特許 7407177 半導体発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-20

(45)【発行日】2023-12-28

(54)【発明の名称】半導体発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/0239 20210101AFI20231221BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20231221BHJP

   H01L 25/16 20230101ALI20231221BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20231221BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20231221BHJP

【ＦＩ】

H01S5/0239

H01L33/62

H01L25/16 A

H01L23/12 Q

H01L23/02 F

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021516066

(86)(22)【出願日】2020-04-17

(86)【国際出願番号】 JP2020016810

(87)【国際公開番号】W WO2020218175

(87)【国際公開日】2020-10-29

【審査請求日】2023-02-20

(31)【優先権主張番号】P 2019085562

(32)【優先日】2019-04-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2019206439

(32)【優先日】2019-11-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】木越 聖博

(72)【発明者】

【氏名】田沼 裕輝

(72)【発明者】

【氏名】武藤 玄

(72)【発明者】

【氏名】村山 実

(72)【発明者】

【氏名】近藤 宙太

(72)【発明者】

【氏名】池田 千琴

(72)【発明者】

【氏名】中小原 佑輔

【審査官】村井 友和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－３１２０３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１８１９６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３５９３９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０５６５３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０１５４３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１１５３８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０２３２２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０４４４１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０１４６０８４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／０２２

Ｈ０１Ｌ ３３／４８

Ｈ０１Ｌ ２５／１６

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０１Ｌ ２３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板に形成された共通導電部と、
前記共通導電部に搭載された半導体発光素子と、
前記共通導電部に搭載され、前記共通導電部を介して前記半導体発光素子と電気的に接続され、前記半導体発光素子を駆動するのに用いられる電子部品と、
を備え、
前記半導体発光素子の下面には素子下面電極が形成されており、
前記電子部品は、第１駆動電極および制御電極が形成された上面と、第２駆動電極が形成された下面と、を有し、
前記素子下面電極と前記第２駆動電極とが前記共通導電部に接合されている、
半導体発光装置。

【請求項2】

前記半導体発光素子と前記電子部品とは所定の方向に配列されており、
前記共通導電部は、前記半導体発光素子と前記電子部品との配列方向に延びた共通コンタクト表面を有し、
前記半導体発光素子と前記電子部品とは、前記共通コンタクト表面上に配置されている、
請求項１に記載の半導体発光装置。

【請求項3】

前記基板には、
ワイヤによって前記第１駆動電極と電気的に接続される駆動コンタクト表面を有する駆動導電部と、
ワイヤによって前記制御電極と電気的に接続される制御コンタクト表面を有する制御導電部と、が形成されており、
前記基板の平面方向において、前記配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記駆動導電部および前記制御導電部は、前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の両側に分散して配置されている、
請求項２に記載の半導体発光装置。

【請求項4】

前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面は、前記電子部品に対して前記第２方向の両側に分散して配置されている請求項３に記載の半導体発光装置。

【請求項5】

前記共通コンタクト表面は、前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面よりも大きい、請求項３又は請求項４に記載の半導体発光装置。

【請求項6】

前記半導体発光素子の上面には素子上面電極が形成されており、
前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の一方側には、前記素子上面電極と電気的に接続される素子コンタクト表面を有する素子導電部が形成されており、前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の他方側には、前記共通導電部と電気的に接続される接続導電部が形成されており、
前記接続導電部は、前記共通コンタクト表面における前記第２方向の両端部のうち前記素子導電部側とは反対側の端部から前記第２方向に突出した接続コンタクト表面を有している、
請求項４又は請求項５に記載の半導体発光装置。

【請求項7】

前記素子導電部と前記駆動導電部とは、前記共通コンタクト表面に対する前記第２方向の両側のうち同一方向側に配置されている請求項６に記載の半導体発光装置。

【請求項8】

前記素子コンタクト表面と前記駆動コンタクト表面との間に跨るように配置されたキャパシタを備えている請求項７に記載の半導体発光装置。

【請求項9】

前記接続導電部は、前記基板の裏面における前記接続コンタクト表面とは反対側の位置にある接続コンタクト裏面を有し、
前記素子導電部は、前記基板の裏面における前記素子コンタクト表面とは反対側の位置にある素子コンタクト裏面を有し、
前記駆動導電部は、前記基板の裏面における前記駆動コンタクト表面とは反対側の位置にある駆動コンタクト裏面を有し、
前記制御導電部は、前記基板の裏面における前記制御コンタクト表面とは反対側の位置にある制御コンタクト裏面を有する、
請求項６～８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項10】

前記素子コンタクト裏面は、前記駆動コンタクト裏面および前記制御コンタクト裏面よりも大きい請求項９に記載の半導体発光装置。

【請求項11】

前記共通導電部は、前記基板の裏面における前記共通コンタクト表面とは反対側の位置にある共通コンタクト裏面を有する請求項９又は請求項１０に記載の半導体発光装置。

【請求項12】

前記共通コンタクト裏面と前記接続コンタクト裏面とは離間している請求項１１に記載の半導体発光装置。

【請求項13】

前記共通コンタクト裏面は、前記接続コンタクト裏面、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面および前記制御コンタクト裏面よりも大きい請求項１１又は請求項１２に記載の半導体発光装置。

【請求項14】

前記基板は、絶縁性材料で構成されており、
前記共通コンタクト表面、前記接続コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面、および前記制御コンタクト表面は、前記基板の表面に形成された導電層の表面であり、
前記接続コンタクト裏面、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面、および前記制御コンタクト裏面は、前記基板の裏面に形成された導電層の表面である、
請求項９～１３のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項15】

前記基板は、導電性材料で構成されており、
前記共通導電部、前記接続導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部は、絶縁部によって互いに絶縁された状態で区画された基板の一部であり、
前記共通コンタクト表面、前記接続コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面、および前記制御コンタクト表面は、前記基板の表面で構成されており、
前記接続コンタクト裏面、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面、および前記制御コンタクト裏面は、前記基板の裏面で構成されている、
請求項９～１３のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【請求項16】

前記共通導電部、前記接続導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部の少なくとも１つの周縁部には、前記基板の平面方向と直交する方向に凹む凹部が設けられており、
前記凹部には前記絶縁部が入り込んでいる、請求項１５に記載の半導体発光装置。

【請求項17】

前記凹部は、前記共通コンタクト表面、前記接続コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面の少なくとも１つの周縁部に設けられている、請求項１６に記載の半導体発光装置。

【請求項18】

前記共通導電部、前記接続導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部の少なくとも１つの周縁部には、フランジが設けられており、
前記基板の平面方向に垂直な方向における前記フランジと前記基板において前記半導体発光素子が搭載される側の面とは反対側の基板裏面との間には、前記絶縁部が入り込んでいる、請求項１５～１７のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

たとえば特許文献１に示すように、半導体発光素子を光源として備えた半導体発光装置が広く知られている。特許文献１に記載の半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子が搭載された基板と、を備えている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－４１８６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、半導体発光装置を、たとえば半導体発光素子を駆動させるスイッチング素子やキャパシタ等といった電子部品とともに用いるときには、半導体発光装置とは別に電子部品を配置し、配線等を用いて半導体発光素子と電子部品とを電気的に接続する。このような構成では、配線等に起因する寄生容量が懸念される。

【0005】

本開示の目的は、寄生容量を低減しつつ半導体発光素子と電子部品とを電気的に接続できる半導体発光装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決する半導体発光装置は、基板と、前記基板に形成された共通導電部と、前記共通導電部に搭載された半導体発光素子と、前記共通導電部に搭載され、前記共通導電部を介して前記半導体発光素子と電気的に接続された電子部品と、を備えている。

【0007】

この構成によれば、半導体発光素子と電子部品との導電経路を短くすることができる。したがって、半導体発光素子と電子部品との導電経路に基づく寄生容量を低減できる。よって、寄生容量を低減しつつ、半導体発光素子と電子部品とを電気的に接続することができる。

【発明の効果】

【0008】

上記半導体発光装置によれば、寄生容量を低減しつつ半導体発光素子と電子部品とを好適に配置できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】半導体発光装置の一実施形態を示す斜視図。

【図2】半導体発光装置の分解斜視図。

【図3】半導体発光装置の正面図。

【図4】半導体発光装置の底面図。

【図5】図３の５－５線断面図。

【図6】図３の６－６線断面図。

【図7】半導体発光素子の断面構造を示す斜視図。

【図8】半導体発光素子の部分断面図。

【図9】電子機器の一部を示す正面図。

【図10】電子機器の一部を示す回路図。

【図11】第２実施形態の半導体発光装置の斜視図。

【図12】半導体発光装置の正面図。

【図13】半導体発光装置の側面図。

【図14】半導体発光装置の枠を基板の厚さ方向と直交する平面で切った正面図。

【図15】ケースを取り除いた状態の半導体発光装置の正面図。

【図16】半導体発光装置の底面側の透視図。

【図17】図１２の１７－１７線断面図。

【図18】図１２の１８－１８線断面図。

【図19】図１２の１９－１９線断面図。

【図20】図１５の２０－２０線断面図。

【図21】図１５の２１－２１線断面図。

【図22】図１５の２２－２２線断面図。

【図23】ケースの正面図。

【図24】図２３の２４－２４線断面図。

【図25】図２３の２５－２５線断面図。

【図26】ケースの底面図。

【図27】第２実施形態の半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図28】図２７の一部拡大図。

【図29】図２８の２９－２９線断面図。

【図30】半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図31】図３０の３１－３１線断面図。

【図32】半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図33】半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図34】半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図35】半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図36】半導体発光装置の製造方法の一工程の一例を説明するための説明図。

【図37】第２実施形態の電子機器の一部を示す正面図。

【図38】第２実施形態の電子機器の一部を示す回路図。

【図39】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図40】変更例の半導体発光装置の底面図。

【図41】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図42】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図43】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図44】変更例の半導体発光装置の底面図。

【図45】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図46】変更例の半導体発光装置の底面図。

【図47】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図48】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図49】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図50】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図51】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図52】変更例の半導体発光装置の斜視図。

【図53】変更例の半導体発光装置の正面図。

【図54】変更例の半導体発光装置の側面図。

【図55】図５３の５５－５５線断面図。

【図56】図５２の半導体発光装置のケースの正面図。

【図57】図５６のケースの底面図。

【図58】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図59】変更例の半導体発光装置について、枠を基板の厚さ方向と直交する平面で切った正面図。

【図60】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図61】変更例の半導体発光装置の枠を基板の厚さ方向と直交する平面で切った正面図。

【図62】変更例の半導体発光装置の枠を基板の厚さ方向と直交する平面で切った正面図。

【図63】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図64】変更例の半導体発光装置の枠を基板の厚さ方向と直交する平面で切った正面図の一部拡大図。

【図65】ケースの枠の一部の底面図。

【図66】図６４の６６－６６線断面図。

【図67】図６６の変更例のケースおよび基板の断面図。

【図68】図６６の変更例のケースおよび基板の断面図。

【図69】図６６の変更例のケースおよび基板の断面図。

【図70】図６５の変更例の枠の一部の底面図。

【図71】図６５の変更例の枠の一部の底面図。

【図72】図６５の変更例の枠の一部の底面図。

【図73】図６５の変更例の枠の一部の底面図。

【図74】図６６の変更例のケースおよび基板の断面図。

【図75】図６６の変更例のケースおよび基板の断面図。

【図76】図６６の変更例のケースおよび基板の断面図。

【図77】図７６から通気部が形成された状態のケースおよび基板の断面図。

【図78】変更例のケースの正面図。

【図79】図７８の７９－７９線断面図。

【図80】図７８のケースの底面図。

【図81】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図82】変更例の半導体発光装置の断面図。

【図83】変更例の半導体発光装置について、ケースを取り除いた状態の半導体発光装置の正面図。

【図84】変更例の半導体発光装置について、ケースを取り除いた状態の半導体発光装置の正面図。

【図85】変更例の半導体発光装置について、ケースを取り除いた状態の半導体発光装置の正面図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［第１実施形態］
以下、半導体発光装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

【0011】

図１は、第１実施形態の半導体発光装置１の斜視図である。図２は、第１実施形態の半導体発光装置１の分解斜視図である。図３は、第１実施形態の半導体発光装置１の正面図である。図３では、蓋２２の下方を実線で示す。

【0012】

図１に示すように、半導体発光装置１は、たとえば直方体形状である。半導体発光装置１の平面視において、一辺に沿う方向をＸ方向とし、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向とする。本実施形態においては、半導体発光装置１のＸ方向のサイズは３．５ｍｍ程度であり、半導体発光装置１のＹ方向のサイズは３．５ｍｍ程度である。なお、半導体発光装置１のＸ方向のサイズおよびＹ方向のサイズはそれぞれ、任意に変更可能である。

【0013】

図１～図３に示すように、半導体発光装置１は、基板１０と、ケース２０と、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０と、半導体発光素子８０および電子部品１００と、を備えている。

【0014】

基板１０は、たとえば、Ｘ方向およびＹ方向に延びた正方形である。Ｘ方向およびＹ方向は、基板１０の平面方向における互いに直交する２方向である。基板１０は、基板表面１１と基板裏面１２とを有している。

【0015】

本実施形態においては、基板１０は絶縁性材料からなる。基板１０は、たとえばアルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミックスでもよいし、シリコン基板でもよいし、ガラスエポキシ等でもよい。なお、説明の便宜上、基板１０の厚さ方向において基板表面１１から離れる方向を「上方」といい、基板表面１１に近づく方向を「下方」という。

【0016】

ケース２０は、半導体発光素子８０および電子部品１００を収容するものである。ケース２０は、基板１０に取り付けられている。ケース２０内は、たとえば中空である。ただし、これに限られず、ケース２０内に何らかの部材が充填されていてもよい。

【0017】

ケース２０は、上方に対して開口した枠２１と、枠２１の開口を塞ぐ蓋２２とを有している。枠２１は、たとえば遮光性を有する材料からなり、たとえば有色樹脂からなる。半導体発光素子８０からの光は、枠２１によって遮られる。枠２１は、基板１０よりも若干小さく形成された正方形状である。図２に示すように、枠２１は、Ｙ方向の両側壁部である第１側壁部２１ａおよび第２側壁部２１ｂと、Ｘ方向の両側壁部である第３側壁部２１ｃおよび第４側壁部２１ｄと、を有している。第１側壁部２１ａおよび第２側壁部２１ｂはＹ方向に対向配置されており、第３側壁部２１ｃおよび第４側壁部２１ｄはＸ方向に対向配置されている。

【0018】

蓋２２は、枠２１の外縁よりも一回り小さい板状である。蓋２２は、透明な材料からなり、たとえばガラスで形成されている。蓋２２は、半導体発光素子８０からの光を透過させる。

【0019】

図２および図３に示すように、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０は基板１０に形成されている。複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０は、導電性材料からなり、たとえばＣｕ、Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕ等が適宜選択される。また、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０には、Ｓｎからなる表層を設けておいてもよい。

【0020】

複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０は、たとえば、基板表面１１に形成された表面導電層と、基板裏面１２に形成された裏面導電層と、表面導電層と裏面導電層とを電気的に接続する連絡部と、を含む。

【0021】

図３～図５に示すように、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０のうち共通導電部３０は、基板表面１１に形成された共通表面導電層３１と、基板裏面１２に形成された共通裏面導電層３２と、共通表面導電層３１と共通裏面導電層３２とを電気的に接続する共通連絡部３３と、を含む。共通導電部３０は、基板表面１１にある共通コンタクト表面３０ａと、基板裏面１２にある共通コンタクト裏面３０ｂと、を有する。本実施形態において、共通コンタクト表面３０ａは、共通表面導電層３１の表面であり、共通コンタクト裏面３０ｂは、共通裏面導電層３２の裏面である。

【0022】

共通コンタクト表面３０ａは、基板表面１１における第３側壁部２１ｃおよび第４側壁部２１ｄよりもＸ方向の中央部に近い側に配置されており、本実施形態においては基板表面１１におけるＸ方向の中央部に配置されている。共通コンタクト表面３０ａは、Ｙ方向に延びている。共通コンタクト表面３０ａは、Ｙ方向を長手方向とし、Ｘ方向を短手方向とする長方形状である。共通コンタクト表面３０ａは、枠２１と重なる位置まで形成されており、共通コンタクト表面３０ａのＹ方向の両端は、上方から見て、第１側壁部２１ａの外面および第２側壁部２１ｂの外面と一致している。

【0023】

接続導電部４０および制御導電部７０は、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の一方側に配置され、素子導電部５０および駆動導電部６０は、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の他方側に配置されている。

【0024】

接続導電部４０は、基板表面１１に形成された接続表面導電層４１と、基板裏面１２に形成された接続裏面導電層４２と、接続表面導電層４１と接続裏面導電層４２とを電気的に接続する接続連絡部４３と、を含む。

【0025】

接続表面導電層４１は、共通表面導電層３１のＸ方向の両端部のうち素子導電部５０側とは反対側の端部３１ａからＸ方向に突出した部分である。接続表面導電層４１と共通表面導電層３１とは一体形成されている。このため、接続導電部４０は、共通導電部３０と電気的に接続されている。

【0026】

接続導電部４０は、基板表面１１にある接続コンタクト表面４０ａと、基板裏面１２にある接続コンタクト裏面４０ｂと、を有する。本実施形態において、接続コンタクト表面４０ａは、接続表面導電層４１の表面であり、共通コンタクト表面３０ａにおけるＸ方向の両端部のうち素子導電部５０側とは反対側の端部からＸ方向に突出した部分である。接続コンタクト表面４０ａは、共通コンタクト表面３０ａと連続している。接続コンタクト裏面４０ｂは、接続裏面導電層４２の裏面である。

【0027】

素子導電部５０は、基板表面１１に形成された素子表面導電層５１と、基板裏面１２に形成された素子裏面導電層５２と、素子表面導電層５１と素子裏面導電層５２とを電気的に素子する素子連絡部５３と、を含む。素子導電部５０は、基板表面１１にある素子コンタクト表面５０ａと、基板裏面１２にある素子コンタクト裏面５０ｂと、を有する。本実施形態において、素子コンタクト表面５０ａは、素子表面導電層５１の表面であり、素子コンタクト裏面５０ｂは、素子裏面導電層５２の裏面である。

【0028】

図３，４，６に示すように、駆動導電部６０は、基板表面１１に形成された駆動表面導電層６１と、基板裏面１２に形成された駆動裏面導電層６２と、駆動表面導電層６１と駆動裏面導電層６２とを電気的に駆動する駆動連絡部６３と、を含む。駆動導電部６０は、基板表面１１にある駆動コンタクト表面６０ａと、基板裏面１２にある駆動コンタクト裏面６０ｂと、を有する。本実施形態において、駆動コンタクト表面６０ａは、駆動表面導電層６１の表面であり、駆動コンタクト裏面６０ｂは、駆動裏面導電層６２の裏面である。

【0029】

制御導電部７０は、基板表面１１に形成された制御表面導電層７１と、基板裏面１２に形成された制御裏面導電層７２と、制御表面導電層７１と制御裏面導電層７２とを電気的に制御する制御連絡部７３と、を含む。制御導電部７０は、基板表面１１にある制御コンタクト表面７０ａと、基板裏面１２にある制御コンタクト裏面７０ｂと、を有する。本実施形態において、制御コンタクト表面７０ａは、制御表面導電層７１の表面であり、制御コンタクト裏面７０ｂは、制御裏面導電層７２の裏面である。

【0030】

半導体発光素子８０は、半導体発光装置１における光源であり、所定の波長帯の光を発する。半導体発光素子８０の具体的構成は特に限定されず、半導体レーザ素子やＬＥＤ素子等である。本実施形態においては、半導体発光素子８０は、半導体レーザ素子であり、特にＶＣＳＥＬ素子が採用されている。半導体発光素子８０からの光は、蓋２２を通過して外部に出射される。

【0031】

図７および図８に示すように、本例の半導体発光素子８０は、素子基板８１、第１半導体層８２、活性層８３、第２半導体層８４、電流狭窄層８５、絶縁層８６および導電層８７を備え、複数の発光領域９０が形成されている。図８は、１つの発光領域９０を含む部分を拡大して示している。

【0032】

素子基板８１は半導体よりなる。素子基板８１を構成する半導体は、たとえば、ＧａＡｓである。素子基板８１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。
活性層８３は、自然放出および誘導放出によって、たとえば、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。活性層８３は、第１半導体層８２と第２半導体層８４との間に位置している。本実施形態においては、アンドープのＧａＡｓ井戸層とアンドープのＡｌＧａＡｓ障壁層（バリア層）とを交互に積層した多重量子井戸構造により構成されている。たとえば、アンドープＡｌ_０．３５Ｇａ_０．６５Ａｓ障壁層とアンドープＧａＡｓ井戸層とが交互に繰り返し２～６周期形成されている。

【0033】

第１半導体層８２は、典型的にはＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層であり、素子基板８１に形成されている。第１半導体層８２は第１導電型を有する半導体よりなる。本例では第１導電型はｎ型である。第１半導体層８２は、活性層８３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、活性層８３は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。より具体的には、第１半導体層８２は、たとえば６００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が低いｎ型Ａｌ_０．１６Ｇａ_０．８４Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、たとえば７００Åの厚さを有する相対的にＡｌ組成が高いｎ型Ａｌ_０．８４Ｇａ_０．１６Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とを交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。ｎ型Ａｌ_０．１６Ｇａ_０．８４Ａｓ層およびｎ型Ａｌ_０．８４Ｇａ_０．１６Ａｓ層には、それぞれ、たとえば２×１０^１７ｃｍ^－３～３×１０^１８ｃｍ^－３および２×１０^１７ｃｍ^－３～３×１０^１８ｃｍ^－３の濃度で、ｎ型不純物（たとえば、Ｓｉ）がドープされている。

【0034】

第２半導体層８４は、典型的にはＤＢＲ層であり、第２導電型を有する半導体よりなる。本例では第２導電型はｐ型である。本実施形態とは異なり、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。第２半導体層８４および素子基板８１の間に、第１半導体層８２が位置している。第２半導体層８４は、活性層８３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、第２半導体層８４は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。第２半導体層８４は、たとえば、相対的にＡｌ組成が低いｐ型Ａｌ_０．１６Ｇａ_０．８４Ａｓ層（低Ａｌ組成層）と、相対的にＡｌ組成が高いｐ型Ａｌ_０．８４Ｇａ_０．１６Ａｓ層（高Ａｌ組成層）とが交互に複数周期（たとえば、２０周期）繰り返し積層して構成されている。

【0035】

電流狭窄層８５は、第２半導体層８４内に位置している。電流狭窄層８５はたとえばＡｌを多く含み、酸化しやすい層からなる。電流狭窄層８５は、この酸化しやすい層を酸化することにより形成される。電流狭窄層８５は、酸化によって形成される必要は必ずしもなく、その他の方法（たとえばイオン注入）によって形成されてもよい。電流狭窄層８５には開口８５ａが形成されている。開口８５ａを電流が流れる。

【0036】

絶縁層８６は第２半導体層８４に形成されている。絶縁層８６は、たとえば、ＳｉＯ_２よりなる。絶縁層８６には、開口８６ａが形成されている。
導電層８７は、絶縁層８６に形成されている。導電層８７は導電性材料（たとえば金属）よりなる。導電層８７は、絶縁層８６の開口８６ａを通じて第２半導体層８４に導通している。導電層８７は、開口８７ａを有する。

【0037】

発光領域９０は、活性層８３からの光が直接または反射の後に出射される領域である。本例においては、発光領域９０は、平面視円環形状であるが、その形状は特に限定されない。発光領域９０は、上述した第２半導体層８４、電流狭窄層８５、絶縁層８６および導電層８７が積層され、電流狭窄層８５の開口８５ａ、絶縁層８６の開口８６ａおよび導電層８７の開口８７ａ等が形成されることにより設けられている。発光領域９０においては、活性層８３からの光が、導電層８７の開口８７ａを通じて出射される。

【0038】

図３および図５に示すように、半導体発光素子８０は、複数の発光領域９０と素子上面電極９１とが形成された素子上面８０ａと、素子下面電極９２が形成された素子下面８０ｂとを有している。素子上面８０ａは、たとえばＸ方向を長手方向とし、Ｙ方向を短手方向とする長方形である。素子上面電極９１は、素子上面８０ａにおけるＸ方向の端部に形成されている。素子上面電極９１は、第３側壁部２１ｃよりも第４側壁部２１ｄの近くに配置されている。素子上面電極９１は、Ｙ方向を長手方向とする細長形状である。素子上面電極９１は、たとえば金属からなり、第２半導体層８４に導通している。素子下面電極９２は、たとえば素子下面８０ｂの全体に形成されており、たとえば金属からなる。半導体発光素子８０がＶＣＳＥＬ素子である本実施形態においては、素子上面電極９１はアノード電極であり、素子下面電極９２はカソード電極である。

【0039】

電子部品１００は、たとえば半導体発光素子８０を駆動するのに用いられる。電子部品１００は、たとえばスイッチング素子であり、本実施形態においてはｎ型のＭＯＳＦＥＴである。

【0040】

図３および図６に示すように、電子部品１００は、第１駆動電極１０１および制御電極１０２が形成された上面１００ａと、第２駆動電極１０３が形成された下面１００ｂと、を有している。電子部品１００がＭＯＳＦＥＴである本実施形態においては、第１駆動電極１０１はソース電極であり、第２駆動電極１０３はドレイン電極であり、制御電極１０２はゲート電極である。

【0041】

図３に示すように、電子部品１００の上面１００ａは長方形であり、上方から見て左下に制御電極１０２が形成されており、それ以外の部分は第１駆動電極１０１となっている。第１駆動電極１０１の面積は制御電極１０２よりも大きい。下面１００ｂは、たとえば長方形である。第２駆動電極１０３は、たとえば電子部品１００の裏面全体に形成されており、たとえば金属からなる。

【0042】

以下、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０、半導体発光素子８０および電子部品１００の位置関係について詳細に説明する。
まず、図３を用いて、基板表面１１側のレイアウトについて説明する。

【0043】

半導体発光素子８０および電子部品１００は、共通導電部３０に搭載されており、共通導電部３０を介して電気的に接続されている。本実施形態においては、半導体発光素子８０および電子部品１００は、共通表面導電層３１の表面で構成された共通コンタクト表面３０ａ上に配置されており、共通表面導電層３１を介して電気的に接続されている。

【0044】

具体的には、共通コンタクト表面３０ａはＹ方向に延びており、半導体発光素子８０および電子部品１００は、共通コンタクト表面３０ａ上にＹ方向に配列して配置されている。つまり、本実施形態においては、共通コンタクト表面３０ａは、半導体発光素子８０と電子部品１００との配列方向に延びている。Ｙ方向が配列方向又は第１方向に対応し、Ｘ方向が第２方向に対応する。

【0045】

半導体発光素子８０は、電子部品１００よりも第１側壁部２１ａの近くに配置されており、電子部品１００は、半導体発光素子８０よりも第２側壁部２１ｂの近くに配置されている。半導体発光素子８０および電子部品１００は、基板表面１１におけるＹ方向の中央部に対してずれた位置に配置されており、たとえば中央部に対してＹ方向の両側に配置されている。図示された例においては、半導体発光素子８０は、共通コンタクト表面３０ａ上における基板表面１１のＹ方向の中央部と第１側壁部２１ａとの間に配置されており、本例においては第１側壁部２１ａよりも基板表面１１のＹ方向の中央部寄りに配置されている。電子部品１００は、基板表面１１のＹ方向の中央部と第２側壁部２１ｂとの間に配置されており、本例においては第２側壁部２１ｂよりも基板表面１１のＹ方向の中央部寄りに配置されている。このため、半導体発光素子８０および電子部品１００は、基板表面１１におけるＹ方向の中央部に対してＹ方向の両側に配置されつつ、両者のＹ方向距離は短くなっている。

【0046】

図５に示すように、半導体発光素子８０の素子下面８０ｂに形成されている素子下面電極９２は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の導電性接合材Ｐ１によって共通コンタクト表面３０ａにダイボンディングされている。これにより、素子下面電極９２は、共通導電部３０に接合されている。

【0047】

図６に示すように、電子部品１００の下面１００ｂに形成されている第２駆動電極１０３は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の導電性接合材Ｐ２によって共通コンタクト表面３０ａにダイボンディングされている。これにより、第２駆動電極１０３は、共通導電部３０に接合されている。共通導電部３０によって、素子下面電極９２と第２駆動電極１０３とが電気的に接続されている。

【0048】

図３に示すように、基板表面１１における共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の一方側に素子導電部５０が配置されており、他方側に接続導電部４０が配置されている。本実施形態においては、半導体発光素子８０のＸ方向の両側に接続コンタクト表面４０ａと素子コンタクト表面５０ａとが分散して配置されている。接続導電部４０は、半導体発光素子８０に対して第３側壁部２１ｃ側に配置されており、接続コンタクト表面４０ａは基板表面１１における左上部分にある。一方、素子導電部５０は、半導体発光素子８０に対して第４側壁部２１ｄ側に配置されており、素子コンタクト表面５０ａは基板表面１１における右上部分にある。接続コンタクト表面４０ａ、素子上面８０ａ、および素子コンタクト表面５０ａは、Ｘ方向に配列されている。

【0049】

接続コンタクト表面４０ａは、たとえばＹ方向を長手方向としＸ方向を短手方向とする長方形状である。接続コンタクト表面４０ａは、平面視で枠２１と重なる位置にも形成されている。接続コンタクト表面４０ａの長手方向の一端は、上方から見て第１側壁部２１ａの外面と一致している。接続コンタクト表面４０ａの短手方向の一端は、上方から見て第３側壁部２１ｃの外面と一致している。

【0050】

素子コンタクト表面５０ａは、たとえばＹ方向を長手方向としＸ方向を短手方向とする長方形状である。素子コンタクト表面５０ａは、平面視で枠２１と重なる位置にも形成されている。素子コンタクト表面５０ａの長手方向の一端は、上方から見て第１側壁部２１ａの外面と一致している。素子コンタクト表面５０ａの短手方向の一端は、上方から見て第４側壁部２１ｄの外面と一致している。

【0051】

素子コンタクト表面５０ａは、ワイヤＷ１によって素子上面電極９１と電気的に接続されている。ワイヤＷ１は、たとえばＡｕ等の金属からなり、素子上面電極９１および素子コンタクト表面５０ａにそれぞれボンディングされている。ワイヤＷ１の本数は特に限定されず、図示された例においては、複数のワイヤＷ１（５本のワイヤＷ１）が設けられている。また、図示された例においては、ワイヤＷ１のファーストボンディング部が素子上面電極９１に設けられており、セカンドボンディング部が素子コンタクト表面５０ａに設けられている。

【0052】

図示された例においては、素子上面電極９１は、素子上面８０ａのＸ方向の両端部のうち素子導電部５０に近い方の端部に形成されている。このため、ワイヤＷ１の長さを短くできる。

【0053】

駆動導電部６０および制御導電部７０は、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の両側に分散して配置されている。駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａは、電子部品１００のＹ方向の両側に配置されている。図示された例においては、駆動導電部６０は、電子部品１００に対して第４側壁部２１ｄ側に配置されており、駆動コンタクト表面６０ａは基板表面１１の右下部分にある。制御導電部７０は、電子部品１００に対して第３側壁部２１ｃ側に配置されており、制御コンタクト表面７０ａは基板表面１１の左下部分にある。制御コンタクト表面７０ａ、電子部品１００の上面１００ａ、駆動コンタクト表面６０ａは、Ｘ方向に配列されている。

【0054】

素子導電部５０および駆動導電部６０は、共通コンタクト表面３０ａに対するＹ方向の両側のうち同一方向側に配置されている。言い換えれば、素子コンタクト表面５０ａは、共通コンタクト表面３０ａに対するＸ方向の両側のうち駆動コンタクト表面６０ａ側に配置されている。

【0055】

駆動コンタクト表面６０ａは、たとえばＹ方向を長手方向としＸ方向を短手方向とする長方形状である。駆動コンタクト表面６０ａは、枠２１と重なる位置にも形成されている。駆動コンタクト表面６０ａの長手方向の一端は、上方から見て第２側壁部２１ｂの外面と一致している。駆動コンタクト表面６０ａの短手方向の一端は、上方から見て第４側壁部２１ｄの外面と一致している。

【0056】

駆動コンタクト表面６０ａは、ワイヤＷ２によって第１駆動電極１０１に接続されている。これにより、駆動導電部６０と第１駆動電極１０１とが電気的に接続される。ワイヤＷ２は、たとえばＣｕ等の金属からなり、および駆動コンタクト表面６０ａおよび第１駆動電極１０１にそれぞれボンディングされている。ワイヤＷ２の本数は特に限定されず、図示された例においては、複数のワイヤＷ２（５本のワイヤＷ２）が設けられている。また、図示された例においては、ワイヤＷ２のファーストボンディング部が第１駆動電極１０１に設けられており、セカンドボンディング部が駆動コンタクト表面６０ａに設けられている。

【0057】

図示された例においては、ワイヤＷ１の本数とワイヤＷ２の本数とは同一である。ただし、これに限られず、ワイヤＷ１の本数はワイヤＷ２の本数と異なっていてもよく、たとえばワイヤＷ１の本数がワイヤＷ２の本数よりも多くてもよい。これにより、電子部品１００よりも半導体発光素子８０に大きな電流を流すことができる。

【0058】

制御コンタクト表面７０ａは、たとえばＹ方向を長手方向としＸ方向を短手方向とする長方形状である。制御コンタクト表面７０ａは、枠２１と重なる位置にも形成されている。制御コンタクト表面７０ａの長手方向の一端は、上方から見て第２側壁部２１ｂの外面と一致している。制御コンタクト表面７０ａの短手方向の一端面は、第３側壁部２１ｃの外面と一致している。

【0059】

制御コンタクト表面７０ａは、ワイヤＷ３によって制御電極１０２に接続されている。これにより、制御導電部７０と制御電極１０２とが電気的に接続される。ワイヤＷ３は、たとえばＣｕ等の金属からなり、制御コンタクト表面７０ａおよび制御電極１０２にそれぞれボンディングされている。ワイヤＷ３の本数は特に限定されず、図示された例においては１本である。また、図示された例においては、ワイヤＷ３のファーストボンディング部が制御電極１０２に設けられており、セカンドボンディング部が制御コンタクト表面７０ａに設けられている。制御電極１０２は、上面１００ａのＸ方向の両端部のうち制御コンタクト表面７０ａに近い方の端部に形成されている。このため、ワイヤＷ３の長さを短くすることを可能にしている。

【0060】

図示された例においては、共通コンタクト表面３０ａは、他のコンタクト表面４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａよりも大きい。素子コンタクト表面５０ａは、駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａよりも大きい。接続コンタクト表面４０ａは、駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａよりも大きく、素子コンタクト表面５０ａよりも大きい。駆動コンタクト表面６０ａと制御コンタクト表面７０ａとは同一の大きさである。

【0061】

次に図４～図６を用いて基板裏面１２側のレイアウトについて説明する。
図４に示すように、共通コンタクト裏面３０ｂ（共通裏面導電層３２）は、基板裏面１２の中央部に形成されている。共通コンタクト裏面３０ｂは、共通コンタクト表面３０ａとは反対側の位置に形成されている。共通コンタクト裏面３０ｂは、共通コンタクト表面３０ａと同様に、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。共通コンタクト裏面３０ｂは、上方から見て共通コンタクト表面３０ａよりも小さく形成されている。共通コンタクト裏面３０ｂのＸ方向の長さは、共通コンタクト表面３０ａのＸ方向の長さよりも短い。共通コンタクト裏面３０ｂのＸ方向の両端は、共通コンタクト表面３０ａのＸ方向の両端よりも中央側に寄っている。

【0062】

共通コンタクト裏面３０ｂに対してＸ方向の一方側に素子コンタクト裏面５０ｂおよび駆動コンタクト裏面６０ｂが配置されており、他方側に接続コンタクト裏面４０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂが配置されている。

【0063】

接続コンタクト裏面４０ｂ（接続裏面導電層４２）は、基板裏面１２における接続コンタクト表面４０ａとは反対側の位置に形成されている。図４に示すように、接続コンタクト裏面４０ｂは、基板裏面１２における右上部分に形成されている。接続コンタクト裏面４０ｂは、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。接続コンタクト裏面４０ｂは、接続コンタクト表面４０ａよりも小さく形成されている。接続コンタクト裏面４０ｂと共通コンタクト裏面３０ｂとは離れており、両者は繋がっていない。

【0064】

図５に示すように、上方（基板表面１１側）から見て、接続コンタクト裏面４０ｂの左端は、接続コンタクト表面４０ａの左端よりも基板１０の中央側に寄っている。接続コンタクト裏面４０ｂの左端および接続コンタクト表面４０ａの左端とは、接続コンタクト裏面４０ｂおよび接続コンタクト表面４０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の縁側の端である。

【0065】

図４に示すように、素子コンタクト裏面５０ｂ（素子裏面導電層５２）は、基板裏面１２における素子コンタクト表面５０ａとは反対側の位置に形成されている。図示された例においては、素子コンタクト裏面５０ｂは、基板裏面１２における左上部分に形成されている。素子コンタクト裏面５０ｂは共通コンタクト裏面３０ｂに対して離間しており、両者は繋がっていない。

【0066】

素子コンタクト裏面５０ｂは、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。素子コンタクト裏面５０ｂは、素子コンタクト表面５０ａよりも小さく形成されている。

【0067】

図５に示すように、上方から見て、素子コンタクト裏面５０ｂの左端は素子コンタクト表面５０ａの左端と一致しており、素子コンタクト裏面５０ｂの右端は素子コンタクト表面５０ａの右端よりも中央側に寄っている。素子コンタクト裏面５０ｂの左端および素子コンタクト表面５０ａの左端とは、素子コンタクト裏面５０ｂおよび素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の中央側の端である。素子コンタクト裏面５０ｂの右端および素子コンタクト表面５０ａの右端とは、素子コンタクト裏面５０ｂおよび素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の縁側の端である。

【0068】

図４に示すように、駆動コンタクト裏面６０ｂ（駆動裏面導電層６２）は、基板裏面１２における駆動コンタクト表面６０ａとは反対側の位置に形成されている。図示された例においては、駆動コンタクト裏面６０ｂは、基板裏面１２における左下部分に形成されている。駆動コンタクト裏面６０ｂは、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。

【0069】

駆動コンタクト裏面６０ｂは、共通コンタクト裏面３０ｂに対してＸ方向に離間している。素子コンタクト裏面５０ｂと駆動コンタクト裏面６０ｂとはＹ方向に離間して配列されている。駆動コンタクト裏面６０ｂのＹ方向の長さは、素子コンタクト裏面５０ｂのＹ方向の長さよりも短い。そして、素子コンタクト裏面５０ｂおよび駆動コンタクト裏面６０ｂ間の距離Ｙ２は、素子コンタクト表面５０ａおよび駆動コンタクト表面６０ａ間の距離Ｙ１（図３）よりも長い。

【0070】

図６に示すように、上方から見て、駆動コンタクト裏面６０ｂの左端は駆動コンタクト表面６０ａの左端と一致しており、駆動コンタクト裏面６０ｂの右端は駆動コンタクト表面６０ａの右端よりも中央側に寄っている。駆動コンタクト裏面６０ｂの左端および駆動コンタクト表面６０ａの左端とは、駆動コンタクト裏面６０ｂおよび駆動コンタクト表面６０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の中央側の端である。駆動コンタクト裏面６０ｂの右端および駆動コンタクト表面６０ａの右端とは、駆動コンタクト裏面６０ｂおよび駆動コンタクト表面６０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の縁側の端である。

【0071】

図４に示すように、制御コンタクト裏面７０ｂは、基板裏面１２における制御コンタクト表面７０ａとは反対側の位置に形成されている。図示された例においては、制御コンタクト裏面７０ｂは、基板裏面１２における右下部分に形成されている。制御コンタクト裏面７０ｂは、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。制御コンタクト裏面７０ｂは、制御コンタクト表面７０ａよりも小さく形成されている。

【0072】

制御コンタクト裏面７０ｂは、共通コンタクト裏面３０ｂに対してＸ方向に離間して配置されている。接続コンタクト裏面４０ｂと制御コンタクト裏面７０ｂとはＹ方向に離間して配列されている。制御コンタクト裏面７０ｂのＹ方向の長さは、接続コンタクト裏面４０ｂのＹ方向の長さよりも短い。そして、接続コンタクト裏面４０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂ間の距離Ｙ４は、接続コンタクト表面４０ａおよび制御コンタクト表面７０ａ間の距離Ｙ３（図３）よりも長い。

【0073】

図６に示すように、上方から見て、制御コンタクト裏面７０ｂの右端は制御コンタクト表面７０ａの右端と一致しており、制御コンタクト裏面７０ｂの左端は制御コンタクト表面７０ａの左端よりも中央側に寄っている。制御コンタクト裏面７０ｂの右端および制御コンタクト表面７０ａの右端とは、制御コンタクト裏面７０ｂおよび制御コンタクト表面７０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の中央側の端である。制御コンタクト裏面７０ｂの左端および制御コンタクト表面７０ａの左端とは、制御コンタクト裏面７０ｂおよび制御コンタクト表面７０ａのＸ方向の両端のうち基板１０の縁側の端である。

【0074】

本実施形態においては、共通コンタクト裏面３０ｂは、接続コンタクト裏面４０ｂ、素子コンタクト裏面５０ｂ、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂよりも大きい。素子コンタクト裏面５０ｂおよび接続コンタクト裏面４０ｂは、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂよりも大きい。駆動コンタクト裏面６０ｂと制御コンタクト裏面７０ｂとは同一形状である。

【0075】

次に、連絡部３３，４３，５３，６３，７３について説明する。
複数の連絡部３３，４３，５３，６３，７３は、基板１０の厚さ方向における導電経路を構成するものである。本実施形態においては、複数の連絡部３３，４３，５３，６３，７３は、基板１０を厚さ方向に貫通している。

【0076】

図３および図４に示すように、共通連絡部３３は、共通表面導電層３１と共通裏面導電層３２との間に配置されている。共通連絡部３３は、共通表面導電層３１と共通裏面導電層３２とに繋がっており、これらを導通させている。

【0077】

図３に示すように、共通連絡部３３は、上方から見て、半導体発光素子８０および電子部品１００とは重ならない位置に形成されている。たとえば、共通連絡部３３は、半導体発光素子８０と電子部品１００との間に配置されている。具体的には、共通連絡部３３は、基板表面１１の中心に配置されている。

【0078】

図５に示すように、接続連絡部４３は、接続表面導電層４１と接続裏面導電層４２との間に配置されている。接続連絡部４３は、接続表面導電層４１と接続裏面導電層４２とに繋がっており、これらを導通させている。

【0079】

図３に示すように、接続連絡部４３は、上方から見て、ケース２０と重なる位置に形成されている。たとえば、接続連絡部４３は、上方から見て、第３側壁部２１ｃと重なる位置に形成されている。

【0080】

図５に示すように、素子連絡部５３は、素子表面導電層５１と素子裏面導電層５２との間に配置されている。素子連絡部５３は、素子表面導電層５１と素子裏面導電層５２とに繋がっており、これらを導通させている。

【0081】

図３に示すように、素子連絡部５３は、上方から見て、ケース２０と重なる位置に形成されている。たとえば、素子連絡部５３は、上方から見て、第４側壁部２１ｄと重なる位置に形成されている。

【0082】

図６に示すように、駆動連絡部６３は、駆動表面導電層６１と駆動裏面導電層６２との間に配置されている。駆動連絡部６３は、駆動表面導電層６１と駆動裏面導電層６２とに繋がっており、これらを導通させている。

【0083】

図３に示すように、駆動連絡部６３は、上方から見て、ケース２０と重なる位置に形成されている。たとえば、駆動連絡部６３は、上方から見て、第４側壁部２１ｄと重なる位置に形成されている。

【0084】

図６に示すように、制御連絡部７３は、制御表面導電層７１と制御裏面導電層７２との間に配置されている。制御連絡部７３は、制御表面導電層７１と制御裏面導電層７２とに繋がっており、これらを導通させている。

【0085】

図３に示すように、制御連絡部７３は、上方から見て、ケース２０と重なる位置に形成されている。たとえば、制御連絡部７３は、上方から見て、第３側壁部２１ｃと重なる位置に形成されている。

【0086】

図９および図１０は、半導体発光装置１が用いられた電子機器２の一例を示す平面図および回路図である。電子機器２としては、たとえば距離を測定するセンサなどがある。
電子機器２は、半導体発光装置１と、半導体発光装置１が搭載された回路基板１１０と、回路基板１１０上に形成された配線パターン１１１～１１４と、を有している。

【0087】

複数の配線パターン１１１～１１４は、互いに離間して配置されている。第１配線パターン１１１および第２配線パターン１１２はＸ方向に配列されており、第３配線パターン１１３および第４配線パターン１１４はＸ方向に配列されている。第１配線パターン１１１および第４配線パターン１１４はＹ方向に配列されており、第２配線パターン１１２および第３配線パターン１１３は、Ｙ方向に配列されている。

【0088】

接続裏面導電層４２は、第１配線パターン１１１と重なる位置に配置されている。接続コンタクト裏面４０ｂと第１配線パターン１１１とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第１配線パターン１１１は、半導体発光素子８０の素子下面電極９２および電子部品１００の第２駆動電極１０３に電気的に接続される。

【0089】

素子裏面導電層５２は、第２配線パターン１１２と重なる位置に配置されている。素子コンタクト裏面５０ｂと第２配線パターン１１２とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第２配線パターン１１２は、本実施形態においてはアノード電極である素子上面電極９１に電気的に接続される。

【0090】

駆動裏面導電層６２は、第３配線パターン１１３と重なる位置に配置されている。駆動コンタクト裏面６０ｂと第３配線パターン１１３とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第３配線パターン１１３は、本実施形態においてはソース電極である第１駆動電極１０１に電気的に接続される。

【0091】

制御裏面導電層７２は、第４配線パターン１１４と重なる位置に配置されている。制御コンタクト裏面７０ｂと第４配線パターン１１４とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第４配線パターン１１４は、制御電極１０２に電気的に接続される。

【0092】

以上のとおり、本実施形態においては、複数のコンタクト裏面４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂが半導体発光装置１の外部端子を構成している。
図示された例において、共通裏面導電層３２（共通コンタクト裏面３０ｂ）は、はんだ等によって、回路基板１１０に形成された放熱パターン１１５に実装されている。半導体発光素子８０および電子部品１００の熱は、共通コンタクト裏面３０ｂから回路基板１１０に伝わる。これにより、半導体発光装置１の放熱性の向上を図ることができる。

【0093】

図９に示すように、電子機器２は、キャパシタ１２０を有している。キャパシタ１２０は、第２配線パターン１１２と第３配線パターン１１３との間に跨るように配置されており、第２配線パターン１１２および第３配線パターン１１３に電気的に接続されている。これにより、図１０に示すように、キャパシタ１２０は、直列に接続された半導体発光素子８０および電子部品１００に対して並列に接続される。したがって、キャパシタ１２０を接続するための配線パターンのレイアウトを簡略化することができる。

【0094】

本実施形態の作用について説明する。
ケース２０内に半導体発光素子８０および電子部品１００が収容されており、基板表面１１に形成された共通導電部３０に、半導体発光素子８０と電子部品１００とが搭載されている。これにより、電子部品１００がケース２０外に設けられている場合と比較して、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路が短くなっている。

【0095】

本実施形態の半導体発光装置１によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体発光装置１は、基板１０と、基板１０に形成された共通導電部３０と、共通導電部３０に搭載された半導体発光素子８０および電子部品１００と、を備えている。半導体発光素子８０および電子部品１００は、共通導電部３０を介して電気的に接続されている。この構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路を短くすることができる。したがって、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路に基づく寄生容量を低減できる。よって、寄生容量を低減しつつ、半導体発光素子８０と電子部品１００とを電気的に接続することができる。

【0096】

（１－２）半導体発光素子８０の素子下面８０ｂには素子下面電極９２が形成されている。電子部品１００は、半導体発光素子８０を駆動するのに用いられるものであり、第１駆動電極１０１および制御電極１０２が形成された上面１００ａと、第２駆動電極１０３が形成された下面１００ｂと、を有している。素子下面電極９２と第２駆動電極１０３とが共通導電部３０に接合されている。この構成によれば、共通導電部３０を介して素子下面電極９２と第２駆動電極１０３とを電気的に接続することができる。

【0097】

（１－３）半導体発光素子８０と電子部品１００とは所定の方向に配列されており、共通導電部３０は、半導体発光素子８０と電子部品１００との配列方向であるＹ方向に延びた共通コンタクト表面３０ａを有している。半導体発光素子８０と電子部品１００とは、共通コンタクト表面３０ａ上に配置されている。この構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００とを共通導電部３０上に配置できる。

【0098】

共通コンタクト表面３０ａは、Ｙ方向を長手方向としＸ方向を短手方向とする形状である。この構成によれば、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の両側にスペースが形成されるため、当該スペースに他の導電部を配置できる。

【0099】

（１－４）基板１０には、第１駆動電極１０１と電気的に接続される駆動コンタクト表面６０ａを有する駆動導電部６０と、制御電極１０２と電気的に接続される制御コンタクト表面７０ａを有する制御導電部７０と、が形成されている。駆動導電部６０および制御導電部７０は、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の両側に分散して配置されている。この構成によれば、駆動導電部６０および制御導電部７０の干渉を回避しつつ、駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａの面積を確保できる。

【0100】

（１－５）駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａは、電子部品１００に対してＸ方向の両側に配置されている。したがって、ワイヤＷ３の長さを短くでき、ワイヤＷ３に基づく寄生容量を低減できる。

【0101】

（１－６）共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の一方側には、素子コンタクト表面５０ａを有する素子導電部５０が形成されており、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の他方側には、共通導電部３０と電気的に接続された接続導電部４０が形成されている。接続導電部４０は、共通コンタクト表面３０ａにおけるＸ方向の両端部のうち素子導電部５０側とは反対側の端部からＸ方向に突出した接続コンタクト表面４０ａを有している。この構成によれば、素子導電部５０との干渉を回避しつつ、接続導電部４０を用いて共通導電部３０との電気的接続を行うことができる。

【0102】

（１－７）素子導電部５０と駆動導電部６０とは、共通導電部３０に対するＸ方向の両側のうち同一方向側に配置されている。この構成によれば、素子導電部５０と駆動導電部６０とが近接して配置されるため、素子導電部５０と駆動導電部６０とに接続される部品（たとえばキャパシタ）を容易に配置できる。

【0103】

（１－８）接続導電部４０は、基板裏面１２における接続コンタクト表面４０ａとは反対側の位置にある接続コンタクト裏面４０ｂを有する。素子導電部５０は、基板裏面１２における素子コンタクト表面５０ａとは反対側の位置にある素子コンタクト裏面５０ｂを有する。駆動導電部６０は、基板裏面１２における駆動コンタクト表面６０ａとは反対側の位置にある駆動コンタクト裏面６０ｂを有する。制御導電部７０は、基板裏面１２における制御コンタクト表面７０ａとは反対側の位置にある制御コンタクト裏面７０ｂを有する。この構成によれば、各コンタクト裏面４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂを用いて半導体発光装置１の外部とのコンタクトを確保することができる。

【0104】

（１－９）素子コンタクト裏面５０ｂは、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂよりも大きい。この構成によれば、素子導電部５０の放熱性の向上を図ることができる。

【0105】

（１－１０）共通導電部３０は、基板裏面１２における共通コンタクト表面３０ａとは反対側の位置にある共通コンタクト裏面３０ｂを有する。この構成によれば、共通コンタクト裏面３０ｂを用いて放熱させることができる。したがって、共通導電部３０の放熱性の向上を図ることができる。

【0106】

（１－１１）共通コンタクト裏面３０ｂは、接続コンタクト裏面４０ｂとは離間している。この構成によれば、半導体発光装置１を回路基板１１０に実装する際に、共通コンタクト裏面３０ｂと接続コンタクト裏面４０ｂとのいずれか一方を用いてもよいし、双方を用いてもよい。したがって、半導体発光装置１を取り付ける回路基板１１０の設計の自由度を高くできる。

【0107】

（１－１２）基板１０は絶縁性材料で構成されている。コンタクト表面３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａは、基板表面１１に形成された表面導電層３１，４１，５１，６１，７１の表面である。コンタクト裏面３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂは、基板裏面１２に形成された裏面導電層３２，４２，５２，６２，７２の表面である。導電部３０，４０，５０，６０，７０は、表面導電層３１，４１，５１，６１，７１と裏面導電層３２，４２，５２，６２，７２とを繋ぐ連絡部３３，４３，５３，６３，７３を有している。連絡部３３，４３，５３，６３，７３は、ケース２０の下に配置されている。この構成によれば、連絡部３３，４３，５３，６３，７３と、ワイヤＷ１～Ｗ３とが阻害することを抑制できる。

【0108】

（１－１３）半導体発光装置１は、半導体発光素子８０および電子部品１００を収容するケース２０を備えている。この構成によれば、半導体発光素子８０および電子部品１００を保護することができる。

【0109】

［第２実施形態］
図１１～図３８を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１Ｂについて説明する。なお、以降の説明において、第１実施形態の半導体発光装置１と共通する構成要素については同一符号を用い、その説明を省略する。また、第１実施形態の半導体発光装置１と共通する機能を有する構成要素については符号の後に「Ｂ」を付して、その説明を省略する場合がある。また、各方向についても第１実施形態と同様に用いる。

【0110】

図１１は、第２実施形態の半導体発光装置１Ｂの斜視図である。図１２および図１４は半導体発光装置１Ｂの正面図であり、図１３は半導体発光装置１Ｂの側面図であり、図１５は半導体発光装置１Ｂの底面図である。図１４では、半導体発光装置１Ｂからケース２０Ｂを省略して示す。

【0111】

半導体発光装置１Ｂは、第１実施形態の半導体発光装置１と比較して、基板１０の構成、接続導電部４０が省略された点、複数の導電部３０，５０，６０，７０の形状およびケース２０の構成が異なる。また、半導体発光装置１Ｂは、キャパシタ１２０をさらに備えている。以下の説明において、本実施形態の基板を基板１０Ｂとし、複数の導電部をそれぞれ導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂ、または、共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂとし、ケースをケース２０Ｂとする。本実施形態では、半導体発光装置１ＢのＸ方向の長さＬＸが４．５ｍｍ程度、半導体発光装置１ＢのＹ方向の長さＬＹが４．５ｍｍ程度、半導体発光装置１ＢのＸ方向及びＹ方向と直交する方向（以下、Ｚ方向という）の長さＬＺが１．８３ｍｍ程度である。なお、Ｚ方向は、基板１０Ｂの厚さ方向ともいえる。

【0112】

図１７～図１９に示すように、ケース２０Ｂは、半導体発光素子８０、電子部品１００およびキャパシタ１２０を収容するものである。ケース２０Ｂは、第１実施形態と同様に、基板１０Ｂに取り付けられている。ケース２０Ｂ内は、たとえば中空である。ただし、これに限られず、ケース２０Ｂ内に何らかの部材が充填されていてもよい。

【0113】

ケース２０Ｂは、Ｚ方向の一方側が開口した箱状に形成されている。本実施形態では、ケース２０Ｂは、枠２１と蓋２２とが一体に形成された単一部品として構成されている。ケース２０Ｂは、たとえば遮光性を有する材料からなり、たとえば有色樹脂からなる。半導体発光素子８０からの光は、ケース２０Ｂによって遮られる。枠２１は、基板１０Ｂよりも若干小さく形成された正方形状である。蓋２２は、枠２１の外縁と同じサイズとなるように形成されている。

【0114】

図１２に示すように、蓋２２には、半導体発光素子８０からの光を透過させる開口部２２ａが形成されている。開口部２２ａは、Ｚ方向において半導体発光素子８０の発光領域９０を少なくとも露出するように構成されており、本実施形態では、Ｚ方向において半導体発光素子８０の素子上面８０ａの全体を露出するように構成されている。このように、平面視において開口部２２ａは、素子上面８０ａよりも大きくなるように形成されている。平面視における開口部２２ａの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状である。開口部２２ａは、Ｚ方向から見て、蓋２２のうちＸ方向において第３側壁部２１ｃ寄りかつＹ方向において第１側壁部２１ａ寄りに配置されている。

【0115】

図１２および図１３に示すように、蓋２２には、開口部２２ａをＺ方向のうち基板１０Ｂ側とは反対側から覆うように平板状の光拡散板１３０が取り付けられている。平面視における光拡散板１３０の形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状である。光拡散板１３０は、たとえばポリカーボネート、ポリエステル、アクリル等の透光性の樹脂材料が適宜選択される。光拡散板１３０のサイズは、開口部２２ａの全体をＺ方向から覆うことが可能な範囲で任意に変更可能である。本実施形態においては、Ｚ方向から見て、光拡散板１３０のうち開口部２２ａからＸ方向における第３側壁部２１ｃ側への突出距離ＤＸ１は、開口部２２ａからＸ方向における第４側壁部２１ｄ側への突出距離ＤＸ２よりも小さい。突出距離ＤＸ１は、光拡散板１３０のうち開口部２２ａからＹ方向における第１側壁部２１ａ側への突出距離ＤＹ１および開口部２２ａからＹ方向における第２側壁部２１ｂ側への突出距離ＤＹ２よりも大きい。なお、突出距離ＤＸ１，ＤＸ２はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、突出距離ＤＸ１が突出距離ＤＸ２以上であってもよい。突出距離ＤＸ１，ＤＸ２の少なくとも一方は、突出距離ＤＹ１，ＤＹ２以下であってもよい。また、光拡散板１３０は、蓋２２の全体をＺ方向から覆うようなサイズに形成されてもよい。

【0116】

図１４および図１５に示すように、本実施形態の基板１０Ｂは、導電性材料によって形成されており、たとえばＣｕからなる金属板からなる。換言すれば、基板１０Ｂはリードフレームである。基板１０Ｂには、互いに絶縁された複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂが区画されるように仕切る絶縁部１３が設けられている。共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂは、絶縁部１３によって互いに絶縁された状態で区画された基板１０Ｂの一部であるともいえる。絶縁部１３は、たとえばエポキシ樹脂からなる。図１４～図１６に示すように、導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂはそれぞれ、基板１０Ｂの基板表面１１および基板裏面１２のいずれにも露出している。

【0117】

まず、導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの構成の概要について説明する。
図１４～図１６に示すように、共通導電部３０Ｂは、Ｚ方向において互いに反対側を向く共通コンタクト表面３０ａおよび共通コンタクト裏面３０ｂを有する。本実施形態では、共通コンタクト表面３０ａは基板表面１１の一部であり、共通コンタクト裏面３０ｂは基板裏面１２の一部である。

【0118】

図１４に示すように、共通コンタクト表面３０ａは、基板表面１１における第３側壁部２１ｃおよび第４側壁部２１ｄよりもＸ方向の中央部に近い側に配置されている。共通コンタクト表面３０ａは、基板表面１１のうち上方から下方までにわたり形成されている。

【0119】

各導電部５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの共通コンタクト表面３０ａに対する配置態様は、第１実施形態と同様である。すなわち、制御導電部７０Ｂは、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の一方側に配置され、素子導電部５０Ｂおよび駆動導電部６０Ｂは、共通コンタクト表面３０ａに対してＸ方向の他方側に配置されている。また、素子導電部５０Ｂおよび駆動導電部６０Ｂは、Ｙ方向において互いに離間して配列されている。

【0120】

図１４～図１６に示すように、素子導電部５０Ｂは、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子コンタクト表面５０ａおよび素子コンタクト裏面５０ｂを有する。本実施形態では、素子コンタクト表面５０ａは基板表面１１の一部であり、素子コンタクト裏面５０ｂは基板裏面１２の一部である。

【0121】

駆動導電部６０Ｂは、Ｚ方向において互いに反対側を向く駆動コンタクト表面６０ａおよび駆動コンタクト裏面６０ｂを有する。本実施形態では、駆動コンタクト表面６０ａは基板表面１１の一部であり、駆動コンタクト裏面６０ｂは基板裏面１２の一部である。

【0122】

制御導電部７０Ｂは、Ｚ方向において互いに反対側を向く制御コンタクト表面７０ａおよび制御コンタクト裏面７０ｂを有する。本実施形態では、制御コンタクト表面７０ａは基板表面１１の一部であり、制御コンタクト裏面７０ｂは基板裏面１２の一部である。

【0123】

図１４～図２２を用いて、複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの詳細な形状について説明する。
図１４および図１５に示すように、平面視における共通コンタクト表面３０ａの形状は、略クランク状である。図１５に示すように、共通コンタクト表面３０ａの周囲には、絶縁部１３が設けられている。共通コンタクト表面３０ａは、半導体発光素子８０が搭載された第１共通コンタクト表面部３０ｃと、電子部品１００が搭載された第２共通コンタクト表面部３０ｄと、を有する。第１共通コンタクト表面部３０ｃと第２共通コンタクト表面部３０ｄとは一体化されている。共通コンタクト表面部３０ｃと第２共通コンタクト表面部３０ｄとは、Ｙ方向に配列されている。図１４に示すように、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄからＹ方向の第１側壁部２１ａに向けて延びている。第１共通コンタクト表面部３０ｃは、Ｙ方向において第２共通コンタクト表面部３０ｄよりも第１側壁部２１ａ側に配置されている。換言すると、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、Ｙ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃよりも第２側壁部２１ｂ側に配置されている。

【0124】

第１共通コンタクト表面部３０ｃおよび第２共通コンタクト表面部３０ｄは、Ｘ方向において互いにずれて配置されている。第１共通コンタクト表面部３０ｃは、Ｘ方向において第２共通コンタクト表面部３０ｄに対して第３側壁部２１ｃ寄りにずれて配置されている。換言すると、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、Ｘ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃに対して第４側壁部２１ｄ寄りにずれて配置されている。このため、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄからＸ方向のうち第３側壁部２１ｃに向けて延びているといえる。より詳細には、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうち第３側壁部２１ｃ側の端部３１ａからＸ方向の第３側壁部２１ｃに向けて突出した部分を有する。また、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、第１共通コンタクト表面部３０ｃからＸ方向のうち第４側壁部２１ｄに向けて延びているともいえる。より詳細には、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち第４側壁部２１ｄ側の端部３１ｆからＸ方向の第４側壁部２１ｄに向けて突出した部分を有する。

【0125】

平面視における第１共通コンタクト表面部３０ｃの形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状である。平面視における第２共通コンタクト表面部３０ｄの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状である。第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の大きさは、第２共通コンタクト表面部３０ｄのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさよりも小さい。第１共通コンタクト表面部３０ｃのＹ方向の大きさは、第２共通コンタクト表面部３０ｄのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさよりも大きい。第１共通コンタクト表面部３０ｃのＹ方向の大きさと第２共通コンタクト表面部３０ｄのＹ方向の大きさとの差が第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の大きさと第２共通コンタクト表面部３０ｄのＸ方向の大きさとの差よりも大きいため、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄよりも大きい。

【0126】

図１４に示すように、共通コンタクト表面３０ａは、Ｙ方向において枠２１と重なる位置まで形成されており、共通コンタクト表面３０ａのＹ方向の両端は、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの外面、第２側壁部２１ｂおよび第３側壁部２１ｃの外面よりも突出する部分を有する。

【0127】

より詳細には、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうちＹ方向の第１側壁部２１ａ側の端部には２つの突出部３４ａ，３４ｂが形成されており、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうち第２側壁部２１ｂ側の端部には２つの突出部３４ｃ，３４ｄが形成されている。また、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうちＸ方向の第３側壁部２１ｃ側の端部には２つの突出部３４ｅ，３４ｆが形成されている。

【0128】

突出部３４ａ，３４ｂはそれぞれ、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの外面から突出している。突出部３４ａ，３４ｂは、Ｘ方向において互いに離間して形成されている。突出部３４ａは、Ｘ方向において突出部３４ｂよりも素子導電部５０Ｂ側（第４側壁部２１ｄ側）に位置している。突出部３４ｃ，３４ｄはそれぞれ、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂの外面から突出している。突出部３４ｃ，３４ｄは、Ｘ方向において互いに離間して形成されている。突出部３４ｃは、Ｘ方向において突出部３４ｄよりも駆動導電部６０Ｂ側（第４側壁部２１ｄ側）に位置している。突出部３４ｅ，３４ｆは、Ｚ方向から見て、第３側壁部２１ｃの外面から突出している。突出部３４ｅ，３４ｆは、Ｙ方向において互いに離間して形成されている。突出部３４ｅは、Ｙ方向において突出部３４ｆよりも第１側壁部２１ａ側に位置している。

【0129】

本実施形態においては、突出部３４ａ～３４ｆは、リードフレームにおいて共通導電部３０Ｂを吊る吊りリードを切断した残りの部分である。突出部３４ａ～３４ｆは、基板１０Ｂの側面から露出している。また突出部３４ａ～３４ｆは、基板表面１１から露出している。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。上方から見て、突出部３４ａ～３４ｆと共通コンタクト表面３０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている（図１５参照）。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。

【0130】

また、図１４および図１５に示すように、共通導電部３０Ｂには、共通導電部３０Ｂの移動を規制するための複数の凹部が形成されている。本実施形態においては、共通コンタクト表面３０ａに複数の凹部が形成されている。図示された例においては、共通コンタクト表面３０ａには、凹部３５ａ、一対の凹部３５ｂ、一対の凹部３５ｃ、凹部３５ｄおよび凹部３５ｅが形成されている。なお、これら凹部の数は任意に変更可能である。

【0131】

図１４に示すように、凹部３５ａは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち第１側壁部２１ａ側の端部３１ｂから第２側壁部２１ｂに向けてＹ方向に凹んでいる。凹部３５ａの底部は、曲面からなる。本実施形態では、平面視における凹部３５ａの形状は、底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。本実施形態では、凹部３５ａは、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの内面まで延びている。また、図２０に示すように、凹部３５ａは、第１共通コンタクト表面部３０ｃから共通導電部３０ＢのＺ方向の表層部分までにわたりＺ方向に凹んでいる。凹部３５ａには、絶縁部１３が入り込んでいる。凹部３５ａに入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕを有する。凹部３５ａの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕは、図１５に示す凹部３５ａと破線とによって囲まれた部分である。絶縁部１３のうち凹部３５ａの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕよりも上方部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。なお、凹部３５ａのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、凹部３５ａは、Ｚ方向から見て、その内縁が第１側壁部２１ａの内面よりも内側に位置していてもよく、その内縁が第１側壁部２１ａの内面よりも外側に位置していてもよい。

【0132】

図１４に示すように、一対の凹部３５ｂは、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうちＸ方向の第４側壁部２１ｄ側の端部３１ｃからＸ方向に凹んでいる。一対の凹部３５ｂの底部はそれぞれ、曲面からなる。本実施形態では、平面視における一対の凹部３５ｂの形状はそれぞれ、底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。また、図示していないが、一対の凹部３５ｂは、第２共通コンタクト表面部３０ｄから共通導電部３０ＢのＺ方向の表層部分までにわたりＺ方向に凹んでいる。一対の凹部３５ｂのそれぞれには、絶縁部１３が入り込んでいる。一対の凹部３５ｂのそれぞれに入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕを有する。一対の凹部３５ｂのそれぞれの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕは、図１５に示す一対の凹部３５ｂと破線とによって囲まれた部分のうち後述するフランジ３６（図１７参照）よりも内側の部分である。絶縁部１３のうち一対の凹部３５ｂの表面側ハーフ絶縁部１３ＵよりもＸ方向の駆動導電部６０Ｂ側の部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。

【0133】

一対の凹部３５ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄの端部３１ａからＸ方向に凹んでいる。一対の凹部３５ｃの底部はそれぞれ、曲面からなる。本実施形態では、平面視における一対の凹部３５ｃの形状はそれぞれ、底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。また、図示しないが、一対の凹部３５ｃは、一対の凹部３５ｂと同様に、第２共通コンタクト表面部３０ｄから共通導電部３０ＢのＺ方向の表層部分までにわたりＺ方向に凹んでいる。一対の凹部３５ｃのそれぞれには、絶縁部１３が入り込んでいる。平面視における一対の凹部３５ｃの形状は、平面視における一対の凹部３５ｂの形状と対称形状である。

【0134】

なお、一対の凹部３５ｂ，３５ｃのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、一対の凹部３５ｂのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさの少なくとも一方が一対の凹部３５ｃと異なってもよい。

【0135】

図１４に示すように、凹部３５ｄは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち第３側壁部２１ｃ側の端部３１ｄから第４側壁部２１ｄに向けてＹ方向に凹んでいる。凹部３５ｄの底部は、曲面からなる。本実施形態では、平面視における凹部３５ｄの形状は、底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。本実施形態では、凹部３５ｄは、Ｚ方向から見て、第３側壁部２１ｃの内面まで延びている。また、図２０に示すように、凹部３５ｄは、第１共通コンタクト表面部３０ｃから共通導電部３０ＢのＺ方向の表層部分までにわたりＺ方向に凹んでいる。凹部３５ｄには、絶縁部１３が入り込んでいる。凹部３５ｄに入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕを有する。凹部３５ｄの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕは、図１５に示す凹部３５ｄと破線とによって囲まれた部分のうちフランジ３６（図１７参照）よりも内側の部分である。絶縁部１３のうち凹部３５ｄの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕよりも左方部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。なお、凹部３５ｄのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、凹部３５ｄは、Ｚ方向から見て、その内縁が第３側壁部２１ｃの内面よりも内側に位置していてもよく、その内縁が第３側壁部２１ｃの内面よりも外側に位置していてもよい。

【0136】

図１４に示すように、凹部３５ｅは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち第２側壁部２１ｂ側の端部３１ｅからＹ方向に凹んでいる。凹部３５ｅの底部はそれぞれ、曲面からなる。本実施形態では、平面視における凹部３５ｅの形状はそれぞれ、底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。また、図２１に示すように、凹部３５ｅは、第１共通コンタクト表面部３０ｃから共通導電部３０ＢのＺ方向の表層部分までにわたりＺ方向に凹んでいる。凹部３５ｅには、絶縁部１３が入り込んでいる。凹部３５ｅに入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕを有する。凹部３５ｅの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕは、図１５に示す凹部３５ｅと破線とによって囲まれた部分のうちフランジ３６（図１９参照）よりも内側の部分である。絶縁部１３のうち凹部３５ｅの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕよりも下方部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。なお、凹部３５ｅのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、凹部３５ｅは、Ｚ方向から見て、その内縁が第３側壁部２１ｃの内面よりも内側に位置していてもよく、その内縁が第３側壁部２１ｃの内面よりも外側に位置していてもよい。

【0137】

また、平面視における凹部３５ａ～３５ｅの形状はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、平面視における凹部３５ａ～３５ｅの形状は矩形凹状であってもよい。平面視における凹部３５ａ～３５ｅのうちの一部の深さが凹部３５ａ～３５ｅのうちの別の一部の深さと異なってもよい。

【0138】

図２０～図２２に示すように、共通コンタクト表面３０ａの周縁部には、共通導電部３０ＢをＺ方向に沿う平面で切った断面視において、フランジ３６が形成されている。換言すると、共通導電部３０Ｂのうち共通コンタクト表面３０ａを含む表層部分よりも共通コンタクト裏面３０ｂ側であり共通コンタクト裏面３０ｂを含む裏層部分は、表層部分に対してＺ方向に直交する方向に窪んでいる。この窪んだ部分には、絶縁部１３が入り込んでいる。フランジ３６に対して共通コンタクト裏面３０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。絶縁部１３のうちフランジ３６よりも外側の部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通しており、フランジ３６の裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌと繋がっている。

【0139】

なお、共通コンタクト表面３０ａの周縁部は、突出部３４ａ～３４ｆ（図１４および図１５参照）を含む。突出部３４ａ～３４ｆは、フランジ３６から延びており、フランジ３６の厚さと等しくなるように形成されている。すなわち、突出部３４ａ～３４ｆに対して共通コンタクト裏面３０ｂ側には絶縁部１３が入り込んでおり、突出部３４ａ～３４ｆは基板裏面１２から露出していない。この突出部３４ａ～３４ｆに対して共通コンタクト裏面３０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。Ｚ方向から見て、突出部３４ａ～３４ｆの延びる方向と直交する方向において、絶縁部１３のうち突出部３４ａ～３４ｆの両側の部分は、基板１０Ｂを貫通しており、突出部３４ａ～３４ｆの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌと繋がっている。共通コンタクト裏面３０ｂは、共通コンタクト表面３０ａのフランジ３６よりも内側の部分として基板裏面１２から露出している。また、図示していないが、凹部３５ａ～３５ｅは、共通コンタクト表面３０ａの周縁部（フランジ３６）よりも共通コンタクト表面３０ａの内側まで形成されている。すなわち、凹部３５ａ～３５ｅの一部は、Ｚ方向から見て共通コンタクト裏面３０ｂと重なっている。このため、凹部３５ａ～３５ｅの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕの一部は、Ｚ方向から見て共通コンタクト裏面３０ｂと重なっている。

【0140】

図１４および図１５に示すように、素子コンタクト表面５０ａは、基板１０Ｂのうち第１側壁部２１ａ側かつ第４側壁部２１ｄ側の隅に配置されている。素子コンタクト表面５０ａは、Ｘ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃから離間して配置されている。素子コンタクト表面５０ａの周囲には、絶縁部１３が設けられている。

【0141】

図１４に示すように、Ｙ方向から見て、素子コンタクト表面５０ａのうち第３側壁部２１ｃ側の部分は、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうち第４側壁部２１ｄ側の部分と重なっている。素子コンタクト表面５０ａは、第１共通コンタクト表面部３０ｃが第２共通コンタクト表面部３０ｄに対してＸ方向にずれたことによって形成された凹み領域内に入り込んでいるともいえる。また素子コンタクト表面５０ａは、Ｘ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃと対向している。

【0142】

図１５に示すように、平面視における素子コンタクト表面５０ａの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状である。素子コンタクト表面５０ａのＹ方向の大きさは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＹ方向の大きさよりも小さい。素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の大きさは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の大きさよりも大きい。

【0143】

図１４に示すように、素子コンタクト表面５０ａの第１側壁部２１ａ側の端部は、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａと重なる位置まで形成されており、第１側壁部２１ａの外面よりも突出する部分を有する。素子コンタクト表面５０ａの第４側壁部２１ｄ側の端部は、Ｚ方向から見て、第４側壁部２１ｄと重なる位置まで形成されており、第４側壁部２１ｄの外面よりも突出する部分を有する。

【0144】

より詳細には、素子コンタクト表面５０ａのうちＹ方向の第１側壁部２１ａ側の端部には突出部５４ａ，５４ｂが形成されており、素子コンタクト表面５０ａのうちＸ方向の第４側壁部２１ｄ側の端部には突出部５４ｃが形成されている。突出部５４ａ，５４ｂはそれぞれ、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの外面から突出している。突出部５４ａ，５４ｂは、Ｘ方向において互いに離間して形成されている。突出部５４ａは、突出部５４ｂよりも第４側壁部２１ｄ側に位置している。突出部５４ｃは、Ｚ方向から見て、第４側壁部２１ｄの外面から突出している。突出部５４ｃは、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａの中央部に形成されている。本実施形態においては、突出部５４ａ～５４ｃはそれぞれ、リードフレームにおいて素子導電部５０Ｂを吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部５４ａ～５４ｃと素子コンタクト表面５０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている（図１５参照）。

【0145】

また、素子導電部５０Ｂには、素子導電部５０Ｂの移動を規制するための凹部５５が形成されている。本実施形態においては、素子コンタクト表面５０ａに凹部５５が形成されている。なお、凹部の数は任意に変更可能である。

【0146】

図１４に示すように、凹部５５は、素子コンタクト表面５０ａのうちの第１側壁部２１ａ側の端部かつ第３側壁部２１ｃ側の端部に形成されている。凹部５５は、素子コンタクト表面５０ａのうち第１側壁部２１ａ側の端部５１ａから第２側壁部２１ｂに向けてＹ方向に凹んでいる。凹部５５のＹ方向の長さ（平面視における凹部５５ａの深さ）は、凹部３５ａ，３５ｄ，３５ｅのＹ方向の長さおよび凹部３５ｂ，３５ｃのＸ方向の長さ（平面視における凹部３５ａ～３５ｅの深さ）よりも長い（深い）。凹部５５の底部は、曲面からなる。本実施形態では、平面視における凹部５５の形状は、幅寸法が変更せずにＹ方向に延びる部分を有しており、かつ底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。本実施形態においては、凹部５５は、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの内面よりも内側まで延びている。凹部５５は、ワイヤＷ１のセカンドボンディング部の形成位置の目印としての機能を有する。

【0147】

また、図２０に示すように、凹部５５は、素子コンタクト表面５０ａから素子導電部５０ＢのＺ方向の表層部分までにわたりＺ方向に凹んでいる。凹部５５には、絶縁部１３が入り込んでいる。凹部５５に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕを有する。凹部５５の表面側ハーフ絶縁部１３Ｕは、図１５に示す凹部５５と破線とによって囲まれた部分のうち後述するフランジ５６（図２０参照）よりも内側の部分である。絶縁部１３のうち凹部５５の表面側ハーフ絶縁部１３Ｕよりも上方部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。本実施形態においては、Ｚ方向における凹部５５の深さは、Ｚ方向における凹部３５ａ～３５ｅ（図１５参照）の深さと等しい。ここで、Ｚ方向における凹部５５の深さとＺ方向における凹部３５ａ～３５ｅの深さとの差がたとえばＺ方向における凹部３５ａ～３５ｅの深さの５％以内であれば、Ｚ方向における凹部５５の深さとＺ方向における凹部３５ａ～３５ｅの深さとは等しいといえる。

【0148】

なお、図１４に示す凹部５５のＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、凹部５５は、Ｚ方向から見て、その内縁が第１側壁部２１ａの内面と同じ位置であってもよく、その内縁が第１側壁部２１ａの内面よりも外側に位置していてもよい。また、凹部５５の向きは任意に変更可能である。一例では、凹部５５は、素子コンタクト表面５０ａのうち第３側壁部２１ｃ側の端部５１ｂから第４側壁部２１ｄ側に向けてＹ方向に凹んでいてもよい。

【0149】

図２０に示すように、素子コンタクト表面５０ａの周縁部には、素子導電部５０ＢをＺ方向に沿う平面で切った断面視において、フランジ５６が形成されている。換言すると、素子導電部５０Ｂのうち素子コンタクト表面５０ａを含む表層部分よりも素子コンタクト裏面５０ｂ側であり素子コンタクト裏面５０ｂを含む裏層部分は、表層部分に対してＺ方向と直交する方向に窪んでいる。この窪んだ部分には、絶縁部１３が入り込んでいる。フランジ５６に対して素子コンタクト裏面５０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。絶縁部１３のうちのフランジ５６よりも外側の部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通しており、フランジ５６の裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌと繋がっている。

【0150】

なお、素子コンタクト表面５０ａの周縁部は、突出部５４ａ～５４ｃ（図１４および図１５参照）を含む。突出部５４ａ～５４ｃはそれぞれ、基板１０Ｂの側面および基板表面１１に露出している。突出部５４ａ～５４ｃは、フランジ５６から延びており、フランジ５６の厚さと等しくなるように形成されている。すなわち、突出部５４ａ～５４ｃに対して素子コンタクト裏面５０ｂ側には絶縁部１３が入り込んでおり、突出部５４ａ～５４ｃは基板裏面１２から露出していない。この突出部５４ａ～５４ｃに対して素子コンタクト裏面５０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。Ｚ方向から見て、突出部５４ａ～５４ｃの延びる方向と直交する方向において、絶縁部１３のうち突出部５４ａ～５４ｃの両側の部分は、基板１０Ｂを貫通しており、突出部５４ａ～５４ｃの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌと繋がっている。素子コンタクト裏面５０ｂは、素子コンタクト表面５０ａのフランジ５６よりも内側の部分として基板裏面１２から露出している。また、図示していないが、凹部５５は、素子コンタクト表面５０ａの周縁部（フランジ５６）よりも素子コンタクト表面５０ａの内側まで形成されている。すなわち、凹部５５の一部は、Ｚ方向から見て素子コンタクト裏面５０ｂと重なっている。このため、凹部５５の表面側ハーフ絶縁部１３Ｕの一部は、Ｚ方向から見て素子コンタクト裏面５０ｂと重なっている。

【0151】

図１４および図１５に示すように、駆動コンタクト表面６０ａは、Ｘ方向において素子コンタクト表面５０ａと揃った状態でＹ方向において素子コンタクト表面５０ａから離間して配置されている。図１４に示すように、駆動コンタクト表面６０ａは、第２共通コンタクト表面部３０ｄに対してＸ方向の第４側壁部２１ｄ側およびＹ方向の第１側壁部２１ａ側から取り囲むように配置されている。平面視における駆動コンタクト表面６０ａの形状は、略Ｌ字状である。図１５に示すように、駆動コンタクト表面６０ａの周囲には、絶縁部１３が設けられている。

【0152】

駆動コンタクト表面６０ａは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと、第２駆動コンタクト表面部６０ｄと、を有する。第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２駆動コンタクト表面部６０ｄとは一体化されている。第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２駆動コンタクト表面部６０ｄとは、Ｙ方向に配列されている。図１４に示すように、第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、Ｙ方向において第２駆動コンタクト表面部６０ｄよりも第１側壁部２１ａ側に配置されている。換言すると、第２駆動コンタクト表面部６０ｄは、Ｙ方向において第１駆動コンタクト表面部６０ｃよりも第２側壁部２１ｂ側に配置されている。つまり、第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａと第２駆動コンタクト表面部６０ｄとの間に配置されている。第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、Ｘ方向から見て、第１共通コンタクト表面部３０ｃと重なるように配置されている。第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄよりも第１側壁部２１ａ側に配置されている。第２駆動コンタクト表面部６０ｄは、Ｘ方向から見て、第２共通コンタクト表面部３０ｄと重なるように配置されている。

【0153】

図１５に示すように、第１駆動コンタクト表面部６０ｃはＸ方向に延びており、第２駆動コンタクト表面部６０ｄはＹ方向に延びている。平面視における第１駆動コンタクト表面部６０ｃの形状は、Ｘ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる長方形状である。平面視における第２駆動コンタクト表面部６０ｄの形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形状である。図１４に示すように、第２駆動コンタクト表面部６０ｄは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃの第４側壁部２１ｄ側の端部から第２側壁部２１ｂに向けて延びている。このように、第２駆動コンタクト表面部６０ｄは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃよりもＸ方向の長さが短くなるように第１駆動コンタクト表面部６０ｃに対して凹んでいる。すなわち、駆動コンタクト表面６０ａは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２駆動コンタクト表面部６０ｄとによって区画される凹み領域６０ｒを有する。この凹み領域６０ｒには、第２共通コンタクト表面部３０ｄが入り込んでいる。第２共通コンタクト表面部３０ｄは、Ｘ方向において、第２駆動コンタクト表面部６０ｄと対向している。第２共通コンタクト表面部３０ｄのうち凹み領域６０ｒに入り込んだ部分は、Ｙ方向から見て、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと重なっている。

【0154】

第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、Ｘ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃと対向しており、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａと対向している。第１駆動コンタクト表面部６０ｃのＸ方向の長さは、素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の長さと等しい。ここで、第１駆動コンタクト表面部６０ｃのＸ方向の長さと素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の長さとの差がたとえば素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の長さの５％以内であれば、第１駆動コンタクト表面部６０ｃのＸ方向の長さが素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の長さと等しいといえる。

【0155】

図１４に示すように、駆動コンタクト表面６０ａの第４側壁部２１ｄ側の端部は、Ｚ方向から見て、第４側壁部２１ｄと重なる位置まで形成されており、第４側壁部２１ｄの外面よりも突出する部分を有する。駆動コンタクト表面６０ａの第２側壁部２１ｂ側の端部は、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂと重なる位置まで形成されており、第２側壁部２１ｂの外面よりも突出する部分を有する。

【0156】

より詳細には、駆動コンタクト表面６０ａのうちＸ方向の第４側壁部２１ｄ側の端部には突出部６４ａ，６４ｂが形成されており、駆動コンタクト表面６０ａのうちＹ方向の第２側壁部２１ｂ側の端部には突出部６４ｃが形成されている。突出部６４ａ，６４ｂはそれぞれ、Ｚ方向から見て、第４側壁部２１ｄの外面から突出している。突出部６４ａ，６４ｂは、Ｙ方向において互いに離間して形成されている。突出部６４ａは、突出部６４ｂよりも素子コンタクト表面５０ａ側に位置している。本実施形態においては、突出部６４ａは第１駆動コンタクト表面部６０ｃに形成されており、突出部６４ｂは第２駆動コンタクト表面部６０ｄに形成されている。突出部６４ｃは、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂの外面から突出している。突出部６４ｃは、第２駆動コンタクト表面部６０ｄに形成されている。突出部６４ｃは、Ｘ方向において第２駆動コンタクト表面部６０ｄのうち第２共通コンタクト表面部３０ｄ側の端部に形成されている。本実施形態においては、突出部６４ａ～６４ｃはそれぞれ、リードフレームにおいて駆動導電部６０Ｂを吊る吊りリードを切断した残りの部分である。突出部６４ａは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃに設けられている。突出部６４ｂ，６４ｃはそれぞれ、第２駆動コンタクト表面部６０ｄに設けられている。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部６４ａ～６４ｃと駆動コンタクト表面６０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている（図１５参照）。

【0157】

また、駆動導電部６０Ｂには、駆動導電部６０Ｂの移動を規制するための凹部６５が形成されている。本実施形態においては、駆動コンタクト表面６０ａに凹部６５が形成されている。なお、凹部の数は任意に変更可能である。

【0158】

凹部６５は、Ｙ方向における第２駆動コンタクト表面部６０ｄのうちの第１駆動コンタクト表面部６０ｃ側の端部に形成されている。凹部６５は、第２駆動コンタクト表面部６０ｄのうち第３側壁部２１ｃ側の端部６１ａから第４側壁部２１ｄ側に向けて凹んでいる。また、凹部６５は、Ｙ方向において第１駆動コンタクト表面部６０ｃと隣り合うように形成されている。具体的には、凹部６５の一部は、第１駆動コンタクト表面部６０ｃのうち第２側壁部２１ｂ側の端部６１ｂによって構成されている。本実施形態では、凹部６５の幅の最大値は、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２共通コンタクト表面部３０ｄとのＹ方向の隙間と等しい。ここで、凹部６５の幅の最大値と上記隙間との差がたとえば上記隙間の５％以内であれば、凹部６５の幅の最大値と第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２共通コンタクト表面部３０ｄとのＹ方向の隙間とが等しいといえる。

【0159】

凹部６５は、駆動導電部６０ＢをＺ方向に貫通している。凹部６５には、絶縁部１３が入り込んでいる。換言すると、凹部６５には、他の凹部３５ａ～３５ｅ，５５とは異なり、基板１０ＢをＺ方向に貫通する絶縁部１３が入り込んでいる。

【0160】

図２１に示すように、駆動コンタクト表面６０ａの周縁部は、駆動導電部６０ＢをＺ方向に沿う平面で切った断面視において、フランジ６６が形成されている。換言すると、駆動導電部６０Ｂのうち駆動コンタクト表面６０ａを含む表層部分よりも駆動コンタクト裏面６０ｂ側であり駆動コンタクト裏面６０ｂを含む裏層部分は、表層部分に対してＺ方向と直交する方向に窪んでいる。この窪んだ部分には、絶縁部１３が入り込んでいる。フランジ６６に対して駆動コンタクト裏面６０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。絶縁部１３のうちのフランジ６６よりも外側の部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。なお、駆動コンタクト表面６０ａの周縁部は、突出部６４ａ～６４ｃ（図１４および図１５参照）を含む。突出部６４ａ～６４ｃは、フランジ６６から延びており、フランジ６６の厚さと等しくなるように形成されている。すなわち、突出部６４ａ～６４ｃに対して駆動コンタクト裏面６０ｂ側には絶縁部１３が入り込んでおり、突出部６４ａ～６４ｃは基板裏面１２から露出していない。この突出部６４ａ～６４ｃに対して駆動コンタクト裏面６０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。Ｚ方向から見て、突出部６４ａ～６４ｃの延びる方向と直交する方向において、絶縁部１３のうち突出部６４ａ～６４ｃの両側の部分は、基板１０Ｂを貫通しており、突出部６４ａ～６４ｃの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌと繋がっている。駆動コンタクト裏面６０ｂは、駆動コンタクト表面６０ａのフランジ６６よりも内側の部分として基板裏面１２から露出している。また、図示していないが、凹部６５は、駆動コンタクト表面６０ａの周縁部（フランジ６６）よりも駆動コンタクト表面６０ａの内側まで形成されている。

【0161】

図１４および図１５に示すように、制御コンタクト表面７０ａは、基板１０Ｂのうち第２側壁部２１ｂ側かつ第３側壁部２１ｃ側の隅に配置されている。制御コンタクト表面７０ａは、Ｘ方向において第２共通コンタクト表面部３０ｄから離間して配置されている。また、制御コンタクト表面７０ａは、Ｙ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃから離間して配置されている。Ｘ方向から見て、制御コンタクト表面７０ａは第２共通コンタクト表面部３０ｄと重なるように配置されている。すなわち制御コンタクト表面７０ａは、Ｘ方向において第２共通コンタクト表面部３０ｄと対向している。Ｙ方向から見て、制御コンタクト表面７０ａは第１共通コンタクト表面部３０ｃと重なるように配置されている。すなわち制御コンタクト表面７０ａは、Ｙ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち第２共通コンタクト表面部３０ｄから第３側壁部２１ｃ側に突出した部分と対向している。このように、制御コンタクト表面７０ａは、第１共通コンタクト表面部３０ｃと第２共通コンタクト表面部３０ｄとによって囲まれた領域内に形成されている。制御コンタクト表面７０ａは、第１共通コンタクト表面部３０ｃが第２共通コンタクト表面部３０ｄに対してＸ方向にずれたことによって形成された凹み領域内に入り込んでいるともいえる。

【0162】

また、図１４および図１５に示すとおり、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、Ｘ方向において駆動導電部６０Ｂと制御導電部７０Ｂとの間に配置されている。第２共通コンタクト表面部３０ｄは、Ｘ方向において第２駆動コンタクト表面部６０ｄと制御コンタクト表面７０ａとの間に配置されているともいえる。

【0163】

図１５に示すとおり、平面視における制御コンタクト表面７０ａの形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる長方形状である。制御コンタクト表面７０ａのＹ方向の大きさは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＹ方向の大きさよりも小さい。制御コンタクト表面７０ａのＸ方向の大きさは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の大きさよりも小さい。

【0164】

制御コンタクト表面７０ａにおける第２側壁部２１ｂ側の端部は、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂと重なる位置まで形成されており、第２側壁部２１ｂの外面よりも突出する部分を有する。制御コンタクト表面７０ａにおける第３側壁部２１ｃ側の端部は、Ｚ方向から見て、第３側壁部２１ｃと重なる位置まで形成されており、第３側壁部２１ｃの外面よりも突出する部分を有する。

【0165】

より詳細には、制御コンタクト表面７０ａのうちＹ方向の第２側壁部２１ｂ側の端部には突出部７４ａが形成されており、制御コンタクト表面７０ａのうちＸ方向の第３側壁部２１ｃ側の端部には突出部７４ｂが形成されている。突出部７４ａは、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂの外面から突出している。突出部７４ａは、制御コンタクト表面７０ａのＹ方向の中央部に形成されている。突出部７４ｂは、Ｚ方向から見て、第３側壁部２１ｃの外面から突出している。突出部７４ｂは、制御コンタクト表面７０ａのうちＸ方向の第２共通コンタクト表面部３０ｄ側の端部に形成されている。本実施形態においては、突出部７４ａ，７４ｂはそれぞれ、リードフレームにおいて制御導電部７０Ｂを吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部７４ａ，７４ｂと制御コンタクト表面７０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている（図１５参照）。

【0166】

制御コンタクト表面７０ａの周縁部は、制御導電部７０ＢをＺ方向に沿う平面で切った断面視において、フランジ７６（図１８参照）が形成されている。換言すると、制御導電部７０Ｂのうち制御コンタクト表面７０ａを含む表層部分よりも制御コンタクト裏面７０ｂ側であり制御コンタクト裏面７０ｂを含む裏層部分は、表層部分に対してＸ方向およびＹ方向に窪んでいる。この窪んだ部分には、絶縁部１３が入り込んでいる。制御コンタクト表面７０ａのフランジ７６に対して制御コンタクト裏面７０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。絶縁部１３のうちフランジ７６よりも外側の部分は、基板１０ＢをＺ方向に貫通している。なお、制御コンタクト表面７０ａの周縁部は、突出部７４ａ，７４ｂを含む。突出部７４ａ，７４ｂは、フランジ７６から延びており、フランジ７６の厚さと等しくなるように形成されている。すなわち、突出部７４ａ，７４ｂに対して制御コンタクト裏面７０ｂ側には絶縁部１３が入り込んでおり、突出部７４ａ，７４ｂは基板裏面１２から露出していない。この突出部７４ａ，７４ｂに対して制御コンタクト裏面７０ｂ側に入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。Ｚ方向から見て、突出部７４ａ，７４ｂの延びる方向と直交する方向において、絶縁部１３のうち突出部７４ａ，７４ｂの両側の部分は、基板１０Ｂを貫通しており、突出部７４ａ，７４ｂの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌと繋がっている。制御コンタクト裏面７０ｂは、フランジ７６よりも内側の部分として基板裏面１２から露出している。

【0167】

図１５に示すとおり、本実施形態においては、共通コンタクト表面３０ａは、他のコンタクト表面５０ａ，６０ａ，７０ａよりも大きい。第１共通コンタクト表面部３０ｃは、他のコンタクト表面５０ａ，６０ａ，７０ａよりも大きい。第２共通コンタクト表面部３０ｄは、制御コンタクト表面７０ａよりも大きい。素子コンタクト表面５０ａは、制御コンタクト表面７０ａよりも大きい。駆動コンタクト表面６０ａは、制御コンタクト表面７０ａよりも大きい。

【0168】

次に、複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの基板裏面１２側のレイアウトについて説明する。
図１６に示すように、共通コンタクト裏面３０ｂは、第１共通コンタクト裏面部３０ｅと、第２共通コンタクト裏面部３０ｆと、を有する。第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第２共通コンタクト裏面部３０ｆとは、Ｙ方向において離間して形成されている。第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第２共通コンタクト裏面部３０ｆとの間には、絶縁部１３が介在している。

【0169】

より詳細には、図１６に示すように、Ｙ方向において第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第２共通コンタクト裏面部３０ｆとの間の部分（破線部分）には、基板裏面１２から基板表面１１に向けて凹む凹部３５ｆが形成されている。この凹部３５ｆには絶縁部１３が入り込んでいる。凹部３５ｆに入り込んだ絶縁部１３は、基板１０ＢをＺ方向に貫通しない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌである。換言すると、裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌによって、第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第２共通コンタクト裏面部３０ｆとが離間している。この裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、Ｘ方向において共通コンタクト裏面３０ｂを貫通している。

【0170】

図１６に示すとおり、共通導電部３０Ｂの周囲には、基板１０Ｂを貫通している絶縁部１３が設けられている。凹部３５ｆに設けられた裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、共通導電部３０Ｂの左右両側に設けられた絶縁部１３と繋がっている。より詳細には、凹部６５ａに設けられた裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、第２共通コンタクト裏面部３０ｆの左側、および、第１共通コンタクト裏面部３０ｅのうち第２共通コンタクト裏面部３０ｆよりも左側に突出した部分に対して下側に設けられた、基板１０Ｂを貫通している絶縁部１３と、第１共通コンタクト裏面部３０ｅの右側および第２共通コンタクト裏面部３０ｆの上側に設けられた、基板１０Ｂを貫通している絶縁部１３とを接続している。

【0171】

第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、基板裏面１２における第１共通コンタクト表面部３０ｃとは反対側の位置に形成されている。第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、基板裏面１２側から見て左上部分に形成されている。第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、第１共通コンタクト表面部３０ｃと同様に、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、Ｚ方向から見て、第１共通コンタクト表面部３０ｃよりも小さく形成されている。

【0172】

第２共通コンタクト裏面部３０ｆは、基板裏面１２における第２共通コンタクト表面部３０ｄとは反対側の位置に形成されている。第２共通コンタクト裏面部３０ｆは、基板裏面１２におけるＸ方向の中央かつＹ方向の下部に形成されている。第２共通コンタクト裏面部３０ｆは、第２共通コンタクト表面部３０ｄと同様に、Ｘ方向を長手方向としＹ方向を短手方向とする長方形状である。第２共通コンタクト裏面部３０ｆは、Ｚ方向から見て、第２共通コンタクト表面部３０ｄよりも小さく形成されている。

【0173】

第１共通コンタクト裏面部３０ｅに対して右側には、素子コンタクト裏面５０ｂおよび駆動コンタクト裏面６０ｂが配置されている。
素子コンタクト裏面５０ｂは、基板裏面１２における素子コンタクト表面５０ａとは反対側の位置に形成されている。素子コンタクト裏面５０ｂは、基板裏面１２における左上部分に形成されている。素子コンタクト裏面５０ｂは、共通コンタクト裏面３０ｂに対して離間しており、両者は繋がっていない。つまり、素子コンタクト裏面５０ｂと共通コンタクト裏面３０ｂとの間には、絶縁部１３が介在している。この絶縁部１３はＹ方向に延びている。

【0174】

素子コンタクト裏面５０ｂは、Ｘ方向を長手方向としＹ方向を短手方向とする長方形状である。素子コンタクト裏面５０ｂは、Ｚ方向から見て、素子コンタクト表面５０ａよりも小さく形成されている。素子コンタクト裏面５０ｂのＸ方向の長さは、第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さと等しい。ここで、素子コンタクト裏面５０ｂのＸ方向の長さと第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さとの差が第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さの５％以内であれば、素子コンタクト裏面５０ｂのＸ方向の長さが第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さと等しいといえる。

【0175】

駆動コンタクト裏面６０ｂは、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆと、を有する。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとは、Ｙ方向において離間して形成されている。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとの間には、絶縁部１３が介在している。

【0176】

より詳細には、図１６に示すように、駆動導電部６０Ｂにおいて第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとの間には、基板裏面１２から基板表面１１に向けて凹む凹部６５ａが設けられている。この凹部６５ａは、基板１０Ｂを貫通していない。凹部６５ａには、基板１０ＢをＺ方向に貫通していない裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌが入り込んでいる。この裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、Ｘ方向において駆動コンタクト裏面６０ｂを貫通している。また、Ｚ方向において凹部６５と凹部６５ａとは繋がっている。

【0177】

また、図１６に示すとおり、駆動導電部６０Ｂの周囲には、基板１０Ｂを貫通している絶縁部１３が設けられている。凹部６５ａに設けられた裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、駆動導電部６０Ｂの左右両側に設けられた絶縁部１３と繋がっている。より詳細には、凹部６５ａに設けられた裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆの左側、および、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅのうち第２駆動コンタクト裏面部６０ｆよりも左側に突出した部分に対して下側に設けられた、基板１０Ｂを貫通している絶縁部１３と、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅおよび第２駆動コンタクト裏面部６０ｆの右側に設けられた、基板１０Ｂを貫通している絶縁部１３とを接続している。

【0178】

第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、基板裏面１２における第１駆動コンタクト表面部６０ｃとは反対側の位置に形成されている。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、基板裏面１２における右中央部分に形成されている。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、Ｘ方向において素子コンタクト裏面５０ｂと揃った状態でＹ方向において素子コンタクト裏面５０ｂから離間して配置されている。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと素子コンタクト裏面５０ｂとの間には、絶縁部１３が介在している。この絶縁部１３は、Ｘ方向に延びており、素子コンタクト裏面５０ｂと共通コンタクト裏面３０ｂとの間の絶縁部１３と繋がっている。

【0179】

第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと同様に、Ｘ方向を長手方向としＹ方向を短手方向とする長方形状である。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、Ｚ方向から見て、第１駆動コンタクト表面部６０ｃよりも小さく形成されている。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅのＸ方向の長さは、素子コンタクト裏面５０ｂのＸ方向の長さと等しい。

【0180】

第１駆動コンタクト裏面部６０ｅの下端縁は、Ｙ方向において第１共通コンタクト裏面部３０ｅの下端縁と揃っている。このため、素子コンタクト裏面５０ｂの上端縁から第１駆動コンタクト裏面部６０ｅの下端縁までの長さは、第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さと等しい。ここで、素子コンタクト裏面５０ｂの上端縁から第１駆動コンタクト裏面部６０ｅの下端縁までの長さはと第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さとの差が第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さの５％以内であれば、素子コンタクト裏面５０ｂの上端縁から第１駆動コンタクト裏面部６０ｅの下端縁までの長さが第１共通コンタクト裏面部３０ｅのＸ方向の長さと等しいといえる。

【0181】

第２駆動コンタクト裏面部６０ｆは、基板裏面１２における第２駆動コンタクト表面部６０ｄとは反対側の位置に形成されている。第２駆動コンタクト裏面部６０ｆは、第２駆動コンタクト表面部６０ｄと同様に、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。第２駆動コンタクト裏面部６０ｆは、基板裏面１２における右下部分に形成されている。

【0182】

第２駆動コンタクト裏面部６０ｆのＹ方向の長さは、第２共通コンタクト裏面部３０ｆのＹ方向の長さと等しい。第２駆動コンタクト裏面部６０ｆのＸ方向の長さは、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅのＹ方向の長さよりもわずかに大きい。ここで、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆのＹ方向の長さと第２共通コンタクト裏面部３０ｆのＹ方向の長さとの差がたとえば第２共通コンタクト裏面部３０ｆのＹ方向の長さの５％以内であれば、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆのＹ方向の長さが第２共通コンタクト裏面部３０ｆのＹ方向の長さと等しいといえる。

【0183】

図１６に示すとおり、素子コンタクト裏面５０ｂの右端縁と、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅの右端縁と、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆの右端縁とは互いに揃っている。
制御コンタクト裏面７０ｂは、基板裏面１２における左下部分に形成されている。制御コンタクト裏面７０ｂは、基板裏面１２において制御コンタクト表面７０ａとは反対側の位置に形成されている。ここで、本実施形態においては、素子導電部５０Ｂおよび駆動導電部６０Ｂの配列方向であるＹ方向は第３方向といえ、Ｚ方向から見てＹ方向と直交するＸ方向は第４方向といえる。この場合、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆおよび制御コンタクト裏面７０ｂは、第２共通コンタクト裏面部３０ｆに対して第４方向の両側に分散して配置されているといえる。

【0184】

制御コンタクト裏面７０ｂは、制御コンタクト表面７０ａと同様に、Ｘ方向を短手方向としＹ方向を長手方向とする長方形状である。制御コンタクト裏面７０ｂのＹ方向の長さは、第２共通コンタクト裏面部３０ｆのＹ方向の長さと等しい。制御コンタクト裏面７０ｂのＸ方向の長さは、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆのＸ方向の長さと等しい。すなわち制御コンタクト裏面７０ｂと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとは同一形状である。

【0185】

図１６に示すとおり、第２共通コンタクト裏面部３０ｆと、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆと、制御コンタクト裏面７０ｂとは、Ｙ方向において揃った状態でＸ方向に離間して配置されている。第２駆動コンタクト裏面部６０ｆの下端縁と、第２共通コンタクト裏面部３０ｆの下端縁と、制御コンタクト裏面７０ｂの下端縁とは互いに揃っている。第２駆動コンタクト裏面部６０ｆの上端縁と、第２共通コンタクト裏面部３０ｆの上端縁と、制御コンタクト裏面７０ｂの上端縁とは互いに揃っている。このように、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆと制御コンタクト裏面７０ｂとは、第２共通コンタクト裏面部３０ｆに対して左右対称に配置されている。

【0186】

また、図１６に示すとおり、各コンタクト裏面３０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂのうちＸ方向またはＹ方向に隣り合うコンタクト裏面の間の絶縁部１３の幅寸法は、互いに等しい。また、第１共通コンタクト裏面部３０ｅと素子コンタクト裏面５０ｂおよび第１駆動コンタクト裏面部６０ｅとのＸ方向の間に介在する絶縁部１３のＸ方向の長さと、素子コンタクト裏面５０ｂと第１駆動コンタクト裏面部６０ｅとのＹ方向の間に介在する絶縁部１３のＹ方向の長さとが互いに等しい。また、第２共通コンタクト裏面部３０ｆと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとのＸ方向の間に介在する絶縁部１３のＸ方向の長さと、第２共通コンタクト裏面部３０ｆと制御コンタクト裏面７０ｂとのＸ方向の間に介在する絶縁部１３のＸ方向の長さとが互いに等しい。

【0187】

ここで、所定の絶縁部１３の幅寸法と別の絶縁部１３の幅寸法との差がたとえば所定の絶縁部１３の幅寸法の１０％以内であれば、これら絶縁部１３の幅寸法は互いに等しいといえる。

【0188】

次に、複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂ、半導体発光素子８０および電子部品１００の位置関係について詳細に説明する。
図１４に示すように、半導体発光素子８０および電子部品１００は、第１実施形態と同様に、共通導電部３０Ｂに搭載されており、共通導電部３０Ｂを介して電気的に接続されている。本実施形態においては、Ｚ方向から見て、半導体発光素子８０は、電子部品１００よりも大きい。具体的には、半導体発光素子８０は、Ｚ方向から見て矩形状に形成されており、その長辺方向がＸ方向に沿い、その短辺方向がＹ方向に沿うように配置されている。電子部品１００は、Ｚ方向から見て矩形状に形成されており、その長辺方向がＹ方向に沿い、その短辺方向がＸ方向に沿うように配置されている。半導体発光素子８０のＸ方向の大きさは電子部品１００のＸ方向の大きさよりも大きく、半導体発光素子８０のＹ方向の大きさは電子部品１００のＹ方向の大きさよりも大きい。

【0189】

本実施形態においては、半導体発光素子８０および電子部品１００は、共通コンタクト表面３０ａ上に配置されている。より詳細には、半導体発光素子８０は第１共通コンタクト表面部３０ｃ上に配置されており、電子部品１００は第２共通コンタクト表面部３０ｄ上に配置されている。このように、第２共通コンタクト表面部３０ｄよりも大きい第１共通コンタクト表面部３０ｃに、電子部品１００よりも大きい半導体発光素子８０が配置されている。このため、半導体発光素子８０および電子部品１００のそれぞれの配置スペースを確保することができる。加えて、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の長さが半導体発光素子８０のＸ方向の長さよりも大きいため、半導体発光素子８０のサイズが図示された半導体発光素子８０よりも大きいものも配置できる。したがって、半導体発光装置１Ｂの汎用性の向上を図ることができる。

【0190】

また、本実施形態においては、半導体発光素子８０および電子部品１００は、第１実施形態とは異なり、共通コンタクト表面３０ａ上においてＸ方向にずれた状態でＹ方向において離間して配列されている。

【0191】

本実施形態では、半導体発光素子８０は、電子部品１００よりも第３側壁部２１ｃの近くに配置されており、電子部品１００は、半導体発光素子８０よりも第４側壁部２１ｄの近くに配置されている。このため、電子部品１００は、半導体発光素子８０よりもＸ方向のうち第４側壁部２１ｄ側にずれた状態でＹ方向に配列されているともいえる。半導体発光素子８０は、基板表面１１におけるＸ方向の中央部に対してずれた位置に配置されており、たとえば中央部に対して第３側壁部２１ｃ側に配置されている。電子部品１００は、基板表面１１におけるＸ方向の中央部に配置されている。また本実施形態では、Ｙ方向から見て、半導体発光素子８０が電子部品１００と重なっている。

【0192】

半導体発光素子８０は、Ｘ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃに対して第３側壁部２１ｃ寄りに配置されている。図示された例においては、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃの凹部３５ｅよりも第４側壁部２１ｄ側に配置されている。Ｙ方向から見て、半導体発光素子８０の第３側壁部２１ｃ側の端部は、制御コンタクト表面７０ａの第４側壁部２１ｄ側の端部と重なっている。また、半導体発光素子８０は、Ｚ方向から見て共通導電部３０Ｂに形成された凹部３５ｆ（図１９参照）と重ならないように配置されている。本実施形態においては、図１９に示すように、半導体発光素子８０は、凹部３５ｆに対して電子部品１００とは反対側に配置されている。この構成によれば、半導体発光素子８０の放熱性の低下を抑制できる。

【0193】

電子部品１００の一部は、Ｙ方向から見て、第１共通コンタクト表面部３０ｃと重なっている。また電子部品１００の一部は、Ｙ方向から見て、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと重なっている。また、電子部品１００は、Ｚ方向から見て凹部３５ｆと重ならないように配置されている。本実施形態においては、図１９に示すように、電子部品１００は、凹部３５ｆに対して半導体発光素子８０とは反対側に配置されている。この構成によれば、電子部品１００の放熱性の低下を抑制できる。

【0194】

半導体発光素子８０が第１共通コンタクト表面部３０ｃ上に配置されており、電子部品１００が第２共通コンタクト表面部３０ｄ上に配置されているため、半導体発光素子８０は、電子部品１００よりも第１側壁部２１ａの近くに配置されており、電子部品１００は、半導体発光素子８０よりも第２側壁部２１ｂの近くに配置されている。半導体発光素子８０および電子部品１００は、基板表面１１におけるＹ方向の中央部に対してずれた位置に配置されている。図示された例においては、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃ上における基板表面１１の中央部と第１側壁部２１ａとの間に配置されており、本例においては第１側壁部２１ａよりも基板表面１１のＹ方向の中央部寄りに配置されている。換言すると、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうちＹ方向における第２共通コンタクト表面部３０ｄ寄りに配置されている。ここで、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうちＹ方向における第２共通コンタクト表面部３０ｄ寄りとは、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＹ方向の両端部のうち第２共通コンタクト表面部３０ｄ側の端部寄りである。電子部品１００は、第２共通コンタクト表面部３０ｄ上における基板表面１１の中央部と第２側壁部２１ｂとの間に配置されており、本例においては第２側壁部２１ｂよりも基板表面１１のＹ方向の中央部寄りに配置されている。換言すると、電子部品１００は、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうちＹ方向における第１共通コンタクト表面部３０ｃ寄りの部分に配置されている。このように、半導体発光素子８０および電子部品１００は、基板表面１１におけるＹ方向の中央部に対してＹ方向の両側に配置されつつ、両者のＹ方向距離は短くなっている。

【0195】

半導体発光素子８０の少なくとも一部は、第１共通コンタクト表面部３０ｃにおける素子コンタクト表面５０ａよりも電子部品１００に近い位置に配置されている。本実施形態においては、半導体発光素子８０は、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａに対して第２側壁部２１ｂ寄りに配置されている。より詳細には、半導体発光素子８０は、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａの中央部よりも第２側壁部２１ｂ寄りに配置されている。半導体発光素子８０の一部は、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａよりも第２側壁部２１ｂ寄りに配置されている。Ｘ方向から見て、半導体発光素子８０は、素子コンタクト表面５０ａと第１駆動コンタクト表面部６０ｃとに重なっている。より詳細には、本実施形態においては、半導体発光素子８０のＹ方向の中央部は、素子コンタクト表面５０ａと第１駆動コンタクト表面部６０ｃとの間の絶縁部１３に対して第１駆動コンタクト表面部６０ｃ寄りとなる。

【0196】

図１７に示すように、半導体発光素子８０の素子下面電極９２は、第１実施形態と同様に、導電性接合材Ｐ１によって第１共通コンタクト表面部３０ｃにダイボンディングされている。これにより、素子下面電極９２は、共通導電部３０Ｂに接合されている。

【0197】

図１８に示すように、電子部品１００の第２駆動電極１０３は、第１実施形態と同様に、導電性接合材Ｐ２によって第２共通コンタクト表面部３０ｄにダイボンディングされている。これにより、第２駆動電極１０３は、共通導電部３０Ｂに接合されている。共通導電部３０Ｂによって、素子下面電極９２と第２駆動電極１０３とが電気的に接続されている。本実施形態においては、導電性接合材Ｐ２はＡｇペーストからなり、ＡｇペーストのＡｇの含有量を高くしている。これにより、電子部品１００から共通導電部３０Ｂへの放熱性を向上させている。

【0198】

図１５に示すように、半導体発光素子８０の素子上面電極９１は、第１実施形態と同様に、複数のワイヤＷ１によって素子コンタクト表面５０ａに接続されている。換言すると、複数のワイヤＷ１はそれぞれ、素子上面電極９１および素子コンタクト表面５０ａのそれぞれにワイヤボンディングされている。これにより、素子上面電極９１と素子導電部５０Ｂとが電気的に接続される。ワイヤＷ１の本数は特に限定されず、図示された例においては、５本のワイヤＷ１が設けられている。また、図示された例においては、ワイヤＷ１のファーストボンディング部が素子上面電極９１に設けられており、セカンドボンディング部が素子コンタクト表面５０ａに設けられている。５本のワイヤＷ１のファーストボンディング部は素子上面電極９１においてＹ方向に互いに離間して配列されており、セカンドボンディング部は素子コンタクト表面５０ａにおいてＹ方向に互いに離間して配列されている。このセカンドボンディング部は、素子コンタクト表面５０ａのＸ方向の両端部のうち第３側壁部２１ｃ側の端部に配置されている。セカンドボンディング部は、Ｙ方向において素子コンタクト表面５０ａの凹部５５よりも第２側壁部２１ｂ側に配置されており、Ｘ方向において凹部５５よりも第４側壁部２１ｄ側にはみ出さないように配置されている。図示された例においては、セカンドボンディング部は、凹部５５のＸ方向の中央部よりも第３側壁部２１ｃ側に配置されており、かつＹ方向から見て凹部５５と重なるように配置されている。

【0199】

図１４および図１５に示すとおり、５本のワイヤＷ１のファーストボンディング部とセカンドボンディング部とはＹ方向にずれた状態でＸ方向に互いに離間して配置されている。図示された例においては、Ｘ方向から見て、５つのファーストボンディング部のうちの最も第１側壁部２１ａ側のファーストボンディング部と、５つのセカンドボンディング部のうちの最も第２側壁部２１ｂ側のセカンドボンディング部とが重なっている。このため、平面視において、ワイヤＷ１は、素子上面電極９１から素子コンタクト表面５０ａに向かうにつれて電子部品１００から離れるように斜めに延びている。換言すると、平面視において、ワイヤＷ１は、ファーストボンディング部からセカンドボンディング部に向かうにつれて第１側壁部２１ａ側に向けて斜めに延びている。平面視において、複数のワイヤＷ１は、互いに平行となるように形成されている。

【0200】

図示された例においては、素子上面電極９１は、素子上面８０ａのＸ方向の両端部のうち素子導電部５０Ｂに近い方の端部に形成されている。このため、ワイヤＷ１の長さを短くできる。

【0201】

電子部品１００の第１駆動電極１０１は、第１実施形態と同様に、複数のワイヤＷ２によって駆動コンタクト表面６０ａに接続されている。換言すると、複数のワイヤＷ２はそれぞれ、第１駆動電極１０１および駆動コンタクト表面６０ａのそれぞれにワイヤボンディングされている。これにより、第１駆動電極１０１と駆動導電部６０Ｂとが電気的に接続される。ワイヤＷ２の本数は特に限定されず、図示された例においては、６本のワイヤＷ２が設けられている。また、図示された例においては、ワイヤＷ２のファーストボンディング部が第１駆動電極１０１に設けられており、セカンドボンディング部が駆動コンタクト表面６０ａに設けられている。６本のワイヤＷ２のセカンドボンディング部は、Ｙ方向に互いに離間して配列されている。

【0202】

ワイヤＷ２は、第２駆動コンタクト表面部６０ｄに接続されている。換言すると、セカンドボンディング部は、第２駆動コンタクト表面部６０ｄに設けられている。より詳細には、セカンドボンディング部は、Ｙ方向において駆動コンタクト表面６０ａの凹部６５よりも第２側壁部２１ｂ側に配置されている。また、セカンドボンディング部は、Ｘ方向において第２駆動コンタクト表面部６０ｄの中央部よりも第２共通コンタクト表面部３０ｄ側（第３側壁部２１ｃ側）に配置されている。

【0203】

複数のワイヤＷ２のうち最も離れた２本のワイヤ、すなわち複数のワイヤＷ２のうちＹ方向の両端に配置されたワイヤＷ２は、平面視において、第１駆動電極１０１側よりも第２駆動コンタクト表面部６０ｄ側の方が離れるように第１駆動電極１０１と第２駆動コンタクト表面部６０ｄとに接続されている。換言すると、複数のワイヤＷ２のうちＹ方向の両端に配置されたワイヤＷ２における第２駆動コンタクト表面部６０ｄ側のＹ方向の間隔は、第１駆動電極１０１側のＹ方向の間隔よりも大きい。本実施形態においては、平面視において、複数のワイヤＷ２は、ファーストボンディング部からセカンドボンディング部に向かうにつれて、隣り合うワイヤＷ２の隙間が徐々に大きくなるように形成されている。一例では、Ｙ方向における複数のワイヤＷ２の両端のワイヤＷ２のセカンドボンディング部間の距離は、電子部品１００のＹ方向の長さよりも大きい。

【0204】

図示された例においては、ワイヤＷ２の長さがワイヤＷ１の長さよりも長い。またワイヤＷ２の直径の大きさがワイヤＷ１の直径の大きさよりも大きい。またワイヤＷ２の本数がワイヤＷ１の本数よりも多い。この構成によれば、電子部品１００の放熱性の向上を図ることができる。ただし、これに限られず、ワイヤＷ２の直径の大きさは、ワイヤＷ１の直径の大きさ以下であってもよい。また、ワイヤＷ２の本数とワイヤＷ１の本数とが同一であってもよいし、ワイヤＷ２の本数がワイヤＷ１の本数よりも少なくてもよい。

【0205】

電子部品１００の制御電極１０２は、第１実施形態と同様に、ワイヤＷ３によって制御コンタクト表面７０ａに接続されている。換言すると、ワイヤＷ３は、制御電極１０２および制御コンタクト表面７０ａのそれぞれにワイヤボンディングされている。ワイヤＷ３の本数は特に限定されず、図示された例においては、１本である。また、図示された例においては、ワイヤＷ３のファーストボンディング部が制御電極１０２に設けられており、セカンドボンディング部が制御コンタクト表面７０ａに設けられている。本実施形態においても、制御電極１０２は、上面１００ａのＸ方向の両端部のうち制御コンタクト表面７０ａに近い方の端部に形成されている。このため、ワイヤＷ３の長さを短くすることを可能にしている。

【0206】

電子部品１００は、封止樹脂１４０によって覆われている。封止樹脂１４０は、電子部品１００の第１駆動電極１０１および第２駆動電極１０３の硫化を抑制するためのコーティング剤１４１によって覆われている。また、封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１はそれぞれ、複数のワイヤＷ２の第１駆動電極１０１に接続されるファーストボンディング部およびワイヤＷ３の制御電極１０２に接続されるファーストボンディング部を覆っている。封止樹脂１４０は、たとえば遮光性の樹脂材料からなり、本実施形態ではエポキシ樹脂が用いられている。このため、封止樹脂１４０は、電子部品１００を外部から遮光する遮光樹脂（遮光部材）であるともいえる。コーティング剤１４１は、たとえばフッ素ポリマーとガラス系とからなるコーティング剤が用いられている。

【0207】

図１４および図１５に示すように、コーティング剤１４１（封止樹脂１４０）は、第２共通コンタクト表面部３０ｄからはみ出している。コーティング剤１４１（封止樹脂１４０）の一部は、第１共通コンタクト表面部３０ｃおよび第１駆動コンタクト表面部６０ｃを覆っている。コーティング剤１４１（封止樹脂１４０）は、半導体発光素子８０に対して離間して設けられている。なお、電子部品１００がコーティング剤１４１によって覆われた状態でさらに封止樹脂１４０によってコーティング剤１４１が覆われる構造であってもよい。

【0208】

本実施形態においては、素子コンタクト表面５０ａと第１駆動コンタクト表面部６０ｃとに跨るようにキャパシタ１２０が配置されている。キャパシタ１２０の一例は、タンタルコンデンサである。なお、キャパシタ１２０として、積層セラミックコンデンサを用いてもよい。キャパシタ１２０は、Ｘ方向において素子コンタクト表面５０ａの凹部５５よりも第４側壁部２１ｄ側に配置されている。凹部５５はワイヤＷ１における素子コンタクト表面５０ａの接続端部であるセカンドボンディング部の目印となるため、キャパシタ１２０は、セカンドボンディング部よりも第４側壁部２１ｄ側に配置されているといえる。また、キャパシタ１２０は、Ｘ方向において駆動コンタクト表面６０ａの凹部６５よりも第４側壁部２１ｄ側にはみ出さないように配置されている。キャパシタ１２０は、第１電極１２１および第２電極１２２がＹ方向に配列される向きで配置されている。換言すると、図１４および図１５に示すとおり、キャパシタ１２０は、長手方向がＹ方向となり、短手方向がＸ方向となるような向きで配置されている。本実施形態においては、第１電極１２１は素子コンタクト表面５０ａに接続されており、第２電極１２２は第１駆動コンタクト表面部６０ｃに接続されている。つまり、ワイヤＷ２における第２駆動コンタクト表面部６０ｄに接続される部分であるセカンドボンディング部と、第２電極１２２とは、凹部６５によって仕切られている。

【0209】

図１４および図１５に示すように、キャパシタ１２０の第２電極１２２は、たとえばＡｇ等の金属を含むペーストまたははんだ等の導電性接合材Ｐ３によって第１駆動コンタクト表面部６０ｃにダイボンディングされている。またキャパシタ１２０の第１電極１２１も同様に、導電性接合材Ｐ３によって素子コンタクト表面５０ａにダイボンディングされている。上述のように、ワイヤＷ２のセカンドボンディング部と第２電極１２２とが凹部６５によって仕切られているため、第２電極１２２と第１駆動コンタクト表面部６０ｃとを接合する導電性接合材Ｐ３が濡れ広がることによってワイヤＷ２のセカンドボンディング部に付着することが抑制される。素子コンタクト表面５０ａと第１電極１２１とを接合する導電性接合材Ｐ３のうち第１電極１２１からはみ出した部分は、Ｘ方向において凹部５５とキャパシタ１２０との間に位置するように設けられている。すなわち凹部５５は、導電性接合材Ｐ３の第１電極１２１からはみ出す範囲を規定する機能を有する。これにより、導電性接合材Ｐ３とワイヤＷ１のセカンドボンディング部とが接触しないような半導体発光装置１Ｂを製造することができる。

【0210】

図１９に示すように、基板表面１１から電子部品１００の上面１００ａまでの高さＴＭは、基板表面１１から半導体発光素子８０の素子上面８０ａまでの高さＴＶよりも低い。換言すると、電子部品１００の上面１００ａは、半導体発光素子８０の素子上面８０ａよりも下方（基板表面１１側）に位置している。なお、図１９では、説明の便宜上、後述する封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１を省略して示している。また図１８に示すように、基板表面１１からキャパシタ１２０の上面までの高さＴＣは、基板表面１１から半導体発光素子８０の素子上面８０ａまでの高さＴＶ（図１９参照）よりも高い。また高さＴＣは、基板表面１１から電子部品１００の上面１００ａまでの高さＴＭ（図１９参照）よりも高い。

【0211】

図２４～図２６に示すように、ケース２０Ｂは、半導体発光素子８０、電子部品１００およびキャパシタ１２０を収容するための収容空間２３を有する。開口部２２ａは、収容空間２３とケース２０Ｂの外部とを連通している。図２３に示すように、開口部２２ａは、Ｘ方向において蓋２２のうち中央部よりも第３側壁部２１ｃ寄りに形成されている。また、開口部２２ａは、Ｙ方向において蓋２２のうち中央部よりも第１側壁部２１ａ寄りに形成されている。図２４および図２５に示すように、蓋２２の厚さは、Ｙ方向において異なる。具体的には、蓋２２のうち開口部２２ａとＹ方向に同じ位置および開口部２２ａよりも第１側壁部２１ａ側の部分である第１部分２２ｂの厚さは、開口部２２ａよりも第２側壁部２１ｂ側の部分である第２部分２２ｃの厚さよりも薄い。換言すると、蓋２２の第２部分２２ｃの厚さは、第１部分２２ｂの厚さよりも厚い。図２６に示すように、平面視において、各側壁部２１ａ～２１ｄの内面によって形成される収容空間２３の形状は、略正方形である。また、開口部２２ａは、第３側壁部２１ｃと隣り合うように形成されている。

【0212】

図１９に示すように、半導体発光素子８０は蓋２２の第１部分２２ｂに対応する位置に配置されており、電子部品１００は蓋２２の第２部分２２ｃに対応する位置に配置されている。蓋２２の第２部分２２ｃは、開口部２２ａの周縁のうち第２側壁部２１ｂ側の部分から垂下するように形成されているため、半導体発光素子８０からの光が光拡散板１３０によって反射したとしても、その反射光が電子部品１００に照射されにくくなる。

【0213】

（製造方法）
次に、図２７～図３６を用いて、半導体発光装置１Ｂの製造方法について説明する。なお、図２８、図３０および図３２の二点鎖線の四角形は、基板１０Ｂのアウトラインを示している。

【0214】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図２７～図２９に示すように、リードフレーム８００を準備する工程を備える。リードフレーム８００は、Ｃｕからなる金属板である。リードフレーム８００は、たとえばＣｕ板をエッチングすることによって形成される。リードフレーム８００には、複数の半導体発光装置１Ｂに対応する導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂが設けられている。図２８は、４個の半導体発光装置１Ｂに対応する導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂを示している。複数の導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂは、吊りリード８８０によってリードフレーム８００に支持されている。なお、複数の導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂの形状は、吊りリード８８０が切断されていない構成以外は、図１４に示す複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの形状と同じである。すなわち、共通導電部８３０Ｂは共通導電部３０Ｂに対応し、素子導電部８５０Ｂは素子導電部５０Ｂに対応し、駆動導電部８６０Ｂは駆動導電部６０Ｂに対応し、制御導電部８７０Ｂは制御導電部７０Ｂに対応する。複数の導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂには、たとえばエッチングによってＺ方向に沿う平面で切った断面視においてフランジが形成されている。一例では、図２９に示すように、共通導電部８３０Ｂにはフランジ８３６が設けられており、駆動導電部８６０Ｂにはフランジ８６６が設けられている。図２９に示すとおり、吊りリード８８０は、フランジ８６６から延びており、フランジ８６６の厚さと同じ厚さを有する。

【0215】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３０および図３１に示すように、リードフレーム８００に絶縁部８１３をモールドする工程を備える。絶縁部８１３は、電気絶縁性を有する樹脂材料からなる。本実施形態においては、絶縁部８１３は、エポキシ樹脂が用いられる。図３０の網掛けによって示すように、絶縁部８１３は、リードフレーム８００に形成された貫通孔を埋めるように形成されている。図３０に示すとおり、絶縁部８１３は、各導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂの周囲を取り囲むように設けられている。これにより、吊りリード８８０以外の部分において、絶縁部８１３は、各導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂを仕切っている。図３１に示すように、絶縁部８１３は、フランジ８６６および吊りリード８８０の裏面側に入り込むことによって、裏面側ハーフ絶縁部８１３Ｌを形成している。また、絶縁部８１３は、複数の導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂの凹部に入り込むことによって、表面側ハーフ絶縁部８１３Ｕを形成している。複数の導電部８３０Ｂ，８５０Ｂ，８６０Ｂ，８７０Ｂの凹部は、複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの凹部３５ａ～３５ｅ，５５，６５（ともに図１４参照）に対応する。表面側ハーフ絶縁部８１３Ｕは、基板１０Ｂの表面側ハーフ絶縁部１３Ｕ（図１４参照）に対応する。

【0216】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３２に示すように、半導体発光素子８０をリードフレーム８００に実装する工程と、電子部品１００をリードフレーム８００に実装する工程と、を備える。具体的には、導電性接合材Ｐ１によって共通導電部８３０Ｂに半導体発光素子８０をダイボンディングし、導電性接合材Ｐ２によって共通導電部８３０Ｂに電子部品１００をダイボンディングする。より詳細には、まず、共通導電部８３０Ｂの第１共通コンタクト表面部８３０ｃに導電性接合材Ｐ１を塗布し、共通導電部８３０Ｂの第２共通コンタクト表面部８３０ｄに導電性接合材Ｐ２を塗布する。導電性接合材Ｐ１，Ｐ２としては、Ａｇペーストを用いる。次に、半導体発光素子８０を導電性接合材Ｐ１上に載置し、電子部品１００を導電性接合材Ｐ２上に載置する。このとき、半導体発光素子８０の素子下面電極９２（図１７参照）が導電性接合材Ｐ１に接触しており、電子部品１００の第１駆動電極１０１（図１８参照）が導電性接合材Ｐ２に接触している。そして、たとえばリフロー処理によって導電性接合材Ｐ１を介して半導体発光素子８０と第１共通コンタクト表面部８３０ｃとを接合し、導電性接合材Ｐ２を介して電子部品１００と第２共通コンタクト表面部８３０ｄとを接合する。

【0217】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３２に示すように、ワイヤＷ１～Ｗ３を形成する工程を備える。本実施形態においては、ワイヤボンディング装置によってワイヤＷ１～Ｗ３をそれぞれ形成する。具体的には、ワイヤボンディング装置は、半導体発光素子８０の素子上面電極９１にファーストボンディング部を形成した後、素子導電部８５０Ｂに移動して素子コンタクト表面８５０ａにセカンドボンディング部を形成する。これにより、ワイヤＷ１が形成される。ワイヤＷ１のセカンドボンディング部は、素子導電部８５０Ｂに形成された凹部８５５のＸ方向の位置と概ね同じ位置となるように形成する。すなわち凹部８５５は、ワイヤＷ１のセカンドボンディング部の形成位置の目印となる。ワイヤボンディング装置は、電子部品１００の第１駆動電極１０１にファーストボンディング部を形成した後、駆動導電部８６０Ｂに移動して第２駆動コンタクト表面部８６０ｄにセカンドボンディング部を形成する。これにより、ワイヤＷ２が形成される。ワイヤボンディング装置は、電子部品１００の制御電極１０２にファーストボンディング部を形成した後、制御導電部８７０Ｂに移動して制御コンタクト表面８７０ａにセカンドボンディング部を形成する。これにより、ワイヤＷ３が形成される。なお、ワイヤＷ１～Ｗ３の形成順序は任意である。なお、素子コンタクト表面８５０ａは、基板１０Ｂの素子コンタクト表面５０ａ（図１４参照）に対応し、第２駆動コンタクト表面部８６０ｄは、基板１０Ｂの第２駆動コンタクト表面部６０ｄ（図１４参照）に対応し、制御コンタクト表面８７０ａは、基板１０Ｂの制御コンタクト表面７０ａ（図１４参照）に対応する。

【0218】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３３に示すように、基板１０Ｂを形成する工程を備える。具体的には、たとえばダイシングブレードによって図３２の二点鎖線に沿って絶縁部８１３およびリードフレーム８００の吊りリード８８０を切断する。本実施形態においては、ダイシングブレードは、リードフレーム８００の表面８０１から裏面８０２（ともに図３１参照）に向けて切り込む。これにともない、突出部３４ａ～３４ｆ，５４ａ～５４ｃ，６４ａ～６４ｃ，７４ａ，７４ｂが形成される。このとき、吊りリード８８０が裏面８０２よりも表面８０１側に設けられており、吊りリード８８０の裏面８０２側には絶縁部８１３が設けられているため、ダイシングブレードによって吊りリード８８０を切断する場合にばりが発生したとしても、そのばりが裏面８０２側に突出しにくくなる。

【0219】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３４に示すように、キャパシタ１２０を実装する工程を備える。具体的には、導電性接合材Ｐ３によって素子導電部５０Ｂおよび駆動導電部６０Ｂに跨るようにキャパシタ１２０をダイボンディングする。より詳細には、まず、素子導電部５０Ｂの素子コンタクト表面５０ａおよび駆動導電部６０Ｂの第１駆動コンタクト表面部６０ｃのそれぞれに導電性接合材Ｐ３を塗布する。導電性接合材Ｐ３としては、たとえばＡｇペーストを用いる。次に、キャパシタ１２０を導電性接合材Ｐ３上に載置する。このとき、キャパシタ１２０の第１電極１２１が素子導電部５０Ｂの導電性接合材Ｐ３に接触しており、第２電極１２２が駆動導電部６０Ｂの導電性接合材Ｐ３に接触している。そして、たとえばリフロー処理によって導電性接合材Ｐ３を介してキャパシタ１２０と素子コンタクト表面５０ａおよび第１駆動コンタクト表面部６０ｃとを接合する。このとき、導電性接合材Ｐ３のうち第１電極１２１からのはみ出し部分が凹部５５と第１電極１２１との間に位置するように導電性接合材Ｐ３の塗布およびキャパシタ１２０の載置を行う。

【0220】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３５に示すように、電子部品１００を封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１によって覆う工程を備える。本実施形態においては、電子部品１００およびワイヤＷ２，Ｗ３のファーストボンディング部を覆うように封止樹脂１４０を塗布した後、加熱又は紫外線照射によって封止樹脂１４０を硬化させる。次に、封止樹脂１４０を覆うようにコーティング剤１４１を塗布する。封止樹脂１４０としては、遮光性の樹脂材料が用いられ、本実施形態においてはエポキシ樹脂が用いられる。コーティング剤１４１としては、フッ素ポリマーとガラス系とからなるコーティング剤が用いられる。

【0221】

半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図３６に示すように、光拡散板１３０が取り付けられたケース２０Ｂを基板１０Ｂに取り付ける工程を備える。本実施形態においては、ケース２０Ｂの各側壁部２１ａ～２１ｄの端面に遮光性の接着剤Ｐ４を塗布し、ケース２０Ｂを基板１０Ｂの基板表面１１に取り付ける。接着剤Ｐ４としては、電気絶縁性を有する材料が用いられる。本実施形態においては、接着剤Ｐ４としては、黒色のエポキシ樹脂を主成分とする接着剤が用いられる。以上の工程を経て、半導体発光装置１Ｂが製造される。

【0222】

（半導体発光装置が用いられる電子機器）
図３７および図３８は、半導体発光装置１Ｂが用いられた電子機器２Ｂの一例を示す平面図および回路図である。電子機器２Ｂとしては、たとえば距離を測定するセンサなどがある。

【0223】

電子機器２Ｂは、半導体発光装置１Ｂと、半導体発光装置１Ｂが搭載された回路基板１１０と、回路基板１１０上に形成された配線パターン１１１～１１４と、を有している。配線パターン１１１～１１４の配置構成は、第１実施形態の配線パターン１１１～１１４（図９および図１０参照）の配置構成と同じである。

【0224】

共通導電部３０Ｂの一部は、第１配線パターン１１１と重なる位置に配置されている。第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第１配線パターン１１１とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第１配線パターン１１１は、半導体発光素子８０のカソード電極である素子下面電極９２および電子部品１００のドレイン電極である第２駆動電極１０３に電気的に接続される。

【0225】

素子導電部５０Ｂは、第２配線パターン１１２と重なる位置に配置されている。本実施形態の第２配線パターン１１２の幅は、第１実施形態の第２配線パターン１１２の幅よりも小さい。素子コンタクト裏面５０ｂと第２配線パターン１１２とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第２配線パターン１１２は、半導体発光素子８０のアノード電極である素子上面電極９１およびキャパシタ１２０の第１電極１２１に電気的に接続される。

【0226】

駆動導電部６０Ｂは、第３配線パターン１１３と重なる位置に配置されている。本実施形態の第３配線パターン１１３の幅は、第１実施形態の第３配線パターン１１３の幅よりも大きい。第１駆動コンタクト裏面部６０ｅおよび第２駆動コンタクト裏面部６０ｆと第３配線パターン１１３とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第３配線パターン１１３は、電子部品１００のソース電極である第１駆動電極１０１およびキャパシタ１２０の第２電極１２２に電気的に接続されている。なお、第３配線パターン１１３の幅は、第１実施形態の第３配線パターン１１３の幅と同じであってもよい。この場合、第３配線パターン１１３は、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとはんだ等によって接合される。なお、第３配線パターン１１３は、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆに代えて第１駆動コンタクト裏面部６０ｅとはんだ等によって接合されてもよい。

【0227】

制御導電部７０Ｂは、第４配線パターン１１４と重なる位置に配置されている。制御コンタクト裏面７０ｂと第４配線パターン１１４とは、はんだ等によって接合されている。これにより、第４配線パターン１１４は、電子部品１００の制御電極１０２に電気的に接続される。

【0228】

以上のとおり、本実施形態においては、複数のコンタクト裏面３０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂが半導体発光装置１Ｂの外部端子を構成している。
図示された例において、第１共通コンタクト裏面部３０ｅの一部および第２共通コンタクト裏面部３０ｆはそれぞれ、はんだ等によって、回路基板１１０に形成された放熱パターン１１５に実装されている。本実施形態の放熱パターン１１５の幅は、第１実施形態の放熱パターン１１５の幅よりも小さい。放熱パターン１１５は、素子コンタクト裏面５０ｂおよび第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと接合されていない。このため、半導体発光素子８０および電子部品１００の熱は、各共通コンタクト裏面部３０ｅ，３０ｆから回路基板１１０に伝わる。これにより、半導体発光装置１Ｂの放熱性の向上を図ることができる。

【0229】

本実施形態においては、半導体発光装置１Ｂは、キャパシタ１２０を内蔵している。キャパシタ１２０は、上述のとおり、第３配線パターン１１３および第４配線パターン１１４に電気的に接続されているため、図３８に示すとおり、直列に接続された半導体発光素子８０および電子部品１００に対して並列に接続される。

【0230】

本実施形態の半導体発光装置１Ｂによれば、第１実施形態の（１－１）～（１－１１）および（１－１３）の効果に加え、以下の効果が得られる。
（２－１）共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂはそれぞれ、リードフレームからなり、基板表面１１および基板裏面１２に露出している。この構成によれば、共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂのそれぞれの体積が大きいため、共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂのそれぞれの放熱性の向上を図ることができる。

【0231】

（２－２）共通コンタクト表面３０ａは、第１共通コンタクト表面部３０ｃと第２共通コンタクト表面部３０ｄとを有している。第２共通コンタクト表面部３０ｄは、駆動導電部６０Ｂと制御導電部７０Ｂとの間に配置されており、第１共通コンタクト表面部３０ｃよりもＸ方向のうち第４側壁部２１ｄ側に延びている。第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄからＹ方向に延びている。半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうちの第２共通コンタクト表面部３０ｄ寄りに配置されている。この構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路を短くすることができる。したがって、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路に基づく寄生容量を低減できる。

【0232】

（２－３）電子部品１００は、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうちの第１共通コンタクト表面部３０ｃ寄りに配置されている。この構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路をさらに短くすることができる。したがって、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路に基づく寄生容量を一層低減できる。

【0233】

（２－４）共通コンタクト表面３０ａは、駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａよりも大きい。この構成によれば、共通導電部３０Ｂの放熱性の向上を図ることができる。

【0234】

（２－５）Ｘ方向から見て、半導体発光素子８０の一部は、第１共通コンタクト表面部３０ｃにおける素子コンタクト表面５０ａよりも電子部品１００に近い位置に配置されている。半導体発光素子８０の素子上面電極９１と素子コンタクト表面５０ａとは、複数本のワイヤＷ１によって接続されており、複数本のワイヤＷ１は、素子上面電極９１から素子コンタクト表面５０ａに向かうにつれて電子部品１００から離れるように斜めに延びている。この構成によれば、複数本のワイヤＷ１を用いることによって、半導体発光素子８０と素子コンタクト表面５０ａとがＹ方向にずれて配置されていたとしても、素子上面電極９１と素子導電部５０Ｂとの電気的接続を容易に実現できる。

【0235】

（２－６）駆動コンタクト表面６０ａは、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２駆動コンタクト表面部６０ｄとを有する。第１駆動コンタクト表面部６０ｃはＸ方向に延びており、第２駆動コンタクト表面部６０ｄはＹ方向に延びている。この構成によれば、第１駆動コンタクト表面部６０ｃにキャパシタ１２０の第２電極１２２を接続しやすくなり、第２駆動コンタクト表面部６０ｄに複数本のワイヤＷ２を接続しやすくなる。

【0236】

また、駆動コンタクト表面６０ａは、第２駆動コンタクト表面部６０ｄが第１駆動コンタクト表面部６０ｃよりもＸ方向の長さが短くなるように第１駆動コンタクト表面部６０ｃに対して凹む凹み領域６０ｒを有する。凹み領域６０ｒには、第２共通コンタクト表面部３０ｄが入り込んでいる。この構成によれば、第２共通コンタクト表面部３０ｄのＸ方向の長さを大きく取ることができるため、電子部品１００の放熱性の向上を図ることができる。

【0237】

（２－７）平面視において、複数本のワイヤＷ２は、Ｙ方向に配列されている。この構成によれば、第２駆動コンタクト表面部６０ｄがＹ方向に延びているため、複数本のワイヤＷ２のそれぞれのセカンドボンディング部を形成するスペースを確保できる。したがって、複数本のワイヤＷ２のそれぞれのセカンドボンディング部を容易に形成できる。

【0238】

（２－８）複数のワイヤＷ２のうちの最も離間している組み合わせを構成する２本のワイヤＷ２の間の距離が大きくなると、第１駆動電極１０１と第２駆動コンタクト表面部６０ｄとの間のインダクタンスが低減される。この点、本半導体発光装置１Ｂによれば、平面視において、複数本のワイヤＷ２のうちＹ方向において最も離れているワイヤＷ２の間隔は、電子部品１００の第１駆動電極１０１から第２駆動コンタクト表面部６０ｄに向かうにつれて広がっている。これにより、複数のワイヤＷ２のうちの最も離間している組み合わせを構成する２本のワイヤＷ２の距離を大きく取ることができるため、第１駆動電極１０１と第２駆動コンタクト表面部６０ｄとの間のインダクタンスを低減できる。

【0239】

（２－９）第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、素子コンタクト裏面５０ｂ、駆動コンタクト裏面６０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂよりも大きい。この構成によれば、半導体発光素子８０の放熱性の向上を図ることができる。

【0240】

（２－１０）第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、第２共通コンタクト裏面部３０ｆよりも大きい。この構成によれば、半導体発光素子８０の放熱性の向上を図ることができる。

【0241】

（２－１１）第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄからＸ方向のうち第３側壁部２１ｃに向けて延びている。この構成によれば、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の長さを大きく取ることができるため、半導体発光素子８０の放熱性の向上を図ることができる。

【0242】

（２－１２）共通導電部３０Ｂには、凹部３５ａ、一対の凹部３５ｂ、一対の凹部３５ｃ、凹部３５ｄおよび凹部３５ｅが設けられている。これら凹部３５ａ～３５ｅのそれぞれには絶縁部１３が入り込んでいる。この構成によれば、絶縁部１３と共通導電部３０Ｂとが剥離しにくくなる。加えて、凹部３５ａ～３５ｅはそれぞれ共通コンタクト表面３０ａに設けられており、凹部３５ａ～３５ｅには、Ｚ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕが入り込んでいる。この構成によれば、凹部３５ａ～３５ｅに入り込んだ表面側ハーフ絶縁部１３ＵがＺ方向から見て共通コンタクト裏面３０ｂと重なっているため、共通導電部３０Ｂが絶縁部１３に対してＺ方向のうちケース２０Ｂ側への移動を規制できる。

【0243】

（２－１３）素子導電部５０Ｂには、凹部５５が設けられている。凹部５５には絶縁部１３が入り込んでいる。この構成によれば、絶縁部１３と素子導電部５０Ｂとが剥離しにくくなる。加えて、凹部５５は素子コンタクト表面５０ａに設けられており、凹部５５には、Ｚ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕが入り込んでいる。この構成によれば、凹部５５に入り込んだ表面側ハーフ絶縁部１３ＵがＺ方向から見て素子コンタクト裏面５０ｂと重なっているため、素子導電部５０Ｂが絶縁部１３に対してＺ方向のうちケース２０Ｂ側への移動を規制できる。

【0244】

（２－１４）駆動導電部６０Ｂには、凹部６５が設けられている。凹部６５には絶縁部１３が入り込んでいる。この構成によれば、絶縁部１３と駆動導電部６０Ｂとが剥離しにくくなる。加えて、凹部６５は駆動コンタクト表面６０ａに設けられており、凹部６５には、Ｚ方向に貫通していない表面側ハーフ絶縁部１３Ｕが入り込んでいる。この構成によれば、凹部６５に入り込んだ表面側ハーフ絶縁部１３ＵがＺ方向から見て駆動コンタクト裏面６０ｂと重なっているため、駆動導電部６０Ｂが絶縁部１３に対してＺ方向のうちケース２０Ｂ側への移動を規制できる。

【0245】

（２－１５）凹部６５は、第１駆動コンタクト表面部６０ｃと第２駆動コンタクト表面部６０ｄとの間に設けられている。この構成によれば、第１駆動コンタクト表面部６０ｃにキャパシタ１２０を接続するための導電性接合材Ｐ３が第２駆動コンタクト表面部６０ｄ側に入り込みにくくなる。したがって、導電性接合材Ｐ３と、ワイヤＷ２のセカンドボンディング部とが接触しにくくなる。

【0246】

（２－１６）第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第２共通コンタクト裏面部３０ｆとの間には、凹部３５ｆが設けられている。凹部３５ｆには、裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌが入り込んでいる。凹部３５ｆの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、共通コンタクト裏面３０ｂをＸ方向に貫通しており、共通コンタクト裏面３０ｂの左右両側に設けられた、基板１０Ｂを貫通した絶縁部１３と繋がっている。この構成によれば、凹部３５ｆの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌによって共通コンタクト裏面３０ｂの左右両側に設けられた絶縁部１３が一体化されているため、共通導電部３０Ｂの周囲の絶縁部１３の強度が向上する。加えて、凹部３５ｆの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、Ｚ方向において共通導電部３０Ｂを支持しており、かつ凹部３５ｆの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌによって絶縁部１３と共通導電部３０Ｂとの接触面積が増加している。したがって、Ｚ方向において共通導電部３０Ｂが基板裏面１２側に移動しにくくなる。

【0247】

（２－１７）第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとの間には、凹部６５ａが設けられている。凹部６５ａには、裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌが入り込んでいる。凹部６５ａの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、駆動コンタクト裏面６０ｂをＸ方向に貫通しており、駆動コンタクト裏面６０ｂの左右両側に設けられた、基板１０Ｂを貫通した絶縁部１３と繋がっている。この構成によれば、凹部６５ａの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌによって駆動コンタクト裏面６０ｂの左右両側に設けられた絶縁部１３が一体化されているため、駆動導電部６０Ｂの周囲の絶縁部１３の強度が向上する。加えて、凹部６５ａの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌは、Ｚ方向において駆動導電部６０Ｂを支持しており、かつ凹部６５ａの裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌによって絶縁部１３と駆動導電部６０Ｂとの接触面積が増加している。したがって、Ｚ方向において駆動導電部６０Ｂが基板裏面１２側に移動しにくくなる。

【0248】

（２－１８）共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂのそれぞれには、フランジ３６，５６，６６，７６が設けられている。これらフランジ３６，５６，６６，７６と基板裏面１２との間には、絶縁部１３（裏面側ハーフ絶縁部１３Ｌ）が入り込んでいる。この構成によれば、共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂのそれぞれが絶縁部１３に対してＺ方向のうちケース２０Ｂとは反対側への移動を規制できる。

【0249】

（２－１９）電子部品１００は、遮光性の樹脂材料（封止樹脂１４０）によって覆われている。この構成によれば、半導体発光素子８０からの光が光拡散板１３０等によって反射して電子部品１００に向けて照射されても、その反射光は封止樹脂１４０によって電子部品１００に届かないため、電子部品１００の誤動作を抑制できる。

【0250】

（２－２０）電子部品１００と共通導電部３０Ｂとを接続するＡｇペーストである導電性接合材Ｐ２のＡｇの含有量を高くしている。これにより、電子部品１００から共通導電部３０Ｂに効率的に放熱できる。一方、導電性接合材Ｐ２の耐硫化性が低下してしまう。そこで、本実施形態においては、封止樹脂１４０は、硫化を抑制するコーティング剤１４１によって覆われている。この構成によれば、導電性接合材Ｐ２、第２駆動電極１０３、制御電極１０２および第１駆動電極１０１の硫化を抑制できる。したがって、導電性接合材Ｐ２、第２駆動電極１０３、制御電極１０２および第１駆動電極１０１の耐硫化特性の向上を図ることができる。

【0251】

（２－２１）半導体発光装置１Ｂは、キャパシタ１２０を備えている。この構成によれば、半導体発光装置１Ｂの外部にキャパシタ１２０を配置する必要がなくなるため、又は半導体発光装置１Ｂの外部に配置するキャパシタ１２０の個数を減らすことができるため、電子機器２Ｂの省スペース化を図ることができる。

【0252】

（２－２２）半導体発光素子８０は、電子部品１００に対してＸ方向のうち第３側壁部２１ｃ側にずれて配置されている。半導体発光素子８０に対してＸ方向のうち第４側壁部２１ｄ側にはキャパシタ１２０が配置されている。電子部品１００は、基板１０ＢのＸ方向の中央部に配置されている。キャパシタ１２０は、電子部品１００よりもＹ方向のうち第１側壁部２１ａ側に配置されている。この構成によれば、ワイヤＷ２，Ｗ３の一方を他方に対して極端に長くすることなく、ケース２０Ｂおよび基板１０Ｂから形成された収容空間２３内にキャパシタ１２０を配置するためのスペースを確保できる。

【0253】

（２－２３）遮光性の材料で形成されたケース２０Ｂの蓋２２のうち半導体発光素子８０とＺ方向に対向する部分には開口部２２ａが設けられており、開口部２２ａを覆うように光拡散板１３０が蓋２２に取り付けられている。この構成によれば、蓋２２のうち半導体発光素子８０とＺ方向に対向する部分以外の部分は遮光されることによって、電子部品１００への光の照射を抑制できる。したがって、光が照射されることに基づく電子部品１００の誤動作を抑制できる。

【0254】

（２－２４）共通導電部３０Ｂには突出部３４ａ～３４ｆが設けられている。この構成によれば、共通導電部３０Ｂの体積が大きくなるため、半導体発光素子８０および電子部品１００の放熱性の向上を図ることができる。

【0255】

（２－２５）素子導電部５０Ｂには突出部５４ａ～５４ｃが設けられている。この構成によれば、素子導電部５０Ｂの体積が大きくなるため、半導体発光装置１Ｂの放熱性の向上を図ることができる。また駆動導電部６０Ｂには突出部６４ａ～６４ｃが設けられている。この構成によれば、駆動導電部６０Ｂの体積が大きくなるため、半導体発光装置１Ｂの放熱性の向上を図ることができる。また制御導電部７０Ｂには突出部７４ａ，７４ｂが設けられている。この構成によれば、制御導電部７０Ｂの体積が大きくなるため、半導体発光装置１Ｂの放熱性の向上を図ることができる。

【0256】

（２－２６）電子部品１００の基板表面１１からの高さＴＭは、半導体発光素子８０の基板表面１１からの高さＴＶよりも低い。この構成によれば、半導体発光素子８０からの光がたとえば光拡散板１３０に反射しても、電子部品１００に照射されにくくなる。したがって、電子部品１００に照射された光に基づく電子部品１００の誤動作を抑制できる。

【0257】

［変更例］
上記各実施形態は本開示に関する半導体発光装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体発光装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0258】

・第１実施形態において、図３９～４２に示すように、基板１０は、Ｃｕなどの導電性材料で構成されていてもよい。この形態においては、基板１０には、基板１０が複数の導電部３０，５０，６０，７０に区画されるように仕切る絶縁部１５０が設けられている。絶縁部１５０は、エポキシ樹脂などの絶縁性材料で形成されている。絶縁部１５０は、たとえば幅広部と幅狭部とを有する段差状に形成されている。複数の導電部３０，５０，６０，７０は、絶縁部１５０によって互いに絶縁された状態で区画された基板１０の一部である。

【0259】

接続導電部４０は、共通導電部３０と電気的に接続されている一方、他の導電部５０，６０，７０とは絶縁されている。具体的には、接続導電部４０と他の導電部５０，６０，７０との間には、基板１０を厚さ方向に貫通している絶縁部１５０が設けられている。一方、図４０および図４１に示すように、共通導電部３０と接続導電部４０との間には、基板１０を厚さ方向に貫通していないハーフ絶縁部１５１が設けられている。ハーフ絶縁部１５１は、基板裏面１２側に形成されており、基板表面１１側には形成されていない。このため、共通導電部３０と接続導電部４０とは導通している。

【0260】

上記のように複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０が基板１０の一部で構成されている形態においては、共通コンタクト表面３０ａ、接続コンタクト表面４０ａ、素子コンタクト表面５０ａ、駆動コンタクト表面６０ａ、および制御コンタクト表面７０ａは、基板表面１１で構成されている。共通コンタクト表面３０ａ、素子コンタクト表面５０ａ、駆動コンタクト表面６０ａ、および制御コンタクト表面７０ａは、絶縁部１５０によって互いに離間している。接続コンタクト表面４０ａは、素子コンタクト表面５０ａ、駆動コンタクト表面６０ａ、および制御コンタクト表面７０ａに対して離間している。一方、ハーフ絶縁部１５１は基板表面１１に形成されていないため、共通コンタクト表面３０ａと接続コンタクト表面４０ａとは連続している。

【0261】

同様に、共通コンタクト裏面３０ｂ、接続コンタクト裏面４０ｂ、素子コンタクト裏面５０ｂ、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂは、基板裏面１２で構成されている。共通コンタクト裏面３０ｂ、素子コンタクト裏面５０ｂ、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂは、絶縁部１５０によって互いに離間している。共通コンタクト裏面３０ｂ、接続コンタクト裏面４０ｂ、素子コンタクト裏面５０ｂ、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂは、絶縁部１５０およびハーフ絶縁部１５１によって、互いに離間している。

【0262】

・第１実施形態に関する図３９～図４２の変更例において、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０には、第２実施形態の複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂのように突出部および凹部が設けられてもよい。

【0263】

図４３は、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０に突出部および凹部が設けられた構成の一例である。なお、図４３では、便宜上、ケース２０の枠２１の外面を二点鎖線によって示している。

【0264】

図４３に示すように、共通導電部３０の共通コンタクト表面３０ａには、突出部３４ｇ～３４ｊが形成されている。突出部３４ｇ，３４ｈは、共通コンタクト表面３０ａのうち第１側壁部２１ａ側の端部に形成されている。突出部３４ｇ，３４ｈは、Ｘ方向において互いに離間している。突出部３４ｇは、突出部３４ｈよりも素子導電部５０側に配置されている。突出部３４ｇ，３４ｈは、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの外面から突出している。突出部３４ｉ，３４ｊは、共通コンタクト表面３０ａのうち第２側壁部２１ｂ側の端部に形成されている。突出部３４ｉ，３４ｊは、Ｘ方向において互いに離間している。突出部３４ｉは、突出部３４ｊよりも駆動導電部６０側に配置されている。突出部３４ｉ，３４ｊは、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂの外面から突出している。突出部３４ｇ～３４ｊはそれぞれ、リードフレームにおいて共通導電部３０を吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部３４ｇ～３４ｊと共通コンタクト表面３０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている。

【0265】

また、共通コンタクト表面３０ａには、凹部３５ｇ，３５ｈが形成されている。Ｙ方向において、凹部３５ｇ，３５ｈは、半導体発光素子８０と電子部品１００との間に形成されている。凹部３５ｇは共通コンタクト表面３０ａのうち第４側壁部２１ｄ側の端部に形成されており、凹部３５ｈは共通コンタクト表面３０ａのうち第３側壁部２１ｃ側の端部に形成されている。凹部３５ｇは、共通コンタクト表面３０ａのうち第４側壁部２１ｄの端部３１ｃから第３側壁部２１ｃに向けてＸ方向に凹んでいる。凹部３５ｇの底部は、曲面からなる。図示された例においては、平面視における凹部３５ｇの形状は、幅寸法が変更せずにＸ方向に延びる部分を有しており、かつ底部に向けて幅が狭くなる凹曲面状である。凹部３５ｈは、共通コンタクト表面３０ａのうち第３側壁部２１ｃ側の端部３１ａから第４側壁部２１ｄに向けてＸ方向に凹んでいる。図示された例においては、平面視における凹部３５ｈの形状と平面視における凹部３５ｇの形状とは対称形状である。凹部３５ｇ，３５ｈには、絶縁部１５０が入り込んでいる。

【0266】

接続導電部４０の接続コンタクト表面４０ａには、突出部４４ａ～４４ｃが形成されている。突出部４４ａは接続コンタクト表面４０ａのうち第１側壁部２１ａ側の端部に形成されており、突出部４４ｂ，４４ｃは接続コンタクト表面４０ａのうち第３側壁部２１ｃ側の端部に形成されている。突出部４４ｂ，４４ｃは、Ｙ方向において互いに離間している。突出部４４ｂは、突出部４４ｃよりも第１側壁部２１ａ側に形成されている。突出部４４ａは、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの外面から突出している。突出部４４ｂ，４４ｃは、Ｚ方向から見て、第３側壁部２１ｃの外面から突出している。突出部４４ａ～４４ｃはそれぞれ、リードフレームにおいて接続導電部４０を吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部４４ａ～４４ｃと接続コンタクト表面４０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている。

【0267】

素子導電部５０の素子コンタクト表面５０ａには、突出部５４ｄ～５４ｆが形成されている。突出部５４ｄは素子コンタクト表面５０ａのうち第１側壁部２１ａ側の端部に形成されており、突出部５４ｅ，５４ｆは素子コンタクト表面５０ａのうち第４側壁部２１ｄ側の端部に形成されている。突出部５４ｅ，５４ｆは、Ｙ方向において互いに離間している。突出部５４ｅは、突出部５４ｆよりも第１側壁部２１ａ側に形成されている。突出部５４ｄは、Ｚ方向から見て、第１側壁部２１ａの外面から突出している。突出部５４ｅ，５４ｆは、Ｚ方向から見て、第４側壁部２１ｄの外面から突出している。突出部５４ｄ～５４ｆはそれぞれ、リードフレームにおいて素子導電部５０を吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部５４ｄ～５４ｆと素子コンタクト表面５０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている。

【0268】

駆動導電部６０の駆動コンタクト表面６０ａには、突出部６４ｄ～６４ｆが形成されている。突出部６４ｄは駆動コンタクト表面６０ａのうち第２側壁部２１ｂ側の端部に形成されており、突出部６４ｅ，６４ｆは駆動コンタクト表面６０ａのうち第４側壁部２１ｄ側の端部に形成されている。突出部６４ｅ，６４ｆは、Ｙ方向において互いに離間している。突出部６４ｅは、突出部６４ｆよりも第１側壁部２１ａ側に形成されている。突出部６４ｄは、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂの外面から突出している。突出部６４ｅ，６４ｆは、Ｚ方向から見て、第４側壁部２１ｄの外面から突出している。突出部６４ｄ～６４ｆはそれぞれ、リードフレームにおいて駆動導電部６０を吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部６４ｄ～６４ｆと駆動コンタクト表面６０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている。

【0269】

制御導電部７０の制御コンタクト表面７０ａには、突出部７４ｄ～７４ｆが形成されている。突出部７４ｄは制御コンタクト表面７０ａのうち第２側壁部２１ｂ側の端部に形成されており、突出部７４ｅ，７４ｆは制御コンタクト表面７０ａのうち第３側壁部２１ｃ側の端部に形成されている。突出部７４ｅ，７４ｆは、Ｙ方向において互いに離間している。突出部７４ｅは、突出部７４ｆよりも第１側壁部２１ａ側に形成されている。突出部７４ｄは、Ｚ方向から見て、第２側壁部２１ｂの外面から突出している。突出部７４ｅ，７４ｆは、Ｚ方向から見て、第３側壁部２１ｃの外面から突出している。突出部７４ｄ～７４ｆはそれぞれ、リードフレームにおいて制御導電部７０を吊る吊りリードを切断した残りの部分である。なお、これら突出部の数は任意に変更可能である。Ｚ方向から見て、突出部７４ｄ～７４ｆと制御コンタクト表面７０ａとの接続部分はそれぞれ、曲面となっている。なお、このような突出部および凹部が設けられた構成であっても、基板裏面１２の導電部の構成は、図４０に示す導電部の構成と同じである。

【0270】

このような構成によれば、各導電部３０，４０，５０，６０，７０の体積を増加させることができるため、半導体発光装置１の放熱性の向上を図ることができる。
また、共通導電部３０に凹部３５ｇ，３５ｈが設けられており、凹部３５ｇ，３５ｈには絶縁部１５０が入り込んでいる。これにより、絶縁部１５０と共通導電部３０とが剥離しにくくなる。加えて、凹部３５ｇ，３５ｈはそれぞれ共通コンタクト表面３０ａに設けられており、凹部３５ｇ，３５ｈには、Ｚ方向に貫通していない絶縁部１５０が入り込んでいる。この構成によれば、共通導電部３０が絶縁部１５０に対してＺ方向のうちケース２０側への移動を規制できる。

【0271】

図４３に示す半導体発光装置１では、接続導電部４０、素子導電部５０、駆動導電部６０および制御導電部７０に凹部が設けられていないが、これに限られず、接続導電部４０、素子導電部５０、駆動導電部６０および制御導電部７０のうち少なくとも１つに凹部が設けられてもよい。この凹部は、共通導電部３０の凹部３５ｇ，３５ｈと同様の構成である。また、図示していないが、各導電部３０，４０，５０，６０，７０の少なくとも１つには、第２実施形態の各導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂのフランジ３６，５６，６６，７６と同様にフランジが設けられてもよい。

【0272】

・第１実施形態において、接続コンタクト裏面４０ｂ、素子コンタクト裏面５０ｂ、駆動コンタクト裏面６０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂのサイズはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、図４４に示すように、接続コンタクト裏面４０ｂの面積と制御コンタクト裏面７０ｂの面積とが互いに等しくてもよい。素子コンタクト裏面５０ｂの面積と駆動コンタクト裏面６０ｂの面積とが互いに等しくてもよい。

【0273】

・第１実施形態において、図４５に示すように、ケース２０内にキャパシタ１２０が設けられていてもよい。キャパシタ１２０は、素子コンタクト表面５０ａと駆動コンタクト表面６０ａとに跨るように配置されている。この構成によれば、さらなる省スペース化を図ることができる。

【0274】

・第１実施形態においては、半導体発光素子８０および電子部品１００は、たとえばＸ方向の中央部に配置されていたが、これに限られずＸ方向の両端部のうちいずれか一方に偏って配置されていてもよい。たとえば、半導体発光素子８０および電子部品１００は、中央部よりも第３側壁部２１ｃ側に偏って配置してもよい。この構成によれば、キャパシタ１２０を設置するスペースを大きくできる。

【0275】

・各実施形態において、電子部品１００は、ＭＯＳＦＥＴに限られず、バイポーラトランジスタ等の他のスイッチング素子でもよい。電子部品１００がたとえばバイポーラトランジスタである場合、第１駆動電極１０１および第２駆動電極１０３のいずれか一方がコレクタ電極に対応し、他方がエミッタ電極に対応し、制御電極１０２がベース電極に対応する。

【0276】

また、電子部品１００は、スイッチング素子に代えてＩＣでもよい。更に、電子部品１００は、スイッチング素子等の能動素子に限られず、キャパシタ等の受動素子でもよい。また、電子部品１００は、半導体発光素子８０を駆動するのに用いられるものでなくてもよい。

【0277】

・各実施形態において、半導体発光素子８０と電子部品１００との配列方向は任意に変更可能であり、たとえばＸ方向に配列していてもよいし、Ｘ方向およびＹ方向に交差する方向に配列してもよい。共通コンタクト表面３０ａは、半導体発光素子８０と電子部品１００とが共通コンタクト表面３０ａ上に配置されるように、半導体発光素子８０と電子部品１００との配列方向に延びていればよい。

【0278】

・第１実施形態において、複数の導電部３０，４０，５０，６０，７０の配置は任意に変更可能である。たとえば、駆動導電部６０および制御導電部７０を、共通コンタクト表面３０ａに対するＸ方向の両側のうち同一方向側にまとめて配置してもよい。また、駆動導電部６０および制御導電部７０の少なくとも一方を、共通コンタクト表面３０ａに対してＹ方向に離間する位置に配置してもよい。接続導電部４０および素子導電部５０についても同様である。また、制御導電部７０と素子導電部５０とを同一方向側にまとめて配置してもよい。

【0279】

・第２実施形態において、複数の導電部３０Ｂ，５０Ｂ，６０Ｂ，７０Ｂの配置は任意に変更可能である。たとえば、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂを、共通コンタクト表面３０ａに対するＸ方向の両側のうち同一方向側にまとめて配置してもよい。この場合、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、第２共通コンタクト表面部３０ｄに対してＸ方向に揃っていてもよい。また、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０の少なくとも一方を、共通コンタクト表面３０ａに対してＹ方向に離間する位置に配置してもよい。素子導電部５０Ｂについても同様である。また、制御導電部７０Ｂと素子導電部５０Ｂとを同一方向側にまとめて配置してもよい。

【0280】

・第１実施形態において、複数のコンタクト表面３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの形状は任意に変更可能である。たとえば、複数のコンタクト表面３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの大きさをすべて同一にしてもよいし、それぞれ異ならせてもよい。また、複数のコンタクト表面３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの少なくとも１つを楕円形状や円形状にしてもよい。

【0281】

・第１実施形態において、図４６に示すように、共通裏面導電層３２と接続裏面導電層４２とが繋がっており、共通コンタクト裏面３０ｂと接続コンタクト裏面４０ｂとが連続してもよい。

【0282】

・第１実施形態において、複数のコンタクト裏面３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂの形状は任意に変更可能である。たとえば、共通コンタクト裏面３０ｂの大きさを、接続コンタクト裏面４０ｂ又は素子コンタクト裏面５０ｂよりも小さくしてもよい。また、駆動コンタクト裏面６０ｂ、および制御コンタクト裏面７０ｂを、接続コンタクト裏面４０ｂおよび素子コンタクト裏面５０ｂよりも大きくしてもよい。また、複数のコンタクト裏面３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂの大きさをすべて同一にしてもよいし、それぞれ異ならせてもよい。さらに、複数のコンタクト裏面３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂの少なくとも１つを楕円形状や円形状にしてもよい。

【0283】

・第１実施形態において、接続導電部４０を省略してもよい。この場合であっても、共通コンタクト裏面３０ｂを用いて半導体発光装置１の外部とのコンタクトを確保できる。
・各実施形態において、共通コンタクト裏面３０ｂは必須ではない。つまり、共通裏面導電層３２を省略してもよい。

【0284】

・第１実施形態において、図４７に示すように、蓋２２は、半導体発光素子８０の上方に配置され半導体発光素子８０からの光が透過する透過部２０１と、電子部品１００の上方に配置され光を遮断する遮光部２０２と、を有するものでもよい。この構成によれば、電子部品１００への光の照射を抑制できるため、光が照射されることに基づく電子部品１００の誤動作を抑制できる。

【0285】

透過部２０１および遮光部２０２の形状は任意であり、たとえば図４８に示すように、半導体発光素子８０と重なる位置にのみ透過部２０１が形成され、それ以外の部分が遮光部２０２となっていてもよい。

【0286】

・第１実施形態において、蓋２２は、半導体発光素子８０からの光を拡散させるものであってもよい。
・各実施形態において、蓋２２を省略して、枠２１のみでもよい。

【0287】

・第１実施形態において、図４９に示すように、ケース２０を省略してもよい。この場合、枠２１が配置されていたスペースにキャパシタ１２０を配置してもよい。
・第１実施形態において、図５０に示すように、枠２１は、上方に向かうに従って開口が広がるように傾斜した傾斜面２１０を有していてもよい。

【0288】

・第１実施形態において、図５１に示すように、共通連絡部３３は、半導体発光素子８０と重なる位置に形成されていてもよい。また、共通連絡部３３は、電子部品１００と重なる位置に形成されていてもよい。

【0289】

・第１実施形態において、図５２～図５５に示すように、半導体発光装置１は、ケース２０に代えて、第２実施形態のケース２０Ｂと同様の構成のケース２０Ｃを備えてもよい。この場合、半導体発光装置１は、光拡散板１３０をさらに備えてもよい。なお、図５６および図５７は、ケース２０Ｃ単品を示している。図５３に示すように、ケース２０Ｃは、ケース２０Ｂよりもサイズが小さく、開口部２２ａの形成位置がケース２０Ｂと異なる。図５３および図５６に示すように、ケース２０Ｃの開口部２２ａは、蓋２２のうち第１側壁部２１ａ側かつＸ方向の中央部よりもわずかに第４側壁部２１ｄ寄りに形成されている。図５３および図５６に示す開口部２２ａのサイズは、たとえば第２実施形態の開口部２２ａのサイズと同じである。ケース２０ＣのＸ方向の大きさがケース２０ＢのＸ方向の大きさよりも小さいため、開口部２２ａのＸ方向の大きさは、ケース２０ＣのＸ方向の大きさの２／３以上となる。一例では、図５６に示すケース２０ＣのＸ方向の大きさおよびＹ方向の大きさはそれぞれ、３．３ｍｍ程度であり、開口部２２ａのＸ方向の大きさは、２．４ｍｍ程度である。なお、図５４に示すケース２０ＣのＺ方向の大きさは、たとえばケース２０ＢのＺ方向の大きさと等しい。また、図５３および図５４に示す光拡散板１３０のサイズは、第２実施形態の光拡散板１３０のサイズと同じである。なお、本変更例の光拡散板１３０のサイズは、開口部２２ａの全体を覆うことが可能な範囲において任意に変更可能である。一例では、光拡散板１３０は、蓋２２の全体を覆うようなサイズであってもよい。

【0290】

図５３に示すように、光拡散板１３０は、Ｘ方向においてケース２０Ｃの蓋２２の中央部に配置されている。このため、光拡散板１３０は、開口部２２ａに対してＸ方向にずれて配置されている。より詳細には、本変更例においては、Ｚ方向から見て、光拡散板１３０のうち開口部２２ａからＸ方向における第３側壁部２１ｃ側への突出距離ＤＸ３は、開口部２２ａからＸ方向における第４側壁部２１ｄ側への突出距離ＤＸ４よりも大きい。突出距離ＤＸ３は、光拡散板１３０のうち開口部２２ａからＹ方向における第１側壁部２１ａ側への突出距離ＤＹ３および開口部２２ａからＹ方向における第２側壁部２１ｂ側への突出距離ＤＹ４よりも大きい。突出距離ＤＹ３は、突出距離ＤＹ４と等しい。突出距離ＤＸ４は、突出距離ＤＹ３，ＤＹ４よりも小さい。このように、光拡散板１３０は、開口部２２ａに対して第３側壁部２１ｃ寄りに配置されている。

【0291】

図５７に示すように、Ｚ方向から見て、各側壁部２１ａ～２１ｄの内面によって形成された収容空間２３は、正方形とは異なる形状となる。換言すると、枠２１は、幅寸法が異なる部分を有する。具体的には、第３側壁部２１ｃは、Ｙ方向において開口部２２ａと対応する第１部分２１ｃａと、第１部分２１ｃａよりも第２側壁部２１ｂ側の部分となる第２部分２１ｃｂと、を有する。第１部分２１ｃａの幅寸法は、第２部分２１ｃｂの幅寸法よりも大きい。第２部分２１ｃｂの幅寸法は、各側壁部２１ａ，２１ｂ，２１ｄの幅寸法と等しい。ここで、幅寸法とは、Ｚ方向から見て、各側壁部２１ａ～２１ｄが延びる方向と直交する方向の寸法である。

【0292】

このように、Ｚ方向から見て、開口部２２ａが形成される部分よりも第２側壁部２１ｂ側の収容空間２３のＸ方向の長さは、開口部２２ａが形成される部分の収容空間２３のＸ方向の長さよりも長くなる。なお、Ｚ方向から見て、開口部２２ａが形成される部分よりも第２側壁部２１ｂ側の収容空間２３のＸ方向の長さは、Ｚ方向から見て、第２部分２１ｃｂの内面から第４側壁部２１ｄの内面までのＸ方向の間の長さによって規定される。また、開口部２２ａが形成される部分の収容空間２３のＸ方向の長さは、Ｚ方向から見て、第１部分２１ｃａの内面から第４側壁部２１ｄの内面までのＸ方向の間の長さによって規定される。

【0293】

図５５に示すように、開口部２２ａは、蓋２２のうち半導体発光素子８０に対向する部分に形成されている。電子部品１００は、開口部２２ａよりも第２側壁部２１ｂ側に配置されている。すなわち、電子部品１００は、収容空間２３のうちＸ方向に長い側の空間に配置されている。これにより、ワイヤＷ２，Ｗ３（たとえば図４３参照）を形成するスペースを確保できる。

【0294】

・図５２～図５７に示す第１実施形態の変更例および第２実施形態において、ケース２０Ｂ，２０Ｃには、半導体発光素子８０からの光を透過する透過部が形成されていればよいため、開口部２２ａに代えて、透光性の材料がケース２０Ｂ，２０Ｃに設けられていてもよい。一例としては、ケース２０Ｂ，２０Ｃは、透光性の樹脂材料および遮光性の樹脂材料の２色成型によって形成される。

【0295】

・第１実施形態において、コンタクト表面３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａとコンタクト裏面３０ｂ，４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂとは同一形状であってもよい。
・第２実施形態において、コンタクト表面３０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａとコンタクト裏面３０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂとは同一形状であってもよい。

【0296】

・第１実施形態において、連絡部４３，５３，６３，７３が設けられる位置は、ケース２０と重なる位置に限られず、任意に変更可能である。
・各実施形態において、素子上面８０ａおよび素子下面８０ｂの形状は任意に変更可能である。同様に、発光領域９０および素子上面電極９１の位置および形状は任意に変更可能である。

【0297】

・各実施形態において、上面１００ａおよび下面１００ｂの形状は長方形に限られず任意に変更可能である。同様に、第１駆動電極１０１および制御電極１０２の位置および形状は任意に変更可能である。

【0298】

・各実施形態において、基板１０，１０Ｂの形状は、正方形に限られず任意に変更可能であり、たとえば一方が他方に対して長い矩形状でもよい。
・各実施形態において、素子下面電極９２は、素子下面８０ｂの一部に形成されていてもよい。同様に、第２駆動電極１０３は、下面１００ｂの一部に形成されていてもよい。

【0299】

・各実施形態において、電子機器２，２Ｂの具体的構成は任意である。たとえば、電子機器２からキャパシタ１２０を省略してもよい。また電子機器２Ｂにキャパシタ１２０を追加してもよい。電子機器２，２Ｂは、回路基板１１０に搭載された受光素子を有していてもよい。

【0300】

・各実施形態において、各配線パターン１１１～１１４の具体的なレイアウトは任意である。さらに、放熱パターン１１５を省略してもよい。
・各実施形態において、半導体発光装置１，１Ｂは、半導体発光素子８０と電子部品１００とを仕切る仕切壁をさらに備えてもよい。

【0301】

第１例では、図５８および図５９に示すように、ケース２０Ｃを備える半導体発光装置１は、仕切壁２４を備える。仕切壁２４は、遮光性の材料からなる。一例では、仕切壁２４は、ケース２０Ｂと同じ樹脂材料からなり、ケース２０Ｂと一体に形成されている。仕切壁２４は、ケース２０Ｂの蓋２２から垂下するように形成されている。図示された例においては、仕切壁２４は、基板表面１１に接触している。仕切壁２４は、Ｙ方向において半導体発光素子８０と電子部品１００との間に設けられており、収容空間２３を半導体発光素子８０が収容される第１収容空間２３Ａと電子部品１００が収容される第２収容空間２３Ｂとに仕切っている。図５９に示すように、仕切壁２４は、第３側壁部２１ｃと第４側壁部２１ｄとを繋いでいる。つまり、第１収容空間２３Ａは第１側壁部２１ａ、第３側壁部２１ｃ、第４側壁部２１ｄおよび仕切壁２４によって区画された空間であり、第２収容空間２３Ｂは第２側壁部２１ｂ、第３側壁部２１ｃ、第４側壁部２１ｄおよび仕切壁２４によって区画された空間である。図示された例においては、仕切壁２４は、平面視においてＸ方向に沿って延びている。仕切壁２４は、共通導電部３０の凹部３５ｅ，３５ｆとＺ方向に重なるように設けられている。

【0302】

第２例では、図６０および図６１に示すように、第２実施形態の半導体発光装置１Ｂは、仕切壁２４を備える。仕切壁２４は、ケース２０Ｂの蓋２２から垂下するように形成されている。図示された例においては、仕切壁２４は、基板表面１１に接触している。仕切壁２４は、Ｙ方向において半導体発光素子８０と電子部品１００との間に設けられており、収容空間２３を半導体発光素子８０およびキャパシタ１２０が収容される第１収容空間２３Ａと電子部品１００が収容される第２収容空間２３Ｂとに仕切っている。図６１に示すように、仕切壁２４は、第３側壁部２１ｃと第４側壁部２１ｄとを繋いでいる。つまり、第１収容空間２３Ａは第１側壁部２１ａ、第３側壁部２１ｃ、第４側壁部２１ｄおよび仕切壁２４によって区画された空間であり、第２収容空間２３Ｂは第２側壁部２１ｂ、第３側壁部２１ｃ、第４側壁部２１ｄおよび仕切壁２４によって区画された空間である。

【0303】

図６１に示すように、仕切壁２４は、第３側壁部２１ｃからＸ方向に沿って延びる第１部分２４ａと、第４側壁部２１ｄからＸ方向に沿って延びる第２部分２４ｂと、第１部分２４ａと第２部分２４ｂとのＸ方向の間に形成された段差２４ｃと、を有する。つまり、Ｙ方向において、第１部分２４ａと第２部分２４ｂとがずれて配置されている。図示された例においては、第２部分２４ｂが第１部分２４ａよりも第２側壁部２１ｂ側にずれて位置している。

【0304】

第１部分２４ａは、半導体発光素子８０と電子部品１００とを仕切っている。第２部分２４ｂは、キャパシタ１２０とワイヤＷ２とを仕切っている。段差２４ｃは、Ｘ方向において半導体発光素子８０とキャパシタ１２０との間に位置している。つまり、段差２４ｃおよび第２部分２４ｂによって、第１収容空間２３Ａのうちキャパシタ１２０を収容する部分のＹ方向の長さを長くしている。これにより、第１収容空間２３Ａによってキャパシタ１２０を収容できる。また、段差２４ｃは、Ｘ方向において電子部品１００とキャパシタ１２０との間に位置している。このため、電子部品１００を覆う封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１の配置スペースを確保できる。なお、平面視における段差２４ｃの形状は任意に変更可能である。一例では、段差２４ｃは、第１部分２４ａから第４側壁部２１ｄに向かうにつれて第２側壁部２１ｂに向けて斜めに延びてもよい。これにより、電子部品１００を覆う封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１の配置スペースを確保しやすくなる。

【0305】

第３例では、第２例の半導体発光装置１Ｂにおいて、仕切壁２４の形状を図６２に示すように変更してもよい。より詳細には、仕切壁２４は、第１収容空間２３Ａに半導体発光素子８０が配置され、第２収容空間２３Ｂに電子部品１００およびキャパシタ１２０が配置されるように形成されている。つまり、仕切壁２４は、平面視において、第３側壁部２１ｃと第１側壁部２１ａとを繋ぐＬ字状に形成されている。つまり、第１収容空間２３Ａは第１側壁部２１ａ、第３側壁部２１ｃおよび仕切壁２４によって区画された空間であり、第２収容空間２３Ｂは第１側壁部２１ａ～第４側壁部２１ｄおよび仕切壁２４によって区画されたＬ字状の空間である。

【0306】

・第２実施形態において、図６３に示すように、ケース２０Ｂの開口部２２ａの周縁から垂下する遮光壁２５が設けられてもよい。図６３においては、遮光壁２５は、開口部２２ａの周縁全体にわたり形成されている。この構成によれば、半導体発光素子８０からの光が光拡散板１３０によって反射したとしてもその反射光が電子部品１００に照射されにくくなる。したがって、半導体発光素子８０の光に起因する電子部品１００の誤動作を抑制できる。なお、遮光壁２５のＺ方向の長さは、光拡散板１３０からの反射光が電子部品１００に照射されにくくなる範囲において任意に変更可能である。また、遮光壁２５は、開口部２２ａの周縁全体にわたり形成される構成に限られず、開口部２２ａの周縁の一部に形成されてもよい。遮光壁２５は、開口部２２ａの周辺において少なくとも半導体発光素子８０と電子部品１００との間の部分に形成されていればよい。なお、図６３において、光拡散板１３０は、図１９に示すような平板状であってもよい。また、図６３では、封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１を省略して示しているが、電子部品１００を覆うように封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１を追加してもよい。

【0307】

・第２実施形態において、光拡散板１３０の形状は平板状に限られず、任意に変更可能である。一例では、図６３に示すように、光拡散板１３０は、断面視において矩形状となる凹部１３１を有する。図示された例においては、凹部１３１の底部１３１ａは、Ｚ方向に直交する平坦面によって形成されている。半導体発光素子８０の光は、光拡散板１３０の凹部１３１の底部において反射するため、開口部２２ａを構成する内面が遮光壁の機能を果たす。このため、光拡散板１３０からの反射光が電子部品１００に照射されにくくなる。なお、図６３に示すように、凹部１３１を有する光拡散板１３０と遮光壁２５とを組み合わせたケース２０Ｂを用いてもよい。この場合、光拡散板１３０からの反射光が電子部品１００に一層照射されにくくなる。

【0308】

なお、第１実施形態において、半導体発光装置１が図５６に示すケース２０Ｃを備える場合についても、ケース２０Ｃに遮光壁２５を設ける構成および凹部１３１を有する光拡散板１３０の少なくとも一方を用いることができる。

【0309】

・各実施形態において、基板１０（１０Ｂ）とケース２０（２０Ｂ，２０Ｃ）との間には、ケース２０（２０Ｂ，２０Ｃ）の収容空間と、ケース２０（２０Ｂ，２０Ｃ）の外部とを連通する通気部が設けられてもよい。以下の通気部１６０の説明においては、第２実施形態の半導体発光装置１Ｂのケース２０Ｂを用いる。

【0310】

一例では、図６４に示すように、ケース２０Ｂの枠２１の第２側壁部２１ｂには、側壁側凹部１６０Ａが設けられている。側壁側凹部１６０Ａは、第２側壁部２１ｂの内面から外面までにわたり形成されている。通気部１６０は、側壁側凹部１６０Ａと基板１０Ｂの基板表面１１とから構成されている。通気部１６０は、Ｙ方向において第２側壁部２１ｂの内面から外面に向かうにつれてＸ方向において第４側壁部２１ｄ側から第３側壁部２１ｃ側に向けて斜めに延びている。図６５に示すように、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法は一定である。このため、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の収容空間２３側の第１開口領域Ｓ１の幅寸法と、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）のケース２０Ｂの外部側の第２開口領域Ｓ２の幅寸法とは互いに等しい。ここで、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法とは、平面視において、通気部１６０が延びる方向と直交する方向の寸法である。また、第１開口領域Ｓ１は、ケース２０Ｂの側壁部（第２側壁部２１ｂ）の内面に開口する内側開口領域ともいえる。第２開口領域Ｓ２は、ケース２０Ｂの側壁部（第２側壁部２１ｂ）の外面に開口する外側開口領域ともいえる。

【0311】

図６６に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、第２側壁部２１ｂにおいて基板表面１１とＺ方向に対向する端面からＺ方向に凹むことによって形成されている。図６５および図６５に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、互いに離間している一対の側面１６１と、一対の側面１６１を繋ぐ天面１６２とを有する。図示された例においては、一対の側面１６１は、天面１６２に向かうにつれて互いに近づくようなテーパ状となる斜面である。天面１６２は、Ｚ方向に直交する平坦面である。

【0312】

また、側壁側凹部１６０Ａは、第１側端面１６１ａおよび第２側端面１６１ｂを有する。第１側端面１６１ａは、第２側壁部２１ｂの外面と一方の側面１６１との間に介在しており、Ｚ方向から見て、凸形状の曲面である。なお、第２側壁部２１ｂの外面と他方の側面１６１との間に、第１側端面１６１ａと類似した曲面が介在していてもよい。第２側端面１６１ｂは、第２側壁部２１ｂの内面と他方の側面１６１との間に介在しており、Ｚ方向から見て、凸形状の曲面である。なお、第２側壁部２１ｂの内面と一方の側面１６１との間に、第２側端面１６１ｂと類似した曲面が介在していてもよい。

【0313】

また、通気部１６０の周囲には、ケース２０Ｂと基板表面１１とを固定する接着剤Ｐ４が介在しない部分を有する。これにより、接着剤Ｐ４が通気部１６０に入り込むことが抑制され、通気性能の低下を抑制できる。なお、通気部１６０の数は任意に変更可能である。例えば、複数の通気部１６０が枠２１に設けられてもよい。

【0314】

・ケース２０Ｂを側方から見て、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の形状は任意に変更可能である。
第１例では、図６７に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、一対の側面１６１と天面１６２との間に設けられた一対の湾曲部１６３をさらに有する。一対の湾曲部１６３は、一対の側面１６１と天面１６２とを繋いでいる。なお、一対の湾曲部１６３に代えて、通気部１６０の一対の側面１６１が湾曲状に形成されていてもよい。

【0315】

第２例では、図６８に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、一対の側面１６１および天面１６２に代えて、湾曲面１６４が設けられている。湾曲面１６４は、通気部１６０の幅の中央部に向かうにつれて基板表面１１から離れるように凹む湾曲面である。

【0316】

第３例では、図６９に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、Ｖ溝である。つまり、通気部１６０は、通気部１６０の幅の中央部に向かうにつれて基板表面１１から離れるように傾斜する一対の斜面１６５を有する。一対の斜面１６５は、通気部１６０の幅の中央部において互いに繋がっている。

【0317】

・Ｚ方向から見て、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の形状は任意に変更可能である。
第１例では、図７０に示すように、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）は、第１開口領域Ｓ１の幅寸法が第２開口領域Ｓ２の幅寸法よりも大きくなるように構成されている。換言すると、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）は、第２開口領域Ｓ２の幅寸法が第１開口領域Ｓ１の幅寸法よりも小さくなるように構成されている。図示された例においては、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法は、第１開口領域Ｓ１から第２開口領域Ｓ２に向かうにつれて小さくなる。すなわち、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）は、Ｚ方向から見て、第１開口領域Ｓ１から第２開口領域Ｓ２に向けて小さくなるテーパ状に形成されている。この構成によれば、第２開口領域Ｓ２の幅寸法を小さくすることによって、意図しない物体の進入を一層抑制できる。

【0318】

第２例では、図７１に示すように、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）は、第１開口領域Ｓ１の幅寸法が第２開口領域Ｓ２の幅寸法よりも小さくなるように構成されている。図示された例においては、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法は、第２開口領域Ｓ２から第１開口領域Ｓ１に向かうにつれて小さくなる。すなわち、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）は、Ｚ方向から見て、第２開口領域Ｓ２から第１開口領域Ｓ１に向けて小さくなるテーパ状に形成されている。この構成によれば、第１開口領域Ｓ１の幅寸法を小さくすることによって、意図しない物体の進入を一層抑制できる。

【0319】

第３例では、図７２に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、Ｚ方向から見て、Ｙ方向に沿う直線状に形成されている。これにより、通気部１６０は、Ｙ方向に沿う直線状に形成されている。図示された例においては、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法は一定である。このため、第１開口領域Ｓ１の幅寸法と第２開口領域Ｓ２の幅寸法とは互いに等しい。なお、図７２の側壁側凹部１６０Ａにおいて、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法が変更されてもよい。一例では、通気部１６０（側壁側凹部１６０Ａ）の幅寸法は、第１開口領域Ｓ１から第２開口領域Ｓ２に向かうにつれて小さくなってもよいし、大きくなってもよい。

【0320】

第４例では、図７３に示すように、側壁側凹部１６０Ａは、Ｚ方向から見て、ラビリンス形状（クランク形状）として形成されている。より詳細には、側壁側凹部１６０Ａは、第１開口領域Ｓ１を含む第１凹部１６６と、第２開口領域Ｓ２を含む第２凹部１６７と、第１凹部１６６と第２凹部１６７とを繋ぐ第３凹部１６８と、を有する。図示された例においては、Ｚ方向から見て、第１凹部１６６および第２凹部１６７はそれぞれ、Ｙ方向に沿って延びている。またＺ方向から見て、第１凹部１６６および第２凹部１６７は、Ｘ方向において互いにずれている。第３凹部１６８は、第１凹部１６６および第２凹部１６７と交差する方向に延びており、図示された例においては、Ｘ方向に沿って延びている。これにより、通気部１６０は、ラビリンス形状（クランク形状）として形成されている。換言すると、通気部１６０は、第１凹部１６６と基板表面１１とから形成された第１通気部と、第２凹部１６７と基板表面１１とから形成された第３通気部と、第３凹部１６８と基板表面１１とから形成された第２通気部とを有する。つまり、通気部１６０は、ラビリンス構造として、ケース２０Ｂの側壁部（第２側壁部２１ｂ）の内面から外面に向けて延びる第１通気部と、第１通気部に繋がりかつ第１通気部が延びる方向と交差する方向に延びる第２通気部と、第２通気部に繋がりかつ側壁部（第２側壁部２１ｂ）の内面から外面に向けて延びる第３通気部とを有している。この構成によれば、意図しない物体の進入を一層抑制できる。

【0321】

・図６４～図７３では、通気部１６０は、ケース２０Ｂに設けられた側壁側凹部１６０Ａと基板表面１１とによって構成されていたが、これに限られない。たとえば、以下に示す第１例および第２例のように通気部１６０の構成を変更できる。

【0322】

第１例では、図７４に示すように、基板１０Ｂには、基板側凹部１６０Ｂが設けられている。通気部１６０は、基板側凹部１６０Ｂと枠２１の端面とによって構成されている。図示された例においては、通気部１６０は、基板側凹部１６０Ｂと第２側壁部２１ｂの端面とによって構成されている。

【0323】

基板側凹部１６０Ｂは、基板表面１１から基板裏面１２に向けて凹むように設けられている。換言すると、基板側凹部１６０Ｂは、Ｚ方向において基板表面１１に対して枠２１から離れるように凹んでいる。図示された例においては、基板側凹部１６０Ｂは、絶縁部１３に設けられている。また、図示された例においては、基板側凹部１６０Ｂの形状は、図６６に示す側壁側凹部１６０Ａの形状と対称形状となる。すなわち、基板側凹部１６０Ｂは、互いに離間している一対の側面１６１と、一対の側面１６１を繋ぐ天面１６２とから構成されている。一対の側面１６１は、天面１６２に向かうにつれて互いに近づくようなテーパ状となる斜面である。なお、基板側凹部１６０Ｂの形状は、これに限られず、図６７～図７３に示す側壁側凹部１６０Ａと同様の形状に変更できる。

【0324】

第２例では、図７５に示すように、ケース２０Ｂには側壁側凹部１６０Ａが設けられており、基板１０Ｂには基板側凹部１６０Ｂが設けられている。通気部１６０は、側壁側凹部１６０Ａと基板側凹部１６０Ｂとによって構成されている。ここで、側壁側凹部１６０Ａと基板側凹部１６０Ｂとは互いに対称形状である。なお、側壁側凹部１６０Ａの形状および基板側凹部１６０Ｂの形状はそれぞれ、図７５に例示された構成に限られず、図６７～図７３に示す側壁側凹部１６０Ａと同様の形状に変更できる。この場合、ケース２０Ｂの側方から見た側壁側凹部１６０Ａの形状と基板側凹部１６０Ｂの形状とは互いに対称形状でなくてもよい。

【0325】

・通気部１６０の構成は、図６４～図７５に限られず、ケース２０Ｂと基板１０Ｂとの密着性の差を利用した構成してもよい。具体的には、図７６および図７７に示すように、ケース２０Ｂおよび基板１０Ｂには側壁側凹部１６０Ａおよび基板側凹部１６０Ｂが設けられていない。図７６および図７７に示すケース２０Ｂは、枠２１のＺ方向の端面が枠２１の周方向において第１領域２１ｒａおよび第２領域２１ｒｂに区画されるように構成されている。第１領域２１ｒａは、第２領域２１ｒｂと比較して十分に小さい。第１領域２１ｒａと第２領域２１ｒｂとの表面粗さが互いに異なることによって、接着剤Ｐ４との接合力が相違している。たとえば、第１領域２１ｒａの表面粗さ（Ｒａ）が、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下程度であるのに対し、第２領域２１ｒｂの表面粗さ（Ｒａ）が、１．０μｍ以上２０μｍ以下程度であり、第１領域２１ｒａよりも粗い。接着剤Ｐ４の厚さは、たとえば１５μｍ以上４０μｍ以下程度である。このような第２領域２１ｒｂを形成する方法としては、たとえばサンドブラスト処理等の機械的処理や薬液による化学的処理等が挙げられる。このような処理の一例としては、剥離剤等の薬剤を枠２１の端面の一部に塗布する化学的処理が挙げられる。

【0326】

図７６および図７７に示すように、枠２１のＺ方向の端面の第１領域２１ｒａと接着剤Ｐ４とによって挟まれた部分が通気部１６０を構成している。ただし、半導体発光装置１Ｂが通常の搬送や保管および使用されている状態においては、第１領域２１ｒａにおいても接着剤Ｐ４によってケース２０Ｂと基板１０Ｂとが接合されており、通気部１６０は収容空間２３を外部に通じさせる明瞭な孔等とはなっていない。

【0327】

図７７は、たとえばリフロー炉を用いた半導体発光装置１Ｂの実装工程において収容空間２３の内圧が高まった状態を模式的に示している。収容空間２３の内圧が上昇すると、接着剤Ｐ４からケース２０Ｂを剥離させる力が作用する。この力によって、相対的に接合力が弱い箇所として設定された第１領域２１ｒａの接合箇所に、局所的な剥離が生じる。これにより、通気部１６０が隙間の形態となり、収容空間２３と外部とを通じさせる。なお、図７７においては、理解の便宜上、通気部１６０が明瞭な隙間である形態を示しているが、実際の通気部１６０は、収容空間２３の気体を外部に逃がしうるものであればよい。第１領域２１ｒａと接着剤Ｐ４とがわずかに剥離することによって、収容空間２３の気体を外部に導くことができる。この通気によって収容空間２３の内圧が低下すると、第１領域２１ｒａと接着剤Ｐ４とは再び接触した状態となる。

【0328】

この構成によれば、半導体発光装置１Ｂの信頼性を向上させることができる。また、第１領域２１ｒａを用いた通気部１６０は、通常の使用等の状態においては、塞がった形態である。つまり、第１領域２１ｒａと接着剤Ｐ４とが接触した状態である。このため、水分等の意図しない物体の進入をより確実に抑制できる。また、図７７に示す通気が実現された後は、通気部１６０は、再び塞がった状態となりうる。これにより、これ以降の使用等においても、意図しない物体の進入を抑制できる。

【0329】

・通気部１６０の形成位置および数はそれぞれ任意に変更可能である。
・上述した通気部１６０を第１実施形態に適用する場合、枠２１において基板表面１１とＺ方向に対向する端面に側壁側凹部１６０Ａが設けられる。側壁側凹部１６０Ａは、枠２１の側壁部の内面から外面にわたり形成されている。ここで、側壁部は、枠２１の各側壁部２１ａ～２１ｄのうちの少なくとも１つであればよい。

【0330】

・上述した通気部１６０を各実施形態において仕切壁２４を有する半導体発光装置１，１Ｂに適用する場合、通気部１６０は、第１収容空間２３Ａとケース２０，２０Ｂの外部とを連通する第１通気部と、第２収容空間２３Ｂとケース２０，２０Ｂの外部とを連通する第２通気部と、を有する。第１通気部はたとえば各側壁部２１ａ～２１ｄのうち第１収容空間２３Ａを構成する側壁部に設けられている。第２通気部はたとえば各側壁部２１ａ～２１ｄのうち第２収容空間２３Ｂを構成する側壁部に設けられている。

【0331】

・第２実施形態において、ケース２０Ｂの開口部２２ａの形状は任意に変更可能である。一例では、図７８～図８０に示すように、平面視における開口部２２ａの形状は、正方形であってもよい。図示された例においては、第２実施形態の開口部２２ａに対してＹ方向の長さを長くして正方形の開口部２２ａを構成している。この場合、収容空間２３は、図７９および図８０に示すように、蓋２２のうち開口部２２ａとＹ方向に同じ位置の部分である第１部分２２ｂは、開口部２２ａよりも第２側壁部２１ｂ側の部分である第２部分２２ｃよりも薄い。換言すると、第２部分２２ｃは、第１部分２２ｂよりも厚い。図８０に示すように、第１部分２２ｂは、Ｘ方向において開口部２２ａと隣り合う部分であり、開口部２２ａから第４側壁部２１ｄまでにわたり形成されている。第２部分２２ｃは、Ｘ方向において第３側壁部２１ｃから第４側壁部２１ｄまでにわたり形成されている。なお、平面視における開口部２２ａの形状は、正方形や長方形といった矩形状に限られず、円形、楕円形、長円形等であってもよい。

【0332】

・各実施形態において、半導体発光素子８０および電子部品１００を収容する構成は任意に変更可能である。一例では、半導体発光装置１においては、ケース２０に代えて、封止樹脂によって半導体発光素子８０および電子部品１００を封止してもよい。また、半導体発光装置１Ｂにおいては、ケース２０Ｂに代えて、封止樹脂によって半導体発光素子８０、電子部品１００およびキャパシタ１２０を封止してもよい。

【0333】

具体例として、図８１に示すように、半導体発光装置１Ｂは、半導体発光素子８０、電子部品１００およびキャパシタ１２０を封止する透光性の封止樹脂１７０を備える。封止樹脂１７０は、直方体状に形成されている。封止樹脂１７０は、電気絶縁性を有する樹脂材料からなる。封止樹脂１７０は、上面１７１および側面１７２を有する。上面１７１において、半導体発光素子８０とＺ方向に対向する部分には、複数の凹部１７１ａが形成されている。複数の凹部１７１ａは、たとえばＸ方向およびＹ方向に互いに離間して配列されている。これにより、半導体発光素子８０からの光が拡散される。

【0334】

封止樹脂１７０のうちＹ方向における半導体発光素子８０と電子部品１００との間の部分には切欠部１７３が形成されている。切欠部１７３には、遮光壁１７４が設けられている。一例では、遮光壁１７４は、切欠部１７３に遮光性の材料が充填されることによって形成されている。遮光性の材料の一例は、有色の樹脂材料である。この構成によれば、半導体発光素子８０からの光が電子部品１００に照射されることが抑制されるため、電子部品１００の誤動作の発生を抑制できる。なお、Ｚ方向から見て、切欠部１７３および遮光壁１７４の形状はそれぞれ、たとえば図６１または図６２に示す仕切壁２４と同じ形状である。なお、切欠部１７３に遮光性の材料を充填して遮光壁１７４を形成する構成に代えて、たとえば、予め板状に形成された遮光壁１７４が切欠部１７３に挿入される構成であってもよい。

【0335】

別例として、図８２に示すように、半導体発光装置１Ｂは、枠１８０を備えている。枠１８０は、半導体発光素子８０と電子部品１００とを区画するように構成されている。枠１８０は、たとえば遮光性の材料からなる。一例では、枠１８０は、有色の樹脂材料からなる。枠１８０は、半導体発光素子８０を収容する第１収容部１８１と、電子部品１００を収容する第２収容部１８２とに仕切る仕切壁１８３を有する。図示された例においては、仕切壁１８３は、枠１８０と同じ材料からなり、枠１８０と一体に形成される。第１収容部１８１には第１封止樹脂１９０Ａが充填されており、第２収容部１８２には第２封止樹脂１９０Ｂが充填されている。図示された例においては、各封止樹脂１９０Ａ，１９０Ｂはともに透光性の樹脂である。第１封止樹脂１９０Ａの材料と第２封止樹脂１９０Ｂの材料とは同じである。なお、第１封止樹脂１９０Ａの材料と第２封止樹脂１９０Ｂの材料とは互いに異ならせてもよい。一例では、第２封止樹脂１９０Ｂは、遮光性の材料を充填してもよい。一例では、第２封止樹脂１９０Ｂは遮光性の樹脂材料が用いられる。なお、Ｚ方向から見て、仕切壁１８３の形状は、たとえば図６１または図６２に示す仕切壁２４と同じ形状である。また、第１封止樹脂１９０Ａを省略してもよい。

【0336】

半導体発光装置１Ｂは、第１収容部１８１をＺ方向から覆うように光拡散板１３０が枠１８０に取り付けられている。光拡散板１３０は、枠１８０の一部と仕切壁１８３によって支持されている。この構成によれば、仕切壁１８３によって半導体発光素子８０からの光が電子部品１００に照射されることが抑制されるため、電子部品１００の誤動作の発生を抑制できる。

【0337】

・第２実施形態において、電子部品１００を覆う封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１の少なくとも一方を省略してもよい（たとえば図６３参照）。
・第１実施形態において、電子部品１００を覆う封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１の少なくとも一方を追加してもよい。

【0338】

・第２実施形態において、電子部品１００を第２共通コンタクト表面部３０ｄに接続する導電性接合材Ｐ２のうちの電子部品１００からはみだした部分のみにコーティング剤１４１を塗布してもよい。これにより、導電性接合材Ｐ２の硫化を抑制できる。なお、第１実施形態においても導電性接合材Ｐ２のうちの電子部品１００からはみだした部分のみにコーティング剤１４１を塗布してもよい。

【0339】

・第２実施形態において、共通導電部３０Ｂから一対の凹部３５ｂのうち一方を省略してもよい。また、共通導電部３０Ｂから一対の凹部３５ｃのうち一方を省略してもよい。また、共通導電部３０Ｂから凹部３５ａ、一対の凹部３５ｂ、一対の凹部３５ｃ、凹部３５ｄおよび凹部３５ｅのうち少なくとも１つを省略してもよい。

【0340】

・第２実施形態において、制御導電部７０Ｂに少なくとも１つの凹部を設けてもよい。凹部は、凹部３５ａ等と同じ構成である。
・第２実施形態において、第１共通コンタクト裏面部３０ｅと第２共通コンタクト裏面部３０ｆとは繋がっていてもよい。すなわち、共通導電部３０Ｂから凹部３５ｆを省略してもよい。この構成によれば、共通コンタクト裏面３０ｂが大きくなるため、半導体発光素子８０および電子部品１００の放熱性の向上を図ることができる。

【0341】

・第２実施形態において、共通導電部３０Ｂのうち半導体発光素子８０と電子部品１００との間の部分に、共通コンタクト表面３０ａからＺ方向の基板裏面１２側に向けて凹む溝を設けてもよい。一例では、溝は、Ｘ方向において共通導電部３０Ｂを貫通している。また溝には、絶縁部１３が入り込んでいない。この場合、共通導電部３０Ｂから凹部３５ｆを省略してもよい。この構成によれば、封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１が半導体発光素子８０の発光領域９０に進入することを抑制できる。なお、溝は、Ｘ方向において共通導電部３０Ｂを貫通しなくてもよい。また溝の個数は任意に変更可能であり、複数の溝が共通導電部３０Ｂに設けられてもよい。

【0342】

・第２実施形態において、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅと第２駆動コンタクト裏面部６０ｆとは繋がっていてもよい。すなわち、駆動導電部６０Ｂから凹部６５ａを省略してもよい。

【0343】

・第２実施形態において、第１共通コンタクト表面部３０ｃに対する半導体発光素子８０のＹ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＹ方向の中央部に配置されてもよいし、第１共通コンタクト表面部３０ｃにおいて第１側壁部２１ａ寄りに配置されてもよい。また、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃにおいて、素子コンタクト表面５０ａに対してＹ方向にはみ出さないように配置されてもよい。

【0344】

・第２実施形態において、第１共通コンタクト表面部３０ｃに対する半導体発光素子８０のＸ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのＸ方向の中央部に配置されてもよいし、第１共通コンタクト表面部３０ｃにおいて第３側壁部２１ｃ寄りに配置されてもよい。

【0345】

・第２実施形態において、第２共通コンタクト表面部３０ｄに対する電子部品１００のＹ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、電子部品１００は、第２共通コンタクト表面部３０ｄのＹ方向の中央部に配置されてもよいし、第２共通コンタクト表面部３０ｄにおいて第２側壁部２１ｂ寄りに配置されてもよい。

【0346】

・第２実施形態において、第２共通コンタクト表面部３０ｄに対する電子部品１００のＸ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、電子部品１００は、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうち第２駆動コンタクト表面部６０ｄ寄りに配置されてもよいし、第２共通コンタクト表面部３０ｄのうち制御コンタクト表面７０ａ寄りに配置されてもよい。

【0347】

・第２実施形態において、半導体発光素子８０および電子部品１００はＸ方向において揃った状態でＹ方向において互いに離間して配置されてもよい。
・第２実施形態において、キャパシタ１２０は、Ｘ方向から見て、電子部品１００と重なるように配置されてもよい。

【0348】

・第２実施形態において、半導体発光装置１Ｂが内蔵するキャパシタ１２０の個数は任意に変更可能である。たとえば半導体発光装置１Ｂは、複数のキャパシタ１２０を備えていてもよい。

【0349】

・第２実施形態において、複数のコンタクト表面３０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの形状は任意に変更可能である。たとえば、共通コンタクト表面３０ａの大きさを素子コンタクト表面５０ａよりも小さくしてもよい。また、駆動コンタクト表面６０ａおよび制御コンタクト表面７０ａを素子コンタクト表面５０ａよりも大きくしてもよい。また、複数のコンタクト表面３０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの大きさをすべて同一にしてもよいし、一部を同一として残りを異ならせてもよい。さらに、複数のコンタクト表面３０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの少なくとも１つを楕円形状や円形状にしてもよい。

【0350】

・第２実施形態において、第１共通コンタクト表面部３０ｃの大きさは任意に変更可能である。一例では、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、駆動コンタクト表面６０ａと等しい、又は駆動コンタクト表面６０ａよりも小さくてもよい。別例では、第１共通コンタクト表面部３０ｃは、素子コンタクト表面５０ａおよび制御コンタクト表面７０ａのうち少なくとも一方と等しい、又は素子コンタクト表面５０ａおよび制御コンタクト表面７０ａのうち少なくとも一方よりも小さくてもよい。

【0351】

・第２実施形態において、第２共通コンタクト表面部３０ｄの大きさは任意に変更可能である。一例では、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、駆動コンタクト表面６０ａと等しい、又は駆動コンタクト表面６０ａよりも小さくてもよい。別例では、第２共通コンタクト表面部３０ｄは、素子コンタクト表面５０ａおよび制御コンタクト表面７０ａのうち少なくとも一方と等しい、又は素子コンタクト表面５０ａおよび制御コンタクト表面７０ａのうち少なくとも一方よりも小さくてもよい。

【0352】

・第２実施形態において、第１駆動コンタクト表面部６０ｃの大きさは任意に変更可能である。一例では、第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、素子コンタクト表面５０ａと等しい、又は素子コンタクト表面５０ａよりも大きくてもよい。別例では、第１駆動コンタクト表面部６０ｃは、制御コンタクト表面７０ａと等しい、又は制御コンタクト表面７０ａよりも小さくてもよい。

【0353】

・第２実施形態において、第２駆動コンタクト表面部６０ｄの大きさは任意に変更可能である。一例では、第２駆動コンタクト表面部６０ｄは、素子コンタクト表面５０ａと等しい、又は素子コンタクト表面５０ａよりも大きくてもよい。別例では、第２駆動コンタクト表面部６０ｄは、制御コンタクト表面７０ａと等しい、又は制御コンタクト表面７０ａよりも小さくてもよい。

【0354】

・第２実施形態において、複数のコンタクト裏面３０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂの形状は任意に変更可能である。たとえば、共通コンタクト裏面３０ｂの大きさを素子コンタクト裏面５０ｂよりも小さくしてもよい。また、駆動コンタクト裏面６０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂを素子コンタクト裏面５０ｂよりも大きくしてもよい。また、複数のコンタクト裏面３０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂの大きさをすべて同一にしてもよいし、一部を同一として残りを異ならせてもよい。さらに、複数のコンタクト裏面３０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂの少なくとも１つを楕円形状や円形状にしてもよい。

【0355】

・第２実施形態において、第１共通コンタクト裏面部３０ｅの大きさは任意に変更可能である。一例では、第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、駆動コンタクト裏面６０ｂと等しい、又は駆動コンタクト裏面６０ｂよりも小さくてもよい。別例では、第１共通コンタクト裏面部３０ｅは、素子コンタクト裏面５０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂのうち少なくとも一方と等しい、又は素子コンタクト裏面５０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂのうち少なくとも一方よりも小さくてもよい。

【0356】

・第２実施形態において、第２共通コンタクト裏面部３０ｆの大きさは任意に変更可能である。一例では、第２共通コンタクト裏面部３０ｆは、駆動コンタクト裏面６０ｂと等しい、又は駆動コンタクト裏面６０ｂよりも小さくてもよい。別例では、第２共通コンタクト裏面部３０ｆは、素子コンタクト裏面５０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂのうち少なくとも一方と等しい、又は素子コンタクト裏面５０ｂおよび制御コンタクト裏面７０ｂのうち少なくとも一方よりも小さくてもよい。

【0357】

・第２実施形態において、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅの大きさは任意に変更可能である。一例では、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、素子コンタクト裏面５０ｂと等しい、又は素子コンタクト裏面５０ｂよりも大きくてもよい。別例では、第１駆動コンタクト裏面部６０ｅは、制御コンタクト裏面７０ｂと等しい、又は制御コンタクト裏面７０ｂよりも小さくてもよい。

【0358】

・第２実施形態において、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆの大きさは任意に変更可能である。一例では、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆは、素子コンタクト裏面５０ｂと等しい、又は素子コンタクト裏面５０ｂよりも大きくてもよい。別例では、第２駆動コンタクト裏面部６０ｆは、制御コンタクト裏面７０ｂと等しい、又は制御コンタクト裏面７０ｂよりも小さくてもよい。

【0359】

・第２実施形態において、共通導電部３０Ｂからフランジ３６を省略してもよい。また素子導電部５０Ｂからフランジ５６を省略してもよい。また駆動導電部６０Ｂからフランジ６６を省略してもよい。また制御導電部７０Ｂからフランジ７６を省略してもよい。

【0360】

・第２実施形態において、半導体発光装置１Ｂから光拡散板１３０を省略してもよい。
・第２実施形態において、半導体発光素子８０の基板表面１１からの高さおよび電子部品１００の基板表面１１からの高さはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、電子部品１００の基板表面１１からの高さは、半導体発光素子８０の基板表面１１からの高さ以上であってもよい。

【0361】

・第２実施形態において、共通導電部３０Ｂに対するフランジ３６のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、フランジ３６は、共通コンタクト表面３０ａよりも共通コンタクト裏面３０ｂ側に形成されてもよい。またフランジ３６は、共通コンタクト裏面３０ｂと面一となるように形成されてもよい。

【0362】

・第２実施形態において、素子導電部５０Ｂに対するフランジ５６のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、フランジ５６は、素子コンタクト表面５０ａよりも素子コンタクト裏面５０ｂ側に形成されてもよい。またフランジ５６は、素子コンタクト裏面５０ｂと面一となるように形成されてもよい。

【0363】

・第２実施形態において、駆動導電部６０Ｂに対するフランジ６６のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、フランジ６６は、駆動コンタクト表面６０ａよりも駆動コンタクト裏面６０ｂ側に形成されてもよい。またフランジ６６は、駆動コンタクト裏面６０ｂと面一となるように形成されてもよい。

【0364】

・第２実施形態において、キャパシタ１２０の個数は任意に変更可能である。一例では、半導体発光装置１Ｂは、２個のキャパシタ１２０を備える。
・第２実施形態において、制御導電部７０Ｂに対するフランジ７６のＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、フランジ７６は、制御コンタクト表面７０ａよりも制御コンタクト裏面７０ｂ側に形成されてもよい。またフランジ７６は、制御コンタクト裏面７０ｂと面一となるように形成されてもよい。

【0365】

・第２実施形態において、基板１０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、半導体発光装置１Ｂは、リードフレームからなる基板に代えて、第１実施形態の基板１０のように、絶縁性材料からなる基板を備えていてもよい。この場合、基板は、たとえばアルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミックスでもよいし、シリコン基板でもよいし、ガラスエポキシ等であってもよい。この基板に設けられる共通導電部３０Ｂ、素子導電部５０Ｂ、駆動導電部６０Ｂおよび制御導電部７０Ｂは、たとえば基板表面に形成された表面導電層と、基板裏面に形成された裏面導電層と、表面導電層と裏面導電層とを電気的に接続する連絡部と、を含む。

【0366】

・上記各実施形態において、共通導電部３０Ｂのコンタクト表面部３０ａにおける半導体発光素子８０および電子部品１００の配置位置は任意に変更可能である。一例では、図８３に示すように、半導体発光素子８０および電子部品１００がそれぞれ、共通導電部３０Ｂの第１コンタクト表面部３０ｃに配置されていてもよい。図示された例においては、Ｘ方向から視て、半導体発光素子８０および電子部品１００の双方がキャパシタ１２０と重なる位置に配置されている。

【0367】

半導体発光素子８０は、Ｙ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち端部３１ｂの近くに配置されている。半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち素子導電部５０ＢとＸ方向に対向する部分に配置されている。図示された例においては、半導体発光素子８０は、Ｙ方向において素子導電部５０Ｂと駆動導電部６０Ｂとの間の絶縁部１３よりも第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち端部３１ｂの近くに配置されている。この場合、各ワイヤＷ１は、上方から視て、Ｘ方向に延びている。また、半導体発光素子８０は、Ｘ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち素子導電部５０Ｂ寄りに配置されている。

【0368】

電子部品１００は、Ｙ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち第２共通コンタクト表面部３０ｄの近くの端部に配置されている。より詳細には、電子部品１００は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち駆動導電部６０Ｂの第１駆動コンタクト表面部６０ｃとＸ方向に対向する部分に配置されている。この場合、各ワイヤＷ２は、第１駆動コンタクト表面部６０ｃに接続されている。また、電子部品１００は、Ｙ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち駆動導電部６０Ｂ寄りに配置されている。またワイヤＷ３は、制御導電部７０ＢのＹ方向の両端部のうち第１コンタクト表面部３０ｃの近い方の端部に接続されている。

【0369】

なお、Ｘ方向から視て、半導体発光素子８０は、その一部がキャパシタ１２０よりも共通導電部３０Ｂの端部３１ｂの近くにはみ出すように配置されていてもよい。また、電子部品１００の一部がＹ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃから第２共通コンタクト表面部３０ｄにはみ出すように配置されていてもよい。

【0370】

図８３に示す構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路と、電子部品１００とキャパシタ１２０との導電経路とをそれぞれ短くすることができる。したがって、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路に基づく寄生容量と、電子部品１００とキャパシタ１２０との導電経路に基づく寄生容量とをそれぞれ低減できる。

【0371】

・上記各実施形態において、電子部品１００の構成は任意に変更可能である。一例では、図８４に示すように、電子部品１００の第１駆動電極１０１および第２駆動電極１０３はそれぞれ、電子部品１００の下面１００ｂに形成されている。制御電極１０２は、電子部品１００の上面１００ａに形成されている。電子部品１００の第１駆動電極１０１および第２駆動電極１０３は、Ｙ方向において互いに揃った状態でＸ方向において離間して配列されている。なお、図８４では、説明の便宜上、封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１を省略して示している。

【0372】

図８４に示すとおり、電子部品１００が共通導電部３０Ｂの共通コンタクト表面３０ａおよび駆動導電部６０Ｂの駆動コンタクト表面６０ａにフリップチップ実装されていてもよい。この場合、電子部品１００は、共通導電部３０Ｂと駆動導電部６０Ｂとの間の絶縁部１３を跨るように配置されている。第１駆動電極１０１は、Ｚ方向において共通導電部３０Ｂの第１共通コンタクト表面部３０ｃに対面しており、第２駆動電極１０３は、Ｚ方向において駆動導電部６０Ｂの第１駆動コンタクト表面部６０ｃに対面している。

【0373】

より詳細には、第１駆動電極１０１は、Ｚ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち駆動導電部６０Ｂの第１駆動コンタクト表面部６０ｃとＸ方向に対向する部分に接合されている。第２駆動電極１０３は、第１駆動コンタクト表面部６０ｃのＸ方向の両端部のうち第１共通コンタクト表面部３０ｃに近い方の端部に接合されている。

【0374】

このような電子部品１００の配置にともない、半導体発光素子８０は、Ｙ方向において共通コンタクト表面３０ａのうち端部３１ｂの近くに配置されている。より詳細には、半導体発光素子８０は、第１共通コンタクト表面部３０ｃのうち素子導電部５０ＢとＸ方向に対向する部分に配置されている。

【0375】

図８４に示す構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路と、電子部品１００とキャパシタ１２０との導電経路とをそれぞれ短くすることができる。したがって、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路に基づく寄生容量と、電子部品１００とキャパシタ１２０との導電経路に基づく寄生容量とをそれぞれ低減できる。加えて、電子部品１００が共通コンタクト表面３０ａと駆動コンタクト表面６０ａにフリップ実装されるため、第１駆動電極１０１が複数本のワイヤＷ２によって駆動コンタクト表面６０ａに接続される構成と比較して、電子部品１００と駆動コンタクト表面６０ａとの間の寄生容量を低減できる。

【0376】

・図８４の変更例において、キャパシタ１２０の容積を小型化してもよい。これにより、図８５に示すように、キャパシタ１２０を半導体発光素子８０および電子部品１００に近づけてもよい。より詳細には、キャパシタ１２０の第１電極１２１は、半導体発光素子８０の複数のワイヤＷ１のうち駆動導電部６０Ｂ寄りの端部のワイヤＷ１とＸ方向に隣り合っている。キャパシタ１２０の第２電極１２２は、電子部品１００とＸ方向において隣り合っている。なお、図８５では、説明の便宜上、封止樹脂１４０およびコーティング剤１４１を省略して示している。

【0377】

図８５に示す構成によれば、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路と、半導体発光素子８０とキャパシタ１２０との導電経路と、電子部品１００とキャパシタ１２０との導電経路とをそれぞれ短くすることができる。したがって、半導体発光素子８０と電子部品１００との導電経路に基づく寄生容量と、半導体発光素子８０とキャパシタ１２０との導電経路に基づく寄生容量と、電子部品１００とキャパシタ１２０との導電経路に基づく寄生容量とをそれぞれ低減できる。

【0378】

・図８３～図８５の変更例において、半導体発光素子８０の第１電極９１および第２電極９２が半導体発光素子８０の下面８０ｂに形成されてもよい。第１電極９１および第２電極９２は、たとえばＹ方向において互いに揃った状態でＸ方向において離間して配列されている。この場合、半導体発光素子８０は、共通導電部３０Ｂの共通コンタクト表面３０ａおよび素子導電部５０Ｂの素子コンタクト表面５０ａにフリップチップ実装されている。このため、半導体発光素子８０は、共通導電部３０Ｂと素子導電部５０Ｂとの間の絶縁部１３を跨るように配置されている。第１電極９１は、Ｚ方向において素子導電部５０Ｂの素子コンタクト表面５０ａに対面しており、第２電極９２は、Ｚ方向において第１共通コンタクト表面部３０ｃに対面している。

【0379】

〔付記〕
上記実施形態および上記変更例から把握することができる技術的思想について以下に記載する。

【0380】

（付記Ａ１）絶縁性材料で構成された基板と、
前記基板の表面上に形成された共通表面導電層と、
前記共通表面導電層の表面で構成された共通コンタクト表面上に配置された半導体発光素子と、
前記共通コンタクト表面上に配置され、前記共通表面導電層を介して前記半導体発光素子と電気的に接続された電子部品と、
を備えている半導体発光装置。

【0381】

（付記Ａ２）導電性材料で構成された基板と、
前記基板の表面で構成された共通コンタクト表面を有し、前記基板の一部で構成された共通導電部と、
前記共通コンタクト表面上に配置された半導体発光素子と、
前記共通コンタクト表面上に配置され、前記共通導電部を介して前記半導体発光素子と電気的に接続された電子部品と、
を備えている半導体発光装置。

【0382】

（付記Ａ３）半導体発光装置が搭載されている電子機器。
（付記Ｂ１）前記基板における前記枠の側壁部と接触する基板側接触面には、前記基板側接触面から下方に凹み、かつ、前記ケースの側壁部の内面から外面までにわたり形成されている基板側凹部が設けられており、
前記通気部は、前記枠の側壁部と前記基板側凹部とによって構成されている、請求項６０に記載の半導体発光装置。

【0383】

（付記Ｂ２）前記枠の側壁部における前記基板と接触する側壁側接触面には、前記側壁側接触面から上方に凹み、かつ、前記側壁部の内面から外面までにわたり形成されている側壁側凹部が設けられており、
前記基板における前記枠の側壁部と接触する基板側接触面には、前記基板側接触面から下方に凹み、かつ、前記枠の側壁部の内面から外面までにわたり形成されている基板側凹部が設けられており、
前記通気部は、前記側壁側凹部と前記基板側凹部とによって構成されている請求項６０に記載の半導体発光装置。

【0384】

（付記Ｂ３）前記通気部は、ラビリンス構造として構成されている請求項６０、付記Ｂ１および付記Ｂ２のうちいずれか一つに記載の半導体発光装置。
（付記Ｂ４）前記ラビリンス構造として、前記通気部は、前記枠の側壁部の内面から外面に向けて延びる第１通気部と、前記第１通気部に繋がりかつ前記第１通気部が延びる方向と交差する方向に延びる第２通気部と、前記第２通気部に繋がりかつ前記内面から前記外面に向けて延びる第３通気部とを有している、付記Ｂ３に記載の半導体発光装置。

【0385】

（付記Ｂ５）前記平面方向と垂直な方向から見て、前記通気部は、前記枠の側壁部が延びる方向と直交する方向に対して傾いた方向に延びている、請求項６０、付記Ｂ１および付記Ｂ２のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【0386】

（付記Ｂ６）前記平面方向から見て、前記通気部は、前記枠の側壁部が延びる方向に沿って延びている、請求項６０、付記Ｂ１および付記Ｂ２のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【0387】

（付記Ｂ７）前記側壁側凹部が前記枠の側壁部の内面に開口する内側開口領域は、前記側壁側凹部が前記枠の側壁部の外面に開口する外側開口領域よりも小さい、請求項６０、付記Ｂ１および付記Ｂ２のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【0388】

（付記Ｂ８）前記側壁側凹部が前記枠の側壁部の内面に開口する内側開口領域は、前記側壁側凹部が前記枠の側壁部の外面に開口する外側開口領域よりも大きい、請求項６０、付記Ｂ１および付記Ｂ２のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【0389】

（付記Ｂ９）前記側壁側凹部が前記枠の側壁部の内面に開口する内側開口領域は、前記側壁側凹部が前記枠の側壁部の外面に開口する外側開口領域と等しい、請求項６０、付記Ｂ１および付記Ｂ２のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。

【0390】

（付記Ｂ１０）前記枠は、前記基板表面の周縁よりも内側に配置されており、
前記基板の平面方向に垂直な方向から見て、前記共通導電部、前記制御導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部のうち少なくとも１つには、前記枠よりも外側に延びる突出部が設けられている、請求項３９に記載の半導体発光装置。

【0391】

（付記Ｃ１）電子部品は、第１駆動電極および第２駆動電極が形成された下面を有し、
前記第２駆動電極は、前記共通導電部に接合されており、
前記基板には、前記第１駆動電極と対面した状態で接合された駆動コンタクト表面を有する駆動導電部を有している、請求項１又は請求項２に記載の半導体発光装置。

【0392】

（付記Ｃ２）前記半導体発光素子と前記電子部品とは所定の方向に配列されており、
前記共通導電部は、前記半導体発光素子と前記電子部品との配列方向に延びた共通コンタクト表面を有し、
前記基板の平面方向において、前記半導体発光素子と前記電子部品との配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記共通コンタクト表面は、前記第１方向において配列された第１共通コンタクト表面部および第２共通コンタクト表面部を有し、
前記駆動コンタクト表面は、前記第２方向において前記第１コンタクト表面と隣り合うように配置されており、
前記半導体発光素子および前記電子部品は、前記第１共通コンタクト表面に配置されている、付記Ｃ１に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１）
基板と、
前記基板に形成された共通導電部と、
前記共通導電部に搭載された半導体発光素子と、
前記共通導電部に搭載され、前記共通導電部を介して前記半導体発光素子と電気的に接続された電子部品と、
を備えている半導体発光装置。
（付記Ｄ２）
前記電子部品は、前記半導体発光素子を駆動するのに用いられるものである付記Ｄ１に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３）
前記半導体発光素子の下面には素子下面電極が形成されており、
前記電子部品は、第１駆動電極および制御電極が形成された上面と、第２駆動電極が形成された下面と、を有し、
前記素子下面電極と前記第２駆動電極とが前記共通導電部に接合されている、
付記Ｄ２に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４）
前記半導体発光素子と前記電子部品とは所定の方向に配列されており、
前記共通導電部は、前記半導体発光素子と前記電子部品との配列方向に延びた共通コンタクト表面を有し、
前記半導体発光素子と前記電子部品とは、前記共通コンタクト表面上に配置されている、
付記Ｄ３に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５）
前記基板には、
ワイヤによって前記第１駆動電極と電気的に接続される駆動コンタクト表面を有する駆動導電部と、
ワイヤによって前記制御電極と電気的に接続される制御コンタクト表面を有する制御導電部と、が形成されており、
前記基板の平面方向において、前記配列方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とすると、
前記駆動導電部および前記制御導電部は、前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の両側に分散して配置されている、
付記Ｄ４に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６）
前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面は、前記電子部品に対して前記第２方向の両側に分散して配置されている付記Ｄ５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７）
前記共通コンタクト表面は、前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面よりも大きい、付記Ｄ５又は付記Ｄ６に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ８）
前記半導体発光素子の上面には素子上面電極が形成されており、
前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の一方側には、前記素子上面電極と電気的に接続される素子コンタクト表面を有する素子導電部が形成されており、前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の他方側には、前記共通導電部と電気的に接続される接続導電部が形成されており、
前記接続導電部は、前記共通コンタクト表面における前記第２方向の両端部のうち前記素子導電部側とは反対側の端部から前記第２方向に突出した接続コンタクト表面を有している、
付記Ｄ６又は付記Ｄ７に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ９）
前記素子導電部と前記駆動導電部とは、前記共通コンタクト表面に対する前記第２方向の両側のうち同一方向側に配置されている付記Ｄ８に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１０）
前記素子コンタクト表面と前記駆動コンタクト表面との間に跨るように配置されたキャパシタを備えている付記Ｄ９に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１１）
前記接続導電部は、前記基板の裏面における前記接続コンタクト表面とは反対側の位置にある接続コンタクト裏面を有し、
前記素子導電部は、前記基板の裏面における前記素子コンタクト表面とは反対側の位置にある素子コンタクト裏面を有し、
前記駆動導電部は、前記基板の裏面における前記駆動コンタクト表面とは反対側の位置にある駆動コンタクト裏面を有し、
前記制御導電部は、前記基板の裏面における前記制御コンタクト表面とは反対側の位置にある制御コンタクト裏面を有する、
付記Ｄ８～Ｄ１０のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１２）
前記素子コンタクト裏面は、前記駆動コンタクト裏面および前記制御コンタクト裏面よりも大きい付記Ｄ１１に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１３）
前記共通導電部は、前記基板の裏面における前記共通コンタクト表面とは反対側の位置にある共通コンタクト裏面を有する付記Ｄ１１又は付記Ｄ１２に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１４）
前記共通コンタクト裏面と前記接続コンタクト裏面とは離間している付記Ｄ１３に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１５）
前記共通コンタクト裏面は、前記接続コンタクト裏面、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面および前記制御コンタクト裏面よりも大きい付記Ｄ１３又は付記Ｄ１４に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１６）
前記基板は、絶縁性材料で構成されており、
前記共通コンタクト表面、前記接続コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面、および前記制御コンタクト表面は、前記基板の表面に形成された導電層の表面であり、
前記接続コンタクト裏面、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面、および前記制御コンタクト裏面は、前記基板の裏面に形成された導電層の表面である、
付記Ｄ１１～Ｄ１５のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１７）
前記基板は、導電性材料で構成されており、
前記共通導電部、前記接続導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部は、絶縁部によって互いに絶縁された状態で区画された基板の一部であり、
前記共通コンタクト表面、前記接続コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面、および前記制御コンタクト表面は、前記基板の表面で構成されており、
前記接続コンタクト裏面、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面、および前記制御コンタクト裏面は、前記基板の裏面で構成されている、
付記Ｄ１１～Ｄ１５のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１８）
前記共通導電部、前記接続導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部の少なくとも１つの周縁部には、前記基板の平面方向と直交する方向に凹む凹部が設けられており、
前記凹部には前記絶縁部が入り込んでいる、付記Ｄ１７に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ１９）
前記凹部は、前記共通コンタクト表面、前記接続コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面の少なくとも１つの周縁部に設けられている、付記Ｄ１８に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２０）
前記共通導電部、前記接続導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部の少なくとも１つの周縁部には、フランジが設けられており、
前記基板の平面方向に垂直な方向における前記フランジと前記基板において前記半導体発光素子が搭載される側の面とは反対側の基板裏面との間には、前記絶縁部が入り込んでいる、付記Ｄ１７～Ｄ１９のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２１）
前記共通コンタクト表面は、
前記半導体発光素子が搭載された第１共通コンタクト表面部と、
前記電子部品が搭載された第２共通コンタクト表面部と、を有し、
前記第２共通コンタクト表面部は、前記第２方向において前記駆動導電部と前記制御導電部との間に配置されており、前記第１共通コンタクト表面部よりも前記第２方向の一方側に延びており、
前記第１共通コンタクト表面部は、前記第２共通コンタクト表面部から前記第１方向に延びており、
前記半導体発光素子は、前記第１共通コンタクト表面部のうち前記第２共通コンタクト表面部寄りに配置されている、付記Ｄ５～Ｄ７のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２２）
前記半導体発光素子の上面には素子上面電極が形成されており、
前記共通コンタクト表面に対して前記第２方向の一方側には、前記素子上面電極と電気的に接続される素子コンタクト表面を有する素子導電部が形成されており、
前記第１共通コンタクト表面部に対して前記第２方向の一方側に前記素子導電部が設けられており、
前記半導体発光素子の少なくとも一部は、前記第１共通コンタクト表面部における前記素子コンタクト表面よりも前記電子部品に近い位置に配置されており、
前記素子上面電極と前記素子コンタクト表面とを接続するワイヤが形成されており、
平面視において、前記ワイヤは、前記素子上面電極から前記素子コンタクト表面に向かうにつれて前記電子部品から離れるように斜めに延びている、付記Ｄ２１に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２３）
前記半導体発光素子と前記電子部品とは、前記電子部品が前記半導体発光素子よりも前記第２方向の一方側にずれた状態で前記第１方向に配列されている、付記Ｄ２２に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２４）
前記素子コンタクト表面と前記駆動コンタクト表面との間に跨るように配置されたキャパシタを備えており、
前記駆動コンタクト表面は、
前記キャパシタが配置される第１駆動コンタクト表面部と、
ワイヤによって前記第１駆動電極と電気的に接続される第２駆動コンタクト表面部と、を有し、
前記第１駆動コンタクト表面部は、前記第２駆動コンタクト表面部に対して前記素子コンタクト表面側に配置されており、
前記第１駆動コンタクト表面部は、前記第２方向に向けて延びており、
前記第２駆動コンタクト表面部は、前記第１方向に向けて延びている、
付記Ｄ２２又は付記Ｄ２３に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２５）
前記第２駆動コンタクト表面部は、前記第１駆動コンタクト表面部よりも前記第２方向の長さが短くなるように前記第１駆動コンタクト表面部に対して凹んでおり、
前記第１共通コンタクト表面部は、前記第２方向において前記第１駆動コンタクト表面部と対向しており、
前記第２共通コンタクト表面部は、前記第１駆動コンタクト表面部と前記第２駆動コンタクト表面部とによって区画される凹み領域内に入り込んでおり、前記第２方向において前記第２駆動コンタクト表面部と対向している、付記Ｄ２４に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２６）
前記第１駆動電極と前記第２駆動コンタクト表面部とは、複数本の前記ワイヤによって接続されており、
前記複数本のワイヤは、前記基板の平面方向に垂直な方向から見て、前記第１方向に配列されている、付記Ｄ２４又は付記Ｄ２５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２７）
前記複数本のワイヤにおける最も離れた２本のワイヤは、前記基板の平面方向に垂直な方向から見て、前記第１駆動電極側よりも前記第２駆動コンタクト表面部側の方が離れるように前記第１駆動電極と前記第２駆動コンタクト表面部とに接続されている、付記Ｄ２６に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２８）
前記半導体発光素子と前記電子部品とは、前記電子部品が前記半導体発光素子よりも前記第２方向の一方側にずれた状態で前記第１方向に配列されており、
前記キャパシタは、前記半導体発光素子に対して前記第２方向の一方側に配置されている、付記Ｄ２４～Ｄ２７のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ２９）
前記キャパシタは、前記電子部品に対して前記第１方向の一方側に配置されており、前記第２方向から見て、前記電子部品とは重なっていない、付記Ｄ２８に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３０）
前記第１共通コンタクト表面部は、前記第２共通コンタクト表面部よりも前記第２方向の一方側とは反対側に延びており、
前記制御コンタクト表面は、前記第１共通コンタクト表面部と前記第２共通コンタクト表面部とによって囲まれた領域内に形成されている、付記Ｄ２２～Ｄ２９のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３１）
前記共通導電部は、前記基板の裏面における前記共通コンタクト表面とは反対側の位置にある共通コンタクト裏面を有し、
前記素子導電部は、前記基板の裏面における前記素子コンタクト表面とは反対側の位置にある素子コンタクト裏面を有し、
前記駆動導電部は、前記基板の裏面における前記駆動コンタクト表面とは反対側の位置にある駆動コンタクト裏面を有し、
前記制御導電部は、前記基板の裏面における前記制御コンタクト表面とは反対側の位置にある制御コンタクト裏面を有する、
付記Ｄ２２～Ｄ３０のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３２）
前記素子コンタクト裏面は、前記駆動コンタクト裏面および前記制御コンタクト裏面と等しい、付記Ｄ３１に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３３）
前記共通コンタクト裏面は、
前記基板の裏面における前記第１共通コンタクト表面部とは反対側の位置にある第１共通コンタクト裏面部と、
前記基板の裏面における前記第２共通コンタクト表面部とは反対側の位置にある第２共通コンタクト裏面部と、を有し、
前記第１共通コンタクト裏面部と前記第２共通コンタクト裏面部とは互いに離間している、付記Ｄ３１又は付記Ｄ３２に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３４）
前記共通コンタクト裏面は、
前記基板の裏面における前記第１共通コンタクト表面部とは反対側の位置にある第１共通コンタクト裏面部と、
前記基板の裏面における前記第２共通コンタクト表面部とは反対側の位置にある第２共通コンタクト裏面部と、を有し、
前記第１共通コンタクト裏面部は、前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面および前記制御コンタクト裏面よりも大きい、付記Ｄ３１～Ｄ３３のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３５）
前記素子コンタクト表面と前記駆動コンタクト表面との間に跨るように配置されたキャパシタを備えており、
前記駆動コンタクト表面は、
前記キャパシタが配置される第１駆動コンタクト表面部と、
ワイヤによって前記第１駆動電極と電気的に接続される第２駆動コンタクト表面部と、を有し、
前記駆動コンタクト裏面は、
前記基板の裏面における前記第１駆動コンタクト表面部とは反対側の位置にある第１駆動コンタクト裏面部と、
前記基板の裏面における前記第２駆動コンタクト表面部とは反対側の位置にある第２駆動コンタクト裏面部と、を有し、
前記第１駆動コンタクト裏面部と前記第２駆動コンタクト裏面部とは互いに離間している、付記Ｄ３１～Ｄ３４のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３６）
前記共通コンタクト裏面は、
前記基板の裏面における前記第１共通コンタクト表面部とは反対側の位置にある第１共通コンタクト裏面部と、
前記基板の裏面における前記第２共通コンタクト表面部とは反対側の位置にある第２共通コンタクト裏面部と、を有し、
前記基板の平面方向において、前記素子導電部と前記駆動導電部との配列方向を第３方向とし、前記第３方向と直交する方向を第４方向とすると、
前記第２駆動コンタクト裏面部および前記制御コンタクト裏面は、前記第２共通コンタクト裏面部に対して前記第４方向の両側に分散して配置されている、付記Ｄ３５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３７）
前記基板は、導電性材料で構成されており、
前記共通導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部は、絶縁部によって互いに絶縁された状態で区画された基板の一部であり、
前記共通コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面、および前記制御コンタクト表面は、前記基板の表面で構成されており、
前記素子コンタクト裏面、前記駆動コンタクト裏面、および前記制御コンタクト裏面は、前記基板の裏面で構成されている、
付記Ｄ３１、付記Ｄ３２および付記Ｄ３４のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３８）
前記共通導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部の少なくとも１つの周縁部には、前記基板の平面方向と直交する方向に凹む凹部が設けられており、
前記凹部には前記絶縁部が入り込んでいる、付記Ｄ３７に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ３９）
前記凹部は、前記共通コンタクト表面、前記素子コンタクト表面、前記駆動コンタクト表面および前記制御コンタクト表面の少なくとも１つの周縁部に設けられている、付記Ｄ３８に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４０）
前記素子コンタクト表面と前記駆動コンタクト表面との間に跨るように配置されたキャパシタを備えており、
前記駆動コンタクト表面は、
前記キャパシタが配置される第１駆動コンタクト表面部と、
前記ワイヤによって前記第１駆動電極と電気的に接続される第２駆動コンタクト表面部と、を有しており、
前記駆動コンタクト表面における前記第１駆動コンタクト表面部と前記第２駆動コンタクト表面部との間には、前記凹部が設けられている、付記Ｄ３９に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４１）
前記共通導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部の少なくとも１つの周縁部には、フランジが設けられており、
前記基板の平面方向に垂直な方向における前記フランジと前記基板において前記半導体発光素子が搭載される側の面とは反対側の基板裏面との間には、前記絶縁部が入り込んでいる、付記Ｄ３７～Ｄ４０のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４２）
前記電子部品は、遮光性の樹脂材料によって覆われている、付記Ｄ１～Ｄ４１のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４３）
前記電子部品は、導電性接合材によって前記共通導電部に接合されており、
少なくとも前記導電性接合材のうち前記電子部品から露出する部分は、硫化を抑制するコーティング剤によって覆われている、付記Ｄ１～Ｄ４２のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４４）
前記半導体発光素子および前記電子部品を収容するケースを備えている付記Ｄ１～Ｄ４３のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４５）
前記半導体発光素子と前記電子部品とは所定の方向に配列されており、
前記ケースは、前記半導体発光素子と前記電子部品との配列方向の両側壁部である第１側壁部および第２側壁部を有し、
前記半導体発光素子は、前記電子部品よりも前記第１側壁部の近くに配置されており、
前記電子部品は、前記半導体発光素子よりも前記第２側壁部の近くに配置されている、
付記Ｄ４４に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４６）
前記ケースは、
遮光性を有する材料からなり、上方に開口した枠と、
前記枠の開口を塞ぐ蓋と、
を有している付記Ｄ４４又は付記Ｄ４５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４７）
前記蓋は、前記半導体発光素子の光を透過させる付記Ｄ４６に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４８）
前記蓋は、
前記半導体発光素子の上方に配置され、前記半導体発光素子からの光が透過する透過部と、
前記電子部品の上方に配置され、光を遮断する遮光部と、
を有している付記Ｄ４７に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ４９）
前記蓋は、前記半導体発光素子の光を拡散させる付記Ｄ４８に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５０）
前記ケースは、遮光性を有する材料からなり、前記基板の平面方向に垂直な方向において前記基板と対向している蓋と、遮光性を有する材料からなり、前記蓋の周縁から垂下する側壁部とを含む箱状に形成されており、
前記蓋において前記半導体発光素子と対向する部分には、前記平面方向に垂直な方向において前記蓋を貫通する開口部が設けられており、
前記平面方向に垂直な方向において前記蓋に対して前記半導体発光素子とは反対側には、前記開口部を覆うように光拡散板が取り付けられており、
前記光拡散板は、前記半導体発光素子からの光を透過および拡散する、付記Ｄ４４に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５１）
前記光拡散板には、前記平面方向に垂直な方向において前記開口部に対して前記半導体発光素子側とは反対側に離れるように凹む凹部が設けられている、付記Ｄ５０に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５２）
前記半導体発光素子と前記電子部品とを仕切る遮光性の仕切壁を備えている、付記Ｄ１～Ｄ５１のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５３）
前記半導体発光素子と前記電子部品とを仕切る遮光性の仕切壁を備えており、
前記仕切壁は、前記ケースに設けられている、付記Ｄ４４～Ｄ５０のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５４）
前記ケースは、前記基板の平面方向に垂直な方向において前記基板と対向している蓋と、前記蓋の周縁から垂下する側壁部とを含む箱状に形成されており、
前記仕切壁は、前記蓋が垂下するように設けられている、付記Ｄ５３に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５５）
前記基板と前記ケースとによって形成された収容空間には、前記半導体発光素子が収容されており、
前記基板と前記ケースとの間には、前記収容空間を外部に通じさせる通気部が設けられている、付記Ｄ４４～Ｄ５１、Ｄ５３、Ｄ５４のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５６）
前記基板の平面方向に垂直な方向において前記ケースの側壁部における前記基板と対向する端面には、前記端面に対して前記基板から離れる方向に向けて凹み、かつ、前記ケースの側壁部の内面から外面までにわたり形成されている側壁側凹部が設けられており、
前記通気部は、前記基板と前記側壁側凹部とによって構成されている、付記Ｄ５５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５７）
前記基板の平面方向に垂直な方向において前記基板における前記ケースの側壁部と対向する基板表面には、前記基板表面に対して前記ケースから離れる方向に向けて凹み、かつ、前記ケースの側壁部の内面から外面までにわたり形成されている基板側凹部が設けられており、
前記通気部は、前記ケースの側壁部と前記基板側凹部とによって構成されている、付記Ｄ５５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５８）
前記基板の平面方向に垂直な方向において前記ケースの側壁部における前記基板と対向する端面には、前記端面に対して前記基板から離れる方向に向けて凹み、かつ、前記側壁部の内面から外面までにわたり形成されている側壁側凹部が設けられており、
前記基板の平面方向に垂直な方向において前記基板における前記ケースの側壁部と対向する基板表面には、前記基板表面に対して前記ケースから離れる方向に向けて凹み、かつ、前記ケースの側壁部の内面から外面までにわたり形成されている基板側凹部が設けられており、
前記通気部は、前記側壁側凹部と前記基板側凹部とによって構成されている、付記Ｄ５５に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ５９）
前記通気部は、ラビリンス構造として構成されている、付記Ｄ５５～Ｄ５８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６０）
前記ラビリンス構造として、前記通気部は、前記ケースの側壁部の内面から外面に向けて延びる第１通気部と、前記第１通気部に繋がりかつ前記第１通気部が延びる方向と交差する方向に延びる第２通気部と、前記第２通気部に繋がりかつ前記内面から前記外面に向けて延びる第３通気部とを有している、付記Ｄ５９に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６１）
前記基板の平面方向に垂直な方向から見て、前記通気部は、前記ケースの側壁部が延びる方向と直交する方向に対して傾いた方向に延びている、付記Ｄ５５～Ｄ５８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６２）
前記基板の平面方向に垂直な方向から見て、前記通気部は、前記ケースの側壁部が延びる方向と直交する方向に沿って延びている、付記Ｄ５５～Ｄ５８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６３）
前記通気部が前記ケースの側壁部の内面に開口する内側開口領域は、前記通気部が前記ケースの側壁部の外面に開口する外側開口領域よりも小さい、付記Ｄ５５～Ｄ５８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６４）
前記通気部が前記ケースの側壁部の内面に開口する内側開口領域は、前記通気部が前記ケースの側壁部の外面に開口する外側開口領域よりも大きい、付記Ｄ５５～Ｄ５８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６５）
前記通気部が前記ケースの側壁部の内面に開口する内側開口領域は、前記通気部が前記ケースの側壁部の外面に開口する外側開口領域と等しい、付記Ｄ５５～Ｄ５８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６６）
前記基板と前記ケースとによって形成された収容空間には、前記半導体発光素子が収容されており、
前記基板と前記枠の側壁部との間には、前記収容空間を外部に通じさせる通気部が設けられている、付記Ｄ４６に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６７）
前記基板の平面方向に垂直な方向において前記枠の側壁部における前記基板と対向する端面には、前記端面に対して前記基板から離れる方向に向けて凹み、かつ、前記側壁部の内面から外面までにわたり形成されている側壁側凹部が設けられており、
前記通気部は、前記基板と前記側壁側凹部とによって構成されている、付記Ｄ６６に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６８）
前記基板には、
ワイヤによって前記電子部品の第１駆動電極と電気的に接続される駆動コンタクト表面を有する駆動導電部と、
ワイヤによって前記電子部品の制御電極と電気的に接続される制御コンタクト表面を有する制御導電部と、
前記半導体発光素子の素子上面電極と電気的に接続される素子コンタクト表面を有する素子導電部と、が形成されており、
前記ケースの側壁部は、前記基板の平面方向に垂直な方向において前記基板における前記ケースの側壁部と対向する基板表面の周縁よりも内側に配置されており、
前記共通導電部、前記素子導電部、前記駆動導電部および前記制御導電部のうち少なくとも１つには、前記ケースの側壁部よりも外側に延びる突出部が設けられている、付記Ｄ４４～Ｄ５１、Ｄ５３～Ｄ６７のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ６９）
前記電子部品の上面は、前記半導体発光素子の上面よりも下方に位置している、付記Ｄ１～Ｄ６８のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７０）
前記半導体発光素子および前記電子部品を封止する透光性の封止樹脂を備えており、
前記封止樹脂のうち前記半導体発光素子と前記電子部品との間の部分には、遮光性の仕切壁が設けられている、付記Ｄ１～Ｄ４３のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７１）
前記半導体発光素子および前記電子部品を収容しており、上方に開口する枠が前記基板に取り付けられており、
前記枠は、前記半導体発光素子を前記電子部品から仕切る仕切壁を有しており、前記仕切壁によって前記半導体発光素子を収容する第１収容部と前記電子部品を収容する第２収容部とが区画して設けられている、付記Ｄ１～Ｄ４３のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７２）
前記第１収容部を上方から覆う透光性の光拡散板をさらに備えている、付記Ｄ７１に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７３）
前記第１収容部には透光性の第１封止樹脂によって前記半導体発光素子が封止されており、
前記第２収容部には第２封止樹脂によって前記電子部品が封止されている、付記Ｄ７１又は付記Ｄ７２に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７４）
前記第１封止樹脂および前記第２封止樹脂は、互いに異なる材料からなる、付記Ｄ７３に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７５）
前記第２封止樹脂は遮光性の材料からなる、付記Ｄ７４に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７６）
前記半導体発光素子は、半導体レーザ素子である付記Ｄ１～Ｄ７５のうちいずれか一項に記載の半導体発光装置。
（付記Ｄ７７）
前記半導体発光素子は、ＶＣＳＥＬ素子である付記Ｄ７６に記載の半導体発光装置。

【符号の説明】

【0393】

１，１Ｂ…半導体発光装置
２，２Ｂ…電子機器
１０，１０Ｂ…基板
１１…基板表面
１２…基板裏面
１３…絶縁部
１３Ｌ…裏面側ハーフ絶縁部
１３Ｕ…表面側ハーフ絶縁部
２０，２０Ｂ，２０Ｃ…ケース
２１…枠
２１ａ…第１側壁部
２１ｂ…第２側壁部
２１ｃ…第３側壁部
２１ｄ…第４側壁部
２２…蓋
２２ａ…開口部
２３…収容空間
２３Ａ…第１収容空間
２３Ｂ…第２収容空間
２４…仕切壁
２５…遮光壁
３０，３０Ｂ…共通導電部
３０ａ…共通コンタクト表面
３０ｂ…共通コンタクト裏面
３０ｃ…第１共通コンタクト表面部
３０ｄ…第２共通コンタクト表面部
３０ｅ…第１共通コンタクト裏面部
３０ｆ…第２共通コンタクト裏面部
３１…共通表面導電層
３２…共通裏面導電層
３３…共通連絡部
３４ａ～３４ｇ…突出部
３５ａ～３５ｅ…凹部
３６…フランジ
４０…接続導電部
４０ａ…接続コンタクト表面
４０ｂ…接続コンタクト裏面
４１…接続表面導電層
４２…接続裏面導電層
４３…接続連絡部
４４ａ～４４ｃ…突出部
５０，５０Ｂ…素子導電部
５０ａ…素子コンタクト表面
５０ｂ…素子コンタクト裏面
５１…素子表面導電層
５２…素子裏面導電層
５３…素子連絡部
５４ａ～５４ｆ…突出部
５５…凹部
５６…フランジ
６０，６０Ｂ…駆動導電部
６０ａ…駆動コンタクト表面
６０ｂ…駆動コンタクト裏面
６０ｃ…第１駆動コンタクト表面部
６０ｄ…第２駆動コンタクト表面部
６０ｅ…第１駆動コンタクト裏面部
６０ｆ…第２駆動コンタクト裏面部
６０ｒ…凹み領域
６１…駆動表面導電層
６２…駆動裏面導電層
６３…駆動連絡部
６４ａ～６４ｆ…突出部
６５…凹部
６６…フランジ
７０，７０Ｂ…制御導電部
７０ａ…制御コンタクト表面
７０ｂ…制御コンタクト裏面
７１…制御表面導電層
７２…制御裏面導電層
７３…制御連絡部
７４ａ，７４ｂ…突出部
７６…フランジ
８０…半導体発光素子
８０ａ…素子上面
８０ｂ…素子下面
９１…素子上面電極
９２…素子下面電極
１００…電子部品
１００ａ…上面
１００ｂ…下面
１０１…第１駆動電極
１０２…制御電極
１０３…第２駆動電極
１２０…キャパシタ
１３０…光拡散板
１３１…凹部
１４０…封止樹脂
１４１…コーティング剤
１６０…通気部
１６０Ａ…側壁側凹部
１６０Ｂ…基板側凹部
１６６…第１通気部
１６７…第２通気部
１６８…第３通気部
１７０…封止樹脂
１８０…枠
１８１…第１収容部
１８２…第２収容部
１８３…仕切壁
１９０Ａ…第１封止樹脂
１９０Ｂ…第２封止樹脂
２０１…透過部
２０２…遮光部
Ｐ２…導電性接合材
Ｓ１…第１開口領域（内側開口領域）
Ｓ２…第２開口領域（外側開口領域）
Ｗ１～Ｗ３…ワイヤ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【図48】

【図49】

【図50】

【図51】

【図52】

【図53】

【図54】

【図55】

【図56】

【図57】

【図58】

【図59】

【図60】

【図61】

【図62】

【図63】

【図64】

【図65】

【図66】

【図67】

【図68】

【図69】

【図70】

【図71】

【図72】

【図73】

【図74】

【図75】

【図76】

【図77】

【図78】

【図79】

【図80】

【図81】

【図82】

【図83】

【図84】

【図85】