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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-05
(45)【発行日】2024-01-16
(54)【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 29/78 20060101AFI20240109BHJP
H01L 29/41 20060101ALI20240109BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20240109BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 652B
H01L29/44 Y
H01L29/78 652C
H01L29/78 652K
H01L29/78 652M
H01L29/78 653C
H01L29/78 658A
H01L29/78 658F
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020154752
(22)【出願日】2020-09-15
(65)【公開番号】P2022048752
(43)【公開日】2022-03-28
【審査請求日】2022-06-23
(73)【特許権者】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(73)【特許権者】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004026
【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ
(72)【発明者】
【氏名】馬場 祥太郎
(72)【発明者】
【氏名】小林 勇介
(72)【発明者】
【氏名】加藤 浩朗
(72)【発明者】
【氏名】西口 俊史
【審査官】上田 智志
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３３７２３６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００４－０３１３８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１８６５０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０６０２９８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３３６、２９／４１、２９／７８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１導電部材と、半導体部材であって、前記半導体部材は、
前記第１導電部材の上に設けられた第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の一部の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた前記第１導電形の第３半導体領域であって、前記第３半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度は、前記第１半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度よりも高い、前記第３半導体領域と、
を含む、前記半導体部材と、
前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１導電部分を含む第２導電部材と、
前記第１半導体領域の他部の上に設けられた第３導電部材であって、前記第２半導体領域から前記第３導電部材への第２方向は、前記第１導電部材から前記第１半導体領域への第１方向と交差する、前記第３導電部材と、
第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間にあり、前記第１絶縁部材の前記少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間を電気的に絶縁する、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の前記一部と対向する第１面を含み、前記第１面は、前記第１絶縁部材と接する第１接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第１面の下端部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第１導電部材と前記第１接触部分との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短く、
前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域と対向する第２面を含み、前記第２面は、前記第１絶縁部材と接する第２接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第２面の下端部との間の前記第１方向に沿う第３距離は、前記第１導電部材と前記第２接触部分との間の前記第１方向に沿う第４距離よりも短く、
前記第３距離は、前記第１導電部材と前記第３導電部材の上端部との間の前記第１方向に沿う距離よりも短く、
前記第４距離は、前記第１導電部材と前記第３導電部材の前記上端部との間の前記第１方向に沿う前記距離よりも長い、半導体装置。
【請求項2】
前記第１距離は、前記第１導電部材と前記第３導電部材の下端部との間の前記第１方向に沿う距離よりも短い、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
第１導電部材と、半導体部材であって、前記半導体部材は、
前記第１導電部材の上に設けられた第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の一部の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた前記第１導電形の第３半導体領域であって、前記第３半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度は、前記第１半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度よりも高い、前記第３半導体領域と、
を含む、前記半導体部材と、
前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１導電部分を含む第２導電部材と、
前記第１半導体領域の他部の上に設けられた第３導電部材であって、前記第２半導体領域から前記第３導電部材への第２方向は、前記第１導電部材から前記第１半導体領域への第１方向と交差する、前記第３導電部材と、
第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間にあり、前記第１絶縁部材の前記少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間を電気的に絶縁する、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の前記一部と対向する第１面を含み、前記第１面は、前記第１絶縁部材と接する第１接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第１面の下端部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第１導電部材と前記第１接触部分との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短く、
前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域と対向する第２面を含み、前記第２面は、前記第１絶縁部材と接する第２接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第２面の下端部との間の前記第１方向に沿う第３距離は、前記第１導電部材と前記第２接触部分との間の前記第１方向に沿う第４距離よりも短く、
前記第１距離は、前記第１導電部材と前記第３導電部材の下端部との間の前記第１方向に沿う距離よりも短い、半導体装置。
【請求項4】
前記第１絶縁部材は、前記第３半導体領域の上に設けられた上部絶縁領域を含み、前記上部絶縁領域の上面は、前記上部絶縁領域の前記上面の前記第２方向の端部に設けられた突出部を含む、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項5】
第１導電部材と、半導体部材であって、前記半導体部材は、
前記第１導電部材の上に設けられた第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の一部の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた前記第１導電形の第３半導体領域であって、前記第３半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度は、前記第１半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度よりも高い、前記第３半導体領域と、
を含む、前記半導体部材と、
前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１導電部分を含む第２導電部材と、
前記第１半導体領域の他部の上に設けられた第３導電部材であって、前記第２半導体領域から前記第３導電部材への第２方向は、前記第１導電部材から前記第１半導体領域への第１方向と交差する、前記第３導電部材と、
第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間にあり、前記第１絶縁部材の前記少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間を電気的に絶縁する、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の前記一部と対向する第１面を含み、前記第１面は、前記第１絶縁部材と接する第１接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第１面の下端部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第１導電部材と前記第１接触部分との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短く、
前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域と対向する第２面を含み、前記第２面は、前記第１絶縁部材と接する第２接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第２面の下端部との間の前記第１方向に沿う第３距離は、前記第１導電部材と前記第２接触部分との間の前記第１方向に沿う第４距離よりも短く、
前記第１絶縁部材は、前記第３半導体領域の上に設けられた上部絶縁領域を含み、
前記上部絶縁領域の上面は、前記上部絶縁領域の前記上面の前記第２方向の端部に設けられた突出部を含む、半導体装置。
【請求項6】
前記第１絶縁部材は、前記第３半導体領域の上に設けられた上部絶縁領域を含み、前記上部絶縁領域は、第１絶縁部分及び第２絶縁部分を含み、
前記第１絶縁部分は前記第１導電部分と前記第２絶縁部分との間にあり、
前記第１絶縁部分の前記第１方向に沿う第１厚さは、前記第２絶縁部分の前記第１方向に沿う第２厚さよりも薄い、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項7】
第１導電部材と、半導体部材であって、前記半導体部材は、
前記第１導電部材の上に設けられた第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の一部の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた前記第１導電形の第３半導体領域であって、前記第３半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度は、前記第１半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度よりも高い、前記第３半導体領域と、
を含む、前記半導体部材と、
前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１導電部分を含む第２導電部材と、
前記第１半導体領域の他部の上に設けられた第３導電部材であって、前記第２半導体領域から前記第３導電部材への第２方向は、前記第１導電部材から前記第１半導体領域への第１方向と交差する、前記第３導電部材と、
第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間にあり、前記第１絶縁部材の前記少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間を電気的に絶縁する、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の前記一部と対向する第１面を含み、前記第１面は、前記第１絶縁部材と接する第１接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第１面の下端部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第１導電部材と前記第１接触部分との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短く、
前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域と対向する第２面を含み、前記第２面は、前記第１絶縁部材と接する第２接触部分を含み、前記第１導電部材と前記第２面の下端部との間の前記第１方向に沿う第３距離は、前記第１導電部材と前記第２接触部分との間の前記第１方向に沿う第４距離よりも短く、
前記第１絶縁部材は、前記第３半導体領域の上に設けられた上部絶縁領域を含み、
前記上部絶縁領域は、第１絶縁部分及び第２絶縁部分を含み、
前記第１絶縁部分は前記第１導電部分と前記第２絶縁部分との間にあり、
前記第１絶縁部分の前記第１方向に沿う第１厚さは、前記第２絶縁部分の前記第１方向に沿う第２厚さよりも薄い、半導体装置。
【請求項8】
第１導電部材と、半導体部材であって、前記半導体部材は、
前記第１導電部材の上に設けられた第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の一部の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた前記第１導電形の第３半導体領域であって、前記第３半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度は、前記第１半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度よりも高い、前記第３半導体領域と、
を含む、前記半導体部材と、
前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１導電部分を含む第２導電部材と、
前記第１半導体領域の他部の上に設けられた第３導電部材であって、前記第２半導体領域から前記第３導電部材への第２方向は、前記第１導電部材から前記第１半導体領域への第１方向と交差する、前記第３導電部材と、
第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材の少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間にあり、前記第１絶縁部材の前記少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間を電気的に絶縁する、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１絶縁部材は、前記第３半導体領域の上に設けられた上部絶縁領域を含み、
前記上部絶縁領域の上面は、前記上部絶縁領域の前記上面の前記第２方向の端部に設けられた突出部を含む、半導体装置。
【請求項9】
第４導電部材をさらに備え、前記第４導電部材の少なくとも一部は、前記第１半導体領域の前記他部と、前記第３導電部材と、の間にあり、
前記第１絶縁部材の一部は、前記半導体部材と前記第４導電部材との間にあり、前記第１絶縁部材の前記一部は、前記半導体部材と、前記第４導電部材と、の間を電気的に絶縁し、
前記第４導電部材は、前記第２導電部材及び前記第３導電部材の一方と電気的に接続されている、または、前記第４導電部材と電気的に接続された端子と前記第２導電部材と電気的に接続された端子とが接続部材により電気的に接続される、請求項１～８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項10】
第１導電形の第１半導体領域を含む半導体部材と、前記第１半導体領域の一部の上に設けられた上部絶縁領域を含む第１絶縁部材と、２つの導電部材と、を含む構造体を準備し、前記第１半導体領域の前記一部から前記上部絶縁領域への第１方向は、前記２つの導電部材の１つから前記２つの導電部材の別の１つへの第２方向と交差し、前記第１半導体領域の前記一部は、前記第２方向において、前記２つの導電部材の間にあり、前記上部絶縁領域の上面は、前記上部絶縁領域の前記上面の前記第２方向の端部に設けられた突出部を含み、前記上部絶縁領域を介して、第２導電形の不純物を、前記半導体部材の前記一部に導入して第２導電形の第２半導体領域を形成し、
前記上部絶縁領域を介して、前記第１導電形の不純物を、前記第２半導体領域の一部に導入して、前記第１導電形の第３半導体領域を形成する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置において、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１４－２７１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、特性の向上が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１導電部材と、半導体部材と、第２導電部材と、第３導電部材と、第１絶縁部材と、を含む。前記半導体部材は、前記第１導電部材の上に設けられた第１導電形の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の一部の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、前記第２半導体領域の上に設けられた前記第１導電形の第３半導体領域と、を含む。前記第３半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度は、前記第１半導体領域における前記第１導電形の不純物濃度よりも高い。前記第２導電部材は、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１導電部分を含む。前記第３導電部材は、前記第１半導体領域の他部の上に設けられる。前記第２半導体領域から前記第３導電部材への第２方向は、前記第１導電部材から前記第１半導体領域への第１方向と交差する。前記第１絶縁部材の少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間にある。前記第１絶縁部材の前記少なくとも一部は、前記半導体部材と前記第３導電部材との間を電気的に絶縁する。前記第２半導体領域は、前記第１半導体領域の前記一部と対向する第１面を含む。前記第１面は、前記第１絶縁部材と接する第１接触部分を含む。前記第１導電部材と前記第１面の下端部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第１導電部材と前記第１接触部分との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短い。前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域と対向する第２面を含む。前記第２面は、前記第１絶縁部材と接する第２接触部分を含む。前記第１導電部材と前記第２面の下端部との間の前記第１方向に沿う第３距離は、前記第１導電部材と前記第２接触部分との間の前記前記第１方向に沿う第４距離よりも短い。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
（第１実施形態）
図１及び図２は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１導電部材５１、第２導電部材５２、第３導電部材５３、半導体部材１０及び第１絶縁部材４１を含む。
図１及び図２は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１導電部材５１、第２導電部材５２、第３導電部材５３、半導体部材１０及び第１絶縁部材４１を含む。
【0009】
半導体部材１０は、第１半導体領域１１、第２半導体領域１２及び第３半導体領域１３を含む。後述するように、半導体部材１０は、第４半導体領域１４及び第５半導体領域１５を含んでも良い。
【0010】
第１半導体領域１１は、第１導電部材５１の上に設けられる。第１半導体領域１１は、第１導電形である。第２半導体領域１２は、第１半導体領域１１の一部１１ａの上に設けられる。第２半導体領域１２は、第２導電形である。第３半導体領域１３は、第２半導体領域１２の上に設けられる。第３半導体領域１３は、第１導電形である。
【0011】
例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形であるとする。
【0012】
第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度よりも高い。第１半導体領域１１は、例えば、ｎ層（ｎ－層を含む）である。例えば、第３半導体領域１３は、ｎ＋層である。
【0013】
第２導電部材５２は、第１導電部分５２ａを含む。第１導電部分５２ａは、第２半導体領域１２及び第３半導体領域１３と電気的に接続される。第３導電部材５３は、第１半導体領域１１の他部１１ｂの上に設けられる。
【0014】
第１導電部材５１から第１半導体領域１１への方向を第１方向とする。第１半導体領域１１の一部１１ａから第３半導体領域１３への方向は第１方向に沿う。第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【0015】
第２半導体領域１２から第３導電部材５３への第２方向は、第１方向と交差する。第２方向は、例えばＸ軸方向である。
【0016】
第１絶縁部材４１の少なくとも一部は、半導体部材１０と第３導電部材５３との間にある。第１絶縁部材４１の上記の少なくとも一部は、半導体部材１０と、第３導電部材５３と、の間を電気的に絶縁する。例えば、第１絶縁部材４１は、第１絶縁領域４１ａ及び第２絶縁領域４１ｂを含む。第１絶縁領域４１ａは、第２方向（Ｘ軸方向）において、第２半導体領域１２と第３導電部材５３との間にある。第２絶縁領域４１ｂは、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１半導体領域１１の他部１１ｂと、第３導電部材５３と、の間にある。
【0017】
例えば、第１導電部材５１と第２導電部材５２との間に流れる電流は、第３導電部材５３の電位により制御できる。第１導電部材５１は、例えば、ドレイン電極である。第２導電部材５２は、例えば、ソース電極である。第３導電部材５３は、例えば、ゲート電極である。第１絶縁部材４１の第１絶縁領域４１ａは、例えば、ゲート絶縁膜として機能する。半導体装置１１０は、例えば、トランジスタである。
【0018】
図１に示すように、半導体装置１１０は、第４半導体領域１４を含んでも良い。第４半導体領域１４は、第２導電形（例えば、ｐ形）である。第４半導体領域１４の少なくとも一部は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第２半導体領域１２の一部と第１導電部分５２ａとの間にある。第４半導体領域１４における第２導電形の不純物濃度は、第２半導体領域１２における第２導電形の不純物濃度よりも高い。第２半導体領域１２は、例えば、ｐ層である。第４半導体領域１４は、例えばｐ＋層である。第４半導体領域１４が設けられることで、例えば、第２半導体領域１２の電位が安定する。
【0019】
図１に示すように、半導体装置１１０は、第１導電形の第５半導体領域１５をさらに含んでも良い。第５半導体領域１５は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１導電部材５１と第１半導体領域１１との間にある。第５半導体領域１５における第１導電形の不純物濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度よりも高い。第１半導体領域１１は、例えば、ｎ層である。第５半導体領域１５は、例えばｎ＋層である。第５半導体領域１５が設けられることで、例えば、第１導電部材５１において、低いコンタクト抵抗が得られる。例えば、低いオン抵抗が得られる。
【0020】
既に説明したように、第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度よりも高い。第２導電部材５２において、低いコンタクト抵抗が得られる。例えば、低いオン抵抗が得られる。
【0021】
第２半導体領域１２は、例えば、ベース層である。第３半導体領域１３は、例えば、ソース層である。第１半導体領域１１の上記の一部１１ａは、ドリフト層である。
【0022】
図１に示すように、第２半導体領域１２は、第１面Ｆ１を含む。第１面Ｆ１は、第１半導体領域１１の上記の一部１１ａと対向する。第１面Ｆ１は、第１絶縁部材４１と接する第１接触部分ＦＣ１を含む。第１面Ｆ１の下端部ＦＬ１は、第１接触部分ＦＣ１よりも下にある。
【0023】
第３半導体領域１３は、第２面Ｆ２を含む。第２面Ｆ２は、第２半導体領域１２と対向する。第２面Ｆ２は、第１絶縁部材４１と接する第２接触部分ＦＣ２を含む。第２面Ｆ２の下端部ＦＬ２は、第２接触部分ＦＣ２よりも下にある。
【0024】
図２に示すように、第１導電部材５１と、第１面Ｆ１の下端部ＦＬ１と、の間の第１方向（Ｚ軸方向）に沿う距離を第１距離ｄ１とする。第１導電部材５１と、第１接触部分ＦＣ１と、の間の第１方向に沿う距離を第２距離ｄ２とする。実施形態においては、第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２よりも短い。
【0025】
図２に示すように、第１導電部材５１と、第２面Ｆ２の下端部ＦＬ２と、の間の第１方向（Ｚ軸方向）に沿う距離を第３距離ｄ３とする。第１導電部材５１と、第２接触部分ＦＣ２と、の間の第１方向に沿う距離を第４距離ｄ４とする。実施形態においては、第３距離ｄ３は、第４距離ｄ４よりも短い。
【0026】
例えば、第１面Ｆ１は、凸状である。第２面Ｆ２は、凸状である。１つの例において、第２面Ｆ２は、第１面Ｆ１に沿って凸状に曲がっている。
【0027】
このような構成により、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
【0028】
図３は、参考例に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３に示すように、参考例の半導体装置１１９においては、第１面Ｆ１は凹状であり、第２面Ｆ２は凹状である。このような半導体装置１１９においては、例えば、第２半導体領域１２のＸ軸方向の端部（第１絶縁部材４１側の部分）がＸ軸方向の中央部よりも下に延びている。その結果、寄生抵抗が高くなり易い。これにより、オン抵抗が高くなり易い。チャネル長が長くなり易く、オン抵抗Ｒｏｎ・Ａが高くなる傾向がある。さらに、半導体装置１１９においては、第２半導体領域１２（例えばベース層）の下側部分（第１半導体領域１１と第４半導体領域１４との間の部分）が薄い。これにより、パンチスルーが生じ易い。
図３に示すように、参考例の半導体装置１１９においては、第１面Ｆ１は凹状であり、第２面Ｆ２は凹状である。このような半導体装置１１９においては、例えば、第２半導体領域１２のＸ軸方向の端部（第１絶縁部材４１側の部分）がＸ軸方向の中央部よりも下に延びている。その結果、寄生抵抗が高くなり易い。これにより、オン抵抗が高くなり易い。チャネル長が長くなり易く、オン抵抗Ｒｏｎ・Ａが高くなる傾向がある。さらに、半導体装置１１９においては、第２半導体領域１２（例えばベース層）の下側部分（第１半導体領域１１と第４半導体領域１４との間の部分）が薄い。これにより、パンチスルーが生じ易い。
【0029】
これに対して、実施形態においては、第２面Ｆ２は凸状である。これにより、寄生抵抗が抑制され、低いオン抵抗が得易くなる。チャネル長を短くでき、低いオン抵抗Ｒｏｎ・Ａが得易い。実施形態においては、第１面Ｆ１が凸状なので、例えば、第２半導体領域１２の下側部分（第１半導体領域１１と第４半導体領域１４との間の部分）を厚く維持し易い。これにより、パンチスルーが抑制される。
【0030】
図１に示すように、例えば、第２面Ｆ２の下端部ＦＬ２は、第３導電部材５３の上端部５３ｂよりも下にある。例えば、第２接触部分ＦＣ２は、第３導電部材５３の上端部５３ｂよりも上にある。例えば、第１面Ｆ１の下端部ＦＬ１は、第３導電部材５３の下端部５３ａよりも下にある。このような構成により、より安定な特性が得られる。この例では、第１接触部分ＦＣ１の高さは、第３導電部材５３の下端部５３ａの高さと実質的に同じである。図２に示すように、例えば、第３距離ｄ３は、第１導電部材５１と、第３導電部材５３の上端部５３ｂと、の間の第１方向に沿う距離ｄ５よりも短い。例えば、第４距離ｄ４は、第１導電部材５１と、第３導電部材５３の上端部５３ｂと、の間の第１方向に沿う距離ｄ５よりも長い。例えば、第１距離ｄ１は、第１導電部材５１と、第３導電部材５３の下端部５３ａと、の間の第１方向に沿う距離ｄ６よりも短い。この例では、第２距離ｄ２は、第１導電部材５１と、第３導電部材５３の下端部５３ａと、の間の第１方向に沿う距離ｄ６と実質的に同じである。
【0031】
図１に示すように、半導体装置１１０は、第２絶縁部材４２をさらに含んでも良い。この例では、第２導電部材５２は、第２導電部分５２ｂをさらに含む。第１絶縁部材４１は、上部絶縁領域４１ｃを含む。上部絶縁領域４１ｃは、第３半導体領域１３の上に設けられる。第２導電部分５２ｂは、上部絶縁領域４１ｃの上にある。第２絶縁部材４２の一部は、第１方向（Ｚ軸方向）において、上部絶縁領域４１ｃと、第２導電部分５２ｂの一部と、の間にある。
【0032】
第１絶縁部材４１と第２絶縁部材４２との間の境界は、明確でも、不明確でも良い。
【0033】
図１に示すように、半導体装置１１０は、第４導電部材５４をさらに含んでも良い。第４導電部材５４の少なくとも一部は、第１半導体領域１１の上記の他部１１ｂと、第３導電部材５３と、の間にある。第４導電部材５４の少なくとも一部の第１方向（Ｚ軸方向）にける位置は、第１半導体領域１１の上記の他部１１ｂの第１方向における位置と、第３導電部材５３の第１方向における位置と、の間にある。第１絶縁部材４１の一部４１ｆは、半導体部材１０と第４導電部材５４との間にある。第１絶縁部材４１の一部４１ｆは、半導体部材１０と、第４導電部材５４と、の間を電気的に絶縁する。第１絶縁部材４１の一部４１ｆと、第１絶縁領域４１ａと、の間の境界は、明確でも、不明確でも良い。第１絶縁部材４１の一部４１ｆと、第２絶縁領域４１ｂと、の間の境界は、明確でも、不明確でも良い。
【0034】
１つの例において、第４導電部材５４は、第２導電部材５２及び第３導電部材５３の一方と電気的に接続されている。または、第４導電部材５４は、第２導電部材５２及び第３導電部材５３の一方と電気的に接続されることが可能である。
【0035】
この例では、第４導電部材５４は、第２導電部材５２と電気的に接続される。例えば、半導体装置１１０は、接続部材５４Ｌをさらに含んでも良い。接続部材５４Ｌは、第２導電部材５２及び第３導電部材５３の一方と、第４導電部材５４と、を電気的に接続する。
【0036】
図１に示すように、半導体装置１１０は、第４導電部材５４と電気的に接続された端子５４Ｔを含んでも良い。第４導電部材５４と端子５４Ｔとは、例えば、接続部材５４Ｃにより電気的に接続される。半導体装置１１０は、第２導電部材５２と電気的に接続された端子５２Ｔを含んでも良い。第２導電部材５２と端子５２Ｔとは、例えば、接続部材５２Ｃにより接続される。端子５４Ｔと端子５２Ｔとが、接続部材５４Ｌにより電気的に接続されても良い。端子５４Ｔが設けられる場合、接続部材５４Ｌは、半導体装置１１０に含まれなくても良い。
【0037】
第４導電部材５４は、例えば、フィールドプレートとして機能する。第４導電部材５４が設けられることにより、電界の集中が抑制できる。例えば、高い耐圧が得られる。
【0038】
以下、半導体装置１１０の製造方法の例について説明する。
図４（ａ）～図４（ｄ）は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図４（ａ）に示すように、構造体ＳＢ１を準備する。構造体ＳＢ１は、半導体部材１０と、第１絶縁部材４１と、２つの導電部材（例えば、第３導電部材５３）と、を含む。半導体部材１０は、第１導電形の第１半導体領域１１Ｆを含む。第１絶縁部材４１は、上部絶縁領域４１ｃを含む。上部絶縁領域４１ｃは、第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄの上に設けられる。第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄから上部絶縁領域４１ｃへの方向を第１方向とする。第１方向は、例えば、Ｚ軸方向である。２つの導電部材（第３導電部材５３）の１つから２つの導電部材（第３導電部材５３）の別の１つへの方向を第２方向とする。第１方向は、第２方向と交差する。第２方向は、例えば、Ｘ軸方向である。第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄは、第２方向（Ｘ軸方向）において、２つの導電部材（第３導電部材５３）の間にある。
図４（ａ）～図４（ｄ）は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図４（ａ）に示すように、構造体ＳＢ１を準備する。構造体ＳＢ１は、半導体部材１０と、第１絶縁部材４１と、２つの導電部材（例えば、第３導電部材５３）と、を含む。半導体部材１０は、第１導電形の第１半導体領域１１Ｆを含む。第１絶縁部材４１は、上部絶縁領域４１ｃを含む。上部絶縁領域４１ｃは、第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄの上に設けられる。第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄから上部絶縁領域４１ｃへの方向を第１方向とする。第１方向は、例えば、Ｚ軸方向である。２つの導電部材（第３導電部材５３）の１つから２つの導電部材（第３導電部材５３）の別の１つへの方向を第２方向とする。第１方向は、第２方向と交差する。第２方向は、例えば、Ｘ軸方向である。第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄは、第２方向（Ｘ軸方向）において、２つの導電部材（第３導電部材５３）の間にある。
【0039】
図４（ｂ）に示すように、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。第１絶縁部分４１ｐは、第１半導体領域１１Ｆの上記の一部１１ｄの第２方向（Ｘ軸方向）における中央部の上にある。第２絶縁部分４１ｑは、第１半導体領域１１Ｆの上記の一部１１ｄの第２方向（Ｘ軸方向）における端部１１ｄｅの上にある。端部１１ｄｅは、第１半導体領域１１Ｆのうちの２つの導電部材（例えば、第３導電部材５３）の間にある部分（一部１１ｄ）のＸ軸方向における端である。端部１１ｄｅは、第１絶縁部材４１と接する部分を含む。
【0040】
図４（ｂ）に示すように、第１絶縁部分４１ｐの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う厚さを第１厚さｔ１とする。第２絶縁部分４１ｑの第１方向に沿う厚さを第２厚さｔ２とする。第１厚さｔ１は、第２厚さｔ２よりも薄い。
【0041】
このような構造は、例えば、図４（ａ）において、第１絶縁部材４１の上に開口部を有するマスクを形成し、その開口部を介して第１絶縁部材４１の一部を除去することで形成できる。
【0042】
図４（ｃ）に示すように、上部絶縁領域４１ｃを介して、第２導電形の不純物１２ｉを、第１半導体領域１１の上記の一部１１ｄに導入して第２導電形の第２半導体領域１２Ｆを形成する。不純物１２ｉの導入は、例えば、インプランテーションにより行われる。
【0043】
図４（ｄ）に示すように、上部絶縁領域４１ｃを介して、第１導電形の不純物１３ｉを、第２半導体領域１２Ｆの一部に導入して、第１導電形の第３半導体領域１３を形成する。不純物１３ｉの導入は、例えば、インプランテーションにより行われる。不純物１３ｉが導入されなかった領域が、第２半導体領域１２となる。
【0044】
上記の製造方法において、上部絶縁領域４１ｃは、厚さが互いに異なる第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。例えば、厚い第２絶縁部分４１ｑに対応する領域に導入される不純物の深さは、薄い第１絶縁部分４１ｐに対応する領域に導入される不純物の深さよりも浅くなる。これにより、凸状の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２（図４（ｄ）参照）が安定して得易い。
【0045】
この後、第２導電部材５２及び第１導電部材５１を形成することで、半導体装置１１０が得られる。
【0046】
上記の参考例の半導体装置１１９（図３参照）は、例えば、第１半導体領域１１、第２半導体領域１２及び第３半導体領域１３となる構造体ＳＢ１（図４（ａ）参照）に不純物を導入することで形成される。参考例においては、第１絶縁部材４１の厚さが均一な図４（ａ）の構成において、不純物が導入される。この場合、例えば、イオンインプランテーションの条件、及び／または、熱処理条件などに依存して、導入した不純物の拡散の程度が、第３導電部材５３（例えば、ゲート）の高さ（深さ）に応じて変化し易い。これにより、図３に例示した凹状の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が生じ易い。このような場合、第３導電部材５３（例えば、ゲート）の高さ（深さ）に依存してチャネル長が変化して、しきい値電圧が変動し易い。
【0047】
これに対して、実施形態に係る製造方法の例においては、例えば、厚さが互いに異なる第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む第１絶縁部材４１を介して不純物を導入することで、より安定して、凹状の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２を抑制できる。例えば、凸状の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が得易い。または、フラットな第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が得易い。これにより、例えば、安定したしきい値電圧が得易い。例えば、しきい値電圧が第３導電部材５３（例えばゲート）の高さ（深さ）に依存して変化することが抑制できる。
【0048】
上記の製造方法は例であり、実施形態において、他の方法により半導体装置１１０の構造が得られても良い。例えば、図４（ａ）に例示した形状の上部絶縁領域４１ｃを介して、ある程度の広がり持つ粒子束で不純物をインプランテーションで導入することで、凹状の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が形成されても良い。後述するように、上部絶縁領域４１ｃの上面のＸ軸方向の端部に突出部が設けられても良い。
【0049】
図５は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ａにおいては、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、厚さが互いに異なる第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。これ以外の半導体装置１１０ａの構成は、半導体装置１１０の構成と同様で良い。
図５に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ａにおいては、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、厚さが互いに異なる第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。これ以外の半導体装置１１０ａの構成は、半導体装置１１０の構成と同様で良い。
【0050】
半導体装置１１０ａにおいて、例えば、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、第３半導体領域１３の上に設けられる。上部絶縁領域４１ｃは、第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。第１絶縁部分４１ｐは第１導電部分５２ａと第２絶縁部分４１ｑとの間にある。第１絶縁部分４１ｐの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う第１厚さｔ１は、第２絶縁部分４１ｑの第１方向に沿う第２厚さｔ２よりも薄い。
【0051】
このような第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む第１絶縁部材４１（上部絶縁領域４１ｃ）を介して不純物が導入されることで、不純物が導入された領域の形状をより安定して制御できる。後述するように、上部絶縁領域４１ｃの上面のＸ軸方向の端部に突出部が設けられても良い。
【0052】
図６は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｂにおいては、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、厚さが互いに異なる第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。半導体装置１１０ｂにおいて、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２はＸ－Ｙ平面に実質的に平行である。第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２は、実質的にフラットである。半導体装置１１０ｂにおいては、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が凹状でないため、寄生抵抗が抑制され、低いオン抵抗が得易くなる。低いオン抵抗Ｒｏｎ・Ａが得易い。
図６に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｂにおいては、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、厚さが互いに異なる第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含む。半導体装置１１０ｂにおいて、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２はＸ－Ｙ平面に実質的に平行である。第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２は、実質的にフラットである。半導体装置１１０ｂにおいては、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が凹状でないため、寄生抵抗が抑制され、低いオン抵抗が得易くなる。低いオン抵抗Ｒｏｎ・Ａが得易い。
【0053】
図７は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｃにおいても、第１絶縁部材４１は、第３半導体領域１３の上に設けられた上部絶縁領域４１ｃを含む。半導体装置１１０ｃにおいては、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄは、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄの第２方向（Ｘ軸方向）の端部に設けられた突出部４１ｃｐを含む。半導体装置１１０ｃにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｃにおいて、例えば、上記のような形状の上部絶縁領域４１ｃを介して不純物が導入されることで、不純物が導入された領域の形状をより安定して制御できる。例えば、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が凹状になることが効果的に抑制できる。
図７に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｃにおいても、第１絶縁部材４１は、第３半導体領域１３の上に設けられた上部絶縁領域４１ｃを含む。半導体装置１１０ｃにおいては、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄは、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄの第２方向（Ｘ軸方向）の端部に設けられた突出部４１ｃｐを含む。半導体装置１１０ｃにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｃにおいて、例えば、上記のような形状の上部絶縁領域４１ｃを介して不純物が導入されることで、不純物が導入された領域の形状をより安定して制御できる。例えば、第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が凹状になることが効果的に抑制できる。
【0054】
図８は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を例示する模式的断面図である。
図８に示すように、図４（ｂ）に対応する工程において、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄは、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄの第２方向（Ｘ軸方向）の端部に設けられた突出部４１ｃｐを含む。このような上部絶縁領域４１ｃを介して、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に関して説明したように、不純物を導入することで、例えば、半導体装置１１０ｃが得られる。これは、不純物の導入において、例えば、不純物の粒子束は、ある程度の広がり持つことによる。
図８に示すように、図４（ｂ）に対応する工程において、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄは、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄの第２方向（Ｘ軸方向）の端部に設けられた突出部４１ｃｐを含む。このような上部絶縁領域４１ｃを介して、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に関して説明したように、不純物を導入することで、例えば、半導体装置１１０ｃが得られる。これは、不純物の導入において、例えば、不純物の粒子束は、ある程度の広がり持つことによる。
【0055】
図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｄにおいては、第１接触部分ＦＣ１は、第３導電部材５３の下端部５３ａよりも上である。例えば、第２距離ｄ２（図２参照）は、距離ｄ６（図２参照）よりも長い。半導体装置１１０ｄにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｄにおいても、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
図９に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｄにおいては、第１接触部分ＦＣ１は、第３導電部材５３の下端部５３ａよりも上である。例えば、第２距離ｄ２（図２参照）は、距離ｄ６（図２参照）よりも長い。半導体装置１１０ｄにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｄにおいても、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
【0056】
図１０は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１０に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｅにおいては、第１接触部分ＦＣ１は、第３導電部材５３の下端部５３ａよりも下にある。例えば、第２距離ｄ２（図２参照）は、距離ｄ６（図２参照）よりも短い。半導体装置１１０ｅにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｅにおいても、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
図１０に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｅにおいては、第１接触部分ＦＣ１は、第３導電部材５３の下端部５３ａよりも下にある。例えば、第２距離ｄ２（図２参照）は、距離ｄ６（図２参照）よりも短い。半導体装置１１０ｅにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｅにおいても、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
【0057】
図１１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｆにおいては、２つの第１導電部分５２ａの間に設けられる第３導電部材５３の数が１つである。半導体装置１１０ｆにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｆにおいても、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
図１１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ｆにおいては、２つの第１導電部分５２ａの間に設けられる第３導電部材５３の数が１つである。半導体装置１１０ｆにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１０ｆにおいても、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
【0058】
図１２～図１４は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１２～図１４に示すように、実施形態に係る半導体装置１２０、１２０ａ及び１２０ｂにおいては、第４導電部材５４は、第３導電部材５３と電気的に接続されている。または、第４導電部材５４は、第３導電部材５３と電気的に接続されることが可能である。
図１２～図１４に示すように、実施形態に係る半導体装置１２０、１２０ａ及び１２０ｂにおいては、第４導電部材５４は、第３導電部材５３と電気的に接続されている。または、第４導電部材５４は、第３導電部材５３と電気的に接続されることが可能である。
【0059】
例えば、第４導電部材５４は、接続部材５４Ｌにより、第３導電部材５３と電気的に接続される。例えば、第４導電部材５４と電気的に接続された端子５４Ｔが設けられる。第３導電部材５３と電気的に接続された端子５３Ｔが設けられる。第３導電部材５３と端子５３Ｔとは、例えば、接続部材５３Ｃにより接続される。端子５４Ｔと端子５３Ｔとが、接続部材５４Ｌにより電気的に接続されても良い。端子５４Ｔが設けられる場合、接続部材５４Ｌは、半導体装置１２０、１２０ａ及び１２０ｂに含まれなくても良い。第４導電部材５４が設けられることにより、電界の集中が抑制できる。例えば、高い耐圧が得られる。実施形態において、図１２～図１４に例示した断面で、第４導電部材５４が第３導電部材５３と電気的に接続されても良い。
【0060】
上記を除く半導体装置１２０、１２０ａ及び１２０ｂの構成は、半導体装置１１０、１１０ａ～１１０ｆの構成と同様でよい。半導体装置１２０、１２０ａ及び１２０ｂによれば、特性の向上が可能な半導体装置が提供できる。
【0061】
実施形態において、半導体部材１０は、例えば、シリコンを含む。
【0062】
第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度（または第１導電形のキャリア濃度）は、例えば、１×１０１５ｃｍ－３以上５×１０１６ｃｍ－３以下である。
【0063】
第２半導体領域１２における第２導電形の不純物濃度（または第２導電形のキャリア濃度）は、例えば、１×１０１７ｃｍ－３以上５×１０１７ｃｍ－３以下である。
【0064】
第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度（または第１導電形のキャリア濃度）は、例えば、１×１０１９ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下である。
【0065】
第４半導体領域１４における第２導電形の不純物濃度（または第２導電形のキャリア濃度）は、例えば、１×１０１９ｃｍ－３以上８×１０２０ｃｍ－３である。
【0066】
第５半導体領域１５における第１導電形の不純物濃度（または第１導電形のキャリア濃度）は、例えば、１×１０１９ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下である。
【0067】
第１導電部材５１は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、錫、金及び銀よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２導電部材５２の第１導電部分５２ａは、例えば、アルミニウム、銅、チタン、タングステン及びシリコンよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２導電部材５２の第２導電部分５２ｂは、例えば、アルミニウム、銅、タングステン及びシリコンよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３導電部材５３及び第４導電部材５４は、例えば、ポリシリコンを含む。このポリシリコンは、不純物を含んでも良い。１つの例において、第１絶縁部材４１は、シリコンと酸素とを含む。１つの例において、第２絶縁部材４２は、例えば、シリコンと酸素とを含む。第２絶縁部材４２は、窒素を含んでも良い。
【0068】
（第２実施形態）
図１５は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
図１５に示すように、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電形の第１半導体領域１１Ｆを含む半導体部材１０と、第１絶縁部材４１と、２つの導電部材（第３導電部材５３）と、を含む構造体ＳＢ１（図４（ｂ）参照）を準備すること（ステップＳ１１０）を含む。図８に関して説明したように、例えば、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄは、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄの第２方向（Ｘ軸方向）の端部に設けられた突出部４１ｃｐを含む。例えば、図４（ｂ）に関して説明したように、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含んでも良い。第１絶縁部分４１ｐは、第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄの第２方向（Ｘ軸方向）における中央部の上にある。第２絶縁部分４１ｑは、第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄの第２方向（Ｘ軸方向）における端部１１ｄｅの上にある。第１絶縁部分４１ｐの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う第１厚さｔ１は、第２絶縁部分４１ｑの第１方向に沿う第２厚さｔ２よりも薄い（図４（ｂ）参照）。
図１５は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
図１５に示すように、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電形の第１半導体領域１１Ｆを含む半導体部材１０と、第１絶縁部材４１と、２つの導電部材（第３導電部材５３）と、を含む構造体ＳＢ１（図４（ｂ）参照）を準備すること（ステップＳ１１０）を含む。図８に関して説明したように、例えば、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄは、上部絶縁領域４１ｃの上面４１ｃｄの第２方向（Ｘ軸方向）の端部に設けられた突出部４１ｃｐを含む。例えば、図４（ｂ）に関して説明したように、第１絶縁部材４１の上部絶縁領域４１ｃは、第１絶縁部分４１ｐ及び第２絶縁部分４１ｑを含んでも良い。第１絶縁部分４１ｐは、第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄの第２方向（Ｘ軸方向）における中央部の上にある。第２絶縁部分４１ｑは、第１半導体領域１１Ｆの一部１１ｄの第２方向（Ｘ軸方向）における端部１１ｄｅの上にある。第１絶縁部分４１ｐの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う第１厚さｔ１は、第２絶縁部分４１ｑの第１方向に沿う第２厚さｔ２よりも薄い（図４（ｂ）参照）。
【0069】
図１５に示すように、製造方法は、上記の第１絶縁部材４１を介して、第２導電形の不純物１２ｉを導入すること（ステップＳ１２０）を含む。ステップＳ１２０において、図４（ｃ）に関して説明した処理が実施される。
【0070】
図１５に示すように、製造方法は、上記の第１絶縁部材４１を介して、第１導電形の不純物１３ｉを導入すること（ステップＳ１３０）を含む。ステップＳ１３０において、図４（ｄ）に関して説明した処理が実施される。
【0071】
実施形態に係る製造方法によれば、例えば、凹状の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２が抑制される。特性の向上が可能な半導体装置の製造方法が提供できる。
【0072】
実施形態において、半導体領域の形状などに関する情報は、例えば、電子顕微鏡観察などにより得られる。半導体領域における不純物の濃度に関する情報は、例えば、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）、または、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）などにより得られる。半導体領域におけるキャリア濃度に関する情報は、例えば、ＳＣＭ（Scanning Capacitance Microscopy）などにより得られる。
【0073】
実施形態によれば、特性の向上が可能な半導体装置及びその製造方法が提供できる。
【0074】
本願明細書において、「電気的に接続される状態」は、複数の導電体が物理的に接してこれら複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。「電気的に接続される状態」は、複数の導電体の間に、別の導電体が挿入されて、これらの複数の導電体の間に電流が流れる状態を含む。
【0075】
以上、例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれる導電部材、半導体部材、半導体領域及び絶縁部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【0076】
各例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0077】
本発明の実施の形態として上述した半導体装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0078】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0079】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0080】
１０…半導体部材、 １１～１５…第１～第５半導体領域、 １１Ｆ…第１半導体領域、 １１ａ…一部、 １１ｂ…他部、 １１ｄ…一部、 １１ｄｅ…端部、 １２Ｆ…第２半導体領域、 １２ｉ、１３ｉ…不純物、 ４１、４２…第１、第２絶縁部材、 ４１ａ、４１ｂ…第１、第２絶縁領域、 ４１ｃ…上部絶縁領域、 ４１ｃｄ…上面、 ４１ｃｐ…突出部、 ４１ｆ…一部、 ４１ｐ、４１ｑ…第１、第２絶縁部分、 ５１～５４…第１～第４導電部材、 ５２Ｌ、５３Ｌ、５４Ｌ…接続部材、 ５２Ｔ、５３Ｔ、５４Ｔ…端子、 ５２ａ、５２ｂ…第１、第２導電部分、 ５３ａ…下端部、 ５３ｂ…上端部、 １１０、１１０ａ～１１０ｆ、１１９、１２０、１２０ａ、１２０ｂ…半導体装置、 Ｆ１、Ｆ２…第１、第２面、 ＦＣ１、ＦＣ２…第１、第２接触部分、 ＦＬ１、ＦＬ２…下端部、 ＳＢ１…構造体、 ｄ１～ｄ４…第１～第４距離、 ｄ５、ｄ６…距離、 ｔ１、ｔ２…第１、第２厚さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】