特許7405653IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

イメージセンサに関し、特にイメージセンサのノイズ特性を改善する技術

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特開平５－２０７２２０号公報で開示された方法は結晶シリコン基板上に形成されたイメージセンサに適用されるものであり、この技術をガラス基板上にＴＦＴを配置して製造するＦＰＤに適用した場合、以下の新たな問題が生ずる。一つの問題は、オフセット誤差を補正する機能を有した信号検出回路をガラス基板上に作り込むことができないという問題である。その理由は、ガラス基板上に形成可能なＴＦＴの特性は、結晶シリコン基板上に形成されるトランジスタの特性に比べ、電界効果移動度等が劣るためである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様のイメージセンサは、画素と、前記画素の光信号を伝送する信号線と、前記画素を制御し、前記信号線により伝送された前記光信号を検出する、制御回路と、を含む。前記画素は、フォトディテクタと、前記フォトディテクタからの信号を増幅する増幅回路と、前記画素から前記信号線への前記光信号の出力を制御する第１スイッチと、 を含む。前記制御回路は、前記信号線に接続された第１容量と、前記光信号の検出の・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様によれば、高精細かつ高ＳＮＲを有するイメージセンサを効率的に実現できる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施形態のイメージセンサの構成を示したブロック図である。
【図2】 実施形態のイメージセンサの画素の回路構成を示した回路図である。
【図3】 実施形態のイメージセンサの出力回路の回路構成を示した回路図である。
【図4】 実施形態のイメージセンサに適用可能な信号検出回路の構成要素を示した回路図である。
【図5】 実施形態のイメージセンサを構成する各要素の接続関係の一部を示した回路図である。
【図6】 実施形態のイメージセンサで光信号を読み取る際の動作を示したタイミングチャートである。
【図7】 実施形態のイメージセンサの出力信号の増幅率を測定する動作を示したタイミングチャートである。
【図8】 実施形態のイメージセンサに適用可能な出力回路の回路構成を示した回路図である。
【図9】 実施形態のイメージセンサを構成する各要素の接続関係の一部を示した回路図である。
【図10】 実施形態のイメージセンサで光信号を読み取る際の動作を示したタイミングチャートである。
【図11】 実施形態のイメージセンサの出力信号の増幅率を測定する動作を示したタイミングチャートである。
【図12】 実施形態のイメージセンサで光信号を読み取る際の動作を示したタイミングチャートである。
【図13】 実施形態のイメージセンサの画素に適用可能な回路構成を示した回路図である。
【図14】 実施形態のイメージセンサの画素に適用可能な回路構成を示した回路図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ イメージセンサ、１１ センサ基板、１２ 画素領域、１３ 画素、１４ 駆動回路、１５ 出力回路、１６ 信号検出回路、１８ 主制御回路、Ｃａｌ、Ｃａｌ１、Ｃａｌ２、ＰＡ、ＰＢ、ＰＧ、ＰＰ 電源線、Ｃｄｅｔ 電圧－電荷変換用容量、Ｃｆ フィードバック容量、ＤＯｍ 出力端子、Ｄｍ 信号線、ＩＮ 入力端子、ＯＰＡ 演算増幅回路、ＯＵＴ 出力端子、ＰＤ フォトダイオード、ＲＶ 制御電位配線、ＴＲ１－ＴＲ８、ＴＲＢ トランジスタ、ＴＲｓｔ リセットトランジスタ、Ｇｎ、Ｒｎ、Ｒｓｔ、Ｓｅｐ、Ｔｓｔ、Ｔｓｔ１、Ｔｓｔ２ 制御線

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