特許 7410811 液供給ユニット、基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-12-26

(45)【発行日】2024-01-10

(54)【発明の名称】液供給ユニット、基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20231227BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648K

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2020110237

(22)【出願日】2020-06-26

(65)【公開番号】P2021007148

(43)【公開日】2021-01-21

【審査請求日】2021-10-20

(31)【優先権主張番号】10-2019-0076767

(32)【優先日】2019-06-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】ヤン，サンタエ

(72)【発明者】

【氏名】ジュン，ブヨン

(72)【発明者】

【氏名】チョー，スン ファン

【審査官】安田 雅彦

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０６６５０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１２４１８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２００９－００４７２５１（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開平１１－２２６３８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０７９９９５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４－２１／３０８

Ｈ０１Ｌ ２１／０２ －２１／０３３

Ｂ０８Ｂ ３／００ － ３／１４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する装置において、
内部に処理空間を有するハウジングと、
前記ハウジング内で基板を支持する支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板に処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに前記処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、
前記液供給ユニットは、
前記処理液が貯蔵される貯蔵空間を有する容器と、
前記容器で前記ノズルに前記処理液が流れるようにする液供給管と、
前記ノズルに前記処理液が供給される前に前記処理液にマイクロ波を印加するマイクロ波の印加部材と、
前記液供給管に設置されて、前記ノズルへ供給される処理液中の不純物を濾過するフィルターを含み、
前記マイクロ波の印加部材は、前記フィルターより上流に配置されて前記処理液において不純物を凝集させ、
前記処理液は、有機物を含む液である基板処理装置。

【請求項2】

前記液供給管には、
前記フィルターより上流にバルブが設置され、
前記バルブより下流に前記マイクロ波の印加部材が設置される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記液供給管には、
前記フィルターより上流にポンプが設置され、
前記ポンプより下流に前記マイクロ波の印加部材が設置される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記液供給管には、
前記フィルターより上流に流量計が設置され、
前記流量計より下流に前記マイクロ波の印加部材が設置される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記マイクロ波の印加部材は、前記容器に設置されて前記容器内の処理液にマイクロ波を印加する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記容器は、前記容器内に配置され、前記マイクロ波の印加部材を囲むカバーをさらに含み、前記カバーは、マイクロ波が透過する材質で提供され、
前記容器は、マイクロ波が透過しない材質で提供されてマイクロ波が前記容器の外部に流出されることを遮断する請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記マイクロ波の印加部材は、
前記液供給管に設置される請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記マイクロ波の印加部材は、
前記処理液で不純物を凝集させるための第１マイクロ波を印加する第１マイクロ波の印加部材であり、
前記液供給ユニットは、前記処理液を加熱するための第２マイクロ波を印加する第２マイクロ波の印加部材をさらに含み、
前記第２マイクロ波の印加部材は、第１マイクロ波の印加部材より低い出力のマイクロ波を提供する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１マイクロ波の印加部材は、前記フィルターより上流に配置し、前記第２マイクロ波の印加部材は、前記フィルターより下流に配置される請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記液供給管には、
前記フィルターより上流にバルブが設置され、
前記バルブより下流に前記第１マイクロ波の印加部材が設置される請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記液供給管には、
前記フィルターより上流にポンプが設置され、
前記ポンプより下流に前記第１マイクロ波の印加部材が設置される請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記液供給管には、
前記フィルターより上流に流量計が設置され、
前記流量計より下流に前記第１マイクロ波の印加部材が設置される請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項13】

処理液が貯蔵される貯蔵空間を有する容器と、
前記容器でノズルに前記処理液が流れるようにする液供給管と、
前記ノズルに前記処理液が供給される前に前記処理液にマイクロ波を印加して前記処理液で不純物を凝集させるための第１マイクロ波を印加する第１マイクロ波の印加部材と、
前記液供給管に設置されて前記ノズルに供給される処理液中の不純物を濾過するフィルターと、を含み、
前記第１マイクロ波の印加部材は、前記フィルターより上流に配置されて前記処理液において不純物を凝集させ、
前記処理液は、有機物を含む液である液供給ユニット。

【請求項14】

前記処理液を加熱するための第２マイクロ波を印加する第２マイクロ波の印加部材をさらに含み、
前記第２マイクロ波の印加部材は、第１マイクロ波の印加部材より低い出力のマイクロ波を提供する請求項１３に記載の液供給ユニット。

【請求項15】

前記第２マイクロ波の印加部材は、前記フィルターより下流に配置される請求項１４に記載の液供給ユニット。

【請求項16】

前記第２マイクロ波の印加部材は、前記ノズルに隣接するように提供される請求項１４又は請求項１５に記載の液供給ユニット。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理方法及び基板処理装置に関り、さらに詳細には基板に液を供給して基板を液処理する基板処理方法及び基板処理装置に係る。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を製造するためには写真、蒸着、アッシング、蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。また、このような工程が遂行される前後には基板上に残留されたパーティクルを洗浄処理する洗浄工程が遂行される。

【0003】

洗浄工程は、多様な種類の洗浄液を使用して遂行されるのに、このような基板洗浄工程の時、使用される洗浄液の中でイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ、以下、‘ＩＰＡ’）は表面張力が低いので、基板を洗浄するために広く使用される。

【0004】

普通、ＩＰＡを利用する基板洗浄装置はＩＰＡ供給ユニット及び洗浄ユニットを含む。ＩＰＡ供給ユニットは中央ケミカル供給するシステム（ＣＣＳＳ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｕｐｐｌｙ Ｓｙｓｔｅｍ）を含む。例えば、中央ケミカル供給するシステムは多様な種類の薬液タンク及び薬液タンクから洗浄ユニットにＩＰＡを供給する供給ラインを含む。

【0005】

普通、加圧ガス（例えば、窒素ガス）に薬液タンクを加圧して、薬液タンク内ＩＰＡを洗浄ユニットに供給し、この時、ＩＰＡを乗温するために薬液タンク又は供給ラインの内部にヒーターが挿入される。ヒーターは主に熱線が使用される。洗浄ユニットはＩＰＡ供給ユニットから供給されたＩＰＡを基板に噴射して基板の上の異物を除去する。

【0006】

しかし、前記のような基板洗浄装置はＩＰＡの不純物及び温度管理が困難な問題点がある。

【0007】

例えば、前記のような基板洗浄装置で基板洗浄工程が実施されない場合、洗浄ユニットに洗浄液を供給する供給ラインにＩＰＡが停滞されて有機不純物が発生される。また、ヒーターが洗浄液供給ライン或いはＩＰＡを保管するタンクの内部に位置する場合、ヒーターが洗浄液を汚染させることができる。

【0008】

このような有機不純物又は汚染物には供給ラインに設置されたフィルターによってにも濾過されていないサイズのパーティクルが存在し、このようなパーティクルを含むＩＰＡを基板に噴射する場合、パーティクルが基板に吸着されて基板の洗浄が効果的に行われない。

【0009】

従来の熱線を含むヒーターの場合、ＩＰＡを乗温させるのに相当な時間が所要される。また、基板に望む温度のＩＰＡを供給するために難しさがある。例えば、洗浄液が液供給管に沿って移動されながら、その温度がだんだん低下されて設定温度より低い温度のＩＰＡが基板に噴射されるようになる。

【0010】

このようにＩＰＡ内にパーティクルが含まれているか、或いはＩＰＡの温度が十分に高くない場合、基板の洗浄効率が低下する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0011】

【文献】韓国特許公開第１０－２０２０－０００１４８１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0012】

本発明の目的は洗浄効率を向上されることができる基板処理方法及び装置を提供することにある。

【0013】

本発明の目的は洗浄液内の不純物を効率的に除去する基板処理装置及び方法を提供することにある。

【0014】

本発明の目的は洗浄液を望む温度に短時間に乗温させる基板処理装置及び方法を提供することにある。

【0015】

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0016】

本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態によれば、基板を処理する装置は、内部に処理空間を有するハウジングと、ハウジング内で基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに支持された基板に処理液を吐出するノズルと、ノズルに処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、液供給ユニットは、処理液が貯蔵される貯蔵空間を有する容器と、容器でノズルに処理液が流れるようにする液供給管と、ノズルに処理液が供給される前に処理液にマイクロ波を印加するマイクロ波の印加部材と、を含むことができる。

【0017】

一実施形態によれば、液供給管に設置されてノズルに供給される処理液で不純物を濾過するフィルターをさらに含むことができる。

【0018】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材はフィルターより上流に配置されて処理液で不純物を凝集させることができる。

【0019】

一実施形態によれば、液供給管にはフィルターより上流にバルブが設置され、マイクロ波の印加部材はバルブより下流に設置されることができる。

【0020】

一実施形態によれば、液供給管にはフィルターより上流にポンプが設置され、マイクロ波の印加部材はポンプより下流に設置されることができる。

【0021】

一実施形態によれば、液供給管にはフィルターより上流に流量計が設置され、マイクロ波の印加部材は流量計より下流に設置されることができる。

【0022】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材はフィルターより下流に配置されて処理液を加熱させることができる。

【0023】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材はノズルに隣接するように提供されることができる。

【0024】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材は容器に設置されて容器内の処理液にマイクロ波を印加することができる。

【0025】

一実施形態によれば、容器は内に配置し、マイクロ波の印加部材を囲むカバーをさらに含み、カバーはマイクロ波が透過する材質で提供され、容器はマイクロ波が透過しない材質で提供されてマイクロ波が容器の外部に流出されることを遮断することができる。

【0026】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材は、液供給管に設置されることができる。

【0027】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材は、処理液で不純物を凝集させるための第１マイクロ波を印加する第１マイクロ波の印加部材と、処理液を加熱するための第２マイクロ波を印加する第２マイクロ波の印加部材と、をさらに含み、第２マイクロ波の印加部材は第１マイクロ波の印加部材より低い出力のマイクロ波を提供することができる。

【0028】

一実施形態によれば、液供給管に設置されてノズルに供給される処理液で不純物を濾過するフィルターをさらに含み、第１マイクロ波の印加部材はフィルターより上流に配置し、第２マイクロ波の印加部材はフィルターより下流に配置されることができる。

【0029】

一実施形態によれば、液供給管にはフィルターより上流にバルブが設置され、第１マイクロ波の印加部材はバルブより下流に設置されることができる。

【0030】

一実施形態によれば、液供給管にはフィルターより上流にポンプが設置され、第１マイクロ波の印加部材はポンプより下流に設置されることができる。

【0031】

一実施形態によれば、液供給管にはフィルターより上流に流量計が設置され、第１マイクロ波の印加部材は流量計より下流に設置されることができる。

【0032】

また、本発明は液供給ユニットを提供する。一実施形態によれば、液供給ユニットは、処理液が貯蔵される貯蔵空間を有する容器と、容器でノズルに処理液が流れるようにする液供給管と、液供給管に設置されてノズルに供給される処理液で不純物を濾過するフィルターと、ノズルに処理液が供給される前に処理液にマイクロ波を印加して処理液で不純物を凝集させるための第１マイクロ波を印加する第１マイクロ波の印加部材と、を含むことができる。

【0033】

一実施形態によれば、処理液を加熱するための第２マイクロ波を印加する第２マイクロ波の印加部材をさらに含み、第２マイクロ波の印加部材は第１マイクロ波の印加部材より低い出力のマイクロ波を提供することができる。

【0034】

一実施形態によれば、第１マイクロ波の印加部材はフィルターより上流に配置し、第２マイクロ波の印加部材はフィルターより下流に配置されることができる。

【0035】

一実施形態によれば、第２マイクロ波の印加部材はノズルに隣接するように提供されることができる。

【0036】

一実施形態によれば、処理液は有機物を含むことができる。

【0037】

また、本発明は基板処理方法を提供する。一実施形態によれば、基板上に処理液を供給して基板を処理し、処理液に第１マイクロ波を印加して処理液内の不純物を凝集させ、その後に処理液が基板に供給される前に処理液内で凝集された不純物をフィルターで濾過させることができる。

【0038】

一実施形態によれば、処理液に第２マイクロ波を印加して処理液が基板に供給される前に処理液を加熱することができる。

【0039】

一実施形態によれば、第２マイクロ波は第１マイクロ波より出力がさらに低いことができる。

【0040】

一実施形態によれば、第２マイクロ波はフィルターを通過した処理液が基板に供給される前に処理液に印加されることができる。

【0041】

一実施形態によれば、処理液は有機溶剤である。

【0042】

一実施形態によれば、処理液はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

【発明の効果】

【0043】

本発明の一実施形態によれば、フィルターを通過する前に処理液にマイクロ波を印加して処理液の内部の不純物を凝集させるので、フィルターによる濾過効率を向上させることができる。

【0044】

また、本発明の一実施形態によれば、処理液にマイクロ波を印加して短時間に処理液を加温させることができる。

【0045】

また、本発明の一実施形態によれば、ノズル付近で処理液にマイクロ波を印加するので、設定温度より低い温度の洗浄液が基板に供給される現象を防止することができる。

【0046】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0047】

【図1】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。

【図2】図１の液処理チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。

【図3】本発明の一実施形態による液供給ユニットを概略的に示す図面である。

【図4】本発明の一実施形態による液供給ユニットを概略的に示す図面である。

【図5】本発明の一実施形態による液供給ユニットを概略的に示す図面である。

【図6】本発明の一実施形態による処理液が収容された容器内部を概略的に示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0048】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることと解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。

【0049】

本実施形態には基板をケミカル処理及びリンス処理する洗浄工程を一例として説明する。しかし、本実施形態は洗浄工程に限定されななく、蝕刻工程、アッシング工程、現象工程等、処理液を利用して基板を処理する工程に適用可能である。

【0050】

図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。図１を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０と処理モジュール２０を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向９２とし、上部から見る時、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４と全て垂直になる方向を第３方向９６とする。

【0051】

インデックスモジュール１０は収納された容器８０から基板Ｗを処理モジュール２０に搬送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の横方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２（ｌｏａｄｐｏｒｔ）とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。

【0052】

容器８０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。

【0053】

インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には横方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板Ｗが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。

【0054】

処理モジュール２０はバッファユニット２００、搬送チャンバー３００、液処理チャンバー４００を含む。バッファユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板Ｗと処理モジュール２０から搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。液処理チャンバー４００は基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する。搬送チャンバー３００はバッファユニット２００と液処理チャンバー４００との間に基板Ｗを搬送する。

【0055】

搬送チャンバー３００はその横方向が第１の方向９２に提供されることができる。バッファユニット２００はインデックスモジュール１０と搬送チャンバー３００との間に配置されることができる。液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバー４００と搬送チャンバー３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファユニット２００は搬送チャンバー３００の一端に位置されることができる。

【0056】

一例によれば、液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の両側に配置し、搬送チャンバー３００の一側で液処理チャンバー４００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。

【0057】

搬送チャンバー３００は搬送ロボット３２０を有する。搬送チャンバー３００内には横方向が第１の方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、搬送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。搬送ロボット３２０は基板Ｗが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。

【0058】

バッファユニット２００は基板Ｗが置かれる複数のバッファ２２０を具備する。バッファ２２０は第３方向９６に沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファユニット２００は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と後面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー３００と対向する面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファユニット２００に接近し、搬送ロボット３２０は後面を通じてバッファユニット２００に接近することができる。

【0059】

図２は図１の液処理チャンバー４００の一実施形態を概略的に示す図面である。図２を参照すれば、液処理チャンバー４００はハウジング４１０、カップ４２０、支持ユニット４４０、液吐出ユニット４６０、そして昇降ユニット４８０を有する。

【0060】

ハウジング４１０は大体に直方体形状に提供される。カップ４２０、支持ユニット４４０、そして液吐出ユニット４６０はハウジング４１０内に配置される。

【0061】

カップ４２０は上部が開放された処理空間を有し、基板Ｗは処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内で基板Ｗを支持する。液吐出ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板Ｗ上に液を供給する。液は複数の種類に提供され、基板Ｗ上に順次的に供給されることができる。昇降ユニット４８０はカップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。

【0062】

一例によれば、カップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を有する。回収筒４２２、４２４、４２６は各々基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。各々の回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状に提供される。液処理工程が進行する時、基板Ｗの回転によって飛散される処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２ａ、４２４ａ、４２６ａを通じて回収空間に流入される。

【0063】

一例によれば、カップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４に液を流入する第２流入口４２４ａは第１回収筒４２２に液を流入する第１流入口４２２ａより上部に位置され、第３回収筒４２６に液を流入する第３流入口４２６ａは第２流入口４２４ａより上部に位置されることができる。

【0064】

支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は大体に円形に提供され、基板Ｗより大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板Ｗの後面を支持する支持ピン４４２ａが提供され、支持ピン４４２ａは基板Ｗが支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突出されるように提供される。

【0065】

支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２ｂが提供される。チャックピン４４２ｂは支持板４４２から上部に突出されるように提供され、基板Ｗが回転される時、基板Ｗが支持ユニット４４０から離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。駆動軸４４４は駆動器４４６によって駆動され、基板Ｗの底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準に回転させる。

【0066】

昇降ユニット４８０はカップ４２０を上下方向に移動させる。カップ４２０の上下移動によってカップ４２０と基板Ｗとの間の相対高さが変更される。これによって、基板Ｗに供給される液の種類に応じて処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液を分離回収することができる。上述したことと異なりに、カップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。

【0067】

液吐出ユニット４６０は処理液を基板Ｗに供給する。液吐出ユニット４６０はアーム４６１とアーム４６１の終端に固定結合されて基板Ｗに液を吐出させるノズル４６２を含む。

【0068】

一例によれば、液吐出ユニット４６０は複数が提供され、互いに異なる種類の処理液を基板Ｗに供給することができる。処理液はケミカル、リンス液、そして有機溶剤等を含むことができる。例えば、ケミカルは希釈された硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４、Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）、リン酸（Ｐ２Ｏ_５）、フッ酸（ＨＦ）そして水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）を含むことができる。リンス液は純水である。

【0069】

液供給ユニット５００は液吐出ユニット４６０に処理液を供給する。以下、図３下では液供給ユニットが処理液としてイソプロピルアルコールのような有機溶剤を供給することを例として説明する。図３乃至図６を参照して本発明の一例を詳細に説明する。

【0070】

上述したように、液吐出ユニット４６０で供給される処理液はケミカル、リンス液、そして有機溶剤等を含むことができる。下の実施形態では基板Ｗを乾燥させるために有機溶剤が供給されることと説明する。一実施形態として有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

【0071】

液供給ユニット５００は処理液供給源５１０、容器５２０、液供給管５４０、フィルター５６０、及びマイクロ波の印加部材５８０を含むことができる。

【0072】

処理液供給源５１０は容器５２０にＩＰＡを供給する。処理液供給源５１０と容器５２０はインレット管５４１によって連結され、インレット管５４１にはバルブ５５２が設置される。バルブ５５２は開閉バルブ又は流量調節バルブである。容器５２０は処理液供給源５１０からＩＰＡが供給されて貯蔵する。容器５２０内の処理液はノズル４６２に供給される。容器５２０とノズル４６２は液供給管５４０によって連結される。

【0073】

マイクロ波の印加部材５８０はノズル４６２にＩＰＡが供給される前にＩＰＡにマイクロ波を印加してＩＰＡ内部の不純物を凝集させるか、或いはＩＰＡの温度を上昇させる。

【0074】

図３は液供給ユニット５００の一実施形態を概略的に示す図面である。図３を参照すれば、マイクロ波の印加部材５８０はフィルター５６０より上流に配置されて液供給管５４０に流れるＩＰＡ液にマイクロ波を印加する。これによって、液供給管５４０に流れるＩＰＡ液がフィルターに到達する前にＩＰＡ液で不純物が凝集されて不純物のサイズが大きくなる。

【0075】

一般的にフィルター５６０を通じて濾過される粒子のサイズには限界があるので、微細なサイズの粒子はフィルター５６０によって濾過されない。特に、ＩＰＡ液の内部に存在する有機不純物の場合、フィルター５６０によって濾過されない微細なサイズが存在する。したがって、液供給管５４０にフィルター５６０が設置されているにも拘らず、ノズル４６２に供給されるＩＰＡ液の内部に相変わらず、微細なサイズの不純物が存在する。

【0076】

マイクロ波の印加部材５８０はフィルター５６０より上流でＩＰＡ液にマイクロ波を印加する。これによって、ＩＰＡ液の内部に存在する微細なサイズの有機不純物は凝集され、ＩＰＡ液がフィルター５６０を通過する時、凝集されたＩＰＡ内部の有機不純物はフィルター５６０によって大部分濾過される。

【0077】

液供給管５４０にはバルブ５５４と流量計５５６が設置されることができる。バルブ５５４は容器５２０から供給されるＩＰＡ液の流量を調節することができる。バルブ５５４は開閉バルブであるか、或いは流量調節バルブである。流量計５５６は液供給管５４０に流れるＩＰＡ液の流量を直接又は間接的に測定することができる。

【0078】

一実施形態によれば、マイクロ波の印加部材５８０はフィルター５６０より上流に配置され、液供給管５４０に設置されるバルブ５５４、ポンプ５５８、流量計５５６より下流に配置される。これはＩＰＡ液がバルブ５５４、ポンプ５５８、又は流量計５５６等を通過する時、発生する不純物がフィルター５６０によって濾過されるようにする。

【0079】

液供給管５４０でＩＰＡの流れが停滞される場合、ＩＰＡの内部に不純物が発生する。これを防止するために従来の液供給ユニット５００はＩＰＡの継続的な流動のためにＩＰＡ循環経路を必須的に含む。しかし、本発明はフィルター５６０の前段でＩＰＡの内部の不純物を凝集させて不純物がフィルター５６０で濾過されるようにするので、ＩＰＡの循環経路を短縮させるか、或いは省略することができる。

【0080】

図４は本発明の液供給ユニット５００の他の実施形態を示す。図４を参照すれば、マイクロ波の印加部材５８０はフィルター５６０より下流に配置される。マイクロ波の印加部材５８０はＩＰＡを加熱させることができる。

【0081】

マイクロ波はＩＰＡに分子単位に作用するので、従来の熱線を備えたヒーターを通じてＩＰＡを加温させる時よりＩＰＡを望む工程温度に乗温させるのに所要される時間が短縮される。また、従来の熱線と異なりにマイクロ波はその電源供給が遮断される場合、マイクロ波の印加部材５８０に残熱を残さないので、温度制御が容易である。

【0082】

ＩＰＡが液供給管５４０に沿って移動し、ＩＰＡの温度は下降する。マイクロ波の印加部材５８０がノズル４６２から遠く配置される場合、加熱によって工程温度に乗温されたＩＰＡ液が液供給管５４０をしたがって流れる間に温度が下がって、基板Ｗに供給される時にＩＰＡ液の温度は要求される工程温度より低くなる。これを防止するためにマイクロ波の印加部材５８０は、ノズル４６２に隣接するように提供されて基板ＷにＩＰＡが供給される直前にＩＰＡを望む工程温度に乗温させることができる。

【0083】

選択的にフィルター５６０より上流の位置でヒーターによってＩＰＡ液の温度が工程温度に加熱され、マイクロ波の印加部材はフィルター５６０を通過した後、ノズル４６２に供給される間に下降されたＩＰＡ液の温度を補償するように提供されることができる。

【0084】

図５は液供給ユニット５００のその他の実施形態を概略的に示す図面である。図５を参照すれば、液供給ユニット５００は第１マイクロ波の印加部材５８１と第２マイクロ波の印加部材５８２を含む。第１マイクロ波の印加部材５８１は図３のマイクロ波の印加部材５８０と類似に提供されて、ＩＰＡ液の内部に不純物を凝集させる。第２マイクロ波の印加部材５８２は図４のマイクロ波の印加部材５８０と類似に提供されてノズル４６２に供給される直前にＩＰＡ液を加熱する。即ち、第１マイクロ波の印加部材５８１はフィルター５６０より上流に配置し、第２マイクロ波の印加部材５８２はフィルター５６０より下流に配置される。

【0085】

マイクロ波の出力を大きくするほど、ＩＰＡの内部の不純物はさらによく凝集され、ＩＰＡの温度はさらに高く上昇される。この時、マイクロ波の印加部材５８０の出力を十分に大きくしない場合、ＩＰＡの内部に不純物がよく凝集されない。一般的にＩＰＡ液は約８２℃で沸騰し、基板処理に使用する時にはこれより低い温度で使用する。

【0086】

第２マイクロ波の印加部材５８２はＩＰＡ液を望む工程温度まで乗温させることができる出力でＩＰＡ液にマイクロ波を印加し、第１マイクロ波の印加部材５８１は十分に大きい出力でマイクロ波をＩＰＡ液に印加してＩＰＡ液の内部に不純物を凝集させる。例えば、第１マイクロ波の印加部材５８１は第２マイクロ波の印加部材５８２よりさらに大きい出力でＩＰＡ液にマイクロ波を印加することができる。

【0087】

図３及び図４ではマイクロ波の印加部材５８０が液供給管５４０に設置されることと説明した。しかし、これと異なりにマイクロ波の印加部材５８０は図６のように容器５２０に設置されて容器５２０内の処理液にマイクロ波を印加することができる。

【0088】

マイクロ波の印加部材５８０は容器５２０内のＩＰＡ液で不純物を凝集させる機能を遂行することができる。また、マイクロ波の印加部材５８０は容器５２０内のＩＰＡ液を加熱する機能を遂行することができる。ＩＰＡ液で不純物の凝集とＩＰＡ液の加熱は同時に行われることができる。

【0089】

図６を参照すれば、マイクロ波の印加部材５８０は容器５２０の内部に設置される。容器５２０はその内部に挿入されたマイクロ波の印加部材５８０を囲むカバー５２２をさらに含むことができる。カバー５２２はマイクロ波が透過する材質で提供されて容器５２０の内部に収容されたＩＰＡにマイクロ波が伝達されるようにする。容器５２０の外側材質はマイクロ波が透過しない材質で提供されてマイクロ波が容器５２０の外部に流出されることを遮断することができる。一実施形態で、カバーはテフロン（Ｔｅｆｌｏｎ）であり、容器５２０の外側材質はステンレススチールである。

【0090】

以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。

【符号の説明】

【0091】

４６２ ノズル
５００ 液供給ユニット
５２０ 容器
５４０ 液供給管
５６０ フィルター
５８０ マイクロ波の印加部材
５８１ 第１マイクロ波の印加部材
５８２ 第２マイクロ波の印加部材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】