特許7404703IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１に開示された方法では、ｐ－ＧａＮの一部をエッチングで除去する必要があるが、一般に、深さ方向へのエッチング量（以下、エッチング深さ）の制御は難しい。特許文献１に開示された方法では、エッチング深さが浅い場合はｐ－ＧａＮを分離できず、深い場合は空乏層の伸びが制限されて十分な電界緩和効果が得られない可能性がある。また、エッチング面にｎ－ＧａＮを再成長させるため、ｐ－ＧａＮとｎ－ＧａＮとの接合界面にエッチングダメージが残る可能性もある。このため、エッチング技術に頼らずに、窒化ガリウム層にｐ型領域を容易に形成する技術が望まれる。 本発明は課題に着目してなされたものであって、窒化ガリウム層にｐ型領域を容易に形成することができる窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するために、本発明の一態様に係る窒化物半導体装置の製造方法は、窒化ガリウム層の第１面側に局所的に位置する第１領域に、ｐ型不純物及びｎ型不純物とは異なる元素をイオン注入する工程と、第１領域内に局所的に位置する第２領域にｐ型不純物をイオン注入する工程と、元素とｐ型不純物とがイオン注入された窒化ガリウム層に熱処理を施す工程と、を備える。熱処理を施す工程では、第２領域から、第１領域内で・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、窒化ガリウム層にｐ型領域を容易に形成することができる窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体装置を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の構成例を示す平面図である。
【図2】 図２は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図3】 図３は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置において、ＧａＮ層の深さ方向におけるＭｇ濃度分布の一例を示すグラフである。
【図4】 図４は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置において、ＧａＮ層の表面近傍の水平方向におけるＭｇ濃度分布の一例を示すグラフである。
【図5】 図５は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図6】 図６は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図7】 図７は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図8】 図８は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図9】 図９は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図10】 図１０は、本発明の実施形態１に係るＧａＮ半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図11】 図１１は、本発明の比較例に係るＭｇ濃度分布を示すグラフである。
【図12】 図１２は、本発明の実施形態１の変形例に係るＭｇ濃度分布を示すグラフである。
【図13】 図１３は、本発明の実施形態２に係るＧａＮ半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図14】 図１４は、本発明の実施形態３に係るＧａＮ半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図15】 図１５は、本発明の実施形態４に係るＧａＮ半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図16】 図１６は、本発明の実施形態５に係るＧａＮ半導体装置の構成例を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ ＧａＮ基板 １０ａ 第１主面 １０ｂ 第２主面 ２０ ＧａＮ層 ２０ａ 表面 ２２ ウェル領域 ２２’ ウェル領域が形成される領域 ２４ ソース領域 ２４’ ソース領域が形成される領域 ２６ コンタクト領域 ２６’ コンタクト領域が形成される領域 ３０、３０Ａ Ｎ注入領域 ３０’ Ｎ注入領域が形成される領域 ３０ｂ、４０ｂ、４２ｂ 下端 ４０ ｐ型領域 ４１ Ｍｇ注入領域 ４１’ Ｍｇ注入領域が形成される領域 ４２ Ｍｇ拡散領域 ４２’ Ｍｇ拡散領域が形成される領域 ５０ 保護膜 ６０ ゲート絶縁膜 ６２ ゲート電極 ６４ 層間絶縁膜 ６４Ｈ コンタクトホール ６８ ソース電極 ７０ ドレイン電極 ７１ 電極 １００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ ＧａＮ半導体装置 １１０ 活性領域 １１２ ゲートパッド １１４ ソースパッド １３０ エッジ終端領域

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