１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・ウェル領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・フィールドストップ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・延伸部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３３・・・接続部分、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・酸化膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、５０・・・ゲート金属層、５１・・・ゲートランナー、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５５・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、６０・・・ダミートレンチ領域、６１・・・メサ部、６５・・・ウェルコンタクト領域、７０・・・トランジスタ部、７１・・・メサ部、７６・・・温度センス部、８０・・・ダイオード部、８１・・・メサ部、８２・・・カソード領域、９０・・・境界部、９１・・・メサ部、９２・・・ガードリング部、９４・・・電極層、９６・・・チャネルストッパ領域、１００・・・半導体装置、１１０・・・活性領域、１２０・・・外周領域、１３０・・・パッド領域、１３１・・・ゲートパッド、１３２・・・センスＩＧＢＴ、１３３・・・センスエミッタパッド、１３４・・・アノードパッド、１３５・・・カソードパッド、５００・・・半導体装置