特許7406470IP Force 特許公報全文掲載

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粒子線照射システム及びその制御方法並びに粒子線照射システムの制御装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１の実施例においては、当該スポットのビーム出射開始信号出力時、前スポット目標照射量満了から前記信号出力までの期間で計測した線量が、既に当該スポット目標照射量を超過している場合、エラー発生で照射が中断され、治療継続が不可能となる。 なお、前記線量は、本システムで使用される加速器の応答遅れによる線量であり、その値はビーム電流値によって変動する。そのため、ビーム電流値が突発的に増加すると、前記線量が急激に大きくなり、予期せぬ治療中断につながる可能性がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

した課題を解決するために、本発明では、荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子ビーム発生部と、この荷電粒子ビーム発生部で発生させた荷電粒子ビームを照射対象に順次スポット照射する走査電磁石と荷電粒子ビームの照射量を計測する線量モニタとを備えた照射部と、この照射部で照射対象に照射する荷電粒子ビームの照射を開始または停止する信号を発生するスキャニングコントローラと、このスキャニングコントローラから出・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、ビーム出射開始信号出力前に当該スポットの目標照射量を既に超過していて目標照射量がゼロの場合、もしくは加速器応答遅れや複雑な形状、線量分布の照射に対応するために小線量を照射するスポットの場合においても、十分な安全性を維持したスキップ機能によって治療を継続することができるようになった。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の実施例１及び２に係る粒子線照射システムの全体構成を示すブロック図である。
【図2】 実施例１における、スキャニングコントローラおよび加速器・輸送系コントローラが実行する制御手順を示すフローチャートである。
【図3】 実施例１における、スキャニングコントローラが実行する制御手順の詳細を示すフローチャートである。
【図4】 実施例1においてスキャニングコントローラが実行する制御手順によって実現される各スポットの照射量の推移を示すグラフである。
【図5】 実施例２における、スキャニングコントローラおよび加速器・輸送系コントローラが実行する制御手順を示すフローチャートである。
【図6】 実施例２における、スキャニングコントローラが実行する制御手順の詳細を示すフローチャートである。
【図7】 実施例２においてスキャニングコントローラが実行する制御手順によって実現される各スポットの照射量の推移を示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 荷電粒子ビーム発生装置 ４ ビーム輸送系 ５Ａ、５Ｂ 走査電磁石（荷電粒子ビーム走査装置） ６Ａ 線量モニタ（照射量検出装置） ６Ｂ 位置モニタ ８ 出射用デフレクタ ９ 高周波印加装置 １０ 加速装置 １１ 前段荷電粒子ビーム発生装置（ライナック） １２ シンクロトロン（加速器） １５ 照射装置 １７、２３、２４ 偏向電磁石 １８、２１、２２ 四極電磁石 ２９ 治療台 ３０ 患者 ４０ 加速器・輸送系コントローラ ４１ スキャニングコントローラ ４１Ａ メモリ ４１Ｂ カウンタ ６２ ビーム経路 ９１ 高周波電源 ９２ 開閉スイッチ ９３ 高周波印加電極 １００ 中央制御装置 １４０ 治療計画装置

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