(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-20
(45)【発行日】2023-12-28
(54)【発明の名称】表示装置、電子機器
(51)【国際特許分類】
H01L 29/786 20060101AFI20231221BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20231221BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20231221BHJP
G02F 1/1368 20060101ALN20231221BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 618B
G09F9/30 338
H01L29/78 612Z
G02F1/1368
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2022147645
(22)【出願日】2022-09-16
(62)【分割の表示】P 2020125520の分割
【原出願日】2013-12-26
(65)【公開番号】P2022183156
(43)【公開日】2022-12-08
【審査請求日】2022-10-03
(31)【優先権主張番号】P 2012288968
(32)【優先日】2012-12-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2013049065
(32)【優先日】2013-03-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】遠藤 佑太
【審査官】田付 徳雄
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１２／０８６５１３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１１／０７０９８１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－０５１４２１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２９／７８６
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｈ０１Ｌ ２１／３３６
Ｇ０２Ｆ １／１３６８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
トランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続される容量素子と、画素電極と、を有し、前記トランジスタは、第１の酸化物半導体膜と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜の上面と接する領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜の上面と接する領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜の上面と接する領域と、前記第１の導電膜の上面と接する領域と、前記第２の導電膜の上面と接する領域と、を有する第１の絶縁膜が設けられ、
前記画素電極は、前記第１の絶縁膜に設けられた開口を介して、前記第２の導電膜の上面と接する領域を有し、
前記容量素子は、第２の酸化物半導体膜を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記容量素子の一方の電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記画素電極は、前記容量素子の他方の電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜の上面および側面と接する領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜および前記第２の酸化物半導体膜の下に第２の絶縁膜が設けられ、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２の絶縁膜の下に第３の導電膜が設けられ、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第２の絶縁膜を介して前記第３の導電膜と重なる領域を有し、
平面視において、前記第３の導電膜は、前記トランジスタのチャネル長方向に延在する領域を有する、表示装置。
【請求項2】
請求項１において、前記第１の酸化物半導体膜は、ビーム径１ｎｍφとした電子線回折を用いた電子線回折パターンにおいて、円周状に分布した複数のスポットが観察される、表示装置。
【請求項3】
請求項１または２に記載の表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に
、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、それらの駆動方法、または、そ
れらの作製方法に関する。特に、本発明は、例えば、酸化物半導体を有する半導体装置、
表示装置、または、発光装置、およびその作製方法に関する。
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に
、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、それらの駆動方法、または、そ
れらの作製方法に関する。特に、本発明は、例えば、酸化物半導体を有する半導体装置、
表示装置、または、発光装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などのフラットパネルディスプレイが広く普及してき
ている。フラットパネルディスプレイなどの表示装置において、行方向および列方向に配
設された画素内には、スイッチング素子であるトランジスタと、当該トランジスタと電気
的に接続された液晶素子と、当該液晶素子と並列に接続された容量素子とが設けられてい
る。
ている。フラットパネルディスプレイなどの表示装置において、行方向および列方向に配
設された画素内には、スイッチング素子であるトランジスタと、当該トランジスタと電気
的に接続された液晶素子と、当該液晶素子と並列に接続された容量素子とが設けられてい
る。
【0003】
当該トランジスタの半導体膜を構成する半導体材料としては、アモルファス（非晶質）シ
リコンまたはポリ（多結晶）シリコンなどのシリコン半導体が汎用されている。
リコンまたはポリ（多結晶）シリコンなどのシリコン半導体が汎用されている。
【0004】
また、半導体特性を示す金属酸化物（以下、酸化物半導体と記す）は、トランジスタの半
導体膜に適用できる半導体材料である。例えば、酸化亜鉛またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化
物半導体を用いて、トランジスタを作製する技術が開示されている（特許文献１および特
許文献２を参照）。
導体膜に適用できる半導体材料である。例えば、酸化亜鉛またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化
物半導体を用いて、トランジスタを作製する技術が開示されている（特許文献１および特
許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００７－１２３８６１号公報
【文献】特開２００７－９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
容量素子は一対の電極の間に誘電体膜が設けられており、一対の電極のうち、少なくとも
一方の電極は、トランジスタを構成するゲート電極、ソース電極またはドレイン電極など
と同一材料で形成されるため、金属などの遮光性を有する導電膜で形成されていることが
多い。
一方の電極は、トランジスタを構成するゲート電極、ソース電極またはドレイン電極など
と同一材料で形成されるため、金属などの遮光性を有する導電膜で形成されていることが
多い。
【0007】
また、容量素子の容量値を大きくするほど、電界を加えた状況において、液晶素子の液晶
分子の配向を一定に保つことができる期間を長くすることができる。静止画を表示させる
ことのできる表示装置において、当該期間を長くできることは、画像データを書き換える
回数を低減することができ、消費電力の低減が望める。
分子の配向を一定に保つことができる期間を長くすることができる。静止画を表示させる
ことのできる表示装置において、当該期間を長くできることは、画像データを書き換える
回数を低減することができ、消費電力の低減が望める。
【0008】
容量素子の電荷容量を大きくするためには、画素内における容量素子の占有面積を大きく
する、具体的には一対の電極が重畳している面積を大きくするという手段がある。しかし
ながら、上記表示装置において、一対の電極が重畳している面積を大きくするために遮光
性を有する導電膜の面積を大きくすると、画素の開口率が低減し、画像の表示品位が低下
する。
する、具体的には一対の電極が重畳している面積を大きくするという手段がある。しかし
ながら、上記表示装置において、一対の電極が重畳している面積を大きくするために遮光
性を有する導電膜の面積を大きくすると、画素の開口率が低減し、画像の表示品位が低下
する。
【0009】
そこで、上記課題に鑑みて、本発明の一態様は、開口率が高い半導体装置などを提供する
ことを目的の一つとする。または、電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する
半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、フォトリソグラフィ工程の
マスク枚数を削減することのできる半導体装置などを提供することを目的の一つとする。
または、オフ電流の低い半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、消
費電力を低減した半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、透明な半
導体層を用いた半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、信頼性の高
い半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、目にやさしい半導体装置
などを提供することを目的の一つとする。または、新規な半導体装置などを提供すること
を目的の一つとする。または、新規な半導体装置などの作製方法を提供することを目的の
一つとする。
ことを目的の一つとする。または、電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する
半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、フォトリソグラフィ工程の
マスク枚数を削減することのできる半導体装置などを提供することを目的の一つとする。
または、オフ電流の低い半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、消
費電力を低減した半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、透明な半
導体層を用いた半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、信頼性の高
い半導体装置などを提供することを目的の一つとする。または、目にやさしい半導体装置
などを提供することを目的の一つとする。または、新規な半導体装置などを提供すること
を目的の一つとする。または、新規な半導体装置などの作製方法を提供することを目的の
一つとする。
【0010】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様は、酸化物半導体層を一方の電極とし、透光性導電膜を他方の電極とする
透光性を有する容量素子を含む半導体装置に関する。
透光性を有する容量素子を含む半導体装置に関する。
【0012】
本発明の一態様は、トランジスタを有する半導体装置であって、第１の絶縁膜上に形成さ
れたゲート電極層、第１の配線、および当該第１の配線と電気的に接続された第１の酸化
物半導体層と、ゲート電極層、および第１の配線上に形成された第２の絶縁膜と、ゲート
電極層と重なり、第２の絶縁膜上に形成された第２の酸化物半導体層と、第２の酸化物半
導体層と電気的に接続されたソース電極層およびドレイン電極層と、第１の酸化物半導体
層、第２の酸化物半導体層、第２の絶縁膜、ソース電極層、およびドレイン電極層上に形
成された第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上に形成された第４の絶縁膜と、第１の酸化物半
導体層上において、第４の絶縁膜上に形成された透光性導電膜と、を有し、第１の酸化物
半導体層を一方の電極とし、第３の絶縁膜、および第４の絶縁膜を誘電体とし、透光性導
電膜を他方の電極とした容量素子と、を有することを特徴とする半導体装置である。
れたゲート電極層、第１の配線、および当該第１の配線と電気的に接続された第１の酸化
物半導体層と、ゲート電極層、および第１の配線上に形成された第２の絶縁膜と、ゲート
電極層と重なり、第２の絶縁膜上に形成された第２の酸化物半導体層と、第２の酸化物半
導体層と電気的に接続されたソース電極層およびドレイン電極層と、第１の酸化物半導体
層、第２の酸化物半導体層、第２の絶縁膜、ソース電極層、およびドレイン電極層上に形
成された第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上に形成された第４の絶縁膜と、第１の酸化物半
導体層上において、第４の絶縁膜上に形成された透光性導電膜と、を有し、第１の酸化物
半導体層を一方の電極とし、第３の絶縁膜、および第４の絶縁膜を誘電体とし、透光性導
電膜を他方の電極とした容量素子と、を有することを特徴とする半導体装置である。
【0013】
第１の酸化物半導体層および第２の酸化物半導体層は同じ材料で形成されていることが好
ましい。
ましい。
【0014】
また、第１の酸化物半導体層および第２の酸化物半導体層は、エネルギーギャップが２．
０ｅＶ以上であることが好ましい。
０ｅＶ以上であることが好ましい。
【0015】
また、第１の絶縁膜は、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
【0016】
また、第３の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフ
ニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金属酸化物から選ばれた酸化絶縁材料の単層構
造または積層構造で形成することが好ましい。
ニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金属酸化物から選ばれた酸化絶縁材料の単層構
造または積層構造で形成することが好ましい。
【0017】
また、第４の絶縁膜は、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
【0018】
また、ゲート電極層および第１の配線は同じ材料で形成されていることが好ましい。
【0019】
また、透光性導電膜はソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続されている構
成とすることができる。
成とすることができる。
【0020】
また、第１の配線と第１の酸化物半導体層とは、直接接することによって電気的に接続さ
れる構成とすることができる。
れる構成とすることができる。
【0021】
また、第１の配線と第１の酸化物半導体層とは、第２の配線を介して接することによって
電気的に接続される構成とすることができる。
電気的に接続される構成とすることができる。
【0022】
また、本発明の他の一態様は、第１の絶縁膜上にゲート電極層および第１の配線を形成し
、第１の絶縁膜、ゲート電極層、および第１の配線上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶
縁膜を選択的にエッチングして、第１の配線の一部および第１の絶縁膜の一部を露出させ
、露出した第１の配線の一部および第１の絶縁膜の一部の上に第１の酸化物半導体層、ゲ
ート電極層と重なるように第２の絶縁膜上に第２の酸化物半導体層を形成し、第２の酸化
物半導体層と電気的に接続されたソース電極層およびドレイン電極層を形成し、第１の酸
化物半導体層、第２の酸化物半導体層、第２の絶縁膜、ソース電極層、およびドレイン電
極層上に第３の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜
、および第４の絶縁膜にソース電極層またはドレイン電極層に通じる開口部を形成し、第
４の絶縁膜上に開口部でソース電極層またはドレイン電極層と電気的に接続し、かつ第１
の酸化物半導体層と重なる透光性導電膜を形成し、トランジスタと、第１の酸化物半導体
層を一方の電極とし、第３の絶縁膜、および第４の絶縁膜を誘電体とし、透光性導電膜を
他方の電極とした容量素子と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である
。
、第１の絶縁膜、ゲート電極層、および第１の配線上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶
縁膜を選択的にエッチングして、第１の配線の一部および第１の絶縁膜の一部を露出させ
、露出した第１の配線の一部および第１の絶縁膜の一部の上に第１の酸化物半導体層、ゲ
ート電極層と重なるように第２の絶縁膜上に第２の酸化物半導体層を形成し、第２の酸化
物半導体層と電気的に接続されたソース電極層およびドレイン電極層を形成し、第１の酸
化物半導体層、第２の酸化物半導体層、第２の絶縁膜、ソース電極層、およびドレイン電
極層上に第３の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成し、第３の絶縁膜
、および第４の絶縁膜にソース電極層またはドレイン電極層に通じる開口部を形成し、第
４の絶縁膜上に開口部でソース電極層またはドレイン電極層と電気的に接続し、かつ第１
の酸化物半導体層と重なる透光性導電膜を形成し、トランジスタと、第１の酸化物半導体
層を一方の電極とし、第３の絶縁膜、および第４の絶縁膜を誘電体とし、透光性導電膜を
他方の電極とした容量素子と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である
。
【0023】
第１の酸化物半導体層および第２の酸化物半導体層は同じ材料で形成することが好ましい
。
。
【0024】
また、第１の酸化物半導体層および第２の酸化物半導体層は、エネルギーギャップが２．
０ｅＶ以上の材料で形成することが好ましい。
０ｅＶ以上の材料で形成することが好ましい。
【0025】
また、第１の絶縁膜を、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
【0026】
また、第３の絶縁膜を、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフ
ニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金属酸化物から選ばれた酸化絶縁材料の単層構
造または積層構造で形成することが好ましい。
ニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金属酸化物から選ばれた酸化絶縁材料の単層構
造または積層構造で形成することが好ましい。
【0027】
また、第４の絶縁膜を、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
アルミニウムから選ばれた窒化絶縁材料の単層構造または積層構造で形成することが好ま
しい。
【0028】
また、ゲート電極層および第１の配線は同じ材料で形成することが好ましい。
【0029】
また、第１の配線と第１の酸化物半導体層とは、直接接するように形成し、電気的に接続
することができる。
することができる。
【0030】
また、第１の配線と第１の酸化物半導体層とは、第２の配線を介して接するように形成し
、電気的に接続してもよい。
、電気的に接続してもよい。
【発明の効果】
【0031】
本発明の一態様より、開口率が高い半導体装置などを提供することができる。または、電
荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装置などを提供することができ
る。または、フォトリソグラフィ工程のマスク枚数を削減することのできる半導体装置な
どを提供することができる。または、オフ電流の低い半導体装置などを提供することがで
きる。または、消費電力を低減した半導体装置などを提供することができる。または、透
明な半導体層を用いた半導体装置などを提供することができる。または、信頼性の高い半
導体装置などを提供することができる。または、目にやさしい半導体装置を提供すること
ができる。または、半導体装置の作製方法を提供することができる。
荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装置などを提供することができ
る。または、フォトリソグラフィ工程のマスク枚数を削減することのできる半導体装置な
どを提供することができる。または、オフ電流の低い半導体装置などを提供することがで
きる。または、消費電力を低減した半導体装置などを提供することができる。または、透
明な半導体層を用いた半導体装置などを提供することができる。または、信頼性の高い半
導体装置などを提供することができる。または、目にやさしい半導体装置を提供すること
ができる。または、半導体装置の作製方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】半導体装置を説明する上面図。
【図2】半導体装置を説明する断面図。
【図3】半導体装置を説明する図。
【図4】半導体装置の画素を説明する回路図。
【図5】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図6】半導体装置の作製方法を説明する断面図。
【図7】半導体装置の容量素子を説明する断面図。
【図8】半導体装置を説明する断面図。
【図9】半導体装置を説明する断面図。
【図10】酸化物半導体膜の極微電子線回折パターンを示す図。
【図11】酸化物半導体膜のＣＰＭ測定結果を示す図。
【図12】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜のＣＰＭ測定結果を示す図。
【図13】酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像および極微電子線回折パターン。
【図14】酸化物半導体膜の平面ＴＥＭ像および制限視野電子線回折パターン。
【図15】電子線回折強度分布の概念図。
【図16】石英ガラス基板の極微電子線回折パターン。
【図17】酸化物半導体膜の極微電子線回折パターン。
【図18】酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ像。
【図19】酸化物半導体膜のＸ線回折分析結果。
【図20】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像。
【図21】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の電子線回折パターン。
【図22】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像。
【図23】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像およびＸ線回折スペクトル。
【図24】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の電子線回折パターン。
【図25】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像およびＸ線回折スペクトル。
【図26】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の電子線回折パターン。
【図27】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ像およびＸ線回折スペクトル。
【図28】ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の電子線回折パターン。
【図29】半導体装置を説明する上面図。
【図30】半導体装置を説明する断面図。
【図31】半導体装置を説明する断面図および上面図。
【図32】表示機能を有する情報処理装置の構成を説明するブロック図。
【図33】情報処理装置の表示部の構成を説明するブロック図および回路図。
【図34】情報処理装置の構成を説明するブロック図および画像データを説明するための模式図。
【図35】情報処理装置の効果を説明する図。
【図36】情報処理装置を説明するブロック図。
【図37】半導体装置を用いた電子機器を説明する図。
【図38】半導体装置を用いた電子機器を説明する図。
【図39】半導体装置を用いた電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
【0034】
以下に説明する本発明の構成において、同一部分または同様の機能を有する部分には同一
の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機
能を有する部分を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合が
ある。
の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機
能を有する部分を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合が
ある。
【0035】
本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、または領域は、明瞭化の
ために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
ために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【0036】
本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、
工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書等において発明を特定するため
の事項として固有の名称を示すものではない。
工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書等において発明を特定するため
の事項として固有の名称を示すものではない。
【0037】
また、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の
中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただ
し、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差の
ことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い
。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、
電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただ
し、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差の
ことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い
。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、
電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
【0038】
本明細書において、フォトリソグラフィ処理を行った後にエッチング処理を行う場合は、
フォトリソグラフィ処理で形成したレジストマスクは除去するものとする。
フォトリソグラフィ処理で形成したレジストマスクは除去するものとする。
【0039】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について、図面を用いて説明する。
なお、本実施の形態では、液晶表示装置を例にして本発明の一態様である半導体装置を説
明する。なお、本発明の一態様である半導体装置は、他の表示装置にも適用することがで
きる。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について、図面を用いて説明する。
なお、本実施の形態では、液晶表示装置を例にして本発明の一態様である半導体装置を説
明する。なお、本発明の一態様である半導体装置は、他の表示装置にも適用することがで
きる。
【0040】
図３は、本発明の一態様の半導体装置を説明する図である。図３に示す半導体装置は、画
素部１００と、第１の駆動回路１０４と、第２の駆動回路１０６と、各々が平行または略
平行に配設され、且つ第１の駆動回路１０４によって電位が制御されるｍ本の走査線１０
７と、各々が平行または略平行に配設され、且つ第２の駆動回路１０６によって電位が制
御されるｎ本の信号線１０９と、を有する。さらに、画素部１００はマトリクス状に配設
された複数の画素１０１を有する。また、当該半導体装置は容量線１１５（図３に図示せ
ず）を有する。容量線１１５は、走査線１０７に沿って各々が平行または略平行に配設、
または信号線１０９に沿って各々が平行または略平行に配設されている。
素部１００と、第１の駆動回路１０４と、第２の駆動回路１０６と、各々が平行または略
平行に配設され、且つ第１の駆動回路１０４によって電位が制御されるｍ本の走査線１０
７と、各々が平行または略平行に配設され、且つ第２の駆動回路１０６によって電位が制
御されるｎ本の信号線１０９と、を有する。さらに、画素部１００はマトリクス状に配設
された複数の画素１０１を有する。また、当該半導体装置は容量線１１５（図３に図示せ
ず）を有する。容量線１１５は、走査線１０７に沿って各々が平行または略平行に配設、
または信号線１０９に沿って各々が平行または略平行に配設されている。
【0041】
各走査線１０７は、画素部１００においてｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いず
れかの行に配設されたｎ個の画素１０１と電気的に接続される。また、各信号線１０９は
、ｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の画素１０１
に電気的と接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。また、各容量線１１５は
、ｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いずれかの行に配設されたｎ個の画素１０１
と電気的に接続される。なお、容量線１１５が、信号線１０９に沿って、各々が平行また
は略平行に配設されている場合は、ｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いずれかの
列に配設されたｍ個の画素１０１に電気的と接続される。
れかの行に配設されたｎ個の画素１０１と電気的に接続される。また、各信号線１０９は
、ｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の画素１０１
に電気的と接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。また、各容量線１１５は
、ｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いずれかの行に配設されたｎ個の画素１０１
と電気的に接続される。なお、容量線１１５が、信号線１０９に沿って、各々が平行また
は略平行に配設されている場合は、ｍ行ｎ列に配設された画素１０１のうち、いずれかの
列に配設されたｍ個の画素１０１に電気的と接続される。
【0042】
なお、第１の駆動回路１０４は、走査線１０７に接続されたトランジスタをスイッチング
する信号を供給する機能、例えば、走査線駆動回路としての機能を有することができる。
また、第２の駆動回路１０６は、信号線１０９に接続されたトランジスタに映像信号を供
給する機能、例えば、信号線駆動回路としての機能を有することができる。なお、これに
限らず、第１の駆動回路１０４および第２の駆動回路１０６は、別の信号を供給すること
も可能である。
する信号を供給する機能、例えば、走査線駆動回路としての機能を有することができる。
また、第２の駆動回路１０６は、信号線１０９に接続されたトランジスタに映像信号を供
給する機能、例えば、信号線駆動回路としての機能を有することができる。なお、これに
限らず、第１の駆動回路１０４および第２の駆動回路１０６は、別の信号を供給すること
も可能である。
【0043】
また、本実施の形態では、液晶表示装置を例として説明するため、便宜上、第１の駆動回
路１０４に接続された配線を走査線１０７、容量線１１５と称し、第２の駆動回路１０６
に接続された配線を信号線１０９と称するが、その名称によって機能を限定するものでは
ない。
路１０４に接続された配線を走査線１０７、容量線１１５と称し、第２の駆動回路１０６
に接続された配線を信号線１０９と称するが、その名称によって機能を限定するものでは
ない。
【0044】
【0045】
図１に示す画素１０１において、走査線１０７は、信号線１０９に略直交する方向（図中
左右方向）に延伸して設けられている。信号線１０９は、走査線１０７に略直交する方向
（図中上下方向）に延伸して設けられている。容量線１１５は、走査線１０７と平行方向
に延伸して設けられている。なお、走査線１０７は、第１の駆動回路１０４（図３参照）
と電気的に接続されており、信号線１０９は、第２の駆動回路１０６（図３参照）に電気
的に接続されている。
左右方向）に延伸して設けられている。信号線１０９は、走査線１０７に略直交する方向
（図中上下方向）に延伸して設けられている。容量線１１５は、走査線１０７と平行方向
に延伸して設けられている。なお、走査線１０７は、第１の駆動回路１０４（図３参照）
と電気的に接続されており、信号線１０９は、第２の駆動回路１０６（図３参照）に電気
的に接続されている。
【0046】
トランジスタ１０３は、走査線１０７および信号線１０９が交差する領域近傍に設けられ
ている。トランジスタ１０３は、少なくとも、チャネル形成領域を有する半導体膜１１１
、ゲート電極、ゲート絶縁膜（図１に図示せず）、ソース電極、およびドレイン電極を含
む。なお、走査線１０７において、半導体膜１１１と重畳する領域はトランジスタ１０３
のゲート電極として機能する。信号線１０９において、半導体膜１１１と重畳する領域は
トランジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の一方として機能する。導電膜１１
３において、半導体膜１１１と重畳する領域はトランジスタ１０３のソース電極またはド
レイン電極の他方として機能する。このため、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を
それぞれ、走査線１０７、信号線１０９、導電膜１１３と示す場合がある。また、図１に
おいて、走査線１０７は、上面形状において端部が半導体膜１１１の端部より外側に位置
する。このため、走査線１０７はバックライトなどの光源からの光を遮る遮光膜として機
能する。この結果、トランジスタに含まれる半導体膜１１１に光が照射されず、トランジ
スタの電気特性の変動を抑制することができる。
ている。トランジスタ１０３は、少なくとも、チャネル形成領域を有する半導体膜１１１
、ゲート電極、ゲート絶縁膜（図１に図示せず）、ソース電極、およびドレイン電極を含
む。なお、走査線１０７において、半導体膜１１１と重畳する領域はトランジスタ１０３
のゲート電極として機能する。信号線１０９において、半導体膜１１１と重畳する領域は
トランジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の一方として機能する。導電膜１１
３において、半導体膜１１１と重畳する領域はトランジスタ１０３のソース電極またはド
レイン電極の他方として機能する。このため、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を
それぞれ、走査線１０７、信号線１０９、導電膜１１３と示す場合がある。また、図１に
おいて、走査線１０７は、上面形状において端部が半導体膜１１１の端部より外側に位置
する。このため、走査線１０７はバックライトなどの光源からの光を遮る遮光膜として機
能する。この結果、トランジスタに含まれる半導体膜１１１に光が照射されず、トランジ
スタの電気特性の変動を抑制することができる。
【0047】
また、本発明の一態様では半導体膜１１１に酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化
物半導体を用いたトランジスタは、適切な条件にて作製することでオフ電流を極めて小さ
くすることができる。したがって、半導体装置の消費電力を低減することができる。
物半導体を用いたトランジスタは、適切な条件にて作製することでオフ電流を極めて小さ
くすることができる。したがって、半導体装置の消費電力を低減することができる。
【0048】
本発明の一態様において、酸化物半導体を用いたトランジスタはｎチャネル型トランジス
タである。また、酸化物半導体に含まれる酸素欠損はキャリアを生成することがあり、ト
ランジスタの電気特性および信頼性を低下させる恐れがある。例えば、トランジスタのし
きい値電圧がマイナス方向に変動し、ゲート電圧が０Ｖのときにドレイン電流が流れてし
まうことがある。このように、ゲート電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れてしまうこ
とをノーマリーオン特性という。なお、ゲート電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れて
いないとみなすことができるトランジスタをノーマリーオフ特性という。
タである。また、酸化物半導体に含まれる酸素欠損はキャリアを生成することがあり、ト
ランジスタの電気特性および信頼性を低下させる恐れがある。例えば、トランジスタのし
きい値電圧がマイナス方向に変動し、ゲート電圧が０Ｖのときにドレイン電流が流れてし
まうことがある。このように、ゲート電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れてしまうこ
とをノーマリーオン特性という。なお、ゲート電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れて
いないとみなすことができるトランジスタをノーマリーオフ特性という。
【0049】
そのため、半導体膜１１１に酸化物半導体を用いる際、半導体膜１１１である酸化物半導
体膜に含まれる欠陥（代表的には酸素欠損）は、できる限り低減されていることが好まし
い。例えば、磁場の向きを膜面に対して平行に印加した電子スピン共鳴法によるｇ値＝１
．９３のスピン密度（酸化物半導体膜に含まれる欠陥密度に相当する）は、測定器の検出
下限以下まで低減されていることが好ましい。酸化物半導体膜に含まれる欠陥をできる限
り低減することで、トランジスタ１０３がノーマリーオン特性となることを抑制すること
ができ、半導体装置の電気特性および信頼性を向上させることができる。
体膜に含まれる欠陥（代表的には酸素欠損）は、できる限り低減されていることが好まし
い。例えば、磁場の向きを膜面に対して平行に印加した電子スピン共鳴法によるｇ値＝１
．９３のスピン密度（酸化物半導体膜に含まれる欠陥密度に相当する）は、測定器の検出
下限以下まで低減されていることが好ましい。酸化物半導体膜に含まれる欠陥をできる限
り低減することで、トランジスタ１０３がノーマリーオン特性となることを抑制すること
ができ、半導体装置の電気特性および信頼性を向上させることができる。
【0050】
トランジスタのしきい値電圧のマイナス方向への変動は酸素欠損だけではなく、酸化物半
導体に含まれる水素（水などの水素化合物を含む）によっても引き起こされることがある
。酸化物半導体に含まれる水素の一部はドナー準位の形成に寄与し、キャリアである電子
を生成してしまう。したがって、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタ
はノーマリーオン特性となりやすい。
導体に含まれる水素（水などの水素化合物を含む）によっても引き起こされることがある
。酸化物半導体に含まれる水素の一部はドナー準位の形成に寄与し、キャリアである電子
を生成してしまう。したがって、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタ
はノーマリーオン特性となりやすい。
【0051】
そこで、半導体膜１１１に酸化物半導体を用いる際、半導体膜１１１である酸化物半導体
膜は水素ができる限り低減されていることが好ましい。具体的には、二次イオン質量分析
法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）に
より得られる水素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに
好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする領域を有するように半導体膜１１
１を形成する。
膜は水素ができる限り低減されていることが好ましい。具体的には、二次イオン質量分析
法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）に
より得られる水素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに
好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする領域を有するように半導体膜１１
１を形成する。
【0052】
また、二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度
を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下とする領域を有するように半導体膜１１１を形成することが好ましい。アルカリ金属お
よびアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、ト
ランジスタ１０３のオフ電流を増大させることがある。
を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下とする領域を有するように半導体膜１１１を形成することが好ましい。アルカリ金属お
よびアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、ト
ランジスタ１０３のオフ電流を増大させることがある。
【0053】
また、半導体膜１１１である酸化物半導体膜に窒素が含まれていると、キャリアである電
子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化
物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、当該酸
化物半導体膜において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、窒素
濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする領域を有するように半導体膜１１１
を形成することが好ましい。
子が生じ、キャリア密度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化
物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、当該酸
化物半導体膜において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、窒素
濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする領域を有するように半導体膜１１１
を形成することが好ましい。
【0054】
このように、不純物（水素、窒素、アルカリ金属またはアルカリ土類金属など）をできる
限り低減させ、高純度化させた酸化物半導体膜を半導体膜１１１とすることで、トランジ
スタ１０３がノーマリーオン特性となることを抑制でき、トランジスタ１０３のオフ電流
を極めて低減することができる。したがって、良好な電気特性に有する半導体装置を作製
できる。また、信頼性を向上させた半導体装置を作製することができる。
限り低減させ、高純度化させた酸化物半導体膜を半導体膜１１１とすることで、トランジ
スタ１０３がノーマリーオン特性となることを抑制でき、トランジスタ１０３のオフ電流
を極めて低減することができる。したがって、良好な電気特性に有する半導体装置を作製
できる。また、信頼性を向上させた半導体装置を作製することができる。
【0055】
なお、高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタのオフ電流が低いことは、い
ろいろな実験により証明できる。例えば、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌが
１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖ
から１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、
すなわち１×１０－１３Ａ以下という特性を得ることができる。この場合、トランジスタ
のチャネル幅で除した数値に相当するオフ電流は、１００ｚＡ／μｍ以下であることが分
かる。また、容量素子とトランジスタとを接続して、容量素子に流入または容量素子から
流出する電荷を当該トランジスタで制御する回路を用いて、オフ電流の測定を行った。当
該測定では、上記トランジスタに高純度化された酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用
い、容量素子の単位時間あたりの電荷量の推移から当該トランジスタのオフ電流を測定し
た。その結果、トランジスタのソース電極とドレイン電極間の電圧が３Ｖの場合に、数十
ｙＡ／μｍという、極めて低いオフ電流が得られることが分かった。したがって、高純度
化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ電流が著しく小さいということが
できる。
ろいろな実験により証明できる。例えば、チャネル幅が１×１０６μｍでチャネル長Ｌが
１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖ
から１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、
すなわち１×１０－１３Ａ以下という特性を得ることができる。この場合、トランジスタ
のチャネル幅で除した数値に相当するオフ電流は、１００ｚＡ／μｍ以下であることが分
かる。また、容量素子とトランジスタとを接続して、容量素子に流入または容量素子から
流出する電荷を当該トランジスタで制御する回路を用いて、オフ電流の測定を行った。当
該測定では、上記トランジスタに高純度化された酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用
い、容量素子の単位時間あたりの電荷量の推移から当該トランジスタのオフ電流を測定し
た。その結果、トランジスタのソース電極とドレイン電極間の電圧が３Ｖの場合に、数十
ｙＡ／μｍという、極めて低いオフ電流が得られることが分かった。したがって、高純度
化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ電流が著しく小さいということが
できる。
【0056】
図１において、導電膜１１３は、開口１１７を通じて透光性を有する導電膜で形成される
液晶素子の一方の電極である画素電極１２１と電気的に接続されている。
液晶素子の一方の電極である画素電極１２１と電気的に接続されている。
【0057】
容量素子１０５は、透光性を有する酸化物半導体で形成される半導体膜１１９を一方の電
極とし、透光性を有する画素電極１２１を他方の電極とし、トランジスタ１０３に含まれ
、透光性を有する絶縁膜（図１に図示せず）を誘電体膜として構成されている。すなわち
、容量素子１０５は透光性を有する。また、容量素子１０５の一方の電極である半導体膜
１１９は、開口１２３において容量線１１５と電気的に接続されている。
極とし、透光性を有する画素電極１２１を他方の電極とし、トランジスタ１０３に含まれ
、透光性を有する絶縁膜（図１に図示せず）を誘電体膜として構成されている。すなわち
、容量素子１０５は透光性を有する。また、容量素子１０５の一方の電極である半導体膜
１１９は、開口１２３において容量線１１５と電気的に接続されている。
【0058】
このように、容量素子１０５は透光性を有するため、液晶素子との重畳領域においても光
を透過させることができる。したがって、画素１０１内に容量素子１０５を大きく（大面
積に）形成しても開口率を例えば５５％以上、さらには６０％以上と高くすることが可能
となる。また、容量素子における電荷容量を増大させた半導体装置を得ることができる。
を透過させることができる。したがって、画素１０１内に容量素子１０５を大きく（大面
積に）形成しても開口率を例えば５５％以上、さらには６０％以上と高くすることが可能
となる。また、容量素子における電荷容量を増大させた半導体装置を得ることができる。
【0059】
例えば、解像度の高い液晶表示装置においては、画素全体の面積が縮小されるが、容量素
子においては必要な電荷容量を確保しなければならず、面積の縮小には限度がある。この
ため、解像度の高い液晶表示装置においては、開口率が小さくなってしまう。一方、本実
施の形態に示す容量素子１０５は透光性を有するため、当該容量素子を画素に設けること
で、各画素において十分な電荷容量を得つつ、開口率を高めることができる。代表的には
、画素密度が２００ｐｐｉ以上、さらには３００ｐｐｉ以上である高解像度の液晶表示装
置に用いることが好適である。また、本発明の一態様は、開口率を高めることができるた
め、バックライトなどの光源の光を効率よく利用することができ、表示装置の消費電力を
低減することができる。
子においては必要な電荷容量を確保しなければならず、面積の縮小には限度がある。この
ため、解像度の高い液晶表示装置においては、開口率が小さくなってしまう。一方、本実
施の形態に示す容量素子１０５は透光性を有するため、当該容量素子を画素に設けること
で、各画素において十分な電荷容量を得つつ、開口率を高めることができる。代表的には
、画素密度が２００ｐｐｉ以上、さらには３００ｐｐｉ以上である高解像度の液晶表示装
置に用いることが好適である。また、本発明の一態様は、開口率を高めることができるた
め、バックライトなどの光源の光を効率よく利用することができ、表示装置の消費電力を
低減することができる。
【0060】
次いで、図１に示す一点鎖線Ａ１－Ａ２間、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間、一点鎖線Ｃ１－Ｃ２
間の断面図、および図３に示す第１の駆動回路１０４に用いられるトランジスタの断面図
を図２に示す。なお、第１の駆動回路１０４の上面図を省略すると共に、図２においては
、第１の駆動回路１０４の断面図をＤ１－Ｄ２として示す。また、第１の駆動回路１０４
に用いられるトランジスタは、第２の駆動回路１０６に用いることもできる。
間の断面図、および図３に示す第１の駆動回路１０４に用いられるトランジスタの断面図
を図２に示す。なお、第１の駆動回路１０４の上面図を省略すると共に、図２においては
、第１の駆動回路１０４の断面図をＤ１－Ｄ２として示す。また、第１の駆動回路１０４
に用いられるトランジスタは、第２の駆動回路１０６に用いることもできる。
【0061】
はじめに、画素１０１の一点鎖線Ａ１－Ａ２間、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間、および一点鎖線
Ｃ１－Ｃ２間の断面構造について説明する。
Ｃ１－Ｃ２間の断面構造について説明する。
【0062】
基板１０２上には窒化絶縁膜１１０が設けられ、当該窒化絶縁膜上にトランジスタ１０３
のゲート電極を含む走査線１０７、および走査線１０７と同一表面上に設けられている容
量線１１５が設けられている。走査線１０７および容量線１１５上には、ゲート絶縁膜１
２７が設けられており、ゲート絶縁膜１２７の走査線１０７と重畳する領域上に半導体膜
１１１が設けられている。半導体膜１１１およびゲート絶縁膜１２７上には、トランジス
タ１０３のソース電極またはドレイン電極の一方を含む信号線１０９、およびトランジス
タ１０３のソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３が設けられている。
ゲート絶縁膜１２７には容量線１１５および窒化絶縁膜に達する開口１２３（図１参照）
が設けられており、当該開口を覆うように半導体膜１１９が設けられている。ゲート絶縁
膜１２７上、信号線１０９上、半導体膜１１１上、導電膜１１３上、半導体膜１１９上に
は、トランジスタ１０３の保護絶縁膜として機能する絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、およ
び絶縁膜１３２が設けられている。絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２に
は導電膜１１３に達する開口１１７（図１参照）が設けられており、当該開口を覆うよう
に画素電極１２１（図１参照）が設けられている。
のゲート電極を含む走査線１０７、および走査線１０７と同一表面上に設けられている容
量線１１５が設けられている。走査線１０７および容量線１１５上には、ゲート絶縁膜１
２７が設けられており、ゲート絶縁膜１２７の走査線１０７と重畳する領域上に半導体膜
１１１が設けられている。半導体膜１１１およびゲート絶縁膜１２７上には、トランジス
タ１０３のソース電極またはドレイン電極の一方を含む信号線１０９、およびトランジス
タ１０３のソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３が設けられている。
ゲート絶縁膜１２７には容量線１１５および窒化絶縁膜に達する開口１２３（図１参照）
が設けられており、当該開口を覆うように半導体膜１１９が設けられている。ゲート絶縁
膜１２７上、信号線１０９上、半導体膜１１１上、導電膜１１３上、半導体膜１１９上に
は、トランジスタ１０３の保護絶縁膜として機能する絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、およ
び絶縁膜１３２が設けられている。絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２に
は導電膜１１３に達する開口１１７（図１参照）が設けられており、当該開口を覆うよう
に画素電極１２１（図１参照）が設けられている。
【0063】
本実施の形態に示す容量素子１０５は、一対の電極のうち一方の電極が半導体膜１１１と
同様に形成された半導体膜１１９であり、一対の電極のうち他方の電極が画素電極１２１
であり、一対の電極の間に設けられた誘電体膜が絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶
縁膜１３２である。
同様に形成された半導体膜１１９であり、一対の電極のうち他方の電極が画素電極１２１
であり、一対の電極の間に設けられた誘電体膜が絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶
縁膜１３２である。
【0064】
半導体膜１１９は開口１２３を覆うように設けられており、その大半の領域が窒化絶縁膜
１１０と接している。窒化絶縁膜１１０には窒素および水素が多量に含まれており、それ
らを半導体膜１１９に拡散させることができる。半導体膜１１９として酸化物半導体を用
いる場合、酸化物半導体内に取り込まれた窒素および水素の一部はキャリアを生成するド
ナー準位の形成に寄与するため、酸化物半導体層をｎ型化させ、導電率を高めることがで
きる。したがって、半導体膜１１９は導電膜ということもでき、容量素子１０５の一方の
電極として用いることができる。また、製造工程において加熱処理を行うことで、当該窒
化絶縁膜に含まれる窒素、および水素の半導体膜１１９への拡散をさらに助長させること
ができる。
１１０と接している。窒化絶縁膜１１０には窒素および水素が多量に含まれており、それ
らを半導体膜１１９に拡散させることができる。半導体膜１１９として酸化物半導体を用
いる場合、酸化物半導体内に取り込まれた窒素および水素の一部はキャリアを生成するド
ナー準位の形成に寄与するため、酸化物半導体層をｎ型化させ、導電率を高めることがで
きる。したがって、半導体膜１１９は導電膜ということもでき、容量素子１０５の一方の
電極として用いることができる。また、製造工程において加熱処理を行うことで、当該窒
化絶縁膜に含まれる窒素、および水素の半導体膜１１９への拡散をさらに助長させること
ができる。
【0065】
なお、導電膜として作用する半導体膜１１９は、半導体膜１１１より水素濃度が高いこと
が好ましい。半導体膜１１９において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度は、８
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、
より好ましくは５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。半導体膜１１１において、
二次イオン質量分析法により得られる水素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好まし
くは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
が好ましい。半導体膜１１９において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度は、８
×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、
より好ましくは５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。半導体膜１１１において、
二次イオン質量分析法により得られる水素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好まし
くは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。
【0066】
また、導電膜として作用する半導体膜１１９は、半導体膜１１１より抵抗率が低い。半導
体膜１１９の抵抗率が、半導体膜１１１の抵抗率の１×１０―８倍以上１×１０―１倍以
下であることが好ましく、代表的には１×１０―３Ωｃｍ以上１×１０４Ωｃｍ未満、さ
らに好ましくは、抵抗率が１×１０―３Ωｃｍ以上１×１０―１Ωｃｍ未満であるとよい
。
体膜１１９の抵抗率が、半導体膜１１１の抵抗率の１×１０―８倍以上１×１０―１倍以
下であることが好ましく、代表的には１×１０―３Ωｃｍ以上１×１０４Ωｃｍ未満、さ
らに好ましくは、抵抗率が１×１０―３Ωｃｍ以上１×１０―１Ωｃｍ未満であるとよい
。
【0067】
また、窒化絶縁膜１１０は上記酸化物半導体層のｎ型化に寄与するほか、基板１０２から
ゲート絶縁膜１２７や半導体膜１１９への不純物混入を抑制する下地膜としての機能を有
する。
ゲート絶縁膜１２７や半導体膜１１９への不純物混入を抑制する下地膜としての機能を有
する。
【0068】
なお、半導体膜１１９の上に、選択的に、窒化絶縁膜などと接する領域を設けても良い。
その窒化絶縁膜は、半導体膜１１９の上に、選択的に形成してもよい。または、絶縁膜１
３１に開口を設けて、絶縁膜１３１の上に、窒化珪素膜、または、絶縁膜１３２を設けて
も良い。このとき、半導体膜１１１のチャネル領域の上には、窒化珪素膜が直接接するこ
とが無いことが望ましい。
その窒化絶縁膜は、半導体膜１１９の上に、選択的に形成してもよい。または、絶縁膜１
３１に開口を設けて、絶縁膜１３１の上に、窒化珪素膜、または、絶縁膜１３２を設けて
も良い。このとき、半導体膜１１１のチャネル領域の上には、窒化珪素膜が直接接するこ
とが無いことが望ましい。
【0069】
なお、半導体膜１１９と同様に半導体膜を形成し、その半導体膜を用いて、抵抗素子を構
成することも可能である。そして、その抵抗素子を用いて、保護回路を構成することも可
能である。保護回路を設けることにより、静電気などからの破壊を低減することが出来る
。
成することも可能である。そして、その抵抗素子を用いて、保護回路を構成することも可
能である。保護回路を設けることにより、静電気などからの破壊を低減することが出来る
。
【0070】
次に、第１の駆動回路１０４に設けられるトランジスタの構造について説明する。
【0071】
基板１０２上には窒化絶縁膜１１０が設けられ、当該窒化絶縁膜上にトランジスタ２２３
のゲート電極２２７が設けられている。ゲート電極２２７上にはゲート絶縁膜１２７が設
けられ、当該ゲート絶縁膜のゲート電極２２７と重畳する領域上に半導体膜２３１が設け
られている。また、半導体膜２３１上、およびゲート絶縁膜１２７上にトランジスタ２２
３のソース電極またはドレイン電極の一方である配線２２９およびソース電極またはドレ
イン電極の他方である配線２３３が設けられている。そして、ゲート絶縁膜１２７上、配
線２２９上、半導体膜２３１上、配線２３３上には、トランジスタ２２３の保護絶縁膜と
して機能する絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２、が設けられている。ま
た、絶縁膜１３２上には、導電膜２４１が設けられている。なお、第１の駆動回路１０４
に設けられるトランジスタは、導電膜２４１を設けない構成とすることもできる。
のゲート電極２２７が設けられている。ゲート電極２２７上にはゲート絶縁膜１２７が設
けられ、当該ゲート絶縁膜のゲート電極２２７と重畳する領域上に半導体膜２３１が設け
られている。また、半導体膜２３１上、およびゲート絶縁膜１２７上にトランジスタ２２
３のソース電極またはドレイン電極の一方である配線２２９およびソース電極またはドレ
イン電極の他方である配線２３３が設けられている。そして、ゲート絶縁膜１２７上、配
線２２９上、半導体膜２３１上、配線２３３上には、トランジスタ２２３の保護絶縁膜と
して機能する絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２、が設けられている。ま
た、絶縁膜１３２上には、導電膜２４１が設けられている。なお、第１の駆動回路１０４
に設けられるトランジスタは、導電膜２４１を設けない構成とすることもできる。
【0072】
トランジスタ２２３において、半導体膜２３１を介して、ゲート電極２２７と重なる導電
膜２４１を設けることで、異なるドレイン電圧において、オン電流の立ち上がりゲート電
圧のばらつきを低減することができる。また、導電膜２４１と対向する半導体膜２３１の
面において、配線２２９および配線２３３の間に流れる電流を制御することが可能であり
、トランジスタ間における電気特性のばらつきを低減することができる。また、導電膜２
４１を設けることで、周囲の電界の変化が半導体膜２３１へ与える影響を軽減し、トラン
ジスタの信頼性を向上させることができる。さらには、導電膜２４１の電位を、駆動回路
の最低電位（Ｖｓｓ、例えば配線２２９の電位を基準とする場合、配線２２９の電位）と
同電位またはそれと同等電位とすることで、トランジスタのしきい値電圧の変動を低減す
ることが可能であり、トランジスタの信頼性を高めることができる。
膜２４１を設けることで、異なるドレイン電圧において、オン電流の立ち上がりゲート電
圧のばらつきを低減することができる。また、導電膜２４１と対向する半導体膜２３１の
面において、配線２２９および配線２３３の間に流れる電流を制御することが可能であり
、トランジスタ間における電気特性のばらつきを低減することができる。また、導電膜２
４１を設けることで、周囲の電界の変化が半導体膜２３１へ与える影響を軽減し、トラン
ジスタの信頼性を向上させることができる。さらには、導電膜２４１の電位を、駆動回路
の最低電位（Ｖｓｓ、例えば配線２２９の電位を基準とする場合、配線２２９の電位）と
同電位またはそれと同等電位とすることで、トランジスタのしきい値電圧の変動を低減す
ることが可能であり、トランジスタの信頼性を高めることができる。
【0073】
なお、基板１０２と窒化絶縁膜１１０との間には、窒化絶縁膜１１０とは異なる絶縁膜が
設けられていてもよい。また、半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１
上に設けられる絶縁膜は、上述した３層の構成に限らず、１層、２層、または４層以上で
あってもよい。
設けられていてもよい。また、半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１
上に設けられる絶縁膜は、上述した３層の構成に限らず、１層、２層、または４層以上で
あってもよい。
【0074】
次に、上記構造の構成要素について詳細を説明する。
【0075】
基板１０２の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、半導体装置の作製工程におい
て行う熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セ
ラミック基板、プラスチック基板などがあり、ガラス基板としては、バリウムホウケイ酸
ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス
基板を用いるとよい。また、ステンレス合金などの透光性を有していない基板を用いるこ
ともできる。その場合は、基板表面に絶縁膜を設けることが好ましい。なお、基板１０２
として石英基板、サファイア基板、単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、化合物半導体
基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを用いることもで
きる。
て行う熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セ
ラミック基板、プラスチック基板などがあり、ガラス基板としては、バリウムホウケイ酸
ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス
基板を用いるとよい。また、ステンレス合金などの透光性を有していない基板を用いるこ
ともできる。その場合は、基板表面に絶縁膜を設けることが好ましい。なお、基板１０２
として石英基板、サファイア基板、単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、化合物半導体
基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを用いることもで
きる。
【0076】
窒化絶縁膜１１０は、例えば窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化
酸化アルミニウムなどの窒化絶縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成することが
できる。窒化絶縁膜１１０の一領域の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは
１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とする。
酸化アルミニウムなどの窒化絶縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成することが
できる。窒化絶縁膜１１０の一領域の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは
１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とする。
【0077】
走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７は抵抗損失を低減するため、抵抗
の低い金属膜で形成することが好ましい。走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電
極２２７は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）タンタ
ル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、
スカンジウム（Ｓｃ）などの金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用い、単層
構造または積層構造で形成することができる。
の低い金属膜で形成することが好ましい。走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電
極２２７は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）タンタ
ル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、
スカンジウム（Ｓｃ）などの金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用い、単層
構造または積層構造で形成することができる。
【0078】
走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７の一例としては、シリコンを含む
アルミニウムを用いた単層構造、アルミニウム上にチタンを積層する二層構造、窒化チタ
ン上にチタンを積層する二層構造、窒化チタン上にタングステンを積層する二層構造、窒
化タンタル上にタングステンを積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金
上に銅を積層する二層構造、窒化チタン上に銅を積層し、さらにその上にタングステンを
形成する三層構造などがある。
アルミニウムを用いた単層構造、アルミニウム上にチタンを積層する二層構造、窒化チタ
ン上にチタンを積層する二層構造、窒化チタン上にタングステンを積層する二層構造、窒
化タンタル上にタングステンを積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金
上に銅を積層する二層構造、窒化チタン上に銅を積層し、さらにその上にタングステンを
形成する三層構造などがある。
【0079】
例えば、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７には、低抵抗材料である
アルミニウムや銅を用いることが好ましい。アルミニウムや銅を用いることで、信号遅延
を低減し、表示品位を高めることができる。なお、アルミニウムは耐熱性が低く、ヒロッ
ク、ウィスカー、あるいはマイグレーションによる不良が発生しやすい。アルミニウムの
マイグレーションを防ぐため、アルミニウムに、モリブデン、チタン、タングステンなど
の、アルミニウムよりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。また、銅を用い
る場合も、マイグレーションによる不良や銅元素の拡散を防ぐため、モリブデン、チタン
、タングステンなどの、銅よりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。
アルミニウムや銅を用いることが好ましい。アルミニウムや銅を用いることで、信号遅延
を低減し、表示品位を高めることができる。なお、アルミニウムは耐熱性が低く、ヒロッ
ク、ウィスカー、あるいはマイグレーションによる不良が発生しやすい。アルミニウムの
マイグレーションを防ぐため、アルミニウムに、モリブデン、チタン、タングステンなど
の、アルミニウムよりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。また、銅を用い
る場合も、マイグレーションによる不良や銅元素の拡散を防ぐため、モリブデン、チタン
、タングステンなどの、銅よりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。
【0080】
また、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７の材料として、画素電極１
２１に適用可能な透光性を有する導電材料を用いることができる。なお、本発明の一態様
である半導体装置を反射型の表示装置とする場合、画素電極１２１または基板１０２に透
光性を有していない導電性材料を用いることができる。
２１に適用可能な透光性を有する導電材料を用いることができる。なお、本発明の一態様
である半導体装置を反射型の表示装置とする場合、画素電極１２１または基板１０２に透
光性を有していない導電性材料を用いることができる。
【0081】
さらに、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７の一部の材料として、窒
素を含む金属酸化物、具体的には、窒素を含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物や、窒素を含む
Ｉｎ－Ｓｎ系酸化物や、窒素を含むＩｎ－Ｇａ系酸化物や、窒素を含むＩｎ－Ｚｎ系酸化
物や、窒素を含むＳｎ系酸化物や、窒素を含むＩｎ系酸化物や、金属窒化膜（ＩｎＮ、Ｓ
ｎＮなど）を用いることができる。これらの材料は５ｅＶ（電子ボルト）以上の仕事関数
を有する。トランジスタ１０３の半導体膜１１１に酸化物半導体を用いる場合、走査線１
０７（トランジスタ１０３のゲート電極）として窒素を含む金属酸化物を用いることで、
トランジスタ１０３のしきい値電圧をプラス方向に変動させることができ、所謂ノーマリ
ーオフ特性を有するトランジスタを実現できる。例えば、窒素を含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系
酸化物を用いる場合、少なくとも半導体膜１１１の酸化物半導体膜より高い窒素濃度、具
体的には窒素濃度が７原子％以上のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
素を含む金属酸化物、具体的には、窒素を含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物や、窒素を含む
Ｉｎ－Ｓｎ系酸化物や、窒素を含むＩｎ－Ｇａ系酸化物や、窒素を含むＩｎ－Ｚｎ系酸化
物や、窒素を含むＳｎ系酸化物や、窒素を含むＩｎ系酸化物や、金属窒化膜（ＩｎＮ、Ｓ
ｎＮなど）を用いることができる。これらの材料は５ｅＶ（電子ボルト）以上の仕事関数
を有する。トランジスタ１０３の半導体膜１１１に酸化物半導体を用いる場合、走査線１
０７（トランジスタ１０３のゲート電極）として窒素を含む金属酸化物を用いることで、
トランジスタ１０３のしきい値電圧をプラス方向に変動させることができ、所謂ノーマリ
ーオフ特性を有するトランジスタを実現できる。例えば、窒素を含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系
酸化物を用いる場合、少なくとも半導体膜１１１の酸化物半導体膜より高い窒素濃度、具
体的には窒素濃度が７原子％以上のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【0082】
ゲート絶縁膜１２７は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、
窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金
属酸化物などの絶縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成することができる。なお
、半導体膜１１１である酸化物半導体膜との界面特性を向上させるため、ゲート絶縁膜１
２７において少なくとも半導体膜１１１と接する領域は、酸素を含む絶縁膜で形成するこ
とが好ましい。
窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金
属酸化物などの絶縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成することができる。なお
、半導体膜１１１である酸化物半導体膜との界面特性を向上させるため、ゲート絶縁膜１
２７において少なくとも半導体膜１１１と接する領域は、酸素を含む絶縁膜で形成するこ
とが好ましい。
【0083】
また、ゲート絶縁膜１２７に、酸素、水素、水などに対するバリア性を有する絶縁膜を用
いることで、半導体膜１１１である酸化物半導体膜からの酸素の外部への拡散と、外部か
ら当該酸化物半導体膜への水素、水等の侵入を防ぐことができる。酸素、水素、水等など
に対するバリア性を有する絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、
酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフ
ニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化シリコンなどがある。
いることで、半導体膜１１１である酸化物半導体膜からの酸素の外部への拡散と、外部か
ら当該酸化物半導体膜への水素、水等の侵入を防ぐことができる。酸素、水素、水等など
に対するバリア性を有する絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、
酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフ
ニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化シリコンなどがある。
【0084】
また、ゲート絶縁膜１２７として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素を有す
るハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素を有するハフニウムアルミネート
（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ－ｋ材料を
用いることでトランジスタ１０３のゲートリークを低減できる。
るハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素を有するハフニウムアルミネート
（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ－ｋ材料を
用いることでトランジスタ１０３のゲートリークを低減できる。
【0085】
また、ゲート絶縁膜１２７は、ゲート電極側から以下の積層構造とすることが好ましい。
第１の窒化シリコン膜として、欠陥量が少ない窒化シリコン膜を設け、第１の窒化シリコ
ン膜上に第２の窒化シリコン膜として、水素脱離量およびアンモニア脱離量の少ない窒化
シリコン膜を設け、第２の窒化シリコン膜上に、上記ゲート絶縁膜１２７として用いるこ
とのできる酸素を含む絶縁膜のいずれかを設けることが好ましい。
第１の窒化シリコン膜として、欠陥量が少ない窒化シリコン膜を設け、第１の窒化シリコ
ン膜上に第２の窒化シリコン膜として、水素脱離量およびアンモニア脱離量の少ない窒化
シリコン膜を設け、第２の窒化シリコン膜上に、上記ゲート絶縁膜１２７として用いるこ
とのできる酸素を含む絶縁膜のいずれかを設けることが好ましい。
【0086】
第２の窒化シリコン膜としては、昇温脱離ガス分析法において、水素分子の脱離量が５×
１０２１分子／ｃｍ３未満、好ましくは３×１０２１分子／ｃｍ３以下、さらに好ましく
は１×１０２１分子／ｃｍ３以下であり、アンモニア分子の脱離量が１×１０２２分子／
ｃｍ３未満、好ましくは５×１０２１分子／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０２１
分子／ｃｍ３以下である窒化シリコン膜を用いることが好ましい。上記第１の窒化シリコ
ン膜および第２の窒化シリコン膜をゲート絶縁膜１２７の一部として用いることで、ゲー
ト絶縁膜１２７として、欠陥量が少なく、且つ水素およびアンモニアの脱離量の少ないゲ
ート絶縁膜を形成することができる。したがって、ゲート絶縁膜１２７に含まれる水素お
よび窒素の半導体膜１１１への拡散量を低減することが可能となる。
１０２１分子／ｃｍ３未満、好ましくは３×１０２１分子／ｃｍ３以下、さらに好ましく
は１×１０２１分子／ｃｍ３以下であり、アンモニア分子の脱離量が１×１０２２分子／
ｃｍ３未満、好ましくは５×１０２１分子／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０２１
分子／ｃｍ３以下である窒化シリコン膜を用いることが好ましい。上記第１の窒化シリコ
ン膜および第２の窒化シリコン膜をゲート絶縁膜１２７の一部として用いることで、ゲー
ト絶縁膜１２７として、欠陥量が少なく、且つ水素およびアンモニアの脱離量の少ないゲ
ート絶縁膜を形成することができる。したがって、ゲート絶縁膜１２７に含まれる水素お
よび窒素の半導体膜１１１への拡散量を低減することが可能となる。
【0087】
酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜およびゲート絶縁膜の界面
またはゲート絶縁膜に捕獲準位（界面準位ともいう）が存在すると、トランジスタのしき
い値電圧の変動、代表的にはしきい値電圧のマイナス方向への変動が起こりやすくなる。
また当該捕獲準位は、トランジスタがオン状態となるときにドレイン電流が一桁変化する
のに必要なゲート電圧を示すサブスレッショルド係数（Ｓ値）の増大の原因ともなる。ま
た、上記電気特性の変化は一様ではなく、トランジスタごとに電気特性がばらつくという
問題がある。このため、ゲート絶縁膜として、欠陥量の少ない窒化シリコン膜を用いるこ
と、また、半導体膜１１１と接する領域に酸素を含む絶縁膜を設けることで、しきい値電
圧のマイナスシフトを低減すると共に、Ｓ値の増大を抑制することができる。
またはゲート絶縁膜に捕獲準位（界面準位ともいう）が存在すると、トランジスタのしき
い値電圧の変動、代表的にはしきい値電圧のマイナス方向への変動が起こりやすくなる。
また当該捕獲準位は、トランジスタがオン状態となるときにドレイン電流が一桁変化する
のに必要なゲート電圧を示すサブスレッショルド係数（Ｓ値）の増大の原因ともなる。ま
た、上記電気特性の変化は一様ではなく、トランジスタごとに電気特性がばらつくという
問題がある。このため、ゲート絶縁膜として、欠陥量の少ない窒化シリコン膜を用いるこ
と、また、半導体膜１１１と接する領域に酸素を含む絶縁膜を設けることで、しきい値電
圧のマイナスシフトを低減すると共に、Ｓ値の増大を抑制することができる。
【0088】
ゲート絶縁膜１２７の一領域の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは１０
ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とする。
ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とする。
【0089】
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１には酸化物半導体膜を用いるこ
とが好ましい。当該酸化物半導体膜は、非晶質構造、単結晶構造、または多結晶構造とす
ることができる。また、半導体膜１１１の一領域の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、
好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、最も好ま
しくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とする。
とが好ましい。当該酸化物半導体膜は、非晶質構造、単結晶構造、または多結晶構造とす
ることができる。また、半導体膜１１１の一領域の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、
好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、最も好ま
しくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とする。
【0090】
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１に適用可能な半導体として、エ
ネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上
であって、３．９ｅＶ未満、好ましくは３．７ｅＶ未満、より好ましくは３．５ｅＶ未満
の酸化物半導体が挙げられる。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用
いることで、トランジスタ１０３のオフ電流を低減することができる。また、当該酸化物
半導体は可視光に対する透過率が高く、容量素子１０５の一方の電極に用いることで、透
光性を有する容量素子を形成することができ、液晶表示装置等の画素の開口率を向上させ
ることができる。
ネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上
であって、３．９ｅＶ未満、好ましくは３．７ｅＶ未満、より好ましくは３．５ｅＶ未満
の酸化物半導体が挙げられる。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用
いることで、トランジスタ１０３のオフ電流を低減することができる。また、当該酸化物
半導体は可視光に対する透過率が高く、容量素子１０５の一方の電極に用いることで、透
光性を有する容量素子を形成することができ、液晶表示装置等の画素の開口率を向上させ
ることができる。
【0091】
なお、酸化物半導体膜をｎ型化することで、酸化物半導体膜の光学バンドギャップは、２
．４ｅＶ以上３．１ｅＶ以下、または２．６ｅＶ以上３．０ｅＶ以下とすることができる
。
また、例えば、半導体膜１１９として用いる酸化物半導体膜を原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物とした場合、その光学バンドギャップは
３．１５ｅＶである。また、画素電極１２１などに用いられるインジウム錫酸化物の光学
バンドギャップは３．７ｅＶ～３．９ｅＶである。したがって、画素電極１２１では透過
してしまう可視光線の中で最もエネルギーの高い波長を含む光および紫外光を半導体膜１
１９では吸収することができる。当該エネルギーの高い波長を含む光および紫外光による
目への害が懸念されており、画素１０１に透光性を有する容量素子１０５を用いた半導体
装置は、目にやさしいということができる。なお、容量素子１０５が、画素１０１の全て
の領域と重ならなくてもよい。少なくとも、容量素子１０５が画素１０１の一部と重なる
ことで、可視光線の中でもエネルギーの高い波長を含む光および紫外光を吸収することが
できる。
．４ｅＶ以上３．１ｅＶ以下、または２．６ｅＶ以上３．０ｅＶ以下とすることができる
。
また、例えば、半導体膜１１９として用いる酸化物半導体膜を原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物とした場合、その光学バンドギャップは
３．１５ｅＶである。また、画素電極１２１などに用いられるインジウム錫酸化物の光学
バンドギャップは３．７ｅＶ～３．９ｅＶである。したがって、画素電極１２１では透過
してしまう可視光線の中で最もエネルギーの高い波長を含む光および紫外光を半導体膜１
１９では吸収することができる。当該エネルギーの高い波長を含む光および紫外光による
目への害が懸念されており、画素１０１に透光性を有する容量素子１０５を用いた半導体
装置は、目にやさしいということができる。なお、容量素子１０５が、画素１０１の全て
の領域と重ならなくてもよい。少なくとも、容量素子１０５が画素１０１の一部と重なる
ことで、可視光線の中でもエネルギーの高い波長を含む光および紫外光を吸収することが
できる。
【0092】
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１に適用可能な酸化物半導体は、
少なくともインジウム（Ｉｎ）若しくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。または、Ｉ
ｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、当該酸化物半導体を用いたトランジスタの
電気特性のばらつきを減らすため、それらと共にスタビライザーの一つ、または複数を有
することが好ましい。
少なくともインジウム（Ｉｎ）若しくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。または、Ｉ
ｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、当該酸化物半導体を用いたトランジスタの
電気特性のばらつきを減らすため、それらと共にスタビライザーの一つ、または複数を有
することが好ましい。
【0093】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）などがあ
る。
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）などがあ
る。
【0094】
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１に適用できる酸化物半導体とし
ては、例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二種類の金
属を含む酸化物であるＩｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、
Ｚｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｇａ系酸化物、
三種類の金属を含む酸化物であるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、
Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ａ
ｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｚｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｃ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、四種類の金属を含む
酸化物であるＩｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
ては、例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二種類の金
属を含む酸化物であるＩｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、
Ｚｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ－Ｇａ系酸化物、
三種類の金属を含む酸化物であるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、
Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ａ
ｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｚｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｃ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、四種類の金属を含む
酸化物であるＩｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【0095】
ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物
という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の
金属元素が入っていてもよい。
という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の
金属元素が入っていてもよい。
【0096】
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用い
てもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一の金属元素または複
数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示す。
てもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一の金属元素または複
数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示す。
【0097】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２
（＝１／２：１／６：１／３）の原子数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物を用いること
ができる。あるいは、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉ
ｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）あるいはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝
２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の原子数比のＩｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系金属酸化物を
用いるとよい。なお、金属酸化物の原子数比は、誤差として上記の原子数比のプラスマイ
ナス２０％の変動を含む。
ｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２
（＝１／２：１／６：１／３）の原子数比のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物を用いること
ができる。あるいは、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉ
ｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）あるいはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝
２：１：５（＝１／４：１／８：５／８）の原子数比のＩｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系金属酸化物を
用いるとよい。なお、金属酸化物の原子数比は、誤差として上記の原子数比のプラスマイ
ナス２０％の変動を含む。
【0098】
しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性および電気特性（電界効果移動度、し
きい値電圧等）に応じて適切な原子数比のものを用いればよい。また、必要とする半導体
特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、
原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。例えば、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸
化物では比較的容易に高い電界効果移動度が得られる。しかしながら、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ
系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低くすることにより、電界効果移動度を上げることが
できる。
きい値電圧等）に応じて適切な原子数比のものを用いればよい。また、必要とする半導体
特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、
原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。例えば、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸
化物では比較的容易に高い電界効果移動度が得られる。しかしながら、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ
系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低くすることにより、電界効果移動度を上げることが
できる。
【0099】
トランジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の一方を含む信号線１０９、トラン
ジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３、並びに配線２
２９および配線２３３は、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７に適用
できる材料を用い、単層構造または積層構造で形成することができる。
ジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３、並びに配線２
２９および配線２３３は、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７に適用
できる材料を用い、単層構造または積層構造で形成することができる。
【0100】
絶縁膜１２９および絶縁膜１３１は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ア
ルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金属酸化物などの酸化絶
縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成することができる。
ルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ－Ｚｎ系金属酸化物などの酸化絶
縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成することができる。
【0101】
絶縁膜１２９の一領域の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０
ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。また、絶縁膜１３１の一領
域の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下と
する。
ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。また、絶縁膜１３１の一領
域の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下と
する。
【0102】
絶縁膜１２９および絶縁膜１３１の一方または双方は、化学量論的組成を満たす酸素より
も多くの酸素を含む酸化絶縁膜であることが好ましい。このようにすることで、当該酸化
物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸素過剰領域に含まれる酸素を酸化物
半導体膜に拡散させ、酸素欠損を補填することが可能となる。例えば、昇温脱離ガス分析
（以下、ＴＤＳ分析とする）によって測定される、１００℃以上７００℃以下、好ましく
は１００℃以上５００℃以下の加熱処理における酸素分子の放出量が、１．０×１０１８
分子／ｃｍ３以上ある酸化絶縁膜を用いることで、当該酸化物半導体膜に含まれる酸素欠
損を補填することができる。なお、絶縁膜１２９および絶縁膜１３１の一方または双方に
おいて、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）が部分的に存在し
ている酸化絶縁膜であってもよく、少なくとも半導体膜１１１と重畳する領域に酸素過剰
領域が存在することで、当該酸化物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸素
過剰領域に含まれる酸素を酸化物半導体膜に拡散させ、酸素欠損を補填することが可能と
なる。
も多くの酸素を含む酸化絶縁膜であることが好ましい。このようにすることで、当該酸化
物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸素過剰領域に含まれる酸素を酸化物
半導体膜に拡散させ、酸素欠損を補填することが可能となる。例えば、昇温脱離ガス分析
（以下、ＴＤＳ分析とする）によって測定される、１００℃以上７００℃以下、好ましく
は１００℃以上５００℃以下の加熱処理における酸素分子の放出量が、１．０×１０１８
分子／ｃｍ３以上ある酸化絶縁膜を用いることで、当該酸化物半導体膜に含まれる酸素欠
損を補填することができる。なお、絶縁膜１２９および絶縁膜１３１の一方または双方に
おいて、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む領域（酸素過剰領域）が部分的に存在し
ている酸化絶縁膜であってもよく、少なくとも半導体膜１１１と重畳する領域に酸素過剰
領域が存在することで、当該酸化物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸素
過剰領域に含まれる酸素を酸化物半導体膜に拡散させ、酸素欠損を補填することが可能と
なる。
【0103】
絶縁膜１３１が化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜である場
合、絶縁膜１２９は、酸素を透過する酸化絶縁膜とすることが好ましい。なお、絶縁膜１
２９において、外部から絶縁膜１２９に入った酸素は、全て絶縁膜１２９を通過して拡散
せず、絶縁膜１２９にとどまる酸素もある。また、あらかじめ絶縁膜１２９に含まれてお
り、絶縁膜１２９から外部に拡散する酸素もある。そこで、絶縁膜１２９は酸素の拡散係
数が大きい酸化絶縁膜であることが好ましい。
合、絶縁膜１２９は、酸素を透過する酸化絶縁膜とすることが好ましい。なお、絶縁膜１
２９において、外部から絶縁膜１２９に入った酸素は、全て絶縁膜１２９を通過して拡散
せず、絶縁膜１２９にとどまる酸素もある。また、あらかじめ絶縁膜１２９に含まれてお
り、絶縁膜１２９から外部に拡散する酸素もある。そこで、絶縁膜１２９は酸素の拡散係
数が大きい酸化絶縁膜であることが好ましい。
【0104】
また、絶縁膜１２９は半導体膜１１１および半導体膜２３１である酸化物半導体膜と接す
ることから、酸素を透過させるだけではなく、半導体膜１１１および半導体膜２３１との
界面準位が低くなる酸化絶縁膜であることが好ましい。例えば、絶縁膜１２９は絶縁膜１
３１よりも膜中の欠陥密度が低い酸化絶縁膜であることが好ましい。具体的には、電子ス
ピン共鳴測定によるｇ値＝２．００１（Ｅ´－ｃｅｎｔｅｒ）のスピン密度が３．０×１
０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５．０×１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下の
酸化絶縁膜である。なお、電子スピン共鳴測定によるｇ値＝２．００１のスピン密度は、
絶縁膜１２９に含まれるダングリングボンドの存在量に対応する。
ることから、酸素を透過させるだけではなく、半導体膜１１１および半導体膜２３１との
界面準位が低くなる酸化絶縁膜であることが好ましい。例えば、絶縁膜１２９は絶縁膜１
３１よりも膜中の欠陥密度が低い酸化絶縁膜であることが好ましい。具体的には、電子ス
ピン共鳴測定によるｇ値＝２．００１（Ｅ´－ｃｅｎｔｅｒ）のスピン密度が３．０×１
０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５．０×１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下の
酸化絶縁膜である。なお、電子スピン共鳴測定によるｇ値＝２．００１のスピン密度は、
絶縁膜１２９に含まれるダングリングボンドの存在量に対応する。
【0105】
また、絶縁膜１２９および絶縁膜１３１の一方または双方が窒素に対するバリア性を有す
る絶縁膜であることが好ましい。例えば、緻密な酸化絶縁膜とすることで窒素に対するバ
リア性を有することができ、具体的には、２５℃において０．５重量％のフッ化水素酸を
用いた場合のエッチング速度が１０ｎｍ／分以下である酸化絶縁膜とすることが好ましい
。
る絶縁膜であることが好ましい。例えば、緻密な酸化絶縁膜とすることで窒素に対するバ
リア性を有することができ、具体的には、２５℃において０．５重量％のフッ化水素酸を
用いた場合のエッチング速度が１０ｎｍ／分以下である酸化絶縁膜とすることが好ましい
。
【0106】
なお、絶縁膜１２９および絶縁膜１３１の一方または双方を、酸化窒化シリコンまたは窒
化酸化シリコンなど、窒素を含む酸化絶縁膜とする場合、ＳＩＭＳより得られる窒素濃度
は、ＳＩＭＳ検出下限以上３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする領域を有するよう
に形成することが好ましい。このようにすることで、トランジスタ１０３に含まれる半導
体膜１１１への窒素の移動量を少なくすることができる。また、このようにすることで、
窒素を含む酸化絶縁膜自体の欠陥量を少なくすることができる。
化酸化シリコンなど、窒素を含む酸化絶縁膜とする場合、ＳＩＭＳより得られる窒素濃度
は、ＳＩＭＳ検出下限以上３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする領域を有するよう
に形成することが好ましい。このようにすることで、トランジスタ１０３に含まれる半導
体膜１１１への窒素の移動量を少なくすることができる。また、このようにすることで、
窒素を含む酸化絶縁膜自体の欠陥量を少なくすることができる。
【0107】
また、絶縁膜１３２は、例えば窒化酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒
化酸化アルミニウムなどの窒化絶縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成すること
ができる。
化酸化アルミニウムなどの窒化絶縁材料を用い、単層構造または積層構造で形成すること
ができる。
【0108】
絶縁膜１３２として、水素含有量が少ない窒化絶縁膜を設けてもよい。当該窒化絶縁膜と
しては、例えば、ＴＤＳ分析によって測定される水素分子の放出量が、５．０×１０２１
分子／ｃｍ３未満であり、好ましくは３．０×１０２１分子／ｃｍ３未満であり、さらに
好ましくは１．０×１０２１分子／ｃｍ３未満である窒化絶縁膜を用いることができる。
しては、例えば、ＴＤＳ分析によって測定される水素分子の放出量が、５．０×１０２１
分子／ｃｍ３未満であり、好ましくは３．０×１０２１分子／ｃｍ３未満であり、さらに
好ましくは１．０×１０２１分子／ｃｍ３未満である窒化絶縁膜を用いることができる。
【0109】
絶縁膜１３２の一領域は、外部から水素や水などの不純物の侵入を抑制する機能を発揮で
きる厚さとすることが好ましい。例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５０
ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。絶縁膜
１３２を設けることで、炭素等の不純物が絶縁膜１３２でブロッキングされ、トランジス
タ１０３およびトランジスタ２２３の半導体膜１１１および半導体膜２３１への不純物の
外部からの移動が低減されるため、トランジスタの電気特性のばらつきを低減することが
可能である。
きる厚さとすることが好ましい。例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５０
ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。絶縁膜
１３２を設けることで、炭素等の不純物が絶縁膜１３２でブロッキングされ、トランジス
タ１０３およびトランジスタ２２３の半導体膜１１１および半導体膜２３１への不純物の
外部からの移動が低減されるため、トランジスタの電気特性のばらつきを低減することが
可能である。
【0110】
なお、半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１上に設けられる絶縁膜が
１層である場合は、絶縁膜１３１を設けることが好ましい。また、絶縁膜が２層である場
合は、当該半導体膜側から絶縁膜１３１、絶縁膜１３２の順で設けることが好ましい。
１層である場合は、絶縁膜１３１を設けることが好ましい。また、絶縁膜が２層である場
合は、当該半導体膜側から絶縁膜１３１、絶縁膜１３２の順で設けることが好ましい。
【0111】
また、半導体膜１１１、半導体膜１１９および半導体膜２３１と、画素電極１２１、導電
膜２４１およびそれらと同時に形成することのできる配線等との間に形成される絶縁膜と
しては、有機シランガスを用いたＣＶＤ法（化学気相成長法）により形成した酸化絶縁膜
、代表的には酸化シリコン膜が含まれていてもよい。
膜２４１およびそれらと同時に形成することのできる配線等との間に形成される絶縁膜と
しては、有機シランガスを用いたＣＶＤ法（化学気相成長法）により形成した酸化絶縁膜
、代表的には酸化シリコン膜が含まれていてもよい。
【0112】
当該酸化シリコン膜は３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下で設けることができる。有機シラン
ガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシ
ラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭ
ＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミ
ノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）などのシリコン含有化合物を用いることができ
る。
ガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシ
ラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭ
ＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミ
ノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）などのシリコン含有化合物を用いることができ
る。
【0113】
当該酸化シリコン膜を有機シランガスを用いたＣＶＤ法により形成することで、基板１０
２上に形成される素子部表面の平坦性を高めることが可能である。この結果、有機樹脂で
形成される平坦化膜を設けなくとも、液晶の配向乱れを低減し、光漏れの低減が可能であ
ると共に、コントラストを高めることができる。もちろん、当該酸化シリコン膜の代わり
に有機樹脂を用いてもよいし、当該酸化シリコン膜と有機樹脂を含む積層を用いてもよい
。
２上に形成される素子部表面の平坦性を高めることが可能である。この結果、有機樹脂で
形成される平坦化膜を設けなくとも、液晶の配向乱れを低減し、光漏れの低減が可能であ
ると共に、コントラストを高めることができる。もちろん、当該酸化シリコン膜の代わり
に有機樹脂を用いてもよいし、当該酸化シリコン膜と有機樹脂を含む積層を用いてもよい
。
【0114】
画素電極１２１および導電膜２４１は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ
素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電材料で形成することができる
。
ンジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ
素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電材料で形成することができる
。
【0115】
次に、本実施の形態に示す画素１０１に含まれる各構成要素について説明する。
【0116】
図４（Ａ）は、上述した画素１０１の回路図の一例である。画素１０１は、トランジスタ
１０３、容量素子１０５、および液晶素子１０８を有する。トランジスタ１０３のゲート
電極は走査線１０７に電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方は信号線
１０９と電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方は容量素子１０５の一
方の電極および液晶素子１０８の一方の電極（画素電極）と電気的に接続される。また、
容量素子１０５の他方の電極は容量線１１５に電気的に接続され、液晶素子１０８の他方
の電極（対向電極）は、対向電極に対向電位を供給する配線に電気的に接続される。
１０３、容量素子１０５、および液晶素子１０８を有する。トランジスタ１０３のゲート
電極は走査線１０７に電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方は信号線
１０９と電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方は容量素子１０５の一
方の電極および液晶素子１０８の一方の電極（画素電極）と電気的に接続される。また、
容量素子１０５の他方の電極は容量線１１５に電気的に接続され、液晶素子１０８の他方
の電極（対向電極）は、対向電極に対向電位を供給する配線に電気的に接続される。
【0117】
液晶素子１０８は、トランジスタ１０３および画素電極が形成される基板と、対向する基
板（例えば、対向電極が形成される基板）とで挟持される液晶の光学的変調作用によって
、光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶に
かかる電界（縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、画
素電極および対向電極（共通電極ともいう）が一方の基板側に形成される場合は、液晶に
かかる電界は横方向の電界となる。
板（例えば、対向電極が形成される基板）とで挟持される液晶の光学的変調作用によって
、光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶に
かかる電界（縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、画
素電極および対向電極（共通電極ともいう）が一方の基板側に形成される場合は、液晶に
かかる電界は横方向の電界となる。
【0118】
また、図４（Ｂ）は、画素１０１の詳細な回路図の一例である。図４（Ｂ）および図２に
示すように、トランジスタ１０３は、ゲート電極を含む走査線１０７と、ソース電極また
はドレイン電極の一方を含む信号線１０９と、ソース電極またはドレイン電極の他方を含
む導電膜１１３とを有する。
示すように、トランジスタ１０３は、ゲート電極を含む走査線１０７と、ソース電極また
はドレイン電極の一方を含む信号線１０９と、ソース電極またはドレイン電極の他方を含
む導電膜１１３とを有する。
【0119】
容量素子１０５においては、容量線１１５と接続する半導体膜１１９が一方の電極として
機能する。また、ソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３に接続する画
素電極１２１が他方の電極として機能する。また、半導体膜１１９および画素電極１２１
の間に設けられる、絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、絶縁膜１３２が誘電体膜として機能す
る。
機能する。また、ソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３に接続する画
素電極１２１が他方の電極として機能する。また、半導体膜１１９および画素電極１２１
の間に設けられる、絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、絶縁膜１３２が誘電体膜として機能す
る。
【0120】
液晶素子１０８は、画素電極１２１、対向電極１５４、並びに画素電極１２１および対向
電極１５４の間に設けられる液晶層で構成される。
電極１５４の間に設けられる液晶層で構成される。
【0121】
容量素子１０５において、半導体膜１１９は、半導体膜１１１と同一の構成であっても、
容量素子１０５の電極として機能する。なぜなら、画素電極１２１をゲート電極、絶縁膜
１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２をゲート絶縁膜、容量線１１５をソース電極
またはドレイン電極と機能させることが可能であり、この結果、容量素子１０５をトラン
ジスタと同様に動作させ、半導体膜１１９を導通状態にすることができるからである。し
たがって、半導体膜１１９を容量素子１０５の一方の電極として機能させることができる
。
容量素子１０５の電極として機能する。なぜなら、画素電極１２１をゲート電極、絶縁膜
１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２をゲート絶縁膜、容量線１１５をソース電極
またはドレイン電極と機能させることが可能であり、この結果、容量素子１０５をトラン
ジスタと同様に動作させ、半導体膜１１９を導通状態にすることができるからである。し
たがって、半導体膜１１９を容量素子１０５の一方の電極として機能させることができる
。
【0122】
【0123】
まず、基板１０２上に窒化絶縁膜１１０を形成する。次に、当該窒化絶縁膜上に走査線１
０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７を形成する。次に、走査線１０７、容量線
１１５、およびゲート電極２２７を覆うようにゲート絶縁膜１２７を形成する。そして、
ゲート絶縁膜１２７に開口１２３（図１参照）を設け、容量線１１５の一部、および窒化
絶縁膜１１０の一部を露出させる。
０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７を形成する。次に、走査線１０７、容量線
１１５、およびゲート電極２２７を覆うようにゲート絶縁膜１２７を形成する。そして、
ゲート絶縁膜１２７に開口１２３（図１参照）を設け、容量線１１５の一部、および窒化
絶縁膜１１０の一部を露出させる。
【0124】
次に、ゲート絶縁膜１２７上の走査線１０７と重畳する領域に半導体膜１１１を形成し、
開口１２３を覆うように半導体膜１１９を形成し、ゲート電極２２７と重畳する領域に半
導体膜２３１を形成する（図５（Ａ）参照）。
開口１２３を覆うように半導体膜１１９を形成し、ゲート電極２２７と重畳する領域に半
導体膜２３１を形成する（図５（Ａ）参照）。
【0125】
窒化絶縁膜１１０は、前述した材料を用いて形成することができる。当該窒化絶縁膜は、
蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種成膜方法を用いること
ができる。
蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種成膜方法を用いること
ができる。
【0126】
走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７は、前述した材料を用いて導電膜
を形成し、当該導電膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いて加工することにより形成
できる。当該導電膜は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法などの各
種成膜方法を用いることができる。なお、当該導電膜の厚さは特に限定されず、形成する
時間や所望の抵抗率などを考慮して決めることができる。当該マスクは、例えばフォトリ
ソグラフィ工程によって形成したレジストマスクとすることができる。また、当該導電膜
の加工はドライエッチングおよびウェットエッチングの一方または双方によって行うこと
ができる。
を形成し、当該導電膜上にマスクを形成し、当該マスクを用いて加工することにより形成
できる。当該導電膜は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法などの各
種成膜方法を用いることができる。なお、当該導電膜の厚さは特に限定されず、形成する
時間や所望の抵抗率などを考慮して決めることができる。当該マスクは、例えばフォトリ
ソグラフィ工程によって形成したレジストマスクとすることができる。また、当該導電膜
の加工はドライエッチングおよびウェットエッチングの一方または双方によって行うこと
ができる。
【0127】
ゲート絶縁膜１２７は、前述した材料を用いて、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などの
各種成膜方法を用いて形成することができる。
各種成膜方法を用いて形成することができる。
【0128】
また、ゲート絶縁膜１２７に酸化ガリウムを適用する場合は、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形
成することができる。
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形
成することができる。
【0129】
開口１２３は、ゲート絶縁膜１２７上の所定の領域にマスクを形成し、当該マスクを用い
て加工することで形成できる。なお、当該マスクおよび当該加工は、走査線１０７、容量
線１１５、およびゲート電極２２７と同じようにして行うことができる。
て加工することで形成できる。なお、当該マスクおよび当該加工は、走査線１０７、容量
線１１５、およびゲート電極２２７と同じようにして行うことができる。
【0130】
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１は、前述した酸化物半導体を用
いて酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜上にマスクを形成し、当該マスクを用
いて加工することにより形成できる。当該酸化物半導体膜は、スパッタリング法、塗布法
、パルスレーザー蒸着法、レーザーアブレーション法などを用いて形成することができる
。印刷法を用いることで、素子分離された半導体膜１１１および半導体膜１１９をゲート
絶縁膜１２７上に直接形成することができる。スパッタリング法で当該酸化物半導体膜を
形成する場合、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置ま
たはＤＣ電源装置などを適宜用いることができる。スパッタリングガスは、希ガス（代表
的にはアルゴン）、酸素、希ガスおよび酸素の混合ガスを適宜用いる。なお、希ガスおよ
び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガス比を高めることが好ましい。また、
ターゲットは、形成する酸化物半導体膜の組成にあわせて、適宜選択すればよい。なお、
当該マスクは、例えばフォトリソグラフィ工程によって形成したレジストマスクとするこ
とができる。また、当該酸化物半導体膜の加工はドライエッチングおよびウェットエッチ
ングの一方または双方によって行うことができる。所望の形状にエッチングできるよう、
材料に合わせてエッチング条件（エッチングガスやエッチング液、エッチング時間、温度
など）を適宜設定する。
いて酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜上にマスクを形成し、当該マスクを用
いて加工することにより形成できる。当該酸化物半導体膜は、スパッタリング法、塗布法
、パルスレーザー蒸着法、レーザーアブレーション法などを用いて形成することができる
。印刷法を用いることで、素子分離された半導体膜１１１および半導体膜１１９をゲート
絶縁膜１２７上に直接形成することができる。スパッタリング法で当該酸化物半導体膜を
形成する場合、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、ＡＣ電源装置ま
たはＤＣ電源装置などを適宜用いることができる。スパッタリングガスは、希ガス（代表
的にはアルゴン）、酸素、希ガスおよび酸素の混合ガスを適宜用いる。なお、希ガスおよ
び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素のガス比を高めることが好ましい。また、
ターゲットは、形成する酸化物半導体膜の組成にあわせて、適宜選択すればよい。なお、
当該マスクは、例えばフォトリソグラフィ工程によって形成したレジストマスクとするこ
とができる。また、当該酸化物半導体膜の加工はドライエッチングおよびウェットエッチ
ングの一方または双方によって行うことができる。所望の形状にエッチングできるよう、
材料に合わせてエッチング条件（エッチングガスやエッチング液、エッチング時間、温度
など）を適宜設定する。
【0131】
また、上記酸化物半導体膜は、ＣＶＤ法により形成してもよい。ＣＶＤ法としてはＭＯＣ
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの熱ＣＶ
Ｄ法を用いても良い。
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの熱ＣＶ
Ｄ法を用いても良い。
【0132】
熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成
されることが無いという利点を有する。
されることが無いという利点を有する。
【0133】
熱ＣＶＤ法は、原料ガスと酸化剤を同時にチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧ま
たは減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
ってもよい。
たは減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
ってもよい。
【0134】
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが順
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。
例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以上
の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原
料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第
２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキ
ャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよ
い。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後
、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の層を
成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の層が第１の層上に積層され
て薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返
すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順
序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微
細なトランジスタを作製する場合に適している。
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。
例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以上
の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原
料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第
２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキ
ャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよ
い。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後
、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の層を
成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の層が第１の層上に積層され
て薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返
すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順
序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微
細なトランジスタを作製する場合に適している。
【0135】
例えば、ＩｎＧａＺｎＯＸ（Ｘ＞０）膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム、ト
リメチルガリウム、およびジメチル亜鉛を用いる。なお、トリメチルインジウムの化学式
は、Ｉｎ（ＣＨ３）３である。また、トリメチルガリウムの化学式は、Ｇａ（ＣＨ３）３
である。また、ジメチル亜鉛の化学式は、Ｚｎ（ＣＨ３）２である。また、これらの組み
合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム（化学式Ｇａ（Ｃ
２Ｈ５）３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（化学式Ｚｎ（Ｃ
２Ｈ５）２）を用いることもできる。
リメチルガリウム、およびジメチル亜鉛を用いる。なお、トリメチルインジウムの化学式
は、Ｉｎ（ＣＨ３）３である。また、トリメチルガリウムの化学式は、Ｇａ（ＣＨ３）３
である。また、ジメチル亜鉛の化学式は、Ｚｎ（ＣＨ３）２である。また、これらの組み
合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリウム（化学式Ｇａ（Ｃ
２Ｈ５）３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（化学式Ｚｎ（Ｃ
２Ｈ５）２）を用いることもできる。
【0136】
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）膜をＡＬＤ法で成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３
ガスを順次繰り返し導入してＩｎＯ２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３
ガスを同時に導入してＧａＯ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２とＯ３ガスを同時
に導入してＺｎＯ層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、こ
れらのガスを混ぜてＩｎ－Ｇａ－Ｏ層やＩｎ－Ｚｎ－Ｏ層、Ｇａ－Ｉｎ－Ｏ層、Ｚｎ－Ｉ
ｎ－Ｏ層、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ層などの混合化合物層を形成しても良い。なお、Ｏ３ガスに変
えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングして得られたＨ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含
まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ
２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５
）３ガスを用いても良い。また、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガ
スを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスを用いても良い。
ガスを順次繰り返し導入してＩｎＯ２層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３
ガスを同時に導入してＧａＯ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２とＯ３ガスを同時
に導入してＺｎＯ層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、こ
れらのガスを混ぜてＩｎ－Ｇａ－Ｏ層やＩｎ－Ｚｎ－Ｏ層、Ｇａ－Ｉｎ－Ｏ層、Ｚｎ－Ｉ
ｎ－Ｏ層、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ層などの混合化合物層を形成しても良い。なお、Ｏ３ガスに変
えてＡｒ等の不活性ガスでバブリングして得られたＨ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含
まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ
２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５
）３ガスを用いても良い。また、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガ
スを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスを用いても良い。
【0137】
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１を形成した後に加熱処理をし、
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１である酸化物半導体膜の脱水素
化または脱水化をすることが好ましい。当該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以
上基板歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上
４５０℃以下とする。なお、当該加熱処理は半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半
導体膜２３１に加工する前の酸化物半導体膜に行ってもよい。
半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半導体膜２３１である酸化物半導体膜の脱水素
化または脱水化をすることが好ましい。当該加熱処理の温度は、代表的には、１５０℃以
上基板歪み点未満、好ましくは２００℃以上４５０℃以下、更に好ましくは３００℃以上
４５０℃以下とする。なお、当該加熱処理は半導体膜１１１、半導体膜１１９、および半
導体膜２３１に加工する前の酸化物半導体膜に行ってもよい。
【0138】
当該加熱処理において、加熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体か
らの熱伝導、または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置であっても良い。例えば、
ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａ
ｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンラン
プ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリ
ウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理
物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であ
る。
らの熱伝導、または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置であっても良い。例えば、
ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａ
ｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンラン
プ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリ
ウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理
物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であ
る。
【0139】
当該加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気（水の含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくは１
ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等
）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、
水などが含まれないことが好ましい。不活性ガス雰囲気で加熱した後、酸素雰囲気で加熱
してもよい。なお、処理時間は３分～２４時間とすることが好ましい。
ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下の空気）、または希ガス（アルゴン、ヘリウム等
）の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、
水などが含まれないことが好ましい。不活性ガス雰囲気で加熱した後、酸素雰囲気で加熱
してもよい。なお、処理時間は３分～２４時間とすることが好ましい。
【0140】
また、当該加熱処理によって、窒化絶縁膜１１０に含まれる窒素、および水素の半導体膜
１１９への拡散を助長させることができ、半導体膜１１９の抵抗をより低下させることが
できる。
１１９への拡散を助長させることができ、半導体膜１１９の抵抗をより低下させることが
できる。
【0141】
なお、基板１０２と、窒化絶縁膜１１０との間に絶縁膜を設ける場合は、当該絶縁膜には
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、
酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用
いることができる。なお、当該絶縁膜として、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニ
ウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウムなどを用いることで、基板１０２から不純物
、代表的にはアルカリ金属、水、水素などが、半導体膜１１１、半導体膜１１９、および
半導体膜２３１に拡散することを抑制できる。当該絶縁膜は、スパッタリング法またはＣ
ＶＤ法を用いて形成することができる。
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、
酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用
いることができる。なお、当該絶縁膜として、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニ
ウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウムなどを用いることで、基板１０２から不純物
、代表的にはアルカリ金属、水、水素などが、半導体膜１１１、半導体膜１１９、および
半導体膜２３１に拡散することを抑制できる。当該絶縁膜は、スパッタリング法またはＣ
ＶＤ法を用いて形成することができる。
【0142】
次に、トランジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の一方を含む信号線１０９、
トランジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３、配線２
２９、および配線２３３を形成する（図５（Ｂ）参照）。
トランジスタ１０３のソース電極またはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３、配線２
２９、および配線２３３を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【0143】
信号線１０９、導電膜１１３、配線２２９、および配線２３３は、走査線１０７、容量線
１１５、およびゲート電極２２７に適用できる材料を用いて導電膜を形成し、当該導電膜
上にマスクを形成し、当該マスクを用いて加工することにより形成できる。当該マスクお
よび当該加工は、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７と同じようにし
て行うことができる。
１１５、およびゲート電極２２７に適用できる材料を用いて導電膜を形成し、当該導電膜
上にマスクを形成し、当該マスクを用いて加工することにより形成できる。当該マスクお
よび当該加工は、走査線１０７、容量線１１５、およびゲート電極２２７と同じようにし
て行うことができる。
【0144】
次に、半導体膜１１１、半導体膜１１９および半導体膜２３１、信号線１０９、導電膜１
１３、配線２２９、および配線２３３、並びにゲート絶縁膜１２７上に絶縁膜１２９、絶
縁膜１３１、および絶縁膜１３２を形成する（図６（Ａ）参照）。なお、絶縁膜１２９、
絶縁膜１３１および絶縁膜１３２は、連続して形成することが好ましい。連続して形成す
ることで、絶縁膜１２９、絶縁膜１３１および絶縁膜１３２のそれぞれの界面に不純物が
混入することを抑制できる。
１３、配線２２９、および配線２３３、並びにゲート絶縁膜１２７上に絶縁膜１２９、絶
縁膜１３１、および絶縁膜１３２を形成する（図６（Ａ）参照）。なお、絶縁膜１２９、
絶縁膜１３１および絶縁膜１３２は、連続して形成することが好ましい。連続して形成す
ることで、絶縁膜１２９、絶縁膜１３１および絶縁膜１３２のそれぞれの界面に不純物が
混入することを抑制できる。
【0145】
絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２は、前述した材料を用いて、ＣＶＤ法
またはスパッタリング法などの各種成膜方法により形成することができる。
またはスパッタリング法などの各種成膜方法により形成することができる。
【0146】
絶縁膜１２９に半導体膜１１１との界面準位密度が低くなる酸化絶縁膜を適用する場合、
絶縁膜１２９は以下の形成条件を用いて形成できる。なお、ここでは当該酸化絶縁膜とし
て、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成する場合について記載する。当該形
成条件は、プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以
上４００℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３７０℃以下に保持し、処理室に原料ガ
スのシリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を導入して処理室内における圧力を２０
Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは４０Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内
に設けられた電極に高周波電力を供給する条件である。
絶縁膜１２９は以下の形成条件を用いて形成できる。なお、ここでは当該酸化絶縁膜とし
て、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成する場合について記載する。当該形
成条件は、プラズマＣＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以
上４００℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３７０℃以下に保持し、処理室に原料ガ
スのシリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を導入して処理室内における圧力を２０
Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは４０Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室内
に設けられた電極に高周波電力を供給する条件である。
【0147】
シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シ
ランなどがある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素などが
ある。
ランなどがある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素などが
ある。
【0148】
なお、シリコンを含む堆積性気体に対する酸化性気体量を１００倍以上とすることで、絶
縁膜１２９に含まれる水素含有量を低減することが可能であると共に、絶縁膜１２９に含
まれるダングリングボンドを低減することができる。絶縁膜１３１から拡散する酸素は、
絶縁膜１２９に含まれるダングリングボンドによって捕獲される場合があるため、絶縁膜
１２９に含まれるダングリングボンドが低減されていると、絶縁膜１３１に含まれる酸素
を効率よく半導体膜１１１および半導体膜２３１へ拡散させ、半導体膜１１１および半導
体膜２３１である酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損を補填することが可能である。この
結果、当該酸化物半導体膜に混入する水素量を低減できると共に酸化物半導体膜に含まれ
る酸素欠損を低減させることが可能である。
縁膜１２９に含まれる水素含有量を低減することが可能であると共に、絶縁膜１２９に含
まれるダングリングボンドを低減することができる。絶縁膜１３１から拡散する酸素は、
絶縁膜１２９に含まれるダングリングボンドによって捕獲される場合があるため、絶縁膜
１２９に含まれるダングリングボンドが低減されていると、絶縁膜１３１に含まれる酸素
を効率よく半導体膜１１１および半導体膜２３１へ拡散させ、半導体膜１１１および半導
体膜２３１である酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損を補填することが可能である。この
結果、当該酸化物半導体膜に混入する水素量を低減できると共に酸化物半導体膜に含まれ
る酸素欠損を低減させることが可能である。
【0149】
絶縁膜１３１を上記の酸素過剰領域を含む酸化絶縁膜または化学量論的組成を満たす酸素
よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜とする場合、絶縁膜１３１は以下の形成条件を用いて
形成することができる。なお、ここでは当該酸化絶縁膜として、酸化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜を形成する場合について記載する。当該形成条件としては、プラズマＣ
ＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下、さら
に好ましくは１８０℃以上２３０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内
における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００
Ｐａ以下とし、処理室内に設けられた電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以
下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供
給する条件が一例として挙げられる。
よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜とする場合、絶縁膜１３１は以下の形成条件を用いて
形成することができる。なお、ここでは当該酸化絶縁膜として、酸化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜を形成する場合について記載する。当該形成条件としては、プラズマＣ
ＶＤ装置の真空排気された処理室内に載置された基板を１８０℃以上２６０℃以下、さら
に好ましくは１８０℃以上２３０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内
における圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下、さらに好ましくは１００Ｐａ以上２００
Ｐａ以下とし、処理室内に設けられた電極に０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以
下、さらに好ましくは０．２５Ｗ／ｃｍ２以上０．３５Ｗ／ｃｍ２以下の高周波電力を供
給する条件が一例として挙げられる。
【0150】
絶縁膜１３１の原料ガスは、絶縁膜１２９に適用できる原料ガスとすることができる。
【0151】
絶縁膜１３１の形成条件として、上記圧力の反応室において上記パワー密度の高周波電力
を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加し、
原料ガスの酸化が進むため、絶縁膜１３１中における酸素含有量が化学量論的組成よりも
多くなる。しかしながら、基板温度が上記形成条件の温度であると、シリコンと酸素の結
合力が弱いため、加熱により酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす
酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を形成するこ
とができる。また、半導体膜１１１上に絶縁膜１２９が設けられている。このため、絶縁
膜１３１の形成工程において、絶縁膜１２９が半導体膜１１１の保護膜となる。この結果
、パワー密度の高い高周波電力を用いて絶縁膜１３１を形成しても、半導体膜１１１およ
び半導体膜２３１へのダメージを抑制できる。
を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増加し、
原料ガスの酸化が進むため、絶縁膜１３１中における酸素含有量が化学量論的組成よりも
多くなる。しかしながら、基板温度が上記形成条件の温度であると、シリコンと酸素の結
合力が弱いため、加熱により酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を満たす
酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を形成するこ
とができる。また、半導体膜１１１上に絶縁膜１２９が設けられている。このため、絶縁
膜１３１の形成工程において、絶縁膜１２９が半導体膜１１１の保護膜となる。この結果
、パワー密度の高い高周波電力を用いて絶縁膜１３１を形成しても、半導体膜１１１およ
び半導体膜２３１へのダメージを抑制できる。
【0152】
また、絶縁膜１３１は膜厚を厚くすることで加熱によって脱離する酸素の量を多くするこ
とができることから、絶縁膜１３１は絶縁膜１２９より厚く設けることが好ましい。絶縁
膜１２９を設けることで絶縁膜１３１を厚く設ける場合でも被覆性を良好にすることがで
きる。
とができることから、絶縁膜１３１は絶縁膜１２９より厚く設けることが好ましい。絶縁
膜１２９を設けることで絶縁膜１３１を厚く設ける場合でも被覆性を良好にすることがで
きる。
【0153】
絶縁膜１３２を水素含有量が少ない窒化絶縁膜で設ける場合、絶縁膜１３２は以下の形成
条件を用いて形成できる。なお、ここでは当該窒化絶縁膜として、窒化シリコン膜を形成
する場合について記載する。当該形成条件の一例としては、プラズマＣＶＤ装置の真空排
気された処理室内に載置された基板を８０℃以上４００℃以下、さらに好ましくは２００
℃以上３７０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１０
０Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室
内に設けられた電極に高周波電力を供給する条件が挙げられる。
条件を用いて形成できる。なお、ここでは当該窒化絶縁膜として、窒化シリコン膜を形成
する場合について記載する。当該形成条件の一例としては、プラズマＣＶＤ装置の真空排
気された処理室内に載置された基板を８０℃以上４００℃以下、さらに好ましくは２００
℃以上３７０℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を１０
０Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、好ましくは１００Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、処理室
内に設けられた電極に高周波電力を供給する条件が挙げられる。
【0154】
絶縁膜１３２の原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体、窒素、およびアンモニア
を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラ
ン、トリシラン、フッ化シランなどがある。また、窒素の流量は、アンモニアの流量に対
して５倍以上５０倍以下、好ましくは１０倍以上５０倍以下とすることが好ましい。なお
、原料ガスとしてアンモニアを用いることで、シリコンを含む堆積性気体および窒素の分
解を促すことができる。これは、アンモニアがプラズマエネルギーや熱エネルギーによっ
て解離し、解離することで生じるエネルギーが、シリコンを含む堆積性気体分子の結合お
よび窒素分子の結合の分解に寄与するためである。このようにすることで、水素含有量が
少なく、外部から水素や水などの不純物の侵入を抑制することが可能な窒化シリコン膜を
形成することができる。
を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラ
ン、トリシラン、フッ化シランなどがある。また、窒素の流量は、アンモニアの流量に対
して５倍以上５０倍以下、好ましくは１０倍以上５０倍以下とすることが好ましい。なお
、原料ガスとしてアンモニアを用いることで、シリコンを含む堆積性気体および窒素の分
解を促すことができる。これは、アンモニアがプラズマエネルギーや熱エネルギーによっ
て解離し、解離することで生じるエネルギーが、シリコンを含む堆積性気体分子の結合お
よび窒素分子の結合の分解に寄与するためである。このようにすることで、水素含有量が
少なく、外部から水素や水などの不純物の侵入を抑制することが可能な窒化シリコン膜を
形成することができる。
【0155】
少なくとも絶縁膜１３１を形成した後に加熱処理を行い、絶縁膜１２９または絶縁膜１３
１に含まれる過剰酸素を半導体膜１１１および半導体膜２３１に拡散させ、半導体膜１１
１および半導体膜２３１である酸化物半導体膜の酸素欠損を補填することが好ましい。な
お、当該加熱処理は、半導体膜１１１および半導体膜２３１の脱水素化または脱水化を行
う加熱処理の詳細を参照して適宜行うことができる。
１に含まれる過剰酸素を半導体膜１１１および半導体膜２３１に拡散させ、半導体膜１１
１および半導体膜２３１である酸化物半導体膜の酸素欠損を補填することが好ましい。な
お、当該加熱処理は、半導体膜１１１および半導体膜２３１の脱水素化または脱水化を行
う加熱処理の詳細を参照して適宜行うことができる。
【0156】
次に、絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜１３２の導電膜１１３と重畳する領域
に、導電膜１１３に達する開口１１７（図１参照）を形成する。開口１１７は、開口１２
３と同様にして形成することができる。
に、導電膜１１３に達する開口１１７（図１参照）を形成する。開口１１７は、開口１２
３と同様にして形成することができる。
【0157】
次に、画素電極１２１および導電膜２４１を形成することで、図１、図２に示す半導体装
置を作製することができる（図６（Ｂ）参照）。画素電極１２１は、前述した材料を用い
、開口１１７を通じて導電膜１１３に接する導電膜を形成し、当該導電膜上にマスクを形
成し、当該マスクを用いて加工することにより形成できる。なお、当該マスクおよび当該
加工は、走査線１０７および容量線１１５と同じようにして行うことができる。
置を作製することができる（図６（Ｂ）参照）。画素電極１２１は、前述した材料を用い
、開口１１７を通じて導電膜１１３に接する導電膜を形成し、当該導電膜上にマスクを形
成し、当該マスクを用いて加工することにより形成できる。なお、当該マスクおよび当該
加工は、走査線１０７および容量線１１５と同じようにして行うことができる。
【0158】
なお、本発明の一態様である半導体装置においては、容量素子を構成する一方の電極であ
る半導体膜１１９と容量線１１５との接続を適宜変更することができる。例えば、図７の
容量素子１０５の断面図に示すように、容量線１１５と半導体膜１１９との接続を導電膜
１２５を用いて行ってもよい。このとき、導電膜１２５は、トランジスタ１０３のソース
電極またはドレイン電極の一方を含む信号線１０９、トランジスタ１０３のソース電極ま
たはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３、配線２２９、および配線２３３と同時に形
成することができる。
る半導体膜１１９と容量線１１５との接続を適宜変更することができる。例えば、図７の
容量素子１０５の断面図に示すように、容量線１１５と半導体膜１１９との接続を導電膜
１２５を用いて行ってもよい。このとき、導電膜１２５は、トランジスタ１０３のソース
電極またはドレイン電極の一方を含む信号線１０９、トランジスタ１０３のソース電極ま
たはドレイン電極の他方を含む導電膜１１３、配線２２９、および配線２３３と同時に形
成することができる。
【0159】
また、本発明の一態様である半導体装置においては、画素内に設けられるトランジスタの
形状は図１および図２に示したトランジスタの形状に限定されず、適宜変更することがで
きる。例えば、トランジスタにおいて、信号線１０９に含まれるソース電極またはドレイ
ン電極の一方がＵ字型（Ｃ字型、コの字型、または馬蹄型）とし、ソース電極またはドレ
イン電極の他方を含む導電膜を囲む形状のトランジスタであってもよい。このような形状
とすることで、トランジスタの面積が小さくても、十分なチャネル幅を確保することが可
能となり、トランジスタの導通時に流れるドレイン電流（オン電流ともいう）の量を増や
すことが可能となる。
形状は図１および図２に示したトランジスタの形状に限定されず、適宜変更することがで
きる。例えば、トランジスタにおいて、信号線１０９に含まれるソース電極またはドレイ
ン電極の一方がＵ字型（Ｃ字型、コの字型、または馬蹄型）とし、ソース電極またはドレ
イン電極の他方を含む導電膜を囲む形状のトランジスタであってもよい。このような形状
とすることで、トランジスタの面積が小さくても、十分なチャネル幅を確保することが可
能となり、トランジスタの導通時に流れるドレイン電流（オン電流ともいう）の量を増や
すことが可能となる。
【0160】
また、上記に示す画素１０１において、トランジスタとして、チャネルエッチ型のトラン
ジスタを示したが、図８に示すようなチャネル保護型のトランジスタを用いることもでき
る。チャネル保護膜１５０を設けることで、半導体膜１１１の表面は、信号線および導電
膜の形成工程で用いるエッチャントやエッチングガスに曝されず、半導体膜１１１および
チャネル保護膜の間の不純物を低減できる。この結果、トランジスタのソース電極および
ドレイン電極の間に流れるリーク電流を低減することが可能である。また、チャネル保護
型のトランジスタは、第１の駆動回路１０４および第２の駆動回路１０６に用いることも
できる。
ジスタを示したが、図８に示すようなチャネル保護型のトランジスタを用いることもでき
る。チャネル保護膜１５０を設けることで、半導体膜１１１の表面は、信号線および導電
膜の形成工程で用いるエッチャントやエッチングガスに曝されず、半導体膜１１１および
チャネル保護膜の間の不純物を低減できる。この結果、トランジスタのソース電極および
ドレイン電極の間に流れるリーク電流を低減することが可能である。また、チャネル保護
型のトランジスタは、第１の駆動回路１０４および第２の駆動回路１０６に用いることも
できる。
【0161】
また、上記に示す画素１０１において、トランジスタとして、１つのゲート電極を有する
トランジスタを示したが、半導体膜１１１を介して対向する２つのゲート電極を有するト
ランジスタを用いることができる。なお、２つのゲート電極を有するトランジスタの構成
としては、例えば、図２に示すゲート電極２２７、および導電膜２４１を有する第１の駆
動回路１０４に用いられるトランジスタを参照することができる。
トランジスタを示したが、半導体膜１１１を介して対向する２つのゲート電極を有するト
ランジスタを用いることができる。なお、２つのゲート電極を有するトランジスタの構成
としては、例えば、図２に示すゲート電極２２７、および導電膜２４１を有する第１の駆
動回路１０４に用いられるトランジスタを参照することができる。
【0162】
上記２つのゲート電極を有するトランジスタは、本実施の形態で説明したトランジスタ１
０３の絶縁膜１３２上に、導電膜を有する。導電膜は、少なくとも半導体膜１１１のチャ
ネル形成領域と重なる。導電膜を半導体膜１１１のチャネル形成領域と重なる位置に設け
ることによって、導電膜の電位は、信号線１０９に入力されるビデオ信号の最低電位とす
ることが好ましい。この結果、導電膜と対向する半導体膜１１１の面において、ソース電
極およびドレイン電極の間に流れる電流を制御することが可能であり、トランジスタの電
気特性のばらつきを低減することができる。また、導電膜を設けることで、周囲の電界の
変化が半導体膜１１１へ与える影響を軽減し、トランジスタの信頼性を向上させることが
できる。
０３の絶縁膜１３２上に、導電膜を有する。導電膜は、少なくとも半導体膜１１１のチャ
ネル形成領域と重なる。導電膜を半導体膜１１１のチャネル形成領域と重なる位置に設け
ることによって、導電膜の電位は、信号線１０９に入力されるビデオ信号の最低電位とす
ることが好ましい。この結果、導電膜と対向する半導体膜１１１の面において、ソース電
極およびドレイン電極の間に流れる電流を制御することが可能であり、トランジスタの電
気特性のばらつきを低減することができる。また、導電膜を設けることで、周囲の電界の
変化が半導体膜１１１へ与える影響を軽減し、トランジスタの信頼性を向上させることが
できる。
【0163】
なお、上記導電膜は、走査線１０７、信号線１０９、画素電極１２１などと同様の材料お
よび方法により形成することができる。
よび方法により形成することができる。
【0164】
以上より、容量素子の一方の電極として、トランジスタに含まれる半導体膜と同じ形成工
程で形成される半導体膜を用いることで、開口率を高めつつ、電荷容量を増大させた容量
素子を有する半導体装置を作製することができる。この結果、表示品位の優れた半導体装
置を得ることができる。
程で形成される半導体膜を用いることで、開口率を高めつつ、電荷容量を増大させた容量
素子を有する半導体装置を作製することができる。この結果、表示品位の優れた半導体装
置を得ることができる。
【0165】
また、上記容量素子の一方の電極として用いる半導体膜は窒化絶縁膜と接するように形成
することで、窒化絶縁膜から半導体膜に不純物を拡散させることができ、半導体膜を効率
よくｎ型化させることができる。また、半導体膜が窒化絶縁膜と接するために形成される
開口は、ゲート電極と他の配線との接続等に必要なゲート絶縁膜への開口と同じ工程で形
成することができるため、マスク枚数は増加しない。
することで、窒化絶縁膜から半導体膜に不純物を拡散させることができ、半導体膜を効率
よくｎ型化させることができる。また、半導体膜が窒化絶縁膜と接するために形成される
開口は、ゲート電極と他の配線との接続等に必要なゲート絶縁膜への開口と同じ工程で形
成することができるため、マスク枚数は増加しない。
【0166】
また、トランジスタに含まれる半導体膜である酸化物半導体膜は酸素欠損が低減され、水
素などの不純物が低減されていることから、本発明の一態様である半導体装置は、良好な
電気特性を有する半導体装置となる。
素などの不純物が低減されていることから、本発明の一態様である半導体装置は、良好な
電気特性を有する半導体装置となる。
【0167】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0168】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に含まれているトランジスタお
よび容量素子において、半導体膜として用いられる酸化物半導体膜に適用可能な一態様に
ついて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に含まれているトランジスタお
よび容量素子において、半導体膜として用いられる酸化物半導体膜に適用可能な一態様に
ついて説明する。
【0169】
酸化物半導体は、非単結晶を有してもよい。非単結晶は、例えば、ＣＡＡＣ（Ｃ Ａｘｉ
ｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、多結晶、微結晶、非晶質部を有する。
ｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、多結晶、微結晶、非晶質部を有する。
【0170】
酸化物半導体は、ＣＡＡＣを有してもよい。なお、ＣＡＡＣを有する酸化物半導体を、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。
ＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。
【0171】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像で、結晶部を確認することができる場合が
ある。ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれる結晶部は、ＴＥＭによる観察像で、一辺１００ｎｍの立
方体内に収まる大きさであることが多い。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ＴＥＭによる観察像
で、結晶部と結晶部との境界を明確に確認できない場合がある。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは
、ＴＥＭによる観察像で、粒界（グレインバウンダリーともいう。）を明確に確認できな
い場合がある。ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な粒界を有さないため、不純物が偏析することが
少ない。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な粒界を有さないため、欠陥準位密度が高くなる
ことが少ない。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な粒界を有さないため、電子移動度の低下
が小さい。
ｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像で、結晶部を確認することができる場合が
ある。ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれる結晶部は、ＴＥＭによる観察像で、一辺１００ｎｍの立
方体内に収まる大きさであることが多い。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ＴＥＭによる観察像
で、結晶部と結晶部との境界を明確に確認できない場合がある。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは
、ＴＥＭによる観察像で、粒界（グレインバウンダリーともいう。）を明確に確認できな
い場合がある。ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な粒界を有さないため、不純物が偏析することが
少ない。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な粒界を有さないため、欠陥準位密度が高くなる
ことが少ない。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な粒界を有さないため、電子移動度の低下
が小さい。
【0172】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、複数の結晶部を有し、当該複数の結晶部においてｃ軸が被形成面の法
線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃っている場合がある。そのため、
ＣＡＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用
い、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による分析を行うと、２θが３１°近傍のピークが現れ
る場合がある。２θが３１°近傍のピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶であれば、（００
９）面に配向していることを示す。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、２θが３６°近傍のピーク
が現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＺｎＧａ２Ｏ４の結晶であれば、（
２２２）面に配向していることを示す。ＣＡＡＣ－ＯＳは、好ましくは、２θが３１°近
傍にピークが現れ、２θが３６°近傍にピークが現れない。
線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃っている場合がある。そのため、
ＣＡＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用
い、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による分析を行うと、２θが３１°近傍のピークが現れ
る場合がある。２θが３１°近傍のピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶であれば、（００
９）面に配向していることを示す。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、２θが３６°近傍のピーク
が現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＺｎＧａ２Ｏ４の結晶であれば、（
２２２）面に配向していることを示す。ＣＡＡＣ－ＯＳは、好ましくは、２θが３１°近
傍にピークが現れ、２θが３６°近傍にピークが現れない。
【0173】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、異なる結晶部間で、それぞれａ軸およびｂ軸の向きが揃ってい
ない場合がある。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳであれば、ＸＲＤ装置
を用い、ｃ軸に垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ－ｐｌａｎｅ法による分析を行うと
、２θが５６°近傍のピークが現れる場合がある。２θが５６°近傍のピークは、ＩｎＧ
ａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面を示す。ここで、２θを５６°近傍で固定し、表面の法
線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させて分析（φスキャン）を行うと、ａ軸およ
びｂ軸の向きが揃っている単結晶酸化物半導体の場合は６つの対称性のピークが現れるが
、ＣＡＡＣ－ＯＳの場合は明瞭なピークが現れない。
ない場合がある。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ－ＯＳであれば、ＸＲＤ装置
を用い、ｃ軸に垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ－ｐｌａｎｅ法による分析を行うと
、２θが５６°近傍のピークが現れる場合がある。２θが５６°近傍のピークは、ＩｎＧ
ａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面を示す。ここで、２θを５６°近傍で固定し、表面の法
線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させて分析（φスキャン）を行うと、ａ軸およ
びｂ軸の向きが揃っている単結晶酸化物半導体の場合は６つの対称性のピークが現れるが
、ＣＡＡＣ－ＯＳの場合は明瞭なピークが現れない。
【0174】
このように、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ軸または／およびｂ軸はマクロに揃って
いない場合がある。
いない場合がある。
【0175】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、電子線回折パターンで、スポット（輝点）が観測される場合が
ある。なお、特に、ビーム径が１０ｎｍφ以下、または５ｎｍφ以下の電子線を用いて得
られる電子線回折パターンを、極微電子線回折パターンと呼ぶ。
ある。なお、特に、ビーム径が１０ｎｍφ以下、または５ｎｍφ以下の電子線を用いて得
られる電子線回折パターンを、極微電子線回折パターンと呼ぶ。
【0176】
図１０（Ａ）は、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する試料の極微電子線回折パターンの一例である。
ここでは、試料を、ＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面に垂直な方向に切断し、厚さが４０ｎｍ程
度となるように薄片化する。また、ここでは、ビーム径が１ｎｍφの電子線を、試料の切
断面に垂直な方向から入射させる。図１０（Ａ）より、ＣＡＡＣ－ＯＳの極微電子線回折
パターンは、スポットが観測されることがわかる。
ここでは、試料を、ＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面に垂直な方向に切断し、厚さが４０ｎｍ程
度となるように薄片化する。また、ここでは、ビーム径が１ｎｍφの電子線を、試料の切
断面に垂直な方向から入射させる。図１０（Ａ）より、ＣＡＡＣ－ＯＳの極微電子線回折
パターンは、スポットが観測されることがわかる。
【0177】
ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面の法線ベクトルま
たは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見
て金属原子が三角形状または六角形状に配列し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層
状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞ
れａ軸およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する
場合、８０°以上１００°以下、好ましくは８５°以上９５°以下の範囲も含まれること
とする。また、単に平行と記載する場合、－１０°以上１０°以下、好ましくは－５°以
上５°以下の範囲も含まれることとする。
たは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見
て金属原子が三角形状または六角形状に配列し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層
状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞ
れａ軸およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する
場合、８０°以上１００°以下、好ましくは８５°以上９５°以下の範囲も含まれること
とする。また、単に平行と記載する場合、－１０°以上１０°以下、好ましくは－５°以
上５°以下の範囲も含まれることとする。
【0178】
ＣＡＡＣ－ＯＳに含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳの被形成面の法線ベクトルま
たは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃うため、ＣＡＡＣ－ＯＳの形状（被
形成面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある
。また、結晶部は、成膜したとき、または成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行ったと
きに形成される。したがって、結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳが形成されたときの被形
成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃う。
たは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃うため、ＣＡＡＣ－ＯＳの形状（被
形成面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある
。また、結晶部は、成膜したとき、または成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行ったと
きに形成される。したがって、結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ－ＯＳが形成されたときの被形
成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃う。
【0179】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、不純物濃度を低減することで形成することができる場合がある。ここ
で、不純物は、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体の主成分以外の
元素である。特に、シリコンなどの元素は、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素
との結合力が強い。したがって、当該元素が酸化物半導体から酸素を奪う場合、酸化物半
導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させることがある。また、鉄やニッケルなどの重金
属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半
導体の原子配列を乱し、酸化物半導体の結晶性を低下させることがある。したがって、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳは、不純物濃度の低い酸化物半導体である。また、酸化物半導体に含まれる
不純物は、キャリア発生源となる場合がある。
で、不純物は、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体の主成分以外の
元素である。特に、シリコンなどの元素は、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素
との結合力が強い。したがって、当該元素が酸化物半導体から酸素を奪う場合、酸化物半
導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させることがある。また、鉄やニッケルなどの重金
属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半
導体の原子配列を乱し、酸化物半導体の結晶性を低下させることがある。したがって、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳは、不純物濃度の低い酸化物半導体である。また、酸化物半導体に含まれる
不純物は、キャリア発生源となる場合がある。
【0180】
なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ
－ＯＳの形成過程において、酸化物半導体の表面側から結晶成長させる場合、被形成面の
近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ－
ＯＳに不純物が混入することにより、当該不純物混入領域において結晶部の結晶性が低下
することがある。
－ＯＳの形成過程において、酸化物半導体の表面側から結晶成長させる場合、被形成面の
近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ－
ＯＳに不純物が混入することにより、当該不純物混入領域において結晶部の結晶性が低下
することがある。
【0181】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、欠陥準位密度を低減することで形成することができる。酸化物
半導体において、酸素欠損は欠陥準位である。酸素欠損は、トラップ準位となることや、
水素を捕獲することによってキャリア発生源となることがある。ＣＡＡＣ－ＯＳを形成す
るためには、酸化物半導体に酸素欠損を生じさせないことが重要となる。したがって、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳは、欠陥準位密度の低い酸化物半導体である。または、ＣＡＡＣ－ＯＳは、
酸素欠損の少ない酸化物半導体である。
半導体において、酸素欠損は欠陥準位である。酸素欠損は、トラップ準位となることや、
水素を捕獲することによってキャリア発生源となることがある。ＣＡＡＣ－ＯＳを形成す
るためには、酸化物半導体に酸素欠損を生じさせないことが重要となる。したがって、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳは、欠陥準位密度の低い酸化物半導体である。または、ＣＡＡＣ－ＯＳは、
酸素欠損の少ない酸化物半導体である。
【0182】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真性または実
質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、
キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる場合がある。したが
って、当該酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、しきい値電圧がマ
イナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない場合がある。ま
た、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いた
め、トラップ準位密度も低くなる場合がある。したがって、当該酸化物半導体をチャネル
形成領域に用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタ
となる場合がある。なお、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するま
でに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラ
ップ準位密度の高い酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、電気特性
が不安定となる場合がある。
質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、
キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる場合がある。したが
って、当該酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、しきい値電圧がマ
イナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない場合がある。ま
た、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いた
め、トラップ準位密度も低くなる場合がある。したがって、当該酸化物半導体をチャネル
形成領域に用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタ
となる場合がある。なお、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するま
でに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラ
ップ準位密度の高い酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、電気特性
が不安定となる場合がある。
【0183】
また、高純度真性または実質的に高純度真性であるＣＡＡＣ－ＯＳを用いたトランジスタ
は、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。
は、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。
【0184】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、例えば、ＤＣ電源を用いたスパッタリング法によって形成することが
できる。
できる。
【0185】
酸化物半導体は、多結晶を有してもよい。なお、多結晶を有する酸化物半導体を、多結晶
酸化物半導体と呼ぶ。多結晶酸化物半導体は複数の結晶粒を含む。
酸化物半導体と呼ぶ。多結晶酸化物半導体は複数の結晶粒を含む。
【0186】
多結晶酸化物半導体は、ＴＥＭによる観察像で、結晶粒を確認することができる場合があ
る。多結晶酸化物半導体に含まれる結晶粒は、ＴＥＭによる観察像で、２ｎｍ以上３００
ｎｍ以下、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下または５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の粒径であることが
多い。また、多結晶酸化物半導体は、ＴＥＭによる観察像で、結晶粒と結晶粒との境界を
確認できる場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、例えば、ＴＥＭによる観察像で、
粒界を確認できる場合がある。
る。多結晶酸化物半導体に含まれる結晶粒は、ＴＥＭによる観察像で、２ｎｍ以上３００
ｎｍ以下、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下または５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の粒径であることが
多い。また、多結晶酸化物半導体は、ＴＥＭによる観察像で、結晶粒と結晶粒との境界を
確認できる場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、例えば、ＴＥＭによる観察像で、
粒界を確認できる場合がある。
【0187】
多結晶酸化物半導体は、複数の結晶粒を有し、当該複数の結晶粒において方位が異なって
いる場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、ＸＲＤ装置を用い、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌ
ａｎｅ法による分析を行うと、配向を示す２θが３１°近傍のピーク、または複数種の配
向を示すピークが現れる場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、電子線回折パターン
で、スポットが観測される場合がある。
いる場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、ＸＲＤ装置を用い、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌ
ａｎｅ法による分析を行うと、配向を示す２θが３１°近傍のピーク、または複数種の配
向を示すピークが現れる場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、電子線回折パターン
で、スポットが観測される場合がある。
【0188】
多結晶酸化物半導体は、高い結晶性を有するため、高い電子移動度を有する場合がある。
したがって、多結晶酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、高い電界
効果移動度を有する。ただし、多結晶酸化物半導体は、粒界に不純物が偏析する場合があ
る。また、多結晶酸化物半導体の粒界は欠陥準位となる。多結晶酸化物半導体は、粒界が
キャリア発生源、トラップ準位となる場合があるため、多結晶酸化物半導体をチャネル形
成領域に用いたトランジスタは、ＣＡＡＣ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジス
タと比べて、電気特性の変動が大きく、信頼性の低いトランジスタとなる場合がある。
したがって、多結晶酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、高い電界
効果移動度を有する。ただし、多結晶酸化物半導体は、粒界に不純物が偏析する場合があ
る。また、多結晶酸化物半導体の粒界は欠陥準位となる。多結晶酸化物半導体は、粒界が
キャリア発生源、トラップ準位となる場合があるため、多結晶酸化物半導体をチャネル形
成領域に用いたトランジスタは、ＣＡＡＣ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジス
タと比べて、電気特性の変動が大きく、信頼性の低いトランジスタとなる場合がある。
【0189】
多結晶酸化物半導体は、高温での加熱処理、またはレーザ光処理によって形成することが
できる。
できる。
【0190】
酸化物半導体は、微結晶を有してもよい。なお、微結晶を有する酸化物半導体を、微結晶
酸化物半導体と呼ぶ。
酸化物半導体と呼ぶ。
【0191】
微結晶酸化物半導体は、ＴＥＭによる観察像では、明確に結晶部を確認することができな
い場合がある。微結晶酸化物半導体に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、ま
たは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下
の微結晶をナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶ。ナノ結晶を有する酸化物
半導体を、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。また、ｎｃ－ＯＳは、ＴＥＭによる観察像では、結晶部と結晶部
との境界を明確に確認できない場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、ＴＥＭによる観察像で
は、明確な粒界を有さないため、不純物が偏析することが少ない。また、ｎｃ－ＯＳは、
明確な粒界を有さないため、欠陥準位密度が高くなることが少ない。また、ｎｃ－ＯＳは
、明確な粒界を有さないため、電子移動度の低下が小さい。
い場合がある。微結晶酸化物半導体に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、ま
たは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下
の微結晶をナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶ。ナノ結晶を有する酸化物
半導体を、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。また、ｎｃ－ＯＳは、ＴＥＭによる観察像では、結晶部と結晶部
との境界を明確に確認できない場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、ＴＥＭによる観察像で
は、明確な粒界を有さないため、不純物が偏析することが少ない。また、ｎｃ－ＯＳは、
明確な粒界を有さないため、欠陥準位密度が高くなることが少ない。また、ｎｃ－ＯＳは
、明確な粒界を有さないため、電子移動度の低下が小さい。
【0192】
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域）において原子配列
に周期性を有する場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、結晶部と結晶部との間で規則性がな
いため、巨視的には原子配列に周期性が見られない場合、または長距離秩序が見られない
場合がある。したがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体と区
別が付かない場合がある。ｎｃ－ＯＳは、例えば、ＸＲＤ装置を用い、結晶部よりも大き
いビーム径のＸ線でｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による分析を行うと、配向を示すピーク
が検出されない場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、結晶部よりも大きいビーム径（例えば
、２０ｎｍφ以上、または５０ｎｍφ以上）の電子線を用いる電子線回折パターンでは、
ハローパターンが観測される場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、結晶部と同じか結晶部よ
り小さいビーム径（例えば、１０ｎｍφ以下、または５ｎｍφ以下）の電子線を用いる極
微電子線回折パターンでは、スポットが観測される場合がある。また、ｎｃ－ＯＳの極微
電子線回折パターンは、円を描くように輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
ｎｃ－ＯＳの極微電子線回折パターンは、当該領域内に複数のスポットが観測される場合
がある。
に周期性を有する場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、結晶部と結晶部との間で規則性がな
いため、巨視的には原子配列に周期性が見られない場合、または長距離秩序が見られない
場合がある。したがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体と区
別が付かない場合がある。ｎｃ－ＯＳは、例えば、ＸＲＤ装置を用い、結晶部よりも大き
いビーム径のＸ線でｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による分析を行うと、配向を示すピーク
が検出されない場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、結晶部よりも大きいビーム径（例えば
、２０ｎｍφ以上、または５０ｎｍφ以上）の電子線を用いる電子線回折パターンでは、
ハローパターンが観測される場合がある。また、ｎｃ－ＯＳは、結晶部と同じか結晶部よ
り小さいビーム径（例えば、１０ｎｍφ以下、または５ｎｍφ以下）の電子線を用いる極
微電子線回折パターンでは、スポットが観測される場合がある。また、ｎｃ－ＯＳの極微
電子線回折パターンは、円を描くように輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
ｎｃ－ＯＳの極微電子線回折パターンは、当該領域内に複数のスポットが観測される場合
がある。
【0193】
図１０（Ｂ）は、ｎｃ－ＯＳを有する試料の極微電子線回折パターンの一例である。ここ
では、試料を、ｎｃ－ＯＳの被形成面に垂直な方向に切断し、厚さが４０ｎｍ程度となる
ように薄片化する。また、ここでは、ビーム径が１ｎｍφの電子線を、試料の切断面に垂
直な方向から入射させる。図１０（Ｂ）より、ｎｃ－ＯＳの極微電子線回折パターンは、
円を描くように輝度の高い領域が観測され、かつ当該領域内に複数のスポットが観測され
ることがわかる。
では、試料を、ｎｃ－ＯＳの被形成面に垂直な方向に切断し、厚さが４０ｎｍ程度となる
ように薄片化する。また、ここでは、ビーム径が１ｎｍφの電子線を、試料の切断面に垂
直な方向から入射させる。図１０（Ｂ）より、ｎｃ－ＯＳの極微電子線回折パターンは、
円を描くように輝度の高い領域が観測され、かつ当該領域内に複数のスポットが観測され
ることがわかる。
【0194】
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域において原子配列に周期性を有する場合があるため、非晶質酸
化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ－ＯＳは、結晶部と結晶部との
間で規則性がないため、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ－ＯＳは、結晶部と結晶部との
間で規則性がないため、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
【0195】
したがって、ｎｃ－ＯＳは、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、キャリア密度が高くなる場合があ
る。キャリア密度が高い酸化物半導体は、電子移動度が高くなる場合がある。したがって
、ｎｃ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有する
場合がある。しかしながら、ｎｃ－ＯＳは、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、欠陥準位密度が高
いため、トラップ準位密度も高くなる場合がある。したがって、ｎｃ－ＯＳをチャネル形
成領域に用いたトランジスタは、ＣＡＡＣ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジス
タと比べて、電気特性の変動が大きく、信頼性の低いトランジスタとなる場合がある。た
だし、ｎｃ－ＯＳは、比較的不純物が多く含まれていても形成することができるため、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳよりも形成が容易となり、用途によっては好適に用いることができる場合が
ある。なお、ＡＣ電源を用いたスパッタリング法などの成膜方法によってｎｃ－ＯＳを形
成してもよい。ＡＣ電源を用いたスパッタリング法は、大型基板へ均一性高く成膜するこ
とが可能であるため、ｎｃ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導
体装置は生産性高く作製することができる。
る。キャリア密度が高い酸化物半導体は、電子移動度が高くなる場合がある。したがって
、ｎｃ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有する
場合がある。しかしながら、ｎｃ－ＯＳは、ＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、欠陥準位密度が高
いため、トラップ準位密度も高くなる場合がある。したがって、ｎｃ－ＯＳをチャネル形
成領域に用いたトランジスタは、ＣＡＡＣ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジス
タと比べて、電気特性の変動が大きく、信頼性の低いトランジスタとなる場合がある。た
だし、ｎｃ－ＯＳは、比較的不純物が多く含まれていても形成することができるため、Ｃ
ＡＡＣ－ＯＳよりも形成が容易となり、用途によっては好適に用いることができる場合が
ある。なお、ＡＣ電源を用いたスパッタリング法などの成膜方法によってｎｃ－ＯＳを形
成してもよい。ＡＣ電源を用いたスパッタリング法は、大型基板へ均一性高く成膜するこ
とが可能であるため、ｎｃ－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導
体装置は生産性高く作製することができる。
【0196】
酸化物半導体は、非晶質部を有してもよい。なお、非晶質部を有する酸化物半導体を、非
晶質酸化物半導体と呼ぶ。非晶質酸化物半導体は、原子配列が無秩序であり、結晶部を有
さない。または、非晶質酸化物半導体は、石英のような無定形状態を有し、原子配列に規
則性が見られない。
晶質酸化物半導体と呼ぶ。非晶質酸化物半導体は、原子配列が無秩序であり、結晶部を有
さない。または、非晶質酸化物半導体は、石英のような無定形状態を有し、原子配列に規
則性が見られない。
【0197】
非晶質酸化物半導体は、ＴＥＭによる観察像で、結晶部を確認することができない場合が
ある。
ある。
【0198】
非晶質酸化物半導体は、ＸＲＤ装置を用い、ｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法による分析を行
うと、配向を示すピークが検出されない場合がある。また、非晶質酸化物半導体は、電子
線回折パターンでハローパターンが観測される場合がある。また、非晶質酸化物半導体は
、極微電子線回折パターンでスポットを観測することができず、ハローパターンが観測さ
れる場合がある。
うと、配向を示すピークが検出されない場合がある。また、非晶質酸化物半導体は、電子
線回折パターンでハローパターンが観測される場合がある。また、非晶質酸化物半導体は
、極微電子線回折パターンでスポットを観測することができず、ハローパターンが観測さ
れる場合がある。
【0199】
非晶質酸化物半導体は、水素などの不純物を高い濃度で含ませることにより形成すること
ができる場合がある。したがって、非晶質酸化物半導体は、不純物を高い濃度で含む酸化
物半導体である。
ができる場合がある。したがって、非晶質酸化物半導体は、不純物を高い濃度で含む酸化
物半導体である。
【0200】
酸化物半導体に不純物が高い濃度で含まれると、酸化物半導体に酸素欠損などの欠陥準位
を形成する場合がある。したがって、不純物濃度の高い非晶質酸化物半導体は、欠陥準位
密度が高い。また、非晶質酸化物半導体は、結晶性が低いためＣＡＡＣ－ＯＳやｎｃ－Ｏ
Ｓと比べて欠陥準位密度が高い。
を形成する場合がある。したがって、不純物濃度の高い非晶質酸化物半導体は、欠陥準位
密度が高い。また、非晶質酸化物半導体は、結晶性が低いためＣＡＡＣ－ＯＳやｎｃ－Ｏ
Ｓと比べて欠陥準位密度が高い。
【0201】
したがって、非晶質酸化物半導体は、ｎｃ－ＯＳと比べて、さらにキャリア密度が高くな
る場合がある。そのため、非晶質酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
は、ノーマリーオンの電気特性になる場合がある。したがって、ノーマリーオンの電気特
性が求められるトランジスタに好適に用いることができる場合がある。非晶質酸化物半導
体は、欠陥準位密度が高いため、トラップ準位密度も高くなる場合がある。したがって、
非晶質酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、ＣＡＡＣ－ＯＳやｎｃ
－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジスタと比べて、電気特性の変動が大きく、信
頼性の低いトランジスタとなる場合がある。ただし、非晶質酸化物半導体は、比較的不純
物が多く含まれてしまう成膜方法によっても形成することができるため、形成が容易とな
り、用途によっては好適に用いることができる場合がある。例えば、スピンコート法、ゾ
ル－ゲル法、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、コンタクトプリント法、インクジ
ェット印刷法、ロールコート法、ミストＣＶＤ法などの成膜方法によって非晶質酸化物半
導体を形成してもよい。したがって、非晶質酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたト
ランジスタを有する半導体装置は生産性高く作製することができる。
る場合がある。そのため、非晶質酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
は、ノーマリーオンの電気特性になる場合がある。したがって、ノーマリーオンの電気特
性が求められるトランジスタに好適に用いることができる場合がある。非晶質酸化物半導
体は、欠陥準位密度が高いため、トラップ準位密度も高くなる場合がある。したがって、
非晶質酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、ＣＡＡＣ－ＯＳやｎｃ
－ＯＳをチャネル形成領域に用いたトランジスタと比べて、電気特性の変動が大きく、信
頼性の低いトランジスタとなる場合がある。ただし、非晶質酸化物半導体は、比較的不純
物が多く含まれてしまう成膜方法によっても形成することができるため、形成が容易とな
り、用途によっては好適に用いることができる場合がある。例えば、スピンコート法、ゾ
ル－ゲル法、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、コンタクトプリント法、インクジ
ェット印刷法、ロールコート法、ミストＣＶＤ法などの成膜方法によって非晶質酸化物半
導体を形成してもよい。したがって、非晶質酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたト
ランジスタを有する半導体装置は生産性高く作製することができる。
【0202】
なお、酸化物半導体が、ＣＡＡＣ－ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非
晶質酸化物半導体の二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば、非晶質
酸化物半導体の領域、微結晶酸化物半導体の領域、多結晶酸化物半導体の領域、ＣＡＡＣ
－ＯＳの領域、のいずれか二種以上の領域を有する場合がある。また、混合膜は、例えば
、非晶質酸化物半導体の領域、微結晶酸化物半導体の領域、多結晶酸化物半導体の領域、
ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、のいずれか二種以上の領域の積層構造を有する場合がある。
晶質酸化物半導体の二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば、非晶質
酸化物半導体の領域、微結晶酸化物半導体の領域、多結晶酸化物半導体の領域、ＣＡＡＣ
－ＯＳの領域、のいずれか二種以上の領域を有する場合がある。また、混合膜は、例えば
、非晶質酸化物半導体の領域、微結晶酸化物半導体の領域、多結晶酸化物半導体の領域、
ＣＡＡＣ－ＯＳの領域、のいずれか二種以上の領域の積層構造を有する場合がある。
【0203】
酸化物半導体は、例えば、単結晶を有してもよい。なお、単結晶を有する酸化物半導体を
、単結晶酸化物半導体と呼ぶ。
、単結晶酸化物半導体と呼ぶ。
【0204】
単結晶酸化物半導体は、例えば、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損が少
ない）ため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、単結晶酸化物半導体を
チャネル形成領域に用いたトランジスタは、ノーマリーオンの電気特性になることが少な
い場合がある。また、単結晶酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密
度も低くなる場合がある。したがって、単結晶酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた
トランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる場合がある
。
ない）ため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、単結晶酸化物半導体を
チャネル形成領域に用いたトランジスタは、ノーマリーオンの電気特性になることが少な
い場合がある。また、単結晶酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密
度も低くなる場合がある。したがって、単結晶酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた
トランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる場合がある
。
【0205】
酸化物半導体は、欠陥が少ないと密度が高くなることがある。また、酸化物半導体は、結
晶性が高いと密度が高くなることがある。また、酸化物半導体は、例えば、水素などの不
純物濃度が低いと密度が高くなる。また、単結晶酸化物半導体は、ＣＡＡＣ－ＯＳよりも
密度が高い場合がある。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、微結晶酸化物半導体よりも密度が高い
場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、微結晶酸化物半導体よりも密度が高い場合が
ある。また、微結晶酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体よりも密度が高い場合がある。
晶性が高いと密度が高くなることがある。また、酸化物半導体は、例えば、水素などの不
純物濃度が低いと密度が高くなる。また、単結晶酸化物半導体は、ＣＡＡＣ－ＯＳよりも
密度が高い場合がある。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、微結晶酸化物半導体よりも密度が高い
場合がある。また、多結晶酸化物半導体は、微結晶酸化物半導体よりも密度が高い場合が
ある。また、微結晶酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体よりも密度が高い場合がある。
【0206】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳを成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【0207】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制でき
る。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素および窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
－８０℃以下、好ましくは－１００℃以下である成膜ガスを用いる。
る。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素および窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
－８０℃以下、好ましくは－１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【0208】
また、成膜時の被成膜面の加熱温度（例えば基板加熱温度）を高めることで、被成膜面に
到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被成膜面の温度
を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは１５０℃以上５００℃以下として成膜する。
到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被成膜面の温度
を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは１５０℃以上５００℃以下として成膜する。
【0209】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージ
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００体
積％とする。
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００体
積％とする。
【0210】
スパッタリング用ターゲットの一例として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ化合物ターゲットにつ
いて以下に示す。
いて以下に示す。
【0211】
ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末およびＺｎＯＺ粉末を所定のｍｏｌ数で混合し、加圧処理後
、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ－Ｇａ
－Ｚｎ系金属酸化物ターゲットとする。なお、当該加圧処理は、冷却（または放冷）しな
がら行ってもよいし、加熱しながら行ってもよい。なお、Ｘ、ＹおよびＺは任意の正数で
ある。ここで、所定のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末およびＺｎＯ
Ｚ粉末が、２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、または３：
１：２などがある。なお、粉末の種類、およびその混合するｍｏｌ数比は、作製するスパ
ッタリング用ターゲットによって適宜変更すればよい。
、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ－Ｇａ
－Ｚｎ系金属酸化物ターゲットとする。なお、当該加圧処理は、冷却（または放冷）しな
がら行ってもよいし、加熱しながら行ってもよい。なお、Ｘ、ＹおよびＺは任意の正数で
ある。ここで、所定のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末およびＺｎＯ
Ｚ粉末が、２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、または３：
１：２などがある。なお、粉末の種類、およびその混合するｍｏｌ数比は、作製するスパ
ッタリング用ターゲットによって適宜変更すればよい。
【0212】
ここで、結晶状態における酸化物半導体（ＯＳと示す。）およびシリコン（Ｓｉと示す。
）の対比を表１に示す。
）の対比を表１に示す。
【0213】
【表1】
【0214】
酸化物半導体の結晶状態には、例えば、表１に示すように、非晶質酸化物半導体（ａ－Ｏ
Ｓ、ａ－ＯＳ：Ｈ）、微結晶酸化物半導体（ｎｃ－ＯＳ、μｃ－ＯＳ）、多結晶酸化物半
導体（多結晶ＯＳ）、連続結晶酸化物半導体（ＣＡＡＣ－ＯＳ）、単結晶酸化物半導体（
単結晶ＯＳ）などがある。なお、シリコンの結晶状態には、例えば、表１に示すように、
非晶質シリコン（ａ－Ｓｉやａ－Ｓｉ：Ｈ）、微結晶シリコン（ｎｃ－Ｓｉ、μｃ－Ｓｉ
）、多結晶シリコン（多結晶Ｓｉ）、連続結晶シリコン（ＣＧ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ
Ｇｒａｉｎ）シリコン）、単結晶シリコン（単結晶Ｓｉ）などがある。
Ｓ、ａ－ＯＳ：Ｈ）、微結晶酸化物半導体（ｎｃ－ＯＳ、μｃ－ＯＳ）、多結晶酸化物半
導体（多結晶ＯＳ）、連続結晶酸化物半導体（ＣＡＡＣ－ＯＳ）、単結晶酸化物半導体（
単結晶ＯＳ）などがある。なお、シリコンの結晶状態には、例えば、表１に示すように、
非晶質シリコン（ａ－Ｓｉやａ－Ｓｉ：Ｈ）、微結晶シリコン（ｎｃ－Ｓｉ、μｃ－Ｓｉ
）、多結晶シリコン（多結晶Ｓｉ）、連続結晶シリコン（ＣＧ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ
Ｇｒａｉｎ）シリコン）、単結晶シリコン（単結晶Ｓｉ）などがある。
【0215】
各結晶状態における酸化物半導体に対し、ビーム径を１０ｎｍφ以下に収束させた電子線
を用いる電子線回折（極微電子線回折）を行うと、以下のような電子線回折パターン（極
微電子線回折パターン）が観測される。非晶質酸化物半導体では、ハローパターン（ハロ
ーリングまたはハローとも言われる。）が観測される。微結晶酸化物半導体では、スポッ
トまたは／およびリングパターンが観測される。多結晶酸化物半導体では、スポットが観
測される。連続結晶酸化物半導体では、スポットが観測される。単結晶酸化物半導体では
、スポットが観測される。
を用いる電子線回折（極微電子線回折）を行うと、以下のような電子線回折パターン（極
微電子線回折パターン）が観測される。非晶質酸化物半導体では、ハローパターン（ハロ
ーリングまたはハローとも言われる。）が観測される。微結晶酸化物半導体では、スポッ
トまたは／およびリングパターンが観測される。多結晶酸化物半導体では、スポットが観
測される。連続結晶酸化物半導体では、スポットが観測される。単結晶酸化物半導体では
、スポットが観測される。
【0216】
なお、極微電子線回折パターンより、微結晶酸化物半導体は、結晶部がナノメートル（ｎ
ｍ）からマイクロメートル（μｍ）の径であることがわかる。多結晶酸化物半導体は、結
晶部と結晶部との間に粒界を有し、境界が不連続であることがわかる。連続結晶酸化物半
導体は、結晶部と結晶部との間に境界が観測されず、連続的に繋がることがわかる。
ｍ）からマイクロメートル（μｍ）の径であることがわかる。多結晶酸化物半導体は、結
晶部と結晶部との間に粒界を有し、境界が不連続であることがわかる。連続結晶酸化物半
導体は、結晶部と結晶部との間に境界が観測されず、連続的に繋がることがわかる。
【0217】
各結晶状態における酸化物半導体の密度について説明する。非晶質酸化物半導体の密度は
低い。微結晶酸化物半導体の密度は中程度である。連続結晶酸化物半導体の密度は高い。
即ち、連続結晶酸化物半導体の密度は微結晶酸化物半導体の密度より高く、微結晶酸化物
半導体の密度は非晶質酸化物半導体の密度より高い。
低い。微結晶酸化物半導体の密度は中程度である。連続結晶酸化物半導体の密度は高い。
即ち、連続結晶酸化物半導体の密度は微結晶酸化物半導体の密度より高く、微結晶酸化物
半導体の密度は非晶質酸化物半導体の密度より高い。
【0218】
各結晶状態における酸化物半導体に存在する状態密度（ＤＯＳ）の特徴を説明する。非晶
質酸化物半導体はＤＯＳが高い。微結晶酸化物半導体はＤＯＳがやや低い。連続結晶酸化
物半導体はＤＯＳが低い。単結晶酸化物半導体はＤＯＳが極めて低い。即ち、単結晶酸化
物半導体は連続結晶酸化物半導体よりＤＯＳが低く、連続結晶酸化物半導体は微結晶酸化
物半導体よりＤＯＳが低く、微結晶酸化物半導体は非晶質酸化物半導体よりＤＯＳが低い
。
質酸化物半導体はＤＯＳが高い。微結晶酸化物半導体はＤＯＳがやや低い。連続結晶酸化
物半導体はＤＯＳが低い。単結晶酸化物半導体はＤＯＳが極めて低い。即ち、単結晶酸化
物半導体は連続結晶酸化物半導体よりＤＯＳが低く、連続結晶酸化物半導体は微結晶酸化
物半導体よりＤＯＳが低く、微結晶酸化物半導体は非晶質酸化物半導体よりＤＯＳが低い
。
【0219】
また、酸化物半導体膜は、複数の酸化物半導体膜が積層された構造でもよい。例えば、図
９（Ａ）に示すトランジスタのように、半導体膜を第１の酸化物半導体膜１８８ａと第２
の酸化物半導体膜１８８ｂの積層とすることができる。第１の酸化物半導体膜１８８ａと
第２の酸化物半導体膜１８８ｂに、異なる原子数比の金属酸化物を用いてもよい。例えば
、一方の酸化物半導体膜に二種類の金属を含む酸化物、三種類の金属を含む酸化物、四種
類の金属を含む酸化物のうち一つを用い、他方の酸化物半導体膜に一方の酸化物半導体膜
と異なる二種類の金属を含む酸化物、三種類の金属を含む酸化物、四種類の金属を含む酸
化物を用いてもよい。
９（Ａ）に示すトランジスタのように、半導体膜を第１の酸化物半導体膜１８８ａと第２
の酸化物半導体膜１８８ｂの積層とすることができる。第１の酸化物半導体膜１８８ａと
第２の酸化物半導体膜１８８ｂに、異なる原子数比の金属酸化物を用いてもよい。例えば
、一方の酸化物半導体膜に二種類の金属を含む酸化物、三種類の金属を含む酸化物、四種
類の金属を含む酸化物のうち一つを用い、他方の酸化物半導体膜に一方の酸化物半導体膜
と異なる二種類の金属を含む酸化物、三種類の金属を含む酸化物、四種類の金属を含む酸
化物を用いてもよい。
【0220】
また、第１の酸化物半導体膜１８８ａと第２の酸化物半導体膜１８８ｂの構成元素を同一
とし、両者の原子数比を異ならせてもよい。例えば、一方の酸化物半導体膜の原子数比を
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２とし、他方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１としてもよい。また、一方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝２：１：３とし、他方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２
としてもよい。また、一方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１
とし、他方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２としてもよい。
また、一方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１とし、他方の酸
化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４としてもよい。また、一方の酸
化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１とし、他方の酸化物半導体膜の
原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：９：６としてもよい。なお、各酸化物半導体膜の原子
数比は、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス２０％の変動を含む。
とし、両者の原子数比を異ならせてもよい。例えば、一方の酸化物半導体膜の原子数比を
Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２とし、他方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１としてもよい。また、一方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝２：１：３とし、他方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２
としてもよい。また、一方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１
とし、他方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２としてもよい。
また、一方の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１とし、他方の酸
化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４としてもよい。また、一方の酸
化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１とし、他方の酸化物半導体膜の
原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：９：６としてもよい。なお、各酸化物半導体膜の原子
数比は、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス２０％の変動を含む。
【0221】
このとき、一方の酸化物半導体膜と他方の酸化物半導体膜のうち、ゲート電極に近い側（
チャネル側）の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ≧Ｇａとし、ゲート電極か
ら遠い側（バックチャネル側）の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ＜Ｇａと
することで、電界効果移動度の高いトランジスタを作製することができる。一方、チャネ
ル側の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ＜Ｇａとし、バックチャネル側の酸
化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ≧Ｇａとすることで、トランジスタの経時変
化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができる。
チャネル側）の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ≧Ｇａとし、ゲート電極か
ら遠い側（バックチャネル側）の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ＜Ｇａと
することで、電界効果移動度の高いトランジスタを作製することができる。一方、チャネ
ル側の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ＜Ｇａとし、バックチャネル側の酸
化物半導体膜のＩｎとＧａの原子数比をＩｎ≧Ｇａとすることで、トランジスタの経時変
化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができる。
【0222】
また、トランジスタの半導体膜を第１の酸化物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜からな
る３層構造としてもよい。このとき、第１の酸化物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜の
構成元素を同一とし、且つそれぞれの原子数比を異ならせてもよい。半導体膜を３層構造
とするトランジスタの構成について、図９（Ｂ）を用いて説明する。
る３層構造としてもよい。このとき、第１の酸化物半導体膜乃至第３の酸化物半導体膜の
構成元素を同一とし、且つそれぞれの原子数比を異ならせてもよい。半導体膜を３層構造
とするトランジスタの構成について、図９（Ｂ）を用いて説明する。
【0223】
図９（Ｂ）に示すトランジスタは、第１の酸化物半導体膜１９９ａ、第２の酸化物半導体
膜１９９ｂ、および第３の酸化物半導体膜１９９ｃがゲート絶縁膜１２７側から順に積層
されている。第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化物半導体膜１９９ｃを構成
する材料は、ＩｎＭ１ｘＺｎｙＯｚ（ｘ≧１、ｙ＞１、ｚ＞０、Ｍ１＝Ｇａ、Ｈｆ等）で
表記できる材料を用いる。ただし、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化物半
導体膜１９９ｃを構成する材料にＧａを含ませる場合、含ませるＧａの割合が多い、具体
的にはＩｎＭ１ＸＺｎＹＯＺで表記できる材料でＸ＝１０を超えると成膜時に粉が発生す
る恐れがあり、不適である。
膜１９９ｂ、および第３の酸化物半導体膜１９９ｃがゲート絶縁膜１２７側から順に積層
されている。第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化物半導体膜１９９ｃを構成
する材料は、ＩｎＭ１ｘＺｎｙＯｚ（ｘ≧１、ｙ＞１、ｚ＞０、Ｍ１＝Ｇａ、Ｈｆ等）で
表記できる材料を用いる。ただし、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化物半
導体膜１９９ｃを構成する材料にＧａを含ませる場合、含ませるＧａの割合が多い、具体
的にはＩｎＭ１ＸＺｎＹＯＺで表記できる材料でＸ＝１０を超えると成膜時に粉が発生す
る恐れがあり、不適である。
【0224】
また、第２の酸化物半導体膜１９９ｂを構成する材料は、ＩｎＭ２ｘＺｎｙＯｚ（ｘ≧１
、ｙ≧ｘ、ｚ＞０、Ｍ２＝Ｇａ、Ｓｎ等）で表記できる材料を用いる。
、ｙ≧ｘ、ｚ＞０、Ｍ２＝Ｇａ、Ｓｎ等）で表記できる材料を用いる。
【0225】
第１の酸化物半導体膜１９９ａの伝導帯下端および第３の酸化物半導体膜１９９ｃの伝導
帯下端に比べて第２の酸化物半導体膜１９９ｂの伝導帯下端が真空準位から最も深くなる
ような井戸型構造を構成するように、第１、第２、および第３の酸化物半導体膜の材料を
適宜選択する。
帯下端に比べて第２の酸化物半導体膜１９９ｂの伝導帯下端が真空準位から最も深くなる
ような井戸型構造を構成するように、第１、第２、および第３の酸化物半導体膜の材料を
適宜選択する。
【0226】
なお、酸化物半導体膜において第１４族元素の一つであるシリコンや炭素はドナー準位の
形成に寄与することがある。このため、シリコンや炭素が酸化物半導体膜に含まれると、
酸化物半導体膜はｎ型化してしまう。したがって、シリコンおよび炭素のそれぞれの濃度
は３×１０１８／ｃｍ３以下、好ましくは３×１０１７／ｃｍ３とする領域を有するよう
に各酸化物半導体膜を形成することが好ましい。特に、第２の酸化物半導体膜１９９ｂに
第１４族元素が多く混入しないように、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化
物半導体膜１９９ｃで、キャリアパスとなる第２の酸化物半導体膜１９９ｂを挟む、また
は囲む構成とすることが好ましい。すなわち、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３
の酸化物半導体膜１９９ｃは、シリコン、炭素等の第１４族元素が第２の酸化物半導体膜
１９９ｂに混入することを防ぐバリア膜とも呼べる。
形成に寄与することがある。このため、シリコンや炭素が酸化物半導体膜に含まれると、
酸化物半導体膜はｎ型化してしまう。したがって、シリコンおよび炭素のそれぞれの濃度
は３×１０１８／ｃｍ３以下、好ましくは３×１０１７／ｃｍ３とする領域を有するよう
に各酸化物半導体膜を形成することが好ましい。特に、第２の酸化物半導体膜１９９ｂに
第１４族元素が多く混入しないように、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化
物半導体膜１９９ｃで、キャリアパスとなる第２の酸化物半導体膜１９９ｂを挟む、また
は囲む構成とすることが好ましい。すなわち、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３
の酸化物半導体膜１９９ｃは、シリコン、炭素等の第１４族元素が第２の酸化物半導体膜
１９９ｂに混入することを防ぐバリア膜とも呼べる。
【0227】
例えば、第１の酸化物半導体膜１９９ａおよび第３の酸化物半導体膜１９９ｃを原子数比
がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、または１：６：４、または１：９：６である酸化物半
導体膜で形成し、第２の酸化物半導体膜１９９ｂの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１
：１、または３：１：２である酸化物半導体膜で形成することができる。
がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２、または１：６：４、または１：９：６である酸化物半
導体膜で形成し、第２の酸化物半導体膜１９９ｂの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１
：１、または３：１：２である酸化物半導体膜で形成することができる。
【0228】
または、第１の酸化物半導体膜１９９ａを原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２であ
る酸化物半導体膜で形成し、第２の酸化物半導体膜１９９ｂを原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２である酸化物半導体膜で形成し、第
３の酸化物半導体膜１９９ｃを原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４、または１：９
：６である酸化物半導体膜で形成してもよい。
る酸化物半導体膜で形成し、第２の酸化物半導体膜１９９ｂを原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚ
ｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２である酸化物半導体膜で形成し、第
３の酸化物半導体膜１９９ｃを原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：６：４、または１：９
：６である酸化物半導体膜で形成してもよい。
【0229】
第１の酸化物半導体膜１９９ａ乃至第３の酸化物半導体膜１９９ｃの構成元素は同一であ
るため、第２の酸化物半導体膜１９９ｂは、第１の酸化物半導体膜１９９ａとの界面にお
ける欠陥準位（トラップ準位）が少ない。詳細には、当該欠陥準位（トラップ準位）は、
ゲート絶縁膜１２７と第１の酸化物半導体膜１９９ａとの界面における欠陥準位よりも少
ない。このため、上記のように酸化物半導体膜が積層されていることで、トランジスタの
経時変化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができる。
るため、第２の酸化物半導体膜１９９ｂは、第１の酸化物半導体膜１９９ａとの界面にお
ける欠陥準位（トラップ準位）が少ない。詳細には、当該欠陥準位（トラップ準位）は、
ゲート絶縁膜１２７と第１の酸化物半導体膜１９９ａとの界面における欠陥準位よりも少
ない。このため、上記のように酸化物半導体膜が積層されていることで、トランジスタの
経時変化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができる。
【0230】
また、第１の酸化物半導体膜１９９ａの伝導帯下端および第３の酸化物半導体膜１９９ｃ
の伝導帯下端に比べて第２の酸化物半導体膜１９９ｂの伝導帯下端が真空準位から最も深
くなるような井戸型構造を構成するように、第１、第２、および第３の酸化物半導体膜の
材料を適宜選択することで、トランジスタの電界効果移動度を高めることが可能であると
共に、トランジスタの経時変化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減すること
ができる。
の伝導帯下端に比べて第２の酸化物半導体膜１９９ｂの伝導帯下端が真空準位から最も深
くなるような井戸型構造を構成するように、第１、第２、および第３の酸化物半導体膜の
材料を適宜選択することで、トランジスタの電界効果移動度を高めることが可能であると
共に、トランジスタの経時変化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減すること
ができる。
【0231】
また、第１の酸化物半導体膜１９９ａ乃至第３の酸化物半導体膜１９９ｃに、結晶性の異
なる酸化物半導体を適用してもよい。すなわち、単結晶酸化物半導体、多結晶酸化物半導
体、微結晶（ナノ結晶）酸化物半導体、非晶質酸化物半導体、およびＣＡＡＣ－ＯＳ膜を
適宜組み合わせた構成としてもよい。また、第１の酸化物半導体膜１９９ａ乃至第３の酸
化物半導体膜１９９ｃのいずれか一つに非晶質酸化物半導体を適用すると、酸化物半導体
膜の内部応力や外部からの応力を緩和し、トランジスタの特性ばらつきが低減され、また
トランジスタの経時変化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができ
る。
なる酸化物半導体を適用してもよい。すなわち、単結晶酸化物半導体、多結晶酸化物半導
体、微結晶（ナノ結晶）酸化物半導体、非晶質酸化物半導体、およびＣＡＡＣ－ＯＳ膜を
適宜組み合わせた構成としてもよい。また、第１の酸化物半導体膜１９９ａ乃至第３の酸
化物半導体膜１９９ｃのいずれか一つに非晶質酸化物半導体を適用すると、酸化物半導体
膜の内部応力や外部からの応力を緩和し、トランジスタの特性ばらつきが低減され、また
トランジスタの経時変化や信頼性試験によるしきい値電圧の変動量を低減することができ
る。
【0232】
また、少なくともチャネル形成領域となりうる第２の酸化物半導体膜１９９ｂはＣＡＡＣ
－ＯＳ膜であることが好ましい。
－ＯＳ膜であることが好ましい。
【0233】
なお、酸素と結合し易い導電材料（例えば、ソース電極またはドレイン電極に用いられる
金属）と酸化物半導体膜を接触させると、酸化物半導体膜中の酸素が、酸素と結合し易い
導電材料側に拡散する現象が起こる。当該現象は、温度が高いほど顕著に起こる。トラン
ジスタの作製工程には、いくつかの加熱工程があることから、上記現象により、酸化物半
導体層のソース電極またはドレイン電極と接触した近傍の領域に酸素欠損が発生し、当該
領域はｎ型化する。したがって、ｎ型化した当該領域はトランジスタのソースまたはドレ
インとして作用させることができる。
金属）と酸化物半導体膜を接触させると、酸化物半導体膜中の酸素が、酸素と結合し易い
導電材料側に拡散する現象が起こる。当該現象は、温度が高いほど顕著に起こる。トラン
ジスタの作製工程には、いくつかの加熱工程があることから、上記現象により、酸化物半
導体層のソース電極またはドレイン電極と接触した近傍の領域に酸素欠損が発生し、当該
領域はｎ型化する。したがって、ｎ型化した当該領域はトランジスタのソースまたはドレ
インとして作用させることができる。
【0234】
上記ｎ型化した領域は、図９（Ａ）、（Ｂ）に例示される。半導体膜中に点線で示される
境界１３５は、真性半導体領域とｎ型半導体領域の境界であり、酸化物半導体におけるソ
ース電極またはドレイン電極と接触した近傍の領域がｎ型化した領域となる。なお、境界
１３５は模式的に示したものであり、実際には明瞭ではない場合がある。また、境界１３
５の位置も図示した位置とは異なる場合がある。
境界１３５は、真性半導体領域とｎ型半導体領域の境界であり、酸化物半導体におけるソ
ース電極またはドレイン電極と接触した近傍の領域がｎ型化した領域となる。なお、境界
１３５は模式的に示したものであり、実際には明瞭ではない場合がある。また、境界１３
５の位置も図示した位置とは異なる場合がある。
【0235】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0236】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることのできるナノ結晶酸化物半導体膜の電子
線回折パターン、および局在準位に説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることのできるナノ結晶酸化物半導体膜の電子
線回折パターン、および局在準位に説明する。
【0237】
ナノ結晶酸化物半導体膜は、ビーム径が１０ｎｍφ以下とした電子線回折（極微電子線回
折）を用いた電子線回折パターンにおいて、非晶質状態を示すハローパターンとも、特定
の面に配向した結晶状態を示す規則性を有するスポットとも異なり、方向性を持たないス
ポットが観察される酸化物半導体膜である。
折）を用いた電子線回折パターンにおいて、非晶質状態を示すハローパターンとも、特定
の面に配向した結晶状態を示す規則性を有するスポットとも異なり、方向性を持たないス
ポットが観察される酸化物半導体膜である。
【0238】
図１３（Ａ）にナノ結晶酸化物半導体膜の断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（透過型電子顕微鏡））像を示す。また、図１３（
Ｂ）に図１３（Ａ）のポイント１において極微電子線回折を用いて測定した電子線回折パ
ターンを、図１３（Ｃ）に図１３（Ａ）のポイント２において極微電子線回折を用いて測
定した電子線回折パターンを、図１３（Ｄ）に図１３（Ａ）のポイント３において極微電
子線回折を用いて測定した電子線回折パターンをそれぞれ示す。
ｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（透過型電子顕微鏡））像を示す。また、図１３（
Ｂ）に図１３（Ａ）のポイント１において極微電子線回折を用いて測定した電子線回折パ
ターンを、図１３（Ｃ）に図１３（Ａ）のポイント２において極微電子線回折を用いて測
定した電子線回折パターンを、図１３（Ｄ）に図１３（Ａ）のポイント３において極微電
子線回折を用いて測定した電子線回折パターンをそれぞれ示す。
【0239】
図１３では、ナノ結晶酸化物半導体膜の一例として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物膜を石英
ガラス基板上に膜厚５０ｎｍで成膜した試料を用いる。図１３に示すナノ結晶酸化物半導
体膜の成膜条件は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）である酸化物ターゲット
を用いて、酸素雰囲気下（流量４５ｓｃｃｍ）、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．
５ｋＷ、基板温度を室温とした。そして、成膜したナノ結晶酸化物半導体膜を１００ｎｍ
以下（例えば、４０ｎｍ±１０ｎｍ）の幅に薄片化し、断面ＴＥＭ像および極微電子線回
折による電子線回折パターンを得た。
ガラス基板上に膜厚５０ｎｍで成膜した試料を用いる。図１３に示すナノ結晶酸化物半導
体膜の成膜条件は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）である酸化物ターゲット
を用いて、酸素雰囲気下（流量４５ｓｃｃｍ）、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．
５ｋＷ、基板温度を室温とした。そして、成膜したナノ結晶酸化物半導体膜を１００ｎｍ
以下（例えば、４０ｎｍ±１０ｎｍ）の幅に薄片化し、断面ＴＥＭ像および極微電子線回
折による電子線回折パターンを得た。
【0240】
図１３（Ａ）は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製「Ｈ－９０００ＮＡＲ」
）を用い、加速電圧を３００ｋＶ、倍率２００万倍として撮影したナノ結晶酸化物半導体
膜の断面ＴＥＭ像である。また、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｄ）は、透過型電子顕微鏡（
日立ハイテクノロジーズ製「ＨＦ－２０００」）を用い、加速電圧を２００ｋＶ、ビーム
径を約１ｎｍφとして極微電子線回折によって得られた電子線回折パターンである。なお
、ビーム径を約１ｎｍφとした場合の極微電子線回折での測定範囲は、５ｎｍφ以上１０
ｎｍφ以下である。
）を用い、加速電圧を３００ｋＶ、倍率２００万倍として撮影したナノ結晶酸化物半導体
膜の断面ＴＥＭ像である。また、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｄ）は、透過型電子顕微鏡（
日立ハイテクノロジーズ製「ＨＦ－２０００」）を用い、加速電圧を２００ｋＶ、ビーム
径を約１ｎｍφとして極微電子線回折によって得られた電子線回折パターンである。なお
、ビーム径を約１ｎｍφとした場合の極微電子線回折での測定範囲は、５ｎｍφ以上１０
ｎｍφ以下である。
【0241】
図１３（Ｂ）に示すように、ナノ結晶酸化物半導体膜は、極微電子線回折を用いた電子線
回折パターンにおいて、円周状に配置された複数のスポット（輝点）が観察される。換言
すると、ナノ結晶酸化物半導体膜では、円周状（同心円状）に分布した複数のスポットが
観察されるともいえる。または、円周状に分布した複数のスポットが複数の同心円を形成
するともいえる。
回折パターンにおいて、円周状に配置された複数のスポット（輝点）が観察される。換言
すると、ナノ結晶酸化物半導体膜では、円周状（同心円状）に分布した複数のスポットが
観察されるともいえる。または、円周状に分布した複数のスポットが複数の同心円を形成
するともいえる。
【0242】
また、石英ガラス基板との界面近傍である図１３（Ｄ）および、ナノ結晶酸化物半導体膜
の膜厚方向中央部の図１３（Ｃ）においても図１３（Ｂ）と同様に円周状に分布した複数
のスポットが観察される。図１３（Ｃ）において、メインスポットから円周状のスポット
までの距離は、３．８８／ｎｍから４．９３／ｎｍであった。面間隔に換算すると、０．
２０３ｎｍから０．２５７ｎｍである。
の膜厚方向中央部の図１３（Ｃ）においても図１３（Ｂ）と同様に円周状に分布した複数
のスポットが観察される。図１３（Ｃ）において、メインスポットから円周状のスポット
までの距離は、３．８８／ｎｍから４．９３／ｎｍであった。面間隔に換算すると、０．
２０３ｎｍから０．２５７ｎｍである。
【0243】
図１３の極微電子線回折パターンより、ナノ結晶酸化物半導体膜は、面方位が不規則であ
って且つ大きさの異なる結晶部が複数混在する膜であることがわかる。
って且つ大きさの異なる結晶部が複数混在する膜であることがわかる。
【0244】
【0245】
図１４では、ナノ結晶酸化物半導体膜の一例として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物膜を石英
ガラス基板上に膜厚３０ｎｍで成膜した試料を用いる。図１４に示すナノ結晶酸化物半導
体膜の成膜条件は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）である酸化物ターゲット
を用いて、酸素雰囲気下（流量４５ｓｃｃｍ）、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．
５ｋＷ、基板温度を室温とした。そして、試料を薄片化し、ナノ結晶酸化物半導体膜のナ
ノ結晶酸化物半導体膜の平面ＴＥＭ像および電子線回折による電子線回折パターンを得た
。
ガラス基板上に膜厚３０ｎｍで成膜した試料を用いる。図１４に示すナノ結晶酸化物半導
体膜の成膜条件は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（原子数比）である酸化物ターゲット
を用いて、酸素雰囲気下（流量４５ｓｃｃｍ）、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．
５ｋＷ、基板温度を室温とした。そして、試料を薄片化し、ナノ結晶酸化物半導体膜のナ
ノ結晶酸化物半導体膜の平面ＴＥＭ像および電子線回折による電子線回折パターンを得た
。
【0246】
図１４（Ａ）は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製「Ｈ－９０００ＮＡＲ」
）を用い、加速電圧を３００ｋＶ、倍率５０万倍として撮影したナノ結晶酸化物半導体膜
の平面ＴＥＭ写真である。また、図１４（Ｂ）は、制限視野を３００ｎｍφとして電子線
回折によって得られた電子線回折パターンである。なお、電子線の広がりを考慮すると、
測定範囲は、３００ｎｍφ以上である。
）を用い、加速電圧を３００ｋＶ、倍率５０万倍として撮影したナノ結晶酸化物半導体膜
の平面ＴＥＭ写真である。また、図１４（Ｂ）は、制限視野を３００ｎｍφとして電子線
回折によって得られた電子線回折パターンである。なお、電子線の広がりを考慮すると、
測定範囲は、３００ｎｍφ以上である。
【0247】
図１４（Ｂ）に示すように、ナノ結晶酸化物半導体膜は、極微電子線回折よりも測定範囲
の広い制限視野電子線回折を用いた電子線回折パターンでは、極微電子線回折によって観
察された複数のスポットがみられず、ハローパターンが観察される。
の広い制限視野電子線回折を用いた電子線回折パターンでは、極微電子線回折によって観
察された複数のスポットがみられず、ハローパターンが観察される。
【0248】
次に、図１５に、図１３および図１４の電子線回折パターンにおける回折強度の分布を概
念的に示す。図１５（Ａ）は、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｄ）に示す極微電子線回折パタ
ーンにおける回折強度の分布の概念図である。また、図１５（Ｂ）は、図１４（Ｂ）に示
す制限視野電子線回折パターンにおける回折強度の分布の概念図である。また、図１５（
Ｃ）は単結晶構造または多結晶構造の電子線回折パターンにおける回折強度の分布の概念
図である。
念的に示す。図１５（Ａ）は、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｄ）に示す極微電子線回折パタ
ーンにおける回折強度の分布の概念図である。また、図１５（Ｂ）は、図１４（Ｂ）に示
す制限視野電子線回折パターンにおける回折強度の分布の概念図である。また、図１５（
Ｃ）は単結晶構造または多結晶構造の電子線回折パターンにおける回折強度の分布の概念
図である。
【0249】
図１５において、縦軸はスポットなどの分布を表す電子線回折強度（任意単位）、横軸は
メインスポットからの距離を示す。
メインスポットからの距離を示す。
【0250】
図１５（Ｃ）に示す単結晶構造または多結晶構造においては、結晶部が配向する面の面間
隔（ｄ値）に応じた、メインスポットからの特定の距離にスポットがみられる。
隔（ｄ値）に応じた、メインスポットからの特定の距離にスポットがみられる。
【0251】
一方、図１３に示すようにナノ結晶酸化物半導体膜の極微電子線回折パターンで観察され
る複数のスポットによって形成された円周状の領域は、比較的大きい幅を有する。よって
、図１５（Ａ）は離散的な強度分布を示す。また、極微電子線回折パターンにおいて、同
心円状の領域間に明確なスポットとならないものの輝度の高い領域が存在することがわか
る。
る複数のスポットによって形成された円周状の領域は、比較的大きい幅を有する。よって
、図１５（Ａ）は離散的な強度分布を示す。また、極微電子線回折パターンにおいて、同
心円状の領域間に明確なスポットとならないものの輝度の高い領域が存在することがわか
る。
【0252】
また、図１５（Ｂ）に示すように、ナノ結晶酸化物半導体膜の制限視野電子線回折パター
ンにおける電子線回折強度分布は、連続的な強度分布を示す。図１５（Ｂ）は、図１５（
Ａ）に示す電子線回折強度分布を広範囲で観察した結果と近似可能であるため、複数のス
ポットが重なってつながり、連続的な強度分布が得られたものと考察できる。
ンにおける電子線回折強度分布は、連続的な強度分布を示す。図１５（Ｂ）は、図１５（
Ａ）に示す電子線回折強度分布を広範囲で観察した結果と近似可能であるため、複数のス
ポットが重なってつながり、連続的な強度分布が得られたものと考察できる。
【0253】
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｃ）に示すように、ナノ結晶酸化物半導体膜は、面方位が不規
則であって且つ大きさの異なる結晶部が複数混在する膜であり、且つ、その結晶部は、制
限視野電子線回折パターンにおいてはスポットが観察されない程度に、極微細であること
が示唆される。
則であって且つ大きさの異なる結晶部が複数混在する膜であり、且つ、その結晶部は、制
限視野電子線回折パターンにおいてはスポットが観察されない程度に、極微細であること
が示唆される。
【0254】
複数のスポットが観察された図１３において、ナノ結晶酸化物半導体膜は５０ｎｍ以下に
薄片化されている。また電子線のビーム径は１ｎｍφに収束されているため、その測定範
囲は５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。よって、ナノ結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部
は、５０ｎｍ以下であり、例えば、１０ｎｍ以下、または５ｎｍ以下であることが推測さ
れる。
薄片化されている。また電子線のビーム径は１ｎｍφに収束されているため、その測定範
囲は５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。よって、ナノ結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部
は、５０ｎｍ以下であり、例えば、１０ｎｍ以下、または５ｎｍ以下であることが推測さ
れる。
【0255】
【0256】
図１６に示すように、非晶質構造を有する石英ガラス基板では、特定のスポットを有さず
、メインスポットから輝度が連続的に変化するハローパターンが観測される。このように
、非晶質構造を有する膜においては、極微小な領域の電子線回折を行ったとしても、ナノ
結晶酸化物半導体膜で観察されるような円周状に分布した複数のスポットが観察されない
。したがって、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｄ）で観察される円周状に分布した複数のスポ
ットは、ナノ結晶酸化物半導体膜に特有のものであることが確認される。
、メインスポットから輝度が連続的に変化するハローパターンが観測される。このように
、非晶質構造を有する膜においては、極微小な領域の電子線回折を行ったとしても、ナノ
結晶酸化物半導体膜で観察されるような円周状に分布した複数のスポットが観察されない
。したがって、図１３（Ｂ）乃至図１３（Ｄ）で観察される円周状に分布した複数のスポ
ットは、ナノ結晶酸化物半導体膜に特有のものであることが確認される。
【0257】
【0258】
図１７に示す電子線回折パターンは、図１３（Ｃ）に示す電子線回折パターンと同様に、
円周状に分布した複数のスポットが観察され、両者の測定結果に特段の相違点は確認され
ない。このことは、図１３（Ｃ）の電子線回折パターンで確認される結晶部は、酸化物半
導体膜の成膜時から存在していることを意味しており、収束電子線を照射したことで結晶
部が形成されたものではないことを意味する。
円周状に分布した複数のスポットが観察され、両者の測定結果に特段の相違点は確認され
ない。このことは、図１３（Ｃ）の電子線回折パターンで確認される結晶部は、酸化物半
導体膜の成膜時から存在していることを意味しており、収束電子線を照射したことで結晶
部が形成されたものではないことを意味する。
【0259】
次に、図１８に、図１３（Ａ）に示す断面ＴＥＭ像の部分拡大図を示す。図１８（Ａ）は
、図１３（Ａ）のポイント１近傍（ナノ結晶酸化物半導体膜表面）を、倍率８００万倍で
観察した断面ＴＥＭ像である。また、図１８（Ｂ）は、図１３（Ａ）のポイント２近傍（
ナノ結晶酸化物半導体膜の膜厚方向中央部）を、倍率８００万倍で観察した断面ＴＥＭ像
である。
、図１３（Ａ）のポイント１近傍（ナノ結晶酸化物半導体膜表面）を、倍率８００万倍で
観察した断面ＴＥＭ像である。また、図１８（Ｂ）は、図１３（Ａ）のポイント２近傍（
ナノ結晶酸化物半導体膜の膜厚方向中央部）を、倍率８００万倍で観察した断面ＴＥＭ像
である。
【0260】
図１８に示す断面ＴＥＭ像からは、ナノ結晶酸化物半導体膜において結晶構造が明確には
確認できない。
確認できない。
【0261】
また、図１３および図１４の観察に用いた、石英ガラス基板上に本実施の形態のナノ結晶
酸化物半導体膜が成膜された試料をＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ）を用いて分析した。図１９にｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクト
ルを測定した結果を示す。
酸化物半導体膜が成膜された試料をＸ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ）を用いて分析した。図１９にｏｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法を用いてＸＲＤスペクト
ルを測定した結果を示す。
【0262】
【0263】
図１９に示すように、２θ＝２０～２３°近傍に石英に起因するピークが観察されるもの
の、ナノ結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部に起因するピークは確認できない。
の、ナノ結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部に起因するピークは確認できない。
【0264】
【0265】
以上示したように、本実施の形態のナノ結晶酸化物半導体膜では、測定範囲の広いＸ線回
折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）による分析では配向を示すピークが
検出されず、また、測定範囲の広い制限視野電子線回折によって得られる電子線回折パタ
ーンでは、ハローパターンが観測される。よって、本実施の形態のナノ結晶酸化物半導体
膜は、巨視的には無秩序な原子配列を有する膜と同等であるといえる。しかしながら、電
子線のビーム径が十分に小さい径（例えば、１０ｎｍφ以下）の極微電子線回折によって
ナノ結晶酸化物半導体膜を測定することで、得られる極微電子線回折パターンではスポッ
ト（輝点）を観測することができる。よって、本実施の形態のナノ結晶酸化物半導体膜は
、面方位の不規則な極微な結晶部（例えば、粒径が１０ｎｍ以下、または５ｎｍ以下、ま
たは３ｎｍ以下の結晶部）が凝集して形成された膜と推測できる。また、極微細な結晶部
を含有するナノ結晶領域は、ナノ結晶酸化物半導体膜の膜厚方向の全領域において含まれ
る。
折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）による分析では配向を示すピークが
検出されず、また、測定範囲の広い制限視野電子線回折によって得られる電子線回折パタ
ーンでは、ハローパターンが観測される。よって、本実施の形態のナノ結晶酸化物半導体
膜は、巨視的には無秩序な原子配列を有する膜と同等であるといえる。しかしながら、電
子線のビーム径が十分に小さい径（例えば、１０ｎｍφ以下）の極微電子線回折によって
ナノ結晶酸化物半導体膜を測定することで、得られる極微電子線回折パターンではスポッ
ト（輝点）を観測することができる。よって、本実施の形態のナノ結晶酸化物半導体膜は
、面方位の不規則な極微な結晶部（例えば、粒径が１０ｎｍ以下、または５ｎｍ以下、ま
たは３ｎｍ以下の結晶部）が凝集して形成された膜と推測できる。また、極微細な結晶部
を含有するナノ結晶領域は、ナノ結晶酸化物半導体膜の膜厚方向の全領域において含まれ
る。
【0266】
ここで、ナノ結晶酸化物半導体膜の局在準位について説明する。ここでは、ナノ結晶酸化
物半導体膜をＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄ）測
定で評価した結果について説明する。
物半導体膜をＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄ）測
定で評価した結果について説明する。
【0267】
まず、測定試料の構造について説明する。
【0268】
測定試料は、ガラス基板上に設けられた酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜に接する一
対の電極と、酸化物半導体膜および一対の電極を覆う絶縁膜と、を有する。
対の電極と、酸化物半導体膜および一対の電極を覆う絶縁膜と、を有する。
【0269】
次に、測定試料に含まれる酸化物半導体膜の形成方法について説明する。
【0270】
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）であるターゲッ
トを用い、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、
圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を室温とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加する条件を用い
たスパッタリング法により、第１の酸化物半導体膜を形成した。なお、第１の酸化物半導
体膜はナノ結晶酸化物半導体膜である。
トを用い、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、
圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を室温とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加する条件を用い
たスパッタリング法により、第１の酸化物半導体膜を形成した。なお、第１の酸化物半導
体膜はナノ結晶酸化物半導体膜である。
【0271】
また、第１の酸化物半導体膜を、４５０℃の窒素雰囲気で１時間加熱した後、４５０℃の
酸素雰囲気で１時間加熱することで、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させる
処理および第１の酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を行い、第２の酸化物半導体膜を
形成した。なお、第２の酸化物半導体膜はナノ結晶酸化物半導体膜である。
酸素雰囲気で１時間加熱することで、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させる
処理および第１の酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を行い、第２の酸化物半導体膜を
形成した。なお、第２の酸化物半導体膜はナノ結晶酸化物半導体膜である。
【0272】
次に、第１の酸化物半導体膜を有する測定試料、および第２の酸化物半導体膜を有する測
定試料についてＣＰＭ測定を行った。具体的には、酸化物半導体膜に接して設けた一対の
電極間に電圧を印加した状態で光電流値が一定となるように端子間の測定試料面に照射す
る光量を調整し、所望の波長の範囲において照射光量から吸収係数を導出した。
定試料についてＣＰＭ測定を行った。具体的には、酸化物半導体膜に接して設けた一対の
電極間に電圧を印加した状態で光電流値が一定となるように端子間の測定試料面に照射す
る光量を調整し、所望の波長の範囲において照射光量から吸収係数を導出した。
【0273】
各測定試料をＣＰＭ測定して得られた吸収係数からバンドテイル起因の吸収係数を除いた
吸収係数、即ち欠陥に起因する吸収係数を図１１に示す。図１１において、横軸は吸収係
数を表し、縦軸は光エネルギーを表す。なお、図１１の縦軸において、酸化物半導体膜の
伝導帯の下端を０ｅＶとし、価電子帯の上端を３．１５ｅＶとする。また、図１１におい
て、各曲線は吸収係数と光エネルギーの関係を示す曲線であり、欠陥準位に相当する。
吸収係数、即ち欠陥に起因する吸収係数を図１１に示す。図１１において、横軸は吸収係
数を表し、縦軸は光エネルギーを表す。なお、図１１の縦軸において、酸化物半導体膜の
伝導帯の下端を０ｅＶとし、価電子帯の上端を３．１５ｅＶとする。また、図１１におい
て、各曲線は吸収係数と光エネルギーの関係を示す曲線であり、欠陥準位に相当する。
【0274】
図１１（Ａ）は、第１の酸化物半導体膜を有する測定試料の測定結果であり、欠陥準位に
よる吸収係数は、５．２８×１０－１ｃｍ－１であった。図１１（Ｂ）は、第２の酸化物
半導体膜を有する測定試料の測定結果であり、欠陥準位による吸収係数は、１．７５×１
０－２ｃｍ－１であった。
よる吸収係数は、５．２８×１０－１ｃｍ－１であった。図１１（Ｂ）は、第２の酸化物
半導体膜を有する測定試料の測定結果であり、欠陥準位による吸収係数は、１．７５×１
０－２ｃｍ－１であった。
【0275】
したがって、加熱処理により、酸化物半導体膜に含まれる欠陥を低減することができる。
【0276】
なお、第１の酸化物半導体膜および第２の酸化物半導体膜に関し、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ
（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ））を用いた膜密度の測定を行った。第１の
酸化物半導体膜の膜密度は、５．９ｇ／ｃｍ３であり、第２の酸化物半導体膜の膜密度は
６．１ｇ／ｃｍ３であった。
（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ））を用いた膜密度の測定を行った。第１の
酸化物半導体膜の膜密度は、５．９ｇ／ｃｍ３であり、第２の酸化物半導体膜の膜密度は
６．１ｇ／ｃｍ３であった。
【0277】
したがって、加熱処理により、酸化物半導体膜の膜密度を高めることができる。
【0278】
即ち、酸化物半導体膜において、膜密度が高い程、膜中に含まれる欠陥が少ないことがわ
かる。
かる。
【0279】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0280】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることのできるＣＡＡＣ－ＯＳ膜について、電
子線回折パターン、および局在準位について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることのできるＣＡＡＣ－ＯＳ膜について、電
子線回折パターン、および局在準位について説明する。
【0281】
本実施の形態に用いるＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１：１［原子数比］）であるターゲット、および酸素を含む成膜ガスを用いたスパ
ッタリング法で形成したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物膜である。当該ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の作
製方法等の詳細な説明は、実施の形態１、２を参照することができる。
＝１：１：１［原子数比］）であるターゲット、および酸素を含む成膜ガスを用いたスパ
ッタリング法で形成したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物膜である。当該ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の作
製方法等の詳細な説明は、実施の形態１、２を参照することができる。
【0282】
図２０にＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（透過型電子顕微鏡））像を示す。また、図２１に図２０のポイ
ント１乃至ポイント４において電子線回折を用いて測定した電子線回折パターンを示す。
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（透過型電子顕微鏡））像を示す。また、図２１に図２０のポイ
ント１乃至ポイント４において電子線回折を用いて測定した電子線回折パターンを示す。
【0283】
図２０に示す断面ＴＥＭ画像は、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製「Ｈ－９
０００ＮＡＲ」）を用い、加速電圧を３００ｋＶ、倍率２００万倍で撮影した画像である
。また、図２１に示す電子線回折パターンは、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジー
ズ製「ＨＦ－２０００」）を用い、加速電圧を２００ｋＶ、ビーム径を約１ｎｍφまたは
約５０ｎｍφとした電子線回折パターンである。なお、ビーム径が１０ｎｍφ以下とした
電子線回折を、特に極微電子線回折と呼ぶことがある。また、ビーム径を約１ｎｍφとし
た場合の電子線回折での測定範囲は、５ｎｍφ以上１０ｎｍφ以下である。
０００ＮＡＲ」）を用い、加速電圧を３００ｋＶ、倍率２００万倍で撮影した画像である
。また、図２１に示す電子線回折パターンは、透過型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジー
ズ製「ＨＦ－２０００」）を用い、加速電圧を２００ｋＶ、ビーム径を約１ｎｍφまたは
約５０ｎｍφとした電子線回折パターンである。なお、ビーム径が１０ｎｍφ以下とした
電子線回折を、特に極微電子線回折と呼ぶことがある。また、ビーム径を約１ｎｍφとし
た場合の電子線回折での測定範囲は、５ｎｍφ以上１０ｎｍφ以下である。
【0284】
図２０に示すポイント１（膜表面側）、ポイント２（膜中央）、ポイント３（膜下地側）
における電子線回折パターンが図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ対応しており、
電子ビーム径を約１ｎｍφとした電子線回折パターンである。また、図２０に示すポイン
ト４（膜全体）における電子線回折パターンが図２１（Ｄ）であり、電子ビーム径を約５
０ｎｍφとした電子線回折パターンである。
における電子線回折パターンが図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ対応しており、
電子ビーム径を約１ｎｍφとした電子線回折パターンである。また、図２０に示すポイン
ト４（膜全体）における電子線回折パターンが図２１（Ｄ）であり、電子ビーム径を約５
０ｎｍφとした電子線回折パターンである。
【0285】
ポイント１（膜表面側）およびポイント２（膜中央）の電子線回折パターンは、スポット
（輝点）によるパターンの形成が確認できるが、ポイント３（膜下地側）では、ややパタ
ーンが崩れている。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の膜厚方向において、結晶状態が異なるこ
とを示唆している。なお、ポイント４（膜全体）においては、スポット（輝点）によるパ
ターンの形成が確認できることから、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、または、
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
（輝点）によるパターンの形成が確認できるが、ポイント３（膜下地側）では、ややパタ
ーンが崩れている。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の膜厚方向において、結晶状態が異なるこ
とを示唆している。なお、ポイント４（膜全体）においては、スポット（輝点）によるパ
ターンの形成が確認できることから、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、または、
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
【0286】
【0287】
図２３（Ａ）、（Ｂ）は、図２０の断面ＴＥＭ観察に用いたＣＡＡＣ－ＯＳ膜とは異なる
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ写真とＸ線回折スペクトルである。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は様
々な形態があり、図２３（Ｂ）に示すような２θ＝３１°近傍に結晶成分を示すピークＡ
が現れる。なお、当該ピークは明瞭に現れない場合もある。
ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断面ＴＥＭ写真とＸ線回折スペクトルである。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は様
々な形態があり、図２３（Ｂ）に示すような２θ＝３１°近傍に結晶成分を示すピークＡ
が現れる。なお、当該ピークは明瞭に現れない場合もある。
【0288】
図２３（Ａ）のＣＡＡＣ－ＯＳ膜に同心円で示す領域において、電子線のビーム径を１ｎ
ｍφ、２０ｎｍφ、５０ｎｍφ、７０ｎｍφとして、電子線回折を行った結果を図２４（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。電子線のビーム径が１ｎｍφにおいては、図２１
（Ａ）、（Ｂ）と同様に明瞭なスポット（輝点）によるパターンの形成を確認することが
できる。電子線のビーム径を大きくしていくとスポット（輝点）がやや不明瞭になるが、
回折パターンは確認することができ、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、またはＣ
ＡＡＣ－ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
ｍφ、２０ｎｍφ、５０ｎｍφ、７０ｎｍφとして、電子線回折を行った結果を図２４（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。電子線のビーム径が１ｎｍφにおいては、図２１
（Ａ）、（Ｂ）と同様に明瞭なスポット（輝点）によるパターンの形成を確認することが
できる。電子線のビーム径を大きくしていくとスポット（輝点）がやや不明瞭になるが、
回折パターンは確認することができ、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、またはＣ
ＡＡＣ－ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
【0289】
【0290】
図２５（Ａ）のＣＡＡＣ－ＯＳ膜に同心円で示す領域において、電子線のビーム径を１ｎ
ｍφ、２０ｎｍφ、５０ｎｍφ、７０ｎｍφとして、電子線回折を行った結果を図２６（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。図２４に示した結果と同様に、電子線のビーム径
が１ｎｍφにおいては、明瞭なスポット（輝点）によるパターンの形成を確認することが
できる。また、電子線のビーム径を大きくしていくとスポット（輝点）がやや不明瞭にな
るが、回折パターンは確認することができ、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、ま
たはＣＡＡＣ－ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
ｍφ、２０ｎｍφ、５０ｎｍφ、７０ｎｍφとして、電子線回折を行った結果を図２６（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。図２４に示した結果と同様に、電子線のビーム径
が１ｎｍφにおいては、明瞭なスポット（輝点）によるパターンの形成を確認することが
できる。また、電子線のビーム径を大きくしていくとスポット（輝点）がやや不明瞭にな
るが、回折パターンは確認することができ、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、ま
たはＣＡＡＣ－ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
【0291】
図２７（Ａ）、（Ｂ）は、図２０の断面ＴＥＭ写真に用いたＣＡＡＣ－ＯＳ膜、および図
２３（Ａ）の断面ＴＥＭ観察に用いたＣＡＡＣ－ＯＳ膜とは異なるＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断
面ＴＥＭ写真とＸ線回折スペクトルである。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は様々な形態があり、図２
７（Ｂ）に示すように２θ＝３１°近傍に結晶成分を示すピークＡが現れるとともに、ス
ピネル結晶構造に由来するピークＢが現れる場合もある。
２３（Ａ）の断面ＴＥＭ観察に用いたＣＡＡＣ－ＯＳ膜とは異なるＣＡＡＣ－ＯＳ膜の断
面ＴＥＭ写真とＸ線回折スペクトルである。ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は様々な形態があり、図２
７（Ｂ）に示すように２θ＝３１°近傍に結晶成分を示すピークＡが現れるとともに、ス
ピネル結晶構造に由来するピークＢが現れる場合もある。
【0292】
図２７（Ａ）のＣＡＡＣ－ＯＳ膜に同心円で示す領域において、電子線のビーム径を１ｎ
ｍφ、２０ｎｍφ、５０ｎｍφ、９０ｎｍφとして、電子線回折を行った結果を図２８（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。電子線のビーム径が１ｎｍφにおいては、明瞭な
スポット（輝点）によるパターンの形成を確認することができる。また、電子線のビーム
径を大きくしていくとスポット（輝点）がやや不明瞭になるが、回折パターンは確認する
ことができる。また、ビーム径９０ｎｍφでは、より明瞭なスポット（輝点）を確認する
ことができる。したがって、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、またはＣＡＡＣ－
ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
ｍφ、２０ｎｍφ、５０ｎｍφ、９０ｎｍφとして、電子線回折を行った結果を図２８（
Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。電子線のビーム径が１ｎｍφにおいては、明瞭な
スポット（輝点）によるパターンの形成を確認することができる。また、電子線のビーム
径を大きくしていくとスポット（輝点）がやや不明瞭になるが、回折パターンは確認する
ことができる。また、ビーム径９０ｎｍφでは、より明瞭なスポット（輝点）を確認する
ことができる。したがって、膜全体としてはＣＡＡＣ－ＯＳ膜である、またはＣＡＡＣ－
ＯＳ膜を含む膜であるということができる。
【0293】
ここで、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の局在準位について説明する。ここでは、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜を
ＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄ）測定で評価した
結果について説明する。
ＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄ）測定で評価した
結果について説明する。
【0294】
まず、ＣＰＭ測定した試料の構造について説明する。
【0295】
測定試料は、ガラス基板上に設けられた酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜に接する一
対の電極と、酸化物半導体膜および一対の電極を覆う絶縁膜と、を有する。
対の電極と、酸化物半導体膜および一対の電極を覆う絶縁膜と、を有する。
【0296】
次に、測定試料に含まれる酸化物半導体膜の形成方法について説明する。
【0297】
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］）であるターゲッ
トを用い、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、
圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を４００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加する条件を
用いたスパッタリング法により、酸化物半導体膜を形成した。次に、４５０℃の窒素雰囲
気で１時間加熱した後、４５０℃の酸素雰囲気で１時間加熱して、酸化物半導体膜に含ま
れる水素を脱離させる処理および酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を行った。なお、
当該酸化物半導体膜はＣＡＡＣ－ＯＳ膜である。
トを用い、成膜ガスとしてアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、
圧力を０．４Ｐａとし、基板温度を４００℃とし、ＤＣ電力を０．５ｋＷ印加する条件を
用いたスパッタリング法により、酸化物半導体膜を形成した。次に、４５０℃の窒素雰囲
気で１時間加熱した後、４５０℃の酸素雰囲気で１時間加熱して、酸化物半導体膜に含ま
れる水素を脱離させる処理および酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を行った。なお、
当該酸化物半導体膜はＣＡＡＣ－ＯＳ膜である。
【0298】
次に、酸化物半導体膜を有する測定試料についてＣＰＭ測定を行った。具体的には、酸化
物半導体膜に接して設けた一対の電極間に電圧を印加した状態で光電流値が一定となるよ
うに端子間の試料面に照射する光量を調整し、所望の波長の範囲において照射光量から吸
収係数を導出した。
物半導体膜に接して設けた一対の電極間に電圧を印加した状態で光電流値が一定となるよ
うに端子間の試料面に照射する光量を調整し、所望の波長の範囲において照射光量から吸
収係数を導出した。
【0299】
各測定試料をＣＰＭ測定して得られた吸収係数からバンドテイル起因の吸収係数を除いた
吸収係数、即ち欠陥に起因する吸収係数を図１２に示す。図１２において、横軸は吸収係
数を表し、縦軸は光エネルギーを表す。なお、図１２の縦軸において、酸化物半導体膜の
伝導帯の下端を０ｅＶとし、価電子帯の上端を３．１５ｅＶとする。また、図１２におい
て、曲線は吸収係数と光エネルギーの関係を示し、欠陥準位に相当する。
吸収係数、即ち欠陥に起因する吸収係数を図１２に示す。図１２において、横軸は吸収係
数を表し、縦軸は光エネルギーを表す。なお、図１２の縦軸において、酸化物半導体膜の
伝導帯の下端を０ｅＶとし、価電子帯の上端を３．１５ｅＶとする。また、図１２におい
て、曲線は吸収係数と光エネルギーの関係を示し、欠陥準位に相当する。
【0300】
図１２に示す曲線において、欠陥準位による吸収係数は、５．８６×１０－４ｃｍ－１で
あった。即ち、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、欠陥準位による吸収係数が１×１０－３／ｃｍ未満
、好ましくは１×１０－４／ｃｍ未満であり、欠陥準位密度の低い膜である。
あった。即ち、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、欠陥準位による吸収係数が１×１０－３／ｃｍ未満
、好ましくは１×１０－４／ｃｍ未満であり、欠陥準位密度の低い膜である。
【0301】
なお、酸化物半導体膜に関し、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍ
ｅｔｒｙ））を用いた膜密度の測定を行った。酸化物半導体膜の膜密度は、６．３ｇ／ｃ
ｍ３であった。即ち、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、膜密度の高い膜である。
ｅｔｒｙ））を用いた膜密度の測定を行った。酸化物半導体膜の膜密度は、６．３ｇ／ｃ
ｍ３であった。即ち、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜は、膜密度の高い膜である。
【0302】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0303】
（実施の形態５）
上記実施の形態で一例を示したトランジスタおよび容量素子を用いて表示機能を有する半
導体装置（表示装置）を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一
部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成すること
ができる。本実施の形態では、上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いた表示
装置の例について、図２９乃至図３１を用いて説明する。なお、図３０は、図２９（Ｂ）
中でＭ－Ｎの一点鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図である。なお、図３０におい
て、画素部の構造は一部のみ記載している。
上記実施の形態で一例を示したトランジスタおよび容量素子を用いて表示機能を有する半
導体装置（表示装置）を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一
部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成すること
ができる。本実施の形態では、上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いた表示
装置の例について、図２９乃至図３１を用いて説明する。なお、図３０は、図２９（Ｂ）
中でＭ－Ｎの一点鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図である。なお、図３０におい
て、画素部の構造は一部のみ記載している。
【0304】
図２９（Ａ）において、第１の基板９０１上に設けられた画素部９０２を囲むようにして
、シール材９０５が設けられ、第２の基板９０６によって封止されている。図２９（Ａ）
においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域とは異なる
領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された第２の駆
動回路９０３、および第１の駆動回路９０４が実装されている。また、第２の駆動回路９
０３、第１の駆動回路９０４、または画素部９０２に与えられる各種信号および電位は、
ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）９１８ａ、ＦＰＣ９１８
ｂから供給されている。
、シール材９０５が設けられ、第２の基板９０６によって封止されている。図２９（Ａ）
においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域とは異なる
領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された第２の駆
動回路９０３、および第１の駆動回路９０４が実装されている。また、第２の駆動回路９
０３、第１の駆動回路９０４、または画素部９０２に与えられる各種信号および電位は、
ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）９１８ａ、ＦＰＣ９１８
ｂから供給されている。
【0305】
なお、第１の駆動回路９０４は、走査線駆動回路としての機能を有する。また、第２の駆
動回路９０３は、信号線駆動回路としての機能を有する。
動回路９０３は、信号線駆動回路としての機能を有する。
【0306】
図２９（Ｂ）および図２９（Ｃ）において、第１の基板９０１上に設けられた画素部９０
２と、第１の駆動回路９０４とを囲むようにして、シール材９０５が設けられている。ま
た画素部９０２と、第１の駆動回路９０４の上に第２の基板９０６が設けられている。よ
って画素部９０２と、第１の駆動回路９０４とは、第１の基板９０１とシール材９０５と
第２の基板９０６とによって、表示素子と共に封止されている。図２９（Ｂ）および図２
９（Ｃ）においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された単結晶半導体または多結晶半導体で形成された第２の駆
動回路９０３が実装されている。図２９（Ｂ）および図２９（Ｃ）においては、第２の駆
動回路９０３、第１の駆動回路９０４、または画素部９０２に与えられる各種信号および
電位は、ＦＰＣ９１８から供給されている。
２と、第１の駆動回路９０４とを囲むようにして、シール材９０５が設けられている。ま
た画素部９０２と、第１の駆動回路９０４の上に第２の基板９０６が設けられている。よ
って画素部９０２と、第１の駆動回路９０４とは、第１の基板９０１とシール材９０５と
第２の基板９０６とによって、表示素子と共に封止されている。図２９（Ｂ）および図２
９（Ｃ）においては、第１の基板９０１上のシール材９０５によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された単結晶半導体または多結晶半導体で形成された第２の駆
動回路９０３が実装されている。図２９（Ｂ）および図２９（Ｃ）においては、第２の駆
動回路９０３、第１の駆動回路９０４、または画素部９０２に与えられる各種信号および
電位は、ＦＰＣ９１８から供給されている。
【0307】
また、図２９（Ｂ）および図２９（Ｃ）においては、第２の駆動回路９０３を別途形成し
、第１の基板９０１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。第１の
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、第２の駆動回路の一部または第１の駆動回路
の一部のみを別途形成して実装しても良い。
、第１の基板９０１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。第１の
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、第２の駆動回路の一部または第１の駆動回路
の一部のみを別途形成して実装しても良い。
【0308】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ（Ｃｈ
ｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法、ワイヤボンディング法、或いはＴＣＰ（Ｔａｐｅ ｃａｒ
ｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）などを実装する方法を用いることができる。図２９（Ａ）は
、ＣＯＧ方法により第２の駆動回路９０３、第１の駆動回路９０４を実装する例であり、
図２９（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により第２の駆動回路９０３を実装する例であり、図２９（
Ｃ）は、第２の駆動回路９０３をＴＣＰとして実装する例である。
ｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）法、ワイヤボンディング法、或いはＴＣＰ（Ｔａｐｅ ｃａｒ
ｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）などを実装する方法を用いることができる。図２９（Ａ）は
、ＣＯＧ方法により第２の駆動回路９０３、第１の駆動回路９０４を実装する例であり、
図２９（Ｂ）は、ＣＯＧ方法により第２の駆動回路９０３を実装する例であり、図２９（
Ｃ）は、第２の駆動回路９０３をＴＣＰとして実装する例である。
【0309】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【0310】
なお、本明細書における表示装置とは、画像表示デバイスまたは表示デバイスを指す。ま
た、表示装置の代わりに光源（照明装置含む）として機能させることができる。また、コ
ネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリ
ント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ方式によりＩＣ（集積回路
）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
た、表示装置の代わりに光源（照明装置含む）として機能させることができる。また、コ
ネクター、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリ
ント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ方式によりＩＣ（集積回路
）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【0311】
また、第１の基板上に設けられた画素部および第１の駆動回路は、トランジスタを複数有
しており、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。
しており、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。
【0312】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子、発光素子などを用いることができる。
液晶素子の一例としては、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御す
る素子がある。その素子は一対の電極と液晶層により構造されることが可能である。なお
、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め
方向の電界を含む）によって制御される。なお、具体的には、液晶素子の一例としては、
ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモ
トロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（Ｐ
ＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バナナ型液晶な
どを挙げることができる。また液晶の駆動方法としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、Ｉ
ＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅ
ｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モー
ド、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅ
ｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉ
ｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈ
ａｓｅ）モードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式と
して様々なものを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御
される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）素子、有機ＥＬ素子等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用
によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。図３０に、表示素子と
して液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。
液晶素子の一例としては、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御す
る素子がある。その素子は一対の電極と液晶層により構造されることが可能である。なお
、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め
方向の電界を含む）によって制御される。なお、具体的には、液晶素子の一例としては、
ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモ
トロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（Ｐ
ＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バナナ型液晶な
どを挙げることができる。また液晶の駆動方法としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、Ｉ
ＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅ
ｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モー
ド、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅ
ｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉ
ｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈ
ａｓｅ）モードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式と
して様々なものを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御
される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）素子、有機ＥＬ素子等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用
によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。図３０に、表示素子と
して液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。
【0313】
図３０は、縦電界方式の液晶表示装置の断面図である。当該液晶表示装置は、接続端子電
極９１５および端子電極９１６を有しており、接続端子電極９１５および端子電極９１６
はＦＰＣ９１８が有する端子と異方性導電剤９１９を介して、電気的に接続されている。
極９１５および端子電極９１６を有しており、接続端子電極９１５および端子電極９１６
はＦＰＣ９１８が有する端子と異方性導電剤９１９を介して、電気的に接続されている。
【0314】
接続端子電極９１５は、第１の電極９３０と同じ導電膜から形成され、端子電極９１６は
、トランジスタ９１０、９１１のソース電極およびドレイン電極と同じ導電膜で形成され
ている。
、トランジスタ９１０、９１１のソース電極およびドレイン電極と同じ導電膜で形成され
ている。
【0315】
また、第１の基板９０１上に設けられた画素部９０２と、第１の駆動回路９０４は、トラ
ンジスタを複数有しており画素部９０２に含まれるトランジスタ９１０と、第１の駆動回
路９０４に含まれるトランジスタ９１１とを例示している。トランジスタ９１０およびト
ランジスタ９１１上には実施の形態１に示す絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜
１３２に相当する絶縁膜９２４が設けられている。また、絶縁膜９２４上には平坦性を高
めるための絶縁膜９３４が設けられている。また、絶縁膜９２３は窒化絶縁膜である。
ンジスタを複数有しており画素部９０２に含まれるトランジスタ９１０と、第１の駆動回
路９０４に含まれるトランジスタ９１１とを例示している。トランジスタ９１０およびト
ランジスタ９１１上には実施の形態１に示す絶縁膜１２９、絶縁膜１３１、および絶縁膜
１３２に相当する絶縁膜９２４が設けられている。また、絶縁膜９２４上には平坦性を高
めるための絶縁膜９３４が設けられている。また、絶縁膜９２３は窒化絶縁膜である。
【0316】
本実施の形態では、トランジスタ９１０として、上記実施の形態１で示した画素１０１に
設けられるトランジスタを適用することができる。また、トランジスタ９１１として、上
記実施の形態１で示した第１の駆動回路１０４に設けられるトランジスタを適用すること
ができる。なお、トランジスタ９１１は、導電膜９１７を設けた構成を例示しているが、
導電膜９１７を設けない構成であってもよい。
設けられるトランジスタを適用することができる。また、トランジスタ９１１として、上
記実施の形態１で示した第１の駆動回路１０４に設けられるトランジスタを適用すること
ができる。なお、トランジスタ９１１は、導電膜９１７を設けた構成を例示しているが、
導電膜９１７を設けない構成であってもよい。
【0317】
また、酸化物半導体膜９２７、絶縁膜９２４、絶縁膜９３４、および第１の電極９３０を
用いて、容量素子９３６を構成する。なお、酸化物半導体膜９２７は、容量線９２９と電
気的に接続する。容量線９２９は、トランジスタ９１０、トランジスタ９１１のゲート電
極と同じ導電膜から形成される。なお、ここでは、容量素子９３６として実施の形態１に
示した容量素子を図示したが、適宜他の実施の形態に示した容量素子を用いることができ
る。
用いて、容量素子９３６を構成する。なお、酸化物半導体膜９２７は、容量線９２９と電
気的に接続する。容量線９２９は、トランジスタ９１０、トランジスタ９１１のゲート電
極と同じ導電膜から形成される。なお、ここでは、容量素子９３６として実施の形態１に
示した容量素子を図示したが、適宜他の実施の形態に示した容量素子を用いることができ
る。
【0318】
画素部９０２に設けられたトランジスタ９１０は表示素子と電気的に接続し、表示パネル
を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用
いることができる。
を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用
いることができる。
【0319】
表示素子である液晶素子９１３は、第１の電極９３０、第２の電極９３１、および液晶層
９０８を含む。なお、液晶層９０８を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜９３２
および絶縁膜９３３が設けられている。また、第２の電極９３１は第２の基板９０６側に
設けられ、第１の電極９３０と第２の電極９３１とは液晶層９０８を介して重なる構成と
なっている。
９０８を含む。なお、液晶層９０８を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜９３２
および絶縁膜９３３が設けられている。また、第２の電極９３１は第２の基板９０６側に
設けられ、第１の電極９３０と第２の電極９３１とは液晶層９０８を介して重なる構成と
なっている。
【0320】
表示素子に電圧を印加するために設けられる第１の電極９３０および第２の電極９３１（
画素電極、共通電極、対向電極などともいう）においては、取り出す光の方向、電極が設
けられる場所、および電極のパターン構造によって透光性、反射性を選択することができ
る。
画素電極、共通電極、対向電極などともいう）においては、取り出す光の方向、電極が設
けられる場所、および電極のパターン構造によって透光性、反射性を選択することができ
る。
【0321】
第１の電極９３０および第２の電極９３１は、実施の形態１に示す画素電極１２１と同様
の材料を適宜用いることができる。
の材料を適宜用いることができる。
【0322】
また、スペーサ９３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ
であり、第１の電極９３０と第２の電極９３１との間隔（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお、球状のスペーサを用いていてもよい。
であり、第１の電極９３０と第２の電極９３１との間隔（セルギャップ）を制御するため
に設けられている。なお、球状のスペーサを用いていてもよい。
【0323】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
【0324】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つで
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。なお、配向膜は
有機樹脂で構成されており、有機樹脂は水素または水などを含むことから、本発明の一態
様である半導体装置のトランジスタの電気特性を低下させるおそれがある。そこで、液晶
層として、ブルー相を用いることで、有機樹脂を用いずに本発明の一態様である半導体装
置を作製することができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。なお、配向膜は
有機樹脂で構成されており、有機樹脂は水素または水などを含むことから、本発明の一態
様である半導体装置のトランジスタの電気特性を低下させるおそれがある。そこで、液晶
層として、ブルー相を用いることで、有機樹脂を用いずに本発明の一態様である半導体装
置を作製することができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0325】
第１の基板９０１および第２の基板９０６はシール材９２５によって固定されている。シ
ール材９２５は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの有機樹脂を用いることができる。また、
シール材９２５は、絶縁膜９２４と接している。なお、シール材９２５は図２９に示すシ
ール材９０５に相当する。
ール材９２５は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂などの有機樹脂を用いることができる。また、
シール材９２５は、絶縁膜９２４と接している。なお、シール材９２５は図２９に示すシ
ール材９０５に相当する。
【0326】
シール材９２５は、絶縁膜９２４上に設けられている。また、絶縁膜９３４は、シール材
９２５の内側に設けられている。絶縁膜９２４の最上層は窒化絶縁膜であり、外部から水
素や水などの不純物の侵入を抑制することが可能である。一方、絶縁膜９３４は、透湿性
が高い。このため、絶縁膜９３４をシール材９２５の内側に設け、絶縁膜９２４上にシー
ル材９２５を設けることで、外部から水素や水などの不純物の侵入を抑制し、トランジス
タ９１０およびトランジスタ９１１の電気特性の変動を抑制することができる。
９２５の内側に設けられている。絶縁膜９２４の最上層は窒化絶縁膜であり、外部から水
素や水などの不純物の侵入を抑制することが可能である。一方、絶縁膜９３４は、透湿性
が高い。このため、絶縁膜９３４をシール材９２５の内側に設け、絶縁膜９２４上にシー
ル材９２５を設けることで、外部から水素や水などの不純物の侵入を抑制し、トランジス
タ９１０およびトランジスタ９１１の電気特性の変動を抑制することができる。
【0327】
また、液晶表示装置において、ブラックマトリクス（遮光膜）、偏光部材、位相差部材、
反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位
相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトな
どを用いてもよい。
反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位
相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトな
どを用いてもよい。
【0328】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【0329】
【0330】
共通接続部は、基板９０１と基板９０６とを接着するためのシール材と重なる位置に配置
され、シール材に含まれる導電性粒子を介して第２の電極９３１と電気的に接続される。
または、シール材と重ならない箇所（但し、画素部を除く）に共通接続部を設け、共通接
続部に重なるように導電性粒子を含むペーストをシール材とは別途設けて第２の電極９３
１と電気的に接続してもよい。
され、シール材に含まれる導電性粒子を介して第２の電極９３１と電気的に接続される。
または、シール材と重ならない箇所（但し、画素部を除く）に共通接続部を設け、共通接
続部に重なるように導電性粒子を含むペーストをシール材とは別途設けて第２の電極９３
１と電気的に接続してもよい。
【0331】
図３１（Ａ）の右側は、画素部に設けられるトランジスタ９１０の断面図であり、図３１
（Ａ）の左側は、当該トランジスタと同じ工程を利用して形成することのできる共通接続
部の断面図である。図３１（Ａ）に示す共通接続部は、図３１（Ｂ）に示す共通接続部の
上面図におけるＩ－Ｊの断面に相当する。
（Ａ）の左側は、当該トランジスタと同じ工程を利用して形成することのできる共通接続
部の断面図である。図３１（Ａ）に示す共通接続部は、図３１（Ｂ）に示す共通接続部の
上面図におけるＩ－Ｊの断面に相当する。
【0332】
共通電位線９７５は、ゲート絶縁膜９２２上に設けられ、トランジスタ９１０のソース電
極９７１またはドレイン電極９７３と同じ材料および同じ工程を利用して作製される。
極９７１またはドレイン電極９７３と同じ材料および同じ工程を利用して作製される。
【0333】
また、共通電位線９７５は、絶縁膜９２４および絶縁膜９３４で覆われ、絶縁膜９２４お
よび絶縁膜９３４は、共通電位線９７５と重なる位置に複数の開口を有している。この開
口は、トランジスタ９１０のソース電極９７１またはドレイン電極９７３の一方と、第１
の電極９３０とを接続するコンタクトホールと同じ工程を利用して作製される。
よび絶縁膜９３４は、共通電位線９７５と重なる位置に複数の開口を有している。この開
口は、トランジスタ９１０のソース電極９７１またはドレイン電極９７３の一方と、第１
の電極９３０とを接続するコンタクトホールと同じ工程を利用して作製される。
【0334】
また、共通電位線９７５および共通電極９７７は、絶縁膜９２４および絶縁膜９３４に設
けられる開口において電気的に接続する。共通電極９７７は、絶縁膜９３４上に設けられ
、接続端子電極９１５や、画素部の第１の電極９３０と同じ材料および同じ工程を利用し
て作製される。
けられる開口において電気的に接続する。共通電極９７７は、絶縁膜９３４上に設けられ
、接続端子電極９１５や、画素部の第１の電極９３０と同じ材料および同じ工程を利用し
て作製される。
【0335】
このように、画素部９０２のスイッチング素子の作製工程と共通させて共通接続部を作製
することができる。
することができる。
【0336】
共通電極９７７は、シール材に含まれる導電性粒子と接触する電極であり、基板９０６の
第２の電極９３１と電気的に接続が行われる。
第２の電極９３１と電気的に接続が行われる。
【0337】
また、図３１（Ｃ）に示すように、共通電位線９８５をトランジスタ９１０のゲート電極
と同じ材料、同じ工程を利用して作製してもよい。
と同じ材料、同じ工程を利用して作製してもよい。
【0338】
図３１（Ｃ）に示す共通接続部において、共通電位線９８５は、ゲート絶縁膜９２２、絶
縁膜９２４および絶縁膜９３４の下層に設けられ、ゲート絶縁膜９２２、絶縁膜９２４お
よび絶縁膜９３４は、共通電位線９８５と重なる位置に複数の開口を有する。該開口は、
トランジスタ９１０のソース電極９７１またはドレイン電極９７３の一方と第１の電極９
３０とを接続するコンタクトホールと同じ工程を利用して絶縁膜９２４および絶縁膜９３
４をエッチングした後、さらにゲート絶縁膜９２２を選択的にエッチングすることで形成
される。
縁膜９２４および絶縁膜９３４の下層に設けられ、ゲート絶縁膜９２２、絶縁膜９２４お
よび絶縁膜９３４は、共通電位線９８５と重なる位置に複数の開口を有する。該開口は、
トランジスタ９１０のソース電極９７１またはドレイン電極９７３の一方と第１の電極９
３０とを接続するコンタクトホールと同じ工程を利用して絶縁膜９２４および絶縁膜９３
４をエッチングした後、さらにゲート絶縁膜９２２を選択的にエッチングすることで形成
される。
【0339】
また、共通電位線９８５および共通電極９８７は、ゲート絶縁膜９２２、絶縁膜９２４お
よび絶縁膜９３４に設けられる開口において電気的に接続する。共通電極９８７は、絶縁
膜９３４上に設けられ、接続端子電極９１５や、画素部の第１の電極９３０と同じ材料お
よび同じ工程を用いて作製される。
よび絶縁膜９３４に設けられる開口において電気的に接続する。共通電極９８７は、絶縁
膜９３４上に設けられ、接続端子電極９１５や、画素部の第１の電極９３０と同じ材料お
よび同じ工程を用いて作製される。
【0340】
以上より、上記実施の形態で示したトランジスタおよび容量素子を適用することで、開口
率を高めつつ、電荷容量を増大させた容量素子を有する半導体装置を提供することができ
る。この結果、表示品位の優れた半導体装置を得ることができる。
率を高めつつ、電荷容量を増大させた容量素子を有する半導体装置を提供することができ
る。この結果、表示品位の優れた半導体装置を得ることができる。
【0341】
また、トランジスタに含まれる半導体膜である酸化物半導体膜は酸素欠損が低減され、水
素などの不純物が低減されていることから、本発明の一態様である半導体装置は、良好な
電気特性を有する半導体装置となる。
素などの不純物が低減されていることから、本発明の一態様である半導体装置は、良好な
電気特性を有する半導体装置となる。
【0342】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0343】
【0344】
具体的には、画素を選択するＧ信号を３０Ｈｚ（１秒間に３０回）以上の頻度、好ましく
は６０Ｈｚ（１秒間に６０回）以上９６０Ｈｚ（１秒間に９６０回）未満の頻度で出力す
る第１のモードと、１１．６μＨｚ（１日に１回）以上０．１Ｈｚ（１秒間に０．１回）
未満の頻度、好ましくは０．２８ｍＨｚ（１時間に１回）以上１Ｈｚ（１秒間に１回）未
満の頻度で出力する第２のモードを備える情報処理装置について説明する。
は６０Ｈｚ（１秒間に６０回）以上９６０Ｈｚ（１秒間に９６０回）未満の頻度で出力す
る第１のモードと、１１．６μＨｚ（１日に１回）以上０．１Ｈｚ（１秒間に０．１回）
未満の頻度、好ましくは０．２８ｍＨｚ（１時間に１回）以上１Ｈｚ（１秒間に１回）未
満の頻度で出力する第２のモードを備える情報処理装置について説明する。
【0345】
本発明の一態様の情報処理装置を用いて静止画を表示すると、リフレッシュレートを１Ｈ
ｚ未満、好ましくは０．２Ｈｚ以下とすることができ、使用者の目にやさしい表示、使用
者の目の疲労を軽減する表示、使用者の目に負担を与えない表示をすることができる。ま
た、表示部に表示する画像の性質に応じて最適な頻度で表示画像をリフレッシュすること
ができる。具体的には、動画をなめらかに表示する場合に比べて、リフレッシュを低い頻
度で行うことにより、フリッカーの少ない静止画を表示することができる。加えて、消費
電力を低減する効果も奏する。
ｚ未満、好ましくは０．２Ｈｚ以下とすることができ、使用者の目にやさしい表示、使用
者の目の疲労を軽減する表示、使用者の目に負担を与えない表示をすることができる。ま
た、表示部に表示する画像の性質に応じて最適な頻度で表示画像をリフレッシュすること
ができる。具体的には、動画をなめらかに表示する場合に比べて、リフレッシュを低い頻
度で行うことにより、フリッカーの少ない静止画を表示することができる。加えて、消費
電力を低減する効果も奏する。
【0346】
図３２は、本発明の一態様の表示機能を有する情報処理装置の構成を説明するブロック図
である。
である。
【0347】
図３３は、本発明の一態様の表示装置が備える表示部の構成を説明するブロック図である
。
。
【0348】
本実施の形態で説明する表示機能を有する情報処理装置６００は、表示装置６４０、演算
装置６２０並びに入力手段５００（図３２参照）を有する。
装置６２０並びに入力手段５００（図３２参照）を有する。
【0349】
表示装置６４０は、表示部６３０および制御部６１０を有する（図３２参照）。一次画像
信号６２５＿Ｖおよび一次制御信号６２５＿Ｃが表示装置６４０に供給され得る。表示装
置６４０は、画像情報を表示部６３０に表示できる。
信号６２５＿Ｖおよび一次制御信号６２５＿Ｃが表示装置６４０に供給され得る。表示装
置６４０は、画像情報を表示部６３０に表示できる。
【0350】
一次画像信号６２５＿Ｖは、画像の階調情報（輝度情報ともいえる）の他、例えば色度情
報等を含む。
報等を含む。
【0351】
一次制御信号６２５＿Ｃは、例えば表示装置６４０の走査動作のタイミング等を制御する
ための信号などを含む。
ための信号などを含む。
【0352】
なお、電源電位等は表示装置６４０の制御部６１０および表示部６３０に供給される。
【0353】
制御部６１０は、表示部６３０を制御する機能を有する。例えば、二次画像信号６１５＿
Ｖおよび／または二次制御信号６１５＿Ｃ等を生成する。
Ｖおよび／または二次制御信号６１５＿Ｃ等を生成する。
【0354】
制御部６１０が極性決定回路を備える構成としてもよい。極性決定回路は、信号の極性を
フレーム毎に反転できる。
フレーム毎に反転できる。
【0355】
極性決定回路は、二次画像信号６１５＿Ｖの極性を反転するタイミングを通知し、当該タ
イミングに従って、制御部６１０が二次画像信号６１５＿Ｖの極性を反転する機能を備え
る構成としてもよい。なお、二次画像信号６１５＿Ｖの極性を、制御部６１０内において
反転してもよいし、制御部６１０からの命令に従って、表示部６３０内において反転して
もよい。
イミングに従って、制御部６１０が二次画像信号６１５＿Ｖの極性を反転する機能を備え
る構成としてもよい。なお、二次画像信号６１５＿Ｖの極性を、制御部６１０内において
反転してもよいし、制御部６１０からの命令に従って、表示部６３０内において反転して
もよい。
【0356】
また、極性決定回路がカウンタと信号生成回路を有し、同期信号を用いて二次画像信号６
１５＿Ｖの極性を反転させるタイミングを定める機能を有してもよい。
１５＿Ｖの極性を反転させるタイミングを定める機能を有してもよい。
【0357】
なお、カウンタは、水平同期信号のパルスを用いてフレーム期間の数を数える機能を有す
る。また、信号生成回路は、二次画像信号６１５＿Ｖの極性を反転させるタイミングを、
制御部６１０に通知する機能を有する。これにより、カウンタにおいて得られたフレーム
期間の数の情報を用いて、連続する複数フレーム期間ごとに二次画像信号６１５＿Ｖの極
性を反転することができる。
る。また、信号生成回路は、二次画像信号６１５＿Ｖの極性を反転させるタイミングを、
制御部６１０に通知する機能を有する。これにより、カウンタにおいて得られたフレーム
期間の数の情報を用いて、連続する複数フレーム期間ごとに二次画像信号６１５＿Ｖの極
性を反転することができる。
【0358】
二次画像信号６１５＿Ｖには、画像情報を含めることができる。
【0359】
例えば、制御部６１０は、二次画像信号６１５＿Ｖを一次画像信号６２５＿Ｖから生成し
、当該二次画像信号６１５＿Ｖを出力してもよい。
、当該二次画像信号６１５＿Ｖを出力してもよい。
【0360】
また、制御部６１０は、一次画像信号６２５＿Ｖと基準電位Ｖｓｃの差を振れ幅とし、極
性がフレーム毎に反転する信号を二次画像信号６１５＿Ｖとして生成してもよい。
性がフレーム毎に反転する信号を二次画像信号６１５＿Ｖとして生成してもよい。
【0361】
二次制御信号６１５＿Ｃには、表示部６３０の第１の駆動回路（Ｇ駆動回路６３２ともい
う）を制御するための信号または第２の駆動回路（Ｓ駆動回路６３３ともいう）を制御す
るための信号を含めることができる。
う）を制御するための信号または第２の駆動回路（Ｓ駆動回路６３３ともいう）を制御す
るための信号を含めることができる。
【0362】
例えば、制御部６１０が、垂直同期信号、水平同期信号などの同期信号を含む一次制御信
号６２５＿Ｃから二次制御信号６１５＿Ｃを生成してもよい。
号６２５＿Ｃから二次制御信号６１５＿Ｃを生成してもよい。
【0363】
二次制御信号６１５＿Ｃは、例えばスタートパルス信号ＳＰ、ラッチ信号ＬＰ、パルス幅
制御信号ＰＷＣ、クロック信号ＣＫなどを含む。
制御信号ＰＷＣ、クロック信号ＣＫなどを含む。
【0364】
具体的には、二次制御信号６１５＿Ｃには、Ｓ駆動回路６３３の動作を制御するＳ駆動回
路用のスタートパルス信号ＳＰ、Ｓ駆動回路用のクロック信号ＣＫ、ラッチ信号ＬＰなど
を含めることができる。また、Ｇ駆動回路６３２の動作を制御するＧ駆動回路用のスター
トパルス信号ＳＰ、Ｇ駆動回路用のクロック信号ＣＫ、パルス幅制御信号ＰＷＣなどを含
めることができる。
路用のスタートパルス信号ＳＰ、Ｓ駆動回路用のクロック信号ＣＫ、ラッチ信号ＬＰなど
を含めることができる。また、Ｇ駆動回路６３２の動作を制御するＧ駆動回路用のスター
トパルス信号ＳＰ、Ｇ駆動回路用のクロック信号ＣＫ、パルス幅制御信号ＰＷＣなどを含
めることができる。
【0365】
表示部６３０は、画素部６３１、第１の駆動回路（Ｇ駆動回路６３２ともいう）並びに第
２の駆動回路（Ｓ駆動回路６３３ともいう）を有する。
２の駆動回路（Ｓ駆動回路６３３ともいう）を有する。
【0366】
画素部６３１は、表示光に４２０ｎｍより短い波長の光を含まず、且つ１５０ｐｐｉ以上
の精細度で設けられた複数の画素６３１ｐおよび当該複数の画素を接続する配線を有する
。それぞれの画素６３１ｐは、走査線Ｇの少なくとも一つと接続され、信号線Ｓの少なく
とも一つと接続されている。なお、配線の種類およびその数は、画素６３１ｐの構成、数
および配置に依存する。
の精細度で設けられた複数の画素６３１ｐおよび当該複数の画素を接続する配線を有する
。それぞれの画素６３１ｐは、走査線Ｇの少なくとも一つと接続され、信号線Ｓの少なく
とも一つと接続されている。なお、配線の種類およびその数は、画素６３１ｐの構成、数
および配置に依存する。
【0367】
例えば、画素６３１ｐが、ｘ列×ｙ行のマトリクス状に画素部６３１に配置されている場
合、信号線Ｓ１乃至信号線Ｓｘ並びに走査線Ｇ１乃至走査線Ｇｙを、画素部６３１内に配
置する（図３３（Ａ－１）参照）。複数の走査線（Ｇ１乃至Ｇｙ）はＧ信号を行毎に供給
することができる。複数の信号線（Ｓ１乃至Ｓｘ）は複数の画素にＳ信号を供給すること
ができる。
合、信号線Ｓ１乃至信号線Ｓｘ並びに走査線Ｇ１乃至走査線Ｇｙを、画素部６３１内に配
置する（図３３（Ａ－１）参照）。複数の走査線（Ｇ１乃至Ｇｙ）はＧ信号を行毎に供給
することができる。複数の信号線（Ｓ１乃至Ｓｘ）は複数の画素にＳ信号を供給すること
ができる。
【0368】
Ｇ駆動回路６３２は、Ｇ信号６３２＿Ｇの供給を制御して、走査線Ｇを選択できる（図３
２参照）。
２参照）。
【0369】
例えば、画素部６３１を複数の領域（具体的には第１領域６３１ａ、第２領域６３１ｂお
よび第３領域６３１ｃ）に分割して駆動してもよい（図３３（Ａ－２）参照）。
よび第３領域６３１ｃ）に分割して駆動してもよい（図３３（Ａ－２）参照）。
【0370】
各領域には、複数の画素６３１ｐ、当該画素６３１ｐを行毎に選択するための複数の走査
線Ｇ並びに選択された画素６３１ｐにＳ信号６３３＿Ｓを供給するための複数の信号線Ｓ
を設けることができる。
線Ｇ並びに選択された画素６３１ｐにＳ信号６３３＿Ｓを供給するための複数の信号線Ｓ
を設けることができる。
【0371】
また、複数のＧ駆動回路（具体的には第１Ｇ駆動回路６３２ａ、第２Ｇ駆動回路６３２ｂ
および第３Ｇ駆動回路６３２ｃ）を設けてもよい。
および第３Ｇ駆動回路６３２ｃ）を設けてもよい。
【0372】
Ｇ駆動回路は、Ｇ信号６３２＿Ｇの供給を制御して、各領域に設けられた走査線Ｇ（具体
的には第１Ｇ駆動回路６３２ａは走査線Ｇ１乃至Ｇｊ、第２Ｇ駆動回路６３２ｂは走査線
Ｇｊ＋１乃至Ｇ２ｊおよび第３Ｇ駆動回路６３２ｃは走査線Ｇ２ｊ＋１乃至Ｇｙ）を選択
できる。
的には第１Ｇ駆動回路６３２ａは走査線Ｇ１乃至Ｇｊ、第２Ｇ駆動回路６３２ｂは走査線
Ｇｊ＋１乃至Ｇ２ｊおよび第３Ｇ駆動回路６３２ｃは走査線Ｇ２ｊ＋１乃至Ｇｙ）を選択
できる。
【0373】
Ｇ駆動回路は、画素回路６３４を選択する第１の駆動信号（Ｇ信号ともいう）６３２＿Ｇ
を画素回路６３４に出力する。Ｇ駆動回路６３２は、各走査線を選択するＧ信号６３２＿
Ｇを各走査線に３０Ｈｚ（１秒間に３０回）以上の頻度、好ましくは６０Ｈｚ（１秒間に
６０回）以上９６０Ｈｚ（１秒間に９６０回）未満の頻度で出力する第１のモードと、１
１．６μＨｚ（１日に１回）以上０．１Ｈｚ（１秒間に０．１回）未満の頻度、好ましく
は０．２８ｍＨｚ（１時間に１回）以上１Ｈｚ（１秒間に１回）未満の頻度で出力する第
２のモードを備える。
を画素回路６３４に出力する。Ｇ駆動回路６３２は、各走査線を選択するＧ信号６３２＿
Ｇを各走査線に３０Ｈｚ（１秒間に３０回）以上の頻度、好ましくは６０Ｈｚ（１秒間に
６０回）以上９６０Ｈｚ（１秒間に９６０回）未満の頻度で出力する第１のモードと、１
１．６μＨｚ（１日に１回）以上０．１Ｈｚ（１秒間に０．１回）未満の頻度、好ましく
は０．２８ｍＨｚ（１時間に１回）以上１Ｈｚ（１秒間に１回）未満の頻度で出力する第
２のモードを備える。
【0374】
Ｇ駆動回路６３２は、第１のモードと第２のモードを切り替えて動作することができる。
例えば、モード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃまたは二次制御信号６１５＿
Ｃに含まれるＧ駆動回路用のスタートパルスを用いて、Ｇ駆動回路６３２の第１のモード
と第２のモードを切り替えることができる。具体的には、制御部６１０が出力するＧ駆動
回路用のスタートパルスの出力頻度を制御してもよい。
例えば、モード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃまたは二次制御信号６１５＿
Ｃに含まれるＧ駆動回路用のスタートパルスを用いて、Ｇ駆動回路６３２の第１のモード
と第２のモードを切り替えることができる。具体的には、制御部６１０が出力するＧ駆動
回路用のスタートパルスの出力頻度を制御してもよい。
【0375】
Ｇ信号６３２＿Ｇは、Ｇ駆動回路６３２により生成される。Ｇ信号６３２＿Ｇは、行毎に
画素６３１ｐに出力され、画素６３１ｐは行毎に選択される。
画素６３１ｐに出力され、画素６３１ｐは行毎に選択される。
【0376】
表示部６３０は、Ｓ駆動回路６３３を有していても良い。Ｓ駆動回路は、第２の駆動信号
（Ｓ信号６３３＿Ｓともいう）を二次画像信号６１５＿Ｖから生成し、当該Ｓ信号６３３
＿Ｓの信号線Ｓ（具体的にはＳ１乃至Ｓｘ）への供給を制御する。
（Ｓ信号６３３＿Ｓともいう）を二次画像信号６１５＿Ｖから生成し、当該Ｓ信号６３３
＿Ｓの信号線Ｓ（具体的にはＳ１乃至Ｓｘ）への供給を制御する。
【0377】
Ｓ信号６３３＿Ｓは、画像の階調情報等を含む。Ｓ信号６３３＿ＳはＧ信号６３２＿Ｇに
選択された画素６３１ｐに供給される。
選択された画素６３１ｐに供給される。
【0378】
画素部６３１は、複数の画素６３１ｐを有する。
【0379】
画素６３１ｐは、表示素子６３５と当該表示素子６３５を含む画素回路６３４を備える（
図３２参照）。
図３２参照）。
【0380】
画素回路６３４は、供給されるＳ信号６３３＿Ｓを保持し、表示素子６３５に画像情報の
一部を表示する。なお、表示素子６３５の種類または駆動方法に応じた構成を選択して画
素回路６３４に用いることができる。
一部を表示する。なお、表示素子６３５の種類または駆動方法に応じた構成を選択して画
素回路６３４に用いることができる。
【0381】
画素回路６３４の一例として、液晶素子６３５ＬＣを表示素子６３５に適用する構成を図
３３（Ｂ－１）に示す。
３３（Ｂ－１）に示す。
【0382】
画素回路６３４は、Ｇ信号６３２＿Ｇが入力されるゲート電極と、Ｓ信号が入力される第
１の電極とを備えるトランジスタ６３４ｔと、トランジスタ６３４ｔの第２の電極に電気
的に接続される第１の電極と、共通電位が供給される第２の電極を備える液晶素子６３５
ＬＣと、を具備する。
１の電極とを備えるトランジスタ６３４ｔと、トランジスタ６３４ｔの第２の電極に電気
的に接続される第１の電極と、共通電位が供給される第２の電極を備える液晶素子６３５
ＬＣと、を具備する。
【0383】
画素回路６３４は、Ｓ信号６３３＿Ｓの表示素子６３５への供給を制御するトランジスタ
６３４ｔを有する。
６３４ｔを有する。
【0384】
トランジスタ６３４ｔのゲートは、走査線Ｇ１から走査線Ｇｙのいずれか１つに接続され
ている。トランジスタ６３４ｔのソースおよびドレインの一方は、信号線Ｓ１から信号線
Ｓｘのいずれか１つに接続され、トランジスタ６３４ｔのソースおよびドレインの他方は
、表示素子６３５の第１電極に接続されている。
ている。トランジスタ６３４ｔのソースおよびドレインの一方は、信号線Ｓ１から信号線
Ｓｘのいずれか１つに接続され、トランジスタ６３４ｔのソースおよびドレインの他方は
、表示素子６３５の第１電極に接続されている。
【0385】
画素６３１ｐはトランジスタ６３４ｔをＳ信号６３３＿Ｓの画素６３１ｐへの入力を制御
するスイッチング素子として用いる。また、複数のトランジスタを一つのスイッチング素
子として画素６３１ｐに用いてもよい。上記複数のトランジスタを並列に接続して一つの
スイッチング素子として用いてもよいし、直列に接続して用いても、直列と並列が組み合
わされた接続を用いてもよい。
するスイッチング素子として用いる。また、複数のトランジスタを一つのスイッチング素
子として画素６３１ｐに用いてもよい。上記複数のトランジスタを並列に接続して一つの
スイッチング素子として用いてもよいし、直列に接続して用いても、直列と並列が組み合
わされた接続を用いてもよい。
【0386】
画素６３１ｐは、必要に応じて液晶素子６３５ＬＣの第１電極と第２電極間の電圧を保持
するための容量素子６３４ｃの他、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、容量素子、イ
ンダクタなどのその他の回路素子を有していても良い。表示素子６３５の第２電極には、
所定の共通電位Ｖｃｏｍが与えられている。
するための容量素子６３４ｃの他、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、容量素子、イ
ンダクタなどのその他の回路素子を有していても良い。表示素子６３５の第２電極には、
所定の共通電位Ｖｃｏｍが与えられている。
【0387】
容量素子６３４ｃの容量は適宜調整すればよい。例えば、後述する第２のモードにおいて
、Ｓ信号６３３＿Ｓを比較的長い期間（具体的には、１／６０ｓｅｃ以上）保持する場合
には、容量素子６３４ｃを設ける。また、容量素子６３４ｃ以外の構成を用いて、画素回
路６３４の容量を調節してもよい。また、液晶素子６３５ＬＣの第１の電極と第２の電極
を重ねて設ける構成により、実質的に容量素子を形成してもよい。
、Ｓ信号６３３＿Ｓを比較的長い期間（具体的には、１／６０ｓｅｃ以上）保持する場合
には、容量素子６３４ｃを設ける。また、容量素子６３４ｃ以外の構成を用いて、画素回
路６３４の容量を調節してもよい。また、液晶素子６３５ＬＣの第１の電極と第２の電極
を重ねて設ける構成により、実質的に容量素子を形成してもよい。
【0388】
画素回路の他の一例として、ＥＬ素子６３５ＥＬを表示素子６３５に適用する構成を図３
３（Ｂ－２）に示す。
３（Ｂ－２）に示す。
【0389】
画素回路６３４ＥＬは、Ｇ信号６３２＿Ｇが入力されるゲート電極と、Ｓ信号が入力され
る第１の電極と、容量素子６３４ｃの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を
有する第１のトランジスタ６３４ｔ＿１を有する。また、第１のトランジスタ６３４ｔ＿
１の第２の電極に電気的に接続されるゲート電極と、容量素子６３４ｃの第２の電極と電
気的に接続される第１の電極と、ＥＬ素子６３５ＥＬの第１の電極と電気的に接続される
第２の電極と、を有する第２のトランジスタ６３４ｔ＿２を有する。また、容量素子６３
４ｃの第２の電極と、第２のトランジスタ６３４ｔ＿２の第１の電極には、電源電位が供
給され、ＥＬ素子６３５ＥＬの第２の電極には、共通電位が供給される。なお、電源電位
と共通電位の電位差は、ＥＬ素子６３５ＥＬの発光開始電圧よりも大きい。
る第１の電極と、容量素子６３４ｃの第１の電極と電気的に接続される第２の電極と、を
有する第１のトランジスタ６３４ｔ＿１を有する。また、第１のトランジスタ６３４ｔ＿
１の第２の電極に電気的に接続されるゲート電極と、容量素子６３４ｃの第２の電極と電
気的に接続される第１の電極と、ＥＬ素子６３５ＥＬの第１の電極と電気的に接続される
第２の電極と、を有する第２のトランジスタ６３４ｔ＿２を有する。また、容量素子６３
４ｃの第２の電極と、第２のトランジスタ６３４ｔ＿２の第１の電極には、電源電位が供
給され、ＥＬ素子６３５ＥＬの第２の電極には、共通電位が供給される。なお、電源電位
と共通電位の電位差は、ＥＬ素子６３５ＥＬの発光開始電圧よりも大きい。
【0390】
画素回路６３４において、トランジスタ６３４ｔは、信号線Ｓの電位を表示素子６３５の
第１電極に与えるか否かを制御する。
第１電極に与えるか否かを制御する。
【0391】
なお、本発明の一態様の表示装置に好適なトランジスタとして酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタを適用することができる。酸化物半導体を用いたトランジスタの詳細については
、実施の形態１および２の記載を参酌することができる。
ンジスタを適用することができる。酸化物半導体を用いたトランジスタの詳細については
、実施の形態１および２の記載を参酌することができる。
【0392】
酸化物半導体膜が適用されたトランジスタは、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク
電流（オフ電流）を、従来のシリコンを用いたトランジスタと比較して極めて低いものと
することができる。オフ電流が極めて小さいトランジスタを表示部の画素部に用いること
により、フリッカーの発生を抑制しつつ、フレーム周波数を下げることができる。
電流（オフ電流）を、従来のシリコンを用いたトランジスタと比較して極めて低いものと
することができる。オフ電流が極めて小さいトランジスタを表示部の画素部に用いること
により、フリッカーの発生を抑制しつつ、フレーム周波数を下げることができる。
【0393】
表示素子６３５は、液晶素子６３５ＬＣに限られず、例えば電圧を加えることでルミネッ
センス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が発生するＯＬＥＤ素子や、電気泳
動を用いる電子インクなど、さまざまな表示素子を適用できる。
センス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が発生するＯＬＥＤ素子や、電気泳
動を用いる電子インクなど、さまざまな表示素子を適用できる。
【0394】
例えば、液晶素子６３５ＬＣの偏光の透過率は、Ｓ信号６３３＿Ｓの電位により制御する
ことができ、これにより階調を表示することができる。
ことができ、これにより階調を表示することができる。
【0395】
例えば、透過型の液晶素子を表示素子６３５に適用する場合、光供給部６５０を表示部６
３０に設けことができる。光供給部６５０は光源を有する。制御部６１０は、光供給部６
５０が有する光源の駆動を制御する。液晶素子が設けられた画素部６３１に光を供給し、
バックライトとして機能する。
３０に設けことができる。光供給部６５０は光源を有する。制御部６１０は、光供給部６
５０が有する光源の駆動を制御する。液晶素子が設けられた画素部６３１に光を供給し、
バックライトとして機能する。
【0396】
光供給部６５０の光源としては、冷陰極蛍光ランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ＯＬＥ
Ｄ素子などを用いることができる。
Ｄ素子などを用いることができる。
【0397】
特に、光源が発する青色の光の強度を他の色の光の強度より弱めた構成が好ましい。光源
が発する光に含まれる青色を呈する光は、眼の角膜や水晶体で吸収されずに、網膜まで到
達するため、長期的な網膜への影響（例えば、加齢黄斑変性など）や、夜中まで青色の光
に暴露された際の概日リズム（サーカディアン・リズム：Ｃｉｒｃａｄｉａｎ ｒｈｙｔ
ｈｍ）への悪影響などを低減できる。具体的には、４００ｎｍ以下、好ましくは４２０ｎ
ｍ以下、より好ましくは４４０ｎｍ以下の波長を有する光（ＵＶＡともいう）を含まない
光を発する光源が好ましい。
が発する光に含まれる青色を呈する光は、眼の角膜や水晶体で吸収されずに、網膜まで到
達するため、長期的な網膜への影響（例えば、加齢黄斑変性など）や、夜中まで青色の光
に暴露された際の概日リズム（サーカディアン・リズム：Ｃｉｒｃａｄｉａｎ ｒｈｙｔ
ｈｍ）への悪影響などを低減できる。具体的には、４００ｎｍ以下、好ましくは４２０ｎ
ｍ以下、より好ましくは４４０ｎｍ以下の波長を有する光（ＵＶＡともいう）を含まない
光を発する光源が好ましい。
【0398】
なお、本発明の一態様の半導体装置における画素では、上記波長を有する光を吸収し、透
過しにくい特徴を有する。したがって、上記波長を有する光を発する光源を用いても、本
発明の一態様の半導体装置を用いることによって、上記波長を有する光を低減または遮断
することができる。
過しにくい特徴を有する。したがって、上記波長を有する光を発する光源を用いても、本
発明の一態様の半導体装置を用いることによって、上記波長を有する光を低減または遮断
することができる。
【0399】
演算装置６２０は、一次画像信号６２５＿Ｖおよびモード切り替え信号を含む一次制御信
号６２５＿Ｃを生成する。
号６２５＿Ｃを生成する。
【0400】
モード切り替え信号は、情報処理装置６００の使用者の命令により生成してもよい。
【0401】
情報処理装置６００の使用者は、入力手段５００を用いて表示を切り替える命令をするこ
とができる。画像切り替え信号５００＿Ｃが演算装置６２０に供給され、演算装置６２０
がモード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃを出力するように構成して良い。
とができる。画像切り替え信号５００＿Ｃが演算装置６２０に供給され、演算装置６２０
がモード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃを出力するように構成して良い。
【0402】
モード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃが、表示装置６４０の制御部６１０に
供給され、制御部がモード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃを出力する。
供給され、制御部がモード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃを出力する。
【0403】
例えば、第２のモードから第１のモードに切り替えるモード切り替え信号を含む一次制御
信号６２５＿Ｃが、Ｇ駆動回路６３２に供給されると、Ｇ駆動回路６３２は第２のモード
から第１のモードに切り替わる。そして、Ｇ駆動回路６３２はＧ信号を１フレーム分以上
出力し、その後第２のモードに切り替わる。
信号６２５＿Ｃが、Ｇ駆動回路６３２に供給されると、Ｇ駆動回路６３２は第２のモード
から第１のモードに切り替わる。そして、Ｇ駆動回路６３２はＧ信号を１フレーム分以上
出力し、その後第２のモードに切り替わる。
【0404】
具体的には、入力手段５００がページめくり動作を検知した場合に、画像切り替え信号５
００＿Ｃを演算装置６２０に出力するように構成してもよい。
００＿Ｃを演算装置６２０に出力するように構成してもよい。
【0405】
演算装置６２０は、ページめくり動作を含む一次画像信号６２５＿Ｖを生成し、当該一次
画像信号６２５＿Ｖと共にモード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃを出力する
。
画像信号６２５＿Ｖと共にモード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃを出力する
。
【0406】
当該一次画像信号６２５＿Ｖと当該一次制御信号６２５＿Ｃが供給された制御部６１０は
、モード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃと、ページめくり動作を含む二次画
像信号６１５＿Ｖを供給する。
、モード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃと、ページめくり動作を含む二次画
像信号６１５＿Ｖを供給する。
【0407】
モード切り替え信号を含む二次制御信号６１５＿Ｃが供給されたＧ駆動回路６３２は、第
２のモードから第１のモードに切り替わり、高い頻度でＧ信号６３２＿Ｇを出力する。
２のモードから第１のモードに切り替わり、高い頻度でＧ信号６３２＿Ｇを出力する。
【0408】
ページめくり動作を含む二次画像信号６１５＿Ｖが供給されたＳ駆動回路６３３は、当該
二次画像信号６１５＿Ｖから生成したＳ信号６３３＿Ｓを画素回路６３４に出力する。
二次画像信号６１５＿Ｖから生成したＳ信号６３３＿Ｓを画素回路６３４に出力する。
【0409】
これにより、画素６３１ｐは、ページめくり動作を含む多数のフレーム画像を高い頻度で
書き換えることができる。その結果、ページめくり動作を含む二次画像信号６１５＿Ｖを
なめらかに表示できる。
書き換えることができる。その結果、ページめくり動作を含む二次画像信号６１５＿Ｖを
なめらかに表示できる。
【0410】
演算装置６２０が、表示部６３０に出力する一次画像信号６２５＿Ｖが動画像か静止画像
かを判別し、その判別結果に応じてモード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃを
出力するように構成して良い。
かを判別し、その判別結果に応じてモード切り替え信号を含む一次制御信号６２５＿Ｃを
出力するように構成して良い。
【0411】
具体的には、一次画像信号６２５＿Ｖが動画像である場合において、当該演算装置６２０
が第１のモードを選択する切り替え信号を出力し、静止画像である場合において、当該演
算装置６２０が第２のモードを選択する切り替え信号を出力する構成としてもよい。
が第１のモードを選択する切り替え信号を出力し、静止画像である場合において、当該演
算装置６２０が第２のモードを選択する切り替え信号を出力する構成としてもよい。
【0412】
なお、動画像か静止画像かを判別する方法としては、一次画像信号６２５＿Ｖに含まれる
一のフレームとその前後のフレームの信号の差分が、あらかじめ定められた差分より大き
いときに動画像と、それ以下のとき静止画像と、判別すればよい。
一のフレームとその前後のフレームの信号の差分が、あらかじめ定められた差分より大き
いときに動画像と、それ以下のとき静止画像と、判別すればよい。
【0413】
制御部６１０が、Ｇ駆動回路の動作モードを一のモードから他のモードに切り替えるとき
（例えば、第２のモードから第１のモードに切り替えるとき）Ｇ駆動回路は、Ｇ信号６３
２＿Ｇを１回以上の所定の回数出力した後に、他のモードに切り替わる構成としてもよい
。
（例えば、第２のモードから第１のモードに切り替えるとき）Ｇ駆動回路は、Ｇ信号６３
２＿Ｇを１回以上の所定の回数出力した後に、他のモードに切り替わる構成としてもよい
。
【0414】
入力手段５００としては、タッチパネル、タッチパッド、マウス、ジョイスティック、ト
ラックボール、データグローブ、撮像装置などを用いることができる。演算装置６２０は
、入力手段５００から入力される電気信号と表示部の座標を関連づけることができる。こ
れにより、使用する者が表示部に表示される情報を処理するための命令を入力することが
できる。
ラックボール、データグローブ、撮像装置などを用いることができる。演算装置６２０は
、入力手段５００から入力される電気信号と表示部の座標を関連づけることができる。こ
れにより、使用する者が表示部に表示される情報を処理するための命令を入力することが
できる。
【0415】
使用する者が入力手段５００から入力する情報としては、例えば表示部に表示される画像
の表示位置を変えるためにドラッグする命令、表示されている画像を送り次の画像を表示
するためにスワイプする命令、帯状の画像を順に送るためにスクロールする命令、特定の
画像を選択する命令、画像を表示する大きさを変化するためにピンチ・イン、ピンチ・ア
ウトする命令の他、手書き文字入力する命令などを挙げることができる。
の表示位置を変えるためにドラッグする命令、表示されている画像を送り次の画像を表示
するためにスワイプする命令、帯状の画像を順に送るためにスクロールする命令、特定の
画像を選択する命令、画像を表示する大きさを変化するためにピンチ・イン、ピンチ・ア
ウトする命令の他、手書き文字入力する命令などを挙げることができる。
【0416】
なお、照度は、単位面積の被照面に単位時間あたりに入射される、目の分光感度が加味さ
れた光の量である。
れた光の量である。
【0417】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0418】
【0419】
具体的には、本発明の一態様の半導体装置を用いた情報処理装置の表示部で表示可能な画
像の生成方法について説明する。特に、表示部に表示された画像を他の画像に書き換える
際に使用者の目にやさしい画像の切り替え方法、使用者の目の疲労を軽減する画像の切り
替え方法、使用者の目に負担を与えない画像の切り替え方法について説明する。
像の生成方法について説明する。特に、表示部に表示された画像を他の画像に書き換える
際に使用者の目にやさしい画像の切り替え方法、使用者の目の疲労を軽減する画像の切り
替え方法、使用者の目に負担を与えない画像の切り替え方法について説明する。
【0420】
図３４は本発明の一態様の半導体装置を用いた情報処理装置の構成を説明するブロック図
および画像データを説明するための模式図である。
および画像データを説明するための模式図である。
【0421】
本発明の一態様は、情報処理装置の表示部において、緩やかに表示画像を書き換えるもの
である。
である。
【0422】
これにより、表示の切り替え時に使用者の目に加わる負担が軽減される。その結果、演算
部が処理した情報を含む画像を目に優しく表示できる新規な情報処理方法を提供できる。
部が処理した情報を含む画像を目に優しく表示できる新規な情報処理方法を提供できる。
【0423】
画像を素早く切り替えて表示すると、使用者の眼精疲労を誘発する場合がある。例えば、
著しく異なる場面が切り換わる動画像や、異なる静止画を切り換える場合などが含まれる
。
著しく異なる場面が切り換わる動画像や、異なる静止画を切り換える場合などが含まれる
。
【0424】
異なる画像を切り替えて表示する際には、瞬間的に表示を切り換えるのではなく、緩やか
に（静かに）、自然に画像を切り替えて表示することが好ましい。
に（静かに）、自然に画像を切り替えて表示することが好ましい。
【0425】
例えば、第１の静止画像から第２の静止画像に表示を切り替える場合、第１の静止画像と
第２の静止画像の間に第１の静止画像がフェードアウトして表示される動画像または／お
よび第２の静止画像がフェードインする動画像を挿入すると好ましい。また、第１の静止
画像がフェードアウトすると同時に、第２の静止画像がフェードインする（クロスフェー
ドともいう）ように、両者の画像を重ね合わせた動画像を挿入してもよく、第１の静止画
像が第２の静止画像に次第に変化する様子（モーフィングともいう）を表示する動画像を
挿入しても良い。
第２の静止画像の間に第１の静止画像がフェードアウトして表示される動画像または／お
よび第２の静止画像がフェードインする動画像を挿入すると好ましい。また、第１の静止
画像がフェードアウトすると同時に、第２の静止画像がフェードインする（クロスフェー
ドともいう）ように、両者の画像を重ね合わせた動画像を挿入してもよく、第１の静止画
像が第２の静止画像に次第に変化する様子（モーフィングともいう）を表示する動画像を
挿入しても良い。
【0426】
なお、第１の静止画像データを低いリフレッシュレートで表示し、続いて画像の切り替え
のための画像を高いリフレッシュレートで表示した後に、第２の静止画像データを低いリ
フレッシュレートで表示してもよい。
のための画像を高いリフレッシュレートで表示した後に、第２の静止画像データを低いリ
フレッシュレートで表示してもよい。
【0427】
以下に、互いに異なる画像Ａと画像Ｂとを切り換える方法の一例について説明する。
【0428】
【0429】
第１のステップにおいて、演算部７０１は外部記憶部等から画像Ａ、および画像Ｂの各デ
ータを記憶部７０２に格納する。
ータを記憶部７０２に格納する。
【0430】
第２のステップにおいて、演算部７０１は、予め設定された分割数の値に応じて、画像Ａ
と画像Ｂの各画像データを元に新たな画像データを順次生成する。
と画像Ｂの各画像データを元に新たな画像データを順次生成する。
【0431】
第３のステップにおいて、生成した画像データを制御部７０３に出力する。制御部７０３
は入力された画像データを表示部７０４に表示させる。
は入力された画像データを表示部７０４に表示させる。
【0432】
図３４（Ｂ）は、画像Ａから画像Ｂにかけて段階的に画像を切り換える際の、生成される
画像データを説明するための模式図である。
画像データを説明するための模式図である。
【0433】
図３４（Ｂ）では、画像Ａから画像ＢにかけてＮ（Ｎは自然数）個の画像データを生成し
、それぞれ１個あたりの画像データをｆ（ｆは自然数）フレーム期間表示した場合につい
て示している。したがって、画像Ａから画像Ｂに切り替わるまでの期間は、ｆ×Ｎフレー
ムとなる。
、それぞれ１個あたりの画像データをｆ（ｆは自然数）フレーム期間表示した場合につい
て示している。したがって、画像Ａから画像Ｂに切り替わるまでの期間は、ｆ×Ｎフレー
ムとなる。
【0434】
ここで、上述したＮ、およびｆなどのパラメータは、使用者が自由に設定可能であること
が好ましい。演算部７０１はこれらのパラメータを予め取得し、当該パラメータに応じて
、画像データを生成する。
が好ましい。演算部７０１はこれらのパラメータを予め取得し、当該パラメータに応じて
、画像データを生成する。
【0435】
ｉ番目に生成される画像データ（ｉは１以上Ｎ以下の整数）は、画像Ａの画像データと画
像Ｂの画像データに対して、それぞれに重み付けを行って足し合わせることで生成できる
。例えば、ある画素において、画像Ａを表示したときの輝度（階調）をａ、画像Ｂを表示
したときの輝度（階調）をｂとすると、ｉ番目に生成される画像データを表示したときの
当該画素の輝度（階調）ｃは式１に示す値となる。なお、階調とは表示部が表示する濃淡
の段階のことである。白と黒の２段階のみを有する画像は２階調の階調を有する画像とい
うことができる。例えば、従来のパーソナルコンピューターの表示部は、赤色、緑色、青
色を表示する副画素を有する。それぞれの副画素には、２５６段階の濃淡を表示するため
の信号が入力される。
像Ｂの画像データに対して、それぞれに重み付けを行って足し合わせることで生成できる
。例えば、ある画素において、画像Ａを表示したときの輝度（階調）をａ、画像Ｂを表示
したときの輝度（階調）をｂとすると、ｉ番目に生成される画像データを表示したときの
当該画素の輝度（階調）ｃは式１に示す値となる。なお、階調とは表示部が表示する濃淡
の段階のことである。白と黒の２段階のみを有する画像は２階調の階調を有する画像とい
うことができる。例えば、従来のパーソナルコンピューターの表示部は、赤色、緑色、青
色を表示する副画素を有する。それぞれの副画素には、２５６段階の濃淡を表示するため
の信号が入力される。
【0436】
【数1】
【0437】
このような方法により生成された画像データを用いて、画像Ａから画像Ｂに切り換えるこ
とで、緩やかに（静かに）、自然に不連続な画像を切り替えることができる。
とで、緩やかに（静かに）、自然に不連続な画像を切り替えることができる。
【0438】
なお、式１において、全ての画素についてａ＝０の場合が、黒画像から徐々に画像Ｂに切
り替わるフェードインに相当する。また、全ての画素についてｂ＝０の場合が、画像Ａか
ら徐々に黒画像に切り替わるフェードアウトに相当する。
り替わるフェードインに相当する。また、全ての画素についてｂ＝０の場合が、画像Ａか
ら徐々に黒画像に切り替わるフェードアウトに相当する。
【0439】
上記では、２つの画像を一時的にオーバーラップさせて画像を切り換える方法について述
べたが、オーバーラップさせない方法としてもよい。
べたが、オーバーラップさせない方法としてもよい。
【0440】
２つの画像をオーバーラップさせない場合、画像Ａから画像Ｂに切り換える場合に、間に
黒画像を挿入してもよい。このとき、画像Ａから黒画像に遷移する際、または黒画像から
画像Ｂに遷移する際、またはその両方に、上述したような画像の切り換え方法を用いても
よい。また、画像Ａと画像Ｂの間に挿入する画像は黒画像だけでなく、白画像などの単一
色の画像を用いてもよいし、画像Ａや画像Ｂとは異なる、多色の画像を用いてもよい。
黒画像を挿入してもよい。このとき、画像Ａから黒画像に遷移する際、または黒画像から
画像Ｂに遷移する際、またはその両方に、上述したような画像の切り換え方法を用いても
よい。また、画像Ａと画像Ｂの間に挿入する画像は黒画像だけでなく、白画像などの単一
色の画像を用いてもよいし、画像Ａや画像Ｂとは異なる、多色の画像を用いてもよい。
【0441】
画像Ａと画像Ｂとの間に他の画像、特に黒画像などの単一色の画像を挿入することで、画
像の切り換えのタイミングをより自然に使用者が感じ取ることができ、使用者にストレス
を感じさせることなく画像を切り換えることができる。
像の切り換えのタイミングをより自然に使用者が感じ取ることができ、使用者にストレス
を感じさせることなく画像を切り換えることができる。
【0442】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0443】
【0444】
図３５は情報処理装置の効果を説明する図である。
【0445】
図３６は情報処理装置の構成を説明するブロック図である。
【0446】
目の疲労には神経系の疲労と筋肉系の疲労の２種類がある。目の疲労を説明する模式図を
図３５（Ａ）に示す。
図３５（Ａ）に示す。
【0447】
神経系の疲労は、表示部が発する光や点滅画面を長時間見続けることで、その明るさが、
眼の網膜、神経または脳を刺激して疲れさせるものである。蛍光灯や従来の表示装置の表
示部が小刻みに明滅する現象をフリッカーというが、このようなフリッカーは神経系の疲
労を引き起こす。
眼の網膜、神経または脳を刺激して疲れさせるものである。蛍光灯や従来の表示装置の表
示部が小刻みに明滅する現象をフリッカーというが、このようなフリッカーは神経系の疲
労を引き起こす。
【0448】
筋肉系の疲労は、ピント調節のときに使用する毛様体の筋肉を酷使することにより疲れさ
せるものである。
せるものである。
【0449】
図３５（Ａ－１）に、従来の表示部の表示を表す模式図を示す。従来の表示部は、１秒間
に６０回の画像の書き換えが行われている。このような画面を長時間見続けることにより
、使用者の眼の網膜、神経または脳を刺激して目の疲労が引き起こされるおそれがある。
に６０回の画像の書き換えが行われている。このような画面を長時間見続けることにより
、使用者の眼の網膜、神経または脳を刺激して目の疲労が引き起こされるおそれがある。
【0450】
また、図３５（Ａ－２）に示すように、１画素のサイズが大きい場合（例えば精細度が１
５０ｐｐｉ未満の場合）、表示部に表示された文字等の輪郭がぼやけてしまう。表示部に
表示された輪郭がぼやけた文字等を長時間見続けると、毛様体の筋肉が、絶えずピントを
合わせようと動いて緊張し続けることになり、目に負担をかけてしまうおそれがある。
５０ｐｐｉ未満の場合）、表示部に表示された文字等の輪郭がぼやけてしまう。表示部に
表示された輪郭がぼやけた文字等を長時間見続けると、毛様体の筋肉が、絶えずピントを
合わせようと動いて緊張し続けることになり、目に負担をかけてしまうおそれがある。
【0451】
なお、目の疲労を定量的に測定する方法が検討されている。例えば、神経系の疲労の評価
指標としては、臨界融合周波数（ＣＦＦ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｆｌｉｃｋｅｒ（Ｆｕｓｉ
ｏｎ） Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）などが知られている。また、筋肉系の疲労の評価指標とし
ては、調節時間や調節近点距離などが知られている。
指標としては、臨界融合周波数（ＣＦＦ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｆｌｉｃｋｅｒ（Ｆｕｓｉ
ｏｎ） Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）などが知られている。また、筋肉系の疲労の評価指標とし
ては、調節時間や調節近点距離などが知られている。
【0452】
そのほか、目の疲労を評価する方法として、脳波測定、サーモグラフィ法、瞬きの回数の
測定、涙液量の評価、瞳孔の収縮反応速度の評価や、自覚症状を調査するためのアンケー
ト等がある。
測定、涙液量の評価、瞳孔の収縮反応速度の評価や、自覚症状を調査するためのアンケー
ト等がある。
【0453】
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、作業環境の照度と表示装置に表示される
画像情報の背景の階調に着眼した。以下に説明する実施の形態には、環境の照度情報と画
像情報の背景の階調情報に着眼して創作された本発明の一態様が含まれる。
画像情報の背景の階調に着眼した。以下に説明する実施の形態には、環境の照度情報と画
像情報の背景の階調情報に着眼して創作された本発明の一態様が含まれる。
【0454】
本発明の一態様の画像情報の処理および表示方法は、環境の照度情報および表示部に表示
する画像情報の背景の階調情報を取得するステップと、これらの情報を用いて画像情報を
、表示光に４２０ｎｍより短い波長の光を含まず且つ１５０ｐｐｉ以上の精細度で設けら
れた複数の画素を具備する表示部に表示するステップと、を有する。これにより、画像情
報を環境の照度に適した明るさで表示することができる。その結果、画像情報の処理およ
び目にやさしい表示ができる新規な画像情報の処理および表示方法を提供できる。
する画像情報の背景の階調情報を取得するステップと、これらの情報を用いて画像情報を
、表示光に４２０ｎｍより短い波長の光を含まず且つ１５０ｐｐｉ以上の精細度で設けら
れた複数の画素を具備する表示部に表示するステップと、を有する。これにより、画像情
報を環境の照度に適した明るさで表示することができる。その結果、画像情報の処理およ
び目にやさしい表示ができる新規な画像情報の処理および表示方法を提供できる。
【0455】
本発明の一態様の画像情報の処理および表示方法を適用することができる情報処理装置の
ブロック図の一例を図３６に示す。
ブロック図の一例を図３６に示す。
【0456】
情報処理装置３３０は、演算部３１１、記憶部３１２および伝送路３１４を有する。伝送
路３１４は、演算部３１１、記憶部３１２および入出力インターフェース３１５を互いに
接続し、情報の伝送を行う。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の
構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えば、タッチパネルは表示部で
あるとともに入力手段でもある。
路３１４は、演算部３１１、記憶部３１２および入出力インターフェース３１５を互いに
接続し、情報の伝送を行う。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の
構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えば、タッチパネルは表示部で
あるとともに入力手段でもある。
【0457】
入出力装置３２０は、入出力インターフェース３１５を介して伝送路３１４に接続される
。入出力装置３２０は演算装置３１０の外部から情報を入力または演算装置３１０の外部
に情報を出力するための装置である。
。入出力装置３２０は演算装置３１０の外部から情報を入力または演算装置３１０の外部
に情報を出力するための装置である。
【0458】
入出力装置３２０としては、通信機器、ネットワーク接続機器または、ハードディスク、
リムーバブルメモリなどの書き込み可能な外部記憶部をその一例として挙げることができ
る。
リムーバブルメモリなどの書き込み可能な外部記憶部をその一例として挙げることができ
る。
【0459】
入力手段３２１としては、キーボード、マウスまたはタッチパネルなどのヒューマンイン
ターフェース機器、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなど等のカメラ、スキャナー
、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤＲＯＭなど読み取り専用の外部記憶部をその一例としてあげること
ができる。例えば、情報処理装置３３０の使用者は、入力手段３２１からページめくり命
令等を入力できる。
ターフェース機器、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなど等のカメラ、スキャナー
、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤＲＯＭなど読み取り専用の外部記憶部をその一例としてあげること
ができる。例えば、情報処理装置３３０の使用者は、入力手段３２１からページめくり命
令等を入力できる。
【0460】
出力装置としては、表示部３２２の他、スピーカ、プリンタなどを接続することができる
。
。
【0461】
本発明の一態様の情報処理装置３３０は表示部３２２を備える。特に、表示部３２２は、
表示光に４２０ｎｍより短い波長の光、好ましくは４４０ｎｍより短波長の光を含まない
。そして、表示領域に１５０ｐｐｉ以上、好ましくは２００ｐｐｉ以上の精細度で設けら
れた複数の画素を具備するとよい。これにより、目にやさしい表示をすることが可能にな
る。なお、本明細書において表示光とは、情報処理装置の表示部が画像を表示するために
使用者に向けて発する、または反射する光をいう。
表示光に４２０ｎｍより短い波長の光、好ましくは４４０ｎｍより短波長の光を含まない
。そして、表示領域に１５０ｐｐｉ以上、好ましくは２００ｐｐｉ以上の精細度で設けら
れた複数の画素を具備するとよい。これにより、目にやさしい表示をすることが可能にな
る。なお、本明細書において表示光とは、情報処理装置の表示部が画像を表示するために
使用者に向けて発する、または反射する光をいう。
【0462】
本発明の一態様に係る表示部の表示光は、眼の角膜や水晶体で吸収されずに、網膜まで到
達するため、長期的な網膜への影響や、概日リズムへの悪影響がある光を含まない。具体
的には画像を表示する光に、４００ｎｍ好ましくは４２０ｎｍより好ましくは４４０ｎｍ
以下の波長を有する光（ＵＶＡともいう）を含まない。
達するため、長期的な網膜への影響や、概日リズムへの悪影響がある光を含まない。具体
的には画像を表示する光に、４００ｎｍ好ましくは４２０ｎｍより好ましくは４４０ｎｍ
以下の波長を有する光（ＵＶＡともいう）を含まない。
【0463】
本発明の一態様の情報処理装置３３０には、本発明の一態様の半導体装置を用いることが
できる。当該半導体装置における画素では、上記波長を有する光を吸収し、透過しにくい
特徴を有する。したがって、上記波長を有する光を発する光源を用いても、本発明の一態
様の半導体装置を用いることによって、上記波長を有する光を低減または遮断することが
できる。
できる。当該半導体装置における画素では、上記波長を有する光を吸収し、透過しにくい
特徴を有する。したがって、上記波長を有する光を発する光源を用いても、本発明の一態
様の半導体装置を用いることによって、上記波長を有する光を低減または遮断することが
できる。
【0464】
また、本発明の一態様に係る表示部が備える画素の精細度が１５０ｐｐｉ好ましくは２０
０ｐｐｉ以上であり、１画素のサイズが小さい。これにより、使用者の眼の筋肉系の疲労
が軽減される。
０ｐｐｉ以上であり、１画素のサイズが小さい。これにより、使用者の眼の筋肉系の疲労
が軽減される。
【0465】
本発明の一態様の情報処理装置の目の疲労を軽減する効果を説明する模式図を図３５（Ｂ
）に示す。
）に示す。
【0466】
本発明の一態様の情報処理装置は画素を選択する信号を出力する頻度を変えることができ
る。特に、オフ電流が極めて小さいトランジスタを表示部の画素部に用いることにより、
フリッカーの発生を抑制しつつ、フレーム周波数を下げることができる。例えば、５秒間
に１回の画像の書き換えが可能となるため、同じ画像を見ることが可能となり、使用者に
視認される画面のちらつきが低減される。これにより、使用者の眼の網膜、神経または脳
が受ける刺激が低減され、神経系の疲労が軽減される（図３５（Ｂ－１）参照）。
る。特に、オフ電流が極めて小さいトランジスタを表示部の画素部に用いることにより、
フリッカーの発生を抑制しつつ、フレーム周波数を下げることができる。例えば、５秒間
に１回の画像の書き換えが可能となるため、同じ画像を見ることが可能となり、使用者に
視認される画面のちらつきが低減される。これにより、使用者の眼の網膜、神経または脳
が受ける刺激が低減され、神経系の疲労が軽減される（図３５（Ｂ－１）参照）。
【0467】
なお、オフ電流が極めて小さいトランジスタとしては、例えば酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタ、特に、ＣＡＡＣ－ＯＳを用いたトランジスタが好適である。
ンジスタ、特に、ＣＡＡＣ－ＯＳを用いたトランジスタが好適である。
【0468】
本発明の一態様の情報処理装置は１画素のサイズが小さい。具体的には、精細度が１５０
ｐｐｉ好ましくは２００ｐｐｉ以上の高精細な表示が可能である。画像の輪郭を明瞭に、
また緻密で滑らかに表示することができる。これにより、毛様体の筋肉が、ピントを合わ
せやすくなるため、使用者の筋肉系の疲労が軽減される（図３５（Ｂ－２）参照）。なお
、精細度は画素密度（ｐｐｉ：ｐｉｘｃｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）を用いて表現すること
ができる。画素密度は、１インチあたりの画素の数である。また、画素は画像を構成する
単位である。
ｐｐｉ好ましくは２００ｐｐｉ以上の高精細な表示が可能である。画像の輪郭を明瞭に、
また緻密で滑らかに表示することができる。これにより、毛様体の筋肉が、ピントを合わ
せやすくなるため、使用者の筋肉系の疲労が軽減される（図３５（Ｂ－２）参照）。なお
、精細度は画素密度（ｐｐｉ：ｐｉｘｃｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）を用いて表現すること
ができる。画素密度は、１インチあたりの画素の数である。また、画素は画像を構成する
単位である。
【0469】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0470】
（実施の形態９）
本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む。）に適用する
ことができる。電子機器としては、テレビジョン装置、コンピュータ用などのモニタ、デ
ジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、ゲーム機
、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機（パチンコ機、スロットマシン
等）が挙げられる。これらの電子機器の一例を図３７、図３８に示す。
本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む。）に適用する
ことができる。電子機器としては、テレビジョン装置、コンピュータ用などのモニタ、デ
ジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、ゲーム機
、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機（パチンコ機、スロットマシン
等）が挙げられる。これらの電子機器の一例を図３７、図３８に示す。
【0471】
図３７（Ａ）は、表示部を有するテーブルを示している。テーブル９０００は、筐体９０
０１に表示部９００３が組み込まれており、表示部９００３により映像を表示することが
可能である。なお、４本の脚部９００２により筐体９００１を支持した構成を示している
。また、電力供給のための電源コード９００５を筐体９００１に有している。
０１に表示部９００３が組み込まれており、表示部９００３により映像を表示することが
可能である。なお、４本の脚部９００２により筐体９００１を支持した構成を示している
。また、電力供給のための電源コード９００５を筐体９００１に有している。
【0472】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９００３に用いることが可能であ
る。それゆえ、表示部９００３の表示品位を高くすることができる。
る。それゆえ、表示部９００３の表示品位を高くすることができる。
【0473】
表示部９００３は、タッチ入力機能を有しており、テーブル９０００の表示部９００３に
表示された表示ボタン９００４を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力するこ
とができ、また他の家電製品との通信を可能とする、または制御を可能とすることで、画
面操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、タッチセ
ンサ機能やイメージセンサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部９００３にタッチ
入力機能を持たせることができる。
表示された表示ボタン９００４を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力するこ
とができ、また他の家電製品との通信を可能とする、または制御を可能とすることで、画
面操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、タッチセ
ンサ機能やイメージセンサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部９００３にタッチ
入力機能を持たせることができる。
【0474】
また、筐体９００１に設けられたヒンジによって、表示部９００３の画面を床に対して垂
直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、大
きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブルに
表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、大
きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブルに
表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
【0475】
図３７（Ｂ）は、テレビジョン装置を示している。テレビジョン装置９１００は、筐体９
１０１に表示部９１０３が組み込まれており、表示部９１０３により映像を表示すること
が可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構成を示
している。
１０１に表示部９１０３が組み込まれており、表示部９１０３により映像を表示すること
が可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構成を示
している。
【0476】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
ートコントローラ９１１０により行うことができる。リモートコントローラ９１１０が備
える操作キー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０
３に表示される映像を操作することができる。また、リモートコントローラ９１１０に、
当該リモートコントローラから出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成とし
てもよい。
ートコントローラ９１１０により行うことができる。リモートコントローラ９１１０が備
える操作キー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０
３に表示される映像を操作することができる。また、リモートコントローラ９１１０に、
当該リモートコントローラから出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成とし
てもよい。
【0477】
図３７（Ｂ）に示すテレビジョン装置９１００は、受信機や通信手段などを備えている。
テレビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、
さらに通信手段を介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、
一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士な
ど）の情報通信を行うことも可能である。
テレビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、
さらに通信手段を介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、
一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士な
ど）の情報通信を行うことも可能である。
【0478】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９１０３、９１０７に用いること
が可能である。それゆえ、テレビジョン装置の表示品位を向上させることができる。
が可能である。それゆえ、テレビジョン装置の表示品位を向上させることができる。
【0479】
【0480】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９２０３に用いることが可能であ
る。それゆえ、コンピュータ９２００の表示品位を向上させることができる。
る。それゆえ、コンピュータ９２００の表示品位を向上させることができる。
【0481】
表示部９２０３は、タッチ入力機能を有しており、表示部９２０３に表示された表示ボタ
ン等を指などで触れることで、画面操作や情報を入力することができる。また、キーボー
ドや音声から情報を入力することができる。
ン等を指などで触れることで、画面操作や情報を入力することができる。また、キーボー
ドや音声から情報を入力することができる。
【0482】
図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図３８（Ａ
）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示
部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モ
ード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。
）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示
部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モ
ード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。
【0483】
上記実施の形態のいずれかに示す半導体装置は、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂに
用いることが可能である。それゆえ、タブレット端末の表示品位を向上させることができ
る。
用いることが可能である。それゆえ、タブレット端末の表示品位を向上させることができ
る。
【0484】
表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示され
た操作キー９６３８に触れることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３
１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３
１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６
３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示
画面として用いることができる。
た操作キー９６３８に触れることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３
１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域
がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３
１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６
３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示
画面として用いることができる。
【0485】
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部
をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード
表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで
表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。
【0486】
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタ
ッチ入力することもできる。
ッチ入力することもできる。
【0487】
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
【0488】
また、図３８（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示し
ているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示
の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネル
としてもよい。
ているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示
の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネル
としてもよい。
【0489】
図３８（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０に太陽電池９６
３３、充放電制御回路９６３４を有していてもよい。なお、図３８（Ｂ）では充放電制御
回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構
成について示している。
３３、充放電制御回路９６３４を有していてもよい。なお、図３８（Ｂ）では充放電制御
回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構
成について示している。
【0490】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態に
することができる。したがって、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため
、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
することができる。したがって、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため
、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【0491】
また、この他にも図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻
などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集するタ
ッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有
することができる。
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻
などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集するタ
ッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有
することができる。
【0492】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、
表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面または両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率よ
く行うことができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると
、小型化を図れる等の利点がある。
表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面または両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率よ
く行うことができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると
、小型化を図れる等の利点がある。
【0493】
また、図３８（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、および動作について図３９に
ブロック図を示し説明する。図３９（Ａ）では、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５
、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、ＤＣＤＣコンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ
３、負荷（表示部９６３１等）について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコン
バータ９６３６、ＤＣＤＣコンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図３８（
Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
ブロック図を示し説明する。図３９（Ａ）では、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５
、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、ＤＣＤＣコンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ
３、負荷（表示部９６３１等）について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコン
バータ９６３６、ＤＣＤＣコンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図３８（
Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
【0494】
まず、太陽電池９６３３によって発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電
池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコン
バータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、負荷（表示部９６３１等）の動作
に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、ＤＣＤＣ
コンバータ９６３７で負荷（表示部９６３１等）に必要な電圧に昇圧または降圧をするこ
ととなる。また、負荷（表示部９６３１等）への電力の供給を行わない際には、ＳＷ１を
オフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコン
バータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、負荷（表示部９６３１等）の動作
に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、ＤＣＤＣ
コンバータ９６３７で負荷（表示部９６３１等）に必要な電圧に昇圧または降圧をするこ
ととなる。また、負荷（表示部９６３１等）への電力の供給を行わない際には、ＳＷ１を
オフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【0495】
また、負荷（表示部９６３１等）への電力供給を常にバッテリー９６３５を介して行う場
合は、図３９（Ｂ）に示すように、スイッチＳＷ１を省いた構成としてもよい。
合は、図３９（Ｂ）に示すように、スイッチＳＷ１を省いた構成としてもよい。
【0496】
【0497】
なお、太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、
圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバ
ッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送
受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構
成としてもよい。
圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバ
ッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送
受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構
成としてもよい。
【0498】
なお、本実施の形態に示す構成などは、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
いることができる。
【符号の説明】
【0499】
１００ 画素部
１０１ 画素
１０２ 基板
１０３ トランジスタ
１０４ 第１の駆動回路
１０５ 容量素子
１０６ 第２の駆動回路
１０７ 走査線
１０８ 液晶素子
１０９ 信号線
１１０ 窒化絶縁膜
１１１ 半導体膜
１１３ 導電膜
１１５ 容量線
１１７ 開口
１１９ 半導体膜
１２１ 画素電極
１２３ 開口
１２５ 導電膜
１２７ ゲート絶縁膜
１２９ 絶縁膜
１３１ 絶縁膜
１３２ 絶縁膜
１３５ 境界
１５０ チャネル保護膜
１５４ 対向電極
１８８ａ 酸化物半導体膜
１８８ｂ 酸化物半導体膜
１９９ａ 酸化物半導体膜
１９９ｂ 酸化物半導体膜
１９９ｃ 酸化物半導体膜
２２３ トランジスタ
２２７ ゲート電極
２２９ 配線
２３１ 半導体膜
２３３ 配線
２４１ 導電膜
３１０ 演算装置
３１１ 演算部
３１２ 記憶部
３１４ 伝送路
３１５ 入出力インターフェース
３２０ 入出力装置
３２１ 入力手段
３２２ 表示部
３３０ 情報処理装置
５００ 入力手段
５００＿Ｃ 信号
６００ 情報処理装置
６１０ 制御部
６１５＿Ｃ 二次制御信号
６１５＿Ｖ 二次画像信号
６２０ 演算装置
６２５＿Ｃ 一次制御信号
６２５＿Ｖ 一次画像信号
６３０ 表示部
６３１ 画素部
６３１ａ 領域
６３１ｂ 領域
６３１ｃ 領域
６３１ｐ 画素
６３２ Ｇ駆動回路
６３２＿Ｇ Ｇ信号
６３２ａ Ｇ駆動回路
６３２ｂ Ｇ駆動回路
６３２ｃ Ｇ駆動回路
６３３ Ｓ駆動回路
６３３＿Ｓ Ｓ信号
６３４ 画素回路
６３４ｃ 容量素子
６３４ＥＬ 画素回路
６３４ｔ トランジスタ
６３４ｔ＿１ トランジスタ
６３４ｔ＿２ トランジスタ
６３５ 表示素子
６３５ＥＬ ＥＬ素子
６３５ＬＣ 液晶素子
６４０ 表示装置
６５０ 光供給部
７０１ 演算部
７０２ 記憶部
７０３ 制御部
７０４ 表示部
９０１ 基板
９０２ 画素部
９０３ 第２の駆動回路
９０４ 第１の駆動回路
９０５ シール材
９０６ 基板
９０８ 液晶層
９１０ トランジスタ
９１１ トランジスタ
９１３ 液晶素子
９１５ 接続端子電極
９１６ 端子電極
９１７ 導電膜
９１８ ＦＰＣ
９１８ｂ ＦＰＣ
９１９ 異方性導電剤
９２２ ゲート絶縁膜
９２３ 絶縁膜
９２４ 絶縁膜
９２５ シール材
９２６ 容量素子
９２７ 酸化物半導体膜
９２９ 容量線
９３０ 電極
９３１ 電極
９３２ 絶縁膜
９３３ 絶縁膜
９３４ 絶縁膜
９３５ スペーサ
９３６ 容量素子
９７１ ソース電極
９７３ ドレイン電極
９７５ 共通電位線
９７７ 共通電極
９８５ 共通電位線
９８７ 共通電極
９０００ テーブル
９００１ 筐体
９００２ 脚部
９００３ 表示部
９００４ 表示ボタン
９００５ 電源コード
９０３３ 具
９０３４ スイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ スイッチ
９０３８ 操作スイッチ
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 筐体
９１０３ 表示部
９１０５ スタンド
９１０７ 表示部
９１０９ 操作キー
９１１０ リモートコントローラ
９２００ コンピュータ
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ 領域
９６３２ｂ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ ＤＣＤＣコンバータ
９６３８ 操作キー
９６３９ ボタン
１０１ 画素
１０２ 基板
１０３ トランジスタ
１０４ 第１の駆動回路
１０５ 容量素子
１０６ 第２の駆動回路
１０７ 走査線
１０８ 液晶素子
１０９ 信号線
１１０ 窒化絶縁膜
１１１ 半導体膜
１１３ 導電膜
１１５ 容量線
１１７ 開口
１１９ 半導体膜
１２１ 画素電極
１２３ 開口
１２５ 導電膜
１２７ ゲート絶縁膜
１２９ 絶縁膜
１３１ 絶縁膜
１３２ 絶縁膜
１３５ 境界
１５０ チャネル保護膜
１５４ 対向電極
１８８ａ 酸化物半導体膜
１８８ｂ 酸化物半導体膜
１９９ａ 酸化物半導体膜
１９９ｂ 酸化物半導体膜
１９９ｃ 酸化物半導体膜
２２３ トランジスタ
２２７ ゲート電極
２２９ 配線
２３１ 半導体膜
２３３ 配線
２４１ 導電膜
３１０ 演算装置
３１１ 演算部
３１２ 記憶部
３１４ 伝送路
３１５ 入出力インターフェース
３２０ 入出力装置
３２１ 入力手段
３２２ 表示部
３３０ 情報処理装置
５００ 入力手段
５００＿Ｃ 信号
６００ 情報処理装置
６１０ 制御部
６１５＿Ｃ 二次制御信号
６１５＿Ｖ 二次画像信号
６２０ 演算装置
６２５＿Ｃ 一次制御信号
６２５＿Ｖ 一次画像信号
６３０ 表示部
６３１ 画素部
６３１ａ 領域
６３１ｂ 領域
６３１ｃ 領域
６３１ｐ 画素
６３２ Ｇ駆動回路
６３２＿Ｇ Ｇ信号
６３２ａ Ｇ駆動回路
６３２ｂ Ｇ駆動回路
６３２ｃ Ｇ駆動回路
６３３ Ｓ駆動回路
６３３＿Ｓ Ｓ信号
６３４ 画素回路
６３４ｃ 容量素子
６３４ＥＬ 画素回路
６３４ｔ トランジスタ
６３４ｔ＿１ トランジスタ
６３４ｔ＿２ トランジスタ
６３５ 表示素子
６３５ＥＬ ＥＬ素子
６３５ＬＣ 液晶素子
６４０ 表示装置
６５０ 光供給部
７０１ 演算部
７０２ 記憶部
７０３ 制御部
７０４ 表示部
９０１ 基板
９０２ 画素部
９０３ 第２の駆動回路
９０４ 第１の駆動回路
９０５ シール材
９０６ 基板
９０８ 液晶層
９１０ トランジスタ
９１１ トランジスタ
９１３ 液晶素子
９１５ 接続端子電極
９１６ 端子電極
９１７ 導電膜
９１８ ＦＰＣ
９１８ｂ ＦＰＣ
９１９ 異方性導電剤
９２２ ゲート絶縁膜
９２３ 絶縁膜
９２４ 絶縁膜
９２５ シール材
９２６ 容量素子
９２７ 酸化物半導体膜
９２９ 容量線
９３０ 電極
９３１ 電極
９３２ 絶縁膜
９３３ 絶縁膜
９３４ 絶縁膜
９３５ スペーサ
９３６ 容量素子
９７１ ソース電極
９７３ ドレイン電極
９７５ 共通電位線
９７７ 共通電極
９８５ 共通電位線
９８７ 共通電極
９０００ テーブル
９００１ 筐体
９００２ 脚部
９００３ 表示部
９００４ 表示ボタン
９００５ 電源コード
９０３３ 具
９０３４ スイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ スイッチ
９０３８ 操作スイッチ
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 筐体
９１０３ 表示部
９１０５ スタンド
９１０７ 表示部
９１０９ 操作キー
９１１０ リモートコントローラ
９２００ コンピュータ
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ 領域
９６３２ｂ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ ＤＣＤＣコンバータ
９６３８ 操作キー
９６３９ ボタン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】