１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・濃度ピーク、２９・・・直線部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・先端部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・直線部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・先端部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５６・・・コンタクトホール、６０、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、７５・・・連結トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８１・・・延長領域、８２・・・カソード領域、８５・・・外周ダイオード部、９０・・・エッジ終端構造部、９２・・・上面側ライフタイム制御領域、９３・・・欠陥密度ピーク、９４・・・下面側ライフタイム制御領域、９５・・・欠陥密度ピーク、９６、９７・・・濃度ピーク、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１０４・・・中央位置、１１２・・・ゲートパッド、１２０・・・活性部、１３０・・・外周ゲート配線、１３１・・・活性側ゲート配線