特許 7405014 電子部品及び電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-18

(45)【発行日】2023-12-26

(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20231219BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201F

H01G4/30 311E

H01G4/30 513

H01G4/30 517

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2020106938

(22)【出願日】2020-06-22

(65)【公開番号】P2022002267

(43)【公開日】2022-01-06

【審査請求日】2022-07-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】小野寺 伸也

【審査官】田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０９１８０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０３５６３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１５８６６２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

素体と、
前記素体に配置されている外部電極と、
電気絶縁性を有する樹脂からなる樹脂塊と、を備え、
前記外部電極は、導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有し、
前記樹脂塊は、前記導電性樹脂層の表面の一部上に位置すると共に当該一部を覆っており、
前記導電性樹脂層の表面は、前記樹脂塊と接している領域と、前記めっき層と接している領域とを有し、
前記樹脂塊の表面は、前記めっき層から露出している、電子部品。

【請求項2】

前記素体は、実装面を構成する主面と、前記主面と隣り合う端面と、を有しており、
前記樹脂塊は、前記端面上に位置している、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記端面の面積に対する前記樹脂塊の前記表面の露出面積の比は、０．０００００１～０．１である、請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記樹脂塊の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項5】

前記樹脂塊に含まれる樹脂は、前記導電性樹脂層に含まれる樹脂と同じである、請求項１～４のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項6】

電子部品の製造方法であって、
前記電子部品は、
素体と、
前記素体に配置されている外部電極と、を備え、
前記外部電極は、導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有し、
前記導電性樹脂層の表面の一部上には、電気絶縁性を有する樹脂からなる樹脂塊が位置しており、
前記樹脂塊の表面は、前記めっき層から露出しており、
前記製造方法は、
導電性樹脂ペーストからなるペースト膜を前記素体に形成し、前記ペースト膜の前記導電性樹脂ペーストを硬化させることによって、前記導電性樹脂層を形成する工程と、
前記導電性樹脂層に前記めっき層を形成する工程と、を含み、
前記導電性樹脂ペーストが硬化する前に、前記ペースト膜の表面に有機溶剤を付与し、前記導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂によって、前記ペースト膜の表面上に前記樹脂塊となる樹脂溜まりを形成する、電子部品の製造方法。

【請求項7】

電子部品の製造方法であって、
前記電子部品は、
素体と、
前記素体に配置されている外部電極と、を備え、
前記外部電極は、導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有し、
前記導電性樹脂層の表面の一部上には、電気絶縁性を有する樹脂からなる樹脂塊が位置しており、
前記樹脂塊の表面は、前記めっき層から露出しており、
前記製造方法は、
導電性樹脂ペーストからなるペースト膜を前記素体に形成し、前記ペースト膜の前記導電性樹脂ペーストを硬化させることによって、前記導電性樹脂層を形成する工程と、
前記導電性樹脂層に前記めっき層を形成する工程と、を含み、
前記導電性樹脂ペーストが硬化する前に、前記導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂によって、前記ペースト膜の表面上に前記樹脂塊となる樹脂溜まりを形成し、
前記導電性樹脂ペーストに含まれる前記樹脂が、熱硬化性樹脂であり、
前記導電性樹脂ペーストを熱硬化させる際に、前記導電性樹脂ペーストに含まれる前記樹脂を前記ペースト膜の表面に滲み出させることによって、前記樹脂溜まりを形成する、電子部品の製造方法。

【請求項8】

前記ペースト膜が形成された前記素体を載置する基材を用意し、
前記ペースト膜の一部と前記基材との間に微小隙間が生じるように、前記ペースト膜が形成された前記素体を前記基材に載置し、
軟化した前記樹脂を毛細管現象により前記微小隙間に広がらせることによって、前記樹脂溜まりを形成する、請求項７に記載の電子部品の製造方法。

【請求項9】

前記微小隙間は、１００μｍ以下である、請求項８に記載の電子部品の製造方法。

【請求項10】

前記素体は、実装面を構成する主面と、前記主面と隣り合う端面と、を有しており、
前記樹脂塊は、前記端面上に位置している、請求項６～９のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

【請求項11】

前記端面の面積に対する前記樹脂塊の前記表面の露出面積の比は、０．０００００１～０．１である、請求項１０に記載の電子部品の製造方法。

【請求項12】

前記樹脂塊の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項６～１１のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

【請求項13】

前記樹脂塊に含まれる樹脂は、前記導電性樹脂層に含まれる樹脂と同じである、請求項６～１２のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一つの態様は、電子部品に関する。本発明の別の一つの態様は、電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

素体と、素体に配置されている外部電極と、を備えている電子部品が知られている（たとえば、特許文献１参照）。外部電極は、導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平５－１４４６６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

導電性樹脂層は、一般に、樹脂と、導電性を有する金属粒子とを含んでいる。樹脂は、水分を吸収する傾向にある。電子部品が電子機器にはんだ実装される場合、樹脂に吸収された水分がガス化して、体積膨張することがある。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。この場合、導電性樹脂層に応力が作用して、焼結金属層から剥離するおそれがある。

【0005】

本発明の一つの態様は、導電性樹脂層が焼結金属層から剥離するのを抑制する電子部品を提供することを目的とする。本発明の別の一つの態様は、導電性樹脂層が焼結金属層から剥離するのを抑制する電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一つの態様に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている外部電極と、を備えている。外部電極は、導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有している。導電性樹脂層の表面の一部上には、電気絶縁性を有する樹脂からなる樹脂塊が位置している。樹脂塊の表面は、めっき層から露出している。

【0007】

上記一つの態様では、樹脂塊が、めっき層から露出しているので、電子部品が電子機器にはんだ実装される際に、樹脂に吸収された水分がガス化する場合でも、水分から発生するガスは、導電性樹脂層から樹脂塊を通して外部電極外に移動する。すなわち、水分から発生するガスは、樹脂塊（樹脂塊の表面）から排出される。したがって、導電性樹脂層に応力が作用しがたい。この結果、上記一つの態様は、導電性樹脂層の剥離を抑制する。

【0008】

上記一つの態様では、素体が、実装面を構成する主面と、主面と隣り合う端面と、を有していてもよい。この場合、樹脂塊が、端面上に位置していてもよい。
電子部品が電子機器にはんだ実装される場合、主面は、電子機器と対向するものの、端面は、電子機器とは対向しない。したがって、樹脂塊が端面上に位置している構成は、水分から発生するガスが樹脂塊（樹脂塊の表面）から排出されるのを阻害しがたい。この結果、本構成では、水分から発生するガスが導電性樹脂層から確実に排出される。

【0009】

上記一つの態様では、端面の面積に対する樹脂塊の表面の露出面積の比は、０．０００００１～０．１であってもよい。
上記比が、０．０００００１以上である構成では、水分から発生するガスが導電性樹脂層から確実に排出される。上記比が、０．１以下である構成は、樹脂塊の表面から導電性樹脂層に浸入する水分の増加を抑制する。

【0010】

上記一つの態様では、樹脂塊の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
樹脂塊の厚みが、１μｍ以上である構成では、水分から発生するガスが導電性樹脂層から確実に排出される。樹脂塊の厚みが、１００μｍ以下である構成では、樹脂塊がはんだ実装の妨げになりがたく、かつ、導電性樹脂層が応力緩和効果を確実に発揮する。

【0011】

上記一つの態様では、樹脂塊に含まれる樹脂は、導電性樹脂層に含まれる樹脂と同じであってもよい。
この場合、導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品が、簡易かつ低コストで得られる。

【0012】

別の一つの態様に係る電子部品の製造方法は、上記一つの態様の電子部品の製造方法である。上記別の一つの態様は、導電性樹脂ペーストからなるペースト膜を素体に形成し、ペースト膜の導電性樹脂ペーストを硬化させることによって、導電性樹脂層を形成する工程と、導電性樹脂層にめっき層を形成する工程と、を含んでいる。上記別の一つの態様では、導電性樹脂ペーストが硬化する前に、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂によって、ペースト膜の表面上に樹脂塊となる樹脂溜まりを形成する。

【0013】

上記別の一つの態様では、導電性樹脂ペーストからなるペースト膜の表面上に形成される樹脂溜まりから樹脂塊が得られる。導電性樹脂層にめっき層が形成される場合、樹脂塊の表面には、めっき層が形成されがたい。したがって、樹脂塊の表面が、めっき層から露出する。この結果、上記別の一つの態様によって得られる電子部品は、上述したように、導電性樹脂層の剥離を抑制する。
上記別の一つの態様では、樹脂溜まりが、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂によって形成されるので、樹脂溜まりを形成するための樹脂を新たに用意する必要はない。したがって、導電性樹脂層の剥離を抑制する電子部品が、簡易かつ低コストで得られる。

【0014】

上記別の一つの態様では、導電性樹脂ペーストを硬化させる前に、ペースト膜の表面に有機溶剤を付与することによって、樹脂溜まりを形成してもよい。
この場合、樹脂溜まりが、確実かつ簡易に形成される。

【0015】

上記別の一つの態様では、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂は、熱硬化性樹脂であってもよい。この場合、導電性樹脂ペーストを熱硬化させる際に、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂をペースト膜の表面に滲み出させることによって、樹脂溜まりを形成してもよい。
この場合、樹脂溜まりが、確実かつ簡易に形成される。

【0016】

上記別の一つの態様では、ペースト膜が形成された素体を載置する基材を用意してもよい。この場合、ペースト膜の一部と基材との間に微小隙間が生じるように、ペースト膜が形成された素体を基材に載置してもよい。軟化した樹脂を毛細管現象により微小隙間に広がらせることによって、樹脂溜まりを形成してもよい。
この場合、樹脂溜まりが、より一層確実かつ簡易に形成される。

【0017】

上記別の一つの態様では、微小隙間は、１００μｍ以下であってもよい。
この場合、軟化した樹脂が毛細管現象により確実に微小隙間に広がる。

【発明の効果】

【0018】

本発明の一つの態様は、導電性樹脂層が焼結金属層から剥離するのを抑制する電子部品を提供する。本発明の別の一つの態様は、導電性樹脂層が焼結金属層から剥離するのを抑制する電子部品の製造方法を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】図１は、一実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態に係る積層コンデンサの端面図である。

【図3】図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。

【図4】図４は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。

【図5】図５は、外部電極の断面構成を示す図である。

【図6】図６は、外部電極の断面構成を示す模式図である。

【図7】図７は、本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を示す図である。

【図8】図８は、本実施形態に係る積層コンデンサの製造過程を示す模式図である。

【図9】図９は、本実施形態に係る積層コンデンサの製造過程を示す模式図である。

【図10】図１０は、本実施形態に係る積層コンデンサの製造過程を示す模式図である。

【図11】図１１は、本実施形態に係る積層コンデンサの製造過程を示す模式図である。

【図12】図１２は、外部電極の断面構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0021】

図１～図６を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コンデンサの端面図である。図３及び図４は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図５は、外部電極の断面構成を示す図である。図６は、外部電極の断面構成を示す模式図である。本実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ１である。図５及び図６では、断面を表すハッチングが省略されている。

【0022】

積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、一対の外部電極５を備えている。一対の外部電極５は、素体３の外表面に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

【0023】

素体３は、互いに対向している一対の主面３ａと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の端面３ｅと、を有している。一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及一対の端面３ｅは、長方形状を呈している。一対の主面３ａが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。一対の側面３ｃが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。一対の端面３ｅが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。積層コンデンサＣ１は、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。積層コンデンサＣ１では、一方の主面３ａが、電子機器と対向する。一方の主面３ａは、実装面を構成するように配置される。一方の主面３ａは、実装面である。

【0024】

第一方向Ｄ１は、各主面３ａに直交する方向であり、第二方向Ｄ２と直交している。第三方向Ｄ３は、各主面３ａと各側面３ｃとに平行な方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。第二方向Ｄ２は、各側面３ｃに直交する方向であり、第三方向Ｄ３は、各端面３ｅに直交する方向である。本実施形態では、素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きく、かつ、素体３の第二方向Ｄ２での長さより大きい。第三方向Ｄ３が、素体３の長手方向である。素体３の第一方向Ｄ１での長さと素体３の第二方向Ｄ２での長さとは、互いに同等であってもよい。素体３の第一方向Ｄ１での長さと素体３の第二方向Ｄ２での長さとは、互いに異なっていてもよい。

【0025】

素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の高さである。素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の幅である。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の長さである。本実施形態では、素体３の高さは、０．５～２．５ｍｍであり、素体３の幅は、０．５～５．０ｍｍであり、素体３の長さは、１．０～５．７ｍｍである。たとえば、素体３の高さは、２．５ｍｍであり、素体３の幅は、２．５ｍｍであり、素体３の長さは、３．２ｍｍである。

【0026】

一対の側面３ｃは、一対の主面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の側面３ｃは、第三方向Ｄ３にも延在している。一対の端面３ｅは、一対の主面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の端面３ｅは、第二方向Ｄ２にも延在している。

【0027】

素体３は、四つの稜線部３ｇと、四つの稜線部３ｉと、四つの稜線部３ｊと、を有している。稜線部３ｇは、端面３ｅと主面３ａとの間に位置している。稜線部３ｉは、端面３ｅと側面３ｃとの間に位置している。稜線部３ｊは、主面３ａと側面３ｃとの間に位置している。本実施形態では、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊは、湾曲するように丸められている。素体３には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。端面３ｅと主面３ａとは、稜線部３ｇを介して、間接的に隣り合っている。端面３ｅと側面３ｃとは、稜線部３ｉを介して、間接的に隣り合っている。主面３ａと側面３ｃとは、稜線部３ｊを介して、間接的に隣り合っている。

【0028】

素体３は、第一方向Ｄ１に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体３は、積層されている複数の誘電体層を有している。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１と一致する。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系などの誘電体セラミックを含む。実際の素体３では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２と一致していてもよい。

【0029】

積層コンデンサＣ１は、図３及び図４に示されるように、複数の内部電極７と複数の内部電極９とを備えている。各内部電極７，９は、素体３内に配置されている内部導体である。各内部電極７，９は、積層型電子部品の内部電極として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。内部電極７，９は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、内部電極７，９は、Ｎｉからなる。

【0030】

内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２である場合、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置される。内部電極７，９の一端は、対応する端面３ｅに露出している。内部電極７，９は、対応する端面３ｅに露出している一端を有している。

【0031】

複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第一方向Ｄ１で交互に並んでいる。各内部電極７，９は、主面３ａと略平行な面内に位置している。内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第一方向Ｄ１）は、主面３ａと平行な方向（第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３）と直交している。複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２である場合、複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第二方向Ｄ２で交互に並ぶ。この場合、各内部電極７，９は、主面３ａと略直交している面内に位置する。内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。

【0032】

外部電極５は、図１に示されるように、素体３の第三方向Ｄ３での両端部にそれぞれ配置されている。各外部電極５は、素体３における、対応する端面３ｅ側に配置されている。外部電極５は、少なくとも、端面３ｅと、側面でもある主面３ａとに配置されている。本実施形態では、各外部電極５は、一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一つの端面３ｅに配置されている。外部電極５は、図２～図４に示されるように、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅを有している。電極部５ａは、主面３ａ上及び稜線部３ｇ上に配置されている。各電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｅは、端面３ｅ上に配置されている。外部電極５は、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も有している。

【0033】

外部電極５は、一対の主面３ａ、一つの端面３ｅ、及び一対の側面３ｃの五つの面、並びに、稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊに形成されている。互いに隣り合う電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、接続されており、電気的に接続されている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９の一端をすべて覆っている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。外部電極５は、対応する内部電極７，９と電気的に接続されている。外部電極５は、図４及び図５に示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。第四電極層Ｅ４は、外部電極５の最外層を構成している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。

【0034】

電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇ上に配置されており、主面３ａ上には配置されていない。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、主面３ａに形成されていない。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体と接している。主面３ａは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部とも接する。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

【0035】

電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び主面３ａ上に配置されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部と接している。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ａは、稜線部３ｇ上では四層構造を有しており、主面３ａ上では三層構造を有している。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇの全体と主面３ａの一部とを覆うように形成されている。上述したように、主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、稜線部３ｇの全体と主面３ａの一部とを間接的に覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、主面３ａの一部を直接覆っている。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｇに形成されている第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１が、主面３ａ上に配置されている場合、電極部５ａは、主面３ａ及び稜線部３ｇ上で四層構造を有する。

【0036】

電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉ上に配置されており、側面３ｃ上には配置されていない。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体を覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、側面３ｃに形成されていない。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体と接している。側面３ｃは、第一電極層Ｅ１に覆われておらず、第一電極層Ｅ１から露出している。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されていてもよい。この場合、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように形成される。すなわち、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部とも接する。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。

【0037】

電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上及び側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部と接している。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ｃは、稜線部３ｉ上では四層構造を有しており、側面３ｃ上では三層構造を有している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉの全体と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている。上述したように、側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部領域である。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と素体３との間に位置するように、稜線部３ｉの全体と側面３ｃの一部とを間接的に覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部を直接覆っている。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉに形成されている第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１が、側面３ｃ上に配置されている場合、電極部５ｃは、側面３ｃ上及び稜線部３ｉ上で四層構造を有する。

【0038】

電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｉの一部と側面３ｃの一部とを覆うように形成されていてもよい。稜線部３ｉの一部は、たとえば、稜線部３ｉにおける主面３ａ寄りの一部領域である。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける主面３ａ及び端面３ｅ寄りの角領域である。この場合、電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と稜線部３ｉとの間に位置するように、稜線部３ｉの一部を間接的に覆う。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、側面３ｃの一部を直接覆う。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における稜線部３ｉに形成されている部分の一部を直接覆う。すなわち、電極部５ｃは、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域と、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域と、を有する。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２が、稜線部３ｉの一部と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている場合、上述したように、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されていてもよい。

【0039】

電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅ上に配置されている。端面３ｅの全体が、第一電極層Ｅ１に覆われている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、端面３ｅの全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅの全体を覆うように形成されている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と端面３ｅとの間に位置するように、端面３ｅの全体を間接的に覆っている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。電極部５ｅでは、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９の一端と接続されるように端面３ｅに形成されている。

【0040】

電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、端面３ｅの一部を覆うように形成されていてもよい。端面３ｅの一部は、たとえば、端面３ｅにおける主面３ａ寄りの一部領域である。この場合、電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と端面３ｅとの間に位置するように、端面３ｅの一部を間接的に覆う。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における端面３ｅに形成されている部分の一部を直接覆う。すなわち、電極部５ｅは、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域と、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域と、を有する。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２が、端面３ｅの一部を覆うように形成されている場合、上述したように、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されていてもよい。

【0041】

第一電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、一つの端面３ｅ及び稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊを覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層である。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、Ｃｕからなる焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、Ｎｉからなる焼結金属層であってもよい。第一電極層Ｅ１は、卑金属を含んでいる。導電性ペーストは、たとえば、Ｃｕ又はＮｉからなる粉末、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含んでいる。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第一電極層Ｅ１は、一体的に形成されている。

【0042】

第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に付与された導電性樹脂ペーストを硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上と素体３上とに形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上と素体３上とに連続して形成されている。第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２を形成するための下地金属層である。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆う導電性樹脂層である。導電性樹脂ペーストは、たとえば、電気絶縁性を有する樹脂、導電性フィラー、及び有機溶媒を含んでいる。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂である。導電性フィラーは、たとえば、金属粉末である。金属粉末は、たとえば、Ａｇ粉末又はＣｕ粉末である。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。第二電極層Ｅ２は、稜線部３ｊの一部と接している。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第二電極層Ｅ２は、一体的に形成されている。

【0043】

第二電極層Ｅ２は、図６に示されるように、複数の導電性フィラーＦＬと、電気絶縁性を有する樹脂Ｒとを含んでいる。導電性フィラーＦＬは、たとえば、上述した金属粉末である。複数の導電性フィラーＦＬは、第二電極層Ｅ２内に、複数の導電経路を形成している。複数の導電性フィラーＦＬのうち一部の導電性フィラーＦＬは、第一電極層Ｅ１と接している。複数の導電性フィラーＦＬのうち別の一部の導電性フィラーＦＬは、第二電極層Ｅ２の表面に露出している。第二電極層Ｅ２の表面に露出している導電性フィラーＦＬは、第三電極層Ｅ３と接している。複数の導電性フィラーＦＬは、第一電極層Ｅ１と第三電極層Ｅ３とを電気的に接続している。

【0044】

第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にＮｉめっきにより形成されている。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉめっき層である。第三電極層Ｅ３は、Ｓｎめっき層、Ｃｕめっき層、又はＡｕめっき層であってもよい。第三電極層Ｅ３は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、又はＡｕを含んでいる。Ｎｉめっき層は、第二電極層Ｅ２に含まれる金属よりも耐はんだ喰われ性に優れている。第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２を覆っている。

【0045】

第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にめっき法により形成されている。第四電極層Ｅ４は、はんだめっき層である。本実施形態では、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にＳｎめっきにより形成されている。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎめっき層である。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層であってもよい。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、又はＳｎ－Ｃｕ合金を含んでいる。

【0046】

第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４とは、第二電極層Ｅ２に形成されるめっき層ＰＬを構成している。本実施形態では、めっき層ＰＬは、二層構造を有している。めっき層ＰＬは、第二電極層Ｅ２を覆っている。第三電極層Ｅ３は、最外層を構成する第四電極層Ｅ４と、第二電極層Ｅ２との間に位置している中間めっき層である。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第三電極層Ｅ３は、一体的に形成されている。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅが有している第四電極層Ｅ４は、一体的に形成されている。

【0047】

積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、複数の樹脂塊２１を備えている。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、二つの樹脂塊２１を備えている。樹脂塊２１は、外部電極５に配置されている。本実施形態では、樹脂塊２１は、図２にも示されるように、電極部５ｅに配置されている。各電極部５ｅに、一つの樹脂塊２１が配置されている。樹脂塊２１は、端面３ｅ上に位置している。本実施形態では、端面３ｅの中央部上に位置している。

【0048】

樹脂塊２１は、図６に示されるように、第二電極層Ｅ２の表面の一部上に位置している。樹脂塊２１は、第二電極層Ｅ２の表面の上記一部を覆っている。第二電極層Ｅ２の表面は、樹脂塊２１と接している領域と、めっき層ＰＬ（第三電極層Ｅ３）と接している領域とを有している。樹脂塊２１の表面は、めっき層ＰＬから露出している。めっき層ＰＬには、樹脂塊２１が露出している位置に、開口ＰＬａが形成されている。樹脂塊２１と接している導電性フィラーＦＬは、めっき層ＰＬ（第三電極層Ｅ３）と直接接していない。

【0049】

樹脂塊２１は、電気絶縁性を有する樹脂からなる。樹脂塊２１に含まれる樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂である。この熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。本実施形態では、樹脂塊２１に含まれる樹脂は、第二電極層Ｅ２に含まれる樹脂Ｒと同じである。樹脂塊２１に含まれる樹脂は、第二電極層Ｅ２に含まれる樹脂Ｒと連続していてもよい。すなわち、樹脂塊２１に含まれる樹脂は、第二電極層Ｅ２に含まれる樹脂Ｒと一体化していてもよい。

【0050】

端面３ｅの面積に対する樹脂塊２１の表面の露出面積の比Ｒａは、０．０００００１～０．１である。すなわち、比Ｒａは、「樹脂塊２１の表面の露出面積（μｍ^２）／端面３ｅの面積（μｍ^２）」により規定される。
端面３ｅの面積は、たとえば、２５００００～１２５０００００μｍ^２である。端面３ｅの面積は、たとえば、チップサイズが「５７５０」である場合、略１２５０００００μｍ^２であり、チップサイズが「１００５」である場合、略２５００００μｍ^２である。
樹脂塊２１の表面の露出面積は、たとえば、１μｍ^２以上２５００００μｍ^２以下である。樹脂塊２１の表面の露出面積は、たとえば、略１５０μｍ^２である。樹脂塊２１の表面の露出面積は、樹脂塊２１の、開口ＰＬａから露出する領域を、端面３ｅに直交する方向（第三方向Ｄ３）から見たときの面積である。この場合、樹脂塊２１の表面の露出面積は、たとえば、開口ＰＬａの面積で規定される。樹脂塊２１の表面の露出面積は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
樹脂塊２１の表面を含む外部電極５（電極部５ｅ）の表面の写真を取得する。取得した写真をソフトウェアにより画像処理を行い、開口ＰＬａの境界を判別し、取得した写真上での開口ＰＬａの面積を求める。

【0051】

樹脂塊２１の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下である。本実施形態では、樹脂塊２１の厚みは、略５μｍである。樹脂塊２１の厚みは、たとえば、樹脂塊２１の最大厚みで規定される。樹脂塊２１の厚みは、たとえば、以下のようにして求めることができる。
樹脂塊２１が存在している位置での、外部電極５（電極部５ｅ）の断面写真を取得する。断面写真は、電極部５ｅを端面３ｅに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面（たとえば、一対の側面３ｃ）に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの電極部５ｅの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理を行い、樹脂塊２１の境界を判別し、端面３ｅに直交する方向での樹脂塊２１の最大厚みを求める。

【0052】

次に、図７を参照して、積層コンデンサＣ１の実装構造を説明する。図７は、本実施形態に係る積層コンデンサの実装構造を示す図である。

【0053】

図７に示されるように、電子部品装置は、積層コンデンサＣ１と、電子機器ＥＤと、を備えている。電子機器ＥＤは、たとえば、回路基板又は電子部品である。積層コンデンサＣ１は、電子機器ＥＤにはんだ実装されている。電子機器ＥＤは、主面ＥＤａと、二つのパッド電極ＰＥ１，ＰＥ２とを有している。各パッド電極ＰＥ１，ＰＥ２は、主面ＥＤａに配置されている。二つのパッド電極ＰＥ１，ＰＥ２は、互いに離間している。積層コンデンサＣ１は、実装面である主面３ａと主面ＥＤａとが対向するように、電子機器ＥＤに配置されている。

【0054】

積層コンデンサＣ１がはんだ実装される場合、溶融したはんだが外部電極５（第四電極層Ｅ４）を濡れ上がる。濡れ上がったはんだが固化することにより、はんだフィレットＳＦが外部電極５に形成される。互いに対応する外部電極５とパッド電極ＰＥ１，ＰＥ２とは、はんだフィレットＳＦを介して連結されている。樹脂塊２１は、はんだ濡れ性が低い。したがって、樹脂塊２１には、はんだフィレットＳＦは形成されない。樹脂塊２１の表面は、はんだフィレットＳＦに覆われておらず、はんだフィレットＳＦからも露出している。

【0055】

次に、図８～図１１を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の製造過程を説明する。図８～図１１は、本実施形態に係る積層コンデンサの製造過程を示す模式図である。本実施形態の製造過程は、樹脂塊２１の形成過程を含んでいる。

【0056】

まず、誘電体層を形成するためのセラミックペーストと、内部電極７，９を形成するための内部電極ペースト（導電性ペースト）と、を準備する。
セラミックペーストは、たとえば、上述した誘電体材料の原料粉末と、有機ビヒクルとを含んでいる。有機ビヒクルは、バインダと溶剤とを含んでいる。溶剤は、たとえば、有機溶剤である。セラミックペーストは、分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、又は絶縁体を含んでいてもよい。セラミックペーストは、この技術分野では既知であり、これ以上の詳細な説明を省略する。
内部電極ペーストは、たとえば、上述した導電性材料の粉末と、有機ビヒクルとを含んでいる。内部電極ペーストは、導電性材料の粉末は、たとえば、金属粉末である。粉末は、たとえば、球状又は鱗片状を呈している。有機ビヒクルは、バインダと溶剤とを含んでいる。溶剤は、たとえば、有機溶剤である。内部電極ペーストは、無機化合物を含んでいてもよい。内部電極ペーストは、可塑剤を含んでいてもよい。内部電極ペーストは、この技術分野では既知であり、これ以上の詳細な説明を省略する。

【0057】

次に、上述したセラミックペーストを用い、セラミックグリーンシートを形成する。本過程では、たとえば、キャリアシート上に、セラミックペーストをシート状に付与した後、シート状のセラミックペーストを乾燥させる。これにより、セラミックグリーンシートが得られる。キャリアシートは、たとえば、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）からなる。セラミックペーストは、たとえば、ドクターブレード法により付与される。

【0058】

次に、内部電極ペーストを用い、セラミックグリーンシート上に、複数の内部電極パターンを形成する。本過程では、たとえば、セラミックグリーンシート上に、内部電極ペーストを、パターン化して付与した後に、内部電極ペーストを乾燥させる。これにより、複数の内部電極パターンが得られる。内部電極ペーストは、たとえば、スクリーン印刷法により付与される。

【0059】

次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートから、グリーン積層体を形成する。本過程では、たとえば、セラミックグリーンシートを、所定の大きさに揃えた後、所定の枚数のセラミックグリーンシートを積層する。その後、たとえば、積層されたセラミックグリーンシートを、積層方向から加圧する。これにより、グリーン積層体が得られる。

【0060】

次に、グリーン積層体から、複数のグリーンチップを得る。本過程では、たとえば、切断機で、グリーン積層体をチップ状に切断する。これにより、所定の大きさを有する複数のグリーンチップが得られる。

【0061】

次に、グリーンチップから、バインダを除去した後、このグリーンチップを焼成する。この焼成により、素体３が得られる。その後、素体３に、Ｒ面取り加工を施す。Ｒ面取り加工は、たとえば、バレル研磨である。バインダの除去は、たとえば、グリーンチップを、還元雰囲気下で加熱することにより行う。還元雰囲気は、たとえば、空気、又は、Ｎ_２及びＨ_２の混合ガスで構成される。焼成は、たとえば、バインダが除去されたグリーンチップを、たとえば、還元雰囲気下で加熱することにより行う。バインダの除去及び焼成は、この技術分野では既知であり、これ以上の詳細な説明を省略する。

【0062】

次に、素体３に、第一電極層Ｅ１を形成する。本過程では、上述したように、導電性ペーストを、素体３の表面における所定の領域に付与し、付与した導電性ペーストを加熱処理により素体３に焼き付ける。これにより、第一電極層Ｅ１が得られる。導電性ペーストは、たとえば、ディップ法、印刷法、又は転写法により付与される。導電性ペーストの加熱処理は、この技術分野では既知であり、これ以上の詳細な説明を省略する。本実施形態では、導電性ペーストは、端面３ｅと稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊとに付与される。第一電極層Ｅ１は、たとえば、物理蒸着法（ＰＶＤ法）又は化学蒸着法（ＣＶＤ法）により形成されていてもよい。
以上の過程により、素体３と第一電極層Ｅ１とを備えているチップが準備される。

【0063】

次に、素体３と第一電極層Ｅ１とを備えているチップに、第二電極層Ｅ２を形成する。本過程は、以下の複数の過程を含んでいる。本過程では、チップに導電性樹脂ペーストを付与し、付与した導電性樹脂ペーストを処理する過程を含んでいる。導電性樹脂ペーストは、上述したように、たとえば、電気絶縁性を有する樹脂、導電性フィラー、及び有機溶媒を含んでいる。
まず、図８に示されるように、素体３と第一電極層Ｅ１とを備えているチップにペースト膜ＣＰを形成する。本過程では、導電性樹脂ペーストを、チップの表面における所定の領域に付与し、付与した導電性樹脂ペーストを乾燥させる。これにより、導電性樹脂ペーストからなるペースト膜ＣＰが得られる。導電性樹脂ペーストは、導電性樹脂ペーストが第一電極層Ｅ１の全体を覆うと共に、一対の主面３ａ及び一対の側面３ｃの各一部を覆うように、チップに付与される。導電性樹脂ペーストの乾燥により、導電性樹脂ペーストから有機溶剤が除去される。乾燥処理では、たとえば、導電性樹脂ペーストは、１００～２００℃の温度下で、３～６０分加熱される。導電性樹脂ペーストは、自然乾燥されてもよい。

【0064】

次に、図８に示されるように、有機溶剤ＯＳを、ペースト膜ＣＰの表面での所定の領域に付与する。本実施形態では、有機溶剤ＯＳは、端面３ｅの中央部上に位置するように、ペースト膜ＣＰに付与される。
次に、付与した有機溶剤ＯＳを乾燥させる。有機溶剤ＯＳは、たとえば、自然乾燥されてもよい。有機溶剤ＯＳが乾燥する間、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）に含まれる樹脂が、有機溶剤ＯＳに溶け出す。したがって、有機溶剤ＯＳの乾燥後に、有機溶剤ＯＳが付与された位置に、樹脂塊２１となる樹脂溜まりが形成される。すなわち、樹脂溜まりは、ペースト膜ＣＰの表面上に形成される。樹脂溜まりは、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）に含まれている樹脂によって形成される。樹脂溜まりは、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）を硬化させる前に、形成される。

【0065】

次に、樹脂溜まりが形成されているペースト膜ＣＰを処理し、ペースト膜ＣＰに含まれている導電性樹脂ペーストを硬化させる。すなわち、ペースト膜ＣＰに含まれている導電性樹脂ペーストを硬化処理する。導電性樹脂ペーストが、たとえば、熱硬化性樹脂を含んでいる場合、ペースト膜ＣＰを加熱する。ペースト膜ＣＰの加熱処理では、たとえば、ペースト膜ＣＰは、１００～２５０℃の温度下で、３０～１２０分加熱される。導電性樹脂ペーストが、たとえば、光硬化性樹脂を含んでいる場合、ペースト膜ＣＰに所定の波長の光を照射する。導電性樹脂ペーストの種類によっては、ペースト膜ＣＰを固化してもよい。
以上の過程により、素体３と第一電極層Ｅ１とを備えているチップに、第二電極層Ｅ２が形成される。ペースト膜ＣＰが硬化する際に、樹脂溜まりも硬化する。これにより、樹脂塊２１が、第二電極層Ｅ２の表面の一部上に形成される。

【0066】

次に、第一電極層Ｅ１及び第二電極層Ｅ２が形成されたチップに、めっき層ＰＬ（第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４）を形成する。本過程では、第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４は、上述したように、めっき法により形成される。第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２に形成される。第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３に形成される。樹脂塊２１は、電気絶縁性を有する樹脂からなるため、めっき層ＰＬは、樹脂塊２１には形成されない。すなわち、樹脂塊２１は、めっき層ＰＬから露出する。第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４を形成するためのめっき法は、たとえば、電気めっき法である。第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４を形成するためのめっき法は、この技術分野では既知であり、これ以上の詳細な説明を省略する。
上述した過程を経ることにより、積層コンデンサＣ１が得られる。

【0067】

樹脂溜まりは、図９～図１１に示されるようにして、ペースト膜ＣＰに形成されてもよい。図９～図１１に示されているペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）に含まれる樹脂は、熱硬化性樹脂である。
まず、図９に示されるように、基材３１を用意する。基材３１は、たとえば、平坦面３１ａを有する板状の部材である。基材３１は、たとえば、フッ素樹脂からなる。基材３１は、たとえば、金属からなっていてもよい。この場合、平坦面３１ａには、フッ素樹脂からなる被覆膜が形成されていてもよい。フッ素樹脂は、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＥＦ）を含む。

【0068】

次に、ペースト膜ＣＰが形成されているチップを基材３１に搭載する。チップは、図１０の（ａ）に示されるように、ペースト膜ＣＰが平坦面３１ａと接するように、基材３１に搭載される。ペースト膜ＣＰの表面は、平坦面３１ａと接している領域と、平坦面３１ａから離間している領域とを有している。以下、平坦面３１ａと接している領域は、「接触領域」と称され、平坦面３１ａから離間している領域は、「離間領域」と称される。
離間領域は、接触領域を囲むように位置している。離間領域と平坦面３１ａとの間には、微小隙間ＧＰが形成されている。すなわち、ペースト膜ＣＰが形成されているチップは、ペースト膜ＣＰの表面の一部と基材３１（平坦面３１ａ）との間に微小隙間ＧＰが生じるように、基材３１に載置される。微小隙間ＧＰは、たとえば、０μｍより大きく１００μｍ以下である。

【0069】

次に、微小隙間ＧＰが存在している状態で、ペースト膜ＣＰを加熱処理し、ペースト膜ＣＰに含まれている導電性樹脂ペーストを硬化させる。加熱処理が開始されると、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂は、温度の上昇に伴い、軟化する。軟化した樹脂は、ペースト膜ＣＰの表面に滲み出し、図１０の（ｂ）に示されるように、樹脂溜まりＲＲを形成する。本実施形態では、樹脂溜まりＲＲは、軟化した樹脂が毛細管現象により微小隙間ＧＰに広がることによって形成される。
加熱処理が更に進むと、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）に含まれる樹脂が硬化する。ペースト膜ＣＰが硬化する際に、樹脂溜まりＲＲも硬化する。これにより、樹脂塊２１が、第二電極層Ｅ２の表面の一部上に形成される。

【0070】

図１１に示されるように、基材３１の代わりに、メッシュ状の基材３３を用意してもよい。この場合、基材３３の複数の位置で、ペースト膜ＣＰが基材３３と接する。基材３３は、たとえば、金属からなっていてもよい。この場合、金属は、ステンレス鋼を含む。基材３３の表面に、上述したフッ素樹脂からなる被覆膜が形成されていてもよい。ペースト膜ＣＰの表面は、基材３３と接している領域と、基材３３から離間している領域とを有している。以下、基材３３と接している領域は、「接触領域」と称され、基材３３から離間している領域は、「離間領域」と称される。
図１１に示された例でも、離間領域は、接触領域を囲むように位置している。離間領域と基材３３の表面との間には、微小隙間ＧＰが形成されている。すなわち、ペースト膜ＣＰが形成されているチップは、ペースト膜ＣＰの表面の一部と基材３３（基材３３の表面）との間に微小隙間ＧＰが生じるように、基材３１に載置される。

【0071】

ペースト膜ＣＰの加熱処理が開始されると、上述したように、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂は軟化し、軟化した樹脂は、ペースト膜ＣＰの表面に滲み出し、図１１の（ｂ）に示されるように、樹脂溜まりＲＲを形成する。加熱処理が更に進むと、ペースト膜ＣＰが硬化すると共に、樹脂溜まりＲＲも硬化する。これにより、樹脂塊２１が、第二電極層Ｅ２の表面の一部上に形成される。図１１に示された例では、各外部電極５に、複数の樹脂塊２１が配置される。

【0072】

以上のように、積層コンデンサＣ１では、樹脂塊２１が、めっき層ＰＬから露出しているので、積層コンデンサＣ１が電子機器にはんだ実装される際に、第二電極層Ｅ２に含まれる樹脂に吸収された水分がガス化する場合でも、水分から発生するガスは、第二電極層Ｅ２から樹脂塊２１を通して外部電極５外に移動する。すなわち、水分から発生するガスは、樹脂塊２１（樹脂塊２１の表面）から排出される。したがって、第二電極層Ｅ２に応力が作用しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。

【0073】

素体３が、実装面を構成する主面３ａと、主面３ａと隣り合う端面３ｅと、を有している。樹脂塊２１は、端面３ｅ上に位置している。
積層コンデンサＣ１が電子機器にはんだ実装される場合、主面３ａは、電子機器と対向するものの、端面３ｅは、電子機器とは対向しない。したがって、樹脂塊２１が端面３ｅ上に位置している構成は、水分から発生するガスが樹脂塊２１（樹脂塊２１の表面）から排出されるのを阻害しがたい。この結果、積層コンデンサＣ１では、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２から確実に排出される。

【0074】

比Ｒａは、０．０００００１～０．１である。
比Ｒａが、０．０００００１以上である構成では、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２から確実に排出される。比Ｒａが、０．１以下である構成は、樹脂塊２１の表面から第二電極層Ｅ２に浸入する水分の増加を抑制する。

【0075】

樹脂塊２１の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下である。
樹脂塊２１の厚みが、１μｍ以上である場合、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２から確実に排出される。樹脂塊２１の厚みが、１００μｍ以下である場合、樹脂塊２１がはんだ実装の妨げになりがたく、かつ、第二電極層Ｅ２が応力緩和効果を確実に発揮する。

【0076】

樹脂塊２１の表面の露出面積は、１μｍ^２以上２５００００μｍ^２以下である。
樹脂塊２１の表面の露出面積が、１μｍ^２以上である場合、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２からより一層確実に排出される。樹脂塊２１の表面の露出面積が、２５００００μｍ^２以下である場合、樹脂塊２１の表面から第二電極層Ｅ２に浸入する水分の増加をより一層抑制する。
樹脂塊２１の表面の露出面積が、２５００００μｍ^２以下である場合、積層コンデンサＣ１が電子機器にはんだ実装される場合、はんだフィレットＳＦが確実に形成される。この結果、積層コンデンサＣ１の実装強度が確保される。

【0077】

樹脂塊２１に含まれる樹脂は、第二電極層Ｅ２に含まれる樹脂Ｒと同じである。したがって、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する積層コンデンサＣ１が、簡易かつ低コストで得られる。

【0078】

本実施形態に例示された製造方法では、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）が硬化する前に、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂によって、ペースト膜ＣＰの表面上に樹脂溜まりＲＲが形成される。ペースト膜ＣＰの表面上に形成される樹脂溜まりＲＲから樹脂塊２１が得られる。第二電極層Ｅ２にめっき層ＰＬが形成される場合、樹脂塊２１の表面には、めっき層ＰＬが形成されがたい。したがって、樹脂塊２１の表面が、めっき層ＰＬから露出する。この結果、本実施形態に例示された製造方法によって得られる積層コンデンサＣ１は、上述したように、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。
樹脂溜まりＲＲは、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）に含まれる樹脂によって形成されるので、樹脂溜まりＲＲを形成するための樹脂を新たに用意する必要はない。したがって、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する積層コンデンサＣ１が、簡易かつ低コストで得られる。

【0079】

本実施形態に例示された製造方法では、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）を硬化させる前に、ペースト膜ＣＰの表面に有機溶剤を付与することによって、樹脂溜まりを形成している。
この場合、樹脂溜まりが、確実かつ簡易に形成される。

【0080】

本実施形態に例示された製造方法では、ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）に含まれる樹脂は、熱硬化性樹脂である。ペースト膜ＣＰ（導電性樹脂ペースト）を熱硬化させる際に、導電性樹脂ペーストに含まれる樹脂をペースト膜ＣＰの表面に滲み出させることによって、樹脂溜まりＲＲが形成される。
この場合、樹脂溜まりＲＲが、確実かつ簡易に形成される。

【0081】

本実施形態に例示された製造方法では、ペースト膜ＣＰの一部と基材３１，３３との間に微小隙間ＧＰが生じるように、ペースト膜ＣＰが形成された素体３が基材３１，３３に載置される。樹脂溜まりＲＲは、軟化した樹脂を毛細管現象により微小隙間ＧＰに広がらせることによって形成される。
この場合、樹脂溜まりＲＲが、より一層確実かつ簡易に形成される。

【0082】

微小隙間ＧＰは、１００μｍ以下である。
この場合、軟化した樹脂が毛細管現象により確実に微小隙間ＧＰに広がる。

【0083】

次に、図１２を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサの構成を説明する。図１２は、外部電極の断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサは、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、第一電極層Ｅ１の構成に関して、上述した実施形態と相違する。以下、上述した実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。図１２では、断面を表すハッチングが省略されている。

【0084】

本変形例に係る積層コンデンサは、積層コンデンサＣ１と同じく、素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。各外部電極５は、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅを有している。各外部電極５は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。図示は省略するが、本変形例に係る積層コンデンサは、複数の内部電極７及び複数の内部電極９も備えている。

【0085】

図１２に示されるように、電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と稜線部３ｇの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、主面３ａと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と接する。主面３ａの一部は、たとえば、主面３ａにおける端面３ｅ寄りの一部である。

【0086】

図示は省略するが、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と稜線部３ｉの全体とを覆うように形成される。すなわち、第一電極層Ｅ１は、側面３ｃと端面３ｅとにわたって設けられている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と接する。側面３ｃの一部は、たとえば、側面３ｃにおける端面３ｅ寄りの一部である。

【0087】

本明細書では、ある要素が他の要素上に配置されていると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接配置されていてもよく、他の要素上に間接的に配置されていてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に配置されている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接配置されている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素上に位置していると記述されている場合、ある要素は、他の要素上に直接位置していてもよく、他の要素上に間接的に位置していてもよい。ある要素が他の要素上に間接的に位置している場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素上に直接位置している場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。
本明細書では、ある要素が他の要素を覆うと記述されている場合、ある要素は、他の要素を直接覆っていてもよく、他の要素を間接的に覆っていてもよい。ある要素が他の要素を間接的に覆っている場合、介在要素が、ある要素と他の要素との間に存在している。ある要素が他の要素を直接覆っている場合、介在要素は、ある要素と他の要素との間に存在しない。

【0088】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

【0089】

樹脂塊２１は、主面３ａ上に位置していてもよい。樹脂塊２１は、側面３ｃ上に位置していてもよい。
樹脂塊２１は、端面３ｅ上に位置している場合、上述したように、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２から確実に排出される。

【0090】

比Ｒａは、０．０００００１より小さくてもよい。比Ｒａは、０．１より大きくてもよい。
比Ｒａが、０．０００００１以上である場合、上述したように、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２から確実に排出される。比Ｒａが、０．１以下である場合、上述したように、樹脂塊２１の表面から第二電極層Ｅ２に浸入する水分の増加を抑制する。

【0091】

樹脂塊２１の厚みは、１μｍより小さくてもよい。樹脂塊２１の厚みは、１００μｍより大きくてもよい。
樹脂塊２１の厚みが、１μｍ以上である場合、上述したように、水分から発生するガスが第二電極層Ｅ２から確実に排出される。樹脂塊２１の厚みが、１００μｍ以下である場合、上述したように、樹脂塊２１がはんだ実装の妨げになりがたく、かつ、第二電極層Ｅ２が応力緩和効果を確実に発揮する。

【0092】

微小隙間ＧＰは、１００μｍより大きくてもよい。
微小隙間ＧＰが、１００μｍ以下である場合、上述したように、軟化した樹脂が毛細管現象により確実に微小隙間ＧＰに広がる。

【0093】

本実施形態及び変形例では、電子部品として積層コンデンサを例に説明したが、適用可能な電子部品は、積層コンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。

【符号の説明】

【0094】

３…素体、３ａ…主面、３ｅ…端面、５…外部電極、２１…樹脂塊、３１，３３…基材、ＣＰ…ペースト膜、Ｅ２…第二電極層、ＧＰ…微小隙間、ＯＳ…有機溶剤、ＰＬ…めっき層、Ｒ…第二電極層に含まれる樹脂、ＲＲ…樹脂溜まり。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】