(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-15
(45)【発行日】2023-12-25
(54)【発明の名称】情報処理装置
(51)【国際特許分類】
G09G 3/3233 20160101AFI20231218BHJP
G09G 3/3225 20160101ALI20231218BHJP
G09G 3/3266 20160101ALI20231218BHJP
G09G 3/3275 20160101ALI20231218BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20231218BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20231218BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20231218BHJP
【ＦＩ】
G09G3/3233
G09G3/3225
G09G3/3266
G09G3/3275
G09G3/20 680H
G09G3/20 642B
G09G3/20 611A
G09G3/20 670J
G09F9/30 308Z
G09F9/00 366G
【請求項の数】
1
(21)【出願番号】P 2022070644
(22)【出願日】2022-04-22
(62)【分割の表示】P 2021021589の分割
【原出願日】2014-07-15
(65)【公開番号】P2022097552
(43)【公開日】2022-06-30
【審査請求日】2022-05-20
(31)【優先権主張番号】P 2013150588
(32)【優先日】2013-07-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】池田 寿雄
(72)【発明者】
【氏名】木村 肇
【審査官】西島 篤宏
(56)【参考文献】
【文献】特開平１１－２７２２０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２８２１８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１１８０８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－０４８１２４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｇ ３／００ － ３／３８
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｈ１０Ｋ ５０／１０
Ｈ０５Ｂ ３３／０２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
折り畳み可能な情報処理装置であって、
可撓性を有する基板上に設けられた表示部と、
前記基板上に設けられ、且つ前記表示部の外側に配置された、第１のゲートドライバ及び第２のゲートドライバと、
前記表示部の外形の状態を識別する機能を有する検知部と、
前記第１のゲートドライバ及び前記第２のゲートドライバに画像情報を供給する機能を有する演算部と、
前記演算部に実行させるプログラムを記憶する機能を有する記憶部と、を有し、
前記表示部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子とを有し、
前記第１のゲートドライバは、第２のトランジスタを有し、
前記第２のゲートドライバは、第３のトランジスタを有し、
前記検知部は、前記表示部が展開される第１の形態、または前記表示部が折り畳まれる第２の形態を検知する機能を有し、
前記第２の形態において、前記表示部は、視認者側に位置する第１の領域と、前記第１の領域の裏側に位置する部分を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置し、且つ湾曲した第３の領域と、を有し、
前記第２の形態において、前記第１のゲートドライバは湾曲せず、且つ前記第２のゲートドライバは湾曲した領域を有し、
前記第２の形態において、前記演算部は、前記第２の領域に表示を行わず、且つ前記第３の領域において前記第１の領域から前記第２の領域にむかって輝度が段階的に変化するプログラムを実行する機能を有する、情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシ
ン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特
に、本発明は、例えば、ヒューマンインターフェース、半導体装置、表示装置、発光装置
、照明装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、
本発明は、例えば、画像情報の処理および表示方法、プログラムおよびプログラムが記録
された記録媒体を有する装置に関する。特に、本発明は、例えば、表示部を備える情報処
理装置に処理された情報を含む画像を表示する画像情報の処理、表示方法および表示部を
備える情報処理装置に処理された情報を含む画像を表示させるプログラム並びに当該プロ
グラムが記録された記録媒体を有する情報処理装置に関する。
ン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特
に、本発明は、例えば、ヒューマンインターフェース、半導体装置、表示装置、発光装置
、照明装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、
本発明は、例えば、画像情報の処理および表示方法、プログラムおよびプログラムが記録
された記録媒体を有する装置に関する。特に、本発明は、例えば、表示部を備える情報処
理装置に処理された情報を含む画像を表示する画像情報の処理、表示方法および表示部を
備える情報処理装置に処理された情報を含む画像を表示させるプログラム並びに当該プロ
グラムが記録された記録媒体を有する情報処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場
や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようにな
っている。
や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようにな
っている。
【0003】
このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。
【0004】
例えば、携帯可能な情報処理装置の一例として、フィルム基板上に、スイッチング素子
であるトランジスタや有機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発
光装置が開示されている（特許文献１参照）。
であるトランジスタや有機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発
光装置が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００３－１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
大きな画面を備え、多くの情報を表示することができる表示装置は、一覧性に優れる。
よって、情報処理装置に好適である。
よって、情報処理装置に好適である。
【0007】
一方で、大きな画面を備える表示装置は、小さな画面を備えるものに比べて可搬性が劣
る。また、大きな画面を備える表示装置は、小さな画面を備えるものに比べて、消費電力
が高い。
る。また、大きな画面を備える表示装置は、小さな画面を備えるものに比べて、消費電力
が高い。
【0008】
また、表示装置において、表示品位が低下する場合がある。例えば、表示装置として、
発光素子を用いた場合、発光強度や発光時間に応じて、発光素子の発光特性が劣化してく
る。そのため、発光強度や発光時間が画素ごとに異なる場合、発光素子の劣化状態が異な
るため、表示ムラとして観察されるため表示品位が低下してしまう。
発光素子を用いた場合、発光強度や発光時間に応じて、発光素子の発光特性が劣化してく
る。そのため、発光強度や発光時間が画素ごとに異なる場合、発光素子の劣化状態が異な
るため、表示ムラとして観察されるため表示品位が低下してしまう。
【0009】
上記課題に鑑み、本発明の一態様は、一覧性に優れた情報処理装置などを提供すること
を課題の一つとする。または、可搬性に優れた情報処理装置などを提供することを課題の
一つとする。または、消費電力が少ない情報処理装置などを提供することを課題の一つと
する。または、表示品位が高い情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。ま
たは、表示ムラの少ない情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。または、
新規な情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。
を課題の一つとする。または、可搬性に優れた情報処理装置などを提供することを課題の
一つとする。または、消費電力が少ない情報処理装置などを提供することを課題の一つと
する。または、表示品位が高い情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。ま
たは、表示ムラの少ない情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。または、
新規な情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。
【0010】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様は、可撓性を有する表示部と、表示部の外周に配置される複数の駆動回
路部と、表示部の外形の状態を識別する検知部と、駆動回路部に画像情報を供給する演算
部と、演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部と、を有し、検知部によって、表
示部が展開される第１の形態、または表示部が折り畳まれる第２の形態が検知され、プロ
グラムが第１の形態または第２の形態に応じて、輝度調整処理を行うことを特徴とする情
報処理装置である。
路部と、表示部の外形の状態を識別する検知部と、駆動回路部に画像情報を供給する演算
部と、演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部と、を有し、検知部によって、表
示部が展開される第１の形態、または表示部が折り畳まれる第２の形態が検知され、プロ
グラムが第１の形態または第２の形態に応じて、輝度調整処理を行うことを特徴とする情
報処理装置である。
【0012】
また、本発明の一態様の情報処理装置が記憶するプログラムは、外形の形態を特定する
第１のステップと、第１の形態の場合に第５のステップに進み、且つ第１の形態以外の場
合に第３のステップに進む第２のステップと、第２の形態の場合に第４のステップに進み
、且つ第２の形態以外の場合に第１のステップに進む第３のステップと、輝度調整処理を
行う第４のステップと、終了する第５のステップと、を有し、輝度調整処理が、表示領域
と非表示領域を決定する第６のステップと、少なくとも１つの駆動回路部を休止する第７
のステップと、非表示領域の一部を発光させる第８のステップと、輝度調整処理を解除す
る場合に第１０のステップに進み、且つ輝度調整処理を解除しない場合に第８のステップ
に進む第９のステップと、輝度調整処理から復帰する第１０のステップと、を有する。
第１のステップと、第１の形態の場合に第５のステップに進み、且つ第１の形態以外の場
合に第３のステップに進む第２のステップと、第２の形態の場合に第４のステップに進み
、且つ第２の形態以外の場合に第１のステップに進む第３のステップと、輝度調整処理を
行う第４のステップと、終了する第５のステップと、を有し、輝度調整処理が、表示領域
と非表示領域を決定する第６のステップと、少なくとも１つの駆動回路部を休止する第７
のステップと、非表示領域の一部を発光させる第８のステップと、輝度調整処理を解除す
る場合に第１０のステップに進み、且つ輝度調整処理を解除しない場合に第８のステップ
に進む第９のステップと、輝度調整処理から復帰する第１０のステップと、を有する。
【0013】
このように、本発明の一態様の情報処理装置においては、プログラムが第１の形態また
は第２の形態に応じて、輝度調整処理を行うことによって、表示部の表示ムラを抑制し、
且つ消費電力を抑制することができる。
は第２の形態に応じて、輝度調整処理を行うことによって、表示部の表示ムラを抑制し、
且つ消費電力を抑制することができる。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一態様によれば、一覧性に優れた情報処理装置を提供できる。または、可搬性
に優れた情報処理装置を提供できる。または、消費電力が少ない情報処理装置を提供でき
る。または、表示品位が高い情報処理装置を提供できる。
に優れた情報処理装置を提供できる。または、消費電力が少ない情報処理装置を提供でき
る。または、表示品位が高い情報処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】情報処理装置の構成を説明するブロック図及び上面模式図。
【図2】情報処理装置の構成を説明する上面模式図及び断面図。
【図3】情報処理装置の構成を説明する上面模式図及び断面図。
【図4】情報処理装置の演算部に実行させるプログラムを説明するフロー図。
【図5】情報処理装置の演算部に実行させるプログラムを説明するフロー図。
【図6】情報処理装置の構成を説明する上面模式図及び断面図。
【図7】情報処理装置の構成を説明する上面模式図。
【図8】画素の回路構成を説明する図。
【図9】表示装置の回路構成を説明する図。
【図10】表示装置の回路構成を説明する図。
【図11】表示装置の回路構成を説明する図。
【図12】表示装置の回路構成を説明する図。
【図13】表示装置の回路構成を説明する図。
【図14】表示装置の回路構成を説明する図。
【図15】表示装置の回路構成を説明する図。
【図16】表示装置の回路構成を説明する図。
【図17】表示装置の回路構成を説明する図。
【図18】情報処理装置の構成を説明する断面図。
【図19】情報処理装置の一態様を説明する斜視図。
【図20】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する上面図及び断面図。
【図21】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する断面図。
【図22】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する断面図。
【図23】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する断面図。
【図24】情報処理装置に用いることのできる発光パネルの作製方法を説明する断面図。
【図25】情報処理装置に用いることのできる発光パネルの作製方法を説明する断面図。
【図26】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本発明の一態様の情報処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以
下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明す
る発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図
面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以
下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明す
る発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図
面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【0017】
また、図面におけるブロック図の各ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定する
ものであり、異なるブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路や領
域においては同じ回路や同じ領域内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合
もある。また図面におけるブロック図の各ブロックの機能は、説明のため機能を特定する
ものであり、一つのブロックとして示していても、実際の回路や領域においては一つのブ
ロックで行う処理を、複数のブロックで行うよう設けられている場合もある。
ものであり、異なるブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路や領
域においては同じ回路や同じ領域内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合
もある。また図面におけるブロック図の各ブロックの機能は、説明のため機能を特定する
ものであり、一つのブロックとして示していても、実際の回路や領域においては一つのブ
ロックで行う処理を、複数のブロックで行うよう設けられている場合もある。
【0018】
【0019】
図１（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置１００の構成を説明するブロック図である
。
。
【0020】
図１（Ａ）に示す情報処理装置１００は可撓性を有する表示部１０２と、表示部１０２
の外周に配置される複数の駆動回路部１０４と、表示部１０２の外形の状態を識別する検
知部１０６と、駆動回路部１０４に画像情報を供給する演算部１０８と、演算部１０８に
実行させるプログラムを記憶する記憶部１１０と、を有する。
の外周に配置される複数の駆動回路部１０４と、表示部１０２の外形の状態を識別する検
知部１０６と、駆動回路部１０４に画像情報を供給する演算部１０８と、演算部１０８に
実行させるプログラムを記憶する記憶部１１０と、を有する。
【0021】
また、図１（Ａ）においては、表示部１０２と駆動回路部１０４によって、表示パネル
１０５を構成する。なお、表示パネル１０５は、表示部１０２のみを有する構成、または
表示部１０２と、検知部１０６、演算部１０８、記憶部１１０等を組み合わせる構成でも
良い。
１０５を構成する。なお、表示パネル１０５は、表示部１０２のみを有する構成、または
表示部１０２と、検知部１０６、演算部１０８、記憶部１１０等を組み合わせる構成でも
良い。
【0022】
なお、図１（Ａ）に示すように、可撓性を有する表示部１０２と駆動回路部１０４によ
って、表示パネル１０５を構成することで、駆動回路部１０４も可撓性を有する。ただし
、駆動回路部１０４は、表示パネル１０５と異なる基板に作製し可撓性を有さない構成と
してもよい。
って、表示パネル１０５を構成することで、駆動回路部１０４も可撓性を有する。ただし
、駆動回路部１０４は、表示パネル１０５と異なる基板に作製し可撓性を有さない構成と
してもよい。
【0023】
図１（Ａ）に示す本発明の一態様の情報処理装置１００は、可撓性を有する表示部１０
２の外形を変形することが可能であることから、一覧性の優れた機能と可搬性に優れた機
能を両立させることができる。例えば、表示部１０２が展開される場合は、一覧性の優れ
た情報処理装置１００として、表示部１０２が折り畳まれる形態の場合、可搬性に優れた
情報処理装置１００とすることができる。
２の外形を変形することが可能であることから、一覧性の優れた機能と可搬性に優れた機
能を両立させることができる。例えば、表示部１０２が展開される場合は、一覧性の優れ
た情報処理装置１００として、表示部１０２が折り畳まれる形態の場合、可搬性に優れた
情報処理装置１００とすることができる。
【0024】
ここで、図１（Ａ）に示す各構成について、以下詳細に説明を行う。
【0025】
＜表示部＞
表示部１０２は、外形を変形することが可能な基板、例えば可撓性を有する基板または
可撓性を有するフィルム上に形成される。
表示部１０２は、外形を変形することが可能な基板、例えば可撓性を有する基板または
可撓性を有するフィルム上に形成される。
【0026】
＜駆動回路部＞
駆動回路部１０４は、表示部１０２の外周に配置される。また、駆動回路部１０４から
表示部１０２に信号を供給する。駆動回路部１０４としては、表示部１０２を駆動させる
ことができればよく、例えば、表示部１０２にマトリクス状に画素が配置される場合、画
素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（ゲートドライバ）と、画素の表示素子を
駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（ソースドライバ）を用いるこ
とができる。
駆動回路部１０４は、表示部１０２の外周に配置される。また、駆動回路部１０４から
表示部１０２に信号を供給する。駆動回路部１０４としては、表示部１０２を駆動させる
ことができればよく、例えば、表示部１０２にマトリクス状に画素が配置される場合、画
素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（ゲートドライバ）と、画素の表示素子を
駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（ソースドライバ）を用いるこ
とができる。
【0027】
また、駆動回路部１０４の一部または全部は、表示部１０２と同一基板上に、同一工程
で形成されていることが好ましい。特に、折り曲げる付近には、同一基板上に、同一工程
で形成しやすいゲートドライバを設けることが好ましい。ゲートドライバは、動作周波数
が低いため、表示部１０２と同一基板上に、同一工程で形成しやすい。これにより、部品
数や端子数を減らすことが可能となる。また、表示部１０２と同一工程で形成された素子
を用いることとなるため、駆動回路部１０４の一部または全部も、可撓性を有することが
出来る。そのため、表示部１０２に対して、任意の場所で折り曲げることが出来る。その
ため、情報処理装置１００は割れにくく、丈夫な装置とすることが出来る。ただし、駆動
回路部１０４の構成はこれに限定されず、例えば、表示部１０２と同一基板上に形成され
ていない構成としてもよい。この場合、駆動回路部１０４の一部または全部は、ＣＯＧや
ＴＡＢによって、実装することができる。ＣＯＧやＴＡＢによって実装する場合には、表
示部１０２が設けられた基板を折り曲げる場合、折り目となる領域には、ＣＯＧやＴＡＢ
によって設けられたＩＣまたはＬＳＩ等を設けないようにすることが好ましい。これによ
り、表示部１０２が設けられた基板を折り曲げることが出来る。
で形成されていることが好ましい。特に、折り曲げる付近には、同一基板上に、同一工程
で形成しやすいゲートドライバを設けることが好ましい。ゲートドライバは、動作周波数
が低いため、表示部１０２と同一基板上に、同一工程で形成しやすい。これにより、部品
数や端子数を減らすことが可能となる。また、表示部１０２と同一工程で形成された素子
を用いることとなるため、駆動回路部１０４の一部または全部も、可撓性を有することが
出来る。そのため、表示部１０２に対して、任意の場所で折り曲げることが出来る。その
ため、情報処理装置１００は割れにくく、丈夫な装置とすることが出来る。ただし、駆動
回路部１０４の構成はこれに限定されず、例えば、表示部１０２と同一基板上に形成され
ていない構成としてもよい。この場合、駆動回路部１０４の一部または全部は、ＣＯＧや
ＴＡＢによって、実装することができる。ＣＯＧやＴＡＢによって実装する場合には、表
示部１０２が設けられた基板を折り曲げる場合、折り目となる領域には、ＣＯＧやＴＡＢ
によって設けられたＩＣまたはＬＳＩ等を設けないようにすることが好ましい。これによ
り、表示部１０２が設けられた基板を折り曲げることが出来る。
【0028】
なお、駆動回路部１０４としては、保護回路、制御回路、電源回路、信号生成回路等を
含む機能を有する構成としてもよい。
含む機能を有する構成としてもよい。
【0029】
また、駆動回路部１０４として、電源回路を複数有する構成とし、さらに該電源回路を
独立して制御する構成とすることで、表示部１０２を分割して駆動させる構成としてもよ
い。または、分割された表示部１０２の各部に、電源電圧の供給をそれぞれ制御できるよ
うな構成としてもよい。また、上述した電源回路の一部、あるいは電源回路とは別に表示
部１０２に設けられる発光素子に流れる電流量をモニターする機能を有する回路を設けて
もよい。発光素子に流れる電流量をモニターすることで、表示部１０２の消費電力を計測
することが可能となる。例えば、電流量のモニターとしては、表示部１０２に用いられる
発光素子のアノード－カソード間の電流量をモニターすればよい。
独立して制御する構成とすることで、表示部１０２を分割して駆動させる構成としてもよ
い。または、分割された表示部１０２の各部に、電源電圧の供給をそれぞれ制御できるよ
うな構成としてもよい。また、上述した電源回路の一部、あるいは電源回路とは別に表示
部１０２に設けられる発光素子に流れる電流量をモニターする機能を有する回路を設けて
もよい。発光素子に流れる電流量をモニターすることで、表示部１０２の消費電力を計測
することが可能となる。例えば、電流量のモニターとしては、表示部１０２に用いられる
発光素子のアノード－カソード間の電流量をモニターすればよい。
【0030】
＜演算部＞
演算部１０８は、駆動回路部１０４に画像情報を供給する機能を有する。
演算部１０８は、駆動回路部１０４に画像情報を供給する機能を有する。
【0031】
＜検知部＞
検知部１０６は、表示部１０２の外形の状態を識別することが可能な機能を有する。例
えば、表示部１０２が展開される第１の形態、または表示部１０２が折り畳まれる第２の
形態を検知する。検知部１０６としては、表示部１０２の外形の状態を識別することが出
来ればよく、例えばスイッチ、ＭＥＭＳ圧力センサ、加速度センサ、赤外線センサ、磁気
センサ、または感圧センサ等を用いて構成することができる。
検知部１０６は、表示部１０２の外形の状態を識別することが可能な機能を有する。例
えば、表示部１０２が展開される第１の形態、または表示部１０２が折り畳まれる第２の
形態を検知する。検知部１０６としては、表示部１０２の外形の状態を識別することが出
来ればよく、例えばスイッチ、ＭＥＭＳ圧力センサ、加速度センサ、赤外線センサ、磁気
センサ、または感圧センサ等を用いて構成することができる。
【0032】
＜記憶部＞
記憶部１１０は、演算部１０８に実行させるプログラムを記憶する。該プログラムは、
検知部１０６からの情報に応じて異なる処理を演算部１０８に実行させる。
記憶部１１０は、演算部１０８に実行させるプログラムを記憶する。該プログラムは、
検知部１０６からの情報に応じて異なる処理を演算部１０８に実行させる。
【0033】
次に、図１（Ａ）に示す表示パネル１０５の具体的な構成の一例について、以下説明を
行う。
行う。
【0034】
図１（Ｂ）は、表示パネル１０５の構成を説明する上面模式図である。
【0035】
図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、破線α１－α２間及び破線β１－β２間にて折
り畳むことができる。なお、図１（Ｂ）に示す構成の場合、表示パネル１０５は、３つ折
りにすることができる。ただし、表示パネル１０５の構成はこれに限定されず、１つ、ま
たは３つ以上の箇所で折り畳まれる構成としてもよい。なお、折り目である破線α１－α
２間と、破線β１－β２間とは、平行に配置されているが、本発明の一態様はこれに限定
されない。折り目は、平行ではない配置でもよいし、交差した状態で設けられていてもよ
い。
り畳むことができる。なお、図１（Ｂ）に示す構成の場合、表示パネル１０５は、３つ折
りにすることができる。ただし、表示パネル１０５の構成はこれに限定されず、１つ、ま
たは３つ以上の箇所で折り畳まれる構成としてもよい。なお、折り目である破線α１－α
２間と、破線β１－β２間とは、平行に配置されているが、本発明の一態様はこれに限定
されない。折り目は、平行ではない配置でもよいし、交差した状態で設けられていてもよ
い。
【0036】
また、図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、表示部１０２と、表示部１０２の外周に
駆動回路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第２のゲートドライバ
１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ
＿２と、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、第１のソースドライバ１
０４ｓ＿１、及び第２のソースドライバ１０４ｓ＿２は、折り畳まれない領域にそれぞれ
独立に形成されている。
駆動回路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第２のゲートドライバ
１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ
＿２と、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、第１のソースドライバ１
０４ｓ＿１、及び第２のソースドライバ１０４ｓ＿２は、折り畳まれない領域にそれぞれ
独立に形成されている。
【0037】
このとき、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２は折りたたまれる領域に配置されている
が、表示部１０２と同一基板上に、同一工程で形成された構成とすることで、問題なく動
作させることが出来る。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、例えば、図７（Ａ
）に示すように、表示部１０２の両側にゲートドライバ（ゲートドライバ１０４ｇ＿１Ａ
とゲートドライバ１０４ｇ＿１Ｂ、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ａとゲートドライバ１０
４ｇ＿２Ｂ、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｃとゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｄなど）が設
けられていてもよいし、ソースドライバは１つだけ配置されていてもよい。または、図１
（Ｂ）におけるゲートドライバの位置にソースドライバを配置し、図１（Ｂ）におけるソ
ースドライバの位置にゲートドライバを配置してもよい。または、折りたたまれる領域に
は第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２を配置せず、図７（Ａ）のゲートドライバ１０４ｇ
＿２Ａとゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｃ、または、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｂとゲー
トドライバ１０４ｇ＿２Ｄのように、折り目には回路を配置しないようにしてもよい。こ
れにより、表示パネルの信頼性を向上させることが出来る。または、ＣＯＧやＴＡＢで実
装させることが出来る。
が、表示部１０２と同一基板上に、同一工程で形成された構成とすることで、問題なく動
作させることが出来る。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、例えば、図７（Ａ
）に示すように、表示部１０２の両側にゲートドライバ（ゲートドライバ１０４ｇ＿１Ａ
とゲートドライバ１０４ｇ＿１Ｂ、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ａとゲートドライバ１０
４ｇ＿２Ｂ、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｃとゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｄなど）が設
けられていてもよいし、ソースドライバは１つだけ配置されていてもよい。または、図１
（Ｂ）におけるゲートドライバの位置にソースドライバを配置し、図１（Ｂ）におけるソ
ースドライバの位置にゲートドライバを配置してもよい。または、折りたたまれる領域に
は第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２を配置せず、図７（Ａ）のゲートドライバ１０４ｇ
＿２Ａとゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｃ、または、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｂとゲー
トドライバ１０４ｇ＿２Ｄのように、折り目には回路を配置しないようにしてもよい。こ
れにより、表示パネルの信頼性を向上させることが出来る。または、ＣＯＧやＴＡＢで実
装させることが出来る。
【0038】
または、図７（Ｂ）に示すように、ゲートドライバとソースドライバとが同じ辺に配置
されていてもよい。図７（Ｂ）では、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿３、第２のゲート
ドライバ１０４ｇ＿４、第１のソースドライバ１０４ｓ＿３、および、第２のソースドラ
イバ１０４ｓ＿４が、片側に配置されている。そして、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿
３と第２のゲートドライバ１０４ｇ＿４とは、表示部１０２の周囲を囲うような形で配置
された配線を介して接続されている。このような配置とすることにより、表示部１０２を
折り曲げる位置を自由に変更することが出来る。また、駆動回路が折り曲げられないため
、トランジスタに圧力が加わらないため、信頼性を向上させることが出来る。なお、図７
（Ｂ）では、ゲートドライバをソースドライバ側に配置して、ゲート線までの配線を大き
く迂回させて配置していたが、本発明の一態様はこれに限定されない。ゲートドライバ側
にソースドライバを配置して、ソース線までの配線を大きく迂回させて配置してもよい。
されていてもよい。図７（Ｂ）では、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿３、第２のゲート
ドライバ１０４ｇ＿４、第１のソースドライバ１０４ｓ＿３、および、第２のソースドラ
イバ１０４ｓ＿４が、片側に配置されている。そして、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿
３と第２のゲートドライバ１０４ｇ＿４とは、表示部１０２の周囲を囲うような形で配置
された配線を介して接続されている。このような配置とすることにより、表示部１０２を
折り曲げる位置を自由に変更することが出来る。また、駆動回路が折り曲げられないため
、トランジスタに圧力が加わらないため、信頼性を向上させることが出来る。なお、図７
（Ｂ）では、ゲートドライバをソースドライバ側に配置して、ゲート線までの配線を大き
く迂回させて配置していたが、本発明の一態様はこれに限定されない。ゲートドライバ側
にソースドライバを配置して、ソース線までの配線を大きく迂回させて配置してもよい。
【0039】
【0040】
【0041】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示部１０２の場合、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と
、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２の
ソースドライバ１０４ｓ＿２と、を使用することで、表示部１０２の全面に画像を表示さ
せることができる。
、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２の
ソースドライバ１０４ｓ＿２と、を使用することで、表示部１０２の全面に画像を表示さ
せることができる。
【0042】
【0043】
図３（Ａ）は表示部１０２が折り畳まれる状態（第２の形態）の場合の上面模式図であ
り、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂ間の切断面の断面図に相当する。なお
、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）と異なる態様の表示状態とした際の断面図である。
り、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂ間の切断面の断面図に相当する。なお
、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）と異なる態様の表示状態とした際の断面図である。
【0044】
図３（Ａ）に示す表示部１０２の場合、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第２の
ゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースド
ライバ１０４ｓ＿２と、を使用すると図３（Ｂ）に示すように、表示部１０２の全面に画
像が表示される。しかしながら、折り込まれた箇所に位置する領域１２０については、視
認者から直接観察することができない。したがって、図３（Ｃ）に示すように、表示部１
０２を表示部１０２ａと表示部１０２ｂに分割し、視認者から観察することのできる表示
部１０２ａの画像のみ表示させて、視認者から観察することのできない表示部１０２ｂの
画像を表示させない構成とすることで、表示部１０２の消費電力を低減させることができ
る。
ゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースド
ライバ１０４ｓ＿２と、を使用すると図３（Ｂ）に示すように、表示部１０２の全面に画
像が表示される。しかしながら、折り込まれた箇所に位置する領域１２０については、視
認者から直接観察することができない。したがって、図３（Ｃ）に示すように、表示部１
０２を表示部１０２ａと表示部１０２ｂに分割し、視認者から観察することのできる表示
部１０２ａの画像のみ表示させて、視認者から観察することのできない表示部１０２ｂの
画像を表示させない構成とすることで、表示部１０２の消費電力を低減させることができ
る。
【0045】
このように、表示部１０２ｂに、画像を表示させないようにするためには、様々な方法
を用いることが出来る。例えば、表示部１０２ｂの画素には、黒（輝度や階調数が最少）
の画像を表示させるようにする。つまり、表示部１０２ｂに供給される映像信号を制御す
ることにより、黒画像を表示させるようにする。これにより、表示部１０２ｂでは、発光
されないため、実質的に画像を表示させないことと同等とすることが出来る。
を用いることが出来る。例えば、表示部１０２ｂの画素には、黒（輝度や階調数が最少）
の画像を表示させるようにする。つまり、表示部１０２ｂに供給される映像信号を制御す
ることにより、黒画像を表示させるようにする。これにより、表示部１０２ｂでは、発光
されないため、実質的に画像を表示させないことと同等とすることが出来る。
【0046】
さらに、別の手法を用いることもできる。その場合、画素の回路構成によって異なる場
合がある。または、ソースドライバとゲートドライバの配置場所によって、異なる場合が
ある。
合がある。または、ソースドライバとゲートドライバの配置場所によって、異なる場合が
ある。
【0047】
そこでまず、画素回路の一例を図８（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図８（Ａ）、（Ｂ）
では、トランジスタを用いたアクティブマトリックス型の場合の画素を示すが、本発明の
一態様は、これに限定されない。トランジスタなどを用いないパッシブマトリクス型の画
素でもよい。または、画素が配置されておらず、全面で発光するような照明装置でもよい
。
では、トランジスタを用いたアクティブマトリックス型の場合の画素を示すが、本発明の
一態様は、これに限定されない。トランジスタなどを用いないパッシブマトリクス型の画
素でもよい。または、画素が配置されておらず、全面で発光するような照明装置でもよい
。
【0048】
画素９０９は、トランジスタ９０１、トランジスタ９０３、容量素子９０２、発光素子
９０４を有している。配線９０６、配線９０５、配線９０７、配線９０８を介して、各画
素が電気的に接続されている。
９０４を有している。配線９０６、配線９０５、配線９０７、配線９０８を介して、各画
素が電気的に接続されている。
【0049】
配線９０６は、映像信号や初期化信号やプリチャージ信号などを供給することができる
機能を有している。よって、配線９０６は、ソース信号線、映像信号線などの機能を有し
ている。配線９０５は、選択信号などを供給することができる機能を有している。よって
、配線９０５は、ゲート信号線などの機能を有している。配線９０７は、発光素子９０４
または、トランジスタ９０３に電流を供給する機能、またはトランジスタ９０３の電流を
補正するための信号を供給する機能を有している。よって、配線９０７は、アノード線、
電流供給線、電源線、電圧供給線などの機能を有している。配線９０８は、陰極線、共通
電極、などの機能を有している。
機能を有している。よって、配線９０６は、ソース信号線、映像信号線などの機能を有し
ている。配線９０５は、選択信号などを供給することができる機能を有している。よって
、配線９０５は、ゲート信号線などの機能を有している。配線９０７は、発光素子９０４
または、トランジスタ９０３に電流を供給する機能、またはトランジスタ９０３の電流を
補正するための信号を供給する機能を有している。よって、配線９０７は、アノード線、
電流供給線、電源線、電圧供給線などの機能を有している。配線９０８は、陰極線、共通
電極、などの機能を有している。
【0050】
トランジスタ９０１は、映像信号や初期化信号などを供給するか否か、または、画素を
選択するか否か、などを制御することができる機能を有している。よって、トランジスタ
９０１は、選択用トランジスタとしての機能を有している。容量素子９０２は、映像信号
や、トランジスタの閾値電圧などを保持することができる機能を有している。トランジス
タ９０３は、発光素子９０４に流れる電流の大きさを制御することができる機能を有して
いる。トランジスタ９０３は、容量素子９０２に保持された電圧に応じて、電流の大きさ
を制御することが出来る。つまり、トランジスタ９０３は、駆動トランジスタとしての機
能を有している。したがって、図８（Ａ）では、トランジスタ９０３は、Ｐチャネル型が
望ましく、図８（Ｂ）では、Ｎチャネル型が望ましい。ただし、本発明の一態様は、これ
に限定されない。
選択するか否か、などを制御することができる機能を有している。よって、トランジスタ
９０１は、選択用トランジスタとしての機能を有している。容量素子９０２は、映像信号
や、トランジスタの閾値電圧などを保持することができる機能を有している。トランジス
タ９０３は、発光素子９０４に流れる電流の大きさを制御することができる機能を有して
いる。トランジスタ９０３は、容量素子９０２に保持された電圧に応じて、電流の大きさ
を制御することが出来る。つまり、トランジスタ９０３は、駆動トランジスタとしての機
能を有している。したがって、図８（Ａ）では、トランジスタ９０３は、Ｐチャネル型が
望ましく、図８（Ｂ）では、Ｎチャネル型が望ましい。ただし、本発明の一態様は、これ
に限定されない。
【0051】
なお、画素回路は、様々な構成を採用することができる。したがって、本発明の一態様
は、図８（Ａ）、（Ｂ）の構成に限定されない。
は、図８（Ａ）、（Ｂ）の構成に限定されない。
【0052】
図９（Ａ）、（Ｂ）には、図８（Ａ）の画素回路がマトリクス状に配置された図を示す
。図９（Ａ）では、配線９０７と平行に折り目が設けられた場合を示し、図９（Ｂ）では
、配線９０５と平行に折り目が設けられた場合を示す。
。図９（Ａ）では、配線９０７と平行に折り目が設けられた場合を示し、図９（Ｂ）では
、配線９０５と平行に折り目が設けられた場合を示す。
【0053】
図１０に、図９（Ａ）の場合に、配線９０７の導通状態を制御する回路９１１が設けら
れた場合のブロック図を示す。配線９０６は、ソースドライバ回路９１２と電気的に接続
されている。配線９０７は、回路９１１と電気的に接続されている。回路９１１は、複数
の配線９０７のうち、どの配線に電圧を供給し、どの配線に電圧を供給しないかを制御す
ることが出来る。これにより、折り畳んだ時に、非発光領域を構成することができ、消費
電力を低減することが出来る。
れた場合のブロック図を示す。配線９０６は、ソースドライバ回路９１２と電気的に接続
されている。配線９０７は、回路９１１と電気的に接続されている。回路９１１は、複数
の配線９０７のうち、どの配線に電圧を供給し、どの配線に電圧を供給しないかを制御す
ることが出来る。これにより、折り畳んだ時に、非発光領域を構成することができ、消費
電力を低減することが出来る。
【0054】
図１１（Ａ）、（Ｂ）には、回路９１１の内部の回路構成の一例を示す。図１１（Ａ）
では、１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも左側の領域では、配線９１８Ａを使
用し、１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも右側の領域では、配線９１８Ｂを使
用している。１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも左側の領域は、折り畳んだと
きでも表示される領域であり、１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも右側の領域
は、折り畳んだときには、表示しない領域である。ここで、配線９０７Ａ、配線９０７Ｂ
などは、配線９１８Ａに接続され、配線９０７Ｃ、配線９０７Ｄ、配線９０７Ｅ、配線９
０７Ｆ、などは、配線９１８Ｂに接続される。このような構成とすることにより、折り畳
んだときには、配線９１８Ａには電圧を供給することによって、配線９０７Ａ、配線９０
７Ｂなどを介して、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４に電流が供給されて、
発光することが出来る。一方、配線９１８Ｂには電圧を供給せずにフローティング状態に
することによって、または、発光素子９０４が発光しないような電圧を供給することによ
って、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４には電流が供給されず、発光しない
ようにすることが出来る。
では、１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも左側の領域では、配線９１８Ａを使
用し、１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも右側の領域では、配線９１８Ｂを使
用している。１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも左側の領域は、折り畳んだと
きでも表示される領域であり、１つ目の折り目である破線α１－α２間よりも右側の領域
は、折り畳んだときには、表示しない領域である。ここで、配線９０７Ａ、配線９０７Ｂ
などは、配線９１８Ａに接続され、配線９０７Ｃ、配線９０７Ｄ、配線９０７Ｅ、配線９
０７Ｆ、などは、配線９１８Ｂに接続される。このような構成とすることにより、折り畳
んだときには、配線９１８Ａには電圧を供給することによって、配線９０７Ａ、配線９０
７Ｂなどを介して、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４に電流が供給されて、
発光することが出来る。一方、配線９１８Ｂには電圧を供給せずにフローティング状態に
することによって、または、発光素子９０４が発光しないような電圧を供給することによ
って、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４には電流が供給されず、発光しない
ようにすることが出来る。
【0055】
なお、図１１（Ａ）では、１つ目の折り目である破線α１－α２間を境にして、配線９
１８Ａと配線９１８Ｂとに分けて各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４に接続さ
せるようにしたが、本発明の一態様は、これに限定されない。１つ目の折り目である破線
α１－α２間の右側の領域でも、折り畳んだときに発光できるようにするため、図１１（
Ｂ）に示すように、配線９０７Ｃと配線９１８Ａを接続させてもよい。
１８Ａと配線９１８Ｂとに分けて各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４に接続さ
せるようにしたが、本発明の一態様は、これに限定されない。１つ目の折り目である破線
α１－α２間の右側の領域でも、折り畳んだときに発光できるようにするため、図１１（
Ｂ）に示すように、配線９０７Ｃと配線９１８Ａを接続させてもよい。
【0056】
なお、ソースドライバ回路９１２や回路９１１は、複数のＩＣチップに分けることによ
り、折り目と重なる領域には、ＩＣチップを配置しないようにして、ＣＯＧやＴＡＢでも
実装できるようにしてもよい。
り、折り目と重なる領域には、ＩＣチップを配置しないようにして、ＣＯＧやＴＡＢでも
実装できるようにしてもよい。
【0057】
なお、図１１（Ａ）、（Ｂ）では、配線９１８Ａと配線９１８Ｂとを用いて、折り畳ん
だときに発光する領域と発光しない領域とを制御できるようにしたが、本発明の一態様は
、これに限定されない。配線９１８Ａと配線９１８Ｂとを１本にまとめて、そのかわりに
、スイッチを配置することにより、発光を制御できるようにしてもよい。図１２（Ａ）は
、１つ目の折り目である破線α１－α２間の左側の領域では、配線９０７Ａ、配線９０７
Ｂなどは、スイッチを介さずに、配線９１８と接続されている。そのため、折りたたみの
有無にかかわらず、発光させることが出来る。一方、１つ目の折り目である破線α１－α
２間の右側の領域では、配線９０７Ｃ、配線９０７Ｄ、配線９０７Ｅ、配線９０７Ｆなど
は、スイッチ９１７Ｃ、スイッチ９１７Ｄ、スイッチ９１７Ｅ、スイッチ９１７Ｆなどを
介して、配線９１８と接続されている。そのため、折り畳んだ時には、これらのスイッチ
をオフにすることにより、画素を非発光とすることが出来る。
だときに発光する領域と発光しない領域とを制御できるようにしたが、本発明の一態様は
、これに限定されない。配線９１８Ａと配線９１８Ｂとを１本にまとめて、そのかわりに
、スイッチを配置することにより、発光を制御できるようにしてもよい。図１２（Ａ）は
、１つ目の折り目である破線α１－α２間の左側の領域では、配線９０７Ａ、配線９０７
Ｂなどは、スイッチを介さずに、配線９１８と接続されている。そのため、折りたたみの
有無にかかわらず、発光させることが出来る。一方、１つ目の折り目である破線α１－α
２間の右側の領域では、配線９０７Ｃ、配線９０７Ｄ、配線９０７Ｅ、配線９０７Ｆなど
は、スイッチ９１７Ｃ、スイッチ９１７Ｄ、スイッチ９１７Ｅ、スイッチ９１７Ｆなどを
介して、配線９１８と接続されている。そのため、折り畳んだ時には、これらのスイッチ
をオフにすることにより、画素を非発光とすることが出来る。
【0058】
なお、スイッチの有無により、領域によって抵抗値が変わってしまう場合には、図１２
（Ｂ）に示すように、１つ目の折り目である破線α１－α２間の左側の領域でも、配線９
０７Ａ、配線９０７Ｂなどをスイッチ９１７Ａ、スイッチ９１７Ｂなどを介して配線９１
８と接続させてもよい。
（Ｂ）に示すように、１つ目の折り目である破線α１－α２間の左側の領域でも、配線９
０７Ａ、配線９０７Ｂなどをスイッチ９１７Ａ、スイッチ９１７Ｂなどを介して配線９１
８と接続させてもよい。
【0059】
次に、図９（Ｂ）の場合に、領域によって発光を制御できるようにした構成について、
図１３（Ａ）に示す。図１３（Ａ）に示すように、１つ目の折り目である破線α１－α２
間の下側の領域では、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４にゲートドライバ９
１３Ｂが接続され、１つ目の折り目である破線α１－α２間の上側の領域では、各画素の
トランジスタ９０３や発光素子９０４にゲートドライバ９１３Ａが接続されている。１つ
目の折り目である破線α１－α２間の下側の領域では、折り畳んだときにも、発光できる
ようにゲートドライバ９１３Ｂが動作され、１つ目の折り目である破線α１－α２間の上
側の領域では、折り畳んだときには、発光しないように、画素が選択されないように、ゲ
ートドライバ９１３Ａが動作する。例えば、ゲートドライバ９１３ＡがＬ信号を出力する
。これにより、ゲートドライバ９１３Ａが実質的にスキャン動作しないため、消費電力を
低減することが出来る。なお、図３（Ｃ）は、図１３（Ａ）の場合に相当する。
図１３（Ａ）に示す。図１３（Ａ）に示すように、１つ目の折り目である破線α１－α２
間の下側の領域では、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４にゲートドライバ９
１３Ｂが接続され、１つ目の折り目である破線α１－α２間の上側の領域では、各画素の
トランジスタ９０３や発光素子９０４にゲートドライバ９１３Ａが接続されている。１つ
目の折り目である破線α１－α２間の下側の領域では、折り畳んだときにも、発光できる
ようにゲートドライバ９１３Ｂが動作され、１つ目の折り目である破線α１－α２間の上
側の領域では、折り畳んだときには、発光しないように、画素が選択されないように、ゲ
ートドライバ９１３Ａが動作する。例えば、ゲートドライバ９１３ＡがＬ信号を出力する
。これにより、ゲートドライバ９１３Ａが実質的にスキャン動作しないため、消費電力を
低減することが出来る。なお、図３（Ｃ）は、図１３（Ａ）の場合に相当する。
【0060】
図３（Ｃ）に示す表示部１０２の場合、例えば、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と
、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ＿２と、を使用
し、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２からは、選択信号を出力しない（例えば、Ｌ信号
のみを出力させる）ようにして、実質的にスキャン動作をさせないようにすることで、表
示部１０２ａのみ表示させることが可能となる。
、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ＿２と、を使用
し、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２からは、選択信号を出力しない（例えば、Ｌ信号
のみを出力させる）ようにして、実質的にスキャン動作をさせないようにすることで、表
示部１０２ａのみ表示させることが可能となる。
【0061】
なお、図１３（Ｂ）に示すように、ゲートドライバ９１４の出力部に、回路９１５を設
けることにより、選択信号が出力されるか否かを制御できるようにしてもよい。図１４に
、回路９１５の例を示す。配線９２０の電位をＨ信号とすることにより、ゲートドライバ
９１４の出力が、ＡＮＤ回路９１９によって制御されて、配線９０５に出力される。一方
、配線９２０の電位をＬ信号とすることにより、配線９０５は、常に、Ｌ信号が供給され
るようになる。これにより、画素への選択信号の供給を止めることが出来るため、消費電
力を低減することが出来る。
けることにより、選択信号が出力されるか否かを制御できるようにしてもよい。図１４に
、回路９１５の例を示す。配線９２０の電位をＨ信号とすることにより、ゲートドライバ
９１４の出力が、ＡＮＤ回路９１９によって制御されて、配線９０５に出力される。一方
、配線９２０の電位をＬ信号とすることにより、配線９０５は、常に、Ｌ信号が供給され
るようになる。これにより、画素への選択信号の供給を止めることが出来るため、消費電
力を低減することが出来る。
【0062】
なお、ゲートドライバ９１４、回路９１５、ゲートドライバ９１３Ａなどは、複数のＩ
Ｃチップに分けることにより、折り目と重なる領域には、ＩＣチップを配置しないように
して、ＣＯＧやＴＡＢでも実装できるようにしてもよい。
Ｃチップに分けることにより、折り目と重なる領域には、ＩＣチップを配置しないように
して、ＣＯＧやＴＡＢでも実装できるようにしてもよい。
【0063】
次に、図８（Ｂ）の画素回路がマトリクス状に配置された図を、図１５（Ａ）、（Ｂ）
に示す。図１５（Ａ）では、配線９０６と平行に折り目が設けられた場合を示し、図１５
（Ｂ）では、配線９０５と平行に折り目が設けられた場合を示す。
に示す。図１５（Ａ）では、配線９０６と平行に折り目が設けられた場合を示し、図１５
（Ｂ）では、配線９０５と平行に折り目が設けられた場合を示す。
【0064】
図１６（Ａ）、（Ｂ）では、図１３（Ａ）と同様に、領域に応じて、別々の駆動回路を
配置した場合を示す。なお、配線９０５を駆動するための回路と、配線９０７を駆動する
ための回路とが設けられている場合があるが、図１６（Ａ）では、配線９０７を駆動する
ための回路として、回路９１６Ａと回路９１６Ｂとがそれぞれ設けられている。一方、図
１６（Ｂ）では、配線９０５を駆動するための回路９１３が領域に応じて分割せずに設け
られている。つまり、配線９０５を駆動するための回路と配線９０７を駆動するための回
路を、領域ごとに分ける構成、または分けない構成とすることが出来る。
配置した場合を示す。なお、配線９０５を駆動するための回路と、配線９０７を駆動する
ための回路とが設けられている場合があるが、図１６（Ａ）では、配線９０７を駆動する
ための回路として、回路９１６Ａと回路９１６Ｂとがそれぞれ設けられている。一方、図
１６（Ｂ）では、配線９０５を駆動するための回路９１３が領域に応じて分割せずに設け
られている。つまり、配線９０５を駆動するための回路と配線９０７を駆動するための回
路を、領域ごとに分ける構成、または分けない構成とすることが出来る。
【0065】
また、図１３（Ｂ）の回路９１５と同様に、回路９２１を、回路９１６の出力部に設け
た場合の例を、図１７（Ａ）に示す。回路９２１の具体例を図１７（Ｂ）に示す。配線９
２３の電位を制御することにより、ＡＮＤ回路９２２によって、配線９０７の電位が制御
される。
た場合の例を、図１７（Ａ）に示す。回路９２１の具体例を図１７（Ｂ）に示す。配線９
２３の電位を制御することにより、ＡＮＤ回路９２２によって、配線９０７の電位が制御
される。
【0066】
このように、様々な方式により、領域に応じて発光状態を制御することが出来る。
【0067】
しかしながら、図３（Ｃ）に示す表示部１０２のように、表示部１０２ａのみ画像を表
示させる構成で駆動回路部１０４を駆動させた後に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネ
ル１０５の表示部１０２が展開される状態（第１の形態）で表示部１０２の全面に画像を
表示させると、図３（Ｃ）に示す表示部１０２ａと表示部１０２ｂの輝度が異なる現象が
生じうる。
示させる構成で駆動回路部１０４を駆動させた後に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネ
ル１０５の表示部１０２が展開される状態（第１の形態）で表示部１０２の全面に画像を
表示させると、図３（Ｃ）に示す表示部１０２ａと表示部１０２ｂの輝度が異なる現象が
生じうる。
【0068】
例えば、表示部１０２として発光素子を用いた場合、表示部１０２ａのみ画像を表示さ
せる構成とすることで、表示部１０２ａの領域の発光素子が劣化しうる。したがって、表
示部１０２が展開される第１の形態の際に表示部１０２の面内で輝度等がばらつき、表示
ムラとして認識される。特に、表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界で輝度変化が大き
くなるために、視認者から表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界が認識されてしまう。
せる構成とすることで、表示部１０２ａの領域の発光素子が劣化しうる。したがって、表
示部１０２が展開される第１の形態の際に表示部１０２の面内で輝度等がばらつき、表示
ムラとして認識される。特に、表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界で輝度変化が大き
くなるために、視認者から表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界が認識されてしまう。
【0069】
そこで、本発明の一態様の情報処理装置１００においては、表示部１０２が展開される
第１の形態、または表示部１０２が折り畳まれる第２の形態に応じて、プログラムが輝度
調整処理を行い、駆動方法を制御することによって、表示部１０２の表示ムラ、とくに表
示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界の輝度の差を低減させることを可能とする。したが
って、表示品位の高い情報処理装置を提供することができる。
第１の形態、または表示部１０２が折り畳まれる第２の形態に応じて、プログラムが輝度
調整処理を行い、駆動方法を制御することによって、表示部１０２の表示ムラ、とくに表
示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界の輝度の差を低減させることを可能とする。したが
って、表示品位の高い情報処理装置を提供することができる。
【0070】
【0071】
【0072】
第１のステップにおいて、表示部１０２の外形の状態を検知部１０６からの情報により
特定する（ステップＳ１）。
特定する（ステップＳ１）。
【0073】
第２のステップにおいて、表示部１０２が展開される形態（第１の形態）か判断する（
ステップＳ２）。第１の形態の場合に第５のステップに進み、第１の形態以外の場合に第
３のステップに進む。
ステップＳ２）。第１の形態の場合に第５のステップに進み、第１の形態以外の場合に第
３のステップに進む。
【0074】
第３のステップにおいて、表示部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）か判断する
（ステップＳ３）。第２の形態の場合に第４のステップに進み、第２の形態以外の場合に
第１のステップ（ステップＳ１）に進む。
（ステップＳ３）。第２の形態の場合に第４のステップに進み、第２の形態以外の場合に
第１のステップ（ステップＳ１）に進む。
【0075】
第４のステップにおいて、輝度調整処理を行う（ステップＳ４）。
【0076】
第５のステップにおいて、終了する（ステップＳ５）。
【0077】
ここで、第４のステップ（ステップＳ４）の輝度調整処理について、図５に示すフロー
チャートを用いて説明を行う。
チャートを用いて説明を行う。
【0078】
＜輝度調整処理＞
第６のステップにおいて、表示領域と非表示領域を決定する（ステップＶ６）。とくに
、視認者から認識できる表示領域の境界から非表示領域とすると好ましい。
第６のステップにおいて、表示領域と非表示領域を決定する（ステップＶ６）。とくに
、視認者から認識できる表示領域の境界から非表示領域とすると好ましい。
【0079】
第７のステップにおいて、例えば、少なくとも１つの駆動回路部を休止する（ステップ
Ｖ７）。なお、その他にも、既に述べたように、様々な非発光領域を制御する様々な方法
を採用することが出来る。
Ｖ７）。なお、その他にも、既に述べたように、様々な非発光領域を制御する様々な方法
を採用することが出来る。
【0080】
少なくとも１つの駆動回路部を休止することなどで、表示部１０２が折り畳まれる形態
（第２の形態）の視認者から観察されない領域の画像を非表示とさせることが可能となる
ため、低消費電力の情報処理装置１００とすることが可能となる。
（第２の形態）の視認者から観察されない領域の画像を非表示とさせることが可能となる
ため、低消費電力の情報処理装置１００とすることが可能となる。
【0081】
第８のステップにおいて、非表示領域の一部を発光させる（ステップＶ８）。
【0082】
第９のステップにおいて、輝度調整処理を解除するか判断する（ステップＶ９）。輝度
調整処理を解除する場合に第１０のステップに進み、輝度調整処理を解除しない場合に第
８のステップに進む。
調整処理を解除する場合に第１０のステップに進み、輝度調整処理を解除しない場合に第
８のステップに進む。
【0083】
第１０のステップにおいて、輝度調整処理から復帰する（ステップＶ１０）。
【0084】
ここで、上述した輝度調整処理の具体的な方法について、図６を用いて説明を行う。
【0085】
図６（Ａ）、（Ｃ）は、表示パネル１０５の構成を説明する上面模式図である。また、
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂ間の切断面の断面図に相当する。また、
図６（Ｄ）は、図６（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂ間の切断面の断面図に相当する。
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂ間の切断面の断面図に相当する。また、
図６（Ｄ）は、図６（Ｂ）に示す一点鎖線Ａ－Ｂ間の切断面の断面図に相当する。
【0086】
なお、図６（Ａ）、（Ｂ）は、表示部１０２が展開される形態（第１の形態）の上面模
式図及び断面図であり、図６（Ｃ）、（Ｄ）は、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネル１
０５の表示部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）の上面模式図及び断面図である。
式図及び断面図であり、図６（Ｃ）、（Ｄ）は、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネル１
０５の表示部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）の上面模式図及び断面図である。
【0087】
【0088】
図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す表示パネル１０５は、表示部１０２と、表
示部１０２の外周に駆動回路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第
２のゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソー
スドライバ１０４ｓ＿２と、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、第１
のソースドライバ１０４ｓ＿１、及び第２のソースドライバ１０４ｓ＿２は、折り畳まれ
ない領域にそれぞれ独立に形成されている。
示部１０２の外周に駆動回路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第
２のゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソー
スドライバ１０４ｓ＿２と、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、第１
のソースドライバ１０４ｓ＿１、及び第２のソースドライバ１０４ｓ＿２は、折り畳まれ
ない領域にそれぞれ独立に形成されている。
【0089】
また、図６（Ｄ）において、図３（Ｃ）に示す表示部１０２と同様に、表示部１０２を
表示部１０２ａと表示部１０２ｂに分割し、視認者から観察することのできる表示部１０
２ａのみ表示させて、視認者から観察することのできない表示部１０２ｂの画像を表示さ
せない構成としている。
表示部１０２ａと表示部１０２ｂに分割し、視認者から観察することのできる表示部１０
２ａのみ表示させて、視認者から観察することのできない表示部１０２ｂの画像を表示さ
せない構成としている。
【0090】
【0091】
発光領域１３０は、上述のプログラムが実行する第８のステップ（ステップＶ８）によ
って発光される。
って発光される。
【0092】
発光領域１３０は、第１の発光領域１３１の輝度＞第２の発光領域１３２の輝度＞第３
の発光領域の輝度の関係が満たされる。これは、各領域の画素の映像信号を制御すること
により実現できる。
の発光領域の輝度の関係が満たされる。これは、各領域の画素の映像信号を制御すること
により実現できる。
【0093】
このように、表示部１０２ａから段階的に輝度が変化する発光領域を設けることによっ
て、表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界の輝度がなだらかに変化する。例えば、表示
部１０２として発光素子を用いた場合、表示部１０２ａのみ発光させると表示部１０２ａ
の領域の発光素子のみ劣化する。しかしながら、表示部１０２ａから段階的に輝度が変化
する発光領域を設けることによって、表示部１０２ａから表示部１０２ｂにかけて発光素
子の劣化が緩やかになる。したがって、視認者が表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界
を認識することができなくなるため、表示品位の高い情報処理装置を提供することができ
る。
て、表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界の輝度がなだらかに変化する。例えば、表示
部１０２として発光素子を用いた場合、表示部１０２ａのみ発光させると表示部１０２ａ
の領域の発光素子のみ劣化する。しかしながら、表示部１０２ａから段階的に輝度が変化
する発光領域を設けることによって、表示部１０２ａから表示部１０２ｂにかけて発光素
子の劣化が緩やかになる。したがって、視認者が表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界
を認識することができなくなるため、表示品位の高い情報処理装置を提供することができ
る。
【0094】
【0095】
したがって、例えば、発光領域１３０は、表示部１０２ｂではなく、表示部１０２ａの
領域に含まれる、と考えてもよい。例えば、図６（Ｄ）に対応するものとして、図１８（
Ａ）に示すように、表示部１０２ａを側面部にも設けて、第１の発光領域１３１、第２の
発光領域１３２、及び第３の発光領域１３３は、完全に隠れるようにしてもよい。これに
より、見える領域では、通常の輝度で見えるため、適切な表示を行なうことが出来る。ま
たは、図１８（Ｂ）に示すように、表示部１０２ａを平坦な領域にのみ限定して、曲がっ
た部分に、第１の発光領域１３１、第２の発光領域１３２、及び第３の発光領域１３３を
設けてもよい。曲がった部分は、歪んで見えるため、正確な表示には適さない。よって、
その領域をグラデーション表示にすることにより、劣化の影響を視認しづらくすることが
出来る。
領域に含まれる、と考えてもよい。例えば、図６（Ｄ）に対応するものとして、図１８（
Ａ）に示すように、表示部１０２ａを側面部にも設けて、第１の発光領域１３１、第２の
発光領域１３２、及び第３の発光領域１３３は、完全に隠れるようにしてもよい。これに
より、見える領域では、通常の輝度で見えるため、適切な表示を行なうことが出来る。ま
たは、図１８（Ｂ）に示すように、表示部１０２ａを平坦な領域にのみ限定して、曲がっ
た部分に、第１の発光領域１３１、第２の発光領域１３２、及び第３の発光領域１３３を
設けてもよい。曲がった部分は、歪んで見えるため、正確な表示には適さない。よって、
その領域をグラデーション表示にすることにより、劣化の影響を視認しづらくすることが
出来る。
【0096】
または、図１８（Ｂ）、図６（Ｄ）、図１８（Ａ）のような状態を、所定の期間ごとに
切り替えてもよい。または、図１８（Ｂ）から、境界が徐々に変化して、図６（Ｄ）にな
り、さらに境界が徐々に変化して、図１８（Ａ）になり、その後、同様に、また、図６（
Ｄ）を経て、図１８（Ｂ）に戻っていくようにしてもよい。このように、発光領域を変化
させることにより、さらに劣化の影響を視認しづらくさせることが出来る。
切り替えてもよい。または、図１８（Ｂ）から、境界が徐々に変化して、図６（Ｄ）にな
り、さらに境界が徐々に変化して、図１８（Ａ）になり、その後、同様に、また、図６（
Ｄ）を経て、図１８（Ｂ）に戻っていくようにしてもよい。このように、発光領域を変化
させることにより、さらに劣化の影響を視認しづらくさせることが出来る。
【0097】
また、表示部１０２ｂ内の発光領域の始点を変える、あるいは表示部１０２ｂ内の発光
領域の位置または輝度を変えても良い。例えば、表示部１０２を複数回折り畳む場合、１
回目の折り畳み時においては、第１の発光領域１３１のみ発光させる。２回目の折り畳み
時においては、第１の発光領域１３１と第２の発光領域１３２を発光させる。３回目の折
り畳み時においては、第１の発光領域１３１の始点を変えて発光させる。このような発光
パターンも表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界での輝度差を低減させるには、有効な
駆動方法の一つである。
領域の位置または輝度を変えても良い。例えば、表示部１０２を複数回折り畳む場合、１
回目の折り畳み時においては、第１の発光領域１３１のみ発光させる。２回目の折り畳み
時においては、第１の発光領域１３１と第２の発光領域１３２を発光させる。３回目の折
り畳み時においては、第１の発光領域１３１の始点を変えて発光させる。このような発光
パターンも表示部１０２ａと表示部１０２ｂの境界での輝度差を低減させるには、有効な
駆動方法の一つである。
【0098】
【0099】
例えば、発光領域１３０は、第１の発光領域１３１、第２の発光領域１３２、及び第３
の発光領域１３３のような領域を設けなくてもよい。その場合、図１８（Ｃ）、図３（Ｃ
）、図１８（Ｄ）のような状態を、所定の期間ごとに切り替えてもよい。または、図１８
（Ｃ）から、境界が徐々に変化して、図３（Ｃ）になり、さらに境界が徐々に変化して、
図１８（Ｄ）になり、その後、同様に、また、図３（Ｃ）を経て、図１８（Ｃ）に戻って
いくようにしてもよい。このように、発光領域を変化させることにより、さらに劣化の影
響を視認しづらくさせることが出来る。
の発光領域１３３のような領域を設けなくてもよい。その場合、図１８（Ｃ）、図３（Ｃ
）、図１８（Ｄ）のような状態を、所定の期間ごとに切り替えてもよい。または、図１８
（Ｃ）から、境界が徐々に変化して、図３（Ｃ）になり、さらに境界が徐々に変化して、
図１８（Ｄ）になり、その後、同様に、また、図３（Ｃ）を経て、図１８（Ｃ）に戻って
いくようにしてもよい。このように、発光領域を変化させることにより、さらに劣化の影
響を視認しづらくさせることが出来る。
【0100】
また、情報処理装置１５０が充電されているときのみに発光領域１３０が発光するとい
うプログラムを別途実行する構成としてもよい。
うプログラムを別途実行する構成としてもよい。
【0101】
また、発光領域１３０は、駆動回路部１０４と異なる回路で独立して制御してもよい。
例えば、発光領域１３０は、画像を表示する必要がないため、発光素子のアノードとカソ
ードをショートさせる構成とする。この場合、表示部１０２に設けられる発光素子は、駆
動回路部１０４で駆動させるとよい。
例えば、発光領域１３０は、画像を表示する必要がないため、発光素子のアノードとカソ
ードをショートさせる構成とする。この場合、表示部１０２に設けられる発光素子は、駆
動回路部１０４で駆動させるとよい。
【0102】
また、発光領域１３０の第１の発光領域１３１、第２の発光領域１３２、及び第３の発
光領域１３３のそれぞれの輝度は、表示部１０２ａに流れる電流を電流モニター回路で計
測し、該電流モニター回路の電流値を読み取ることで設定される。
光領域１３３のそれぞれの輝度は、表示部１０２ａに流れる電流を電流モニター回路で計
測し、該電流モニター回路の電流値を読み取ることで設定される。
【0103】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。
る。
【0104】
【0105】
図１９（Ａ）に表示部が展開される形態（第１の形態）の情報処理装置１５０を示す。
図１９（Ｂ）に表示部が展開される形態（第１の形態）または表示部が折り畳まれる形態
（第２の形態）の一方から他方に変化する途中の形態の情報処理装置１５０を示す。図１
９（Ｃ）に表示部が折り畳まれる形態（第２の形態）の情報処理装置１５０を示す。
図１９（Ｂ）に表示部が展開される形態（第１の形態）または表示部が折り畳まれる形態
（第２の形態）の一方から他方に変化する途中の形態の情報処理装置１５０を示す。図１
９（Ｃ）に表示部が折り畳まれる形態（第２の形態）の情報処理装置１５０を示す。
【0106】
図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す情報処理装置１５０は、可撓性を有する表示部を
含む表示パネル１５２を有する。情報処理装置１５０は、さらに複数の支持パネル１５３
ａと、複数の支持パネル１５５ａと、複数の支持パネル１５５ｂとを有する。
含む表示パネル１５２を有する。情報処理装置１５０は、さらに複数の支持パネル１５３
ａと、複数の支持パネル１５５ａと、複数の支持パネル１５５ｂとを有する。
【0107】
支持パネル１５３ａとしては、例えば、表示パネル１５２もよりも可撓性の低い材料で
形成する。また、支持パネル１５５ａ、１５５ｂとしては、例えば、支持パネル１５３ａ
よりも可撓性の低い材料で形成する。図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表示
パネル１５２の外周、及び表示パネル１５２の表示部と対向する面に支持パネルを有する
と、表示パネル１５２の機械的強度を高め、破損しにくい構造となり好ましい。
形成する。また、支持パネル１５５ａ、１５５ｂとしては、例えば、支持パネル１５３ａ
よりも可撓性の低い材料で形成する。図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表示
パネル１５２の外周、及び表示パネル１５２の表示部と対向する面に支持パネルを有する
と、表示パネル１５２の機械的強度を高め、破損しにくい構造となり好ましい。
【0108】
また、支持パネル１５３ａ、１５５ａ、１５５ｂが遮光性を有する材料で形成されると
、表示パネル１５２が有する駆動回路部に外光が照射されることを抑制できる。これによ
り、駆動回路部に用いるトランジスタ等の光劣化を抑制できるため好適である。
、表示パネル１５２が有する駆動回路部に外光が照射されることを抑制できる。これによ
り、駆動回路部に用いるトランジスタ等の光劣化を抑制できるため好適である。
【0109】
【0110】
支持パネル１５３ａ、１５５ａ、１５５ｂに用いることのできる材料としては、プラス
チック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラスチックやゴム等を用いることで
、軽量であり、破損しにくい支持パネルを得られるため好ましい。例えば、支持パネル１
５３ａ、１５５ａ、１５５ｂとして、シリコーンゴム、ステンレス、またはアルミニウム
を用いればよい。
チック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラスチックやゴム等を用いることで
、軽量であり、破損しにくい支持パネルを得られるため好ましい。例えば、支持パネル１
５３ａ、１５５ａ、１５５ｂとして、シリコーンゴム、ステンレス、またはアルミニウム
を用いればよい。
【0111】
また、情報処理装置１５０において、可撓性を有する表示部を含む表示パネル１５２は
、内曲げ、外曲げのいずれで折りたたむこともできる。情報処理装置１５０を使用しない
際に、表示パネル１５２の表示部が内側になるように曲げることで、表示部にキズや汚れ
がつくことを抑制できる。
、内曲げ、外曲げのいずれで折りたたむこともできる。情報処理装置１５０を使用しない
際に、表示パネル１５２の表示部が内側になるように曲げることで、表示部にキズや汚れ
がつくことを抑制できる。
【0112】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。
る。
【0113】
【0114】
【0115】
図２０（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１
３、絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、及び絶縁層２５５を有する。
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１
３、絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、及び絶縁層２５５を有する。
【0116】
導電層２５４は、接続体２１５を介してＦＰＣ１８６と電気的に接続する。
【0117】
発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下
部電極２３１は、トランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する
。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はトップエミ
ッション構造である。上部電極２３５は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過す
る。
部電極２３１は、トランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する
。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はトップエミ
ッション構造である。上部電極２３５は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過す
る。
【0118】
発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、絶縁層２１１と重なる位置
に遮光層２５７が設けられている。着色層２５９及び遮光層２５７は絶縁層２６１で覆わ
れている。発光素子２３０と絶縁層２６１の間は封止層２１３で充填されている。
に遮光層２５７が設けられている。着色層２５９及び遮光層２５７は絶縁層２６１で覆わ
れている。発光素子２３０と絶縁層２６１の間は封止層２１３で充填されている。
【0119】
発光パネルは、光取り出し部１８２及び駆動回路部１８４に、複数のトランジスタを有
する。トランジスタ２４０は、絶縁層２０５上に設けられている。絶縁層２０５と基板２
０１は接着層２０３によって貼り合わされている。また、絶縁層２５５と基板１８１は接
着層１８５によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２５５に透水性の低い膜
を用いると、発光素子２３０やトランジスタ２４０に水等の不純物が侵入することを抑制
でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。接着層２０３は、接着層１８５と同
様の材料を用いることができる。
する。トランジスタ２４０は、絶縁層２０５上に設けられている。絶縁層２０５と基板２
０１は接着層２０３によって貼り合わされている。また、絶縁層２５５と基板１８１は接
着層１８５によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２５５に透水性の低い膜
を用いると、発光素子２３０やトランジスタ２４０に水等の不純物が侵入することを抑制
でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。接着層２０３は、接着層１８５と同
様の材料を用いることができる。
【0120】
具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２０５やトランジスタ２４０、発光素
子２３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層２０３を用いて基板２０１上に絶縁層２
０５やトランジスタ２４０、発光素子２３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２５５、着色層２５９
及び遮光層２５７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層１８５を用いて基板１８１上に
絶縁層２５５、着色層２５９及び遮光層２５７を転置することで作製できる発光パネルを
示している。
子２３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層２０３を用いて基板２０１上に絶縁層２
０５やトランジスタ２４０、発光素子２３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２５５、着色層２５９
及び遮光層２５７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層１８５を用いて基板１８１上に
絶縁層２５５、着色層２５９及び遮光層２５７を転置することで作製できる発光パネルを
示している。
【0121】
基板に、透水性が高く耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に
高温をかけることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制
限がある。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作
製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成すること
ができる。そして、それらを基板１８１や基板２０１へと転置することで、信頼性の高い
発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ
信頼性の高い情報処理装置を実現できる。
高温をかけることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制
限がある。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作
製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成すること
ができる。そして、それらを基板１８１や基板２０１へと転置することで、信頼性の高い
発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ
信頼性の高い情報処理装置を実現できる。
【0122】
基板１８１及び基板２０１には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。
これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、基板１８１
を有機樹脂基板とし、基板２０１を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とするこ
とで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを
実現できる。
これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、基板１８１
を有機樹脂基板とし、基板２０１を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とするこ
とで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを
実現できる。
【0123】
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であ
ることがより好ましい。
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であ
ることがより好ましい。
【0124】
また、基板２０１に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなる
ことを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板２０１を
金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができ
る）の積層構造としてもよい。
ことを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板２０１を
金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができ
る）の積層構造としてもよい。
【0125】
＜具体例２＞
図２１（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。図２１（Ａ）
の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。なお、以下の各具体例では、具
体例１と同様の構成については説明を省略する。
図２１（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。図２１（Ａ）
の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。なお、以下の各具体例では、具
体例１と同様の構成については説明を省略する。
【0126】
図２１（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶
縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１７、封止層２１
３、絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８１、導電
層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５、及び絶縁層２５５を有する。
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶
縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１７、封止層２１
３、絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８１、導電
層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５、及び絶縁層２５５を有する。
【0127】
具体例２では、絶縁層２１１上に絶縁層２１７を有する。絶縁層２１７を設けることで
、基板１８１と基板２０１の間隔を調整することができる。
、基板１８１と基板２０１の間隔を調整することができる。
【0128】
図２１（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。
基板２０１側の非発光領域（例えばトランジスタ２４０や配線が設けられた領域）に重ね
て受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の開口率を低下させることな
く発光パネルにタッチセンサを設けることができる。
基板２０１側の非発光領域（例えばトランジスタ２４０や配線が設けられた領域）に重ね
て受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の開口率を低下させることな
く発光パネルにタッチセンサを設けることができる。
【0129】
発光パネルが有する受光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードを
用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層２７１、ｉ型半
導体層２７３、及びｎ型半導体層２７５を有するｐｉｎ型のフォトダイオードを用いる。
用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層２７１、ｉ型半
導体層２７３、及びｎ型半導体層２７５を有するｐｉｎ型のフォトダイオードを用いる。
【0130】
なお、ｉ型半導体層２７３は、含まれるｐ型を付与する不純物及びｎ型を付与する不純
物がそれぞれ１×１０２０ｃｍ－３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１０
０倍以上である。ｉ型半導体層２７３には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元
素を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした
不純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層
２７３は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図
的に添加されたものをその範疇に含む。
物がそれぞれ１×１０２０ｃｍ－３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１０
０倍以上である。ｉ型半導体層２７３には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元
素を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした
不純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層
２７３は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図
的に添加されたものをその範疇に含む。
【0131】
遮光層２５７は、発光素子２３０よりも上方でかつ受光素子と重なる。受光素子と封止
層２１３との間に位置する遮光層２５７によって、発光素子２３０の発する光が受光素子
に照射されることを抑制できる。
層２１３との間に位置する遮光層２５７によって、発光素子２３０の発する光が受光素子
に照射されることを抑制できる。
【0132】
導電層２８１及び導電層２８３は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層２８
１は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層２８３は
、受光素子に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。
１は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層２８３は
、受光素子に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。
【0133】
光学式タッチセンサを基板１８１と封止層２１３の間に有すると、発光素子２３０の発
光の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
光の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
【0134】
【0135】
図２１（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶
縁層２０７、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層
２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８０、
導電層２８１、及び絶縁層２５５を有する。
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶
縁層２０７、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層
２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８０、
導電層２８１、及び絶縁層２５５を有する。
【0136】
図２１（Ｂ）では、絶縁層２０５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。
受光素子を絶縁層２０５及び封止層２１３の間に設けることで、トランジスタ２４０を構
成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電
層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加さ
せることなく、タッチ操作が可能な発光パネルを作製できる。
受光素子を絶縁層２０５及び封止層２１３の間に設けることで、トランジスタ２４０を構
成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電
層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加さ
せることなく、タッチ操作が可能な発光パネルを作製できる。
【0137】
【0138】
図２２（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５３、導電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１
１、絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層
２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、絶縁層２７８、導電層２９４及び導電層２９６を
有する。
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５３、導電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１
１、絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層
２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、絶縁層２７８、導電層２９４及び導電層２９６を
有する。
【0139】
【0140】
導電層２５３及び導電層２５４は、接続体２１５を介してＦＰＣ１８６と電気的に接続
する。導電層２９４及び導電層２９６は、導電性粒子２９２を介して導電層２７４と電気
的に接続する。したがって、ＦＰＣ１８６を介して静電容量式のタッチセンサを駆動する
ことができる。
する。導電層２９４及び導電層２９６は、導電性粒子２９２を介して導電層２７４と電気
的に接続する。したがって、ＦＰＣ１８６を介して静電容量式のタッチセンサを駆動する
ことができる。
【0141】
【0142】
図２２（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５３、導電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１
１、絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層
２７０、導電層２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、及び絶縁層２７８を有する。
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５３、導電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１
１、絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層
２７０、導電層２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、及び絶縁層２７８を有する。
【0143】
【0144】
導電層２５３及び導電層２５４は、接続体２１５ａを介してＦＰＣ１８６ａと電気的に
接続する。導電層２７０は、接続体２１５ｂを介してＦＰＣ１８６ｂと電気的に接続する
。したがって、ＦＰＣ１８６ａを介して発光素子２３０やトランジスタ２４０を駆動し、
ＦＰＣ１８６ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
接続する。導電層２７０は、接続体２１５ｂを介してＦＰＣ１８６ｂと電気的に接続する
。したがって、ＦＰＣ１８６ａを介して発光素子２３０やトランジスタ２４０を駆動し、
ＦＰＣ１８６ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
【0145】
＜具体例６＞
図２３（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。
図２３（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。
【0146】
図２３（Ａ）に示す光取り出し部１８２は、基板１８１、接着層１８５、基板２０２、
絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２０７、導電層２０８、絶縁層２０９ａ、絶
縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１３、及び着色層２５９を有す
る。
絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２０７、導電層２０８、絶縁層２０９ａ、絶
縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１３、及び着色層２５９を有す
る。
【0147】
発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下
部電極２３１は、導電層２０８を介してトランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電
極と電気的に接続する。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素
子２３０はボトムエミッション構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３
３が発する光を透過する。
部電極２３１は、導電層２０８を介してトランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電
極と電気的に接続する。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素
子２３０はボトムエミッション構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３
３が発する光を透過する。
【0148】
発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、発光素子２３０が発する光
は、着色層２５９を介して基板１８１側に取り出される。発光素子２３０と基板２０２の
間は封止層２１３で充填されている。基板２０２は、前述の基板２０１と同様の材料を用
いて作製できる。
は、着色層２５９を介して基板１８１側に取り出される。発光素子２３０と基板２０２の
間は封止層２１３で充填されている。基板２０２は、前述の基板２０１と同様の材料を用
いて作製できる。
【0149】
＜具体例７＞
図２３（Ｂ）に発光パネルの別の例を示す。
図２３（Ｂ）に発光パネルの別の例を示す。
【0150】
図２３（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０２、絶縁層２０５、導電層３１０ａ、導電層３１０ｂ、複数
の発光素子、絶縁層２１１、導電層２１２、及び封止層２１３を有する。
。素子層１８０は、基板２０２、絶縁層２０５、導電層３１０ａ、導電層３１０ｂ、複数
の発光素子、絶縁層２１１、導電層２１２、及び封止層２１３を有する。
【0151】
導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と
電気的に接続させることができる。
電気的に接続させることができる。
【0152】
発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下
部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はボトムエミッシ
ョン構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する。
導電層２１２は、下部電極２３１と電気的に接続する。
部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はボトムエミッシ
ョン構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する。
導電層２１２は、下部電極２３１と電気的に接続する。
【0153】
基板１８１は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造
が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記
レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接
着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記
レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接
着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
【0154】
導電層２１２は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極２３１の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極２３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層２１１上に設けてもよい。
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極２３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層２１１上に設けてもよい。
【0155】
導電層２１２は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層２１２の膜厚は、
０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以
下である。
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層２１２の膜厚は、
０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以
下である。
【0156】
上部電極２３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層２３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層２３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
【0157】
＜材料の一例＞
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先
に説明した構成については説明を省略する。
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先
に説明した構成については説明を省略する。
【0158】
素子層１８０は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素
子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んで
いる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いること
ができる。上記の中でも発光効率や作製方法の観点より、有機ＥＬ素子がとくに好ましい
。
子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んで
いる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いること
ができる。上記の中でも発光効率や作製方法の観点より、有機ＥＬ素子がとくに好ましい
。
【0159】
素子層１８０は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに
有していてもよい。
有していてもよい。
【0160】
発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または
、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも
一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または
、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも
一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
【0161】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【0162】
発光パネルが有する発光素子は、一対の電極（下部電極２３１及び上部電極２３５）と
、該一対の電極間に設けられたＥＬ層２３３とを有する。該一対の電極の一方は陽極とし
て機能し、他方は陰極として機能する。
、該一対の電極間に設けられたＥＬ層２３３とを有する。該一対の電極の一方は陽極とし
て機能し、他方は陰極として機能する。
【0163】
発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッショ
ン構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を
用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが
好ましい。
ン構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を
用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが
好ましい。
【0164】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
【0165】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【0166】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
【0167】
下部電極２３１及び上部電極２３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、ＥＬ層２３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はＥＬ層２３３において再結合し、ＥＬ層２３３に含まれる発光物質が発
光する。
ると、ＥＬ層２３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はＥＬ層２３３において再結合し、ＥＬ層２３３に含まれる発光物質が発
光する。
【0168】
ＥＬ層２３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層２３３は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【0169】
ＥＬ層２３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
【0170】
素子層１８０において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられている
ことが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光
装置の信頼性の低下を抑制できる。
ことが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光
装置の信頼性の低下を抑制できる。
【0171】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【0172】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０－５［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以
下、好ましくは１×１０－６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０－７［
ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とす
る。
下、好ましくは１×１０－６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０－７［
ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とす
る。
【0173】
基板１８１は透光性を有し、少なくとも素子層１８０が有する発光素子の発する光を透
過する。基板１８１は可撓性を有していてもよい。また、基板１８１の屈折率は、大気の
屈折率よりも高い。
過する。基板１８１は可撓性を有していてもよい。また、基板１８１の屈折率は、大気の
屈折率よりも高い。
【0174】
ガラスに比べて有機樹脂は重量が軽いため、基板１８１として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
【0175】
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いること
が好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いる
ことができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂
に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いること
が好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いる
ことができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂
に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
【0176】
基板１８１としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハ
ードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、
アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素
子の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
ードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、
アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素
子の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
【0177】
接着層１８５は、透光性を有し、少なくとも素子層１８０が有する発光素子の発する光
を透過する。また、接着層１８５の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
を透過する。また、接着層１８５の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
【0178】
接着層１８５には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂
、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が
低い材料が好ましい。
、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が
低い材料が好ましい。
【0179】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に
侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に
侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【0180】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー（酸化チタン等）を混合することにより、発光
素子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。
素子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。
【0181】
また、接着層１８５には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着
層１８５には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもでき
る。該粒子は光の散乱部材として機能する。
層１８５には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもでき
る。該粒子は光の散乱部材として機能する。
【0182】
樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が０．１以上あることが好ましく
、０．３以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタ
ン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
、０．３以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタ
ン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
【0183】
酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼ
オライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上
させることができる。
オライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上
させることができる。
【0184】
絶縁層２０５、絶縁層２５５には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の
透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光パネルを実現できるため好ましい。
透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光パネルを実現できるため好ましい。
【0185】
絶縁層２０７は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。絶縁層２０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム
膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
する。絶縁層２０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム
膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【0186】
絶縁層２０９、絶縁層２０９ａ、及び絶縁層２０９ｂとしては、それぞれ、トランジス
タ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適であ
る。例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材
料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）
等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積
層させてもよい。
タ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適であ
る。例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材
料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）
等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積
層させてもよい。
【0187】
絶縁層２１１は、下部電極２３１の端部を覆って設けられている。絶縁層２１１の上層
に形成されるＥＬ層２３３や上部電極２３５の被覆性を良好なものとするため、絶縁層２
１１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
に形成されるＥＬ層２３３や上部電極２３５の被覆性を良好なものとするため、絶縁層２
１１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
【0188】
絶縁層２１１の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹
脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層２１１
の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いるこ
とが好ましい。
ては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹
脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層２１１
の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いるこ
とが好ましい。
【0189】
絶縁層２１１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印
刷等）等を用いればよい。
、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印
刷等）等を用いればよい。
【0190】
絶縁層２１７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、又は金属材料等を用いて形成すること
ができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂
などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用い
ることができる。絶縁層２１７に導電材料を用い、絶縁層２１７と上部電極２３５とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極２３５の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層２１７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
ができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂
などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用い
ることができる。絶縁層２１７に導電材料を用い、絶縁層２１７と上部電極２３５とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極２３５の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層２１７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
【0191】
絶縁層２７６、絶縁層２７８、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５は、それぞれ
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層２７８や絶縁層２９５
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層２７８や絶縁層２９５
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。
【0192】
封止層２１３には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂
、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロラ
イド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（
ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることが
できる。封止層２１３に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層２１３を通過して発
光素子２３０の光が発光パネルの外に取り出される場合は、封止層２１３に屈折率の高い
フィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材に
ついては、接着層１８５に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。
、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロラ
イド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（
ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることが
できる。封止層２１３に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層２１３を通過して発
光素子２３０の光が発光パネルの外に取り出される場合は、封止層２１３に屈折率の高い
フィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材に
ついては、接着層１８５に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。
【0193】
導電層２５３、導電層２５４、導電層２９４、及び導電層２９６は、それぞれ、トラン
ジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導
電層２８０は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
ジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導
電層２８０は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
【0194】
例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングス
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、そ
れぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化
インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、
インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリ
コンを含ませたものを用いることができる。
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、そ
れぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化
インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、
インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリ
コンを含ませたものを用いることができる。
【0195】
また、導電層２０８、導電層２１２、導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂも、それぞれ
、上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
、上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
【0196】
導電層２７２及び導電層２７４、並びに、導電層２８１及び導電層２８３は、透光性を
有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜
鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層２７０は導電層
２７２と同一の材料、同一の工程で形成できる。
有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜
鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層２７０は導電層
２７２と同一の材料、同一の工程で形成できる。
【0197】
導電性粒子２９２は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したも
のを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい
。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒
子を用いることが好ましい。
のを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい
。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒
子を用いることが好ましい。
【0198】
接続体２１５としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシー
ト状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金
属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状
となった粒子を用いることが好ましい。
ト状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金
属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状
となった粒子を用いることが好ましい。
【0199】
着色層２５９は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域
の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）
のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用
いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォ
トリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）
のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用
いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォ
トリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【0200】
また、隣接する着色層２５９の間に、遮光層２５７が設けられている。遮光層２５７は
隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで
、着色層２５９の端部を、遮光層２５７と重なるように設けることにより、光漏れを抑制
することができる。遮光層２５７は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ
、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図２
０（Ａ）に示すように、遮光層２５７を駆動回路部１８４などの光取り出し部１８２以外
の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで
、着色層２５９の端部を、遮光層２５７と重なるように設けることにより、光漏れを抑制
することができる。遮光層２５７は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ
、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図２
０（Ａ）に示すように、遮光層２５７を駆動回路部１８４などの光取り出し部１８２以外
の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【0201】
また、着色層２５９と遮光層２５７を覆う絶縁層２６１を設けると、着色層２５９や遮
光層２５７に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好
ましい。絶縁層２６１は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いること
ができる。絶縁層２６１に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
光層２５７に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好
ましい。絶縁層２６１は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いること
ができる。絶縁層２６１に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
【0202】
【0203】
まず、作製基板３０１上に剥離層３０３を形成し、剥離層３０３上に絶縁層２０５を形
成する。次に、絶縁層２０５上に複数のトランジスタ、導電層２５４、絶縁層２０７、絶
縁層２０９、複数の発光素子、及び絶縁層２１１を形成する。なお、導電層２５４が露出
するように、絶縁層２１１、絶縁層２０９、及び絶縁層２０７は開口する（図２４（Ａ）
）。
成する。次に、絶縁層２０５上に複数のトランジスタ、導電層２５４、絶縁層２０７、絶
縁層２０９、複数の発光素子、及び絶縁層２１１を形成する。なお、導電層２５４が露出
するように、絶縁層２１１、絶縁層２０９、及び絶縁層２０７は開口する（図２４（Ａ）
）。
【0204】
【0205】
作製基板３０１及び作製基板３０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
【0206】
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
【0207】
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【0208】
剥離層３０３及び剥離層３０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【0209】
剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【0210】
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。
【0211】
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。
【0212】
なお、絶縁層２０５又は絶縁層２５５と剥離層との間に絶縁層を設け、後の工程で該絶
縁層と絶縁層２０５又は絶縁層２５５との界面で剥離を行うこともできる。該絶縁層とし
ては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多
層で形成することが好ましい。
縁層と絶縁層２０５又は絶縁層２５５との界面で剥離を行うこともできる。該絶縁層とし
ては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多
層で形成することが好ましい。
【0213】
各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
ることが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
【0214】
その後、作製基板３０５の着色層２５９等が設けられた面又は作製基板３０１の発光素
子２３０等が設けられた面に封止層２１３となる材料を塗布し、封止層２１３を介して該
面同士を貼り合わせる（図２４（Ｃ））。
子２３０等が設けられた面に封止層２１３となる材料を塗布し、封止層２１３を介して該
面同士を貼り合わせる（図２４（Ｃ））。
【0215】
そして、作製基板３０１を剥離し、露出した絶縁層２０５と基板２０１を、接着層２０
３を用いて貼り合わせる。また、作製基板３０５を剥離し、露出した絶縁層２５５と基板
１８１を、接着層１８５を用いて貼り合わせる。図２５（Ａ）では、基板１８１が導電層
２５４と重ならない構成としたが、導電層２５４と基板１８１が重なっていてもよい。
３を用いて貼り合わせる。また、作製基板３０５を剥離し、露出した絶縁層２５５と基板
１８１を、接着層１８５を用いて貼り合わせる。図２５（Ａ）では、基板１８１が導電層
２５４と重ならない構成としたが、導電層２５４と基板１８１が重なっていてもよい。
【0216】
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ
３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ
３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。
【0217】
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
【0218】
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離して
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
【0219】
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
【0220】
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱するこ
とにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹
脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹
脂の界面で剥離を行ってもよい。
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱するこ
とにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹
脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹
脂の界面で剥離を行ってもよい。
【0221】
最後に、絶縁層２５５及び封止層２１３を開口することで、導電層２５４を露出させる
（図２５（Ｂ））。なお、基板１８１が導電層２５４と重なる構成の場合は、基板１８１
及び接着層１８５も開口する（図２５（Ｃ））。開口の手段は特に限定されず、例えばレ
ーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよ
い。また、導電層２５４上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜
の一部を引き剥がしてもよい。
（図２５（Ｂ））。なお、基板１８１が導電層２５４と重なる構成の場合は、基板１８１
及び接着層１８５も開口する（図２５（Ｃ））。開口の手段は特に限定されず、例えばレ
ーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよ
い。また、導電層２５４上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜
の一部を引き剥がしてもよい。
【0222】
以上により、発光パネルを作製することができる。
【0223】
以上に示したように、本実施の形態の発光パネルは、基板１８１と、基板２０１又は基
板２０２と、の２枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、２
枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の
向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。
板２０２と、の２枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、２
枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の
向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。
【0224】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【0225】
【0226】
図２６に示す発光パネルは、基板４０１、トランジスタ２４０、発光素子２３０、絶縁
層２０７、絶縁層２０９、絶縁層２１１、絶縁層２１７、空間４０５、絶縁層２６１、遮
光層２５７、着色層２５９、受光素子（ｐ型半導体層２７１、ｉ型半導体層２７３、及び
ｎ型半導体層２７５を有する）、導電層２８１、導電層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２
９３、絶縁層２９５、及び基板４０３を有する。
層２０７、絶縁層２０９、絶縁層２１１、絶縁層２１７、空間４０５、絶縁層２６１、遮
光層２５７、着色層２５９、受光素子（ｐ型半導体層２７１、ｉ型半導体層２７３、及び
ｎ型半導体層２７５を有する）、導電層２８１、導電層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２
９３、絶縁層２９５、及び基板４０３を有する。
【0227】
該発光パネルは、基板４０１及び基板４０３の間に、発光素子２３０及び受光素子を囲
むように枠状に配置された接着層（図示しない）を有する。該接着層、基板４０１及び基
板４０３によって、発光素子２３０は封止されている。
むように枠状に配置された接着層（図示しない）を有する。該接着層、基板４０１及び基
板４０３によって、発光素子２３０は封止されている。
【0228】
本実施の形態の発光パネルでは、基板４０３が透光性を有する。発光素子２３０の発す
る光は、着色層２５９、基板４０３等を介して、大気に取り出される。
る光は、着色層２５９、基板４０３等を介して、大気に取り出される。
【0229】
本実施の形態の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。具体的には、受
光素子を用いて、基板４０３の表面への被検出物の近接又は接触を検知できる。
光素子を用いて、基板４０３の表面への被検出物の近接又は接触を検知できる。
【0230】
光学式タッチセンサは、被検出物が接触する表面に傷等がついても検出精度に影響が無
いため、耐久性が高く好ましい。また、光学式タッチセンサは、非接触によるセンシング
が可能である、表示装置に適用しても画像の鮮明さが低下しない、大型の発光パネルや表
示装置への適用が可能である等の利点もある。
いため、耐久性が高く好ましい。また、光学式タッチセンサは、非接触によるセンシング
が可能である、表示装置に適用しても画像の鮮明さが低下しない、大型の発光パネルや表
示装置への適用が可能である等の利点もある。
【0231】
光学式タッチセンサを基板４０３と空間４０５の間に有すると、発光素子２３０の発光
の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
【0232】
遮光層２５７は、発光素子２３０よりも上方でかつ受光素子と重なる。遮光層２５７に
よって、発光素子２３０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
よって、発光素子２３０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
【0233】
基板４０１及び基板４０３に用いる材料に特に限定はない。発光素子からの光を取り出
す側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サフ
ァイア、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光を取り出さない側の基板は、透
光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用い
た金属基板等を用いることもできる。また、基板４０１及び基板４０３には、先の実施の
形態で例示した基板の材料も用いることができる。
す側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サフ
ァイア、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光を取り出さない側の基板は、透
光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用い
た金属基板等を用いることもできる。また、基板４０１及び基板４０３には、先の実施の
形態で例示した基板の材料も用いることができる。
【0234】
発光パネルの封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であっても
よい。例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化
する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
空間４０５は、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、封止層２１
３と同様の樹脂等で充填されていてもよい。また、樹脂内に前述の乾燥剤、屈折率の高い
フィラー、又は散乱部材が含まれていてもよい。
よい。例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化
する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
空間４０５は、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、封止層２１
３と同様の樹脂等で充填されていてもよい。また、樹脂内に前述の乾燥剤、屈折率の高い
フィラー、又は散乱部材が含まれていてもよい。
【0235】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【0236】
１００ 情報処理装置
１０２ 表示部
１０２ａ 表示部
１０２ｂ 表示部
１０４ 駆動回路部
１０４ｇ＿１ ゲートドライバ
１０４ｇ＿１Ａ ゲートドライバ
１０４ｇ＿１Ｂ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ａ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｂ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｃ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｄ ゲートドライバ
１０４ｇ＿３ ゲートドライバ
１０４ｇ＿４ ゲートドライバ
１０４ｓ＿１ ソースドライバ
１０４ｓ＿２ ソースドライバ
１０４ｓ＿３ ソースドライバ
１０４ｓ＿４ ソースドライバ
１０５ 表示パネル
１０６ 検知部
１０８ 演算部
１１０ 記憶部
１２０ 領域
１３０ 発光領域
１３１ 発光領域
１３２ 発光領域
１３３ 発光領域
１５０ 情報処理装置
１５２ 表示パネル
１５３ａ 支持パネル
１５５ａ 支持パネル
１５５ｂ 支持パネル
１８０ 素子層
１８１ 基板
１８２ 光取り出し部
１８４ 駆動回路部
１８５ 接着層
１８６ ＦＰＣ
１８６ａ ＦＰＣ
１８６ｂ ＦＰＣ
２０１ 基板
２０２ 基板
２０３ 接着層
２０５ 絶縁層
２０７ 絶縁層
２０８ 導電層
２０９ 絶縁層
２０９ａ 絶縁層
２０９ｂ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１２ 導電層
２１３ 封止層
２１５ 接続体
２１５ａ 接続体
２１５ｂ 接続体
２１７ 絶縁層
２３０ 発光素子
２３１ 下部電極
２３３ ＥＬ層
２３５ 上部電極
２４０ トランジスタ
２５３ 導電層
２５４ 導電層
２５５ 絶縁層
２５７ 遮光層
２５９ 着色層
２６１ 絶縁層
２７０ 導電層
２７１ ｐ型半導体層
２７２ 導電層
２７３ ｉ型半導体層
２７４ 導電層
２７５ ｎ型半導体層
２７６ 絶縁層
２７８ 絶縁層
２８０ 導電層
２８１ 導電層
２８３ 導電層
２９１ 絶縁層
２９２ 導電性粒子
２９３ 絶縁層
２９４ 導電層
２９５ 絶縁層
２９６ 導電層
３０１ 作製基板
３０３ 剥離層
３０５ 作製基板
３０７ 剥離層
３１０ａ 導電層
３１０ｂ 導電層
４０１ 基板
４０３ 基板
４０５ 空間
９０１ トランジスタ
９０２ 容量素子
９０３ トランジスタ
９０４ 発光素子
９０５ 配線
９０６ 配線
９０７ 配線
９０７Ａ 配線
９０７Ｂ 配線
９０７Ｃ 配線
９０７Ｄ 配線
９０７Ｅ 配線
９０７Ｆ 配線
９０８ 配線
９０９ 画素
９１１ 回路
９１２ ソースドライバ回路
９１３ 回路
９１３Ａ ゲートドライバ
９１３Ｂ ゲートドライバ
９１４ ゲートドライバ
９１５ 回路
９１６ 回路
９１６Ａ 回路
９１６Ｂ 回路
９１７Ａ スイッチ
９１７Ｂ スイッチ
９１７Ｃ スイッチ
９１７Ｄ スイッチ
９１７Ｅ スイッチ
９１７Ｆ スイッチ
９１８ 配線
９１８Ａ 配線
９１８Ｂ 配線
９１９ ＡＮＤ回路
９２０ 配線
９２１ 回路
９２２ ＡＮＤ回路
９２３ 配線
１０２ 表示部
１０２ａ 表示部
１０２ｂ 表示部
１０４ 駆動回路部
１０４ｇ＿１ ゲートドライバ
１０４ｇ＿１Ａ ゲートドライバ
１０４ｇ＿１Ｂ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ａ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｂ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｃ ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｄ ゲートドライバ
１０４ｇ＿３ ゲートドライバ
１０４ｇ＿４ ゲートドライバ
１０４ｓ＿１ ソースドライバ
１０４ｓ＿２ ソースドライバ
１０４ｓ＿３ ソースドライバ
１０４ｓ＿４ ソースドライバ
１０５ 表示パネル
１０６ 検知部
１０８ 演算部
１１０ 記憶部
１２０ 領域
１３０ 発光領域
１３１ 発光領域
１３２ 発光領域
１３３ 発光領域
１５０ 情報処理装置
１５２ 表示パネル
１５３ａ 支持パネル
１５５ａ 支持パネル
１５５ｂ 支持パネル
１８０ 素子層
１８１ 基板
１８２ 光取り出し部
１８４ 駆動回路部
１８５ 接着層
１８６ ＦＰＣ
１８６ａ ＦＰＣ
１８６ｂ ＦＰＣ
２０１ 基板
２０２ 基板
２０３ 接着層
２０５ 絶縁層
２０７ 絶縁層
２０８ 導電層
２０９ 絶縁層
２０９ａ 絶縁層
２０９ｂ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１２ 導電層
２１３ 封止層
２１５ 接続体
２１５ａ 接続体
２１５ｂ 接続体
２１７ 絶縁層
２３０ 発光素子
２３１ 下部電極
２３３ ＥＬ層
２３５ 上部電極
２４０ トランジスタ
２５３ 導電層
２５４ 導電層
２５５ 絶縁層
２５７ 遮光層
２５９ 着色層
２６１ 絶縁層
２７０ 導電層
２７１ ｐ型半導体層
２７２ 導電層
２７３ ｉ型半導体層
２７４ 導電層
２７５ ｎ型半導体層
２７６ 絶縁層
２７８ 絶縁層
２８０ 導電層
２８１ 導電層
２８３ 導電層
２９１ 絶縁層
２９２ 導電性粒子
２９３ 絶縁層
２９４ 導電層
２９５ 絶縁層
２９６ 導電層
３０１ 作製基板
３０３ 剥離層
３０５ 作製基板
３０７ 剥離層
３１０ａ 導電層
３１０ｂ 導電層
４０１ 基板
４０３ 基板
４０５ 空間
９０１ トランジスタ
９０２ 容量素子
９０３ トランジスタ
９０４ 発光素子
９０５ 配線
９０６ 配線
９０７ 配線
９０７Ａ 配線
９０７Ｂ 配線
９０７Ｃ 配線
９０７Ｄ 配線
９０７Ｅ 配線
９０７Ｆ 配線
９０８ 配線
９０９ 画素
９１１ 回路
９１２ ソースドライバ回路
９１３ 回路
９１３Ａ ゲートドライバ
９１３Ｂ ゲートドライバ
９１４ ゲートドライバ
９１５ 回路
９１６ 回路
９１６Ａ 回路
９１６Ｂ 回路
９１７Ａ スイッチ
９１７Ｂ スイッチ
９１７Ｃ スイッチ
９１７Ｄ スイッチ
９１７Ｅ スイッチ
９１７Ｆ スイッチ
９１８ 配線
９１８Ａ 配線
９１８Ｂ 配線
９１９ ＡＮＤ回路
９２０ 配線
９２１ 回路
９２２ ＡＮＤ回路
９２３ 配線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】