特許7405186IP Force 特許公報全文掲載

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半導体装置

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一つの半導体装置１００の一例を示す上面図である。
【図2A】 図１における領域Ａの拡大図である。
【図2B】 上面視におけるカソード領域８２の他の配置例を示す図である。
【図3】 図２Ａおよび図２Ｂにおけるｂ－ｂ断面の一例を示す図である。
【図4】 メサ部６０の構造例を示す斜視断面図である。
【図5】 メサ部６０の構造例を示す断面図である。
【図6】 メサ部６１の構造例を示す斜視断面図である。
【図7】 メサ部６１の他の構造例を示す斜視断面図である。
【図8】 Ｘ軸方向における活性部１２０の端部の構造例を示す断面図である。
【図9】 半導体装置１００が有するメサ部６２の一例を示すＸＺ断面図である。
【図10】 半導体装置１００の製造方法における一部の工程を説明する図である。
【図11】 図２Ａおよび図２Ｂにおけるｂ－ｂ断面の他の例を示す図である。
【図12】 実施例に係る半導体装置１００と、比較例に係る半導体装置の特性を比較した図である。
【図13】 実施例および比較例のダイオード部８０における、深さ方向のホール密度分布例を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２９・・・直線部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・先端部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・直線部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・先端部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５４・・・トレンチコンタクト、５５・・・高濃度プラグ領域、５６・・・コンタクトホール、５７・・・コンタクト用トレンチ、５８・・・境界部、６０、６１、６２・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、７２・・・境界部、７８・・・端部領域、８０・・・ダイオード部、８１・・・延長領域、８２・・・カソード領域、９０・・・エッジ終端構造部、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１１２・・・ゲートパッド、１２０・・・活性部、１３０・・・外周ゲート配線、１３１・・・活性側ゲート配線、２０２・・・マスクパターン、２０４・・・導電材料

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