特許7406684半導体デバイス内の凹状特徴部を低抵抗率金属で充填する方法
発明の名称 半導体デバイス内の凹状特徴部を低抵抗率金属で充填する方法
出願人 東京エレクトロン株式会社 （識別番号 219967）
特許公開件数ランキング 33 位（449件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 29 位（462件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7406684
公報発行日 2023年12月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7406684
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