特許 7404183出願番号 特願 2020-122515
半導体装置
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,122件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,018件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 25912位 225件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 7679位 140件（※）
公報発行日 2023年12月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7404183 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明が解決しようとする課題は、ゲート絶縁層の信頼性の向上が可能な半導体装置を提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
実施形態の半導体装置は、第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、を有する炭化珪素層であって、第１導電形の第１の炭化珪素領域と、前記第１の炭化珪素領域と前記第１の面との間に位置する第２導電形の第２の炭化珪素領域と、前記第１の炭化珪素領域と前記第１の面との間に位置し、前記第２の炭化珪素領域との間に前記第１の炭化珪素領域を挟む第２導電形の第３の炭化珪素領域と、前記第２の炭化珪素領域と前記第１・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
第１の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図2】
第１の実施形態の半導体装置の模式上面図。
【図3】
第１の実施形態の半導体装置の模式断面図。
【図4】
比較例の半導体装置の模式断面図。
【図5】
比較例の半導体装置の課題の説明図。
【図6】
第１の実施形態の半導体装置の作用及び効果の説明図。
【図7】
第２の実施形態の半導体装置の模式上面図。
【図8】
第３の実施形態の半導体装置の模式断面図。
代表図 図1本件の代表的な図
１０ 炭化珪素層
１２ ソース電極（第１の電極）
１４ ドレイン電極（第２の電極）
１６ ゲート電極
１８ ゲート絶縁層
２４ ドリフト領域（第１の炭化珪素領域）
２６ａ 第１のボディ領域（第２の炭化珪素領域）
２６ｂ 第２のボディ領域（第３の炭化珪素領域）
２８ａ 第１のソース領域（第４の炭化珪素領域）
２８ｂ 第２のソース領域（第５の炭化珪素領域）
３２ パッチ領域（第６の炭化珪素領域）
３４ 結晶欠陥
１００ ＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）
２００ ＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）
３００ ＭＯＳＦＥＴ（半導体装置）
Ｐ１ 第１の面
Ｐ２ 第２の面
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