特許 7405020出願番号 特願 2020-111732
半導体装置及びその製造方法
出願人 三菱電機株式会社（識別番号 6013）
2026年 特許公開件数ランキング 19位 671件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 4位 1,411件（※）
公報発行日 2023年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7405020 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
周辺耐圧領域のリカバリー耐量のバラツキと低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ＬＴＣ層の形成時にマスクを表面パターンに重ね合わせてイオン照射する。この重ね合わせが難しく、ＬＴＣ層が周辺耐圧領域からずれて形成されることがあった。周辺耐圧領域から外れてＬＴＣ層が形成された場合、周辺耐圧領域に発生するキャリアの発生を十分抑制することができず、リカバリー耐量のバラツキを発生させる。大きく外れた場合はリカバリー耐量が低下してしまう。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示に係る半導体装置の製造方法は、セル領域と、平面視において前記セル領域を囲む周辺耐圧領域とを有する第１導電型の半導体基板を準備する工程と、前記セル領域において前記半導体基板の第１主面に第２導電型のアノード層を形成する工程と、前記周辺耐圧領域において前記半導体基板の前記第１主面に第２導電型のウエル層を形成する工程と、前記セル領域において前記第１主面の上に前記アノード層に接続された電極を形成・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示では、周辺耐圧領域に形成した第１の保護膜とセル領域に形成した電極との高低差により第２の保護膜の表面に段差を形成する。この表面を押さえ付けた状態で半導体基板の第２主面を研削して段差を形成する。段差を有する第２主面に軽イオンを照射してＬＴＣ層を形成する。そして、第２の保護膜の表面を研削して平坦にし、押さえ付けた状態で第２主面を研削して、セル領域のＬＴＣ層を除去する。これにより、ＬＴＣ層は第１の保護膜を基準にセルフアラインで形成されるため、周辺耐圧領域からの位置ずれを抑制することができる。このため、周辺耐圧領域のリカバリー耐量のバラツキと低下を抑制することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図2】
図１のＩ－ＩＩに沿った断面図である。
【図3】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図4】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図5】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図6】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図7】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図8】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図9】
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１ 半導体基板、２ セル領域、３ 周辺耐圧領域、４ 第１主面、５ 第２主面、６ アノード層、７ ウエル層、８ アノード電極（電極）、９ 絶縁膜、１０ 第１の保護膜、１１ カソード層、１３ ＬＴＣ層（ライフタイムコントロール層）、１３ａ 平坦部、１３ｂ 傾斜部、１４ 第２の保護膜、１５ 治具
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