続される。薬液供給源４１５から供給管４１２を介して薬液ノズル４１１に薬液が供給されることにより、薬液ノズル４１１から基板９の上面の中央部に向けて当該薬液が吐出される。

【0079】

薬液供給部４１は回転中の基板９の上面に薬液を供給する。これにより、基板９の上面に着液した薬液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて基板９の周縁側に流れ、基板９の周縁から外側に飛散する。薬液が基板９の上面に作用することにより、薬液の種類に応じた処理を基板９に対して行うことができる。

【0080】

処理液供給部４はリンス液供給部４２も含んでいる。リンス液供給部４２は、基板保持部２によって保持された基板９の主面にリンス液を供給する。リンス液としては、例えば、純水（ＤＩＷ）を採用できる。

【0081】

リンス液供給部４２は、リンスノズル４２１と、供給管４２２と、バルブ４２３と、リンス液供給源４２５とを含んでいる。リンスノズル４２１はチャンバ内においてノズルアーム４２４により支持される。ノズルアーム４２４は図示省略のノズル移動機構に接続される。ノズル移動機構はリンスノズル４２１を吐出位置と待機位置との間で移動させる。吐出位置は、例えば、鉛直方向において基板９の上面の中央部と対向する位置であり、待機位置は、例えば、鉛直方向において基板９と対向しない位置である。リンスノズル４２１は供給管４２２を介してリンス液供給源４２５に接続される。リンス液供給源４２５から供給管４２２を介してリンスノズル４２１にリンス液が供給されることにより、リンスノズル４２１から基板９の上面の中央部に向けて当該リンス液が吐出される。

【0082】

なお、上述の例では、薬液ノズル４１１およびリンスノズル４２１は異なるノズルアーム４１４，４２４にそれぞれ連結されて、互いに独立して移動するものの、必ずしもこれに限らない。例えば、薬液ノズル４１１およびリンスノズル４２１が同一のノズルアームに連結されて、一体に移動しても構わない。また、薬液ノズル４１１およびリンスノズル４２１が一つのノズルで兼用されても構わない。

【0083】

リンス液供給部４２は回転中の基板９の上面にリンス液を供給する。これにより、基板９の上面に着液したリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて基板９の周縁側に流れ、基板９の周縁から外側に飛散する。リンス液は基板９の上面の薬液を洗い流すことができる。

【0084】

＜カップ部＞
図２の例では、カップ部７が設けられている。カップ部７は筒状の形状を有し、基板保持部２を取り囲む。カップ部７の上端は、基板保持部２によって保持された基板９の上面よりも上側に位置している。回転中の基板９の上面に供給されて基板９の周縁から飛散する処理液はカップ部７の内周面に当接し、不図示の回収機構に回収される。

【0085】

＜抵抗値変更機構＞
抵抗値変更機構５は、基板９が基板保持部２によって保持された状態で、基板９と接地部材との間の導通経路Ｒ１の抵抗値を変更する。以下では、まず、導通経路Ｒ１の一例について説明する。導通経路Ｒ１は、例えば、基板９を保持するチャックピン２２から、ベアリング２１４、対向板部２１、シャフト部３１、モータ３２、固定部材３３およびチャンバの床部材１０をこの順に介して接地部材（不図示）に至る経路である。接地部材には接地電位が印加される。

【0086】

ベアリング２１４、対向板部２１、シャフト部３１、固定部材３３および床部材１０は導電性を有しており、それぞれ、例えば金属によって形成される。例えばベアリング２１４の内輪、外輪およびこれらの間の転動体は金属によって形成される。シャフト部３１は例えば金属によって形成され、ベアリング（不図示）を介してモータ３２に連結される。当該ベアリングも導電性を有しており、例えば金属によって形成される。当該ベアリングはモータ３２の固定子（モータケースを含む）に連結される。当該固定子も導電性を有しており、例えば金属によって形成される。固定部材３３はモータ３２の固定子に連結されており、また、チャンバの床部材１０にも連結される。固定部材３３および床部材１０も例えば金属によって形成される。チャンバの床部材１０は接地部材に電気的に接続されている。

【0087】

なお、導通経路Ｒ１を構成する各種部材は、必ずしも導電性部材のみによって構成される必要はない。導通経路Ｒ１を阻害しない限りにおいて、各種部材が絶縁部材を含んでいてもよい。例えば各種部材のうち導通経路Ｒ１を構成する箇所とは別の箇所が絶縁部材で構成されてもよい。

【0088】

導通経路Ｒ１の抵抗値の変更は、例えば、次のようにして実現することができる。例えば、チャックピン２２を、比抵抗値の高い高抵抗材料で構成された第１チャックピン群と、第１チャックピン群よりも比抵抗値の低い低抵抗材料で構成された第２チャックピン群とで構成し、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群および第２チャックピン群との間で切り替える。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値を変更することができる。

【0089】

図３および図４は、基板保持部２の構成の一例を概略的に示す平面図である。図３および図４の例では、簡単のために、チャックピン２２の形状を簡略化して示している。図３および図４の例では、６つのチャックピン２２が示されており、これらが３つのチャックピン２２ａおよび３つのチャックピン２２ｂに分類されている。

【0090】

３つのチャックピン２２ａは基板９の周縁に沿って等間隔に配列されており、具体的には、１２０度間隔で配列されている。３つのチャックピン２２ｂも基板９の周縁に沿って等間隔に配列されており、具体的には、１２０度間隔で配列されている。チャックピン２２ａ，２２ｂは、回転軸Ｊ１を中心とした１つの仮想円上に配列される。なお、第１チャックピン群を構成するチャックピン２２ａの個数および第２チャックピン群を構成するチャックピン２２ｂの個数は適宜に変更し得る。チャックピン２２ａおよびチャックピン２２ｂの個数は互いに相違していてもよい。

【0091】

チャックピン２２のすべてが同一の材料で構成される必要はなく、チャックピン２２が、材料の異なる複数の部材が組み合わせて構成されてもよい。要するに、チャック当接面からベアリング２１４に至る経路の抵抗値が、チャックピン２２ａにおいて高く、チャックピン２２ｂにおいて低ければよい。

【0092】

また、チャックピン２２ａ，２２ｂが複合材料によって構成されてもよい。複合材料は例えば導電性材料と合成樹脂とを含む材料である。導電性材料は合成樹脂の内部に分散しており、複合材料は、導電性材料の量に応じた導電性を有する。この複合材料に含まれる導電性材料の割合を調整することにより、複合材料の比抵抗値を調整することができる。具体的には、導電性材料の割合を高くした複合材料（高抵抗材料）でチャックピン２２ａを構成し、導電性材料の割合を低くした複合材料（低抵抗材料）でチャックピン２２ｂを構成する。

【0093】

導電性材料は、例えば、炭素繊維、炭素の粉末および粒子の少なくともいずれか一つを含む。導電性材料として、カーボンナノチューブ、フラーレンおよびグラフェンなどのナノ炭素材料を採用してもよい。合成樹脂は例えばＰＦＡ（tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene）およびＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）の少なくともいずれか一つを含む。

【0094】

チャック駆動部２３は第１チャックピン群および第２チャックピン群を互いに独立に駆動する。チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群および第２チャックピン群の間で切り替える。図３および図４では、突出部２２１が長方形で示されている。図３および図４では、回転軸Ｊ１を中心とした径方向に平行な長軸を有する突出部２２１は、そのチャックピン２２が保持位置で停止していることを示しており、回転軸Ｊ１を中心とした周方向と平行な長軸を有する突出部２２１は、そのチャックピン２２が解除位置で停止していることを示している。

【0095】

チャック駆動部２３は、チャックピン２２ａをそれぞれの保持位置に移動させ、チャックピン２２ｂをそれぞれの解除位置に移動させることにより、複数のチャックピン２２ａで基板９の周縁を保持させる（図３）。これにより、高抵抗材料で構成されたチャックピン２２ａが基板９を保持する。よって、導通経路Ｒ１の抵抗値を高くすることができる。

【0096】

一方で、チャック駆動部２３は、チャックピン２２ａをそれぞれの解除位置に移動させ、チャックピン２２ｂをそれぞれの保持位置に移動させることにより、複数のチャックピン２２ｂで基板９の周縁を保持させる（図４）。これにより、低抵抗材料で構成されたチャックピン２２ｂが基板９を保持する。よって、導通経路Ｒ１の抵抗値を低くすることができる。

【0097】

このような構成によれば、抵抗値変更機構５は、第１チャックピン群、第２チャックピン群およびチャック駆動部２３を含む基板保持部２によって構成される。

【0098】

＜制御部＞
制御部６は、例えば、基板処理システム１００に含まれた各部の動作を制御することができる。図５は、基板処理システム１００の電気的な構成の一例を概略的に示す図である。制御部６は電子回路であって、例えばデータ処理装置６１および記憶媒体６２を有していてもよい。図５の例では、データ処理装置６１と記憶媒体６２とはバス６３を介して相互に接続されている。データ処理装置６１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体６２は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）６２１および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））６２２を有していてもよい。非一時的な記憶媒体６２１には、例えば制御部６が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置６１がこのプログラムを実行することにより、制御部６が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部６が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

【0099】

図５では、インデクサロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２、基板回転機構３、処理液供給部４および抵抗値変更機構５がバス６３に接続された態様が一例として概略的に示されている。

【0100】

＜基板処理装置の処理の流れ＞
図６は、基板処理の流れの一例を示すフローチャートである。ここでは、基板９の上面には、エッチング対象膜の一例である酸化膜が形成されているものとし、基板処理において基板９の上面に薬液の一例である希フッ酸を供給し、酸化膜をエッチング除去する。酸化膜は基板９の上面の一部で露出していてもよく、あるいは、基板９の上面の全面に露出していてもよい。

【0101】

まず、センターロボットＣＲが未処理の基板９を基板処理装置１に搬入し、基板保持部２が基板９を水平姿勢で保持する（ステップＳ１：保持工程）。

【0102】

図７は、各工程に応じた導通経路Ｒ１の抵抗値の一例を示すグラフである。図７の例では、基板保持部２は、導通経路Ｒ１の抵抗値が高くなる状態で基板９を保持する。具体的な一例として、チャック駆動部２３は第１チャックピン群を保持位置に移動させ、第２チャックピン群を解除位置に移動させる。これにより、複数のチャックピン２２ａによって基板９が保持される。複数のチャックピン２２ａは高抵抗材料によって形成されるので、導通経路Ｒ１の抵抗値は高くなる。

【0103】

次に、基板回転機構３が基板９を回転させる（ステップＳ２：回転工程）。具体的には、モータ３２がシャフト部３１および基板保持部２を回転させる。これにより、基板保持部２によって保持された基板９が回転軸Ｊ１まわりで回転する。

【0104】

次に、薬液供給部４１は、回転中の基板９の上面に薬液（希フッ酸）を供給する（ステップＳ３：薬液工程）。具体的には、ノズル移動機構が薬液ノズル４１１を吐出位置に移動させ、バルブ４１３が供給管４１２の内部流路を開く。これにより、薬液供給源４１５からの薬液が供給管４１２の内部流路を薬液ノズル４１１へ向かって流れ、薬液ノズル４１１の吐出口から基板９の上面の中央部に向かって吐出される。

【0105】

基板９の中央部に着液した薬液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の上面の全面に広がり、基板９の周縁から外側に飛散する。これにより、薬液が基板９の上面のエッチング対象膜に作用し、エッチング対象膜をエッチングする。

【0106】

例えば、薬液の供給開始から薬液処理時間が経過すると、バルブ４１３が供給管４１２の内部流路を閉じる。これにより、薬液ノズル４１１からの薬液の吐出が停止する。薬液処理時間は、基板９に対する処理が完了する時間であり、例えば予め設定される。ノズル移動機構は薬液ノズル４１１を待機位置に移動させる。

【0107】

次に、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を低減させる（ステップＳ４：抵抗値変更工程）。具体的には、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群から第２チャックピン群に切り替える。例えば、チャック駆動部２３は第２チャックピン群を保持位置に移動させてから、第１チャックピン群を解除位置に移動させる。これにより、複数のチャックピン２２ｂが基板９の周縁を保持する。チャックピン２２ｂは低抵抗材料によって形成されているので、導通経路Ｒ１の抵抗値が低減する（図７も参照）。

【0108】

次に、リンス液供給部４２は、回転中の基板９の上面にリンス液を供給する（ステップＳ５：リンス工程）。具体的には、ノズル移動機構がリンスノズル４２１を吐出位置に移動させ、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を開く。これにより、リンス液供給源４２５からのリンス液（例えば純水）が供給管４２２の内部流路をリンスノズル４２１へ向かって流れ、リンスノズル４２１の吐出口から基板９の上面の中央部に向かって吐出される。

【0109】

基板９の中央部に着液したリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の上面の全面に広がり、基板９の周縁から外側に飛散する。これにより、基板９の上面に残留した薬液がリンス液によって洗い流される。言い換えれば、基板９の上面の薬液がリンス液に置換される。

【0110】

例えば、リンス液の供給開始からリンス処理時間が経過すると、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を閉じる。これにより、リンスノズル４２１からのリンス液の吐出が停止する。リンス処理時間は、薬液からリンス液への置換を完了するのに十分な時間であり、例えば予め設定される。ノズル移動機構はリンスノズル４２１を待機位置に移動させる。

【0111】

次に、基板９を乾燥させる（ステップＳ６：乾燥工程）。例えば基板回転機構３は基板９の回転速度を増加させる（いわゆるスピンドライ）。これにより、基板９が乾燥する。基板９が十分に乾燥すると、基板回転機構３は基板９の回転を停止させる。

【0112】

次に、センターロボットＣＲが処理済みの基板９を基板処理装置１から搬出する（ステップＳ７）。

【0113】

以上のようにして、基板９に対する処理（上述の例ではエッチング処理）を行うことができる。

【0114】

しかも、上述の例では、薬液工程（ステップＳ３）では、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、基板９の上面に希フッ酸が供給される。比較のために、導通経路Ｒ１の抵抗値が低い状態で、基板９の上面に希フッ酸が供給される場合について述べる。この場合、基板９の上面のうちチャックピン２２の付近の第１領域では、チャックピン２２から離れた領域（例えば中央領域）に比べて、エッチング速度が高くなる。これにより、基板９の上面の第１領域では、第２領域に比べて、酸化膜が大きくエッチングされてしまい、エッチングの面内ばらつきが大きくなる。

【0115】

これに対して、上述の例では、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、基板９の上面に希フッ酸が供給される。よって、導通経路Ｒ１の抵抗値が低いことに起因したエッチングの面内ばらつきを低減することができる。

【0116】

一方で、リンス工程（ステップＳ５）では、導通経路Ｒ１の抵抗値が小さい状態で、基板９の上面にリンス液が供給される。このリンス液の比抵抗値は薬液（希フッ酸）の比抵抗値よりも高い。よって、リンス液と基板９との間の摩擦等により、基板９に電荷が生じやすい。言い換えれば、基板９が帯電しやすい。もし基板９が帯電すると、その後の工程（例えば乾燥工程、搬出工程、または、基板処理装置１よりも後の工程）で不具合が生じ得る。しかしながら、リンス工程では、導通経路Ｒ１の抵抗値は小さい。したがって、基板９に生じた電荷はチャックピン２２ｂから導通経路Ｒ１を介して接地部材へと流れやすい。したがって、リンス工程において基板９に生じる帯電を低減または回避することができる。ひいては、その後の工程における不具合の発生を低減または回避できる。

【0117】

＜薬液の種類＞
上述の例では、基板９の酸化膜をエッチングする場合について述べた。しかしながら、本実施の形態は必ずしもエッチング処理に限定されない。例えば、基板９の主面にシリコンが露出している場合、当該基板９の主面に対して、硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）を供給すると、基板９のシリコンの上に化学的酸化膜を形成することができる。

【0118】

この場合、導通経路Ｒ１の抵抗値が高いと、基板９の上面のうちチャックピン２２の付近の第１領域では、第２領域に比べて、酸化膜の形成速度が高くなる。これにより、基板９の上面の第１領域では、第２領域に比べて、酸化膜の膜厚が大きくなる。つまり、酸化膜の膜厚の面内ばらつきが大きくなる。

【0119】

そこで、薬液工程において供給する薬液としてＳＰＭを採用する場合も、図６と同様の処理を実行するとよい。ただし、基板９の上面は例えばシリコンが露出している。また、薬液工程（ステップＳ３）では、薬液供給部４１は薬液としてＳＰＭを基板９の上面に供給する。これにより、基板９の上面に化学的酸化膜（シリコン酸化膜）を形成することができる。なお、薬液供給部４１は、薬液ノズル４１１内またはその直前で硫酸と過酸化水素水とを混合してＳＰＭを生成し、薬液ノズル４１１の吐出口からＳＰＭを吐出するとよい。ＳＰＭの生成から短時間しかＳＰＭの活性力を確保できないからである。

【0120】

この基板処理においても、薬液工程（ステップＳ３）において、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、基板９の上面にＳＰＭが供給される。よって、導通経路Ｒ１の抵抗値が低いことに起因した酸化膜の膜厚の面内ばらつきを低減することができる。

【0121】

なお、薬液は、フッ酸を含む薬液およびＳＰＭに限定されない。要するに、基板９と接地部材との間の導通経路Ｒ１の抵抗値が小さいことに起因して処理の面内ばらつきを生じさせる薬液であれば、本実施の形態の基板処理方法を適用できる。薬液の他の例として、オゾン水などが挙げられる。なお、以下では、代表的に薬液として希フッ酸を採用する場合について述べる。

【0122】

＜抵抗値変更機構の他の例＞
図８は、基板処理装置１Ａの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１Ａは、抵抗値変更機構５の構成を除いて、基板処理装置１と同様の構成を有している。

【0123】

抵抗値変更機構５は可変抵抗５１を含んでいる。この可変抵抗５１は導通経路Ｒ１上に設けられる。可変抵抗５１は、例えば、導通経路Ｒ１を構成する他の部材に対して直列に接続されてもよい。より具体的な一例として、可変抵抗５１はモータ３２のモータケースと固定部材３３との間に設けられてもよい。可変抵抗５１の抵抗値は制御部６によって制御される。制御部６が可変抵抗５１の抵抗値を変更することにより、導通経路Ｒ１の抵抗値を変更することができる。

【0124】

基板処理装置１Ａにおいては、可変抵抗５１によって導通経路Ｒ１の抵抗値を変更することができるので、すべてのチャックピン２２の抵抗値は実質的に互いに同一であってもよい。この場合、チャック駆動部２３はすべてのチャックピン２２を一体に駆動してもよい。

【0125】

基板処理装置１Ａの基板処理の流れは図６と同様である。ただし、導通経路Ｒ１の抵抗値を変更するために基板９を保持するチャックピン２２を切り替える必要はなく、導通経路Ｒ１の抵抗値は可変抵抗５１のみによって変更されてもよい。あるいは、可変抵抗５１の変更とともに、チャックピン２２ａ，２２ｂの切り替えを行ってもよい。以下では、可変抵抗５１によって導通経路Ｒ１の抵抗値を変更する例について述べる。制御部６は、導通経路Ｒ１の抵抗値が薬液工程（ステップＳ３）において高い状態となるように、例えば薬液工程の直前から可変抵抗５１の抵抗値を高抵抗値とする。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、薬液工程を行うことができる。また、抵抗値変更工程（ステップＳ４）では、制御部６は可変抵抗５１の抵抗値を高抵抗値から低抵抗値に低減させる。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値が低い状態で、リンス工程（ステップＳ５）を行うことができる。

【0126】

これによっても、エッチングの面内ばらつきを低減しつつ、リンス工程による基板９の帯電も低減することができる。また、可変抵抗５１を用いることで、導通経路Ｒ１の抵抗値をより細かく調整することができる。一方で、抵抗値の異なるチャックピン２２ａ，２２ｂを用いることで、簡易な構成で導通経路Ｒ１の抵抗値を変更することができる。

【0127】

なお、以下では、代表的に、抵抗値変更機構５として、第１チャックピン群および第２チャックピン群を含む基板保持部２を採用する場合について述べる。

【0128】

＜第２の実施の形態＞
帯電した基板９に対して、比抵抗値の低い処理液を供給すると、基板９から処理液へと大きな電流が流れ、基板９にダメージが生じ得る。そこで、第２の実施の形態では、基板９を除電できる技術について述べる。

【0129】

図９は、基板処理装置１Ｂの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１Ｂは処理液供給部４の構成を除いて、基板処理装置１と同様の構成を有している。第２の実施の形態では、処理液供給部４は除電液供給部４３をさらに含んでいる。除電液供給部４３は除電液を基板９の主面に供給することができる。回転中の基板９の主面に除電液を供給することにより、除電液が基板９を除電することができる。除電液としては、例えば純水または炭素水（ＣＯ_２水）を採用できる。

【0130】

除電液供給部４３は、除電ノズル４３１と、供給管４３２と、バルブ４３３と、除電液供給源４３５とを含んでいる。除電ノズル４３１はチャンバ内においてノズルアーム４３４により支持される。ノズルアーム４３４は図示省略のノズル移動機構に接続される。ノズル移動機構は除電ノズル４３１を吐出位置と待機位置との間で移動させる。吐出位置は、例えば、鉛直方向において基板９の上面の中央部と対向する位置であり、待機位置は、例えば、鉛直方向において基板９と対向しない位置である。除電ノズル４３１は供給管４３２を介して除電液供給源４３５に接続される。除電液供給源４３５から供給管４３２を介して除電ノズル４３１に除電液が供給されることにより、除電ノズル４３１から基板９の上面の中央部に向けて当該除電液が吐出される。

【0131】

なお、除電ノズル４３１は、薬液ノズル４１１およびリンスノズル４２１の少なくともいずれかに連結されたノズルアームに連結されて、少なくともいずれか一方と一体に移動しても構わない。また、除電ノズル４３１は、薬液ノズル４１１およびリンスノズル４２１の少なくともいずれか一方と兼用されても構わない。

【0132】

また、リンス液および除電液の両方として純水を採用する場合、除電液供給部４３はリンス液供給部４２と兼用される。この場合、除電ノズル４３１と、供給管４３２と、バルブ４３３と、除電液供給源４３５は設けられず、リンスノズル４２１は除電ノズルとして機能する。

【0133】

＜基板処理の流れ＞
図１０は、基板処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、センターロボットＣＲは基板９を基板処理装置１に搬入し、基板保持部２が基板９を保持する（ステップＳ１１：保持工程）。なお、ここでは、基板９は基板処理装置１の搬入前の前工程によって帯電している。例えば、前工程において、基板９に対してドライエッチング（例えばイオンエッチング）等のドライ工程が行われる。基板９にドライエッチングが行われると、基板９は大きく帯電する。基板９の帯電量を示す指標として、基板９の表面電位を採用できる。ここでいう基板９の表面電位は、例えば、接地部材の接地電位を基準とした電位である。表面電位の絶対値が大きいほど、帯電量は大きい。

【0134】

図１１は、各工程に応じた導通経路Ｒ１の抵抗値の一例を示すグラフである。ステップＳ１では、基板保持部２は、導通経路Ｒ１の抵抗値が高くなる状態で基板９を保持する。具体的な一例として、チャック駆動部２３は、高抵抗材料によって形成された第１チャックピン群を保持位置に移動させ、第２チャックピン群を解除位置に移動させる。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値を高くできる。これによれば、基板９が帯電していたとしても、基板９からチャックピン２２ｂへ流れる電流を低減でき、基板９へのダメージを低減または回避できる。

【0135】

次に、基板回転機構３が基板９を回転させる（ステップＳ１２：回転工程）。具体的には、モータ３２がシャフト部３１および基板保持部２を回転軸Ｊ１のまわりで回転させる。これにより、基板保持部２によって保持された基板９が回転軸Ｊ１まわりで回転する。

【0136】

次に、除電液供給部４３は回転中の基板９の上面に除電液を供給する（ステップＳ１３：除電工程）。具体的には、ノズル移動機構が除電ノズル４３１を吐出位置に移動させ、バルブ４３３が供給管４３２の内部流路を開く。これにより、除電液供給源４３５からの除電液が供給管４３２の内部流路を除電ノズル４３１へ向かって流れ、除電ノズル４３１の吐出口から基板９の上面の中央部に向かって吐出される。

【0137】

基板９の中央部に着液した除電液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の上面の全面に広がり、基板９の周縁から外側に飛散する。この除電液の比抵抗値は、薬液の比抵抗値よりも大きい。除電液は例えば純水であり、その比抵抗値は例えば数ＭΩ・ｃｍ以上である。したがって、除電液の吐出開始時に、除電ノズル４３１の吐出口から除電液が吐出され始め、その除電液の液柱状の先端が下降して、帯電した基板９に近づいても、除電液の先端と基板９との間で大電流（放電）は生じにくい。

【0138】

また、除電液の比抵抗値は比較的に高いので、除電液は基板９を時間の経過とともに徐々に除電する。つまり、基板９から除電液へ移動する電荷の単位時間当たりの量（電流）はさほど大きくなく、基板９は比較的に長い時間をかけて除電される。したがって、基板９から除電液へと大電流が流れることに起因した基板９へのダメージを低減または回避することもできる。

【0139】

また、除電工程（ステップＳ１３）において基板９は第１チャックピン群によって保持されており、導通経路Ｒ１の抵抗値は高い（図１１も参照）。よって、基板９の電荷が導通経路Ｒ１を介して接地部材へと流れにくい。したがって、基板９から第１チャックピン群に大電流が流れることに起因した基板９へのダメージも低減または回避することができる。

【0140】

例えば、除電液の供給開始から除電処理時間が経過すると、バルブ４３３が供給管４３２の内部流路を閉じる。除電処理時間は、基板９の除電が十分に行われるのに要する時間であって、例えば予め設定される。これにより、除電ノズル４３１からの除電液の吐出が停止する。ノズル移動機構は除電ノズル４３１を待機位置に移動させる。

【0141】

次に、薬液供給部４１は、回転中の基板９の上面に薬液（希フッ酸）を供給する（ステップＳ１４：薬液工程）。これにより、薬液が基板９の上面のエッチング対象膜に作用し、エッチング対象膜をエッチングする。この薬液工程でも、導通経路Ｒ１の抵抗値は高い（図１１も参照）ので、エッチングの面内ばらつきを低減できる。

【0142】

例えば、薬液の供給開始から薬液処理時間が経過すると、バルブ４１３が供給管４１２の内部流路を閉じる。これにより、薬液ノズル４１１からの薬液の吐出が停止する。

【0143】

次に、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を低減させる（ステップＳ１５：抵抗値変更工程）。具体的には、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群から第２チャックピン群に切り替える。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値が低減する。

【0144】

次に、リンス液供給部４２は、回転中の基板９の上面にリンス液を供給する（ステップＳ１６：リンス工程）。これにより、基板９の上面の薬液がリンス液に置換される。このリンス工程では、導通経路Ｒ１の抵抗値は低い（図１１も参照）ので、リンス液と基板９との摩擦等に起因した基板９の帯電を低減できる。

【0145】

例えば、リンス液の供給開始からリンス処理時間が経過すると、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を閉じる。これにより、リンスノズル４２１からのリンス液の吐出が停止する。

【0146】

次に、基板９に対する乾燥工程が行われ（ステップＳ１７）、センターロボットＣＲが処理済みの基板９を基板処理装置１から搬出する（ステップＳ１８）。

【0147】

以上のように、基板処理装置１Ｂによれば、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、基板９に対して比抵抗値の高い除電液を供給する。よって、基板９をゆっくりと徐々に除電することができる。言い換えれば、基板９に生じる大電流を回避して、基板９へのダメージを低減または回避しつつ、基板９を除電することができる。

【0148】

また、基板処理装置１Ｂによれば、基板９を除電してから薬液工程が行われる。よって、この薬液工程において、比抵抗値の低い薬液を基板９に供給しても、帯電に起因した薬液と基板９との間の大電流を低減または回避できる。よって、薬液工程での基板９のダメージも低減または回避できる。

【0149】

なお、薬液工程において、薬液としてＳＰＭを採用して酸化膜を形成する場合、例えば前工程のドライエッチングにより、基板９の主面にシリコンが露出する。薬液工程では、このシリコンに酸化膜が形成される。

【0150】

＜複数の除電液＞
上述の例では、ドライエッチング等の前工程によって基板９が帯電し、帯電した状態で基板処理装置１に搬入される。ドライエッチングで生じる基板９の帯電量は比較的に大きいので、基板処理装置１は比抵抗値の大きい除電液で基板９を除電している。これにより、基板９へのダメージを低減または回避しつつ、基板９の帯電量を徐々に小さくすることができる。しかしながら、比抵抗値の大きい除電液による除電では、基板９を帯電しきれない場合がある。なぜなら、比抵抗値の大きい除電液を基板９に供給すると、ドライエッチングほどではないものの、除電液と基板９との摩擦等により、基板９が帯電するからである。また、比抵抗値の大きい除電液による除電工程では、除電に要する時間も長くなる。

【0151】

そこで、除電液供給部４３は、第１除電液、および、第１除電液よりも比抵抗値の小さい第２除電液を順次に基板９に供給してもよい。つまり、第１除電液により基板９をゆっくりと除電して、ある程度の帯電量まで除電した後に、第２除電液により、基板９をより速やかに、かつ、より小さい帯電量まで除電する。

【0152】

第１除電液としては、例えば純水を採用することができる。第２除電液としては、例えばＣＯ_２水を採用することができる。除電液供給部４３は第１除電液用のノズルおよび第２除電液用のノズルを含んでいてもよく、あるいは、除電ノズル４３１が第１除電液および第２除電液で兼用されてもよい。また、リンス液供給部４２がリンス液として純水を供給する場合には、リンス液供給部４２が第１除電液（純水）を供給する除電液供給部４３として機能してもよい。以下では、第１除電液およびリンス液として純水を採用する場合を例に挙げて説明する。

【0153】

＜基板処理の流れ＞
図１２は、基板処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、センターロボットＣＲは基板９を基板処理装置１に搬入し、基板保持部２が基板９を保持する（ステップＳ２１）。なお、ここでは、基板９は前工程によって帯電している。

【0154】

図１３は、各工程に応じた導通経路Ｒ１の抵抗値の一例を示すグラフである。図１３の例では、基板保持部２は、導通経路Ｒ１の抵抗値が高くなる状態で基板９を保持する。具体的な一例として、チャック駆動部２３は第１チャックピン群を保持位置に移動させ、第２チャックピン群を解除位置に移動させる。

【0155】

次に、基板回転機構３が基板９を回転させる（ステップＳ２２：回転工程）。具体的には、モータ３２がシャフト部３１および基板保持部２を回転軸Ｊ１のまわりで回転させる。これにより、基板保持部２によって保持された基板９が回転軸Ｊ１まわりで回転する。

【0156】

次に、除電液供給部４３（リンス液供給部４２）は回転中の基板９の上面に第１除電液（純水）を供給する（ステップＳ２３：第１除電工程）。具体的には、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を開くことにより、リンスノズル４２１から第１除電液（純水）が基板９の上面の中央部に向かって吐出される。基板９の中央部に着液した第１除電液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の上面の全面に広がり、基板９の周縁から外側に飛散する。これにより、第１除電液によって基板９はゆっくりと除電される。よって、基板９の帯電量は時間の経過とともにゆっくりと低減する。

【0157】

また、第１除電工程（ステップＳ２３）において基板９は第１チャックピン群によって保持されており、導通経路Ｒ１の抵抗値は高い（図１３も参照）。よって、基板９の電荷が導通経路Ｒ１を介して接地部材へと流れにくい。したがって、基板９から第１チャックピン群に大電流が流れることに起因した基板９へのダメージも低減または回避することができる。

【0158】

例えば、第１除電液の供給開始から第１除電処理時間が経過すると、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を低減する（ステップＳ２４：抵抗値変更工程）。具体的な一例として、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群から第２チャックピン群に切り替える。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値が低減する。

【0159】

また、除電液供給部４３（リンス液供給部４２）は第１除電液の供給を停止するとともに、回転中の基板９の上面に第２除電液（例えばＣＯ_２水）を供給する（ステップＳ２５：第２除電工程）。具体的には、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を閉じるとともに、バルブ４３３が供給管４３２の内部流路を開く。これにより、除電ノズル４３１から第２除電液（例えばＣＯ_２水）が基板９の上面の中央部に吐出される。基板９の中央部に着液した第２除電液は、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の上面の全面に広がり、基板９の周縁から外側に飛散する。これにより、第２除電液によって基板９は除電される。

【0160】

なお、第１除電処理時間は、第２チャックピン群によって基板９を保持しても基板９から第２チャックピン群に大電流が流れず、かつ、第２除電液を基板９に供給しても基板９から第２除電液に大電流が流れない程度まで、基板９が除電されるのに十分な時間であり、例えば予め設定される。

【0161】

基板９を保持するチャックピン２２を抵抗値の小さいチャックピン２２ｂに切り替えるので、導通経路Ｒ１の抵抗値は低減する（図１３も参照）。よって、基板９の電荷は導通経路Ｒ１を介して接地部材に流れやすく、基板９をより速やかに除電できる。また、基板９に供給する除電液を比抵抗値の小さい第２除電液に切り替えるので、基板９の電荷は第２除電液に移動しやすく、基板９をより速やかに除電することができる。

【0162】

しかも、第２除電液の比抵抗値は小さいので、第２除電液と基板９との摩擦によっても基板９はほとんど帯電せず、基板９の帯電量（表面電位）をさらに小さくすることができる。

【0163】

例えば、第２除電液の供給開始から第２除電処理時間が経過すると、バルブ４３３が供給管４３２の内部流路を閉じる。これにより、第２除電液の供給が停止する。

【0164】

次に、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を再び増加させる（ステップＳ２６：抵抗値変更工程）。具体的な一例として、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第２チャックピン群から第１チャックピン群に切り替える。

【0165】

次に、薬液供給部４１は、回転中の基板９の上面に薬液（希フッ酸）を供給する（ステップＳ２７：薬液工程）。これにより、薬液が基板９の上面のエッチング対象膜に作用し、エッチング対象膜をエッチングする。この薬液工程では、導通経路Ｒ１の抵抗値は高い（図１３も参照）ので、エッチングの面内ばらつきを低減できる。

【0166】

例えば、薬液の供給開始から薬液処理時間が経過すると、バルブ４１３が供給管４１２の内部流路を閉じる。これにより、薬液ノズル４１１からの薬液の吐出が停止する。

【0167】

次に、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を再び低減させる（ステップＳ２８：抵抗値変更工程）。具体的な一例として、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群から第２チャックピン群に切り替える。

【0168】

次に、リンス液供給部４２は、回転中の基板９の主面にリンス液（純水）を供給する（ステップＳ２９：リンス工程）。これにより、基板９の上面の薬液がリンス液に置換される。このリンス工程では、導通経路Ｒ１の抵抗値は低い（図１３も参照）ので、リンス液と基板９との摩擦等に起因した基板９の帯電を低減できる。

【0169】

例えば、リンス液の供給開始からリンス処理時間が経過すると、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を閉じる。これにより、リンスノズル４２１からのリンス液の吐出が停止する。

【0170】

次に、基板９に対する乾燥工程が行われ（ステップＳ３０）、センターロボットＣＲが処理済みの基板９を基板処理装置１から搬出する（ステップＳ３１）。

【0171】

この動作によれば、基板９は、除電工程の初期（第１除電工程）では、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、比抵抗値の高い第１除電液によって除電される（図１３も参照）。つまり、基板９の帯電量が大きい初期では、大電流による基板９のダメージを低減すべく徐々に基板９を除電する。そして、除電工程の途中で、導通経路Ｒ１の抵抗値を低減し、さらに除電液を比抵抗値の低い第２除電液に切り替える（図１３も参照）。つまり、基板９がある程度除電された後の除電工程の後期（第２除電工程）では、導通経路Ｒ１の抵抗値および除電液の比抵抗値を低くしても、大電流が流れないので、導通経路Ｒ１の抵抗値を低くするとともに、第２除電液を採用して、速やかに基板９を除電する（ステップＳ２４，Ｓ２５）。これにより、除電に要する時間を短縮することができる。また、基板９の帯電量をさらに小さくすることもできる。

【0172】

なお、上述の例では、第１除電液の供給開始から第１除電処理時間が経過したときに、基板９に供給する除電液を第１除電液から第２除電液に切り替えるとともに、導通経路Ｒ１の抵抗値を高抵抗値から低抵抗値に低減させた。しかしながら、これらのいずれか一方のみを行ってもよい。具体的には、第２除電工程でも、導通経路Ｒ１の抵抗値を高抵抗値に維持してもよい。比抵抗値の小さい第２除電液を用いることで、より速やかに基板９を除電でき、また基板９の帯電量をより小さくできる。あるいは、導通経路Ｒ１の抵抗値を低抵抗値にした状態で、第１除電液を供給し続けてもよい。言い換えれば、第２除電液を使用しなくてもよい。導通経路Ｒ１を低抵抗値にすることによって、基板９をより速やかに除電することができ、また基板９の帯電量をより小さくできる。

【0173】

また、上述の例では、除電液の切り替えおよび導通経路Ｒ１の抵抗値の切り替えをほぼ同時に行っているものの、これらを異なるタイミングで行ってもよい。

【0174】

＜電流測定＞
図１４は、基板処理装置１Ｃの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１Ｃは、電流センサ８の有無を除いて、基板処理装置１Ｂと同様の構成を有している。電流センサ８は、導通経路Ｒ１を流れる電流値を測定し、その測定結果を示す電気信号を制御部６に出力する。

【0175】

上述のように、基板９が帯電している場合には、基板９の電荷が導通経路Ｒ１を介して接地電位へ移動する。つまり、導通経路Ｒ１には電流ｉが流れる。基板９の帯電量が小さくなるにつれて、導通経路Ｒ１に流れる電流ｉが小さくなると考えられる。

【0176】

そこで、制御部６は、電流センサ８によって測定された電流ｉに基づいて、除電液の供給を停止するタイミングを決定する。具体的には、制御部６は、電流ｉが電流基準値ｉｒｅｆ未満であるか否かを例えば所定時間ごとに判断する。制御部６は、電流ｉが電流基準値ｉｒｅｆを下回ったときに、除電液供給部４３に除電液の供給を終了させる。

【0177】

図１５は、除電工程の一例を示すフローチャートである。このフローは、例えばステップＳ１３の除電工程の具体的な一例に相当する。まず、除電液供給部４３は回転中の基板９への除電液の供給を開始する（ステップＳ１３１）。次に、電流センサ８が電流ｉを測定し、その測定結果を示す電気信号を制御部６に出力する（ステップＳ１３２：電流測定工程）。このように、電流センサ８による測定工程は除電工程と並行して実行される。

【0178】

次に、制御部６は、電流センサ８によって測定された電流ｉが電流基準値ｉｒｅｆ未満であるか否かを判断する（ステップＳ１３３）。電流基準値ｉｒｅｆは、基板９の帯電量が十分に小さくなったといえるときの電流値であり、例えば予め設定される。

【0179】

電流ｉが電流基準値ｉｒｅｆ以上であるときには、再びステップＳ１３２が実行される。電流ｉが電流基準値ｉｒｅｆ未満であるときには、除電液供給部４３は除電液の供給を終了する（ステップＳ１３４）。

【0180】

これによれば、基板９の帯電量を電流ｉで間接的に測定するので、より確実に基板９の帯電量を十分に小さくした状態で、除電工程を終了できる。

【0181】

なお、第１除電液および第２除電液をこの順で供給する場合には、第１除電液から第２除電液への切り替えのタイミング、および、第２除電液の供給を終了するタイミングも、電流ｉに基づいて決定してもよい。具体的には、第１電流基準値と、第１電流基準値よりも小さい第２電流基準値を設定し、電流ｉが第１電流基準値を下回ったときに、第１除電液の供給を終了して第２除電液の供給を開始し、電流ｉが第２電流基準値を下回ったときに、第２除電液の供給を終了してもよい。

【0182】

これによれば、基板９の帯電量を電流ｉで間接的に測定して、第１除電液の供給の終了タイミングおよび第２除電液の供給の開始タイミングを決定している。つまり、基板９の帯電量に基づいて除電液の切り替えのタイミングを決定している。よって、より確実に、第２除電液を供給しても大電流が生じない程度まで基板９の帯電量が低減した状態で、除電液を第２除電液に切り替えることができる。したがって、基板９で生じる大電流をより確実に回避することができる。

【0183】

除電中の導通経路Ｒ１の抵抗値の切り替え（ステップＳ２４）のタイミングとして、除電液の切り替え（ステップＳ２５の開始）のタイミングと異なるタイミングを採用する場合にも、電流ｉに基づいて、抵抗値の切り替えタイミングを決定してもよい。より具体的には、第２電流基準値よりも大きい第３電流基準値を設定し、電流ｉが第３電流基準値を下回ったときに、導通経路Ｒ１の抵抗値を高抵抗値から低抵抗値に低減してもよい。これによれば、より確実に、導通経路Ｒ１の抵抗値を低くしても大電流が生じない程度まで基板９の帯電量が低減した状態で、導通経路Ｒ１の抵抗値を低減することができる。したがって、基板９で生じる大電流をより確実に回避することができる。

【0184】

＜持ち込み帯電量の測定＞
図１の例では、基板処理システム１００には、表面電位センサ５２が設けられている。この表面電位センサ５２は、基板処理装置１に基板９を搬入する前に基板９の表面電位を測定する。図１の例では、表面電位センサ５２は基板載置部ＰＡＳＳに設けられている。表面電位センサ５２は、基板載置部ＰＡＳＳに載置された基板９の主面と対向する位置に設けられる。表面電位センサ５２は、基板９の表面電位を測定し、その測定結果を示す電気信号を制御部６に出力する。なお、表面電位センサ５２は、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲに設けられていてもよい。

【0185】

表面電位センサ５２は、基板９の主面内の１箇所における表面電位を測定してもよい。あるいは、表面電位センサ５２は、基板９の主面内の複数箇所における表面電位を測定してもよい。具体的には、表面電位センサ５２と基板９との相対的な位置関係を変更する変位機構が設けられ、表面電位センサ５２が基板９に対して移動することにより、基板９の主面内の複数箇所での表面電位を測定することができる。

【0186】

制御部６は、表面電位センサ５２によって測定された表面電位に基づいて、除電工程の要否を判定する。なお、表面電位センサ５２が複数箇所で表面電位を測定する場合には、その統計値（最大値、最小値または平均値など）に基づいて除電工程の要否を判定してもよい。具体的な一例として、制御部６は、表面電位（例えば最大値）が第１電位基準値Ｖｒｅｆ１未満であるか否かを判断する。第１電位基準値Ｖｒｅｆ１は非常に小さい値であり、例えば予め設定される。制御部６は、表面電位が第１電位基準値Ｖｒｅｆ１未満であるときに、除電工程が不要であると判断し、表面電位が第１電位基準値Ｖｒｅｆ１以上であるときに、除電工程が必要であると判断してもよい。

【0187】

あるいはさらに、制御部６は除電工程が必要であると判定したときには、その表面電位に基づいて、除電工程で用いる除電液の種類、および、除電工程での導通経路Ｒ１の抵抗値を決定してもよい。例えば制御部６は、表面電位が第２電位基準値Ｖｒｅｆ２未満であるか否かを判断する。第２電位基準値Ｖｒｅｆ２は第１電位基準値Ｖｒｅｆ１よりも大きく設定される。より具体的には、第２電位基準値Ｖｒｅｆ２は、表面電位が第２電位基準値Ｖｒｅｆ２未満であるときに、比抵抗値の小さい第２除電液を基板９に供給しても、導通経路Ｒ１が低抵抗値であっても、基板９に大電流が生じないように、例えば予め設定される。

【0188】

制御部６は、表面電位が第２電位基準値Ｖｒｅｆ２以上であるときに、除電工程では、比抵抗値の高い第１除電液を用いつつ、導通経路Ｒ１の抵抗値を高抵抗値とすることに決定する。一方で、制御部６は、表面電位が第２電位基準値Ｖｒｅｆ２未満であるときに、除電工程では、比抵抗値の低い第２除電液を用いつつ、導通経路Ｒ１の抵抗値を低抵抗値とすることに決定する。

【0189】

図１６は、上記処理の一例を概略的に示すフローチャートである。まず、表面電位センサ５２が基板９の表面電位Ｖを測定する（ステップＳ４１：電位測定工程）。例えば、基板９がインデクサロボットＩＲによって基板載置部ＰＡＳＳに搬送される。表面電位センサ５２は、基板載置部ＰＡＳＳに搬入された基板９の表面電位Ｖを測定し、その測定結果を示す電気信号を制御部６に出力する。測定後の基板９はセンターロボットＣＲによって基板載置部ＰＡＳＳから搬出される。

【0190】

次に、制御部６は、表面電位センサ５２によって測定された表面電位Ｖ（例えば最大値）が第１電位基準値Ｖｒｅｆ１未満であるか否かを判断する（ステップＳ４２）。表面電位Ｖが第１電位基準値Ｖｒｅｆ１未満であるときには、制御部６は、図６に示した第１基板処理を実行する（ステップＳ４３）。つまり、表面電位Ｖが第１電位基準値Ｖｒｅｆ１未満であるときには、基板９はほとんど帯電していないので、制御部６は、除電工程が不要であると判断し、第１基板処理を実行する。第１基板処理では、基板９に対する除電工程は行われず、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態での薬液工程（ステップＳ３）および導通経路Ｒ１の抵抗値が低い状態でのリンス工程（ステップＳ５）がこの順で行われる。

【0191】

表面電位Ｖが第１電位基準値Ｖｒｅｆ１以上であるときには、制御部６は表面電位が第２電位基準値Ｖｒｅｆ２未満であるか否かを判断する。表面電位Ｖが第２電位基準値Ｖｒｅｆ２以上であるときには、制御部６は、基板９が比較的大きな帯電量で帯電していると判断し、図１０の第２基板処理または図１２の第３基板処理を実行する（ステップＳ４５）。第２基板処理および第３基板処理のいずれにおいても、基板保持部２は、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態で、センターロボットＣＲから基板９を受け取り（ステップＳ１１，Ｓ２１）、除電液供給部４３は比抵抗値の高い除電液（第１除電液）を基板９に供給して除電工程（第１除電工程）を行う（ステップＳ１３，Ｓ２３）。これにより、基板９に生じる大電流を低減または回避しつつ、基板９をゆっくりと除電できる。

【0192】

第３基板処理を行う場合（図１２）には、第１除電工程（ステップＳ２３）の後に、導通経路Ｒ１の抵抗値を低減し（ステップＳ２４）、比抵抗値の小さい第２除電液での第２除電工程（ステップＳ２５）が行われる。これにより、より速やかに基板９を除電しつつ、帯電量をさらに低減できる。

【0193】

除電工程の後には、第２基板処理および第３基板処理のいずれにおいても、導通経路Ｒ１の抵抗値が高い状態での薬液工程（ステップＳ１４，Ｓ２７）および導通経路Ｒ１の抵抗値が低い状態でのリンス工程（ステップＳ１６，Ｓ２９）がこの順で行われる。

【0194】

再び図１６を参照して、表面電位Ｖが第２電位基準値Ｖｒｅｆ２未満であるときには、制御部６は、基板９が比較的小さな帯電量で帯電していると判断し、第４基板処理工程を行う（ステップＳ４６）。図１７は、第４基板処理工程の一例を概略的に示すフローチャートである。まず、センターロボットＣＲは基板９を基板処理装置１に搬入し、基板保持部２が基板９を保持する（ステップＳ５１：保持工程）。なお、ここでは、基板９は基板処理装置１の搬入前の前工程によって小さい帯電量で帯電している。

【0195】

図１８は、各工程に応じた導通経路Ｒ１の抵抗値の一例を示すグラフである。図１８の例では、基板保持部２は、導通経路Ｒ１の抵抗値が低くなる状態で基板９を保持する。具体的な一例として、チャック駆動部２３は、低抵抗材料によって形成された第１チャックピン群を解除位置に移動させ、第２チャックピン群を保持位置に移動させる。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値を低くできる。ここでは、基板９の帯電量は小さいので、導通経路Ｒ１の抵抗値を低くしても、基板９からチャックピン２２ｂへ大電流は生じない。

【0196】

次に、基板回転機構３が基板９を回転させる（ステップＳ５２：回転工程）。具体的には、モータ３２がシャフト部３１および基板保持部２を回転軸Ｊ１のまわりで回転させる。これにより、基板保持部２によって保持された基板９が回転軸Ｊ１まわりで回転する。

【0197】

次に、除電液供給部４３は回転中の基板９の上面に、比抵抗値の低い第２除電液（例えばＣＯ_２水）を供給する（ステップＳ５３：除電工程）。これにより、基板９をより速やかに、かつ、より小さい帯電量まで除電することができる。

【0198】

例えば、除電液の供給開始から除電処理時間が経過すると、バルブ４３３が供給管４３２の内部流路を閉じる。これにより、除電ノズル４３１からの除電液の吐出が停止する。

【0199】

次に、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を増加させる（ステップＳ５４：抵抗値変更工程）。具体的には、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第２チャックピン群から第１チャックピン群に切り替える。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値が増加する。

【0200】

次に、薬液供給部４１は、回転中の基板９の上面に薬液（希フッ酸）を供給する（ステップＳ５５：薬液工程）。これにより、薬液が基板９の上面のエッチング対象膜に作用し、エッチング対象膜をエッチングする。この薬液工程でも、導通経路Ｒ１の抵抗値は高い（図１８も参照）ので、エッチングの面内ばらつきを低減できる。

【0201】

例えば、薬液の供給開始から薬液処理時間が経過すると、バルブ４１３が供給管４１２の内部流路を閉じる。これにより、薬液ノズル４１１からの薬液の吐出が停止する。

【0202】

次に、抵抗値変更機構５は導通経路Ｒ１の抵抗値を低減させる（ステップＳ５６：抵抗値変更工程）。具体的には、チャック駆動部２３は、基板９を保持するチャックピン２２を第１チャックピン群から第２チャックピン群に切り替える。これにより、導通経路Ｒ１の抵抗値が低減する。

【0203】

次に、リンス液供給部４２は、回転中の基板９の上面にリンス液を供給する（ステップＳ５７：リンス工程）。これにより、基板９の上面の薬液がリンス液に置換される。このリンス工程では、導通経路Ｒ１の抵抗値は低い（図１８も参照）ので、リンス液と基板９との摩擦等に起因した基板９の帯電を低減できる。

【0204】

例えば、リンス液の供給開始からリンス処理時間が経過すると、バルブ４２３が供給管４２２の内部流路を閉じる。これにより、リンスノズル４２１からのリンス液の吐出が停止する。

【0205】

次に、基板９に対する乾燥工程が行われ（ステップＳ５８）、センターロボットＣＲが処理済みの基板９を基板処理装置１から搬出する（ステップＳ５９）。

【0206】

この動作によれば、基板９の帯電量が小さいので、除電工程(ステップＳ５３)において、比抵抗値の小さい第２除電液を用いつつ、導通経路Ｒ１の抵抗値を低抵抗値としている。よって、基板９をより速やかに、かつ、より小さい帯電量まで除電できる。

【0207】

なお、除電工程（ステップＳ５３）では、比抵抗値の小さい除電液を用いるとともに、導通経路Ｒ１の抵抗値を低抵抗値とした。しかしながら、これらのいずれか一方のみを行ってもよい。具体的には、除電工程（ステップＳ５３）でも、導通経路Ｒ１の抵抗値を高抵抗値に維持してもよい。比抵抗値の小さい第２除電液を用いることで、より速やかに基板９を除電でき、また基板９の帯電量をより小さくできる。あるいは、除電工程（においてステップＳ５３）において、導通経路Ｒ１の抵抗値を低抵抗値にした状態で、比抵抗値の大きい第１除電液を供給してもよい。これによっても、導通経路Ｒ１を低抵抗値にすることによって基板９をより速やかに除電することができ、また基板９の帯電量をより小さくできる。

【0208】

以上のように、基板処理装置１，１Ａ～１Ｃは詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この基板処理装置がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

【0209】

例えば、上述の例では、処理液供給部４は処理液（除電液、薬液およびリンス液を含む）を基板９の上面に供給しているものの、基板９の下面に供給してもよい。また、上述の例では、処理液供給部４は基板９の中央部に処理液を供給しているものの、基板９の周縁部のみに処理液を供給してもよい。

【0210】

また、上述の例では、搬入前の基板９の帯電量を表面電位センサ５２によって検出しているものの、必ずしもこれに限らない。制御部６が、基板９の帯電量を反映した情報を取得すればよい。取得先は、例えば上流側の処理装置であってもよく、あるいは、集中管理センタであってもよい。あるいは、作業員が不図示の入力デバイスに当該情報を入力し、当該入力デバイスが制御部６に当該情報を出力してもよい。

【符号の説明】

【0211】

１，１Ａ～１Ｃ 基板処理装置
２ 基板保持部
２２ チャックピン
２２ａ 第１チャックピン（チャックピン）
２２ｂ 第２チャックピン（チャックピン）
２３ チャック駆動部
３ 回転機構（基板回転機構）
４１１ 薬液ノズル
４２１ リンスノズル
４３１ 除電ノズル
８ 電流センサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】