特許 7404121出願番号 特願 2020-52021
触媒層の形成方法
公報発行日 2023年12月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7404121 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
触媒層の形成方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明が解決しようとする課題は、見かけ上の面積に対する触媒金属の表面積の比が大きな触媒層を形成可能とする技術を提供することである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
一側面によれば、半導体からなる表面を有し、前記表面が複数の凸部を有する基材に対して置換めっきを行って、前記複数の凸部の位置で触媒金属を析出させることを含み、前記複数の凸部の各々は、前記表面と交差する方向に伸びた針形状を有しており、前記触媒金属は、前記複数の凸部の各々の位置で、この凸部の形状に対応して前記方向に伸びた粒子状に析出させる触媒層の形成方法が提供される。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
触媒層の形成方法における第１触媒層形成工程によって得られる構造を示す断面図。
【図2】
触媒層の形成方法におけるエッチング工程を示す断面図。
【図3】
図２の工程によって得られる構造を示す断面図。
【図4】
触媒層の形成方法における第２触媒層形成工程によって得られる構造を示す断面図。
【図5】
試験例１で得られた触媒層の電子顕微鏡写真。
【図6】
試験例２で得られた触媒層の電子顕微鏡写真。
代表図 図1本件の代表的な図
１０…基材、１０Ｒ…凸部、８０…触媒層、８０ａ…層、８０ｂ…層、８１ａ…触媒金属粒子、８１ｂ…触媒金属粒子、９０…マスク層、１００…エッチング剤。
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