特許 7408975 セラミック電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-25

(45)【発行日】2024-01-09

(54)【発明の名称】セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/228 20060101AFI20231226BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20231226BHJP

【ＦＩ】

H01G4/228 W

H01G4/228 B

H01G4/30 510

H01G4/30 201H

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2019170387

(22)【出願日】2019-09-19

(65)【公開番号】P2021048292

(43)【公開日】2021-03-25

【審査請求日】2022-04-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】増田 朗丈

(72)【発明者】

【氏名】安藤 ▲徳▼久

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 信弥

【審査官】木下 直哉

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－０２３３０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開昭６２－０７４３２２（ＪＰ，Ｕ）

【文献】特開平０３－２４８５０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－２１９４８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１－２３０２１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２７４０３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－５７０６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／３０

Ｈ０１Ｇ ４／２２８－ ４／２５２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

セラミック素体と、
前記セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、
ハンダにより前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、
前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、被覆層が形成してあり、
前記被覆層が、前記リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してあるセラミック電子部品であって、
前記被覆層が、前記リード端子の先端部のみをハンダ浴に浸漬することで形成される合金層であるセラミック電子部品。

【請求項2】

前記リード端子は、銅を含む請求項１に記載のセラミック電子部品。

【請求項3】

前記被覆層を構成する前記金属成分には、錫および銅が含まれる請求項１または２に記載のセラミック電子部品。

【請求項4】

前記リード端子と前記ハンダとの境界には、前記リード端子の銅、錫および銅を含む前記被覆層、ハンダの順序となる接合構造が形成してある請求項３に記載のセラミック電子部品。

【請求項5】

前記被覆層が、Ｃｕ₆Ｓｎ₅を含む請求項３または４に記載のセラミック電子部品。

【請求項6】

前記セラミック素体の前記側面に対する前記フィレットの角度が、１５度以上、４０度未満である請求項１～５のいずれかに記載のセラミック電子部品。

【請求項7】

前記フィレット角度が、３５度未満である請求項６に記載のセラミック電子部品。

【請求項8】

前記被覆層の厚みが、１μｍ以上、７μｍ以下である請求項１～７のいずれかに記載のセラミック電子部品。

【請求項9】

前記セラミック素体の第１方向の高さをＴ０とし、
前記リード端子において、前記被覆層が形成してある前記第１方向の長さをＬ１とし、
Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）が、１．５倍～２．０倍であり、
前記被覆層が形成されていない前記リード端子の表面には、錫めっき層が形成してある請求項１～８のいずれかに記載のセラミック電子部品。

【請求項10】

セラミック素体と、
前記セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、
ハンダにより前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、
前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、被覆層が形成してあり、
前記被覆層が、前記リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してあるセラミック電子部品であって、
前記セラミック素体の第１方向の高さをＴ０とし、
前記リード端子において、前記被覆層が形成してある前記第１方向の長さをＬ１とし、
Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）が、１．１倍～２．５倍であり、
前記被覆層が形成されていない前記リード端子の表面には、錫めっき層が形成してあるセラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、リード端子付きのセラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

回路基板などに実装される電子部品として、特許文献１に示すような、リード端子付きのセラミック電子部品が知られている。このセラミック電子部品においては、端子電極が形成してあるセラミック素体に、ハンダを用いて、リード端子を接合することが一般的である。

【0003】

ハンダによりリード端子を接合した場合、リード端子と端子電極との間には、ハンダが濡れ広がることによりフィレットが形成される。このフィレットと接触しているセラミック素体の端部においては、ハンダの凝固時に収縮応力が発生することなどにより、素体内部にクラックが生じやすい。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】実開昭６２－０７４３２２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、上記の実情を鑑みてなされ、その目的は、セラミック素体に生じるクラックを低減すると共に、十分な機械的強度を有するセラミック電子部品を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
セラミック素体と、
前記セラミック素体の端面から側面にかけて形成してある端子電極と、
ハンダにより前記端子電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記セラミック素体の前記側面と前記リード端子との間には、ハンダによるフィレットが形成してあり、
前記ハンダと接触する前記リード端子の表面には、被覆層が形成してあり、
前記被覆層が、前記リード端子よりも、ハンダとの接触角が小さい金属成分で構成してある。

【0007】

本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体の側面とリード端子との間にフィレットが形成してあり、端子電極の端面側と側面側の両方にハンダによる接合領域が存在している。そのため、本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体の端子電極に対して、リード端子が強固に接続されている。特に、本発明のセラミック電子部品では、セラミック素体のサイズが小さい場合であっても、十分な接合強度を確保できる。

【0008】

また、本発明のセラミック電子部品では、十分な接合強度が確保できると共に、これと両立して、クラックの発生を抑制できる。

【0009】

従来では、フィレットの形成を抑制するために、リード端子の一部にハンダ付着防止処理を施し、部分的にリード端子表面のハンダ濡れ性を悪くすることが知られていた。本発明のセラミック電子部品では、従来とは逆に、リード端子のハンダと接触する部分において、表面のハンダ濡れ性を良くする方向に最適化している。本発明では、上記のようにリード端子側のハンダ濡れ性を良くすることで、セラミック素体の側面に対するハンダフィレットの角度が、かえって小さくなることを見出した。フィレット角度が小さくなることで、セラミック素体にクラックが発生することを抑制できる。また、クラックを抑制することで、セラミック電子部品の機械的強度が向上する。

【0010】

本発明のセラミック電子部品では、好ましくは、前記リード端子が銅を含む。また、好ましくは、前記被覆層を構成する前記金属成分には、銅および錫が含まれる。特に、リード端子とハンダの境界においては、リード端子側から、リード端子の銅、銅－錫合金を含む被覆層、ハンダの順序となる接合構造が形成してあることが好ましい。本発明のセラミック電子部品では、上記のような接合構造をとることで、リード端子側のハンダ濡れ性がより最適な状態となり、フィレット角度をさらに小さくすることができる。その結果、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

【0011】

さらに好ましくは、本発明のセラミック電子部品では、前記被覆層が、Ｃｕ_６Ｓｎ_５を含む。このように被覆層がＣｕ_６Ｓｎ_５を含むことで、ハンダ濡れ性がより向上し、フィレット角度の低角度化に寄与する。また、Ｃｕ_６Ｓｎ_５は錫よりも融点が高いため、リード端子とハンダとの接合部において、耐熱性が向上する。

【0012】

また、前記被覆層は、めっきにより形成される銅－錫めっき層ではなく、リード端子の先端部のみをハンダ浴に浸漬することで形成される合金層であることが好ましい。上記のように、本発明に係るセラミック電子部品では、被覆層を浸漬処理により形成される合金層とすることで、めっき処理により形成される銅－錫めっき層よりも、機械的強度が向上する。

【0013】

また、本発明において、前記セラミック素体の前記側面に対する前記フィレットの角度は、好ましくは、１５度以上、４０度未満であり、より好ましくは、３５度未満である。セラミック素体の側面に対するフィレット角度が上記の範囲にあることで、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

【0014】

さらに、前記被覆層の厚みは、好ましくは、１μｍ以上、７μｍ以下である。被覆層の厚みが上記の範囲内にあることによって、下地を被覆層で十分に覆うことが可能になり、リード端子側のハンダ濡れ性がより最適な状態となる。その結果、セラミック素体に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

【0015】

本発明において、前記セラミック素体の第１方向（Ｚ軸方向）の高さをＴ０とし、前記リード端子において、前記被覆層が形成してある前記第１方向の長さをＬ１とすると、Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）は、１．５倍～２．０倍であることが好ましい。また、前記被覆層が形成されていない前記リード端子の表面には、錫めっき層が形成してあることが好ましい。

【0016】

上記に示すように、リード端子の先端側（端子電極対向部側）と基板実装側とで異なる被覆層を形成することで、端子電極対向部側の接合信頼性を確保できると共に、基板実装側の接合信頼性をも両立して確保することができる。

【0017】

本発明に係るセラミック電子部品は、たとえば、以下に示す製造方法で作製できる。すなわち、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、
表面に端子電極が形成してあるセラミック素体を準備する工程と、
リード端子の先端部をハンダ浴に浸漬する浸漬工程と、
前記浸漬工程後の前記リード端子の先端部に、前記セラミック素体を仮固定する工程と、
前記セラミック素体を仮固定した前記リード端子の先端部を、ハンダ浴に浸漬して、前記セラミック素体の前記端子電極と前記リード端子の先端部とをハンダ付けするハンダ付け工程と、を含む。

【0018】

上記に示すように、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法では、まず、リード端子のみをハンダ浴に浸漬させ、その後に、リード端子とセラミック素体の端子電極とをハンダ付けしている。このような二度漬けの工程を経ることで、リード端子の先端部（少なくともハンダと接触する部分）において、ハンダ濡れ性の良い被覆層が形成される。その結果、セラミック素体に生じるクラックが低減されたセラミック電子部品が得られる。

【0019】

リード端子に形成される被覆層の厚みと組成とは、浸漬工程におけるハンダ浴の温度、もしくは浸漬時間などにより制御し得る。より具体的には、前記浸漬工程におけるハンダ浴の温度は、前記ハンダ付け工程におけるハンダ浴の温度の０．９～１．１倍程度にすることが好ましい。

【0020】

また、前記浸漬工程では、前記ハンダ付け工程よりも、ハンダ浴への浸漬時間を長くすることが好ましい。より具体的には、前記浸漬工程における浸漬時間は、前記ハンダ付け工程における浸漬時間よりも、１０～６０倍程度と長くすることが好ましい。

【0021】

上記に示すように、浸漬工程とハンダ付け工程の条件を制御することで、リード端子の先端部には、ハンダ濡れ性が最適な被覆層が形成される。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】図１は、本発明の一実施形態に係るリード端子付きセラミック電子部品の概略斜視図である。

【図2】図２は、図１に示すII－II線に沿う要部断面図である。

【図3】図３は、図１に示すIII－III線に沿う要部断面図である。

【図4】図４は、図２の要部拡大断面図である。

【図5】図５は、図１に示すリード端子付きセラミック電子部品の製造工程を示すフロー図である。

【図6】図６は、リード端子の先端形状を示す概略斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されない。

【0024】

図１および図２に示すように、本発明の一実施形態に係るリード端子付きセラミック電子部品２は、セラミック素体４と、一対のリード端子８と、外装２０とを有する。本実施形態では、セラミック電子部品の一例として、セラミック素体４が、積層セラミックコンデンサで構成してある場合について説明する。

【0025】

図２に示すように、外装２０は、セラミック素体４の全体と、リード端子８の一部とを覆っている。外装２０の被覆範囲は、特に限定されないが、少なくとも、セラミック素体４の全体と、セラミック素体４とリード端子８との接合部分（すなわち後述するハンダ１０が存在する箇所）とを覆っていればよい。外装２０の材質は、絶縁性を有していればよく、特に制限されないが、ハロゲンフリーの絶縁樹脂であることが好ましく、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。

【0026】

図２に示すセラミック素体４は、Ｘ軸方向で対向する２つの端面４ａと、２つの端面４ａを連結する４つの側面４ｂとを有し、全体形状が直方体である。ただし、セラミック素体４の形状および寸法は、特に限定されず、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。たとえば、セラミック素体４の寸法は、Ｘ軸方向の長さを０．６～６．５ｍｍ、幅（図３に示すＷ０）を０．３～５．０ｍｍ、高さ（図２に示すＴ０）を０．２～３．５ｍｍとすることができる。なお、各図面において、Ｘ軸とＹ軸とＺ軸（第１方向）とは、相互に垂直である。

【0027】

セラミック素体４の内部には、図２および図３に示すように、内部電極層１６，１８が、セラミック層１４を介して交互に積層してある。内部電極層１６は、セラミック素体４のＸ軸方向の一方の端面４ａに露出しており、内部電極層１８は、セラミック素体４の他方の端面４ａに露出している。

【0028】

また、セラミック素体４のＸ軸方向の両端には、一対の端子電極６が形成してある。より具体的に、端子電極６は、セラミック素体４の端面４ａから側面４ｂに回り込んで形成してあり、端面側電極６ａと、側面側電極６ｂとを有する。内部電極１６，１８は、露出した端面４ａにおいて、それぞれ、端面側電極６ａに電気的に接続してある。なお、一対の端子電極６は、互いに絶縁してあり、一対の端子電極６と、内部電極層１６，１８とで、コンデンサ回路を形成している。

【0029】

本実施形態において、セラミック層１４は、誘電体組成物で構成してある。使用する誘電体組成物としては、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ_３）などを主成分として用いることができる。また、これら主成分の他に、希土類の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、遷移金属の酸化物、酸化マグネシウムなどを副成分として添加してもよい。なお、セラミック層１４の厚み、および積層数も、特に限定されず、一般的な厚みおよび積層数とすることができる。

【0030】

内部電極層１６，１８は、導電性金属を主成分として含有する。使用する導電性金属は、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、または、これら金属のうち少なくとも１種を含む合金などが例示される。内部電極層１６，１８の厚みも、特に限定されず、一般的な厚みを採用できる。また、内部電極層１６，１８の積層数は、セラミック層１４の積層数に応じて決定される。

【0031】

また、端子電極６についても、導電性金属を主成分として含有していればよく、材質は特に限定されない。端子電極６としては、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極６の厚みも特に限定されず、通常、１０～５０μｍ程度である。なお、端子電極６の表面には、ニッケル、銅、錫などから選ばれる少なくとも１種のめっき層が形成してあってもよい。端子電極６において、めっき層の１層当たりの厚みは、１～１０μｍであることが好ましく、めっき層は多層構造であってもよい。

【0032】

本実施形態では、図２に示すように、一対のリード端子８が、セラミック素体４の２つの端面４ａに対応して設けられている。各リード端子８は、それぞれ、端子電極対向部８ａと、曲折部８ｃと、リード脚部８ｄとを有する。本実施形態において、リード端子８の各部位８ａ～８ｄは、導電性線材８０を加工することで、一体的に形成してある。ただし、リード端子８は、導電性の金属板を加工して形成してもよい。

【0033】

リード端子８を構成する導電性線材８０としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、銀（Ａｇ）などを含む金属線を用いることができる。特に、リード端子８は、銅を含むことが好ましい。より具体的には、芯材が純銅、もしくは銅を主成分として含む銅合金である銅系の金属線（以下、Ｃｕ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。もしくは、表面に銅めっき層を形成した銅被覆鋼線（以下、ＣＰ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。ＣＰ線の場合、芯材は、純鉄、もしくは鉄を主成分として含む鉄合金である。また、ＣＰ線を用いる場合、芯材の表面に形成してある銅めっき層の厚みは、５μｍ～１０μｍであることが好ましい。

【0034】

なお、リード端子８を構成する導電性線材８０の線径は、セラミック素体４の寸法に応じて適宜決定される。たとえば、０．５ｍｍ～１．０ｍｍの線径とすることができ、好ましくは、０．５ｍｍ～０．６ｍｍである。

【0035】

図２に示すように、リード端子８の端子電極対向部８ａは、端子電極６の端面側電極６ａと対向して配置してあり、ハンダ１０を介して、端面側電極６ａに接合してある。すなわち、端子電極対向部８ａは、リード端子８の長手方向が、Ｚ軸に対して略平行となるように端子電極６に接続してある。本実施形態において、端子電極対向部８ａは、前述した導電性線材８０の先端を潰し加工することで形成してある。そのため、端子電極対向部８ａは、図３に示すように、平板状の断面形状を有する。

【0036】

端子電極対向部８ａの長手方向（Ｚ軸方向）の長さＬ２は、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＴ０に対して長くてもよいし、短くてもよい。ただし、好ましくは、端子電極対向部８ａの長さＬ２は、セラミック素体４の高さＴ０に対して０．９倍～１．１倍程度の範囲内であることが好ましい。このような長さとすることで、端子電極６とリード端子８との接合強度が向上する傾向となる。

【0037】

また、図３に示す端子電極対向部８ａのＹ軸方向の幅Ｗ１は、セラミック素体のＹ軸方向の幅Ｗ０に対して、０．７倍～１．１倍程度の範囲内であることが好ましい。端子電極対向部８ａの幅Ｗ１を上記の範囲内とすることで、端面側電極６ａと端子電極対向部８ａとの間に入り込むハンダ１０の介在量を、適切な範囲に制御することができる。

【0038】

端子電極対向部８ａのＺ軸方向の下方では、リード端子８の長手方向に対して直線状ではない曲折部８ｃが形成してある。曲折部８ｃの断面と、後述するリード脚部８ｄの断面とは、端子電極対向部８ａと異なり、円形状を有する。

【0039】

曲折部８ｃは、図２に示すように、Ｘ－Ｚ断面において、一対のリード端子８がＸ軸上で離間する方向に折り曲がって形成してあることが好ましい。曲折部８ｃは、このような折り曲がり形状を有するとともに、端子電極対向部８ａとリード脚部８ｄとを連結している。なお、Ｘ－Ｚ断面における曲折部８ｃの折り曲がり形状は、図２に示す形状に限定されない。たとえば、曲折部８ｃは、図２とは逆に、一対のリード端子８がＸ軸上で近接する方向に折り曲がっていても良く、Ｓ字状の曲線形状を有していても良い。

【0040】

リード脚部８ｄは、図２に示すように、曲折部８ｃのＺ軸方向の下端側に一体的に形成してあり、セラミック素体４の端面４ａに平行なＺ軸の下側方向に向けて、直線状に延びている。リード脚部８ｄの端部は、プリント基板やフレキシブル基板などの基板に接続され、基板実装部を構成する。セラミック電子部品２の基板への実装方法は、特に限定されないが、たとえば、ハンダや溶接、カシメなどの実装技術を適用できる。なお、曲折部８ｃの下方側８ｃ２は、セラミック電子部品２の基板実装時に、立付け高さを規制するキンクとして作用する。

【0041】

前述したように、リード端子８は、ハンダ１０により端子電極６に接合される。ハンダ１０の材質は、特に限定されないが、たとえば、錫－アンチモン系、錫－銀－銅系、錫－銅系、錫－ビスマス系の鉛フリーハンダを用いることができる。本実施形態に係るセラミック電子部品２では、図４に示すように、端子電極６とリード端子８との接合構造に特徴を有する。以下、当該接合構造について詳細を説明する。

【0042】

図４に示すように、本実施形態では、ハンダ１０が、端面側電極６ａと端子電極対向部８ａとの間、および、側面側電極６ｂと曲折部８ｃの上方側８ｃ１との間に介在している。そして、側面側電極６ｂと曲折部８ｃの上方側８ｃ１との間（すなわち、セラミック素体４の側面４ｂとリード端子８との間）には、ハンダによるフィレット１０ａが形成してある。すなわち、リード端子８は、端子電極対向部８ａ、および、曲折部８ｃの上方側８ｃ１においてハンダ１０と接触しており、端子電極対向部８ａと曲折部８ｃの上方側８ｃ１とで素子接合部８ｂを構成している。

【0043】

本実施形態において、リード端子８の素子接合部８ｂの表面には、すなわち、素子接合部８ｂとハンダ１０との境界には、ハンダ１０の接合後の状態で、被覆層９が形成してある。この被覆層９は、リード端子８よりも、ハンダ１０との接触角が小さい金属成分で構成してある。前述したように、リード端子８は銅を含むことが好ましいため、被覆層９は、銅よりも、ハンダ１０との接触角が小さい金属成分で構成してあることが好ましい。

【0044】

ハンダ１０との接触角とは、接合対象物のハンダ濡れ性を評価するための指標であって、接合対象物に液化したハンダを滴下した際に、液滴外縁部（濡れ先端部）と接合対象物の表面とのなす角度を意味する。ハンダ１０の接触角は、主に、使用するハンダ１０の材質と、リード端子８の素子接合部８ｂの表面に形成された被覆層９の組成に依存する。

【0045】

銅よりもハンダ１０との接触角が小さい金属成分とは、具体的に、銀、金、パラジウム、銅－錫合金、などが例示され、特に好ましくは、銅－錫合金である。つまり、図４に示す端子電極６とリード端子８との接合部において、リード端子８とハンダ１０との境界は、Ｘ軸方向に沿って、リード端子８の銅、銅および錫を含む被覆層９、ハンダ１０の順序となっており、本実施形態では、このような接合構造をとることが好ましい。

【0046】

上記金属成分を含む被覆層９は、たとえば、リード端子８の表面にめっきを施すことによっても形成し得るが、特に、リード端子８の先端部（すなわち素子接合部８ｂに対応する領域）のみをハンダ浴に浸漬する（以下浸漬工程と呼ぶ）ことで形成することが好ましい。本実施形態では、浸漬工程により形成された被覆層９について説明する。

【0047】

浸漬工程により形成された被覆層９は、銅および錫を含む合金層である。より具体的に、上記の合金層には、金属間化合物であるＣｕ_３ＳｎおよびＣｕ_６Ｓｎ_５が含まれ得る。特に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５が含まれていることが好ましい。浸漬工程により形成された被覆層９では、図４に示す接合構造において、被覆層９のリード端子８側にＣｕ_３Ｓｎが多く存在し、被覆層９のハンダ１０側にＣｕ_６Ｓｎ_５が多く存在すると考えられる。すなわち、ハンダ１０と接触する被覆層９の最表面では、Ｃｕ_６Ｓｎ_５が露出していることが好ましい。

【0048】

浸漬工程により形成された被覆層９の厚みは、ある程度のばらつきを有するが、０．５μｍ～１０μｍ程度とすることができ、好ましくは、１．０μｍ～７．０μｍであり、より好ましくは、１．０μｍ～３．０μｍである。

【0049】

本実施形態において、浸漬工程により形成された被覆層９は、リード端子８の素子接合部８ｂ（すなわち端子電極対向部８ａおよび曲折部８ｃの上方側８ｃ１）の表面に形成してある。被覆層９が形成してあるＺ軸方向の長さ、すなわち素子接合部８ｂのＺ軸方向の長さは、図２において符号Ｌ１で示される。Ｌ１は、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＴ０に対して、１．１倍～２．５倍程度の長さとすることができ、好ましくは、１．５倍～２．０倍程度の長さである。

【0050】

一方、リード端子８のリード脚部８ｄ、および、曲折部８ｃの下方側８ｃ２では、銅および錫を含む合金層である被覆層９が形成されていない。リード脚部８ｄおよび曲折部８ｃの下方側８ｃ２では、銅および錫を含む合金層ではなく、錫めっき層が形成してある。この錫めっき層は、錫が９０ｍｏｌ％以上含まれていることが好ましく、その厚みは、１μｍ～１０μｍ程度であることが好ましい。基板実装部となるリード脚部８ｄに錫めっき層が形成してあることで、基板とリード端子８との接合信頼性は向上する傾向となる。

【0051】

なお、被覆層９や錫めっき層の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、図４に示すＸ－Ｚ断面を観測することで測定する。また、被覆層９や錫めっき層の成分は、ＳＥＭ観察時にエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）を行うことで測定する。ＳＥＭ－ＥＤＸでは、点分析による元素解析（元素定量分析）および面分析によるマッピングを併用して実施することが好ましい。さらに、被覆層９のより詳細な化合物同定を行うためには、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた電子回折により結晶構造解析を実施すればよい。

【0052】

詳細については後述するが、本実施形態では、リード端子８の素子接合部８ｂにおいて被覆層９が形成してあることで、ハンダ１０によるフィレット１０ａの角度θが小さくなる。フィレット１０ａの角度θとは、図４に示すＸ－Ｚ断面において、セラミック素体４の側面４ｂと、フィレット１０ａの外縁部１０ａｂ１とがなす角のことを意味する。

【0053】

なお、フィレット１０ａが形成してあるセラミック素体４の側面４ｂとは、セラミック素体４のＺ軸に略垂直な側面であり、かつ、基板実装側に近い側面である。また、フィレット１０ａの角度θは、上記のとおり、リード端子８の表面に形成してある被覆層９の構成により変化するが、その他、端子電極６の表面状態や、曲折部８ｃの形状などによっても変化する。

【0054】

本実施形態では、フィレット１０ａの角度θが、１５度以上、４０度未満であることが好ましく、３５度未満であることがより好ましい。フィレット１０ａの角度θの測定は、ＳＥＭもしくは光学顕微鏡により図４に示すＸ－Ｚ断面の断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定する。この際、観察用の試料は、Ｘ－Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得る。

【0055】

続いて、図１に示すセラミック電子部品２の製造方法の一例について、以下に説明する。

【0056】

まず、セラミック素体４として、コンデンサチップを準備する。コンデンサチップは、公知の方法により製造すれば良い。たとえば、ドクターブレード法やスクリーン印刷等の手法により、電極パターンが形成されたグリーンシートを積層し、積層体を得る。その後、得られた積層体を加圧・焼成することで、コンデンサチップが得られる。

【0057】

次に、準備したコンデンサチップに対して、一対の端子電極６を形成する。端子電極６の形成方法は、特に限定されないが、たとえば、コンデンサチップを、電極用の導電性ペーストに浸漬し、その後、焼き付け処理を施すことで形成できる。得られた焼き付け電極の表面には、適宜、めっき処理を施しても良い。例えば、端子電極６は、Ｃｕ焼付層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層の複数層構造とすることができる。

【0058】

次に、リード端子８の製造方法について説明する。リード端子８の製造では、まず、導電性線材８０を準備する。本実施形態において、準備する導電性線材８０としては、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線、もしくは、Ｃｕめっき層の表面にさらに錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いることが好ましい。ここで、Ｃｕ線もしくはＣＰ線の表面に形成してある錫めっき層は、錫が９０ｍｏｌ％以上含まれていることが好ましく、厚みが、１μｍ～１０μｍであることが好ましい。

【0059】

なお、被覆層９をめっきにより形成する場合には、錫めっき層に代えて、銀めっき層や、金めっき層、パラジウムめっき層、銅－錫めっき層などを形成しても良い。さらに、金めっき層もしくはパラジウムめっき層を形成する場合には、下地にニッケルめっき層が形成してあっても良い。

【0060】

準備した導電性線材８０は、所定の長さに切断し、その後、全体としてＵ字形状となるように曲げ加工を施す。次に、Ｕ字形状の導電性線材８０を、キャリアテープに張り付けて固定する。この際、導電性線材８０は、Ｕ字形状の両端がキャリアテープから飛び出すようにして固定される。

【0061】

このように、導電性線材８０をキャリアテープに張り付けた状態で、導電性線材８０の先端を、図６に示す形状に加工する。具体的には、まず、導電性線材８０の両端に折り曲げ加工を施し、曲折部８０ｃを形成する。その後、導電性線材８０の先端を潰し加工（プレス加工）し、端子電極対向部８０ａを形成する。量産時においては、キャリアテープ上に複数の導電性線材８０を張り付けて、上記の先端加工を同時に行えばよい。

【0062】

次に、上記のような手順で作製したセラミック素体４とリード端子８とを、図５に示す手順で、接合し、リード端子付きのセラミック電子部品２を得る。

【0063】

具体的に、まず、キャリアテープに張り付けてあるリード端子８（導電性線材８０）の先端部のみをハンダ浴に浸漬し、リード端子８の表面に被覆層９を形成する（リード端子８の浸漬工程）。この際、ハンダ浴に浸漬するリード端子８の先端部とは、素子接合部８ｂ（すなわち、端子電極対向部８ａ、および曲折部８ｃの上方側８ｃ１）に対応する範囲であり、図２に示す長さＬ１の範囲である。

【0064】

上記の浸漬工程において、使用するハンダ浴の種類は、後述するセラミック素体４のハンダ付け工程で使用するハンダ浴と同じで良いが、異なっていても良い。また、使用するハンダ浴の温度は、ハンダの組成によっても異なるが、たとえば、錫－アンチモン系のハンダの場合、２７０℃～３２０℃とすることができる。特に、浸漬工程におけるハンダ浴の温度は、後述するハンダ付け工程におけるハンダ浴の温度に対して、０．９～１．１倍程度とすることが好ましい。このように浸漬工程時のハンダ浴の温度を制御することで、形成される被覆層９の最表面側にＣｕ_６Ｓｎ_５の金属間化合物が形成されやすくなると考えられる。

【0065】

また、浸漬工程におけるハンダ浴への浸漬時間は、後述するハンダ付け工程での浸漬時間に対して、１０～６０倍程度と長くすることが好ましく、より具体的には、１０秒～６０秒程度とすることが好ましい。浸漬時間を上記の範囲に制御することで、リード端子の先端が細ることなく、被覆層９の厚みを最適な範囲に制御することができる。また、形成される被覆層９の最表面側にＣｕ_６Ｓｎ_５の金属間化合物が形成されやすくなると考えられる。

【0066】

なお、上記の浸漬工程において、ハンダ浴に浸漬した箇所（すなわち素子接合部８ｂに対応する箇所）では、導電性線材８０の表面に形成してある錫めっき層が、ハンダ浴に溶解され、銅および錫を含む合金層である被覆層９が生成する。ハンダ浴に浸漬していないリード端子８のリード脚部８ｄ、および、曲折部８ｃの下方側８ｃ２では、表面に錫めっき層が残った状態となる。

【0067】

上記の浸漬工程を行った後、一対のリード端子８の端子電極対向部８ａの間に、端子電極６を形成したセラミック素体４を配置し、一対の端子電極対向部８ａでセラミック素体４を挟持することで、セラミック素体４を仮固定する。

【0068】

次に、セラミック素体４を仮固定したリード端子８の先端部分を、ハンダ浴に浸漬し、端子電極６とリード端子８とをハンダ付けする（ハンダ付け工程）。このハンダ付け工程において、ハンダ浴への浸漬時間は、０．５秒～２程度であり、特に、０．８秒～１．５秒程度と短くすることが好ましい。ハンダ付け工程での浸漬時間を上記の範囲内とすることで、セラミック素体４への熱影響を最小限に抑制することができる。

【0069】

ハンダ付け工程の後には、セラミック素体４を接合したリード端子８の先端部分を、液状の絶縁性樹脂の浴槽に浸漬する。この際、少なくとも、セラミック素体４およびリード端子８の素子接合部８ｂが、絶縁性樹脂の浴槽に浸るように浸漬する。その後、使用する絶縁性樹脂の種類に応じて適宜熱処理を加えることで、セラミック素体４およびリード端子８の素子接合部８ｂを覆うように外装２０が形成される。

【0070】

なお、図５に示す一連の工程は、リード端子８をキャリアテープに張り付けて固定した状態で行えばよい。外装２０を形成した後、一対のリード脚部８ｄの連結部分（すなわち、Ｕ字形状の円弧部分）を切断し、キャリアテープからリード端子８を取り外すことで、図１に示すセラミック電子部品２が得られる。

【0071】

本実施形態に係るセラミック電子部品２では、セラミック素体４の側面４ｂとリード端子８との間に、ハンダ１０によるフィレット１０ａが形成してあり、端子電極６の端面側電極６ａと側面側電極６ｂの両方に、ハンダ１０による接合領域が存在している。そのため、セラミック電子部品２では、セラミック素体４の端子電極６に対して、リード端子８が強固に接続されている。

【0072】

特に、本実施形態に係るセラミック電子部品２では、セラミック素体４のサイズが小さい場合であっても、十分な接合強度を確保できる。より具体的に、セラミック素体４の寸法は、Ｘ軸方向の長さが２．０ｍｍ以下、Ｙ軸方向の幅Ｗ０が１．２５ｍｍ以下とすることが好ましく、この場合であっても、本発明の効果を享受できる。

【0073】

また、本実施形態に係るセラミック電子部品２では、端子電極６とリード端子８との接合部において十分な接合強度を確保したうえで、これと両立して、セラミック素体４の内部にクラックが発生することを抑制できる。

【0074】

従来は、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線またはＣＰ線を、リード端子として使用することが一般的であり、予め浸漬工程を行わずに、当該Ｃｕ線またはＣＰ線を端子電極に短時間でハンダ付けすることが一般的である。この従来工法の場合、表面の錫めっき層は、ハンダ付け時に、ハンダ側に溶解される。そのため、従来工法の場合、ハンダ凝固後の接合断面において、リード端子とハンダの境界には、被覆層９が形成されない。

【0075】

また、上記の従来工法の場合、形成されるハンダフィレットの角度が大きくなる。より具体的には、従来工法の場合、フィレットの外縁部は、図４に示す符号１０ａｂ２に位置し、フィレット角度が４０度以上となる。この場合、セラミック素体のフィレット近傍では、ハンダの凝固時の収縮応力によりクラックが発生しやすくなる。また、ハンダ凝固後においても、フィレットには内部応力が蓄積されているため、リード端子に外力が加わると、セラミック素体のフィレット近傍にクラックが発生しやすくなる。この問題を受けて、従来では、クラックを抑制するために、リード端子の一部にハンダ付着防止処理を施し、部分的にリード端子表面のハンダ濡れ性を悪くすることが知られていた。

【0076】

本実施形態に係るセラミック電子部品２では、従来とは逆に、リード端子８の素子接合部８ｂ（ハンダ１０と接触する部分）において、被覆層９を形成し、表面のハンダ濡れ性を良くしている。本発明では、このように、リード端子８側のハンダ濡れ性を良くすることで、セラミック素体４の側面４ｂ側においてフィレット１０ａの角度θが、かえって小さくなることを見出した。フィレット１０ａの角度θが小さくなることで、セラミック素体４のフィレット１０の近傍でクラックが発生することを有効に抑制することができる。また、クラックを抑制することで、セラミック電子部品２の機械的強度が向上する。

【0077】

また、本実施形態に係るセラミック電子部品２では、被覆層９を構成する金属成分には、銅および錫が含まれることが好ましい。そして、リード端子８とハンダ１０の境界においては、リード端子８側からＸ軸方向に沿って、リード端子８の銅、銅および錫を含む被覆層９、ハンダ１０の順序となる接合構造が形成してあることが好ましい。上記のような接合構造をとることで、リード端子８側のハンダ濡れ性がより最適な状態となり、フィレット１０ａの角度θがさらに小さくなる。

【0078】

フィレット１０ａの角度θは、１５度以上、４０度未満であることが好ましく、３５度未満であることがより好ましい。フィレット１０ａの角度θを上記の範囲に制御することで、セラミック素体４に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

【0079】

さらに、被覆層９の厚みは、好ましくは、１μｍ以上、７μｍ以下である。被覆層９の厚みが上記の範囲内にあることによって、下地である導電性線材８０の表面を被覆層９で十分に覆うことが可能となり、リード端子８側のハンダ濡れ性がより最適な状態となる。その結果、セラミック素体４に生じるクラックをより好適に抑制することができる。

【0080】

特に、被覆層９は、浸漬工程により形成された銅および錫を含む合金層であることが好ましい。本実施形態では、被覆層９を、浸漬工程により形成された合金層とすることで、めっきにより形成された銅－錫めっき層よりも、機械的強度が向上する傾向となる。機械的強度が向上する理由は、未だ明らかではないが、浸漬工程により形成された銅－錫合金層と、銅－錫めっき層とで、微小な結晶構造に違いがあるためであると考えられる。

【0081】

本実施形態の浸漬工程により形成された被覆層９では、Ｃｕ_３Ｓｎ、およびＣｕ_６Ｓｎ_５が含まれ得るが、浸漬工程の場合、最表面側（すなわち被覆層９のハンダ１０側）において、Ｃｕ_６Ｓｎ_５がより多く（選択的に）存在していると考えられる。他の金属間化合物よりも、特にＣｕ_６Ｓｎ_５が、ハンダ濡れ性の向上に寄与すると考えられ、本実施形態では、被覆層９の最表面側にＣｕ_６Ｓｎ_５が多く存在することで、クラック抑制効果がより向上すると共に、セラミック電子部品２の機械的強度が向上すると考えられる。

【0082】

ただし、前述したように、被覆層９の厚みは数μｍ程度（０．５～１０μｍ程度）と薄く、被覆層９の微小な結晶構造を詳細に特定することは、必ずしも容易ではない。したがって、上述した被覆層９の結晶構造（特に、金属間化合物の分布）、および機械的強度が向上する理由は、あくまでも推論であって、作用効果を奏する原理は、上記の内容に限定されない。

【0083】

なお、被覆層９にＣｕ_６Ｓｎ_５が含まれる場合には、上述した作用効果の他に、リード端子８とハンダ１０との接合部において、耐熱性が向上することも期待できる。Ｃｕ_６Ｓｎ_５は、錫よりも融点が高いためである。

【0084】

また、本実施形態では、セラミック素体４のＺ軸方向の高さをＴ０とし、リード端子８の被覆層９が形成してある箇所（素子接合部８ｂ）長さをＬ１とすると、Ｌ１のＴ０に対する比率（Ｌ１／Ｔ０）は、１．５倍～２．０倍であることが好ましい。そして、リード端子８の被覆層９が形成されていない箇所（曲折部８ｃの下方側８ｃ２とリード脚部８ｄ）の表面には、錫めっき層が形成してあることが好ましい。

【0085】

このように、リード端子８の先端側（端子電極対向部８ａ側）と基板実装側（リード脚部８ｄ側）とで異なる被覆を形成することで、端子電極対向部側の接合信頼性を確保できると共に、基板実装側の接合信頼性をも両立して確保することができる。

【0086】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、セラミック素体４が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、セラミック電子部品は、コンデンサ以外に、バリスタ、圧電素子、フィルタ、チップビーズ、インダクタ、サーミスタなどであっても良い。これら電子部品の場合は、セラミック層１４を、圧電体セラミックや、半導体セラミック、磁性体セラミックなどで構成すればよい。

【0087】

また、上述した実施形態では、リード端子８として先端に潰し加工が施されたリード線を開示したが、リード端子８は、潰し加工をせずに、すべての部位において円形状の断面を有する端子を用いても良いし、金属板を加工した端子を用いても良い。また、リード端子８の先端部（端子電極対向部８ａ）は、半円状の断面形状を有していても良い。

【実施例】

【0088】

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。

【0089】

（実施例１）
まず、セラミック素体４として積層セラミックコンデンサのチップを準備した。コンデンサチップの寸法は、長さ１．６ｍｍ×幅０．８ｍｍ×高さ０．８ｍｍとした。また、コンデンサチップには、Ｃｕペーストを焼き付け処理することで、一対の端子電極６を形成した。なお、端子電極６の表面には、ニッケルめっきと錫めっきとを施し、端子電極６の厚みを１０μｍ～６０μｍとした。

【0090】

次に、リード端子８を構成する材料として、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を準備した。Ｃｕ線表面の錫めっき層の厚みは、平均で５μｍとした。準備したＣｕ線は、所定の長さに切断し、Ｕ字形状に曲げ加工した後、キャリアテープに固定した。

【0091】

次に、キャリアテープに固定したＣｕ線に対して、折り曲げ加工や潰し加工を施し、図６に示すような先端形状を形成した。そして、キャリアテープに固定した状態で、Ｃｕ線の先端部分のみを、ハンダ浴に浸漬させた。この際、ハンダ浴としては、Ｓｎ９０－Ｓｂ１０のハンダ材を使用し、浸漬条件は、ハンダ浴の温度を２９０℃とし、ハンダ浴への浸漬時間を６０秒とした。また、ハンダ浴に浸漬したＣｕ線の長さは、Ｌ１／Ｔ０が１．７５となるように制御した。

【0092】

上記の浸漬工程の後、Ｃｕ線の先端部（すなわち端子電極対向部８ａ）に、端子電極６を形成したコンデンサチップを仮固定した。そして、コンデンサチップを仮固定したＣｕ線の先端部を、２９０℃のハンダ浴に、約１秒間浸漬し、Ｃｕ線（リード端子８）とコンデンサチップとをハンダ付けした。この際、ハンダ浴としては、浸漬工程と同じＳｎ９０－Ｓｂ１０のハンダ材を使用した。

【0093】

ハンダ付け後、リード端子８の一対のリード脚部８ｄを切断し、リード端子８をキャリアテープから取り外すことで、リード端子付きのセラミック電子部品２を得た。上記工程で、少なくとも３０個の電子部品サンプルを作成し、以下に示す評価を行った。

【0094】

（被覆層９の観察）
得られた電子部品サンプルに含まれる被覆層９の確認は、ＳＥＭ観察により行った。具体的に、リード端子８とハンダ１０との境界をＳＥＭ－ＥＤＸにより分析し、被覆層９の有無、および、被覆層９に含まれる元素の定性分析を行った。また、被覆層９の厚みは、Ｘ－Ｚ断面において断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定した。この際、観察用の試料は、Ｘ－Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得た。

【0095】

（フィレット１０ａの角度θの測定）
上記のＳＥＭ観察時に、側面４ｂとリード端子との間に存在するフィレット１０ａの角度θを測定した。測定は、ＳＥＭ断面写真を画像解析することで行った。測定結果を表１に示す。なお、表１に示すフィレット１０ａの角度θは平均値であり、平均値は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で測定（すなわち計４０箇所で測定）を行い算出した。

【0096】

（クラック評価）
また、上記のＳＥＭ観察時に、セラミック素体４の内部（特にセラミック素体４のフィレット１０の近傍）にクラックが存在するか否かを調査した。当該クラックの調査は、２０個の電子部品サンプルについて、それぞれ２箇所で行い（すなわち計４０箇所を調査）、クラックが発生していた割合をクラック発生率として算出した。また、クラックが発生していたサンプルについては、そのクラックの長さを測定し、平均値を算出した。クラック評価の結果を表１に示す。

【0097】

（また裂き強度試験）
セラミック電子部品２の機械的強度は、また裂き強度試験を行うことで評価した。また裂き強度試験では、一対のリード端子８のリード脚部８ｄ側の端部を、Ｘ軸方向で互いに離間する方向に引っ張り、電子部品サンプルが破壊されるまで張力をかけた。そして、電子部品サンプルが破壊された時点の張力を、また裂き強度として測定した。当該試験を、１０個のサンプルについて行い、平均値を算出した。

【0098】

なお、また裂き強度試験では、セラミック素体４の内部にクラックが発生していると、また裂き強度が低下する。また、リード端子８と端子電極６との接合強度が十分に確保されていないと、また裂き強度が低下する。また裂き強度の数値が高いほど、セラミック電子部品２の機械的強度が高いと判断する。評価結果を表１に示す。

【0099】

（実施例２）
実施例２では、リード端子８を構成する導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を用いした。ＣＰ線表面の錫めっき層の厚みは、平均で５μｍとした。これ以外の実験条件は、実施例１と同様にして、実施例２に係る電子部品サンプルを作製した。実施例２の評価結果を表１に示す。

【0100】

（比較例１）
比較例１では、実施例１と同様に、リード端子８を構成する導電性線材８０として表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を使用した。ただし、比較例１では、浸漬工程を行わずに、リード端子をセラミック素体にハンダ付けした。これ以外の実験条件は、実施例１と同様にして、比較例１に係る電子部品サンプルを作製した。評価結果を表１に示す。

【0101】

（比較例２）
比較例２では、実施例２と同様に、リード端子８を構成する導電性線材８０として、最表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を使用した。ただし、比較例２では、浸漬工程を行わずに、リード端子をセラミック素体にハンダ付けした。これ以外の実験条件は、実施例２と同様にして、比較例２に係る電子部品サンプルを作製した。評価結果を表１に示す。

【0102】

【表1】

【0103】

表１に示すように、浸漬工程を行っていない比較例１および２では、接合後（ハンダ凝固後）の状態で、リード端子８とハンダ１０との境界で、被覆層の存在が確認できなかった。そして、比較例１および２では、フィレット１０ａの角度θが４０度以上となっていることが確認できた。比較例１および２では、フィレット１０ａの角度θが大きいため、クラック発生率が高く、クラック長さも長くなっている。

【0104】

一方、浸漬工程を行った実施例１および２では、リード端子８の表面に、銅および錫を含む被覆層９が形成してあることが確認できた。特に、実施例１については、ＳＥＭ－ＥＤＸにより分析した銅と錫の含有比から、ハンダ接合後の状態で被覆層９にＣｕ_６Ｓｎ_５が含まれていることが確認できた。なお、実施例２については、ハンダ接合後の状態では、ＣＰ線のＣｕめっき層の厚みに依存して、被覆層９の厚みが１．０μｍ以下と薄くなっており、被覆層９に含まれる化合物の同定が困難であった。

【0105】

実施例１および２では、リード端子８の表面に浸漬工程により被覆層９が形成してあることで、フィレット１０ａの角度θが、比較例１および２よりも小さくなっていることが確認できた。その結果、実施例１では、比較例１よりも、クラック発生率が１／２以下に低減されていることが確認できた。また、実施例１では、クラックが発生したとしても、そのクラック長さが、比較例１よりも、１／４以下と短くなっていた。

【0106】

実施例２についても同様で、実施例２では、比較例２よりも、クラック発生率が１／３以下に低減されていることが確認できた。また、実施例２では、クラックが発生したとしても、そのクラック長さが、比較例２よりも、１／２以下と短くなっていた。

【0107】

上記の結果から、リード端子８の表面に浸漬工程により被覆層９を形成し、リード端子８側のハンダ濡れ性を向上させることで、セラミック素体側のフィレット１０ａの角度θが小さくなり、クラックの発生を抑制できることが確認できた。

【0108】

さらに、実施例１と比較例１、および、実施例２と比較例２とを対比すると、各実施例のほうが比較例よりも、また裂き強度が高くなっていることが確認できる。特にＣＰ線を用いた場合（実施例２と比較例２の比較した場合）に、また裂き強度の向上率が高くなっていることがわかる。これらの結果から、リード端子８の表面に浸漬工程により被覆層９を形成することで、得られるセラミック電子部品２の機械的強度が向上することが確認できた。

【0109】

（実施例１１～１５）
実施例１１～１５では、実施例１と同様に、導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣｕ線を使用し、電子部品サンプルを作製した。ただし、実施例１１～１３では、浸漬工程時に、浸漬時間を１０秒～６０秒の範囲で変更しており、実施例１１では浸漬時間を１０秒、実施例１２では３０秒、実施例１３では６０秒とした。また、実施例１４および１５では、浸漬工程時のハンダ浴の温度を変更しており、実施例１４ではハンダ浴の温度を２７０℃とし、実施例１５では３２０℃とした。各実施例の詳細な条件を表２Ａに示す。なお、実施例１１～１５における上記以外の実験条件は、実施例１と共通している。

【0110】

（実施例２１～２５）
実施例２１～２５では、実施例２と同様に、導電性線材８０として、表面に錫めっき層が形成してあるＣＰ線を使用し、電子部品サンプルを作製した。なお、実施例２１～２５では、上記の実施例１１～１５と同様に、浸漬工程時の条件を変更して実験を行った。各実施例の詳細な条件を表２Ｂに示す。なお、実施例２１～２５における浸漬工程以外の実験条件は、実施例２と共通している。

【0111】

【表2A】

【0112】

【表2B】

【0113】

表２Ａに示すように、実施例１１～１３の結果を比較すると、浸漬時間を長くすることで、リード端子８の被覆層９の厚みが増していることがわかる。また、実施例１２，１４，１５を比較すると、浸漬工程時のハンダ浴温度を高くすると、それに応じて、リード端子８の被覆層９の厚みが増していることがわかる。この結果から、浸漬時間の長短、もしくは浸漬工程時のハンダ浴の温度により、被覆層の厚みを制御できることが確認できた。

【0114】

なお、表２Ａに示す各実施例を比較すると、フィレット角度θが３５度以上である実施例１３よりも、フィレット角度θが３５度未満である他の実施例（１１，１２，１４，１５）のほうが、クラック発生率が低減していることが確認できた。

【0115】

次に、表２Ｂに基づいて、浸漬工程の条件（浸漬時間、ハンダ浴温度）とまた裂き強度特性との関係性について、考察する。表２Ｂに示すように、浸漬時間を振った場合（実施例２１～２３を比較した場合）、浸漬時間が長い実施例２３において、最もまた裂き強度が高い結果となった。浸漬工程におけるハンダ浴への浸漬時間は、被覆層９に含まれるＣ_６Ｓｎ_５の結晶成長に影響を与えていると推測され、Ｃ_６Ｓｎ_５の成長度合いは、セラミック電子部品の強度特性に影響を及ぼすと考えられる。

【0116】

また、表２Ｂに示すように、浸漬工程でのハンダ浴温度を変更した場合（実施例２４と２５とを比較した場合）、実施例２５よりも、ハンダ浴温度が低い実施例２４のほうが、また裂き強度が高い結果となった。浸漬工程においてハンダ浴温度が低いと、Ｃｕ_３Ｓｎの生成が抑制されＣｕ_６Ｓｎ_５の割合が高くなると推測され、被覆層９中のＣｕ_６Ｓｎ_５の割合は、セラミック電子部品の強度特性に影響を及ぼすと考えられる。

【0117】

なお、表２Ｂに示すように、実施例２１～２５のまた裂き強度は、いずれも比較例２のまた裂き強度よりも、向上していることが確認できた。特に、実施例２３および２４の場合、比較例２に対して約１．５倍となった。

【符号の説明】

【0118】

２ … セラミック電子部品
４ … セラミック素体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
６ … 端子電極
６ａ … 端面側電極
６ｂ … 側面側電極
８ … リード端子
８ａ … 端子電極対向部
８ｂ … 素子接合部
８ｃ … 曲折部
８ｃ１ … 曲折部の上方側
８ｃ２ … 曲折部の下方側（キンク）
８ｄ … リード脚部（基板実装部）
９ … 被覆層
１０ … ハンダ
１０ａ … フィレット
１０ａｂ１，１０ａｂ２ … フィレットの外縁部
２０ … 外装
８０ … 導電性線材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】